JP5724990B2 - Electronic circuit equipment - Google Patents
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Description
この発明は、シャント抵抗が実装された電子回路装置に関する。 The present invention relates to an electronic circuit device on which a shunt resistor is mounted.
従来より、電流値を検出するためのシャント抵抗が実装された電子回路装置が知られている（例えば、特許文献１など）。このような電子回路装置では、図７のように、シャント抵抗（81）の長さ方向の両端部に形成された電極（801a,801b）を金属パターン（82a,82b）にそれぞれ接続することにより、シャント抵抗（81）を金属パターン（82a,82b）上に実装している。このように構成することにより、金属パターン（82a）の電流流出ポイント（800）から流れ出した電流は、シャント抵抗（81）を経由して金属パターン（82b）の電流流入ポイント（900）に流れ込むことになる。また、シャント抵抗（81）の長さ方向の両端部は、検出用配線（83,83）を経由して電流検出回路（91）に接続されている。したがって、電流検出回路（91）は、検出用配線（83,83）間の電圧の電圧値（すなわち、シャント抵抗（81）の長さ方向の電位差）とシャント抵抗（81）の抵抗値とに基づいて、シャント抵抗（81）を通過する電流の電流値を検出することができる。 Conventionally, an electronic circuit device in which a shunt resistor for detecting a current value is mounted is known (for example, Patent Document 1). In such an electronic circuit device, as shown in FIG. 7, the electrodes (801a, 801b) formed at both ends in the length direction of the shunt resistor (81) are connected to the metal patterns (82a, 82b), respectively. The shunt resistor (81) is mounted on the metal pattern (82a, 82b). With this configuration, the current flowing out from the current outflow point (800) of the metal pattern (82a) flows into the current inflow point (900) of the metal pattern (82b) via the shunt resistor (81). become. Further, both ends in the length direction of the shunt resistor (81) are connected to the current detection circuit (91) via the detection wirings (83, 83). Therefore, the current detection circuit (91) determines the voltage value of the voltage between the detection wires (83, 83) (that is, the potential difference in the length direction of the shunt resistor (81)) and the resistance value of the shunt resistor (81). Based on this, the current value of the current passing through the shunt resistor (81) can be detected.
しかしながら、部品のレイアウトの制約などにより、図８のように、電流流出ポイント（800）と電流流入ポイント（900）とがシャント抵抗（81）を挟んで斜め方向に対向している場合、図９のように、電流流出ポイント（800）から流れ出した電流（I800）が金属パターン（82a）上に広がり、シャント抵抗（81）内において長さ方向だけでなく幅方向（長さ方向と直交する方向）や斜め方向（例えば、電流流出ポイント（800）と電流流入ポイント（900）とが対向する方向）にも電流が流れることになる。そのため、シャント抵抗（81）の長さ方向だけでなく幅方向にも電位差が発生することになるので、シャント抵抗（81）を用いた電流値検出に誤差が生じてしまう可能性がある。特に、図１０のように、金属パターン（82a）に３つの電流流出ポイント（800u,800v,800w）が設けられている場合に、電流流出ポイント（800u,800v,800w）と電流流入ポイント（900）とがシャント抵抗（81）を挟んで斜め方向に対向するように配置されやすい。なお、図１０では、電流流出ポイント（800u,800v,800w）から流れ出した電流（I800u,I800v,I800w）は、シャント抵抗（81）を経由して電流流入ポイント（900）に流れ込むことになる。 However, when the current outflow point (800) and the current inflow point (900) face each other across the shunt resistor (81) as shown in FIG. As shown, the current (I800) flowing out from the current outflow point (800) spreads on the metal pattern (82a), and not only in the length direction but also in the width direction (direction orthogonal to the length direction) in the shunt resistor (81) ) Or in an oblique direction (for example, a direction in which the current outflow point (800) and the current inflow point (900) face each other). For this reason, a potential difference is generated not only in the length direction but also in the width direction of the shunt resistor (81), which may cause an error in current value detection using the shunt resistor (81). In particular, as shown in FIG. 10, when three current outflow points (800u, 800v, 800w) are provided in the metal pattern (82a), the current outflow point (800u, 800v, 800w) and the current inflow point (900 ) Are opposed to each other in an oblique direction across the shunt resistor (81). In FIG. 10, the current (I800u, I800v, I800w) flowing out from the current outflow point (800u, 800v, 800w) flows into the current inflow point (900) via the shunt resistor (81).
上記のようなシャント抵抗（81）の幅方向の電位差を低減する手法として、図１１のように、シャント抵抗（81）と同幅の帯状領域が金属パターン（82a,82b）に形成されるように、金属パターン（82a,82b）にスリット（S80,…,S80）を設けることや、図１２のように、電流流出ポイント（800u,800v,800w）からシャント抵抗（81）へ向かうに連れて金属パターン（82a,82b）の幅が次第に狭くなり、シャント抵抗（81）の長さ方向の両端部の近傍において金属パターン（82a,82b）の幅がシャント抵抗（81）の幅と同等となるように、金属パターン（82a,82b）を形成することが考えられる。このように金属パターン（82a,82b）を構成することにより、電流流出ポイント（800u,800v,800w）からシャント抵抗（81）への電流経路を制限することができる。しかしながら、図１１や図１２のように金属パターン（82a,82b）を構成した場合、金属パターン（82a,82b）の面積が減少することになるので、放熱性が低下してしまう。 As a technique for reducing the potential difference in the width direction of the shunt resistor (81) as described above, a band-like region having the same width as the shunt resistor (81) is formed in the metal pattern (82a, 82b) as shown in FIG. In addition, the metal pattern (82a, 82b) is provided with slits (S80, ..., S80), and as shown in Fig. 12, from the current outflow point (800u, 800v, 800w) toward the shunt resistor (81) The width of the metal pattern (82a, 82b) is gradually narrowed, and the width of the metal pattern (82a, 82b) is equal to the width of the shunt resistor (81) in the vicinity of both ends in the length direction of the shunt resistor (81). Thus, it is conceivable to form the metal pattern (82a, 82b). By configuring the metal patterns (82a, 82b) in this way, the current path from the current outflow point (800u, 800v, 800w) to the shunt resistor (81) can be limited. However, when the metal pattern (82a, 82b) is configured as shown in FIGS. 11 and 12, the area of the metal pattern (82a, 82b) is reduced, so that the heat dissipation is reduced.
そこで、この発明は、シャント抵抗の幅方向の電位差を低減するとともに放熱性を向上させることが可能な電子回路装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic circuit device capable of reducing a potential difference in the width direction of a shunt resistor and improving heat dissipation.
第１の発明は、所定の間隔を隔てて絶縁基板（11）の一方面に形成された第１および第２の金属パターン（12a,12b）と、長さ方向において互いに対向する第１および第２の端辺部（301a,301b）が上記第１および第２の金属パターン（12a,12b）にそれぞれ接続された矩形状のシャント抵抗（13）と、導電性材料によって構成されて上記絶縁基板（11）の他方面に形成された放熱パターン（14）とを備え、上記第１の金属パターン（12a）のうち上記シャント抵抗（13）の第１の端辺部（301a）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる帯状の中央領域（R100）よりも外側の周辺領域（R110）に、電流が流れ出す電流流出ポイントおよび電流が流れ込む電流流入ポイントのいずれか一方である第１の電流ポイント（100）が設けられ、上記第１の金属パターン（12a）のうち上記第１の電流ポイント（100）と上記シャント抵抗（13）の該第１の電流ポイント（100）に最も近い第１の角部（302a）とを結ぶ第１の境界線（L100）と該シャント抵抗（13）の第１の端辺部（301a）とを二辺とする平行四辺形状の内側領域（R101）に、上記絶縁基板（11）を貫通して該第１の金属パターン（12a）と上記放熱パターン（14）とを接続するビア（110）が形成され、上記第１の金属パターン（12a）の内側領域（R101）におけるビア形成密度が、該第１の金属パターン（12a）のうち上記シャント抵抗（13）の第１の角部（302a）から該シャント抵抗（13）の幅方向に延びる第１の基準線（L101）と上記第１の電流ポイント（100）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる第２の基準線（L102）と上記第１の境界線（L100）とに囲まれた三角形状の外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなっていることを特徴とする電子回路装置である。 In the first invention, the first and second metal patterns (12a, 12b) formed on one surface of the insulating substrate (11) at a predetermined interval are opposed to each other in the length direction. A rectangular shunt resistor (13) having two end sides (301a, 301b) connected to the first and second metal patterns (12a, 12b), respectively, and a conductive material; A heat dissipation pattern (14) formed on the other surface of (11), and the shunt resistor from the first end (301a) of the shunt resistor (13) of the first metal pattern (12a). A first current that is one of a current outflow point and a current inflow point through which current flows into a peripheral region (R110) outside the strip-shaped central region (R100) extending in the length direction of (13). The first metal pattern is provided with a point (100) 12a), the first boundary line connecting the first current point (100) and the first corner (302a) of the shunt resistor (13) closest to the first current point (100) ( L100) and the first end (301a) of the shunt resistor (13) into two sides of a parallelogram-shaped inner region (R101 ) that penetrates the insulating substrate (11) and passes through the insulating substrate (11). A via (110) connecting the metal pattern (12a) and the heat dissipation pattern (14) is formed, and the via formation density in the inner region (R101) of the first metal pattern (12a) is the first metal. A first reference line (L101) extending in the width direction of the shunt resistor (13) from the first corner (302a) of the shunt resistor (13) in the pattern (12a) and the first current point (100 ) From the second reference line (L102) extending in the length direction of the shunt resistor (13) and the first boundary line (L100). Is an electronic circuit device according to claim which is higher than via formation density in triangular outer region (R102).
上記第１の発明では、第１の金属パターン（12a）の内側領域（R101）におけるビア形成密度が第１の金属パターン（12a）の外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなるように、第１の金属パターン（12a）の内側領域（R101）にビア（110）を形成することにより、第１の金属パターン（12a）の内側領域（R101）のインピーダンスを外側領域（R102）のインピーダンスよりも低くすることができる。これにより、第１の電流ポイント（100）から外側領域（R102）を経由してシャント抵抗（13）に流れ込む電流成分（または、シャント抵抗（13）から外側領域（R102）を経由して第１の電流ポイント（100）に流れ込む電流成分）を減少させることができる。すなわち、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分（または、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分）を減少させることができるので、シャント抵抗（13）内においてシャント抵抗（13）の幅方向に流れる電流成分を減少させることができる。また、第１の金属パターン（12a）の内側領域（R101）にビア（110）を形成することにより、第１の金属パターン（12a）から外部への熱の伝導性を向上させることができる。 In the first invention, the via formation density in the inner region (R101) of the first metal pattern (12a) is higher than the via formation density in the outer region (R102) of the first metal pattern (12a). By forming a via (110) in the inner region (R101) of the first metal pattern (12a), the impedance of the inner region (R101) of the first metal pattern (12a) is changed to the impedance of the outer region (R102). Can be lower. Thus, the current component flowing from the first current point (100) to the shunt resistor (13) via the outer region (R102) (or the first component from the shunt resistor (13) to the first region via the outer region (R102). The current component flowing into the current point (100) of the current can be reduced. That is, since the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13) (or the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13)) can be reduced, the shunt resistance (13) 13) The current component flowing in the width direction can be reduced. Further, by forming the via (110) in the inner region (R101) of the first metal pattern (12a), the heat conductivity from the first metal pattern (12a) to the outside can be improved.
第２の発明は、上記第１の金属パターン（12a）に、それぞれが上記電流流出ポイントおよび上記電流流入ポイントのいずれか一方である複数の電流ポイント（100u,100v,100w）が設けられ、上記第１の電流ポイント（100）が、上記第１の金属パターン（12a）に設けられた上記複数の電流ポイント（100u,100v,100w）のうち該金属パターン（12a）の周辺領域（R110）に設けられた２以上の電流ポイント（100u,100v）の中で、該２以上の電流ポイント（100u,100v）と上記シャント抵抗（13）の該２以上の電流ポイント（100u,100v）に最も近い角部（302a）とをそれぞれ結ぶ２以上の直線（L100u,L100v）のうち該第１の金属パターン（12a）の中央領域（R100）に対する傾斜角度が最も大きい直線（L100u）に対応する電流ポイント（100u）であることを特徴とする電子回路装置である。 In the second invention, the first metal pattern (12a) is provided with a plurality of current points (100u, 100v, 100w) each of which is one of the current outflow point and the current inflow point. A first current point (100) is located in a peripheral region (R110) of the metal pattern (12a) among the plurality of current points (100u, 100v, 100w) provided on the first metal pattern (12a). Among the two or more current points (100u, 100v) provided, the closest to the two or more current points (100u, 100v) and the two or more current points (100u, 100v) of the shunt resistor (13) Current point corresponding to the straight line (L100u) having the largest inclination angle with respect to the central region (R100) of the first metal pattern (12a) among two or more straight lines (L100u, L100v) respectively connecting the corner (302a) (100u) electronic circuit device A.
上記第２の発明では、複数の電流ポイント（100u,100v,100w）のうちシャント抵抗（13）に対してシャント抵抗（13）の幅方向に最も流れ込みやすい電流が流れ出す電流ポイント（100u）（または、シャント抵抗（13）からシャント抵抗（13）の幅方向に最も流れ出しやすい電流が流れ込む電流ポイント（100u））を、金属パターン（12a）の内側領域（R101）と外側領域（R102）との境界線（L100）を規定する電流ポイント（100）として選定することにより、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分（または、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分）を確実に減少させることができる。 In the second invention, the current point (100u) (or the current that flows most easily in the width direction of the shunt resistor (13) flows out of the shunt resistor (13) among the plurality of current points (100u, 100v, 100w) (or The current point (100u) where the current that flows most easily in the width direction of the shunt resistor (13) flows from the shunt resistor (13) to the boundary between the inner region (R101) and the outer region (R102) of the metal pattern (12a) By selecting the current point (100) that defines the wire (L100), the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13) (or the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13)) is ensured. Can be reduced.
第３の発明は、上記第１または第２の発明において、上記第２の金属パターン（12b）のうち上記シャント抵抗（13）の第２の端辺部（301b）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる帯状の中央領域（R200）よりも外側の周辺領域（R210）に、上記電流流出ポイントおよび上記電流流入ポイントのいずれか他方である第２の電流ポイント（200）が設けられ、上記第２の金属パターン（12b）のうち上記第２の電流ポイント（200）と上記シャント抵抗（13）の該第２の電流ポイント（200）に最も近い第２の角部（302b）とを結ぶ第２の境界線（L200）と該シャント抵抗（13）の第２の端辺部（301b）とを二辺とする平行四辺形状の内側領域（R201）に、上記絶縁基板（11）を貫通して該第２の金属パターン（12b）と上記放熱パターン（14）とを接続するビア（210）が形成され、上記第２の金属パターン（12b）の内側領域（R201）におけるビア形成密度が、該第２の金属パターン（12b）のうち上記シャント抵抗（13）の第２の角部（302b）から該シャント抵抗（13）の幅方向に延びる第３の基準線（L201）と上記第２の電流ポイント（200）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる第４の基準線（L202）と上記第２の境界線（L200）とに囲まれた三角形状の外側領域（R202）におけるビア形成密度よりも高くなっていることを特徴とする電子回路装置である。 According to a third invention, in the first or second invention, the shunt resistor (13) from the second end (301b) of the shunt resistor (13) of the second metal pattern (12b). A second current point (200), which is either the current outflow point or the current inflow point, is provided in the peripheral region (R210) outside the belt-shaped central region (R200) extending in the length direction of A second corner (302b) of the second metal pattern (12b) closest to the second current point (200) and the second current point (200) of the shunt resistor (13); The insulating substrate (11) on the parallelogram inner region (R201) having a second boundary line (L200) connecting the two and a second end side (301b) of the shunt resistor (13) as two sides. A via that connects the second metal pattern (12b) and the heat dissipation pattern (14) (210) is formed, and the via formation density in the inner region (R201) of the second metal pattern (12b) is the second corner of the shunt resistor (13) of the second metal pattern (12b). A third reference line (L201) extending from the portion (302b) in the width direction of the shunt resistor (13) and a fourth reference line (L201) extending from the second current point (200) in the length direction of the shunt resistor (13). The electronic circuit device is characterized by being higher in via formation density in a triangular outer region (R202) surrounded by a reference line (L202) and the second boundary line (L200).
上記第３の発明では、第２の金属パターン（12b）の内側領域（R201）におけるビア形成密度が第２の金属パターン（12b）の外側領域（R202）におけるビア形成密度よりも高くなるように、第２の金属パターン（12b）の内側領域（R201）にビア（210）を形成することにより、第２の金属パターン（12b）の内側領域（R201）のインピーダンスを外側領域（R202）のインピーダンスよりも低くすることができる。これにより、シャント抵抗（13）から外側領域（R202）を経由して第２の電流ポイント（200）に流れ込む電流成分（または、第２の電流ポイント（200）から外側領域（R202）を経由してシャント抵抗（13）に流れ込む電流成分）を減少させることができる。すなわち、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分（または、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分）を減少させることができるので、シャント抵抗（13）内においてシャント抵抗（13）の幅方向に流れる電流成分をさらに減少させることができる。また、第２の金属パターン（12b）の内側領域（R201）にビア（210）を形成することにより、第２の金属パターン（12b）から外部への熱の伝導性を向上させることができる。 In the third invention, the via formation density in the inner region (R201) of the second metal pattern (12b) is higher than the via formation density in the outer region (R202) of the second metal pattern (12b). By forming a via (210) in the inner region (R201) of the second metal pattern (12b), the impedance of the inner region (R201) of the second metal pattern (12b) is changed to the impedance of the outer region (R202). Can be lower. As a result, the current component flowing from the shunt resistor (13) to the second current point (200) via the outer region (R202) (or from the second current point (200) to the outer region (R202). Current component flowing into the shunt resistor (13) can be reduced. That is, since the current component that easily flows out in the width direction of the shunt resistor (13) (or the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13)) can be reduced, the shunt resistor (13) The current component flowing in the width direction of 13) can be further reduced. Further, by forming the via (210) in the inner region (R201) of the second metal pattern (12b), the heat conductivity from the second metal pattern (12b) to the outside can be improved.
第１の発明によれば、シャント抵抗（13）内においてシャント抵抗（13）の幅方向に流れる電流成分を減少させることができるので、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差を低減することができる。また、第１の金属パターン（12a）から外部への熱の伝導性を向上させることができるので、電子回路装置（10）の放熱性を向上させることができる。 According to the first invention, the current component flowing in the width direction of the shunt resistor (13) in the shunt resistor (13) can be reduced, so that the potential difference in the width direction of the shunt resistor (13) can be reduced. it can. Moreover, since the heat conductivity from the first metal pattern (12a) to the outside can be improved, the heat dissipation of the electronic circuit device (10) can be improved.
第２の発明によれば、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分（または、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分）を確実に減少させることができるので、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差を確実に低減することができる。 According to the second invention, the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13) (or the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13)) can be surely reduced. The potential difference in the width direction of (13) can be reliably reduced.
第３の発明によれば、シャント抵抗（13）内においてシャント抵抗（13）の幅方向に流れる電流成分をさらに減少させることができるので、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差をさらに低減することができる。また、第２の金属パターン（12b）から外部への熱の伝導性を向上させることができるので、電子回路装置（10）の放熱性をさらに向上させることができる。 According to the third aspect of the invention, since the current component flowing in the width direction of the shunt resistor (13) in the shunt resistor (13) can be further reduced, the potential difference in the width direction of the shunt resistor (13) is further reduced. be able to. Moreover, since the heat conductivity from the second metal pattern (12b) to the outside can be improved, the heat dissipation of the electronic circuit device (10) can be further improved.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
〔電力変換装置〕
図１は、この発明の実施形態による電子回路装置（10）を備える電力変換装置（1）の構成例を示している。電力変換装置（1）は、交流電源（図示を省略）からの入力交流電圧を所定の出力交流電圧に変換してモータ（M）に供給するものであり、電子回路装置（10）の他に、コンバータ部（2）と、電解コンデンサ（3）と、インバータ部（4）と、電流検出回路（5）と、コントローラ（6）とを備えている。この例では、モータ（M）は、三相交流式のモータである。例えば、モータ（M）は、埋込磁石同期モータ（ＩＰＭ）であり、空気調和機の圧縮機を駆動するために用いられている。
[Power converter]
FIG. 1 shows a configuration example of a power conversion device (1) including an electronic circuit device (10) according to an embodiment of the present invention. The power conversion device (1) converts an input AC voltage from an AC power supply (not shown) into a predetermined output AC voltage and supplies it to the motor (M). In addition to the electronic circuit device (10) The converter unit (2), the electrolytic capacitor (3), the inverter unit (4), the current detection circuit (5), and the controller (6) are provided. In this example, the motor (M) is a three-phase AC motor. For example, the motor (M) is an interior magnet synchronous motor (IPM) and is used to drive a compressor of an air conditioner.
〈コンバータ部，電解コンデンサ，インバータ部〉
コンバータ部（2）は、入力交流電圧を整流化する。電解コンデンサ（3）は、コンバータ部（2）とインバータ部（4）とを接続する一対の配線（W1,W2）の間に接続され、コンバータ部（2）の出力を平滑化して直流電圧を生成する。インバータ部（4）は、電解コンデンサ（3）によって得られた直流電圧を出力交流電圧（この例では、三相交流電圧）に変換してモータ（M）に供給する。この例では、インバータ部（4）は、６つのスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）と、６つの還流ダイオード（Du,Dv,Dw,Dx,Dy,Dz）とを有している。スイッチング素子（Su,Sv,Sw）とスイッチング素子（Sx,Sy,Sz）との接続点は、モータ（M）の各相のコイル（ｕ相，ｖ相，ｗ相のコイル）にそれぞれ接続されている。還流ダイオード（Du,Dv,Dw,Dx,Dy,Dz）は、それぞれ、スイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）に逆並列に接続されている。
<Converter section, electrolytic capacitor, inverter section>
The converter unit (2) rectifies the input AC voltage. The electrolytic capacitor (3) is connected between a pair of wires (W1, W2) that connect the converter unit (2) and the inverter unit (4), and smoothes the output of the converter unit (2) to generate a DC voltage. Generate. The inverter unit (4) converts the DC voltage obtained by the electrolytic capacitor (3) into an output AC voltage (in this example, a three-phase AC voltage) and supplies it to the motor (M). In this example, the inverter unit (4) has six switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz) and six free wheel diodes (Du, Dv, Dw, Dx, Dy, Dz). doing. The connection point between the switching element (Su, Sv, Sw) and the switching element (Sx, Sy, Sz) is connected to each phase coil (u phase, v phase, w phase coil) of the motor (M). ing. The free-wheeling diodes (Du, Dv, Dw, Dx, Dy, Dz) are respectively connected in antiparallel to the switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz).
〈電子回路装置，電流検出回路，コントローラ〉
シャント抵抗（13）を含む電子回路装置（10）は、配線（W1）に設けられている。電流検出回路（5）は、シャント抵抗（13）における電位差とシャント抵抗（13）の抵抗値とに基づいて、シャント抵抗（13）に流れる電流の電流値を検出する。なお、シャント抵抗（13）に流れる電流は、モータ（M）に流れる電流に対応している。コントローラ（6）は、電流検出回路（5）によって検出された電流値（すなわち、モータ（M）に流れる電流の電流値）に基づいて、インバータ部（4）のスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）の各々にゲート信号（G）を供給してスイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）のスイッチング動作を制御する。
<Electronic circuit device, current detection circuit, controller>
The electronic circuit device (10) including the shunt resistor (13) is provided on the wiring (W1). The current detection circuit (5) detects the current value of the current flowing through the shunt resistor (13) based on the potential difference in the shunt resistor (13) and the resistance value of the shunt resistor (13). The current flowing through the shunt resistor (13) corresponds to the current flowing through the motor (M). Based on the current value detected by the current detection circuit (5) (that is, the current value of the current flowing through the motor (M)), the controller (6) switches the switching elements (Su, Sv, Sw) of the inverter unit (4). , Sx, Sy, Sz) is supplied with a gate signal (G) to control the switching operation of the switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz).
〔電子回路装置〕
図２は、電子回路装置（10）の平面構成を示し、図３は、図２のIII-III線における電子回路装置（10）の断面構成を示している。電子回路装置（10）は、絶縁基板（11）と、金属パターン（12a,12b）と、シャント抵抗（13）と、放熱パターン（14）とを備えている。
[Electronic circuit device]
FIG. 2 shows a planar configuration of the electronic circuit device (10), and FIG. 3 shows a cross-sectional configuration of the electronic circuit device (10) taken along line III-III in FIG. The electronic circuit device (10) includes an insulating substrate (11), metal patterns (12a, 12b), a shunt resistor (13), and a heat dissipation pattern (14).
〈絶縁基板〉
絶縁基板（11）は、絶縁材料（例えば、セラミックス）で構成されている。また、絶縁基板（11）は、平板状に形成されている。
<Insulated substrate>
The insulating substrate (11) is made of an insulating material (for example, ceramics). The insulating substrate (11) is formed in a flat plate shape.
〈金属パターン〉
金属パターン（12a,12b）は、導電性材料（例えば、銅，銅合金，アルミニウム，アルミニウム合金など）によって構成されている。金属パターン（12a）（第１の金属パターン）は、絶縁基板（11）の一方面に形成されている。金属パターン（12b）（第２の金属パターン）は、金属パターン（12a）と所定の間隔を隔てて絶縁基板（11）の一方面に形成されている。この例では、金属パターン（12a）は、図１に示した配線（W1）のうちスイッチング素子（Su,Sv,Sw）に接続された部分（図１のシャント抵抗（13）よりも右側の部分）に相当し、金属パターン（12b）は、図１に示した配線（W1）のうち電解コンデンサ（3）に接続された部分（図１のシャント抵抗（13）よりも左側の部分）に相当する。
<Metal pattern>
The metal pattern (12a, 12b) is made of a conductive material (for example, copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, etc.). The metal pattern (12a) (first metal pattern) is formed on one surface of the insulating substrate (11). The metal pattern (12b) (second metal pattern) is formed on one surface of the insulating substrate (11) at a predetermined interval from the metal pattern (12a). In this example, the metal pattern (12a) is a portion connected to the switching element (Su, Sv, Sw) in the wiring (W1) shown in FIG. 1 (the portion on the right side of the shunt resistor (13) in FIG. 1). The metal pattern (12b) corresponds to the part connected to the electrolytic capacitor (3) in the wiring (W1) shown in FIG. 1 (the part on the left side of the shunt resistor (13) in FIG. 1). To do.
〈シャント抵抗〉
シャント抵抗（13）は、矩形状に形成されている。シャント抵抗（13）の長さ方向において互いに対向する端辺部（301a,301b）（第１および第２の端辺部）は、金属パターン（12a,12b）にそれぞれ接続されている。この例では、シャント抵抗（13）の端辺部（301a,301b）には、電極（310a,310b）がそれぞれ形成されている。そして、シャント抵抗（13）の端辺部（301a,301b）は、電極（310a,310b）を挟んで金属パターン（12a,12b）にそれぞれ接続されている。また、シャント抵抗（13）の端辺部（301a,301b）には、電流検出回路（5）へと延びる検出用配線（15,15）がそれぞれ接続されている。
<Shunt resistance>
The shunt resistor (13) is formed in a rectangular shape. End sides (301a, 301b) (first and second end portions) facing each other in the length direction of the shunt resistor (13) are connected to the metal patterns (12a, 12b), respectively. In this example, electrodes (310a, 310b) are respectively formed on the end sides (301a, 301b) of the shunt resistor (13). And the edge part (301a, 301b) of shunt resistance (13) is each connected to the metal pattern (12a, 12b) on both sides of the electrode (310a, 310b). Further, detection wires (15, 15) extending to the current detection circuit (5) are connected to the end sides (301a, 301b) of the shunt resistor (13), respectively.
〈放熱パターン〉
放熱パターン（14）は、導電性材料によって構成されている。また、放熱パターン（14）は、絶縁基板（11）の他方面に形成されている。なお、放熱パターン（14）には、ヒートシンクが接続されていても良い。
<Heat dissipation pattern>
The heat radiation pattern (14) is made of a conductive material. The heat radiation pattern (14) is formed on the other surface of the insulating substrate (11). Note that a heat sink may be connected to the heat radiation pattern (14).
〈金属パターン（インバータ部側）の詳細〉
金属パターン（12a）のうち中央領域（R100）よりも外側の周辺領域（R110）には、電流ポイント（100）（第１の電流ポイント）が設けられている。金属パターン（12a）の中央領域（R100）は、シャント抵抗（13）の端辺部（301a）（例えば、電極（310a））からシャント抵抗（13）の長さ方向に延びる帯状の領域である。より具体的には、金属パターン（12a）の中央領域（R100）は、シャント抵抗（13）の角部（302a,302a）からシャント抵抗（13）の長さ方向に延びる一対の補助基準線（L110,L110）に挟まれた領域である。電流ポイント（100）は、電流が流れ出すポイント（電流流出ポイント）および電流が流れ込むポイント（電流流入ポイント）のいずれか一方のポイント（この例では、電流流出ポイント）である。
<Details of metal pattern (inverter side)>
A current point (100) (first current point) is provided in a peripheral region (R110) outside the central region (R100) of the metal pattern (12a). The central region (R100) of the metal pattern (12a) is a strip-shaped region extending from the end side (301a) (for example, the electrode (310a)) of the shunt resistor (13) in the length direction of the shunt resistor (13). . More specifically, the central region (R100) of the metal pattern (12a) has a pair of auxiliary reference lines (in the length direction of the shunt resistor (13) from corners (302a, 302a) of the shunt resistor (13) ( L110, L110). The current point (100) is one of the points (current outflow point) at which current flows (current outflow point) and the point (current inflow point) through which current flows (current outflow point in this example).
また、金属パターン（12a）のうち内側領域（R101）には、ビア（110,…,110）が形成されている。金属パターン（12a）の内側領域（R101）は、境界線（L100）（第１の境界線）とシャント抵抗（13）の端辺部（301a）（第１の端辺部）とを二辺とする平行四辺形状の領域である。境界線（L100）は、電流ポイント（100）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（100）に最も近い角部（302a）（第１の角部）とを結んでいる。ビア（110）は、導電性材料によって構成され、絶縁基板（11）を貫通して金属パターン（12a）と放熱パターン（14）とを電気的に接続している。この例では、ビア（110,…,110）は、金属パターン（12a）の内側領域（R101）において一様に分布している。 Further, vias (110,..., 110) are formed in the inner region (R101) of the metal pattern (12a). The inner region (R101) of the metal pattern (12a) has two sides of the boundary line (L100) (first boundary line) and the end side part (301a) (first end side part) of the shunt resistor (13). Is a parallelogram-shaped region. The boundary line (L100) connects the current point (100) and the corner (302a) (first corner) closest to the current point (100) of the shunt resistor (13). The via (110) is made of a conductive material and penetrates the insulating substrate (11) to electrically connect the metal pattern (12a) and the heat dissipation pattern (14). In this example, the vias (110,..., 110) are uniformly distributed in the inner region (R101) of the metal pattern (12a).
さらに、金属パターン（12a）の内側領域（R101）におけるビア形成密度（単位面積当たりのビア（110）の形成面積）は、金属パターン（12a）の外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなっている。金属パターン（12a）の外側領域（R102）は、２つの基準線（L101,L102）と境界線（L100）とに囲まれた三角形状の領域である。基準線（L101）（第１の基準線）は、シャント抵抗（13）の電流ポイント（100）に最も近い角部（302a）からシャント抵抗（13）の幅方向に延び、基準線（L102）（第２の基準線）は、電流ポイント（100）からシャント抵抗（13）の長さ方向に延びている。この例では、金属パターン（12a）の外側領域（R102）には、ビア（110）が形成されていない。すなわち、金属パターン（12a）の外側領域（R102）におけるビア形成密度は、ゼロとなっている。 Furthermore, the via formation density in the inner region (R101) of the metal pattern (12a) (the formation area of the via (110) per unit area) is higher than the via formation density in the outer region (R102) of the metal pattern (12a). It has become. The outer region (R102) of the metal pattern (12a) is a triangular region surrounded by two reference lines (L101, L102) and a boundary line (L100). The reference line (L101) (first reference line) extends in the width direction of the shunt resistor (13) from the corner (302a) closest to the current point (100) of the shunt resistor (13), and the reference line (L102) The (second reference line) extends from the current point (100) in the length direction of the shunt resistor (13). In this example, the via (110) is not formed in the outer region (R102) of the metal pattern (12a). That is, the via formation density in the outer region (R102) of the metal pattern (12a) is zero.
なお、この例では、金属パターン（12a）には、３つの電流ポイント（100u,100v,100w）が設けられている。３つの電流ポイント（100u,100v,100w）は、スイッチング素子（Su,Sv,Sw）と配線（W1）との接続点（Nu,Nv,Nw）にそれぞれ相当する。そして、この例では、３つの電流ポイント（100u,100v,100w）のうち電流ポイント（100u）が、金属パターン（12a）の内側領域（R101）と外側領域（R102）との境界線（L100）を規定する電流ポイント（100）となっている。電流ポイント（100）の選定については、後で詳しく説明する。 In this example, the metal pattern (12a) is provided with three current points (100u, 100v, 100w). The three current points (100u, 100v, 100w) correspond to connection points (Nu, Nv, Nw) between the switching elements (Su, Sv, Sw) and the wiring (W1), respectively. In this example, the current point (100u) of the three current points (100u, 100v, 100w) is the boundary line (L100) between the inner region (R101) and the outer region (R102) of the metal pattern (12a). Current point (100) that regulates The selection of the current point (100) will be described in detail later.
〈金属パターン（電解コンデンサ側）の詳細〉
金属パターン（12b）のうち中央領域（R200）よりも外側の周辺領域（R210）には、電流ポイント（200）（第２の電流ポイント）が設けられている。金属パターン（12b）の中央領域（R200）は、シャント抵抗（13）の端辺部（301b）（例えば、電極（310b））からシャント抵抗（13）の長さ方向に帯状に延びている。より具体的には、金属パターン（12b）の中央領域（R200）は、シャント抵抗（13）の角部（302b,302b）からシャント抵抗（13）の長さ方向に延びる一対の補助基準線（L210,L210）に挟まれた領域である。電流ポイント（200）は、電流流出ポイントおよび電流流入ポイントのいずれか他方（この例では、電流流入ポイント）である。この例では、電流ポイント（200）は、電解コンデンサ（3）と配線（W1）との接続点（Nc）に相当する。
<Details of metal pattern (electrolytic capacitor side)>
A current point (200) (second current point) is provided in a peripheral region (R210) outside the central region (R200) of the metal pattern (12b). The central region (R200) of the metal pattern (12b) extends in a band shape from the end side (301b) (for example, the electrode (310b)) of the shunt resistor (13) in the length direction of the shunt resistor (13). More specifically, the central region (R200) of the metal pattern (12b) has a pair of auxiliary reference lines (in the length direction of the shunt resistor (13) from the corners (302b, 302b) of the shunt resistor (13) ( L210, L210). The current point (200) is the other of the current outflow point and the current inflow point (in this example, the current inflow point). In this example, the current point (200) corresponds to a connection point (Nc) between the electrolytic capacitor (3) and the wiring (W1).
また、金属パターン（12b）のうち内側領域（R201）には、ビア（210,…,210）が形成されている。金属パターン（12b）のうち内側領域（R201）は、境界線（L200）（第２の境界線）とシャント抵抗（13）の端辺部（301b）（第２の端辺部）とを二辺とする平行四辺形状の領域である。境界線（L200）は、電流ポイント（200）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（200）に最も近い第２の角部（302b）（第２の角部）とを結んでいる。ビア（210）は、導電性材料によって構成され、絶縁基板（11）を貫通して金属パターン（12b）と放熱パターン（14）とを電気的に接続している。この例では、ビア（210,…,210）は、金属パターン（12b）の内側領域（R201）において一様に分布している。 Further, vias (210,..., 210) are formed in the inner region (R201) of the metal pattern (12b). The inner region (R201) of the metal pattern (12b) has a boundary line (L200) (second boundary line) and an end side part (301b) (second end side part) of the shunt resistor (13). This is a parallelogram-shaped region as a side. The boundary line (L200) connects the current point (200) and the second corner (302b) (second corner) closest to the current point (200) of the shunt resistor (13). The via (210) is made of a conductive material and penetrates the insulating substrate (11) to electrically connect the metal pattern (12b) and the heat dissipation pattern (14). In this example, the vias (210,..., 210) are uniformly distributed in the inner region (R201) of the metal pattern (12b).
さらに、金属パターン（12b）の内側領域（R201）におけるビア形成密度（単位面積当たりのビア（210）の形成面積）は、金属パターン（12b）の外側領域（R202）におけるビア形成密度よりも高くなっている。金属パターン（12b）の外側領域（R202）は、２つの基準線（L201,L202）と境界線（L200）とに囲まれた三角形状の領域である。基準線（L201）（第３の基準線）は、シャント抵抗（13）の電流ポイント（200）に最も近い角部（302b）からシャント抵抗（13）の幅方向に延び、基準線（L202）（第４の基準線）は、電流ポイント（200）からシャント抵抗（13）の長さ方向に延びている。この例では、金属パターン（12b）の外側領域（R202）には、ビア（210）が形成されていない。すなわち、金属パターン（12b）の外側領域（R202）におけるビア形成密度は、ゼロとなっている。 Further, the via formation density in the inner region (R201) of the metal pattern (12b) (the formation area of the via (210) per unit area) is higher than the via formation density in the outer region (R202) of the metal pattern (12b). It has become. The outer region (R202) of the metal pattern (12b) is a triangular region surrounded by two reference lines (L201, L202) and a boundary line (L200). The reference line (L201) (third reference line) extends in the width direction of the shunt resistor (13) from the corner (302b) closest to the current point (200) of the shunt resistor (13), and the reference line (L202) The (fourth reference line) extends from the current point (200) in the length direction of the shunt resistor (13). In this example, the via (210) is not formed in the outer region (R202) of the metal pattern (12b). That is, the via formation density in the outer region (R202) of the metal pattern (12b) is zero.
〈電流ポイントの選定〉
次に、図４を参照して、金属パターン（12a）の内側領域（R101）と外側領域（R102）との境界線（L100）を規定する電流ポイント（100）について説明する。図４のように、電流ポイント（100u,100v）は、金属パターン（12a）の周辺領域（R110）に設けられ、電流ポイント（100w）は、金属パターン（12a）の中央領域（R100）に設けられている。直線（L100u）は、電流ポイント（100u）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（100u）に最も近い角部（302a）とを結んでいる。また、直線（L100u）は、金属パターン（12a）の中央領域（R101）（より具体的には、電流ポイント（100u）に近いほうの補助基準線（L110）、この例では、図中の上側の補助基準線（L110））に対して傾斜角度（θu）で傾斜している。直線（L100v）は、電流ポイント（100v）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（100v）に最も近い角部（302a）とを結んでいる。また、直線（L100v）は、金属パターン（12a）の中央領域（R101）に対して傾斜角度（θv）で傾斜している。傾斜角度（θu）は、傾斜角度（θv）よりも大きくなっている。
<Selection of current point>
Next, the current point (100) that defines the boundary line (L100) between the inner region (R101) and the outer region (R102) of the metal pattern (12a) will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the current point (100u, 100v) is provided in the peripheral region (R110) of the metal pattern (12a), and the current point (100w) is provided in the central region (R100) of the metal pattern (12a). It has been. The straight line (L100u) connects the current point (100u) and the corner (302a) closest to the current point (100u) of the shunt resistor (13). The straight line (L100u) is the central region (R101) of the metal pattern (12a) (more specifically, the auxiliary reference line (L110) closer to the current point (100u), in this example, the upper side in the figure) The auxiliary reference line (L110) is inclined at an inclination angle (θu). The straight line (L100v) connects the current point (100v) and the corner (302a) closest to the current point (100v) of the shunt resistor (13). The straight line (L100v) is inclined at an inclination angle (θv) with respect to the central region (R101) of the metal pattern (12a). The inclination angle (θu) is larger than the inclination angle (θv).
上記のように、この例では、３つの電流ポイント（100u,100v,100w）のうち電流ポイント（100u）が電流ポイント（100）となり、電流ポイント（100u）とシャント抵抗（13）の角部（302a）とを結ぶ直線（L100u）が境界線（L100）となっている。すなわち、電流ポイント（100）は、金属パターン（12a）に設けられた複数の電流ポイント（この例では、３つの電流ポイント（100u,100v,100w））のうち金属パターン（12a）の周辺領域（R110）に設けられた２以上の電流ポイント（この例では、２つの電流ポイント（100u,100v））の中から選定されている。より具体的には、電流ポイント（100）として選定される電流ポイント（この例では、電流ポイント（100u））は、金属パターン（12a）の周辺領域（R110）に設けられた２以上の電流ポイント（この例では、２つの電流ポイント（100u,100v））とシャント抵抗（13）のそれらの２以上の電流ポイントに最も近い角部（302a）とをそれぞれ結ぶ２以上の直線（この例では、２つの直線（L100u,L100v））のうち金属パターン（12a）の中央領域（R100）に対する傾斜角度が最も大きい直線（この例では、直線（L100u））に対応している。 As described above, in this example, of the three current points (100u, 100v, 100w), the current point (100u) becomes the current point (100), and the corner of the current point (100u) and the shunt resistor (13) ( 302a) is a boundary line (L100u). That is, the current point (100) is a peripheral area of the metal pattern (12a) among the plurality of current points (in this example, three current points (100u, 100v, 100w)) provided on the metal pattern (12a) ( R110) is selected from two or more current points (in this example, two current points (100u, 100v)). More specifically, the current point selected as the current point (100) (in this example, the current point (100u)) is two or more current points provided in the peripheral region (R110) of the metal pattern (12a). (In this example, two current points (100u, 100v)) and two or more straight lines (in this example, connecting the corner (302a) closest to those two or more current points of the shunt resistor (13) This corresponds to the straight line (in this example, the straight line (L100u)) having the largest inclination angle with respect to the central region (R100) of the metal pattern (12a) among the two straight lines (L100u, L100v).
〈電子回路装置に発生する電流〉
次に、図５を参照して、電子回路装置（10）に発生する電流について説明する。この電子回路装置（10）では、金属パターン（12a）の内側領域（R101）におけるビア形成密度が金属パターン（12a）の外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなるように、金属パターン（12a）の内側領域（R101）にビア（110,…,110）が形成されているので、金属パターン（12a）の内側領域（R101）のインピーダンスを外側領域（R102）のインピーダンスよりも低くすることができる。これにより、電流ポイント（100）から流れ出した電流が内側領域（R101）に流れ込みやすくなるので、電流ポイント（100）から内側領域（R101）を経由してシャント抵抗（13）に流れ込む電流成分（I101）を増加させることができ、その結果、電流ポイント（100）から外側領域（R102）を経由してシャント抵抗（13）に流れ込む電流成分（I102）を減少させることができる。電流成分（I101）は、シャント抵抗（13）に対してシャント抵抗（13）の長さ方向に流れ込みやすい電流成分であり、電流成分（I102）は、シャント抵抗（13）に対してシャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分である。より具体的には、電流成分（I101）は、シャント抵抗（13）への流入方向を示す電流ベクトル（電流流入ベクトル）のうちシャント抵抗（13）の長さ方向のベクトル成分（長さ方向成分）がシャント抵抗の幅方向のベクトル成分（幅方向成分）よりも大きくなっている電流成分であると云え、電流成分（I102）は、電流流入ベクトルのうち幅方向成分が長さ方向成分よりも大きくなっている電流成分であると云える。
<Current generated in electronic circuit device>
Next, a current generated in the electronic circuit device (10) will be described with reference to FIG. In the electronic circuit device (10), the metal pattern (12a) is formed so that the via formation density in the inner region (R101) of the metal pattern (12a) is higher than the via formation density in the outer region (R102) of the metal pattern (12a). Since vias (110, ..., 110) are formed in the inner region (R101) of 12a), the impedance of the inner region (R101) of the metal pattern (12a) should be lower than the impedance of the outer region (R102). Can do. As a result, the current flowing out from the current point (100) can easily flow into the inner region (R101), so the current component (I101) flowing from the current point (100) into the shunt resistor (13) via the inner region (R101). ) Can be increased, and as a result, the current component (I102) flowing from the current point (100) to the shunt resistor (13) via the outer region (R102) can be decreased. The current component (I101) is a current component that easily flows in the length direction of the shunt resistor (13) with respect to the shunt resistor (13), and the current component (I102) is a shunt resistor (13) with respect to the shunt resistor (13). 13) Current component that easily flows in the width direction. More specifically, the current component (I101) is a vector component (longitudinal component) in the length direction of the shunt resistor (13) among current vectors (current inflow vectors) indicating the inflow direction to the shunt resistor (13). ) Is a current component that is larger than the vector component (width direction component) in the width direction of the shunt resistor, and the current component (I102) is that the width direction component of the current inflow vector is larger than the length direction component. It can be said that the current component is increasing.
また、金属パターン（12b）の内側領域（R201）におけるビア形成密度が金属パターン（12b）の外側領域（R202）におけるビア形成密度よりも高くなるように、金属パターン（12b）の内側領域（R201）にビア（210,…,210）が形成されているので、金属パターン（12b）の内側領域（R201）のインピーダンスを外側領域（R202）のインピーダンスよりも低くすることができる。これにより、シャント抵抗（13）から流れ出した電流が内側領域（R201）に流れ込みやすくなるので、シャント抵抗（13）から内側領域（R201）を経由して電流ポイント（200）に流れ込む電流成分（I201）を増加させることができ、その結果、シャント抵抗（13）から外側領域（R202）を経由して電流ポイント（200）に流れ込む電流成分（I202）を減少させることができる。電流成分（I201）は、シャント抵抗（13）からシャント抵抗（13）の長さ方向に流れ出しやすい電流成分であり、電流成分（I202）は、シャント抵抗（13）からシャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分である。より具体的には、電流成分（I201）は、シャント抵抗（13）からの流出方向を示す電流ベクトル（電流流出ベクトル）のうち長さ方向成分が幅方向成分よりも大きくなっている電流成分であると云え、電流成分（I202）は、電流流出ベクトルのうち幅方向成分が長さ方向成分よりも大きくなっている電流成分であると云える。 Also, the inner region (R201) of the metal pattern (12b) so that the via formation density in the inner region (R201) of the metal pattern (12b) is higher than the via formation density in the outer region (R202) of the metal pattern (12b). ) Are formed in the metal pattern (12b), the impedance of the inner region (R201) can be made lower than the impedance of the outer region (R202). As a result, the current flowing out of the shunt resistor (13) can easily flow into the inner region (R201), so that the current component (I201) flowing from the shunt resistor (13) into the current point (200) via the inner region (R201). ) Can be increased, and as a result, the current component (I202) flowing from the shunt resistor (13) to the current point (200) via the outer region (R202) can be decreased. The current component (I201) is a current component that tends to flow from the shunt resistor (13) in the length direction of the shunt resistor (13). The current component (I202) is the width of the shunt resistor (13) to the shunt resistor (13). It is a current component that tends to flow in the direction. More specifically, the current component (I201) is a current component in which the length direction component is larger than the width direction component in the current vector (current outflow vector) indicating the outflow direction from the shunt resistor (13). It can be said that the current component (I202) is a current component in which the width direction component of the current outflow vector is larger than the length direction component.
なお、電流ポイント（100）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（100）に最も近い角部（302a）とを結ぶ直線の傾斜角度（金属パターン（12a）の中央領域（R100）に対する傾斜角度）が大きくなるほど、電流ポイント（100）から流れ出した電流がシャント抵抗（13）に対してシャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすくなる（すなわち、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分の割合が多くなる）傾向にある。この例では、電流ポイント（100u,100v,100w）からそれぞれ流れ出した電流のうち、電流ポイント（100u）から流れ出した電流が、シャント抵抗（13）に対してシャント抵抗（13）の幅方向に最も流れ込みやすいことになる。 In addition, the inclination angle of the straight line connecting the current point (100) and the corner (302a) closest to the current point (100) of the shunt resistor (13) (inclination angle with respect to the central region (R100) of the metal pattern (12a)) The larger the value, the more easily the current flowing out of the current point (100) flows into the shunt resistor (13) in the width direction of the shunt resistor (13) (that is, the current component that flows more easily in the width direction of the shunt resistor (13)). Tend to increase). In this example, of the currents flowing out from the current point (100u, 100v, 100w), the current flowing out from the current point (100u) is the largest in the width direction of the shunt resistor (13) with respect to the shunt resistor (13). It will be easy to flow.
また、上記と同様に、電流ポイント（200）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（200）に最も近い角部（302b）とを結ぶ直線の傾斜角度（金属パターン（12b）の中央領域（R100）に対する傾斜角度、より具体的には、電流ポイント（200）に近いほうの補助基準線（L210）に対する傾斜角度）が大きくなるほど、電流ポイント（200）に流れ込む電流がシャント抵抗（13）からシャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすくなる（すなわち、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分の割合が多くなる）傾向にある。 In the same manner as described above, the inclination angle of the straight line connecting the current point (200) and the corner (302b) closest to the current point (200) of the shunt resistor (13) (the central region of the metal pattern (12b) (R100 ), More specifically, the greater the inclination angle to the auxiliary reference line (L210) closer to the current point (200), the more current flowing into the current point (200) flows from the shunt resistor (13) to the shunt resistor. It tends to flow out in the width direction of the resistor (13) (that is, the ratio of current components that easily flow out in the width direction of the shunt resistor (13) increases).
〈効果〉
以上のように、金属パターン（12a）の内側領域（R101）におけるビア形成密度が金属パターン（12a）の外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなるように、金属パターン（12a）の内側領域（R101）にビア（110,…,110）を形成することにより、金属パターン（12a）の内側領域（R101）のインピーダンスを外側領域（R102）のインピーダンスよりも低くすることができるので、電流ポイント（100）から外側領域（R102）を経由してシャント抵抗（13）に流れ込む電流成分（I102）（すなわち、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分）を減少させることができる。これにより、シャント抵抗（13）内においてシャント抵抗（13）の幅方向に流れる電流成分を減少させることができるので、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差を低減することができる。したがって、シャント抵抗（13）を用いた電流値検出の誤差を低減することができる。
<effect>
As described above, the inside of the metal pattern (12a) so that the via formation density in the inner region (R101) of the metal pattern (12a) is higher than the via formation density in the outer region (R102) of the metal pattern (12a). By forming vias (110, ..., 110) in the region (R101), the impedance of the inner region (R101) of the metal pattern (12a) can be made lower than the impedance of the outer region (R102). The current component (I102) that flows from the point (100) to the shunt resistor (13) via the outer region (R102) (that is, the current component that easily flows in the width direction of the shunt resistor (13)) can be reduced. Thereby, since the current component flowing in the width direction of the shunt resistor (13) in the shunt resistor (13) can be reduced, the potential difference in the width direction of the shunt resistor (13) can be reduced. Therefore, an error in current value detection using the shunt resistor (13) can be reduced.
また、金属パターン（12a）の内側領域（R101）にビア（110,…,110）を形成することにより、金属パターン（12a）から外部（例えば、放熱パターン（14））への熱の伝導性を向上させることができる。これにより、電子回路装置（10）の放熱性を向上させることができる。 In addition, by forming vias (110, ..., 110) in the inner region (R101) of the metal pattern (12a), the thermal conductivity from the metal pattern (12a) to the outside (for example, the heat dissipation pattern (14)) Can be improved. Thereby, the heat dissipation of an electronic circuit device (10) can be improved.
また、金属パターン（12b）の内側領域（R201）におけるビア形成密度が金属パターン（12b）の外側領域（R202）におけるビア形成密度よりも高くなるように、金属パターン（12b）の内側領域（R201）にビア（210,…,210）を形成することにより、金属パターン（12b）の内側領域（R201）のインピーダンスを外側領域（R202）のインピーダンスよりも低くすることができるので、シャント抵抗（13）から外側領域（R202）を経由して電流ポイント（200）に流れ込む電流成分（I202）（すなわち、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ出しやすい電流成分）を減少させることができる。これにより、シャント抵抗（13）内においてシャント抵抗（13）の幅方向に流れる電流成分をさらに減少させることができるので、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差をさらに低減することができる。 Also, the inner region (R201) of the metal pattern (12b) so that the via formation density in the inner region (R201) of the metal pattern (12b) is higher than the via formation density in the outer region (R202) of the metal pattern (12b). ) In the inner region (R201) of the metal pattern (12b) can be made lower than the impedance of the outer region (R202), so that the shunt resistor (13 ) From the current region (R202) to the current point (200) (that is, a current component that easily flows out in the width direction of the shunt resistor (13)) can be reduced. Thereby, since the current component flowing in the width direction of the shunt resistor (13) in the shunt resistor (13) can be further reduced, the potential difference in the width direction of the shunt resistor (13) can be further reduced.
また、金属パターン（12b）の内側領域（R201）にビア（210,…,210）を形成することにより、金属パターン（12b）から外部への熱の伝導性を向上させることができる。これにより、電子回路装置（10）の放熱性をさらに向上させることができる。 Further, by forming vias (210,..., 210) in the inner region (R201) of the metal pattern (12b), the heat conductivity from the metal pattern (12b) to the outside can be improved. Thereby, the heat dissipation of an electronic circuit device (10) can further be improved.
また、電流ポイント（100u,100v,100w）のうちシャント抵抗（13）に対してシャント抵抗（13）の幅方向に最も流れ込みやすい電流が流れ出す電流ポイント（100u）を、金属パターン（12a）の内側領域（R101）と外側領域（R102）との境界線（L100）を規定する電流ポイント（100）として選定することにより、シャント抵抗（13）の幅方向に流れ込みやすい電流成分を確実に減少させることができる。これにより、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差を確実に低減することができる。 In addition, the current point (100u) where the current that flows most easily in the width direction of the shunt resistor (13) from the current point (100u, 100v, 100w) flows inside the metal pattern (12a) By selecting the current point (100) that defines the boundary (L100) between the region (R101) and the outer region (R102), the current component that tends to flow in the width direction of the shunt resistor (13) is reliably reduced. Can do. Thereby, the potential difference in the width direction of the shunt resistor (13) can be reliably reduced.
〔電子回路装置の変形例〕
図６のように、金属パターン（12a）の一方の周辺領域（R110）に電流ポイント（100u）が設けられているだけでなく、金属パターン（12a）の他方の周辺領域（R110）にも電流ポイント（100w）が設けられていても良い。この場合、電流ポイント（100u）だけでなく電流ポイント（100w）も、金属パターン（12a）の内側領域（R101）と外側領域（R102）との境界線（L100）を規定する電流ポイント（100）として選定されることになる。すなわち、金属パターン（12a）の２つの周辺領域（R110,R110）に２つの境界線（L100,L100）がそれぞれ設けられることになる。
[Modification of electronic circuit device]
As shown in FIG. 6, not only the current point (100u) is provided in one peripheral region (R110) of the metal pattern (12a) but also the current in the other peripheral region (R110) of the metal pattern (12a). Points (100w) may be provided. In this case, not only the current point (100u) but also the current point (100w) defines the boundary (L100) between the inner region (R101) and the outer region (R102) of the metal pattern (12a) (100) Will be selected. That is, two boundary lines (L100, L100) are respectively provided in the two peripheral regions (R110, R110) of the metal pattern (12a).
詳しく説明すると、電流ポイント（100w）に関連する境界線（L100）は、電流ポイント（100w）とシャント抵抗（13）の電流ポイント（100w）に最も近い角部（302a）（図中の下側の角部（302a））とを結ぶ直線（L100w）に相当する。電流ポイント（100w）に関連する境界線（L100）とシャント抵抗（13）の端辺部（301a）とを二辺とする平行四辺形状の領域が、金属パターン（12a）のもう１つの内側領域（R101）（電流ポイント（100w）に関連する内側領域（R101））となる。また、シャント抵抗（13）の電流ポイント（100w）に最も近い角部（302a）からシャント抵抗（13）の幅方向に延びる基準線（L101），電流ポイント（100w）からシャント抵抗（13）の長さ方向に延びる基準線（L102），および電流ポイント（100w）に関連する境界線（L100）で囲まれた三角形状の領域が、金属パターン（12a）のもう１つの外側領域（R102）（電流ポイント（100w）に関連する外側領域（R102））となる。 Specifically, the boundary line (L100) associated with the current point (100w) is the corner (302a) closest to the current point (100w) and the current point (100w) of the shunt resistor (13) (lower side in the figure) Corresponds to a straight line (L100w) connecting the corner (302a). The parallelogram area with two sides of the boundary line (L100) related to the current point (100w) and the edge part (301a) of the shunt resistor (13) is another inner area of the metal pattern (12a). (R101) (inner region (R101) associated with current point (100w)). Also, the reference line (L101) extending in the width direction of the shunt resistor (13) from the corner (302a) closest to the current point (100w) of the shunt resistor (13), and the shunt resistor (13) from the current point (100w) A triangular region surrounded by a reference line (L102) extending in the length direction and a boundary line (L100) associated with the current point (100w) is another outer region (R102) of the metal pattern (12a) ( The outer region (R102) associated with the current point (100w).
そして、電流ポイント（100w）に関連する内側領域（R101）におけるビア形成密度が電流ポイント（100w）に関連する外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなるように、電流ポイント（100w）に関連する内側領域（R101）にビア（110,…,110）が形成されている。なお、この例では、電流ポイント（100w）に関連する内側領域（R101）には、ビア（110,…,110）が一様に分布している。また、電流ポイント（100w）に関連する外側領域（R102）には、ビア（110）が形成されていない。 Then, the current point (100w) is set so that the via formation density in the inner region (R101) related to the current point (100w) is higher than the via formation density in the outer region (R102) related to the current point (100w). Vias (110,..., 110) are formed in the associated inner region (R101). In this example, vias (110,..., 110) are uniformly distributed in the inner region (R101) related to the current point (100w). Further, no via (110) is formed in the outer region (R102) related to the current point (100w).
〔その他の実施形態〕
なお、以上の説明では、金属パターン（12a,12b）の両方において内側領域（R101,R201）のビア形成密度が外側領域（R102,R202）のビア形成密度よりも高くなるようにビア（110,210）が形成されている場合を例に挙げて説明したが、金属パターン（12a,12b）のうち少なくとも一方において内側領域のビア形成密度が外側領域のビア形成密度よりも高くなるようにビアが形成されていれば、金属パターン（12a,12b）のいずれにもビアが形成されていない場合よりも、シャント抵抗（13）の幅方向の電位差を低減するとともに放熱性を向上させることが可能である。
[Other Embodiments]
In the above description, vias (110, 210) are formed so that the via formation density in the inner region (R101, R201) is higher than the via formation density in the outer region (R102, R202) in both metal patterns (12a, 12b). As an example, the via is formed so that the via formation density in the inner region is higher than the via formation density in the outer region in at least one of the metal patterns (12a, 12b). If this is the case, the potential difference in the width direction of the shunt resistor (13) can be reduced and the heat dissipation can be improved as compared with the case where no via is formed in any of the metal patterns (12a, 12b).
また、金属パターン（12b）の周辺領域（R210）に電流ポイント（200）が設けられている場合を例に挙げて説明したが、電流ポイント（200）は、金属パターン（12b）の中央領域（R200）に設けられていても良い。この場合、金属パターン（12b）にビア（210）が形成されていなくても良い。 Moreover, although the case where the current point (200) is provided in the peripheral region (R210) of the metal pattern (12b) has been described as an example, the current point (200) is the center region of the metal pattern (12b) ( R200) may be provided. In this case, the via (210) may not be formed in the metal pattern (12b).
また、金属パターン（12a,12b）に３つの電流ポイント（100u,100v,100w）および１つの電流ポイント（200）がそれぞれ設けられている場合を例に挙げて説明したが、金属パターン（12a）に設けられる電流ポイントの数は、３よりも多くても少なくても良いし、金属パターン（12b）に設けられる電流ポイントの数は、２以上であっても良い。 In addition, the case where the metal pattern (12a, 12b) is provided with three current points (100u, 100v, 100w) and one current point (200) has been described as an example, but the metal pattern (12a) The number of current points provided on the metal pattern may be more or less than three, and the number of current points provided on the metal pattern (12b) may be two or more.
また、電流ポイント（100u,100v,100w）が電流流出ポイントであり、電流ポイント（200）が電流流入ポイントである場合を例に挙げて説明したが、電流ポイント（100u,100v,100w）は、電流流出ポイントであっても良いし、電流ポイント（200）は、電流流入ポイントであっても良い。例えば、電子回路装置（10）が図１の配線（W2）に設けられている場合、電流ポイント（100u,100v,100w）は、スイッチング素子（Sx,Sy,Sz）と配線（W2）との接続点に相当し、電流ポイント（200）は、電解コンデンサ（3）と配線（W2）との接続点に相当する。この場合、電流ポイント（100u,100v,100w）は、電流流入ポイントとなり、電流ポイント（200）は、電流流出ポイントとなる。そして、電流ポイント（100u,100v,100w）のうちシャント抵抗（13）からシャント抵抗（13）の幅方向に最も流れ出しやすい電流が流れ込む電流ポイント（100u）が、金属パターン（12a）の内側領域（R101）と外側領域（R102）との境界線（L100）を規定する電流ポイント（100）として選定される。 In addition, the case where the current point (100u, 100v, 100w) is the current outflow point and the current point (200) is the current inflow point has been described as an example, but the current point (100u, 100v, 100w) It may be a current outflow point, or the current point (200) may be a current inflow point. For example, when the electronic circuit device (10) is provided in the wiring (W2) of FIG. 1, the current point (100u, 100v, 100w) is connected between the switching element (Sx, Sy, Sz) and the wiring (W2). The current point (200) corresponds to a connection point between the electrolytic capacitor (3) and the wiring (W2). In this case, the current point (100u, 100v, 100w) is a current inflow point, and the current point (200) is a current outflow point. The current point (100u) where the current that is most likely to flow from the shunt resistor (13) to the shunt resistor (13) in the width direction of the current point (100u, 100v, 100w) flows into the inner region of the metal pattern (12a) ( R101) is selected as a current point (100) that defines the boundary line (L100) between the outer region (R102).
なお、以上の実施形態を適宜組み合わせて実施しても良い。以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。 In addition, you may implement combining the above embodiment suitably. The above embodiments are essentially preferable examples, and are not intended to limit the scope of the present invention, its application, or its use.
以上説明したように、上述の電子回路装置は、電力変換装置などにおいて電流値を検出するために用いられる電子回路装置として有用である。 As described above, the electronic circuit device described above is useful as an electronic circuit device used for detecting a current value in a power conversion device or the like.
１ 電力変換装置
２ コンバータ部
３ 電解コンデンサ
４ インバータ部
５ 電流検出回路
６ コントローラ
１０ 電子回路装置
１１ 絶縁基板
１２ａ，１２ｂ 金属パターン
１３ シャント抵抗
１４ 放熱パターン
１００，２００ 電流ポイント
１１０，２１０ ビア
３０１ａ，３０１ｂ 端辺部
３０２ａ，３０２ｂ 角部
３１０ａ，３１０ｂ 電極
Ｒ１００，Ｒ２００ 中央領域
Ｒ１０１，Ｒ２０１ 内側領域
Ｒ１０２，Ｒ２０２ 外側領域
Ｌ１００，Ｌ２００ 境界線
Ｌ１０１，Ｌ１０２ 基準線
Ｌ２０１，Ｌ２０２ 基準線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 2 Converter part 3 Electrolytic capacitor 4 Inverter part 5 Current detection circuit 6 Controller 10 Electronic circuit device 11 Insulating board 12a, 12b Metal pattern 13 Shunt resistor 14 Heat radiation pattern 100, 200 Current point 110, 210 Via 301a, 301b End Sides 302a, 302b Corners 310a, 310b Electrodes R100, R200 Central regions R101, R201 Inner regions R102, R202 Outer regions L100, L200 Boundary lines L101, L102 Reference lines L201, L202 Reference lines
Claims (3)
長さ方向において互いに対向する第１および第２の端辺部（301a,301b）が上記第１および第２の金属パターン（12a,12b）にそれぞれ接続された矩形状のシャント抵抗（13）と、
導電性材料によって構成されて上記絶縁基板（11）の他方面に形成された放熱パターン（14）とを備え、
上記第１の金属パターン（12a）のうち上記シャント抵抗（13）の第１の端辺部（301a）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる帯状の中央領域（R100）よりも外側の周辺領域（R110）には、電流が流れ出す電流流出ポイントおよび電流が流れ込む電流流入ポイントのいずれか一方である第１の電流ポイント（100）が設けられ、
上記第１の金属パターン（12a）のうち上記第１の電流ポイント（100）と上記シャント抵抗（13）の該第１の電流ポイント（100）に最も近い第１の角部（302a）とを結ぶ第１の境界線（L100）と該シャント抵抗（13）の第１の端辺部（301a）とを二辺とする平行四辺形状の内側領域（R101）には、上記絶縁基板（11）を貫通して該第１の金属パターン（12a）と上記放熱パターン（14）とを接続するビア（110）が形成され、
上記第１の金属パターン（12a）の内側領域（R101）におけるビア形成密度は、該第１の金属パターン（12a）のうち上記シャント抵抗（13）の第１の角部（302a）から該シャント抵抗（13）の幅方向に延びる第１の基準線（L101）と上記第１の電流ポイント（100）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる第２の基準線（L102）と上記第１の境界線（L100）とに囲まれた三角形状の外側領域（R102）におけるビア形成密度よりも高くなっている
ことを特徴とする電子回路装置。 First and second metal patterns (12a, 12b) formed on one surface of the insulating substrate (11) at a predetermined interval;
A rectangular shunt resistor (13) in which first and second end portions (301a, 301b) facing each other in the length direction are respectively connected to the first and second metal patterns (12a, 12b); ,
A heat dissipating pattern (14) made of a conductive material and formed on the other surface of the insulating substrate (11) ,
Out of the first metal pattern (12a) outside the central region (R100) of the strip shape extending from the first end (301a) of the shunt resistor (13) in the length direction of the shunt resistor (13). In the peripheral region (R110), there is provided a first current point (100) which is one of a current outflow point from which current flows and a current inflow point from which current flows,
Of the first metal pattern (12a), the first current point (100) and the first corner (302a) of the shunt resistor (13) closest to the first current point (100) The insulating substrate (11) includes a parallelogram-shaped inner region (R101) having two sides of the first boundary line (L100) to be connected and the first end side (301a) of the shunt resistor (13 ). A via (110) that connects the first metal pattern (12a) and the heat dissipation pattern (14 ) is formed,
The via formation density in the inner region (R101) of the first metal pattern (12a) is the shunt from the first corner (302a) of the shunt resistor (13) of the first metal pattern (12a). A first reference line (L101) extending in the width direction of the resistor (13), a second reference line (L102) extending in the length direction of the shunt resistor (13) from the first current point (100), and the above An electronic circuit device characterized by being higher in via formation density in a triangular outer region (R102) surrounded by a first boundary line (L100).
上記第１の金属パターン（12a）には、それぞれが上記電流流出ポイントおよび上記電流流入ポイントのいずれか一方である複数の電流ポイント（100u,100v,100w）が設けられ、
上記第１の電流ポイント（100）は、上記第１の金属パターン（12a）に設けられた上記複数の電流ポイント（100u,100v,100w）のうち該金属パターン（12a）の周辺領域（R110）に設けられた２以上の電流ポイント（100u,100v）の中で、該２以上の電流ポイント（100u,100v）と上記シャント抵抗（13）の該２以上の電流ポイント（100u,100v）に最も近い角部（302a）とをそれぞれ結ぶ２以上の直線（L100u,L100v）のうち該第１の金属パターン（12a）の中央領域（R100）に対する傾斜角度が最も大きい直線（L100u）に対応する電流ポイント（100u）である
ことを特徴とする電子回路装置。 In claim 1,
The first metal pattern (12a) is provided with a plurality of current points (100u, 100v, 100w) each being one of the current outflow point and the current inflow point,
The first current point (100) is a peripheral region (R110) of the metal pattern (12a) among the plurality of current points (100u, 100v, 100w) provided in the first metal pattern (12a). Among the two or more current points (100u, 100v) provided in the above, the two or more current points (100u, 100v) and the two or more current points (100u, 100v) of the shunt resistor (13) Current corresponding to the straight line (L100u) having the largest inclination angle with respect to the central region (R100) of the first metal pattern (12a) among two or more straight lines (L100u, L100v) respectively connecting the near corner (302a). An electronic circuit device characterized by points (100u).
上記第２の金属パターン（12b）のうち上記シャント抵抗（13）の第２の端辺部（301b）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる帯状の中央領域（R200）よりも外側の周辺領域（R210）には、上記電流流出ポイントおよび上記電流流入ポイントのいずれか他方である第２の電流ポイント（200）が設けられ、
上記第２の金属パターン（12b）のうち上記第２の電流ポイント（200）と上記シャント抵抗（13）の該第２の電流ポイント（200）に最も近い第２の角部（302b）とを結ぶ第２の境界線（L200）と該シャント抵抗（13）の第２の端辺部（301b）とを二辺とする平行四辺形状の内側領域（R201）には、上記絶縁基板（11）を貫通して該第２の金属パターン（12b）と上記放熱パターン（14）とを接続するビア（210）が形成され、
上記第２の金属パターン（12b）の内側領域（R201）におけるビア形成密度は、該第２の金属パターン（12b）のうち上記シャント抵抗（13）の第２の角部（302b）から該シャント抵抗（13）の幅方向に延びる第３の基準線（L201）と上記第２の電流ポイント（200）から該シャント抵抗（13）の長さ方向に延びる第４の基準線（L202）と上記第２の境界線（L200）とに囲まれた三角形状の外側領域（R202）におけるビア形成密度よりも高くなっている
ことを特徴とする電子回路装置。 In claim 1 or 2,
Out of the second metal pattern (12b) from the second central side (R200) extending in the length direction of the shunt resistor (13) from the second end side (301b) of the shunt resistor (13). The peripheral region (R210) is provided with a second current point (200) which is the other of the current outflow point and the current inflow point,
Of the second metal pattern (12b), the second current point (200) and the second corner (302b) of the shunt resistor (13) closest to the second current point (200) The insulating substrate (11) includes a parallelogram-shaped inner region (R201) having two sides of a second boundary line (L200) to be connected and a second end side (301b) of the shunt resistor (13 ). A via (210) that connects the second metal pattern (12b) and the heat dissipation pattern (14 ) is formed,
The via formation density in the inner region (R201) of the second metal pattern (12b) is such that the shunt from the second corner (302b) of the shunt resistor (13) in the second metal pattern (12b). A third reference line (L201) extending in the width direction of the resistor (13), a fourth reference line (L202) extending in the length direction of the shunt resistor (13) from the second current point (200), and the above An electronic circuit device characterized by being higher in via formation density in a triangular outer region (R202) surrounded by a second boundary line (L200).
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