JP5677583B2

JP5677583B2 - 有機エレクトロルミネセンスデバイス及びその製造方法

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Publication number: JP5677583B2
Application number: JP2013540208A
Authority: JP
Inventors: ジョウ、ミンジエ; ワン、ピン; フアン、フイ; チェン、ジシン
Original assignee: ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司
Priority date: 2010-11-26
Filing date: 2010-11-26
Publication date: 2015-02-25
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Description

本発明は、エレクトロルミネセンスデバイス技術分野に属し、特に有機エレクトロルミネセンスデバイス及びその製造方法に関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の発光原理は、印加電界の作用で、電子が陰極から有機物の最低空準位（ＬＵＭＯ)に注入され、正孔が陽極から有機物の最高被占準位（ＨＯＭＯ)に注入されることに基づく。電子と正孔が発光層で出会い、再結合、励起子を形成する。当該励起子が電界の作用下で遷移し、エネルギーを発光材料に伝達し、電子が励起され、基底状態から励起状態に遷移する。励起状態のエネルギーが輻射される。これにより電子は失活し、光子を発生し、光量を放出する。正孔と電子の伝達スピードが一致しないため（正孔伝達スピードは１０^−３−１０^−４ｃｍ^２Ｖ^−１s^−１であり、電子の伝達スピードは１０^−５−１０^−６ｃｍ^２Ｖ^−１s^−１である)、電子−正孔の再結合確率が低くなり、デバイスの輝度と効率を向上させることが出来なくなるので、電子と正孔の再結合確率を効率よく向上させるため、電子の注入効率と伝達スピードを改善し、キャリヤーのバランスを取り、再結合区域をコントロールしなければならない。これにより、理想的な発光輝度と発光効率を獲得することができる。一般的にデバイスの中に電子注入層を挿入して電子の注入効率を改善する。このようなデバイスの構造は、有機機能層と陰極の優れた接着特性を確保し、また、金属陰極からの電子が有機機能薄膜に注入されやすくすることもできる。

しかし、当該方法は電子の注入数量をある程度しか向上できないし、電子伝達材料の伝達スピードは正孔伝達スピードより１−２桁低いため、正孔が電子より先に発光層に到達し、発光層に到達した正孔の数量が電子のより多くなり、正孔が発光層と機能層の界面に蓄積し、各種発光に不利な現象が発生する。例えば、正孔が発光層を透過し、電極にクエンチングされ、正孔の数量が電子の数量より多くなり、再結合確率が低くなることなどが挙げられる。

従って、本発明は、有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供し、従来の技術にある発光構造中で正孔と電子の数量が一致しないことにより有機エレクトロルミネセンスデバイスの発光性能が低くなる技術問題を解決することを目的とする。

本発明は、下記のように実現される。

陽極と、前記陽極に向かい合う陰極及び前記陽極と陰極の間に配置された発光構造とを備える有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、前記陽極と発光構造の間に配置され、また前記陽極に付着し、前記陽極からの正孔注入を抑制する絶縁層を更に備えており、前記絶縁層の材質はシュウ酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、硫化リチウム、亜硝酸リチウム、チタン酸リチウム、リン酸鉄(ＩＩ)リチウム、リン酸鉄リチウムのいずれか、から選ばれ、厚さが０．５乃至５ナノメートルであることを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイス。

本発明は、さらに、有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法を提供しており、製造方法は、下記の工程を備える。

導電ベースにホトエッチング処理を行い、洗浄して清浄になった後、前記導電ベースに対して酸素プラズマ処理又はＵＶ−オゾン処理を行って陽極を作製し、前記酸素プラズマ処理時間は５乃至１５分であり、パワーは１０−５０Ｗであり、前記ＵＶ−オゾン処理時間は５−２０分である。

前記陽極にシュウ酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、硫化リチウム、亜硝酸リチウム、チタン酸リチウム、リン酸鉄(ＩＩ)リチウム、リン酸鉄リチウムのいずれか、から成る絶縁層を作製し、該絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルである。

前記陽極に発光構造を作製する。

前記発光構造に陰極を作製し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極に絶縁層を作製することによって、正孔を陽極から発光構造に注入するスピードを抑え、陽極から発光構造に注入された正孔の数量を減らし、発光構造における正孔と電子の数量の一致性を向上させ、正孔と電子の再結合確率を大幅に高め、余計な正孔がデバイスの発光性能に与える影響を抑え、有機エレクトロルミネセンスデバイスの発光性能を大幅に向上させる。本発明の製造方法は、操作が簡単であり、コストが低く、工業化生産に適合する。

本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの模式図である。本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの実施方式の模式図である。本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの実施方式の模式図である。本発明の実施例と比較例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの輝度と電圧の関係図である。本発明の実施例の製造方法のフローチャートである。

本発明の目的や技術方案、長所などを明らかにするために、添付図面及び実施例を参照して本発明について以降で詳しく説明する。本文で述べられた詳細実施例は本発明を説明するだけであり、本発明の特許範囲を詳細実施例のように制限するのではない。

図１を参照する。図１は本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造を示す。当該有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極１と、陽極１に向かい合う陰極２及び陽極１と陰極２の間に配置された発光構造３とを備えており、当該有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極１と発光構造３の間に配置されまた陽極１に付着する絶縁層４を更に備えており、絶縁層４の材質はリチウム塩化合物であり、厚さは０．５乃至５ナノメートルである。

本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極にリチウム塩化合物の絶縁層が附着され、当該絶縁層は、陽極から発生された正孔を発光構造に注入することを阻み、正孔の転送スピードを抑え、発光構造における正孔と電子の数量の一致性を実現し、正孔と電子の再結合確率を大幅に高め、発光構造における電子と再結合しない正孔が有機エレクトロルミネセンスデバイスの発光効率に与える何かの影響を有効的に減らし、エレクトロルミネセンスデバイスの発光効率を大幅に向上させる。

具体的には、当該発光構造３が発光層３１と、当該発光層３１と絶縁層４の間の正孔伝達層３２及び／又は正孔注入層３３とを備えており、その中、正孔伝達層３２と正孔注入層３３が同時に存在すれば、当該正孔注入層３３が当該正孔伝達層３２と絶縁層４の間に配置される。

更に、当該発光構造３は、発光層３１と陰極２の間に配置された電子注入層３５と電子伝達層３４を備えており、その中、電子伝達層３４と電子注入層３５が同時に存在すれば、当該電子注入層３５が電子伝達層３４と陰極２の間に配置される。

図２と図３を参照する。図２は本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイス構造の一種の実施方式を示す。陽極１と、当該陽極１に向かい合う陰極２、当該陽極１と陰極２の間の発光構造３及び当該陽極１と発光構造３の間に配置され、また当該陽極１に附着された絶縁層４を備えており、当該発光構造３は、発光層３１と、発光層３１と絶縁層４の間に配置された正孔伝達層３２及び当該発光層３１と陰極２の間に配置された電子伝達層３４とを備える。

図３は、本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイス構造のもう一種の実施方式を示す。陽極１と、当該陽極１に向かい合う陰極２、当該陽極１と陰極２の間の発光構造３及び当該陽極１と発光構造３の間に配置され、また、当該陽極１に附着された絶縁層４とを備える。当該発光構造３は、発光層３１と、発光層３１と絶縁層４の間に配置された正孔伝達層３２、当該正孔伝達層３２と絶縁層４の間に配置された正孔注入層３３、当該発光層３１と陰極２の間に配置された電子伝達層３４、当該電子伝達層３４と陰極の間の電子注入層３５とを備える。

有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造については、その他の同様な構造でもよく、以上に説明した実施方式に制限するのではない。

具体的には、当該陽極は導電ベース、即ち、導電ガラス、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ)ガラス、フッ素入り酸化スズ（ＦＴＯ)ガラス、アルミニウム入り酸化亜鉛（ＡＺＯ)ガラス又はインジウム入り酸化亜鉛（ＩＺＯ）ガラスである。当該絶縁層は、陽極に附着し、当該絶縁層の材質はリチウム塩化合物である。Ｌｉ^＋は、陽極と発光構造の有機層の界面における有機層の一方の表面に吸着しやすい。有機層界面におけるＬｉ^＋によって、バルク層双極子モーメントが形成するように分子が配向するので、真空エネルギーレベルの相殺現象が発生し、接触面の電極の仕事関数が下がり、正孔が陽極から発光構造に注入されるスピードが抑えられ、正孔の注入数量が抑えられる。正孔の注入数量が抑えられることによって、発光構造において正孔と電子とが再結合する確率が高められ、デバイスの発光性能が向上する。一方、リチウムイオンが発生したバルク相双極子モーメント、また、陽極の金属イオンが発光構造に蔓延することを抑制し、電極と発光構造の間に良好な界面特性をもたらす。これにより、デバイスの劣化を遅らせ、デバイスの安定性を向上させることができる。

具体的には、当該リチウム塩化合物は、リチウムイオンの化合物を含有することを示唆し、具体的な制限はない、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ)や、塩化リチウム（ＬｉＣｌ)、臭化リチウム、ヨウ化リチウムなどのリチウムハライド、炭酸リチウム（Ｌｉ_２ＣＯ_３)や、シュウ酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、硫化リチウム、亜硝酸リチウム、チタン酸リチウム、リン酸鉄(ＩＩ)リチウム、リン酸鉄リチウムなどのリチウムとオキシ酸基イオンから構成されたオキシ酸リチウム塩化合物及び窒化リチウム（Ｌｉ_３Ｎ)、又は酸化リチウム（ＬｉＯ_２)及びその他リチウムの有機化合物又はリチウムの無機化合物を挙げられる。

当該絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルであり、好ましくは０．７−２ナノメートルであり、更に好ましくは０．７−１ナノメートルである。当該絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルの範囲に限定されることによって、正孔の伝送を阻む作用が発生し、一方、全て正孔の伝送を阻むことができない。

具体的に述べる。

正孔注入層の材質は三酸化モリブデン（ＭｏＯ_３)、三酸化タングステン（ＷＯ_３)又はＶＯｘである。

正孔伝達層の材質はＮ、Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン（ＴＰＤ)、Ｎ、Ｎ’、−(１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’、−ジフェニル−４，４’、−ビフェニルジアミン（ＮＰＢ)、１，３，５−トリフェニルベンゼン（ＴＤＡＰＢ)、又はフタロシアニン銅ＣｕＰｃである。

発光層の材質はテトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ)、４−(ジシアノメチレン）−２−ブチル−６−(１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−ビニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ)、９，１０−ジ−β−ナフタレニルアンスラセン（ＡＮＤ)、ジ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリニウム）−(４−ジフェノ）アルミニウム（ＢＡＬＱ)、４−(ジベンゾエートメチレン）−２−イソプロピル−６−(１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−ビニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＩ)、ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ)又は８−ヒドロキシキノリニウムアルミニウム（Ａｌｑ_３)である。

電子伝達層の材質は２−(４−ビフェニルイル）−５−(４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ)、８−ヒドロキシキノリニウムアルミニウム（Ａｌｑ_３)、２，５−ジ(１−ナフチル)−１，３，４−ジアゾール（ＢＮＤ)、１，２，４−トリアゾール派生物（例えば、ＴＡＺ)、Ｎ−アリールベンズイミダゾール（ＴＰＢＩ)又はテトラフェニルキノキサリン（ＴＰＱ）派生物である。

電子注入層の材質はＣｓ_２ＣＯ_３、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２又はＮａＦである。

金属陰極の材質は銀（Ａg)、アルミニウム（Ａｌ)又は金（Ａｕ)である。

正孔注入層、正孔伝達層、発光層、電子伝達層、電子注入層及び陰極が、蒸着又はスパッタリング、メタライジング、化学蒸発堆積、電化学方式などの方法やその他の方法を採用して、必要に応じて作製され、有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造が作製される。例えば、図２で表す有機エレクトロルミネセンスデバイスを作製する場合、まず、導電ガラス（陽極）に絶縁層を作製した後、絶縁層に正孔注入層を作製し、正孔注入層に正孔伝達層を作製し、正孔伝達層に発光層を作製し、発光層に電子伝達層を作製し、電子伝達層に電子注入層を作製し、最後に電子注入層に陰極を作製する。

図５を参照する。図５は本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法であり、下記のような工程を含む。

工程Ｓ０１において、陽極を作製する。

導電ベースにホトエッチング処理を行い、洗浄して清浄になった後、導電ベースに対して酸素プラズマ処理又はＵＶ−オゾン処理を行って陽極を作製する。酸素プラズマ処理時間は５乃至１５分であり、パワーは１０−５０Ｗであり、ＵＶ−オゾン処理時間は５−２０分である。

工程Ｓ０２において、絶縁層を作製する。

陽極にリチウム塩化合物の絶縁層を作製する。リチウム塩化合物の絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルである。

工程Ｓ０３において、発光構造を作製する。

陽極に発光構造を作製する。

工程Ｓ０４において、陰極を作製し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

当該発光構造に陰極を作製し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

更に、本発明の実施例の製造方法は、正孔注入層と、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層を作製する工程を含む。正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層の材質及び作製方法は、前述と同様であるので、ここで詳しく説明しない。

具体的には、工程Ｓ０１中、陽極を作製するのは、導電ベースを処理する工程である。まず、導電ベースにホトエッチング処理を行い、必要なサイズに裁断し、清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、ベース表面の有機汚染物を除去する。その後、導電ガラスにプラズマイオン処理又はオゾン処理、例えば、酸素プラズマ処理又はＵＶ−オゾン処理を行う。その中、酸素プラズマ処理の時間は５−１５分であり、パワーは１０−５０Ｗであり、ＵＶ−オゾン処理の時間は５−２０分である。プラズマイオン又はオゾン処理により、導電ベース表面の粗度と接触角を小さくでき、導電ベース表面の湿潤性と吸着性を改善する表面処理によって、更に導電ベース表面の有機汚染物を除去することができる。これにより、有機層との結合を強め、表面仕事関数を増加させる。当該導電ベース、即ち導電ガラスは前述と同様であるので、ここで詳しく説明しない。

工程Ｓ０２には、蒸着又はスパッタリング、メタライジング、化学蒸発堆積、電化学方式等の方法やその他の方法を採用でき、好ましくは真空蒸着法である。リチウム塩化合物絶縁層の作製過程では、当該絶縁層の厚さの形成スピードは０．０１−０．０５ｎｍ／ｓである。その中、リチウム塩化合物は前述と同様であるので、ここで詳しく説明しない。

本発明の実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスは、陽極に絶縁層を設置することで、正孔を陽極から発光構造に注入するスピードを抑え、発光構造における正孔と電子の数量の一致性を確保し、正孔と電子の再結合確率を大幅に高め、余計な正孔がデバイスの発光性能に与える影響を抑制する。

具体的には、工程Ｓ０２で発光構造を作製し、工程Ｓ０３で陰極を作製することは上述と同様であるので、ここで詳しく説明しない。

本発明の有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法は、操作が簡単であり、コストが低く、工業化生産に適合する。

以下、具体的な実施例を用いて、本発明の製造方法について詳しく説明する。

実施例１
ＩＴＯガラスにホトエッチング処理を行い、必要な発光面積に裁断し、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理して、ガラス表面の有機汚染物を除去し、洗浄清浄になった後、それに対して酸素プラズマ処理を行い、酸素プラズマ処理時間は５分であり、パワーは３５Ｗであり、陽極を作製する。

陽極に厚さが１．０ナノメートルであるフッ化リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０２ナノメートル／秒である。

当該フッ化リチウム絶縁層に三酸化モリブデンの正孔注入層を蒸着形成する。

当該トリ酸化モリブデン正孔注入層にＮ、Ｎ’−(１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンである正孔伝達層を蒸着形成する。

当該正孔伝達層に８−ヒドロキシキノリニウムアルミニウムの発光層を蒸着形成する。

当該発光層に２−(４−ビフェニルイル）−５−(４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾールの電子伝達層を蒸着形成する。

当該電子伝達層にＣｓＦの電子注入層を蒸着形成する。

当該電子注入層に成金材質の陰極を蒸着形成し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

比較例
比較例の有機エレクトロルミネセンスデバイスでは、陽極に絶縁層がない以外、その他の構造は実施例１と同様である。

図４を参照する。図４は、本発明の実施例と比較例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの輝度と電圧の関係を示す図である。その中、電圧が６Ｖである時、ＬｉＦの絶縁層を備えたデバイスの輝度は２７７３ｃｄ／ｃｍ^２であり、絶縁層を備えない普通のデバイスの輝度は２２６３ｃｄ／ｃｍ^２である。これは、ＬｉＦの絶縁層により、正孔の注入が部分的に抑えられ、正孔注入のスピードが緩められ、正孔−電子の再結合確率が著しく向上したので、デバイスの輝度が向上したことを示す。

実施例２
ＩＴＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが３５Ｗである酸素プラズマ処理を５分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが１．５ナノメートルであるＬｉＦ絶縁層を真空メタライジングする。絶縁層の形成スピードは０．０１ナノメートル／秒である。

ＬｉＦ絶縁層に三酸化モリブデンの正孔注入層をメタライジング形成する。

当該正孔注入層にテトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレンの発光層をメタライジング形成する。

当該発光層に銀材質の陰極をメタライジング形成し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

本実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造と、輝度と電圧関係は、実施例１と同様であるので、ここで詳しく説明しない。

実施例３
ＦＴＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、パワーが１０ＷであるＵＶ−オゾン処理を１５分更に行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが０．５ナノメートルである硝酸リチウム絶縁層を真空スパッタリングする。絶縁層の形成のスピードは０．０２ナノメートル／秒である。

当該硝酸リチウム絶縁層にＮ、Ｎ’−(１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンの正孔伝達層をスパッタリング形成する。

当該正孔伝達層に９，１０−ジ−β−ナフタレニルアンスラセンの発光層をスパッタリング形成する。

当該発光層に８−ヒドロキシキノリニウムアルミニウムの電子伝達層をスパッタリング形成する。

当該電子伝達層にＬｉＦの電子注入層をスパッタリング形成する。

当該電子注入層にアルミニウム材質の陰極をスパッタリング形成し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

本実施例の有機エレクトロルミネセンスデバイスの構造と、輝度と電圧の関係は、実施例１と同様であるので、ここで詳しく説明しない。

実施例４
ＩＺＯガラスにホトエッチングし、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更に、パワーが５０ＷであるＵＶ−オゾン処理を５分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが１０ナノメートルであるシユウ酸リチウム絶縁層を真空スパッタリングする。絶縁層の形成のスピードは０．０５ナノメートル／秒である。

当該シュウ酸リチウム絶縁層に１，３，５−トリフェニルベンゼンの正孔伝達層をスパッタリング形成する。

当該正孔伝達層にジ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリニウム）−(４−ジフェノ）アルミニウムの発光層をスパッタリング形成する。

当該発光層にＣｓＦの電子注入層をスパッタリング形成する。

実施例５
ＡＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが４５ＷであるＵＶ−オゾン処理を６分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが９ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空スパッタリングする。絶縁層の形成のスピードは０．０５ナノメートル／秒である。

当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層をスパッタリング形成する。

当該正孔注入層にフタロシアニン銅の正孔伝達層をスパッタリング形成する。

当該正孔伝達層に４−(キノリニウム）−２−イソプロピル−６−(１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−ビニル）−４Ｈ−ピランの発光層をスパッタリング形成する。

当該発光層にＮ−アリールベンズイミダゾールの電子伝達層をスパッタリング形成する。

当該電子伝達層にＣｓＦの電子注入層をスパッタリング形成する。

実施例６
ＩＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが３５Ｗである酸素プラズマ処理を８分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さは７ナノメートルのチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０３５ナノメートル／秒である。

当該チタン酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。

当該正孔注入層にフタロシアニン銅の正孔伝達層を蒸着形成する。

当該正孔伝達層に４−(キノリニウム）−２−イソプロピル−６−(１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−ビニル）−４Ｈ−ピランの発光層を蒸着形成する。

当該発光層にＮ−アリールベンズイミダゾールの電子伝達層を蒸着形成する。

当該電子伝達層にＣｓＦの電子注入層を蒸着形成する。

当該電子注入層にアルミニウム材質の陰極を蒸着形成し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

実施例７
ＩＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーは３０Ｗである酸素プラズマ処理を１３分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さは６ナノメートルのチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０３ナノメートル／秒である。

当該電子伝達層にアルミニウム材質の陰極を蒸着形成し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得る。

実施例８
ＩＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが２５Ｗである酸素プラズマで１４分処理し、陽極を作製する。

陽極に厚さが５ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層形成のスピードは０．０２５ナノメートル／秒である。

当該電子伝達層にＣｓＦの電子注入層を蒸着形成する。

実施例９
ＩＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが２０Ｗである酸素プラズマ処理を１５分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが４ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０２ナノメートル／秒である。

当該電子伝達層にＣｓＦの電子注入層を蒸着形成する。

実施例１０
ＩＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが１５Ｗである酸素プラズマ処理５分を行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが３ナノメートルであるチタン酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層の形成のスピードは０．０１５ナノメートル／秒である。

当該電子伝達層にＣｓＦの電子注入層を蒸着形成する。

実施例１１
ＩＺＯガラスにホトエッチングを行い、その後、順次に清浄剤と、脱イオン水と、アセトンと、エタノールと、イソプロピルアルコールとを用いて、それぞれ超音波で１５分処理し、更にパワーが１５Ｗである酸素プラズマ処理を５分行い、陽極を作製する。

陽極に厚さが０．７ナノメートルである炭酸リチウム絶縁層を真空蒸着する。絶縁層形成のスピードは０．０１５ナノメートル／秒である。

当該炭酸リチウム絶縁層に三酸化タングステンの正孔注入層を蒸着形成する。

当該電子伝達層にＣａＦ_２の電子注入層を蒸着形成する。

以上は、本発明の好ましい実施例だけであり、本発明の特許範囲をこのように制限するのではない。本発明の理念や原則を基づいて行った修正や同等取替え改善などは、いずれも同様な理由で本発明の特許保護範囲内にある。

１・・・陽極
２・・・陰極
３・・・発光構造
４・・・絶縁層
３１・・・発光層
３２・・・正孔伝達層
３３・・・正孔注入層
３４・・・電子伝達層
３５・・・電子注入層

Claims

陽極と、前記陽極に向かい合う陰極及び前記陽極と陰極の間に配置された発光構造とを備える有機エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、前記陽極と発光構造の間に配置され、また前記陽極に付着し、前記陽極からの正孔注入を抑制する絶縁層を更に備えており、前記絶縁層の材質はシュウ酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、硫化リチウム、亜硝酸リチウム、チタン酸リチウム、リン酸鉄(ＩＩ)リチウム、リン酸鉄リチウムのいずれか、から選ばれ、厚さが０．５乃至５ナノメートルであることを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイス。
前記絶縁層の厚さが０．５乃至２ナノメートルであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
前記絶縁層の厚さが０．７乃至１ナノメートルであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
前記発光構造は、発光層と、前記発光層と前記絶縁層の間に配置された正孔注入層及び／又は正孔伝達層とを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
前記発光構造は、前記発光層と陰極の間に配置された電子注入層及び／又は電子伝達層とを備えることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
導電ベースにホトエッチング処理を行い、洗浄して清浄になった後、前記導電ベースに対して酸素プラズマ処理又はＵＶ−オゾン処理を行って陽極を作製し、前記酸素プラズマ処理時間は５乃至１５分であり、パワーは１０−５０Ｗであり、前記ＵＶ−オゾン処理時間は５−２０分であり、
前記陽極にシュウ酸リチウム、硝酸リチウム、硫酸リチウム、硫化リチウム、亜硝酸リチウム、チタン酸リチウム、リン酸鉄(ＩＩ)リチウム、リン酸鉄リチウムのいずれか、から成る絶縁層を作製し、該絶縁層の厚さは０．５−５ナノメートルであり、
前記陽極に発光構造を作製し、
前記発光構造に陰極を作製し、有機エレクトロルミネセンスデバイスを得ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法。
前記絶縁層を作製する工程において、前記絶縁層の形成スピードは０．０１乃至０．０５ナノメートル／秒であることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
前記陽極の材質はインジウムスズ酸化物ガラス、フッ素入り酸化スズガラス、アルミニウム入り酸化亜鉛ガラス又はインジウム入り酸化亜鉛ガラスであることを特徴とする請求項６又は７に記載の製造方法。