JP5750919B2 - 磁場計測装置 - Google Patents
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Description
本発明は、複数のセルを並べて磁場を計測する磁場計測装置において、セルの温度を制御して磁場の測定精度を向上させる技術を提供する。
上記のひとつの磁場計測装置において、更に、気温を計測する計測手段と、を備え、前記第1の処理において、前記計測手段で計測された気温毎に前記セルにおける前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させ、前記第2の処理において、前記計測手段で計測された気温に応じた前記セルの前記温度情報を前記記憶手段から読み出して、前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力することが好ましい。
上記のひとつの磁場計測装置において、更に、前記ポンプ光の光量を示す情報を取得する取得手段と、を備え、前記第1の処理において、前記取得手段で取得された前記情報が示す光量毎に前記セルの前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させ、前記第2の処理において、前記取得手段で取得された前記情報が示す前記光量に応じた前記セルの前記温度情報を前記記憶手段から読み出して、前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力することが好ましい。
本発明に係る磁場計測装置は、ポンプ光により励起される複数の原子からなる原子群が内部に含まれたセルを複数有するセルアレイと、前記セルアレイの各セルに対してポンプ光を照射して前記各セルにおける前記原子を励起させ、前記各セルを透過したプローブ光を検出して前記各セルにおける磁場を検出する磁場検出手段と、前記セルアレイの各セルに対応して設けられ、入力される制御値に従って、前記各セルの温度を制御する温度制御手段と、前記セル毎に温度情報を記憶する記憶手段と、前記セルアレイに対して一定の磁場を印加し、前記温度制御手段に入力する前記制御値を変化させて前記磁場検出手段で検出される前記各セルの磁場の検出結果が予め定められた基準値となるときの前記制御値を前記セル毎に特定し、特定した前記セル毎の前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させる第1の処理と、前記第1の処理に代えて、前記記憶手段に記憶された前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力し、前記磁場検出手段による検出結果を出力する第2の処理とを行う制御手段とを備える。この構成によれば、各セルの感度が均一になるように各セルの温度が制御され、磁場の測定精度を向上させることができる。
(構成)
図1は、本発明に係る実施形態の磁場計測装置の構成を表すブロック図である。磁場計測装置1は、セルアレイ10、セルアレイ10の温度を制御する温度制御ユニット20、セルアレイ10における磁場を検出する磁場検出ユニット30、制御部40、操作部50及び記憶部60を備えている。
次に、この磁場計測装置1の動作例について説明する。磁場計測装置1の制御部40は、キャリブレーション処理を指示する操作が操作部50を介してなされると、各ポンプ光照射部(310a,310b,310c,310d)の各々から円偏光成分を有するポンプ光をセルアレイ10の各セル(10a,10b,10c,10d)に対して照射すると共に、各プローブ光照射部(320a,320b,320c,320d)から直線偏光成分を有するプローブ光を、各セル(10a,10b,10c,10d)に照射されたポンプ光とセル内で直交するように照射する。そして、制御部40は、ポンプ光とプローブ光とに直交する方向の一定の磁場を図示しないコイルを用いて印加する。
各セル内の原子はポンプ光の照射によって同一方向にスピン偏極され、生体からの磁場に応じて歳差運動を行う。プローブ光は、各セルに入射し、セル内の原子が受ける磁場の大きさに応じて偏光面が回転されて各セルを透過する。各セルを透過したプローブ光は、各セルに対応する検出部で各々受光される。各検出部(330a,330b,330c,330d)は、プローブ光の光量に応じた電気信号を解析してプローブ光の偏光面の回転角を求め、回転角から磁場値を算出して制御部40に出力する。制御部40は、検出部毎に出力された各磁場の値を示す情報を図示しない表示装置等に出力する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、以下のように変形させて実施してもよい。また、以下の変形例を組み合わせてもよい。
Claims (3)
- ポンプ光により励起される原子を複数有する原子群が内部に含まれたセルを複数有するセルアレイと、
前記セルに対してポンプ光を照射して前記原子を励起させ、前記セルを透過したプローブ光を検出して前記各セルにおける磁場を測定する磁場検出手段と、
前記セルに対応して設けられ、入力される制御値に従って、前記セルの温度を制御する温度制御手段と、
前記セルの温度情報を記憶する記憶手段と、
第1の処理及び第2の処理を行う制御手段と、
気温を計測する計測手段と、
を備え、
前記第1の処理は、前記セルアレイに対して一定の磁場を印加し、前記温度制御手段に入力する前記制御値を変化させて前記磁場検出手段で測定される検出結果が予め定められた基準値となるときの前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させる処理であり、
前記第2の処理は、前記セルアレイに対して任意の磁場を印加し、前記記憶手段に記憶された前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力し、前記磁場検出手段による前記検出結果を出力する処理であり、
更に、前記第1の処理において、前記計測手段で計測された気温毎に前記セルにおける前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させ、前記第2の処理において、前記計測手段で計測された気温に応じた前記セルの前記温度情報を前記記憶手段から読み出して、前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力することを特徴とする磁場計測装置。 - ポンプ光により励起される原子を複数有する原子群が内部に含まれたセルを複数有するセルアレイと、
前記セルに対してポンプ光を照射して前記原子を励起させ、前記セルを透過したプローブ光を検出して前記各セルにおける磁場を測定する磁場検出手段と、
前記セルに対応して設けられ、入力される制御値に従って、前記セルの温度を制御する温度制御手段と、
前記セルの温度情報を記憶する記憶手段と、
第1の処理及び第2の処理を行う制御手段と、
前記ポンプ光の光量を示す情報を取得する取得手段と、
を備え、
前記第1の処理は、前記セルアレイに対して一定の磁場を印加し、前記温度制御手段に入力する前記制御値を変化させて前記磁場検出手段で測定される検出結果が予め定められた基準値となるときの前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させる処理であり、
前記第2の処理は、前記セルアレイに対して任意の磁場を印加し、前記記憶手段に記憶された前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力し、前記磁場検出手段による前記検出結果を出力する処理であり、
更に、前記第1の処理において、前記取得手段で取得された前記情報が示す光量毎に前記セルの前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させ、前記第2の処理において、前記取得手段で取得された前記情報が示す前記光量に応じた前記セルの前記温度情報を前記記憶手段から読み出して、前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力することを特徴とする磁場計測装置。 - 更に、前記ポンプ光の光量を示す情報を取得する取得手段と、を備え、
前記第1の処理において、前記取得手段で取得された前記情報が示す光量毎に前記セルの前記制御値を特定し、特定した前記制御値を前記温度情報として前記記憶手段に記憶させ、前記第2の処理において、前記取得手段で取得された前記情報が示す前記光量に応じた前記セルの前記温度情報を前記記憶手段から読み出して、前記温度情報に基づく前記制御値を前記温度制御手段に入力することを特徴とする請求項1に記載の磁場計測
装置。
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JP2011022438A JP5750919B2 (ja) | 2011-02-04 | 2011-02-04 | 磁場計測装置 |
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US11541064B2 (en) | 2017-05-30 | 2023-01-03 | Zavante Therapeutics, Inc. | Methods of identifying dosing regimens |
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