JP5757857B2 - Correction method of wiring board machining position - Google Patents

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Description

本発明は、配線基板の加工位置の補正方法に関する。   The present invention relates to a method for correcting a processing position of a wiring board.

従来より、アライメントマークのアライメントホールに対する位置ズレ量を測定し、位置ズレ量の半分の値で基板の伸縮と歪みを補正した位置座標データを用いてビアホール穴を形成する配線基板の製造方法があった。   Conventionally, there has been a method of manufacturing a wiring board in which a positional deviation amount of an alignment mark with respect to an alignment hole is measured and a via hole is formed using positional coordinate data obtained by correcting the expansion and contraction and distortion of the board with a value half the positional deviation amount. It was.

特開2008−078464号公報JP 2008-078464 A

しかしながら、従来の配線基板の製造方法は、アライメントマークのアライメントホールに対する位置ズレ量の半分の値で基板の伸縮と歪みを補正するため、位置ズレ量の半分の値がビアの位置ずれの許容値を超えると配線不良が生じるという問題があった。   However, since the conventional method of manufacturing a wiring board corrects the expansion and contraction and distortion of the board with a value that is half of the positional displacement amount of the alignment mark with respect to the alignment hole, the half value of the positional displacement amount is an allowable value for via misalignment. If it exceeds, wiring defects will occur.

具体的には、例えば、位置ズレ量の半分の値がビアとパッドの位置ずれの許容値を超えると、パッドとビアが接続されなくなる虞があった。パッドとビアが接続されない場合は、配線基板の不良に繋がるという問題があった。   Specifically, for example, if the half value of the positional deviation amount exceeds the allowable value of the positional deviation between the via and the pad, there is a possibility that the pad and the via are not connected. When the pad and the via are not connected, there is a problem that the wiring board is defective.

そこで、配線不良を抑制した配線基板の加工位置の補正方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for correcting a processing position of a wiring board in which wiring defects are suppressed.

本発明の実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法は、絶縁層を積層して形成される配線基板の表面の四隅に形成される4つのアライメントマークの位置によって定まる第1四辺形と、設計データにおける前記アライメントマークの位置によって定まる第2四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める第1工程と、前記第1四辺形の各辺と前記第2四辺形の各辺との角度差が小さくなるように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均角度差だけ回転させる第2工程と、前記第1四辺形と前記第2四辺形との対応する頂点同士の平均距離差を求める第3工程と、前記第1四辺形と前記第2四辺形とが近づくように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均距離差だけ移動させる第4工程と、前記第1四辺形の各頂点を中心として前記配線基板に形成されるビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、前記第2四辺形の各辺と平行で、前記第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線を求める第5工程と、前記4本の直線の4つの交点が前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあるか否かを判定する第6工程と、前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあると判定された前記4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び前記第3四辺形の基準位置に対する形状と、前記第2四辺形の大きさ及び前記第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに含まれる回路パターンの前記配線基板への加工位置を補正する第7工程とを含む。   A method for correcting a processing position of a wiring board according to an embodiment of the present invention includes a first quadrilateral determined by positions of four alignment marks formed at four corners of a surface of a wiring board formed by laminating insulating layers; A first step of obtaining an average angle difference between corresponding sides of the second quadrilateral determined by the position of the alignment mark in the design data; each side of the first quadrilateral and each of the second quadrilateral A second step of rotating the first quadrilateral or the second quadrangle by the average angular difference so that the angular difference with the side becomes small, and the first quadrangle and the second quadrangle correspond to each other. A third step of obtaining an average distance difference between the vertices, and a step of moving the first quadrilateral or the second quadrilateral by the average distance difference so that the first quadrangle and the second quadrangle are close to each other. 4 steps and each top of the first quadrilateral The four lines that pass through the inside of four circles whose radius is the tolerance of a via formed in the wiring board centering on the wiring board, are parallel to the sides of the second quadrilateral, and are closest to the sides of the second quadrilateral. In a fifth step of determining the straight line, a sixth step of determining whether or not four intersections of the four straight lines are within four circles having a radius of the tolerance of the via, and a sixth step A size of the third quadrilateral determined by the four intersections determined to be within four circles having a radius of the tolerance of the via, a shape with respect to a reference position of the third quadrilateral, and the second quadrilateral And a seventh step of correcting the processing position of the circuit pattern included in the design data on the wiring board based on the difference between the size of the second quadrilateral and the shape with respect to the reference position.

低コストで配線基板を製造できる配線基板の製造方法、及び、配線基板用の構造体を提供することができる。   It is possible to provide a method for manufacturing a wiring board that can be manufactured at a low cost, and a structure for a wiring board.

実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図である。It is a figure which shows the wiring board to which the correction method of the processing position of the wiring board of embodiment is applied. 実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図である。It is a figure which shows the wiring board to which the correction method of the processing position of the wiring board of embodiment is applied. 実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法の工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the process of the correction method of the processing position of the wiring board of embodiment. 実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法のステップS1において、第1四辺形と第2四辺形の各辺同士の角度差を求める工程を示す図である。It is a figure which shows the process of calculating | requiring the angle difference of each edge | side of a 1st quadrangle and a 2nd quadrangle in step S1 of the correction method of the process position of the wiring board of embodiment. 実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法において、第2四辺形を平均距離差だけ移動させる処理の一例を示す図である。In the correction method of the processing position of the wiring board of an embodiment, it is a figure showing an example of processing which moves the 2nd quadrangle by average distance difference. 実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法におけるステップS2の処理を示す図である。It is a figure which shows the process of step S2 in the correction method of the processing position of the wiring board of embodiment. 実施の形態1の配線基板の加工位置の補正方法のステップS2において4本の直線を求める方法を示す図である。It is a figure which shows the method of calculating | requiring four straight lines in step S2 of the correction method of the processing position of the wiring board of Embodiment 1. FIG.

以下、本発明の配線基板の加工位置の補正方法を適用した実施の形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment to which a method for correcting a processing position of a wiring board according to the present invention is applied will be described.

図1は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図であり、(A)は断面図、(B)は平面透視図である。図1(A)は、図1(B)におけるA−A矢視断面を示す。   1A and 1B are diagrams illustrating a wiring board to which a method for correcting a processing position of a wiring board according to an embodiment is applied, in which FIG. 1A is a cross-sectional view and FIG. 1B is a plan perspective view. FIG. 1A shows a cross section taken along the line AA in FIG.

図1(A)に示すように、ビルドアップ基板100は、コア基板110、ビア111A、111B、配線層120A、120B、絶縁層121、ビア122A、122B、配線層130A、130B、130C、130D、アライメントマーク131A、131B、及び絶縁層132を含む。   As shown in FIG. 1A, the build-up substrate 100 includes a core substrate 110, vias 111A and 111B, wiring layers 120A and 120B, insulating layers 121, vias 122A and 122B, wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D. Alignment marks 131A and 131B and an insulating layer 132 are included.

また、ビルドアップ基板100は、さらに、コア基板110の下側に、配線層140A、140B、絶縁層141、ビア142A、142B、配線層150A、150B、150C、150D、及び絶縁層151を含む。   The build-up substrate 100 further includes wiring layers 140A and 140B, an insulating layer 141, vias 142A and 142B, wiring layers 150A, 150B, 150C and 150D, and an insulating layer 151 on the lower side of the core substrate 110.

ビルドアップ基板100は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板の一例である。なお、ここでは、上下という文言は、図1(A)に示す断面構造における上下を表し、普遍的な上下の位置関係を表すものではない。   The build-up substrate 100 is an example of a wiring substrate to which the method for correcting a processing position of the wiring substrate according to the embodiment is applied. Note that here, the term “upper and lower” represents the upper and lower sides in the cross-sectional structure illustrated in FIG. 1A and does not represent a universal vertical positional relationship.

コア基板110は、例えば、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたものを用いることができる。   As the core substrate 110, for example, a glass cloth base material impregnated with an epoxy resin can be used.

ビア111A、111Bは、コア基板110を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成されている。ビアホールは、例えば、レーザ加工又はドリル加工によって形成すればよい。   The vias 111A and 111B are formed inside via holes that penetrate the core substrate 110 in the thickness direction. The via hole may be formed by, for example, laser processing or drill processing.

ビア111A、111Bは、コア基板110を厚さ方向に貫通するビアホールの内壁に形成されていても、ビアホールの内部を充填するように形成されていてもどちらでもよい。   The vias 111A and 111B may be formed on the inner wall of the via hole penetrating the core substrate 110 in the thickness direction or may be formed so as to fill the inside of the via hole.

例えば、セミアディティブ法によるビア111A、111Bの形成は、例えば次の通りである。コア基板110のビアホールの内壁に、銅の無電解めっきやスパッタによりシード層を形成し、シード層上に配線パターンの形状の開口部を有するめっきレジストパターンを形成する。次いで、シード層を給電層とする、銅の電解めっきにより、ビアホール内にビア111A、111Bとなる銅めっきを析出させる。次いで、めっきレジストを除去し、シード層を除去することにより、ビア111A、111Bを形成する。   For example, the formation of the vias 111A and 111B by the semi-additive method is as follows, for example. A seed layer is formed on the inner wall of the via hole of the core substrate 110 by electroless copper plating or sputtering, and a plating resist pattern having an opening in the shape of a wiring pattern is formed on the seed layer. Next, copper plating to be vias 111A and 111B is deposited in the via holes by copper electroplating using the seed layer as a power feeding layer. Next, the plating resist is removed, and the seed layer is removed, thereby forming the vias 111A and 111B.

配線層120A、120Bは、コア基板110の上面に形成され、下面側がビア111A、111Bに接続されている。また、配線層120A、120Bは、上面側が絶縁層121によって覆われるとともに、絶縁層121を貫通するビア122A、122Bに接続されている。   The wiring layers 120A and 120B are formed on the upper surface of the core substrate 110, and the lower surface side is connected to the vias 111A and 111B. The wiring layers 120 </ b> A and 120 </ b> B are covered with the insulating layer 121 on the upper surface side and connected to the vias 122 </ b> A and 122 </ b> B that penetrate the insulating layer 121.

配線層120A、120Bは、コア基板110の上側における第1層である。配線層120A、120Bは、例えば、銅箔であり、レジストを用いためっき処理によって形成すればよい。   The wiring layers 120 </ b> A and 120 </ b> B are first layers on the upper side of the core substrate 110. The wiring layers 120A and 120B are, for example, copper foils and may be formed by a plating process using a resist.

絶縁層121は、コア基板110の上面と、配線層120A、120Bの上面とを覆うように形成されるとともに、配線層120A、120Bの上面の一部に形成されるビアホールの内部にビア122A、122Bが形成されている。   The insulating layer 121 is formed so as to cover the upper surface of the core substrate 110 and the upper surfaces of the wiring layers 120A and 120B, and the via 122A and the via 122A are formed in part of the upper surfaces of the wiring layers 120A and 120B. 122B is formed.

絶縁層121は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。また、その後に配線層120A、120Bの上面まで貫通するビアホールが形成され、ビアホールの内部にビア122A、122Bが形成されている。   The insulating layer 121 is produced, for example, by making a film-like epoxy resin or polyimide resin into a semi-cured resin film, and heating and pressurizing and curing the semi-cured resin film with a vacuum laminator. After that, via holes penetrating to the upper surfaces of the wiring layers 120A and 120B are formed, and vias 122A and 122B are formed inside the via holes.

ビア122A、122Bは、絶縁層121を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成され、下面がそれぞれ配線層120A、120Bの上面に接続されている。ビア122A、122Bの上面は、それぞれ、配線層130A、130Dに接続されている。   The vias 122A and 122B are formed inside via holes that penetrate the insulating layer 121 in the thickness direction, and the lower surfaces thereof are connected to the upper surfaces of the wiring layers 120A and 120B, respectively. The upper surfaces of the vias 122A and 122B are connected to the wiring layers 130A and 130D, respectively.

ビア122A、122Bは、例えば、銅めっきによって形成される。ビア122A、122Bは、例えば、後述する配線層130A、130B、130C、130Dを形成するためのめっき処理によって形成すればよい。   The vias 122A and 122B are formed by, for example, copper plating. The vias 122A and 122B may be formed, for example, by a plating process for forming wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D described later.

配線層130A、130B、130C、130Dは、それぞれ、絶縁層121の上面に形成されている。このうち、配線層130A、130Dは、それぞれ、ビア122A、122Bに接続されている。配線層130A、130B、130C、130Dの上面は、絶縁層132によって覆われている。   The wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D are formed on the upper surface of the insulating layer 121, respectively. Among these, the wiring layers 130A and 130D are connected to the vias 122A and 122B, respectively. The upper surfaces of the wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D are covered with an insulating layer 132.

配線層130A、130B、130C、130Dは、コア基板110の上側における第2層である。   The wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D are second layers on the upper side of the core substrate 110.

配線層130A、130B、130C、130Dは、例えば、銅箔で形成すればよい。配線層130A、130B、130C、130Dは、例えば、ビア122A、122Bめっき処理によって形成すればよい。   The wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D may be formed of, for example, copper foil. The wiring layers 130A, 130B, 130C, 130D may be formed by, for example, via 122A, 122B plating.

アライメントマーク131A、131Bは、絶縁層121の上面の端部に形成されており、絶縁層132によって覆われている。アライメントマーク131A、131Bは、絶縁層132にビアホールを形成する際の加工位置の位置決め用に用いられる。   The alignment marks 131 </ b> A and 131 </ b> B are formed at the end of the upper surface of the insulating layer 121 and are covered with the insulating layer 132. The alignment marks 131A and 131B are used for positioning a processing position when a via hole is formed in the insulating layer 132.

図1(A)には配線層130A〜130Dと同様にコア基板110の上側における第2層に含まれるアライメントマーク131A、131Bのみを示すが、実際には、ビア122A、122Bを形成するビアホールの加工位置を位置決めするために用いるアライメントマークが配線層120A、120Bと同様にコア基板110の上側における第1層によって形成される。   FIG. 1A shows only the alignment marks 131A and 131B included in the second layer on the upper side of the core substrate 110 as in the case of the wiring layers 130A to 130D, but in reality, the via holes for forming the vias 122A and 122B are shown. An alignment mark used for positioning the processing position is formed by the first layer on the upper side of the core substrate 110 in the same manner as the wiring layers 120A and 120B.

アライメントマーク131A、131Bは、後述するアライメントマーク131C、131D(図1(B)参照)とともに、平面視においてビルドアップ基板100の四隅に位置するように形成されている。   The alignment marks 131A and 131B are formed so as to be positioned at the four corners of the build-up substrate 100 in plan view together with alignment marks 131C and 131D (see FIG. 1B) described later.

アライメントマーク131A〜131Dは、配線層130A、130B、130C、130Dとともに、コア基板110の上側における第2層の銅箔をパターニングすることによって形成される。   The alignment marks 131A to 131D are formed by patterning the second layer copper foil on the upper side of the core substrate 110 together with the wiring layers 130A, 130B, 130C, and 130D.

絶縁層132は、絶縁層121、配線層130A〜130D、アライメントマーク131A、131Bの上面を覆うように形成されている。   The insulating layer 132 is formed so as to cover the upper surfaces of the insulating layer 121, the wiring layers 130A to 130D, and the alignment marks 131A and 131B.

配線層140A、140Bは、コア基板110の下面に形成され、上面側がビア111A、111Bに接続されている。また、配線層140A、140Bは、下面側が絶縁層141によって覆われるとともに、絶縁層141を貫通するビア142A、142Bに接続されている。   The wiring layers 140A and 140B are formed on the lower surface of the core substrate 110, and the upper surface side is connected to the vias 111A and 111B. The wiring layers 140 </ b> A and 140 </ b> B are covered with the insulating layer 141 on the lower surface side and connected to the vias 142 </ b> A and 142 </ b> B that penetrate the insulating layer 141.

配線層140A、140Bは、コア基板110の下側における第1層である。   The wiring layers 140 </ b> A and 140 </ b> B are first layers on the lower side of the core substrate 110.

配線層140A、140Bは、例えば、銅箔であり、レジストを用いためっき処理によって形成すればよい。   The wiring layers 140A and 140B are, for example, copper foils and may be formed by a plating process using a resist.

絶縁層141は、コア基板110の下面と、配線層140A、140Bの下面とを覆うように形成されるとともに、配線層140A、140Bの下面の一部に形成されるビアホールの内部にビア142A、142Bが形成されている。   The insulating layer 141 is formed so as to cover the lower surface of the core substrate 110 and the lower surfaces of the wiring layers 140A and 140B, and the via 142A and the via 142A are formed in a part of the lower surface of the wiring layers 140A and 140B. 142B is formed.

絶縁層141は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。また、その後に配線層140A、140Bの下面まで貫通するビアホールが形成され、ビアホールの内部にビア142A、142Bが形成されている。   The insulating layer 141 is produced, for example, by making a film-like epoxy resin or polyimide resin into a semi-cured resin film, and heating and pressurizing and curing the semi-cured resin film with a vacuum laminator. After that, via holes that penetrate to the lower surfaces of the wiring layers 140A and 140B are formed, and vias 142A and 142B are formed inside the via holes.

ビア142A、142Bは、絶縁層141を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成され、上面がそれぞれ配線層140A、140Bの下面に接続されている。ビア142A、142Bの下面は、それぞれ、配線層150B、150Cに接続されている。   The vias 142A and 142B are formed inside via holes that penetrate the insulating layer 141 in the thickness direction, and the upper surfaces thereof are connected to the lower surfaces of the wiring layers 140A and 140B, respectively. The lower surfaces of the vias 142A and 142B are connected to the wiring layers 150B and 150C, respectively.

ビア142A、142Bは、例えば、銅めっきによって形成される。ビア142A、142Bは、例えば、後述する配線層150A、150B、150C、150Dを形成するためのめっき処理によって形成すればよい。   The vias 142A and 142B are formed by, for example, copper plating. The vias 142A and 142B may be formed by, for example, a plating process for forming wiring layers 150A, 150B, 150C, and 150D described later.

配線層150A、150B、150C、150Dは、それぞれ、絶縁層141の下面に形成されている。このうち、配線層150B、150Cは、それぞれ、ビア142A、142Bに接続されている。配線層150A、150B、150C、150Dの下面は、絶縁層151によって覆われている。   The wiring layers 150A, 150B, 150C, and 150D are formed on the lower surface of the insulating layer 141, respectively. Among these, the wiring layers 150B and 150C are connected to the vias 142A and 142B, respectively. The lower surfaces of the wiring layers 150A, 150B, 150C, and 150D are covered with an insulating layer 151.

配線層150A、150B、150C、150Dは、コア基板110の下側における第2層である。   The wiring layers 150A, 150B, 150C, and 150D are second layers on the lower side of the core substrate 110.

配線層150A、150B、150C、150Dは、例えば、ビア142A、142Bとともに、めっき処理によって形成すればよい。   The wiring layers 150A, 150B, 150C, and 150D may be formed by a plating process together with the vias 142A and 142B, for example.

絶縁層151は、絶縁層141、配線層150A〜150D、アライメントマーク131A、131Bの下面を覆うように形成されている。   The insulating layer 151 is formed so as to cover the lower surface of the insulating layer 141, the wiring layers 150A to 150D, and the alignment marks 131A and 131B.

図1(B)は、実施の形態のビルドアップ基板100のコア基板110よりも上側に形成される、配線層120A〜120F、配線層130A〜130L、アライメントマーク131A〜131Dを透視的に示す図である。   FIG. 1B is a perspective view of wiring layers 120A to 120F, wiring layers 130A to 130L, and alignment marks 131A to 131D that are formed above the core substrate 110 of the build-up substrate 100 according to the embodiment. It is.

図1(B)では、コア基板100より上側に形成される構成要素のうち、ビア111A、111Bの図示を省略し、配線層120A〜120F、配線層130A〜130L、アライメントマーク131A〜131Dの平面的なパターンを破線で示す。   In FIG. 1B, of the components formed above the core substrate 100, the vias 111A and 111B are not shown, and the wiring layers 120A to 120F, the wiring layers 130A to 130L, and the planes of the alignment marks 131A to 131D are omitted. Typical patterns are indicated by broken lines.

配線層120A〜120F、配線層130A〜130L、アライメントマーク131A〜131Dは、平面視では、図1(B)に示すようにパターニングされている。   The wiring layers 120A to 120F, the wiring layers 130A to 130L, and the alignment marks 131A to 131D are patterned as shown in FIG.

ここで、配線層130Aは、ビア122A(図1(A)参照)によって配線層120Aに接続されているが、平面視でビア122Aは配線層130Aより小さいため、図1(B)ではビア122Aは見えない。同様に、配線層130Dは、ビア122B(図1(A)参照)によって配線層120Bに接続されているが、平面視でビア122Bは配線層130Bより小さいため、図1(B)ではビア122Bは見えない。なお、配線層130Aと130Bは接続されておらず(図1(A)参照)、配線層130Cと130Dは接続されていない(図1(A)参照)。   Here, the wiring layer 130A is connected to the wiring layer 120A by a via 122A (see FIG. 1A). However, the via 122A is smaller than the wiring layer 130A in a plan view, and therefore the via 122A in FIG. I can't see. Similarly, the wiring layer 130D is connected to the wiring layer 120B by a via 122B (see FIG. 1A). However, the via 122B is smaller than the wiring layer 130B in a plan view, and thus the via 122B in FIG. I can't see. Note that the wiring layers 130A and 130B are not connected (see FIG. 1A), and the wiring layers 130C and 130D are not connected (see FIG. 1A).

また、配線層120C〜120F及び配線層130E〜130Lは、それぞれ、配線層120A、120B及び配線層130A〜130Dと同様に、平面視で重なるいずれかの点において、図示しないビアによって接続されていてもよい。   In addition, the wiring layers 120C to 120F and the wiring layers 130E to 130L are connected by vias (not shown) at any point overlapping in plan view, like the wiring layers 120A and 120B and the wiring layers 130A to 130D. Also good.

次に、図2を用いて、ビルドアップ基板100の絶縁層132に、ビアを形成するためのビアホールを形成する工程について説明する。   Next, a process for forming a via hole for forming a via in the insulating layer 132 of the buildup substrate 100 will be described with reference to FIG.

図2は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図であり、(A)は断面図、(B)は平面透視図である。図2(A)は、図2(B)におけるA−A矢視断面を示す。   2A and 2B are diagrams illustrating a wiring board to which the method for correcting a processing position of the wiring board according to the embodiment is applied, in which FIG. 2A is a cross-sectional view and FIG. 2B is a plan perspective view. FIG. 2A shows a cross section taken along line AA in FIG.

図2に示すビルドアップ基板100には、ビアホール133A〜133Fが形成されている。   Via holes 133A to 133F are formed in the build-up substrate 100 shown in FIG.

図2(A)、(B)に示すように、ビアホール133Aは、絶縁層132を厚さ方向に貫通し、配線130Bの上面に到達している。ビアホール133Aは、配線層130Bに接続されるビアを形成するために形成されている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the via hole 133A penetrates the insulating layer 132 in the thickness direction and reaches the upper surface of the wiring 130B. The via hole 133A is formed to form a via connected to the wiring layer 130B.

また、ビアホール133Bは、絶縁層132を厚さ方向に貫通し、配線130Cの上面に到達している。ビアホール133Bは、配線層130Bに接続されるビアを形成するために形成されている。   The via hole 133B penetrates the insulating layer 132 in the thickness direction and reaches the upper surface of the wiring 130C. The via hole 133B is formed to form a via connected to the wiring layer 130B.

ビアホール133A、133Bの形成は、例えば、ビア加工機によるレーザ加工によって行えばよい。ビアホール133A、133Bは、それぞれ、配線層130B、130Cを底面とし、絶縁層132の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。   The via holes 133A and 133B may be formed by laser processing using a via processing machine, for example. The via holes 133A and 133B have a shape in which the wiring layers 130B and 130C are bottom surfaces and have openings on the surface of the insulating layer 132, for example, a truncated cone having a larger diameter on the opening side than the opening on the bottom surface side. It has a cross section in shape.

同様に、ビアホール133C〜133Fは、それぞれ、絶縁層132を厚さ方向に貫通し、配線130E、130G、130I、130Kの上面に到達している。ビアホール133C〜133Fは、配線層130E、130G、130I、130Kに接続されるビアを形成するために形成されている。   Similarly, the via holes 133C to 133F penetrate the insulating layer 132 in the thickness direction, and reach the upper surfaces of the wirings 130E, 130G, 130I, and 130K. The via holes 133C to 133F are formed to form vias connected to the wiring layers 130E, 130G, 130I, and 130K.

ビアホール133C〜133Fの形成は、例えば、ビア加工機によるレーザ加工によって行えばよい。ビアホール133C〜133Fは、それぞれ、配線層130E、130G、130I、130Kを底面とし、絶縁層132の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。   The via holes 133C to 133F may be formed by, for example, laser processing using a via processing machine. Each of the via holes 133C to 133F has a shape having the wiring layers 130E, 130G, 130I, and 130K as the bottom surface and an opening on the surface of the insulating layer 132. For example, the via hole 133C to 133F has a diameter closer to the opening than the opening on the bottom surface side. It has a large, frustoconical cross section.

このようなビアホール133A〜133Fをビア加工機で形成する際には、ビアホール133A〜133Fを、それぞれ、配線層130B、130C、130E、130G、130I、130Kの上面に形成するために、アライメントマーク131A〜131Dを用いて、位置合わせを行う。   When such via holes 133A to 133F are formed by the via processing machine, the alignment marks 131A are formed in order to form the via holes 133A to 133F on the upper surfaces of the wiring layers 130B, 130C, 130E, 130G, 130I, and 130K, respectively. Alignment is performed using ~ 131D.

このため、設計データにおけるビアホール133A〜133Fの位置は、設計データにおけるアライメントマーク131A〜131Dの位置との関係で定められている。   For this reason, the positions of the via holes 133A to 133F in the design data are determined in relation to the positions of the alignment marks 131A to 131D in the design data.

アライメントマーク131A〜131Dの位置は、例えば、赤外線カメラを含む検出装置でビルドアップ基板100を上面側から撮影し、パターン認識等の画像処理を施すことにより、所定の原点に対する座標値として検出される。所定の原点は、例えば、後にビアホール133A〜133Fを加工するビア加工機の加工ステージと同一の座標系における原点であればよい。   The positions of the alignment marks 131 </ b> A to 131 </ b> D are detected as coordinate values with respect to a predetermined origin by, for example, photographing the build-up substrate 100 from the upper surface side with a detection device including an infrared camera and performing image processing such as pattern recognition. . The predetermined origin may be an origin in the same coordinate system as the processing stage of the via processing machine that processes the via holes 133A to 133F later, for example.

しかしながら、ビルドアップ基板100を作製する工程では、コア基板110の上に、配線層120A〜120Fを形成した後に、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって絶縁層121を形成する。   However, in the process of manufacturing the build-up substrate 100, after forming the wiring layers 120A to 120F on the core substrate 110, a semi-cured resin film is heated and pressurized with a vacuum laminator and laminated and cured. Thus, the insulating layer 121 is formed.

同様に、絶縁層121の上に配線層130A〜130L及びアライメントマーク131A〜131Dを形成した後に、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって絶縁層132を形成する。   Similarly, after the wiring layers 130A to 130L and the alignment marks 131A to 131D are formed on the insulating layer 121, the semi-cured resin film is laminated by heating and pressing with a vacuum laminator and cured. Form.

これらはコア基板110の下側に形成される配線層140A、140B、絶縁層141、配線層150A〜150D、絶縁層151等についても同様である。   The same applies to the wiring layers 140A and 140B, the insulating layer 141, the wiring layers 150A to 150D, the insulating layer 151, and the like formed below the core substrate 110.

このように、ビルドアップ基板100を作製する工程で加熱及び加圧を行うことにより、ビルドアップ基板100は膨張や伸縮を繰り返して変形するため、アライメントマーク131A〜131Dの位置は設計値で定められる位置からずれる場合がある。   Thus, by performing heating and pressurizing in the process of manufacturing the build-up substrate 100, the build-up substrate 100 is repeatedly expanded and contracted to be deformed. Therefore, the positions of the alignment marks 131A to 131D are determined by design values. It may be out of position.

そして、アライメントマーク131A〜131Dの位置が大きくずれると、ビアホール133A〜133Fと、配線層130B、130C、130E、130G、130I、130Kとのそれぞれのコンタクトが取れなくなる場合がある。   If the positions of the alignment marks 131A to 131D are greatly displaced, there is a case where the contact between the via holes 133A to 133F and the wiring layers 130B, 130C, 130E, 130G, 130I, and 130K cannot be obtained.

このため、本実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法では、以下のようにしてビアホール133A〜133Fを加工する位置を補正する。   For this reason, in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the present embodiment, the positions at which the via holes 133A to 133F are processed are corrected as follows.

図3は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法の工程を示す工程図である。   FIG. 3 is a process diagram illustrating a process of the correction method of the processing position of the wiring board according to the embodiment.

本実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法は、大きく分けて、以下の5つの工程を含む。   The method for correcting the processing position of the wiring board according to the present embodiment roughly includes the following five steps.

まず、アライメントマークを赤外線カメラを含む検出装置で検出し、4つのアライメントマークがなす第1四辺形と、設計データに含まれる対応する4つのアライメントマークがなす第2四辺形との位置及び大きさを比較し、第2四辺形を第1四辺形に近づけるように移動させる(ステップS1)。   First, the alignment mark is detected by a detection device including an infrared camera, and the position and size of the first quadrangle formed by the four alignment marks and the second quadrangle formed by the corresponding four alignment marks included in the design data. And the second quadrilateral is moved closer to the first quadrilateral (step S1).

設計データにおけるビアホールの位置(加工する位置)は、設計データにおけるアライメントマークの位置と同一座標上で定義されているため、このステップS1により、ビアホールを加工する位置は、赤外線カメラを含む検出装置で検出された4つのアライメントマークの位置ずれに合わせて移動されることになる。   Since the position of the via hole in the design data (processing position) is defined on the same coordinates as the position of the alignment mark in the design data, the position where the via hole is processed by this step S1 is a detection device including an infrared camera. It is moved in accordance with the detected positional deviation of the four alignment marks.

次に、第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、第2四辺形の各辺と平行で、第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線を求める(ステップS2)。   Next, it passes through the inside of four circles centered on each vertex of the first quadrangle and has a radius of via tolerance, and is parallel to each side of the second quadrangle and closest to each side of the second quadrangle 4 A straight line of the book is obtained (step S2).

そして、4本の直線の4つの交点が第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部にあるか否かを判定する(ステップS3)。   Then, it is determined whether or not the four intersections of the four straight lines are inside the four circles whose radius is the tolerance of the via centered on each vertex of the first quadrilateral (step S3).

ステップS3で4本の直線の4つの交点が第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部にある場合は、4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び第3四辺形の基準位置に対する形状と、第2四辺形の大きさ及び第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、設計データに基づくビアホール133A〜133Fの加工位置を補正する(ステップS4)。   In step S3, when the four intersections of the four straight lines are inside the four circles having the radius of the tolerance of the via centered on each vertex of the first quadrilateral, the size of the third quadrangle determined by the four intersections The processing positions of the via holes 133A to 133F based on the design data are corrected based on the difference between the shape of the third quadrilateral with respect to the reference position and the size of the second quadrilateral and the shape of the second quadrilateral with respect to the reference position. (Step S4).

なお、ステップS3において、4つの交点のうちのいずれかが第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部にない場合は、円内にない交点を円内に移動させる(ステップS5)。   In step S3, if any of the four intersections is not within the four circles whose radius is the tolerance of the via centered on each vertex of the first quadrilateral, the intersection that is not in the circle is included in the circle. (Step S5).

ステップS5では、ステップS2における直線が平行である条件が外され、第1四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線が求められる。ステップS5で4つの交点を求めた後は、ステップS4の処理を行う。   In step S5, the condition that the straight lines in step S2 are parallel is removed, passing through the inside of four circles with a radius of via tolerance centered on each vertex of the first quadrilateral, and on each side of the second quadrilateral The nearest four straight lines are determined. After obtaining four intersections in step S5, the process of step S4 is performed.

以下、図4乃至図7を用いて、ステップS1〜S4の詳細について説明する。   Hereinafter, the details of steps S1 to S4 will be described with reference to FIGS.

図4は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法のステップS1において、第1四辺形と第2四辺形の各辺同士の角度差を求める工程を示す図である。   FIG. 4 is a diagram illustrating a process of obtaining an angle difference between each side of the first quadrilateral and the second quadrilateral in step S1 of the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

ここで、図2(B)に示すアライメントマーク131A〜131Dを赤外線カメラを含む検出装置で検出することによって得る4点をQ1〜Q4で表す。点Q1〜Q4を結ぶ四辺形は、第1四辺形の一例である。   Here, four points Q1 to Q4 obtained by detecting the alignment marks 131A to 131D shown in FIG. The quadrilateral connecting the points Q1 to Q4 is an example of the first quadrilateral.

図4に示す4つの点Q1〜Q4の位置は、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系における座標で表される。なお、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系は、ビア加工機の加工ステージにおける座標系と同一である。   The positions of the four points Q1 to Q4 shown in FIG. 4 are represented by coordinates in a coordinate system used by a detection device including an infrared camera. The coordinate system used by the detection device including the infrared camera is the same as the coordinate system in the processing stage of the via processing machine.

また、点P1〜P4は、設計データに含まれるアライメントマーク131A〜131Dの位置を表す。点P1〜P4を結ぶ四辺形は、第2四辺形の一例である。   Points P1 to P4 represent the positions of alignment marks 131A to 131D included in the design data. The quadrilateral that connects the points P1 to P4 is an example of a second quadrilateral.

ここで、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系と、設計データが用いる座標系が異なる場合には、点Q1〜Q4又は点P1〜P4の位置座標をいずれかの座標系における位置座標に変換すればよい。   Here, when the coordinate system used by the detection apparatus including the infrared camera is different from the coordinate system used by the design data, the position coordinates of the points Q1 to Q4 or the points P1 to P4 are converted into position coordinates in any of the coordinate systems. do it.

図4では、説明の便宜上、設計データが用いる座標系を赤外線カメラを含む検出装置及びビア加工機の加工ステージにおける座標系に変換することとする。また、この座標系を図4に示すXY座標系として示し、原点をOと表す。また、第1四辺形及び第2四辺形のそれぞれの4つの頂点については、原点に最も近い点の添え数字を1とし、反時計回りに2〜4の添え数字を付す。   In FIG. 4, for convenience of explanation, the coordinate system used by the design data is converted into a coordinate system in a processing stage of a detection device including an infrared camera and a via processing machine. Further, this coordinate system is shown as an XY coordinate system shown in FIG. Further, for each of the four vertices of the first quadrilateral and the second quadrilateral, the subscript number of the point closest to the origin is set to 1, and the subscript numbers 2 to 4 are added counterclockwise.

ステップS1では、まず、点Q1〜Q4を結ぶ第1四辺形Q1Q2Q3Q4と、点P1〜P4を結ぶ第2四辺形P1P2P3P4との各辺同士の角度差を求める。   In step S1, first, an angular difference between the sides of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 connecting the points Q1 to Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 connecting the points P1 to P4 is obtained.

ここで、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4との各辺同士の角度差を求めるために、各辺に方向を定義することによって各辺をベクトルとして取り扱う。   Here, in order to obtain the angular difference between the sides of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4, each side is handled as a vector by defining a direction for each side.

各辺に反時計回りの方向を付与することにより、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各辺のベクトルVQ1、VQ2、VQ3、VQ4を生成する。ベクトルVQ1〜VQ4の添え数字は、各ベクトルの基点となる頂点の添え数字を用いる。   By giving a counterclockwise direction to each side, vectors VQ1, VQ2, VQ3, and VQ4 of each side of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 are generated. As the suffix numbers of the vectors VQ1 to VQ4, the suffix numbers of the vertices serving as the base points of the vectors are used.

例えば、辺Q1Q2については、反時計回りの方向(Q1からQ2に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVQ1を得る。同様に、辺Q2Q3については、反時計回りの方向(Q2からQ3に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVQ2を得る。辺Q3Q4については、反時計回りの方向(Q3からQ4に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVQ3を得る。辺Q4Q1については、反時計回りの方向(Q4からQ1に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVQ4を得る。   For example, for the side Q1Q2, a vector VQ1 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from Q1 to Q2). Similarly, for the side Q2Q3, a vector VQ2 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from Q2 toward Q3). For the side Q3Q4, a vector VQ3 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from Q3 toward Q4). For the side Q4Q1, a vector VQ4 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from Q4 toward Q1).

また、第2四辺形P1P2P3P4についても同様に、辺P1P2については、反時計回りの方向(P1からP2に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVP1を得る。同様に、辺P2P3については、反時計回りの方向(P2からP3に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVP2を得る。辺P3P4については、反時計回りの方向(P3からP4に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVP3を得る。辺P4P1については、反時計回りの方向(P4からP1に向かう方向)を付与することにより、ベクトルVP4を得る。   Similarly, for the second quadrilateral P1P2P3P4, a vector VP1 is obtained by giving a counterclockwise direction (direction from P1 to P2) for the side P1P2. Similarly, for the side P2P3, a vector VP2 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from P2 to P3). For the side P3P4, a vector VP3 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from P3 to P4). For the side P4P1, a vector VP4 is obtained by giving a counterclockwise direction (a direction from P4 to P1).

以上のようにして第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4についてそれぞれ得られる4つのベクトルにつき、添え数字が同じベクトル同士のなす角を求める。   For the four vectors obtained for the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 as described above, the angle formed by the vectors with the same suffix numbers is obtained.

すなわち、ベクトルVQ1とVP1のなす角θ1、ベクトルVQ2とVP2のなす角θ2、ベクトルVQ3とVP3のなす角θ3、ベクトルVQ4とVP4のなす角θ4を求める。   That is, the angle θ1 formed by the vectors VQ1 and VP1, the angle θ2 formed by the vectors VQ2 and VP2, the angle θ3 formed by the vectors VQ3 and VP3, and the angle θ4 formed by the vectors VQ4 and VP4 are obtained.

各ベクトルは、基点と終点の座標が分かっているため、ベクトル同士のなす角を求めることにより、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と、第2四辺形P1P2P3P4に含まれる各辺同士の角度差を求めることができる。   Since the coordinates of the base point and the end point of each vector are known, the angle difference between the sides included in the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 can be obtained by obtaining the angle between the vectors. it can.

なお、説明の便宜上、図4には、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4を重ねて示すが、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4とが重なっていない場合でも、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と、第2四辺形P1P2P3P4に含まれる各辺同士の角度差を求めることができる。   For convenience of explanation, FIG. 4 shows the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 in an overlapping manner. However, even if the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 do not overlap, The angle difference between the sides included in the form Q1Q2Q3Q4 and the second quadrilateral P1P2P3P4 can be obtained.

次に、ベクトルVQ1とVP1のなす角θ1、ベクトルVQ2とVP2のなす角θ2、ベクトルVQ3とVP3のなす角θ3、ベクトルVQ4とVP4のなす角θ4のうちの最大値と最小値の平均値(平均角度差)を求める。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第1工程の一例である。   Next, the average value of the maximum value and the minimum value among the angle θ1 formed by the vectors VQ1 and VP1, the angle θ2 formed by the vectors VQ2 and VP2, the angle θ3 formed by the vectors VQ3 and VP3, and the angle θ4 formed by the vectors VQ4 and VP4 ( Obtain the average angle difference. This step is an example of a first step in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

例えば、θ1〜θ4のうちでθ1が最大であり、θ3が最小である場合は、ベクトルVQ1とVP1のなす角θ1と、ベクトルVQ3とVP3のなす角θ3との平均値(θ1+θ3)/2を求める。   For example, when θ1 is the maximum of θ1 to θ4 and θ3 is the minimum, the average value (θ1 + θ3) / 2 of the angle θ1 formed by the vectors VQ1 and VP1 and the angle θ3 formed by the vectors VQ3 and VP3 is calculated. Ask.

なお、ここでは、θ1〜θ4のうちの最大値と最小値の平均値(平均角度差)を求める形態について説明するが、平均角度差は、このような求め方で求めた値に限らず、例えば、θ1〜θ4の平均値を平均角度差として求めてもよい。   In addition, although the form which calculates | requires the average value (average angle difference) of the maximum value and the minimum value of (theta) 1- (theta) 4 is demonstrated here, an average angle difference is not restricted to the value calculated | required by such a method, For example, an average value of θ1 to θ4 may be obtained as an average angle difference.

次に、平均角度差によって表される角度だけ第2四辺形P1P2P3P4を回転移動する。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第2工程の一例である。この回転移動に伴い、第2四辺形P1P2P3P4の各頂点の座標も同様に回転移動しておけばよい。   Next, the second quadrilateral P1P2P3P4 is rotationally moved by an angle represented by the average angle difference. This step is an example of a second step in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment. Along with this rotational movement, the coordinates of the vertices of the second quadrilateral P1P2P3P4 may be similarly rotationally moved.

次に、回転移動した第2四辺形P1P2P3P4の各頂点と、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点との距離差を求める。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第3工程の一例である。   Next, a distance difference between each vertex of the second quadrilateral P1P2P3P4 that has been rotated and each vertex of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 is obtained. This step is an example of a third step in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

頂点同士の距離差は、添え数字が等しい頂点同士について行う。このため、頂点Q1とP1、頂点Q2とP2、頂点Q3とP3、頂点Q4とP4の各々の距離差D1、D2、D3、D4を求める。   The distance difference between vertices is performed for vertices having the same subscript number. Therefore, distance differences D1, D2, D3, and D4 of the vertices Q1 and P1, vertices Q2 and P2, vertices Q3 and P3, and vertices Q4 and P4 are obtained.

距離差D1、D2、D3、D4は、X軸方向及びY軸方向の位置座標の差(Dx、Dy)を求めることによって行えばよい。このため、距離差D1、D2、D3、D4は、それぞれ、D1(Dx1、Dy1)、D2(Dx2、Dy2)、D3(Dx3、Dy3)、D4(Dx4、Dy4)と表される。各距離は、x方向及びy方向の位置座標の差を用いて、D=√(Dx+Dy)で得られる。 The distance differences D1, D2, D3, and D4 may be determined by obtaining the difference (Dx, Dy) between the position coordinates in the X-axis direction and the Y-axis direction. Therefore, the distance differences D1, D2, D3, and D4 are represented as D1 (Dx1, Dy1), D2 (Dx2, Dy2), D3 (Dx3, Dy3), and D4 (Dx4, Dy4), respectively. Each distance is obtained by D = √ (Dx 2 + Dy 2 ) using a difference between position coordinates in the x direction and the y direction.

そして、本実施の形態では、各頂点同士の距離差D1〜D4のうちの最大値と最小値の平均値を平均距離差として求める。   And in this Embodiment, the average value of the maximum value and the minimum value of distance difference D1-D4 of each vertex is calculated | required as an average distance difference.

ここで、距離差D1〜D4のうち、距離差D1が最大で、距離差D4が最小である場合には、距離差D1とD4の平均値((D1+D4)/2)を平均距離差Dm(Dmx、Dmy)として求める。   Here, among the distance differences D1 to D4, when the distance difference D1 is the largest and the distance difference D4 is the smallest, the average value ((D1 + D4) / 2) of the distance differences D1 and D4 is calculated as the average distance difference Dm ( Dmx, Dmy).

次に、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4とが近づくように、第2四辺形P1P2P3P4を平均距離差だけ移動させる。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第4工程の一例である。   Next, the second quadrangle P1P2P3P4 is moved by an average distance difference so that the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 approach each other. This step is an example of a fourth step in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

具体的には、第2四辺形P1P2P3P4の4つの頂点P1〜P4の座標に、それぞれ、距離差D1、D2、D3、D4は、それぞれ、D1(Dx1、Dy1)、D2(Dx2、Dy2)、D3(Dx3、Dy3)、D4(Dx4、Dy4)のx座標成分(Dx)及びy座標成分(Dy)を加算すればよい。   Specifically, the distance differences D1, D2, D3, and D4 are respectively represented by coordinates D1 (Dx1, Dy1), D2 (Dx2, Dy2), and the coordinates of the four vertices P1 to P4 of the second quadrilateral P1P2P3P4. The x coordinate component (Dx) and the y coordinate component (Dy) of D3 (Dx3, Dy3) and D4 (Dx4, Dy4) may be added.

これにより、第2四辺形P1P2P3P4は、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1P2P3P4とが近づくように、平均距離差Dm(Dmx、Dmy)だけ移動される。   Accordingly, the second quadrangle P1P2P3P4 is moved by the average distance difference Dm (Dmx, Dmy) so that the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1P2P3P4 are close to each other.

図5は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法において、第2四辺形を平均距離差だけ移動させる処理の一例を示す図である。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a process of moving the second quadrilateral by an average distance difference in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

例えば、図5に示すように、第2四辺形P1P2P3P4を平均距離差Dm(Dmx、Dmy)だけ移動させると、移動後の第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各頂点P1’、P2’、P3’、P4’は、移動前の第2四辺形P1P2P3P4の頂点P1、P2、P3、P4をX軸方向にDm、Y軸方向にDyだけ平行移動したものとなる。   For example, as shown in FIG. 5, when the second quadrilateral P1P2P3P4 is moved by the average distance difference Dm (Dmx, Dmy), each vertex P1 ′ of the second quadrangle P1′P2′P3′P4 ′ after the movement, P2 ′, P3 ′, and P4 ′ are obtained by translating the vertices P1, P2, P3, and P4 of the second quadrilateral P1P2P3P4 before the movement by Dm in the X-axis direction and Dy in the Y-axis direction.

これにより、第1四辺形Q1Q2Q3Q4と第2四辺形P1’P2’P3’P4’は、角度が略一致して重なった状態となる。   As a result, the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and the second quadrangle P1'P2'P3'P4 'are in an overlapped state with substantially the same angle.

以上の第1工程から第4工程により、ステップS1の処理が終了する。   The process of step S1 is completed by the above first to fourth steps.

次に、図6を用いて、ステップS2の処理について説明する。   Next, the process of step S2 is demonstrated using FIG.

図6は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法におけるステップS2の処理を示す図である。図6(A)は、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、第2四辺形P1P2P3P4の各辺と平行で、第2四辺形P1P2P3P4の各辺に最も近い4本の直線を示す図である。   FIG. 6 is a diagram illustrating the processing in step S2 in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment. FIG. 6A shows the second quadrangle P1P2P3P4 passing through the inside of four circles centered on each vertex of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 and having a radius of via tolerance, parallel to each side of the second quadrangle P1P2P3P4. It is a figure which shows four straight lines nearest to each edge | side.

ここで、ビアホール133A、133B(図2(A)、(B)参照)に形成するビアの公差をrとする。ビアの公差とは、ビアホール133A、133Bに形成されるビアと、配線層130B、130Cの位置ずれの許容最大誤差を意味する。   Here, let r be the tolerance of vias formed in the via holes 133A, 133B (see FIGS. 2A and 2B). The via tolerance means an allowable maximum error in positional deviation between the via formed in the via holes 133A and 133B and the wiring layers 130B and 130C.

許容最大誤差は、ビアホール133A、133Bに形成されるビアの位置がずれた場合でも、ビアホール133A、133Bに形成されるビアが、それぞれ、配線層130B、130Cに接続される場合の位置ずれの最大値である。   The maximum allowable error is the maximum misalignment when the vias formed in the via holes 133A and 133B are connected to the wiring layers 130B and 130C, respectively, even when the vias formed in the via holes 133A and 133B are misaligned. Value.

このようなビアの公差を用いると、図6(A)に示すように、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点を中心としてビアの公差rを半径とする4つの円C1、C2、C3、C4が求まる。   Using such via tolerances, as shown in FIG. 6A, four circles C1, C2, C3, and C4 having a radius of via tolerance r centered on each vertex of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 are formed. I want.

そして、4つの円C1、C2、C3、C4の内部を通り、第2四辺形P1P2P3P4の各辺と平行で、第2四辺形P1P2P3P4の各辺に最も近い4本の直線L1、L2、L3、L4を求める。この工程は、上述したステップS2の処理であり、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第5工程の一例である。 Then, through the interior of the four circles C1, C2, C3, C4, parallel to the respective sides of the second quadrilateral P1 'P2' P3 'P4', each of the second quadrilateral P1 'P2' P3 'P4' Four straight lines L1, L2, L3, and L4 closest to the side are obtained. This process is the process of step S2 described above, and is an example of a fifth process in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

直線L1、L2、L3、L4の具体的な求め方については後述する。   A specific method for obtaining the straight lines L1, L2, L3, and L4 will be described later.

次に、直線L1、L2、L3、L4の4つの交点N1、N2、N3、N4を求める。交点N1〜N4の座標は、各直線同士の交点の座標を求めることによって与えられる。なお、図6(A)には交点N1、N2、N3、N4を白丸で示す。   Next, four intersections N1, N2, N3, and N4 of the straight lines L1, L2, L3, and L4 are obtained. The coordinates of the intersections N1 to N4 are given by obtaining the coordinates of the intersections between the straight lines. In FIG. 6A, intersection points N1, N2, N3, and N4 are indicated by white circles.

そして、次に、4本の直線L1、L2、L3、L4の4つの交点N1、N2、N3、N4が4つの円C1、C2、C3、C4の内部にあるか否かを判定する。この処理は、交点N1、N2、N3、N4の座標が、それぞれ、4つの円C1、C2、C3、C4のうちの添え数字が同一の円の内部にあるか否かに基づいて行えばよい。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第6工程の一例である。   Next, it is determined whether or not the four intersections N1, N2, N3, and N4 of the four straight lines L1, L2, L3, and L4 are inside the four circles C1, C2, C3, and C4. This processing may be performed based on whether or not the coordinates of the intersection points N1, N2, N3, and N4 are within the same circle with the suffixes of the four circles C1, C2, C3, and C4, respectively. . This step is an example of a sixth step in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

図6(A)に示す交点N1、N2、N3、N4は、交点N2のみが円C2の内部にある場合を示している。   Intersection points N1, N2, N3, and N4 shown in FIG. 6A indicate a case where only the intersection point N2 is inside the circle C2.

このような場合には、添え数字の等しい円の内部に位置しない交点N1、N3、N4を移動させる。   In such a case, the intersections N1, N3, and N4 that are not located inside the circles with the same suffix numbers are moved.

交点N1、N3、N4の移動は、図6(B)に示すように、各交点N1、N3、N4と添え数字が同一の頂点Q1、Q3、Q4とをそれぞれ結ぶ線と、各円C1、C3、N4の円周との交点N1’、N3’、N4’に移動させることによって行われる。図6(B)には、移動後の交点N1’、N3’、N4’を黒丸で示す。この工程は、ステップS5の工程であり、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における移動工程の一例である。   As shown in FIG. 6 (B), the movement of the intersections N1, N3, and N4 is performed by connecting each intersection N1, N3, and N4 and the vertices Q1, Q3, and Q4 having the same subscript number, and each circle C1, This is done by moving to the intersections N1 ′, N3 ′, N4 ′ with the circumference of C3, N4. In FIG. 6B, the intersections N1 ', N3', N4 'after the movement are indicated by black circles. This process is a process of step S5, and is an example of a moving process in the method for correcting the processing position of the wiring board according to the embodiment.

このステップS5で交点N1、N3、N4が交点N1’、N3’、N4’に移動されるため、直線L1、L2、L3、L4は、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各辺とは平行ではない直線L1’、L2’、L3’、L4’に矯正される。   Since the intersections N1, N3, and N4 are moved to the intersections N1 ′, N3 ′, and N4 ′ in this step S5, the straight lines L1, L2, L3, and L4 are respectively connected to the second quadrilaterals P1′P2′P3′P4 ′. The straight lines L1 ′, L2 ′, L3 ′, and L4 ′ that are not parallel to the sides are corrected.

このように、ステップS5では、ステップS2における直線が平行である条件が外され、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点Q1、Q2、Q3、Q4を中心としてビアの公差を半径とする4つの円C1、C2、C3、C4の内部を通り、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各辺に最も近い4本の直線L1’、L2’、L3’、L4’が求められる。   As described above, in step S5, the condition that the straight lines in step S2 are parallel is removed, and four circles C1 having a radius of via tolerance around each vertex Q1, Q2, Q3, Q4 of the first quadrangle Q1Q2Q3Q4. , C2, C3, and C4, and four straight lines L1 ′, L2 ′, L3 ′, and L4 ′ that are closest to each side of the second quadrilateral P1′P2′P3′P4 ′ are obtained.

以上により、4つの交点N1’、N2、N3’、N4’が求まる。   As described above, four intersections N1 ', N2, N3', and N4 'are obtained.

最後に、4つの交点N1’、N2、N3’、N4’で定まる第3四辺形N1’N2N3’N4’の大きさ及び第3四辺形N1’N2N3’N4’の基準位置に対する形状と、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の大きさ及び第2四辺形P1’P2’P3’P4’の基準位置に対する形状との差に基づき、設計データに基づくビアホールの加工位置を補正する(ステップS4)。このステップS4は、第7工程の一例である。   Finally, the size of the third quadrilateral N1′N2N3′N4 ′ defined by the four intersections N1 ′, N2, N3 ′, N4 ′ and the shape of the third quadrilateral N1′N2N3′N4 ′ with respect to the reference position, Based on the difference between the size of the two quadrilaterals P1'P2'P3'P4 'and the shape of the second quadrilateral P1'P2'P3'P4' with respect to the reference position, the via hole machining position based on the design data is corrected ( Step S4). This step S4 is an example of the seventh step.

基準位置としては、例えば、XY座標の原点を用いればよい。   For example, the origin of the XY coordinates may be used as the reference position.

以上のように、第1四辺形Q1Q2Q3Q4の各頂点Q1、Q2、Q3、Q4を中心としてビアの公差を半径とする4つの円C1、C2、C3、C4の内部に位置し、第2四辺形P1’P2’P3’P4’の各辺に最も近い4本の直線L1’、L2’、L3’、L4’の4つの交点N1’、N2、N3’、N4’を求める。   As described above, the first quadrangle Q1Q2Q3Q4 is located inside the four circles C1, C2, C3, C4 centered on the respective vertices Q1, Q2, Q3, Q4 and having the via tolerance as the radius. Four intersections N1 ′, N2, N3 ′, and N4 ′ of four straight lines L1 ′, L2 ′, L3 ′, and L4 ′ closest to each side of P1′P2′P3′P4 ′ are obtained.

そして、この4つの交点N1’、N2、N3’、N4’によって定義される第3四辺形N1’N2N3、N4’の大きさ及び形状と、設計データに含まれる対応する4つのアライメントマークがなす第2四辺形P1’P2’P3’P4’の大きさ及び形状との差に基づいて、設計データに基づくビアホール133A〜133Fの加工位置を補正する。   The size and shape of the third quadrilateral N1′N2N3, N4 ′ defined by the four intersections N1 ′, N2, N3 ′, N4 ′ and the corresponding four alignment marks included in the design data are formed. The processing positions of the via holes 133A to 133F based on the design data are corrected based on the difference between the size and shape of the second quadrilateral P1′P2′P3′P4 ′.

従って、補正後のビアホール133A〜133Fの加工位置は、ビルドアップ基板100の形状の歪みに応じて補正された位置となる。   Therefore, the corrected processing positions of the via holes 133A to 133F are corrected according to the distortion of the shape of the buildup substrate 100.

このため、補正後のビアホール133A〜133Fの加工位置にビアホール133A〜133Fをレーザ加工等によって形成し、ビアホール133A〜133Fの内部にビアを形成すれば、ビアと配線層130B、130C、130E、130G、130I、130Kとの配線不良を抑制することができる。   For this reason, if the via holes 133A to 133F are formed by laser processing or the like at the processing positions of the corrected via holes 133A to 133F and the vias are formed inside the via holes 133A to 133F, the vias and the wiring layers 130B, 130C, 130E, and 130G are formed. , 130I and 130K can be suppressed.

なお、ビルドアップ基板100は、絶縁層を積層する度に、加熱及び加圧によって伸縮と歪みが生じるが、この伸縮及び歪みにはある程度の傾向があり、設計データに含まれる配線層等の位置に、加熱及び加圧によって伸縮と歪みによって与えられる倍率を乗じてもよい。   The build-up substrate 100 expands and contracts due to heating and pressurization each time an insulating layer is stacked, but this expansion and contraction has a certain tendency, and the position of the wiring layer or the like included in the design data May be multiplied by a magnification given by expansion and contraction by heating and pressurization.

このような倍率が予め分かっている場合には、例えば、コア基板110の上側における第2層に含まれるアライメントマーク131A〜131D(図1(A)、(B)参照)を形成する際に、設計データに含まれるアライメントマーク131A〜131Dの位置に、コア基板110の上側における第3層に含まれる倍率を乗じてもよい。   When such a magnification is known in advance, for example, when forming the alignment marks 131A to 131D (see FIGS. 1A and 1B) included in the second layer on the upper side of the core substrate 110, The positions of the alignment marks 131A to 131D included in the design data may be multiplied by the magnification included in the third layer on the upper side of the core substrate 110.

すなわち、ステップS1において、設計データにおけるアライメントマーク131A〜131Dの位置に、ステップS4で加工位置が補正されるビアの上側に接続される配線層(コア基板110の上側の第3層)の倍率を乗じた位置によって定まる第2四辺形を求めてもよい。そして、このような倍率を乗じた位置によって定まる第2四辺形と、ビルドアップ基板100の四隅に形成される4つのアライメントマーク131A〜131Dの位置によって定まる第1四辺形との対応する辺同士の角度差を求めてもよい。   That is, in step S1, the magnification of the wiring layer (the third layer on the upper side of the core substrate 110) connected to the upper side of the via whose processing position is corrected in step S4 is set at the position of the alignment marks 131A to 131D in the design data. A second quadrilateral determined by the multiplied position may be obtained. And between the corresponding sides of the second quadrilateral determined by the position multiplied by such a magnification and the first quadrangle determined by the positions of the four alignment marks 131A to 131D formed at the four corners of the buildup substrate 100. An angle difference may be obtained.

このような場合は、アライメントマーク131A〜131Dの位置が、一層上層の配線基板の倍率によって矯正されるため、配線層130B、130Cと、ビアホール133A、133Bとのそれぞれの位置ずれをさらに抑制することができる。   In such a case, since the positions of the alignment marks 131A to 131D are corrected by the magnification of the upper layer wiring board, the positional deviation between the wiring layers 130B and 130C and the via holes 133A and 133B is further suppressed. Can do.

また、ステップS2において4本の直線が求まらない場合は、次のような工程を行えばよい。   If four straight lines cannot be obtained in step S2, the following steps may be performed.

図7は、実施の形態1の配線基板の加工位置の補正方法のステップS2において4本の直線を求める方法を示す図である。ここでは、説明の便宜上、設計データに含まれる2つのアライメントマークの位置をPa、Pb(a、bは添え数字を表す)で表す。また、ビルドアップ基板100内の位置Pa、Pbにあるアライメントマークを赤外線カメラで検出した位置をQa、Qbで示す。   FIG. 7 is a diagram illustrating a method of obtaining four straight lines in step S2 of the method for correcting the processing position of the wiring board according to the first embodiment. Here, for convenience of explanation, the positions of two alignment marks included in the design data are represented by Pa and Pb (a and b represent suffix numbers). Further, the positions where the alignment marks at the positions Pa and Pb in the buildup substrate 100 are detected by the infrared camera are indicated by Qa and Qb.

Qa、Qbは、第1四辺形の4つの頂点のうちの隣り合う2つの頂点であり、Pa、Pbは、第2四辺形の4つの頂点のうちの隣り合う二つの頂点であり、それぞれ、頂点Qa、Qbと添え数字が同一の頂点である。   Qa and Qb are two adjacent vertices of the four vertices of the first quadrilateral, Pa and Pb are two adjacent vertices of the four vertices of the second quadrilateral, The vertices Qa and Qb have the same suffix numbers.

また、頂点Qa、Qbを中心として、ビアの公差rを半径とする円をそれぞれCa、Cbで表す。   Further, circles centered on the vertices Qa and Qb and having a radius of via tolerance r are denoted by Ca and Cb, respectively.

図7(A)は、円Ca、Cbの内部を通り、辺PaPbと平行で、辺PaPbに最も近い直線が引ける場合の頂点Pa、Pb、Qa、Qbと、円Ca、Cbとの関係を示す。   FIG. 7A shows the relationship between the vertices Pa, Pb, Qa, Qb and the circles Ca, Cb when a straight line that passes through the circles Ca, Cb, is parallel to the side PaPb, and is closest to the side PaPb can be drawn. Show.

図7(B)は、円Ca、Cbの内部を通り、辺PaPbと平行で、辺PaPbに最も近い直線が引けない場合の頂点Pa、Pb、Qa、Qbと、円Ca、Cbとの関係を示す。   FIG. 7B shows the relationship between the vertices Pa, Pb, Qa, Qb and the circles Ca, Cb when a straight line that passes through the circles Ca, Cb, is parallel to the side PaPb, and is not closest to the side PaPb can be drawn. Indicates.

図7(A)に示すように、辺PaPbから頂点Qa、Qbに垂線を引き、辺PaPbと頂点Qa、Qbとのそれぞれの距離をsd1、ed1とする。   As shown in FIG. 7A, perpendicular lines are drawn from the side PaPb to the vertices Qa and Qb, and the respective distances between the side PaPb and the vertices Qa and Qb are set to sd1 and ed1.

このような場合に、辺PaPbと平行な直線を引ける範囲は、辺PaPbに垂直な方向において、円CaとCbが重複する区間Tとなる。区間Tの範囲は、辺PaPbに垂直な方向において、(sd1−r)から(ed1+r)の間である。   In such a case, a range in which a straight line parallel to the side PaPb can be drawn is a section T in which the circles Ca and Cb overlap in a direction perpendicular to the side PaPb. The range of the section T is between (sd1-r) and (ed1 + r) in the direction perpendicular to the side PaPb.

この区間Tにおいて、辺PaPbに最も近いのは、辺PaPbからの距離が(sd1−r)の位置である。   In this section T, the closest to the side PaPb is the position where the distance from the side PaPb is (sd1-r).

ここで、距離sd1は、辺PaPbから頂点Qaに垂線を引いた場合の辺PaPbと頂点Qaとの距離であり、rはビアの公差である。   Here, the distance sd1 is the distance between the side PaPb and the vertex Qa when a perpendicular is drawn from the side PaPb to the vertex Qa, and r is the tolerance of the via.

従って、第1四辺形及び第2四辺形の各頂点の位置座標を定義する座標系において、距離(sd1−r)を表せば、直線Laを座標系で表す式を求めることができる。   Therefore, if the distance (sd1-r) is expressed in the coordinate system that defines the position coordinates of the vertices of the first quadrangle and the second quadrangle, an expression that expresses the straight line La in the coordinate system can be obtained.

また、図7(B)に示すように、円Ca、Cbの内部を通り、辺PaPbと平行で、辺PaPbに最も近い直線が引けない場合とは、円CaとCbが辺PaPbに垂直な方向において重複する区間T(図7(A)参照)を有しない場合である。   As shown in FIG. 7B, when the straight line that passes through the circles Ca and Cb, is parallel to the side PaPb, and is closest to the side PaPb cannot be drawn, the circles Ca and Cb are perpendicular to the side PaPb. This is a case where there is no overlapping section T (see FIG. 7A) in the direction.

ここで、辺PaPbから頂点Qa、Qbに垂線を引き、辺PaPbと頂点Qa、Qbとのそれぞれの距離をsd2、ed2とする。   Here, perpendicular lines are drawn from the side PaPb to the vertices Qa and Qb, and the respective distances between the side PaPb and the vertices Qa and Qb are set to sd2 and ed2.

このような場合は、図7(B)に示すように、辺PaPbから頂点Qaに引いた垂線上において、辺PaPbからの距離が(sd2+r)となる点αと、辺PaPbから頂点Qbに引いた垂線上において、辺PaPbからの距離が(ed2−r)となる点βとを通る直線を図7(A)に示す直線Laの代替直線として用いればよい。   In such a case, as shown in FIG. 7B, on the perpendicular drawn from the side PaPb to the vertex Qa, the point α at which the distance from the side PaPb is (sd2 + r) and the side PaPb to the vertex Qb. A straight line passing through the point β where the distance from the side PaPb is (ed2-r) on the vertical line may be used as an alternative straight line to the straight line La shown in FIG.

以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。   The method for correcting the processing position of the wiring board according to the exemplary embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the specifically disclosed embodiment, and is not limited to the claims. Various modifications and changes can be made without departing from the above.

100 ビルドアップ基板
110 コア基板
111A、111B ビア
120A、120B 配線層
121、ビア122A、122B 絶縁層
130A、130B、130C、130D 配線層
120A〜120F 配線層
130A〜130L 配線層
131A〜131D アライメントマーク
132 絶縁層
133A〜133F ビアホール
140A、140B 配線層
141、ビア142A、142B 絶縁層
150A、150B、150C、150D 配線層
151 絶縁層
100 Build-up substrate 110 Core substrate 111A, 111B Via 120A, 120B Wiring layer 121, Via 122A, 122B Insulating layer 130A, 130B, 130C, 130D Wiring layer 120A-120F Wiring layer 130A-130L Wiring layer 131A-131D Alignment mark 132 Insulation Layer 133A to 133F Via hole 140A, 140B Wiring layer 141, Via 142A, 142B Insulating layer 150A, 150B, 150C, 150D Wiring layer 151 Insulating layer

Claims (7)

配線基板の四隅に形成される4つのアライメントマークの位置によって定まる第1四辺形と、設計データにおける前記アライメントマークの位置によって定まる第2四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める第1工程と、
前記第1四辺形の各辺と前記第2四辺形の各辺との角度差が小さくなるように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均角度差だけ回転させる第2工程と、
前記第1四辺形と前記第2四辺形との対応する頂点同士の平均距離差を求める第3工程と、
前記第1四辺形と前記第2四辺形とが近づくように、前記第1四辺形又は前記第2四辺形を前記平均距離差だけ移動させる第4工程と、
前記第1四辺形の各頂点を中心として前記配線基板に形成されるビアの公差を半径とする4つの円の内部を通り、前記第2四辺形の各辺と平行で、前記第2四辺形の各辺に最も近い4本の直線を求める第5工程と、
前記4本の直線の4つの交点が前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあるか否かを判定する第6工程と、
前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあると判定された前記4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び前記第3四辺形の基準位置に対する形状と、前記第2四辺形の大きさ及び前記第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに基づく前記配線基板へのビアの加工位置を補正する第7工程と
を含む、配線基板の加工位置の補正方法。
An average angle difference between corresponding sides of the first quadrilateral determined by the positions of the four alignment marks formed at the four corners of the wiring board and the second quadrangle determined by the positions of the alignment marks in the design data is calculated. A first step to be obtained;
A second step of rotating the first quadrilateral or the second quadrangle by the average angular difference so that an angular difference between each side of the first quadrilateral and each side of the second quadrangle is reduced; ,
A third step of determining an average distance difference between corresponding vertices of the first quadrilateral and the second quadrilateral;
A fourth step of moving the first quadrangle or the second quadrangle by the average distance difference so that the first quadrangle and the second quadrangle approach;
Centering on each vertex of the first quadrilateral, it passes through the inside of four circles whose radius is a tolerance of a via formed in the wiring board, and is parallel to each side of the second quadrilateral, and the second quadrilateral A fifth step for obtaining four straight lines closest to each side of
A sixth step of determining whether or not four intersections of the four straight lines are within four circles having a radius of the tolerance of the via;
A size of the third quadrilateral determined by the four intersections determined to be inside four circles having a radius of the tolerance of the via in the sixth step, and a shape with respect to a reference position of the third quadrilateral; A seventh step of correcting a processing position of the via to the wiring board based on the design data based on a difference between the size of the second quadrilateral and a shape of the second quadrilateral with respect to a reference position. Method for correcting the processing position of the substrate.
前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする4つの円の内部にあると判定されなかった交点を前記4つの円のうち当該交点に最も近い円の内部に移動させる移動工程をさらに含み、
前記移動工程では、前記第6工程で前記ビアの公差を半径とする円の内部にあると判定された交点と、前記移動工程で移動された交点とを合わせた4つの交点で定まる第3四辺形の大きさ及び前記第3四辺形の基準位置に対する形状と、前記第2四辺形の大きさ及び前記第2四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに基づく前記配線基板へのビアの加工位置を補正する、請求項1記載の配線基板の加工位置の補正方法。
A moving step of moving an intersection point that has not been determined to be inside the four circles whose radius is the tolerance of the via in the sixth step to the inside of a circle closest to the intersection point among the four circles;
In the moving step, the third four sides defined by four intersection points including the intersection point determined to be inside the circle whose radius is the tolerance of the via in the sixth step and the intersection point moved in the moving step The wiring board based on the design data based on the difference between the shape of the shape relative to the reference position of the third quadrilateral and the shape of the second quadrilateral and the shape relative to the reference position of the second quadrilateral The method for correcting a processing position of a wiring board according to claim 1, wherein the processing position of a via is corrected.
前記基準位置は、重心である、請求項1又は2記載の配線基板の加工位置の補正方法。   The method for correcting a processing position of a wiring board according to claim 1, wherein the reference position is a center of gravity. 前記基準位置は、4つの頂点の座標の平均座標である、請求項1又は2記載の配線基板の加工位置の補正方法。   The method for correcting a processing position of a wiring board according to claim 1, wherein the reference position is an average coordinate of coordinates of four vertices. 前記第1工程において求められる前記辺同士の角度差の平均角度差は、前記第1四辺形の四辺と、前記第2四辺形の対応する四辺とのそれぞれの角度差のうち、最大の角度差と、最小の角度差との平均角度差である、請求項1乃至4のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。   The average angle difference of the angle differences between the sides obtained in the first step is the maximum angle difference among the angle differences between the four sides of the first quadrilateral and the corresponding four sides of the second quadrilateral. The correction method of the processing position of the wiring board as described in any one of Claims 1 thru | or 4 which is an average angle difference with these and the minimum angle difference. 前記第3工程において求められる前記平均距離差は、前記第1四辺形の4つの頂点と、前記第2四辺形の対応する4つの頂点とのそれぞれの距離差のうち、最大距離差と最小距離差との平均距離差である、請求項1乃至5のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。   The average distance difference obtained in the third step is the maximum distance difference and the minimum distance among the distance differences between the four vertices of the first quadrilateral and the corresponding four vertices of the second quadrilateral. The correction method of the processing position of the wiring board as described in any one of Claims 1 thru | or 5 which is an average distance difference with a difference. 前記第1工程では、前記設計データにおける前記アライメントマークの位置に、前記第7工程で加工位置を補正するビアの上側に接続される配線層の倍率を乗じた位置によって定まる第2四辺形と、前記配線基板の四隅に形成される4つのアライメントマークの位置によって定まる第1四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める、請求項1乃至6のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。   In the first step, a second quadrilateral determined by a position obtained by multiplying the position of the alignment mark in the design data by the magnification of the wiring layer connected to the upper side of the via that corrects the processing position in the seventh step; The wiring according to any one of claims 1 to 6, wherein an average angle difference is calculated for an angle difference between corresponding sides of the first quadrilateral determined by positions of four alignment marks formed at four corners of the wiring board. Method for correcting the processing position of the substrate.
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