JP5740462B2

JP5740462B2 - Gas detector

Info

Publication number: JP5740462B2
Application number: JP2013259029A
Authority: JP
Inventors: 翁長　一夫; 一夫翁長; 順子柳谷
Original assignee: Nissha Printing Co Ltd
Current assignee: Nissha Printing Co Ltd
Priority date: 2013-12-16
Filing date: 2013-12-16
Publication date: 2015-06-24
Anticipated expiration: 2030-05-07
Also published as: JP2014074720A

Description

本発明は、気体中の検出対象ガスを検出するガス検出装置に関する。 The present invention relates to a gas detection device that detects a detection target gas in a gas.

従来、気体中の検出対象ガスの濃度を電気信号に変換するセンサ素子を利用したガス検出装置について、種々の構造が提案されている。そのうち、酸化スズ等の金属酸化物半導体を主体とする球体状や楕円体状等に形成された感ガス体中に、白金や白金合金からなるコイル状のヒータや芯線状の電極を埋設して構成されるセンサ素子は、強度と耐久性が高く、種々のガス検出装置１で用いられている。このようなガス検出装置では、センサ素子をヒータにて加熱した状態で検出対象ガスを含む気体中に曝露し、感ガス体への検出対象ガスの吸着による電気的抵抗値の変化を、前記電極を用いて検出する（特許文献１参照）。 Conventionally, various structures have been proposed for a gas detection device using a sensor element that converts the concentration of a gas to be detected in a gas into an electrical signal. Among them, a coil-shaped heater or core wire electrode made of platinum or a platinum alloy is embedded in a gas-sensitive body mainly formed of a metal oxide semiconductor such as tin oxide in a spherical shape or an elliptical shape. The configured sensor element has high strength and durability, and is used in various gas detection devices 1. In such a gas detection device, the sensor element is exposed to a gas containing a detection target gas in a state heated by a heater, and a change in electrical resistance value due to adsorption of the detection target gas to the gas sensitive body is detected by the electrode. It detects using (refer patent document 1).

図１１に従来からあるガス検出装置１００の構成の一例を示す。図示例のガス検出装置１００におけるセンサ素子１０６は、金属酸化物半導体を含む粉体材料の焼結体にて構成される感ガス体と、前記感ガス体の電気抵抗を測定するための電極とで構成される。感ガス体は一対の電極を覆うように形成される。このとき電極であるコイル状のヒータ兼用電極及び芯線状電極をセンサ基体とし、このヒータ兼用電極及び芯線状電極を覆うように楕円体状に感ガス体が形成されている。 FIG. 11 shows an example of the configuration of a conventional gas detection device 100. The sensor element 106 in the gas detection device 100 of the illustrated example includes a gas sensitive body constituted by a sintered body of a powder material containing a metal oxide semiconductor, and an electrode for measuring the electric resistance of the gas sensitive body. Consists of. The gas sensitive body is formed so as to cover the pair of electrodes. At this time, a coil-shaped heater combined electrode and a core wire electrode, which are electrodes, are used as a sensor base, and a gas sensitive body is formed in an elliptical shape so as to cover the heater combined electrode and the core wire electrode.

センサ素子１０６は、ヒータ兼用電極の両端及び芯線状電極の一端からそれぞれ延出するリード線１５１，１５２，１５３に電気的に接続されると共にこのリード線１５１，１５２，１５３によって支持されている。このリード線１５１，１５２，１５３は、３本の端子１１７，１１７，１１７にそれぞれ接続固定されている。この端子１１７，１１７，１１７は、センサ筐体１２０の底部を兼ねる樹脂製のベース１１８を貫通してその一端部がセンサ筐体１２０の内側へ、他端部がセンサ筐体１２０の外側へ突出するように設けられている。前記ベース１１８と共にセンサ筐体１２０を構成するキャップ体１１９は、上下が開口した筒状に形成されており、上部開口には防曝用のステンレス製の金網１２１が設けられている。このキャップ体１１９の下部開口にベース１１８が取着されることで、前記下部開口がベース１１８で閉塞され、これによりセンサ筐体１２０が構成されている。このセンサ筐体１２０の内側にセンサ素子１０６が配置される。 The sensor element 106 is electrically connected to and supported by lead wires 151, 152, and 153 extending from both ends of the heater electrode and one end of the core wire electrode, respectively. The lead wires 151, 152, and 153 are connected and fixed to the three terminals 117, 117, and 117, respectively. The terminals 117, 117, and 117 pass through the resin base 118 that also serves as the bottom of the sensor housing 120, and one end thereof protrudes inside the sensor housing 120 and the other end protrudes outside the sensor housing 120. It is provided to do. The cap body 119 that constitutes the sensor housing 120 together with the base 118 is formed in a cylindrical shape having an opening at the top and bottom, and a stainless steel wire mesh 121 for exposure protection is provided at the upper opening. When the base 118 is attached to the lower opening of the cap body 119, the lower opening is closed by the base 118, thereby forming the sensor housing 120. The sensor element 106 is disposed inside the sensor casing 120.

特開平１１−１４２３５６号公報JP 11-142356 A

しかし、従来のガス検出装置１では、上記のようにベース１１８に設けた端子１１７，１１７，１１７に対してリード線１５１，１５２，１５３でセンサ素子１０６を支持するため、ガス検出装置１００全体が嵩高くなり、またセンサ素子１０６に防曝用の金網１２１を有するセンサ筐体１２０を被せるために更に嵩高くなってしまうという問題があった。このため、小型の機器に対してガス検出装置１００を設けることは困難なものであった。 However, in the conventional gas detection device 1, the sensor element 106 is supported by the lead wires 151, 152, and 153 with respect to the terminals 117, 117, and 117 provided on the base 118 as described above. There is a problem that it becomes bulky, and the sensor element 106 having the wire mesh 121 for exposure protection is covered with the sensor element 106, so that the sensor element 106 is further bulky. For this reason, it is difficult to provide the gas detection device 100 for a small device.

また、このガス検出装置１００では、金網１２１を通じてセンサ筐体１２０内に導入された気体中の検出対象ガスの濃度が検出されるものであるが、センサ筐体１２０はセンサ素子１０６、リード線１５１，１５２，１５３及び端子１１７，１１７，１１７を収納するため、ある程度大きな容量を必要とし、このため気体をセンサ筐体１２０へ導入してから、このセンサ筐体１２０内の検出対象ガスの濃度が安定するまでに一定の時間を要してしまう。このため、センサ筐体１２０への気体の供給を開始してから、正確な検出対象ガスの濃度検出が可能となるまでに一定の時間を要してしまうものであった。また、センサ筐体１２０へ気体を供給する際、センサ筐体１２０内の気体が更新されるまである程度の時間がかかるため、気体中の検出対象ガスの濃度が経時的に変動する場合には、その濃度変化を速やかに且つ正確に検出することは困難なものであった。 In this gas detection device 100, the concentration of the detection target gas in the gas introduced into the sensor housing 120 through the wire mesh 121 is detected. The sensor housing 120 includes the sensor element 106 and the lead wire 151. , 152, 153 and terminals 117, 117, 117 are required to have a certain amount of capacity. For this reason, after introducing gas into the sensor casing 120, the concentration of the detection target gas in the sensor casing 120 is It takes a certain amount of time to stabilize. For this reason, a certain amount of time is required from when the supply of gas to the sensor housing 120 is started until the concentration of the detection target gas can be accurately detected. In addition, when supplying gas to the sensor housing 120, it takes a certain amount of time until the gas in the sensor housing 120 is updated, so when the concentration of the detection target gas in the gas varies with time, It was difficult to quickly and accurately detect the change in concentration.

本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a gas detection device that can be downsized and has excellent responsiveness at the start of detection and when the concentration of a detection target gas changes. .

本発明に係るガス検出装置は、支持体、リード線、センサ素子、及び有孔の防曝部材を備える。前記支持体は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間が形成される。前記リード線は、前記導体配線に接続されて、前記支持体から前記配置空間へ突出する。前記センサ素子は前記配置空間内で前記リード線によって支持されると共に前記リード線に電気的に接続される。前記防曝部材が前記配置空間を覆っている。 The gas detection apparatus according to the present invention includes a support, a lead wire, a sensor element, and a perforated exposure prevention member. The support has an insulating member and a conductor wiring formed on the surface of the member, and an arrangement space that opens to the outside is formed. The lead wire is connected to the conductor wiring and protrudes from the support to the arrangement space. The sensor element is supported by the lead wire in the arrangement space and electrically connected to the lead wire. The exposure protection member covers the arrangement space.

本発明においては、前記支持体が、支持基板と、凹所が形成されたベース体とを備え、前記支持基板が、絶縁性基板と、この絶縁性基板の表面上に形成され、前記導体配線の少なくとも一部を構成する第一の導体配線とを備え、前記支持基板が前記凹所内に配置され、前記配置空間が前記凹所内の前記支持基板が占めていない空間であり、前記リード線が前記第一の導体配線に接続され、前記防曝部材が前記凹所を覆っていてもよい。 In the present invention, the support body includes a support substrate and a base body in which a recess is formed, the support substrate is formed on an insulating substrate and a surface of the insulating substrate, and the conductor wiring A first conductor wiring constituting at least a part of the support substrate, wherein the support substrate is disposed in the recess, the placement space is a space not occupied by the support substrate in the recess, and the lead wire is The exposure conductor may be connected to the first conductor wiring and cover the recess.

本発明においては、前記ベース体が、前記導体配線の一部を構成する第二の導体配線を有し、前記第二の導体配線が前記凹所内で前記第一の導体配線と接続し、前記第二の導体配線が前記ベース体の外面で外部に露出していてもよい。 In the present invention, the base body has a second conductor wiring constituting a part of the conductor wiring, the second conductor wiring is connected to the first conductor wiring in the recess, The second conductor wiring may be exposed to the outside on the outer surface of the base body.

本発明においては、前記配置空間が、前記支持体における第一の表面及びこの第一の表面とは反対側の第二の表面で開口し、前記防曝部材が前記配置空間の開口を覆っていてもよい。 In the present invention, the arrangement space opens on the first surface of the support and the second surface opposite to the first surface, and the exposure prevention member covers the opening of the arrangement space. May be.

本発明においては、前記防曝部材が二つ折りに形成されたシート状の部材であり、この防曝部材が前記支持体を挟み込むことにより前記配置空間の開口を覆っていてもよい。 In the present invention, the anti-exposure member is a sheet-like member formed in two, and the anti-exposure member may cover the opening of the arrangement space by sandwiching the support.

本発明においては、前記支持体が、前記導体配線の少なくとも一部を構成する配線を有する支持基板と、この支持基板における前記配線が形成されている面上に重ねられたスペーサとを備え、前記配置空間が前記スペーサにおける前記支持基板とは反対側の面、並びに前記支持基板における前記スペーサとは反対側の面で開口していてもよい。 In the present invention, the support includes a support substrate having a wiring constituting at least a part of the conductor wiring, and a spacer overlaid on a surface of the support substrate on which the wiring is formed, The arrangement space may be opened on the surface of the spacer opposite to the support substrate and the surface of the support substrate opposite to the spacer.

本発明によれば、ガス検出装置を小型化すると共に、配置空間における気体の流入及び流出が促進されて検出対象ガスの検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性が向上する。 According to the present invention, the gas detection device is downsized, and the inflow and outflow of gas in the arrangement space are promoted, so that the responsiveness at the start of detection of the detection target gas and when the concentration of the detection target gas changes is improved.

本発明の参考形態を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。The reference form of this invention is shown, (a) is a top view, (b) is a front view. 前記参考形態を示す、（ａ）分解斜視図、（ｂ）は斜視図である。(A) An exploded perspective view and (b) are perspective views showing the reference form. 前記参考形態における支持基板を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は底面図である。The support substrate in the said reference form is shown, (a) is a top view, (b) is a front view, (c) is a bottom view. 前記参考形態における底板を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は底面図である。The bottom board in the said reference form is shown, (a) is a top view, (b) is a front view, (c) is a bottom view. 前記参考形態における枠体を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。The frame in the said reference form is shown, (a) is a top view, (b) is a front view. センサ素子及びリード線を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a sensor element and a lead wire. 本発明の実施形態を示す、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS (a) is a front view and (b) is a side view which shows embodiment of this invention. （ａ）は前記実施形態における支持基板を示す平面図、（ｂ）は前記実施形態における支持体を示す平面図である。(A) is a top view which shows the support substrate in the said embodiment, (b) is a top view which shows the support body in the said embodiment. 参考例及び比較例１についてのガス検出装置の水素に対する応答性の試験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the test result of the responsiveness with respect to hydrogen of the gas detection apparatus about a reference example and the comparative example 1. FIG. 実施例及び比較例１についてのガス検出装置の水素に対する応答性の試験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the test result of the responsiveness with respect to hydrogen of the gas detection apparatus about an Example and the comparative example 1. FIG. 従来技術の一例を示す一部破断した正面図である。It is the partially broken front view which shows an example of a prior art.

［参考形態］
図１，２は、参考形態に係るガス検出装置１を示す。このガス検出装置１は、支持体２、リード線５１，５２，５３、センサ素子６、及び防曝部材７を備えている。 [Reference form]
1 and 2 show a gas detector 1 according to a reference embodiment. The gas detection device 1 includes a support 2, lead wires 51, 52, 53, a sensor element 6, and an exposure prevention member 7.

支持体２は導体配線を有し、且つ外部へ開口する配置空間８が形成されている。この支持体２は、支持基板２１とベース体３１とを備えている。 The support body 2 has conductor wiring, and an arrangement space 8 that opens to the outside is formed. The support body 2 includes a support substrate 21 and a base body 31.

図３に示されるように、支持基板２１は、絶縁性基板２２と、この絶縁性基板２２の表面上に形成された第一の導体配線とを備える。絶縁性基板２２は例えばガラス基材エポキシ樹脂積層板等の樹脂基板や、セラミック基板などで形成される。 As shown in FIG. 3, the support substrate 21 includes an insulating substrate 22 and a first conductor wiring formed on the surface of the insulating substrate 22. The insulating substrate 22 is formed of a resin substrate such as a glass base epoxy resin laminate, a ceramic substrate, or the like.

第一の導体配線は、支持体２の導体配線の一部を構成する配線である。絶縁性基板２２が樹脂基板から形成される場合には、例えば絶縁性基板２２上に銅箔が積層されて銅張積層板が作製され、次に前記銅箔にパターンエッチングが施され、次に残存する銅箔上に銅メッキ等の金属メッキが施されることで、第一の導体配線が形成される。絶縁性基板２２がセラミック基板である場合には、例えばメッキ法、蒸着法等の適宜のメタライズ法により、第一の導体配線が形成される。 The first conductor wiring is a wiring constituting a part of the conductor wiring of the support 2. When the insulating substrate 22 is formed from a resin substrate, for example, a copper foil is laminated on the insulating substrate 22 to produce a copper-clad laminate, and then the copper foil is subjected to pattern etching. By applying metal plating such as copper plating on the remaining copper foil, the first conductor wiring is formed. When the insulating substrate 22 is a ceramic substrate, the first conductor wiring is formed by an appropriate metallization method such as a plating method or a vapor deposition method.

支持基板２１の平面視寸法及び形状は例えば一辺が３〜６ｍｍの矩形状であり、この支持基板２１の厚みは例えば０．２〜１ｍｍである。 The size and shape of the support substrate 21 in plan view are, for example, a rectangular shape with a side of 3 to 6 mm, and the thickness of the support substrate 21 is, for example, 0.2 to 1 mm.

絶縁性基板２２には間隙２３が形成されている。この間隙２３は、絶縁性基板２２の厚み方向に面する第一の表面（上面）、この第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）、並びにこの第一の表面及び第二の表面と平行な方向に面する第三の表面（一端面）で開口している。絶縁性基板２２は、間隙２３を挟む位置に、二つの支持突出部２４，２５を有している。支持突出部２４，２５の突出寸法は例えば１．３〜２．５ｍｍに形成される。間隙２３の幅寸法は、例えば１．０〜１．３ｍｍに形成される。 A gap 23 is formed in the insulating substrate 22. The gap 23 includes a first surface (upper surface) facing the thickness direction of the insulating substrate 22, a second surface (lower surface) opposite to the first surface, and the first surface and the second surface. A third surface (one end surface) that faces in a direction parallel to the surface of the film is opened. The insulating substrate 22 has two supporting protrusions 24 and 25 at positions where the gap 23 is interposed. The protrusion dimensions of the support protrusions 24 and 25 are, for example, 1.3 to 2.5 mm. The width dimension of the gap 23 is, for example, 1.0 to 1.3 mm.

第一の導体配線は、三つの互いに独立した配線４１，４２，４３を備えている。各配線４１，４２，４３は、絶縁性基板２２の第一の表面上から、絶縁性基板２２の第三の表面とは反対側の第四の表面（他端面）上を通じて、絶縁性基板２２の第二の表面上に亘って形成されている。絶縁性基板２２の第四の表面には三つの端面スルーホール２６，２６，２６が形成されている。第四の表面において、各配線４１，４２，４３は各端面スルーホール２６，２６，２６の内面上に形成されている。端面スルーホールとは、通常のスルーホールがハーフカットされることで形成される形状を有する要素を意味する。 The first conductor wiring includes three mutually independent wirings 41, 42, and 43. Each wiring 41, 42, 43 passes from the first surface of the insulating substrate 22 through the fourth surface (the other end surface) opposite to the third surface of the insulating substrate 22. Formed on the second surface. Three end face through holes 26, 26, 26 are formed on the fourth surface of the insulating substrate 22. On the fourth surface, the wires 41, 42, 43 are formed on the inner surfaces of the end surface through holes 26, 26, 26. The end face through hole means an element having a shape formed by half-cutting a normal through hole.

支持基板２１の第一の表面上では、各配線４１，４２，４３は第三の表面から第四の表面に向かう方向に形成されており、三つの配線４１，４２，４３が並行並列に並んでいる。この三つの配線４１，４２，４３のうち、二つの配線４１，４２は、それぞれ支持基板２１の各支持突出部２４，２５上から第四の表面に向けて形成されている。残りの一つの配線４３は、前記二つの配線４１，４２の間において、支持基板２１の間隙２３に臨む位置から第四の表面に向けて形成されている。 On the first surface of the support substrate 21, the wires 41, 42, 43 are formed in a direction from the third surface to the fourth surface, and the three wires 41, 42, 43 are arranged in parallel and parallel. It is out. Of the three wirings 41, 42, 43, two wirings 41, 42 are formed from the support protrusions 24, 25 of the support substrate 21 toward the fourth surface. The remaining one wiring 43 is formed between the two wirings 41 and 42 from the position facing the gap 23 of the support substrate 21 toward the fourth surface.

ベース体３１は平面視矩形状の絶縁性の部材であり、例えばセラミックス等で形成される。ベース体３１の平面視寸法及び形状は例えば一辺が３．５〜１０ｍｍの矩形状であり、厚みは例えば０．２〜１ｍｍの範囲である。ベース体３１の厚み方向に面する第一の表面（上面）には凹所３２が形成されている。凹所３２の平面視形状は、間隙２３を含めた場合の支持基板２１の形状に合致し、凹所３２の深さは支持基板２１の厚みよりもやや大きく形成されている。これにより、凹所３２内に支持基板２１が収容可能となっている。凹所３２の平面視寸法及び形状は例えば一辺が３〜６ｍｍの矩形状であり、凹所３２の深さは例えば支持基板２１の厚みよりも０．２〜１ｍｍの範囲で大きい値である。 The base body 31 is an insulating member having a rectangular shape in plan view, and is made of, for example, ceramics. The size and shape of the base body 31 in plan view are, for example, a rectangular shape having a side of 3.5 to 10 mm, and the thickness is in the range of 0.2 to 1 mm, for example. A recess 32 is formed in the first surface (upper surface) facing the thickness direction of the base body 31. The shape of the recess 32 in plan view matches the shape of the support substrate 21 when the gap 23 is included, and the depth of the recess 32 is slightly larger than the thickness of the support substrate 21. Thereby, the support substrate 21 can be accommodated in the recess 32. The size and shape of the recess 32 in plan view are, for example, a rectangular shape with a side of 3 to 6 mm, and the depth of the recess 32 is a value larger than the thickness of the support substrate 21 in a range of 0.2 to 1 mm, for example.

ベース体３１は、底板３３と、枠体３４とから構成されている。図４に示されるように、底板３３は平板状の部材であり、枠体３４は矩形枠状の部材である。底板３３の厚み方向に面する第一の表面（上面）に枠体３４が接合されることでベース体３１が構成されている。底板３３に対してその第一の表面側の枠体３４で囲まれた空間が凹所３２となる。 The base body 31 includes a bottom plate 33 and a frame body 34. As shown in FIG. 4, the bottom plate 33 is a flat plate member, and the frame body 34 is a rectangular frame member. The base body 31 is configured by joining the frame body 34 to the first surface (upper surface) facing the thickness direction of the bottom plate 33. A space surrounded by the frame 34 on the first surface side with respect to the bottom plate 33 is a recess 32.

ベース体３１は、支持体２の導体配線の一部を構成する第二の導体配線を備える。すなわち第二の導体配線は、第一の導体配線と共に、支持体２の導体配線を構成する。第二の導体配線は、底板３３が有する配線と、枠体３４が有する配線とで構成されている。これらの配線は、例えば金メッキ処理などで形成される。 The base body 31 includes a second conductor wiring that constitutes a part of the conductor wiring of the support body 2. That is, the second conductor wiring constitutes the conductor wiring of the support 2 together with the first conductor wiring. The second conductor wiring is composed of wiring that the bottom plate 33 has and wiring that the frame body 34 has. These wirings are formed by, for example, a gold plating process.

底板３３は、三つの互いに独立した配線４４，４４，４４を備えている。底板３３の第一の表面上では、各配線４４，４４，４４は底板３３の第一の表面に平行な方向に面する第三の表面（一端面）から、この第三の表面とは反対側の第四の表面（他端面）に向かう方向に形成されており、三つの配線４４，４４，４４が並行並列に並んでいる。各配線４４，４４，４４は、底板３３の第一の表面上から第四の表面上を通じて、底板３３の第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）上に亘って形成されている。底板３３の第四の表面には三つの端面スルーホール３５，３５，３５が形成されており、この第四の表面においては各配線４４，４４，４４は各端面スルーホール３５，３５，３５の内面上に形成されている。 The bottom plate 33 is provided with three mutually independent wirings 44, 44, 44. On the first surface of the bottom plate 33, each wiring 44, 44, 44 is opposite to the third surface from a third surface (one end surface) facing in a direction parallel to the first surface of the bottom plate 33. It is formed in a direction toward the fourth surface (the other end surface) on the side, and three wirings 44, 44, 44 are arranged in parallel and parallel. Each wiring 44, 44, 44 is formed from the first surface of the bottom plate 33 through the fourth surface to the second surface (lower surface) opposite to the first surface of the bottom plate 33. ing. Three end face through-holes 35, 35, 35 are formed on the fourth surface of the bottom plate 33, and on the fourth surface, the wirings 44, 44, 44 are connected to the end face through-holes 35, 35, 35, respectively. It is formed on the inner surface.

図５に示されるように、枠体３４には開口部３６が形成されている。この開口部３６は、枠体３４の厚み方向に面する第一の表面（上面）と、この第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）とで開口する。枠体３４の外面における、第一の表面と平行な方向に面する第四の表面（外側の端面）には、三つの端面スルーホール３７，３７，３７が形成されている。この端面スルーホール３７，３７，３７の内面に配線４５，４５，４５が形成されている。枠体３４の開口部３６に面する表面における、第四の表面とは反対側の第五の表面（内側の端面）にも、三つの端面スルーホール３８，３８，３８が形成されている。この端面スルーホール３８，３８，３８の内面にもそれぞれ配線４６，４６，４６が形成されている。 As shown in FIG. 5, an opening 36 is formed in the frame body 34. The opening 36 opens at a first surface (upper surface) facing the thickness direction of the frame body 34 and a second surface (lower surface) opposite to the first surface. Three end face through holes 37, 37, 37 are formed on the fourth surface (outer end face) facing the direction parallel to the first surface on the outer face of the frame body 34. Wirings 45, 45, 45 are formed on the inner surfaces of the end surface through holes 37, 37, 37. Three end surface through-holes 38, 38, 38 are also formed on the fifth surface (inner end surface) opposite to the fourth surface on the surface facing the opening 36 of the frame 34. Wirings 46, 46, 46 are also formed on the inner surfaces of the end surface through holes 38, 38, 38, respectively.

枠体３４の第五の表面上の三つの各配線４６，４６，４６は、底板３３の第一の表面上で三つの各配線４４，４４，４４と接触して導通している。枠体３４の第四の表面の端面スル−ホール３７，３７，３７は、底板３３の第四の表面の端面スルーホール３５，３５，３５の上に重ねられ、上下に並んだ二つの端面スルーホール３５，３７が一体になって、一つの端面スルーホールを構成している。これにより、枠体３４の第四の表面の三つの各配線４５，４５，４５も、底板３３の三つの各配線４４，４４，４４とそれぞれ導通している。 The three wirings 46, 46, 46 on the fifth surface of the frame 34 are in contact with the three wirings 44, 44, 44 on the first surface of the bottom plate 33 and are electrically connected. The end surface through-holes 37, 37, 37 on the fourth surface of the frame 34 are overlapped on the end surface through-holes 35, 35, 35 on the fourth surface of the bottom plate 33, and two end surface throughs arranged vertically. The holes 35 and 37 are integrated to form one end face through hole. Accordingly, the three wires 45, 45, 45 on the fourth surface of the frame body 34 are also electrically connected to the three wires 44, 44, 44 of the bottom plate 33, respectively.

支持基板２１は、図１及び２に示されるように、ベース体３１の凹所３２内に収容される。この状態では、支持基板２１の三つの各端面スルーホール２６，２６，２６と、枠体３４の第五の表面の三つの各端面スルーホール３８，３８，３８とが対向している。互いに対向する二つの端面スルーホール２６，３８が、一つのスルーホールを構成する。これにより、支持基板２１の第一の導体配線が、ベース体３１の第二の導体配線と導通している。また、支持基板２１の第二の表面と、凹所３２の底面（底板３３の第一の表面）とが重なることで、支持基板２１の三つの各配線４１，４２，４３とベース体３１の三つの各配線４４，４４，４４とが重なって接触し、互いに導通する。これによっても、支持基板２１の第一の導体配線が、ベース体３１の第二の導体配線と導通している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the support substrate 21 is accommodated in the recess 32 of the base body 31. In this state, the three end surface through holes 26, 26, 26 of the support substrate 21 are opposed to the three end surface through holes 38, 38, 38 on the fifth surface of the frame 34. Two end face through holes 26 and 38 facing each other constitute one through hole. Thereby, the first conductor wiring of the support substrate 21 is electrically connected to the second conductor wiring of the base body 31. Further, the second surface of the support substrate 21 and the bottom surface of the recess 32 (the first surface of the bottom plate 33) overlap each other, so that the three wirings 41, 42, 43 of the support substrate 21 and the base body 31 The three wirings 44, 44, 44 are in contact with each other and are electrically connected to each other. Also by this, the first conductor wiring of the support substrate 21 is electrically connected to the second conductor wiring of the base body 31.

支持基板２１は凹所３２内に固着されることなく収容されていてもよく、またエポキシ樹脂接着剤等の適宜の接着剤を用いた接着やハンダ付け等によって、支持基板２１が凹所３２の内面に固着されていてもよい。 The support substrate 21 may be accommodated in the recess 32 without being fixed, and the support substrate 21 is formed in the recess 32 by bonding or soldering using an appropriate adhesive such as an epoxy resin adhesive. It may be fixed to the inner surface.

凹所３２内における、支持基板２１で占められていない空間が、配置空間８となる。配置空間８の大部分は、支持基板２１の間隙２３内並びに支持基板２１に対してその第一の表面側の空間で占められている。配置空間８は支持体２の厚み方向に面する第一の表面で開口している。 A space that is not occupied by the support substrate 21 in the recess 32 is the arrangement space 8. Most of the arrangement space 8 is occupied by the space on the first surface side in the gap 23 of the support substrate 21 and the support substrate 21. The arrangement space 8 is open at the first surface facing the thickness direction of the support 2.

センサ素子６は、気体中に曝露された際にこの気体中の検出対象ガスの濃度を電気信号に変換する機能を有するものであれば、接触燃焼式のセンサ素子、金属酸化物半導体型のセンサ素子など、いかなる構成の素子であってもよい。本参考形態におけるセンサ素子６は、酸化スズ等の金属酸化物半導体を含有する感ガス体６１と、この感ガス体６１に埋設された検出用電極とから構成された、金属酸化物半導体型のガスセンサ素子６である。感ガス体６１は金属酸化物半導体粉末を含む材料を成形、焼成することにより形成される。感ガス体６１は、例えば球体状、楕円体状等に形成され、例えば長手方向寸法が０．２〜０．６ｍｍ、長手方向に直交する短手方向寸法が０．２〜０．６ｍｍの球体状又は長楕円体状に形成される。この感ガス体６１に、図６に示すように検出用電極としてコイル状のヒータ兼用電極６２と芯線状電極６３が埋め込まれている。芯線状電極６３はコイル状のヒータ兼用電極６２の内側を貫通するように設けられている。この検出用電極は例えば白金や白金合金から形成される。 As long as the sensor element 6 has a function of converting the concentration of the detection target gas in the gas into an electric signal when exposed to the gas, a contact combustion type sensor element or a metal oxide semiconductor sensor is used. An element having any configuration such as an element may be used. The sensor element 6 in the present embodiment is a metal oxide semiconductor type composed of a gas sensitive body 61 containing a metal oxide semiconductor such as tin oxide and a detection electrode embedded in the gas sensitive body 61. This is a gas sensor element 6. The gas sensitive body 61 is formed by molding and baking a material containing a metal oxide semiconductor powder. The gas sensitive body 61 is formed in, for example, a spherical shape, an ellipsoidal shape, etc., for example, a spherical body having a longitudinal dimension of 0.2 to 0.6 mm and a lateral dimension perpendicular to the longitudinal direction of 0.2 to 0.6 mm. Or an ellipsoid. As shown in FIG. 6, a coil-shaped heater combined electrode 62 and a core wire electrode 63 are embedded in the gas sensitive body 61 as detection electrodes. The core wire electrode 63 is provided so as to penetrate the inside of the coil-shaped heater / electrode 62. This detection electrode is made of, for example, platinum or a platinum alloy.

リード線５１，５２，５３は、支持体２の導体配線に電気的に接続されると共に、支持体２から配置空間８内へ突出している。このリード線５１，５２，５３がセンサ素子６を配置空間８内で支持する。リード線５１，５２，５３はセンサ素子６に電気的に接続されている。このリード線５１，５２，５３は例えば白金や白金合金から形成される。 The lead wires 51, 52, 53 are electrically connected to the conductor wiring of the support 2 and protrude from the support 2 into the arrangement space 8. The lead wires 51, 52, 53 support the sensor element 6 in the arrangement space 8. The lead wires 51, 52, 53 are electrically connected to the sensor element 6. The lead wires 51, 52, 53 are made of, for example, platinum or a platinum alloy.

本参考形態ではガス検出装置が三つのリード線５１，５２，５３を備えている。これらのリード線５１，５２は、ヒータ兼用電極６２の両端から感ガス体６１の外方へ突出している。すなわち、リード線５１，５２及びヒータ兼用電極６２は一本の線材を成形することにより形成され、このリード線５１，５２の間にヒータ兼用電極６２が形成される。残りのリード線５３は芯線状電極６３の端部から感ガス体６１の外方へ突出している。すなわち、リード線５３及び芯線状電極６３は一本の線材から構成され、この線材の片側の端部が芯線状電極６３、この芯線状電極６３以外の部分がリード線５３となっている。 In this reference embodiment, the gas detection device includes three lead wires 51, 52, and 53. These lead wires 51 and 52 protrude outward from the gas sensitive body 61 from both ends of the heater electrode 62. That is, the lead wires 51 and 52 and the heater combined electrode 62 are formed by molding a single wire, and the heater combined electrode 62 is formed between the lead wires 51 and 52. The remaining lead wire 53 protrudes outward from the gas sensitive body 61 from the end of the core wire electrode 63. That is, the lead wire 53 and the core wire electrode 63 are composed of a single wire, and one end of the wire rod is a core wire electrode 63, and a portion other than the core wire electrode 63 is a lead wire 53.

これらのリード線５１，５２，５３、並びにヒータ兼用電極６２及び芯線状電極６３の線径は、１５〜２５μｍの範囲であることが好ましい。
このリード線５１，５２，５３の各端部は、図１に示されるように、支持基板２１における配置空間８の周囲の端縁部分において、それぞれ配線４１，４２，４３に接続して固定される。リード線５１，５２は，支持基板２１の各支持突出部２４，２５上で、配線４１，４２に接続して固定される。リード線５３は、支持基板２１上の、間隙２３に臨む位置で、導体配線４３に接続して固定される。このため、配置空間８においては、センサ素子６を支持するリード線５１，５２，５３が、センサ素子６の周囲の異なる三方向からセンサ素子６へ向けて突出しており、これによりセンサ素子６が配置空間８内で安定して支持される。 The lead wires 51, 52 and 53, and the heater combined electrode 62 and the core wire electrode 63 preferably have a wire diameter in the range of 15 to 25 μm.
As shown in FIG. 1, the end portions of the lead wires 51, 52, and 53 are connected and fixed to the wirings 41, 42, and 43, respectively, at the edge portions around the arrangement space 8 on the support substrate 21. The The lead wires 51 and 52 are connected and fixed to the wirings 41 and 42 on the support protrusions 24 and 25 of the support substrate 21. The lead wire 53 is connected and fixed to the conductor wiring 43 at a position facing the gap 23 on the support substrate 21. For this reason, in the arrangement space 8, lead wires 51, 52, and 53 that support the sensor element 6 protrude from the three different directions around the sensor element 6 toward the sensor element 6. It is supported stably in the arrangement space 8.

リード線５１，５２，５３で支持されているセンサ素子６は、支持基板２１の間隙２３外に突出することもあるが、配置空間８は支持基板２１の間隙２３の外側に拡張されているため、センサ素子６を配置空間８内に配置することが容易となる。
配線４１，４２，４３へのリード線５１，５２，５３の固定にあたっては、例えば配線４１，４２，４３上に必要に応じてニッケルメッキ処理、金メッキ処理が順次施された後、例えばハンダ付け、熱溶着（又は熱融着）、超音波溶着（又は超音波融着）、抵抗溶着（又は抵抗融着）などの適宜の手法により配線４１，４２，４３上にリード線５１，５２，５３が固定される。リード線５１，５２，５３の固定は、支持基板２１がベース体３１の凹所３２に収容される前になされてもよく、支持基板２１がベース体３１の凹所３２に収容される前になされてもよい。特に支持基板２１がベース体３１の凹所３２に収容される前に配線４１，４２，４３にリード線５１，５２，５３が固定されると、間隙２３が支持基板２１の第一の表面側、第二の表面側及び第三の表面側へ広く開放された状態でリード線５１，５２，５３が固定されるため、作業性が良好となる。 Although the sensor element 6 supported by the lead wires 51, 52, and 53 may protrude outside the gap 23 of the support substrate 21, the arrangement space 8 is expanded outside the gap 23 of the support substrate 21. It becomes easy to arrange the sensor element 6 in the arrangement space 8.
In fixing the lead wires 51, 52, 53 to the wirings 41, 42, 43, for example, after nickel plating processing and gold plating processing are sequentially performed on the wirings 41, 42, 43 as necessary, for example, soldering, Lead wires 51, 52, 53 are formed on the wirings 41, 42, 43 by an appropriate method such as heat welding (or heat welding), ultrasonic welding (or ultrasonic welding), resistance welding (or resistance welding), or the like. Fixed. The lead wires 51, 52, 53 may be fixed before the support substrate 21 is accommodated in the recess 32 of the base body 31, and before the support substrate 21 is accommodated in the recess 32 of the base body 31. May be made. In particular, when the lead wires 51, 52, 53 are fixed to the wirings 41, 42, 43 before the support substrate 21 is accommodated in the recess 32 of the base body 31, the gap 23 becomes the first surface side of the support substrate 21. Since the lead wires 51, 52, 53 are fixed in a state of being widely opened to the second surface side and the third surface side, workability is improved.

防曝部材７は配置空間８を覆う有孔の部材である。本参考形態では防曝部材７は板状の部材であり、且つ複数の通孔７１が形成されている。防曝部材７は例えばセラミックス等で形成される。防曝部材７の平面視寸法は、支持体２の平面視寸法と同じ又はそれよりも小さいことが好ましく、凹所３２の平面視寸法よりは大きい必要がある。防曝部材７の厚みは例えば０．２〜１．０ｍｍの範囲である。 The exposure prevention member 7 is a perforated member that covers the arrangement space 8. In the present embodiment, the exposure prevention member 7 is a plate-like member, and a plurality of through holes 71 are formed. The exposure prevention member 7 is made of, for example, ceramics. The planar view size of the exposure prevention member 7 is preferably the same as or smaller than the planar view size of the support 2, and needs to be larger than the planar view size of the recess 32. The thickness of the exposure member 7 is, for example, in the range of 0.2 to 1.0 mm.

防曝部材７が支持体２に重なることで、この防曝部材７が支持体２の凹所３２を覆っている。防曝部材７の通孔７１は支持基板２１の間隙２３の外縁部分と対向する位置に形成されている。この通孔７１を介して、配置空間８とガス検出装置の外部とが通じている。 The exposure protection member 7 overlaps the support 2, so that the exposure protection member 7 covers the recess 32 of the support 2. The through hole 71 of the exposure prevention member 7 is formed at a position facing the outer edge portion of the gap 23 of the support substrate 21. The arrangement space 8 communicates with the outside of the gas detection device through the through hole 71.

防曝部材７は、エポキシ樹脂接着剤等の適宜の接着剤による接着やハンダ付け等の適宜の手法により、支持体２に取り付けられる。 The exposure prevention member 7 is attached to the support body 2 by an appropriate technique such as bonding with an appropriate adhesive such as an epoxy resin adhesive or soldering.

このガス検出装置１の平面視寸法及び形状は、支持体２と同様に例えば一辺が３．５〜１０ｍｍの矩形状であり、総厚みは例えば０．６から２．２ｍｍの範囲である。
以上のように構成されるガス検出装置１は平面視矩形状のチップ状の形状を有し、その内部の配置空間８内にセンサ素子６が収容されている。このガス検出装置１の厚み方向に面する第一の表面（上面）において、配置空間８に通じる通孔７１が開口している。ガス検出装置１の、第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）、並びに第一の表面に平行な方向に面する第四の表面（端面）では、センサ素子６に導通する導体配線が露出している。 The size and shape of the gas detection device 1 in plan view are, for example, a rectangular shape with a side of 3.5 to 10 mm, for example, like the support 2, and the total thickness is in the range of 0.6 to 2.2 mm, for example.
The gas detection device 1 configured as described above has a chip-like shape having a rectangular shape in plan view, and the sensor element 6 is accommodated in the arrangement space 8 inside the gas detection device 1. On the first surface (upper surface) facing the thickness direction of the gas detection device 1, a through hole 71 communicating with the arrangement space 8 is opened. On the second surface (lower surface) opposite to the first surface and the fourth surface (end surface) facing in the direction parallel to the first surface, the gas detection device 1 is electrically connected to the sensor element 6. Conductor wiring is exposed.

このガス検出装置１の支持体２は、絶縁性の部材である絶縁性基板２２及びベース体３１、並びにこれらの表面上に形成された導体配線によって構成され、この支持体２の導体配線に、リード線５１，５２，５３を介してセンサ素子６が接続されている。更にこのセンサ素子６はリード線５１，５２，５３によって配置空間８内で支持され、この配置空間８は通孔７１を介して外部に通じている。 The support 2 of the gas detection device 1 includes an insulating substrate 22 and a base 31 that are insulating members, and conductor wiring formed on the surfaces thereof. Sensor element 6 is connected via lead wires 51, 52, 53. Further, the sensor element 6 is supported in the arrangement space 8 by lead wires 51, 52 and 53, and the arrangement space 8 communicates with the outside through a through hole 71.

ガス検出装置１が上記のような構成を有するため、ガス検出装置１の著しい小型化が可能である。また、有孔の防曝部材７により配置空間８の内外の気体の流通が充分に確保されることで、配置空間８内の気体の更新が速やかになされるようになる。このため、検出対象ガスを含む気体の配置空間８への流入及び配置空間８からの検出対象ガスを含む気体の流出が促進され、そのため検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性が優れたものとなる。 Since the gas detection device 1 has the above configuration, the gas detection device 1 can be significantly reduced in size. In addition, since the perforated exposure prevention member 7 sufficiently ensures the circulation of gas inside and outside the arrangement space 8, the gas in the arrangement space 8 is quickly updated. For this reason, the inflow of the gas containing the detection target gas into the arrangement space 8 and the outflow of the gas containing the detection target gas from the arrangement space 8 are promoted, and therefore the responsiveness at the start of detection and when the concentration of the detection target gas changes. It will be excellent.

このガス検出装置１は、例えば測定用回路に接続された状態で使用される。測定用回路としては、センサ素子６の構成に応じ、ガス検出装置１におけるセンサ素子６から発せられる電気信号から検出対象ガスの濃度を導出する回路が使用される。 The gas detection device 1 is used in a state where it is connected to a measurement circuit, for example. As the measurement circuit, a circuit for deriving the concentration of the detection target gas from the electrical signal generated from the sensor element 6 in the gas detection device 1 is used according to the configuration of the sensor element 6.

本参考形態のような金属酸化物半導体型のセンサ素子６が使用される場合、測定用回路として、導体配線４１，４２及びリード線５１，５２を介してヒータ兼用電極６２に電圧を印加すると共にヒータ兼用電極６２と芯線状電極６３との間の電気抵抗値に基づいて検出対象ガスの濃度を導出する回路が用いられる。この場合、検出対象ガスの検出時には、まず測定用回路が導体配線及びリード線を介してヒータ兼用電極６２に電圧を印加することでヒータ兼用電極６２を通電加熱する。これにより、感ガス体６１の温度が検出対象ガスの検出に適した温度まで加熱される。この状態でガス検出装置１が検出対象ガスを含有する気体に曝露されると、気体は防曝部材７の通孔７１を介して配置空間８に導入され、これにより感ガス体６１が気体に曝露される。この感ガス体６１の電気抵抗値が、気体中の検出対象ガスの濃度に応じて変動する。このヒータ兼用電極６２と芯線状電極６３との間での感ガス体６１の電気抵抗値に基づいて、測定用回路が検出対象ガスの濃度を導出する。 When the metal oxide semiconductor type sensor element 6 as in the present embodiment is used, a voltage is applied to the heater combined electrode 62 through the conductor wirings 41 and 42 and the lead wires 51 and 52 as a measurement circuit. A circuit for deriving the concentration of the detection target gas based on the electric resistance value between the heater combined electrode 62 and the core wire electrode 63 is used. In this case, at the time of detection of the detection target gas, the heater circuit 62 is energized and heated by first applying a voltage to the heater electrode 62 through the conductor wiring and the lead wire. Thereby, the temperature of the gas sensitive body 61 is heated to a temperature suitable for detection of the detection target gas. When the gas detection device 1 is exposed to the gas containing the detection target gas in this state, the gas is introduced into the arrangement space 8 through the through-hole 71 of the exposure prevention member 7, and thereby the gas sensitive body 61 is converted into the gas. Be exposed. The electric resistance value of the gas sensitive body 61 varies according to the concentration of the detection target gas in the gas. Based on the electric resistance value of the gas sensitive body 61 between the heater serving electrode 62 and the core wire electrode 63, the measurement circuit derives the concentration of the detection target gas.

ガス検出装置１が測定用回路に接続される場合、測定用回路を備える母基板にガス検出装置１が実装されてもよい。本参考形態では、ガス検出装置の第二の表面（下面）及び第四の表面（端面）で導体配線が外部に露出しているため、この導体配線を介しての母基板への実装が容易である。例えば母基板上の端子と、ガス検出装置の第二の表面上の導体配線との間にクリームハンダが介在する状態で、母基板上にガス検出装置１が配置されると共にクリームハンダが固化されることで、ガス検出装置１が母基板に実装される。或いは、母基板上にガス検出装置１が配置され、母基板上の端子とガス検出装置の第四の表面の導体配線とが、ハンダ等により接続されることで、ガス検出装置１が母基板に実装されてもよい。これら両方の手法が併用されてもよい。このように、ガス検出装置１がチップ部品として扱われ、母基板にガス検出装置１が表面実装等の手法により実装されることが容易となる。またそのため、ガス検出装置１が各種の機器に容易に取り付けられると共に、機器の小型化が容易になる。 When the gas detection device 1 is connected to the measurement circuit, the gas detection device 1 may be mounted on a mother board including the measurement circuit. In this reference embodiment, since the conductor wiring is exposed to the outside on the second surface (lower surface) and the fourth surface (end surface) of the gas detector, mounting on the mother board via this conductor wiring is easy. It is. For example, the gas detection device 1 is disposed on the mother substrate and the cream solder is solidified in a state where the cream solder is interposed between the terminal on the mother substrate and the conductor wiring on the second surface of the gas detection device. Thus, the gas detection device 1 is mounted on the mother board. Alternatively, the gas detection device 1 is arranged on the mother substrate, and the terminals on the mother substrate and the conductor wiring on the fourth surface of the gas detection device are connected by solder or the like, so that the gas detection device 1 is connected to the mother substrate. May be implemented. Both of these methods may be used in combination. In this way, the gas detection device 1 is handled as a chip component, and the gas detection device 1 can be easily mounted on the mother board by a method such as surface mounting. Therefore, the gas detection device 1 can be easily attached to various devices, and the device can be easily downsized.

尚、本参考形態では上記のとおりガス検出装置の第二の表面及び第四の表面で導体配線が外部に露出しているが、必要に応じてガス検出装置の第二の表面のみ、或いは第四の表面のみで導体配線が外部に露出していてもよい。ガス検出装置の第二の表面及び第四の表面以外の面において、導体配線が露出していてもよい。 In the present embodiment, the conductor wiring is exposed to the outside on the second surface and the fourth surface of the gas detection device as described above, but only the second surface of the gas detection device or the The conductor wiring may be exposed to the outside only on the four surfaces. The conductor wiring may be exposed on a surface other than the second surface and the fourth surface of the gas detection device.

［実施形態］
図７は、実施形態に係るガス検出装置１を示す。このガス検出装置１は、支持基板２１及びスペーサ９で構成される支持体２と、センサ素子６と、リード線５１，５２，５３と、防曝部材７とで構成されている。 [Embodiment]
FIG. 7 shows a gas detection device 1 according to the embodiment. The gas detection device 1 includes a support body 2 including a support substrate 21 and a spacer 9, a sensor element 6, lead wires 51, 52, and 53, and an exposure prevention member 7.

図２（ａ）に示される支持基板２１は、絶縁性基板２２と、この絶縁性基板２２上に形成された導体配線とを備える。絶縁性基板２２は例えばガラス基材エポキシ樹脂積層板等の樹脂基板や、セラミック基板などで形成される。導体配線は、例えば参考形態における第一の導体配線の場合と同様の手法で形成される。 A support substrate 21 shown in FIG. 2A includes an insulating substrate 22 and conductor wiring formed on the insulating substrate 22. The insulating substrate 22 is formed of a resin substrate such as a glass base epoxy resin laminate, a ceramic substrate, or the like. The conductor wiring is formed by the same method as that of the first conductor wiring in the reference embodiment, for example.

支持基板２１の平面視寸法及び形状は例えば一辺が３〜６ｍｍの矩形状であり、支持基板２１の厚みは例えば０．２〜１ｍｍの範囲である。 The size and shape of the support substrate 21 in plan view are, for example, a rectangular shape with a side of 3 to 6 mm, and the thickness of the support substrate 21 is within a range of 0.2 to 1 mm, for example.

絶縁性基板２２には間隙２３が形成されている。この間隙２３は、絶縁性基板２２の厚み方向に面する第一の表面（上面）、この第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）、並びにこの第一の表面及び第二の表面に平行な方向に面する第三の表面（一端面）で、開口している。絶縁性基板２２は、間隙２３を挟む位置に、二つの支持突出部２４，２５を有している。支持突出部２４，２５の突出寸法は例えば１．３〜２．５ｍｍに形成される。間隙２３の幅寸法は、例えば１．０〜１．３ｍｍに形成される。 A gap 23 is formed in the insulating substrate 22. The gap 23 includes a first surface (upper surface) facing the thickness direction of the insulating substrate 22, a second surface (lower surface) opposite to the first surface, and the first surface and the second surface. The third surface (one end surface) facing in the direction parallel to the surface of the surface is opened. The insulating substrate 22 has two supporting protrusions 24 and 25 at positions where the gap 23 is interposed. The protrusion dimensions of the support protrusions 24 and 25 are, for example, 1.3 to 2.5 mm. The width dimension of the gap 23 is, for example, 1.0 to 1.3 mm.

導体配線は、三つの互いに独立した配線４１，４２，４３を備えている。各配線４１，４２，４３は、絶縁性基板２２の第一の表面上に形成されている。この第一の表面上では、各配線４１，４２，４３は絶縁性基板２２の第三の表面から、この第三の表面とは反対側の第四の表面（他端面）に向かう方向に形成されており、三つの配線４１，４２，４３が並行並列に並んでいる。この三つの配線４１，４２，４３のうち、二つの配線４１，４２は、それぞれ支持基板２１の各支持突出部２４，２５上から第四の表面に向けて形成されている。残りの一つの配線４３は、前記二つの配線４１，４２の間において、支持基板２１の間隙２３に臨む位置から第四の表面に向けて形成されている。 The conductor wiring includes three mutually independent wirings 41, 42, and 43. Each wiring 41, 42, 43 is formed on the first surface of the insulating substrate 22. On this first surface, each wiring 41, 42, 43 is formed in a direction from the third surface of the insulating substrate 22 toward the fourth surface (the other end surface) opposite to the third surface. The three wirings 41, 42 and 43 are arranged in parallel and in parallel. Of the three wirings 41, 42, 43, two wirings 41, 42 are formed from the support protrusions 24, 25 of the support substrate 21 toward the fourth surface. The remaining one wiring 43 is formed between the two wirings 41 and 42 from the position facing the gap 23 of the support substrate 21 toward the fourth surface.

スペーサ９は、絶縁性の板状の部材であり、例えばガラス基材エポキシ樹脂積層板で形成される。このスペーサ９には、その厚み方向に面する第一の表面（上面）と、この第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）とで開口する開口部９１が形成されている。スペーサ９の厚みは例えば０．２〜０．８ｍｍに形成される。スペーサ９の開口部９１は、例えばその一辺が２．５〜４．５ｍｍの矩形状に形成される。このスペーサ９は図８（ｂ）に示すように支持基板２１上の第一の表面上の、第三の表面側寄りの位置に重ねられ、支持基板２１に対して接着剤等で固着されている。このスペーサ９の開口部９１は支持基板２１の間隙２３に通じており、この開口部９１と間隙２３の内側が配置空間８となる。この配置空間８は、支持体２の厚み方向に面する第一の表面（上面）と、この第一の表面とは反対側の第二の表面（下面）で開口している。配置空間８には、支持基板２１の第一の表面の、間隙２３の周囲の端縁部分が露出し、この端縁部分で三つの配線４１，４２，４３の各端部が配置空間８に露出している。 The spacer 9 is an insulating plate-like member and is formed of, for example, a glass base material epoxy resin laminate. The spacer 9 is formed with an opening 91 that opens at a first surface (upper surface) facing in the thickness direction and a second surface (lower surface) opposite to the first surface. . The spacer 9 has a thickness of 0.2 to 0.8 mm, for example. The opening 91 of the spacer 9 is formed in a rectangular shape with one side of 2.5 to 4.5 mm, for example. As shown in FIG. 8B, the spacer 9 is overlaid on the first surface on the support substrate 21 at a position closer to the third surface side, and is fixed to the support substrate 21 with an adhesive or the like. Yes. The opening 91 of the spacer 9 communicates with the gap 23 of the support substrate 21, and the inside of the opening 91 and the gap 23 becomes the arrangement space 8. The arrangement space 8 is opened by a first surface (upper surface) facing the thickness direction of the support 2 and a second surface (lower surface) opposite to the first surface. In the arrangement space 8, the edge portion around the gap 23 on the first surface of the support substrate 21 is exposed, and the end portions of the three wirings 41, 42, and 43 are located in the arrangement space 8 at this edge portion. Exposed.

支持基板２１とスペーサ９とを併せた支持体２の厚みは、例えば０．４〜２ｍｍに形成され、このため、配置空間８の厚みも０．４〜２ｍｍに形成される。 The thickness of the support 2 that combines the support substrate 21 and the spacer 9 is, for example, 0.4 to 2 mm. Therefore, the thickness of the arrangement space 8 is also formed to be 0.4 to 2 mm.

センサ素子６及びリード線の構成は、参考形態の場合と同様である。リード線５１，５２，５３の各端部は、図８（ｂ）に示すように支持基板２１における配置空間８に露出する三つの配線４１，４２，４３の各端部に接続して固定される。このうち二つのリード線５１，５２は，支持基板２１の各支持突出部２４，２５の第一の表面（上面）上において、導体配線４１，４２の端部に接続して固定される。残りのリード線５３は、支持基板２１の二つの支持突出部２４，２５の間の間隙２３に臨む端縁に接続して固定される。このため、配置空間８においては、センサ素子６を支持するリード線５１，５２，５３は、センサ素子６の周囲の異なる三方向からセンサ素子６へ向けて突出しており、これによりセンサ素子６が配置空間８内に安定して配置される。 The configurations of the sensor element 6 and the lead wire are the same as those in the reference embodiment. Each end of the lead wires 51, 52, 53 is connected and fixed to each end of the three wires 41, 42, 43 exposed in the arrangement space 8 in the support substrate 21 as shown in FIG. The Of these, the two lead wires 51, 52 are connected and fixed to the ends of the conductor wirings 41, 42 on the first surface (upper surface) of the support protrusions 24, 25 of the support substrate 21. The remaining lead wires 53 are connected and fixed to the edge facing the gap 23 between the two support protrusions 24 and 25 of the support substrate 21. Therefore, in the arrangement space 8, the lead wires 51, 52, 53 that support the sensor element 6 protrude from the three different directions around the sensor element 6 toward the sensor element 6. It is stably arranged in the arrangement space 8.

リード線５１，５２，５３で支持されているセンサ素子６は、その一部が支持基板２１の間隙２３からその外側へ突出することもあるが、配置空間８は間隙２３からスペーサ９の開口部まで拡張されているため、センサ素子６が配置空間８内に容易に収まる。 A part of the sensor element 6 supported by the lead wires 51, 52, 53 may protrude outward from the gap 23 of the support substrate 21, but the arrangement space 8 is an opening of the spacer 9 from the gap 23. Therefore, the sensor element 6 easily fits in the arrangement space 8.

配線４１，４２，４３へのリード線５１，５２，５３の固定にあたっては、例えば配線４１，４２，４３の上に必要に応じてニッケルメッキ処理、金メッキ処理が順次施された後、例えばハンダ付け、熱溶着（又は熱融着）、超音波溶着（又は超音波融着）、抵抗溶着（又は抵抗融着）などの適宜の手法により配線４１，４２，４３上にリード線５１，５２，５３が固定される。配線４１，４２，４３へのリード線５１，５２，５３の固定は、支持基板２１に対してスペーサ９を設ける前になされてもよく、支持基板２１に対してスペーサ９を設けた後になされてもよい。特に支持基板２１に対してスペーサ９が取り付けられる前に配線４１，４２，４３にリード線５１，５２，５３が固定されると、間隙２３が支持基板２１の第一の表面側、第二の表面側及び第三の表面側へ広く開放された状態でリード線５１，５２，５３が固定されるため、作業性が良好となる。 In fixing the lead wires 51, 52, 53 to the wirings 41, 42, 43, for example, after the nickel plating process and the gold plating process are sequentially performed on the wirings 41, 42, 43 as necessary, for example, soldering is performed. , Lead wires 51, 52, 53 on the wirings 41, 42, 43 by an appropriate method such as heat welding (or heat welding), ultrasonic welding (or ultrasonic welding), resistance welding (or resistance welding). Is fixed. The lead wires 51, 52, and 53 may be fixed to the wirings 41, 42, and 43 before the spacer 9 is provided on the support substrate 21 or after the spacer 9 is provided on the support substrate 21. Also good. In particular, when the lead wires 51, 52, 53 are fixed to the wirings 41, 42, 43 before the spacer 9 is attached to the support substrate 21, the gap 23 becomes the first surface side of the support substrate 21, the second Since the lead wires 51, 52, 53 are fixed in a state of being widely opened to the surface side and the third surface side, workability is improved.

防曝部材７は配置空間８を覆う有孔の部材であって、本実施形態ではシート状の部材である。この防曝部材７は、強度が高く、成形性が良好であり、且つ多孔性に優れるステンレス等の金属製のメッシュシートで形成されることが好ましい。この防曝部材７は図７に示すように二つ折りに成形され、この防曝部材７が支持体２の第三の表面側の端部を挟み込むことにより配置空間８を覆う。支持体２の第一の表面では、防曝部材７はスペーサ９の第一の表面上に配置されることによりスペーサ９の開口部９１の開口を覆い、支持体２の第二の表面側では防曝部材７は支持基板２１の第二の表面上に配置されることにより支持基板２１の間隙２３の開口を覆っている。更に、防曝部材７の折り曲げ部分が支持体２の第三の表面を覆うことで、支持基板２１における第三の表面での間隙２３の開口を覆っている。これにより、防曝部材７によって配置空間８が覆われ、センサ素子６が保護されている。支持体２への防曝部材７の取り付けは、接着剤を用いた接着など、適宜の手法によりなされる。 The exposure prevention member 7 is a perforated member that covers the arrangement space 8, and is a sheet-like member in the present embodiment. The exposure-proof member 7 is preferably formed of a mesh sheet made of metal such as stainless steel having high strength, good moldability, and excellent porosity. As shown in FIG. 7, the exposure-proof member 7 is formed in two, and the exposure-proof member 7 covers the arrangement space 8 by sandwiching the end portion on the third surface side of the support 2. On the first surface of the support 2, the exposure protection member 7 covers the opening of the opening 91 of the spacer 9 by being disposed on the first surface of the spacer 9, and on the second surface side of the support 2. The exposure prevention member 7 is disposed on the second surface of the support substrate 21 to cover the opening of the gap 23 of the support substrate 21. Further, the bent portion of the exposure prevention member 7 covers the third surface of the support 2, thereby covering the opening of the gap 23 on the third surface of the support substrate 21. Thereby, the arrangement space 8 is covered by the exposure prevention member 7 and the sensor element 6 is protected. The exposure prevention member 7 is attached to the support 2 by an appropriate method such as adhesion using an adhesive.

本実施形態では支持基板２１上の配線４１，４２，４３と防曝部材７との間には絶縁性のスペーサ９が介在するため、防曝部材７が金属製であっても、配線４１，４２，４３に短絡が生じることがなくなる。 In this embodiment, since the insulating spacer 9 is interposed between the wirings 41, 42, 43 on the support substrate 21 and the exposure member 7, the wiring 41, even if the exposure member 7 is made of metal. No short circuit occurs in 42 and 43.

支持基板２１、スペーサ９、及び防曝部材７を併せたガス検出装置１の総厚みは、特に１．５ｍｍ以下であることが好ましい。 The total thickness of the gas detection device 1 including the support substrate 21, the spacer 9, and the exposure prevention member 7 is particularly preferably 1.5 mm or less.

本実施形態に係るガス検出装置１では、支持体２に形成された配置空間８にセンサ素子６が配置され、このセンサ素子６が、支持体２の表面に露出する導体配線に対してリード線５１，５２，５３で支持されている。このような構造により、ガス検出装置１の著しい小型化が可能なものである。また、配置空間８を小さく形成することが容易であると共に、支持体２の第一の表面及び第二の表面の両面において多孔性の防曝部材７により配置空間８の内外の気体の流通が良好に確保される。これにより、検出対象ガスを含む気体の配置空間８への流入及び配置空間８からの検出対象ガスを含む気体の流出が促進され、このため、検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性が優れたものとなる。 In the gas detection device 1 according to the present embodiment, the sensor element 6 is disposed in the arrangement space 8 formed in the support 2, and the sensor element 6 is a lead wire with respect to the conductor wiring exposed on the surface of the support 2. 51, 52, 53. With such a structure, the gas detector 1 can be significantly reduced in size. In addition, it is easy to make the arrangement space 8 small, and the porous exposure member 7 allows the gas inside and outside the arrangement space 8 to flow on both the first surface and the second surface of the support 2. Secured well. Thereby, the inflow of the gas containing the detection target gas into the arrangement space 8 and the outflow of the gas containing the detection target gas from the arrangement space 8 are promoted. For this reason, the response when the detection starts and when the concentration of the detection target gas changes Excellent in properties.

このガス検出装置１の使用時には、参考形態の場合と同様に、ガス検出装置１が測定用回路に接続されてもよい。 When the gas detector 1 is used, the gas detector 1 may be connected to the measurement circuit as in the case of the reference embodiment.

［参考例］
ガス検出装置１として、図１に示す構成のものを使用した。 [Reference example]
As the gas detection device 1, one having the configuration shown in FIG. 1 was used.

支持基板２１を得るにあたっては、３．３ｍｍ×３．５ｍｍ×０．４ｍｍｔの寸法のセラミックス基板に、突出寸法１．６ｍｍの二つの支持突出部２４，２５を形成すると共にその間に幅１．６ｍｍの間隙２３を形成し、三つの端面スルーホールも形成した。このセラミックス基板に厚み１μｍの金メッキ処理を施すことで、配線４１，４２，４３を形成した。 In obtaining the support substrate 21, two support protrusions 24 and 25 having a protrusion dimension of 1.6 mm are formed on a ceramic substrate having dimensions of 3.3 mm × 3.5 mm × 0.4 mmt and a width of 1.6 mm therebetween. The gap 23 was formed, and three end face through holes were also formed. The ceramic substrate was subjected to gold plating with a thickness of 1 μm to form wirings 41, 42, and 43.

センサ素子６は、感ガス体６１を長径０．５ｍｍ、短径０．３ｍｍの寸法を有する長楕円体状とし、リード線５１，５２，５３、ヒータ兼用電極６２及び芯線状電極６３は、線径２０μｍの白金線で形成した。 In the sensor element 6, the gas sensitive body 61 is in the shape of an ellipsoid having a major axis of 0.5 mm and a minor axis of 0.3 mm, and the lead wires 51, 52, 53, the heater combined electrode 62, and the core wire electrode 63 are linear A platinum wire having a diameter of 20 μm was used.

センサ素子６の作製時には、酸化スズ粉末とα−アルミナ粉末を混合し、これに溶剤を加えてペースト状の混合物を得た。このペースト状の混合物をヒータ兼用電極６２及び芯線状電極６３に塗布し、これを焼成して焼結体を得た。この焼結体の表面に酸化インジウムの溶剤分散液を塗布した後、更にこれを焼成することで、感ガス体６１を作製した。 When producing the sensor element 6, tin oxide powder and α-alumina powder were mixed, and a solvent was added thereto to obtain a paste-like mixture. This paste-like mixture was applied to the heater combined electrode 62 and the core wire electrode 63 and fired to obtain a sintered body. After applying a solvent dispersion of indium oxide to the surface of the sintered body, the gas-sensitive body 61 was produced by further firing the dispersion.

リード線５１，５２，５３を支持基板２１の配線４１，４２，４３に接続するにあたっては、配線４１，４２，４３の端部にリード線５１，５２，５３を、抵抗溶着により接続した。 In connecting the lead wires 51, 52, 53 to the wirings 41, 42, 43 of the support substrate 21, the lead wires 51, 52, 53 were connected to the ends of the wirings 41, 42, 43 by resistance welding.

ベース体３１の作製にあたっては、枠体３４をセラミックスで４．５ｍｍ×４．３ｍｍ×０・８ｍｍｔの寸法に形成すると共に、この枠体３４の開口部の平面視寸法を３．３ｍｍ×３．５ｍｍとし、六個の端面スルーホール３７，３７，３７，３８，３８，３８も形成した。この枠体３４に厚み１μｍの金メッキ処理を施して、配線４５，４６を形成した。一方、底板３３をセラミックスで４．５ｍｍ×４．３ｍｍ×０．２ｍｍｔの寸法に形成し、この底板３３に三つの端面スルーホール３５，３５，３５を形成した。この底板３３に厚み１μｍの金メッキ処理を施して配線４４を形成した。この枠体３４と底板３３とを接着することで、ベース体３１を得た。このベース体３１の凹所３２内に、上記支持基板２１を収容した。これにより支持体２を得ると共にこの支持体２の配置空間８内にセンサ素子６を配置した。 In manufacturing the base body 31, the frame body 34 is formed with ceramics in a size of 4.5 mm × 4.3 mm × 0.8 mm, and the size of the opening of the frame body 34 in a plan view is 3.3 mm × 3. The thickness was 5 mm, and six end face through holes 37, 37, 37, 38, 38, 38 were also formed. The frame 34 was subjected to gold plating with a thickness of 1 μm to form wirings 45 and 46. On the other hand, the bottom plate 33 was made of ceramic with a size of 4.5 mm × 4.3 mm × 0.2 mmt, and three end face through holes 35, 35, 35 were formed in the bottom plate 33. The bottom plate 33 was subjected to gold plating with a thickness of 1 μm to form wirings 44. The base body 31 was obtained by bonding the frame body 34 and the bottom plate 33 together. The support substrate 21 was accommodated in the recess 32 of the base body 31. Thus, the support 2 was obtained, and the sensor element 6 was arranged in the arrangement space 8 of the support 2.

防曝部材７をセラミックスで４ｍｍ×４ｍｍ×０．２ｍｍｔの寸法に形成した。この防曝部材７には直径０．５ｍｍの四つの通孔７１を形成した。この防曝部材７をエポキシ樹脂接着剤で支持体２に接続すると共に、この防曝部材７で配置空間８を覆った。これによりガス検出装置１を得た。 The exposure protection member 7 was formed with ceramics in a size of 4 mm × 4 mm × 0.2 mmt. The exposure member 7 was formed with four through holes 71 having a diameter of 0.5 mm. The exposure member 7 was connected to the support 2 with an epoxy resin adhesive, and the arrangement space 8 was covered with the exposure member 7. Thereby, the gas detection apparatus 1 was obtained.

［実施例］
ガス検出装置１として、図７に示す構成のものを使用した。 [Example]
As the gas detection device 1, one having the configuration shown in FIG. 7 was used.

支持基板２１を得るにあたっては、６ｍｍ×６ｍｍ×０．４ｍｍｔの寸法のＦＲ−４タイプのガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板（銅箔厚み１８μｍ）に切削を施すことで、突出寸法２．８ｍｍの二つの支持突出部２４，２５を形成すると共にその間に幅１．６ｍｍの間隙２３を形成した。このガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板にパターンエッチング処理を施した後、残存する銅箔に厚み２０μｍの銅メッキを施すことにより、配線４１，４２，４３を形成した。 In obtaining the support substrate 21, the FR-4 type glass substrate epoxy resin copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm) having dimensions of 6 mm × 6 mm × 0.4 mmt is cut to have a protruding dimension of 2.8 mm. Are formed, and a gap 23 having a width of 1.6 mm is formed therebetween. After this glass substrate epoxy resin copper clad laminate was subjected to pattern etching, the remaining copper foil was plated with copper having a thickness of 20 μm to form wirings 41, 42, and 43.

スペーサ９を得るにあたっては、４．９ｍｍ×５．８ｍｍ×０．４ｍｍｔの寸法のＦＲ−４タイプのガラス基材エポキシ樹脂積層板に、２ｍｍ×３．８４ｍｍの寸法の開口部９１を形成した。このスペーサ９を支持基板２１に重ねて接着することで、支持体２を作製した。 In obtaining the spacer 9, an opening 91 having a size of 2 mm × 3.84 mm was formed in an FR-4 type glass substrate epoxy resin laminate having a size of 4.9 mm × 5.8 mm × 0.4 mmt. The spacer 9 was overlapped on the support substrate 21 and bonded thereto, whereby the support body 2 was produced.

リード線５１，５２，５３を配線４１，４２，４３に接続するにあたっては、配線４１，４２，４３の端部に厚み５μｍのニッケルメッキ処理、厚み０．３μｍの金メッキ処理を順次施した後、この配線４１，４２，４３の端部にリード線５１，５２，５３を、抵抗溶着により接続した。 In connecting the lead wires 51, 52, and 53 to the wirings 41, 42, and 43, the end portions of the wirings 41, 42, and 43 are sequentially subjected to nickel plating treatment with a thickness of 5 μm and gold plating treatment with a thickness of 0.3 μm, Lead wires 51, 52, 53 were connected to the ends of the wires 41, 42, 43 by resistance welding.

防曝部材７としては、ＳＵＳ３０４ステンレス鋼線製の厚み０．２ｍｍのメッシュシートを使用し、これを二つ折にして支持体２の端部を挟むようにして支持体２に接着すると共にこの防曝部材７で配置空間８を覆った。 As the exposure prevention member 7, a 0.2 mm thick mesh sheet made of SUS304 stainless steel wire is used, and the sheet is folded in two and adhered to the support 2 so that the end of the support 2 is sandwiched. 7 covered the arrangement space 8.

［比較例１］
ガス検出装置１として、図５に示すような、センサ筐体２０内にセンサ素子６を収容したもの（エフアイエス株式会社製、品番ＳＢ−３０）を使用した。センサ素子６としては参考例と同じ構成のものを使用した。 [Comparative Example 1]
As the gas detection device 1, a device (sensor product number SB-30, manufactured by FIS Co., Ltd.) in which the sensor element 6 is accommodated in the sensor housing 20 as shown in FIG. 5 was used. The sensor element 6 has the same configuration as that of the reference example.

［評価試験］
参考例、実施例及び比較例１で得られた各ガス検出装置１を測定用回路に接続し、ヒータ兼用電極６２に通電してセンサ素子６を４２０℃に加熱した状態で、このガス検出装置１を空気気流中に配置し、続いてこの気流中に水素を１００ｐｐｍの濃度で混入し、続いてこの気流中への水素の混入を停止した。この場合に測定されたヒータ兼用電極６２と芯線状電極６３との間の電気抵抗値Ｒｓと、空気気流中におけるヒータ兼用電極６２と芯線状電極６３との間の電気抵抗値Ｒ₀との比（Ｒｓ／Ｒ₀）の変化を、図９及び図１０のグラフに示す。尚、前記電気抵抗値Ｒ₀は、当該試験における、試験開始から１２０秒経過時でのヒータ兼用電極６２と芯線状電極６３との間の電気抵抗値である。 [Evaluation test]
Each gas detection device 1 obtained in the reference example, the example and the comparative example 1 is connected to a measurement circuit, and the sensor element 6 is heated to 420 ° C. by energizing the heater electrode 62 and this gas detection device. 1 was placed in an air stream, hydrogen was subsequently mixed in the stream at a concentration of 100 ppm, and then mixing of hydrogen into the stream was stopped. The ratio of the electrical resistance value Rs between the heater combined electrode 62 and the core wire electrode 63 measured in this case to the electrical resistance value R ₀ between the heater combined electrode 62 and the core wire electrode 63 in the air stream. The change in (Rs / R ₀ ) is shown in the graphs of FIGS. The electric resistance value R ₀ is an electric resistance value between the heater combined electrode 62 and the core wire electrode 63 when 120 seconds have elapsed from the start of the test in the test.

この図９及び図１０に示される結果によれば、参考例、実施例、及び比較例１のいずれの場合も気流中に水素が混入された場合にＲｓ／Ｒ₀の値に変化が生じたが、気流への水素の混入が停止された場合には、比較例１よりも参考例及び実施例の方がＲｓ／Ｒ₀の値が速やかに元の値に復帰した。 According to the results shown in FIG. 9 and FIG. 10, the value of Rs / R ₀ changed when hydrogen was mixed in the airflow in any of the reference example, the example, and the comparative example 1. However, when the mixing of hydrogen into the airflow was stopped, the value of Rs / R ₀ returned to the original value more quickly in the reference example and the example than in Comparative Example 1.

これにより、参考例及び実施例では水素ガス検出時の応答性に優れることが確認された。 Thereby, it was confirmed in the reference example and the example that the response at the time of hydrogen gas detection is excellent.

１ガス検出装置
２支持体
２１支持基板
２２絶縁性基板
２３間隙
３１ベース体
４１配線
４２配線
４３配線
５１リード線
５２リード線
５３リード線
６センサ素子
７防曝部材
８配置空間
９スペーサ
９１開口部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gas detection apparatus 2 Support body 21 Support substrate 22 Insulating substrate 23 Gap 31 Base body 41 Wiring 42 Wiring 43 Wiring 51 Lead wire 52 Lead wire 53 Lead wire 6 Sensor element 7 Exposure member 8 Arrangement space 9 Spacer 91 Opening

Claims

A support, a lead wire, a sensor element, and a perforated exposure prevention member are provided.
The support includes a support substrate having wiring, and a spacer overlaid on a surface of the support substrate on which the wiring is formed,
In the support substrate, a first surface, a second surface opposite to the first surface, and a gap opening at one end surface are formed, and in the spacer, an opening leading to the gap is formed,
An arrangement space consisting of the gap and the inside of the opening is formed in the support, and the arrangement space is a surface of the spacer opposite to the support substrate, and the support substrate is opposite to the spacer. Opening at one end surface of the surface and the support substrate ,
The lead wire is connected to the wiring and protrudes from the support to the arrangement space,
The sensor element is supported by the lead wire in the arrangement space and electrically connected to the lead wire;
The gas detection apparatus in which the exposure member covers an opening of the arrangement space.

The gas detection device according to claim 1, wherein the exposure prevention member is a sheet-like member formed in a fold, and the exposure prevention member covers the opening of the arrangement space by sandwiching the support.