JP5703702B2 - 酸発生剤用の塩及びレジスト組成物 - Google Patents

Description

本発明は、酸発生剤用の塩及びレジスト組成物に関する。

特許文献１には、レジスト組成物に含まれる酸発生剤として、下記で表される塩が記載されている。

特開２００８−６９１４６号公報

従来の酸発生剤用の塩では、該塩を含むレジスト組成物から得られるパターンのフォーカスマージン（ＤＯＦ）又はパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］ 式（Ｉ)で表される塩。

［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、Ｃ_１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
環Ｗ^１は、Ｃ_３-３６飽和炭化水素環を表す。
Ｒ^２は、水酸基、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。
ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２である場合、複数のＲ^２は同じであっても異なっていてもよい。
環Ｗ^２は、Ｃ_４-３６飽和炭化水素環を表し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。但し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも１つは、−ＣＯ−に置き換わる。
Ｒ^３は、Ｃ_１-６アルキル基、Ｃ_１-６アルコキシ基又はＣ_１-６アルコキシカルボニル基を表す。
ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２である場合、複数のＲ^３は同じであっても異なっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］

［２］ 式（Ｉ)で表される塩が、式（Ｉ１）で表される塩である［１］記載の塩。

［式（Ｉ１）中、
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、環Ｗ^１、Ｒ^２、ｓ、環Ｗ^２、Ｒ^３、ｔ及びＺ^＋は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１は、水素原子又はＣ_１-６アルキル基を表すか、環Ｗ^１に含まれる炭素原子と互いに結合して環を形成する。］

［３］ Ｌ^１が、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^３−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^４−Ｏ−又は^＊−Ｌ^５−Ｏ−ＣＯ−（Ｌ^３は、単結合又はＣ_１-６アルキレン基を表し、Ｌ^４及びＬ^５は、それぞれ独立に、Ｃ_１-６アルキレン基を表し、＊は−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−との結合手を表す。）である［１］又は［２］記載の塩。

［４］ Ｌ^２が、^＊−Ｏ−Ｌ^６−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^７−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^８−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^９−ＣＯ−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^１０−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ^１１−Ｏ−（Ｌ^６〜Ｌ^１１は、それぞれ独立に、Ｃ_１-６アルキレン基を表し、＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）である［１］〜［３］のいずれか記載の塩。

［５］ 環Ｗ^１がアダマンタン環である［１］〜［４］のいずれか記載の塩。

［６］ 環Ｗ^２が、式（Ｉ−Ｂａ）で表される環又は式（Ｉ−Ｂｂ）で表される環である［１］〜［５］のいずれか記載の塩。

［７］ Ｚ^＋が、トリアリールスルホニウムカチオンである［１］〜［６］のいずれか記載の塩。

［８］ ［１］〜［７］のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。

［９］ ［８］記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。

［１０］ さらに塩基性化合物を含有する［９］記載のレジスト組成物。

［１１］（１）［９］又は［１０］記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物から、優れたフォーカスマージン又はパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するパターンを得ることができる。

〈式（Ｉ）で表される塩〉
本発明の塩は、式（Ｉ）で表される。
本明細書において、「Ｃ_ａ-ｂ」は「炭素数ａ〜ｂ」を意味する。

［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、Ｃ_１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
環Ｗ^１は、Ｃ_３-３６飽和炭化水素環を表す。
Ｒ^２は、水酸基、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。
ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２である場合、複数のＲ^２は同じであっても異なっていてもよい。
環Ｗ^２は、Ｃ_４-３６飽和炭化水素環を表し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。但し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも１つは、−ＣＯ−に置き換わる。
Ｒ^３は、Ｃ_１-６アルキル基、Ｃ_１-６アルコキシ基又はＣ_１-６アルコキシカルボニル基を表す。
ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２である場合、複数のＲ^３は同じであっても異なっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］

本明細書中、「Ｃ_ａ-ｂ」は「炭素数がａ〜ｂである」ことを意味する。
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

Ｌ^１は、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^３−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^４−Ｏ−又は^＊−Ｌ^５−Ｏ−ＣＯ−（Ｌ^３は、単結合又はＣ_１-６アルキレン基を表し、Ｌ^４及びＬ^５は、それぞれ独立に、Ｃ_１-６アルキレン基を表し、＊は−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−との結合手を表す。）であることが好ましい。
Ｌ^１としては、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^３−及び^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^４−Ｏ−がより好ましく、^＊−ＣＯ−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_５−Ｏ−がさらに好ましく、^＊−ＣＯ−Ｏ−が特に好ましい。

Ｌ^２は、^＊−Ｏ−Ｌ^６−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^７−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^８−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^９−ＣＯ−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^１０−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ^１１−Ｏ−（Ｌ^６〜Ｌ^１１は、それぞれ独立に、Ｃ_１-６アルキレン基を表し、＊は環Ｗ^１との結合手を表す。）であることが好ましい。
Ｌ^２としては、^＊−Ｏ−Ｌ^６−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^９−ＣＯ−Ｏ−がより好ましく、^＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が特に好ましい。

式（Ｉ)で表される塩が、式（Ｉ１）で表される塩であることが好ましい。

［式（Ｉ１）中、
Ｑ^１、Ｑ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、環Ｗ^１、Ｒ^２、ｓ、環Ｗ^２、Ｒ^３、ｔ及びＺ^＋は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１は、水素原子又はＣ_１-６アルキル基を表すか、環Ｗ^１に含まれる炭素原子と互いに結合して環を形成する。］

式（Ｉ−Ａ)で表される基について説明する。

［式（Ｉ−Ａ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、環Ｗ^１及びｓは上記と同じ意味を表す。＊は、Ｌ^１との結合手を表す。］

環Ｗ^１における飽和炭化水素環とは、不飽和結合を含まない、炭素及び水素のみからなる環をいう。飽和炭化水素環としては、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環等が挙げられ、アダマンタン環が好ましい。

式（Ｉ−Ａ)で表される基のうち、Ｒ^１がＣ_１-６アルキル基である基としては、以下で表される基が挙げられる。

式（Ｉ−Ａ)で表される基のうち、Ｒ^１が水素原子である基としては、以下で表される基が挙げられる。

式（Ｉ−Ａ)で表される基のうち、Ｒ^１が環Ｗ^１に含まれる炭素原子と互いに結合して環を形成する基としては、以下で表される基が挙げられる。

式（Ｉ−Ａ）で表される基としては、式（Ｉ−Ａａ）で表される基又は式（Ｉ−Ａｂ）で表される基が好ましい。

式（Ｉ−Ｂ）で表される基について説明する。

［式（Ｉ−Ｂ）中、Ｒ^３、環Ｗ^２及びｔは、上記と同じ意味を表す。
＊は、Ｌ^２との結合手を表す。］

環Ｗ^２としては、下記の環が挙げられ、式（Ｉ−Ｂａ）で表される環又は式（Ｉ−Ｂｂ）で表される環が好ましい。

式（Ｉ−Ｂ）で表される基としては、下記の基が挙げられ、式（Ｉ−Ｂ１）で表される基又は式（Ｉ−Ｂ２）で表される基が好ましい。

環Ｗ^１が有してもよい置換基としては、水酸基、Ｃ_１-６アルキル基及びＣ_１-６アルコキシ基が挙げられる。
環Ｗ^２が有してもよい置換基としては、Ｃ_１-６アルキル基、Ｃ_１-６アルコキシ基又はＣ_１-６アルコキシカルボニル基が挙げられる。
Ｃ_１-６アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、等が挙げられ、Ｃ_１-４アルキル基が好ましく、Ｃ_１-２アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｃ_１-６アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、等が挙げられ、Ｃ_１-４アルコキシ基が好ましく、Ｃ_１-２アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｃ_１-６アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｎ−ヘキトキシカルボニル基、等が挙げられ、Ｃ_４-６アルコキシカルボニル基が好ましく、Ｃ_４-５アルコキシカルボニル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が特に好ましい。

式（Ｉ）で表される塩としては、例えば以下の塩が挙げられる。

Ｚ^＋としては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。

Ｚ⁺は、好ましくは式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表される。

式（ｂ２−１）中、Ｒ^b4〜Ｒ^b6は、それぞれ独立に、Ｃ_1-30脂肪族炭化水素基、Ｃ_3-36飽和環状炭化水素基又はＣ_6-18芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、Ｃ_1-12アルコキシ基又はＣ_6-18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、Ｃ_2-4アシル基、又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ_1-36脂肪族炭化水素基、Ｃ_3-36飽和環状炭化水素基又はＣ_1-12アルコキシ基で置換されていてもよい。

式（ｂ２−２）中、Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基又はＣ_1-12アルコキシ基を表し、ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。

式（ｂ２−３）中、Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、Ｃ_1-36脂肪族炭化水素基又はＣ_3-36飽和環状炭化水素基を表す。Ｒ^b11は、水素原子、Ｃ_1-36脂肪族炭化水素基、Ｃ_3-36飽和環状炭化水素基或いはＣ_6-18芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜３６、より好ましくは４〜１２である。Ｒ^b12は、Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基、Ｃ_3-18飽和環状炭化水素基或いはＣ_6-18芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基、Ｃ_1-12アルコキシ基、Ｃ_3-18飽和環状炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｒ^b9とＲ^b10と、及びＲ^b11とＲ^b12とは、それぞれ独立に、互いに結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよく、これらの環の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。

式（ｂ２−４）中、Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基又はＣ_1-12アルコキシ基を表す。Ｌ^b11は、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表し、ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｕ２は０又は１を表す。ｏ２〜ｔ２のいずれかが２であるとき、それぞれ、複数のＲ^b13〜Ｒ^b18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。

次に式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）に含まれる置換基を説明する。脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基としては、上述したものを例示できる。好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、及び２−エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）−１−アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基（アラルキル基）としては、ベンジル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブチトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。Ｒ^b9及びＲ^b10が形成する環としては、例えばチオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。Ｒ^b11及びＲ^b12が形成する環としては、例えばオキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、カチオン（ｂ２−１）が好ましく、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０）がさらに好ましい。

式（ｂ２−１−１）中、Ｒ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ_1-36脂肪族炭化水素基、Ｃ_3-36飽和環状炭化水素基又はＣ_1-12アルコキシ基を表し、Ｒ^b19とＲ^b2０が一緒になって環を形成してもよい。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは４〜３６である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、Ｃ_1-12アルコキシ基或いはＣ_6-18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、Ｃ_2-4アシル基、又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。ｖ２〜ｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。ｖ２〜ｘ２のいずれかが２以上のとき、それぞれ、複数のＲ^b19〜Ｒ^b21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。

式（ｂ２−１−１）中のＲ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、Ｃ_1-12アルキル基、又はＣ_1-12アルコキシ基を表し、ｖ２〜ｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。

カチオン（ｂ２−１−１）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

カチオン（ｂ２−２）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

カチオン（ｂ２−３）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

カチオン（ｂ２−４）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

式（Ｉ）で表される塩としては、例えば以下の塩が挙げられる。

式（Ｉ）で表される塩の製造方法について説明する。
例えば、式（ｂ１）で表される塩の製造方法を下記に示す。

式（ｂ１−ａ）で表される化合物と式（ｂ１−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ１−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。

［Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。］

式（ｂ１−ｃ）で表される化合物と式（ｂ１−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ１−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。

式（ｂ１−ｆ）で表される塩は、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成することができる。
式（ｂ１−ｅ）で表される化合物と式（ｂ１−ｆ）で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ１）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。触媒としては、硫酸等が挙げられる。

式（ｂ２）で表される塩の製造方法を下記に示す。

式（ｂ２−ａ）で表される化合物と式（ｂ１−ｅ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ２−ｂ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。

［Ｘ^３は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、臭素原子が好ましい。］

式（ｂ１−ｆ）で表される塩は、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成することができる。
式（ｂ２−ｂ）で表される化合物と式（ｂ１−ｆ）で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ２）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。触媒としては、硫酸等が挙げられる。

式（ｂ３）で表される塩の製造方法を下記に示す。

式（ｂ１−ａ）で表される化合物と式（ｂ２−ａ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ３−ａ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。

式（ｂ３−ａ）で表される化合物と式（ｂ１−ｂ）で表される化合物を触媒下で、反応させることにより、式（ｂ３−ｂ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。

式（ｂ３−ｂ）で表される化合物と式（ｂ１−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ３−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。

式（ｂ１−ｆ）で表される塩は、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成することができる。
式（ｂ３−ｃ）で表される化合物と式（ｂ１−ｆ）で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ３）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。触媒としては、硫酸等が挙げられる。

本発明の酸発生剤は、式（Ｉ）で表される塩を含有する。式（Ｉ）で表される塩は、酸発生剤として使用する時、単独でも複数種を同時に用いてもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、式（Ｉ）で表される塩以外の公知の塩、式（Ｉ）で表される塩に含まれるカチオン及び公知のアニオンからなる塩、並びに式（Ｉ）で表される塩に含まれるアニオン及び公知のカチオンからなる塩等と併用してもよい。

併用する酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−１７）で表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤（Ｂ１−１）、（Ｂ１−２）、（Ｂ１−６）、（Ｂ１−１１）、（Ｂ１−１２）、（Ｂ１−１３）及び（Ｂ１−１４）が好ましい。

式（Ｉ）で表される塩の含有量は、酸発生剤全量１００質量部に対して、好ましくは１０質量部以上（より好ましくは３０質量部以上）、好ましくは９０質量部以下（より好ましくは７０質量部以下）である。
酸発生剤の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは４０質量部以下（より好ましくは３５質量部以下）である。

〈樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある。〉
樹脂（Ａ）は、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂は、酸に不安定な基を有するモノマー（以下「酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）」という場合がある）を重合することによって製造でき、酸の作用によりアルカリ可溶となる。「酸の作用によりアルカリ可溶となる」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

〈酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）〉
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基（例えばヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、−Ｏ−が３級炭素原子（但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く）と結合した式（１）で表されるアルコキシカルボニル基（即ち３級アルコール残基を有するエステル結合）が挙げられる。なお以下では、式（１）で表される基を「酸に不安定な基（１）」という場合がある。

式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基を表すか、或いはＲ^a1及びＲ^a2は互いに結合して環を形成していてもよい。＊は結合手を表す。

酸に不安定な基（１）としては、例えば１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（基（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基であるもの、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキル−２−アダマンチルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基であるもの）、及び１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基であるもの）などが挙げられる。

酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、好ましくは、酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーである。なお本明細書において「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。

酸に不安定な基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、Ｃ_5-20飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。飽和環状炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の飽和環状炭化水素基としては、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基）やシクロアルケニル基（例えばシクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基）などが挙げられる。多環式の飽和環状炭化水素基としては、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基（例えばヒドロナフチル基）、橋かけ環状炭化水素基（例えばアダマンチル基、ノルボルニル基）などが挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環（例えばノルボルナン環）と単環（例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環）又は多環（例えばデカヒドロナフタレン環）とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、飽和環状炭化水素基に含まれる。

酸に不安定な基（１）と飽和環状炭化水素基とを有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、式（ａ１−１）又は式（ａ１−２）で表される酸に不安定な基を有するモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表す。但しＬ^a1及びＬ^a2で列挙した−Ｏ−等は、それぞれ、左側で式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）の−ＣＯ−と結合し、右側でアダマンチル基又はシクロへキシル基と結合することを意味する。Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、Ｃ_1-8脂肪族炭化水素基、又はＣ_3-10飽和環状炭化水素基を表し、ｍ１は０〜１４の整数を表し、ｎ１は０〜１０の整数を表す。なお本明細書における化学式は立体異性体も包含する。

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、−Ｏ−又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。

Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６以下であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは６以下である。Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、１−メチルエチル基（イソプロピル基）、１，１−ジメチルエチル基（ｔｅｒｔ−ブチル基）、２，２−ジメチルエチル基、プロピル基、１−メチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−プロピルブチル基、ペンチル基、１−メチルペンチル基、ヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、１−メチルヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。Ｒ^a6及びＲ^a7の飽和環状炭化水素基としては、例えばシクロヘプチル基、メチルシクロヘプチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基などが挙げられる。

ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。ｎ１は、０好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。

アダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、及び２−イソプロピル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。

シクロへキシル基を有するモノマー（ａ１−２）としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも１−エチル−１−シクロヘキシル（メタ）アクリレートが好ましく、１−エチル−１−シクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。

樹脂における式（ａ１−１）又は式（ａ１−２）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式（ａ１−３）で表されるノルボルネン環を有するモノマーが挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−３）に由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。さらに酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−３）は、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。

式（ａ１−３）中、Ｒ^a9は、水素原子、置換基（例えばヒドロキシ基）を有していてもよいＣ_1-3脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ^a13）を表し、Ｒ^a13は、Ｃ_1-8脂肪族炭化水素基又はＣ_3-8飽和環状炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｒ^a10〜Ｒ^a12は、それぞれ独立に、Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基又はＣ_3-12飽和環状炭化水素基を表すか、或いはＲ^a10及びＲ^a11は互いに結合して環を形成していてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。

Ｒ^a9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ｒ^a13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基、又は２−オキソ−オキソラン−４−イル基などが挙げられる。

Ｒ^a10〜Ｒ^a12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。Ｒ^a10、Ｒ^a11及びこれらが結合する炭素が形成する飽和環状炭化水素基としては、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。

ノルボルネン環を有するモノマー（ａ１−３）としては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルなどが挙げられる。

樹脂における式（ａ１−３）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

酸に不安定な基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式（ａ１−４）で表されるモノマー（ａ１−４）が挙げられる。

［式（ａ１−４）中、Ｒ¹⁰は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ_1-6アルキル基を表す。
Ｒ¹¹は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、Ｃ_1-6アルキル基、Ｃ_1-6アルコキシ基、Ｃ_2-4アシル基、Ｃ_2-4アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｌ^ａは０〜４の整数を表す。ｌ^ａが２以上の整数である場合、複数のＲ¹¹は同一の種類の基であっても異なる種類の基であってもよい。
Ｒ¹²及びＲ¹³はそれぞれ独立に、水素原子又はＣ_1-12炭化水素基を表す。
Ｘ^ａ２は、単結合又は置換基を有していてもよいＣ_1-17飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ_２−又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−で置き換わっていてもよい。Ｒ^ｃは、水素原子又はＣ_1-6アルキル基を表す。
Ｙ^ａ３は、Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基、Ｃ_3-18飽和環状炭化水素基又はＣ_6-18芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。］

ハロゲン原子を有してもよいＣ_1-6アルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Ｃ_1-6アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、等が挙げられ、Ｃ_1-4アルキル基が好ましく、Ｃ_1-2アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｃ_1-6アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、等が挙げられ、Ｃ_1-4アルコキシ基が好ましく、Ｃ_1-2アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｃ_2-4アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
Ｃ_2-4アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等が挙げられる。
Ｃ_1-12炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）−１−アルキル基、イソボルニル基等が挙げられる。
Ｃ_1-12脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
Ｃ_3-18飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、イソボルニル基、下記に示す基等が挙げられる。

Ｃ_6-18芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等が挙げられる。

モノマー（ａ１−４）としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

樹脂における式（ａ１−４）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）と、酸に不安定な基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）との共重合体である。酸安定モノマーは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ａ）が酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位は、全構造単位１００モル％に対して、好ましくは１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％である。またアダマンチル基を有するモノマー（特に酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−１））に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）１００モル％に対して１５モル％以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。

酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）」という）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）」という）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）、電子線あるいはＥＵＶ光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマー（ａ２−０）を使用することが好ましい。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

フェノール性水酸基を有するモノマー（ａ２−０）として、式（ａ２−０）で表されるｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^８は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ_1-6アルキル基を表す。
Ｒ^９は、ハロゲン原子、水酸基、Ｃ_1-6アルキル基、Ｃ_1-6アルコキシ基、Ｃ_2-4アシル基、Ｃ_2-4アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^９は同一の種類の基であっても異なる種類の基であってもよい。］

ハロゲン原子を有してもよいＣ_1-6アルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Ｃ_1-6アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、等が挙げられ、Ｃ_1-4アルキル基が好ましく、Ｃ_1-2アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｃ_1-6アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、等が挙げられ、Ｃ_1-4アルコキシ基が好ましく、Ｃ_1-2アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｃ_2-4アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
Ｃ_2-4アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等が挙げられる。

このようなフェノール性水酸基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。
フェノール性水酸基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

以上のモノマーのうち、４−ヒドロキシスチレン又は４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。

樹脂における式（ａ２−０）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常５〜９０モル％であり、好ましくは１０〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％である。

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。

式（ａ２−１）中、Ｌ^a3は、−Ｏ−又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ２は１〜７の整数を表す。Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、３−ヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリル酸１−（３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルオキシカルボニル）メチルが好ましく、３−ヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレート及び３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル（メタ）アクリレートがより好ましく、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート及び３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレートがさらに好ましい。

樹脂における式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常３〜４５モル％であり、好ましくは５〜４０モル％であり、より好ましくは５〜３５モル％である。

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）〉
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えばβ−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、或いは単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環、及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される。これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ３は１〜７の整数を表す。Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a21は、Ｃ_1-4脂肪族炭化水素基を表し、ｐ１は０〜５の整数を表す。Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立にカルボキシ基、シアノ基又はＣ_1-4脂肪族炭化水素基を表し、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｐ１、ｑ１又はｒ１が２以上のとき、それぞれ、複数のＲ^a21、Ｒ^a22又はＲ^a23は、互いに同一でも異なってもよい。

Ｌ^a4〜Ｌ^a6としては、Ｌ^a3で説明したものが挙げられる。Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_d1−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく（前記ｄ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。但しＬ^a4〜Ｌ^a6で列挙した−Ｏ−等は、それぞれ、左側で式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）の−ＣＯ−と結合し、右側でラクトン環と結合することを意味する。Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。ｐ１〜ｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）としては、例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）としては、例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−３）としては、例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有するモノマー（ａ３−３）として、酸不安定モノマーを例示することも可能である。例えば以下のものが挙げられる。

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）の中でも、（メタ）アクリル酸（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロ−２−オキソ−３−フリル、（メタ）アクリル酸２−（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イルオキシ）−２−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。

樹脂における式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。

〈その他の酸安定モノマー（ａ４）〉
その他の酸安定モノマー（ａ４）としては、例えば、式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸、式（ａ４−２）で表される無水イタコン酸、又は式（ａ４−３）で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。

式（ａ４−３）中、Ｒ^a25及びＲ^a26は、それぞれ独立に、水素原子、置換基（例えばヒドロキシ基）を有していてもよいＣ_1-3脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基、又はアルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ^a27）を表すか、或いはＲ^a25及びＲ^a26は互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−を形成し、Ｒ^a27は、Ｃ_1-36脂肪族炭化水素基又はＣ_3-36飽和環状炭化水素基を表し、脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。但し−ＣＯＯＲ^a27が酸不安定基となるものは除く（即ちＲ^a27は、３級炭素原子が−Ｏ−と結合するものを含まない）。

Ｒ^a25及びＲ^a26の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、などが挙げられる。Ｒ^a27の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜８より好ましくは１〜６であり、飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは４〜３６、より好ましくは４〜１２である。Ｒ^a27としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基、２−オキソ−オキソラン−４−イル基などが挙げられる。

ノルボルネン環を有する酸安定モノマー（ａ４−３）としては、例えば２−ノルボルネン、２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、５−ノルボルネン−２−メタノール、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。

樹脂における式（ａ４−１）、式（ａ４−２）又は式（ａ４−３）で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常２〜４０モル％であり、好ましくは３〜３０モル％であり、より好ましくは５〜２０モル％である。

好ましい樹脂（Ａ）は、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）及びシクロへキシル基を有するモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種（さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１））であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。樹脂（Ａ）は、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造できる。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上（より好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下）である。

樹脂（Ａ）の含有量は、組成物の固形分中８０質量％以上であることが好ましい。なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、溶剤（Ｅ）を除いた組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分、及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。

〈塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物（Ｃ）を含有する。塩基性化合物（Ｃ）の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．０１〜１質量％程度であることが好ましい。

塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物（例えばアミン）及びアンモニウム塩である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、１級アミン、２級アミン及び３級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物（Ｃ）として、式（Ｃ２）で表される芳香族アミン、特に式（Ｃ２−１）で表されるアニリンが挙げられる。

式（Ｃ２）中、Ａｒ^c1は、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^c5及びＲ^c6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基）、飽和環状炭化水素基（好ましくはシクロアルキル基）或いは芳香族炭化水素基を表す。但し前記脂肪族炭化水素基、前記飽和環状炭化水素基又は前記芳香族炭化水素基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又はＣ_1-6アルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、Ｃ_1-4アルキル基で置換されていてもよい。前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６程度であり、前記飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは５〜１０程度であり、前記芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１０程度である。

式（Ｃ２−１）中、Ｒ^c5及びＲ^c6は、前記と同じである。Ｒ^c7は、脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキル基）、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基（好ましくはシクロアルキル基）或いは芳香族炭化水素基を表す。但し脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の水素原子は、式（Ｃ２）で説明した置換基を有していてもよい。ｍ３は０〜３の整数を表す。ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c7は、互いに同一でも異なってもよい。Ｒ^c7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、式（Ｃ２）のものと同じであり、Ｒ^c7のアルコキシ基の炭素数は、好ましくは１〜６程度である。

芳香族アミン（Ｃ２）としては、例えば１−ナフチルアミン及び２−ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリン（Ｃ２−１）としては、例えばアニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもジイソプロピルアニリン（特に２，６−ジイソプロピルアニリン）が好ましい。

また塩基性化合物（Ｃ）としては、式（Ｃ３）〜式（Ｃ１１）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｃ３）中のＲ^c8は、式（Ｃ２）のＲ^c7で説明したいずれかの基を表す。式（Ｃ３）〜式（Ｃ８）中の窒素原子と結合するＲ^c9、Ｒ^c10、Ｒ^c11〜Ｒ^c14、Ｒ^c16〜Ｒ^c19及びＲ^c22は、それぞれ独立に、式（Ｃ２）のＲ^c5及びＲ^c6で説明したいずれかの基を表す。式（Ｃ７）〜式（Ｃ１１）中の芳香族炭素と結合するＲ^c20、Ｒ^c21、Ｒ^c23〜Ｒ^c28は、それぞれ独立に、式（Ｃ２−１）のＲ^c7で説明したいずれかの基を表す。式（Ｃ７）、式（Ｃ９）〜式（Ｃ１１）中のｏ３〜ｕ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏ３〜ｕ３のいずれかが２以上であるとき、それぞれ、複数のＲ^c20〜Ｒ^c28のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。

式（Ｃ６）中のＲ^c15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表し、ｎ３は０〜８の整数を表す。ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c15は、互いに同一でも異なってもよい。Ｒ^c15の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６程度であり、Ｒ^c15の飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜６程度であり、Ｒ^c15のアルカノイル基の炭素数は、好ましくは２〜６程度である。

式（Ｃ７）及び式（Ｃ１０）のＬ^c1及びＬ^c2は、それぞれ独立に、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくはアルキレン基）、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｃ（＝ＮＲ^c3）−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、又はこれらの組合せを表す。前記２価の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜６程度である。Ｒ^c3は、Ｃ_1-4アルキル基を表す。

化合物（Ｃ３）としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。

化合物（Ｃ４）としては、例えばピペラジンなどが挙げられる。化合物（Ｃ５）としては、例えばモルホリンなどが挙げられる。化合物（Ｃ６）としては、例えばピペリジン、及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物（Ｃ７）としては、例えば２，２’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。

化合物（Ｃ８）としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物（Ｃ９）としては、例えば、ピリジン、４−メチルピリジンなどが挙げられる。化合物（Ｃ１０）としては、例えば、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物（Ｃ１１）としては、例えばビピリジンなどが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

〈溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤（Ｅ）を、組成物中９０質量％以上の量で含有していてもよい。溶剤（Ｅ）を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤（Ｅ）の含有量は、組成物中９０質量％以上（好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上）、９９．９質量％以下（好ましくは９９質量％以下）である。溶剤（Ｅ）の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；などを挙げることができる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

〈その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。

塗布後の組成物を乾燥させ、組成物に含まれる溶剤を除去する。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が例示される。また、圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度が例示される。

得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明の組成物は、フォトレジスト組成物、特に、化学増幅型フォトレジスト組成物に有用であり、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等、広範な用途に好適に利用することができる。特に、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィ、ＥＢ露光リソグラフィ、ＥＵＶ露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。また、液浸露光のほか、ドライ露光などにも用いることができる。さらに、ダブルイメージング用にも用いることができ、工業的に有用である。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型、カラムは”ＴＳＫｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ”３本、溶媒はテトラヒドロフラン）により求めた値である。
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

実施例１：式（Ｂ１）で表される塩の合成

式（Ｂ１−ａ）で表される化合物（商品名：ＨＡＤＭ、出光製）２６．４４部、ジオキサン８０．００部を仕込み、２３℃で攪拌下、水酸化ナトリウム４．４０部をイオン交換水８０．００部に溶解した水溶液を３０分かけて滴下し、９０℃で３６時間攪拌した。反応マスを冷却し、イオン交換水４００．００部、酢酸エチル５００．０部及び塩化ナトリウム２００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層に３Ｎ塩酸塩化ナトリウム４００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層にイオン交換水４００．００部を添加し、攪拌し、分液を行った。この水洗を３回行った。回収された有機層を濃縮後、以下の条件でカラム分取することにより、式（Ｂ１−ｂ）で表される化合物７．８９部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比）

式（Ｂ１−ｃ）で表される化合物（商品名：ＣＡＮＬ クラレ製）４．６１部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、式（Ｂ１−ｂ）で表される化合物３．９３部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム分取することにより、式（Ｂ１−ｄ）で表される化合物２．２４部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：酢酸エチル

式（Ｂ１−ｅ）で表される塩を特開２００８−１２７３６７号公報実施例１に記載された方法で合成した。式（Ｂ１−ｅ）で表される塩１．７５部、モノクロロベンゼン４０．００部及び式（Ｂ１−ｄ）で表される化合物１．８７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．１６部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（Ｂ１）で表される塩０．４４部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．２

実施例２：式（Ｂ２）で表される塩の合成

式（Ｂ２−ａ）で表される化合物２５．００部及びテトラヒドロフラン２００．００部を仕込み、室温で攪拌し、式（Ｂ２−ａ）で表される化合物の溶解確認後、ピリジン１４．２７部を仕込み、４０℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド２５．４７部及びテトラヒドロフラン５０部の混合溶液を１時間かけて滴下した。滴下後、４０℃で８時間攪拌し、５℃に温度を下げた。５℃に冷却したイオン交換水１００．００部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル６５．００部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、５℃の１０％炭酸カリウム水溶液６５．００部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水６５．００部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝２／１）分取することにより、式（Ｂ２−ｂ）で表される化合物１６．９１部を得た。

式（Ｂ２−ｂ）で表される化合物４．８４部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、１，３−アダマンタンジオール３．３１部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｂ２−ｃ）で表される化合物２．８５部を得た。

式（Ｂ２−ｄ）で表される塩を、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成した。式（Ｂ２−ｄ）で表される化合物２．２６部、クロロホルム１５．００部、式（Ｂ２−ｃ）で表される化合物２．２５部、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ５Ａ 和光純薬製）２．５０部及びリチウムアミド０．０７部を仕込み、８０℃で２４時間加熱還流した後、ろ過した。得られたろ液に、シュウ酸０．１４部及びイオン交換水５．００部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を６回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル５．００部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ２）で表される塩０．１１部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５３１．２

実施例３：式（Ｂ３）で表される塩の合成

式（Ｂ３−ａ）で表される化合物２３．１９部及びテトラヒドロフラン２００．００部を仕込み、室温で攪拌し、式（Ｂ３−ａ）で表される化合物の溶解確認後、ピリジン１４．２７部を仕込み、４０℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド２５．４７部及びテトラヒドロフラン５０部の混合溶液を１時間かけて滴下した。滴下後、４０℃で８時間攪拌し、５℃に温度を下げた。５℃に冷却したイオン交換水１００．００部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル６５．００部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、５℃の１０％炭酸カリウム水溶液６５．００部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した後、回収された有機層にさらに、イオン交換水６５．００部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝２／１）分取することにより、式（Ｂ３−ｂ）で表される化合物１４．６９部を得た。

式（Ｂ３−ｂ）で表される化合物４．６０部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、１，３−アダマンタンジオール３．３１部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｂ３−ｃ）で表される化合物２．２１部を得た。

式（Ｂ２−ｄ）で表される塩を、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成した。式（Ｂ２−ｄ）で表される化合物２．２６部、クロロホルム１５．００部、式（Ｂ３−ｃ）で表される化合物２．１８部、モレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ５Ａ 和光純薬製）２．５０部及びリチウムアミド０．０７部を仕込み、８０℃で２４時間加熱還流した後、ろ過した。得られたろ液に、シュウ酸０．１４部及びイオン交換水５．００部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を６回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル５．００部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ３）で表される塩０．１１部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１９．１

実施例４：式（Ｂ４）で表される塩の合成

式（Ｂ４−ａ）で表される化合物７．５０部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド３７．５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム３．２０部及びヨウ化カリウム０．９６部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、式（Ｂ３−ｂ）で表される化合物８．０１部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド１６．８７部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、５０℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、酢酸エチル１５０部及びイオン交換水７５部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水７５部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｂ４−ｂ）で表される化合物１０．４８部を得た。

式（Ｂ４−ｂ）で表される化合物７．２８部及びアセトニトリル３７．５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、水素化ホウ素ナトリウム０．３６部及びイオン交換水５．３２部を仕込み、５℃で３時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水２５部及び酢酸エチル５０部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水２５部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム（シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製 展開溶媒：酢酸エチル）分取することにより、式（Ｂ４−ｃ）で表される化合物６．０１部を得た。

式（Ｂ４−ｄ）で表される塩を、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成した。
式（Ｂ４−ｄ）で表される塩２．１９部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ４−ｃ）で表される化合物２．３４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を５回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２５部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２５部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２５部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ４）で表される塩１．８４部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．１

実施例５：式（Ｂ５）で表される塩の合成

リチウムアルミニウムハイドライド１０．４部、無水テトラヒドロフラン１２０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌した。次いで、式（Ｂ５−ａ）で表される塩６２．２部を無水ＴＨＦ９００部に溶かした溶液を氷冷下で滴下し、２３℃で５時間攪拌した。反応マスに酢酸エチル５０．０部、６Ｎ塩酸５０．００部を添加、攪拌後、分液を行った。有機層を濃縮後、カラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ５−ｂ）で表される塩を８４．７部（純度６０％）を得た。
式（Ｂ５−ｃ）で表される化合物３．５１部、無水ＴＨＦ７５部を仕込み２３℃で３０分間攪拌した。次いで、カルボニルジイミダゾール２．８９部、無水ＴＨＦ５０部の混合溶液を２３℃で滴下し、２３℃で４時間攪拌した。得られた反応液を、式（Ｂ５−ｂ）で表される塩６．０４部（純度６０％）、無水ＴＨＦ５０部の混合液中に５４〜６０℃で、２５分間で滴下し、６５℃で１８時間加熱し、冷却後、ろ過した。得られたろ液を濃縮し、濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ５−ｄ）で表される塩２．９９部を得た。

式（Ｂ５−ｄ）で表される塩１．０部、クロロホルム３０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌した。次いで、式（Ｂ５−ｅ）で表される塩０．８３部を２３℃で１２時間攪拌した後、分液を行った。有機層にイオン交換水１０部を添加、分液水洗を行った。この操作を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ５−ｆ）で表される塩０．６９部を得た。

式（Ｂ５−ｆ）で表される化合物０．６９部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド１０．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム０．０９部及びヨウ化カリウム０．０５部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、式（Ｂ１−ｃ）で表される化合物０．２６部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で３時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム３０．００部及び１Ｎ塩酸１０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水１０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ５）で表される塩０．２２部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５３３．１

実施例６：式（Ｂ６）で表される塩の合成

式（Ｂ６−ａ）で表される塩２．４０部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ１−ｄ）で表される化合物２．３４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｂ６）で表される塩１．２１部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３０５．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．２

実施例７：式（Ｂ７）で表される塩の合成

式（Ｂ７−ａ）で表される塩２．２８部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ１−ｄ）で表される化合物２．３４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ７）で表される塩０．２９部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２８１．０
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．２

実施例８：式（Ｂ８）で表される塩の合成

式（Ｂ８−ａ）で表される塩１．９１部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ１−ｄ）で表される化合物２．３４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ８）で表される塩０．１４部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２０７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．２

実施例９：式（Ｂ９）で表される塩の合成

式（Ｂ６−ａ）で表される塩２．４０部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ２−ｃ）で表される化合物２．２４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｂ９）で表される塩０．８９部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３０５．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５３１．２

実施例１０：式（Ｂ１０）で表される塩の合成

式（Ｂ７−ａ）で表される塩２．２８部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ２−ｃ）で表される化合物２．２４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ１０）で表される塩０．２５部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２８１．０
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５３１．２

実施例１１：式（Ｂ１１）で表される塩の合成

式（Ｂ８−ａ）で表される塩１．９１部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ２−ｃ）で表される化合物２．２４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ１１）で表される塩０．１２部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２０７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５３１．２

実施例１２：式（Ｂ１２）で表される塩の合成

式（Ｂ６−ａ）で表される塩２．４０部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ３−ｃ）で表される化合物２．１７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｂ１２）で表される塩１．０１部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３０５．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１９．１

実施例１３：式（Ｂ１３）で表される塩の合成

式（Ｂ７−ａ）で表される塩２．２８部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ３−ｃ）で表される化合物２．１７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ１３）で表される塩０．４２部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２８１．０
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１９．１

実施例１４：式（Ｂ１４）で表される塩の合成

式（Ｂ８−ａ）で表される塩１．９１部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ３−ｃ）で表される化合物２．１７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物をカラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ 展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５／１）分取することにより、式（Ｂ１４）で表される塩０．２８部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２０７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１９．１

実施例１５：式（Ｂ１５）で表される塩の合成

式（Ｂ６−ａ）で表される塩２．４０部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ４−ｃ）で表される化合物２．３４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｂ１５）で表される塩１．２９部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３０５．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．１

実施例１６：式（Ｂ１６）で表される塩の合成

式（Ｂ１６−ａ）で表される化合物１０１．５０部及び酢酸２５３．７５部を仕込み、室温で攪拌し、３１％過酸化水素６１．１７部を１０分間かけて滴下し、２３℃で６時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水２５３．７５部を添加、攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１６−ｂ）で表される化合物９６．９３部を得た。

式（Ｂ１６−ｂ）で表される化合物２８．００部及びテトラヒドロフラン１４０．００部を仕込み、室温で攪拌し、トリメチルシリルクロリド２８．１３部を１０分間かけて滴下した。得られた混合マスに、式（Ｂ１６−ｃ）で表される化合物７３．３６部(純度３２％)を、４０℃以下に保ちながら２５分間かけて滴下し、２３℃で１時間攪拌した。得られた反応マスに、１Ｎ塩酸７０部を滴下し、攪拌、分液を行った。回収された水層に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル７０部を添加、攪拌し、分液を行った。回収された水層に、クロロホルム２１０部を添加、攪拌し、分液を行った後、回収された有機層をろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル１６．０６部を添加して溶解し、更に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２００．７８部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１６−ｄ）で表される塩２７．８４部を得た。

式（Ｂ１６−ｄ）で表される塩５．９１部、式（Ｂ１６−ｅ）で表される塩３．７４部及びイオン交換水１６．２６部を仕込み、室温で攪拌し、得られた混合マスに、３５％塩酸１．９７部を添加し、２３℃で５時間攪拌した。得られた反応マスの上澄液を除去した後、得られた残渣にアセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２４．８１部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｂ１６−ｆ）で表される化合物５．１７部を得た。

式（Ｂ１６−ｆ）で表される塩２．２６部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（Ｂ４−ｃ）で表される化合物２．３４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を仕込み、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮後、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｂ１６）で表される塩１．４８部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２７７．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５４７．１

合成例１：樹脂Ａ１の合成
モノマーＥ、モノマーＦ、モノマーＢ、モノマーＣ及びモノマーＤを、モル比３０：１４：６：２０：３０の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７３℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（４：１）に注いで沈殿させる操作を３回行うことにより精製し、重量平均分子量が約８．１×１０^３である共重合体を収率６５％で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とした。

合成例２：樹脂Ａ２の合成
モノマーＡ、モノマーＢ及びモノマーＣを、モル比５０：２５：２５の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７７℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（３：１）に注いで沈殿させる操作を３回行うことにより精製し、重量平均分子量が約８．０×１０^３である共重合体を収率６０％で得た。この共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２とした。

合成例３：樹脂Ａ３の合成
モノマーＡ、モノマーＦ、モノマーＢ、モノマーＣ及びモノマーＤを、モル比３０：１４：６：２０：３０の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％との割合で添加し、これを７３℃で約５時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（４：１）に注いで沈殿させる操作を３回行うことにより精製し、重量平均分子量が約７．８×１０^３である共重合体を収率６８％で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ３とした。

表１に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、化学増幅型フォトレジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
樹脂Ａ１〜Ａ３
＜酸発生剤＞
酸発生剤Ｂ１：式（Ｂ１）で表される塩
酸発生剤Ｂ２：式（Ｂ２）で表される塩
酸発生剤Ｂ３：式（Ｂ３）で表される塩
酸発生剤Ｂ４：式（Ｂ４）で表される塩
酸発生剤Ｂ５：式（Ｂ５）で表される塩
酸発生剤Ｂ６：式（Ｂ６）で表される塩
酸発生剤Ｂ７：式（Ｂ７）で表される塩
酸発生剤Ｂ８：式（Ｂ８）で表される塩
酸発生剤Ｂ９：式（Ｂ９）で表される塩
酸発生剤Ｂ１０：式（Ｂ１０）で表される塩
酸発生剤Ｂ１１：式（Ｂ１１）で表される塩
酸発生剤Ｂ１２：式（Ｂ１２）で表される塩
酸発生剤Ｂ１３：式（Ｂ１３）で表される塩
酸発生剤Ｂ１４：式（Ｂ１４）で表される塩
酸発生剤Ｂ１５：式（Ｂ１５）で表される塩
酸発生剤Ｂ１６：式（Ｂ１６）で表される塩
酸発生剤Ｈ１：

酸発生剤Ｈ２：

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
クエンチャーＣ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
２−ヘプタノン ２０．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

１２インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光］を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。
露光後、ホットプレート上にて、表１の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。

各レジスト膜において、５０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量を実効感度とした。

＜フォーカスマージン評価（ＤＯＦ）＞
実効感度において、ラインの線幅が４７．５ｎｍ以上５２．５ｎｍ以下を保持するフォーカス範囲をＤＯＦとして求めた。さらに、ＤＯＦが０．１５μｍ以上０．１７μｍ未満を○とし、ＤＯＦが０．１７μｍ以上の場合を◎とし、ＤＯＦが０．１５μｍ未満の場合を×とする３水準で判定した。
ＤＯＦはその数値が大きい方が、下地基板の膜厚の振れがあっても、同一露光量でライン線幅を保つことができ好ましい。より好ましくは、ＤＯＦが０．１５μｍ以上であると、下地基板の膜厚の振れを吸収することができる。ＤＯＦが狭くなると、下地基板の膜厚の振れにより、線幅が変動し好ましくない。括弧内の数値はＤＯＦ（μｍ）を示す。

＜レジストパターンの製造及びその評価＞
１２インチのシリコン製ウェハー上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハーに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光］を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。
露光後、ホットプレート上にて、表１の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。

以上のようなレジストパターンの製造において、以下の項目を評価した。

＜パターン倒れ評価（ＰＣＭ）＞
４５ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量を基準とし、露光量を０．２ｍＪ／ｃｍ^２づつアップさせてオーバー露光による線幅変動を観察した時、ラインパターンの線幅が３８ｎｍより細くなっても、ラインパターンの倒れ又は剥がれによるパターン消失が観察されない場合を○、ラインパターンの線幅が３８ｎｍ以上で、倒れ、又は剥がれによるパターン消失が観察される場合を×とした。括弧内の数値は線幅（ｎｍ）を示す。

本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物から、優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）又はパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するパターンを得ることができる。

Claims (11)

1. 式（Ｉ)で表される塩。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ ^１ は、Ｃ _１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
   Ｌ ^２ は、 ^＊ −Ｏ−Ｌ ^６ −ＣＯ−Ｏ−、 ^＊ −Ｏ−Ｌ ^７ −ＣＯ−Ｏ−Ｌ ^８ −Ｏ−、 ^＊ −ＣＯ−Ｏ−Ｌ ^９ −ＣＯ−Ｏ−、 ^＊ −ＣＯ−Ｏ−Ｌ ^１０ −Ｏ−又は ^＊ −Ｏ−Ｌ ^１１ −Ｏ−を表し、Ｌ ^６ 〜Ｌ ^１１ は、それぞれ独立に、Ｃ _１-６ アルキレン基を表し、＊は環Ｗ ^１ との結合手を表す。
   環Ｗ^１は、Ｃ_３-３６飽和炭化水素環を表す。
   Ｒ^２は、水酸基、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。
   ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２である場合、複数のＲ^２は同じであっても異なっていてもよい。
   環Ｗ^２は、Ｃ_４-３６飽和炭化水素環を表し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。但し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも１つは、−ＣＯ−に置き換わる。
   Ｒ^３は、Ｃ_１-６アルキル基、Ｃ_１-６アルコキシ基又はＣ_１-６アルコキシカルボニル基を表す。
   ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２である場合、複数のＲ^３は同じであっても異なっていてもよい。
   Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］
2. 式（Ｉ１）で表される塩。
   

   

   ［式（Ｉ１）中、
   Ｑ ^１ 及びＱ ^２ は、互いに独立に、フッ素原子又はＣ _１-６ ペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ ^１ 及びＬ ^２ は、それぞれ独立に、Ｃ _１-１７ アルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
   環Ｗ ^１ は、Ｃ _３-３６ 飽和炭化水素環を表す。
   Ｒ ^２ は、水酸基、Ｃ _１-６ アルキル基又はＣ _１-６ アルコキシ基を表す。
   ｓは、０〜２の整数を表す。ｓが２である場合、複数のＲ ^２ は同じであっても異なっていてもよい。
   環Ｗ ^２ は、Ｃ _４-３６ 飽和炭化水素環を表し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ _２ −は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。但し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ _２ −の少なくとも１つは、−ＣＯ−に置き換わる。
   Ｒ ^３ は、Ｃ _１-６ アルキル基、Ｃ _１-６ アルコキシ基又はＣ _１-６ アルコキシカルボニル基を表す。
   ｔは、０〜２の整数を表す。ｔが２である場合、複数のＲ ^３ は同じであっても異なっていてもよい。
   Ｚ ^＋ は、有機対イオンを表す。
   Ｒ^１ は、Ｃ _１-６アルキル基を表す。］
3. Ｌ ^２ が、 ^＊ −Ｏ−Ｌ ^６ −ＣＯ−Ｏ−、 ^＊ −Ｏ−Ｌ ^７ −ＣＯ−Ｏ−Ｌ ^８ −Ｏ−、 ^＊ −ＣＯ−Ｏ−Ｌ ^９ −ＣＯ−Ｏ−、 ^＊ −ＣＯ−Ｏ−Ｌ ^１０ −Ｏ−又は ^＊ −Ｏ−Ｌ ^１１ −Ｏ−（Ｌ ^６ 〜Ｌ ^１１ は、それぞれ独立に、Ｃ _１-６ アルキレン基を表し、＊は環Ｗ ^１ との結合手を表す。）である請求項２記載の塩。
4. Ｌ^１が、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^３−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^４−Ｏ−又は^＊−Ｌ^５−Ｏ−ＣＯ−（Ｌ^３は、単結合又はＣ_１-６アルキレン基を表し、Ｌ^４及びＬ^５は、それぞれ独立に、Ｃ_１-６アルキレン基を表し、＊は−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−との結合手を表す。）である請求項１〜３のいずれか記載の塩。
5. 環Ｗ^１がアダマンタン環である請求項１〜４のいずれか記載の塩。
6. 環Ｗ^２が、式（Ｉ−Ｂａ）で表される環又は式（Ｉ−Ｂｂ）で表される環である請求項１〜５のいずれか記載の塩。
   

   
7. Ｚ^＋が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項１〜６のいずれか記載の塩。
8. 請求項１〜７のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。
9. 請求項８記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。
10. さらに塩基性化合物を含有する請求項９記載のレジスト組成物。
11. （１）請求項９又は１０記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
    （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
    （３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
    （４）露光後の組成物層を加熱する工程、
    （５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
    を含むレジストパターンの製造方法。