JP5679405B2 - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第一実施形態に係る電子デバイス1の模式的な縦断面図である。電子デバイス1は、表面に窪み4が形成された絶縁基板2と、窪み4の底面から絶縁基板2の裏面に貫通する2つの貫通孔3a、3bに充填された貫通電極6a、6bと、窪み4に収納され、ダイボンディング材10を介して実装された電子部品7と、絶縁基板2の裏面に形成された裏面電極8a、8bと、窪み4を外部から密閉する封止部9と、から構成されている。
図2は本発明の第二実施形態に係る電子デバイス1の模式的な縦断面図である。本第二実施形態では電子部品7としてLEDを用い、LEDから発光した光を基板上方向への指向性を有する光として射出することができる。図1と同一の部分または同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
2 絶縁基板
3a、3b 貫通孔
4 窪み
5a、5b 導電性膜
6a、6b 貫通電極
7 電子部品
8a、8b 裏面電極
9 封止部
Claims (3)
- 表面に窪みを有し、前記窪みの底面から裏面に貫通する貫通孔が形成された絶縁基板と、
前記貫通孔に充填され、ナノ金属粒子と10μm以下の平均粒径導電性フィラーを混合した金属ペーストの熱処理により形成された貫通電極と、
前記窪みに収納され、前記貫通電極に電気的に接続される電子部品と、
前記電子部品を封止する封止部と、を備え、
前記貫通孔の側壁面には導電性膜が形成され、前記貫通電極は前記導電性膜に接して充填され、
前記金属ペーストにおける前記10μm以下の平均粒径導電性フィラーの配合比率を30〜50%とし、前記金属ペーストの金属含有率を90%以上としたことを特徴とする電子デバイス。 - 前記金属ペーストは、ナノ銀粒子と銀フィラーとを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。
- 絶縁基板の表面に窪みを形成し、前記窪みの底面から前記絶縁基板の裏面に貫通する貫通孔を形成する準備工程と、
前記貫通孔にナノ金属粒子と10μm以下の平均粒径導電性フィラーとを混合した金属ペーストであって、前記金属ペーストにおける前記10μm以下の平均粒径導電性フィラーの配合比率を30〜50%とした前記金属ペーストを充填し、熱処理を施して貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
電子部品を前記窪みの底面に実装する実装工程と、
前記電子部品を封止する封止部を形成する封止工程と、を備え、
前記貫通電極形成工程の前に、
前記貫通孔の側壁面に、1μm〜3μmのガラスフリットと、
ナノ金属粒子、又は金属、又はナノ金属粒子と金属のうちの何れかを混合したペーストを塗布し、熱処理を施して前記側壁面に導電性膜を形成する導電性膜形成工程を更に備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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