JP2017203624A - Electronic circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置に関するものである。 The present invention relates to an electronic circuit device having a resistor for voltage detection.
電力変換装置などでは、電流値を検出するために、抵抗器(いわゆるシャント抵抗)を備えた電子回路装置が用いられることがある(例えば、特許文献1を参照)。特許文献1の例では、電流発生ポイントからパターン上に流出した電流がシャント抵抗を通過して電流流入ポイントに流入しており、シャント抵抗の両電極の間における電圧値を検出している。このシャント抵抗の抵抗値と検出された電圧値とに基づいてシャント抵抗を流れる電流の電流値を検出することができる。
In a power converter or the like, an electronic circuit device including a resistor (so-called shunt resistor) may be used to detect a current value (see, for example, Patent Document 1). In the example of
本願発明者が行った研究の結果、前記のような電子回路装置において以下のような現象が発生していることを見出した。すなわち、前記電子回路装置では、電流発生ポイントから流出した電流が導電パターン上を大きく広がりながら抵抗器(シャント抵抗)へ向って流れて抵抗器を通過し、その後、もう一方の導電パターン上で大きく広がった後に電流流入ポイントへ流入している。つまり、導電パターン上には種々の電流経路が存在し、それらの各経路の抵抗値は経路長によって異なるので、経路毎に電流値も異なることになる。すなわち、導電パターン上には電流値の分布が存在するのである。 As a result of research conducted by the present inventors, it has been found that the following phenomenon occurs in the electronic circuit device as described above. That is, in the electronic circuit device, the current flowing out from the current generation point flows toward the resistor (shunt resistor) while greatly spreading on the conductive pattern, passes through the resistor, and then greatly increases on the other conductive pattern. After spreading, it flows into the current inflow point. That is, there are various current paths on the conductive pattern, and the resistance value of each path differs depending on the path length, so that the current value also differs for each path. That is, a current value distribution exists on the conductive pattern.
とりわけ、電圧検出用のシャント抵抗を有した電子回路装置では、放熱性を考慮して導電パターンは所定の面積を確保するのが一般的であり、前記電流分布は大きくなりがちである。一般的に、シャント抵抗の電極は所定の幅を有しているので、このような電流分布が存在すると、電極の位置によって流れ込む電流の大きさが異なることになる。そして、その結果として、抵抗器の内部(抵抗体)では、電圧の分布を生じてしまう。このような電圧分布は、電圧の検出精度の低下に繋がるので好ましくない。 In particular, in an electronic circuit device having a shunt resistor for voltage detection, a conductive pattern generally has a predetermined area in consideration of heat dissipation, and the current distribution tends to be large. In general, an electrode of a shunt resistor has a predetermined width. Therefore, when such a current distribution exists, the magnitude of the current flowing varies depending on the position of the electrode. As a result, a voltage distribution is generated inside the resistor (resistor). Such a voltage distribution is not preferable because it leads to a decrease in voltage detection accuracy.
本発明は前記の問題に着目してなされたものであり、電圧検出用の抵抗器(シャント抵抗)を有した電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることを目的としている。 The present invention has been made paying attention to the above-described problem, and an object of the present invention is to improve the voltage detection accuracy by a resistor in an electronic circuit device having a voltage detection resistor (shunt resistor).
前記の課題を解決するため、第1の態様は、
絶縁基板(20)に配置された第1及び第2導電パターン(30,40)と、
前記第1導電パターン(30)に接続された所定幅の第1電極(51)と前記第2導電パターン(40)に接続された所定幅の第2電極(52)とを有した抵抗器(50)と、
を備え、
前記第1導電パターン(30)には、前記第1電極(51)の中央点(M1)と前記第2電極(52)の中央点(M2)とを結ぶ中心線(CL)からずれた位置に、配線を接続する第1接続点(P1)が形成され、前記第1接続点(P1)と前記第1電極(51)の中央点(M1)とを結ぶ仮想線(L1)よりも外側に切り欠き(30a)が形成されていることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, the first aspect is
First and second conductive patterns (30, 40) disposed on an insulating substrate (20);
A resistor having a first electrode (51) having a predetermined width connected to the first conductive pattern (30) and a second electrode (52) having a predetermined width connected to the second conductive pattern (40). 50),
With
The first conductive pattern (30) has a position shifted from a center line (CL) connecting the center point (M1) of the first electrode (51) and the center point (M2) of the second electrode (52). The first connection point (P1) for connecting the wiring is formed on the outer side of the imaginary line (L1) connecting the first connection point (P1) and the center point (M1) of the first electrode (51). A notch (30a) is formed in the surface.
この構成では、切り欠き(30a)を設けたことにより、仮想線(L1)よりも外側には電流が大きく拡がることができない。そのため、抵抗器(50)の第1電極(51)、第2電極(52)における電圧分布幅が縮小する。 In this configuration, since the notch (30a) is provided, the current cannot be greatly spread outside the virtual line (L1). Therefore, the voltage distribution width in the first electrode (51) and the second electrode (52) of the resistor (50) is reduced.
また、第2の態様は、第1の態様において、
前記第2導電パターン(40)は、前記切り欠き(30a)側に向って延びる延長部(40b)を有していることを特徴とする。
The second aspect is the first aspect,
The second conductive pattern (40) has an extension (40b) extending toward the notch (30a).
この構成では、延長部(40b)によって、抵抗器(50)等で発生した熱を放熱させることが可能になる。 In this configuration, the heat generated by the resistor (50) and the like can be radiated by the extension (40b).
また、第3の態様は、第1又は第2の態様において、
前記第1導電パターン(30)には、複数の第1接続点(P1-1,2,3)が設けられ、
前記切り欠き(30a)は、前記中心線(CL)から最も遠い位置にある前記第1接続点(P1-1)について定義した前記仮想線(L1)よりも外側に形成されていることを特徴とする。
Further, the third aspect is the first or second aspect,
The first conductive pattern (30) is provided with a plurality of first connection points (P1-1, 2, 3),
The notch (30a) is formed outside the virtual line (L1) defined for the first connection point (P1-1) located farthest from the center line (CL). And
この構成では、複数箇所に配線の接続点(P1-1,2,3)が設けられた電子回路装置において、抵抗器(50)における電圧分布幅が縮小する。 With this configuration, the voltage distribution width in the resistor (50) is reduced in the electronic circuit device in which the connection points (P1-1, 2, 3) of the wiring are provided at a plurality of locations.
また、第4の態様は、第1から第3の態様の何れかにおいて、
第2導電パターン(40)には、前記中心線(CL)からずれた位置に、配線を接続する第2接続点(P2)が形成され、前記第2接続点(P2)と前記第2電極(52)の中央点(M2)とを結ぶ仮想線(L2)よりも外側に切り欠き(40a)が形成されていることを特徴とする。
The fourth aspect is any one of the first to third aspects.
In the second conductive pattern (40), a second connection point (P2) for connecting a wiring is formed at a position shifted from the center line (CL). The second connection point (P2) and the second electrode A notch (40a) is formed outside an imaginary line (L2) connecting the center point (M2) of (52).
この構成では、第2導電パターン(40)においても、第1導電パターン(30)と同様に、切り欠き(40a)によって、仮想線(L2)よりも外側には電流が大きく拡がることができない。そのため、抵抗器(50)の第1電極(51)、第2電極(52)における電圧分布幅が更に縮小する。 With this configuration, in the second conductive pattern (40), as in the first conductive pattern (30), the current cannot be greatly spread outside the virtual line (L2) due to the notch (40a). Therefore, the voltage distribution width in the first electrode (51) and the second electrode (52) of the resistor (50) is further reduced.
また、第5の態様は、第4の態様において、
前記第1導電パターン(30)は、前記第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)側に向って延びる延長部(30b)を有していることを特徴とする。
Moreover, a 5th aspect is a 4th aspect.
The first conductive pattern (30) has an extension (30b) extending toward the notch (40a) side of the second conductive pattern (40).
この構成では、第1導電パターン(30)における延長部(30b)によって、抵抗器(50)等で発生した熱を放熱させることが可能になる。 In this configuration, the extension (30b) in the first conductive pattern (30) can dissipate heat generated by the resistor (50) and the like.
第1の態様によれば、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。 According to the first aspect, in the electronic circuit device having the voltage detection resistor, it is possible to improve the voltage detection accuracy by the resistor.
また、第2の態様によれば、放熱性の向上を図ることが可能になる。 Moreover, according to the 2nd aspect, it becomes possible to aim at the improvement of heat dissipation.
また、第3の態様によれば、複数箇所に配線の接続点が設けられた電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。 Moreover, according to the 3rd aspect, in the electronic circuit device provided with the connection point of wiring in several places, it becomes possible to aim at the improvement of the voltage detection precision by a resistor.
また、第4の態様によれば、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置において、より確実に、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。 According to the fourth aspect, in the electronic circuit device having the voltage detection resistor, it is possible to improve the voltage detection accuracy by the resistor more reliably.
また、第5の態様によれば、より確実に、放熱性の向上を図ることが可能になる。 Moreover, according to the 5th aspect, it becomes possible to improve heat dissipation more reliably.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following embodiments are essentially preferable examples, and are not intended to limit the scope of the present invention, its application, or its use.
《発明の実施形態1》
図1は、本発明の実施形態1に係る電子回路装置(10)を備えた電力変換器(1)の構成例を示す。電力変換器(1)は、電子回路装置(10)の他に、コンバータ(2)、電解コンデンサ(3)、インバータ(4)、電流検出回路(5)、及びコントローラ(6)を備えている。また、電力変換器(1)は、モータ(M)に接続される。例えば、モータ(M)は、埋込磁石同期モータ(IPM)により構成され、空気調和機の圧縮機(図示を省略)を駆動するために用いられる。
FIG. 1 shows a configuration example of a power converter (1) including an electronic circuit device (10) according to
コンバータ(2)は、交流電源(図示を省略)からの入力交流電圧を整流する。電解コンデンサ(3)は、コンバータ(2)とインバータ(4)とを接続する第1および第2配線(W1,W2)の間に接続され、コンバータ(2)の出力を平滑化する。インバータ(4)は、電解コンデンサ(3)によって生成された直流電圧を出力交流電圧(この例では、三相交流電圧)に変換してモータ(M)に供給する。この例では、インバータ(4)は、6つのスイッチング素子(Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz)と、6つの還流ダイオード(Du,Dv,Dw,Dx,Dy,Dz)とを有している。スイッチング素子(Su,Sv,Sw)とスイッチング素子(Sx,Sy,Sz)との各接続点は、モータ(M)の各相のコイル(u相,v相,w相のコイル)にそれぞれ接続されている。還流ダイオード(Du,Dv,Dw,Dx,Dy,Dz)は、それぞれ、スイッチング素子(Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz)に逆並列に接続されている。 The converter (2) rectifies an input AC voltage from an AC power source (not shown). The electrolytic capacitor (3) is connected between the first and second wirings (W1, W2) connecting the converter (2) and the inverter (4), and smoothes the output of the converter (2). The inverter (4) converts the DC voltage generated by the electrolytic capacitor (3) into an output AC voltage (in this example, a three-phase AC voltage) and supplies it to the motor (M). In this example, the inverter (4) has six switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz) and six freewheeling diodes (Du, Dv, Dw, Dx, Dy, Dz). ing. Each connection point of switching element (Su, Sv, Sw) and switching element (Sx, Sy, Sz) is connected to each phase coil (u-phase, v-phase, w-phase coil) of motor (M). Has been. The free-wheeling diodes (Du, Dv, Dw, Dx, Dy, Dz) are respectively connected in antiparallel to the switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz).
電子回路装置(10)は、シャント抵抗となる抵抗器(50)を備えている。この電子回路装置(10)は、電力変換器(1)内の配線上(この例では、第1配線(W1))に設けられている。電子回路装置(10)の構成については、後に詳述する。 The electronic circuit device (10) includes a resistor (50) serving as a shunt resistor. The electronic circuit device (10) is provided on the wiring in the power converter (1) (in this example, the first wiring (W1)). The configuration of the electronic circuit device (10) will be described in detail later.
また、電流検出回路(5)は、抵抗器(50)の両電極間の電圧値と抵抗器(50)の抵抗値に基づいて抵抗器(50)を流れる電流の電流値を検出する。なお、抵抗器(50)を流れる電流の電流値は、モータ(M)に流れる電流の電流値に対応している。コントローラ(6)は、電流検出回路(5)によって検出された電流値(すなわち、モータ(M)に流れる電流の電流値)に基づいて、インバータ(4)のスイッチング素子(Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz)にゲート信号(G)を供給してスイッチング素子(Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz)のスイッチング動作を制御する。 The current detection circuit (5) detects the current value of the current flowing through the resistor (50) based on the voltage value between both electrodes of the resistor (50) and the resistance value of the resistor (50). The current value of the current flowing through the resistor (50) corresponds to the current value of the current flowing through the motor (M). Based on the current value detected by the current detection circuit (5) (that is, the current value of the current flowing through the motor (M)), the controller (6) switches the switching elements (Su, Sv, Sw, A gate signal (G) is supplied to Sx, Sy, Sz to control the switching operation of the switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz).
〈電子回路装置の詳細〉
図2は、電子回路装置(10)の構成例を示す。図2は、電子回路装置(10)の平面図である。図2に示すように、電子回路装置(10)は、絶縁基板(20)、第1導電パターン(30)、第2導電パターン(40)、及び抵抗器(50)を備えている。また、図3は、電子回路装置(10)における抵抗器(50)付近の拡大図である。図3に示すように、抵抗器(50)には、第1引出配線(60)、及び第2引出配線(70)が設けられている。
<Details of electronic circuit device>
FIG. 2 shows a configuration example of the electronic circuit device (10). FIG. 2 is a plan view of the electronic circuit device (10). As shown in FIG. 2, the electronic circuit device (10) includes an insulating substrate (20), a first conductive pattern (30), a second conductive pattern (40), and a resistor (50). FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the resistor (50) in the electronic circuit device (10). As shown in FIG. 3, the resistor (50) is provided with a first lead wire (60) and a second lead wire (70).
−抵抗器−
抵抗器(50)は、第1電極(51)、第2電極(52)、及び抵抗体(53)を備えている。この例では、抵抗体(53)は、平面視が長方形の平板状であり、抵抗体(53)の長手方向の2つの辺(長辺)の一方に沿って第1電極(51)が形成され、他方の長辺に沿って第2電極(52)が形成されている。なお、この例では、第1電極(51)及び第2電極(52)は、抵抗体(53)の長辺の全長に亘って形成され、それらの電極(51,52)の平面視は、抵抗体(53)の長手方向が長辺となる長方形であるものとする。
-Resistor-
The resistor (50) includes a first electrode (51), a second electrode (52), and a resistor (53). In this example, the resistor (53) has a rectangular plate shape in plan view, and the first electrode (51) is formed along one of the two sides (long sides) in the longitudinal direction of the resistor (53). The second electrode (52) is formed along the other long side. In this example, the first electrode (51) and the second electrode (52) are formed over the entire length of the long side of the resistor (53), and the plan view of these electrodes (51, 52) is: It is assumed that the resistor (53) is a rectangle having a long side in the longitudinal direction.
−絶縁基板、導電パターン−
絶縁基板(20)は、平板状の絶縁材料(例えば、ガラスエポキシ樹脂)で構成されている。第1導電パターン(30)及び第2導電パターン(40)は、薄膜状に形成された導電材料(例えば、銅,銅合金,アルミニウム,アルミニウム合金など)で構成され、所定の間隔をおいて絶縁基板(20)の一方の面に設けられている。この例では、第1導電パターン(30)は、図1に示した第1配線(W1)のうち、抵抗器(50)とインバータ(4)との間の配線部に対応し、第2導電パターン(40)は、図1に示した第1配線(W1)のうちコンバータ(2)と抵抗器(50)との間の配線部に対応している。
-Insulating substrate, conductive pattern-
The insulating substrate (20) is made of a flat insulating material (for example, glass epoxy resin). The first conductive pattern (30) and the second conductive pattern (40) are made of a conductive material (eg, copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, etc.) formed into a thin film, and are insulated at a predetermined interval. It is provided on one surface of the substrate (20). In this example, the first conductive pattern (30) corresponds to the wiring portion between the resistor (50) and the inverter (4) in the first wiring (W1) shown in FIG. The pattern (40) corresponds to the wiring portion between the converter (2) and the resistor (50) in the first wiring (W1) shown in FIG.
この例では、第1及び第2導電パターン(30,40)は、図2に示すように、平面視で、長方形の1つの角を三角形状に切り欠いた形状である。また、第1導電パターン(30)と第2導電パターン(40)とは、互いに1つの辺(31,41)が平行になるように配置されている。これらの辺(31,41)の間隔(D0)は、抵抗体(53)の短手方向の長さよりも小さく設定されている。 In this example, as shown in FIG. 2, the first and second conductive patterns (30, 40) have a shape in which one corner of a rectangle is cut out in a triangular shape in plan view. The first conductive pattern (30) and the second conductive pattern (40) are arranged such that one side (31, 41) is parallel to each other. The distance (D0) between these sides (31, 41) is set smaller than the length of the resistor (53) in the short direction.
図3に示すように、抵抗器(50)は、第1導電パターン(30)と第2導電パターン(40)とを跨ぐように取り付けられている。詳しくは、抵抗体(53)は、辺(31)の縁部(E1)に第1電極(51)がハンダなどによって接続され、辺(41)の縁部(E2)に第2電極(52)がハンダなどによって接続されている。なお、第1電極(51)の長辺は、辺(31)と概ね平行であり、第2電極(52)の長辺は、辺(41)と概ね平行である。 As shown in FIG. 3, the resistor (50) is attached so as to straddle the first conductive pattern (30) and the second conductive pattern (40). Specifically, in the resistor (53), the first electrode (51) is connected to the edge (E1) of the side (31) by solder or the like, and the second electrode (52) is connected to the edge (E2) of the side (41). ) Are connected by soldering. The long side of the first electrode (51) is substantially parallel to the side (31), and the long side of the second electrode (52) is substantially parallel to the side (41).
また、図2に示すように、第1導電パターン(30)には、配線を接続する第1接続点(P1)が形成され、第2導電パターン(40)にも、配線を接続する第2接続点(P2)が形成されている。この例では、第1接続点(P1)は、電子回路装置(10)の外部から電流が流れ込む箇所(電流発生箇所)であり、第2接続点(P2)は、抵抗器(50)からの電流が流れ込む箇所であって、電子回路装置(10)の外部に電流が流出する箇所でもある(図2参照)。 Further, as shown in FIG. 2, the first conductive pattern (30) is provided with a first connection point (P1) for connecting the wiring, and the second conductive pattern (40) is also connected to the second conductive pattern (40). A connection point (P2) is formed. In this example, the first connection point (P1) is a location (current generation location) where current flows from the outside of the electronic circuit device (10), and the second connection point (P2) is from the resistor (50). This is where the current flows and also where the current flows out of the electronic circuit device (10) (see FIG. 2).
ここで、第1電極(51)の中央点(M1)と第2電極(52)の中央点(M2)とを結ぶ仮想線(以下、中心線(CL)と呼ぶ)を定義する。この第1電極(51)の中央点(M1)とは、第1電極(51)の長辺の中点であり、ここでの長辺は、第1電極(51)の2つの長辺の内、抵抗体(53)の外側寄りの辺である(図3を参照)。同様に、第2電極(52)の中央点(M2)とは、第2電極(52)の長辺の中点である。ここでも、第2電極(52)の2つの長辺の内、抵抗体(53)の外側寄りの辺に着目して中央点(M2)を規定している。 Here, a virtual line (hereinafter referred to as a center line (CL)) connecting the center point (M1) of the first electrode (51) and the center point (M2) of the second electrode (52) is defined. The center point (M1) of the first electrode (51) is the midpoint of the long side of the first electrode (51), and the long side here is the two long sides of the first electrode (51). This is the outer side of the resistor (53) (see FIG. 3). Similarly, the center point (M2) of the second electrode (52) is the midpoint of the long side of the second electrode (52). Here, the center point (M2) is defined by paying attention to the outer side of the resistor (53) among the two long sides of the second electrode (52).
図2に示すように、この中心線(CL)を基準として第1接続点(P1)を見ると、第1接続点(P1)は、中心線(CL)よりも、第1導電パターン(30)の端部(図2では、中心線(CL)よりも下方の端部)に近い位置に設けられている。つまり、第1接続点(P1)は、中心線(CL)からずれた位置にある。同様に、第2接続点(P2)も中心線(CL)からずれた位置に設けられている。具体的には、第2接続点(P2)は、中心線(CL)よりも、第2導電パターン(40)の端部(図2では、中心線(CL)よりも上方の端部)に近い位置である。 As shown in FIG. 2, when the first connection point (P1) is viewed on the basis of the center line (CL), the first connection point (P1) is closer to the first conductive pattern (30 than the center line (CL). ) (In FIG. 2, it is provided at a position close to the lower end of the center line (CL)). That is, the first connection point (P1) is at a position shifted from the center line (CL). Similarly, the second connection point (P2) is also provided at a position shifted from the center line (CL). Specifically, the second connection point (P2) is closer to the end of the second conductive pattern (40) than the center line (CL) (in FIG. 2, the end above the center line (CL)). Close position.
そして、既述した通り、第1及び第2導電パターン(30,40)は、長方形の1つの角を切り欠いた形状である。具体的には、第1導電パターン(30)の切り欠き(30a)は、第1接続点(P1)と第1電極(51)の中央点(M1)とを結ぶ仮想線(L1)よりも外側に形成されている。ここでの「仮想線(L1)よりも外側」とは、中心線(CL)から第1接続点(P1)に向かう方向に、該仮想線(L1)よりも遠ざかる側である。これを図2で見ると、切り欠き(30a)は、仮想線(L1)の下方に設けられており、とりわけ、この電子回路装置(10)では、第1接続点(P1)と第1電極(51)とを最短で結ぶ仮想線(最短仮想線(L3))からやや外側には第1導電パターン(30)が存在しない。なお、第1導電パターン(30)では、仮想線(L1)よりも内側には、切り欠きを設けていない。 As described above, the first and second conductive patterns (30, 40) have a shape in which one corner of a rectangle is cut out. Specifically, the notch (30a) of the first conductive pattern (30) is more than the virtual line (L1) connecting the first connection point (P1) and the center point (M1) of the first electrode (51). It is formed on the outside. Here, “outside the imaginary line (L1)” is the side farther from the imaginary line (L1) in the direction from the center line (CL) to the first connection point (P1). As seen in FIG. 2, the notch (30a) is provided below the imaginary line (L1). In particular, in this electronic circuit device (10), the first connection point (P1) and the first electrode The first conductive pattern (30) does not exist slightly outside the imaginary line (the shortest imaginary line (L3)) that connects (51) with the shortest distance. In the first conductive pattern (30), no notch is provided on the inner side of the virtual line (L1).
同様に、第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)は、第2接続点(P2)と第2電極(52)の中央点(M2)とを結ぶ仮想線(L2)よりも外側に形成されている。この場合、「仮想線(L2)よりも外側」とは、中心線(CL)から第2接続点(P2)に向かう方向に、該仮想線(L2)よりも遠ざかる側である。これを図2で見ると、切り欠き(40a)は、仮想線(L2)の上方に設けられており、とりわけ、この電子回路装置(10)では、第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)は、第2接続点(P2)と第2電極(52)とを最短で結ぶ仮想線(最短仮想線(L4))からやや外側には第2導電パターン(40)が存在しない。なお、第2導電パターン(40)では、仮想線(L2)よりも内側には、切り欠きを設けていない。 Similarly, the notch (40a) of the second conductive pattern (40) is outside the imaginary line (L2) connecting the second connection point (P2) and the center point (M2) of the second electrode (52). Is formed. In this case, “outside the imaginary line (L2)” is the side farther from the imaginary line (L2) in the direction from the center line (CL) to the second connection point (P2). When this is seen in FIG. 2, the notch (40a) is provided above the virtual line (L2). In particular, in this electronic circuit device (10), the notch (2) of the second conductive pattern (40) In 40a), the second conductive pattern (40) does not exist slightly outside the imaginary line (shortest imaginary line (L4)) that connects the second connection point (P2) and the second electrode (52) at the shortest. In the second conductive pattern (40), no notch is provided inside the virtual line (L2).
−切り欠きの作用−
図4は、導電パターンに切り欠きがない電子回路装置(以下、従来例と呼ぶ)における電流経路を模式的に示す。図4では、電流経路を破線で示してある。従来例では、電流発生箇所(P100)において発生した電流は、該電流発生箇所(P100)が設けられている導電パターン(300)上をシャント抵抗(500)に向って流れる。この時、図4に示すように、導電パターン(300)上には、複数の電流経路が形成されており、従来例では、これらの電流経路を流れた電流は、最終的にはシャント抵抗(500)の電極(501)に集まってくる。
-Action of notches-
FIG. 4 schematically shows a current path in an electronic circuit device (hereinafter referred to as a conventional example) in which a conductive pattern is not cut. In FIG. 4, the current path is indicated by a broken line. In the conventional example, the current generated at the current generation location (P100) flows toward the shunt resistor (500) on the conductive pattern (300) provided with the current generation location (P100). At this time, as shown in FIG. 4, a plurality of current paths are formed on the conductive pattern (300). In the conventional example, the current flowing through these current paths is finally shunt resistance ( 500) electrode (501).
これらの電流経路には、導電パターン(300)上を大きく拡がっているものがある。また、これらの電流経路の中には、シャント抵抗(500)の電極(501)の端点(A)と電流発生箇所(P100)とを直線で結ぶ最短の電流経路(最短経路)もあり、この最短経路はこれらの電流経路の中で抵抗値が最も小さい。そのため、従来例では、この最短経路において、電流値が最も大きくなる。つまり、従来例の電極(501)では、端点(A)から端点(B)の間の各点で流れ込む電流の大きさが異なるのである。一般的に、シャント抵抗(500)は、均一な抵抗値を持つ抵抗体(502)を有しているので、電極(501)の位置によって電流値が異なると、電極(501)において電圧分布を生ずることになる。つまり、シャント抵抗(500)では、電極(501)の位置よって検出される電圧が異なるのである。 Some of these current paths greatly extend on the conductive pattern (300). Among these current paths, there is also the shortest current path (shortest path) that connects the end point (A) of the electrode (501) of the shunt resistor (500) and the current generation location (P100) with a straight line. The shortest path has the smallest resistance value among these current paths. Therefore, in the conventional example, the current value is the largest in this shortest path. That is, in the conventional electrode (501), the magnitude of the current flowing at each point between the end point (A) and the end point (B) is different. Generally, since the shunt resistor (500) has a resistor (502) having a uniform resistance value, if the current value varies depending on the position of the electrode (501), the voltage distribution in the electrode (501) is reduced. Will occur. That is, in the shunt resistor (500), the detected voltage differs depending on the position of the electrode (501).
図5に、従来例の抵抗器における、電極(501)上の位置と検出される電圧との関係(以下、電圧分布曲線と呼ぶ)を破線で示す。図5における位置(A)、位置(B)は、電極(501)の端点(A)、端点(B)にそれぞれ対応し、位置(M1,M2)は、電極(501)の中央点(M1)に対応している。図5に示すように、電極(501)では、両端(A,B)で検出される電圧が最も高く、中央点(M1,M2)(位置(A)と位置(B)の中点)で検出される電圧が最も低くなっている。なお、この例では、電圧分布曲線は左右対称である。 In FIG. 5, the relationship between the position on the electrode (501) and the detected voltage (hereinafter referred to as a voltage distribution curve) in a conventional resistor is shown by a broken line. The positions (A) and (B) in FIG. 5 correspond to the end points (A) and (B) of the electrode (501), respectively, and the positions (M1, M2) are the center points (M1) of the electrode (501). ). As shown in FIG. 5, in the electrode (501), the voltage detected at both ends (A, B) is the highest, and at the center point (M1, M2) (midpoint of position (A) and position (B)) The detected voltage is the lowest. In this example, the voltage distribution curve is symmetrical.
そして、図6は、本実施形態の電子回路装置(10)における電流経路を模式的に示す。図6でも、電流経路を破線で示してある。図6に示すように、第1及び第2導電パターン(30,40)上には、複数の電流経路が形成されている。また、図5に、抵抗器(50)における電圧分布曲線を実線で示す。抵抗器(50)の電圧分布曲線に関しても、図5における位置(A)、位置(B)は、第1電極(51)の端点(A)、端点(B)にそれぞれ対応し、位置(M1,M2)は、第1電極(51)の中央点(M1)(或いは中央点(M2))に対応している。抵抗器(50)でも、両端(A,B)で検出される電圧が最も高く、中央点(M1,M2)で検出される電圧が最も低くなっている。また、抵抗器(50)でも、電圧分布曲線は左右対称となっている。 FIG. 6 schematically shows a current path in the electronic circuit device (10) of the present embodiment. Also in FIG. 6, the current path is indicated by a broken line. As shown in FIG. 6, a plurality of current paths are formed on the first and second conductive patterns (30, 40). FIG. 5 shows a voltage distribution curve in the resistor (50) with a solid line. Regarding the voltage distribution curve of the resistor (50), the position (A) and the position (B) in FIG. 5 correspond to the end point (A) and the end point (B) of the first electrode (51), respectively, and the position (M1 , M2) corresponds to the center point (M1) (or center point (M2)) of the first electrode (51). Also in the resistor (50), the voltage detected at both ends (A, B) is the highest, and the voltage detected at the center point (M1, M2) is the lowest. The voltage distribution curve is also symmetrical in the resistor (50).
本実施形態の第1導電パターン(30)では、仮想線(L1)よりも外側に切り欠き(30a)が形成されているので、図6に示すように、仮想線(L1)よりも外側には電流が大きく拡がることができない。そのため、本実施形態では、第1電極(51)の端点(A)に流れ込む電流の経路は、従来例と比べて短くなる。すなわち、本実施形態では、第1接続点(P1)から第1電極(51)の端点(A)へ向かう電流経路の抵抗値が減少し、その結果、端点(A)における検出電圧が下がることになる。 In the first conductive pattern (30) of the present embodiment, the notch (30a) is formed outside the imaginary line (L1). Therefore, as shown in FIG. 6, it is located outside the imaginary line (L1). The current cannot spread greatly. Therefore, in this embodiment, the path of the current flowing into the end point (A) of the first electrode (51) is shorter than that in the conventional example. That is, in this embodiment, the resistance value of the current path from the first connection point (P1) to the end point (A) of the first electrode (51) decreases, and as a result, the detection voltage at the end point (A) decreases. become.
また、従来、仮想線(L1)よりも外側に広がってから端点(A)に流れ込んでいた電流は、端点(B)寄りの、第1電極(51)上の点に流れ込むようになる。それにより、本実施形態では、電流検出位置(一般的には電極の中央)の検出電圧が上がることになる。すなわち、抵抗器(50)の電極(51,52)における電圧分布幅(検出電圧誤差(ΔV))が縮小するのである(図5の実線を参照)。なお、検出電圧誤差(ΔV)は、抵抗器(50)の電極(51,52)における電圧分布幅であり、より具体的には電圧分布の最大電圧と最小電圧との差である。そして、第2導電パターン(40)でも同様に、端点(A)から拡がってから第2接続点(P2)に流れ込む電流が減少し、この点からも、抵抗器(50)における電圧分布幅(検出電圧誤差(ΔV))が縮小する。 Conventionally, the current that has flown outside the virtual line (L1) and has flown into the end point (A) flows into a point on the first electrode (51) that is closer to the end point (B). Thereby, in the present embodiment, the detection voltage at the current detection position (generally the center of the electrode) is increased. That is, the voltage distribution width (detected voltage error (ΔV)) at the electrodes (51, 52) of the resistor (50) is reduced (see the solid line in FIG. 5). The detected voltage error (ΔV) is a voltage distribution width at the electrodes (51, 52) of the resistor (50), and more specifically, a difference between the maximum voltage and the minimum voltage of the voltage distribution. Similarly, in the second conductive pattern (40), the current flowing into the second connection point (P2) after spreading from the end point (A) decreases, and from this point, the voltage distribution width ( Detection voltage error (ΔV)) is reduced.
−切り欠きの大きさ−
図7は、切り欠きの大きさと検出電圧誤差(ΔV)との関係を示す。図7には、複数種類の切り欠き割合について検出電圧誤差(ΔV)をシミュレーションで求めて、切り欠きが無い場合の検出電圧誤差(ΔV)に対する比を改善率(%)としてプロットしてある。ここで、切り欠き割合(%)とは、図8に示すように、第1導電パターン(30)では、第1導電パターン(30)の端部から抵抗器(50)の端部までの距離(X)と、第1導電パターン(30)の端部から、辺(31)上における切り欠き(30a)の起点までの距離(Y)との比(Y/X)である。なお、この例では、X=20.1mm(固定値)である。勿論、この値は例示である。また、このシミュレーションでは、辺(32)上における切り欠き(30a)の起点は、固定値である。この固定値としては、例えば、第1接続点(P1)や第2接続点(P2)の位置を考慮した上で可能な最大値とすることが考えられ、この例では、20mmとした。勿論、この値は例示である。なお、第2導電パターン(40)における切り欠き割合(%)の定義も第1導電パターン(30)における定義と同様である(図8を参照)。
−Size of cutout−
FIG. 7 shows the relationship between the size of the notch and the detected voltage error (ΔV). In FIG. 7, the detection voltage error (ΔV) is obtained by simulation for a plurality of notch ratios, and the ratio to the detection voltage error (ΔV) when there is no notch is plotted as an improvement rate (%). Here, the notch ratio (%) means the distance from the end of the first conductive pattern (30) to the end of the resistor (50) in the first conductive pattern (30) as shown in FIG. The ratio (Y / X) between (X) and the distance (Y) from the end of the first conductive pattern (30) to the starting point of the notch (30a) on the side (31). In this example, X = 20.1 mm (fixed value). Of course, this value is exemplary. In this simulation, the starting point of the notch (30a) on the side (32) is a fixed value. As this fixed value, for example, it is possible to consider the maximum possible value in consideration of the positions of the first connection point (P1) and the second connection point (P2). In this example, the fixed value is 20 mm. Of course, this value is exemplary. The definition of the notch ratio (%) in the second conductive pattern (40) is the same as the definition in the first conductive pattern (30) (see FIG. 8).
そして、シミュレーションにおいて切り欠き割合(%)を変える場合には、距離(Y)を変更している。すなわち、Y=0の場合が切り欠き割合=0%であって、切り欠きが無い導電パターンに相当する。また、Y=Xの場合が切り欠き割合=100%である。図2の例(本実施形態)は、切り欠き割合=100%の形状に相当し、図4の例は、切り欠き割合=0%(すなわち従来例)に相当する。 When changing the notch ratio (%) in the simulation, the distance (Y) is changed. That is, when Y = 0, the notch ratio = 0%, which corresponds to a conductive pattern having no notch. Further, when Y = X, the notch ratio = 100%. The example of FIG. 2 (this embodiment) corresponds to a shape with a notch ratio = 100%, and the example of FIG. 4 corresponds to a notch ratio = 0% (that is, a conventional example).
図7に示したシミュレーション結果は、第1導電パターン(30)の切り欠き(30a)と、第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)の双方を同じ切り欠き割合で形成した例であり、切り欠き割合=80%以上となると改善効果が現れている。 The simulation result shown in FIG. 7 is an example in which both the cutout (30a) of the first conductive pattern (30) and the cutout (40a) of the second conductive pattern (40) are formed at the same cutout ratio. When the notch ratio is 80% or more, an improvement effect appears.
〈本実施形態における効果〉
以上のように、本実施形態によれば、電圧検出用の抵抗器(シャント抵抗)を有した電子回路装置において、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。
<Effect in this embodiment>
As described above, according to this embodiment, in the electronic circuit device having the voltage detection resistor (shunt resistor), it is possible to improve the voltage detection accuracy by the resistor.
《発明の実施形態2》
図9は、実施形態2に係る電子回路装置(10)の平面図である。この例は、実施形態1の第1導電パターン(30)及び第2導電パターン(40)のそれぞれの形状を変更したものである。具体的に、本実施形態では、第1導電パターン(30)は、第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)側に向って延びる延長部(30b)を有し、第2導電パターン(40)は、第1導電パターン(30)の切り欠き(30a)側に向って延びる延長部(40b)を有している。この例では、それぞれの延長部(30b,40b)は、対向している切り欠き(30a,40a)の形状に合わせて三角形状である。なお、図9では、延長部(30b)及び延長部(40b)にハッチングを付してある。この延長部(30b)や延長部(40b)では、抵抗器(50)等で発生した熱を放熱させることが可能になる。つまり、本実施形態では、第1及び第2導電パターン(30,40)の面積が実施形態1に比べて増えたことによって、放熱効果を高めることが可能になる。
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FIG. 9 is a plan view of the electronic circuit device (10) according to the second embodiment. In this example, the shapes of the first conductive pattern (30) and the second conductive pattern (40) of the first embodiment are changed. Specifically, in the present embodiment, the first conductive pattern (30) has an extension (30b) extending toward the notch (40a) side of the second conductive pattern (40), and the second conductive pattern (30) 40) has an extension part (40b) extending toward the notch (30a) side of the first conductive pattern (30). In this example, each extension part (30b, 40b) is triangular according to the shape of the notch (30a, 40a) which has opposed. In FIG. 9, the extension part (30b) and the extension part (40b) are hatched. The extension (30b) and the extension (40b) can dissipate heat generated by the resistor (50) and the like. That is, in the present embodiment, the area of the first and second conductive patterns (30, 40) is increased compared to the first embodiment, so that the heat dissipation effect can be enhanced.
一方、延長部(30b)や延長部(40b)を設けても検出電圧誤差(ΔV)の増大には繋がらない。この例では、延長部(30b)は、第1電極(51)の端点(B)よりも外側に位置しており、第1接続点(P1)から第1電極(51)に向かう電流の電流経路がこの部分に形成されることはない。そのため、延長部(30b)を設けても、検出電圧誤差(ΔV)が実施形態1と比べて増大することは無い。なお、「第1電極(51)の端点(B)よりも外側」とは、中心線(CL)から第1電極(51)の端点(B)に向かう方向に、該端点(B)よりも遠ざかる側をいう。 On the other hand, even if the extension (30b) and the extension (40b) are provided, the detection voltage error (ΔV) does not increase. In this example, the extension part (30b) is located outside the end point (B) of the first electrode (51), and the current flowing from the first connection point (P1) toward the first electrode (51) A path is not formed in this part. Therefore, even if the extension part (30b) is provided, the detection voltage error (ΔV) does not increase compared to the first embodiment. Note that “outside the end point (B) of the first electrode (51)” means that the center line (CL) is closer to the end point (B) of the first electrode (51) than the end point (B). The side that goes away.
同様に、延長部(40b)は、第2電極(52)の端点(B)よりも外側に位置しており、第2電極(52)から第2接続点(P2)に向かう電流の電流経路が形成されることはない。そのため、この点においても、延長部(40b)を設けても、検出電圧誤差(ΔV)が実施形態1と比べて増大することは無い。なお、「第2電極(52)の端点(B)よりも外側」とは、中心線(CL)から第2電極(52)の端点(B)に向かう方向に、該端点(B)よりも遠ざかる側をいう。 Similarly, the extension (40b) is located outside the end point (B) of the second electrode (52), and the current path of the current from the second electrode (52) to the second connection point (P2) Is not formed. Therefore, also in this respect, even if the extension portion (40b) is provided, the detection voltage error (ΔV) does not increase as compared with the first embodiment. Note that “outside the end point (B) of the second electrode (52)” means that the center line (CL) is closer to the end point (B) of the second electrode (52) than the end point (B). The side that goes away.
なお、各延長部(30b,40b)の形状は例示であり、三角形状である必要はない。また、第1及び第2導電パターン(30,40)の一方にのみ延長部を設けるようにしてもよい。 In addition, the shape of each extension part (30b, 40b) is an illustration, and does not need to be triangular. Moreover, you may make it provide an extension part only in one side of a 1st and 2nd conductive pattern (30,40).
《実施形態2の変形例》
図10は、実施形態2の変形例に係る電子回路装置(10)の平面図である。この例は、実施形態2の電子回路装置(10)における第1導電パターン(30)に変更を加えたものである。具体的に、本変形例の第1導電パターン(30)には、複数個(この例では3個)の第1接続点(P1)が設けられている。これは、インバータ(4)が3相交流を出力する場合において、各相の電流値を1つの抵抗器(50)で検出する場合に採用される構成の1つである。なお、図10では、各第1接続点(P1)を識別するため、参照符合の末尾に枝番を付してある(例えばP1-1,P1-2等)。
<< Modification of
FIG. 10 is a plan view of an electronic circuit device (10) according to a modification of the second embodiment. In this example, the first conductive pattern (30) in the electronic circuit device (10) of the second embodiment is modified. Specifically, the first conductive pattern (30) of the present modification is provided with a plurality (three in this example) of first connection points (P1). This is one of the configurations adopted when the current value of each phase is detected by one resistor (50) when the inverter (4) outputs a three-phase alternating current. In FIG. 10, in order to identify each first connection point (P1), a branch number is added to the end of the reference symbol (for example, P1-1, P1-2, etc.).
このように複数個の第1接続点(P1)が存在する場合には、第1導電パターン(30)の切り欠き(30a)は、中心線(CL)から最も遠い位置にある第1接続点(P1)について定義した仮想線(L1)よりも外側に形成するとよい。図10の例では、中心線(CL)から最も遠い位置にあるのは第1接続点(P1-1)であり、切り欠き(30a)は、第1接続点(P1-1)について定義した仮想線(L1)よりも外側(図10の例では仮想線(L1)よりも下側)に形成されている。これにより、第1電極(51)における電位分布をより小さくすることが可能になる。したがって、本変形例でも前記実施形態と同様の効果を得ることが可能になる。 When there are a plurality of first connection points (P1) in this way, the notch (30a) of the first conductive pattern (30) is the first connection point located farthest from the center line (CL). It may be formed outside the virtual line (L1) defined for (P1). In the example of FIG. 10, the first connection point (P1-1) is located farthest from the center line (CL), and the notch (30a) is defined for the first connection point (P1-1). It is formed outside the virtual line (L1) (lower than the virtual line (L1) in the example of FIG. 10). As a result, the potential distribution in the first electrode (51) can be further reduced. Therefore, it is possible to obtain the same effect as that of the above embodiment also in this modification.
《発明の実施形態3》
図11は、本発明の実施形態3に係る電子回路装置(10)の平面図である。この例も、第1及び第2導電パターン(30,40)の放熱性を向上させたものである。具体的に、本実施形態では、図11に示すように、第1導電パターン(30)は、辺(31)に連なる辺(32)を起点として、辺(31)には至らない深さで、且つ仮想線(L1)に平行な切り込みによって、切り欠き(30a)を形成してある。この切り欠き(30a)も、他の実施形態と同様に、中心線(CL)から第1接続点(P1)に向かう方向に、該仮想線(L1)よりも遠ざかる側(外側)に位置している。また、この例では、切り欠き(30a)の幅を調整することによって、切り欠き(30a)よりも外側に、第1導電パターン(30)の一部を残してある(以下、残存部分(30c)と呼ぶ)。これを図11で見ると、切り欠き(30a)は、仮想線(L1)の下方である。また、この例では、三角形状の残存部分(30c)がある。
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FIG. 11 is a plan view of an electronic circuit device (10) according to
同様に、第2導電パターン(40)にも、辺(41)に連なる辺(42)を起点として、辺(41)には至らない深さで、且つ仮想線(L2)に平行な切り込みによって、切り欠き(40a)を形成してある。この切り欠き(40a)も、中心線(CL)から第2接続点(P2)に向かう方向に、仮想線(L2)よりも遠ざかる側(外側)に形成してある。また、第2導電パターン(40)でも、切り欠き(40a)の幅を調整することによって、切り欠き(40a)よりも外側に、第2導電パターン(40)の一部を残してある(以下、残存部分(40c)と呼ぶ)。これを図11で見ると、切り欠き(40a)は、仮想線(L2)の上方である。また、この例では、三角形状の残存部分(40c)がある。 Similarly, the second conductive pattern (40) also has a depth that does not reach the side (41) from the side (42) connected to the side (41) and is parallel to the imaginary line (L2). A notch (40a) is formed. This notch (40a) is also formed on the side (outside) away from the virtual line (L2) in the direction from the center line (CL) toward the second connection point (P2). Also, in the second conductive pattern (40), a part of the second conductive pattern (40) is left outside the notch (40a) by adjusting the width of the notch (40a) (hereinafter referred to as “the second conductive pattern (40a)”). , Called the remaining part (40c)). Looking at this in FIG. 11, the notch (40a) is above the imaginary line (L2). In this example, there is a triangular remaining portion (40c).
以上のように、本実施形態では、残存部分(30c)や残存部分(40c)を設けたことによって、実施形態1に比べ、第1及び第2導電パターン(30,40)の放熱面積を増やすことが可能になる。また、第1導電パターン(30)では、仮想線(L1)の外側(図11では、仮想線(L1)よりも下側)に回り込む電流が非常に少なく、且つ第2導電パターン(40)でも、仮想線(L2)の外側(図11では、仮想線(L2)よりも上側)に回り込む電流が非常に少ない。したがって、本実施形態でも、抵抗器の放熱性の向上を図りつつ、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。 As described above, in this embodiment, by providing the remaining portion (30c) and the remaining portion (40c), the heat radiation area of the first and second conductive patterns (30, 40) is increased as compared with the first embodiment. It becomes possible. Further, in the first conductive pattern (30), the current that wraps around the imaginary line (L1) (below the imaginary line (L1) in FIG. 11) is very small, and the second conductive pattern (40) The current that wraps around the outside of the imaginary line (L2) (in FIG. 11, above the imaginary line (L2)) is very small. Therefore, also in this embodiment, it is possible to improve the voltage detection accuracy by the resistor while improving the heat dissipation of the resistor.
《実施形態3の変形例》
図12は、実施形態3の変形例に係る電子回路装置(10)の平面図である。この例は、切り欠き(30a,40a)の形状が実施形態3とは異なっている。具体的にこの例では、第1導電パターン(30)は、辺(31)に連なる辺(32)から、辺(31)には至らない深さで、三角形状の切り欠き(30a)を形成している。その結果、この例では、第1導電パターン(30)の残存部分(30c)は略長方形である。また、第2導電パターン(40)にも同様に、三角形状の切り欠き(40a)を形成してあり、第2導電パターン(40)の残存部分(40c)も略長方形である。
<< Modification of
FIG. 12 is a plan view of an electronic circuit device (10) according to a modification of the third embodiment. In this example, the shape of the notches (30a, 40a) is different from that of the third embodiment. Specifically, in this example, the first conductive pattern (30) forms a triangular cutout (30a) at a depth that does not reach the side (31) from the side (32) continuous to the side (31). doing. As a result, in this example, the remaining portion (30c) of the first conductive pattern (30) is substantially rectangular. Similarly, a triangular cutout (40a) is formed in the second conductive pattern (40), and the remaining portion (40c) of the second conductive pattern (40) is also substantially rectangular.
本変形例でも、実施形態1に比べ、放熱面積を増やすことが可能になる。また、この例でも、第1導電パターン(30)では、仮想線(L1)の外側(図12では、仮想線(L1)よりも下側)に回り込む電流が非常に少なく、且つ第2導電パターン(40)でも、仮想線(L2)の外側(図12では、仮想線(L2)よりも上側)に回り込む電流が非常に少ない。したがって、本変形例でも、抵抗器の放熱性の向上を図りつつ、抵抗器による電圧検出精度の向上を図ることが可能になる。 Even in this modification, it is possible to increase the heat radiation area as compared with the first embodiment. Also in this example, in the first conductive pattern (30), there is very little current flowing outside the imaginary line (L1) (lower side than the imaginary line (L1) in FIG. 12), and the second conductive pattern (30). Even at (40), the current that wraps around the outside of the virtual line (L2) (in FIG. 12, above the virtual line (L2)) is very small. Therefore, also in this modification, it is possible to improve the voltage detection accuracy by the resistor while improving the heat dissipation of the resistor.
なお、実施形態3や実施形態3の変形例では、残存部分(30c)及び残存部分(40c)の何れか一方のみを設ける構成でも放熱効果の向上は可能である。また、残存部分(30c,40c)の形状は、例示であり、図11や図12に示した形状には限定されない。 In the third embodiment and the modified example of the third embodiment, the heat dissipation effect can be improved even if only one of the remaining portion (30c) and the remaining portion (40c) is provided. Further, the shape of the remaining portion (30c, 40c) is an example, and is not limited to the shape shown in FIG. 11 or FIG.
《その他の実施形態》
なお、切り欠きは、2つの導電パターン(30,40)のうちの何れか一方にのみ形成しても電圧検出精度の向上は可能である。
<< Other Embodiments >>
The voltage detection accuracy can be improved even if the notch is formed only in one of the two conductive patterns (30, 40).
また、切り欠きの形状は例示であり、前記実施形態や変形例で示した形状には限定されない。例えば、図2の例では、最短仮想線(L3)の外側に幾分かの第1導電パターン(30)が存在するが、最短仮想線(L3)の内側(図2では、最短仮想線(L3)よりも上方)に第1導電パターン(30)の切り欠き(30a)が入り込むように構成することも可能である。同様に、第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)についても、最短仮想線(L4)の内側(図2では、最短仮想線(L4)よりも下方)に入り込む構成が可能である。 Moreover, the shape of the notch is an exemplification, and is not limited to the shape shown in the embodiment or the modification. For example, in the example of FIG. 2, there are some first conductive patterns (30) outside the shortest virtual line (L3), but inside the shortest virtual line (L3) (in FIG. 2, the shortest virtual line (L3) It is also possible to configure the notch (30a) of the first conductive pattern (30) to enter the upper part (above L3). Similarly, the notch (40a) of the second conductive pattern (40) can be configured to enter the inside of the shortest imaginary line (L4) (below the shortest imaginary line (L4) in FIG. 2).
本発明は、電圧検出用の抵抗器を有した電子回路装置として有用である。 The present invention is useful as an electronic circuit device having a resistor for voltage detection.
10 電子回路装置
20 絶縁基板
30 第1導電パターン
30b 延長部
40 第2導電パターン
40b 延長部
50 抵抗器
51 第1電極
52 第2電極
L1 仮想線
L2 仮想線
M1 中央点
M2 中央点
P1 第1接続点
P2 第2接続点
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記第1導電パターン(30)に接続された所定幅の第1電極(51)と前記第2導電パターン(40)に接続された所定幅の第2電極(52)とを有した抵抗器(50)と、
を備え、
前記第1導電パターン(30)には、前記第1電極(51)の中央点(M1)と前記第2電極(52)の中央点(M2)とを結ぶ中心線(CL)からずれた位置に、配線を接続する第1接続点(P1)が形成され、前記第1接続点(P1)と前記第1電極(51)の中央点(M1)とを結ぶ仮想線(L1)よりも外側に切り欠き(30a)が形成されていることを特徴とする電子回路装置。 First and second conductive patterns (30, 40) disposed on an insulating substrate (20);
A resistor having a first electrode (51) having a predetermined width connected to the first conductive pattern (30) and a second electrode (52) having a predetermined width connected to the second conductive pattern (40). 50),
With
The first conductive pattern (30) has a position shifted from a center line (CL) connecting the center point (M1) of the first electrode (51) and the center point (M2) of the second electrode (52). The first connection point (P1) for connecting the wiring is formed on the outer side of the imaginary line (L1) connecting the first connection point (P1) and the center point (M1) of the first electrode (51). A notch (30a) is formed in the electronic circuit device.
前記第2導電パターン(40)は、前記切り欠き(30a)側に向って延びる延長部(40b)を有していることを特徴とする電子回路装置。 In claim 1,
The electronic circuit device, wherein the second conductive pattern (40) has an extension (40b) extending toward the notch (30a).
前記第1導電パターン(30)には、複数の第1接続点(P1-1,2,3)が設けられ、
前記切り欠き(30a)は、前記中心線(CL)から最も遠い位置にある前記第1接続点(P1-1)について定義した前記仮想線(L1)よりも外側に形成されていることを特徴とする電子回路装置。 In claim 1 or claim 2,
The first conductive pattern (30) is provided with a plurality of first connection points (P1-1, 2, 3),
The notch (30a) is formed outside the virtual line (L1) defined for the first connection point (P1-1) located farthest from the center line (CL). An electronic circuit device.
第2導電パターン(40)には、前記中心線(CL)からずれた位置に、配線を接続する第2接続点(P2)が形成され、前記第2接続点(P2)と前記第2電極(52)の中央点(M2)とを結ぶ仮想線(L2)よりも外側に切り欠き(40a)が形成されていることを特徴とする電子回路装置。 In any one of Claims 1-3,
In the second conductive pattern (40), a second connection point (P2) for connecting a wiring is formed at a position shifted from the center line (CL). The second connection point (P2) and the second electrode An electronic circuit device, wherein a notch (40a) is formed outside a virtual line (L2) connecting the center point (M2) of (52).
前記第1導電パターン(30)は、前記第2導電パターン(40)の切り欠き(40a)側に向って延びる延長部(30b)を有していることを特徴とする電子回路装置。 In claim 4,
The electronic circuit device, wherein the first conductive pattern (30) has an extension (30b) extending toward the notch (40a) side of the second conductive pattern (40).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016093600A JP2017203624A (en) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | Electronic circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2016093600A JP2017203624A (en) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | Electronic circuit device |
Publications (1)
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JP2017203624A true JP2017203624A (en) | 2017-11-16 |
Family
ID=60322185
Family Applications (1)
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JP2016093600A Pending JP2017203624A (en) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | Electronic circuit device |
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JP (1) | JP2017203624A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023195137A1 (en) * | 2022-04-07 | 2023-10-12 | ファナック株式会社 | Motor driving device comprising detection unit for detecting motor driving current |
-
2016
- 2016-05-09 JP JP2016093600A patent/JP2017203624A/en active Pending
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