JP5656502B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(第1特徴)凹部の形態は、中央部で深く、周縁部で浅いのが望ましい。中央部と周縁部の間の深さは、中央部から周縁部に向けて連続的に減少してもよく、段階的に変化してもよく、またそれらの組合せであってもよい。より好ましくは、凹部の最も深い部分が、第1半導体領域(例えば、カソード領域、ドレイン領域、コレクタ領域)の下方であるのが望ましい。
(第2特徴)下側半導体層に形成される高速エッチング層は、残部の下側半導体層よりもエッチング速度が速い層である。一例では、高速エッチング層は、残部の下側半導体層よりも結晶欠陥が多量に含まれる層であるのが望ましい。この高速エッチング層は、イオン注入技術を利用して、導電型に影響を与えないイオン、典型的には希ガスイオンを下側半導体層の表層部に注入することで形成するのが望ましい。
図1に半導体装置10を製造する方法のフロー図、図2〜図10にそのフロー図に沿って製造される半導体装置10の製造過程の断面図を模式的に示す。
(1)上記したように、逆バイアス時には、カソード領域42に高電圧が印加され、アノード領域44及び下側半導体層20に低電圧(典型的には接地電圧)が印加される。このため、カソード領域42とその下方の下側半導体層20の間の短い距離で大きな電圧を負担しなければならない。上記製造方法によると、カソード領域42の下方に確実に凹部66を形成することができる。このため、必要な場所に凹部66を確実に形成することができるので、歩留まり良く高耐圧な半導体装置10を製造することができる。
(2)上記製造方法によると、高速エッチング層22を利用することによって、横方向に広がった凹部66を形成することができる。例えば、高速エッチング層22が形成されていない場合、等方性のウェットエッチング技術を利用して横方向に広がった凹部66を形成しようとすると、その凹部66の深さも深くなる。凹部66の深さが深くなると、SOI基板50の剛性が弱くなるという問題がある。一方、上記製造方法では、高速エッチング層22を利用することによって、深さを浅く抑えながら横方向に広がった形態の凹部66を形成することができる。
(3)下記のシミュレーショで説明するように、凹部66が、中央部で深く、周縁部で浅い形態を有していると、凹部66の深さのバラツキに対して半導体装置10の耐圧変動が小さいという特徴を有する。上記製造方法では、等方性のウェットエッチング技術を利用して凹部66を形成しているので、中央部で深く、周縁部で浅い凹部66を形成することができる。したがって、上記製造方法によって製造される半導体装置10は、凹部66の深さのバラツキに対して耐圧変動が小さいという特徴を有する。
(4)上記製造方法では、凹部66内を空洞としているが、これに代えて、例えば凹部66内にシリカビーズを充填してもよい。シリカビーズは、例えばインクジェット技術を利用して、揮発性の液体に混合した状態でトレンチ62から凹部66内に供給してもよい。凹部66内にシリカビーズを充填することによって、SOI基板50の剛性を強くすることができる。
凹部66の形態が耐圧に及ぼす影響をシミュレーションにより検討した。図11及び図12に、シミュレーションに用いた凹部66の形態を示す。図11に示される凹部66は、カソード領域42とアノード領域44の間で深さが変化するものであり、カソード領域42の下方で深く、アノード領域44の下方で浅い形態を有する(以下、この形態をテーパ型という)。この凹部66の深さは、カソード領域42側からアノード領域44側に向けて連続的に減少する。図12に示される凹部66は、カソード領域42とアノード領域44の間で深さが一定のものである(以下、この形態を矩形型という)。なお、シミュレーションでは、下側半導体層20の不純物濃度が3.8×1018cm-3で固定されており、上側半導体層40の横方向の長さL40が40μmで固定されている。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
20:下側半導体層
22:高速エッチング層
30:埋込み絶縁層
40:上側半導体層
42:カソード領域
44:アノード領域
50:SOI基板
66:凹部
Claims (2)
- 半導体装置を製造する方法であり、
下側半導体層と埋込み絶縁層と上側半導体層が積層した積層体を準備し、上側半導体層と埋込み絶縁層を貫通するトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチを介して等方性エッチング材を供給し、前記下側半導体層の前記埋込み絶縁層と接する面の一部に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部形成工程に先立って、前記下側半導体層の前記埋込み絶縁層と接する面に、エッチング速度を高速化させるための高速エッチング層を形成する高速エッチング層形成工程と、を備える半導体装置の製造方法。 - 上側半導体層に電流の導通状態と非導通状態を制御する素子構造を形成する素子構造形成工程をさらに備えており、
前記素子構造は、非導通状態のときに高電圧が印加される第1半導体領域と、非導通状態のときに低電圧が印加される第2半導体領域を有しており、
前記第1半導体領域は、平面視したときに、前記凹部の中央部側に配置されており、
前記第2半導体領域は、平面視したときに、前記凹部の周縁部側に配置されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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