JP5683121B2 - Laser processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェーハ等のワークにレーザ光線を照射して切断や溝形成等の加工を施すレーザ加工装置に係り、特にレーザ光線の光軸調整技術に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus that performs processing such as cutting and groove formation by irradiating a workpiece such as a semiconductor wafer with a laser beam, and more particularly to a laser beam optical axis adjustment technique.

半導体デバイス製造工程においては、略円板状の半導体ウェーハからなるワークの表面に格子状の分割予定ラインにより多数の矩形状のデバイス領域を区画してこれらデバイス領域にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理を施してから、分割予定ラインに沿って切断するダイシングを行って各デバイス領域を個片化して、１枚のワークから多数のデバイス（半導体チップ）を得ている。ワークのダイシングは、高速回転させた切削ブレードをワークに切り込ませて切断するダイサーと呼ばれる切削装置が広く用いられているが、近年では、レーザ光線を分割予定ラインに照射してレーザ加工を施し、ワークを切断する方法も試みられている（特許文献１等参照）。   In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular device areas are defined on the surface of a workpiece made of a substantially disk-shaped semiconductor wafer by grid-like division lines, and electronic circuits such as ICs and LSIs are placed in these device areas. Then, after performing necessary processing such as polishing after grinding the back side, each device region is divided into pieces by performing dicing that cuts along the planned dividing line, and a large number of devices ( Semiconductor chip). For dicing a workpiece, a cutting device called a dicer that cuts a workpiece with a cutting blade rotated at a high speed is widely used. However, in recent years, laser processing is performed by irradiating a laser beam to a division line. A method of cutting a workpiece has also been attempted (see Patent Document 1).

レーザ光線を照射するレーザ加工装置は、発振器から発せられたレーザ光線をミラーで反射させてから集光レンズを通すことによりワークに集光して照射する構成が一般的である。このような構成にあっては、目的箇所を高精度で加工するために集光レンズの中心をレーザ光線の光軸が通る必要がある。したがって装置の立ち上げ時や発振器の取替え時などには、集光レンズを動かして中心にレーザ光線の光軸が通るようにする集光レンズの位置合わせ作業を行っている。   A laser processing apparatus that irradiates a laser beam generally has a configuration in which a laser beam emitted from an oscillator is reflected by a mirror and then focused and irradiated on a workpiece through a condenser lens. In such a configuration, it is necessary for the optical axis of the laser beam to pass through the center of the condenser lens in order to process the target portion with high accuracy. Therefore, when the apparatus is started up or when the oscillator is replaced, the focusing lens is moved so that the optical axis of the laser beam passes through the center.

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420

しかして、一般的なレーザ加工装置にあっては、集光レンズの周辺には加工の際に生じた屑を除去する機構やワークの表面位置を測定する機構などが集中して配置されているため、集光レンズの位置合わせを行うための機構を集光レンズの周辺に組み込むことがきわめて困難であった。   Therefore, in a general laser processing apparatus, a mechanism for removing debris generated during processing, a mechanism for measuring the surface position of a workpiece, and the like are concentrated around the condenser lens. For this reason, it is extremely difficult to incorporate a mechanism for aligning the condenser lens around the condenser lens.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、集光レンズを動かすことなく集光レンズの中心をレーザ光線の光軸が通るように調整することを可能とするレーザ加工装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the main technical problem thereof is that it is possible to adjust the center of the condenser lens so that the optical axis of the laser beam passes without moving the condenser lens. The object is to provide a laser processing apparatus.

本発明は、ワークを保持する保持機構と、該保持機構に保持されたワークにレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ照射機構と、前記保持機構と前記レーザ照射機構とを加工送り方向に相対的に移動させる加工送り機構とを有するレーザ加工装置であって、前記レーザ照射機構は、レーザ光線を発する発振器と、該発振器から発せられたレーザ光線を前記保持機構に保持されたワークへ向けて集光する集光レンズと、前記ワークの表面に照射されたレーザ光線の照射位置および照射角度を調整する光軸調整手段とを備え、前記光軸調整手段は、レーザ光線の前記照射位置における前記加工送り方向の位置を調整する加工送り方向調整ミラーと、該加工送り方向調整ミラーを直線的に移動させる加工送り方向移動部と、レーザ光線の前記照射位置における前記加工送り方向と直交する割出し送り方向の位置を調整する割出し送り方向調整ミラーと、該割出し送り方向調整ミラーを直線的に移動させる割出し送り方向移動部と、レーザ光線の前記照射角度を調整する角度調整ミラーと、該角度調整ミラーを回転移動させる回転移動部と、着脱自在にセットされ、前記角度調整ミラーにより反射して前記ワークに照射されるレーザ光線が透過するとともに該ワークからの反射光が照射される蛍光板を有し、該蛍光板で発光するレーザ光線の照射光と該ワークからの反射光の発光点に基づいて前記照射角度を確認する光軸確認部とを備え、前記光軸確認部は、前記蛍光板からの発光を撮像して、前記角度調整ミラーで反射したレーザ光線による発光点と前記ワークで反射したレーザ光線による発光点とが一致するか否かを確認可能とする撮像部を備えることを特徴とする。 The present invention includes a holding mechanism that holds a workpiece, a laser irradiation mechanism that performs laser processing by irradiating the workpiece held by the holding mechanism with a laser beam, and the holding mechanism and the laser irradiation mechanism in a processing feed direction. A laser processing apparatus having a processing feed mechanism that moves relatively, wherein the laser irradiation mechanism is directed to an oscillator that emits a laser beam and a laser beam emitted from the oscillator toward a workpiece held by the holding mechanism. And a condensing lens for condensing, and an optical axis adjusting means for adjusting an irradiation position and an irradiation angle of the laser beam irradiated on the surface of the workpiece, the optical axis adjusting means at the irradiation position of the laser beam A machining feed direction adjusting mirror that adjusts a position in the machining feed direction, a machining feed direction moving unit that linearly moves the machining feed direction adjusting mirror, and the laser beam An indexing feed direction adjusting mirror that adjusts the position of the indexing feed direction orthogonal to the machining feed direction at the shooting position, an indexing feed direction moving unit that linearly moves the indexing feed direction adjusting mirror, and a laser beam An angle adjustment mirror that adjusts the irradiation angle of the lens, a rotational movement unit that rotates and moves the angle adjustment mirror, and a detachable set, and a laser beam that is reflected by the angle adjustment mirror and applied to the workpiece is transmitted. And an optical axis confirmation unit for confirming the irradiation angle based on the irradiation light of the laser beam emitted from the fluorescent plate and the emission point of the reflected light from the workpiece, wherein the optical axis confirmation unit, by imaging the light emitted from the fluorescent plate, the laser beam reflected by the workpiece and the light emitting point by the laser beam reflected by the angle adjustment mirror Characterized in that it comprises an imaging unit to be checked whether the light emitting points coincide due.

本発明のレーザ加工装置では、発振器から発せられたレーザ光線が、光軸調整手段の加工送り方向調整ミラー、割出し送り方向調整ミラーおよび角度調整ミラーといった各調整ミラーを反射することにより集光レンズに導かれる。そして、各調整ミラーに付随する各移動部によって各調整ミラーを移動させることにより、レーザ光線の光軸を集光レンズの中心に通す光軸調整を行うことができる。すなわち、集光レンズではなくレーザ光線の光軸の方を動かすことにより、集光レンズの中心をレーザ光線の光軸が通るように調整することができる。   In the laser processing apparatus of the present invention, the laser beam emitted from the oscillator reflects each adjustment mirror such as the processing feed direction adjustment mirror, the index feed direction adjustment mirror, and the angle adjustment mirror of the optical axis adjustment means, thereby collecting the condensing lens. Led to. Then, by moving each adjustment mirror by each moving unit associated with each adjustment mirror, it is possible to perform optical axis adjustment that passes the optical axis of the laser beam through the center of the condenser lens. That is, by moving the optical axis of the laser beam instead of the condensing lens, adjustment can be made so that the optical axis of the laser beam passes through the center of the condensing lens.

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えば、シリコンやガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等からなる半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミックやガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系あるいはシリコン系の無機材料基板、液晶表示装置を制御駆動するＬＣＤドライバ等の各種電子部品、さらにはミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。 The work referred to in the present invention is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer made of silicon or gallium arsenide (GaAs), an adhesive member such as DAF (Die Attach Film) provided on the back surface of the wafer for chip mounting, Various electronic components such as semiconductor product packages, ceramic and glass, sapphire (Al 2 O 3 ) -based or silicon-based inorganic material substrates, LCD drivers for controlling and driving liquid crystal display devices, and processing position accuracy on the micron order are required. And various processed materials.

本発明によれば、集光レンズを動かすことなく集光レンズの中心をレーザ光線の光軸が通るように調整することができるといった効果を奏する。   According to the present invention, there is an effect that adjustment can be performed so that the optical axis of the laser beam passes through the center of the condenser lens without moving the condenser lens.

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置のワーク（半導体ウェーハ）を示す斜視図であって、該ウェーハが環状のフレームに粘着テープを介して支持された状態を示している。It is a perspective view which shows the workpiece | work (semiconductor wafer) of the laser processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, Comprising: This wafer has shown the state supported via the adhesive tape on the cyclic | annular flame | frame. 本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の全体斜視図であって、装置カバーを取り外した状態を示している。1 is an overall perspective view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, showing a state where an apparatus cover is removed. 一実施形態のレーザ加工装置の全体斜視図であって、装置カバーを装着した状態を示している。It is a whole perspective view of the laser processing apparatus of one Embodiment, Comprising: The state which mounted | wore the apparatus cover is shown. 図２のIII部拡大図である。It is the III section enlarged view of FIG. 同レーザ加工装置が具備するレーザ照射機構の筐体内の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure in the housing | casing of the laser irradiation mechanism with which the same laser processing apparatus is equipped. 同レーザ照射機構の構成を示すＸ方向から見た側面図である。It is the side view seen from the X direction which shows the structure of the laser irradiation mechanism. 同レーザ照射機構の構成を示すＹ方向から見た側面図である。It is the side view seen from the Y direction which shows the structure of the laser irradiation mechanism. 同レーザ照射機構のＸ方向調整ミラーによりウェーハに対するレーザ光線のＸ方向の照射位置が調整される様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the irradiation position of the X direction of the laser beam with respect to a wafer is adjusted with the X direction adjustment mirror of the laser irradiation mechanism. 同レーザ照射機構の角度調整ミラーによりウェーハに対するレーザ光線のＹ方向の照射角度が調整される様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the irradiation angle of the Y direction of the laser beam with respect to a wafer is adjusted with the angle adjustment mirror of the laser irradiation mechanism. 同レーザ照射機構の角度調整ミラーによりウェーハに対するレーザ光線のＸ方向の照射角度が調整される様子を示す側面図である。It is a side view which shows a mode that the irradiation angle of the X direction of the laser beam with respect to a wafer is adjusted with the angle adjustment mirror of the laser irradiation mechanism. 同レーザ照射機構における光軸確認部の蛍光板の表面を示す図であって、該蛍光板を透過するレーザ光線の照射光およびウェーハからの反射光を示している。It is a figure which shows the surface of the fluorescent plate of the optical axis confirmation part in the laser irradiation mechanism, Comprising: The irradiation light of the laser beam which permeate | transmits this fluorescent plate, and the reflected light from a wafer are shown. 本発明の他の実施形態に係るレーザ照射機構を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the laser irradiation mechanism which concerns on other embodiment of this invention.

以下、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置を説明する。
［１］ウェーハ
はじめに、図１に示す一実施形態でのワークである円板状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハ）１を説明する。ウェーハ１は、厚さが例えば１００〜７００μｍ程度のシリコンウェーハ等であり、表面には格子状の分割予定ライン２によって多数の矩形状のデバイス領域３が区画されている。各デバイス領域３には、図示せぬＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。ウェーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すオリエンテーション・フラットと呼ばれる直線状の切欠き４が形成されている。ウェーハ１は、図２に示すレーザ加工装置１０によって全ての分割予定ライン２がレーザ加工されてから、各デバイス領域３が個片化されて多数のデバイス（半導体チップ）にダイシングされる。 Hereinafter, a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
[1] Wafer First, a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter referred to as wafer) 1 which is a workpiece in one embodiment shown in FIG. 1 will be described. The wafer 1 is a silicon wafer or the like having a thickness of about 100 to 700 μm, for example, and a large number of rectangular device regions 3 are partitioned on the surface by grid-like division planned lines 2. In each device region 3, an electronic circuit such as an IC or LSI (not shown) is formed. A linear notch 4 called an orientation flat indicating the crystal orientation of the semiconductor is formed at a predetermined location on the peripheral surface of the wafer 1. In the wafer 1, after all the division lines 2 are laser processed by the laser processing apparatus 10 shown in FIG. 2, each device region 3 is separated into a plurality of devices (semiconductor chips).

ウェーハ１は、図１に示すように、環状のフレーム５の円形状開口部５ａに粘着テープ６を介して同心状に配され、かつ一体に支持されたワークユニット７とされて、レーザ加工装置１０に供給される。粘着テープ６は片面が粘着面とされたもので、その粘着面にフレーム５とウェーハ１の裏面が貼り付けられる。フレーム５は、金属等の板材からなる剛性を有するものであり、フレーム５を支持することにより、ウェーハ１はワークユニット７ごと搬送される。   As shown in FIG. 1, a wafer 1 is a work unit 7 that is concentrically arranged in a circular opening 5a of an annular frame 5 via an adhesive tape 6 and is integrally supported. 10 is supplied. The adhesive tape 6 has an adhesive surface on one side, and the frame 5 and the back surface of the wafer 1 are attached to the adhesive surface. The frame 5 has rigidity made of a plate material such as metal, and the wafer 1 is transferred together with the work unit 7 by supporting the frame 5.

［２］レーザ加工装置
（１）レーザ加工装置の基本的な構成および動作
続いて、図２を参照して一実施形態に係るレーザ加工装置１０の基本構成を説明する。図２の符号１１は基台であり、この基台１１の奥側（Ｘ２側）の端部には壁部１２が立設されている。基台１１上には、ＸＹ移動テーブル２０が、水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在に設けられている。ＸＹ移動テーブル２０には、ワークユニット７を保持するチャックテーブル（保持機構）３０が設置されている。チャックテーブル３０の上方には、チャックテーブル３０に保持されたウェーハ１に向けてレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ照射機構４０が、チャックテーブル３０に対向する状態に配設されている。レーザ照射機構４０は、壁部１２に固定されている。 [2] Laser Processing Device (1) Basic Configuration and Operation of Laser Processing Device Next, the basic configuration of the laser processing device 10 according to one embodiment will be described with reference to FIG. Reference numeral 11 in FIG. 2 denotes a base, and a wall 12 is provided upright at the end of the base 11 on the back side (X2 side). An XY movement table 20 is provided on the base 11 so as to be movable in the horizontal X and Y directions. The XY moving table 20 is provided with a chuck table (holding mechanism) 30 that holds the work unit 7. Above the chuck table 30, a laser irradiation mechanism 40 that performs laser processing by irradiating the wafer 1 held on the chuck table 30 with a laser beam is disposed so as to face the chuck table 30. The laser irradiation mechanism 40 is fixed to the wall portion 12.

ＸＹ移動テーブル２０は、基台１１上にＸ方向に移動自在に設けられたＸ軸ベース２１と、このＸ軸ベース２１上にＹ方向に移動自在に設けられたＹ軸ベース２２との組み合わせで構成されている。Ｘ軸ベース２１は、基台１１上に固定されたＸ方向に延びる一対の平行なガイドレール２１１に摺動自在に取り付けられており、モータ２１２でボールねじ２１３を作動させるＸ軸駆動機構（加工送り機構）２１４によってＸ方向に移動させられる。一方、Ｙ軸ベース２２は、Ｘ軸ベース２１上に固定されたＹ方向に延びる一対の平行なガイドレール２２１に摺動自在に取り付けられており、モータ２２２でボールねじ２２３を作動させるＹ軸駆動機構２２４によってＹ方向に移動させられる。   The XY moving table 20 is a combination of an X-axis base 21 provided on the base 11 so as to be movable in the X direction and a Y-axis base 22 provided on the X-axis base 21 so as to be movable in the Y direction. It is configured. The X-axis base 21 is slidably attached to a pair of parallel guide rails 211 extending in the X direction fixed on the base 11, and an X-axis drive mechanism (working) for operating a ball screw 213 by a motor 212. The feed mechanism) 214 is moved in the X direction. On the other hand, the Y-axis base 22 is slidably attached to a pair of parallel guide rails 221 that are fixed on the X-axis base 21 and extend in the Y direction, and a Y-axis drive that operates a ball screw 223 by a motor 222. It is moved in the Y direction by the mechanism 224.

Ｙ軸ベース２２の上面には、円筒状のチャックベース３１が固定されており、このチャックベース３１の上に、チャックテーブル３０がＺ方向（鉛直方向）を回転軸として回転自在に支持されている。チャックテーブル３０は、負圧作用によりワーク（この場合はウェーハ１）を吸着して保持する一般周知の真空チャック式のものである。チャックテーブル３０は、チャックベース３１内に収容された図示せぬ回転駆動手段によって一方向または両方向に回転駆動される。チャックテーブル３０の周囲には、ワークユニット７のフレーム５を着脱自在に保持する複数のクランプ３２が配設されている。これらクランプ３２は、チャックベース３１に取り付けられている。   A cylindrical chuck base 31 is fixed to the upper surface of the Y-axis base 22, and the chuck table 30 is rotatably supported on the chuck base 31 with the Z direction (vertical direction) as a rotation axis. . The chuck table 30 is of a general well-known vacuum chuck type that sucks and holds a work (in this case, the wafer 1) by a negative pressure action. The chuck table 30 is rotationally driven in one or both directions by a rotational driving means (not shown) accommodated in the chuck base 31. Around the chuck table 30, a plurality of clamps 32 for detachably holding the frame 5 of the work unit 7 are disposed. These clamps 32 are attached to the chuck base 31.

ＸＹ移動テーブル２０においては、Ｘ軸ベース２１がＸ方向に移動する時が、レーザ光線を分割予定ライン２に沿って照射する加工送りとされる。そして、Ｙ軸ベース２２がＹ方向に移動することにより、レーザ光線を照射する対象の分割予定ライン２を切り替える割出し送りがなされる。なお、加工送り方向と割出し送り方向は、この逆、つまり、Ｙ方向が加工送り方向、Ｘ方向が割出し送り方向に設定されてもよく、限定はされない。   In the XY movement table 20, when the X-axis base 21 moves in the X direction, it is a processing feed for irradiating the laser beam along the planned division line 2. Then, when the Y-axis base 22 moves in the Y direction, indexing is performed to switch the division planned line 2 to be irradiated with the laser beam. Note that the machining feed direction and the index feed direction may be set oppositely, that is, the Y direction may be set as the machining feed direction, and the X direction may be set as the index feed direction.

レーザ照射機構４０は、壁部１２のＸ１側の前面に一端が固定され、その一端からチャックテーブル３０の上方に向かってＸ１方向に延びる直方体状の筐体４１を有している。筐体４１のＸ１側の先端下部には、レーザ光線をほぼ鉛直下方に向けて照射する照射口４１１が設けられている。   One end of the laser irradiation mechanism 40 is fixed to the front surface of the wall portion 12 on the X1 side, and has a rectangular parallelepiped casing 41 that extends in the X1 direction from the one end toward the upper side of the chuck table 30. An irradiation port 411 that irradiates a laser beam substantially vertically downward is provided at the lower end of the tip of the housing 41 on the X1 side.

筐体４１内には、レーザ光線を発する発振器、レーザ光線を集光する集光レンズ、発振器から発せられたレーザ光線を集光レンズに導くとともにレーザ光線の光軸を調整する光軸調整手段、レーザ光線の光軸がワーク（ウェーハ１）の表面に対して垂直に入射しているか否かを確認する光軸確認部といったレーザ照射機構４０を構成する要素が収容されているが、これら構成要素に関しては後で詳述する。   In the housing 41, an oscillator that emits a laser beam, a condensing lens that condenses the laser beam, an optical axis adjusting unit that guides the laser beam emitted from the oscillator to the condensing lens and adjusts the optical axis of the laser beam, Elements constituting the laser irradiation mechanism 40 such as an optical axis confirmation unit for confirming whether or not the optical axis of the laser beam is perpendicularly incident on the surface of the workpiece (wafer 1) are accommodated. Will be described in detail later.

レーザ加工装置１０は、レーザ光線をウェーハ１に照射する際にセットされる装置カバー１３を備えている。装置カバー１３は、下方およびＸ２側に開口する直方体状の箱体であり、天板１３１と、Ｘ１側、Ｙ１側、Ｙ２側を塞ぐ側板１３２を有している。また、天板１３１のＸ２側の中央には、レーザ照射機構４０の筐体４１が嵌合する切欠き１３３が形成されている。装置カバー１３は、図３に示すように基台１１上に載置されてセットされる。このセット状態で、筐体４１は切欠き１３３に嵌合して下部が装置カバー１３に覆われる。また、基台１１上のＸＹ移動テーブル２０やチャックテーブル３０は装置カバー１３で完全に覆われる。   The laser processing apparatus 10 includes an apparatus cover 13 that is set when the wafer 1 is irradiated with a laser beam. The device cover 13 is a rectangular parallelepiped box that opens downward and on the X2 side, and includes a top plate 131 and side plates 132 that close the X1, Y1, and Y2 sides. Further, a notch 133 into which the housing 41 of the laser irradiation mechanism 40 is fitted is formed in the center of the top plate 131 on the X2 side. The device cover 13 is placed and set on the base 11 as shown in FIG. In this set state, the casing 41 is fitted into the notch 133 and the lower part is covered with the device cover 13. Further, the XY moving table 20 and the chuck table 30 on the base 11 are completely covered with the apparatus cover 13.

また、筐体４１の先端下部であって照射口４１１の近傍には、ウェーハ１の分割予定ライン２を撮像してレーザ光線の照射位置を認識するための図示せぬアライメント手段が配設されている。このアライメント手段は、ウェーハ１の表面を照明する照明手段や光学系、該光学系で捕らえられた像を撮像するＣＣＤ等からなる撮像素子等を備えている。   In addition, an alignment unit (not shown) for recognizing the irradiation position of the laser beam by imaging the division planned line 2 of the wafer 1 is provided near the irradiation port 411 at the lower end of the housing 41. Yes. The alignment means includes an illuminating means for illuminating the surface of the wafer 1, an optical system, an image pickup device such as a CCD for picking up an image captured by the optical system, and the like.

以上がレーザ加工装置１０の基本構成であり、この装置１０では、まず、チャックテーブル３０にワークユニット７を保持し、次いで装置カバー１３をセットしてからウェーハ１の分割予定ライン２にレーザ光線を照射してレーザ加工を施す。   The above is the basic configuration of the laser processing apparatus 10. In this apparatus 10, first, the work unit 7 is held on the chuck table 30, and then the apparatus cover 13 is set, and then the laser beam is applied to the division line 2 of the wafer 1. Irradiation and laser processing are performed.

チャックテーブル３０へのワークユニット７の保持は、チャックテーブル３０を真空運転し、ウェーハ１を粘着テープを介してチャックテーブル３０に載置して吸着、保持させ表面を露出した状態とし、フレーム５をクランプ３２で保持することによりなされる。この後、装置カバー１３をセットする。装置カバー１３により、照射口４１１からウェーハ１までのレーザ光線の光路は目視できない状態になる。   The work unit 7 is held on the chuck table 30 by vacuum-operating the chuck table 30 and placing the wafer 1 on the chuck table 30 via an adhesive tape so that the surface is exposed. This is done by holding the clamp 32. Thereafter, the apparatus cover 13 is set. The apparatus cover 13 makes the optical path of the laser beam from the irradiation port 411 to the wafer 1 invisible.

分割予定ライン２へのレーザ加工は、上記アライメント手段で分割予定ライン２を撮像し、レーザ光線の照射位置を認識してから行われる。レーザ加工は、ＸＹ移動テーブル２０のＸ軸ベース２１をＸ方向に移動させながら、レーザ照射機構４０の照射口４１１からＸ方向と平行にされた分割予定ライン２に沿ってレーザ光線を照射することによって行われる。分割予定ライン２をＸ方向すなわち加工送り方向と平行にするには、チャックテーブル３０を回転させてウェーハ１を自転させることによりなされる。また、レーザ光線を照射する分割予定ライン２の選択は、ＸＹ移動テーブル２０のＹ軸ベース２２をＹ方向に移動させて、照射口４１１から照射されるレーザ光線の照射位置のＹ方向位置を加工対象の分割予定ライン２に合わせる割出し送りによってなされる。   Laser processing on the planned division line 2 is performed after the planned division line 2 is imaged by the alignment means and the irradiation position of the laser beam is recognized. In the laser processing, the X-axis base 21 of the XY moving table 20 is moved in the X direction, and the laser beam is irradiated from the irradiation port 411 of the laser irradiation mechanism 40 along the planned division line 2 parallel to the X direction. Is done by. In order to make the division line 2 parallel to the X direction, that is, the machining feed direction, the chuck table 30 is rotated to rotate the wafer 1. The selection of the division line 2 to be irradiated with the laser beam is performed by moving the Y-axis base 22 of the XY moving table 20 in the Y direction and processing the Y-direction position of the irradiation position of the laser beam irradiated from the irradiation port 411. This is done by indexing to match the target division line 2.

なお、分割予定ライン２に沿って施す本実施形態でのレーザ加工は、分割予定ライン２を完全に切断するフルカットが挙げられるが、この他には、分割予定ライン２を弱化させる加工も採用することができる。フルカットは、ウェーハ１の成分を溶融・蒸散させるアブレーション加工で行われる。また、弱化加工は、アブレーション加工によって分割予定ライン２の表面側に一定深さの溝を形成したり、あるいはウェーハ１の内部に脆弱な変質層を形成したりすることにより行われる。これらレーザ加工の種類は、照射するレーザ光線の種類（波長、出力）や照射回数などによって選択される。   In addition, although the laser processing in this embodiment performed along the division | segmentation planned line 2 includes the full cut which cut | disconnects the division | segmentation planned line 2 completely, the process which weakens the division | segmentation planned line 2 is also employ | adopted for this other than that can do. The full cut is performed by an ablation process in which the components of the wafer 1 are melted and evaporated. Further, the weakening process is performed by forming a groove having a certain depth on the surface side of the division line 2 by ablation or forming a fragile altered layer inside the wafer 1. These types of laser processing are selected according to the type (wavelength, output) of the laser beam to be irradiated, the number of times of irradiation, and the like.

全ての分割予定ライン２にレーザ光線を照射してレーザ加工を施したら、レーザ照射機構４０によるレーザ光線の照射を停止し、また、チャックテーブル３０の真空運転を停止してウェーハ１の保持を解除する。そして装置カバー１３を取り外し、クランプ３２によるフレーム５の保持を解除してから、ワークユニット７をチャックテーブル３０から取り上げる。この後、ウェーハ１は洗浄工程等を経てから、個片化されたデバイス領域３すなわちデバイス（半導体チップ）を粘着テープ６からピックアップする工程に移される。なお、分割予定ライン２が上記のようにフルカットされた場合はそのままピックアップ工程に移されるが、上記弱化加工の場合には、外力を付与することにより弱化した分割予定ライン２を割断した後、ピックアップ工程に移される。   When laser processing is performed by irradiating all the division lines 2 with laser beam, the laser beam irradiation by the laser irradiation mechanism 40 is stopped, and the vacuum operation of the chuck table 30 is stopped to release the holding of the wafer 1. To do. Then, after removing the device cover 13 and releasing the holding of the frame 5 by the clamp 32, the work unit 7 is picked up from the chuck table 30. Thereafter, the wafer 1 is subjected to a cleaning process and the like, and then transferred to a process of picking up the separated device region 3, that is, a device (semiconductor chip) from the adhesive tape 6. In addition, when the division planned line 2 is fully cut as described above, it is directly moved to the pickup process, but in the case of the weakening process, after dividing the division planned line 2 weakened by applying external force, Moved to pickup process.

（２）レーザ照射機構
次に、上記レーザ照射機構４０を詳述する。
上記筐体４１内には、図５に示すように、レーザ光線Ｌを発する発振器４２と、上記光軸調整手段を構成するＹ方向調整ミラー（割出し送り方向調整ミラー）４３、Ｘ方向調整ミラー（加工送り方向調整ミラー）４４および角度調整ミラー４５と、１／２λ波長板４６と、集光レンズ４７と、光軸確認部４８等が収容されている。 (2) Laser irradiation mechanism Next, the laser irradiation mechanism 40 will be described in detail.
In the casing 41, as shown in FIG. 5, an oscillator 42 that emits a laser beam L, a Y-direction adjustment mirror (index feed direction adjustment mirror) 43 that constitutes the optical axis adjustment means, and an X-direction adjustment mirror (Processing feed direction adjusting mirror) 44, angle adjusting mirror 45, 1 / 2λ wavelength plate 46, condenser lens 47, optical axis confirmation unit 48, and the like are accommodated.

発振器４２は、ウェーハ１のレーザ加工に応じたレーザ光線（例えばパルスレーザ光線等）を発生させるもので、図６に示すように、筐体４１内のＹ２側の端部の底部に固定されている。発振器４２からは、水平なレーザ光線ＬがＹ１方向に照射される。発振器４２から照射されたレーザ光線Ｌは、図５〜図７に示すように、１／２λ波長板４６を透過してからＹ方向調整ミラー４３、Ｘ方向調整ミラー４４、角度調整ミラー４５の順に反射した後、下方に進行し、集光レンズ４７を透過してチャックテーブル３０に保持されたウェーハ１に照射される。   The oscillator 42 generates a laser beam (for example, a pulsed laser beam) according to the laser processing of the wafer 1, and is fixed to the bottom of the end portion on the Y2 side in the housing 41 as shown in FIG. Yes. A horizontal laser beam L is emitted from the oscillator 42 in the Y1 direction. As shown in FIGS. 5 to 7, the laser beam L emitted from the oscillator 42 passes through the ½λ wavelength plate 46 and then is in the order of the Y direction adjusting mirror 43, the X direction adjusting mirror 44, and the angle adjusting mirror 45. After the reflection, the light travels downward, passes through the condenser lens 47, and irradiates the wafer 1 held on the chuck table 30.

Ｙ方向調整ミラー４３は、この場合偏光ビームスプリッタで構成されており、１／２λ波長板４６を透過したレーザ光線Ｌは、図６に示すようにＹ方向調整ミラー４３を透過する成分（透過光Ｌ１）と反射する成分（反射光Ｌ２）の２つに分離される。Ｙ方向調整ミラー４３を透過したレーザ光線Ｌ１はアブソーバ４９で吸収され進行が停止する。一方、Ｙ方向調整ミラー４３で反射したレーザ光線Ｌ２は９０°の角度で上方のＸ方向調整ミラー４４に向かう。Ｙ方向調整ミラー４３で反射してＸ方向調整ミラー４４に向かうレーザ光線Ｌ１は、ウェーハ１のレーザ加工に用いられる加工用の光束である。   In this case, the Y-direction adjusting mirror 43 is composed of a polarizing beam splitter, and the laser beam L transmitted through the 1 / 2λ wavelength plate 46 is transmitted through the Y-direction adjusting mirror 43 as shown in FIG. L1) and the reflected component (reflected light L2). The laser beam L1 transmitted through the Y-direction adjusting mirror 43 is absorbed by the absorber 49 and stops traveling. On the other hand, the laser beam L2 reflected by the Y direction adjusting mirror 43 is directed to the upper X direction adjusting mirror 44 at an angle of 90 °. A laser beam L1 reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 and directed toward the X-direction adjusting mirror 44 is a processing light beam used for laser processing of the wafer 1.

１／２λ波長板４６は回転可能に設置されており、回転させることにより、Ｙ方向調整ミラー４３で反射するレーザ光線と透過するレーザ光線の割合が変化するようになっている。すなわち、１／２λ波長板４６を回転させることにより、Ｙ方向調整ミラー４３で反射する加工用のレーザ光線Ｌ（Ｌ２）の量が調整されて当該レーザ照射機構４０の実質的なレーザ光線の出力が調整されるようになっている。本実施形態ではＹ方向調整ミラー４３がレーザ光線の出力調整機能も有しているため、レーザ光線の出力調整機構を別途具備させる必要がなく、その結果、部品点数の削減ならびに軽量化や、コスト低減といった利点を得ることができる。   The 1 / 2λ wavelength plate 46 is rotatably installed, and by rotating, the ratio of the laser beam reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 and the ratio of the transmitted laser beam is changed. That is, by rotating the 1 / 2λ wavelength plate 46, the amount of the processing laser beam L (L2) reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 is adjusted, and the substantial laser beam output of the laser irradiation mechanism 40 is adjusted. Has been adjusted. In this embodiment, since the Y-direction adjusting mirror 43 also has a laser beam output adjustment function, there is no need to separately provide a laser beam output adjustment mechanism. As a result, the number of parts can be reduced, the weight can be reduced, and the cost can be reduced. Advantages such as reduction can be obtained.

Ｙ方向調整ミラー４３によって上方に９０°の角度で反射したレーザ光線Ｌは、Ｘ方向調整ミラー４４に入射して９０°の角度でＸ１方向に反射し、次いで角度調整ミラー４５に入射し、この角度調整ミラー４５によりほぼ９０°の角度で下方に向けて反射される。そして角度調整ミラー４５により下方に向けられたレーザ光線Ｌは、角度調整ミラー４５の下方の上記照射口４１１に着脱可能に配設された集光レンズ４７により集光されてウェーハ１に照射される。上記各調整ミラー４３，４４，４５は、それぞれ筐体４１内の所定位置に固定された移動部４３１，４４１，４５１に、所定の方向に移動可能に設けられている。   The laser beam L reflected by the Y direction adjusting mirror 43 upward at an angle of 90 ° is incident on the X direction adjusting mirror 44, reflected in the X1 direction at an angle of 90 °, and then incident on the angle adjusting mirror 45. Reflected downward by the angle adjusting mirror 45 at an angle of approximately 90 °. The laser beam L directed downward by the angle adjustment mirror 45 is condensed by a condenser lens 47 detachably disposed in the irradiation port 411 below the angle adjustment mirror 45 and irradiated onto the wafer 1. . The adjustment mirrors 43, 44, and 45 are respectively provided on moving units 431, 441, and 451 that are fixed at predetermined positions in the housing 41 so as to be movable in a predetermined direction.

Ｙ方向調整ミラー４３は、図５および図６に示すように、筐体４１内のＹ１側の端部の底部に固定されたＹ方向移動部（割出し送り方向移動部）４３１の上面に、Ｙ方向に直線的に移動可能に支持されている。Ｙ方向移動部４３１には、Ｙ方向調整ミラー４３をＹ方向に移動させる操作部材としてＹ方向調整ダイヤル４３２を有している。Ｙ方向調整ダイヤル４３２は、筐体４１の側面からＹ１方向に突出して外部に露出しており、このＹ方向調整ダイヤル４３２をつまんで回転させると、Ｙ方向調整ミラー４３が図５の矢印Ａに示すようにＹ方向に直線的に移動するようになっている。このようにＹ方向調整ミラー４３をＹ方向に移動させることにより、図６に示すように（点線が移動後とする）、Ｙ方向調整ミラー４３でのレーザ光線ＬのＹ方向の入射／反射位置が変化する。その結果として、ウェーハ１の表面に照射されるレーザ光線Ｌの照射位置におけるＹ方向の位置が調整される。   As shown in FIGS. 5 and 6, the Y-direction adjusting mirror 43 is provided on the upper surface of a Y-direction moving portion (index feed direction moving portion) 431 fixed to the bottom of the end portion on the Y1 side in the housing 41. It is supported so as to be linearly movable in the Y direction. The Y-direction moving unit 431 has a Y-direction adjustment dial 432 as an operation member that moves the Y-direction adjustment mirror 43 in the Y direction. The Y-direction adjustment dial 432 protrudes in the Y1 direction from the side surface of the housing 41 and is exposed to the outside. When the Y-direction adjustment dial 432 is pinched and rotated, the Y-direction adjustment mirror 43 is moved to the arrow A in FIG. As shown, it moves linearly in the Y direction. By moving the Y direction adjusting mirror 43 in the Y direction in this way, as shown in FIG. 6 (after the dotted line is moved), the incident / reflection position of the laser beam L in the Y direction on the Y direction adjusting mirror 43. Changes. As a result, the position in the Y direction at the irradiation position of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 is adjusted.

Ｘ方向調整ミラー４４は、図５〜図７に示すように、Ｙ方向調整ミラー４３の上方に位置付けられて筐体４１内の上面に固定されたＸ方向移動部（加工送り方向移動部）４４１のＸ１側の側面に、上下方向に直線的に移動可能に支持されている。Ｘ方向移動部４４１には、Ｘ方向調整ミラー４４を上下方向に移動させる操作部材としてＸ方向調整ダイヤル４４２が設けられている。Ｘ方向調整ダイヤル４４２は、筐体４１の上面から上方に突出して外部に露出しており、このＸ方向調整ダイヤル４４２をつまんで回転させると、Ｘ方向調整ミラー４４が図５の矢印Ｂに示すように上下方向に直線的に移動するようになっている。このようにＸ方向調整ミラー４４を上下方向に移動させることにより、図８に示すように（点線が移動後とする）、Ｘ方向調整ミラー４４でのレーザ光線Ｌの上下方向の入射／反射位置が変化する。これにより、角度調整ミラー４５でのレーザ光線Ｌの入射／反射位置がＸ方向に変化し、結果としてウェーハ１の表面に照射されるレーザ光線Ｌの照射位置におけるＸ方向の位置が調整される。   As shown in FIGS. 5 to 7, the X-direction adjusting mirror 44 is positioned above the Y-direction adjusting mirror 43 and fixed to the upper surface in the housing 41 (processing feed direction moving unit) 441. Is supported so as to be linearly movable in the vertical direction. The X-direction moving unit 441 is provided with an X-direction adjusting dial 442 as an operation member that moves the X-direction adjusting mirror 44 in the vertical direction. The X direction adjustment dial 442 protrudes upward from the upper surface of the housing 41 and is exposed to the outside. When the X direction adjustment dial 442 is pinched and rotated, the X direction adjustment mirror 44 is indicated by an arrow B in FIG. In this way, it moves linearly in the vertical direction. By moving the X-direction adjusting mirror 44 in the vertical direction in this way, as shown in FIG. 8 (after the dotted line is moved), the vertical incidence / reflection position of the laser beam L on the X-direction adjusting mirror 44. Changes. Thereby, the incident / reflection position of the laser beam L at the angle adjusting mirror 45 changes in the X direction, and as a result, the position in the X direction at the irradiation position of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 is adjusted.

角度調整ミラー４５は、図５および図７に示すように、Ｘ方向調整ミラー４４のＸ１側に対向配置されて筐体４１内に固定された回転移動部４５１におけるＸ２側の端面に支持されている。回転移動部４５１は、筐体４１に固定された支持部４５２と、この支持部４５２のＸ２側の端面にＺ方向（鉛直方向）を回転軸として水平方向に回転可能に支持された水平回転部４５３と、この水平回転部４５３のＸ２側の端面にＹ方向を回転軸として上下方向に回転可能に支持された上下回転部４５４とを備えている。   As shown in FIGS. 5 and 7, the angle adjustment mirror 45 is supported by the end face on the X2 side of the rotational movement unit 451 that is disposed opposite to the X1 side of the X direction adjustment mirror 44 and fixed in the housing 41. Yes. The rotation moving unit 451 includes a support unit 452 fixed to the housing 41, and a horizontal rotation unit supported on the X2 side end surface of the support unit 452 so as to be rotatable in the horizontal direction about the Z direction (vertical direction) as a rotation axis. 453, and an up-and-down rotating unit 454 supported on the end surface on the X2 side of the horizontal rotating unit 453 so as to be rotatable in the up-and-down direction about the Y direction as a rotation axis.

水平回転部４５３は、支持部４５２に設けられたＹ方向角度調整ダイヤル４５５をつまんで回転させることにより、図５の矢印Ｃに示すように水平方向に回転移動するようになっている。このように水平回転部４５３を水平方向に回転移動させることにより、図９に示すように（点線が移動後とする）、角度調整ミラー４５によって下方に反射するレーザ光線ＬのＹ方向への反射角度が調整される。その結果、ウェーハ１の表面に照射されるレーザ光線ＬのＹ方向の照射角度が調整される。   The horizontal rotating portion 453 rotates and moves in the horizontal direction as indicated by an arrow C in FIG. 5 by pinching and rotating the Y-direction angle adjusting dial 455 provided on the support portion 452. By rotating the horizontal rotating portion 453 in the horizontal direction in this way, as shown in FIG. 9 (after the dotted line is moved), the laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 is reflected in the Y direction. The angle is adjusted. As a result, the irradiation angle in the Y direction of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 is adjusted.

また、上下回転部４５４は、水平回転部４５３に設けられたＸ方向角度調整ダイヤル４５６をつまんで回転させることにより、図５の矢印Ｄに示すように上下方向に回転移動するようになっている。このように上下回転部４５４を上下方向に回転移動させると、図１０に示すように（点線が移動後とする）、角度調整ミラー４５によって下方に反射するレーザ光線ＬのＸ方向への反射角度が調整される。その結果、ウェーハ１の表面に照射されるレーザ光線ＬのＸ方向の照射角度が調整される。   Further, the vertical rotation unit 454 rotates in the vertical direction as indicated by an arrow D in FIG. 5 by pinching and rotating the X-direction angle adjustment dial 456 provided in the horizontal rotation unit 453. . When the vertical rotation unit 454 is rotated in the vertical direction in this way, the reflection angle in the X direction of the laser beam L reflected downward by the angle adjustment mirror 45 as shown in FIG. 10 (after the dotted line has moved). Is adjusted. As a result, the irradiation angle in the X direction of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 is adjusted.

Ｙ方向角度調整ダイヤル４５５は、筐体４１の側面からＹ１方向に突出して外部に露出している。また、Ｘ方向角度調整ダイヤル４５６は、筐体４１の上面から上方に突出して外部に露出している。これら角度調整ミラー４５５，４５６を適宜に回転操作することにより、角度調整ミラー４５によって下方に反射するレーザ光線ＬのＸ・Ｙ方向の照射角度が調整され、結果として上記のようにウェーハ１に対するレーザ光線のＸ・Ｙ方向の照射角度が調整される。   The Y-direction angle adjustment dial 455 protrudes from the side surface of the housing 41 in the Y1 direction and is exposed to the outside. The X-direction angle adjustment dial 456 protrudes upward from the upper surface of the housing 41 and is exposed to the outside. By appropriately rotating the angle adjusting mirrors 455 and 456, the irradiation angle in the X and Y directions of the laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 is adjusted, and as a result, the laser with respect to the wafer 1 as described above is adjusted. The irradiation angle in the X and Y directions of the light beam is adjusted.

図４に示すように、上記Ｙ方向調整ダイヤル４３２、Ｘ方向調整ダイヤル４４２、Ｙ方向角度調整ダイヤル４５５、Ｘ方向角度調整ダイヤル４５６は、装置カバー１３をセットした状態において露出し、回転操作が可能となっている。本実施形態では、Ｙ方向調整ミラー４３と該ミラー４３をＹ方向に移動させるＹ方向移動部４３１、Ｘ方向調整ミラー４４と該ミラー４４をＸ方向に移動させるＸ方向移動部４４１、および角度調整ミラー４５と該ミラー４５の角度をＹ方向・Ｘ方向に変化させる回転移動部４５１により、本発明の光軸調整手段が構成されている。   As shown in FIG. 4, the Y-direction adjustment dial 432, the X-direction adjustment dial 442, the Y-direction angle adjustment dial 455, and the X-direction angle adjustment dial 456 are exposed when the device cover 13 is set and can be rotated. It has become. In the present embodiment, a Y-direction adjusting mirror 43, a Y-direction moving unit 431 that moves the mirror 43 in the Y direction, an X-direction adjusting mirror 44, an X-direction moving unit 441 that moves the mirror 44 in the X direction, and angle adjustment. The optical axis adjusting means of the present invention is configured by the mirror 45 and the rotational movement unit 451 that changes the angle of the mirror 45 in the Y direction and the X direction.

図７に示すように、筐体４１内の角度調整ミラー４５と集光レンズ４７との間に、上記光軸確認部４８が配設されている。光軸確認部４８は、直方体状のケーシング４８１と、ケーシング４８１内に収容された蛍光板４８２と、蛍光板４８２の表面側を撮像する撮像部４８３とを備えている。ケーシング４８１には、角度調整ミラー４５によって下方に反射したレーザ光線Ｌが透過する透過孔４８１ａ，４８１ｂが上下に形成されており、蛍光板４８２は、下側の透過孔４８１ｂを塞ぐ状態にケーシング４８１に固定されている。撮像部４８３は、蛍光板４８２の表面を撮像し得る位置に配され、ケーシング４８１に固定されている。   As shown in FIG. 7, the optical axis confirmation unit 48 is disposed between the angle adjustment mirror 45 and the condenser lens 47 in the housing 41. The optical axis confirmation unit 48 includes a rectangular parallelepiped casing 481, a fluorescent plate 482 accommodated in the casing 481, and an imaging unit 483 that images the surface side of the fluorescent plate 482. The casing 481 is formed with upper and lower transmission holes 481a and 481b through which the laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 is transmitted, and the fluorescent plate 482 covers the casing 481 in a state of closing the lower transmission hole 481b. It is fixed. The imaging unit 483 is disposed at a position where the surface of the fluorescent plate 482 can be imaged, and is fixed to the casing 481.

角度調整ミラー４５によって下方に反射したレーザ光線Ｌは、ケーシング４８１の上側の透過孔４８１ａ、蛍光板４８２、下側の透過孔４８１ｂを透過して集光レンズ４７に至り、集光レンズ４７によってウェーハ１に集光される。蛍光板４８２はレーザ光線Ｌが照射されると撮像部４８３が認識し得る波長の光を発光する特性を有しており、したがってレーザ光線Ｌが透過する照射光の位置がスポット状に発光する。また、ウェーハ１に集光して照射されたレーザ光線Ｌはウェーハ１の表面で反射し、その反射光が蛍光板４８２を照射してその照射位置が発光する。   The laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 passes through the upper transmission hole 481a, the fluorescent plate 482, and the lower transmission hole 481b of the casing 481 and reaches the condenser lens 47. It is focused on. The fluorescent plate 482 has a characteristic of emitting light having a wavelength that can be recognized by the imaging unit 483 when irradiated with the laser beam L. Therefore, the position of the irradiation light transmitted through the laser beam L is emitted in a spot shape. Further, the laser beam L focused and irradiated on the wafer 1 is reflected by the surface of the wafer 1, and the reflected light irradiates the fluorescent plate 482 to emit light at the irradiation position.

図１０の破線で示すように、ウェーハ１の表面に対するレーザ光線Ｌの照射角度が垂直である場合には、ウェーハ１からの反射光は照射光と一致するため、図１１のＬａ点のように蛍光板４８２での発光点は１箇所になる。一方、図１０の一点鎖線で示すように、ウェーハ１の表面に対するレーザ光線Ｌの照射角度が垂直でない場合には、ウェーハ１からの反射光は照射光と一致せず、図１１のＬｂ点、Ｌｃ点のように蛍光板４８２での発光点は２箇所になる（Ｌｂ点が照射光、Ｌｃ点が反射光）。このような蛍光板４８２での発光状態は撮像部４８３で撮像され、撮像は図示せぬモニタによって確認される。   As shown by the broken line in FIG. 10, when the irradiation angle of the laser beam L with respect to the surface of the wafer 1 is vertical, the reflected light from the wafer 1 coincides with the irradiation light, so that the La point in FIG. The fluorescent plate 482 has one light emitting point. On the other hand, as shown by the one-dot chain line in FIG. 10, when the irradiation angle of the laser beam L with respect to the surface of the wafer 1 is not vertical, the reflected light from the wafer 1 does not coincide with the irradiation light, and the Lb point in FIG. Like the Lc point, there are two emission points on the fluorescent screen 482 (the Lb point is irradiation light and the Lc point is reflected light). Such a light emission state on the fluorescent plate 482 is imaged by the imaging unit 483, and the imaging is confirmed by a monitor (not shown).

光軸確認部４８はケーシング４８１ごと１つのユニットとして取り扱われ、図７に示すように筐体４１内に設けられた固定部４８４にケーシング４８１が着脱自在にセットされる。したがって、蛍光板４８２は所定位置にケーシング４８１ごと着脱自在に固定される。光軸確認部４８は、筐体４１の側面開口４１２から出し入れされて固定部４８４に対し着脱される。側面開口４１２は、着脱自在なカバー４１３で覆われる。   The optical axis confirmation unit 48 is handled as one unit for each casing 481, and the casing 481 is detachably set to a fixing unit 484 provided in the housing 41 as shown in FIG. 7. Accordingly, the fluorescent plate 482 is detachably fixed together with the casing 481 at a predetermined position. The optical axis confirmation unit 48 is inserted into and removed from the side opening 412 of the housing 41 and is attached to and detached from the fixing unit 484. The side opening 412 is covered with a detachable cover 413.

（３）レーザ照射機構の作用
次に、上記レーザ照射機構４０の作用を説明する。このレーザ照射機構４０によれば、次のような光軸調整を行うことができる。 (3) Action of Laser Irradiation Mechanism Next, the action of the laser irradiation mechanism 40 will be described. According to this laser irradiation mechanism 40, the following optical axis adjustment can be performed.

（３−１）ウェーハに対するレーザ光線の照射角度を垂直にする調整
ウェーハ１の表面に対するレーザ光線Ｌの照射角度は、目的箇所を高精度で加工するために垂直である必要がある。本装置１０では、ウェーハ１の表面に対する照射角度は光軸確認部４８によって確認され、照射角度の調整は、Ｙ方向角度調整ダイヤル４５５およびＸ方向角度調整ダイヤル４５６により角度調整ミラー４５の反射角度を調整することで行うことができる。 (3-1) Adjustment to make the irradiation angle of the laser beam perpendicular to the wafer The irradiation angle of the laser beam L to the surface of the wafer 1 needs to be vertical in order to process the target portion with high accuracy. In this apparatus 10, the irradiation angle with respect to the surface of the wafer 1 is confirmed by the optical axis confirmation unit 48, and the adjustment of the irradiation angle is performed by adjusting the reflection angle of the angle adjustment mirror 45 by the Y direction angle adjustment dial 455 and the X direction angle adjustment dial 456. It can be done by adjusting.

照射角度の調整作業は、まず、照射口４１１から集光レンズ４７を外した状態とする。そして装置カバー１３をセットし、レーザ光線Ｌが外部に漏れないようにする。次いで、発振器４２を作動させてレーザ光線Ｌをチャックテーブル３０に保持したウェーハ１に照射する。そして、撮像部４８３で蛍光板４８２を撮像し、その撮像をモニタで確認する。   In the adjustment operation of the irradiation angle, first, the condenser lens 47 is removed from the irradiation port 411. Then, the apparatus cover 13 is set so that the laser beam L does not leak outside. Next, the oscillator 42 is operated to irradiate the wafer 1 held on the chuck table 30 with the laser beam L. Then, the fluorescent plate 482 is imaged by the imaging unit 483, and the imaging is confirmed on the monitor.

蛍光板４８２は、図１１に示したようにレーザ光線Ｌの照射光とウェーハ１からの反射光が透過することにより発光する。その発光点が、図１１のＬａ点で示したように１箇所であれば反射光は照射光と一致しており、したがってウェーハ１の表面に対するレーザ光線Ｌの照射角度は垂直であると判断される。   As shown in FIG. 11, the fluorescent plate 482 emits light when the irradiation light of the laser beam L and the reflected light from the wafer 1 are transmitted. If the light emitting point is one place as indicated by the La point in FIG. 11, the reflected light coincides with the irradiated light, and therefore the irradiation angle of the laser beam L with respect to the surface of the wafer 1 is determined to be vertical. The

ところが、図１１のＬｂ点(照射光)およびＬｃ点(反射光)で示したように、蛍光板４８２での発光点が２箇所である場合には、反射光が照射光と同じ位置を通っておらずウェーハ１の表面への照射角度は垂直ではないと判断され、垂直にする調整作業を行う必要がある。それには、モニタを確認しながら、Ｙ方向角度調整ダイヤル４５５およびＸ方向角度調整ダイヤル４５６を操作して、蛍光板４８２の発光点が互いに近付き、やがて１箇所になるように角度調整ミラー４５の角度を適宜に調整する。   However, as shown by the Lb point (irradiation light) and the Lc point (reflection light) in FIG. 11, when there are two emission points on the fluorescent screen 482, the reflected light passes through the same position as the irradiation light. In other words, it is determined that the irradiation angle to the surface of the wafer 1 is not vertical, and it is necessary to perform an adjustment operation to make it vertical. To do this, while checking the monitor, operate the Y-direction angle adjustment dial 455 and the X-direction angle adjustment dial 456 to adjust the angle of the angle adjustment mirror 45 so that the light emitting points of the fluorescent screen 482 approach each other and eventually become one place. Adjust as appropriate.

本実施形態によれば、筐体４１および装置カバー１３でレーザ光線Ｌを完全に覆った状態で、ウェーハ１に対するレーザ光線Ｌの照射角度を垂直にする光軸調整を行うことができる。これはすなわち筐体４１から各ダイヤル４５５，４５６が露出しており操作が可能であるためである。このため、装置を遮光パーテションで覆ってレーザ光線が外部に漏れることを防いだ状態として遮光パーテションの中で作業員がレーザ光線遮断用の保護ゴーグルを目に装着するといった、従来行われていた煩雑な手間が省かれる。そして、照射角度の調整を容易、かつ短時間で、しかも作業員の安全が十分に確保された状態で行うことができる。   According to the present embodiment, the optical axis can be adjusted so that the irradiation angle of the laser beam L to the wafer 1 is vertical while the laser beam L is completely covered by the casing 41 and the apparatus cover 13. This is because the dials 455 and 456 are exposed from the housing 41 and can be operated. For this reason, the conventional troublesome technique in which the apparatus is covered with a light shielding partition to prevent the laser beam from leaking to the outside and an operator wears protective goggles for shielding the laser beam in the light shielding partition. Saving time and effort. The irradiation angle can be easily adjusted in a short time and with sufficient safety for the worker.

また、本実施形態では、光軸確認部４８がケーシング４８１ごと１つのユニットとして構成されているため、蛍光板４８２と撮像部４８３との相対位置等は、組み立ての際に撮像可能な状態に適切に設定して固定しておけば、その後に調整する必要がなく、使い勝手がよいという利点がある。   In the present embodiment, since the optical axis confirmation unit 48 is configured as one unit for each casing 481, the relative positions of the fluorescent plate 482 and the imaging unit 483 are appropriately set in a state in which imaging is possible at the time of assembly. If it is set and fixed, there is an advantage that it is not necessary to adjust afterwards and it is easy to use.

なお、光軸確認部４８はウェーハ１に対するレーザ光線Ｌの照射角度の確認および調整を行う時にのみ、固定部４８４にセットされ、通常のレーザ加工時にはレーザ光線Ｌの光路から外される。また、光軸確認部４８は、作業員の手によって固定部４８４にセットするような構成でもよく、また、搬送装置によってレーザ光線Ｌの光路から外れた退避位置と固定部４８４へのセット位置との間を搬送する構成を採ってもよい。   The optical axis confirmation unit 48 is set on the fixing unit 484 only when the irradiation angle of the laser beam L to the wafer 1 is confirmed and adjusted, and is removed from the optical path of the laser beam L during normal laser processing. Further, the optical axis confirmation unit 48 may be configured to be set on the fixing unit 484 by an operator's hand, and the retraction position deviated from the optical path of the laser beam L by the conveying device and the setting position on the fixing unit 484. You may take the structure which conveys between.

また、筐体４１内に収容される光軸確認部４８は、上記一実施形態では角度調整ミラー４５と集光レンズ４７との間に配置されているが、レーザ光線Ｌの光路の途中であればいかなる箇所に配置されていてもよい。ウェーハ１に対するレーザ光線Ｌの照射角度が垂直でない場合には、ウェーハ１から遠いほど照射光と反射光の振れ幅が大きくなるので、僅かな傾きも検出することができるようになり、ウェーハ１への照射角度の垂直度合いの精度をより高くすることができる。この観点から、光軸確認部４８は、レーザ光線Ｌの光路中においてウェーハ１からなるべく遠い箇所に配置されることが好ましい。   In addition, the optical axis confirmation unit 48 accommodated in the housing 41 is disposed between the angle adjustment mirror 45 and the condenser lens 47 in the one embodiment, but may be in the middle of the optical path of the laser beam L. Any location may be used. When the irradiation angle of the laser beam L with respect to the wafer 1 is not vertical, the farther away from the wafer 1, the larger the fluctuation width of the irradiation light and the reflected light, so that a slight inclination can be detected. The accuracy of the vertical degree of the irradiation angle can be further increased. From this point of view, it is preferable that the optical axis confirmation unit 48 is arranged at a position as far as possible from the wafer 1 in the optical path of the laser beam L.

また、光軸確認部４８は１つに限定されず、例えば２つの光軸確認部４８を、レーザ光線Ｌの光路中において１つは上記一実施形態のように角度調整ミラー４５と集光レンズ４７との間であってウェーハ１に近い場所に配置し、他の１つをウェーハ１から比較的離れた遠い場所（例えば発振器４２と１／２λ波長板４６との間）に配置する形態としてもよい。このように光軸確認部４８をレーザ光線Ｌの光路の離間した２箇所に配置した場合には、はじめにウェーハ１に近い側の光軸確認部４８で比較的大まかな一次調整を行い、次にウェーハ１から遠い側の光軸確認部４８で精密な二次調整を行うといった調整方法を採ることにより、的確に、かつ高精度でウェーハ１へのレーザ光線Ｌの照射角度を垂直にする作業を行うことができる。なお、ウェーハ１へのレーザ光線Ｌの照射角度が大幅に傾いていてウェーハ１から遠い側の二次調整用の光軸確認部４８を反射光が通らない場合がある。このような状況にあっては、上記一次調整を行うことで二次調整用の光軸確認部４８に反射光を通すことができる。つまり、一次調整用の光軸確認部４８は二次調整用の光軸確認部４８に反射光を確実に導くという役割も有しているのである。   Further, the number of optical axis confirmation units 48 is not limited to one. For example, two optical axis confirmation units 48 are arranged in the optical path of the laser beam L, and one is the angle adjustment mirror 45 and the condenser lens as in the above embodiment. 47 is arranged at a location close to the wafer 1 and the other one at a location relatively far from the wafer 1 (for example, between the oscillator 42 and the 1 / 2λ wave plate 46). Also good. Thus, when the optical axis confirmation unit 48 is disposed at two spaced locations in the optical path of the laser beam L, first, a relatively rough primary adjustment is performed by the optical axis confirmation unit 48 on the side closer to the wafer 1, and then By adopting an adjustment method in which a precise secondary adjustment is performed by the optical axis confirmation unit 48 on the side far from the wafer 1, the operation of accurately and highly accurately irradiating the laser beam L onto the wafer 1 is performed. It can be carried out. In some cases, the irradiation angle of the laser beam L to the wafer 1 is significantly inclined and the reflected light may not pass through the optical axis confirmation unit 48 for secondary adjustment on the side far from the wafer 1. In such a situation, reflected light can be passed through the optical axis confirmation unit 48 for secondary adjustment by performing the primary adjustment. That is, the primary adjustment optical axis confirmation unit 48 also has a role of reliably guiding the reflected light to the secondary adjustment optical axis confirmation unit 48.

（３−２）集光レンズの中心にレーザ光線の光軸を通す調整
目的箇所を高精度で加工するためには、発振器４２から発せられたレーザ光線Ｌの光軸が集光レンズ４７の中心を通ることも必要である。本装置１０では、Ｙ方向調整ダイヤル４３２を操作してＹ方向調整ミラー４３をＹ方向に移動させることにより、集光レンズ４７に入射するレーザ光線Ｌの光軸がＹ方向に移動して調整される。また、Ｘ方向調整ダイヤル４４２を操作してＸ方向調整ミラー４４をＸ方向に移動させることにより、集光レンズ４７に入射するレーザ光線Ｌの光軸がＸ方向に移動して調整される。したがって、この２つのダイヤル４３２，４４２を適宜に操作することにより、レーザ光線Ｌの光軸が集光レンズ４７の中心を通るようにすることができる。 (3-2) Adjustment of passing the optical axis of the laser beam through the center of the condenser lens In order to process the target portion with high accuracy, the optical axis of the laser beam L emitted from the oscillator 42 is the center of the condenser lens 47. It is also necessary to pass through. In this apparatus 10, the optical axis of the laser beam L incident on the condenser lens 47 is moved and adjusted in the Y direction by operating the Y direction adjusting dial 432 and moving the Y direction adjusting mirror 43 in the Y direction. The Further, by operating the X direction adjustment dial 442 to move the X direction adjustment mirror 44 in the X direction, the optical axis of the laser beam L incident on the condenser lens 47 is moved and adjusted in the X direction. Accordingly, by appropriately operating these two dials 432 and 442, the optical axis of the laser beam L can pass through the center of the condenser lens 47.

このようにして集光レンズ４７の中心にレーザ光線Ｌの光軸を通す調整作業は、上記照射角度調整を行った後に行うことが好ましく、調整は集光レンズ４７を照射口４１１に装着して行う。なお、集光レンズ４７の中心にレーザ光線Ｌの光軸が通っているか否かを確認する手法は任意であるが、例えば、試験的にウェーハ１にレーザ光線Ｌを照射し、ウェーハ１への加工痕の位置を顕微鏡で確認するといった方法が採られる。そして加工痕の位置に基づいて、レーザ光線Ｌの光軸をＸ・Ｙ方向に調整する。   The adjustment operation for passing the optical axis of the laser beam L through the center of the condensing lens 47 in this way is preferably performed after the above irradiation angle adjustment, and the adjustment is performed by attaching the condensing lens 47 to the irradiation port 411. Do. The method for confirming whether or not the optical axis of the laser beam L passes through the center of the condensing lens 47 is arbitrary. For example, the wafer 1 is irradiated with the laser beam L on a test basis, A method of confirming the position of the processing mark with a microscope is employed. Based on the position of the processing mark, the optical axis of the laser beam L is adjusted in the X and Y directions.

本実施形態では、集光レンズ４７ではなくレーザ光線Ｌの光軸の方を動かすことにより、集光レンズ４７の中心をレーザ光線Ｌの光軸が通るように調整することができるため、集光レンズ４７を動かす必要がない。本実施形態とは逆に、集光レンズ４７の方を動かしてレーザ光線Ｌの光軸を集光レンズ４７の中心に通るように調整した場合には、レーザ光線Ｌの照射位置が大きく変わるおそれがある。このため、例えば装置に記憶させたレーザ光線Ｌの照射位置情報を設定し直す必要が生じ、煩雑なことになるといった不具合を招く。ところが本実施形態のように集光レンズ４７は動かさずにレーザ光線Ｌの光軸を動かすといった形態によれば、光軸のずれは比較的小さくて済み、位置情報を設定し直す手間が省ける場合もあり得る。   In the present embodiment, the center of the condenser lens 47 can be adjusted so that the optical axis of the laser beam L passes by moving the optical axis of the laser beam L instead of the condenser lens 47. There is no need to move the lens 47. Contrary to the present embodiment, when the condenser lens 47 is moved so that the optical axis of the laser beam L passes through the center of the condenser lens 47, the irradiation position of the laser beam L may change significantly. There is. For this reason, for example, it becomes necessary to reset the irradiation position information of the laser beam L stored in the apparatus, which causes a problem that it becomes complicated. However, according to the embodiment in which the optical axis of the laser beam L is moved without moving the condenser lens 47 as in the present embodiment, the optical axis shift is relatively small, and the trouble of resetting the position information can be saved. There is also a possibility.

（４）レーザ照射機構の他の実施形態
図１２は、上記レーザ照射機構４０の他の実施形態を示している。この形態では、上記一実施形態でのＸ方向調整ミラー４４と角度調整ミラー４５を１つのミラー（ここでは角度調整ミラー４５と称することにする）で構成している。換言すると、角度調整ミラー４５がＸ方向調整ミラー４４を兼用している。このため、Ｘ方向調整ミラー４４が省略される。 (4) Other Embodiments of Laser Irradiation Mechanism FIG. 12 shows another embodiment of the laser irradiation mechanism 40. In this embodiment, the X-direction adjusting mirror 44 and the angle adjusting mirror 45 in the above-described embodiment are configured by one mirror (herein referred to as the angle adjusting mirror 45). In other words, the angle adjustment mirror 45 also serves as the X direction adjustment mirror 44. For this reason, the X direction adjustment mirror 44 is omitted.

図１２に示すように、発振器４２から発せられたレーザ光線ＬはＹ方向調整ミラー４３に入射するが、この形態ではＹ方向調整ミラ４３ーに入射したレーザ光線ＬはＸ１方向に反射し、角度調整ミラー４５に直接入射する。そして、角度調整ミラー４５に入射したレーザ光線Ｌは下方に反射されてウェーハ１に照射される。   As shown in FIG. 12, the laser beam L emitted from the oscillator 42 is incident on the Y-direction adjusting mirror 43. In this embodiment, the laser beam L incident on the Y-direction adjusting mirror 43- is reflected in the X1 direction, and the angle The light directly enters the adjustment mirror 45. Then, the laser beam L incident on the angle adjusting mirror 45 is reflected downward and applied to the wafer 1.

角度調整ミラー４５を回転移動可能に支持する上記回転移動部４５１は、筐体４１に固定されたＸ方向移動部４５７のＸ２側の側面に、上下方向（Ｚ方向）に直線的に移動可能に支持されている。そして回転移動部４５１は、Ｘ方向移動部４５７に設けられたＸ方向調整ダイヤル４５８をつまんで回転させることにより、矢印Ｅに示すように上下方向に移動するようになっている。   The rotational movement unit 451 that supports the angle adjustment mirror 45 so as to be capable of rotational movement is linearly movable in the vertical direction (Z direction) on the side surface on the X2 side of the X-direction movement unit 457 fixed to the housing 41. It is supported. The rotational movement unit 451 moves in the vertical direction as indicated by an arrow E by pinching and rotating the X direction adjustment dial 458 provided in the X direction movement unit 457.

Ｘ方向調整ダイヤル４５８は、図示はしないが筐体４１の上面から上方に突出して外部に露出しており、筐体４１の外部から操作可能とされている。Ｘ方向調整ダイヤル４５８によって回転移動部４５１を上下方向に移動させることにより、角度調整ミラー４５が回転移動部４５１と一体に上下方向に移動する。これにより、角度調整ミラー４５によるレーザ光線ＬのＸ方向の反射位置が調整され、結果としてウェーハ１へのレーザ光線ＬのＸ方向の照射位置が調整される。   Although not shown, the X-direction adjustment dial 458 protrudes upward from the upper surface of the housing 41 and is exposed to the outside, and can be operated from the outside of the housing 41. By moving the rotational movement unit 451 in the vertical direction by the X direction adjustment dial 458, the angle adjustment mirror 45 moves in the vertical direction integrally with the rotational movement unit 451. Thereby, the reflection position of the laser beam L in the X direction by the angle adjustment mirror 45 is adjusted, and as a result, the irradiation position of the laser beam L on the wafer 1 in the X direction is adjusted.

この実施形態では、先の一実施形態におけるＸ方向調整ミラー４４が省略されてミラーの数が削減され、構成の簡素化、コスト低減などが図られるといった利点がある。   In this embodiment, there is an advantage that the X-direction adjusting mirror 44 in the previous embodiment is omitted, the number of mirrors is reduced, the configuration is simplified, and the cost is reduced.

１…半導体ウェーハ（ワーク）
１０…レーザ加工装置
２０…ＸＹ移動テーブル
２１４…Ｘ軸駆動機構（加工送り機構）
３０…チャックテーブル（保持機構）
４０…レーザ照射機構
４１…筐体
４２…発振器
４３…Ｙ方向調整ミラー（割出し送り方向調整ミラー）
４３１…Ｙ方向移動部（割出し送り方向移動部）
４４…Ｘ方向調整ミラー（加工送り方向調整ミラー）
４４１…Ｘ方向移動部（加工送り方向移動部）
４５…角度調整ミラー
４５１…回転移動部
４７…集光レンズ
４８…光軸確認部
４８２…蛍光板
４８３…撮像部
４８４…固定部
Ｌ…レーザ光線 1 ... Semiconductor wafer (work)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser processing apparatus 20 ... XY movement table 214 ... X-axis drive mechanism (machining feed mechanism)
30 ... Chuck table (holding mechanism)
40 ... Laser irradiation mechanism 41 ... Case 42 ... Oscillator 43 ... Y direction adjusting mirror (index feed direction adjusting mirror)
431 ... Y direction moving part (index feed direction moving part)
44 ... X direction adjustment mirror (processing feed direction adjustment mirror)
441 ... X direction moving part (machining feed direction moving part)
45 ... Angle adjustment mirror 451 ... Rotating / moving part 47 ... Condensing lens 48 ... Optical axis confirmation part 482 ... Fluorescent screen 483 ... Imaging part 484 ... Fixed part L ... Laser beam

Claims (1)

ワークを保持する保持機構と、該保持機構に保持されたワークにレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ照射機構と、前記保持機構と前記レーザ照射機構とを加工送り方向に相対的に移動させる加工送り機構と、を有するレーザ加工装置であって、
前記レーザ照射機構は、
レーザ光線を発する発振器と、該発振器から発せられたレーザ光線を前記保持機構に保持されたワークへ向けて集光する集光レンズと、前記ワークの表面に照射されたレーザ光線の照射位置および照射角度を調整する光軸調整手段と、を備え、
前記光軸調整手段は、
レーザ光線の前記照射位置における前記加工送り方向の位置を調整する加工送り方向調整ミラーと、該加工送り方向調整ミラーを直線的に移動させる加工送り方向移動部と、レーザ光線の前記照射位置における前記加工送り方向と直交する割出し送り方向の位置を調整する割出し送り方向調整ミラーと、該割出し送り方向調整ミラーを直線的に移動させる割出し送り方向移動部と、レーザ光線の前記照射角度を調整する角度調整ミラーと、該角度調整ミラーを回転移動させる回転移動部と、着脱自在にセットされ、前記角度調整ミラーにより反射して前記ワークに照射されるレーザ光線が透過するとともに該ワークからの反射光が照射される蛍光板を有し、該蛍光板で発光するレーザ光線の照射光と該ワークからの反射光の発光点に基づいて前記照射角度を確認する光軸確認部と、を備え、
前記光軸確認部は、前記蛍光板からの発光を撮像して、前記角度調整ミラーで反射したレーザ光線による発光点と前記ワークで反射したレーザ光線による発光点とが一致するか否かを確認可能とする撮像部を備える
ことを特徴とするレーザ加工装置。 A holding mechanism that holds the workpiece, a laser irradiation mechanism that performs laser processing by irradiating the workpiece held by the holding mechanism with a laser beam, and the holding mechanism and the laser irradiation mechanism are relatively moved in the processing feed direction. A laser processing apparatus having a processing feed mechanism
The laser irradiation mechanism is
An oscillator that emits a laser beam, a condensing lens that condenses the laser beam emitted from the oscillator toward the workpiece held by the holding mechanism, and an irradiation position and an irradiation of the laser beam irradiated on the surface of the workpiece An optical axis adjusting means for adjusting the angle,
The optical axis adjusting means is
A machining feed direction adjusting mirror that adjusts the position of the machining feed direction at the irradiation position of the laser beam; a machining feed direction moving unit that linearly moves the machining feed direction adjustment mirror; and the laser beam at the irradiation position of the laser beam. An indexing feed direction adjusting mirror that adjusts the position of the indexing feed direction orthogonal to the machining feed direction, an indexing feed direction moving unit that linearly moves the indexing feed direction adjusting mirror, and the irradiation angle of the laser beam An angle adjustment mirror that adjusts the angle, a rotational movement unit that rotates and moves the angle adjustment mirror, and a laser beam that is reflected by the angle adjustment mirror and applied to the workpiece is transmitted and transmitted from the workpiece. The fluorescent plate is irradiated with the reflected light of the laser beam, based on the irradiation light of the laser beam emitted from the fluorescent plate and the emission point of the reflected light from the workpiece With the optical axis confirmation unit for confirming the serial irradiation angle, a,
The optical axis confirmation unit can pick up an image of light emitted from the fluorescent plate and confirm whether or not the light emission point by the laser beam reflected by the angle adjusting mirror matches the light emission point by the laser beam reflected by the workpiece. A laser processing apparatus comprising: an imaging unit .
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JP6071641B2 (en) * 2013-02-27 2017-02-01 三菱重工業株式会社 Processing device, processing method
JP5364856B1 (en) 2013-02-27 2013-12-11 三菱重工業株式会社 Processing device, processing method
CN107598397A (en) * 2016-08-10 2018-01-19 南京魔迪多维数码科技有限公司 The method of cutting brittle material substrate
CN109877446B (en) * 2018-12-21 2020-07-31 中国科学院西安光学精密机械研究所 Method for detecting and adjusting pointing accuracy of laser beam
JP7165089B2 (en) * 2019-03-28 2022-11-02 株式会社マキタ laser marking machine

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01154892A (en) * 1987-12-10 1989-06-16 Fanuc Ltd Beam bender for laser beam machining
JPH0825073A (en) * 1994-07-07 1996-01-30 Araco Corp Laser beam machine and method for adjusting optical axis in the same
JPH10326922A (en) * 1997-05-26 1998-12-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method and device for visualizing laser beam
JP2000035525A (en) * 1998-07-17 2000-02-02 Nec Corp Optical axis adjusting method of optical fiber
JP2000208850A (en) * 1999-01-19 2000-07-28 Sumitomo Heavy Ind Ltd Mirror angle automatic control method and device of laser oscillator
JP3222430B2 (en) * 1999-01-20 2001-10-29 ファナック株式会社 Laser processing apparatus and adjustment method
JP4923459B2 (en) * 2005-07-19 2012-04-25 日産自動車株式会社 Laser welding apparatus and laser welding system
JP2008055436A (en) * 2006-08-29 2008-03-13 Sharp Corp Laser beam irradiation device
JP5318340B2 (en) * 2006-10-20 2013-10-16 日油技研工業株式会社 Radiation beam confirmation method
JP2008126252A (en) * 2006-11-17 2008-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd Laser beam machining apparatus

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