JP5687648B2 - 半導体記憶装置およびプログラム - Google Patents
半導体記憶装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5687648B2 JP5687648B2 JP2012058768A JP2012058768A JP5687648B2 JP 5687648 B2 JP5687648 B2 JP 5687648B2 JP 2012058768 A JP2012058768 A JP 2012058768A JP 2012058768 A JP2012058768 A JP 2012058768A JP 5687648 B2 JP5687648 B2 JP 5687648B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- block
- discarded
- unit
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7205—Cleaning, compaction, garbage collection, erase control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
上記実施形態では、破棄可能なデータ(ページ)と、破棄不可能なデータ(ページ)とを同一のブロック内に混在できる例を説明した。変形例では、破棄可能なデータ(ページ)と、破棄不可能なデータ(ページ)とを同一のブロック内に混在できないように構成する。
50 半導体記憶装置
51 プロセッサ
53 メモリコントローラ
54 DRAM
55 SATA/SASインタフェース
56 バス
57A〜57F NANDコントローラ
58A〜58F NAND
59 インタフェース
60 ホストインタフェース部
61 記憶部
62 NAND制御部
63 更新部
64 コンパクション部
65 破棄部
Claims (10)
- 複数のデータを記憶し、予め定められた大きさの記憶領域であるページを単位としてデータが書き込みおよび読み出しされ、複数の前記ページを含むブロックを単位としてデータが消去される半導体記憶チップと、
前記半導体記憶チップに論理アドレスを指定して前記データが書き込まれた後、複数の前記データのうち少なくとも同一の論理アドレスに対して最後に書き込まれた前記データである有効データの一部を破棄する破棄部と、
第1ブロックに記憶された前記有効データのうち、前記破棄部によって破棄されたデータを除く有効データを第2ブロックに書き込み、前記第1ブロックを消去するコンパクション部と、
破棄された前記データの読み出し要求に対して、前記データを読み出せないことを示す応答を出力する制御部と、を備え、
前記破棄部は、さらに、ブロックに含まれるすべての有効データを破棄する場合に、該ブロックを消去し、
前記有効データには、破棄可能な第1データと破棄不可能な第2データが含まれており、
前記制御部は、前記論理アドレスの範囲のうち、予め定められた第1範囲に前記第1データを記憶し、予め定められた第2範囲に前記第2データを記憶し、
前記破棄部は、複数の前記第1データのうち少なくとも一部の前記第1データを破棄する、
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第2範囲は、前記半導体記憶チップの物理アドレスの範囲以下である、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記論理アドレスの範囲は、前記半導体記憶チップの物理アドレスの範囲より大きい、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、破棄可能なデータとして書き込みが要求されたデータを前記第1データとして前記半導体記憶チップに記憶する、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記ページごとに、前記ページに記憶される前記データが前記第1データおよび前記第2データのいずれであるかを示す判別情報を記憶する記憶部をさらに備える、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記ブロックごとに、前記ブロックに記憶される前記データが前記第1データおよび前記第2データのいずれであるかを示す判別情報を記憶する記憶部をさらに備える、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記破棄部は、前記第1ブロックに記憶された前記有効データの個数が予め定められた第1閾値より大きい場合に、前記第1ブロックに記憶された前記有効データの少なくとも一部を破棄する、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記破棄部は、前記有効データのうち、当該有効データに対するアクセス数が予め定められた第2閾値以下の前記有効データを破棄し、
前記コンパクション部は、前記有効データのうち、当該有効データに対するアクセス数が予め定められた第2閾値より大きい前記有効データを前記第2ブロックに書き込む、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、破棄可能な前記データを表す第1データと、破棄不可能な前記データを表す第2データとを区別して前記ブロックに記憶し、
前記破棄部は、データが書き込まれていない前記ブロックを表す未使用ブロックの個数が予め定められた第3閾値より小さい場合に、前記未使用ブロック以外の前記ブロックのうち、前記第1データのみが記憶されている前記ブロックに記憶されている前記第1データを破棄し、
前記制御部は、前記第1データが破棄された前記ブロックと、前記未使用ブロックとのうちいずれかを、書き込みが要求されたデータの書き込み先のブロックとして割り当てる、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 複数のデータを記憶し、予め定められた大きさの記憶領域であるページを単位としてデータが書き込みおよび読み出しされ、複数の前記ページを含むブロックを単位としてデータが消去される半導体記憶チップを備える半導体記憶装置を、
前記半導体記憶チップに論理アドレスを指定して前記データが書き込まれた後、複数の前記データのうち少なくとも同一の論理アドレスに対して最後に書き込まれた前記データである有効データの一部を破棄する破棄部と、
第1ブロックに記憶された前記有効データのうち、前記破棄部によって破棄されたデータを除く有効データを第2ブロックに書き込み、前記第1ブロックを消去するコンパクション部と、
破棄された前記データの読み出し要求に対して、前記データを読み出せないことを示す応答を出力する制御部、として機能させるためのプログラムであって、
前記破棄部は、さらに、ブロックに含まれるすべての有効データを破棄する場合に、該ブロックを消去し、
前記有効データには、破棄可能な第1データと破棄不可能な第2データが含まれており、
前記制御部は、前記論理アドレスの範囲のうち、予め定められた第1範囲に前記第1データを記憶し、予め定められた第2範囲に前記第2データを記憶し、
前記破棄部は、複数の前記第1データのうち少なくとも一部の前記第1データを破棄する、
プログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012058768A JP5687648B2 (ja) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 半導体記憶装置およびプログラム |
US13/586,219 US8990480B2 (en) | 2012-03-15 | 2012-08-15 | Semiconductor memory device and computer program product |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012058768A JP5687648B2 (ja) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 半導体記憶装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013191174A JP2013191174A (ja) | 2013-09-26 |
JP5687648B2 true JP5687648B2 (ja) | 2015-03-18 |
Family
ID=49158771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012058768A Expired - Fee Related JP5687648B2 (ja) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | 半導体記憶装置およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8990480B2 (ja) |
JP (1) | JP5687648B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9594685B2 (en) | 2012-07-06 | 2017-03-14 | Seagate Technology Llc | Criteria for selection of data for a secondary cache |
US9390020B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-07-12 | Seagate Technology Llc | Hybrid memory with associative cache |
US9772948B2 (en) | 2012-07-06 | 2017-09-26 | Seagate Technology Llc | Determining a criterion for movement of data from a primary cache to a secondary cache |
US9529724B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-12-27 | Seagate Technology Llc | Layered architecture for hybrid controller |
US9477591B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-10-25 | Seagate Technology Llc | Memory access requests in hybrid memory system |
US9430164B1 (en) * | 2013-02-08 | 2016-08-30 | Emc Corporation | Memory efficient sanitization of a deduplicated storage system |
US9317218B1 (en) * | 2013-02-08 | 2016-04-19 | Emc Corporation | Memory efficient sanitization of a deduplicated storage system using a perfect hash function |
US9507719B2 (en) * | 2013-08-20 | 2016-11-29 | Seagate Technology Llc | Garbage collection in hybrid memory system |
US9367247B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-06-14 | Seagate Technology Llc | Memory access requests in hybrid memory system |
US9785564B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-10-10 | Seagate Technology Llc | Hybrid memory with associative cache |
US9362000B2 (en) | 2014-09-05 | 2016-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and management method thereof |
US11334478B2 (en) | 2014-10-30 | 2022-05-17 | Kioxia Corporation | Memory system and nonvolatile memory medium in which program is stored to optimize operating life |
US10102118B2 (en) | 2014-10-30 | 2018-10-16 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and non-transitory computer readable recording medium |
US11347637B2 (en) | 2014-10-30 | 2022-05-31 | Kioxia Corporation | Memory system and non-transitory computer readable recording medium |
JP2016122227A (ja) | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社東芝 | メモリシステムおよび情報処理システム |
JP6378111B2 (ja) * | 2014-12-29 | 2018-08-22 | 東芝メモリ株式会社 | 情報処理装置及びプログラム |
US10120793B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-11-06 | Toshiba Memory Corporation | Memory device and non-transitory computer readable recording medium |
JP6320322B2 (ja) * | 2014-12-29 | 2018-05-09 | 東芝メモリ株式会社 | キャッシュメモリ装置及びプログラム |
US10331551B2 (en) * | 2014-12-29 | 2019-06-25 | Toshiba Memory Corporation | Information processing device and non-transitory computer readable recording medium for excluding data from garbage collection |
US10474569B2 (en) | 2014-12-29 | 2019-11-12 | Toshiba Memory Corporation | Information processing device including nonvolatile cache memory and processor |
JP6482322B2 (ja) * | 2014-12-29 | 2019-03-13 | 東芝メモリ株式会社 | メモリ装置及びプログラム |
US9558065B2 (en) | 2015-02-02 | 2017-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system including cache |
KR102291806B1 (ko) | 2015-04-20 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
KR20160132204A (ko) * | 2015-05-07 | 2016-11-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법 |
JP2017097404A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 株式会社デンソー | マイクロコンピュータ |
CN106802867B (zh) * | 2015-11-25 | 2020-12-01 | 建兴储存科技(广州)有限公司 | 固态储存装置及其数据编程方法 |
US10452532B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Directed sanitization of memory |
JP7074453B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2022-05-24 | キオクシア株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
US10754989B2 (en) * | 2018-03-27 | 2020-08-25 | International Business Machines Corporation | Runtime self-correction for blockchain ledgers |
US11263124B2 (en) | 2018-08-03 | 2022-03-01 | Micron Technology, Inc. | Host-resident translation layer validity check |
US10628076B1 (en) * | 2018-10-01 | 2020-04-21 | Micron Technology, Inc. | Data erasure in memory sub-systems |
US11226907B2 (en) | 2018-12-19 | 2022-01-18 | Micron Technology, Inc. | Host-resident translation layer validity check techniques |
US11226894B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-01-18 | Micron Technology, Inc. | Host-based flash memory maintenance techniques |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63137335A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Mita Ind Co Ltd | 記憶装置のフアイル管理方法 |
US5555371A (en) * | 1992-12-17 | 1996-09-10 | International Business Machines Corporation | Data backup copying with delayed directory updating and reduced numbers of DASD accesses at a back up site using a log structured array data storage |
JPH08255110A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Canon Inc | メモリ管理方法 |
US5860082A (en) * | 1996-03-28 | 1999-01-12 | Datalight, Inc. | Method and apparatus for allocating storage in a flash memory |
JP2001051904A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体メモリを用いた外部記憶装置 |
JP2001318829A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Funai Electric Co Ltd | フラッシュメモリの書換制御装置、及び、フラッシュメモリの書換制御方法 |
US7562202B2 (en) * | 2004-07-30 | 2009-07-14 | United Parcel Service Of America, Inc. | Systems, methods, computer readable medium and apparatus for memory management using NVRAM |
US20080282024A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Sudeep Biswas | Management of erase operations in storage devices based on flash memories |
US8041883B2 (en) * | 2007-05-09 | 2011-10-18 | Stmicroelectronics S.R.L. | Restoring storage devices based on flash memories and related circuit, system, and method |
JP4533968B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその制御方法、コントローラ、情報処理装置 |
JP4653817B2 (ja) | 2008-03-01 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8959280B2 (en) * | 2008-06-18 | 2015-02-17 | Super Talent Technology, Corp. | Super-endurance solid-state drive with endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear |
JP2010079856A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Hitachi Ltd | 記憶装置およびメモリ制御方法 |
JP4551958B2 (ja) | 2008-12-22 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
JP5341584B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-11-13 | 株式会社東芝 | コントローラ、及びメモリシステム |
JP2011192260A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP5066209B2 (ja) | 2010-03-18 | 2012-11-07 | 株式会社東芝 | コントローラ、データ記憶装置、及びプログラム |
JP5010723B2 (ja) | 2010-09-22 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶制御装置 |
JP5066241B2 (ja) | 2010-09-24 | 2012-11-07 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US20130067289A1 (en) * | 2011-09-14 | 2013-03-14 | Ariel Maislos | Efficient non-volatile read cache for storage system |
-
2012
- 2012-03-15 JP JP2012058768A patent/JP5687648B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-15 US US13/586,219 patent/US8990480B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8990480B2 (en) | 2015-03-24 |
US20130246688A1 (en) | 2013-09-19 |
JP2013191174A (ja) | 2013-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5687648B2 (ja) | 半導体記憶装置およびプログラム | |
US8392476B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP5010723B2 (ja) | 半導体記憶制御装置 | |
US10747666B2 (en) | Memory system | |
US9026764B2 (en) | Memory system performing wear leveling based on deletion request | |
JP5066241B2 (ja) | メモリシステム | |
KR100965051B1 (ko) | 플래시 메모리 장치를 위한 가변 공간 페이지 사상 방법 및그 장치 | |
JP6817318B2 (ja) | フラッシュメモリデバイスにアクセスするための方法および装置 | |
US8423709B2 (en) | Controller | |
US8996791B2 (en) | Flash memory device, memory control device, memory control method, and storage system | |
US9201784B2 (en) | Semiconductor storage device and method for controlling nonvolatile semiconductor memory | |
JP2011128998A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US10203899B2 (en) | Method for writing data into flash memory apparatus, flash memory apparatus, and storage system | |
CN106557428B (zh) | 数据存储设备的映射系统选择 | |
JP2015001909A (ja) | 情報処理装置、制御回路、制御プログラム、および制御方法 | |
JP4513786B2 (ja) | メモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法 | |
US10101925B2 (en) | Data invalidation acceleration through approximation of valid data counts | |
KR101157763B1 (ko) | Trim 명령 처리 기능이 추가된 플래시 메모리 장치를 위한 가변 공간 페이지 사상 방법 및 그 장치 | |
US11886335B2 (en) | Memory system and controlling method of performing rewrite operation at maximum rewrite speed | |
JP2013200726A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US9003261B2 (en) | Memory system | |
JP2014085794A (ja) | 記憶装置およびメモリ制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150122 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5687648 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |