JP5720995B2 - The method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device - Google Patents

The method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP5720995B2
JP5720995B2 JP2011062317A JP2011062317A JP5720995B2 JP 5720995 B2 JP5720995 B2 JP 5720995B2 JP 2011062317 A JP2011062317 A JP 2011062317A JP 2011062317 A JP2011062317 A JP 2011062317A JP 5720995 B2 JP5720995 B2 JP 5720995B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
light
recess
light emitting
resin
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011062317A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012199378A (en )
Inventor
裕司 重枝
裕司 重枝
Original Assignee
スタンレー電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Description

本発明は、発光ダイオード等の半導体発光素子を有する半導体発光装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor light-emitting device having a semiconductor light emitting element such as light emitting diodes.

半導体発光装置のパッケージとしてLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics:低温同時焼成セラミックス)やHTCC(High Temperature Co-fired Ceramics:高温同時焼成セラミックス)を用いた積層セラミックパッケージが知られている。 LTCC as a package of a semiconductor light emitting device (Low Temperature Co-fired Ceramics: co-fired ceramic) or HTCC: multilayer ceramic packages are known with (High Temperature Co-fired Ceramics High Temperature Co-fired ceramic). 図1は積層セラミックパッケージにより構成される半導体発光装置300の断面図である。 Figure 1 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device 300 constituted by a multilayer ceramic package. 半導体発光装置300は、基板301、基板301上に搭載されたLEDチップ302、基板301表面に形成された電極パッド303、基板301の裏面に形成された外部接続端子304、電極パッド303とLEDチップ302とを電気的に接続するボンディングワイヤ305、基板301上においてLEDチップ302を囲む枠体306、枠体306の内側に充填された封止樹脂307により構成される。 The semiconductor light emitting device 300 includes a substrate 301, LED chips 302 are mounted on the substrate 301, the electrode pads 303 formed on the substrate 301 surface, external connection terminals 304 formed on the back surface of the substrate 301, the electrode pad 303 and the LED chip bonding wires 305 for electrically connecting the 302, the frame 306 surrounds the LED chip 302 on the substrate 301, and the sealing resin 307 filled in the inside of the frame 306. 基板301と枠体306はセラミックからなり、拘束焼結されて一体的な形態をなしている。 Substrate 301 and the frame 306 is made of ceramic, and has an integral form is constrained sintering.

一方、自動車のヘッドランプや一般照明等の比較的高い光出力が要求される用途向けに複数のLEDチップをパッケージングした発光装置が知られている。 On the other hand, the light emitting device is known in which a plurality of LED chips packaged into applications a relatively high light output, such as head lamps and general lighting of an automobile is required.

特開2009−135536号公報 JP 2009-135536 JP 特開2010−21507号公報 JP 2010-21507 JP

図1に示す積層セラミックパッケージにおいて、電極パッド303は、ボンディングワイヤ305との接合強度を確保する観点から最表面がAuで構成され得る。 In the laminated ceramic package shown in FIG. 1, the electrode pad 303 may outermost surface is composed of Au in order to ensure the bonding strength between the bonding wires 305. しかしながら、Auは、LEDチップ302から発せられる光の発光波長に対して光吸収性を示す故、光出力が低下する。 However, Au is thus showing the light absorption with respect to the emission wavelength of the light emitted from the LED chip 302, the light output decreases. 例えば、基板上に複数のLEDチップを搭載し、これらのLEDチップに接続される電極パッドを1箇所に集約して配置するような構成では、電極パッドの面積が比較的大きくなり、光取り出し効率の低下および光取り出し面内における明暗差(輝度むら)が顕著となる。 For example, with multiple LED chips on a substrate, in the configuration for placement by aggregating electrode pad connected to the LED chips in one place, the area of ​​the electrode pads is relatively large, the light extraction efficiency brightness difference in reducing and the light extraction plane of the (luminance unevenness) becomes noticeable.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に発光素子および電極パッドを備えた半導体発光装置において、光取り出し効率の向上と光取り出し面内における輝度むらの低減を図ることができる半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the foregoing, in the semiconductor light-emitting device having a light emitting element and the electrode pads on the substrate, it is possible to reduce the luminance unevenness in the light extraction improvement of the efficiency and the light extraction plane and to provide a semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof.

本発明に係る半導体発光装置は、素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部の底面に設けられた電極パッドと、を有する基板と、前記基板の前記素子搭載面に環状配列をなして搭載され前記電極パッドに電気的に接続された複数の発光素子と、前記電極パッドを覆うように前記凹部に充填された光反射性樹脂と、を有し、前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面を有し、前記凹部は、前記環状配列の内側に設けられていることを特徴としている。 The semiconductor light emitting device according to the present invention, mounted to form a recess provided in the element mounting surface, and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess, a substrate having a cyclic sequence to the element mounting surface of said substrate a plurality of light emitting elements electrically connected to the electrode pads is, have a light reflecting resin filled in the recess so as to cover the electrode pad, wherein the light reflective resin, the light emitting element the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction on the side walls of the recess have a concave surface than the surface of said recess is characterized that you have provided inside the annular array .

また、本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部底面に設けられた電極パッドと、を有する基板を用意する工程と、前記基板の前記素子搭載面に少なくとも1つの発光素子を搭載して前記発光素子と電極パッドとを電気的に接続する工程と、前記電極パッドを覆うように前記凹部に光反射性樹脂を充填する工程と、を含み、前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面となるように充填され、前記光反射性樹脂を充填する工程は、前記光反射性樹脂を封入したディスペンサを前記凹部の上方に位置合わせするステップと、前記ディスペンサから前記光反射性樹脂を吐出させ、前記光反射性樹脂が前記凹部の側壁に A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device according to the present invention includes the steps of preparing a substrate having a recess provided in the element mounting surface, and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess, the element mounting of the substrate wherein the step of connecting at least one of the light emitting device equipped with a light emitting element and the electrode pad electrically, and filling a light reflecting resin in the recess so as to cover the electrode pad, to a surface, the light reflecting resin, the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction from the surface of the light emitting element on a side wall of the recess is filled such that the concave surface, the light reflective resin filling includes the steps of aligning a dispenser enclosing the light reflective resin above the recess, to eject the light reflecting resin from the dispenser, the light reflecting resin on the side wall of the recess するように前記凹部内に前記光反射性樹脂を供給するステップと、前記光反射性樹脂の供給量が所定量に達したとき前記光反射性樹脂の供給を停止させるステップと、前記光反射性樹脂の供給を停止した後に前記ディスペンサを上方に引き上げるステップと、を含むことを特徴としている。 And supplying the light reflective resin in the recess so that the steps of stopping the supply of the light reflecting resin when the supply amount of the light reflecting resin reaches a predetermined amount, the light reflective It is characterized in that it comprises a step of pulling the dispenser after stopping the supply of the resin to the upper and.

本発明の半導体発光装置およびその製造方法によれば、電極パッドは光反射率の高い光反射性樹脂で被覆される故、半導体発光装置の光束および光度を向上させることが可能となる。 According to the semiconductor light emitting device and its manufacturing method of the present invention, the electrode pad is therefore to be coated with high light reflectance light reflecting resin, it is possible to improve the luminous flux and light intensity of the semiconductor light-emitting device. また、これに伴って、光取り出し面内における明暗差(輝度むら)を低減することが可能となる。 Also, along with this, it is possible to reduce brightness differences in the light extraction surface in the (luminance unevenness). 更に、光反射性樹脂は、発光素子の表面高さよりも投光方向前方に頂部を有し且つその表面が凹状面を呈する被覆形状を有する故、上記した光出力を向上させ輝度むらを低減させる効果がより顕著となる。 Further, the light reflective resin, because the and the surface has a top forwardly projecting direction from the surface height of the light emitting element has a coating shape exhibiting a concave surface, thereby reducing the uneven brightness to improve the light output as described above effect becomes more pronounced.

従来の半導体発光装置の構成を示す断面図である。 It is a sectional view showing the configuration of a conventional semiconductor light-emitting device. 図2(a)は本発明の実施例に係る半導体発光装置の構成を示す断面図、図2(b)は本発明の実施例に係る半導体発光装置の構成を示す上面図。 2 (a) is a cross-sectional view showing a structure of a semiconductor light-emitting device according to an embodiment of the present invention, top view showing the configuration of a semiconductor light-emitting device according to the embodiment of FIG. 2 (b) the present invention. 図2(b)における2−2線に沿った断面図である。 Is a sectional view taken along line 2-2 in FIG. 2 (b). 本発明の実施例に係る半導体発光装置の等価回路図である。 It is an equivalent circuit diagram of the semiconductor light-emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る光反射性樹脂形成部における拡大断面図である。 It is an enlarged sectional view of a light reflecting resin forming unit according to an embodiment of the present invention. 凹部側壁の傾斜角度と光反射性樹脂の被覆形状の関係を示す断面図である。 It is a sectional view showing the relationship of the coating shape of the inclined angle and the light reflecting resin recess sidewall. 図7(a)〜(c)は本発明の実施例に係る半導体発光装置の製造方法を示す断面図である。 Figure 7 (a) ~ (c) are sectional views showing a manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図8(a)〜(d)は本発明の実施例に係る半導体発光装置の製造方法を示す断面図である。 Figure 8 (a) ~ (d) are sectional views showing a manufacturing method of the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図9(a)〜(c)は光反射性樹脂の塗布方法を示す断面図である。 Figure 9 (a) ~ (c) are sectional views showing a method of coating the light reflecting resin.

以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。 It will be described below with reference to the accompanying drawings embodiments of the present invention. 尚、各図において、実質的に同一又は等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。 In the drawings, substantially the same or equivalent components, the parts are denoted by the same reference numerals.

図2(a)は本発明の実施例に係る半導体発光装置1の斜視図、図2(b)は半導体発光装置1の平面図である。 2 (a) is a perspective view of a semiconductor light emitting device 1 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 (b) is a plan view of a semiconductor light emitting device 1. 図3は、図2(b)における3−3線に沿った断面図である。 Figure 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG. 2 (b).
図4は、半導体発光装置1の等価回路図である。 Figure 4 is an equivalent circuit diagram of the semiconductor light-emitting device 1.

半導体発光装置1は、基板10上に6つのLEDチップ20a〜20fが搭載された面実装型の発光装置である。 The semiconductor light emitting device 1 is a six LED chips 20a~20f is mounted on a surface-mounted light-emitting device on the substrate 10. 基板10は、電極パッド形成面を有する第1セラミック層11と、素子搭載面を有する第2セラミック層12とを積層して構成されるものである。 Substrate 10 includes a first ceramic layer 11 having an electrode pad forming face and is formed by laminating a second ceramic layer 12 having an element mounting surface. また、基板10上には第3セラミック層13を更に積層することにより形成される枠体130が設けられる。 Further, the frame body 130 is provided on the substrate 10 is formed by further laminating a third ceramic layer 13. 枠体130の側壁132によって囲まれる空間内にはLEDチップ20a〜20fを封止する封止樹脂60が充填される。 The inside space surrounded by the side walls 132 of the frame 130 a sealing resin 60 which seals the LED chip 20a~20f is filled. 第1乃至第3セラミック層は、例えばアルミナ・セラミックスにガラス成分を混ぜることで焼成温度を900℃程度としたLTCC(低温同時焼成セラミックス)からなり、各セラミック層は拘束焼結されて一体的な形態をなす積層セラミックパッケージを構成している。 The first to third ceramic layer, for example, alumina ceramics consists LTCC that the sintering temperature by mixing the glass components to about 900 ° C. (low temperature co-fired ceramics), each ceramic layer integral manner is constrained sintered constitute a multilayer ceramic package in the form.

基板10の素子搭載面(第2セラミック層12の表面)には、6つのLEDチップ20a〜20fが環状配列をなして搭載されている。 The element mounting surface of the substrate 10 (the surface of the second ceramic layer 12), six LED chips 20a~20f is mounted in an annular array. 基板10は、素子搭載面内にLEDチップの環状配列の内側に配置された円形の凹部121を有する。 Substrate 10 has a circular recess 121 disposed inside the annular array of LED chips on the element mounting surface. 凹部121の底面には、第1セラミック層11上に設けられた電極パッド32nおよび32pが延在している。 The bottom surface of the recess 121, the electrode pads 32n and 32p provided on the first ceramic layer 11 extends. 電極パッド32nおよび32pは、それぞれ半円形状を有し、互いに隣接して設けられることにより略円形の電極パターンを形成している。 Electrode pads 32n and 32p each have a semicircular shape to form a substantially circular electrode pattern by being provided adjacent to each other. 凹部121の側壁は上記略円形の電極パターンを囲んでいる。 Side wall of the recess 121 surrounds the substantially circular electrode pattern. 電極パッド32pは、LEDチップ20a、20b、20cに共通の電極パッドであり、ボンディングワイヤ40を介してこれらのLEDチップのp電極に接続される。 Electrode pad 32p is, LED chip 20a, 20b, a common electrode pad 20c, is connected to the p-electrode of the LED chip through a bonding wire 40. 電極パッド32nは、LEDチップ20d、20e、20fに共通の電極パッドであり、ボンディングワイヤ40を介してこれらのLEDチップのn電極に接続される。 Electrode pads 32n is, LED chip 20d, 20e, a common electrode pad 20f, are connected to the n electrode of the LED chip through a bonding wire 40.

基板10は、素子搭載面においてLEDチップの環状配列の外側に配置された複数の円形の凹部122を有する。 Substrate 10 has a plurality of circular recesses 122 disposed on the outside of an annular array of LED chips in the element mounting surface. 凹部122の底面には、第1セラミック層11上に設けられた電極パッド31nまたは31pが延在している。 The bottom surface of the recess 122, the electrode pads 31n or 31p provided on the first ceramic layer 11 extends. 電極パッド31nおよび31pは、各LEDチップ毎に独立に設けられている。 Electrode pads 31n and 31p are provided independently for each LED chip. 電極パッド31nおよび31pの形状は例えば円形とすることができるが、これに限定されるものではない。 The shape of the electrode pad 31n and 31p may be circular for example, but is not limited thereto. 電極パッド31nは、それぞれ、ボンディングワイヤ40を介してLEDチップ20a、20b、20cのn電極に接続される。 Electrode pads 31n, respectively, LED chips 20a through the bonding wire 40, 20b, are connected to the n electrode of 20c. 電極パッド31pは、それぞれ、ボンディングワイヤ40を介してLEDチップ20d、20e、20fのp電極に接続される。 Electrode pads 31p, respectively, LED chips 20d through the bonding wire 40, 20e, is connected to the p electrode 20f. 電極パッド31n、31p、32n、32p、外部接続端子35p、35nは、例えばAg、Pd、Ni、Auを順次積層した多層金属膜によって構成される。 Electrode pads 31n, 31p, 32n, 32p, the external connection terminals 35p, 35n, for example Ag, Pd, Ni, constituted by a multilayer metal film are sequentially laminated Au.

このように、電極パッド31n、31p、32n、32pは、基板10の素子搭載面(第2セラミック層12の表面)に設けられた凹部121および122の底面(第1セラミック層11の表面)に形成されており、素子搭載面よりも低位置に配置されている。 Thus, the electrode pads 31n, 31p, 32n, 32p is on the bottom surface of the element mounting surface recesses 121 and 122 provided on the (second surface of the ceramic layer 12) of the substrate 10 (the surface of the first ceramic layer 11) is formed, it is arranged at lower positions than the element mounting surface.

第1セラミック層11の裏面には、外部接続端子35nおよび35pが設けられている。 On the back surface of the first ceramic layer 11, the external connection terminals 35n and 35p are provided. 外部接続端子35nは、コンタクトビア36n等を介して電極パッド31n、32nに電気的に接続される。 The external connection terminal 35n, the electrode pads 31n via the contact vias 36n, etc., are electrically connected to 32n. 一方、外部接続端子35pは、コンタクトビア36p等を介して電極パッド31p、32pに電気的に接続される。 On the other hand, the external connection terminal 35p, the electrode pad 31p via contact vias 36p or the like, and is electrically connected to 32p. 半導体発光装置1には、外部接続端子35p、35nを介して電力供給が行われ、LEDチップ20a〜20fが駆動される。 The semiconductor light emitting device 1, the external connection terminals 35p, is performed powered through 35n, LED chips 20a~20f is driven. 上記の如き接続構成によってLEDチップ20a〜20fは、図4に示すように、互いに並列接続される。 LED chips 20a~20f by such connection structure described above, as shown in FIG. 4, is connected in parallel with each other.

尚、基板10の素子搭載面(第2セラミック層12の表面)は光反射層およびガラス層で覆われていてもよい。 The element mounting surface of the substrate 10 (the surface of the second ceramic layer 12) may be covered by the light reflecting layer and the glass layer. 光反射層は、LEDチップから発せられる光に対して光反射性を有するAg等の金属により構成される。 Light reflecting layer is composed of a metal such as Ag having a light reflective to light emitted from the LED chip. 光反射層は、基板10の素子搭載面の略全域に延在していることが好ましい。 Light reflecting layer preferably extends substantially the entire area of ​​the element mounting surface of the substrate 10. ガラス層は、光反射層の上面及び側面を覆い、光反射層の劣化に伴う反射率の低下を防止する。 Glass layer covers the upper and side surfaces of the light reflecting layer, to prevent a decrease in reflectance due to the degradation of the light reflection layer. 例えば、光反射層がAgからなる場合、ガラス層は、Agの硫化を防止する。 For example, when the light reflecting layer is made of Ag, the glass layer prevents sulfuration of Ag.

基板10の素子搭載面に対して凹んでいる凹部121内には光反射性樹脂50が充填されている。 The in a recess 121 which is recessed with respect to the element mounting surface of the substrate 10 is a light reflecting resin 50 is filled. すなわち、凹部121の底面に延在する電極パッド32n、32pは、光反射性樹脂50で覆われる。 That is, the electrode pads 32n extending in the bottom surface of the recess 121, 32p is covered with the light reflective resin 50. また、電極パッド32n、32pに接続されるボンディングワイヤ40の一部は光反射性樹脂50内に埋設される。 The electrode pads 32n, a portion of the bonding wire 40 connected to 32p is buried in the light reflecting resin 50. 光反射性樹脂50は、例えばシリコーン樹脂にアルミナ等の光散乱粒子を混合した白色の樹脂である。 Light reflective resin 50 is a white resin mixed with light scattering particles such as alumina, for example, silicone resin. 尚、アルミナ以外に酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛等を光散乱粒子として用いることができる。 Incidentally, it is possible to use magnesium oxide in addition to alumina, titanium oxide, zinc oxide or the like as light scattering particles. 光反射性樹脂50は電極パッド32n、32pよりも高い光反射性を有する。 Light reflective resin 50 has electrode pads 32n, a high light reflectivity than 32p. 光吸収性を持つAu層を最表面に有する電極パッド32n、32pが反射率の高い光反射性樹脂50で被覆されることにより、半導体発光装置1の光出力の向上および輝度むらの低減を図ることが可能となる。 Electrode pads 32n having a Au layer having a light absorbing property on the outermost surface, by 32p is coated with light-reflecting resin 50 having high reflectivity, reduced enhancement and brightness unevenness of the light output of the semiconductor light-emitting device 1 it becomes possible. 光反射性樹脂50の被覆形状等については、後述する。 For coating the shape of the light reflective resin 50 will be described later.

基板10上には、第3セラミック層13によって構成される枠体130が設けられている。 On the substrate 10, it is constructed frame 130 is provided by a third ceramic layer 13. 枠体130は、LEDチップ20a〜20fおよび電極パッド31n、31p、32n、32pを囲む円形に連なる側壁132を形成する。 Frame 130 is formed LED chip 20a~20f and electrode pads 31n, 31p, 32n, a side wall 132 connecting to the circular surrounding 32p. 側壁132は、LEDチップ20a〜20fから発せられる光を半導体発光装置1の内側に向けて反射せしめるリフレクタとして機能する。 Sidewall 132 functions as a reflector which allowed to reflects the light emitted from the LED chip 20a~20f inside of the semiconductor light-emitting device 1. 封止樹脂60は、枠体130の側壁132で囲まれた凹状空間内に充填される。 The sealing resin 60 is filled into a concave space surrounded by the side wall 132 of the frame 130. LEDチップ20a〜20f、電極パッド31n、31p、32n、32p、ボンディングワイヤ40および光反射性樹脂50は、封止樹脂60内に埋設される。 LED chips 20a through 20f, the electrode pads 31n, 31p, 32n, 32p, the bonding wire 40 and the light reflective resin 50 is buried in the sealing resin 60. 封止樹脂60は、例えばシリコーン樹脂等の光透過性樹脂からなる。 The sealing resin 60 is made of, for example, transparent resin such as silicone resin. 封止樹脂60内には、LEDチップから発せられる光の波長を変換せしめる蛍光体が分散されていてもよい。 In the sealing resin 60, phosphors of converting a wavelength of light emitted from the LED chip may be dispersed.

以下に光反射性樹脂50の被覆形状について詳細に説明する。 It will be described in detail covering the shape of the light reflective resin 50 below. 図5は、光反射性樹脂50の形成部における拡大断面図である。 Figure 5 is an enlarged sectional view in the formation of the light reflective resin 50. 上記したように、光反射性樹脂50は、基板10の素子搭載面に設けられた凹部121を充填し、電極パッド32nおよび32pを被覆する。 As described above, the light reflective resin 50 fills the recess 121 provided on the element mounting surface of the substrate 10, to cover the electrode pad 32n and 32p. 光反射性樹脂50は、凹部121の側壁121aから凹部121の中央に向けて反り上がった略錐状の被覆形状を有している。 Light reflective resin 50 has a substantially conical cover shape warped toward the center of the recess 121 from the side wall 121a of the recess 121. すなわち、光反射性樹脂50は、LEDチップ20a〜20fの環状配列の中央であってLEDチップの上面高さよりも高い位置(すなわち、投光方向前方)に頂部を有し、凹部121の側壁121aから頂部を結ぶ表面が下に凸の凹状曲面を呈する略錐状の被覆形状を有する。 That is, the light reflective resin 50 is positioned higher than the upper surface height of the LED chip to a central annular array of LED chips 20a through 20f (i.e., projecting forward) has a top portion, a side wall of the recess 121 121a surface connecting the apex from having a substantially conical cover shape exhibiting a concave curved downward convex. 光反射性樹脂50がかかる被覆形状を有することにより、光反射性樹脂50はLEDチップ20a〜20fから発せられた光を光取り出し面に導くリフレクタとして有効に機能する。 By having a coating shape in which the light reflective resin 50 such, the light reflective resin 50 effectively functions as a reflector for guiding light emitted from the LED chip 20a~20f on the light extraction surface. また、各LEDチップから光反射性樹脂50の頂部までの距離が略同一となるように光反射性樹脂50を成形することにより、均一な発光分布を得ることが可能となる。 Further, since the distance from the LED chip to the top of the light reflecting resin 50 for molding the light reflecting resin 50 so as to be substantially equal, it is possible to obtain a uniform emission distribution.

光反射性樹脂50の側壁121aと接触する部分における高さは、素子搭載面の高さ位置よりも低くなるように光反射性樹脂50の供給量が制御される。 Height at the portion which contacts the side wall 121a of the light reflecting resin 50, the supply amount of the light reflecting resin 50 is controlled to be lower than the height position of the element mounting surface. これにより、光反射性樹脂50がLEDチップ20a〜20fの搭載領域まで濡れ広がることを防止している。 Accordingly, the light reflective resin 50 is prevented from wetting and spreading to the mounting region of the LED chips 20a through 20f.

封止樹脂60の上面は、光反射性樹脂50の頂部から距離Tcをおいて離間している。 Upper surface of the sealing resin 60 are spaced apart at a distance Tc from the top of the light reflecting resin 50. これにより、発光色および発光輝度の均一性が向上する。 Thus, the uniformity of Color and brightness is improved. すなわち、LEDチップ搭載領域Aと、光反射性樹脂50が充填される凹部領域Bにおける明暗差が低減され、封止樹脂60に蛍光体を含有させる場合には発光色の混色性が向上する。 That is, the LED chip mounting area A, brightness difference is reduced in the recessed area B where the light reflective resin 50 is filled, color mixing of luminescent color is improved in the case of incorporating the fluorescent substance in the sealing resin 60.

光反射性樹脂50の頂部の高さ位置は、ボンディングワイヤ40のループトップの高さ位置と概ね一致していることが好ましい。 The height position of the top of the light reflecting resin 50 is preferably generally correspond to the height position of the loop top of the bonding wire 40. 光反射性樹脂50を設けない場合や光反射性樹脂50の高さが低すぎる場合(例えば光反射性樹脂50の表面高さが素子搭載面の高さに一致している場合)、LEDチップ搭載領域Aに延在する封止樹脂60の体積と、凹部領域Bに延在する封止樹脂60の体積の差が過大となる。 If the height of the case without the light reflective resin 50 and the light reflective resin 50 is too low (e.g., when the surface height of the light reflecting resin 50 is coincident with the height of the element mounting surface), LED chip the volume of the sealing resin 60 which extends to the mounting region a, the difference in volume of the sealing resin 60 that extends into the recess region B becomes excessive. これにより、熱ストレス印加時において領域A−B間で封止樹脂60の厚さ方向における伸縮差が生じ、凹部領域Bにおいて封止樹脂60の剥離が生じるおそれがある。 Thus, the expansion difference in the thickness direction of the thermal stress applied during sealing resin 60 between regions A-B in occurs, there is a risk that peeling of the sealing resin 60 occurs in the recessed regions B. 本実施例のように、凹部領域Bに、略錐状に成形され且つその頂部の高さ位置がボンディングワイヤ40のループトップの高さ位置と概ね一致するように光反射性樹脂50を形成することにより、LEDチップ搭載領域Aに延在する封止樹脂60の体積と、凹部領域Bに延在する封止樹脂60の体積とがほぼ等しくなる。 As in this embodiment, the recessed region B, the height position of and the top thereof is formed into a substantially conical shape to form a light reflective resin 50 so as to substantially coincide with the height position of the loop top of the bonding wire 40 by the volume of the sealing resin 60 that extends to the LED chip mounting area a, the volume of the sealing resin 60 that extends into the recess area B are substantially equal. これにより、熱応力による封止樹脂60の剥離を防止することが可能となる。 Thereby, it becomes possible to prevent peeling of the sealing resin 60 due to thermal stress. 尚、光反射性樹脂は、光反射性を得るために高い濃度で光散乱粒子を含有(例えばシリコーン樹脂にアルミナ粒子を70wt%で含有)しているため、光散乱粒子を含有していないものと比較して樹脂部分の体積は小さいものとなっている。 The light reflective resin, which contains the light scattering particles at a high concentration in order to obtain light reflectivity (e.g. containing the silicone resin of alumina particles with 70 wt%), which does not contain the light scattering particles the volume of the resin portion compared has a small and.

図6(a)〜(c)は、凹部121の側壁121aの傾斜角度と光反射性樹脂50の被覆形状との関係を示す断面図である。 FIG 6 (a) ~ (c) are sectional views showing the relationship between the coating shape of the inclined angle and the light reflection resin 50 of the side wall 121a of the recess 121. 光反射性樹脂50をリフレクタとして有効に機能させるためには、光反射性樹脂50がその周縁部から中央部に向けて反り上がった反り上がり形状を有していること、すなわち、光反射性樹脂50の表面が凹状曲面を有していることが好ましい。 To function effectively the light reflective resin 50 as reflector, the light reflective resin 50 has a upward warping shape warped toward the central portion from the peripheral portion, i.e., the light reflective resin preferably the surface 50 has a concave curved surface.

光反射性樹脂50において反り上がり形状(凹状曲面)を再現性よく形成するためには、図6(a)に示すように、凹部の側壁121aが凹部121の底面に対して垂直であることが好ましく、図6(b)に示すように、側壁121aと凹部121の底面とのなす角が鈍角となるように側壁121aが傾斜していること、換言すれば、光反射性樹脂50が充填される凹部121の開口径が上方(素子搭載面側)に向けて広がる方向に側壁121aが傾斜していることがより好ましい。 To form good reproducibility upward warping shapes (concave curved surface) in the light reflective resin 50, as shown in FIG. 6 (a), that the side wall 121a of the recess is perpendicular to the bottom surface of the recess 121 preferably, as shown in FIG. 6 (b), the side wall 121a as the angle between the bottom surface of the side wall 121a and the concave portion 121 becomes an obtuse angle is inclined, in other words, the light reflective resin 50 is filled it is more preferable that the side wall 121a in a direction extending toward the opening diameter upper (element mounting surface side) of the recess 121 is inclined that. その理由は、以下のとおりである。 The reason for this is as follows. すなわち、光反射性樹脂50は、例えば、ディスペンス法によって塗布形成され、凹部121の中央に配置されたディスペンサのノズルから吐出される(図9参照)。 That is, the light reflective resin 50 is, for example, formed by coating by a dispensing method, is ejected from a nozzle of a dispenser arranged in the center of the recess 121 (see FIG. 9). 光反射性樹脂50の被覆形状は、ノズルに吸着する方向に作用する表面張力hと凹部の側壁121aを這い上がる方向に作用する表面張力gによって定まる。 Coating the shape of the light reflective resin 50 is determined by the surface tension g acting on creeping up direction side wall 121a of the surface tension h and the recess acting in the direction of suction in the nozzle. 図6(a)に示すように、凹部の側壁121aが凹部121の底面に対して垂直である場合、または図6(b)に示すように、側壁121aと凹部121の底面とのなす角が鈍角となるように側壁121aが傾斜している場合、表面張力hの作用方向と表面張力gの作用方向のなす角を大きくすることができる。 As shown in FIG. 6 (a), when the side wall 121a of the recess is perpendicular to the bottom surface of the recess 121, or as shown in FIG. 6 (b), the angle between the bottom surface of the side wall 121a and the recess 121 If the side wall 121a so that the obtuse angle is inclined, it is possible to increase the angle between the direction of action of the acting direction and surface tension g of tension h. これにより、光反射性樹脂50と側壁121aとの接触部における上端点Tと、光反射性樹脂50の反り上がり開始点Sとの高低差が大きくなり、光反射性樹脂50の反り上がり形状を再現性よく形成することが可能となる。 Thus, the upper end point T at the contact portion between the light reflective resin 50 and the side wall 121a, the height difference between the upward warping start point S of the light reflecting resin 50 is increased, the upward warping shape of the light reflective resin 50 it is possible to good reproducibility formation. 図6(b)に示すように、側壁121aと凹部121の底面とのなす角が鈍角となるように側壁121aが傾斜している場合には、光反射性樹脂50と側壁121aとの接触部における上端点Tと、光反射性樹脂50の反り上がり開始点Sとの高低差がより大きくなり、光反射性樹脂50の反り上がり形状の再現性をより高めることが可能となる。 As shown in FIG. 6 (b), when the angle between the bottom surface of the side wall 121a and the recess 121 are inclined side wall 121a such that the obtuse angle is, the contact portion between the light reflective resin 50 and the side wall 121a and the upper end point T at the height difference between the upward warping start point S of the light reflecting resin 50 becomes larger, it becomes possible to improve the reproducibility of the upward warping shape of the light reflective resin 50.

一方、図6(c)は、凹部の側壁121aと凹部121の底面とのなす角が鋭角となるように側壁121aが傾斜している場合を示している。 On the other hand, FIG. 6 (c) shows a case where the angle between the bottom surface of the side wall 121a and the recess 121 of the recess side wall 121a such that the acute angle is inclined. この場合、ノズルに吸着する方向に作用する表面張力hと凹部の側壁121aを這い上がる方向に作用する表面張力gのなす角が図6(a)および図6(b)の場合と比較して小さくなる。 In this case, the angle of the surface tension g acting creeps up direction side wall 121a of the surface tension h and the recess acting in the direction of suction in the nozzle as compared with the case of FIG. 6 (a) and FIG. 6 (b) smaller. これにより、光反射性樹脂50と側壁121aとの接触部における上端点Tと、光反射性樹脂50の反り上がり開始点Sとの高低差が小さくなり、光反射性樹脂50の反り上がり形状を形成することが困難となる。 Thus, the upper end point T at the contact portion between the light reflective resin 50 and the side wall 121a, the height difference between the upward warping start point S of the light reflecting resin 50 is reduced, the upward warping shape of the light reflective resin 50 it is difficult to form. すなわち、この場合、光反射性樹脂50の表面が凸状曲面(ドーム状)となりやすい。 That is, in this case, the surface of the light reflecting resin 50 tends to be convex curved surface (domed). 光反射性樹脂50の表面が凸状曲面となると、LEDチップから発せられた光を光取り出し面側に導く効果が損なわれ、光反射性樹脂50によるリフレクタとしての機能が低下する。 When the surface of the light reflective resin 50 is convex curved surface, the effect for guiding the light emitted from the LED chip to the light extraction surface is impaired, functions as a reflector by the light reflecting resin 50 is reduced.

以上より、光反射性樹脂50の反り上がり形状を樹脂の充填と硬化により再現性よく形成するためには、凹部121の側壁121aと凹部121の底面とのなす角が直角または鈍角となるように側壁121aが傾斜していることが好ましい。 As described above, the upward warping shape of the light reflective resin 50 to be reproduced accurately by curing the filled resin, as the angle between the bottom surface of the side wall 121a and the recess 121 of the recess 121 at right angles or obtuse it is preferred that the side wall 121a is inclined.

次に、上記した構成を有する半導体発光装置1の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor light-emitting device 1 having the configuration described above. 図7(a)〜(c)および図8(a)〜(d)は、半導体発光装置1の製造工程におけるプロセスステップ毎の断面図である。 Figure 7 (a) ~ (c) and FIG. 8 (a) ~ (d) are cross-sectional views for each process step in the manufacturing process of the semiconductor light-emitting device 1.

(グリーンシートの作製) (Preparation of green sheet)
第1乃至第3セラミック層11、12、13の材料であるグリーンシート11A、12A、13Aを作製する(図7(a))。 The first to the green sheet 11A which is the material of the third ceramic layer 11, 12, 13, 12A, to produce a 13A (FIG. 7 (a)). 具体的には、セラミック粉末とガラスを一定比率で配合し、混合する。 Specifically, blending ceramic powder and glass with a constant ratio, and mixed. 続いて、混合された原料に有機系のバインダと溶剤を加え、均一になるまで分散させ、スラリーを得る。 Subsequently, an organic binder and a solvent was added to the mixed raw material, and dispersed until uniform, to obtain a slurry. スラリーは、製膜装置でPETフィルム上に一定の厚さで塗布され、乾燥工程を経てシート状のグリーンシート11A、12B、13Cが形成される。 The slurry is coated on a PET film with a constant thickness using a film forming apparatus, a sheet-like green sheet 11A by a drying step, 12B, @ 13 C is formed.

(グリーンシートの加工) (Processing of green sheet)
グリーンシート11A、12A、13Aを所望の大きさに切断する。 Green sheets 11A, 12A, 13A is cut into a desired size. 続いて第1セラミック層11の材料であるグリーンシート11Aにコンタクトビア36n、36pを形成するための貫通孔36hを形成する。 Then contact vias 36n in the green sheet 11A which is the material of the first ceramic layer 11, to form a through hole 36h to form a 36p. また、第2セラミック層12の材料であるグリーンシート12Aに凹部121、122を形成するための円形の貫通孔121h、122hを形成する。 Further, a circular through hole 121h for forming the recesses 121, 122 in the green sheet 12A which is the material of the second ceramic layer 12, to form a 122h. また、枠体130を構成する第3セラミック層13の材料であるグリーンシート13Aに円形の貫通孔131hを形成する(図7(b))。 Further, to form a circular through-hole 131h in the green sheet 13A which is the material of the third ceramic layer 13 which constitutes the frame 130 (FIG. 7 (b)).

(電極パッド、外部接続端子の形成) (The electrode pads, forming external connection terminals)
次に、グリーンシート11Aの表面にスクリーン印刷法によってAg−Pdペーストを印刷して電極パッド31n、31p、32n、32pを形成する。 Then, the green sheet 11A of the surface to the screen printing method by Ag-Pd paste printing to the electrode pads 31n, 31p, 32n, to form a 32p. また、グリーンシート11Aの裏面にスクリーン印刷法によってAg−Pdペーストを印刷して外部接続端子35n、35pを形成する。 The external connection terminal 35n by printing Ag-Pd paste by screen printing on the back surface of the green sheet 11A, to form a 35p. また、貫通孔36hにAg−Pdペーストを充填してコンタクトビア36n、36pを形成する(図7(c))。 The contact vias 36n are filled with Ag-Pd paste into the through-hole 36h, is formed a 36p (FIG. 7 (c)).

(焼成およびめっき処理) (Firing and plating process)
次に、グリーンシート11A、12A、13Aを位置合わせして熱と圧力を加えた状態で積層する。 Then, green sheets 11A, 12A, and aligning 13A laminating while applying heat and pressure. その後、グリーンシートに含まれる有機系バインダを飛散させながら、グリーンシート、Ag−Pdペーストを同時焼成する。 Thereafter, while scatter an organic binder contained in the green sheet, simultaneously firing a green sheet, Ag-Pd paste. 次に、電解めっき法により、電極パッド31n、31p、32n、32pおよび外部接続端子35n、35pにNiめっき処理およびAuめっき処理を施す。 Then, by electroplating, the electrode pads 31n, 31p, 32n, 32p and the external connection terminal 35n, the Ni plating and Au plating treatment 35p subjected. 第1セラミック層11と第2セラミック層12が積層されることにより、素子搭載面に凹部121および122を有し、凹部121の底面において電極パッド32n、32pが露出し、凹部122の底面において電極パッド31n、31pが露出した基板10が形成される。 By the first ceramic layer 11 and the second ceramic layer 12 is laminated, a recess 121 and 122 on the element mounting surface, the electrode pads 32n at the bottom of the recess 121, 32p is exposed, the electrode in the bottom surface of the recess 122 pad 31n, substrate 10 31p is exposed is formed. そして、第1乃至第3セラミック層の積層体である積層セラミックパッケージが完成する(図8(a))。 Then, the laminated ceramic package is a laminate of the first to third ceramic layer is completed (FIG. 8 (a)).

(チップマウントおよびワイヤーボンディング) (Chip mounting and wire bonding)
基板10の素子搭載面(第2セラミック層12の表面)上のLEDチップ搭載位置にシリコーン樹脂等からなる接着材を塗布し、この接着剤の上にLEDチップ20a〜20fをマウントする。 An adhesive comprising a silicone resin was coated on the LED chip mounting position on the element mounting surface of the substrate 10 (the surface of the second ceramic layer 12), to mount the LED chip 20a~20f over the adhesive. LEDチップ20a〜20fは、素子搭載面に設けられた凹部121を囲む環状配列をなすように配置される。 LED chips 20a~20f is arranged so as to form an annular array surrounding a recess 121 provided on the element mounting surface. その後、熱処理によって接着剤を硬化させ、LEDチップ20a〜20fを基板10上に固着する。 Thereafter, by curing the adhesive by heat treatment, to fix the LED chip 20a~20f on the substrate 10. 次にLEDチップ20a〜20fのn電極およびp電極と、電極パッド31n、31p、32n、32pとをボンディングワイヤ40で接続する(図8(b))。 Then the n electrode and the p electrode of the LED chip 20a through 20f, the electrode pads 31n, 31p, 32n, are connected by bonding wires 40 and 32p (Figure 8 (b)).

(光反射性樹脂の形成) (Formation of a light reflecting resin)
次に、LEDチップの環状配列の内側に配置された凹部121内に光反射性樹脂50を充填して電極パッド32n、32pを被覆する。 Next, the electrode pads 32n are filled with a light-reflecting resin 50 into the recess 121 disposed inside the annular array of LED chips to cover the 32p. 光反射性樹脂50は、シリコーン樹脂に光散乱粒子であるアルミナ粒子を含有させたものを用いることができる。 Light reflective resin 50, can be used which contains alumina particles as the light scattering particles in the silicone resin. アルミナ粒子の配合比率は例えば70重量パーセント、光反射性樹脂50の粘度は約70Pa・sである。 Mixing ratio of the alumina particles, for example 70% by weight, the viscosity of the light reflecting resin 50 is about 70 Pa · s. 光散乱粒子としてはアルミナ以外に酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛等を使用することができる(図8(c))。 Magnesium oxide other than alumina as the light scattering particles, titanium oxide, can be used zinc oxide (FIG. 8 (c)).

ここで、光反射性樹脂50の被覆形状を光取り出しに有利な反り上がり形状とするための塗布方法を図9(a)〜(c)を参照しつつ説明する。 Here will be described the application method for the coating shape of the light reflective resin 50 with favorable upward warping shapes the light extraction reference to FIG. 9 (a) ~ (c). 尚、図9(a)および図9(c)において、ブロック矢印はディスペンサ200の移動方向、破線矢印はディスペンサ200内に生ずる圧力方向を示している。 Note that in FIG. 9 (a) and FIG. 9 (c), the block arrows the direction of movement of the dispenser 200, the dashed arrows indicate the pressure direction caused in the dispenser 200.

光反射性樹脂50は、ディスペンス法により塗布される。 Light reflective resin 50 is applied by a dispensing method. 光反射性樹脂50を封入したディスペンサ200が凹部121の中央上方に位置するように位置合わせを行う。 Dispenser 200 encapsulating the light reflective resin 50 performs positioning so as to be positioned above the center of the recess 121. 次に、ディスペンサ200に圧縮空気を供給しつつこれを降下させる。 Then, lowering it while supplying the compressed air to the dispenser 200. ディスペンスノズル内には下向き(吐出方向)の圧力が生じ、ディスペンスノズルの先端からは光反射性樹脂50が吐出される(図9(a))。 The dispense nozzle caused a pressure downward (discharge direction), the light reflective resin 50 is ejected from the tip of the dispensing nozzle (Fig. 9 (a)).

ディスペンスノズルから吐出された光反射性樹脂50が凹部121の底面に接触するタイミングでディスペンサ200の降下を停止させる。 Light reflective resin 50 discharged from the dispensing nozzle stops the descent of the dispenser 200 at the timing of contact with the bottom surface of the recess 121. ディスペンサ200を静止状態に保持したまま光反射性樹脂50の供給を継続する。 While maintaining the dispenser 200 to a stationary state continues the supply of the light reflective resin 50. 光反射性樹脂50は、凹部121の底面を濡れ広がって凹部の側壁121aに達する。 Light reflective resin 50 reaches the side wall 121a of the recess spreads wet bottom surface of the recess 121. 凹部121を充填する光反射性樹脂50の供給量が所定量に達したら、圧縮空気の供給を停止して光反射性樹脂50の供給を停止させる。 When the supply amount of the light reflecting resin 50 filling the recess 121 reaches a predetermined amount, and stops the supply of compressed air to stop the supply of the light reflecting resin 50. 光反射性樹脂50が凹部121の側壁121aを超えて素子搭載面にまで横溢しないように供給量が制御される。 Light reflective resin 50 is supplied amount to not flooded to the element mounting surface beyond the side wall 121a of the recess 121 is controlled. 光反射性樹脂50は、凹部121を充填している部分からディスペンスノズルの先端まで連なった状態となる(図9(b))。 Light reflective resin 50 becomes continuous state from the portion filling the recessed portion 121 to the tip of the dispensing nozzle (Fig. 9 (b)).

次に、ディスペンサ200に負圧を印加することによりディスペンスノズル内において上向き(吸引方向)の圧力を発生させつつディスペンスノズル200を上方に引き上げる。 Then, raise the dispensing nozzle 200 while generating the pressure upward (suction direction) in the dispensing nozzle by applying a negative pressure to the dispenser 200 upwardly. これにより、光反射性樹脂50は凹部121を充填する部分と、ディスペンスノズル先端に付着する部分とに引き裂かれて分離する。 Accordingly, the light reflective resin 50 is a portion filling the recessed portion 121, and separated torn and a portion adhering to the dispense nozzle tip. このとき、光反射性樹脂50には、凹部の側壁121aを這い上がる方向に作用する表面張力と、ディスペンスノズルの方向に作用する表面張力によって、光反射性樹脂50の側面は凹状曲面となる(図9(c))。 At this time, the light reflecting resin 50, a surface tension acting in the direction run up the side wall 121a of the recess by surface tension acting in the direction of the dispensing nozzle, the side surface of the light reflecting resin 50 becomes concave curved surface ( Figure 9 (c)).

光反射性樹脂の塗布工程において以上のような手順で光反射性樹脂50を塗布することにより、光反射性樹脂50の形状を光取り出しに有利な反り上がり形状とすることができる。 By applying the light reflective resin 50 in the above procedure in the coating process of the optical reflecting resin, the shape of the light reflective resin 50 can be advantageous upward warping shapes the light extraction. 光反射性樹脂50の塗布が完了したら、熱処理を行って光反射性樹脂50を硬化させる。 When applying the light reflective resin 50 is completed, to cure the light-reflecting resin 50 subjected to heat treatment.

(封止樹脂の形成) (Formation of the sealing resin)
枠体130の側壁131の内側に形成された空間にシリコーン樹脂等の光透過性樹脂からなる封止樹脂60を充填する。 A space formed inside of the side wall 131 of the frame 130 is filled with sealing resin 60 made of a transparent resin such as silicone resin. LEDチップ20a〜20f、ボンディングワイヤ40および光反射性樹脂50は封止樹脂60内に埋設される。 LED chips 20a through 20f, the bonding wire 40 and the light reflective resin 50 is buried in the sealing resin 60. 封止樹脂60は、その上面の高さ位置が光反射性樹脂50の頂部の高さ位置よりも高くなるように形成される。 The sealing resin 60, the height position of the upper surface is formed to be higher than the height position of the top of the light reflecting resin 50. 封止樹脂60内には、LEDから発せられる光の波長を変換せしめる蛍光体が分散されていてもよい(図8(d))。 In the sealing resin 60, phosphors of converting a wavelength of light emitted from the LED may be dispersed (Fig. 8 (d)). 以上の各工程を経ることにより半導体発光装置1が完成する。 The semiconductor light emitting device 1 is completed by going through the above steps.

以上の説明から明らかなように、本発明の実施例に係る半導体発光装置によれば、光吸収性を示す電極パッド32n、32pは反射率の高い光反射性樹脂50で被覆される故、半導体発光装置の光束および光度を向上させることが可能となる。 As apparent from the above description, according to the semiconductor light-emitting device according to an embodiment of the present invention, the electrode pads 32n indicating the light absorption, thus 32p is to be coated with light reflective resin 50 having high reflectivity, the semiconductor it is possible to improve the luminous flux and light intensity of the light emitting device. また、これに伴って、光取り出し面内における明暗差(輝度むら)を低減することが可能となる。 Also, along with this, it is possible to reduce brightness differences in the light extraction surface in the (luminance unevenness).

更に、光反射性樹脂50は、LEDチップの表面高さよりも投光方向前方に頂部を有し且つその表面が凹状曲面を呈する故、光反射性樹脂50をリフレクタとして有効に機能させることが可能となる。 Further, the light reflective resin 50, because the and the surface has an apex at the front light projection direction than the surface height of the LED chip exhibits a concave curved surface, can function effectively the light reflective resin 50 as a reflector to become. これにより、上記した光出力を向上させ輝度むらを低減させる効果がより顕著となる。 Thus, the effect of reducing the uneven brightness to improve the light output as described above becomes more conspicuous. 具体的には、光反射性樹脂50の被覆形状を反り上がり形状とすることで、電極パッド32n、32pを光反射性樹脂で被覆しない場合と比較して、光束および光度が5〜20%増加した。 Specifically, by making the coating shape of the light reflective resin 50 and upward warping shape, the electrode pads 32n, as compared with the case not covered by the light reflective resin 32p, luminous flux and light intensity increased 5-20% did. 尚、比較例として、凹部121内に光反射性樹脂を水平形状(すなわち、光反射性樹脂は反り上がり形状を有さず、上面が平坦)に充填した半導体発光装置を作製し、同様の評価を行ったところ、光束および光度の増加は3〜5%にとどまった。 As a comparative example, the horizontal shape of light reflective resin in the recess 121 (i.e., light reflective resin has no upward warping shape, the upper surface is flat) to produce a semiconductor light-emitting device which was filled in a similar evaluation was carried out, increase of the luminous flux and light intensity was only 3-5%.

また、光反射性樹脂50が、LEDチップの上面高さよりも高い位置に頂部を有する反り上がり形状を有する故、封止樹脂60の体積分布が均一化され、封止樹脂60の剥離を防止することが可能となる。 Further, the light reflective resin 50, thus having the upward warping shape having an apex at a position higher than the upper surface height of the LED chip, the volume distribution of the sealing resin 60 is made uniform, to prevent peeling of the sealing resin 60 it becomes possible.

また、光反射性樹脂50は、基板10に設けられた凹部121内に形成される故、反り上がり形状を再現性よく形成することが可能となる。 Further, the light reflective resin 50 is thus formed in the recess 121 provided on the substrate 10, it is possible to form good reproducibility upward warping shape.

尚、上記した実施例においては、6つのLEDチップを搭載する場合を例示したが、LEDチップの数量は適宜変更する可能である。 In the embodiment described above has exemplified the case of mounting six LED chips, the number of LED chips is possible to change as appropriate. また、上記した実施例においては、LEDチップを環状に配列し、円形の外縁を有する凹部121をこの環状配列の内側に配置することとしたが、LEDチップの配列形態や凹部121の形状および配置は適宜変更することが可能である。 Further, in the above embodiment, the LED chips are arranged in a ring, but it was decided to place the recess 121 having a circular outer edge to the inside of the annular arrangement, shape and arrangement of the array form and recesses 121 of the LED chip it is possible to change as appropriate. また、上記した実施例においては、LEDチップの環状配列の中央に光反射性樹脂50の頂部を設ける構成としたが、光反射性樹脂50の頂部を特定のLEDチップ側に偏倚させてもよい。 Further, in the above embodiment, a configuration in which the center of the annular array of LED chips providing the top of the light reflecting resin 50, the top of the light reflecting resin 50 may be biased to a particular LED chip side . 例えば、主にチップ側面から光を放射するタイプのLEDチップと、主にチップ主面から光を放射するタイプのLEDチップが混在する場合、光反射性樹脂50の頂部を後者側に偏倚させることにより、効率よく光を取り出すことができる。 For example, predominantly the type of LED chips that emit light from the chip side, mainly if the type of LED chips that emit light from the chip major surface are mixed, that biases the top of the light reflecting resin 50 on the latter side Accordingly, it is possible to take out light efficiently.

1 半導体発光装置 10 基板 11 第1セラミック層 12 第2セラッミク層 13 第3セラミック層 20a〜20f LEDチップ 31n、31p、32n、32p 電極パッド 40 ボンディングワイヤ 50 光反射性樹脂 60 封止樹脂 121、122 凹部 121a 側壁 130 枠体 1 semiconductor light emitting device 10 substrate 11 first ceramic layer 12 second Serammiku layer 13 third ceramic layer 20a through 20f LED chips 31n, 31p, 32n, 32p electrode pad 40 bonding wire 50 light reflective resin 60 sealing resin 121 recess 121a side wall 130 frame

Claims (7)

  1. 素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部の底面に設けられた電極パッドと、を有する基板と、 A substrate having a recess provided in the element mounting surface, and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess,
    前記基板の前記素子搭載面に環状配列をなして搭載され前記電極パッドに電気的に接続された複数の発光素子と、 A plurality of light emitting elements electrically connected to the electrode pad forms a cyclic sequence is mounted on the element mounting surface of said substrate,
    前記電極パッドを覆うように前記凹部に充填された光反射性樹脂と、を有し、 Anda light reflective resin filled in the recess so as to cover the electrode pad,
    前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面を有し、 The light reflecting resin, the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction from the surface of the light emitting element on the side walls of the recess have a concave surface,
    前記凹部は、前記環状配列の内側に設けられていることを特徴とする半導体発光装置。 The recess, the semiconductor light-emitting device which is characterized that you have provided inside the annular array.
  2. 前記光反射性樹脂は、前記環状配列の中央に頂部を有していることを特徴とする請求項に記載の半導体発光装置。 The light reflecting resin, the semiconductor light emitting device according to claim 1, characterized in that it has an apex at the center of the annular array.
  3. 前記凹部の側壁は、前記凹部の底面とのなす角が鈍角となるように傾斜していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。 Side wall of the recess, the semiconductor light emitting device according to claim 1 or 2, characterized in that the angle between the bottom surface of the recess is inclined so that an obtuse angle.
  4. 前記発光素子と前記電極パッドとはボンディングワイヤを介して接続され、 Wherein the light emitting element and the electrode pads are connected via bonding wires,
    前記ボンディングワイヤの一部は、前記光反射性樹脂の内部に埋設されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 The bonding wire is part of the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that is embedded in the interior of the light reflecting resin.
  5. 前記基板上に設けられて前記発光素子を囲む側壁を有する枠体と、 A frame body having a side wall surrounding the light emitting element provided on the substrate,
    前記枠体の側壁の内側に充填された封止樹脂と、を更に有し、 Further comprising a sealing resin filled in the inside of the side wall of the frame body,
    前記発光素子および前記光反射性樹脂は、前記封止樹脂内に埋設されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 Said light emitting element and the light reflective resin, the semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that is embedded in said sealing resin.
  6. 素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部底面に設けられた電極パッドと、を有する基板を用意する工程と、 A recess provided in the element mounting surface, a step of preparing a substrate having an electrode pad provided on the bottom surface of the recess,
    前記基板の前記素子搭載面に少なくとも1つの発光素子を搭載して前記発光素子と電極パッドとを電気的に接続する工程と、 A step of electrically connecting the at least one of the light emitting device equipped with a light emitting element and the electrode pads on the element mounting surface of said substrate,
    前記電極パッドを覆うように前記凹部に光反射性樹脂を充填する工程と、を含み、 And a step of filling a light reflecting resin in the recess so as to cover the electrode pad,
    前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面となるように充填され The light reflecting resin, the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction from the surface of the light emitting element on a side wall of the recess is filled such that the concave surface,
    前記光反射性樹脂を充填する工程は、 Filling the light reflective resin,
    前記光反射性樹脂を封入したディスペンサを前記凹部の上方に位置合わせするステップと、 Aligning the dispenser enclosing the light reflective resin above said recess,
    前記ディスペンサから前記光反射性樹脂を吐出させ、前記光反射性樹脂が前記凹部の側壁に接するように前記凹部内に前記光反射性樹脂を供給するステップと、 By ejecting the light reflecting resin from the dispenser, and supplying the light reflective resin on the light reflective the recess so that the resin comes into contact with the side wall of the recess,
    前記光反射性樹脂の供給量が所定量に達したとき前記光反射性樹脂の供給を停止させるステップと、 A step of stopping the supply of the light reflecting resin when the supply amount of the light reflecting resin reaches a predetermined amount,
    前記光反射性樹脂の供給を停止した後に前記ディスペンサを上方に引き上げるステップと、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device which comprises the steps of: pulling upward the dispenser after stopping the supply of the light reflecting resin.
  7. 前記ディスペンサを上方に引き上げるステップにおいて、前記ディスペンサには負圧が印加されていることを特徴とする請求項に記載の製造方法。 The method according to claim 6, in the step of pulling the dispenser upward, characterized in that the negative pressure in the dispenser is applied.
JP2011062317A 2011-03-22 2011-03-22 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device Active JP5720995B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011062317A JP5720995B2 (en) 2011-03-22 2011-03-22 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011062317A JP5720995B2 (en) 2011-03-22 2011-03-22 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012199378A true JP2012199378A (en) 2012-10-18
JP5720995B2 true JP5720995B2 (en) 2015-05-20

Family

ID=47181316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011062317A Active JP5720995B2 (en) 2011-03-22 2011-03-22 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5720995B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015070134A (en) 2013-09-30 2015-04-13 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51160084U (en) * 1975-06-12 1976-12-20
JPS6037260U (en) * 1983-08-22 1985-03-14
JP4206334B2 (en) * 2003-12-25 2009-01-07 京セラ株式会社 The light-emitting device
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
JP2010199547A (en) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp Light emitting device and method of manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2012199378A (en) 2012-10-18 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7884538B2 (en) Light-emitting device
WO2009145298A1 (en) Light emitting device, planar light source, liquid crystal display device and method for manufacturing light emitting device
US20070228947A1 (en) Luminescent Light Source, Method for Manufacturing the Same, and Light-Emitting Apparatus
JP2008218486A (en) Light emitting device
US20090315057A1 (en) Light-emitting apparatus, surface light source, and method for manufacturing package for light-emitting apparatus
US20090134415A1 (en) Light emitting element and method for producing the same
JP2005223216A (en) Light emitting light source, illuminator, and display unit
JP2007019096A (en) Light-emitting device and its manufacturing method
JP2003243717A (en) Light emitting device
JP2005244152A (en) Substrate for mounting light emitting element and light emitting device
JP2006229054A (en) Light-emitting device
JP2009260244A (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing light-emitting device
JP2007266579A (en) Light emitting device
JP2005191420A (en) Semiconductor light emitting device having wavelength converting layer and its manufacturing method
JP2008300694A (en) Light-emitting device, resin-molded body constituting same, and method of manufacturing them
JP2008300460A (en) Optical semiconductor device
JP2008060166A (en) Semiconductor device, and its manufacturing method
JP2010010279A (en) Light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2013051375A (en) Light-emitting device
JP2007116133A (en) Light emitting device
US20140021493A1 (en) Solid state lighting component package with layer
JP2012069645A (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2012099544A (en) Manufacturing method of light-emitting apparatus
JP2012243641A (en) Light emitting device, and lighting device using the same
JP2006202962A (en) Light emitting apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140909

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141030

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150312

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5720995

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250