JP5697430B2 - X線撮像装置 - Google Patents
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Description
X線源と、前記X線源から出射した発散X線を分割する分割素子と、前記分割素子により分割され、被検体を透過したX線を検出する検出器と、を備えたX線撮像装置であって、前記分割素子は、前記発散X線を透過する複数の透過部と前記発散X線を遮蔽する複数の遮蔽部とを有し、前記複数の遮蔽部の夫々の前記X線源側の中心と前記検出器側の中心とを結んだ中心線を前記X線源の方へ延長した複数の延長線が交わる集束位置と前記X線源とが異なる位置に配置されていることを特徴とする。
(1)X線源から発生しているX線の放射方向輝度が一定
(2)分割素子をX線が透過するときのフレネル回折は考慮しない
実施形態1のX線撮像装置の模式図を図1に示す。
(式1)θ1(x)=arctan(x/L1)−arctan((x−dx)/L1)
また、遮蔽部に対する発散X線102の入射角度θから得られる分割素子の実質開口率Dは
(式2)D = (Ga−t×tanθ)/(Ga+Gb)
で表すことができ、分割素子に入射するX線と遮蔽部115aの中心線がなす角度の影響を受ける。
(式3)Gd=(Ga−t×tanθ)×(L1+L2)/L1+f×L2/L1
上述の通り、本実施形態のX線撮像装置では検出器106上で形成されるX線ビーム105aの幅(Gd1)が小さくなるほど位相検出感度が向上する。式1と式3から分割素子103aをdx移動させることで、検出器106上で形成されるX線ビーム105aの幅Gd1を小さくすることができることが分かる。
実施形態2のX線撮像装置の構成例を図4に示す。
実施形態2のX線撮像装置は分割素子103aの配置以外は実施形態1のX線撮像装置と同じ構成をとる。
(式4)θ2=α
各遮蔽部におけるθ2はθ1と異なり、ばらつきがない(製造誤差を無視した場合。)。
また、式4の入射角度から得られる分割素子103aの実質開口率は実施形態1と同様に式2で表すことができる。
実施形態3のX線撮像装置の構成例を図6に示す。
実施形態4のX線撮像装置の構成例を図8に示す。
102 発散X線
103(a〜h) 分割素子
104 被検体
105(a〜h) X線ビーム
106 検出器
107 演算装置
108 分割素子を移動・回転する手段
111 光軸
112 分割素子の中心線
113 遮蔽部の中心線の延長線
114(a〜h) 透過部
115(a〜h) 遮蔽部
116(a〜c) 分割素子の集束位置
Claims (10)
- X線源と、
前記X線源から出射した発散X線を分割する分割素子と、
前記分割素子により分割され、被検体を透過したX線を検出する検出器と、
を備えたX線撮像装置であって、
前記分割素子は、前記発散X線を透過する複数の透過部と前記発散X線を遮蔽する複数の遮蔽部とが配列した構成を有し、
前記複数の遮蔽部の夫々の前記X線源側の中心と前記検出器側の中心とを結んだ中心線を前記X線源の方へ延長した複数の延長線が交わる集束位置と前記X線源とが異なる位置に配置され、
前記分割素子の前記透過部と前記遮蔽部との配列方向と、光軸の方向と、がなす平面上において、
前記複数の遮蔽部のそれぞれの中心線と、前記複数の遮蔽部の夫々に入射する発散X線と、のなす角度が0度より大きいことを特徴とするX線撮像装置。 - 前記X線源が配置されている位置を前記光軸に対して垂直に移動した位置と前記集束位置とが一致するように、前記分割素子が配置されていることを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。
- 前記X線源が配置されている位置を前記光軸上の1点を中心として回転させた位置と前記集束位置とが一致するように前記分割素子が配置されていることを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。
- 前記X線源が配置されている位置を前記配列方向と垂直な軸を中心として回転させた位置と前記集束位置とが一致するように前記分割素子が配置されていることを特徴とする請求項1または3に記載のX線撮像装置。
- 前記分割素子は2次元の分割素子であり、
前記2次元の分割素子は前記配列方向として第1の配列方向と第2の配列方向とを有し、
前記X線源が配置されている位置を、前記第1の配列方向と前記第2の配列方向とがなす平面上の軸を中心として回転させた位置と、前記集束位置とが一致するように前記分割素子が配置されていることを特徴とする請求項1または3に記載のX線撮像装置。 - 前記分割素子の前記透過部と前記遮蔽部との配列方向と、前記光軸の方向と、がなす平面上において、
前記複数の遮蔽部のうち、前記光軸と最も近い遮蔽部の前記中心線と前記光軸とのなす角度が0度より大きいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のX線撮像装置。 - 前記分割素子の前記透過部と前記遮蔽部との配列方向と、前記光軸の方向と、がなす平面上において、前記複数の遮蔽部の夫々の中心線と、前記複数の遮蔽部の夫々に入射するX線とがなす角度をθとすると、
θは0度より大きく、20度未満であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のX線撮像装置。 - 前記θが1度以上、15度未満であることを特徴とする請求項7に記載のX線撮像装置。
- 前記分割素子に入射したX線が前記複数の遮蔽部の夫々の側面により遮蔽されることで、
前記分割素子により分割された全てのX線の前記分割素子の前記検出器側の表面における幅が、
前記分割素子の前記X線源側の表面における透過部の幅よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のX線撮像装置。 - 前記分割素子の実質開口率を下記式のように定めるとき、
前記実質開口率が5%以上、50%未満であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のX線撮像装置。
D = (Ga−t×tanθ)/(Ga+Gb)
但し、D:実質開口率、Ga:前記分割素子の前記X線源側の表面における透過部の幅、t:分割素子の厚さ、Gb:前記分割素子の前記X線源側の表面における遮蔽部の幅、θ:前記分割素子の前記透過部と前記遮蔽部との配列方向と、前記光軸の方向と、がなす平面上において、前記遮蔽部の中心線と、前記遮蔽部に入射するX線がなす角度。
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