JP5759414B2 - 半導体光導波路素子 - Google Patents
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Description
第1の実施形態の半導体光導波路素子について図面に基づいて説明する。本実施形態では、半導体光導波路素子として2×2のスラブ型MMIを用いた光合波器を例に挙げて説明する。図3は第1の実施形態の半導体光導波路素子を示す図である。図3において、(a)は半導体光導波路素子の上面の模式図であり、(b)は(a)のb−b’断面図である。図4はpin接合により形成された半導体光導波路素子の層構成の一例を示す図である。
第1の実施形態の半導体光導波路素子では、出力側光導波路に結合されない光強度成分が、放射光となって半導体素子から放出されることを抑制することで、迷光成分を低減する構成であった。第2の実施形態の半導体光導波路素子では、放射光の光強度を検出することで、相対的に出力光導波路への光強度の変化を検出することができるものである。図6は第2の実施形態の半導体光導波路素子を示す模式図である。本実施形態の半導体光導波路素子は、第1の実施形態の半導体光導波路素子において、逆方向電界を印加する手段19に、電流計20を設けることによって、放射光の吸収によって変化する印加電圧を測定する構成としたものである。逆バイアス電圧を印加した部分で発生する光吸収電流を検知することで、放射光となって出力側光導波路に結合しない成分を検知することができる。
11a、11b 入力導波路
12 スラブ型MMI
13a、13b 出力導波路
14 電極
15 基板
16 導波路層
17a 接続層
17b クラッド層
18 放射光吸収領域
Claims (2)
- 2つ以上の入力光導波路と、
前記入力光導波路の下流側に接続された光合波器と、
前記光合波器の出力側に接続された1つ以上の出力光導波路と、
前記光合波器の出力側において前記出力導波路に隣接する部分に形成された放射光吸収領域とを備え、
前記入力光導波路と光合波器と出力光導波路の少なくとも1つの層構造がpn接合構造またはpin接合構造であり、前記放射光吸収領域は該pn接合構造またはpin接合構造と同じ層構造であり、かつ該層構造のpn接合構造またはpin接合構造に対して逆方向電界を形成する電圧を印加する手段が設けられており、
前記放射光吸収領域に電圧を印加して逆方向電界を形成することで、光合波器からの放射光を吸収して、出力側光導波路に結合しない放射光成分が拡散することを防止することを特徴とする半導体光導波路素子。 - 前記放射光吸収領域に電圧を印加する手段における電流変化を測定する手段をさらに備え、電流変化を測定する手段は、前記放射光を吸収したことにより発生する光吸収電流を検知することで、放射光となって出力側光導波路に結合しない成分を検知することを特徴とする請求項1に記載の半導体光導波路素子。
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