JP5690615B2 - Ring frame and process management system - Google Patents

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本発明は、リングフレーム、及び工程管理システムに関する。   The present invention relates to a ring frame and a process management system.

近年、管理対象の物品(被着体)に貼付けられたデータキャリア(ICタグ)を情報取得装置(読取装置、リーダ/ライタともいう。)にかざしてICタグから情報を入手し、物品の識別や管理などを行う非接触式RFIDが開発されて、普及している。このICタグに内蔵されたICチップが、情報取得装置が発する電磁波によって起動して、情報取得装置との間で情報の送受信を行ったり、データの書き換えを行ったりすることができる。ICタグの利用分野としては、例えば各種の交通機関の定期券、企業等における入出管理、商品の在庫管理、物流管理等多岐にわたる。
ICタグは、半導体製造工程の管理にも利用され始めている。例えば、特許文献1には、RFタグ(ICタグともいう。)を半導体ウエハ加工用のリングフレーム(支持フレーム)に貼り付けたものが記載されている。特許文献1に記載のリングフレームは、熱可塑性樹脂材料に導電性材料が配合された成形材料をリング状に成形して得たものであり、このリングフレーム表面の一部に収納穴が形成され、RFタグは、この収納穴に貼り付けられている。半導体ウエハ(被着体)は、マウント用シートなどの接着シートを介して、このRFタグを貼り付けたリングフレームと一体化される。
このようなリングフレームを半導体加工工程で利用する場合には、リングフレームに貼り付けられたRFタグには、例えば、半導体ウエハに関する情報、接着シートに関する情報、既に施された加工工程の情報が記録される。そして、半導体ウエハに対して加工を施す際に、加工装置が備えるリーダ/ライタにて当該RFタグに記録された当該情報を読み取って加工条件を設定したり、施した加工条件に関する情報をRFタグに書き込んだりする。その後、次工程にリングフレームが搬送されて、RFタグに記録された情報が利用される。このようにして、RFタグ付きリングフレームが工程管理システムに利用されている。
In recent years, a data carrier (IC tag) affixed to an article to be managed (adhered body) is held over an information acquisition device (also referred to as a reader or a reader / writer) to obtain information from the IC tag and identify the article. Non-contact type RFID for performing management and management has been developed and spread. The IC chip incorporated in the IC tag is activated by electromagnetic waves emitted from the information acquisition device, and can transmit / receive information to / from the information acquisition device or rewrite data. IC tags are used in a wide variety of fields, such as commuter pass tickets for various transportation facilities, entry / exit management at companies, etc., inventory management of goods, and logistics management.
IC tags have begun to be used for managing semiconductor manufacturing processes. For example, Patent Document 1 describes an RF tag (also referred to as an IC tag) attached to a ring frame (support frame) for processing a semiconductor wafer. The ring frame described in Patent Document 1 is obtained by molding a molding material in which a conductive material is blended with a thermoplastic resin material into a ring shape, and a housing hole is formed in a part of the surface of the ring frame. The RF tag is attached to the storage hole. A semiconductor wafer (adhered body) is integrated with a ring frame to which this RF tag is attached via an adhesive sheet such as a mounting sheet.
When such a ring frame is used in a semiconductor processing process, for example, information on a semiconductor wafer, information on an adhesive sheet, and information on a processing process that has already been performed are recorded on the RF tag attached to the ring frame. Is done. When processing a semiconductor wafer, a reader / writer provided in the processing apparatus reads the information recorded on the RF tag to set processing conditions, or sets information on the processed conditions to the RF tag. Or write to. Thereafter, the ring frame is transported to the next process, and the information recorded on the RF tag is used. In this way, the ring frame with the RF tag is used in the process management system.

特開2007−314650号公報JP 2007-314650 A

ところで、特許文献1に記載のリングフレームに貼り付けられたICタグは、フィルム基板と、このフィルム基板に装着されるICチップと、このICチップに接続されたアンテナとを備えたラベル型であり、リングフレーム表面の一部に形成された収納穴に収まる大きさに形成されている。
しかしながら、このようなリングフレームの場合、貼り付けられたICタグのアンテナコイルの内径も必然的にフィルム基板面内に収まるように制限されることになるため、ICタグの交信距離にも限界があり、交信距離を長くしたいという要求もある。交信距離が短ければ、半導体ウエハ加工の工程管理情報を送受信するために、リングフレームをリーダ/ライタに近づけるか、リーダ/ライタをリングフレームに近づけなければならない。
Incidentally, the IC tag attached to the ring frame described in Patent Document 1 is a label type including a film substrate, an IC chip attached to the film substrate, and an antenna connected to the IC chip. The ring frame has a size that can be accommodated in a storage hole formed in a part of the ring frame surface.
However, in the case of such a ring frame, since the inner diameter of the antenna coil of the attached IC tag is inevitably limited to be within the film substrate surface, the communication distance of the IC tag is also limited. There is also a demand to increase the communication distance. If the communication distance is short, it is necessary to bring the ring frame closer to the reader / writer or to bring the reader / writer closer to the ring frame in order to transmit and receive process management information for semiconductor wafer processing.

本発明の目的は、データキャリアの交信距離が長いリングフレーム、及び当該リングフレームを用いた工程管理システムを提供することである。   An object of the present invention is to provide a ring frame having a long data carrier communication distance, and a process management system using the ring frame.

本発明のリングフレームは、半導体ウエハ加工用のリングフレームであって、熱可塑性樹脂を環形状に成形して得られるフレーム本体と、前記フレーム本体の環形状に沿った形状を有するデータキャリアと、を備え、前記データキャリアは、前記フレーム本体の内部に前記環形状に沿って収納されていることを特徴とする。 The ring frame of the present invention is a ring frame for processing a semiconductor wafer, a frame main body obtained by molding a thermoplastic resin into a ring shape, a data carrier having a shape along the ring shape of the frame main body, wherein the data carrier is characterized that you have been accommodated along the ring shape inside the frame body.

本発明のリングフレームにおいて、前記フレーム本体は、表面に前記環形状に沿った収納溝を有し、前記データキャリアは、前記収納溝に収容されていることが好ましい。
また、本発明のリングフレームにおいて、前記フレーム本体は、前記環形状と同じ形状を有する2つのフレーム部材で構成され、前記データキャリアは、2つの前記フレーム部材の間に挟まれて一体化されていることも好ましい。
また、本発明のリングフレームにおいて、前記データキャリアは、ICチップと、前記ICチップに接続されたアンテナコイルとを備え、前記アンテナコイルは、前記フレーム本体の前記環形状に沿って巻かれていることも好ましい。
In the ring frame of the present invention, it is preferable that the frame main body has a storage groove along the ring shape on the surface, and the data carrier is stored in the storage groove .
In the ring frame of the present invention, the frame main body is composed of two frame members having the same shape as the ring shape, and the data carrier is sandwiched and integrated between the two frame members. It is also preferable.
In the ring frame of the present invention, the data carrier includes an IC chip and an antenna coil connected to the IC chip, and the antenna coil is wound along the ring shape of the frame body. It is also preferable.

本発明の工程管理システムは、
前記本発明のリングフレームと、
読取装置と、を備え、
半導体ウエハ加工工程の管理情報を前記データキャリアとの間で非接触で送受信する
ことを特徴とする。
The process management system of the present invention is
The ring frame of the present invention;
A reading device,
The management information of the semiconductor wafer processing process is transmitted and received without contact with the data carrier.

本発明の工程管理システムにおいて、
前記管理情報が、前記リングフレームに貼付する半導体製造用テープに関する情報、前記半導体製造用テープに貼付する半導体ウエハに関する情報、及び半導体ウエハ加工条件に関する情報のうち少なくともいずれかである
ことが好ましい。
In the process management system of the present invention,
It is preferable that the management information is at least one of information on a semiconductor manufacturing tape to be attached to the ring frame, information on a semiconductor wafer to be attached to the semiconductor manufacturing tape, and information on semiconductor wafer processing conditions.

本発明のリングフレームによれば、データキャリアがリングフレームの環形状に沿った形状を有するので、従来技術のようにリングフレームの一部にICタグを貼り付けた場合に比べて、データキャリアのアンテナコイルの内径が大きくなる。その結果、リングフレームのデータキャリアの交信距離を長くすることができる
また、データキャリアがリングフレームの内部に収容されている場合には、半導体ウエハの加工の際にデータキャリアが邪魔にならず、一方でウエハ加工時やリングフレーム搬送時のデータキャリアの破損や損傷を防止できる。
According to the ring frame of the present invention, since the data carrier has a shape along the ring shape of the ring frame, compared to the case where the IC tag is attached to a part of the ring frame as in the prior art, the data carrier The inner diameter of the antenna coil is increased. As a result, the communication distance of the data carrier in the ring frame can be increased .
In addition, when the data carrier is housed inside the ring frame, the data carrier does not get in the way when processing semiconductor wafers, while the data carrier is broken or damaged during wafer processing or ring frame transport. Can be prevented.

本発明の工程管理システムによれば、本発明のリングフレームと、読取装置とを備えるので、読取装置とデータキャリアとの間の交信距離を長くした工程管理システムを構築できる。例えば、従来のようなICタグをフレーム本体に貼り付けただけの場合では、交信距離が短いため、ICタグとリーダ/ライタとの間で管理情報を送受信する際に、両者を近づける必要がある。本発明のように交信距離を長くした工程管理システムであれば、両者を従来技術のように近づけなくても良いので、リングフレームから離れた位置にリーダ/ライタを設置して、そこから、管理情報を確実に送受信することができるようになる。その結果、半導体ウエハ加工装置や加工ラインの設計の自由度が増す。
また、本発明の工程管理システムにおいて、管理情報が、前記リングフレームに貼付する半導体製造用テープに関する情報、前記半導体製造用テープに貼付する半導体ウエハに関する情報、及び半導体ウエハ加工条件に関する情報等であるので、半導体ウエハに対して適切な加工を施すことができる。すなわち、本発明の工程管理システムは、交信距離の長いリングフレームを用いているので、これらの管理情報をリーダ/ライタに確実に送信することができ、加工装置は、リーダ/ライタで受信した管理情報に基づいて適切な加工条件を設定した上で加工を行うことができる。
According to the process management system of the present invention, since the ring frame of the present invention and the reader are provided, it is possible to construct a process management system in which the communication distance between the reader and the data carrier is increased. For example, when a conventional IC tag is simply attached to the frame body, the communication distance is short, and therefore it is necessary to bring the two close together when transmitting / receiving management information between the IC tag and the reader / writer. . If the process management system has a long communication distance as in the present invention, the two do not have to be close as in the prior art, so a reader / writer is installed at a position away from the ring frame, and management is performed from there. Information can be transmitted and received reliably. As a result, the degree of freedom in designing the semiconductor wafer processing apparatus and the processing line is increased.
Further, in the process management system of the present invention, the management information includes information on a semiconductor manufacturing tape to be attached to the ring frame, information on a semiconductor wafer to be attached to the semiconductor manufacturing tape, information on semiconductor wafer processing conditions, and the like. Therefore, appropriate processing can be performed on the semiconductor wafer. That is, since the process management system of the present invention uses a ring frame with a long communication distance, the management information can be reliably transmitted to the reader / writer, and the processing apparatus receives the management received by the reader / writer. Processing can be performed after setting appropriate processing conditions based on the information.

一実施形態に係るリングフレームの平面図である。It is a plan view of a ring frame according to the first embodiment. 一実施形態に係る工程管理システムの概略図である。It is a schematic diagram of a process control system according to the first embodiment. 半導体ウエハ加工工程のラミネート工程を説明する概略図である。It is the schematic explaining the lamination process of a semiconductor wafer processing process. 半導体ウエハを収納する半導体ウエハ収納カセットに貼り付けられる収納カセット用データキャリアの断面図である。It is sectional drawing of the data carrier for storage cassettes affixed on the semiconductor wafer storage cassette which stores a semiconductor wafer. 半導体ウエハ加工工程のバックグラインド工程を説明する概略図である。It is the schematic explaining the back grinding process of a semiconductor wafer processing process. 半導体ウエハ加工工程のマウント工程を説明する概略図である。It is the schematic explaining the mounting process of a semiconductor wafer processing process. 半導体ウエハ加工工程のダイシング工程を説明する概略図である。It is the schematic explaining the dicing process of a semiconductor wafer processing process. 二実施形態に係るリングフレームの(A)平面図、及び(B)断面図である。 It is the (A) top view and (B) sectional view of the ring frame concerning a second embodiment.

<第一実施形態>
〔リングフレーム〕
図1には、第一実施形態に係るリングフレーム1が示されている。
リングフレーム1は、環状に形成されたフレーム本体2と、このフレーム本体2の環形状に沿った形状を有するデータキャリア3とを備えて構成されている。
本実施形態のリングフレーム1は、半導体加工プロセスにおいて被着体としての半導体ウエハを支持する。
<First embodiment>
[Ring frame]
FIG. 1 shows a ring frame 1 according to the first embodiment.
The ring frame 1 includes a frame main body 2 formed in an annular shape and a data carrier 3 having a shape along the ring shape of the frame main body 2.
The ring frame 1 of the present embodiment supports a semiconductor wafer as an adherend in a semiconductor processing process.

フレーム本体2は、熱可塑性樹脂を環状に成形して得られるものである。本発明において、環状とは、円形に限らず、楕円形、四角形などの多角形なども含む。
フレーム本体2は、直径8インチ(203.2mm)又は直径12インチ(304.8mm)の半導体ウエハを支持可能なように、半導体ウエハよりも大きいサイズに成形される(1インチ=2.54cm)。フレーム本体2の内径寸法は、例えば、直径8インチの半導体ウエハ向けだと250mm程度、直径12インチの半導体ウエハ向けだと350mm程度とされる。フレーム本体2の枠の幅寸法は、データキャリア3を搭載させるのに必要な大きさに成形されている。より具体的には、後述するようにデータキャリア3のアンテナコイル32をフレーム本体2の環形状に沿って配置可能な幅寸法であればよく、3mm〜150mmが好ましく、5mm〜100mmがさらに好ましく、10mm〜50mmがより好ましい。フレーム本体2の枠の幅寸法が3mm未満であると、データキャリア3を配置するのに十分な幅でなかったり、データキャリア3のアンテナの設計に制限が出たり、リングフレーム1としての各加工工程における強度が不足する場合がある。フレーム本体2の枠の幅寸法が150mmを超えると、必要以上の大きさを有することになり不経済であるばかりか、リングフレーム1の収納カセットや各種半導体ウエハ加工機(バックグラインド装置、ダイシング装置等)の大型化を招くことになり、装置の設置場所等に支障が出る場合などがある。なお、本発明では、フレーム本体2の枠の幅寸法は、フレーム本体2の内周縁から外周縁までの距離とする。
フレーム本体2の厚さ寸法は、成形に用いられる樹脂の種類に応じて適宜設定されればよいが、例えば1mm〜30mmが好ましく、2mm〜10mmがさらに好ましい。この厚さ寸法が1mm未満だとリングフレーム1としての各加工工程における強度が不足する場合がある。この厚さ寸法が30mmを超えると必要以上の大きさを有することになり不経済であるばかりか、リングフレームの収納カセットや各種半導体ウエハ加工機(バックグラインド装置、ダイシング装置等)の大型化を招くことになり、装置の設置場所等に支障が出る場合などがある。
フレーム本体2の外周面には、リングフレーム1を搬送する際や加工する際に位置決めするためのノッチ21が形成されている。
The frame body 2 is obtained by molding a thermoplastic resin into a ring shape. In the present invention, the term “annular” includes not only a circular shape but also an elliptical shape, a polygonal shape such as a rectangular shape, and the like.
The frame body 2 is formed in a size larger than the semiconductor wafer (1 inch = 2.54 cm) so as to support a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches (203.2 mm) or a diameter of 12 inches (304.8 mm). . The inner diameter of the frame body 2 is, for example, about 250 mm for a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches and about 350 mm for a semiconductor wafer having a diameter of 12 inches. The width of the frame of the frame body 2 is formed to a size necessary for mounting the data carrier 3. More specifically, as long as it is possible to arrange the antenna coil 32 of the data carrier 3 along the ring shape of the frame body 2 as described later, the width is preferably 3 mm to 150 mm, more preferably 5 mm to 100 mm, 10 mm-50 mm are more preferable. If the width of the frame of the frame main body 2 is less than 3 mm, the width of the data carrier 3 is not sufficient, the antenna design of the data carrier 3 is limited, and each process as the ring frame 1 is performed. The strength in the process may be insufficient. If the width of the frame of the frame main body 2 exceeds 150 mm, it is not economical because it has an unnecessarily large size, and the storage cassette of the ring frame 1 and various semiconductor wafer processing machines (back grinding apparatus, dicing apparatus). Etc.), and the installation location of the apparatus may be hindered. In the present invention, the width of the frame of the frame body 2 is the distance from the inner periphery to the outer periphery of the frame body 2.
Although the thickness dimension of the frame main body 2 should just be suitably set according to the kind of resin used for shaping | molding, 1 mm-30 mm are preferable, for example, and 2 mm-10 mm are more preferable. If the thickness dimension is less than 1 mm, the strength in each processing step as the ring frame 1 may be insufficient. If this thickness exceeds 30 mm, it will be more expensive than necessary, and it will be uneconomical, and the size of the ring frame storage cassette and various semiconductor wafer processing machines (back grinding equipment, dicing equipment, etc.) will increase. In some cases, the location of the device may be hindered.
A notch 21 is formed on the outer peripheral surface of the frame body 2 for positioning when the ring frame 1 is transported or processed.

フレーム本体2の成形に用いられる熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン、アクリロニトリル‐ブタジエン‐スチレン共重合体(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer、ABS)、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、塩化ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリカーボネート、ナイロン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、芳香族ポリスルホン等が挙げられ、これらを単独あるいはブレンドして用いてもよい。これらの熱可塑性樹脂に、強度や剛性を確保するために、カーボンファイバー、炭酸カルシウム、及び補強効果や耐薬品性に優れるホウ酸アルミニウムウィスカーなどが配合されていてもよい。
また、フレーム本体2の成形に用いられる熱可塑性樹脂には、半導体ウエハ加工工程における静電気の発生を抑制するために熱可塑性樹脂に導電性材料を配合して用いることが好ましい。導電性材料としては、ケッチェンブラック、アセチレンブラック等の導電性カーボンブラック、酸化錫、酸化インジウム等の金属酸化物、過塩素酸リチウムや有機ホウ素錯体リチウム塩等のリチウム系イオン導電材料等が挙げられる。これら導電性材料の配合量としては、特に限定はされないが、熱可塑性樹脂100重量部に対して1重量部〜50重量部が好ましく、5重量部〜25重量部がさらに好ましい。導電性材料の配合量が1重量部未満であると、導電性が不足する場合があり得る。導電性材料の配合量が50重量部を超えると、導電性向上の寄与に対して過剰な配合量となったり、リングフレームの強度不足を招いたりする場合などがある。
The thermoplastic resin used to mold the frame body 2 includes polypropylene, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS), polystyrene, polymethylmethacrylate and other acrylic resins, vinyl chloride, and polyphenylene. Examples thereof include oxides, polycarbonates, nylon resins, polyphenylene sulfide (PPS), and aromatic polysulfones. These may be used alone or in a blend. In order to ensure strength and rigidity, these thermoplastic resins may contain carbon fibers, calcium carbonate, and aluminum borate whiskers that are excellent in reinforcing effect and chemical resistance.
The thermoplastic resin used for forming the frame body 2 is preferably used by blending a thermoplastic material with a conductive material in order to suppress the generation of static electricity in the semiconductor wafer processing step. Examples of conductive materials include conductive carbon blacks such as ketjen black and acetylene black, metal oxides such as tin oxide and indium oxide, and lithium ion conductive materials such as lithium perchlorate and organic boron complex lithium salts. It is done. The blending amount of these conductive materials is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 parts by weight, and more preferably 5 to 25 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermoplastic resin. If the blending amount of the conductive material is less than 1 part by weight, the conductivity may be insufficient. When the blending amount of the conductive material exceeds 50 parts by weight, the blending amount may be excessive with respect to the contribution of improving the conductivity, or the strength of the ring frame may be insufficient.

データキャリアとは、情報の記憶部を有する担体であり、情報の入力、書き換えを行ったり、入力された情報について質問器からの質問に対して応答を返信する装置を意味する。本発明においては、電磁波を通信媒体として非接触で情報の入力あるいは出力を行うことができる非接触型のデータキャリアが好ましく用いられる。このような非接触データキャリアとしては、ICチップと導電性コイルを接続してなる、いわゆるRFメモリーがあげられる。
本実施形態において、データキャリア3は、非接触型のデータキャリアであり、ICチップ31と、このICチップ31に接続された導電性のアンテナコイル32とを備える。
データキャリア3は、フレーム本体2の環形状に沿った形状を有するものである。アンテナコイル32の巻き数(又は、ターン数ともいう。)は、1以上であればよい。本実施形態でのアンテナコイル32の巻き数は、1であり、フレーム本体2の環形状に沿って略1周にわたってアンテナコイル32が設けられている。アンテナコイル32の内径寸法は、フレーム本体2の内径寸法より大きい。そのため、アンテナコイル32の内径寸法は、フレーム本体2が直径8インチの半導体ウエハ向けだと250mm以上になり、フレーム本体2が直径12インチの半導体ウエハ向けだと350mm以上になる。アンテナコイル32の外形寸法は、フレーム本体2の外形寸法よりも小さい。
アンテナコイル32の線間隔は、巻き数とフレーム本体2の幅寸法との関係で適宜設定される。
A data carrier is a carrier having an information storage unit, and means a device that inputs and rewrites information and returns a response to a question from an interrogator regarding the input information. In the present invention, a non-contact type data carrier that can input or output information without contact using electromagnetic waves as a communication medium is preferably used. An example of such a non-contact data carrier is a so-called RF memory in which an IC chip and a conductive coil are connected.
In the present embodiment, the data carrier 3 is a non-contact type data carrier and includes an IC chip 31 and a conductive antenna coil 32 connected to the IC chip 31.
The data carrier 3 has a shape along the ring shape of the frame body 2. The number of turns (or also called the number of turns) of the antenna coil 32 may be one or more. The number of turns of the antenna coil 32 in the present embodiment is 1, and the antenna coil 32 is provided over substantially one turn along the ring shape of the frame body 2. The inner diameter of the antenna coil 32 is larger than the inner diameter of the frame body 2. Therefore, the inner diameter of the antenna coil 32 is 250 mm or more when the frame body 2 is for a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches, and 350 mm or more when the frame body 2 is for a semiconductor wafer having a diameter of 12 inches. The outer dimensions of the antenna coil 32 are smaller than the outer dimensions of the frame body 2.
The line interval of the antenna coil 32 is appropriately set depending on the relationship between the number of turns and the width of the frame body 2.

データキャリア3は、フレーム本体2に対して接着剤や両面粘着シートなどによって貼り付けられる。ここで用いる接着剤や両面粘着シートは、公知のものを用いることができる。
また、データキャリア3を覆うような保護部材を設けてもよい。
このとき、保護部材の一方の面に粘着剤層を用いることで、データキャリア3をフレーム本体2に貼り付けてもよい。前記両面粘着シートの中芯および保護部材としては、紙材、布、合成樹脂からなるフィルムなどを用いることができる。
紙材としては、上質紙、グラシン紙、クラフト紙、クレープ紙、板紙、木材繊維や合成繊維などからなる不織布などを例示することができる。
布としては、アクリル繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維等の合成繊維、炭素繊維、綿、絹、麻などを織り込んだものを例示することができる。
合成樹脂としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、シリコーン樹脂、スチレン樹脂、ブタジエン樹脂などを例示することができる。
前記両面粘着シートの中芯および保護部材の厚さ寸法は、1μm〜1mmが好ましく、5μm〜300μmがさらに好ましい。この厚さ寸法が1μm未満であると、薄くてコシが無いために貼り付けにくくなったり、シワになり易かったり、切れ易くなったりすることがある。この厚さ寸法が1mmを超える場合には、コシがありすぎて可とう性が不足して貼り付けにくくなったり、大型化したりするという問題が生ずる場合がある。
前記両面粘着シートや保持部材の粘着剤、並びにフレーム本体2に貼り付けるための接着剤としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。
当該粘着剤や接着剤の厚さ寸法としては、1μm〜500μmが好ましく、5μm〜100μmがさらに好ましい。この厚さ寸法が1μm未満であると、均一な膜が得られにくかったり、接着性が不足したりする場合などがある。500μmを超える場合には、成膜時に余分な時間が必要になったり、大型化につながったりするばかりか、不経済であるという問題も招く場合がある。
また、データキャリア3は、ICチップ31とアンテナコイル32とが予めタグ化されたものであっても良い。すなわち、ICチップ31とアンテナコイル32とをフレーム本体2の環形状に沿った形状を有する回路基材上に実装して得たICタグをフレーム本体2に貼り付ける時と同様の両面粘着シートでフレーム本体2に貼り付けてもよい。この場合の回路基材としては、保護部材で例示した材料を挙げることができ、好ましい厚さ寸法についても同様である。さらに、回路基材上にフレーム本体2に沿ったアンテナコイル32を形成し、ICチップ31を実装したICタグに粘着剤層を積層して粘着ラベル状にして、フレーム本体2に合わせた形状に打ち抜き、切断をしてフレーム本体2に貼り付けてもよい。
The data carrier 3 is affixed to the frame body 2 with an adhesive or a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet. A well-known thing can be used for the adhesive agent and double-sided adhesive sheet used here.
Further, a protective member that covers the data carrier 3 may be provided.
At this time, the data carrier 3 may be attached to the frame body 2 by using an adhesive layer on one surface of the protective member. As the core and protective member of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, a paper material, cloth, a film made of a synthetic resin, or the like can be used.
Examples of the paper material include high-quality paper, glassine paper, craft paper, crepe paper, paperboard, and nonwoven fabric made of wood fiber or synthetic fiber.
Examples of the cloth include those woven with synthetic fibers such as acrylic fibers, polypropylene fibers, and polyethylene fibers, carbon fibers, cotton, silk, and hemp.
Examples of the synthetic resin include acrylic resin, urethane resin, vinyl chloride resin, polypropylene resin, polyethylene resin, silicone resin, styrene resin, and butadiene resin.
The thickness of the core of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet and the protective member is preferably 1 μm to 1 mm, more preferably 5 μm to 300 μm. If this thickness dimension is less than 1 μm, it may be difficult to attach because it is thin and has no stiffness, or it may be easily wrinkled or cut off. When the thickness dimension exceeds 1 mm, there is a problem that there is too much stiffness and the flexibility is insufficient, making it difficult to attach or increasing the size.
An acrylic resin, urethane resin, styrene resin, polyester resin, silicone resin, epoxy resin, or the like can be used as the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive for the holding member, and the adhesive for attaching to the frame body 2.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive or adhesive is preferably 1 μm to 500 μm, and more preferably 5 μm to 100 μm. If the thickness dimension is less than 1 μm, it may be difficult to obtain a uniform film or the adhesiveness may be insufficient. If it exceeds 500 μm, extra time may be required during film formation, leading to an increase in size, and there may be a problem of being uneconomical.
The data carrier 3 may be one in which the IC chip 31 and the antenna coil 32 are previously tagged. That is, the double-sided adhesive sheet is the same as when the IC tag obtained by mounting the IC chip 31 and the antenna coil 32 on the circuit substrate having a shape along the ring shape of the frame body 2 is attached to the frame body 2. You may affix on the frame main body 2. FIG. Examples of the circuit substrate in this case include the materials exemplified for the protective member, and the same applies to the preferred thickness dimensions. Further, the antenna coil 32 along the frame body 2 is formed on the circuit substrate, and an adhesive layer is laminated on the IC tag on which the IC chip 31 is mounted to form an adhesive label. The frame body 2 may be pasted and cut.

アンテナコイル32の形成方法としては、被覆銅線をフレーム本体2の環形状に沿って巻く方法、導電性ペーストを当該環形状に沿って印刷する方法、フレーム本体2や回路基材上に積層した銅やアルミニウム等の導電性金属箔を当該環形状に沿った形状にエッチングする方法などが挙げられる。導電性ペーストとしては、金、銀、ニッケル、銅等の金属粒子をバインダーや有機溶剤に分散させたものが上げられる。バインダーとしては、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ、フェノール等の樹脂が挙げられる。   As a method of forming the antenna coil 32, a method of winding a coated copper wire along the ring shape of the frame body 2, a method of printing a conductive paste along the ring shape, and laminating the frame body 2 and the circuit substrate. Examples include a method of etching a conductive metal foil such as copper or aluminum into a shape along the ring shape. Examples of the conductive paste include those obtained by dispersing metal particles such as gold, silver, nickel, and copper in a binder or an organic solvent. Examples of the binder include resins such as polyester, polyurethane, epoxy, and phenol.

〔工程管理システム〕
工程管理システム20は、図2に示すように、リングフレーム1が備えるデータキャリア3と、このデータキャリア3との間で電磁誘導方式により電波を送受信してデータキャリア3の内部メモリにアクセスする読取装置としてのリーダ/ライタ4とを備えて構成される。さらに、このリーダ/ライタ4を制御する制御装置としてのコンピュータ5を備えることが好ましく、リーダ/ライタ4とコンピュータ5とは、有線又は無線により接続される。
本実施形態では、工程管理システム20が半導体ウエハ加工工程の管理に用いられる場合を例に挙げて説明する。工程管理システム20では、リングフレーム1に備えられたデータキャリア3とリーダ/ライタ4との間で半導体ウエハ加工工程の管理情報をやり取りする。
[Process management system]
As shown in FIG. 2, the process management system 20 reads and transmits the radio wave between the data carrier 3 included in the ring frame 1 and the data carrier 3 by electromagnetic induction to access the internal memory of the data carrier 3. A reader / writer 4 as an apparatus is provided. Furthermore, it is preferable to include a computer 5 as a control device for controlling the reader / writer 4, and the reader / writer 4 and the computer 5 are connected by wire or wirelessly.
In the present embodiment, a case where the process management system 20 is used for managing a semiconductor wafer processing process will be described as an example. In the process management system 20, management information on the semiconductor wafer processing process is exchanged between the data carrier 3 and the reader / writer 4 provided in the ring frame 1.

半導体ウエハ加工では、図2に示すように、リングフレーム1に半導体製造用テープとしての粘着シートSを介して半導体ウエハWがマウントされている。
半導体ウエハWは、シリコン半導体ウエハやガリウム・ヒ素半導体ウエハなどが挙げられる。
粘着シートSとしては、従来より半導体ウエハの加工に用いられてきた粘着シートが特に制限なく用いられるが、本発明においては、特にエネルギー線硬化型粘着剤層を備えた粘着シートが好ましく用いられる。このようなエネルギー線硬化型粘着シートの詳細は、特開昭60−196956号公報、特開昭60−223139号公報、特開平5−32946号公報、特開平8−27239号公報等に記載されている。
In the semiconductor wafer processing, as shown in FIG. 2, the semiconductor wafer W is mounted on the ring frame 1 via an adhesive sheet S as a semiconductor manufacturing tape.
Examples of the semiconductor wafer W include a silicon semiconductor wafer and a gallium / arsenic semiconductor wafer.
As the pressure-sensitive adhesive sheet S, a pressure-sensitive adhesive sheet that has been conventionally used for processing a semiconductor wafer is used without particular limitation, but in the present invention, a pressure-sensitive adhesive sheet having an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer is particularly preferably used. Details of such an energy ray curable pressure-sensitive adhesive sheet are described in JP-A-60-196956, JP-A-60-223139, JP-A-5-32946, JP-A-8-27239, and the like. ing.

管理情報としては、例えば、リングフレーム1に貼付する粘着シートSに関する情報(粘着シート情報)、粘着シートSに貼付されリングフレーム1にマウントされる半導体ウエハWに関する情報(ウエハ情報)、半導体ウエハWに施された加工条件に関する情報(ウエハ加工情報)が挙げられる。   As management information, for example, information (adhesive sheet information) relating to the adhesive sheet S to be attached to the ring frame 1, information relating to the semiconductor wafer W attached to the adhesive sheet S and mounted on the ring frame 1 (wafer information), the semiconductor wafer W Information on wafer processing conditions (wafer processing information).

各管理情報について具体的に説明する。
粘着シート情報としては、粘着シートSの製品名、品番、ロットナンバー、品質保証期限等が挙げられる。本実施形態では、粘着シートSは、半導体ウエハWをフレーム本体2と一体化するマウント工程、及び半導体ウエハWを切断するダイシング工程で用いられるマウントテープに当たる。
Each management information is demonstrated concretely.
As the adhesive sheet information, the product name, the product number, the lot number, the quality guarantee period, and the like of the adhesive sheet S can be cited. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive sheet S hits a mounting tape used in a mounting process for integrating the semiconductor wafer W with the frame body 2 and a dicing process for cutting the semiconductor wafer W.

ウエハ情報としては、半導体ウエハWに関する情報が挙げられる。半導体ウエハWに関する情報としては、半導体ウエハWのロット番号、種類、サイズや厚さ寸法、寸法精度、傷の有無、半導体ウエハ上に形成された回路に関する情報などが挙げられる。   The wafer information includes information related to the semiconductor wafer W. Examples of the information on the semiconductor wafer W include the lot number, type, size, thickness dimension, dimensional accuracy, presence / absence of a flaw, information on a circuit formed on the semiconductor wafer, and the like.

ウエハ加工情報としては、半導体ウエハWの回路が形成されていない裏面を研削加工した際の条件に関する裏面研削情報や、半導体ウエハWをリングフレーム1と一体化する際のマウント情報などが挙げられる。   Examples of the wafer processing information include back surface grinding information relating to conditions when the back surface of the semiconductor wafer W on which the circuit is not formed is ground, mount information when the semiconductor wafer W is integrated with the ring frame 1, and the like.

このように構成される本発明のリングフレーム1、及び工程管理システム20を用いて半導体を製造する半導体ウエハ加工処理装置および半導体ウエハ加工処理方法について、以下に例示する。   A semiconductor wafer processing apparatus and a semiconductor wafer processing method for manufacturing a semiconductor using the ring frame 1 of the present invention configured as described above and the process management system 20 will be exemplified below.

図3〜8は、半導体ウエハ加工工程を説明する概略図である。
半導体ウエハ加工工程は、ここでは、ラミネート工程と、バックグラインド工程と、マウント工程と、ダイシング工程とを例に挙げて説明する。
なお、以下に説明する半導体ウエハ加工工程で用いられる各種装置が備えるリーダ/ライタ、及びコンピュータは、上述のリーダ/ライタ4、及びコンピュータ5と同様のものである。
3 to 8 are schematic views for explaining a semiconductor wafer processing step.
Here, the semiconductor wafer processing process will be described by taking a laminating process, a back grinding process, a mounting process, and a dicing process as examples.
A reader / writer and a computer included in various apparatuses used in a semiconductor wafer processing process described below are the same as the reader / writer 4 and the computer 5 described above.

(ラミネート工程)
図3は、ラミネート工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
ラミネート工程では、ラミネート装置11が用いられる。ラミネート装置11は、表面に回路が形成された半導体ウエハWが収容された半導体ウエハ収納カセット6から半導体ウエハWを取出し、半導体ウエハWの当該回路面に保護テープ11cを貼り付け、半導体ウエハWの形状に沿って切断する。
(Lamination process)
FIG. 3 is a diagram showing an outline of the laminating process, and shows a flow of management information.
In the laminating process, a laminating apparatus 11 is used. The laminating apparatus 11 takes out the semiconductor wafer W from the semiconductor wafer storage cassette 6 in which the semiconductor wafer W having a circuit formed on the surface is stored, and affixes a protective tape 11c on the circuit surface of the semiconductor wafer W, Cut along the shape.

ラミネート装置11は、リーダ/ライタ11a、及びコンピュータ11bを備える。半導体ウエハ収納カセット6には、収納カセット用データキャリア6aが貼り付けられている。
この収納カセット用データキャリア6aは、非接触型のデータキャリアであり、ICチップと、このICチップに接続された送受信用の導電性コイルとから構成され、半導体ウエハ収納カセット6に貼り付けて使用するラベル型の構造のものである。すなわち、収納カセット用データキャリア6aは、リングフレーム1が備えるフレーム本体2の環形状に沿って形成されたデータキャリア3とは、形状や構造などが異なるデータキャリアである。
The laminating apparatus 11 includes a reader / writer 11a and a computer 11b. A storage cassette data carrier 6 a is attached to the semiconductor wafer storage cassette 6.
The storage cassette data carrier 6a is a non-contact type data carrier, which is composed of an IC chip and a conductive coil for transmission / reception connected to the IC chip, and is used by being attached to the semiconductor wafer storage cassette 6 It has a label type structure. That is, the storage cassette data carrier 6a is a data carrier having a different shape and structure from the data carrier 3 formed along the ring shape of the frame body 2 provided in the ring frame 1.

収納カセット用データキャリア6aは、例えば、図4に示すように、ポリエチレンテレフタレートなどの回路用基材61の表面に、導電性インクにて回路62が印刷され、その上面にICチップ63が実装されている。そして、その上面に、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどの表面基材64が貼り付けられ、その表面には、熱転写印字(印刷)が可能な印字コート層65が設けられている。さらに、回路用基材61の裏面側に、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどを芯材とし、芯材66の両面に粘着層67を備えた両面粘着テープ68が設けられている。   As shown in FIG. 4, for example, the storage cassette data carrier 6a has a circuit 62 printed with conductive ink on the surface of a circuit substrate 61 such as polyethylene terephthalate, and an IC chip 63 mounted on the upper surface thereof. ing. And the surface base material 64, such as a polyethylene terephthalate, is affixed on the upper surface, for example, The print coat layer 65 in which thermal transfer printing (printing) is possible is provided in the surface. Further, a double-sided pressure-sensitive adhesive tape 68 having, for example, polyethylene terephthalate as a core material and adhesive layers 67 on both surfaces of the core material 66 is provided on the back side of the circuit substrate 61.

収納カセット用データキャリア6aには、ウエハ情報(ここでは、ウエハ情報Aとする。)が書き込まれており、ラミネート装置11のリーダ/ライタ11aがこのウエハ情報Aを読み取る。
また、保護テープ11cは、軸芯11dに巻きつけられており、この軸芯11dにも収納カセット用データキャリア6aと同様の図示しない保護テープ軸芯用データキャリアが貼り付けられている。この保護テープ軸芯用データキャリアには、保護テープ11cに関する、製品名、品番、ロットナンバー、品質保証期限等の情報(ここでは、保護テープ情報Bとする。)が書き込まれており、ラミネート装置11のリーダ/ライタ11aがこの保護テープ情報Bを読み取る。
ラミネート装置11のコンピュータ11bは、リーダ/ライタ11aで読み取ったウエハ情報A、及び保護テープ情報Bに基づいて、保護テープ11cの貼り付け条件を決定し、ラミネート装置11は、この貼り付け条件にしたがって半導体ウエハWに保護テープ11cを貼り付ける。
Wafer information (here, wafer information A) is written in the storage cassette data carrier 6a, and the reader / writer 11a of the laminating apparatus 11 reads the wafer information A.
The protective tape 11c is wound around the shaft core 11d, and a protective tape shaft core data carrier (not shown) similar to the storage cassette data carrier 6a is attached to the shaft core 11d. In the data carrier for the protective tape shaft core, information on the protective tape 11c, such as the product name, product number, lot number, and quality guarantee time limit (here, referred to as protective tape information B) is written. 11 reader / writer 11a reads the protective tape information B.
The computer 11b of the laminating apparatus 11 determines the attaching condition of the protective tape 11c based on the wafer information A and the protective tape information B read by the reader / writer 11a, and the laminating apparatus 11 follows the attaching condition. A protective tape 11c is attached to the semiconductor wafer W.

保護テープ11cが貼り付けられた半導体ウエハWは、別の半導体ウエハ収納カセット7に収容される。この半導体ウエハ収納カセット7には、収納カセット用データキャリア6aと同様の収納カセット用データキャリア7aが貼り付けられている。リーダ/ライタ11aは、この収納カセット用データキャリア7aに、ウエハ情報A、保護テープ情報B、ラミネート装置11で貼り付け加工した際の条件(貼り付けテンション、貼り付け速度など。)に関する貼付情報Cを書き込む。   The semiconductor wafer W to which the protective tape 11c is attached is stored in another semiconductor wafer storage cassette 7. The semiconductor wafer storage cassette 7 is attached with a storage cassette data carrier 7a similar to the storage cassette data carrier 6a. The reader / writer 11a is attached to the storage cassette data carrier 7a with wafer information A, protective tape information B, and sticking information C relating to conditions (sticking tension, sticking speed, etc.) when sticking with the laminating apparatus 11. Write.

(バックグラインド工程)
図5は、ラミネート工程の後に行われるバックグラインド工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
バックグラインド工程では、グラインダー(裏面研削装置)12が用いられる。グラインダー12は、半導体ウエハWの保護テープ11c側を、図示しない吸着テーブルに吸着保持して、回路が形成されていない裏面を、所定の厚さ寸法まで研削する
(Back grinding process)
FIG. 5 is a diagram showing an outline of a back grinding process performed after the laminating process, and shows a flow of management information.
In the back grinding process, a grinder (back grinding apparatus) 12 is used. The grinder 12 sucks and holds the protective tape 11c side of the semiconductor wafer W on a suction table (not shown), and grinds the back surface on which no circuit is formed to a predetermined thickness dimension.

グラインダー12は、リーダ/ライタ12a、及びコンピュータ12bを備える。
リーダ/ライタ12aは、半導体ウエハ収納カセット7の収納カセット用データキャリア7aに書き込まれた情報(ウエハ情報A、保護テープ情報B、及び貼付情報C)を読み取り、これらの情報に基づいて、コンピュータ12bは、裏面研削条件を決定する。グラインダー12は、この裏面研削条件にしたがって所定の厚さ寸法となるまで半導体ウエハWの回路が形成されていない裏面を研削する。
The grinder 12 includes a reader / writer 12a and a computer 12b.
The reader / writer 12a reads information (wafer information A, protective tape information B, and sticking information C) written in the storage cassette data carrier 7a of the semiconductor wafer storage cassette 7, and based on these information, the computer 12b. Determines the back grinding conditions. The grinder 12 grinds the back surface on which the circuit of the semiconductor wafer W is not formed until it reaches a predetermined thickness according to the back surface grinding conditions.

所定の厚さ寸法まで研削した後、保護テープ11cが貼着された半導体ウエハWは、別の半導体ウエハ収納カセット8に収容される。この半導体ウエハ収納カセット8には、収納カセット用データキャリア6aと同様の収納カセット用データキャリア8aが貼り付けられている。リーダ/ライタ12aは、この収納カセット用データキャリア8aに、ウエハ情報A、保護テープ情報B、貼付情報C、グラインダー12で裏面研削加工を施した際の条件(研削速度、グラインダーの目の番手、仕上げ厚さ寸法など)に関する裏面研削情報Dを書き込む。   After grinding to a predetermined thickness, the semiconductor wafer W to which the protective tape 11c is attached is accommodated in another semiconductor wafer storage cassette 8. The semiconductor wafer storage cassette 8 is attached with a storage cassette data carrier 8a similar to the storage cassette data carrier 6a. The reader / writer 12a uses the storage cassette data carrier 8a with wafer information A, protective tape information B, sticking information C, conditions when the back surface grinding is performed with the grinder 12 (grinding speed, grinder eye number, Write back grinding information D on finishing thickness dimension etc.

(ウエハマウント工程)
図6は、バックグラインド工程の後に行われるマウント工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
ウエハマウント工程では、マウンター13が用いられる。マウンター13は、半導体ウエハ収納カセット8から半導体ウエハWを取り出して、半導体ウエハWの保護テープ11c側を図示しない吸着テーブルに吸着保持して、この半導体ウエハWの外周にリングフレーム1を置く。その後、マウンター13は、半導体ウエハW、及びリングフレーム1に対してマウントテープ13cを貼着して、リングフレーム1の外形状にマウントテープ13cを切断する。このようにして、マウントテープ13cを介して、半導体ウエハWとリングフレーム1とを一体化している。
なお、マウントテープ13cをリングフレーム1の外形上に切断する代わりに、リングフレーム1の形状に予めプリカットされたマウントテープ13cを用いても良い。
また、マウントテープ13cは、軸芯13dに巻きつけられており、この軸芯13dにも収納カセット用データキャリア6aと同様の図示しないマウントテープ軸芯用データキャリアが貼り付けられている。このマウントテープ軸芯用データキャリアには、マウントテープ13cに関する、製品名、品番、ロットナンバー、品質保証期限等のマウントテープ情報Eが書き込まれている。なお、このマウントテープ13cは、上述の粘着シートSに相当する。
(Wafer mounting process)
FIG. 6 is a diagram showing an outline of the mounting process performed after the back grinding process, and shows the flow of management information.
In the wafer mounting process, the mounter 13 is used. The mounter 13 takes out the semiconductor wafer W from the semiconductor wafer storage cassette 8, sucks and holds the protective tape 11 c side of the semiconductor wafer W on a suction table (not shown), and places the ring frame 1 on the outer periphery of the semiconductor wafer W. Thereafter, the mounter 13 attaches the mount tape 13 c to the semiconductor wafer W and the ring frame 1, and cuts the mount tape 13 c into the outer shape of the ring frame 1. In this way, the semiconductor wafer W and the ring frame 1 are integrated via the mount tape 13c.
Instead of cutting the mount tape 13c on the outer shape of the ring frame 1, a mount tape 13c pre-cut in the shape of the ring frame 1 may be used.
The mount tape 13c is wound around the shaft core 13d, and a mount tape shaft data carrier (not shown) similar to the storage cassette data carrier 6a is attached to the shaft core 13d. In this mount tape axis data carrier, mount tape information E, such as a product name, a product number, a lot number, and a quality guarantee period, related to the mount tape 13c is written. The mount tape 13c corresponds to the above-described adhesive sheet S.

なお、ウエハマウント工程においては、この半導体ウエハWをリングフレーム1ごと反転して、半導体ウエハWの回路面に貼着された保護テープ11cを、例えば、別途図示しない剥離テープを用いて剥離するようになっている。   In the wafer mounting process, the semiconductor wafer W is inverted together with the ring frame 1, and the protective tape 11c attached to the circuit surface of the semiconductor wafer W is peeled off using, for example, a separate peeling tape. It has become.

マウンター13は、リーダ/ライタ13a、及びコンピュータ13bを備える。
リーダ/ライタ13aは、半導体ウエハ収納カセット8の収納カセット用データキャリア8aに書き込まれた情報(ウエハ情報A、保護テープ情報B、貼付情報C、及び裏面研削情報D)、マウントテープ情報E、並びにリングフレーム1のデータキャリア3に予め書き込まれたリングフレーム情報F(リングフレーム1の種類、材質、寸法、製造日、ロット番号など)を読み取り、これらの情報に基づいてコンピュータ13bは、マウント条件を決定し、マウンター13は、このマウント条件にしたがって半導体ウエハWとリングフレーム1とを一体化する。
The mounter 13 includes a reader / writer 13a and a computer 13b.
The reader / writer 13a includes information (wafer information A, protective tape information B, pasting information C, and back grinding information D) written in the storage cassette data carrier 8a of the semiconductor wafer storage cassette 8, mount tape information E, and The ring frame information F (type, material, dimensions, date of manufacture, lot number, etc. of the ring frame 1) written in advance on the data carrier 3 of the ring frame 1 is read, and based on these information, the computer 13b determines the mounting conditions. Then, the mounter 13 integrates the semiconductor wafer W and the ring frame 1 in accordance with the mounting conditions.

半導体ウエハWをマウントした後、リーダ/ライタ13aは、リングフレーム1のデータキャリア3に、ウエハ情報A、保護テープ情報B、貼付情報C、裏面研削情報D、マウントテープ情報E、リングフレーム情報F、マウントした際の条件(マウントテープ13cの貼着速度、貼着圧力、)に関するマウント情報Gを書き込む。
本発明のリングフレーム1の交信距離は、従来技術に比べて長いため、リーダ/ライタ13aがリングフレーム1から離れた位置にあってもデータキャリア3に確実に情報を書き込むことができる。
情報書き込み後、リングフレーム1と一体化した半導体ウエハWは、別の半導体ウエハ収納カセット9に収容される。この半導体ウエハ収納カセット9には、収納カセット用データキャリア6aと同様の別の収納カセット用データキャリアが貼り付けられていてもよい。この場合には、リングフレーム1のデータキャリア3と当該別の収納カセット用データキャリアとの両方に、リーダ/ライタ13aによって情報が書き込まれても良い。
After mounting the semiconductor wafer W, the reader / writer 13a transfers the wafer information A, protective tape information B, pasting information C, back grinding information D, mount tape information E, ring frame information F to the data carrier 3 of the ring frame 1. The mount information G relating to the mounting conditions (attachment speed and attachment pressure of the mount tape 13c) is written.
Since the communication distance of the ring frame 1 of the present invention is longer than that of the prior art, information can be reliably written to the data carrier 3 even when the reader / writer 13a is located away from the ring frame 1.
After the information is written, the semiconductor wafer W integrated with the ring frame 1 is stored in another semiconductor wafer storage cassette 9. Another storage cassette data carrier similar to the storage cassette data carrier 6 a may be attached to the semiconductor wafer storage cassette 9. In this case, information may be written to both the data carrier 3 of the ring frame 1 and the other storage cassette data carrier by the reader / writer 13a.

(ダイシング工程)
図7は、マウント工程の後に行われるダイシング工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
ダイシング工程では、ダイシング装置14が用いられる。ダイシング装置14は、半導体ウエハ収納カセット9から半導体ウエハWをリングフレーム1ごと取り出して、半導体ウエハWを賽の目状に切断する。
(Dicing process)
FIG. 7 is a diagram showing an outline of a dicing process performed after the mounting process, and shows a flow of management information.
In the dicing process, the dicing apparatus 14 is used. The dicing apparatus 14 takes out the semiconductor wafer W from the semiconductor wafer storage cassette 9 together with the ring frame 1 and cuts the semiconductor wafer W into a square shape.

ダイシング装置14は、リーダ/ライタ14a、及びコンピュータ14bを備える。
リーダ/ライタ14aは、リングフレーム1のデータキャリア3に書き込まれた情報(ウエハ情報A、保護テープ情報B、貼付情報C、裏面研削情報D、マウントテープ情報E、リングフレーム情報F、及びマウント情報G)を読み取る。リングフレーム1の交信距離は、従来技術に比べて長いため、リーダ/ライタ14aがリングフレーム1から離れた位置にあってもデータキャリア3から確実に情報を読み取ることができる。
これらの読み取った情報に基づいて、コンピュータ14bは、ダイシング条件を決定する。ダイシング装置14は、このダイシング条件にしたがって半導体ウエハWを切断する。
The dicing apparatus 14 includes a reader / writer 14a and a computer 14b.
The reader / writer 14a receives information written on the data carrier 3 of the ring frame 1 (wafer information A, protective tape information B, pasting information C, back grinding information D, mount tape information E, ring frame information F, and mount information. G) is read. Since the communication distance of the ring frame 1 is longer than that of the prior art, information can be reliably read from the data carrier 3 even when the reader / writer 14a is located away from the ring frame 1.
Based on the read information, the computer 14b determines dicing conditions. The dicing apparatus 14 cuts the semiconductor wafer W according to the dicing conditions.

切断後、リーダ/ライタ14aは、リングフレーム1のデータキャリア3に、ウエハ情報A、保護テープ情報B、貼付情報C、裏面研削情報D、マウントテープ情報E、リングフレーム情報F、マウント情報Gの他、半導体ウエハWを切断した際のダイシング条件(ダイシングブレードの種類、ダイシングライン数、ダイシング刃の回転速度、ダイシング寸法など)に関するダイシング情報Hを書き込む。なお、データキャリア3には、上記情報A〜Gが既に書き込まれているため、ダイシング情報Hだけを新たにデータキャリア3に書き込むようにしてもよい。
リングフレーム1の交信距離は、従来技術に比べて長いため、リーダ/ライタ14aがリングフレーム1から離れた位置にあってもデータキャリア3に確実に情報を書き込むことができる。
情報書き込み後、リングフレーム1と一体化した半導体ウエハWは、図示しない別の半導体ウエハ収納カセットに収容される。この半導体ウエハ収納カセットにも、収納カセット用データキャリア6aと同様の収納カセット用データキャリアが貼り付けられていてもよい。この場合には、リングフレーム1のデータキャリア3とこの収納カセット用データキャリアとの両方に、リーダ/ライタ13aによって情報が書き込まれても良い。
After cutting, the reader / writer 14a stores the wafer information A, protective tape information B, pasting information C, back grinding information D, mount tape information E, ring frame information F, and mount information G on the data carrier 3 of the ring frame 1. In addition, dicing information H relating to dicing conditions (the type of dicing blade, the number of dicing lines, the dicing blade rotation speed, the dicing dimension, etc.) when the semiconductor wafer W is cut is written. Since the information A to G is already written on the data carrier 3, only the dicing information H may be newly written on the data carrier 3.
Since the communication distance of the ring frame 1 is longer than that of the prior art, even if the reader / writer 14a is at a position away from the ring frame 1, information can be reliably written to the data carrier 3.
After the information is written, the semiconductor wafer W integrated with the ring frame 1 is stored in another semiconductor wafer storage cassette (not shown). A storage cassette data carrier similar to the storage cassette data carrier 6a may be attached to the semiconductor wafer storage cassette. In this case, information may be written to both the data carrier 3 of the ring frame 1 and the storage cassette data carrier by the reader / writer 13a.

ダイシング工程の後、半導体ウエハWは、リングフレーム1ごと、図示しない別の半導体ウエハ収納カセットに収容され、次の工程、例えば、ダイボンディング工程へと搬送される。ダイボンディング工程では、ボンディング装置によって、賽の目状に切断された半導体チップをピックアップして、電子製品用の基板等に実装する。このダイボンディング工程でもリングフレーム1のデータキャリア3に書き込まれた情報をボンディング装置が備えるリーダ/ライタで読み取って、読み取った情報に基づいてコンピュータが決定した条件で半導体チップをピックアップし、及び基板に実装する。   After the dicing process, the semiconductor wafer W is accommodated together with the ring frame 1 in another semiconductor wafer storage cassette (not shown), and is transferred to the next process, for example, a die bonding process. In the die bonding step, a semiconductor chip cut into a grid shape is picked up by a bonding apparatus and mounted on a substrate for electronic products. Also in this die bonding process, the information written on the data carrier 3 of the ring frame 1 is read by a reader / writer provided in the bonding apparatus, the semiconductor chip is picked up under the conditions determined by the computer based on the read information, and the substrate is loaded. Implement.

ングフレーム1によれば、データキャリア3のアンテナコイル32がフレーム本体2の環形状に沿った形状を有するので、アンテナコイル32の内径が大きくなる。その結果、リングフレーム1のデータキャリア3の交信距離を長くすることができる。 According to-ring frame 1, because it has a shape that the antenna coil 32 of data carrier 3 along the annular shape of the frame body 2, the inner diameter of the antenna coil 32 increases. As a result, the communication distance of the data carrier 3 in the ring frame 1 can be increased.

工程管理システム20によれば、リングフレーム1と、リーダ/ライタ4と、コンピュータ5とを備えるので、リーダ/ライタ4とデータキャリア3との間の交信距離を長くした工程管理システムを構築できる。例えば、従来のようなICタグをフレーム本体の環形状の一部に貼り付けただけの場合では、アンテナコイルの内径が小さく、交信距離が短いため、ICタグとリーダ/ライタとの間で管理情報を送受信する際に、両者を近づける必要がある。交信距離を長くした工程管理システム20であれば、両者を従来技術のように近づけなくても良いので、リングフレーム1から離れた位置にリーダ/ライタ4を設置しても、そこから、管理情報を確実に送受信することができるようになる。その結果、半導体ウエハ加工装置やラインの設計自由度が増す。   Since the process management system 20 includes the ring frame 1, the reader / writer 4, and the computer 5, it is possible to construct a process management system that increases the communication distance between the reader / writer 4 and the data carrier 3. For example, when the conventional IC tag is simply attached to a part of the ring shape of the frame body, the inner diameter of the antenna coil is small and the communication distance is short. Therefore, the IC tag is managed between the IC tag and the reader / writer. When sending and receiving information, it is necessary to bring them closer together. If the process management system 20 has a long communication distance, the two do not need to be close as in the prior art. Therefore, even if the reader / writer 4 is installed at a position away from the ring frame 1, management information can be obtained from there. Can be reliably transmitted and received. As a result, the degree of freedom in designing semiconductor wafer processing apparatuses and lines is increased.

<第二実施形態> <Second embodiment>

図8には、第二実施形態に係るリングフレーム1aが示されている。
図8(A)は、リングフレーム1aの平面図、図8(B)は、リングフレーム1aの断面図を示す。リングフレーム1aは、図8(A)に示すように、環状に形成されたフレーム本体2aと、このフレーム本体2aの環形状に沿った形状を有するデータキャリア3とを備えて構成され、図8(B)に示すように、フレーム本体2aの内部にデータキャリア3が収容されている点で、上記実施形態のリングフレーム1と異なる。
FIG. 8 shows a ring frame 1a according to the second embodiment.
8A is a plan view of the ring frame 1a, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the ring frame 1a. As shown in FIG. 8A, the ring frame 1a includes a frame body 2a formed in an annular shape and a data carrier 3 having a shape along the ring shape of the frame body 2a. As shown to (B), it differs from the ring frame 1 of the said embodiment by the point by which the data carrier 3 is accommodated in the inside of the frame main body 2a.

ICチップ31、及びアンテナコイル32を備えるデータキャリア3をフレーム本体2aの内部に収容させる方法としては、例えば、以下の方法が挙げられるが、これに限られない。
第一の方法としては、フレーム本体2aを、フレーム本体2と同じ環形状であり、厚さ寸法が半分程度の2つのフレーム部材に分けて成形し、2つのフレーム部材の間にデータキャリア3を挟んで一体化する方法が挙げられる。
第二の方法としては、インサート成形法が挙げられる。フレーム本体2aの成形にあたり、フレーム本体2と同じ環形状であり、厚さ寸法が半分程度のフレーム部材を射出成形し、このフレーム部材を金型内に入れたままでデータキャリア3を当該フレーム部材の環形状に沿って配置する。その後、フレーム本体2aの残り半分の厚さ寸法分の樹脂を射出成形し、内部にデータキャリア3を収容するフレーム本体2aを成形する。
Examples of a method for accommodating the data carrier 3 including the IC chip 31 and the antenna coil 32 in the frame body 2a include the following methods, but are not limited thereto.
As a first method, the frame main body 2a is divided into two frame members having the same ring shape as the frame main body 2 and having a thickness dimension of about half, and the data carrier 3 is inserted between the two frame members. The method of pinching and integrating is mentioned.
The second method includes an insert molding method. In forming the frame main body 2a, a frame member having the same ring shape as the frame main body 2 and having a thickness of about half is injection-molded, and the data carrier 3 is inserted into the mold while the frame member remains in the mold. Arrange along the ring shape. Thereafter, the resin corresponding to the thickness of the remaining half of the frame body 2a is injection-molded, and the frame body 2a that accommodates the data carrier 3 therein is molded.

実施形態のリングフレーム1aによれば、第一実施形態のリングフレーム1と同様に交信距離を長くすることができるとともに、次の効果を奏する。
リングフレーム1aでは、データキャリア3がフレーム本体2aの内部に収容されているので、データキャリア3の破損や損傷に対する耐性を向上させたものを得ることができる。
According to the ring frame 1a of the present embodiment, the communication distance can be increased similarly to the ring frame 1 of the first embodiment, and the following effects are produced.
In the ring frame 1a, the data carrier 3 is accommodated inside the frame body 2a, so that the data carrier 3 with improved resistance to breakage and damage can be obtained.

<変形例>
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示すような変形をも含むものである。
<Modification>
In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, For example, the deformation | transformation as shown below is also included.

例えば、リングフレーム1において、フレーム本体2の表面に環形状に沿った収納溝を形成し、この収納溝にデータキャリア3を環形状に沿って収容させても良い。   For example, in the ring frame 1, a storage groove along the ring shape may be formed on the surface of the frame body 2, and the data carrier 3 may be stored along the ring shape in the storage groove.

また、半導体加工工程においてリングフレーム1のデータキャリア3と情報をやり取りするリーダ/ライタは、各加工装置が備えていなくても良い。例えば、半導体ウエハWをリングフレーム1ごと搬送している途中の搬送経路にリーダ/ライタ4、及びコンピュータ5を設置して、このリーダ/ライタ4でデータキャリア3から管理情報を読み取り、コンピュータ5から各加工装置にデータキャリア3に蓄積された管理情報を無線又は有線で送るようにしても良い。本発明のリングフレーム1は、交信距離が長いので、このような工程管理システムを構築することもでき、加工装置のところまでに半導体ウエハWが搬送されてくるまでの間に加工装置側で管理情報を受信し、受信した情報に基づいた加工条件の設定、この加工条件に基づいた装置や部材のセッティングを行うこともできるようになるので、搬送されてきた半導体ウエハWの加工に迅速に取り掛かることができる。   In addition, each processing apparatus may not include a reader / writer that exchanges information with the data carrier 3 of the ring frame 1 in a semiconductor processing process. For example, a reader / writer 4 and a computer 5 are installed on the transfer path in the middle of transferring the semiconductor wafer W together with the ring frame 1, and management information is read from the data carrier 3 by the reader / writer 4. The management information stored in the data carrier 3 may be sent to each processing device wirelessly or by wire. Since the ring frame 1 of the present invention has a long communication distance, it is possible to construct such a process management system, which is managed on the processing apparatus side until the semiconductor wafer W is transferred to the processing apparatus. Since information can be received and processing conditions can be set based on the received information and devices and members can be set based on the processing conditions, the semiconductor wafer W that has been transferred can be processed quickly. be able to.

以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

以下に例示する実施例1〜5、及び比較例1〜5のリングフレームを作製し、その交信距離を測定することで、リングフレームの性能評価を行った。交信距離の測定には、Welcat株式会社製のリーダ/ライタ(商品名:XIT−150−BR)を用いた。
交信距離については、リングフレーム、及びリーダ/ライタのそれぞれの中心部を近づけてリーダ/ライタにICタグを検知させた後、両者を徐々に平行にしたまま離間させて、リーダ/ライタがICタグを検知する最大の間隔を交信距離とした。
The ring frames of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 illustrated below were produced, and the performance evaluation of the ring frame was performed by measuring the communication distance. A reader / writer (trade name: XIT-150-BR) manufactured by Welcat Co., Ltd. was used for measurement of the communication distance.
As for the communication distance, the ring frame and the reader / writer are brought close to each other and the IC tag is detected by the reader / writer. The maximum interval for detecting s was taken as the communication distance.

(実施例1)
8インチのウエハ用のフレーム本体を作製した。芳香族ポリスルホン(BASF株式会社製、商品名:ULTRASON−E1010P)80重量%、及びポリフェニレンスルフィド樹脂(東レ株式会社製、商品名:ライトンE−1880)20重量%からなる樹脂組成物(100重量部)に対して、導電性材料であるカーボンブラック(Columbian株式会社製、商品名N−550U)(18重量部)を配合し、330℃〜340℃の範囲で混練、ペレット化して作製した成形材料を射出成形した。射出成形条件は、樹脂温度が360℃、金型温度が150℃の条件であった。フレーム本体の内径は、250mm、幅寸法は、22mm、厚さ寸法は、2mmとした。
次に、被覆銅線(ドイト株式会社製、銅針金、商品名:S−252、直径2mm)をフレーム本体の環形状に沿って貼り付けた。被覆銅線で形成されるアンテナコイルの内径を275mmとした。被覆銅線の巻き数は、1とした。被覆銅線の貼り付けには、接着剤(HAKKO株式会社製、商品名:HAKKO MELTER STICK No.810)を用いた。
被覆銅線を貼り付けた面と同じ面にICチップ(NXP株式会社製、製品名:IcodeSLI)を実装し、データキャリアを形成した。実装には、フリップチップ実装機(九州松下株式会社製、製品名:FB30T−M)を用いた。接合材料には、異方導電性ペースト(ACP、京セラケミカル株式会社製、製品名:TAP0602F)をACP塗布量で0.28mg使用した。ACPへの加熱温度はICチップにおいて220℃、ICチップへの荷重は2N(200gf)、加圧加熱時間は7秒間として、実装を行った。
このようにして実施例1のリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
Example 1
A frame body for an 8-inch wafer was produced. Resin composition (100 parts by weight) comprising 80% by weight of aromatic polysulfone (manufactured by BASF Corporation, trade name: ULTRASON-E1010P) and 20% by weight of polyphenylene sulfide resin (trade name: Ryton E-1880, manufactured by Toray Industries, Inc.) ), Carbon black (trade name N-550U, manufactured by Columbian Co., Ltd.) (18 parts by weight), a molding material prepared by kneading and pelletizing in the range of 330 ° C. to 340 ° C. Was injection molded. The injection molding conditions were a resin temperature of 360 ° C. and a mold temperature of 150 ° C. The inner diameter of the frame body was 250 mm, the width dimension was 22 mm, and the thickness dimension was 2 mm.
Next, a coated copper wire (manufactured by Doit Co., Ltd., copper wire, trade name: S-252, diameter 2 mm) was attached along the ring shape of the frame body. The inner diameter of the antenna coil formed of the coated copper wire was 275 mm. The number of turns of the coated copper wire was 1. An adhesive (manufactured by HAKKO Co., Ltd., trade name: HAKKO MELTER STICK No. 810) was used for pasting the coated copper wire.
An IC chip (manufactured by NXP Corporation, product name: IcodeSLI) was mounted on the same surface as the surface on which the coated copper wire was pasted to form a data carrier. For mounting, a flip chip mounting machine (manufactured by Kyushu Matsushita Co., Ltd., product name: FB30T-M) was used. As the bonding material, anisotropic conductive paste (ACP, manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd., product name: TAP0602F) was used in an amount of ACP applied of 0.28 mg. Mounting was performed with the heating temperature to the ACP being 220 ° C. for the IC chip, the load to the IC chip being 2N (200 gf), and the pressure heating time being 7 seconds.
Thus, the ring frame of Example 1 was produced and the communication distance was measured. The measurement results are shown in Table 1.

(実施例2)
実施例1のリングフレームにダイシングテープ(リンテック株式会社製、商品名:Adwill G−19)を貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ(8インチ)をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
(Example 2)
Dicing tape (trade name: Adwill G-19, manufactured by Lintec Corporation) was attached to the ring frame of Example 1, and the communication distance was measured with a silicon wafer (8 inches) mounted on the dicing tape. The measurement results are shown in Table 1.

(実施例3)
12インチのウエハ用のフレーム本体を作製した。フレーム本体の内径は、350mmとし、被覆銅線で形成されるアンテナコイルの内径は375mmとした以外は、実施例1のリングフレームと同様にして作製し、交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
(Example 3)
A frame body for a 12-inch wafer was produced. The frame body was manufactured in the same manner as the ring frame of Example 1 except that the inner diameter of the frame body was 350 mm and the inner diameter of the antenna coil formed of the coated copper wire was 375 mm, and the communication distance was measured. The measurement results are shown in Table 1.

(実施例4)
実施例3のリングフレームに実施例2で用いたダイシングテープを貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ(12インチ)をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
Example 4
The dicing tape used in Example 2 was attached to the ring frame of Example 3, and the communication distance was measured with a silicon wafer (12 inches) mounted on the dicing tape. The measurement results are shown in Table 1.

(実施例5)
フレーム本体の成形材料をアクリロニトリル‐ブタジエン‐スチレン共重合体(ABS)系材料に変更した以外は、実施例1のリングフレームと同様にして作製し、実施例2と同様にダイシングテープを貼り付け、シリコンウエハをマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
成形材料は、アクリロニトリル‐ブタジエン‐スチレン共重合体(ABS)樹脂に対して、リチウム系のイオン導電剤(三光化学工業株式会社製、商品名:TBX310)を重量比10%で配合し、330℃〜340℃の範囲で混練、ペレット化して作製した成形材料を射出成形した。射出成形条件は、樹脂温度が360℃、金型温度が150℃の条件であった。
(Example 5)
Except for changing the molding material of the frame main body to an acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS) -based material, it was produced in the same manner as the ring frame of Example 1, and a dicing tape was applied in the same manner as in Example 2. The communication distance was measured with the silicon wafer mounted. The measurement results are shown in Table 1.
The molding material is composed of acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS) resin and a lithium ion conductive agent (manufactured by Sanko Chemical Co., Ltd., trade name: TBX310) at a weight ratio of 10%. A molding material produced by kneading and pelletizing in a range of ˜340 ° C. was injection molded. The injection molding conditions were a resin temperature of 360 ° C. and a mold temperature of 150 ° C.

(比較例1)
実施例1で作製したフレーム本体に、ICタグ(リンテック株式会社製、商品名:Britem TS−L、共振周波数:13.56MHz帯域)を貼り付けてリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
このICタグの外形寸法は、11mm×64mmである。
(Comparative Example 1)
An IC tag (trade name: Britem TS-L, resonance frequency: 13.56 MHz band, manufactured by Lintec Corporation) was attached to the frame main body manufactured in Example 1, a ring frame was manufactured, and the communication distance was measured. The measurement results are shown in Table 1.
The external dimension of this IC tag is 11 mm × 64 mm.

(比較例2)
比較例1で作製したリングフレームに実施例2で用いたダイシングテープを貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ(8インチ)をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
The dicing tape used in Example 2 was attached to the ring frame produced in Comparative Example 1, and the communication distance was measured with a silicon wafer (8 inches) mounted on the dicing tape. The measurement results are shown in Table 1.

(比較例3)
実施例2で作製したフレーム本体に、比較例1と同じICタグを貼り付けてリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
(Comparative Example 3)
A ring frame was prepared by attaching the same IC tag as in Comparative Example 1 to the frame body produced in Example 2, and the communication distance was measured. The measurement results are shown in Table 1.

(比較例4)
比較例3で作製したリングフレームに実施例2で用いたダイシングテープを貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ(12インチ)をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
(Comparative Example 4)
The dicing tape used in Example 2 was attached to the ring frame produced in Comparative Example 3, and the communication distance was measured with a silicon wafer (12 inches) mounted on the dicing tape. The measurement results are shown in Table 1.

(比較例5)
8インチのウエハ用のステンレス製のフレーム本体を用いた以外は、比較例1と同様にしてリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表1に示す。
(Comparative Example 5)
A ring frame was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that a stainless steel frame body for an 8-inch wafer was used, and the communication distance was measured. The measurement results are shown in Table 1.

表1が示すように、実施例1〜5のリングフレームは、比較例1〜5のリングフレームに比べて、いずれも交信距離が20倍以上長くなることが分かった。また、半導体ウエハをリングフレームにマウントした状態であっても、交信距離の減少はわずかであることが分かった。また、フレーム本体の材質を変えた場合でも、実施例1〜2と実施例5とで比較すると、交信距離の差は、ほとんど見られなかった。
比較例1〜4のリングフレームについては、ICタグがフレーム本体の環形状の一部に貼り付けられるに止まるので、アンテナコイルの内径が小さく、交信距離が短くなった。比較例5の金属製のリングフレームでは測定不可能となった。
As Table 1 shows, it was found that the ring distances of Examples 1 to 5 were 20 times or more longer in communication distance than the ring frames of Comparative Examples 1 to 5. It was also found that the communication distance decreased little even when the semiconductor wafer was mounted on the ring frame. Further, even when the material of the frame main body was changed, the difference in the communication distance was hardly seen when compared between Examples 1 and 2 and Example 5.
As for the ring frames of Comparative Examples 1 to 4, the IC tag was only stuck to a part of the ring shape of the frame body, so that the inner diameter of the antenna coil was small and the communication distance was shortened. Measurement was impossible with the metal ring frame of Comparative Example 5.

1,1a…リングフレーム
2,2a…フレーム本体
3…データキャリア
4…リーダ/ライタ
5…コンピュータ
20…工程管理システム
21…ノッチ
31…ICチップ
32…アンテナコイル
S…粘着シート
W…半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a ... Ring frame 2, 2a ... Frame main body 3 ... Data carrier 4 ... Reader / writer 5 ... Computer 20 ... Process control system 21 ... Notch 31 ... IC chip 32 ... Antenna coil S ... Adhesive sheet W ... Semiconductor wafer

Claims (6)

半導体ウエハ加工用のリングフレームであって、
熱可塑性樹脂を環形状に成形して得られるフレーム本体と、
前記フレーム本体の環形状に沿った形状を有するデータキャリアと、を備え
前記データキャリアは、前記フレーム本体の内部に前記環形状に沿って収納されてい
ことを特徴とするリングフレーム。
A ring frame for processing a semiconductor wafer,
A frame body obtained by molding a thermoplastic resin into a ring shape;
A data carrier having a shape along the ring shape of the frame body ,
The data carrier, the ring frame, characterized in that that is housed along the ring shape inside the frame body.
請求項1に記載のリングフレームにおいて、
前記フレーム本体は、表面に前記環形状に沿った収納溝を有し、
前記データキャリアは、前記収納溝に収容されている
ことを特徴とするリングフレーム。
The ring frame according to claim 1, wherein
The frame body has a storage groove along the ring shape on the surface,
The ring frame , wherein the data carrier is accommodated in the accommodation groove .
請求項1に記載のリングフレームにおいて、  The ring frame according to claim 1, wherein
前記フレーム本体は、前記環形状と同じ形状を有する2つのフレーム部材で構成され、  The frame body is composed of two frame members having the same shape as the ring shape,
前記データキャリアは、2つの前記フレーム部材の間に挟まれて一体化されている  The data carrier is sandwiched and integrated between the two frame members
ことを特徴とするリングフレーム。  A ring frame characterized by that.
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のリングフレームにおいて、In the ring frame according to any one of claims 1 to 3,
前記データキャリアは、ICチップと、前記ICチップに接続されたアンテナコイルとを備え、  The data carrier includes an IC chip and an antenna coil connected to the IC chip.
前記アンテナコイルは、前記フレーム本体の前記環形状に沿って巻かれている  The antenna coil is wound along the ring shape of the frame body.
ことを特徴とするリングフレーム。  A ring frame characterized by that.
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のリングフレームと、
読取装置と、を備え、
半導体ウエハ加工工程の管理情報を前記データキャリアとの間で非接触で送受信する
ことを特徴とする工程管理システム。
And the ring frame according to any one of claims 1 to 4,
A reading device,
A process management system for transmitting and receiving management information of a semiconductor wafer processing process to and from the data carrier in a non-contact manner.
請求項に記載の工程管理システムにおいて、
前記管理情報が、前記リングフレームに貼付する半導体製造用テープに関する情報、前記半導体製造用テープに貼付する半導体ウエハに関する情報、及び半導体ウエハ加工条件に関する情報のうち少なくともいずれかである
ことを特徴とする工程管理システム。
In the process management system according to claim 5 ,
The management information is at least one of information on a semiconductor manufacturing tape to be attached to the ring frame, information on a semiconductor wafer to be attached to the semiconductor manufacturing tape, and information on semiconductor wafer processing conditions. Process management system.
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