JP5684897B2 - ピラゾールカルボン酸アミドの調製方法 - Google Patents

ピラゾールカルボン酸アミドの調製方法 Download PDF

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Description

本発明は、3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドの調製方法、およびこの方法に有用な新規中間体に関する。
化合物3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドおよびその殺微生物特性については、例えば国際公開第2007/048556号パンフレットに記載されている。
3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドの調製は、国際公開第2007/048556号パンフレットから知られている。前記化合物は、スキーム1および4に従い、
a)式A
Figure 0005684897
の化合物を亜硝酸アルキルの存在下で式B
Figure 0005684897
(式中、R’およびR’’は、例えばC1〜C4アルキルである)の化合物と反応させて式C
Figure 0005684897
の化合物にすることと、
b)式Cの化合物を適切な金属触媒の存在下で水素化して式D
Figure 0005684897
の化合物にすることと、
c)式Dの化合物をオゾン化し、次に還元剤で処理して式E
Figure 0005684897
の化合物にすることと、
d)式Eの化合物をトリフェニルホスファン/四塩化炭素の存在下で反応させて式F
Figure 0005684897
の2,9−ジクロロメチリデン−5−ニトロ−ベンゾノルボルネンにすることと、
e)式Fの化合物を金属触媒の存在下で水素化して式G
Figure 0005684897
の2,9−ジクロロメチリデン−5−アミノ−ベンゾノルボルネンにすることと、
f)式Gの化合物を式H
Figure 0005684897
の化合物と反応させて3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドにすることと
によって調製され得る。
この先行技術の方法の重大な欠点は、大規模に取り扱うことが困難なオゾン分解反応である。さらに、反応工程の数が多いことが、この方法の全収率を低下させ、製造費を増加させている。前記欠点のために、この方法は非経済的となり、特に大量生産に不向きとなっている。
したがって、本発明の目的は、公知の方法の欠点を回避し、経済的に有利なやり方で、高収率で良質の3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドを調製することを可能にする、3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドの製造のための新規方法を提供することである。
したがって、本発明によれば、式1
Figure 0005684897
の化合物の調製方法であって、
a)式II
Figure 0005684897
(式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物を不活性雰囲気中で有機金属種(例えば、C1〜6アルキルリチウムもしくはフェニルリチウムのハロゲン化物またはC1〜6アルキルマグネシウムもしくはフェニルマグネシウムのハロゲン化物)と反応させて式III
Figure 0005684897
(式中、Xはクロロまたはブロモである)のハロベンジンにし;そのように形成された式IIIのハロベンジンを式IV
Figure 0005684897
のフルベンと反応させて式V
Figure 0005684897
(式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物にする工程と;
b)式Vの化合物を適切な金属触媒の存在下で水素化して式VI
Figure 0005684897
(式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物にする工程と;
c1)式VIの化合物をパラジウムと少なくとも1つの配位子とを含む触媒の存在下でNH3と反応させて式VII
Figure 0005684897
の化合物にする工程、および
d)式VIIの化合物を塩基の存在下で式VIII
Figure 0005684897
の化合物と反応させて式Iの化合物にする工程;または
c2)式VI
Figure 0005684897
(式中、Xはクロロまたはブロモ、好ましくはブロモである)の化合物を溶媒、塩基、銅触媒および少なくとも1つの配位子の存在下で式VIIIa
Figure 0005684897
の化合物と反応させて式Iの化合物にする工程のいずれか一方と
を包含する方法が提供される。
反応工程a):
Xがブロモである式IIの化合物は公知であり、例えばRecueil des Travaux Chimiques des Pays−Bas,81,365(1962)に開示されている。Xがクロロまたはブロモである式IIの化合物は、例えば国際公開第2008/049507号パンフレットに開示されている。1−ブロモ−2,3−ジクロロ−ベンゼンは、いわゆるザンドマイヤー反応により2,3−ジクロロ−アニリンから調製され得る。そのようなザンドマイヤー反応は、臭素化剤としての臭化銅(II)の存在下で有機溶媒(例えば、アセトニトリル)中の有機亜硝酸エステル(例えば、亜硝酸tert−ブチルまたは亜硝酸イソ−ペンチル)を使用することにより(Journal of Organic Chemistry,1977,42,2426−31に記載のとおり)、または無機亜硝酸塩を使用して0℃〜15℃の温度で酸性水性反応媒体中でジアゾ化し次いで反応混合物を臭化銅(I)溶液に添加することを含む二段反応によって(Recueil des Travaux Chimiques des Pays−Bas et de la Belgique,1932,51,98−113および特開昭62−114921号公報に記載のとおり)行われ得る。
式IVの6,6−ジクロロ−フルベン(RN 35310−97−5)は、Chemical Communications,20(1971),1293−1294に記載されている。
式Vの化合物は新規であり、特に本発明に従う方法のために開発され、したがって、本発明のさらなる目的を構成する。
この反応は、−78〜20℃の温度で、好ましくは−20℃で行われ得る。
この反応は、半回分条件または連続流れ条件下で、好ましくは半回分条件下で行われる。
有機金属種としては、アリールおよびアルキルリチウム化合物、例えば、フェニルリチウム、メチル−リチウムまたはn−ブチル−リチウム、好ましくはn−ブチル−リチウムが、リチウムハロゲン交換を行うために使用される。
非プロトン性溶媒、優先的にはトルエンなどの炭化水素が、溶媒として使用される。
溶媒中のジクロロフルベンの溶液へのアルキルリチウムおよびトリハロゲンベンゼンの両方の15〜180分にわたる添加が好ましいが、溶媒中のトリハロゲンベンゼンと式IVの化合物との混合物へのアルキルリチウムの添加もまた行われ得る。溶媒中のトリハロゲンベンゼンの溶液へのアルキルリチウムおよび式IVの化合物の添加もまた、可能である。
完全な転化は、通常、該当する試薬の添加の完了から15〜180分後に達成される。
反応工程b):
式VIの化合物は、ラネーニッケル(または担体に担持させたもしくは配位子と組み合わせたRh、Pd、Ir、Pt、CoおよびFe触媒)を用いた塩素化されていない二重結合の選択的還元によって調製され得る。この反応は、大気圧下でまたは高い水素圧で、優先的には大気圧下で、行われ得る。
この反応は、周囲温度または高温で、優先的には周囲温度、特に20〜25℃で、行われ得る。
この反応は、ラネーニッケルに対して不活性な溶媒中で行われる。好ましい溶媒は、酢酸エチルである。
式VIIの化合物は新規であり、特に本発明に従う方法のために開発され、したがって、本発明のさらなる目的を構成する。
反応工程c1):
工程c1)〜工程d)および工程c2)の2つの処理変形形態(process variant)の工程からは、変形工程c1)〜d)が好ましい。この処理で使用されるパラジウムと少なくとも1つの配位子とを含む触媒は、概して、パラジウム前駆体および少なくとも1つの適切な配位子から形成される。この処理が溶媒中で行われる場合、錯体は通常、溶媒に可溶である。この処理の文脈において、パラジウム錯体は、環状有機パラジウム化合物(「パラダサイクル(palladacycle)」)および第二級ホスファン配位子からなるものを、明示的に包含する。
パラジウム錯体は、ロバストな予備形成種として使用されても、インサイチューで形成されてもよい。典型的に、パラジウム錯体は、パラジウム前駆体を少なくとも1つの適切な配位子と反応させることによって作製される。
不完全な変換の場合には、残りの量のパラジウム前駆体または配位子は、反応混合物に溶解せずに存在し得る。
有用なパラジウム前駆体は、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、塩化パラジウム溶液、パラジウム2−(ジベンジリデンアセトン)3もしくはパラジウム−(ジベンジリデンアセトン)2、パラジウム−テトラキス(トリフェニルホスファン)、パラジウム/炭素、パラジウムジクロロ−ビス(ベンゾニトリル)、パラジウム−(トリス−tert−ブチルホスファン)2またはパラジウム2−(ジベンジリデンアセトン)3とパラジウム−(トリス−t−ブチルホスファン)2との混合物から選択され得る。
有用な配位子は、例えば、第三級ホスファン配位子、N−複素環式カルベン配位子およびホスファン酸(phosphanic acid)配位子である。第三級ホスファン配位子には、一般的に、単座配位子および二座配位子の二種類がある。単座配位子は1つのパラジウム配位部位を占有し得るが、二座配位子は2つの配位部位を占有するものであり、したがってパラジウム種をキレート化することができる。
以下は、第三級ホスファン配位子、N−複素環式カルベン配位子およびホスファン酸配位子の例、ならびに第二級ホスファン配位子を有するパラダサイクルの例である。
(A)単座ホスファン配位子:
トリ−tert−ブチルホスファン、トリ−tert−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート(「P(tBu)3HBF4」)、トリス−オルト−トリルホスファン(「P(oTol)3」)、トリス−シクロヘキシルホスファン(「P(Cy)3」)、2−ジ−tert−ブチル−ホスファノ−1,1’−ビスフェニル(「P(tBu)2BiPh」)、2−ジ−シクロヘキシル−ホスファノ−1,1’−ビスフェニル(「P(Cy)2BiPh」)、2−ジシクロヘキシルホスファノ−2’,4’,6’−トリ−イソプロピル−1,1’−ビスフェニル(「x−Phos」)、およびtert−ブチル−ジ−1−アダマンチル−ホスファン(「P(tBu)(Adam)2」)。
単座ホスファン配位子についてのさらなる情報は、米国特許出願公開第2004/0171833号明細書に見出され得る。
(B)二座第三級ホスファン配位子:
(B1)ビホスファン配位子:
(B1.1)フェロセニル−ビホスファン配位子(「Josiphos」配位子):
1,1’−ビス(ジフェニルホスファノ)フェロセン(dppf)、1,1’−ビス(ジ−tert−ブチルホスファノ)−フェロセン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)ホスファノ)フェロセニル]エチル−ジ−tert−ブチル−ホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジ(3,5−ビス−トリフルオロメチルフェニル)ホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジ(3,5−ビス−トリフルオロメチルフェニル)ホスファノ)フェロセニル]エチルジ(3,5−ジメチルフェニル)ホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(S)−(+)−1−[(R)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(S)−(+)−1−[(R)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジフェニルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ビス(3,5−ジメチル−4−メトキシフェニル)ホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(S)−(+)−1−[(R)−2−(ジ−フリルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−3,5−キシリルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、(S)−(+)−1−[(R)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(R)−(+)−1−[(R)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(S)−(+)−1−[(R)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジフェニルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジフェニル)ホスファノ)フェロセニル]エチルジ(3,5−ジメチルフェニル)ホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジ−tert−ブチル−ホスファノ)フェロセニル]エチル−ジ−o−トリルホスファン
Figure 0005684897
(R)−(−)−1−[(S)−2−(ビス(3,5−ジメチル−4−メトキシフェニル)ホスファノ)フェロセニル]−エチル−ジ−tert−ブチルホスファン
Figure 0005684897
(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジエチルホスファノ)フェロセニル]−エチル−ジ−tert−ブチルホスファン
Figure 0005684897
(R)−(−)−1−[(S)−2−(P−メチル−P−イソプロピル−ホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン
Figure 0005684897
(R)−(−)−1−[(S)−2−(P−メチル−P−フェニル−ホスファノ)フェロセニル]エチル−ジ−tert−ブチルホスファン
Figure 0005684897
およびこれらのラセミ混合物、特に1−[2−(ジ−tert−ブチルホスファノ)フェロセニル]エチル−ジ−o−トリルホスファン、1−[2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファンおよび1−[2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファンのラセミ混合物。
(B1.2)ビナフチル−ビスホスファン配位子:
2,2’ビス(ジフェニルホスファノ)−1,1’−ビナフチル(「BINAP」)、R−(+)−2,2’−ビス(ジ−p−トリルホスファノ)−1,1’−ビナフチル(「Tol−BINAP」)、ラセミ2,2’−ビス(ジ−p−トリルホスファノ)−1,1’−ビナフチル(「ラセミTol−BINAP」)。
(B1.3)9,9−ジメチル−4,5−ビス(ジフェニル−ホスファノ)−キサンテン(「Xantphos」)。
(B2)アミノホスファン2配位子:
(B2.1)ビフェニル配位子:
2−ジシクロヘキシルホスファノ−(N,N−ジメチルアミノ)−1,1’−ビフェニル(「PCy2NMe2BiPh」)
2−ジ−tert−ブチルホスファノ−(N,N−ジメチルアミノ)−1,1’−ビフェニル(「P(tBu)2NMe2BiPh」)。
(C)N−複素環式カルベン配位子:
1,3−ビス−(2,6−ジイソプロピルフェニル)−イミダゾリウムクロリド(「I−Pr」)、1,2−ビス(1−アダマンチル)−イミダゾリウムクロリド(「I−Ad」)および1,3−ビス−(2,6−メチルフェニル)−イミダゾリウムクロリド(I−Me」)。
(D)ホスファン酸配位子:
ジ−tert−ブチル−ホスファンオキシド。
(E)第二級ホスファン配位子を含有するパラダサイクル:
式(A−1)
Figure 0005684897
(式中、「norb」はノルボルニルである)の錯体、および式(A−2)
Figure 0005684897
の錯体。
パラジウム錯体(A−1)は、Synlett.,2549−2552(2004)に、コード名「SK−CC01−A」で記載されている。錯体(A−2)は、Synlett.(同書)に、コード名「SK−CC02−A」で記載されている。
ホスファン酸配位子を含有するパラジウム錯体のさらなる例は、J.Org.Chem.66,8677−8681に、コード名「POPd」、「POPd2」および「POPD1」で記載されている。
N−複素環式カルベン配位子を含有するパラジウム錯体のさらなる例は、ナフトキノン−1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾール−2−イリデン−パラジウム([「Pd−NQ−IPr]2」)、ジビニル−テトラメチルシロキサン−1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾール−2−イリデン−パラジウム(「Pd−VTS−IPr」)、1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾール−2−イリデン−パラジウムジクロリド(「Pd−Cl−IPr」)、1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾール−2−イリデン−パラジウムジアセテート(「Pd−OAc−IPr」)、アリル−1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾール−2−イリデン−パラジウムクロリド(「Pd−Al−Cl−IPr」)および式(A−3):
Figure 0005684897
(式中、R5は、2,6−ジイソプロピルフェニルまたは2,4,6−トリメチルフェニルである)の化合物である。[Pd−NQ−IPr]2、Pd−VTS−IPr、Pd−Cl−IPr、Pd−OAc−IPrおよびPd−Al−Cl−IPrについてのさらなる情報は、Organic Letters,4,2229−2231(2002)およびSynlett.,275−278(2005)に見出され得る。式(A−3)の化合物についてのさらなる情報は、Organic Letters,5,1479−1482(2003)に見出され得る。
単一のパラジウム錯体または異なるパラジウム錯体の混合物が、一般式(VII)の化合物を調製するための方法において使用され得る。
パラジウム錯体の形成に特に有用なパラジウム前駆体は、酢酸パラジウム、パラジウム2−(ジベンジリデンアセトン)3、パラジウム−(ジベンジリデンアセトン)2、塩化パラジウム溶液、またはパラジウム2−(ジベンジリデンアセトン)3とパラジウム−(トリス−tert−ブチルホスファン)2との混合物から選択される、パラジウム前駆体である。酢酸パラジウムは特に有用であり、塩化パラジウムも同様である。
少なくとも1つの配位子が、パラジウム錯体の形成に使用される。通常、このパラジウム錯体は、単座第三級ホスファン配位子、二座第三級ホスファン配位子およびN−複素環式カルベン配位子から選択される少なくとも1つの配位子を有し、典型的には、フェロセニル−ビホスファン配位子、ビナフチル−ビスホスファン配位子およびアミノホスファン配位子から選択される少なくとも1つの配位子を有する。
特に好適であるのは、トリ−tert−ブチルホスピン(butylphospine)、P(tBu)3HBF4、P(oTol)3、P(Cy)3、P(tBu)2BiPh、P(Cy)2BiPh、x−Phos、P(tBu)(Adam)2、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、ラセミ1−[2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジ−tert−ブチル−ホスファノ)フェロセニル]エチルジ−o−トリルホスファン、ラセミ1−[2−(ジ−tert−ブチル−ホスファノ)フェロセニル]エチルジ−o−トリルホスファン、dppf、1,1’−ビス(ジ−tert−ブチル−ホスファノ)−フェロセン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、ラセミ1−[2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジシクロヘキシルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジフェニルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、BINAP、Tol−BINAP、ラセミTol−BINAP、Xantphos、PCy2NMe2BiPh、P(tBu)2NMe2BiPh、I−Pr、I−AdおよびI−Meから選択される少なくとも1つの配位子を含有するパラジウム錯体、ならびに式(A−3)(式中、R5は、2,6−ジイソプロピルフェニルまたは2,4,6−トリメチルフェニルである)のパラジウム錯体である。
好ましいのは、トリ−tert−ブチルホスピン(butylphospine)、P(tBu)3HBF4、P(tBu)2BiPh、P(Cy)2BiPh、x−Phos、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、ラセミ1−[2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジ−tert−ブチルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−o−トリルホスファン、ラセミ1−[2−(ジ−tert−ブチルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−o−トリルホスファン、dppf、PCy2NMe2BiPhおよびI−Prから選択される少なくとも1つの配位子を有するパラジウム錯体である。
特に興味深いのは、以下の群から選択される少なくとも1つの配位子を含有するパラジウム錯体である。
(i)トリ−tert−ブチルホスピン(butylphospine)、P(tBu)3HBF4、P(tBu)2BiPh、P(Cy)2BiPh、x−Phos、PCy2NMe2BiPhおよびI−Pr;
(ii)トリ−tert−ブチルホスピン(butylphospine)、P(tBu)3HBF4、PCy2NMe2BiPhおよびI−Pr;
(iii)トリ−tert−ブチルホスピン(butylphospine)およびP(tBu)3HBF4;ならびに
(iv)(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファンおよびラセミ1−[2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファン。
好ましいのは、PCy2NMe2BiPh、I−Pr、(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファンまたはラセミ1−[2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファンを配位子として含有するパラジウム錯体である。
好ましい錯体は、前駆体が塩化パラジウムであり、配位子が(R)−(−)−1−[(S)−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセニル]エチルジ−tert−ブチルホスファンである、錯体である。
パラジウム錯体は、触媒量で、通常は、式(IV)の化合物に対して1:10〜1:10000のモル比で、典型的には、1:100〜1:1000、例えば1:500〜1:700または約1:600の比で、式(II)の化合物の調製において使用される。錯体は、予備形成されていても、前駆体および配位子を一緒に混合することによってインサイチューで形成されてもよく、その前駆体および配位子は、概しておよそ等モル量で使用される。
反応工程f)のための特に好ましいパラジウム触媒は、Pd(OAc)2であり(好ましい添加量は、3〜5mol%、特に4mol%である)、配位子は、Josiphos型、DavePhos(例えば、2−ジシクロヘキシルホスファノ−2’−(N,N−ジメチルアミノ)ビフェニル)型またはXantphos4,5−ビス(ジフェニルホスファノ)−9,9−ジメチルキサンテン)型から選択され、好ましいのは、Josiphos型、特に(2R)−1−[(1R)−1−[ビス(1,1−ジメチルエチル)ホスファノ]エチル]−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセンであるJosiphos SL−J009−1である(好ましい量は、3〜5mol%、特に4.4mol%である)。
NH3は、有利には0.9〜1.1MPa、好ましくは1〜1.05MPaの圧力下で添加される。
好ましくは、この反応工程は、1.4〜2.6MPa、好ましくは1.5〜2.2MPaの圧力、特に2.2MPaで、80〜150℃、好ましくは100〜120℃の温度で行われる。好ましい溶媒は、ジメチルエーテルなどのエーテルである。
反応工程d):
式VIIaの化合物は公知であり、例えば米国特許第5,093,347号明細書に、開示されている。
反応工程d)のための好ましい塩基は、トリエチルアミンなどのアミン、または炭酸もしくは重炭酸ナトリウムもしくはカリウム、またはNaOHであり、好ましくはトリエチルアミンまたはNaOHである。
好ましい溶媒は、キシレン、トルエンまたはクロロベンゼンである。好ましくは、この反応は、−10〜90℃、好ましくは70〜80℃の温度で行われる。
反応工程c2):
式VIIIaの化合物は、例えば国際出願PCT/EP2009/067286号明細書に記載されている。反応工程c2)は、100〜180℃の温度で、好ましくは130℃で行われ得る。加熱は、密封バイアル、開放フラスコ中で、還流下またはマイクロ波照射下で可能であり、好ましくは密封バイアル中である。
溶媒としては、アミド(DMF、NMP)、アルコール(シクロヘキサノール)、エーテル(ジグリム、ジオキサン)、スルホキシド(DMSO)、炭化水素(メシチレン、トルエン)、ニトリル(ブチロニトリル)およびそれらの混合物(トルエン/メタノール、トルエン/シクロヘキサノール、ジオキサン/メタノール、ジオキサン/水)、好ましくはトルエンおよびジオキサンが使用され得る。
銅源としては、Cu(0)、Cu(I)またはCu(II)塩が使用され得る。例は、Cu(0)粉末、ヨウ化Cu(I)、チオフェンカルボン酸Cu(I)、Cu(II)フタロシアニン、酢酸Cu(II)、酸化Cu(II)、塩化Cu(II)、臭化Cu(II)、硫酸Cu(II)五水和物およびそれらの混合物であり、好ましくは酸化Cu(II)および塩化Cu(II)である。
銅触媒は、2〜330mol%の間の量で、好ましくは8〜12mol%、特に10mol%で使用され得る。Cu(0)が使用される場合、この量は、好ましくは>100モル%である。
配位子は、概して、有効な触媒作用のために必要とされる。例は、N,N’−ジメチルエチレンジアミン、1,2−ビスジメチルアミノシクロヘキサン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,2−フェニレンジアミン、4−ジメチルアミノピリジン、1,2−ビス(3−アミノプロピルアミノ)エタン、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミンである。好ましくは、N,N’−ジメチルエチレンジアミンが使用される。炭酸塩、例えば、炭酸セシウムおよび好ましくは炭酸カリウムが、塩基として使用され得る。この転化は、概して5〜24時間後に完了する。
調製実施例:
工程a):式Vaの5−クロロ−9−ジクロロメチレン−1,4−ジヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレンの調製:
Figure 0005684897
トルエン中の1,2−ジクロロ−3−ブロモベンゼンの50%溶液(45.2g、0.10mol)および時間を5分遅らせてヘプタン中のnBuLiの2.7M溶液(41mL、0.11mmol)を、トルエン中のジクロロフルベンの10%溶液(77.3g、0.06mol)に、−20℃で30分かけて添加した。この反応混合物をさらなる1時間にわたり攪拌した後、nBuLiのさらなるアリコート(4.1mL、0.01mol)を添加し、反応混合物をさらなる15分間にわたり攪拌した。続いて、完全な転化を得るために、nBuLiの第3のアリコート(4.1mL、0.01mol)を添加した。15分の攪拌時間後、反応混合物を、飽和NH4Cl水溶液で急冷した。有機層を水で2回、ブラインで1回抽出し、Na2SO4上で乾燥させた。収率:60%。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ 4.49−4.50(m,1H,CH),4.70−4.71(m,1H,CH),6.90−6.94(m,2H,HC=CH),6.94−7.02(m,2H,Ph−H),7.15(br d,J(H,H)=8.0Hz,1H,Ph−H).
13C{1H}NMR(100MHz,CDCl3):δ 50.9(CH),53.0(CH),101.0(C(q)Cl2),120.1(Ph−H),126.4(Ph−H),127.2(Ph−H),127.9(CCCl2),141.4(HC=CH),142.4(HC=CH),145.7(Ph(q)),149.9(Ph(q)),159.9(Ph(q)).
式Vb
Figure 0005684897
の化合物5−ブロモ−9−ジクロロメチレン−1,4−ジヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレンは、同様に調製され得る。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ 4.52−4.54(m,1H,CH),4.65−4.66(m,1H,CH),6.90(dd,J(H,H)=8Hz,J(H,H)=8Hz,1H,Ph−H),6.91−6.96(m,2H,HC=CH),7.16(d,J(H,H)=8Hz,1H,Ph−H),7.17(d,J(H,H)=8Hz,1H,Ph−H).
工程b):式VIaの5−クロロ−9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレンの調製:
Figure 0005684897
ラネーニッケル(1.5g)を、酢酸エチル(75mL)中の式Vaの化合物(5.4g、18.6mmol)の溶液に添加した。この溶液上の雰囲気を水素でパージし、水素を充填したバルーンを反応容器の上に置いた。周囲温度での4時間の攪拌時間後、ラネーニッケルのさらなるアリコート(1.5g)を反応溶液に添加し、これを18時間攪拌した。この反応溶液を、セルロースで濾過した。この粗生成物を、カラムクロマトグラフィー(ヘキサン)によって精製した。収率:74%。
1H NMR(400MHz,CDCl3):δ 1.30−1.45(m,2H,CH2),2.07−2.15(m,2H,CH2),3.98(br d,J(H,H)=4Hz,1H,CH),4.19(br d,J(H,H)=4Hz,1H,CH),7.05−7.15(m,3H,Ph−H).
13C{1H}NMR(100MHz,CDCl3):δ 25.5(CH2),26.5(CH2),45.4(CH),47.5(CH),104.3(C(q)Cl2),118.7(Ph−H),126.8(Ph−H),126.9(CCCl2),127.9(Ph−H),142.5(Ph(q)),146.7(Ph(q)),150.7(Ph(q)).
工程c1):5−ブロモ−9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレンから出発する式VIIの9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イルアミンの調製:
Figure 0005684897
触媒調製:8.98mgの酢酸パラジウム(0.040mmol)および22mgのJosiphos配位子(Josiphos SL−J009−1、(2R)−1−[(1R)−1−[ビス(1,1−ジメチルエチル)ホスファノ]エチル]−2−(ジシクロヘキシルホスファノ)フェロセン(Solvias AG)、0.040mmol)を5mLシュレンク管に入れ、アルゴン/真空で不活性化(inertize)した。2.5mLのジメチルエーテルを添加し、この触媒を15分にわたり攪拌状態にしておいた。
出発物質溶液:608mgの5−ブロモ−9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン(2mmol)を5mLシュレンク管に入れ、アルゴン/真空で不活性化した。次いで、この出発物質に、2.5mLの脱ガスしたジメチルエーテルを添加した。
反応:384gのNaOtBu(4mmol)を、ステンレス鋼の50mLオートクレーブに入れた。このオートクレーブの蓋を締め(screwed on)、アルゴン下に置いた。アルゴンの絶え間ない流れの下で、出発物質溶液をオートクレーブに移し入れ、続いて触媒溶液を移し入れた。NH3を、圧力が1.05MPaに達するまで添加した。オートクレーブを105℃まで加熱し、圧力を1.6MPaまで上昇させた。32時間の反応後、反応を停止させた。79%の生成物を、HPLCにより同定した。
式VIIの化合物は、5−クロロ−9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレンを出発物質として用いて同様に調製され得る。
工程d):式Iの3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドの調製:
Figure 0005684897
9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イルアミン(166g、35%キシレン溶液、0.25mol)、トリエチルアミン(28g、0.275mol)およびキシレン(13g)を反応器中に投入し、混合物を80℃まで加熱した。3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボニルクロリド(182g、26%キシレン溶液、0.25mol)を2時間かけて添加した。転化後、生成物を抽出し、濃縮し、キシレン/メチシクロヘキサン(methycyclohexane)の混合物中で結晶させた。83gの純粋な生成物を単離した。(純度:97%、収率:82%)
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ=8.12(bs,1H,NH);8.05(s,1H,Pyr−H);7.83−7.80(d,1H,Ar−H);7.19−7.15(t,1H,Ar−H);7.04(d,1H,Ar−H);7.02−6.76(t,1H,CHF2);4.1(s,1H,CH);3.95−4.0(bs,4H,CH & CH3);2.18−2.08(m,2H,CH2);1.55−1.3(2m,2H,CH2).
工程c2):式Iの3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸(9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン−5−イル)−アミドの調製:
20mLねじ蓋バイアルに、次の固体を充填した:CuO(0.05mmol、4.0mg)、無水CuCl2(0.05mmol,6.7mg)、K2CO3(2.0mmol、277mg)、3−ジフルオロメチル−1−メチル−1H−ピラゾール−4−カルボン酸アミド(1.1mmol、193mg)および5−ブロモ−9−ジクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレン(1.0mmol、304mg)。磁気攪拌棒を加え、開けたままのバイアルをN2で静かにフラッシした。ジオキサン(2mL)を添加し、続いてN,N’−ジメチルエチレンジアミン(0.45mmol、48μL)を添加した。このバイアルを密封し、余熱した130℃の遮蔽ブロック(screening block)の中に入れた。転化は24時間後に完了した。式Iの化合物の収率(HPLC分析)は、70%であった。
この反応は、5,9,9−トリクロロメチレン−1,2,3,4−テトラヒドロ−1,4−メタノ−ナフタレンを出発物質として使用して同様に行われ得る。

Claims (6)

  1. 式I
    Figure 0005684897
    の化合物の調製方法であって、
    a)式II
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物を不活性雰囲気中で有機金属種と反応させて式III
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)のハロベンジンにし;そのように形成された前記式IIIのハロベンジンを式IV
    Figure 0005684897
    のフルベンと反応させて式V
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物にする工程と;
    b)前記式Vの化合物を適切な金属触媒の存在下で水素化して式VI
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物にする工程と;
    c1)前記式VIの化合物をパラジウムと少なくとも1つの配位子とを含む触媒の存在下でNH3と反応させて式VII
    Figure 0005684897
    の化合物にする工程、および
    d)前記式VIIの化合物を塩基の存在下で式VIII
    Figure 0005684897
    の化合物と反応させて前記式Iの化合物にする工程;または
    c2)前記式VI
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物を溶媒、塩基、銅触媒および少なくとも1つの配位子の存在下で式VIIIa
    Figure 0005684897
    の化合物と反応させて前記式Iの化合物にする工程のいずれか一方と
    を包含する、方法。
  2. 工程a)において、前記有機金属種が、C1〜6アルキルリチウムまたはフェニルリチウムのハロゲン化物およびC1〜6アルキルマグネシウムまたはフェニルマグネシウムのハロゲン化物から選択される、請求項1に記載の方法。
  3. 工程c)において、前記配位子が、フェロセニル−ビホスファン配位子から選択される、請求項1に記載の方法。
  4. 前記式VIの化合物をパラジウムと少なくとも1つの配位子とを含む触媒の存在下でNH3と反応させて前記式VIII
    Figure 0005684897
    の化合物にする工程、および前記式VIIの化合物を塩基の存在下で式VIII
    Figure 0005684897
    の化合物と反応させて前記式Iの化合物にする工程を包含する、請求項1に記載の方法。
  5. 式V
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物。
  6. 式VI
    Figure 0005684897
    (式中、Xはクロロまたはブロモである)の化合物。
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