JP5741869B2 - Piezoelectric device - Google Patents

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Description

本発明は、圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device.

水晶発振器は、安定な周波数を供給する周波数発生源として、放送機器、計測機器、デジタル機器のクロック信号源などに広く利用されている。特に恒温槽付き水晶発振器(Oven Controlled Crystal(X’tal) Oscillator:以下OCXOということがある。)は、小型の恒温槽に水晶振動子を納め、水晶振動子の周囲温度を一定に保つことにより極めて良好な周波数安定性を持たせたものである。そのため、OCXOは、通信基地局の基準周波数や周波数カウンタ、および、周波数シンセサイザの周波数基準などの、より厳しい規格の用途に用いられている。なお、OCXOを含む各種の水晶発振器は、搭載される機器の小型化に対応して、より小型化することが要求されている。   A crystal oscillator is widely used as a frequency generation source for supplying a stable frequency, such as a clock signal source for broadcasting equipment, measurement equipment, and digital equipment. In particular, a crystal oscillator with a thermostatic chamber (Oven Controlled Crystal (X'tal) Oscillator: hereinafter sometimes referred to as OCXO) accommodates a crystal resonator in a small thermostat and keeps the ambient temperature of the crystal resonator constant. It has very good frequency stability. Therefore, OCXO is used for applications of stricter standards such as the reference frequency and frequency counter of communication base stations and the frequency reference of frequency synthesizers. In addition, various crystal oscillators including OCXO are required to be further downsized in response to downsizing of mounted devices.

特表2001−500715号公報には、熱伝導性の基体にヒーター素子および共振器を互いに熱伝導可能なように設け、全体をカバーで覆ったオーブンコントロール結晶共振器が開示されている。同公報には、この共振器は、電池エネルギーの過度な消耗なしに高温度に維持できるとの記載がある。   Japanese Patent Application Publication No. 2001-500715 discloses an oven-controlled crystal resonator in which a heater element and a resonator are provided on a thermally conductive base so as to be able to conduct heat with each other, and the whole is covered with a cover. The publication states that the resonator can be maintained at a high temperature without excessive consumption of battery energy.

特表2001−500715号公報Special table 2001-500715 gazette

しかしながら、共振子が、部材を介する熱伝導によって加熱される場合には、該部材は、該共振子を保持できる程度以上の大きさが必要であった。この方法では、特定の大きさの部材に熱伝導を担わせるため、共振子等を加熱するために、まず該部材を加熱する必要があり、そのための熱(エネルギー)が余計に必要であった。また、該部材は、質量や体積が大きいため、収納するパッケージ内にバンプや接着剤等によって固定される。そのため、該部材とパッケージとの間の断熱は、必ずしも十分とはいえなかった。さらに、この方法では該部材を共振子等の大きさよりも小さくすることが難しく、小型な発振器を得るために、必ずしも適した方法とはいえなかった。   However, when the resonator is heated by heat conduction through the member, the member needs to have a size larger than the size that can hold the resonator. In this method, in order to cause a member having a specific size to conduct heat conduction, in order to heat the resonator or the like, it is necessary to first heat the member, and extra heat (energy) for that purpose is required. . Further, since the member has a large mass and volume, the member is fixed in a package to be accommodated by a bump, an adhesive, or the like. Therefore, the heat insulation between the member and the package is not always sufficient. Furthermore, this method makes it difficult to make the member smaller than the size of a resonator or the like, and is not necessarily a suitable method for obtaining a small oscillator.

本発明のいくつかの態様にかかる目的の一つは、少ないエネルギーで素子を加熱することができ、かつ、パッケージ外への熱伝導が十分に抑制された、圧電デバイスを提供することにある。   One of the objects according to some embodiments of the present invention is to provide a piezoelectric device capable of heating an element with less energy and sufficiently suppressing heat conduction outside the package.

本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following aspects or application examples.

[適用例1]
パッケージと、
前記パッケージ内に収納された圧電素子と、
前記パッケージ内に収納されたヒーター素子と、
を有し、
前記圧電素子は、基部および前記基部から延出した梁部を有し、前記基部によって片持梁状または両持梁状に固定され、
前記ヒーター素子は、支持部および前記支持部によって前記パッケージから離間して支持される発熱部を有し、
前記発熱部は、前記支持部によって片持梁状または両持梁状に固定され、
前記発熱部および前記梁部は、互いに離間している、圧電デバイス。
[Application Example 1]
Package and
A piezoelectric element housed in the package;
A heater element housed in the package;
Have
The piezoelectric element has a base portion and a beam portion extending from the base portion, and is fixed in a cantilever shape or a cantilever shape by the base portion,
The heater element includes a support part and a heat generating part supported by the support part so as to be separated from the package,
The heat generating portion is fixed in a cantilever shape or a doubly supported beam shape by the support portion,
The piezoelectric device, wherein the heat generating portion and the beam portion are separated from each other.

このような圧電デバイスは、ヒーター素子の発熱部が支持部によって、支持(固定)されているため、パッケージ外への熱伝導が抑制され、かつ、少ないエネルギーで圧電素子を加熱することができる。   In such a piezoelectric device, since the heat generating portion of the heater element is supported (fixed) by the support portion, heat conduction to the outside of the package is suppressed, and the piezoelectric element can be heated with less energy.

[適用例2]
適用例1において、
前記支持部は、前記発熱部への電流を供給するための導電性を有する、圧電デバイス。
[Application Example 2]
In application example 1,
The said support part is a piezoelectric device which has electroconductivity for supplying the electric current to the said heat-emitting part.

このような圧電デバイスは、ヒーター素子からパッケージへの熱伝導が抑制されるとともに、製造が容易である。   Such a piezoelectric device is easy to manufacture while suppressing heat conduction from the heater element to the package.

[適用例3]
適用例1において、
前記発熱部および前記支持部は、導電層を含み、一体的に形成された、圧電デバイス。
[Application Example 3]
In application example 1,
The heat generating part and the support part include a conductive layer and are integrally formed.

このような圧電デバイスは、ヒーター素子からパッケージへの熱伝導が抑制されるとともに、発熱部の保持をより確実にすることができる。   Such a piezoelectric device can suppress heat conduction from the heater element to the package, and can more reliably hold the heat generating portion.

[適用例4]
適用例1ないし適用例3のいずれか一例において、
さらに、前記パッケージ内に収容された支持体を含み、
前記圧電素子および前記支持部は、いずれも、前記支持体を介して前記パッケージに固定された、圧電デバイス。
[Application Example 4]
In any one of Application Examples 1 to 3,
And further comprising a support housed in the package,
The piezoelectric element and the support part are both piezoelectric devices fixed to the package via the support.

このような圧電デバイスは、上述の例の特徴に加え、さらに製造が容易である。   Such a piezoelectric device is easier to manufacture in addition to the features of the above example.

[適用例5]
適用例1ないし適用例4のいずれか一例において、
前記発熱部を複数有する、圧電デバイス。
[Application Example 5]
In any one of Application Examples 1 to 4,
A piezoelectric device having a plurality of the heat generating parts.

このような圧電デバイスは、上述の例の特徴に加え、圧電素子を加熱する効率がさらに高い。   Such a piezoelectric device has a higher efficiency of heating the piezoelectric element in addition to the features of the above-described example.

実施形態にかかる圧電デバイス100の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 100 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス100を模式的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 100 according to the embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス110を模式的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 110 according to the embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス120の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 120 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス120を模式的に示す平面図。FIG. 3 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 120 according to the embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス130の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 130 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス130を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the piezoelectric device 130 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス140の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 140 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス140を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the piezoelectric device 140 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス150の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 150 concerning embodiment. 実施形態にかかる圧電デバイス150を模式的に示す平面図。FIG. 3 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 150 according to the embodiment. 変形例にかかる圧電デバイス200の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 200 concerning a modification. 変形例にかかる圧電デバイス200を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the piezoelectric device 200 concerning a modification. 変形例にかかる圧電デバイス210の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 210 concerning a modification. 変形例にかかる圧電デバイス220の断面の模式図。The schematic diagram of the cross section of the piezoelectric device 220 concerning a modification. 変形例にかかる圧電デバイス220を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the piezoelectric device 220 concerning a modification.

以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含む。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, Various modifications implemented in the range which does not change the summary of this invention are also included.

本発明にかかる圧電デバイスは、パッケージと、圧電素子と、ヒーター素子と、を有する。   The piezoelectric device according to the present invention includes a package, a piezoelectric element, and a heater element.

図1は、本実施形態の一例である圧電デバイス100の断面の模式図である。図2は、圧電デバイス100を模式的に示す平面図である。図2のA−A線の断面が図1に相当する。圧電デバイス100は、パッケージ10と、圧電素子20と、ヒーター素子30と、を有する。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a piezoelectric device 100 that is an example of the present embodiment. FIG. 2 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 100. A cross section taken along line AA in FIG. 2 corresponds to FIG. The piezoelectric device 100 includes a package 10, a piezoelectric element 20, and a heater element 30.

1.パッケージ
パッケージ10は、少なくとも圧電素子20およびヒーター素子30を収容することのできる筐体である。パッケージ10の内部には、キャビティー12が形成される。該キャビティー12内に圧電素子20およびヒーター素子30が設置される。パッケージ10の外形形状は限定されず、たとえば、直方体状、円柱状などとすることができる。パッケージ10は、複数の部材から構成されてもよい。パッケージ10の機能の一つとしては、圧電素子20およびヒーター素子30に外部の部材が機械的に接触しないようにすることが挙げられる。また、パッケージ10の機能の一つとしては、圧電素子20およびヒーター素子30をキャビティー12内に密閉することが挙げられる。さらに、パッケージ10を密閉してキャビティー12内を減圧状態にすると、パッケージ10は、圧電素子20のQ値を高める機能、外部への熱の流出を抑制する機能の少なくとも一方を有することができる。本実施形態の圧電デバイスにおいては、パッケージ10は、ケース体14および蓋体16から構成されている。
1. Package The package 10 is a housing that can accommodate at least the piezoelectric element 20 and the heater element 30. A cavity 12 is formed inside the package 10. A piezoelectric element 20 and a heater element 30 are installed in the cavity 12. The outer shape of the package 10 is not limited, and can be, for example, a rectangular parallelepiped shape or a cylindrical shape. The package 10 may be composed of a plurality of members. One function of the package 10 is to prevent external members from mechanically contacting the piezoelectric element 20 and the heater element 30. One function of the package 10 is to seal the piezoelectric element 20 and the heater element 30 in the cavity 12. Further, when the package 10 is sealed and the inside of the cavity 12 is decompressed, the package 10 can have at least one of a function of increasing the Q value of the piezoelectric element 20 and a function of suppressing heat flow to the outside. . In the piezoelectric device of the present embodiment, the package 10 includes a case body 14 and a lid body 16.

1.1.ケース体
ケース体14は、圧電素子20およびヒーター素子30を収容することができる容器状の形状を有する。ケース体14の平面的な形状は、本実施形態では、矩形の形状を有しているが、これに限定されず円形等でもよい。ケース体14の上部は、圧電素子20およびヒーター素子30をケース体14の内部に導入することができる程度の開口を有している。ケース体14の開口は、蓋体16によって気密封止されることができる。ケース体14は、内側底面に段差を有することができる。この段差は、たとえば、圧電素子20を片持ちまたは両持ち梁状に設置するために適宜設置されることができる。図1の例では、段差によって圧電素子20およびヒーター素子30がそれぞれ両持ち梁状に設置されている。なお、図2においては、蓋体16および圧電素子20は、透視させて破線を用いて輪郭を描いている。
1.1. Case Body The case body 14 has a container shape that can accommodate the piezoelectric element 20 and the heater element 30. The planar shape of the case body 14 has a rectangular shape in the present embodiment, but is not limited thereto, and may be a circle or the like. The upper part of the case body 14 has an opening that allows the piezoelectric element 20 and the heater element 30 to be introduced into the case body 14. The opening of the case body 14 can be hermetically sealed by the lid body 16. The case body 14 can have a step on the inner bottom surface. This step can be installed as appropriate in order to install the piezoelectric element 20 in a cantilevered or doubly supported beam shape, for example. In the example of FIG. 1, the piezoelectric element 20 and the heater element 30 are each installed in a doubly-supported beam shape by a step. In FIG. 2, the lid 16 and the piezoelectric element 20 are seen through and outlined using a broken line.

ケース体14の内側には、キャビティー12内部における配線や、外部へ電気的に接続できる配線等を形成することができる。図示の例では、このような配線の一種としてヒーター素子30に電気的に接続するための配線18が例示されている。また、ケース体14
は、底面にスルーホールを有することができる。スルーホールは、導電材によって埋められ、ケース体14の内部の導電部材と外部の導電部材とを電気的に接続するビアホールとなることができる。ビアホールに使用される導電材としては、たとえば、タングステン、モリブデンなどが挙げられる。ビアホールは、気密性を有することができる。さらに、ケース体14の外側には、表面実装用のパッド等を設けることができる。ケース体14の材質は、セラミック、ガラス等の無機材料であることができる。
Inside the case body 14, wiring inside the cavity 12, wiring that can be electrically connected to the outside, and the like can be formed. In the illustrated example, a wiring 18 for electrically connecting to the heater element 30 is illustrated as one type of such wiring. The case body 14
Can have through holes on the bottom surface. The through hole is filled with a conductive material, and can be a via hole that electrically connects the conductive member inside the case body 14 and the external conductive member. Examples of the conductive material used for the via hole include tungsten and molybdenum. The via hole can have airtightness. Furthermore, a pad for surface mounting or the like can be provided outside the case body 14. The material of the case body 14 can be an inorganic material such as ceramic or glass.

1.2.蓋体
蓋体16は、ケース体14の上部の開口を封止する平板形状を有する。蓋体16の平面形状としては、特に限定されず、外部から圧電素子20への接触を避ける程度の形状、または、ケース体14の開口を封止して密閉空間を形成することができる形状とすることができる。蓋体16の材質としては、セラミック、ガラス、金属等が挙げられる。ケース体14と蓋体16との接着は、たとえば、プラズマ溶接、シーム溶接、超音波接合、または接着剤等を用いて行われることができる。ケース体14および蓋体16によって形成されるキャビティー12は、圧電素子20およびヒーター素子30が動作するための空間となる。また、キャビティー12は、密閉されることができるため、圧電素子20およびヒーター素子30を減圧空間や不活性ガス雰囲気に設置することができる。
1.2. Lid Body The lid body 16 has a flat plate shape that seals the upper opening of the case body 14. The planar shape of the lid body 16 is not particularly limited, and is a shape that avoids contact with the piezoelectric element 20 from the outside, or a shape that can seal the opening of the case body 14 to form a sealed space. can do. Examples of the material of the lid body 16 include ceramic, glass, and metal. The adhesion between the case body 14 and the lid body 16 can be performed using, for example, plasma welding, seam welding, ultrasonic bonding, or an adhesive. The cavity 12 formed by the case body 14 and the lid body 16 becomes a space for operating the piezoelectric element 20 and the heater element 30. Further, since the cavity 12 can be sealed, the piezoelectric element 20 and the heater element 30 can be placed in a reduced pressure space or an inert gas atmosphere.

2.圧電素子
圧電素子20は、パッケージ10内(ケース体14および蓋体16によって形成されるキャビティー12内)に備えられる。圧電素子20としては、AT振動片(SCカットを含む)、音叉型振動片、双音叉型振動片、ウォーク型振動片、SAW共振子、振動ジャイロなどを例示することができる。圧電素子20の種類によって、圧電デバイス100のデバイスとしての機能が決定される。たとえば、圧電素子20が、AT振動片、音叉型振動片、ウォーク型振動片である場合には、圧電デバイス100は、発振器、クロックモジュール等のタイミングデバイスであることができる。また、圧電素子20が、SAW共振子である場合には、圧電デバイス100は、タイミングデバイスの他に周波数フィルタであることができる。さらに、圧電素子20が、双音叉型振動片や振動ジャイロである場合には、圧電デバイス100は、加速度センサー、圧力センサー、角速度センサー等のセンサーであることができる。
2. Piezoelectric Element The piezoelectric element 20 is provided in the package 10 (in the cavity 12 formed by the case body 14 and the lid body 16). Examples of the piezoelectric element 20 include an AT vibrating piece (including SC cut), a tuning fork type vibrating piece, a double tuning fork type vibrating piece, a walk type vibrating piece, a SAW resonator, and a vibrating gyroscope. The function of the piezoelectric device 100 as a device is determined by the type of the piezoelectric element 20. For example, when the piezoelectric element 20 is an AT vibrating piece, a tuning fork type vibrating piece, or a walk type vibrating piece, the piezoelectric device 100 can be a timing device such as an oscillator or a clock module. When the piezoelectric element 20 is a SAW resonator, the piezoelectric device 100 can be a frequency filter in addition to the timing device. Furthermore, when the piezoelectric element 20 is a double tuning fork type vibrating piece or a vibrating gyroscope, the piezoelectric device 100 can be a sensor such as an acceleration sensor, a pressure sensor, or an angular velocity sensor.

圧電素子20は、水晶で形成されることができる。圧電素子20は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料で形成されてもよい。圧電素子20が、水晶以外の材料で形成される場合は、水晶で形成された場合と同様の振る舞いを生じることができるように、結晶の方位(カット角)等を選択することができる。   The piezoelectric element 20 can be formed of quartz. The piezoelectric element 20 may be formed of a piezoelectric material such as lithium tantalate or lithium niobate. When the piezoelectric element 20 is formed of a material other than quartz, the crystal orientation (cut angle) or the like can be selected so that the same behavior as when formed by quartz can be produced.

圧電素子20は、その形態や機能に応じた電極を含むことができる。電極の種類、数および配置は、特に限定されない。また電極としては、圧電素子20を励振するための電極、圧電素子20の動作を検出するための電極、電極の配線、および外部接続のためのパッド等を含んでもよい。   The piezoelectric element 20 can include an electrode corresponding to its form and function. The type, number and arrangement of the electrodes are not particularly limited. The electrodes may include an electrode for exciting the piezoelectric element 20, an electrode for detecting the operation of the piezoelectric element 20, an electrode wiring, a pad for external connection, and the like.

圧電素子20は、基部22および梁部24を有する。基部22は、圧電素子20を片持ち梁状または両持ち梁状に支持するときに、パッケージ10の内側に固定される部位である。したがって基部22は、圧電素子20を平面的に見たときに、片方の端、または両方の端に位置する。基部22の形状は、圧電素子20の設計にしたがい特に限定されない。基部22には、外部接続用のパッド(図示せず)が形成されることができる。パッドは、たとえばバンプ接合やワイヤーボンディングのために利用することができる。   The piezoelectric element 20 has a base portion 22 and a beam portion 24. The base portion 22 is a portion that is fixed to the inside of the package 10 when the piezoelectric element 20 is supported in a cantilever shape or a doubly supported beam shape. Therefore, the base 22 is located at one end or both ends when the piezoelectric element 20 is viewed in a plan view. The shape of the base 22 is not particularly limited according to the design of the piezoelectric element 20. A pad (not shown) for external connection can be formed on the base 22. The pad can be used for bump bonding or wire bonding, for example.

梁部24は、基部22から延出した形状を有する。梁部24は、圧電素子20がAT振動片、SAW共振子である場合は、平板状の形状を有する。圧電素子20が音叉型、ウォ
ーク型、双音叉型等の振動片である場合は、梁部24は、ビーム状の振動腕が複数形成された形状を有する。梁部24は、圧電素子20が片持ち梁状または両持ち梁状に支持されたときに梁を形成する部位である。したがって、梁部24の片方の端または両方の端は、基部22に連続している。梁部24は、パッケージ10のキャビティー12において、パッケージ10に接触しないように設けられる。
The beam portion 24 has a shape extending from the base portion 22. The beam portion 24 has a flat plate shape when the piezoelectric element 20 is an AT resonator element or a SAW resonator. When the piezoelectric element 20 is a tuning fork type, a walk type, a double tuning fork type vibrating piece, the beam portion 24 has a shape in which a plurality of beam-like vibrating arms are formed. The beam portion 24 is a portion that forms a beam when the piezoelectric element 20 is supported in a cantilever shape or a cantilever shape. Therefore, one end or both ends of the beam portion 24 are continuous with the base portion 22. The beam portion 24 is provided in the cavity 12 of the package 10 so as not to contact the package 10.

圧電素子20をパッケージ10内に設置する方法としては、バンプ接合、接着剤による固定などの方法を挙げることができる。導電性接着剤による固定を行うと、機械的な固定と電気的な接続とを兼ねさせることができる。図1および図2に示す圧電デバイス100は、圧電素子20がAT振動片である場合の例であり、梁部24およびその両端に形成された2つの基部22を有し、両持ち梁状に支持されている。また、圧電デバイス100の例では、圧電素子20は、導電性接着剤26によって固定され、圧電素子20の図示せぬ電極とケース体14の内側に形成された図示せぬ電極とを電気的に接続している。   Examples of the method for installing the piezoelectric element 20 in the package 10 include bump bonding and fixing with an adhesive. When fixing with a conductive adhesive is performed, both mechanical fixing and electrical connection can be achieved. A piezoelectric device 100 shown in FIGS. 1 and 2 is an example in the case where the piezoelectric element 20 is an AT vibrating piece, which has a beam portion 24 and two base portions 22 formed at both ends thereof, and has a double-supported beam shape. It is supported. In the example of the piezoelectric device 100, the piezoelectric element 20 is fixed by the conductive adhesive 26, and an electrode (not shown) of the piezoelectric element 20 and an electrode (not shown) formed inside the case body 14 are electrically connected. Connected.

3.ヒーター素子
ヒーター素子30は、パッケージ10内(ケース体14および蓋体16によって形成されるキャビティー12内)に備えられる。ヒーター素子30は、支持部32および発熱部34を有する。
3. Heater Element The heater element 30 is provided in the package 10 (in the cavity 12 formed by the case body 14 and the lid body 16). The heater element 30 has a support portion 32 and a heat generating portion 34.

ヒーター素子30の支持部32は、ヒーター素子30を片持ち梁状または両持ち梁状に支持するときにパッケージ10の内側に固定される部位である。したがって支持部32は、ヒーター素子30を平面的に見たときに、片方の端、または両方の端に位置する。図1および図2の例では、支持部32は、発熱部34の両側に突出するように形成され、ケース体14の底面の段差に対して両持ち梁状に設置されている。このように設置すると、たとえば、圧電デバイス100に衝撃等が加えられた場合であっても、支持部32が過剰に撓むようなことが起きにくいため、ヒーター素子30および圧電素子20の接触をさらに抑制することができる。   The support portion 32 of the heater element 30 is a portion that is fixed to the inside of the package 10 when the heater element 30 is supported in a cantilever shape or a cantilever shape. Accordingly, the support portion 32 is located at one end or both ends when the heater element 30 is viewed in plan. In the example of FIGS. 1 and 2, the support portion 32 is formed so as to protrude on both sides of the heat generating portion 34, and is installed in a doubly supported beam shape with respect to the step on the bottom surface of the case body 14. When installed in this manner, for example, even when an impact or the like is applied to the piezoelectric device 100, it is difficult for the support portion 32 to bend excessively. Therefore, the contact between the heater element 30 and the piezoelectric element 20 is further increased. Can be suppressed.

図3は、ヒーター素子30を片持ち梁状に設けた圧電デバイス110を模式的に示す平面図である。支持部32は、図3に示すように、発熱部34から片方側に突出するように設けられることができる。このようにすれば、たとえば、パッケージ10内の配線の引き回し等に自由度を持たせることができる。   FIG. 3 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 110 in which the heater element 30 is provided in a cantilever shape. As shown in FIG. 3, the support portion 32 can be provided so as to protrude from the heat generating portion 34 to one side. In this way, for example, the wiring in the package 10 can be given flexibility.

ヒーター素子30をパッケージ10内に設置する方法としては、バンプ接合、接着剤による固定などの方法を挙げることができる。導電性接着剤による固定を行うと、機械的な固定と電気的な接続とを兼ねさせることができる。図1および図2の例では、ヒーター素子30は、接着剤31によって機械的に固定され、ボンディングワイヤー33によってパッケージ10内の配線と電気的に接続されている。   Examples of the method for installing the heater element 30 in the package 10 include bump bonding and fixing with an adhesive. When fixing with a conductive adhesive is performed, both mechanical fixing and electrical connection can be achieved. In the example of FIGS. 1 and 2, the heater element 30 is mechanically fixed by an adhesive 31 and is electrically connected to wiring in the package 10 by a bonding wire 33.

そして更に、ヒーター素子30は、パッケージ10の外表面に形成された図示せぬ電極、またはパッケージ10内にヒーター素子30の発熱を制御するための電子部品があれば、これにパッケージ10に設けた配線などの導体路を介して導通されている。   Further, the heater element 30 is provided on the package 10 if there is an electrode (not shown) formed on the outer surface of the package 10 or an electronic component for controlling the heat generation of the heater element 30 in the package 10. It is conducted through a conductor path such as wiring.

支持部32には、発熱部34に対して電流を供給できるように導体路32bが設けられる。支持部32の機能としては、少なくとも発熱部34を機械的に支持すること、および発熱部34に電流を供給することが挙げられる。支持部32としては、発熱部34を機械的に支持する部材および発熱部34に電流を供給する導体路32bを含む構成とすることができる。また、支持部32としては、発熱部34を機械的に支持するとともに電流を供給する導体からなる構成とすることができる。支持部32に形成される導体路32b、または、支持部32自体が導体となる場合は、発熱部34へ電流を供給するための電気抵抗
の小さいものがより好ましい。
The support portion 32 is provided with a conductor path 32 b so that a current can be supplied to the heat generating portion 34. The function of the support part 32 includes mechanically supporting at least the heat generating part 34 and supplying a current to the heat generating part 34. The support portion 32 may include a member that mechanically supports the heat generating portion 34 and a conductor path 32 b that supplies current to the heat generating portion 34. In addition, the support portion 32 can be configured to include a conductor that mechanically supports the heat generating portion 34 and supplies current. When the conductor path 32b formed in the support portion 32 or the support portion 32 itself is a conductor, it is more preferable that the electrical resistance for supplying current to the heat generating portion 34 is small.

図1および図2の例では、支持部32は、絶縁基板として例えばシリコン基板32aと、シリコン基板32aの表面に形成された導体路32bとから構成され、シリコン基板32aは、発熱部34を機械的に支持する機能を有し、導体路32bは、発熱部34に電流を供給するための配線としての機能を有している。   In the example of FIGS. 1 and 2, the support portion 32 includes, for example, a silicon substrate 32 a as an insulating substrate and a conductor path 32 b formed on the surface of the silicon substrate 32 a. The silicon substrate 32 a The conductor path 32b has a function as wiring for supplying a current to the heat generating portion 34.

図4は、支持部32を導電性のワイヤー36によって構成した圧電デバイス120の断面の模式図である。図5は、圧電デバイス120を模式的に示す平面図である。図5のA−A線の断面が図4に相当する。図6は、支持部32を導電性のリード38によって構成した圧電デバイス130の断面の模式図である。図7は、圧電デバイス130を模式的に示す平面図である。図7のA−A線の断面が図6に相当する。図8は、支持部32を導電性のリード38によって構成した圧電デバイス140の断面の模式図である。図9は、圧電デバイス140を模式的に示す平面図である。図9のA−A線の断面が図8に相当する。図10は、支持部32が支持体40に支持された圧電デバイス150の断面の模式図である。図11は、圧電デバイス150を模式的に示す平面図である。図11のA−A線の断面が図10に相当する。なお、各平面図は、蓋体16および圧電素子20を透視させて描いてある。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the piezoelectric device 120 in which the support portion 32 is configured by a conductive wire 36. FIG. 5 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 120. A cross section taken along line AA in FIG. 5 corresponds to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a piezoelectric device 130 in which the support portion 32 is configured by a conductive lead 38. FIG. 7 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 130. A cross section taken along line AA in FIG. 7 corresponds to FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a piezoelectric device 140 in which the support portion 32 is configured by a conductive lead 38. FIG. 9 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 140. A cross section taken along line AA in FIG. 9 corresponds to FIG. FIG. 10 is a schematic diagram of a cross section of the piezoelectric device 150 in which the support portion 32 is supported by the support body 40. FIG. 11 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 150. A cross section taken along line AA in FIG. 11 corresponds to FIG. Each plan view is drawn through the lid 16 and the piezoelectric element 20.

支持部32は、図4および図5に示す圧電デバイス120のように、導電性のワイヤー36であることができる。ワイヤー36としては、たとえば、半導体等に使用される金やアルミニウムによって形成されたボンディングワイヤーを挙げることができる。圧電デバイス120のヒーター素子30は、2本のワイヤー36(支持部32)を有し、ワイヤー36によって両持ち梁状に支持されている。なお、図示の例では、ワイヤー36の長さに余裕を持たせてあるが、ワイヤー36が張力を有するように形成されてもよい。   The support portion 32 can be a conductive wire 36 as in the piezoelectric device 120 shown in FIGS. 4 and 5. As the wire 36, for example, a bonding wire formed of gold or aluminum used for a semiconductor or the like can be used. The heater element 30 of the piezoelectric device 120 has two wires 36 (support portions 32), and is supported by the wires 36 in a doubly supported beam shape. In the illustrated example, the length of the wire 36 is given a margin, but the wire 36 may be formed so as to have tension.

また、支持部32は、図6および図7に示す圧電デバイス130のように、導電性のリード38によって形成されることができる。リード38としては、たとえば、上記ワイヤーよりも高い張力を得るために比較的断面積が大きい構成、または形状が帯状に構成されたものや、銅、鉄とニッケルの合金など、金やアルミニウムと比較して硬質な材料によって形成したものを挙げることができる。圧電デバイス130のヒーター素子30は、2本のリード38(支持部32)を有し、リード38によって両持ち梁状に支持されている。支持部32をリード38によって構成すると、発熱部34をより安定に固定することができる。さらに、図8に示す圧電デバイス140のように、両持ち梁状に支持されるヒーター素子30を、両持ち梁状に形成される圧電素子20と交差する方向に沿って設けてもよい。このような配置の変形は、設計可能な範囲内で自由に行われることができる。また、圧電デバイス140では、ヒーター素子30を圧電素子20と交差する方向に設けることができるように、パッケージ10の内側底面に適宜な段差が形成されている。   Further, the support portion 32 can be formed by a conductive lead 38 like the piezoelectric device 130 shown in FIGS. 6 and 7. As the lead 38, for example, a structure having a relatively large cross-sectional area to obtain a higher tension than that of the wire, or a structure in which the shape is formed in a band shape, an alloy of copper, iron and nickel, or the like is compared with gold or aluminum. And those formed of a hard material. The heater element 30 of the piezoelectric device 130 has two leads 38 (support portions 32), and is supported by the leads 38 in a doubly supported beam shape. If the support part 32 is comprised by the lead 38, the heat-emitting part 34 can be fixed more stably. Furthermore, like the piezoelectric device 140 shown in FIG. 8, the heater element 30 supported in the form of a double-supported beam may be provided along the direction intersecting the piezoelectric element 20 formed in the form of a double-supported beam. Such a deformation of the arrangement can be freely performed within a designable range. Further, in the piezoelectric device 140, an appropriate step is formed on the inner bottom surface of the package 10 so that the heater element 30 can be provided in a direction intersecting the piezoelectric element 20.

また、支持部32の形状は、特に限定されないが、パッケージ10の内側底面に段差等が無い場合、該内側底面にヒーター素子30を載置したときに発熱部34が宙吊り状態で支持されるような形状としてもよい。たとえば、支持部32は、パッケージ10の内側底面と発熱部34との間に空間が得られるような高さがある脚部42を有した支持板41からなる支持体40に接続していてもよい。   In addition, the shape of the support portion 32 is not particularly limited. However, when there is no step on the inner bottom surface of the package 10, the heating portion 34 is supported in a suspended state when the heater element 30 is placed on the inner bottom surface. It is good also as a simple shape. For example, the support portion 32 may be connected to the support body 40 including the support plate 41 having the leg portions 42 having such a height that a space is obtained between the inner bottom surface of the package 10 and the heat generating portion 34. Good.

このような例として、支持部32は、パッケージ10の内側に自立的に固定できるような、支持体40に一体的に形成されたものが挙げられる。図10および図11に示す圧電デバイス150では、発熱部34は、開口を有した支持板41の該開口の内側に、リード形状である支持部32を介して両持ち梁状に支持されている。すなわち支持部32は、発熱部34と支持板41とを接続している。そして支持板41は、脚部42を有しており、
当該脚部42がパッケージ10の内側底面に固定されている。
As such an example, the support part 32 is formed integrally with the support body 40 so as to be able to be fixed independently inside the package 10. In the piezoelectric device 150 shown in FIGS. 10 and 11, the heat generating portion 34 is supported in a doubly-supported beam shape inside the opening of the support plate 41 having an opening via a support portion 32 having a lead shape. . That is, the support part 32 connects the heat generating part 34 and the support plate 41. And the support plate 41 has the leg part 42,
The leg portion 42 is fixed to the inner bottom surface of the package 10.

支持体40の形状は特に限定されず、ヒーター素子30をパッケージ10の内側に固定したときに、発熱部34を宙づり状態に支持できる形状であればよい。図示の例では、支持体40は、支持板41および脚部42を含んで構成されている。この場合の支持板41は、開口を有した平板状の形状となっており、平面的に見た開口の中央部に、発熱部34が支持部32を介して両持ち梁状に支持されている。そして、支持体40は、ヒーター素子30をパッケージ10の内側底面に設置したときに、支持板41および発熱部34が、パッケージ10に接することがないようにする脚部42を有している。なお、図示の例では、支持体40は、支持板41と脚部42が一体的に形成されている。   The shape of the support 40 is not particularly limited as long as the heating element 34 can be supported in a suspended state when the heater element 30 is fixed inside the package 10. In the illustrated example, the support body 40 includes a support plate 41 and leg portions 42. The support plate 41 in this case has a flat plate shape with an opening, and the heat generating portion 34 is supported in a doubly supported beam shape via the support portion 32 at the center portion of the opening as viewed in plan. Yes. The support body 40 has leg portions 42 that prevent the support plate 41 and the heat generating portion 34 from coming into contact with the package 10 when the heater element 30 is installed on the inner bottom surface of the package 10. In the example shown in the figure, the support 40 has a support plate 41 and a leg 42 formed integrally.

支持体40は、たとえば、パッケージ10の内側底面に接着剤等により固定されることができる。支持体40は、たとえばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどで形成されることができる。   The support body 40 can be fixed to the inner bottom surface of the package 10 with an adhesive or the like, for example. The support 40 can be formed of, for example, silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, or the like.

また、支持体40の上には、適宜配線を設けることができる。図示の例では、支持体40上の配線である導体路32bは、ボンディングワイヤー37によってパッケージ10の内側底面の配線19に電気的に接続されている。   Moreover, wiring can be provided on the support 40 as appropriate. In the illustrated example, the conductor path 32 b which is a wiring on the support body 40 is electrically connected to the wiring 19 on the inner bottom surface of the package 10 by a bonding wire 37.

このように、支持部32が支持体40に支持されるように構成される場合には、ヒーター素子30は、パッケージ10内により安定して設置されることができる。また、支持部32が、支持体40によって支持される場合には、パッケージ10内にヒーター素子30を設置する際のアライメントやリードの張力の調整が容易になる等により、圧電デバイスの製造を容易化することができる。   In this way, when the support portion 32 is configured to be supported by the support body 40, the heater element 30 can be more stably installed in the package 10. In addition, when the support portion 32 is supported by the support body 40, the piezoelectric device can be easily manufactured by, for example, facilitating adjustment of the alignment and lead tension when the heater element 30 is installed in the package 10. Can be

支持部32は、発熱部34をパッケージ10内で宙吊り状態に保ち、発熱部34で発生する熱をパッケージ10に伝導させにくい形状とすることが好ましい。たとえば、支持部32は、全体的に細く形成されることが好ましい。また、たとえば、支持部32の断面積は、発熱部34が形成された領域の断面積よりも小さいことが好ましい。さらに、たとえば、支持部32は、熱伝導の障害となるように、細く形成された部分を有した構成として、くびれ等を有していてもよい。   It is preferable that the support portion 32 has a shape in which the heat generating portion 34 is suspended in the package 10 and the heat generated by the heat generating portion 34 is not easily transmitted to the package 10. For example, the support portion 32 is preferably formed to be thin overall. For example, it is preferable that the cross-sectional area of the support part 32 is smaller than the cross-sectional area of the region where the heat generating part 34 is formed. Further, for example, the support portion 32 may have a constriction or the like as a configuration having a thin portion so as to hinder heat conduction.

支持部32が機械的な支持部材を含んでいる場合、該支持部材の材質としては、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、五酸化タンタルなどの絶縁材料を挙げることができる(図示の例ではシリコン基板32aである。)。支持部32における導電性を担う部材(図示の例では導体路32bである。)の材質としては、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、クロム、鉄、白金およびこれらの合金から選択される少なくとも一種を挙げることができる。   When the support portion 32 includes a mechanical support member, examples of the material of the support member include insulating materials such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, and tantalum pentoxide. (In the example shown, it is the silicon substrate 32a). As a material of the member responsible for conductivity in the support portion 32 (in the illustrated example, the conductor path 32b), at least selected from gold, silver, copper, nickel, palladium, chromium, iron, platinum, and alloys thereof. One kind can be mentioned.

発熱部34は、パッケージ10内に支持部32によって支持されて設けられる。すなわち、発熱部34は、パッケージ10と離間して設けられ、パッケージ10の内壁と接触していない。発熱部34は、電流が流されることによって、熱を発生することができる。発熱部34の電流は、上述の支持部32を介して供給される。発熱部34の大きさおよび形状は特に限定されない。発熱部34の機能としては、圧電素子20の梁部24を加熱することが挙げられる。   The heat generating part 34 is provided and supported by the support part 32 in the package 10. That is, the heat generating portion 34 is provided apart from the package 10 and is not in contact with the inner wall of the package 10. The heat generating part 34 can generate heat when an electric current flows. The current of the heat generating part 34 is supplied via the support part 32 described above. The size and shape of the heat generating part 34 are not particularly limited. A function of the heat generating part 34 is to heat the beam part 24 of the piezoelectric element 20.

発熱部34としては、電流を流すことで熱を発生できるものであるかぎり限定されず、たとえば、炭素皮膜抵抗器、金属皮膜抵抗器等の固定抵抗器、可変抵抗器、半固定抵抗器などの抵抗器、白金やその他の導電性素材からなる電気抵抗を有する配線、等であって素子型またはチップ型のもの、およびマイクロヒーターなどが挙げられる。   The heat generating part 34 is not limited as long as it can generate heat by passing an electric current. For example, a fixed resistor such as a carbon film resistor or a metal film resistor, a variable resistor, a semi-fixed resistor, etc. Resistors, wiring having electric resistance made of platinum or other conductive materials, etc., such as element type or chip type, and micro heaters, can be mentioned.

ここでマイクロヒーターとは、たとえば半導体製造におけるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術によって製造された抵抗デバイスであって、シリコン、ガラス、高分子等の絶縁基材または絶縁膜の上に、薄膜状の電気抵抗(導電層)が配線されたものを指す。このような電気抵抗としては、たとえば、炭素、タングステン、白金などで形成されることができる。   Here, the micro-heater is a resistance device manufactured by, for example, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology in semiconductor manufacturing, and is formed in a thin film shape on an insulating base material or insulating film such as silicon, glass, or polymer. This refers to a wiring with electrical resistance (conductive layer). Such electric resistance can be formed of, for example, carbon, tungsten, platinum, or the like.

ヒーター素子30の発熱部34としてこのようなマイクロヒーターを用いると、リード、発熱部および段差を一体的に構成したものをパッケージ10内に配置することができるので、圧電デバイスの組立が簡易になるとともに、少なくとも圧電デバイスの小型化に寄与することができる。また、マイクロヒーターは、シリコン等の絶縁性の基板の片面側のみに発熱体である導電層を有するように形成できるため、発熱の程度を表裏面で非対称にすることができる。すなわち、このようなマイクロヒーターを用いると、圧電素子20に対面する側に導電層の形成された面を向けてヒーター素子30を配置することができるため、さらに外部への熱の流出を抑制することができる。すなわち、ヒーター素子30の熱によってより効率よく圧電素子20を加熱することができる。   When such a micro-heater is used as the heat generating portion 34 of the heater element 30, the lead, the heat generating portion, and the step formed integrally can be disposed in the package 10, so that the assembly of the piezoelectric device is simplified. At the same time, it can contribute at least to miniaturization of the piezoelectric device. In addition, since the microheater can be formed to have a conductive layer as a heating element only on one side of an insulating substrate such as silicon, the degree of heat generation can be asymmetrical between the front and back surfaces. That is, when such a microheater is used, the heater element 30 can be disposed with the surface on which the conductive layer is formed facing the piezoelectric element 20, thereby further suppressing the outflow of heat to the outside. be able to. That is, the piezoelectric element 20 can be heated more efficiently by the heat of the heater element 30.

また、発熱部34の熱がパッケージ10へ伝達し難いことでパッケージ10から放出される無駄な熱量を小さくすることができるため、圧電デバイス100を表面実装型として構成しても消費電力を比較的小さく抑えることが可能である。   Further, since it is difficult to transfer the heat of the heat generating part 34 to the package 10, it is possible to reduce the useless amount of heat released from the package 10. Therefore, even if the piezoelectric device 100 is configured as a surface mount type, the power consumption is relatively It can be kept small.

尚、圧電素子20の表面に金属塵が付着していた場合、これが脱落してヒーター素子30面に付着してしまうとヒーター素子30の発熱機能が狂ってしまう場合がある。また場合によっては金属塵に電流が流れることにより金属塵が高熱に達して蒸発してしまい、この蒸発物質が圧電素子20の表面に付着することで圧電素子20の電気的特性を狂わせてしまう可能性もある。そこで、このような不具合の発生を防止する必要がある場合は、ヒーター素子30は、少なくとも発熱部34の表面が酸化シリコンなどの絶縁薄膜にて覆われた構成であることがより望ましい。   In addition, when the metal dust has adhered to the surface of the piezoelectric element 20, if this falls and adheres to the heater element 30 surface, the heat generating function of the heater element 30 may be out of order. In some cases, current flows through the metal dust, and the metal dust reaches a high temperature and evaporates, and the evaporated substance adheres to the surface of the piezoelectric element 20, thereby deteriorating the electrical characteristics of the piezoelectric element 20. There is also sex. Therefore, when it is necessary to prevent the occurrence of such a problem, it is more desirable that the heater element 30 has a configuration in which at least the surface of the heat generating portion 34 is covered with an insulating thin film such as silicon oxide.

図1および図2に例示している圧電デバイス100では、ヒーター素子30の発熱部34は、シリコン基板34aの表面に導電層34b(電気抵抗)が形成されたマイクロヒーターとなっている。そして、シリコン基板34aは、支持部32のシリコン基板32aと一体的に形成されている。また、導電層34bは、導体路32bと電気的に接続している。なお、導電層34bおよび導体路32bは、材質が異なっていてもよい。   In the piezoelectric device 100 illustrated in FIGS. 1 and 2, the heat generating portion 34 of the heater element 30 is a micro heater in which a conductive layer 34b (electric resistance) is formed on the surface of a silicon substrate 34a. The silicon substrate 34 a is formed integrally with the silicon substrate 32 a of the support portion 32. The conductive layer 34b is electrically connected to the conductor path 32b. The material of the conductive layer 34b and the conductor path 32b may be different.

平面視において、発熱部34の輪郭は、少なくとも一部が圧電素子20の梁部24の輪郭の内側にある。換言すると、発熱部34および梁部24は、平面視において、オーバーラップするように配置される。発熱部34の輪郭の全部が梁部24の輪郭の内側にある場合には、発熱部34が発する熱を、梁部24以外の部位に伝達させにくく、より効率よく梁部24に伝達させることができる。図1ないし図11に示した圧電デバイスの例では、いずれも発熱部34の輪郭の全部が梁部24の輪郭の内側にあるように設けられている。なお、圧電素子20が音叉型振動片である場合のように、梁部24の輪郭に切り欠きがある場合であっても、発熱部34および梁部24は、平面視において、オーバーラップするように配置されることができる。また、発熱部34の平面的な大きさは、梁部24の平面的な大きさよりも小さいか、同程度とすることができる。発熱部34の平面的な大きさは、梁部24の平面的な大きさよりも大きいと、梁部24を加熱する効率が低下する場合がある。   In plan view, at least a part of the contour of the heat generating portion 34 is inside the contour of the beam portion 24 of the piezoelectric element 20. In other words, the heat generating part 34 and the beam part 24 are arranged so as to overlap in a plan view. When the entire contour of the heat generating portion 34 is inside the contour of the beam portion 24, heat generated by the heat generating portion 34 is difficult to be transmitted to parts other than the beam portion 24, and more efficiently transmitted to the beam portion 24. Can do. In the example of the piezoelectric device shown in FIGS. 1 to 11, all of the outline of the heat generating portion 34 is provided inside the outline of the beam portion 24. Note that, even when the piezoelectric element 20 is a tuning-fork type vibrating piece and the contour of the beam portion 24 is notched, the heat generating portion 34 and the beam portion 24 overlap in plan view. Can be arranged. Further, the planar size of the heat generating portion 34 can be smaller than or equal to the planar size of the beam portion 24. If the planar size of the heat generating portion 34 is larger than the planar size of the beam portion 24, the efficiency of heating the beam portion 24 may be reduced.

発熱部34は、梁部24と空間的に離間して設けられる。発熱部34で生じる熱や遠赤外線は、空間を介して梁部24に伝搬される。パッケージ10のキャビティー12内が減
圧状態であっても、発熱部34の熱や遠赤外線は、輻射によって梁部24に伝達されることができる。また、キャビティー12内に空気や不活性ガスが存在する場合においては、これらの気体を介して熱が伝搬されてもよい。キャビティー12内が減圧状態である場合は、より梁部24の加熱におけるエネルギー的な効率を高めることができる。
The heat generating part 34 is provided spatially separated from the beam part 24. Heat and far infrared rays generated in the heat generating portion 34 are propagated to the beam portion 24 through the space. Even if the inside of the cavity 12 of the package 10 is in a reduced pressure state, the heat of the heat generating portion 34 and the far infrared rays can be transmitted to the beam portion 24 by radiation. In addition, when air or an inert gas exists in the cavity 12, heat may be propagated through these gases. When the inside of the cavity 12 is in a reduced pressure state, the energy efficiency in heating the beam portion 24 can be further increased.

発熱部34と梁部24との間の距離は、特に限定されないが、梁部24を加熱する効率、および、圧電デバイス100の小型化の少なくとも一方を考慮すれば、小さいほど好ましい。たとえば、発熱部34と梁部24との間の距離は、0.1μm以上、10μm以下とすることができる。発熱部34と梁部24との間の距離が小さすぎると、梁部24の振動(厚みすべり振動、屈曲振動、表面弾性波振動など)の障害となる場合がある。なお、圧電素子20がSAW共振子(表面弾性波素子)である場合は、梁部24の表面弾性波の生じない側の面に、発熱部34を接触させることができる。このようにすれば、直接的な熱の移動が可能になり、さらに梁部24を加熱する効率を高めることができる。   The distance between the heat generating part 34 and the beam part 24 is not particularly limited, but is preferably as small as possible considering at least one of the efficiency of heating the beam part 24 and the miniaturization of the piezoelectric device 100. For example, the distance between the heat generating part 34 and the beam part 24 can be 0.1 μm or more and 10 μm or less. If the distance between the heat generating portion 34 and the beam portion 24 is too small, it may become an obstacle to vibration of the beam portion 24 (thickness shear vibration, bending vibration, surface acoustic wave vibration, etc.). When the piezoelectric element 20 is a SAW resonator (surface acoustic wave element), the heat generating portion 34 can be brought into contact with the surface of the beam portion 24 where no surface acoustic wave is generated. In this way, direct heat transfer is possible, and the efficiency of heating the beam portion 24 can be further increased.

4.その他の構成
本実施形態の圧電デバイスは、上述したパッケージ、圧電素子、およびヒーター素子の他に、以下のような構成を含むことができる。
4). Other Configurations In addition to the above-described package, piezoelectric element, and heater element, the piezoelectric device of the present embodiment can include the following configurations.

本実施形態の圧電デバイスは、パッケージ内に、圧電素子の温度を検知して特定の温度に維持するための構成を含むことができる。このような構成としては、たとえば、サーミスタ、熱電対、ダイオード、これらための配線、制御用のICなどを挙げることができる。このような構成を含むことにより、圧電デバイスに温度を一定に保つ機能を付与することができる。さらに、本実施形態の圧電デバイスは、パッケージ内に、圧電素子を駆動するための電子回路を有するIC等を含むことができる。このようなIC等を含むことにより、圧電デバイスに発振器、共振器等の機能を付与することができる。   The piezoelectric device of the present embodiment can include a configuration for detecting the temperature of the piezoelectric element and maintaining it at a specific temperature in the package. Examples of such a configuration include a thermistor, a thermocouple, a diode, wiring for these, and a control IC. By including such a configuration, the piezoelectric device can be provided with a function of keeping the temperature constant. Furthermore, the piezoelectric device of this embodiment can include an IC or the like having an electronic circuit for driving the piezoelectric element in the package. By including such an IC or the like, functions such as an oscillator and a resonator can be imparted to the piezoelectric device.

またさらに、圧電デバイスは、使用温度範囲における中間温度以上に圧電素子20をヒーター素子30にて加熱しつつ、温度補償回路によって圧電素子20の周波数温度特性を補償する機能を有した電子回路を備えた構成であってもよい。   Furthermore, the piezoelectric device includes an electronic circuit having a function of compensating the frequency temperature characteristics of the piezoelectric element 20 by the temperature compensation circuit while heating the piezoelectric element 20 by the heater element 30 to an intermediate temperature or higher in the operating temperature range. It may be a configuration.

このような圧電デバイスは、圧電素子20の使用温度範囲における最高温度よりも低い温度で加熱することにより、圧電素子20の環境の温度を、使用温度範囲よりも狭い温度範囲となるように温度補償回路によって補償されたものである。   Such a piezoelectric device is heated at a temperature lower than the maximum temperature in the usage temperature range of the piezoelectric element 20, so that the temperature of the environment of the piezoelectric element 20 is temperature-compensated to be a temperature range narrower than the usage temperature range. Compensated by the circuit.

したがって、このような構成の圧電デバイスは、OCXOの場合よりも加熱能力が低い小型のヒーター素子30を使用しても、高い周波数安定度を実現することができる。尚、温度補償回路とは、発振回路中の負荷容量を温度変化に伴い可変制御することで、圧電素子20の周波数温度特性を補償し、圧電デバイスの周波数温度特性を安定化させるためのものである。   Therefore, the piezoelectric device having such a configuration can achieve high frequency stability even when a small heater element 30 having a heating capability lower than that of OCXO is used. The temperature compensation circuit is for variably controlling the load capacitance in the oscillation circuit as the temperature changes, thereby compensating the frequency temperature characteristic of the piezoelectric element 20 and stabilizing the frequency temperature characteristic of the piezoelectric device. is there.

更に、上記の実施形態においては、ヒーター素子30を一つ用いた例を挙げて説明したが、これに限定されることなく、本発明の圧電デバイスは、パッケージ10内の段差または内側底面にヒーター素子30を複数搭載した構成であっても構わない。   Furthermore, in the above embodiment, an example using one heater element 30 has been described. However, the present invention is not limited to this example, and the piezoelectric device of the present invention has a heater on a step in the package 10 or an inner bottom surface. A configuration in which a plurality of elements 30 are mounted may be used.

5.作用効果等
本実施形態の圧電デバイスは、発熱部34が支持部32によって、支持(固定)されているため、パッケージ外への熱伝導が抑制され、かつ、少ないエネルギーで圧電素子20の梁部24を加熱することができる。これにより、部材を介して外部に漏出する熱(エネルギー)を非常に小さくすることができる。また、本実施形態の発熱部34をマイクロヒーターで構成した場合には、梁部24に面しない側への放熱を小さくすることができるた
め、さらに、梁部24を加熱する効率を高めることができる。
5. Operational Effect In the piezoelectric device of the present embodiment, since the heat generating part 34 is supported (fixed) by the support part 32, heat conduction to the outside of the package is suppressed, and the beam part of the piezoelectric element 20 with less energy. 24 can be heated. Thereby, the heat | fever (energy) leaking outside through a member can be made very small. Further, in the case where the heat generating portion 34 of the present embodiment is configured by a micro heater, the heat radiation to the side not facing the beam portion 24 can be reduced, so that the efficiency of heating the beam portion 24 can be further increased. it can.

6.変形例
図12は、変形例の圧電デバイス200の断面の模式図である。図13は、圧電デバイス200を模式的に示す平面図である。図13のA−A線の断面が図12に相当する。図14は、変形例の圧電デバイス210の断面の模式図である。図15は、変形例の圧電デバイス220の断面の模式図である。図16は、圧電デバイス220を模式的に示す平面図である。図16のA−A線の断面が図15に相当する。各平面図は、蓋体16および圧電素子20を透視させて描いてある。
6). Modification FIG. 12 is a schematic diagram of a cross section of a piezoelectric device 200 according to a modification. FIG. 13 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 200. A cross section taken along line AA in FIG. 13 corresponds to FIG. FIG. 14 is a schematic diagram of a cross section of a piezoelectric device 210 according to a modification. FIG. 15 is a schematic diagram of a cross section of a piezoelectric device 220 according to a modification. FIG. 16 is a plan view schematically showing the piezoelectric device 220. A cross section taken along line AA in FIG. 16 corresponds to FIG. Each plan view is drawn through the lid 16 and the piezoelectric element 20.

本発明の圧電デバイスは、複数のヒーター素子30を有することができる。図12および図13に示すように、変形例の圧電デバイス200は、2つのヒーター素子30(30a,30b)を有する以外は、上述の圧電デバイスと同様である。その他の構成については、上述と同様の符号を付して、詳細な説明を省略する。また、各ヒーター素子30の構造、形状、機能等は、「3.ヒーター素子」で述べたと同様である。   The piezoelectric device of the present invention can have a plurality of heater elements 30. As shown in FIGS. 12 and 13, the piezoelectric device 200 of the modified example is the same as the above-described piezoelectric device except that it includes two heater elements 30 (30a, 30b). Other configurations are denoted by the same reference numerals as described above, and detailed description thereof is omitted. The structure, shape, function, etc. of each heater element 30 are the same as described in “3. Heater element”.

圧電デバイス200は、ヒーター素子30aおよびヒーター素子30bの2つのヒーター素子を含んでいる。図12に示すように、ヒーター素子30aおよびヒーター素子30bの発熱部34cおよび発熱部34dは、それぞれ、圧電素子20の梁部24と離間して、互いに梁部24を挟むように設置されている。また、発熱部34cおよび発熱部34dは、いずれも平面的に見て梁部24とオーバーラップしている。変形例の圧電デバイス200は、2つのヒーター素子を備えることで、より迅速に梁部24を加熱することができる。なお、圧電デバイス200では、パッケージ10の内側底面には、2つのヒーター素子を支持できるような段差が形成されている。またなお、図示の例では、発熱部34は、マイクロヒーターで構成されており、梁部24に面する側の放熱が大きくなるように設置されている。そのため、梁部24を極めて効率よく加熱することができる。   The piezoelectric device 200 includes two heater elements, a heater element 30a and a heater element 30b. As shown in FIG. 12, the heating element 34 c and the heating element 34 d of the heater element 30 a and the heater element 30 b are installed so as to be separated from the beam part 24 of the piezoelectric element 20 and sandwich the beam part 24 from each other. . Moreover, both the heat generating part 34c and the heat generating part 34d overlap with the beam part 24 in plan view. The piezoelectric device 200 of the modified example can heat the beam portion 24 more quickly by including two heater elements. In the piezoelectric device 200, a step is formed on the inner bottom surface of the package 10 to support two heater elements. In the example shown in the figure, the heat generating part 34 is constituted by a micro heater, and is installed so that heat radiation on the side facing the beam part 24 is increased. Therefore, the beam portion 24 can be heated extremely efficiently.

図14に示す変形例の圧電デバイス210は、ヒーター素子30cおよびヒーター素子30dの2つのヒーター素子を有する。ヒーター素子30cおよびヒーター素子30dの発熱部34eおよび発熱部34fは、それぞれ、圧電素子20の梁部24と離間して、互いに梁部24を挟むように設置されている。そして、一方のヒーター素子30d(図中圧電素子20の上方に位置するもの)の発熱部34fの大きさが、他方のヒーター素子30c(図中圧電素子20の下方に位置するもの)の発熱部34eの大きさよりも大きく形成されている。この例の場合、発熱部34fは、平面的に見て梁部24と同程度の大きさを有している。発熱部を平面的に見て梁部24と同程度の大きさにすることで、圧電素子20の態様や形状に適した加熱を行うことができる。また、図示の例のように、発熱部34eおよび発熱部34fの大きさが、圧電素子20の表裏面で非対称となってもよい。このようにすると、たとえば、梁部24の平面内で、加熱の程度に分布を生じさせることなどができる。   The piezoelectric device 210 of the modification shown in FIG. 14 has two heater elements, a heater element 30c and a heater element 30d. The heating element 34e and the heating part 34f of the heater element 30c and the heater element 30d are installed so as to be separated from the beam part 24 of the piezoelectric element 20 and sandwich the beam part 24 therebetween. The size of the heat generating portion 34f of one heater element 30d (located above the piezoelectric element 20 in the figure) is the same as that of the other heater element 30c (located below the piezoelectric element 20 in the figure). It is formed larger than the size of 34e. In the case of this example, the heat generating part 34f has the same size as the beam part 24 in plan view. By heating the heat generating portion in a plan view and having the same size as the beam portion 24, heating suitable for the mode and shape of the piezoelectric element 20 can be performed. Further, as in the illustrated example, the size of the heat generating portion 34e and the heat generating portion 34f may be asymmetric on the front and back surfaces of the piezoelectric element 20. In this case, for example, a distribution can be generated in the degree of heating in the plane of the beam portion 24.

本発明の圧電デバイスは、圧電素子20をヒーター素子30と同一の部材に搭載することもできる。たとえば、圧電素子20およびヒーター素子30がいずれも支持体40に固定され、該支持体40を介してパッケージ10に固定されてもよい。図15および図16に示す変形例の圧電デバイス220は、支持体40に支持されたヒーター素子30を有し、圧電素子20は、当該支持体40に載置されている。支持体40は、「3.ヒーター素子」の項で既に述べたように、支持板41と脚部42から構成されている。変形例の圧電デバイス220では、ヒーター素子30および圧電素子20が支持体40に対して、いずれも両持ち梁状に固定されている。   In the piezoelectric device of the present invention, the piezoelectric element 20 can be mounted on the same member as the heater element 30. For example, both the piezoelectric element 20 and the heater element 30 may be fixed to the support body 40 and fixed to the package 10 via the support body 40. The piezoelectric device 220 of the modification shown in FIGS. 15 and 16 has the heater element 30 supported by the support body 40, and the piezoelectric element 20 is placed on the support body 40. As already described in the section “3. Heater element”, the support 40 is composed of the support plate 41 and the legs 42. In the piezoelectric device 220 of the modified example, the heater element 30 and the piezoelectric element 20 are both fixed to the support 40 in a doubly supported beam shape.

圧電デバイス220において、まず、支持体40は、支持板41および脚部42を有し
、支持板41の開口において、ヒーター素子30を両持ち梁状に支持している。そして、支持体40の支持板41の上に、圧電素子30が、両持ち梁状に支持されている。支持体40は、パッケージ10の内側底面に接着剤等により固定されることができる。そして、ヒーター素子30の発熱部34、および圧電素子20の梁部24は、平面的に見てオーバーラップして設けられている。支持体40の上には、圧電素子20の電気的接続を行うための配線35およびヒーター素子30の電気的接続を行うための導体路32bを適宜設けることができる。図示の例では、支持体40上の配線35は、ボンディングワイヤー37によってパッケージ10の内側底面の配線19に電気的に接続されている。また、図示されないが、パッケージ20の内側底面にはヒーター素子30が発熱するために電気的に接続される配線が形成され、当該配線およびヒーター素子30に接続する導体路32bが、ボンディングワイヤーまたはその他の導体路によって適宜接続されている。
In the piezoelectric device 220, first, the support body 40 includes a support plate 41 and a leg portion 42, and supports the heater element 30 in a doubly supported beam shape in the opening of the support plate 41. And the piezoelectric element 30 is supported on the support plate 41 of the support body 40 in the form of a double-supported beam. The support 40 can be fixed to the inner bottom surface of the package 10 with an adhesive or the like. The heat generating portion 34 of the heater element 30 and the beam portion 24 of the piezoelectric element 20 are provided so as to overlap in a plan view. On the support 40, a wiring 35 for electrical connection of the piezoelectric element 20 and a conductor path 32b for electrical connection of the heater element 30 can be appropriately provided. In the illustrated example, the wiring 35 on the support 40 is electrically connected to the wiring 19 on the inner bottom surface of the package 10 by a bonding wire 37. Although not shown, a wiring electrically connected to the heater element 30 to generate heat is formed on the inner bottom surface of the package 20, and the conductor path 32 b connected to the wiring and the heater element 30 is a bonding wire or other These conductor paths are appropriately connected.

このような変形例の圧電デバイス220は、ヒーター素子30および圧電素子20が共に支持体40に支持されている。すなわち、パッケージ10内において、ヒーター素子30および圧電素子20が固定される部位としては、支持体40の脚部42のみとなっている。このようにすると、以下のような効果を得ることができる。まず、製造工程において、圧電素子20を固定する工程を、パッケージ10内で行わずに済む。すなわち、パッケージ10に対して、圧電素子20を載置する工程が不要となる。たとえば、圧電素子20は、あらかじめ、パッケージ10に搭載する前のヒーター素子30に実装することができる。そうすると、圧電素子20をヒーター素子30の発熱部34に対して、精密に位置決め(アライメント)することがより容易になる。これにより、圧電デバイス220の精度をさらに高めることができ、また、製造する際の歩留まりも向上させることができる。次に、変形例の圧電デバイス220のようにすると、圧電素子20およびヒーター素子30が組み立てられた後にパッケージ10へ実装することができる。そのため、圧電デバイス220を製造する際に、パッケージ10に対して素子を実装する工程を削減することができる。これにより、たとえば、製造における歩留まりを向上することができる。   In the piezoelectric device 220 of such a modification, both the heater element 30 and the piezoelectric element 20 are supported by the support body 40. That is, in the package 10, only the leg portion 42 of the support 40 is a part where the heater element 30 and the piezoelectric element 20 are fixed. In this way, the following effects can be obtained. First, it is not necessary to perform the process of fixing the piezoelectric element 20 in the package 10 in the manufacturing process. That is, the process of placing the piezoelectric element 20 on the package 10 is not necessary. For example, the piezoelectric element 20 can be mounted on the heater element 30 before being mounted on the package 10 in advance. Then, it becomes easier to precisely position (align) the piezoelectric element 20 with respect to the heat generating portion 34 of the heater element 30. Thereby, the precision of the piezoelectric device 220 can be further increased, and the yield in manufacturing can be improved. Next, when the piezoelectric device 220 of the modified example is used, the piezoelectric element 20 and the heater element 30 can be mounted on the package 10 after being assembled. Therefore, when manufacturing the piezoelectric device 220, the process of mounting elements on the package 10 can be reduced. Thereby, for example, the yield in manufacture can be improved.

以上実施形態および変形例で述べた変形は、単独あるいは複数を互いに組み合わせて、実施形態の圧電デバイスに対して適用することができる。これにより各変形ごとの単独の効果または各変形の組み合わせによる相乗的な効果を得ることができる。   The modifications described in the embodiment and the modification examples can be applied to the piezoelectric device of the embodiment singly or in combination with each other. Thereby, the single effect for each deformation | transformation or the synergistic effect by the combination of each deformation | transformation can be acquired.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. In addition, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

10…パッケージ、12…キャビティー、14…ケース体、16…蓋体、18,19…配線、20…圧電素子、22…基部、24…梁部、26…導電性接着剤、30,30a,30b,30c,30d…ヒーター素子、31…接着剤、32…支持部、32b…導体路、33…ボンディングワイヤー、34,34c,34d,34e,34f…発熱部、32a,34a…シリコン基板、34b…導電層、35…配線、36…ワイヤー、37…ボンディングワイヤー、38…リード、40…支持体、41…支持板、42…脚部、100,110,120,130,140,150,200,210,220…圧電デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Package, 12 ... Cavity, 14 ... Case body, 16 ... Cover body, 18, 19 ... Wiring, 20 ... Piezoelectric element, 22 ... Base part, 24 ... Beam part, 26 ... Conductive adhesive, 30, 30a, 30b, 30c, 30d ... heater element, 31 ... adhesive, 32 ... support part, 32b ... conductor path, 33 ... bonding wire, 34, 34c, 34d, 34e, 34f ... heating part, 32a, 34a ... silicon substrate, 34b ... conductive layer, 35 ... wiring, 36 ... wire, 37 ... bonding wire, 38 ... lead, 40 ... support, 41 ... support plate, 42 ... leg, 100, 110, 120, 130, 140, 150, 200, 210, 220 ... piezoelectric device

Claims (9)

パッケージと、
前記パッケージ内に収容され、弾性表面波が励振される表面と前記表面に対する裏面とを有するSAW共振子と、
支持部、前記支持部によって支持される発熱部および前記発熱部を覆う絶縁膜を有するヒーター素子と、
を備え、
前記SAW共振子は、基部および前記基部から延出し、弾性表面波が励振される表面を含む梁部を有し、前記基部によって片持梁状または両持梁状に固定され、
前記SAW共振子の前記裏面と前記発熱部とが前記絶縁膜を介して接していることを特徴とする、圧電デバイス。
Package and
A SAW resonator housed in the package and having a surface on which a surface acoustic wave is excited and a back surface with respect to the surface;
A heater element having a support part, a heat generating part supported by the support part, and an insulating film covering the heat generating part;
With
The SAW resonator has a base portion and a beam portion including a surface that is excited by a surface acoustic wave, and is fixed to a cantilever beam or a cantilever beam shape by the base portion.
The piezoelectric device, wherein the back surface of the SAW resonator and the heat generating portion are in contact with each other through the insulating film.
請求項1において、
さらに支持体を有し、
前記ヒーター素子は、前記支持体と一体に形成されていることを特徴とする、圧電デバイス。
In claim 1,
Furthermore, it has a support,
The piezoelectric device according to claim 1, wherein the heater element is formed integrally with the support.
請求項2において、
前記支持体は、前記支持体の表面に形成された導電路を有し、
前記SAW共振子および前記ヒーター素子のうち少なくとも一方は、前記導電路に接続されていることを特徴とする、圧電デバイス。
In claim 2,
The support has a conductive path formed on the surface of the support,
The piezoelectric device according to claim 1, wherein at least one of the SAW resonator and the heater element is connected to the conductive path.
請求項2または請求項3において、
前記支持体は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化アルミニウムのうちいずれかの材料で構成されていることを特徴とする、圧電デバイス。
In claim 2 or claim 3,
The piezoelectric device is characterized in that the support is made of any material of silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, or aluminum nitride.
請求項2ないし請求項4のいずれか一項において、
前記SAW共振子および前記ヒーター素子は、前記支持体を介して前記パッケージに固
定されていることを特徴とする、圧電デバイス。
In any one of Claims 2 thru | or 4,
The piezoelectric device, wherein the SAW resonator and the heater element are fixed to the package via the support.
請求項5において、
前記SAW共振子は、前記SAW共振子を励振するための電極と接続された外部接続用のパッドを有し、前記パッドは、ボンディングワイヤーを介して前記パッケージ内の接続端子と接続されていることを特徴とする、圧電デバイス。
In claim 5,
The SAW resonator has an external connection pad connected to an electrode for exciting the SAW resonator, and the pad is connected to a connection terminal in the package via a bonding wire. A piezoelectric device characterized by
請求項2ないし請求項6のいずれか一項において、
前記支持体は、脚部と支持板を有し、
前記脚部が前記パッケージに固定されていることを特徴とする、圧電デバイス。
In any one of Claims 2 thru | or 6,
The support has a leg and a support plate,
The piezoelectric device, wherein the legs are fixed to the package.
請求項1ないし請求項7のいずれか一項において、
前記発熱部を複数有することを特徴とする、圧電デバイス。
In any one of Claims 1 thru | or 7,
A piezoelectric device comprising a plurality of the heat generating parts.
請求項1ないし請求項8のいずれか一項において、
前記パッケージ内に、感温素子、温度制御回路、温度補償回路、および発振回路のうち少なくとも1つを有することを特徴とする、圧電デバイス。
In any one of Claims 1 thru | or 8,
A piezoelectric device comprising at least one of a temperature sensitive element, a temperature control circuit, a temperature compensation circuit, and an oscillation circuit in the package.
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