JP5678874B2 - Iii−v族化合物半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、基板の表面に、III−V族化合物半導体を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加された中間層を形成する、中間層形成工程と、形成した中間層の表面にIII−V族化合物半導体を形成する、半導体形成工程と、を有する、III−V族化合物半導体の製造方法である。
分子線フラックス :IV族固体原料Ge 1.33×10−6Pa
V族固体原料 P 1.33×10−6Pa
基板21の加熱温度 :500℃
バックグラウンド圧力:1.33×10−8Pa
このような条件で中間層を形成したら、例えば、III族固体原料としてIn及びGaを用いることにより、MBE装置20を用いて、中間層の表面にIII−V族化合物半導体(InGaP)を形成することができる。このようにして中間層を形成することにより、中間層に添加される元素の添加量を、中間層の厚さ方向へ一定に保つことが可能になる。また、中間層の厚さを制御することにより、III−V族化合物半導体からの拡散を抑制することができる。
1…III−V族化合物半導体
2…中間層
3…基板
10…CVD装置
11…基板
12…試料台
13…試料室
14、15、17…ボンベ
14x、15x、17x…圧力調整器
14y、15y、17y、19y…流量調整器
14z、15z、16z、17z、19z…バルブ
14p、15p、16p、17p、19p…配管
16…容器
18…減圧ポンプ
20…MBE装置
21…基板
22…試料台
23…試料室
24…減圧ポンプ
25、26、27…セル
25s、26s、27s…シャッター
30…イオン注入装置
31…イオン源
32…質量分析部
33…スリット
34…加速器
35…収束レンズ
36…基板
37…ビーム走査部
38…試料室
Claims (4)
- 基板の表面に、III−V族化合物半導体を構成すべきV族元素が前記基板の構成元素に固溶限界まで添加された中間層を形成する、中間層形成工程と、
形成した前記中間層の表面に前記III−V族化合物半導体を形成する、半導体形成工程と、を有し、
前記V族元素に、As、及び、Pからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれる、III−V族化合物半導体の製造方法。 - 前記基板がIV族半導体基板であり、前記基板に、Ge、Si、及び、Cからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれる、請求項1に記載のIII−V族化合物半導体の製造方法。
- 前記III族元素に、Ga、In、及び、Alからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれる、請求項1又は2に記載のIII−V族化合物半導体の製造方法。
- 前記中間層形成工程において形成される前記中間層には、さらに、前記III−V族化合物半導体を構成すべきIII族元素が前記基板の構成元素に固溶限界まで添加される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のIII−V族化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011273323A JP5678874B2 (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | Iii−v族化合物半導体の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013125833A JP2013125833A (ja) | 2013-06-24 |
JP5678874B2 true JP5678874B2 (ja) | 2015-03-04 |
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ID=48776919
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JP2011273323A Active JP5678874B2 (ja) | 2011-12-14 | 2011-12-14 | Iii−v族化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5678874B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51126048A (en) * | 1975-01-31 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Hetero epitaxial growth method of iii-v group semi-conductors |
JPS6419715A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Toshiba Corp | Growth method for semiconductor thin-film |
JPH08236453A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-09-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 化合物半導体の結晶成長方法 |
JP3592922B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2004-11-24 | 京セラ株式会社 | 化合物半導体基板 |
JP4102554B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2008-06-18 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP5378128B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2013-12-25 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびiii族窒化物電子デバイス用エピタキシャル基板 |
-
2011
- 2011-12-14 JP JP2011273323A patent/JP5678874B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013125833A (ja) | 2013-06-24 |
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