JP5706737B2

JP5706737B2 - Substrate cooling device, substrate curing device, and substrate manufacturing method

Info

Publication number: JP5706737B2
Application number: JP2011080332A
Authority: JP
Inventors: 弘樹足立
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2011-03-31
Filing date: 2011-03-31
Publication date: 2015-04-22
Anticipated expiration: 2031-03-31
Also published as: JP2012214328A

Description

本発明は基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法に関し、さらに詳細には、基板を冷却可能な基板冷却装置、基板を加熱した後に冷却する基板キュア装置に関するものである。また本発明は薄膜太陽電池等に代表される基板を製造する方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate cooling apparatus, a substrate curing apparatus, and a substrate manufacturing method, and more particularly to a substrate cooling apparatus that can cool a substrate and a substrate curing apparatus that cools the substrate after heating. The present invention also relates to a method for producing a substrate typified by a thin film solar cell.

ガラス基板等に薄膜を積層して構成される有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置や太陽光発電装置（光電変換装置）は、製造工程において加熱処理されることが多い。高温となったガラス基板は、熱が冷め難く、冷却に時間を要する。特に、大型のガラス基板では、全体を均一に冷却することが困難であり、温度分布にムラが生じ、ガラス基板が冷却されているかどうかの判断が難しい。そのため、例えば電気的検査や特性検査等の次工程に、すぐに移行することができず、生産タクトのボトルネックとなることが多い。
また文献１には、ガラス基板を冷却可能な基板冷却装置が開示されている。特許文献１に記載の基板冷却装置では、冷媒管を内蔵した冷却プレートにガラス基板を密着させることで、加熱されたガラス基板をより短時間に、且つ均一に冷却可能とされている。 An organic EL (Electro Luminescence) device or a photovoltaic power generation device (photoelectric conversion device) configured by laminating a thin film on a glass substrate or the like is often subjected to heat treatment in a manufacturing process. The glass substrate that has reached a high temperature is difficult to cool and requires time for cooling. In particular, with a large glass substrate, it is difficult to cool the whole uniformly, uneven temperature distribution occurs, and it is difficult to determine whether the glass substrate is cooled. For this reason, for example, it is not possible to immediately shift to the next process such as electrical inspection or characteristic inspection, which often becomes a bottleneck of production tact.
Further, Document 1 discloses a substrate cooling device that can cool a glass substrate. In the substrate cooling device described in Patent Document 1, the heated glass substrate can be uniformly cooled in a shorter time by bringing the glass substrate into close contact with a cooling plate having a built-in refrigerant tube.

特開２００２−９７０３２号公報JP 2002-97032 A

ところが、特許文献１に記載された基板冷却装置は、複数の冷却プレートにガラス基板を物理的に接触させているため、冷却プレートとガラス基板との間で摩擦が生じ、ガラス基板の表面に傷がつく恐れがある。
また、ガラス基板は、急速冷却に伴うサーマルショックと呼ばれる熱衝撃で、ガラス基板の端部が欠けてしまうことがある。特許文献１に記載された基板冷却装置では、冷却プレートの表面の端部に耐熱テープを貼付することで、サーマルショックを緩衝し、ガラス基板の端部の欠けを防止できるとされている。ところが、特許文献１では、耐熱テープによる効果として、端部の欠け発生率が対策前と比べて低減できたと記載されているが、ゼロにすることは困難である。 However, since the substrate cooling apparatus described in Patent Document 1 physically contacts the glass substrate with a plurality of cooling plates, friction occurs between the cooling plate and the glass substrate, and the surface of the glass substrate is scratched. There is a risk that
In addition, the glass substrate may be chipped at the end of the glass substrate due to thermal shock called thermal shock accompanying rapid cooling. In the substrate cooling apparatus described in Patent Document 1, it is said that by applying a heat-resistant tape to the end of the surface of the cooling plate, the thermal shock can be buffered and the end of the glass substrate can be prevented from being chipped. However, in Patent Document 1, as an effect of the heat-resistant tape, it is described that the occurrence rate of chipping at the end portion can be reduced as compared with that before the countermeasure, but it is difficult to make it zero.

さらに基板冷却装置は、一般に外形形状が大きく、小型化が望まれている。 Further, the substrate cooling device generally has a large outer shape, and a reduction in size is desired.

上記した現状に鑑み、本発明は、冷却による基板の損傷を防止可能であり、かつ外形形状の小型化が可能な基板冷却装置及び基板キュア装置の提供を目的とする。
また同様の課題を解決することができる基板の製造方法の提供を目的とする。 In view of the above-described present situation, an object of the present invention is to provide a substrate cooling apparatus and a substrate curing apparatus that can prevent damage to the substrate due to cooling and that can reduce the outer shape.
It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate that can solve the same problem.

上記課題を解決するための一つの発明は、基板を冷却可能な基板冷却装置において、冷却室と、基板積層装置と、冷却手段と、風向き変更手段とを有し、前記基板積層装置は、複数の基板を各々所定の間隔を空けて積層可能であって、且つ複数の基板を冷却室内の上下方向に移動可能であり、複数の基板は、複数のエリアに区分された位置にあり且つ基板同士の間で送風路が形成され、前記冷却手段は、特定のエリアに対して重点的に送風可能であり、前記風向き変更手段は、一部のエリアから出てくる気流の向きを変更して、他のエリアに対して重点的に送風可能であることを特徴とする基板冷却装置である。 One invention for solving the above-described problems is a substrate cooling apparatus capable of cooling a substrate, comprising a cooling chamber, a substrate laminating apparatus, a cooling means, and a wind direction changing means. The plurality of substrates can be stacked at predetermined intervals, and the plurality of substrates can be moved in the vertical direction in the cooling chamber, and the plurality of substrates are located at positions divided into a plurality of areas and between the substrates. An air passage is formed between the cooling means, the cooling means is capable of focusing air on a specific area, and the wind direction changing means is to change the direction of the airflow coming out of a part of the area, It is a substrate cooling device characterized in that air can be focused on other areas.

上記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、基板を冷却可能な基板冷却装置において、冷却室と、基板積層装置と、冷却手段と、風向き変更手段とを有し、前記基板積層装置は、複数の基板を各々所定の間隔を空けて積層可能であって、且つ複数の基板を冷却室内の上下方向のうち一方向に移動可能であり、複数の基板は、上下方向の複数のエリアに区分された位置にあって、且つ、前記複数のエリアのそれぞれにおいて基板同士の間で送風路が形成され、前記複数のエリアの送風路は、直列的に繋がるものであり、前記冷却手段は、特定のエリアに対して重点的に送風可能であり、前記風向き変更手段は、一部のエリアから出てくる気流の向きを変更して、他のエリアに対して重点的に送風可能であり、前記特定のエリアは、前記複数の基板の移動方向の下流側にあり、前記冷却手段からの送風は、前記特定のエリアにおける基板間の送風路を通過して、他のエリアの基板間の送風路に流れることを特徴とする基板冷却装置である。 The invention according to claim 1 for solving the above-mentioned problem is a substrate cooling apparatus capable of cooling a substrate, comprising: a cooling chamber; a substrate laminating apparatus; a cooling means; and a wind direction changing means. The apparatus is capable of stacking a plurality of substrates each with a predetermined interval, and is capable of moving the plurality of substrates in one of the vertical directions in the cooling chamber. In the position divided into areas, and in each of the plurality of areas, an air passage is formed between the substrates, and the air passages of the plurality of areas are connected in series, and the cooling means Is capable of focusing air on a specific area, and the wind direction changing means is capable of focusing air on other areas by changing the direction of airflow coming out of some areas. And the specific area is the The air from the cooling means passes through the air passage between the substrates in the specific area and flows to the air passage between the substrates in other areas. A substrate cooling apparatus.

冷却装置は、冷却室内の空気を冷却可能であることが望ましい。
本発明で採用する基板冷却装置は、複数の基板を各々所定の間隔を空けて積層可能な基板積層装置を有し、複数の基板は、複数のエリアに区分された位置にあり、且つ基板同士の間によって送風路を形成している。つまり、基板は整流板として機能し、複数の整流板で、各エリアに区分された送風路を構築している。また、本発明で採用する基板冷却装置は、特定のエリアに対して重点的に送風可能な冷却装置と、一部のエリアから出てくる気流の向きを変更して、他のエリアに対して重点的に送風可能な風向き変更手段を有している。 The cooling device is preferably capable of cooling the air in the cooling chamber.
The substrate cooling apparatus employed in the present invention includes a substrate laminating apparatus capable of laminating a plurality of substrates at predetermined intervals, the plurality of substrates being at positions divided into a plurality of areas, and between the substrates. An air passage is formed between the two. That is, the substrate functions as a current plate, and a plurality of current plates are used to construct an air passage divided into each area. In addition, the substrate cooling device employed in the present invention changes the direction of the airflow coming out of a part of the cooling device that can blow air preferentially to a specific area and other areas. It has a wind direction changing means capable of intensively blowing air.

冷却装置で主に特定のエリアに送風すると、特定のエリアに配置された基板で熱が奪われて、ぬるくなった風が出てくる。そのぬるくなった風を、風向き変更手段で主に他のエリアに送風すると、他のエリアに配置された基板で熱が奪われて、さらにぬるくなった風がでてくる。
一方、本発明の基板冷却装置では、複数の基板を冷却室内の上下方向に移動可能である。そのため基板が移動されて各エリアを順次進行する。その結果、各エリアに配置された複数の基板を、各エリアに応じた温度で冷却することが可能である。そのため、複数の基板は、各エリアを経ることで段階的に冷却され、急速冷却による基板の端部の欠けを防止している。また、本発明で採用する基板冷却装置は、冷却媒体として送風を用いているため、基板との機械的な摩擦が生じることがなく、基板は冷却によって損傷することがない。
また本発明の基板冷却装置では、冷却すべき基板を上下方向に積み重ねるので、場所を取らない。 When the cooling device mainly blows air to a specific area, heat is taken away by a substrate arranged in the specific area, and a warm wind comes out. When the warm wind is blown mainly to other areas by the wind direction changing means, the heat is taken away by the substrates arranged in the other areas, and the wind becomes even warmer.
On the other hand, in the substrate cooling apparatus of the present invention, a plurality of substrates can be moved in the vertical direction in the cooling chamber. For this reason, the substrate is moved and sequentially advances in each area. As a result, a plurality of substrates arranged in each area can be cooled at a temperature corresponding to each area. For this reason, the plurality of substrates are cooled step by step through each area, thereby preventing chipping of the end portions of the substrate due to rapid cooling. Further, since the substrate cooling apparatus employed in the present invention uses air as a cooling medium, mechanical friction with the substrate does not occur, and the substrate is not damaged by cooling.
In the substrate cooling apparatus of the present invention, the substrates to be cooled are stacked in the vertical direction, so that no space is taken up.

請求項２に記載の発明は、冷却室は壁を有した筺体で構成されており、前記壁には突出片が設けられており、前記風向き変更手段は、壁の一部と突出片で構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板冷却装置である。 According to a second aspect of the present invention, the cooling chamber is configured by a casing having a wall, the wall is provided with a protruding piece, and the wind direction changing means is configured by a part of the wall and the protruding piece. The substrate cooling apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is a substrate cooling apparatus.

本発明で採用する基板冷却装置は、壁の一部と突出片で構成された風向き変更手段を有している。つまり、風向き変更手段を簡素な構成で構築可能である。例えば、壁に切り欠き部を複数設け、取外し可能な突出片と組み合わせることで、エリア数の増減を容易に行うことが可能である。或いは、自動開閉式の突出片を複数設けることで、エリア数の増減がより容易となる。 The substrate cooling apparatus employed in the present invention has a wind direction changing means composed of a part of a wall and a protruding piece. That is, the wind direction changing means can be constructed with a simple configuration. For example, it is possible to easily increase or decrease the number of areas by providing a plurality of notches on the wall and combining it with a removable protruding piece. Alternatively, the number of areas can be increased or decreased more easily by providing a plurality of automatic opening / closing protruding pieces.

基板冷却装置の送風流路は、循環回路であっても良いが、一方通行の流路構成とすることが推奨される。 The air flow path of the substrate cooling device may be a circulation circuit, but a one-way flow path configuration is recommended.

即ち請求項３に記載の発明は、前記冷却室は、吸気口と排気口を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板冷却装置である。 That is, the invention according to claim 3 is the substrate cooling apparatus according to claim 1 or 2, wherein the cooling chamber has an intake port and an exhaust port.

複数のエリアを通過した空気はかなりの高温となる。その高温の空気を冷却装置に戻して冷却し、再度各エリアに循環させる循環回路を構成すると、冷却装置の負荷が高くなり、高出力の冷却装置が必要となる。
本発明で採用する基板冷却装置は、冷却室に吸気口と排気口を設けている。吸気口は外気を冷却室内に取り込むためのものであり、排気口は冷却室内の不要な空気を冷却室外に排気するためのものである。つまり、冷却装置で冷却する空気を吸気口から取り込んだ外気のみとし、複数のエリアを通過した高温の空気を排気口から排気することで、冷却装置にかかる負担を軽減することが可能となる。すなわち吸気口と排気口を設けることで、ある程度の冷却手段の負荷を低減することができる。 The air that has passed through multiple areas becomes quite hot. If a circulation circuit is configured to return the high-temperature air to the cooling device to cool it and circulate it again to each area, the load on the cooling device increases and a high-power cooling device is required.
The substrate cooling apparatus employed in the present invention is provided with an intake port and an exhaust port in the cooling chamber. The intake port is for taking outside air into the cooling chamber, and the exhaust port is for exhausting unnecessary air inside the cooling chamber to the outside of the cooling chamber. That is, it is possible to reduce the burden on the cooling device by using only the outside air taken in from the intake port as the air to be cooled by the cooling device and exhausting the high-temperature air that has passed through the plurality of areas from the exhaust port. That is, by providing the intake port and the exhaust port, the load on the cooling means can be reduced to some extent.

請求項４に記載の発明は、制御装置と、温度検知手段とを有し、前記温度検知手段は基板の温度を検知可能であり、前記制御装置は温度検知手段で検知した温度に基づいて前記冷却手段を制御可能であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板冷却装置である。 The invention according to claim 4 has a control device and a temperature detection means, the temperature detection means can detect the temperature of the substrate, and the control device is based on the temperature detected by the temperature detection means. 4. The substrate cooling apparatus according to claim 1, wherein the cooling means is controllable.

本発明で採用する基板冷却装置は、温度検知手段に基づいてフィードバック制御が可能となるため、冷却が不十分であったり、冷却をし過ぎることがなく、目標とする温度で基板を仕上げることができる。 Since the substrate cooling apparatus employed in the present invention can perform feedback control based on the temperature detection means, it is possible to finish the substrate at a target temperature without insufficient cooling or excessive cooling. it can.

請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板冷却装置と、基板を加熱可能な基板加熱装置と、移載装置を有し、前記移載装置は基板加熱装置で加熱された基板を基板冷却装置へ搬送可能であることを特徴とする基板キュア装置である。 A fifth aspect of the present invention includes the substrate cooling device according to any one of the first to fourth aspects, a substrate heating device capable of heating the substrate, and a transfer device, wherein the transfer device is a substrate heating device. A substrate curing apparatus characterized in that the substrate heated in step (1) can be transferred to a substrate cooling apparatus.

本発明で採用する基板キュア装置は、基板の加熱から冷却までの工程を一つの装置内で完結可能であり、その他の工程と組み合わせての製造ラインの構築が容易である。 The substrate curing apparatus employed in the present invention can complete the steps from heating to cooling of the substrate in one apparatus, and it is easy to construct a production line in combination with other processes.

請求項６に記載の発明は、前記基板加熱装置と前記基板冷却装置が一体化したものであり、前記基板加熱装置は、加熱室を有し、前記加熱室と前記冷却室は、連通しており、前記移載装置は、加熱室と冷却室に跨って位置していることを特徴とする請求項５に記載の基板キュア装置である。 According to a sixth aspect of the present invention, the substrate heating device and the substrate cooling device are integrated, the substrate heating device has a heating chamber, and the heating chamber and the cooling chamber communicate with each other. The substrate curing apparatus according to claim 5, wherein the transfer device is located across the heating chamber and the cooling chamber.

請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の基板冷却装置又は基板キュア装置を用いて基板を冷却する工程を有することを特徴とする基板の製造方法である。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate manufacturing method comprising a step of cooling a substrate using the substrate cooling device or the substrate curing device according to any one of the first to sixth aspects.

本発明で採用する基板の製造方法は、前記の基板冷却装置又は基板キュア装置を用いて基板を冷却するものである。前述の通り、前記の基板冷却装置又は基板キュア装置を用いることで、冷却による基板の損傷を防止可能である。 The substrate manufacturing method employed in the present invention cools the substrate using the substrate cooling device or the substrate curing device. As described above, by using the substrate cooling device or the substrate curing device, it is possible to prevent the substrate from being damaged by cooling.

本発明の基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法によれば、冷却による基板の損傷を防止できる。また本発明の基板冷却装置及び基板キュア装置は、専有床面積が小さく、場所をとらない。 According to the substrate cooling device, the substrate curing device, and the substrate manufacturing method of the present invention, damage to the substrate due to cooling can be prevented. Further, the substrate cooling device and the substrate curing device of the present invention have a small exclusive floor area and take up little space.

本発明の実施形態に係る基板キュア装置を示す一部断面正面図である。It is a partial cross section front view showing a substrate curing device concerning an embodiment of the present invention. 図１の基板キュア装置を図１のＡ−Ａ方向から観察した斜視図である。It is the perspective view which observed the board | substrate cure apparatus of FIG. 1 from the AA direction of FIG. 基板キュア装置内の空気の流れを示す一部断面正面図である。It is a partial cross section front view which shows the flow of the air in a board | substrate cure apparatus. 基板冷却装置を示す一部断面正面拡大図である。It is a partial cross section front enlarged view showing a substrate cooling device. 基板キュア装置内の基板の流れを示す一部断面正面図である。It is a partial cross section front view which shows the flow of the board | substrate in a substrate curing apparatus. 基板冷却装置における基板の製造方法を示す一部断面正面図であり、（ａ）は基板冷却状態、（ｂ）は基板取出し状態を示す。It is a partial cross section front view which shows the manufacturing method of the board | substrate in a substrate cooling device, (a) shows a substrate cooling state, (b) shows a substrate taking-out state. 図６に続く基板冷却装置における基板の製造方法を示す一部断面正面図であり、（ｃ）は基板下降状態、（ｄ）は基板補充状態を示す。FIGS. 7A and 7B are partial cross-sectional front views illustrating a method for manufacturing a substrate in the substrate cooling apparatus subsequent to FIG. 6, in which FIG.

以下は、本発明の基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明は、実施形態の理解を容易にするためのものであり、これによって、本発明が制限して理解されるべきではない。また下記の実施形態では、理解を容易にするために基板８０を８段積みにした構成を説明するが、実際には、基板８０は、数十段に積まれる。なお基板８０は、ガラス等で作られた薄板であり、１ｍ四方あるいはそれ以上の面積を有する場合が多い。 Hereinafter, embodiments of a substrate cooling device, a substrate curing device, and a substrate manufacturing method of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the following description is for facilitating the understanding of the embodiment, and the present invention should not be understood to be limited thereby. Further, in the following embodiment, a configuration in which the substrates 80 are stacked in eight stages will be described for easy understanding, but actually, the substrates 80 are stacked in several tens of stages. The substrate 80 is a thin plate made of glass or the like, and often has an area of 1 m square or more.

図１に示す基板キュア装置１は、基板加熱装置２と基板冷却装置３とが一体化された装置である。基板キュア装置１は、外郭断熱壁５と天井板６０と底板６１とで周囲を囲まれた筺体４を有している。なお筐体４は、前記した基板８０が水平姿勢で配置されるものであり、相当の大きさを持つ。
筺体４内は、底板６１の略中央に設けられた中間断熱壁８で仕切られており、加熱室６と冷却室７とに区分されている。なお、加熱室６と冷却室７の上部は連通しており、両方に跨って、移載装置３０が設けられている。 A substrate curing apparatus 1 shown in FIG. 1 is an apparatus in which a substrate heating device 2 and a substrate cooling device 3 are integrated. The substrate curing device 1 includes a housing 4 surrounded by an outer heat insulating wall 5, a ceiling plate 60, and a bottom plate 61. In addition, the housing | casing 4 has a considerable magnitude | size in which the above-mentioned board | substrate 80 is arrange | positioned with a horizontal attitude | position.
The inside of the housing 4 is partitioned by an intermediate heat insulating wall 8 provided at substantially the center of the bottom plate 61, and is divided into a heating chamber 6 and a cooling chamber 7. In addition, the upper part of the heating chamber 6 and the cooling chamber 7 is connected, and the transfer apparatus 30 is provided ranging over both.

移載装置３０は、図１に示すように、加熱室６と冷却室７に跨って位置している。移載装置３０は、伸縮部３１と、一対のアーム３２，３２と、レール３３を有している。移載装置３０はいわゆるクレーン装置であり、伸縮部３１は上下方向（天地方向）に伸縮可能であり、一対のアーム３２，３２は開閉可能である。つまり、移載装置３０は、図５に示すように、一対のアーム３２，３２で基板８０を基板積層装置１０ａからすくい取って保持可能である。基板８０を保持した移載装置３０は、レール３３に沿って、加熱室６から冷却室７に移動可能であり、前述の逆の手順で、基板積層装置１０ｂに基板８０を受け渡すことが可能である。つまり、移載装置３０は、加熱室６の基板積層装置１０ａ（図示省略）から冷却室７の基板積層装置１０ｂに基板８０を移し替えて搭載することが可能である。 As shown in FIG. 1, the transfer device 30 is located across the heating chamber 6 and the cooling chamber 7. The transfer device 30 includes a telescopic portion 31, a pair of arms 32 and 32, and a rail 33. The transfer device 30 is a so-called crane device, and the telescopic portion 31 can be expanded and contracted in the vertical direction (vertical direction), and the pair of arms 32 and 32 can be opened and closed. That is, as shown in FIG. 5, the transfer device 30 can scoop and hold the substrate 80 from the substrate stacking device 10 a with the pair of arms 32 and 32. The transfer device 30 holding the substrate 80 can move from the heating chamber 6 to the cooling chamber 7 along the rail 33, and can deliver the substrate 80 to the substrate stacking device 10b in the reverse procedure described above. It is. That is, the transfer device 30 can transfer and mount the substrate 80 from the substrate stacking device 10a (not shown) in the heating chamber 6 to the substrate stacking device 10b in the cooling chamber 7.

加熱室６は、図２，３に示す様に基板８０を加熱して、キュアと呼ばれる熱硬化処理が可能なものである。図１に示すように、加熱室６において、加熱室側外郭断熱壁５ａの下部には開閉扉２６を有した搬入口２０が設けられている。なお、搬入口２０の近傍には、アーム５３を有した搬入装置５２が設けられている。搬入装置５２によって、基板積層装置１０ａに基板８０を搬入することが可能である。また、底板６１には吸気口２２が設けられており、天井板６０には排気口２３が設けられている。加熱室６内には、中板６２が設けられており、中板６２の上側に基板積層装置１０ａが設けられ、中板６２の下側に従来公知のヒータ１７と送風機１８が設けられている。中間断熱壁８の側面であって上部側には、突出片６３が設けられている。 The heating chamber 6 heats the substrate 80 as shown in FIGS. 2 and 3 and can perform a thermosetting process called curing. As shown in FIG. 1, in the heating chamber 6, a carry-in port 20 having an opening / closing door 26 is provided below the heating chamber side outer heat insulating wall 5 a. In the vicinity of the carry-in port 20, a carry-in device 52 having an arm 53 is provided. The carry-in device 52 can carry the substrate 80 into the substrate stacking apparatus 10a. The bottom plate 61 is provided with an air inlet 22, and the ceiling plate 60 is provided with an air outlet 23. In the heating chamber 6, an intermediate plate 62 is provided, a substrate stacking apparatus 10 a is provided above the intermediate plate 62, and a conventionally known heater 17 and blower 18 are provided below the intermediate plate 62. . A protruding piece 63 is provided on the side surface of the intermediate heat insulating wall 8 on the upper side.

すなわち、加熱室６では、図３に示すように、ヒータ１７と送風機１８により、吸気口２２から取り込まれた外気は、加熱された後に中間断熱壁８に向かって送風される。中間断熱壁８に沿って送風された空気は、突出片６３で風向きを変えて、複数の基板８０に向けて送風される。複数の基板８０を通過した空気の大部分は、上昇して排気口２３から筺体４の外へ排気される。一方、複数の基板８０を通過した空気の一部は、下降してヒータ１７側に戻り、加熱室６内を循環する。なお、図３では、説明の都合上、基板積層装置１０ａ，１０ｂの図示を省略している。 That is, in the heating chamber 6, as shown in FIG. 3, the outside air taken in from the intake port 22 is heated toward the intermediate heat insulating wall 8 by the heater 17 and the blower 18 after being heated. The air blown along the intermediate heat insulating wall 8 is blown toward the plurality of substrates 80 by changing the wind direction at the protruding piece 63. Most of the air that has passed through the plurality of substrates 80 rises and is exhausted from the exhaust port 23 to the outside of the housing 4. On the other hand, some of the air that has passed through the plurality of substrates 80 descends and returns to the heater 17 side, and circulates in the heating chamber 6. In FIG. 3, illustration of the substrate stacking apparatuses 10a and 10b is omitted for convenience of explanation.

基板積層装置１０ａは、図１に示すように、一対の駆動部１１ａ，１１ｂを有している。一対の駆動部１１ａ，１１ｂは対向配置されており、一対の駆動部１１ａ，１１ｂを同期運転されることで、鏡像動作が可能である。 As shown in FIG. 1, the substrate stacking apparatus 10a has a pair of drive units 11a and 11b. The pair of drive units 11a and 11b are arranged to face each other, and a mirror image operation is possible by synchronously operating the pair of drive units 11a and 11b.

駆動部１１ａ，１１ｂはいずれも２本の連通軸２８，２９を有し、当該連通軸２８，２９の両端にプーリ１２，１３が設けられている。そしてプーリ１２，１３にベルト１４が懸架されている。プーリ１２，１３は、従来公知のものであり、上下方向に対向配置されている。懸架されたベルト１４には、背面に突起１５が一定間隔Ｄをあけて複数設けられている。
一方、プーリ１２は、図示しないモータで駆動されるものであり、プーリ１２を駆動することで、ベルト１４を周回移動させる。その結果、ベルト１４に設けられた突起１５が昇降する。 The drive units 11 a and 11 b both have two communication shafts 28 and 29, and pulleys 12 and 13 are provided at both ends of the communication shafts 28 and 29. A belt 14 is suspended from pulleys 12 and 13. The pulleys 12 and 13 are conventionally known ones and are arranged to face each other in the vertical direction. A plurality of protrusions 15 are provided on the back surface of the suspended belt 14 with a constant interval D.
On the other hand, the pulley 12 is driven by a motor (not shown), and the belt 14 is moved around by driving the pulley 12. As a result, the protrusion 15 provided on the belt 14 moves up and down.

基板積層装置１０ａは、図２に示す様に、対向配置された突起１５，１５で基板８０を支持可能であり、複数の基板８０を、所定の間隔Ｄを空けて積層可能である。
また、前述の通り、一対の駆動部１１ａ，１１ｂは同期運転されるため、一対の駆動部１１ａ，１１ｂが各々備える突起１５，１５も同期して駆動される。その結果、基板積層装置１０ａは、複数の基板８０を下から上に向かって一斉に移動可能である。 As shown in FIG. 2, the substrate stacking apparatus 10 a can support the substrate 80 with the protrusions 15, 15 arranged to face each other, and can stack a plurality of substrates 80 with a predetermined interval D.
Further, as described above, since the pair of drive units 11a and 11b are operated synchronously, the protrusions 15 and 15 included in the pair of drive units 11a and 11b are also driven in synchronization. As a result, the substrate stacking apparatus 10a can move the plurality of substrates 80 simultaneously from the bottom to the top.

一方、冷却室７は、図２，３に示す様に基板８０を冷却可能なものである。図１に示すように、冷却室７において、冷却室側外郭断熱壁５ｂには開閉扉２７を有した搬出口２１が設けられている。
筐体４を全体的に観察したとき、搬出口２１の位置は、加熱室６の搬入口２０と対向する位置にある。すなわち搬出口２１は、搬入口２０が設けられた加熱室側外郭断熱壁５ａに対して対向する位置の冷却室側外郭断熱壁５ｂに設けられている。また搬出口２１の高さは、比較的低い位置にある。 On the other hand, the cooling chamber 7 can cool the substrate 80 as shown in FIGS. As shown in FIG. 1, in the cooling chamber 7, a carry-out port 21 having an opening / closing door 27 is provided in the cooling chamber side outer heat insulating wall 5 b.
When the housing 4 is observed as a whole, the position of the carry-out port 21 is at a position facing the carry-in port 20 of the heating chamber 6. In other words, the carry-out port 21 is provided in the cooling chamber-side outer heat insulating wall 5b at a position facing the heating chamber-side outer heat insulating wall 5a in which the carry-in port 20 is provided. Moreover, the height of the carry-out port 21 is at a relatively low position.

搬出口２１の外側には温度センサ４９（温度検知手段）が設けられている。なお、搬出口２１の近傍には、アーム５５を有した搬出装置５４が設けられている。搬出装置５４によって、基板積層装置１０ｂから基板８０を筺体４の外へ取り出すことが可能である。また、冷却室側外郭断熱壁５ｂの底板６１近傍の位置には、吸気口２４が設けられており、天井板６０には排気口２５が設けられている。冷却室７内には、中板６４が設けられており、中板６４の上側に基板積層装置１０ｂが設けられ、中板６４の下側に従来公知の蒸発器４４と送風機４７が設けられている。送風機４７の近傍には温度センサ４８（温度検知手段）が設けられている。 A temperature sensor 49 (temperature detection means) is provided outside the carry-out port 21. An unloading device 54 having an arm 55 is provided in the vicinity of the unloading port 21. By the carry-out device 54, the substrate 80 can be taken out of the housing 4 from the substrate stacking device 10b. In addition, an intake port 24 is provided at a position in the vicinity of the bottom plate 61 of the cooling chamber side outer heat insulating wall 5 b, and an exhaust port 25 is provided in the ceiling plate 60. In the cooling chamber 7, an intermediate plate 64 is provided, a substrate stacking apparatus 10 b is provided above the intermediate plate 64, and a conventionally known evaporator 44 and blower 47 are provided below the intermediate plate 64. Yes. A temperature sensor 48 (temperature detection means) is provided in the vicinity of the blower 47.

なお、蒸発器４４は冷凍回路４０の一部である。冷凍回路４０は、圧縮機４１、凝縮器４２、膨張弁４３、蒸発器４４から構成される。圧縮機４１から蒸発器４４に至る各装置は冷媒配管４５によって接続されている。凝縮器４２の近傍にはファン４６が配置されている。なお、冷凍回路４０は公知の冷凍サイクルであるため、詳細な説明は省略する。
冷凍回路４０は、制御装置５０で制御されるものである。なお、制御装置５０には、前述の温度センサ４８，４９で測定された温度情報が入力される。即ち冷凍回路４０は、蒸発器４４の下流側に配された温度センサ４８の検知温度が所定の温度となる様に制御されている。 The evaporator 44 is a part of the refrigeration circuit 40. The refrigeration circuit 40 includes a compressor 41, a condenser 42, an expansion valve 43, and an evaporator 44. Each device from the compressor 41 to the evaporator 44 is connected by a refrigerant pipe 45. A fan 46 is disposed in the vicinity of the condenser 42. Since the refrigeration circuit 40 is a known refrigeration cycle, a detailed description is omitted.
The refrigeration circuit 40 is controlled by the control device 50. The controller 50 receives temperature information measured by the temperature sensors 48 and 49 described above. In other words, the refrigeration circuit 40 is controlled so that the temperature detected by the temperature sensor 48 disposed on the downstream side of the evaporator 44 becomes a predetermined temperature.

さらに、冷却室７内には、突出片６５〜６８が設けられている。突出片６５〜６８は、いずれもある程度の面積を有するものであり、冷却室７の略全幅（図１，３の奥行き方向）に渡っている。
突出片６５，６７は、上下方向に間隔を空けて中央の中間断熱壁８の冷却室７に設けられている。即ち突出片６７は、中間断熱壁８の中間部分にあり、庇の如く中間断熱壁８から略垂直方向に突出している。突出片６５は、中間断熱壁８の上端近傍にあり、同じく庇の如く中間断熱壁８から略垂直方向に突出している。
これに対して突出片６８は、前記した突出片６５，６７の間にあり、自由端側が基端側よりも上方にある。即ち突出片６８は傾斜姿勢である。 Furthermore, projecting pieces 65 to 68 are provided in the cooling chamber 7. Each of the projecting pieces 65 to 68 has a certain area, and extends over substantially the entire width of the cooling chamber 7 (the depth direction in FIGS. 1 and 3).
The protruding pieces 65 and 67 are provided in the cooling chamber 7 of the central intermediate heat insulating wall 8 with a space in the vertical direction. That is, the protruding piece 67 is in the middle part of the intermediate heat insulating wall 8 and protrudes from the intermediate heat insulating wall 8 in a substantially vertical direction like a ridge. The protruding piece 65 is in the vicinity of the upper end of the intermediate heat insulating wall 8 and protrudes in a substantially vertical direction from the intermediate heat insulating wall 8 similarly as a ridge.
On the other hand, the protruding piece 68 is between the protruding pieces 65 and 67 described above, and the free end side is higher than the base end side. That is, the protruding piece 68 is in an inclined posture.

突出片６６は、冷却室側外郭断熱壁５ｂに設けられている。突出片６６は、庇の如く冷却室側外郭断熱壁５ｂから略垂直方向に突出している。 The protruding piece 66 is provided on the cooling chamber side outer heat insulating wall 5b. The protruding piece 66 protrudes in a substantially vertical direction from the cooling chamber side outer heat insulating wall 5b like a bowl.

突出片６６の位置は、上下方向において、突出片６５，６７の略真ん中に位置している。つまり、突出片６５〜６７は、上下方向において、突出片６５〜６７の順番で、下側から上側に向かって位置している。なお、突出片６６の下側には、軸流ファン５１（送風装置）が設けられている。 The position of the protruding piece 66 is positioned substantially in the middle of the protruding pieces 65 and 67 in the vertical direction. That is, the protruding pieces 65 to 67 are positioned from the lower side to the upper side in the order of the protruding pieces 65 to 67 in the vertical direction. An axial fan 51 (blower) is provided below the protruding piece 66.

本実施形態においては、冷却室７の内部が、前記した突出片６５〜６７によって、高さ方向にＡ〜Ｃのエリアに区分されている。
つまり本実施形態においては、冷却室７は、中板６４から中間断熱壁８に設けられた突出片６５までの高さ領域がＡエリアである。また中間断熱壁８に設けられた突出片６５から冷却室側外郭断熱壁５ｂの内面側に設けられた突出片６６までの高さ領域がＢエリアである。さらに冷却室側外郭断熱壁５ｂの内面側に設けられた突出片６６から中間断熱壁８の上端近傍に設けられた突出片６７までの高さ領域がＣエリアである。 In the present embodiment, the inside of the cooling chamber 7 is divided into areas A to C in the height direction by the protruding pieces 65 to 67 described above.
That is, in the present embodiment, the cooling chamber 7 has an A area in the height region from the intermediate plate 64 to the protruding piece 65 provided on the intermediate heat insulating wall 8. A height area from the protruding piece 65 provided on the intermediate heat insulating wall 8 to the protruding piece 66 provided on the inner surface side of the cooling chamber side outer heat insulating wall 5b is a B area. Further, a C area is a height region from the protruding piece 66 provided on the inner surface side of the cooling chamber side outer heat insulating wall 5b to the protruding piece 67 provided near the upper end of the intermediate heat insulating wall 8.

ここで、冷却室７側に設けられた基板積層装置１０ｂは、前述の加熱室６に設けられたものと同様の構成であり、構成についての詳細な説明を省略する。基板積層装置１０ｂについても、図２〜４に示すように、複数の基板８０が所定の間隔Ｄを空けて積層される。なお、図３，４では、説明の都合上、基板積層装置１０ｂの図示を省略している。 Here, the substrate stacking apparatus 10b provided on the cooling chamber 7 side has the same configuration as that provided in the heating chamber 6 described above, and a detailed description thereof will be omitted. Also in the substrate stacking apparatus 10b, as shown in FIGS. 2 to 4, a plurality of substrates 80 are stacked with a predetermined interval D therebetween. 3 and 4, the illustration of the substrate stacking apparatus 10b is omitted for convenience of explanation.

基板積層装置１０ｂに対する基板８０の搭載状態を説明すると、図４に示すように、複数の基板８０は、下側から上側に向かって、基板８０ａ〜８０ｆの順番で間隔Ｄを空けて搭載されている。基板８０は基板積層装置１０ｂによって上方から下方側に向かって降下するものではあるが、図４の時点においては、水平方向において、突出片６５は基板８０ｂと略同一線上の位置にある。また同じく、突出片６６は基板８０ｄと略同一線上の位置にあり、突出片６７は基板８０ｆと同一線上の位置にある。
前記した様に冷却室７の内部は、前記した突出片６５〜６７によって、高さ方向にＡ〜Ｃのエリアに区分されているから、図４の時点においては、Ａエリアに基板８０ａ，８０ｂが位置し、Ｂエリアに基板８０ｃ，８０ｄが位置し、Ｃエリアに基板８０ｅ，８０ｆが位置している。 Explaining the mounting state of the substrate 80 with respect to the substrate stacking apparatus 10b, as shown in FIG. 4, the plurality of substrates 80 are mounted at intervals D in the order of the substrates 80a to 80f from the lower side to the upper side. Yes. The substrate 80 is lowered from the upper side to the lower side by the substrate laminating apparatus 10b. However, at the time of FIG. 4, the protruding piece 65 is in a position substantially collinear with the substrate 80b in the horizontal direction. Similarly, the projecting piece 66 is located on the same line as the substrate 80d, and the projecting piece 67 is located on the same line as the substrate 80f.
As described above, the inside of the cooling chamber 7 is divided into areas A to C in the height direction by the protruding pieces 65 to 67 described above. Therefore, at the time of FIG. , The substrates 80c and 80d are located in the B area, and the substrates 80e and 80f are located in the C area.

また最も下のＡエリアとその上のＢエリアとの境界部には基板８０ｂがある。そして基板８０ｂは、相当の面積があり、ＡエリアとＢエリアとの間は基板８０ｂで塞がれている。そのためＡエリアからＢエリアに対して直接的には通風されにくい状態となっている。
一方、Ａエリア内に存在する基板８０ａと８０ｂとの間には隙間８１ａがあり、隙間８１ａは冷却室７の下部側であって中間断熱壁８の近傍部５６と冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部５７を連通する。
すなわち基板８０ａと８０ｂとの間には隙間８１ａは、Ａエリアの両端部たる冷却室７の下部側であって中間断熱壁８の近傍部５６と冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部５７を連通する。そしてその一方で、ＡエリアとＢエリアとの間は、概ね基板８０ｂで遮蔽されている。
そして本実施形態では、基板８０ａと８０ｂとの間に形成される隙間８１ａが送風路Ｓとして機能する。
なお実際の装置では、基板８０の積載量が、数十段に及ぶので、Ａエリアに属する基板８０の枚数は多く、基板８０の間に形成される隙間８１の数も多い。 There is a substrate 80b at the boundary between the lowermost A area and the upper B area. The substrate 80b has a considerable area, and the area A and the area B are closed by the substrate 80b. For this reason, it is difficult to ventilate directly from the A area to the B area.
On the other hand, there is a gap 81a between the substrates 80a and 80b existing in the area A, and the gap 81a is on the lower side of the cooling chamber 7 and between the vicinity 56 of the intermediate heat insulating wall 8 and the cooling side outer heat insulating wall 5b. The vicinity 57 is communicated.
In other words, the gap 81a between the substrates 80a and 80b communicates with the vicinity 56 of the intermediate heat insulating wall 8 and the vicinity 57 of the cooling outer shell insulating wall 5b on the lower side of the cooling chamber 7 which is both ends of the A area. To do. On the other hand, the area A and the area B are generally shielded by the substrate 80b.
In this embodiment, the gap 81a formed between the substrates 80a and 80b functions as the air blowing path S.
In an actual apparatus, since the loading amount of the substrate 80 reaches several tens of steps, the number of the substrates 80 belonging to the A area is large, and the number of the gaps 81 formed between the substrates 80 is also large.

またＢエリアについても同様であり、基板８０ｂと８０ｃとの間に形成される隙間８１ｂがＢエリアの送風路Ｓとして機能する。また基板８０ｃと８０ｄとの間に形成される隙間８１ｃについてもＢエリアの送風路Ｓとして機能する。
すなわち上記した隙間８１ｂ，隙間８１ｃは、Ｂエリアの両端部たる冷却室７の中間部であって冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部７２と冷却室７の中間部であって中間断熱壁８の近傍部７３の間を連通する。そしてその一方で、ＡエリアとＢエリアとの間は、概ね基板８０ｂで遮蔽されている。またＢエリアとＣエリアとの間は、概ね基板８０ｄで遮蔽されている。 The same applies to the B area, and a gap 81b formed between the substrates 80b and 80c functions as the B area air passage S. The gap 81c formed between the substrates 80c and 80d also functions as the B area air passage S.
That is, the gap 81b and the gap 81c described above are an intermediate portion of the cooling chamber 7 that is both ends of the B area, and are an intermediate portion 72 of the cooling side outer heat insulating wall 5b and an intermediate portion of the cooling chamber 7 and the intermediate heat insulating wall 8. The neighborhood 73 is communicated. On the other hand, the area A and the area B are generally shielded by the substrate 80b. The area between the B area and the C area is generally shielded by the substrate 80d.

さらにＣエリアについても同様であり、基板８０ｄと８０ｅとの間に形成される隙間８１ｄがＣエリアの送風路Ｓとして機能する。また基板８０ｅと８０ｆとの間に形成される隙間８１ｅについてもＣエリアの送風路Ｓとして機能する。
すなわち上記した隙間８１ｄ，隙間８１ｅは、Ｃエリアの両端部たる冷却室７の上部であって中間断熱壁８の近傍部７５と冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部７６を連通する。
そしてその一方で、ＣエリアとＢエリアとの間は、概ね基板８０ｄで遮蔽されている。また各エリアの送風路Ｓは、基板８０を外れた位置で連通する。そのため各エリアの送風路Ｓは、直列的に繋がる。
また一連の送風路ＳはＳ字上に蛇行する。 The same applies to the C area, and a gap 81d formed between the substrates 80d and 80e functions as the air passage S of the C area. Further, the gap 81e formed between the substrates 80e and 80f also functions as the air passage S in the C area.
That is, the gap 81d and the gap 81e described above communicate with the vicinity 75 of the intermediate heat insulating wall 8 and the vicinity 76 of the cooling outer shell heat insulating wall 5b at the upper part of the cooling chamber 7 as both ends of the C area.
On the other hand, the area between the C area and the B area is generally shielded by the substrate 80d. Further, the air passage S in each area communicates at a position away from the substrate 80. Therefore, the air passage S in each area is connected in series.
Further, the series of air passages S meander in an S shape.

そのため冷却室７内には、突出片６５〜６７と基板８０ａ〜８０ｆとによって、Ａ〜Ｃのエリアに区分された送風路Ｓが形成されている。蛇行した送風路Ｓにおいて、各エリアに位置する基板８０ａ〜８０ｆは、整流板的な機能を発揮する。 Therefore, in the cooling chamber 7, an air passage S divided into areas A to C is formed by the protruding pieces 65 to 67 and the substrates 80 a to 80 f. In the meandering air passage S, the substrates 80a to 80f located in each area exhibit a function of a current plate.

また前記した送風路の一端側（下側）は、中板６４と底板６１とによって構成される導入流路８５と連通し、その端部は吸気口２４に繋がっている。
そして中板６４の下側には蒸発器４４と送風機４７があり、当該蒸発器４４と送風機４７は、導入流路８５内に置かれている。 Further, one end side (lower side) of the above-described air passage communicates with the introduction flow path 85 constituted by the middle plate 64 and the bottom plate 61, and the end portion thereof is connected to the intake port 24.
The evaporator 44 and the blower 47 are provided below the intermediate plate 64, and the evaporator 44 and the blower 47 are placed in the introduction flow path 85.

そのため、図３、図４に示すように、送風路Ｓの上流たる導入流路８５において、送風機４７に吸引され、吸気口２４から取り込まれた外気は、蒸発器４４を通過して冷却された後、中間断熱壁８に向かって送風される。中間断熱壁８に沿って送風された空気は、中間断熱壁８及び突出片６５に衝突して風向きを変え、Ａエリアに対して重点的に送風される。ここでＡエリアでは、図面左側の、冷却室７の下部側であって中間断熱壁８の近傍部５６と、図面右側の、冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部５７が、基板８０ａ，８０ｂの間の隙間８１ａによって連通するから、送風は、当該隙間８１ａを図面右側に向かって流れる。この間、送風は基板８０ａ，８０ｂと接し、基板８０ａ，８０ｂの熱を奪う。 Therefore, as shown in FIGS. 3 and 4, in the introduction flow path 85 upstream of the air passage S, the outside air sucked into the air blower 47 and taken in from the air inlet 24 is cooled through the evaporator 44. Thereafter, the air is blown toward the intermediate heat insulating wall 8. The air blown along the intermediate heat insulating wall 8 collides with the intermediate heat insulating wall 8 and the protruding piece 65 to change the wind direction, and is blown mainly on the A area. Here, in the area A, the vicinity 56 of the intermediate heat insulating wall 8 on the left side of the cooling chamber 7 on the left side of the drawing and the vicinity 57 of the cooling side outer heat insulating wall 5b on the right side of the drawing are the substrates 80a and 80b. Since air is communicated by the gap 81a, the air flows through the gap 81a toward the right side of the drawing. During this time, the air blow contacts the substrates 80a and 80b and takes the heat of the substrates 80a and 80b.

Ａエリアを通過した空気は、冷却側外郭断熱壁５ｂに衝突し、さらに突出片６６で風向きを変えて、Ｂエリアに対して重点的に送風される。つまり、断熱壁５と突出片６６は、風向き変更手段７０を成している。 The air that has passed through the A area collides with the cooling-side outer heat insulating wall 5b, further changes the wind direction with the protruding piece 66, and is intensively blown to the B area. That is, the heat insulating wall 5 and the protruding piece 66 constitute the wind direction changing means 70.

またＡエリアの末端部たる冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部５７には、軸流ファン５１（送風装置）が設けられているので、冷却側外郭断熱壁５ｂの近傍部５７に至った送風は、軸流ファン５１で再加圧されてＢエリアに送風される。
そしてＢのエリアの両端は、基板８０ｂと８０ｃとの間に形成される隙間８１ｂ及び、基板８０ｃと８０ｄとの間に形成される隙間８１ｃによって連通するから、送風はこれらの隙間８１ｂ，８１ｃを通過する。すなわちＢエリアでは、図面右側から左側に向かって送風される。
また、Ｂエリアを通過した空気は、中間断熱壁８に沿って進み、突出片６７，６８で風向きを変えて、Ｃエリアに対して重点的に送風される。Ｃエリアについても、送風は、基板８０ｄと８０ｅとの間に形成される隙間８１ｄと、基板８０ｅと８０ｆとの間に形成される隙間８１ｅを流れることとなる。 Moreover, since the axial flow fan 51 (air blower) is provided in the vicinity part 57 of the cooling side outer heat insulation wall 5b which is the terminal part of A area, the ventilation which reached the vicinity part 57 of the cooling side outer heat insulation wall 5b is carried out. The air is re-pressurized by the axial fan 51 and blown to the area B.
Since both ends of the area B communicate with each other by a gap 81b formed between the substrates 80b and 80c and a gap 81c formed between the substrates 80c and 80d, the air flows through these gaps 81b and 81c. pass. That is, in area B, air is blown from the right side to the left side of the drawing.
Further, the air that has passed through the B area travels along the intermediate heat insulating wall 8, changes the wind direction with the protruding pieces 67 and 68, and is intensively blown to the C area. Also in the area C, the air flows through a gap 81d formed between the substrates 80d and 80e and a gap 81e formed between the substrates 80e and 80f.

ここで突出片６８は、他の突出片６５，６６，６７と異なり、傾斜した形状となっている。突出片６８は、Ｃエリアの送風を適度の分配し、Ｃエリア内の送風路Ｓに均等に送風するために設けられている。
すなわち他の突出片６５，６６，６７は、壁面から垂直姿勢に設置されており、送風が隣接するエリアに直接洩れることを阻止している。これに対して突出片６８は、傾斜姿勢となっており、突出片６８よりも上方側に送風を漏らす構造となっている。
いずれにしても、本実施形態では、中間断熱壁８と突出片６７，６８は、風向き変更手段７１を成している。なお、Ｃのエリアを通過した空気は、上昇して排気口２５から筺体４の外へ排気される。 Here, unlike the other protruding pieces 65, 66, and 67, the protruding piece 68 has an inclined shape. The protruding piece 68 is provided in order to appropriately distribute the air in the C area and to uniformly blow the air to the air passage S in the C area.
That is, the other projecting pieces 65, 66, and 67 are installed in a vertical posture from the wall surface, and prevent the ventilation from directly leaking into the adjacent area. On the other hand, the protruding piece 68 has an inclined posture, and has a structure in which air is leaked upward from the protruding piece 68.
In any case, in the present embodiment, the intermediate heat insulating wall 8 and the projecting pieces 67 and 68 constitute the wind direction changing means 71. The air passing through the area C rises and is exhausted from the exhaust port 25 to the outside of the housing 4.

つぎに、本実施形態の基板キュア装置１を用いた基板８０の製造方法について、図５，図６（ａ）〜図７（ｄ）を用いて説明する。
基板８０は、搬入口２０から加熱室６（基板加熱装置２）に搬入され、基板積層装置１０ａの対向する突起１５に載置される。
加熱室６に搬入された基板８０は、加熱室６の最も下の位置にあり、基板積層装置１０ａの駆動に応じて次第に上昇する。基板積層装置１０ａが駆動して基板８０が上昇すると、新たに空き状態の突起１５の組が移動して来るので、空き状態の突起１５の組にも順次基板８０が載置される。
遂には加熱室６内に基板８０が満載状態となり、最も上の基板８０が基板積層装置１０ａの最上部に至る。この間、基板８０は加熱され続け、キュア処理が完了する。 Next, a method for manufacturing the substrate 80 using the substrate curing apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6A to 7D.
The substrate 80 is carried into the heating chamber 6 (substrate heating device 2) from the carry-in entrance 20, and is placed on the opposing protrusion 15 of the substrate stacking device 10a.
The board | substrate 80 carried in into the heating chamber 6 exists in the lowest position of the heating chamber 6, and raises gradually according to the drive of the board | substrate lamination apparatus 10a. When the substrate stacking apparatus 10a is driven to raise the substrate 80, a new set of projections 15 in the empty state is moved, so that the substrates 80 are sequentially placed on the set of projections 15 in the empty state.
Finally, the substrate 80 is fully loaded in the heating chamber 6, and the uppermost substrate 80 reaches the top of the substrate stacking apparatus 10a. During this time, the substrate 80 continues to be heated and the curing process is completed.

図５において、加熱室６（基板加熱装置２）でキュア処理（加熱処理）が行われた基板８０は、移載装置３０によって、加熱室６の基板積層装置１０ａ（図示省略）から冷却室７（基板冷却装置３）の基板積層装置１０ｂ（図示省略）に移載される。
そして移載装置３０によって、加熱室６の最も上部の基板８０が保持されて上昇し、隣の冷却室７に搬送される。そして冷却室７に設置された基板積層装置１０ｂにキュア処理後の基板８０が設置される。
すなわち基板８０は、基板積層装置１０ｂの対向する突起１５に載置される。
冷却室７に搬入された基板８０は、冷却室７の最も上の位置にあり、基板積層装置１０ｂの駆動に応じて次第に下降する。基板積層装置１０ｂが駆動して基板８０が下降すると、新たに空き状態の突起１５の組が移動して来るので、空き状態の突起１５の組にも順次キュア処理後の基板８０が載置される。
遂には冷却室７内に基板８０が満載状態となり、最も下の基板８０ａが基板積層装置１０ｂの最下部に至る。この間、基板８０は冷却され続ける。 In FIG. 5, the substrate 80 that has been cured (heated) in the heating chamber 6 (substrate heating device 2) is transferred from the substrate stacking device 10 a (not shown) in the heating chamber 6 to the cooling chamber 7 by the transfer device 30. The substrate is transferred to the substrate stacking apparatus 10b (not shown) of the (substrate cooling apparatus 3).
Then, the uppermost substrate 80 of the heating chamber 6 is held and raised by the transfer device 30, and is transferred to the adjacent cooling chamber 7. Then, the substrate 80 after the curing process is installed in the substrate stacking apparatus 10b installed in the cooling chamber 7.
That is, the board | substrate 80 is mounted in the processus | protrusion 15 which the board | substrate lamination apparatus 10b opposes.
The board | substrate 80 carried in to the cooling chamber 7 exists in the uppermost position of the cooling chamber 7, and descends gradually according to the drive of the board | substrate lamination apparatus 10b. When the substrate stacking apparatus 10b is driven and the substrate 80 is lowered, a new set of projections 15 in the empty state is moved, so that the substrates 80 after the curing process are sequentially placed on the set of projections 15 in the empty state. The
Finally, the substrate 80 is fully loaded in the cooling chamber 7, and the lowermost substrate 80a reaches the lowermost portion of the substrate stacking apparatus 10b. During this time, the substrate 80 continues to be cooled.

図６（ａ）の「基板冷却状態」においては、キュア処理済（加熱処理済）の基板８０ａ〜８０ｆが、冷却室７の基板積層装置１０ｂ（図示省略）に搭載された状態を示している。前述の通り、冷却室７内には、突出片６５〜６７，６８と基板８０ａ〜８０ｆとによって、Ａ〜Ｃのエリアに区分され、さらに各基板８０ａ〜８０ｆ同士の隙間８１ａ〜８１ｅによって各エリア毎に独立した流路が形成されている。そして各流路は直列的に繋がっていて一連の送風路Ｓが形成されている。この状態において、蒸発器４４と送風機４７によって冷却された空気は、最初にＡエリアに送風される。冷却された空気は、Ａのエリアにおいて、基板８０ａ，８０ｂに熱を奪われ、ぬるくなった空気としてＡのエリアから出て行く。 The “substrate cooling state” in FIG. 6A shows a state where the cured (heat-treated) substrates 80 a to 80 f are mounted on the substrate stacking apparatus 10 b (not shown) in the cooling chamber 7. . As described above, the cooling chamber 7 is divided into areas A to C by the protruding pieces 65 to 67 and 68 and the substrates 80a to 80f, and each area is defined by the gaps 81a to 81e between the substrates 80a to 80f. An independent flow path is formed for each. And each flow path is connected in series and a series of ventilation paths S are formed. In this state, the air cooled by the evaporator 44 and the blower 47 is first blown to the A area. In the area A, the cooled air is deprived of heat by the substrates 80a and 80b, and goes out of the area A as warm air.

Ａのエリアを通過してぬるくなった空気は、風向き変更手段７０によって、Ｂのエリアに送風される。ぬるくなった空気は、Ｂのエリアにおいて、基板８０ｃ，８０ｄに熱を奪われ、さらにぬるくなった空気としてＢのエリアから出て行く。
Ｂのエリアを通過してさらにぬるくなった空気は、風向き変更手段７１によって、Ｃのエリアに送風される。さらにぬるくなった空気は、Ｃのエリアにおいて、基板８０ｅ，８０ｆに熱を奪われ、さらにぬるくなった空気としてＣのエリアから出て行く。 The air that has passed through the area A and has become slim is blown to the area B by the wind direction changing means 70. In the area B, the warm air is deprived of heat by the substrates 80c and 80d, and then goes out of the area B as the warm air.
The air that has further become slim after passing through the area B is sent to the area C by the wind direction changing means 71. Further, in the area C, the air that has become warmer is deprived of heat by the substrates 80e and 80f, and goes out of the area C as the air that has become thinner.

つまり、蒸発器４４で冷却された空気は、Ａ〜Ｃのエリアに区分された送風路Ｓを通過することで、段階的に熱を奪われる。そのため、Ａ〜Ｃのエリアの順番で、冷却された空気の温度が、暖かい温度へとシフトしている。その結果、基板８０は、Ｃ〜Ａのエリアを経ることで、段階的に冷却される。 That is, the air cooled by the evaporator 44 is deprived of heat stepwise by passing through the air passage S divided into areas A to C. Therefore, the temperature of the cooled air is shifted to a warm temperature in the order of the areas A to C. As a result, the substrate 80 is gradually cooled by passing through the areas C to A.

図６（ｂ）の「基板取出し状態」においては、搬出口２１が有する開閉扉２７が開かれて、Ａのエリアにあった基板８０ａが筺体４の外へ取り出されている。取り出された基板８０ａは、温度センサ４９によって温度が検知される。この検知された温度信号は、制御装置５０にフィードバックされ、冷却室７内の温度調整がなされる。 In the “substrate removal state” of FIG. 6B, the opening / closing door 27 of the carry-out port 21 is opened, and the substrate 80 a in the area A is taken out of the housing 4. The temperature of the removed substrate 80 a is detected by the temperature sensor 49. The detected temperature signal is fed back to the control device 50, and the temperature in the cooling chamber 7 is adjusted.

図７（ｃ）の「基板下降状態」においては、基板積層装置１０ｂ（図示省略）によって、基板８０ｂ〜８０ｆが、基板８０ひとつ分だけ一斉に下降されている。その結果、Ａのエリアに基板８０ｂ，８０ｃが位置し、Ｂのエリアに基板８０ｄ，８０ｅが位置し、Ｃのエリアに基板８０ｆが位置している。 In the “substrate lowered state” of FIG. 7C, the substrates 80b to 80f are lowered all at once by the substrate stacking apparatus 10b (not shown). As a result, the substrates 80b and 80c are located in the area A, the substrates 80d and 80e are located in the area B, and the substrate 80f is located in the area C.

図７（ｄ）の「基板補充状態」においては、移載装置３０（図示省略）により、キュア処理済（加熱処理済）の基板８０ｇが補充されている。
つまり、上記の図６（ａ）〜図７（ｄ）のサイクルを繰り返すことにより、キュア処理済（加熱処理済）の基板８０を連続的に冷却して仕上げることができる。 In the “substrate replenishment state” of FIG. 7D, the transfer device 30 (not shown) is replenished with the cured (heat-treated) substrate 80g.
That is, by repeating the cycle shown in FIGS. 6A to 7D, the cured (heat-treated) substrate 80 can be continuously cooled and finished.

以上の通り、冷却室７では、基板８０の冷却温度は、Ａ〜Ｃのエリアに応じて段階的にゆるめられている。つまり、基板８０をＣ〜Ａのエリアへと順番に送ることにより、徐々に冷却することが可能となる。その結果、基板８０は、従来のように急速冷却による割れが生じることはない。つまり、基板キュア装置１（基板冷却装置３）を用いることにより、冷却による基板８０の損傷を防止できる。 As described above, in the cooling chamber 7, the cooling temperature of the substrate 80 is gradually reduced according to the areas A to C. That is, it is possible to gradually cool the substrate 80 by sequentially feeding the substrate 80 to the areas C to A. As a result, the substrate 80 is not cracked by rapid cooling as in the prior art. That is, by using the substrate curing device 1 (substrate cooling device 3), damage to the substrate 80 due to cooling can be prevented.

上記した実施形態では、基板冷却装置３は、筺体４に組み込まれて基板キュア装置１とする例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、基板加熱装置２とは、独立・分離して、基板冷却装置３を単体で用いても構わない。 In the above-described embodiment, the substrate cooling device 3 is incorporated in the housing 4 to form the substrate curing device 1, but the present invention is not limited to this. For example, the substrate cooling device 3 may be used as a single unit separately from the substrate heating device 2.

上記した実施形態では、風向き変更手段７０，７１は、断熱壁５と突出片６６、中間断熱壁８と突出片６７とする例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ダクトのようなもので構成しても構わない。或いは、突出片６６，６７を用いずに、軸流ファン５１（送風装置）を用いて、風向き変更手段としても構わない。 In the above-described embodiment, the wind direction changing means 70 and 71 are the heat insulating wall 5 and the protruding piece 66, and the intermediate heat insulating wall 8 and the protruding piece 67, but the present invention is not limited to this. For example, you may comprise with a thing like a duct. Alternatively, the axial direction fan 51 (blower) may be used as the wind direction changing means without using the protruding pieces 66 and 67.

上記した実施形態では、突出片６６，６７を、それぞれ断熱壁５，８に固定した例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、壁に切り欠き部を複数設け、取外し可能な突出片と組み合わせることで、エリア数の増減を容易に行うことが可能である。或いは、自動開閉式の突出片を複数設けることで、エリア数の増減がより容易となる。 In the above-described embodiment, the example in which the protruding pieces 66 and 67 are fixed to the heat insulating walls 5 and 8 has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it is possible to easily increase or decrease the number of areas by providing a plurality of notches on the wall and combining it with a removable protruding piece. Alternatively, the number of areas can be increased or decreased more easily by providing a plurality of automatic opening / closing protruding pieces.

上記した実施形態では、蒸発器４４と送風機４７の組み合わせによって冷却手段を構成しているが、送風機４７だけで冷却手段を構成してもよい。 In the above-described embodiment, the cooling means is configured by the combination of the evaporator 44 and the blower 47, but the cooling means may be configured by the blower 47 alone.

上記した実施形態では、冷却室７内で基板８０を水平に保持し、上から下方向に向かって基板８０を移動させたが、逆に下から上に向かって基板を移動させてもよい。この構成を採用する場合には、冷却は、上側から下側に向かって送風することによって行うこととなる。 In the above-described embodiment, the substrate 80 is held horizontally in the cooling chamber 7 and the substrate 80 is moved from the top to the bottom. However, the substrate may be moved from the bottom to the top. When this configuration is adopted, cooling is performed by blowing air from the upper side to the lower side.

上記した実施形態では、風向き変更手段は、送風装置（軸流ファン５１）を有している。すなわち本実施形態の基板冷却装置３は、基板８０の間に送風が行われるから流路抵抗が高い。またさらに本発明の基板冷却装置３では、風向き変更手段によって、一部のエリアから出てくる気流の向きを変更して、他のエリアに対して送風を行うから、送風路Ｓがジグザグ状となって長くなり、流路抵抗がさらに高くなる傾向となる。そのため基板冷却装置を大型化すると、流路抵抗が過度に大きくなって所望の送風量が確保できなくなってしまう懸念がある。そこで上記した実施形態では、中途に送風装置（軸流ファン５１）を設けた。 In the above-described embodiment, the wind direction changing means has the blower (axial fan 51). That is, the substrate cooling device 3 of the present embodiment has a high flow path resistance because air is blown between the substrates 80. Furthermore, in the substrate cooling apparatus 3 of the present invention, the airflow direction changing means changes the direction of the airflow coming out from some areas and blows air to other areas, so the airflow path S has a zigzag shape. As a result, the channel resistance tends to be further increased. Therefore, when the substrate cooling apparatus is enlarged, there is a concern that the flow path resistance becomes excessively large and a desired air flow rate cannot be secured. Therefore, in the above-described embodiment, the blower (axial fan 51) is provided midway.

本実施形態の基板冷却装置３では、風向き変更手段が送風装置（軸流ファン５１）を持っており、上流側から流れてきた送風が送風装置で再加圧される。その結果、基板冷却装置３を通過する風量として大きな流量を確保することができる。
しかしながら本発明は、軸流ファン５１を有する構成に限定されるものではなく、送風路Ｓに一つだけ送風装置があるものであってもよい。 In the substrate cooling device 3 of the present embodiment, the wind direction changing means has a blower (axial fan 51), and the blown air flowing from the upstream side is repressurized by the blower. As a result, a large flow rate can be ensured as the amount of air passing through the substrate cooling device 3.
However, the present invention is not limited to the configuration having the axial flow fan 51, and only one blower may be provided in the blower passage S.

１基板キュア装置
２基板加熱装置
３基板冷却装置
４筺体
５ａ加熱室側外郭断熱壁
５ｂ冷却室側外郭断熱壁
８中間断熱壁
６加熱室
７冷却室
１０基板積層装置
２４吸気口
２５排気口
３０移載装置
４８，４９温度センサ（温度検知手段）
５０制御装置
６５，６６，６７突出片
６８突出片
７０，７１風向き変更手段
８０，８０ａ〜８０ｇ基板
Ａ〜Ｃエリア
Ｄ間隔
Ｓ送風路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate curing device 2 Substrate heating device 3 Substrate cooling device 4 Housing 5a Heating chamber side outer heat insulating wall 5b Cooling chamber side outer heat insulating wall 8 Intermediate heat insulating wall 6 Heating chamber 7 Cooling chamber 10 Substrate laminating device 24 Intake port 25 Exhaust port 30 Mounting device 48, 49 Temperature sensor (temperature detection means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 Control apparatus 65,66,67 Projection piece 68 Projection piece 70,71 Wind direction change means 80,80a-80g Board | substrate AC Area D Space | interval S Airflow path

Claims

In a substrate cooling device capable of cooling a substrate,
A cooling chamber, a substrate laminating apparatus, a cooling means, and a wind direction changing means,
The substrate laminating apparatus is capable of laminating a plurality of substrates with a predetermined interval, and is capable of moving the plurality of substrates in one of the vertical directions in the cooling chamber,
The plurality of substrates are at positions divided into a plurality of areas in the vertical direction, and an air passage is formed between the substrates in each of the plurality of areas.
The air passages of the plurality of areas are connected in series,
The cooling means can intensively blow air to a specific area,
The wind direction changing means can change the direction of the airflow coming out of a part of the area, and can be focused on other areas.
The specific area is downstream in the moving direction of the plurality of substrates,
The substrate cooling apparatus characterized in that the air blown from the cooling means passes through the air passage between the substrates in the specific area and flows to the air passage between the substrates in other areas.

The cooling chamber consists of a housing with walls,
The wall is provided with a protruding piece,
The substrate cooling apparatus according to claim 1, wherein the wind direction changing unit includes a part of a wall and a protruding piece.

The substrate cooling apparatus according to claim 1, wherein the cooling chamber has an intake port and an exhaust port.

A control device and temperature detection means;
The temperature detecting means can detect the temperature of the substrate;
4. The substrate cooling apparatus according to claim 1, wherein the control device is capable of controlling the cooling unit based on the temperature detected by the temperature detection unit.

5. A substrate cooling apparatus according to claim 1, a substrate heating apparatus capable of heating a substrate, and a transfer apparatus, wherein the transfer apparatus converts a substrate heated by the substrate heating apparatus into a substrate cooling apparatus. A substrate curing apparatus characterized in that it can be transported to a substrate.

The substrate heating device and the substrate cooling device are integrated,
The substrate heating apparatus has a heating chamber,
The heating chamber and the cooling chamber communicate with each other,
The substrate curing apparatus according to claim 5, wherein the transfer device is located across the heating chamber and the cooling chamber.

A method for manufacturing a substrate, comprising the step of cooling the substrate using the substrate cooling device or the substrate curing device according to claim 1.