JP5634758B2 - チオフェン化合物、および該化合物を含有してなる有機トランジスタ - Google Patents

Description

本発明は、特定構造のチオフェン化合物、および該化合物を含有してなる有機トランジスタに関する。

従来、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いてなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、液晶表示装置などのフラットパネル表示用のスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコンを用いた薄膜トランジスタの作製に用いられるＣＶＤ装置は、高価であり、大型の薄膜トランジスタ素子の製造は、製造コストの増大を伴うという難点がある。
また、アモルファスシリコンや多結晶シリコンの成膜は、高温度下で実施されるため、基板としては、軽量で、フレキシビリティーではあるが、耐熱性に乏しいプラスチック材料などは使用できないという難点がある。
上記問題を解決するために、アモルファスシリコンや多結晶シリコンに代えて、有機化合物をチャネル半導体層（以下、有機半導体層という）に用いた有機トランジスタ（有機薄膜トランジスタ、有機ＴＦＴとも称される）が提案されている（非特許文献１）。

有機半導体層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法や塗布法などが知られており、これらの成膜方法によれば、製造コストを抑えつつ、有機トランジスタ素子の大型化が容易となる。
さらには、成膜時に必要となる温度を下げることができ、有機化合物を用いた有機トランジスタでは、基板にプラスチック材料を使用することが可能となり、フレキシブルな表示素子への適用が可能となり、その実用化に期待が集まっている。

実用的な有機トランジスタは、高い電荷移動度、および大きな電流オン／オフ比などの特性を有している必要がある。ここで「オン／オフ比」という用語は、有機トランジスタがオンであるときのソース電極とドレイン電極間の電流の、有機トランジスタがオフであるときのソース電極とドレイン電極間の電流に対する比を意味する。
さらには、有機トランジスタの実用化に向けては、優れた保存安定性が必要となる。

現在までに、有機半導体層に、例えば、ペンタセンを用いた有機トランジスタが提案されている（非特許文献２）。
しかし、ペンタセンを用いてなる有機トランジスタは、大気中では有機トランジスタとしての機能は低く、且つ、保存安定性が低いという難点がある。
さらに、チオフェンオリゴマー（α−ヘキサチエニレン）を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（非特許文献３）。しかし、該有機トランジスタも、空気中での保存安定性が低いという難点がある。

これらの保存安定性を改良するものとして、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン誘導体を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている。
例えば、２，７−ジフェニル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（非特許文献４）。２，７−ジアルキル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（非特許文献５）。また、例えば、２，７−ジアルコキシアルキル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンを有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（特許文献１）。

これらの各種［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン誘導体を有機半導体層に含有して成る有機トランジスタは、保存安定性もよく、電荷移動度も高く、良好な性能を有するものの、現在では、実用化に向け、一層改良された有機トランジスタの開発が求められている。

また、例えば、ナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン誘導体を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（特許文献２、非特許文献６）。
また、ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン誘導体を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（特許文献２）。
さらには、アントラ［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン誘導体を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（特許文献３）。
また、アントラ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン誘導体が製造され、該誘導体の有機トランジスタへの適用が示唆されている（非特許文献７、８）。
これらの各種ナフトジチオフェン誘導体、アントラジチオフェン誘導体を有機半導体層に含有して成る有機トランジスタは、保存安定性もよく、電荷移動度も高く、良好な性能を有するものの、現在では、実用化に向け、一層改良された有機トランジスタの開発が求められている。

特開２００９−２６７１３２号公報 特開２００９−２６７１３４号公報 特開２００９−２６７１４０号公報

Appl.Phys.Lett.,63,1372(1993) Appl.Phys.Lett.,72,1854(1998) Science,268,270(1995) J.Amer.Chem.Soc.,128、12604(2006) J.Amer.Chem.Soc.,129、15732(2007) J.Org.Chem.,75、1228(2010) Org.Lett.,9、3571(2007) J.Org.Chem.,74、4918(2009)

現在までに、種々の有機化合物を有機半導体層に用いた有機トランジスタの提案がなされているが、そのいずれもが、実用的に充分満足できる特性を有しているとはいい難いものであった。
本発明は、上述に鑑み、新規な化合物を提供し、さらには、電荷移動度が高く、大きな電流オン／オフ比を有し、さらに閾値電圧が低く、かつ保存安定性に優れた有機トランジスタを提供することである。

本発明者は、前記課題を解決するため、鋭意検討した結果、一般式（１）および一般式（２）で表される化合物を見出し、さらに一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物を有機半導体層に含有してなる有機トランジスタは、電荷移動度が高く、大きな電流オン／オフ比を有し、さらに閾値電圧が低く、かつ保存安定性に優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、
（i）一般式（１）で表される化合物であり、

｛式中、Ｒ_１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（１−ａ）で表される基を表し、

〔式（１−ａ）中、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕
Ｒ_２は、式（１−ａ）で表される基を表す｝

（ii）一般式（２）で表される化合物であり、

｛式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、lは０または１を表し、
環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立にチオフェン環を表し、
Ｒ_４は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式(２−ａ)で表される基を表し、

〔式（２−ａ）中、−Ｙ_２−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕
Ｒ_５は、式（２−ａ）で表される基を表す｝

（iii）有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に前記一般式（１）〜前記一般式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有してなる有機トランジスタである。

さらには、
（iv）前記一般式（１）で表される化合物：

を、水素化して、下記一般式（３）で表される化合物を製造する方法である。

｛式中、Ｒ_１１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（３−ａ）で表される基を表し

〔式（３−ａ）中、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕
Ｒ_１２は、式（３−ａ）で表される基を表す｝

さらには、
（v）前記一般式（２）で表される化合物：

を、水素化して、一般式（４）で表される化合物を製造する方法である。

｛式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｌは０または１を表し、
環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立にチオフェン環を表し、
Ｒ_２４は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（４−ａ）で表される基を表し、

〔式（４−ａ）中、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕
Ｒ_２５は、式（４−ａ）で表される基を表す｝

本発明により、新規な化合物を提供することが可能になり、さらに該化合物を含有してなる電荷移動度が高く、電流のオン／オフ比が大きく、さらに閾値電圧が低く、かつ保存安定性に優れた有機トランジスタを提供することが可能になった。

本発明の有機トランジスタの模式的断面図である。 本発明の有機トランジスタの模式的断面図である。 本発明の有機トランジスタの模式的断面図である。 本発明の有機トランジスタの模式的断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。
［一般式（１）の化合物］
本願発明の第１の化合物は、一般式（１）で表される化合物である。

｛式中、Ｒ_１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（１−ａ）で表される基を表し、

〔式（１−ａ）中、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕
Ｒ_２は、式（１−ａ）で表される基を表す｝

一般式(１)で表される化合物において、Ｒ_１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式(１−ａ)で表される基を表す。

〔式(１−ａ)中、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕

尚、本明細書において、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基などの複素環式芳香族基を表す。また、アリール基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の前記ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基などが挙げられる。

一般式（１）で表される化合物において、より好ましくは、Ｒ₁ は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基、あるいは式（１−ａ）で表される基を表す。

一般式(１）で表される化合物において、さらに好ましくは、Ｒ₁ は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基、あるいは式(１−ａ)で表される基を表す。

一般式（１）におけるＲ₁ の具体例としては、例えば、水素原子；例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素などのハロゲン原子；例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または環状のアルキル基；
例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；

例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、ｎ−ヘキシルオキシメチル基、（２−エチルブチルオキシ）メチル基、ｎ−ヘプチルオキシメチル基、ｎ−オクチルオキシメチル基、ｎ−デシルオキシメチル基、ｎ−ドデシルオキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ペンチルオキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エチル基、２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エチル基、２−ｎ−デシルオキシエチル基、２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、２−ｎ−テトラデシルオキシエチル基、２−シクロヘキシルオキシエチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−イソプロポキシプロピル基、３−ｎ−ブトキシプロピル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、３−（２’−エチルブトキシ）プロピル基、３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−ｎ−デシルオキシプロピル基、３−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロピル基、３−シクロヘキシルオキシプロピル基、４−メトキシブチル基、４−エトキシブチル基、４−ｎ−プロポキシブチル基、４−イソプロポキシブチル基、４−ｎ−ブトキシブチル基、４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、４−ｎ−オクチルオキシブチル基、４−ｎ−デシルオキシブチル基、４−ｎ−ドデシルオキシブチル基、５−メトキシペンチル基、５−エトキシペンチル基、５−ｎ−プロポキシペンチル基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチル基、６−メトキシヘキシル基、６−エトキシヘキシル基、６−イソプロポキシヘキシル基、６−ｎ−ブトキシヘキシル基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシル基、６−ｎ−デシルオキシヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、７−メトキシヘプチル基、７−エトキシヘプチル基、７−イソプロポキシヘプチル基、８−メトキシオクチル基、８−エトキシオクチル基、９−メトキシノニル基、９−エトキシノニル基、１０−メトキシデシル基、１０−エトキシデシル基、１０−ｎ−ブトキシデシル基、１１−メトキシウンデシル基、１１−エトキシウンデシル基、１２−メトキシドデシル基、１２−エトキシドデシル基、１２−イソプロポキシドデシル基、１４−メトキシテトラデシル基、テトラヒドロフルフリル基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基；

例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメキシ基、ｎ−ブトキシメトキシ基、ｎ−ペンチルオキシメトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシメトキシ基、（２−エチルブトキシ）メトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシメトキシ基、ｎ−オクチルオキシメトキシ基、ｎ−デシルオキシメトキシ基、ｎ−ドデシルオキシメトキシ基、１−メトキシエトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ基、２−ｎ−プロポキシエトキシ基、２−イソプロポキシエトキシ基、２−ｎ−ブトキシエトキシ基、２−ｎ−ペンチルオキシエトキシ基、２−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エトキシ基、２−ｎ−ヘプチルオキシエトキシ基、２−ｎ−オクチルオキシエトキシ基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エトキシ基、２−ｎ−デシルオキシエトキシ基、２−ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、２−ｎ−テトラデシルオキシエトキシ基、２−シクロヘキシルオキシエトキシ基、２−メトキシプロポキシ基、３−メトキシプロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−ｎ−プロポキシプロポキシ基、３−イソプロポキシプロポキシ基、３−ｎ−ブトキシプロポキシ基、３−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ基、３−（２’−エチルブトキシ）プロポキシ基、３−ｎ−オクチルオキシプロポキシ基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロポキシ基、３−ｎ−デシルオキシプロポキシ基、３−ｎ−ドデシルオキシプロポキシ基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロポキシ基、３−シクロヘキシルオキシプロポキシ基、２−メトキシブトキシ基、３−メトキシブトキシ基、４−メトキシブトキシ基、４−エトキシブトキシ基、４−ｎ−プロポキシブトキシ基、４−イソプロポキシブトキシ基、４−ｎ−ブトキシブトキシ基、４−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ基、４−ｎ−オクチルオキシブトキシ基、４−ｎ−デシルオキシブトキシ基、４−ｎ−ドデシルオキシブトキシ基、５−メトキシペンチルオキシ基、５−エトキシペンチルオキシ基、５−ｎ−プロポキシペンチルオキシ基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチルオキシ基、６−メトキシヘキシルオキシ基、６−エトキシヘキシルオキシ基、６−イソプロポキシヘキシルオキシ基、６−ｎ−ブトキシヘキシルオキシ基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシルオキシ基、６−ｎ−デシルオキシヘキシルオキシ基、４−メトキシシクロヘキシルオキシ基、７−メトキシヘプチルオキシ基、７−エトキシヘプチルオキシ基、７−イソプロポキシヘプチルオキシ基、８−メトキシオクチルオキシ基、８−エトキシオクチルオキシ基、９−メトキシノニルオキシ基、９−エトキシノニルオキシ基、１０−メトキシデシルオキシ基、１０−エトキシデシルオキシ基、１０−ｎ−ブトキシデシルオキシ基、１１−メトキシウンデシルオキシ基、１１−エトキシウンデシルオキシ基、１２−メトキシドデシルオキシ基、１２−エトキシドデシルオキシ基、１２−イソプロポキシドデシルオキシ基、１４−メトキシテトラデシルオキシ基、テトラヒドロフルフリルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基；

例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４―ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、
２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、
２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−エトキシ−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エトキシ−２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、２−テトラセニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、２−フリル基、２−チエニル基、５−ｎ−プロピル−２−チエニル基、５−ｎ−ブチル−２−チエニル基、５−ｎ−ヘキシル−２−チエニル基、５−ｎ−オクチル−２−チエニル基、５−ｎ−デシル−２−チエニル基、５−ｎ−トリデシル−２−チエニル基、５−フェニル−２−チエニル基、５−（２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−ブチル−２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−ヘキシル−２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−デシル−２’−チエニル）−２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。

また、一般式（１）におけるＲ₁ およびＲ_２はそれぞれ独立に、式（１−ａ）で表される基を表す。

〔式（１−ａ）中、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕

式（１−ａ）で表される基において、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表す。又、
Ｒ_３は水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。

式（１−ａ）中、Ｒ_３で表される直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１で例示した、直鎖、分岐または環状のアルキル基を挙げることができる。

式（１−ａ）中、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−で表されるアルキレン基は、ｎ個の炭素原子を有する直鎖、分岐または環状のアルキレン基を表し、より好ましくは、ｎ個の炭素原子を有する直鎖、または分岐のアルキレン基を表す。
式(１−ａ)中、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−のｎは、０〜１６の整数を表し、より好ましくは、０〜１２の整数を表す。
式(１−ａ)中、Ｒ_３が水素原子を表す場合、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−中のｎは、より好ましくは、１〜１２の整数を表す。

尚、一般式（１）におけるＲ₁ およびＲ_２はそれぞれ独立に、式(１−ａ)で表される基を表すものであり、Ｒ₁ およびＲ_２が同時に、式(１−ａ)で表される基を表す場合には、それぞれ同一の基であってもよく、また異なる基であってもよい。
すなわち、Ｒ₁ およびＲ_２が同時に、式（１−ａ）で表される基を表す場合には、式（１−ａ）中の−Ｙ_１−、ｎおよびＲ_３は、それぞれ同一の基、同一の整数であってもよく、また異なる基、異なる整数であってもよい。

本発明に係る一般式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、例示化合物中、−ＣＨ＝ＣＨ−の立体配置は、トランス体およびシス体を表すものであり、さらには、トランス体とシス体の混合物を表しているものである。

[一般式(１)の化合物の製造法]
本発明の一般式（１）で表される化合物は、それ自体公知の方法を参考にして製造することができる。
すなわち、一般式（１）で表される化合物は、例えば、一般式（５）で表される化合物と、一般式（６）で表される化合物を、パラジウム触媒［例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素］、ヨウ化銅および塩基の存在下で作用させることにより製造することができる［例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０７、８７４（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０７、１３３（２００７）に記載の方法を参考にすることができる］。

〔式中、Ｒ_１、Ｙ_１、ｎおよびＲ_３は一般式（１）と同じ意味を表し、Ｚ_１はハロゲン原子または−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基を表す〕

また、一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１およびＲ_２が共に式(１−ａ)で表される基である化合物は、例えば、一般式(７）で表される化合物１モルと、一般式（６）で表される化合物２モル程度を、パラジウム触媒［例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素］、ヨウ化銅および塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。この場合、使用する一般式（６）で表される化合物は同一の化合物でもよく、また異なる化合物でもよい。

〔式中、Ｚ_２およびＺ_３はそれぞれ独立に、ハロゲン原子または−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基を表す〕

さらに、一般式（１）で表される化合物は、例えば、一般式（５）で表される化合物と、一般式（８）で表される化合物を、パラジウム触媒［例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素］、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる［例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０３、１９７９（２００３）に記載の方法を参考にすることができる］。

〔式中、Ｙ_１、ｎおよびＲ_３は一般式（１）と同じ意味を表し、Ｍ_１はアルカリ金属、または金属含有基を表す〕

また、一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１およびＲ_２が共に式（１−ａ）で表される基である化合物は、例えば、一般式(７)で表される化合物１モルと、一般式(８)で表される化合物２モル程度を、パラジウム触媒［例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素］、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。
この場合、使用する一般式（８）で表される化合物は同一の化合物でもよく、また異なる化合物でもよい。

さらに、一般式（１）で表される化合物は、例えば、一般式（９）で表される化合物と、一般式（１０）で表される化合物を、パラジウム触媒［例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素］、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる［例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９５、２４５７(１９９５)、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍ．，５７６，１４７(１９９９)に記載の方法を参考にすることができる］。

〔式中、Ｒ_１、Ｙ_１、ｎおよびＲ_３は一般式（１）と同じ意味を表し、Ｍ_２はアルカリ金属、または金属含有基を表し、Ｚ_４はハロゲン原子または−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基を表す〕

また、一般式（１）で表される化合物において、Ｒ_１およびＲ_２が共に式（１−ａ）で表される基である化合物は、例えば、一般式（１１）で表される化合物１モルと、一般式（１０）で表される化合物２モル程度を、パラジウム触媒［例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素］、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。
この場合、使用する一般式（１０）で表される化合物は同一の化合物でもよく、また異なる化合物でもよい。

〔式中、Ｍ_３およびＭ_４はそれぞれ独立に、アルカリ金属、または金属含有基を表す〕

尚、一般式（５）、一般式（７）および一般式（１０）において、Ｚ_１〜Ｚ_４で表されるハロゲン原子は、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表し、より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

一般式（５）、一般式（７）および一般式（１０）において、Ｚ_１〜Ｚ_４で表される−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基において、Ｒ_１０は置換または未置換のアリール基、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、炭素数６〜１０の置換または未置換のアリール基、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。

尚、−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基のＲ_１０で表される置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−クロロフェニル基などを挙げることができる。
尚、−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基のＲ_１０で表されるハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ジクロロフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−ノナフルオロブチル基などのハロゲン原子で置換されたアルキル基を挙げることができる。
Ｚ_１〜Ｚ_４で表される−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基としては、より好ましくは、ベンゼンスルフォニルオキシ基、ｐ−トルエンスルフォニルオキシ基、メタンスルフォニルオキシ基、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基である。

尚、一般式（８）、一般式（９）および一般式（１１）において、Ｍ_１〜Ｍ_４で表されるアルカリ金属は、好ましくは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋを表す。
一般式（８）、一般式（９）および一般式（１１）において、Ｍ_１〜Ｍ_４で表される金属含有基は、好ましくは、ホウ素金属含有基、スズ金属含有基、マグネシウム金属含有基、亜鉛金属含有基、マンガン金属含有基、ジルコニウム金属含有基、インジウム金属含有基、ゲルマニウム金属含有基、鉛金属含有基、ビスマス金属含有基、または銅金属含有基を表し、より好ましくは、ホウ素金属含有基、スズ金属含有基、マグネシウム金属含有基、または亜鉛金属含有基を表す。

ホウ素金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−1）で表される基である。
−Ｂ（ＯＲ_０）（ＯＲ_００） （Ｍ−１）
（式中、Ｒ_０およびＲ_００は水素原子またはアルキル基を表し、さらにＲ_０とＲ_００が互いに結合して環状のアルキレン基、あるいはアリーレン基を形成していてもよいを表す）
一般式（Ｍ−１）において、Ｒ_０およびＲ_００は、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。
また、Ｒ_０およびＲ_００が互いに結合して環状のアルキレン基を表す場合、好ましくは、炭素数２〜１０の環状のアルキレン基を表す。
また、Ｒ_０およびＲ_００が互いに結合してアリーレン基を表す場合、好ましくは、アルキル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の１，２−フェニレン基を表す。

スズ金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−２）で表される基である。
−Ｓｎ（Ｒ_０００）_３ （Ｍ−２）
（式中、Ｒ_０００はアルキル基を表す）
一般式（Ｍ−２）において、Ｒ_０００はアルキル基を表し、好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を表す。

マグネシウム金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−３）で表される基である。
−ＭｇＺ_０ （Ｍ−３）
（式中、Ｚ_０はハロゲン原子を表す）
一般式（Ｍ−３）において、Ｚ_０はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

亜鉛金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−４）で表される基である。
−ＺｎＺ_００ （Ｍ−４）
（式中、Ｚ_００はハロゲン原子を表す）
一般式（Ｍ−４）において、Ｚ_００はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

さらには、一般式（１）における式（１−ａ）で表される基において、−Ｙ_１−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物は、一般式（１）における式（１−ａ）で表される基において、−Ｙ_１−が−Ｃ≡Ｃ−基で表わされる化合物を、水素化することにより製造することができる。

尚、上記の方法により製造される一般式（１）で表わされる化合物は、式（１−ａ）で表される基において、−Ｙ_１−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物の立体配置はトランス体でもシス体でもよく、さらには、トランス体とシス体の混合物でもよい。

一般式(１)における式(１−ａ)で表される基において、Ｒ_３がアルキル基で表される化合物は、例えば、塩基（例えば、水素化ナトリウム、金属アルコラート、炭酸カリウム）の存在下で、一般式（１）における式（１−ａ）で表される基において、Ｒ_３が水素原子で表わされる化合物と、アルキル化剤（例えば、アルキルハライド、アルキルトシレート）を作用させて製造することができる。

[一般式(３)の化合物]
本発明は、さらに本願発明の第１の化合物：

を、水素化して、下記の一般式（３）で表される化合物を製造する方法である。

｛式中、Ｒ_１１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（３−ａ）で表される基を表し、

〔式（３−ａ）中、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕
Ｒ_１２は、式（３−ａ）で表される基を表す｝

一般式（３）で表される化合物において、より好ましくは、Ｒ_１１は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基、あるいは式（３−ａ）で表される基を表す。

一般式(３)で表される化合物において、Ｒ_１１で表されるハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１で例示した、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基を挙げることができる。

また、一般式（３）におけるＲ_１１およびＲ_１２はそれぞれ独立に、式（３−ａ）で表される基を表す。

〔式（３−ａ）中、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕

式(３−ａ)中、Ｒ_３は水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。
式(３−ａ)中のＲ_３で表される直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、一般式（１）で表される化合物におけるＲ_１で例示した、直鎖、分岐または環状のアルキル基を挙げることができる。

式(３−ａ)中、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−で表されるアルキレン基は、ｎ個の炭素原子を有する直鎖、分岐または環状のアルキレン基を表し、より好ましくは、ｎ個の炭素原子を有する直鎖、または分岐のアルキレン基を表す。
式（３−ａ）中、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−中のｎは、０〜１６の整数を表し、より好ましくは、０〜１２の整数を表し、さらに好ましくは、１〜１２の整数を表す。

尚、一般式（３）におけるＲ_１１およびＲ_１２はそれぞれ独立であり、Ｒ_１１およびＲ_１２が同時に、式（３−ａ）で表される基を表す場合には、それぞれ同一の基であってもよく、また異なる基であってもよい。
すなわち、Ｒ_１１およびＲ_１２が同時に、式（３−ａ）で表される基を表す場合には、式（３−ａ）中のｎおよびＲ_３は、それぞれ同一の整数、同一の基であってもよく、また異なる整数、異なる基であってもよい。
尚、本発明は、一般式（１）で表される化合物を水素化して、一般式（３）で表される化合物を製造する方法であり、製造される一般式（３）で表される化合物における式（３−ａ）中のｎの数およびＲ_３の基は、水素化反応に用いる一般式（１）で表される化合物における式（１−ａ）中のｎの数およびＲ_３の基と同じとなる。

水素化反応に使用する一般式（１）で表わされる化合物は、式（１−ａ）で表される基において、−Ｙ_１−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物の立体配置はトランス体でもシス体でもよく、さらには、トランス体とシス体の混合物でもよい。

[一般式(３)の化合物の製造方法]
一般式（１）で表される化合物を水素化して、一般式（３）で表される化合物を製造する方法においては、その製造方法に関しては特に限定するものではない。

水素化に際し使用する水素化剤としては、その種類に関しては特に制限するものでなく、一般式（１）における、式（１−ａ）中の−Ｙ_１−で表わされる−Ｃ≡Ｃ−基、または／および−ＣＨ＝ＣＨ−基を水素化し、−ＣＨ_２ＣＨ_２−基に変換するに好適な水素化剤を使用することができる。
係る水素化剤としては、例えば、水素、金属水素化合物（例えば、水素化トリ−ｎ−ブチルスズ、水素化トリフェニルスズなどの有機スズ水素化合物、例えば、水素化ジイソブチルアルミニウムなどの有機アルミニウム水素化合物）を挙げることができ、より好ましくは、水素である。

例えば、一般式（１）で表される化合物を、好ましくは、有機溶媒の存在下で、触媒の存在下で、水素化することにより、一般式（３）で表わされる化合物を製造することができる。

係る有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールなどのエーテル系溶媒、ヘキサン、オクタン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメンなどの炭化水素系溶媒、ジメチルスルフォキサイド、スルフォラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒などの有機溶媒を挙げることができる。これらの有機溶媒は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

水素化に際し使用する触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、ニッケル系触媒、白金触媒、パラジウム触媒などを挙げることができ、好ましくは、パラジウム系触媒であり、例えば、パラジウム／炭素を例示することができる。

水素化反応を実施する際の反応温度に関しては、特に限定するものではないが、一般に、−２０℃〜１５０℃程度、好ましくは、０℃〜１００℃程度で実施する。

水素化反応は、大気圧下で実施することも、加圧下で実施することもできる。
尚、水素化に際しては、使用する水素の量は、一般式（１）における、式（１−ａ）中の−Ｙ_１−で表わされる−Ｃ≡Ｃ−基、または／および−ＣＨ＝ＣＨ−基が水素化されて、−ＣＨ_２ＣＨ_２−基に変換されるに充分な量を使用する。
一般には、水素の量は、例えば、一般式（１）における、１つの−Ｃ≡Ｃ−基に対し、２倍モル程度の水素を使用し、１つの−ＣＨ＝ＣＨ−基に対し、同倍モル程度の水素を使用する。

水素化反応の時間に関しては、特に限定するものではなく、反応経過は、生成物である一般式（３）で表される化合物の生成量を各種の分析方法により求め、所望の時間実施することができ、一般的には、反応温度が、−２０℃〜１５０℃程度であれば、１０分〜１００時間程度で実施する。

また、一般式（３）における式（３−ａ）で表される基において、Ｒ_３が水素原子で表される化合物は、例えば、塩基（例えば、水素化ナトリウム、金属アルコラート、炭酸カリウム）の存在下で、アルキル化剤（例えば、アルキルハライド、アルキルトシレート）を作用させることにより、一般式（３）における式（３−ａ）で表される基において、Ｒ_３がアルキル基で表わされる化合物を製造することができる。

尚、一般式（１）で表される化合物を水素化して製造される一般式（３）で表される化合物は、例えば、特開２００９−２６７１３２号公報に記載の一部の化合物であり、有機トランジスタ材料として好適である。
中でも、一般式（３―Ａ）で表される化合物を有機半導体層に少なくとも１種含有してなる有機トランジスタは、優れた特性を有するものである。

〔式中、ｎおよびＲ_３は一般式（３）と同じ意味を表す〕

このように、本発明の一般式(１)で表わされる化合物を、水素化することにより一般式(３)で表わされる化合物を製造する方法は、産業上有益な化合物を製造する方法である。

[一般式(２)の化合物]
本願発明の第２の化合物は、一般式（２）で表される化合物である。

｛式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、lは０または１を表し、
環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立にチオフェン環を表し、
Ｒ_４は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式(２−ａ)で表される基を表し、

〔式（２−ａ）中、−Ｙ_２−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕
Ｒ_５は、式（２−ａ）で表される基を表す｝

一般式（２）で表される化合物において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。

一般式（２）で表される化合物において、より好ましくは、Ｘ_１〜Ｘ_６は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を表す。

一般式（２）で表される化合物において、さらに好ましくは、Ｘ_１〜Ｘ_６は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を表し、特に好ましくは、Ｘ_１〜Ｘ_６は水素原子を表す。

一般式（２）におけるＸ_１〜Ｘ_６の具体例としては、例えば、水素原子；例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素などのハロゲン原子；例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または環状のアルキル基；
例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；

例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、ｎ−ヘキシルオキシメチル基、（２−エチルブチルオキシ）メチル基、ｎ−ヘプチルオキシメチル基、ｎ−オクチルオキシメチル基、ｎ−デシルオキシメチル基、ｎ−ドデシルオキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｎ−ペンチルオキシエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシエチル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エチル基、２−ｎ−ヘプチルオキシエチル基、２−ｎ−オクチルオキシエチル基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エチル基、２−ｎ−デシルオキシエチル基、２−ｎ−ドデシルオキシエチル基、２−ｎ−テトラデシルオキシエチル基、２−シクロヘキシルオキシエチル基、２−メトキシプロピル基、３−メトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基、３−ｎ−プロポキシプロピル基、３−イソプロポキシプロピル基、３−ｎ−ブトキシプロピル基、３−ｎ−ペンチルオキシプロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロピル基、３−（２’−エチルブトキシ）プロピル基、３−ｎ−オクチルオキシプロピル基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロピル基、３−ｎ−デシルオキシプロピル基、３−ｎ−ドデシルオキシプロピル基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロピル基、３−シクロヘキシルオキシプロピル基、４−メトキシブチル基、４−エトキシブチル基、４−ｎ−プロポキシブチル基、４−イソプロポキシブチル基、４−ｎ−ブトキシブチル基、４−ｎ−ヘキシルオキシブチル基、４−ｎ−オクチルオキシブチル基、４−ｎ−デシルオキシブチル基、４−ｎ−ドデシルオキシブチル基、５−メトキシペンチル基、５−エトキシペンチル基、５−ｎ−プロポキシペンチル基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチル基、６−メトキシヘキシル基、６−エトキシヘキシル基、６−イソプロポキシヘキシル基、６−ｎ−ブトキシヘキシル基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシル基、６−ｎ−デシルオキシヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、７−メトキシヘプチル基、７−エトキシヘプチル基、７−イソプロポキシヘプチル基、８−メトキシオクチル基、８−エトキシオクチル基、９−メトキシノニル基、９−エトキシノニル基、１０−メトキシデシル基、１０−エトキシデシル基、１０−ｎ−ブトキシデシル基、１１−メトキシウンデシル基、１１−エトキシウンデシル基、１２−メトキシドデシル基、１２−エトキシドデシル基、１２−イソプロポキシドデシル基、１４−メトキシテトラデシル基、テトラヒドロフルフリル基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基；

例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメキシ基、ｎ−ブトキシメトキシ基、ｎ−ペンチルオキシメトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシメトキシ基、（２−エチルブトキシ）メトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシメトキシ基、ｎ−オクチルオキシメトキシ基、ｎ−デシルオキシメトキシ基、ｎ−ドデシルオキシメトキシ基、１−メトキシエトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ基、２−ｎ−プロポキシエトキシ基、２−イソプロポキシエトキシ基、２−ｎ−ブトキシエトキシ基、２−ｎ−ペンチルオキシエトキシ基、２−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ基、２−（２’−エチルブチルオキシ）エトキシ基、２−ｎ−ヘプチルオキシエトキシ基、２−ｎ−オクチルオキシエトキシ基、２−（２’−エチルヘキシルオキシ）エトキシ基、２−ｎ−デシルオキシエトキシ基、２−ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、２−ｎ−テトラデシルオキシエトキシ基、２−シクロヘキシルオキシエトキシ基、２−メトキシプロポキシ基、３−メトキシプロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−ｎ−プロポキシプロポキシ基、３−イソプロポキシプロポキシ基、３−ｎ−ブトキシプロポキシ基、３−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ基、３−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ基、３−（２’−エチルブトキシ）プロポキシ基、３−ｎ−オクチルオキシプロポキシ基、３−（２’−エチルヘキシルオキシ）プロポキシ基、３−ｎ−デシルオキシプロポキシ基、３−ｎ−ドデシルオキシプロポキシ基、３−ｎ−テトラデシルオキシプロポキシ基、３−シクロヘキシルオキシプロポキシ基、２−メトキシブトキシ基、３−メトキシブトキシ基、４−メトキシブトキシ基、４−エトキシブトキシ基、４−ｎ−プロポキシブトキシ基、４−イソプロポキシブトキシ基、４−ｎ−ブトキシブトキシ基、４−ｎ−ヘキシルオキシブトキシ基、４−ｎ−オクチルオキシブトキシ基、４−ｎ−デシルオキシブトキシ基、４−ｎ−ドデシルオキシブトキシ基、５−メトキシペンチルオキシ基、５−エトキシペンチルオキシ基、５−ｎ−プロポキシペンチルオキシ基、５−ｎ−ペンチルオキシペンチルオキシ基、６−メトキシヘキシルオキシ基、６−エトキシヘキシルオキシ基、６−イソプロポキシヘキシルオキシ基、６−ｎ−ブトキシヘキシルオキシ基、６−ｎ−ヘキシルオキシヘキシルオキシ基、６−ｎ−デシルオキシヘキシルオキシ基、４−メトキシシクロヘキシルオキシ基、７−メトキシヘプチルオキシ基、７−エトキシヘプチルオキシ基、７−イソプロポキシヘプチルオキシ基、８−メトキシオクチルオキシ基、８−エトキシオクチルオキシ基、９−メトキシノニルオキシ基、９−エトキシノニルオキシ基、１０−メトキシデシルオキシ基、１０−エトキシデシルオキシ基、１０−ｎ−ブトキシデシルオキシ基、１１−メトキシウンデシルオキシ基、１１−エトキシウンデシルオキシ基、１２−メトキシドデシルオキシ基、１２−エトキシドデシルオキシ基、１２−イソプロポキシドデシルオキシ基、１４−メトキシテトラデシルオキシ基、テトラヒドロフルフリルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基；

例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４―ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、
２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、
２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−エトキシ−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エトキシ−２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、２−テトラセニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、２−フリル基、２−チエニル基、５−ｎ−プロピル−２−チエニル基、５−ｎ−ブチル−２−チエニル基、５−ｎ−ヘキシル−２−チエニル基、５−ｎ−オクチル−２−チエニル基、５−ｎ−デシル−２−チエニル基、５−ｎ−トリデシル−２−チエニル基、５−フェニル−２−チエニル基、５−（２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−ブチル−２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−ヘキシル−２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−デシル−２’−チエニル）−２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
一般式（２）において、ｌは０または１を表す。

一般式（２）において、環Ａおよび環Ｂはチオフェン環を表す。この環Ａおよび環ＢはＲ_４およびＲ_５以外の置換基として、例えば、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよい。
環Ａおよび環Ｂに置換していてもよいＲ_４及びＲ_５以外の置換基の具体例としては、例えば、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示したハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を例示することができる。
より好ましくは、一般式（２）において、環Ａおよび環ＢはＲ_４およびＲ_５以外の置換基で置換されていないチオフェン環を表す。

一般式（２）において、環Ａおよび環Ｂで表されるチオフェン環は、好ましくは、２位と３位で縮環したチオフェン環、または３位と４位で縮環したチオフェン環であり、より好ましくは、２位と３位で縮環したチオフェン環である。
一般式（２）で表される化合物は、より好ましくは、環Ａおよび環Ｂの縮環形態により、一般式（２−Ａ）〜一般式（２−Ｃ）で表される化合物である。

〔式中、Ｘ_１〜Ｘ_６、ｌ、Ｒ_４およびＲ_５は一般式（２）の場合と同じ意味を表し、Ｘ_０およびＸ_００はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す〕

一般式（２−Ａ）〜一般式（２−Ｃ）において、Ｘ_０およびＸ_００で表されるハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示したハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を例示することができる。
一般式（２−Ａ）〜一般式（２−Ｃ）において、Ｘ_０およびＸ_００は、より好ましくは、水素原子である。

なお、一般式（２）において、環Ｂ上のＲ_４および環Ａ上のＲ_５は、環Ａおよび環Ｂで表されるチオフェン環に置換している基を表し、その置換位置はチオフェン環の２位（α位）または３位（β位）であり、より好ましくは、２位である。
一般式（２）で表される化合物において、環Ｂ上の置換基としてＲ_４は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（２−ａ）で表される基を表す。

〔式（２−ａ）中、−Ｙ_２−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕

一般式（２）で表される化合物において、より好ましくは、Ｒ_４は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基、あるいは式（２−ａ）で表される基を表す。

一般式（２）で表される化合物において、さらに好ましくは、Ｒ_４は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基、あるいは式（２−ａ）で表される基を表す。

一般式(２）において、Ｒ_４で表されるハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、一般式(２)で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示したハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を例示することができる。
一般式（２）で表される化合物において、環Ａ上の置換基としてＲ_５は式（２−ａ）で表される基を表す。
式（２−ａ）中、−Ｙ_２−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表す。
式（２−ａ）中、Ｒ_６は水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。
式（２−ａ）中のＲ_６で表される直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示した直鎖、分岐または環状のアルキル基を挙げることができる。

式(２−ａ)中、−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−で表されるアルキレン基は、ｍ個の炭素原子を有する直鎖、分岐または環状のアルキレン基を表し、より好ましくは、ｍ個の炭素原子を有する直鎖、または分岐のアルキレン基を表す。
式（２−ａ）中、−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−のｍは、０〜１６の整数を表し、より好ましくは、０〜１２の整数を表す。
式（２−ａ）中、Ｒ_６が水素原子を表す場合、−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−中のｍは、より好ましくは、１〜１２の整数を表す。
また、式（２−ａ）中、ｑは０または１を表す。

尚、一般式(２)におけるＲ_４
およびＲ_５はそれぞれ独立であり、Ｒ_４およびＲ_５が同時に、式（２−ａ）で表される基を表す場合には、それぞれ同一の基であってもよく、また異なる基であってもよい。
すなわち、Ｒ_４およびＲ_５が同時に、式（２−ａ）で表される基を表す場合には、式（２−ａ）中の−Ｙ_２−、ｍ、ｑおよびＲ_６は、それぞれ同一の基、同一の整数であってもよく、また異なる基、異なる整数であってもよい。

本発明に係る一般式（２）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、例示化合物中、−ＣＨ＝ＣＨ−の立体配置は、トランス体およびシス体を表すものであり、さらには、トランス体とシス体の混合物を表しているものである。

[一般式(２)の化合物の製造方法]
本発明の一般式（２）で表される化合物は、それ自体公知の方法を参考にして製造することができる。
すなわち、一般式（２）で表される化合物は、例えば、一般式（１２）で表される化合物と、一般式（１３）で表される化合物を、パラジウム触媒〔例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素〕、ヨウ化銅および塩基の存在下で作用させることにより製造することができる〔例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０７、８７４（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０７、１３３（２００７）に記載の方法を参考にすることができる〕。

〔式中、Ｒ_４、Ｘ_１〜Ｘ_６、ｌ、環Ａ、環Ｂ、Ｙ_２、ｍ、ｑおよびＲ_６は一般式（２）と同じ意味を表し、Ｚ_１はハロゲン原子または−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基を表す〕

また、一般式（２）で表される化合物において、Ｒ_４およびＲ_５が共に式（２−ａ）で表される基である化合物は、例えば、一般式（１４）で表される化合物１モルと、一般式（１３）で表される化合物２モル程度を、パラジウム触媒〔例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素〕、ヨウ化銅および塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。
この場合、使用する一般式（１３）で表される化合物は同一の化合物でもよく、また異なる化合物でもよい。

〔式中、Ｘ_１〜Ｘ_６、ｌ、環Ａおよび環Ｂは一般式（２）と同じ意味を表し、Ｚ_２およびＺ_３はそれぞれ独立に、ハロゲン原子または−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基を表す〕

さらに、一般式（２）で表される化合物は、例えば、一般式（１２）で表される化合物と、一般式（１５）で表される化合物を、パラジウム触媒〔例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素〕、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる〔例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０３、１９７９（２００３）に記載の方法を参考にすることができる〕。

〔式中、Ｙ_２、ｍ、ｑおよびＲ_６は一般式（２）と同じ意味を表し、Ｍ_１はアルカリ金属、または金属含有基を表す〕

また、一般式（２）で表される化合物において、Ｒ_４およびＲ_５が共に式（２−ａ）で表される基である化合物は、例えば、一般式（１４）で表される化合物１モルと、一般式（１５）で表される化合物２モル程度を、パラジウム触媒〔例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素〕、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。
この場合、使用する一般式（１５）で表される化合物は同一の化合物でもよく、また異なる化合物でもよい。

さらに、一般式（２）で表される化合物は、例えば、一般式（１６）で表される化合物と、一般式（１７）で表される化合物を、パラジウム触媒〔例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素〕、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる〔例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９５、２４５７（１９９５）、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍ．，５７６，１４７（１９９９）に記載の方法を参考にすることができる〕。

〔式中、Ｒ_４、Ｘ_１〜Ｘ_６、ｌ、環Ａおよび環Ｂ、Ｙ_２、ｍ、ｑおよびＲ_６は一般式（２）と同じ意味を表し、Ｍ_２はアルカリ金属、または金属含有基を表し、Ｚ_４はハロゲン原子または−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基を表す〕

また、一般式（２）で表される化合物において、Ｒ_４およびＲ_５が共に式（２−ａ）で表される基である化合物は、例えば、一般式（１８）で表される化合物１モルと、一般式（１７）で表される化合物２モル程度を、パラジウム触媒〔例えば、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素〕、および必要に応じて塩基の存在下で作用させることにより製造することができる。
この場合、使用する一般式（１７）で表される化合物は同一の化合物でもよく、また異なる化合物でもよい。

〔式中、Ｘ_１〜Ｘ_６、ｌ、環Ａおよび環Ｂは一般式（２）と同じ意味を表し、Ｍ_３およびＭ_４はそれぞれ独立に、アルカリ金属、または金属含有基を表す〕

尚、一般式（１２）、一般式（１４）および一般式（１７）において、Ｚ_１〜Ｚ_４で表されるハロゲン原子は、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表し、より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

一般式（１２）、一般式（１４）および一般式（１７）において、Ｚ_１〜Ｚ_４で表される−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基において、Ｒ_１０は置換または未置換のアリール基、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、炭素数６〜１０の置換または未置換のアリール基、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。

尚、−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基のＲ_１０で表される置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−クロロフェニル基などを挙げることができる。
尚、−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基のＲ_１０で表されるハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ジクロロフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−ノナフルオロブチル基などのハロゲン原子で置換されたアルキル基を挙げることができる。
Ｚ_１〜Ｚ_４で表される−ＯＳＯ_２−Ｒ_１０基としては、より好ましくは、ベンゼンスルフォニルオキシ基、ｐ−トルエンスルフォニルオキシ基、メタンスルフォニルオキシ基、トリフルオロメタンスルフォニルオキシ基である。

尚、一般式（１５）、一般式（１６）および一般式（１８）において、Ｍ_１〜Ｍ_４で表されるアルカリ金属は、好ましくは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋを表す。
一般式（１５）、一般式（１６）および一般式（１８）において、Ｍ_１〜Ｍ_４で表される金属含有基は、好ましくは、ホウ素金属含有基、スズ金属含有基、マグネシウム金属含有基、亜鉛金属含有基、マンガン金属含有基、ジルコニウム金属含有基、インジウム金属含有基、ゲルマニウム金属含有基、鉛金属含有基、ビスマス金属含有基、または銅金属含有基を表し、より好ましくは、ホウ素金属含有基、スズ金属含有基、マグネシウム金属含有基、または亜鉛金属含有基を表す。

ホウ素金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−1）で表される基である。
−Ｂ（ＯＲ_０）（ＯＲ_００） （Ｍ−１）
（式中、Ｒ_０およびＲ_００は水素原子またはアルキル基を表し、さらにＲ_０とＲ_００が互いに結合して環状のアルキレン基、あるいはアリーレン基を形成していてもよいを表す）
一般式（Ｍ−１）において、Ｒ_０およびＲ_００は、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を表す。
また、Ｒ_０およびＲ_００が互いに結合して環状のアルキレン基を表す場合、好ましくは、炭素数２〜１０の環状のアルキレン基を表す。
また、Ｒ_０およびＲ_００が互いに結合してアリーレン基を表す場合、好ましくは、アルキル基で置換されていてもよい炭素数６〜１０の１，２−フェニレン基を表す。

スズ金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−２）で表される基である。
−Ｓｎ（Ｒ_０００）_３ （Ｍ−２）
（式中、Ｒ_０００はアルキル基を表す）
一般式（Ｍ−２）において、Ｒ_０００はアルキル基を表し、好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を表す。

マグネシウム金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−３）で表される基である。
−ＭｇＺ_０ （Ｍ−３）
（式中、Ｚ_０はハロゲン原子を表す）
一般式（Ｍ−３）において、Ｚ_０はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

亜鉛金属含有基としては、好ましくは、一般式（Ｍ−４）で表される基である。
−ＺｎＺ_００ （Ｍ−４）
（式中、Ｚ_００はハロゲン原子を表す）
一般式（Ｍ−４）において、Ｚ_００はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。

さらには、一般式（２）における式（２−ａ）で表される基において、−Ｙ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物は、一般式（２）における式（２−ａ）で表される基において、−Ｙ_２−が−Ｃ≡Ｃ−基で表わされる化合物を、水素化することにより製造することができる。

尚、上記の方法により製造される一般式（２）で表わされる化合物は、式（２−ａ）で表される基において、−Ｙ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物の立体配置はトランス体でもシス体でもよく、さらには、トランス体とシス体の混合物でもよい。

一般式（２）における式（２−ａ）で表される基において、Ｒ_６がアルキル基で表される化合物は、例えば、塩基（例えば、水素化ナトリウム、金属アルコラート、炭酸カリウム）の存在下で、一般式（２）における式（２−ａ）で表される基において、Ｒ_６が水素原子で表わされる化合物と、アルキル化剤（例えば、アルキルハライド、アルキルトシレート）を作用させて製造することができる。

[一般式(４)の化合物]
本発明は、さらに本願発明の第２の化合物：

を、水素化して、下記の一般式（４）で表される化合物を製造する方法である。

｛式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｌは０または１を表し、
環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立にチオフェン環を表し、
Ｒ_２４は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（４−ａ）で表される基を表し、

〔式（４−ａ）中、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕
Ｒ_２５は、式（４−ａ）で表される基を表す｝

一般式（４）で表される化合物において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、
より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を表し、その具体例としては、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示した基を挙げることができる。

一般式（４）において、ｌは０または１を表す。
一般式（４）において、環Ａおよび環Ｂはチオフェン環を表す。この環Ａおよび環ＢはＲ_２４およびＲ_２５以外の置換基として、例えば、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基で置換されていてもよい。
環Ａおよび環Ｂに置換していてもよいＲ_２４及びＲ_２５以外の置換基の具体例としては、例えば、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示したハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を例示することができる。
より好ましくは、一般式（４）において、環Ａおよび環ＢはＲ_２４およびＲ_２５以外の置換基で置換されていないチオフェン環を表す。

一般式（４）において、環Ａおよび環Ｂで表されるチオフェン環は、好ましくは、２位と３位で縮環したチオフェン環、または３位と４位で縮環したチオフェン環であり、より好ましくは、２位と３位で縮環したチオフェン環である。

一般式（４）において、環Ａ上のＲ_２４および環Ｂ上のＲ_２５は、環Ａおよび環Ｂで表されるチオフェン環に置換している基を表し、その置換位置はチオフェン環の２位（α位）または３位（β位）であり、より好ましくは、２位である。

一般式(４)で表される化合物において、環Ａ上の置換基としてＲ_２４は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式(４−ａ)で表される基を表す。

〔式（４−ａ）中、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕

一般式（４）で表される化合物において、より好ましくは、Ｒ_２４ は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基、あるいは式（４−ａ）で表される基を表す。

一般式（４）で表される化合物において、Ｒ_２４で表されるハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示したハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を挙げることができる。

一般式（４）で表される化合物において、環Ｂ上の置換基としてＲ_２５は式（４−ａ）で表される基を表す。
式（４−ａ）中、Ｒ_６は水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、さらに好ましくは、水素原子、あるいは炭素数１〜１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表す。
式（４−ａ）中のＲ_６で表される直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１〜Ｘ_６で例示した直鎖、分岐または環状のアルキル基を挙げることができる。

式（４−ａ）中、−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−で表されるアルキレン基は、ｍ個の炭素原子を有する直鎖、分岐または環状のアルキレン基を表し、より好ましくは、ｍ個の炭素原子を有する直鎖、または分岐のアルキレン基を表す。
式（４−ａ）中、−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−中のｍは、０〜１６の整数を表し、より好ましくは、０〜１２の整数を表し、さらに好ましくは、１〜１２の整数を表す。
また、式（４−ａ）中、ｑは０または１を表す。

尚、一般式（４）におけるＲ_２４およびＲ_２５はそれぞれ独立であり、Ｒ_２４およびＲ_２５が同時に、式（４−ａ）で表される基を表す場合には、それぞれ同一の基であってもよく、また異なる基であってもよい。
すなわち、Ｒ_２４およびＲ_２５が同時に、式（４−ａ）で表される基を表す場合には、式（４−ａ）中のｍ、ｑおよびＲ_６は、それぞれ同一の整数、同一の基であってもよく、また異なる整数、異なる基であってもよい。

尚、本発明は、一般式（２）で表される化合物を水素化して、一般式（４）で表される化合物を製造する方法であり、製造される一般式（４）で表される化合物におけるＸ_１
〜Ｘ_６で表される基、および式（４−ａ）中のｍおよびｑの数、およびＲ_６で表される基は、水素化反応に用いる一般式（２）で表される化合物におけるＸ_１
〜Ｘ_６で表される基、および式（２−ａ）中のｍおよびｑの数、およびＲ_６で表される基と同じとなる。

水素化反応に使用する一般式（２）で表わされる化合物は、式（２−ａ）で表される基において、−Ｙ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物の立体配置はトランス体でもシス体でもよく、さらには、トランス体とシス体の混合物でもよい。

[一般式(４)の化合物の製造方法]
一般式（２）で表される化合物を水素化して、一般式（４）で表される化合物を製造する方法においては、その製造方法に関しては特に限定するものではない。

水素化に際し使用する水素化剤としては、その種類に関しては特に制限するものでなく、一般式（２）における、式（２−ａ）中の−Ｙ_２−で表わされる−Ｃ≡Ｃ−基、または／および−ＣＨ＝ＣＨ−基を水素化し、−ＣＨ_２ＣＨ_２−基に変換するに好適な水素化剤を使用することができる。
係る水素化剤としては、例えば、水素、金属水素化合物（例えば、水素化トリ−ｎ−ブチルスズ、水素化トリフェニルスズなどの有機スズ水素化合物、例えば、水素化ジイソブチルアルミニウムなどの有機アルミニウム水素化合物）を挙げることができ、より好ましくは、水素である。

例えば、一般式（２）で表される化合物を、好ましくは、有機溶媒の存在下で、触媒の存在下で、水素化することにより、一般式（４）で表わされる化合物を製造することができる。

係る有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールなどのエーテル系溶媒、ヘキサン、オクタン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメンなどの炭化水素系溶媒、ジメチルスルフォキサイド、スルフォラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒などの有機溶媒を挙げることができる。これらの有機溶媒は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

水素化に際し使用する触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、ニッケル系触媒、白金触媒、パラジウム触媒などを挙げることができ、好ましくは、パラジウム系触媒であり、例えば、パラジウム／炭素を例示することができる。

水素化反応を実施する際の反応温度に関しては、特に限定するものではないが、一般に、−２０℃〜１５０℃程度、好ましくは、０℃〜１００℃程度で実施する。

水素化反応は、大気圧下で実施することも、加圧下で実施することもできる。
尚、水素化に際しては、使用する水素の量は、一般式（２）における、式（２−ａ）中の−Ｙ_２−で表わされる−Ｃ≡Ｃ−基、または／および−ＣＨ＝ＣＨ−基が水素化されて、−ＣＨ_２ＣＨ_２−基に変換されるに充分な量を使用する。
一般には、水素の量は、例えば、一般式（２）における、１つの−Ｃ≡Ｃ−基に対し、２倍モル程度の水素を使用し、１つの−ＣＨ＝ＣＨ−基に対し、同倍モル程度の水素を使用する。

水素化反応の時間に関しては、特に限定するものではなく、反応経過は、生成物である一般式（４）で表される化合物の生成量を各種の分析方法により求め、所望の時間実施することができ、一般的には、反応温度が、−２０℃〜１５０℃程度であれば、１０分〜１００時間程度で実施する。

また、一般式（４）における式（４−ａ）で表される基において、Ｒ_６が水素原子で表される化合物は、例えば、塩基（例えば、水素化ナトリウム、金属アルコラート、炭酸カリウム）の存在下で、アルキル化剤（例えば、アルキルハライド、アルキルトシレート）を作用させることにより、一般式（４）における式（４−ａ）で表される基において、Ｒ_６がアルキル基で表わされる化合物を製造することができる。

尚、一般式(２)で表される化合物を水素化して製造される一般式(４)で表される化合物は、例えば、特開２００９−２６７１３４号公報、および特開２００９−２６７１４０号公報に記載の一部の化合物であり、有機トランジスタ材料として好適である。
中でも、一般式（４−Ａ）で表される化合物を有機半導体層に少なくとも１種含有してなる有機トランジスタは、優れた特性を有するものである。

〔式中、Ｘ_１ 〜Ｘ_６、環Ａ、環Ｂ、ｌ、ｍ、ｑおよびＲ_６は一般式（４）と同じ意味を表す〕
このように、本発明の一般式(２）で表わされる化合物を、水素化することにより一般式(４）で表わされる化合物を製造する方法は、産業上有益な化合物を製造する方法である。
尚、本発明の一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物は、場合により使用した溶媒（例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒）との溶媒和を形成した型で製造されることがあるが、本発明の有機トランジスタには、一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物の無溶媒和物は勿論、このような溶媒和物をも使用することができる。
一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物を、有機トランジスタに使用する場合、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華精製法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、純度を高めた化合物を使用することは好ましいことである。

[有機トランジスタ]
本発明の有機トランジスタにおいては、有機半導体層に一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有することが特徴であり、このことにより、従来にはない、電荷移動度が高く、電流のオン／オフ比が大きく、さらに閾値電圧が低く、かつ保存安定性に優れた有機トランジスタを提供することが可能となる。

有機トランジスタは、通常、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極、およびゲート絶縁層、有機半導体層を有して成るものであり、本発明の有機トランジスタにおいては、該有機半導体層に一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有してなるものである。

尚、一般式（１）で表わされる化合物を有機トランジスタの有機半導体層に用いる場合、一般式（１）で表わされる化合物の式（ａ）で表される基において、−Ｙ_１−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物の立体配置はトランス体でも、シス体でもよく、さらには、トランス体とシス体の混合物でもよく、より好ましくは、トランス体である。

一般式（１）で表わされる化合物を有機トランジスタの有機半導体層に用いる場合、一般式（１）で表わされる化合物において、Ｒ_１が式（１−ａ）で表される基であり、Ｒ_１およびＲ_２における式（１−ａ）で表される基において、−Ｙ_１−が−Ｃ≡Ｃ−基であり、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−中のｎは、０〜１６の整数を表し、Ｒ_３が炭素数１〜１２の直鎖、分岐または環状のアルキル基である化合物は好ましい。

尚、一般式（２）で表わされる化合物を有機トランジスタの有機半導体層に用いる場合、一般式（２）で表わされる化合物の式（２−ａ）で表される基において、−Ｙ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−基で表わされる化合物の立体配置はトランス体でも、シス体でもよく、さらには、トランス体とシス体の混合物でもよく、より好ましくは、トランス体である。

一般式（２）で表わされる化合物を有機トランジスタの有機半導体層に用いる場合、一般式（２）で表わされる化合物において、Ｒ_４が式（２−ａ）で表される基であり、Ｒ_４およびＲ_５における式（２−ａ）で表される基において、−Ｙ_２−が−Ｃ≡Ｃ−基であり、−Ｃ_ｍＨ_２ｍ−中のｍは、０〜１６の整数を表し、Ｒ_６が炭素数１〜１２の直鎖、分岐または環状のアルキル基である化合物は好ましい。

本発明の有機トランジスタの形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の有機トランジスタの一形態を示す模式的断面図である。
この有機トランジスタの形態においては、基板１１上にゲート電極２１が設けられ、そのゲート電極上にゲート絶縁層３１が積層されており、その上に所定の間隔で形成されたソース電極６１およびドレイン電極４１が形成されており、さらにその上に有機半導体層５１が積層されている（ボトムゲート・ボトムコンタクト構造）。

図２に示した有機トランジスタの形態においては、基板１２上にゲート電極２２が設けられ、そのゲート電極上にゲート絶縁層３２が積層されており、その上に有機半導体層５２が積層されており、さらにその上に、所定の間隔でソース電極６２およびドレイン電極４２が形成されている（ボトムゲート・トップコンタクト構造）。

また、図３に示した有機トランジスタの形態においては、基板１３の上に、所定の間隔でソース電極６３およびドレイン電極４３が形成されており、その上に有機半導体層５３が積層されており、その上にゲート絶縁層３３が積層されており、さらにその上にゲート電極２３が設けられている（トップゲート・ボトムコンタクト構造）。

図４に示した有機トランジスタの形態においては、基板１４の上に、有機半導体層５４が積層されており、その上に、所定の間隔でソース電極６４およびドレイン電極４４が形成されており、その上にゲート絶縁層３４が積層されており、さらにその上にゲート電極２４が設けられている（トップゲート・トップコンタクト構造）。

このような構成を有する有機トランジスタでは、有機半導体層がチャネル領域を形成しており、ゲート電極に印加される電圧で、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。

本発明の有機トランジスタに使用する基板としては、特に限定するものではないが、一般には、ガラス、石英、シリコン単結晶、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、プラスチック基板などを用いることができる。さらには、これらを組み合わせた複合基板も用いることができ、一層構造でも、多層構造の形態でもよい。

プラスチック基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート、トリアセチルセルロース、セルロースアセテートプロピオネートなどからなる基板が挙げられる。
尚、導電性のある基板、例えば、シリコンを基板に用いた場合、その基板はゲート電極を兼ねることもできる。

本発明の有機トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極に用いる材料としては特に限定するものではなく、導電性の材料であれば任意に用いることができる。

電極材料としては、例えば、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、クロム、鉄、錫、タンタル、パラジウム、テルル、イリジウム、ルテニウム、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、亜鉛、マグネシウム／インジウム合金、マグネシウム／銅合金、マグネシウム／銀合金、マグネシウム／アルミニウム合金、クロム／モリブデン合金、アルミニウム／リチウム合金、アルミニウム／スカンジウム／リチウム合金、ナトリウム／カリウム合金などの金属や合金、さらには、フッ素ドープ酸化亜鉛、導電率を向上させたシリコン単結晶、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系材料、カーボンブラック、グラファイト、グラッシーカーボン等の炭素材料などを挙げることができ、より好ましくは、酸化インジウムスズ合金、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、導電率を向上させたシリコン系材料、炭素材料である。これらはバルク状、薄片状、微粒子状等、様々な形態で使用できる。

また、電極材料としては、ドーピング処理などで導電率を向上させた導電性ポリマー（例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸の錯体など）も好適に用いられる。
尚、これらの電極材料は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
ソース電極、ドレイン電極は、上に挙げた電極材料の中でも、有機半導体層との接触面において電気抵抗が小さいものが好ましい。

各電極の形成方法としては、特に限定するものではないが、例えば、導電性の材料を、蒸着やスパッタリングなどの方法を用いて形成することができ、リソグラフやエッチング処理により、所望の形状にパターニングできる。
また、導電性ポリマーや導電性微粒子を用いて電極を形成する場合には、導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子の分散液を、インクジェット法によりパターニングしてもよく、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらには、導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペースト（銀ペースト、カーボンペーストなど）などを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法を用いることもできる。

ソース電極、ドレイン電極の膜厚は、特に限定するものではないが、一般に、数ｎｍ〜数百μｍの範囲に設定することが好ましく、より好ましくは、1ｎｍ〜1００μｍであり、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜２０μｍである。
尚、ソース電極、ドレイン電極は、互いに対向するように配置されるが、その間隔（チャネル長）は、一般に、数百ｎｍ〜数ｍｍの範囲に設定することが好ましく、より好ましくは、1００ｎｍ〜1ｍｍであり、さらに好ましくは、１μｍ〜５００μｍである。
また、ソース電極、ドレイン電極の表面は、例えば、４，４−ジメチルペンタンチオール、パーフルオロヘキサンチオール、パーフルオロヘプタンチオール、パーフルオロオクタンチオールなどの脂肪族アルキルチオール化合物、例えば、２，４，６−トリフルオロチオフェノール、ペンタフルオロチオフェノール、４−トリフルオロメチルチオフェノールなどの芳香族チオール化合物で修飾されていてもよい。

ゲート絶縁層に使用する材料としては、種々の絶縁材料を用いることができ、無機絶縁体あるいは有機高分子化合物が好ましい。
無機絶縁体としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどを挙げることができ、より好ましくは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。

無機絶縁体からなるゲート絶縁層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセス、さらには、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、エアーナイフ法、スライドホッパー法、エクストリュージョン法などの塗布法、各種印刷法やインクジェット法などのウェットプロセスを挙げることができ、使用する材料の特性に応じて適宜選択して適用することができる。また、シリコン系材料をゲート電極として用い、有機半導体形成前にゲート絶縁層を形成する場合には、熱酸化法で形成してもよい。

ゲート絶縁層に用いる有機高分子化合物としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系の光硬化性樹脂、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ノボラック樹脂、ポリフッ化ビニリデン、シアノエチルプルランなどを用いることができる。有機高分子化合物を用いたゲート絶縁層の形成法としては、ウェットプロセスが好ましい。
ゲート絶縁層に使用する絶縁材料は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

尚、ゲート絶縁層に無機絶縁体として、例えば、酸化ケイ素を使用する場合、有機半導体層との界面になる酸化ケイ素の表面は、例えば、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、１−ヘキシルフォスフォン酸、１−オクチルフォスフォン酸、１−ヘキサデシルフォスフォン酸、３，７，１１，１５−テトラメチル−１−ヘキサデシルフォスフォン酸などで処理されていてもよい。
また、有機高分子化合物をゲート絶縁層に使用し、ゲート絶縁層を形成した後に有機半導体層を形成する場合は、有機高分子化合物からなるゲート絶縁層上にラビング処理を施してから有機半導体層を形成するようにしてもよい。

ゲート絶縁層の膜厚は、特に限定するものではないが、一般に、数ｎｍ〜数十μｍの範囲に設定することが好ましく、より好ましくは、５ｎｍ〜1０μｍであり、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜５μｍである。

本発明の有機トランジスタは、有機半導体層に一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有してなるものであり、一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物は、１種を単独で使用してもよく、複数種を併用してもよい。

さらに、有機半導体層は、一般式（１）〜一般式（２）で表される少なくとも１種の化合物と、他のキャリア輸送性化合物（例えば、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリキノリン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、フタロシアニン誘導体など）を併用して形成されていてもよい。この場合、一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物の含有量は、２０質量％以上が好ましく、５０質量％以上になるように調製することがより好ましい。

さらに、有機半導体層は、一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物と、高分子化合物から形成されていてもよい。
係る高分子化合物としては、例えば、ポリアクリル酸誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、ポリ（シクロヘキシルメタクリレート）誘導体、ポリエチレン誘導体、ポリプロピレン誘導体、ポリイソプレン誘導体、ポリブタジエン誘導体、ポリイソブチレン誘導体、ポリメチルペンテン誘導体、
ポリ（ビニルシクロヘキサン）誘導体、ポリスチレン誘導体、ポリ（４−メチルスチレン）誘導体、ポリ（α−メチルスチレン）誘導体、ポリ（α−ビニルナフタレン）誘導体、ポリ（ビニルトルエン）誘導体、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）誘導体、ポリ（４−ビニルビフェニル）誘導体、ポリ（２−メチル−１，３−ブタジエン）誘導体、ポリ（スチレン・アクリロニトリル）共重合体、ポリ（スチレン・ブタジエン）共重合体、ポリ塩化ビニル誘導体、ポリエチレンテレフタレート誘導体、ポリブチレンテレフタレート誘導体、ナイロン誘導体、ポリエステル誘導体、ポリイミド誘導体、ポリフェノール誘導体、セルロース誘導体、ビニロン誘導体などを挙げることができる。
これらの高分子化合物は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
尚、一般式（１）〜一般式（２）で表される少なくとも１種の化合物と、高分子化合物を併用して、有機半導体層を形成する場合、一般式（１）〜一般式（２）で表される少なくとも１種の化合物の含有量は、高分子化合物に対して、５質量％以上が好ましく、２０質量％以上になるように調製することがより好ましい。

本発明の有機トランジスタは、ｐ型（正孔がキャリアとして機能する）の有機トランジスタ、またはｎ型（電子がキャリアとして機能する）の有機トランジスタとして機能するが、好ましくは、ｐ型の有機トランジスタとして使用するのが好ましい。

有機半導体層の形成方法としては、特に限定するものではなく、公知の形成方法を用いることができる。
形成方法としては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズマ重合法、熱転写法、レーザー転写法などのドライプロセス、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、ＬＢ法（ラングミューア・ブロジュット法）、各種印刷法、インクジェット法などのウェットプロセスを挙げることができる。

ウェットプロセスにより、有機半導体層の形成する場合は、一般式（１）〜一般式（２）で表される少なくとも１種の化合物を、溶媒に溶解、または分散させた溶液を用いる。

係る溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールなどのエーテル系溶媒、ヘキサン、オクタン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメンなどの炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、フルオロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、グルタロジニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル系溶媒、ジメチルスルフォキサイド、スルフォラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒などの有機溶媒を挙げることができる。これらの溶媒は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
係る溶媒中の一般式（１）〜一般式（２）で表される少なくとも１種の化合物の濃度に関しては、特に制限するものではないが、一般には、０．０１〜２０質量％、より好ましくは、０．０５〜１５質量％程度に調製することが好ましい。

有機半導体層の膜厚に関しては、特に制限するものではないが、一般に、数ｎｍ〜数十μｍの範囲に設定することが好ましく、より好ましくは、1ｎｍ〜1０μｍであり、さらに好ましくは、５ｎｍ〜１μｍである。

本発明においては、有機半導体層の形成後、さらに所望により、後処理を施してもよい。
例えば、有機半導体層の形成後に、熱処理を施して、形成時に生じた膜厚の歪を緩和したり、あるいは生成したピンホールなどの改善することが可能な場合がある。
また、有機半導体層中の分子の配列、配向を制御するなどの目的で、熱処理を行うことは好ましい場合がある。
熱処理の温度に関しては、特に制限するものではないが、室温〜２００℃程度、好ましくは、４０℃〜１５０℃で実施する。尚、熱処理は、空気中で実施してもよく、また窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で実施してもよい。

本発明の有機トランジスタにおいては、所望により、有機半導体層はドーピング処理を施されていてもよい。
尚、ドーパントとしては、ドナー性ドーパント、アクセプター性ドーパントのいずれも使用可能であり、アクセプター性ドーパントを使用することは好ましい。

ドナー性ドーパントとしては、有機半導体層の有機化合物に電子を供与する機能を有する化合物であれば好適に用いることができる。
ドナー性ドーパントとしては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓなどのアルカリ金属、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのアルカリ土類金属、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂなどの希土類金属、アンモニウムイオン、
Ｒ₄Ｐ⁺（Ｒはアルキル基を表す）、Ｒ₄Ａｓ⁺（Ｒはアルキル基を表す）、Ｒ₃Ｓ⁺（Ｒはアルキル基を表す）、アセチルコリンなどが挙げられる。

アクセプター性ドーパントとしては、有機半導体層の有機化合物から電子を取り去る機能を有する化合物であれば好適に用いることができる。
アクセプター性ドーパントとしては、例えば、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃、ＩＢｒ、ＩＦなどのハロゲン化合物、ＰＦ₅、ＡｓＦ₅、ＳｂＦ₅、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃、ＳＯ₃などのルイス酸、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ₃、Ｈ₂ＳＯ₄、ＨＣｌＯ₄、ＦＳＯ₃Ｈ、ＣｌＳＯ₃Ｈ、ＣＦ₃ＳＯ₃Ｈなどのプロトン酸、酢酸、蟻酸、アミノ酸などの有機酸、ＦｅＣｌ₃、ＦｅＯＣｌ、ＴｉＣｌ₄、ＺｒＣｌ₄、ＨｆＣｌ₄、ＮｂＦ₅、ＮｂＣｌ₅、ＴａＣｌ₅、ＭｏＣｌ₅、ＷＦ₅、ＷＣｌ_６、ＵＦ₆、ＬｎＣｌ₃（Ｌｎ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＰｒなどのランタノイドとＹ）などの遷移金属化合物、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＣｌＯ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₅ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、スルホン酸アニオンなどの電解質アニオンなどが挙げられる。

尚、ドーピング方法としては、有機半導体層を形成した後に、ドーパントを導入する方法、あるいは有機半導体層の形成時に、ドーパントを導入する方法を適用することができる。

また、本発明の有機トランジスタは、大気中の酸素、水分などの影響を軽減する目的で、有機トランジスタの外周面の全面、または一部にガスバリア層を設けることもできる。ガスバリア層を形成する材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどを挙げることができる。さらには、ゲート絶縁層に使用する材料として挙げた無機絶縁体もガスバリア層の形成に用いることができる。

尚、本発明の有機トランジスタは、例えば、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、各種センサー、ＲＦＩＤｓ(radio frequency identification cards)などに使用することができる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

以下、一般式（１）で表される化合物の製造例を示す。

（製造例１） 例示化合物番号１−１の化合物の製造
窒素雰囲気下、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（３．６６ｇ）、ジイソプロピルアミン（３０ｇ）のトルエン（５０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（５００ｍｇ）、ＣｕＩ（２００ｍｇ）および３−メトキシ−１−プロピン１ｇを加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製し、ヘキサンから再結晶することにより例示化合物番号１−１の化合物２．５ｇを無色の結晶として得た。融点９５℃

（製造例２） 例示化合物番号１−４の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−ｎ−ブチル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン４．２ｇを使用し、さらに、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、３−ｎ−プロポキシ−１−プロピン（１．３ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号１−４の化合物２．８ｇを無色の結晶として得た。

（製造例３） 例示化合物番号１−８の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−ｎ−ブトキシ−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．４ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号１−８の化合物２．６ｇを無色の結晶として得た。

（製造例４） 例示化合物番号１−１４の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−（３’−メトキシプロピル）−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．４ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号１−１４の化合物３．１ｇを無色の結晶として得た。

（製造例５） 例示化合物番号１−２０の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−（５’−エトキシペンチル）−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．８ｇ）を使用し、さらに、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、５−エトキシ−１−ペンチン（１．４ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号１−２０の化合物３．４ｇを無色の結晶として得た。

（製造例６） 例示化合物番号１−３１の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−（４’−フェニルフェニル）−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（５．１ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号１−３１の化合物３．７ｇを無色の結晶として得た。融点２００℃以上

（製造例７） 例示化合物番号１−３４の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−（４’−ｎ−ペンチルフェニル）−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（５．１ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号１−３４の化合物３．２ｇを無色の結晶として得た。

（製造例８） 例示化合物番号１−４１の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．９ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および３−メトキシ−１−プロピン２ｇを加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号１−４１の化合物３．１ｇを無色の結晶として得た。融点１５３℃

（製造例９） 例示化合物番号１−４３の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジブロモ［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．０ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および３−ｎ−プロポキシ−１−プロピン２．３ｇを加え、３５℃で１４時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製し、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号１−４３の化合物３．４ｇを無色の結晶として得た。融点１３７℃

（製造例１０） 例示化合物番号１−４５の化合物の製造
製造例８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、３−ｎ−ペンチルオキシ−１−プロピン（２．８ｇ）を使用した以外は、製造例８に記載の操作に従い、例示化合物番号１−４５の化合物３．８ｇを無色の結晶として得た。

（製造例１１） 例示化合物番号１−５３の化合物の製造
製造例８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、４−メトキシ−１−ブチン（２．０ｇ）を使用した以外は、製造例８に記載の操作に従い、例示化合物番号１−５３の化合物３．６ｇを無色の結晶として得た。融点１３８℃

（製造例１２） 例示化合物番号１−５５の化合物の製造
製造例８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、５−メトキシ−１−ペンチン（２．３ｇ）を使用した以外は、製造例８に記載の操作に従い、例示化合物番号１−５５の化合物３．４ｇを無色の結晶として得た。融点１３５℃

（製造例１３） 例示化合物番号１−５８の化合物の製造
製造例８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、７−エトキシ−１−ヘプチン（３．４ｇ）を使用した以外は、製造例８に記載の操作に従い、例示化合物番号１−５８の化合物２．７ｇを無色の結晶として得た。

（製造例１４） 例示化合物番号１−６０の化合物の製造
製造例８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、１１−メトキシ−１−ウンデシン（４．４ｇ）を使用した以外は、製造例８に記載の操作に従い、例示化合物番号１−６０の化合物４．２ｇを無色の結晶として得た。

（製造例１５） 例示化合物番号１−６１の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジヨード［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．９２ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（３００ｍｇ）、トリエチルアンモニウムクロライド（１．７ｇ）およびエトキシ（トリ−ｎ−ブチルスタニル）アセチレン９．５ｇを加え、２５℃で３時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびジエチルエーテル（３００ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からジエチルエーテルを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号１−６１の化合物１．３ｇを無色の結晶として得た。

（製造例１６） 例示化合物番号１−６４の化合物の製造
窒素雰囲気下、２−ヨード−７−ブロモ［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（４．４５ｇ）、ジイソプロピルアミン（３０ｇ）のトルエン（５０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（３００ｍｇ）、ＣｕＩ（１５０ｍｇ）およびプロパルギルアルコール０．６ｇを加え、２５℃で６時間撹拌した。
反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で２回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：トルエン）にて分離精製し、ヘキサンから再結晶することにより例示化合物番号１−６４の化合物２．３ｇを無色の結晶として得た。

（製造例１７） 例示化合物番号１−６９の化合物の製造
製造例８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、プロパルギルアルコール（１．３ｇ）を使用した以外は、製造例８に記載の操作に従い、例示化合物番号１−６９の化合物２．４ｇを無色の結晶として得た。

以下、一般式（１）で表される化合物の水素化により、一般式（３）で表わされる化合物の製造例を示す。

（製造例１８）
例示化合物番号１−４の化合物（２ｇ）のトルエン（５０ｍｌ）溶液に、パラジウム／炭素(５００ｍｇ)を加え、常圧の水素ガス雰囲気下で、２５℃で２日間撹拌した。
反応混合物を濾過して、パラジウム／炭素を除いた後、濾液からトルエン留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン(体積比：１／１)〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、式（３−４）の化合物１．８ｇを無色の結晶として得た。

（製造例１９）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−３１の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−３１）の化合物１．８ｇを無色の結晶として得た。融点２００℃以上

（製造例２０）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−４１の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−４１）の化合物１．７ｇを無色の結晶として得た。融点１２３℃

（製造例２１）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−４５の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−４５）の化合物１．６ｇを無色の結晶として得た。

（製造例２２）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−５５の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−５５）の化合物１．７ｇを無色の結晶として得た。融点１２８℃
尚、この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号１−９１の化合物および例示化合物番号１−９７の化合物の生成が確認された。

（製造例２３）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−１５８の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−５８）の化合物１．７ｇを無色の結晶として得た。
この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号１−９２の化合物および例示化合物番号１−９８の化合物の生成が確認された。

（製造例２４）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−６０の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−６０）の化合物１．７ｇを無色の結晶として得た。

（製造例２５）
製造例１８において、例示化合物番号１−４の化合物の代わりに、例示化合物番号１−６９の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例１８に記載の操作に従い、式（３−６９）の化合物１．８ｇを無色の結晶として得た。
この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号１−９５の化合物および例示化合物番号１−１００の化合物の生成が確認された。

以下、一般式（１）で表される化合物を有機半導体層に用いてなる有機トランジスタに関しての実施例を示す。

（実施例１）
ゲート電極としての抵抗率０．０２Ω・ｃｍのシリコン基板に、厚さ２００ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ₂）を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたＳｉＯ₂層がゲート絶縁層となる。シリコン基板を８０℃に加熱しておき、その上に、例示化合物番号１−４３の化合物のクロロホルム溶液（濃度：０．４質量％）を塗布したところ、クロロホルムが蒸発し、８０ｎｍの厚さの例示化合物番号１−４３の化合物からなる有機半導体層が形成された。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは８０ｎｍであり、チャネル幅は２ｍｍ、チャネル長は５０μｍであった。
以上のように作製した有機トランジスタは、ｐ型のトランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流−電圧(Ｉ−Ｖ)特性の飽和領域から、電荷移動度を求めた。
さらに、ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖおよび０Ｖにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン／オフ比を求めた。
尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−１５Ｖであった。
さらに、作製した有機トランジスタ素子を大気中で、２５℃で、１ヶ月保存した後、再度、電荷移動度と電流のオン／オフ比を測定した。測定結果を第１表に示した。

（実施例２〜５）
実施例１において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号１−４３の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号１−４５の化合物（実施例２）、例示化合物番号１−５３の化合物（実施例３）、例示化合物番号１−５５の化合物（実施例４）、例示化合物番号１−５８の化合物（実施例５）を使用した以外は、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
尚、実施例２〜５の有機トランジスタの閾値電圧は、−１５〜−１７Ｖの範囲であった。
さらに、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第１表に示した。

（比較例１）
実施例１において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号１−４３の化合物を使用する代わりに、２，７−ジヘキシル[１]ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンを使用した以外は、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−２５Ｖであり、実施例の値と比べ高い電圧であることが判明した。
さらに、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第１表に示した。

（比較例２）
実施例１において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号１−４３の化合物を使用する代わりに、２，７−ジドデシル[１]ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンを使用した以外は、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−２２Ｖであり、実施例の値と比べ高い電圧であることが判明した。
さらに、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第１表に示した。

第１表より、一般式（１）で表される化合物を用いてなる有機トランジスタは、高い電荷移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、有機トランジスタとして優れた特性を有しており、さらに経時変化が抑制された、安定性に優れた有機トランジスタであることが明らかである。

（参考例）
実施例１において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号１−４３の化合物を使用する代わりに、製造例２３で製造した式（３−５８）の化合物を使用した以外は、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例１に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、７.２×１０^−１（ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ）であり、電流のオン／オフ比は２.７×１０^８であった。

以下、一般式（２）で表される化合物の製造例を示す。

（製造例２６） 例示化合物番号２−２の化合物の製造
窒素雰囲気下、２−ヨード−７−ｎ−ブチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（４．２ｇ）、ジイソプロピルアミン（３０ｇ）のトルエン（５０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（５００ｍｇ）、ＣｕＩ（２００ｍｇ）および３−ｎ−プロポキシ−１−プロピン（１．２ｇ）を加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製し、ヘキサンから再結晶することにより例示化合物番号２−２の化合物２．９ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１１５℃

（製造例２７） 例示化合物番号２−５の化合物の製造
製造例１において、２−ヨード−７−ｎ−ブチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの代わりに、２−ヨード−７−（３’−メトキシプロピル）ナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（４．４ｇ）を使用し、さらに、３−ｎ−プロポキシ−１−プロピンの代わりに、３−メトキシ−１−プロピン（１．０ｇ）を使用した以外は、製造例１に記載の操作に従い、例示化合物番号２−５の化合物２．６ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例２８） 例示化合物番号２−１１の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジヨードナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（４．９ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および３−メトキシ−１−プロピン（２ｇ）を加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号２−１１の化合物２．８ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１２１℃

（製造例２９） 例示化合物番号２−１４の化合物の製造
製造例２８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、４−エトキシ−１−ブチン（２．３ｇ）を使用した以外は、製造例２８に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１４の化合物３．１ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例３０） 例示化合物番号２−１５の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジブロモナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（４．０ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および６−メトキシ−１−ヘキシン（２．６ｇ）を加え、３５℃で１４時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製し、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号２−１５の化合物３．４ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１１７℃

（製造例３１） 例示化合物番号２−１６の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジヨードナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（４．９ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（６０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（３００ｍｇ）、トリエチルアンモニウムクロライド（１．７ｇ）およびエトキシ（トリ−ｎ−ブチルスタニル）アセチレン９．５ｇを加え、２５℃で３時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびジエチルエーテル（３００ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からジエチルエーテルを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号２−１６の化合物１．６ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例３２） 例示化合物番号２−１９の化合物の製造
製造例２８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、プロパルギルアルコール（１．３ｇ）を使用した以外は、製造例２８に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１９の化合物２．２ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例３３） 例示化合物番号２−４２の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，７−ジヨードナフト［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（４．９ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および３−エトキシ−１−プロピン（２．１ｇ）を加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号２−４２の化合物２．９ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１０９℃

（製造例３４） 例示化合物番号２−４６の化合物の製造
製造例３３において、３−エトキシ−１−プロピンの代わりに、７−メトキシ−１−ヘプチン（３．０ｇ）を使用した以外は、製造例３３に記載の操作に従い、例示化合物番号２−４６の化合物３．４ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例３５） 例示化合物番号２−５８の化合物の製造
窒素雰囲気下、２−ヨード−８−ｎ−ペンチルアントラ［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（４．９ｇ）、ジイソプロピルアミン（３０ｇ）のトルエン（５０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（５００ｍｇ）、ＣｕＩ（２００ｍｇ）および３−メトキシ−１−プロピン（１．０ｇ）を加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製し、ヘキサンから再結晶することにより例示化合物番号２−５８の化合物、３．３ｇを黄色の結晶として得た。融点１３８℃

（製造例３６） 例示化合物番号２−６３の化合物の製造
製造例３５において、２−ヨード−８−ｎ−ペンチルアントラ［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェンの代わりに、２−ヨード−８−（４’−フェニルフェニル）アントラ［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（５．７ｇ）を使用した以外は、製造例３５に記載の操作に従い、例示化合物番号２−６３の化合物４．１ｇを黄色の結晶として得た。融点２００℃以上

（製造例３７） 例示化合物番号２−６６の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，８−ジヨードアントラ［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（５．４ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および３−ｎ−プロポキシ−１−プロピン（２．４ｇ）を加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号２−６６の化合物３．７ｇを黄色の結晶として得た。融点１２７℃

（製造例３８） 例示化合物番号２−６８の化合物の製造
製造例３７において、３−ｎ−プロポキシ−１−プロピンの代わりに、５−メトキシ−１−ペンチン（２．４ｇ）を使用した以外は、製造例３７に記載の操作に従い、例示化合物番号２−６８の化合物３．５ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例３９） 例示化合物番号２−６９の化合物の製造
製造例３７において、３−ｎ−プロポキシ−１−プロピンの代わりに、９−メトキシ−１−ノニン（３．７ｇ）を使用した以外は、製造例３７に記載の操作に従い、例示化合物番号２−６９の化合物３．５ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４０） 例示化合物番号２−８７の化合物の製造
窒素雰囲気下、２，８−ジヨードアントラ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（５．４ｇ）、ジイソプロピルアミン（４５ｇ）のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド（８００ｍｇ）、ＣｕＩ（４００ｍｇ）および３−ｎ−ブチルオキシ−１−プロピン（２．７ｇ）を加え、２５℃で６時間撹拌した。反応混合物に、水（５０ｍｌ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分離した後、有機層を水（１００ｍｌ）で３回洗浄した。
有機層からトルエンを留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン（体積比：２／１）〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、例示化合物番号２−８７の化合物３．５ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４１） 例示化合物番号２−９１の化合物の製造
製造例４０において、３−ｎ−ブチルオキシ−１−プロピンの代わりに、１１−メトキシ−１−ウンデシン（４．４ｇ）を使用した以外は、製造例４０に記載の操作に従い、例示化合物番号２−９１の化合物４．６ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４２） 例示化合物番号２−１０５の化合物の製造
製造例２８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、１−ペンチン（１．４ｇ）を使用した以外は、製造例２８に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１０５の化合物２．９ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４３） 例示化合物番号２−１０７の化合物の製造
製造例２８において、３−メトキシ−１−プロピンの代わりに、１−デシン（２．７ｇ）を使用した以外は、製造例２８に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１０７の化合物３．８ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４４） 例示化合物番号２−１２１の化合物の製造
製造例３３において、３−エトキシ−１−プロピンの代わりに、１−オクチン(２．２ｇ)を使用した以外は、製造例３３に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１２１の化合物３．５ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４５） 例示化合物番号２−１３０の化合物の製造
製造例３７において、３−ｎ−プロポキシ−１−プロピンの代わりに、１−ヘキシン（２．０ｇ）を使用した以外は、製造例３７に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１３０の化合物３．３ｇを黄色の結晶として得た。融点１２５℃

（製造例４６） 例示化合物番号２−１３１の化合物の製造
製造例３７において、３−ｎ−プロポキシ−１−プロピンの代わりに、１−ノニン（２．５ｇ）を使用した以外は、製造例３７に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１３１の化合物４．１ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４７） 例示化合物番号２−１４３の化合物の製造
製造例４０において、３−ｎ−ブチルオキシ−１−プロピンの代わりに、１−ヘキシン（２．０ｇ）を使用した以外は、製造例４０に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１４３の化合物３．４ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例４８） 例示化合物番号２−１４５の化合物の製造
製造例４０において、３−ｎ−ブチルオキシ−１−プロピンの代わりに、１−ドデシン（４.０ｇ）を使用した以外は、製造例４０に記載の操作に従い、例示化合物番号２−１４５の化合物４.３ｇを黄色の結晶として得た。

以下に、一般式（２）で表される化合物の水素化により、一般式（４）で表わされる化合物の製造例を示す。

（製造例４９）
例示化合物番号２−２の化合物（２ｇ）のトルエン（５０ｍｌ）溶液に、パラジウム／炭素（５００ｍｇ）を加え、常圧の水素ガス雰囲気下で、２５℃で２日間撹拌した。
反応混合物を濾過して、パラジウム／炭素を除いた後、濾液からトルエン留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔展開液：トルエン／ヘキサン(体積比：１／１)〕にて分離精製した後、ヘキサンから再結晶することにより、式（４−２）の化合物１．８ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例５０）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−５の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−５）の化合物１．８ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１１８℃

（製造例５１）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１４の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１４）の化合物１．８ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１２３℃

（製造例５２）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１９の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１９）の化合物１．６ｇを淡黄色の結晶として得た。

（製造例５３）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−４６の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−４６）の化合物１．７ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１１１℃
尚、この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号２−５５の化合物および例示化合物番号２−５６の化合物の生成が確認された。

（製造例５４）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−６３の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−６３）の化合物１．８ｇを黄色の結晶として得た。融点２００℃以上

（製造例５５）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−６９の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−６９）の化合物１．７ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例５６）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−９１の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−９１）の化合物１．８ｇを黄色の結晶として得た。

（製造例５７）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１０５の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１０５）の化合物１．７ｇを淡黄色の結晶として得た。融点１１８℃
尚、この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号２−１０９の化合物および例示化合物番号２−１１２の化合物の生成が確認された。

（製造例５８）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１２１の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１２１）の化合物１．７ｇを淡黄色の結晶として得た。融点９３℃
尚、この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号２−１２３の化合物の生成が確認された。

（製造例５９）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１３０の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１３０）の化合物１．６ｇを黄色の結晶として得た。
尚、この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号２−１３４の化合物の生成が確認された。

（製造例６０）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１４３の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１４３）の化合物１．８ｇを黄色の結晶として得た。融点１１８℃
尚、この水素化の反応途中の段階で、例示化合物番号２−１４６の化合物の生成が確認された。

（製造例６１）
製造例４９において、例示化合物番号２−２の化合物の代わりに、例示化合物番号２−１４５の化合物（２ｇ）を使用した以外は、製造例４９に記載の操作に従い、式（４−１４５）の化合物１．７ｇを黄色の結晶として得た。融点１２４℃

以下に、一般式（２）で表わされる化合物を有機半導体層に用いた有機トランジスタに関しての実施例を示す。

（実施例６）
ゲート電極としての抵抗率０．０２Ω・ｃｍのシリコン基板に、厚さ２００ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ₂）を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたＳｉＯ₂層がゲート絶縁層となる。シリコン基板を８０℃に加熱しておき、その上に、例示化合物番号２−１４の化合物のクロロホルム溶液（濃度：０．４質量％）を塗布したところ、クロロホルムが蒸発し、８０ｎｍの厚さの例示化合物番号２−１４の化合物からなる有機半導体層が形成された。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは８０ｎｍであり、チャネル幅は２ｍｍ、チャネル長は５０μｍであった。
以上のように作製した有機トランジスタは、ｐ型のトランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流−電圧(Ｉ−Ｖ)特性の飽和領域から、電荷移動度を求めた。
さらに、ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖおよび０Ｖにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン／オフ比を求めた。
尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−１５Ｖであった。
さらに、作製した有機トランジスタ素子を大気中で、２５℃で、１ヶ月保存した後、再度、電荷移動度と電流のオン／オフ比を測定した。測定結果を第２表に示した。

（実施例７〜１２）
実施例６において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号２−１４の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号２−４６の化合物（実施例７）、例示化合物番号２−６９の化合物（実施例８）、例示化合物番号２−１０５の化合物（実施例９）、例示化合物番号２−１２１の化合物（実施例１０）、例示化合物番号２−１３０の化合物（実施例１１）、例示化合物番号２−１４３の化合物（実施例１２）を使用した以外は、実施例６に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。尚、実施例７〜１２の有機トランジスタの閾値電圧は、−１５〜−１７Ｖの範囲であった。
さらに、実施例６に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第２表に示した。

（比較例３）
実施例６において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号２−１４の化合物を使用する代わりに、２，７−ジ−ｎ−ヘプチルナフト［２，１−ｂ：６，５−ｂ’］ジチオフェン（比較化合物Ａ）を使用した以外は、実施例６に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。

尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−２２Ｖであり、実施例の値と比べ高い電圧であることが判明した。
さらに、実施例６に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第２表に示した。

（比較例４）
実施例６において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号２−１４の化合物を使用する代わりに、２，７−ジ−ｎ−ドデシルアントラ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン（比較化合物Ｂ）を使用した以外は、実施例６に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。

尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−２４Ｖであり、実施例の値と比べ高い電圧であることが判明した。
さらに、実施例６に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第２表に示した。

第２表

第２表より、一般式（２）で表される化合物を用いてなる有機トランジスタは、高い電荷移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、有機トランジスタとして優れた特性を有しており、さらに経時変化が抑制された、安定性に優れた有機トランジスタであることが明らかである。

本発明の有機トランジスタは、高い電荷移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、かつ保存安定性に優れており、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、各種センサー、ＲＦＩＤｓ(radio frequency identification cards)などに使用することができる。

１１：基板
２１：ゲート電極
３１：ゲート絶縁層
４１：ドレイン電極
５１：有機半導体層
６１：ソース電極

１２：基板
２２：ゲート電極
３２：ゲート絶縁層
４２：ドレイン電極
５２：有機半導体層
６２：ソース電極

１３：基板
２３：ゲート電極
３３：ゲート絶縁層
４３：ドレイン電極
５３：有機半導体層
６３：ソース電極

１４：基板
２４：ゲート電極
３４：ゲート絶縁層
４４：ドレイン電極
５４：有機半導体層
６４：ソース電極

Claims (3)

1. 一般式(１)で表される化合物。
   

   

   ｛式中、Ｒ_１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（１−ａ）で表される基を表し、
   

   

   〔式（１−ａ）中、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕
   Ｒ_２は、式(１−ａ)で表される基を表す｝
   
2. 一般式（２）で表される化合物。
   

   

   ｛式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、lは０または１を表し、
   環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表し、
   Ｒ_４は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式(２−ａ)で表される基を表し、
   

   

   〔式(２−ａ)中、−Ｙ_２−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕
   Ｒ_５は、式(２−ａ)で表される基を表す｝
   
3. 有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(１)〜一般式(２)で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有してなる有機トランジスタ。
   

   

   ｛式中、Ｒ_１は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式（１−ａ）で表される基を表し、
   

   

   〔式（１−ａ）中、−Ｙ_１−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_３は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｎは０〜１６の整数を表す〕
   Ｒ_２は、式(１−ａ)で表される基を表す｝
   

   

   ｛式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、lは０または１を表し、
   環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表し、
   Ｒ_４は、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、あるいは式(２−ａ)で表される基を表し、
   

   

   〔式（２−ａ）中、−Ｙ_２−は、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、Ｒ_６は、水素原子、あるいは直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、ｍは０〜１６の整数を表し、ｑは０または１を表す〕
   Ｒ_５は、式(２−ａ)で表される基を表す｝

Images