JP5633580B2 - ストレージ装置，制御装置および制御方法 - Google Patents
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Description
本件は、ストレージ装置，制御装置および制御方法に関する。
RAID（Redundant Array of Inexpensive Disks）装置などのストレージ装置において、ストレージ装置への電力供給停止時（停電時）に、コンデンサから供給される電力を用いて揮発メモリに記録されたデータを不揮発メモリに退避させることが知られている。
また、電気二重層コンデンサ等のコンデンサは、経年によって容量は減少し直流抵抗は増加するため、経年によって電気二重層コンデンサが供給可能な電力が低下することが知られている。
また、電気二重層コンデンサ等のコンデンサは、経年によって容量は減少し直流抵抗は増加するため、経年によって電気二重層コンデンサが供給可能な電力が低下することが知られている。
ここで、一般的に、電気二重層コンデンサをそなえるSCU（System Capacitor Unit）は、製造から数年後（例えば５年後）の製品寿命時にキャッシュメモリ等の揮発メモリに記録されたデータを不揮発メモリに退避するのに必要な電力を保持するように設計されている。すなわち、製造後初期におけるSCUは、経年による電気二重層コンデンサが供給可能な電力の低下を想定した電力を保持しているため、キャッシュメモリに記録されたデータを不揮発メモリに退避させるのに必要な電力を超える、余剰な電力を保持している。
したがって、ストレージ装置の起動時にSCUがそなえる電気二重層コンデンサを充電する際に、余剰電力に対しても充電時間がかかるため、結果としてストレージ装置の起動に時間がかかる。
本件の目的は、このような課題に鑑み創案されたもので、ストレージ装置の起動時間を短縮することを目的とする。
本件の目的は、このような課題に鑑み創案されたもので、ストレージ装置の起動時間を短縮することを目的とする。
なお、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための形態に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本件の他の目的の1つとして位置付けることができる。
本ストレージ装置は、データを記憶する記憶部と前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部とをそなえたストレージ装置において、経年によって供給可能な電力が低下するキャパシタを有し、前記ストレージ装置に対する外部からの電力供給停止時に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、前記電力供給停止時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧であって前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえる。
また、本制御装置は、データを記憶する記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御装置であって、経年によって供給可能な電力が低下するキャパシタを有し、前記記憶部に対する外部からの電力供給停止時に当該制御装置に電力を供給する電力供給部と、前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、前記電力供給停止時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧であって前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえる。
本制御方法は、データを記憶する記憶部と、前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部と、経年によって供給可能な電力が低下するキャパシタを有し、外部からの電力供給停止時に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、前記電力供給停止時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、をそなえたストレージ装置の制御方法であって、前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定し、決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧であって前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定し、前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう。
開示のストレージ装置，制御装置および制御方法によれば、停電時に必要な電力を確保した上でストレージ装置の起動時間を短縮することができる。
以下、図面を参照して本ストレージ装置，制御装置および制御方法に係る実施形態の一例を説明する。
図１は、実施形態の一例としてのストレージ装置の構成を示す図である。図２は、実施形態の一例としてのSCUの充電経路を模式的に示す図である。また、図３は、実施形態の一例としてのコントローラモジュールの機能構成を模式的に示す図である。
図１は、実施形態の一例としてのストレージ装置の構成を示す図である。図２は、実施形態の一例としてのSCUの充電経路を模式的に示す図である。また、図３は、実施形態の一例としてのコントローラモジュールの機能構成を模式的に示す図である。
本実施形態の一例としてのストレージ装置１は、図１に示すように、コントローラモジュール１０−１，１０−２，PSU（Power Supply Unit）２０，ミッドプレーン３０およびHDD（Hard Disk Drive）４０をそなえている。このストレージ装置１は、LAN（Local Area Network）やFC(Fibre Channele)等の通信回線を介してホスト５０に接続されている。コントローラモジュール１０−１，１０−２，PSU２０およびHDD４０は、ミッドプレーン３０を介して相互に接続されている。
以下、コントローラモジュールを示す符号としては、複数のコントローラモジュールのうち１つを特定する必要があるときには符号１０−１，１０−２を用いるが、任意のコントローラモジュールを指すときには符号１０を用いる。
PSU２０は、例えば、ストレージ装置１の外部から供給されるAC（Alternative Current）電力をDC（Direct Current）電力に変換し、ミッドプレーン３０を介して、コントローラモジュール１０およびHDD４０に対して電力を供給する。
PSU２０は、例えば、ストレージ装置１の外部から供給されるAC（Alternative Current）電力をDC（Direct Current）電力に変換し、ミッドプレーン３０を介して、コントローラモジュール１０およびHDD４０に対して電力を供給する。
ミッドプレーン３０は、例えば、コントローラモジュール１０，PSU２０およびHDD４０を相互に接続する基板であり、PSU２０から入力された電力をコントローラモジュール１０に供給する。
HDD４０は、例えば、ホスト５０からの要求に応じて各種のデータを記憶する。すなわち、HDD４０は、データを記憶する記憶部の一例である。
HDD４０は、例えば、ホスト５０からの要求に応じて各種のデータを記憶する。すなわち、HDD４０は、データを記憶する記憶部の一例である。
ホスト５０は、例えば、ストレージ装置１に対して、データの書き込みおよび読み出しを要求する上位装置である。
コントローラモジュール１０は、例えば、ホスト５０からの要求に応じて、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出しを制御する。すなわち、コントローラモジュール１０は、記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部の一例である。
コントローラモジュール１０は、例えば、ホスト５０からの要求に応じて、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出しを制御する。すなわち、コントローラモジュール１０は、記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部の一例である。
コントローラモジュール１０は、例えば、SCU２１，オア回路２２，データ処理部２３をそなえる。
SCU２１は、例えば、停電時に、コントローラモジュール１０に対して電力を供給する。具体的には、例えば、停電時に、SCU２１は、オア回路２２を介してデータ処理部２３の各構成要素に電力を供給する。すなわち、SCU２１は、ストレージ装置に対する外部からの電力供給停止時に制御部に電力を供給する電力供給部の一例である。
SCU２１は、例えば、停電時に、コントローラモジュール１０に対して電力を供給する。具体的には、例えば、停電時に、SCU２１は、オア回路２２を介してデータ処理部２３の各構成要素に電力を供給する。すなわち、SCU２１は、ストレージ装置に対する外部からの電力供給停止時に制御部に電力を供給する電力供給部の一例である。
より具体的には、SCU２１は、例えば、電力供給部２１１，不揮発メモリ２１２および処理部２１３をそなえる。
また、例えば、電力供給部２１１に対する充電が後述する第１モードまたは第２モードによって行なわれた場合には、SCU２１は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避後、ミッドプレーン３０に対して電力を供給する。すなわち、SCU２１は、ミッドプレーン３０に対して電力を供給することで、ミッドプレーン３０を介して、このミッドプレーン３０に接続されたコントローラモジュール１０に対して電力を供給する。
また、例えば、電力供給部２１１に対する充電が後述する第１モードまたは第２モードによって行なわれた場合には、SCU２１は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避後、ミッドプレーン３０に対して電力を供給する。すなわち、SCU２１は、ミッドプレーン３０に対して電力を供給することで、ミッドプレーン３０を介して、このミッドプレーン３０に接続されたコントローラモジュール１０に対して電力を供給する。
電力供給部２１１は、例えば、電気二重層コンデンサ（キャパシタ）であって、コントローラモジュール１０に対して電力を供給する。また、電力供給部２１１は、例えば、PSU２０から出力される電流によって充電される。例えば、図２に示すように、SCU２１（電力供給部２１１）には、PSU２０からミッドプレーン３０を介して、第１の電流（例えば、１５Aの電流）および第１の電流よりも小さい第２の電流（例えば、３Aの電流）のいずれかが入力される。また、後述する充電制御部２４５が、これらの電流をスイッチ等により切り替えることにより、第１の電流値および第２の電流値のいずれかの電流値によって電力供給部２１１が充電される。
不揮発メモリ２１２は、例えば、SCU２１が製造された時を示す製造時情報と、後述するFPGA（Field Programmable Gate Array）２４によって決定された、電力供給部２１１である電気二重層コンデンサの容量および直流抵抗値とを保持する。ここで、例えば、製造時情報は、SCU２１が製造された製造日時（例えば、年月日時分秒）を含む情報である。すなわち、不揮発メモリ２１２は、キャパシタの容量，抵抗および、電力供給部の製造日時を保持する保持部の一例である。
処理部２１３は、種々の機能を実現する処理装置であって、例えば、図３に示すように、充電停止部２１４および電圧差決定部２１５として機能する。
充電停止部２１４は、例えば、電力供給部２１１が最終電圧まで充電された後、電力供給部２１１への充電を停止する。例えば、充電停止部２１４は、電力供給部２１１への充電経路を遮断することで充電を停止する。
充電停止部２１４は、例えば、電力供給部２１１が最終電圧まで充電された後、電力供給部２１１への充電を停止する。例えば、充電停止部２１４は、電力供給部２１１への充電経路を遮断することで充電を停止する。
電圧差決定部２１５は、充電停止後の電力供給部２１１の直流抵抗に起因する電圧降下（後述する図４中、Vｄｃｒ）を決定する。すなわち、電圧差決定部２１５は、例えば、充電停止前の電力供給部２１１の電圧と充電停止後の電力供給部２１１の電圧とを監視することで、充電停止前の電力供給部２１１の電圧と充電停止後の電力供給部２１１の電圧との電圧差を決定する。
オア回路２２は、例えば、ミッドプレーン３０からの出力（図１中、Vｂｐ）およびSCU２１からの出力（図１中、Vbat）が入力され、これらの出力のうち電圧の高い出力をVinとしてデータ処理部２３に供給する回路である。
データ処理部２３は、例えば、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出しを制御する。データ処理部２３は、例えば、FPGA２４，CPU(Central Processing Unit)２５，キャッシュメモリ２６，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８をそなえる。FPGA２４は、SCU２１，CPU２５，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８と通信可能に接続され、CPU２５はキャッシュメモリ２６と通信可能に接続されている。
データ処理部２３は、例えば、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出しを制御する。データ処理部２３は、例えば、FPGA２４，CPU(Central Processing Unit)２５，キャッシュメモリ２６，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８をそなえる。FPGA２４は、SCU２１，CPU２５，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８と通信可能に接続され、CPU２５はキャッシュメモリ２６と通信可能に接続されている。
キャッシュメモリ２６は、例えば、HDD４０に記憶されるデータを保持する。すなわち、キャッシュメモリ２６は、記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリの一例である。
リアルタイムクロック２７は、例えば、現在の日時等を示す情報を生成し出力する回路である。リアルタイムクロック２７が生成する情報には、例えば、現在の年月日時分秒が含まれる。
リアルタイムクロック２７は、例えば、現在の日時等を示す情報を生成し出力する回路である。リアルタイムクロック２７が生成する情報には、例えば、現在の年月日時分秒が含まれる。
フラッシュメモリ２８は、例えば、PSU２０からの電力供給が停止した場合に、キャッシュメモリ２６に保持されていたデータが退避される不揮発メモリである。すなわち、フラッシュメモリ２８は、停電時に、キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリの一例である。
FPGA２４は、プログラムに応じて種々機能を実現する処理装置である。また、FPGA２４は、SCU２１とI2C（Inter Integrated Circuit）等によって接続されており、FPGA２４は、このI2Cを介してSCU２１内部の電圧等を監視することができる。
FPGA２４は、プログラムに応じて種々機能を実現する処理装置である。また、FPGA２４は、SCU２１とI2C（Inter Integrated Circuit）等によって接続されており、FPGA２４は、このI2Cを介してSCU２１内部の電圧等を監視することができる。
FPGA２４は、例えば、図３に示すように、容量・抵抗決定部２４１，余剰電力決定部２４２，経年決定部２４３，充電モード決定部２４４，充電制御部２４５，供給電力制御部２４６および退避制御部２４７として機能する。
容量・抵抗決定部２４１は、電力供給部２１１である電気二重層コンデンサの容量および直流抵抗を決定する。すなわち、容量・抵抗決定部２４１は、キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部の一例である。
容量・抵抗決定部２４１は、電力供給部２１１である電気二重層コンデンサの容量および直流抵抗を決定する。すなわち、容量・抵抗決定部２４１は、キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部の一例である。
図４は、電力供給部２１１の容量および抵抗を決定するためのテスト放電を説明するための図である。図４に示すように、充電停止部２１４による充電停止とともに、容量・抵抗決定部２４１は、SCU２１がそなえる図示しない診断回路への定電流Itによる放電を開始させる。ここで、容量・抵抗決定部２４１は、電圧差決定部２１５によって決定された電圧差Vｄｃｒ（＝V1−V２）および定電流Itに基づいて、電力供給部２１１の直流抵抗を決定する。そして、容量・抵抗決定部２４１は、例えば、所定の診断時間T１経過後の電力供給部２１１の電圧（図４中、V３）を取得してFPGA２４がそなえる図示しない内部メモリに記憶する。そして、充電停止後の電力供給部２１１の電圧V２と所定の診断時間T１経過後の電力供給部２１１の電圧V３との差（図４中、Vcap）および定電流Itに基づいて電力供給部２１１の容量を決定する。
なお、容量・抵抗決定部２４１は、決定された電力供給部２１１の容量および直流抵抗を不揮発メモリ２１２に記録する。また、容量・抵抗決定部２４１の上述の如き処理は、ストレージ装置１の起動後、例えば、電力供給部２１１が最終電圧となり電圧差決定部２１５によって電圧差Vｄｃｒが決定された後に、所定のタイミングで実施される。
余剰電力決定部２４２は、例えば、不揮発性メモリ２１２に保持された電力供給部２１１の容量および直流抵抗値に基づいて、放電可能時間を決定し、決定した放電可能時間に基づいて、余剰電力を決定する。ここで、余剰電力とは、例えば、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間を超える放電可能時間を、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間に対する百分率で表したものである。すなわち、余剰電力とは、例えば、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間と不揮発性メモリ２１２に保持された電力供給部２１１の容量および直流抵抗値に基づいて決定されたSCU２１の放電可能時間との差を、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間に対する百分率で表したものである。
余剰電力決定部２４２は、例えば、不揮発性メモリ２１２に保持された電力供給部２１１の容量および直流抵抗値に基づいて、放電可能時間を決定し、決定した放電可能時間に基づいて、余剰電力を決定する。ここで、余剰電力とは、例えば、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間を超える放電可能時間を、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間に対する百分率で表したものである。すなわち、余剰電力とは、例えば、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間と不揮発性メモリ２１２に保持された電力供給部２１１の容量および直流抵抗値に基づいて決定されたSCU２１の放電可能時間との差を、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間に対する百分率で表したものである。
余剰電力決定部２４２は、例えば、電気二重層コンデンサである電力供給部２１１の接続負荷が、定電力負荷の場合における放電可能時間を決定する。図５は、データ処理部２３と電力供給部２１１とを等価的に示す図である。図５中、定電力負荷Wは、データ処理部２３の電力負荷であり、直流抵抗Rおよび容量Cは、それぞれ電力供給部２１１の直流抵抗および容量である。ここで放電開始時の容量Cにかかる電圧VC（０）＝VSとし、放電終了時Tの容量Cおよび直流抵抗Rにかかる電圧V（T）＝VEとする。ここで、放電終了時Tは、SCU21から供給される電圧が、SCU２１とデータ処理部２３との間に設けられた図示しないDC/DCコンバータによってデータ処理部２３の各構成要素に供給する適切な電圧に変換できなくなるほど低下した時である。
放電開始時の容量Cおよび直流抵抗Rにかかる電圧V（０）は、例えば、下記式（１）によって表される。
余剰電力決定部２４２は、式（１）により決定された電圧V（０）と容量・抵抗決定部２４１により決定された容量および抵抗の値とを、例えば、下記式（２）に代入することで、SCU２１の放電可能時間Tを決定する。なお、WおよびVEは設計値である。
余剰電力決定部２４２は、SCU２１の製造から数年後（例えば５年後）の製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間Tminと、式（２）により決定された放電可能時間Tとの比から、余剰電力を算出する。ここで、SCU２１の製造から数年後（例えば５年後）におけるSCU２１の放電可能時間Tminは、例えば、電力供給部２１１の容量が製造時と比較して７０％の値、電力供給部２１１の直流抵抗が製造時と比較して１３０％の値となっているものと想定し上記式（１）および式（２）に基づいて決定される。例えば、SCU２１の製造から数年後（例えば５年後）におけるSCU２１の放電可能時間Tminが３０秒、式（２）により決定された放電可能時間Tが６０秒であれば、余剰電力は１００％となる。また、例えば、後述する各モードにおける目標電圧（第１の目標電圧）までSCU２１（電力供給部２１１）が充電されている場合には、SCU２１の放電可能時間は、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間と同様または略同様となるため、余剰電力は０％となる。すなわち、余剰電力決定部２４２は、電力供給部が供給する電力であって、不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部の一例である。なお、不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力は、例えば、不揮発メモリの容量等コントローラモジュール１０の構成に基づいて設計段階で予め決定される。また、不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力は、製品寿命時の電力供給部２１１の容量および直流抵抗等に基づいて求めることができる。
経年決定部２４３は、例えば、SCU２１の製造後経過時間を決定する。具体的には、経年決定部２４３は、リアルタイムクロック２７から得た現在の日時等を示す情報と、不揮発メモリ２１２に保持されたSCU２１の製造時情報との差に基づいて、SCU２１の製造後経過時間を決定する。
充電モード決定部２４４は、例えば、余剰電力決定部２４２によって決定された余剰電力および経年決定部２４３によって決定されたSCU２１の製造後経過時間に基づいて、電力供給部２１１の充電モードを決定する。より具体的には、充電モード決定部２４４は、例えば、図６に示す条件に従って、充電モードを決定する。充電モード決定部２４４は、例えば、製造後経過時間が６０ヶ月以下であり、かつ、余剰電力が３０％以上の場合、充電モードを第１モード（Very Fast）と決定する。また、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が製品寿命（例えば、６０ヶ月）以下であり、かつ、余剰電力が２０％以上３０％未満の場合、充電モードを第２モード（Fast）と決定する。さらに、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が６０ヶ月より長く、かつ、余剰電力が１０％以上の場合、および、製造後経過時間が６０ヶ月以下であり、かつ、余剰電力が２０％未満の場合、充電モードを第３モード（Normal）と決定する。また、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が６０ヶ月より長く、かつ、余剰電力が１０％未満の場合、充電モードを第４モード（Slow）と決定する。なお、充電モードを決定する条件に用いられる各数値は、上記の６０ヶ月等の数値に限定されるものではなく、種々の値とすることができる。
充電モード決定部２４４は、例えば、余剰電力決定部２４２によって決定された余剰電力および経年決定部２４３によって決定されたSCU２１の製造後経過時間に基づいて、電力供給部２１１の充電モードを決定する。より具体的には、充電モード決定部２４４は、例えば、図６に示す条件に従って、充電モードを決定する。充電モード決定部２４４は、例えば、製造後経過時間が６０ヶ月以下であり、かつ、余剰電力が３０％以上の場合、充電モードを第１モード（Very Fast）と決定する。また、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が製品寿命（例えば、６０ヶ月）以下であり、かつ、余剰電力が２０％以上３０％未満の場合、充電モードを第２モード（Fast）と決定する。さらに、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が６０ヶ月より長く、かつ、余剰電力が１０％以上の場合、および、製造後経過時間が６０ヶ月以下であり、かつ、余剰電力が２０％未満の場合、充電モードを第３モード（Normal）と決定する。また、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が６０ヶ月より長く、かつ、余剰電力が１０％未満の場合、充電モードを第４モード（Slow）と決定する。なお、充電モードを決定する条件に用いられる各数値は、上記の６０ヶ月等の数値に限定されるものではなく、種々の値とすることができる。
ここで、各充電モードを、図７を用いて説明する。
まず、第１モードは、例えば、第１モードにおける目標電圧Vｖｆまで第１の電流値（例えば、１５A）の電流により電力供給部２１１の充電を行ない、目標電圧Vｖｆに到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。また、第２モードは、例えば、第２モードにおける目標電圧Vｆまで第１の電流値（例えば、１５Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行ない、目標電圧に到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。さらに、第３モードは、例えば、第３モードにおける目標電圧Vｎまで第１の電流値（例えば、１５Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行ない、目標電圧Vｎに到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。また、第４モードは、例えば、第４モードにおける目標電圧Vｓまで第１の電流値（例えば、１５A）の電流により電力供給部２１１の充電を行ない目標電圧Vｓに到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。すなわち、各モードにおける目標電圧は、電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧の一例である。また、最終電圧Vfinは、第２の目標電圧の一例である。
まず、第１モードは、例えば、第１モードにおける目標電圧Vｖｆまで第１の電流値（例えば、１５A）の電流により電力供給部２１１の充電を行ない、目標電圧Vｖｆに到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。また、第２モードは、例えば、第２モードにおける目標電圧Vｆまで第１の電流値（例えば、１５Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行ない、目標電圧に到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。さらに、第３モードは、例えば、第３モードにおける目標電圧Vｎまで第１の電流値（例えば、１５Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行ない、目標電圧Vｎに到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。また、第４モードは、例えば、第４モードにおける目標電圧Vｓまで第１の電流値（例えば、１５A）の電流により電力供給部２１１の充電を行ない目標電圧Vｓに到達すると、最終電圧Vfinまで第２の電流値（例えば、３Aの電流）により電力供給部２１１の充電を行なうモードである。すなわち、各モードにおける目標電圧は、電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧の一例である。また、最終電圧Vfinは、第２の目標電圧の一例である。
なお、Vｖｆ＜Vｆ＜Vｎ＜Vｓ＜Vfinである。また、ここで、各充電モードにおける目標電圧とは、例えば、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避にかかる電力を電力供給部２１１が供給可能となる電圧である。
充電制御部２４５は、例えば、充電モード決定部２４４によって決定された充電モードに応じて、電力供給部２１１への充電を制御する。具体的には、例えば、充電制御部２４５は、充電モード決定部２４４によって決定された充電モードに応じた目標電圧までは、１５Aの電流を用いて電力供給部２１１への充電を行ない。さらに、充電制御部２４５は、目標電圧を越した場合には、３Aの電流を用いて最終電圧まで電力供給部２１１への充電を行なう。つまり、充電制御部２４５は、１５Aでの充電から３Aでの充電へ切り替え制御を行なう。すなわち、充電制御部２４５は、電力供給部２１１に充電された電圧が第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で電力供給部２１１に対する充電処理を行ない、電力供給部２１１に充電された電圧が、第１の目標電圧から第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、第１の電流値よりも小さい第２の電流値で電力供給部２１１に対する充電処理を行なう充電処理部の一例である。
充電制御部２４５は、例えば、充電モード決定部２４４によって決定された充電モードに応じて、電力供給部２１１への充電を制御する。具体的には、例えば、充電制御部２４５は、充電モード決定部２４４によって決定された充電モードに応じた目標電圧までは、１５Aの電流を用いて電力供給部２１１への充電を行ない。さらに、充電制御部２４５は、目標電圧を越した場合には、３Aの電流を用いて最終電圧まで電力供給部２１１への充電を行なう。つまり、充電制御部２４５は、１５Aでの充電から３Aでの充電へ切り替え制御を行なう。すなわち、充電制御部２４５は、電力供給部２１１に充電された電圧が第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で電力供給部２１１に対する充電処理を行ない、電力供給部２１１に充電された電圧が、第１の目標電圧から第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、第１の電流値よりも小さい第２の電流値で電力供給部２１１に対する充電処理を行なう充電処理部の一例である。
１５Aの充電から３Aの充電への切り替えは、例えば、充電制御部２４５が、SCU２１に入力される１５Aの電流と３Aの電流とをスイッチ等により選択的に切り替えることにより実現される。
供給電力制御部２４６は、例えば、SCU２１が供給する電力を制御する。具体的には、供給電力制御部２４６は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避が完了すると、オア回路２２に対する電力供給を停止するとともに、ミッドプレーン３０に対する電力供給（図１中、電圧Vsub）を開始させる。この、コントローラモジュール１０−１，１０−２のそれぞれから出力された電圧Vsubは、ミッドプレーン３０を介して、電圧Vbpとしてデータ処理部２３に印加される。ここで、供給電力制御部２４６は、CPU２５，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８への電力供給を停止させる。一方、供給電力制御部２４６は、キャッシュメモリ２６に対し、ミッドプレーン３０を介した電力供給を継続することでバックアップを行なう。すなわち、電圧Vsubは、ミッドプレーン３０を介して、電圧Vbpとしてキャッシュメモリ２６に印加される。
供給電力制御部２４６は、例えば、SCU２１が供給する電力を制御する。具体的には、供給電力制御部２４６は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避が完了すると、オア回路２２に対する電力供給を停止するとともに、ミッドプレーン３０に対する電力供給（図１中、電圧Vsub）を開始させる。この、コントローラモジュール１０−１，１０−２のそれぞれから出力された電圧Vsubは、ミッドプレーン３０を介して、電圧Vbpとしてデータ処理部２３に印加される。ここで、供給電力制御部２４６は、CPU２５，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８への電力供給を停止させる。一方、供給電力制御部２４６は、キャッシュメモリ２６に対し、ミッドプレーン３０を介した電力供給を継続することでバックアップを行なう。すなわち、電圧Vsubは、ミッドプレーン３０を介して、電圧Vbpとしてキャッシュメモリ２６に印加される。
退避制御部２４７は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避を行なう。なお、例えば、退避制御部２４７は、FPGA２４がそなえるDMA（Direct Memory Access）回路によって実現される。
CPU２５は、例えば、図示しない記憶部に記憶された各種アプリケーションプログラムを実行することにより種々の演算や制御を行ない、これにより、各種機能を実現する処理装置である。例えば、CPU２５は、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出しを行なう。
CPU２５は、例えば、図示しない記憶部に記憶された各種アプリケーションプログラムを実行することにより種々の演算や制御を行ない、これにより、各種機能を実現する処理装置である。例えば、CPU２５は、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出しを行なう。
例えば、CPU２５は、アプリケーションプログラムを実行することにより、図３に示すように、起動指示部２５１，データ受信許可部２５２およびデータ制御部２５３として機能する。
起動指示部２５１は、電力供給部２１１が目標電圧まで充電されると、HDD４０に対してスピンアップを行なわせる。すなわち、起動指示部２５１は、電力供給部２１１が第１の目標電圧まで充電されると、記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部の一例である。
起動指示部２５１は、電力供給部２１１が目標電圧まで充電されると、HDD４０に対してスピンアップを行なわせる。すなわち、起動指示部２５１は、電力供給部２１１が第１の目標電圧まで充電されると、記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部の一例である。
データ受信許可部２５２は、例えば、HDD４０のスピンアップが完了すると、ホスト５０に対してデータ受信を許可する旨の通知を行なう。すなわち、データ受信許可部２５２は、記憶部が起動すると、ストレージ装置に接続された上位装置からのデータ受信を許可するデータ受信許可部の一例である。
データ制御部２５３は、例えば、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出し等のデータ制御を行なう。より具体的には、停電後、退避制御部２４７によるフラッシュメモリ２８へのデータの退避後、供給電力制御部２４６によるキャッシュメモリ２６のバックアップ中に、PSU２０からの電力供給が再開した場合、データ制御部２５３は、キャッシュメモリ２６に保持されているデータを用いてデータ制御を行なう。
データ制御部２５３は、例えば、HDD４０に対するデータの書き込みおよび読み出し等のデータ制御を行なう。より具体的には、停電後、退避制御部２４７によるフラッシュメモリ２８へのデータの退避後、供給電力制御部２４６によるキャッシュメモリ２６のバックアップ中に、PSU２０からの電力供給が再開した場合、データ制御部２５３は、キャッシュメモリ２６に保持されているデータを用いてデータ制御を行なう。
また、停電後、かつ、キャッシュメモリ２６に対する電力供給終了後に、PSU２０からの電力供給が再開した場合、不揮発メモリ２８に保持されたデータを用いてデータ制御を行なう。
上述の如く構成された、実施形態の一例としてのストレージ装置１の動作を、図８に示すフローチャート（ステップＡ１−Ａ２１）を参照しながら説明する。
上述の如く構成された、実施形態の一例としてのストレージ装置１の動作を、図８に示すフローチャート（ステップＡ１−Ａ２１）を参照しながら説明する。
まず、AC電源が投入されると（ステップＡ１）、経年決定部２４３は、リアルタイムクロック２７から現在の日時等を示す情報を取得し（ステップＡ２）、さらに、経年決定部２４３は、不揮発メモリ２１２に保持されたSCU２１の製造時情報を取得する（ステップＡ３）。そして、経年決定部２４３は、ステップＡ２およびステップＡ３にて取得した情報に基づいて、SCU２１の製造後経過時間を決定する。
そして、充電モード決定部２４４は、製造後経過時間が、例えば６０ヶ月以下か否かを判定する（ステップＡ４）。製造後経過時間が、６０ヶ月以下であれば（ステップＡ４のYesルート参照）、余剰電力決定部２４２は、不揮発メモリ２１２から容量及び抵抗値を取得し（ステップＡ５）、例えば、上記式（１）および式（２）を用いて余剰電力を決定する（ステップＡ６）。
余剰電力が決定されると、充電モード決定部２４４は、決定された余剰電力が３０％以上か否かを判定する（ステップＡ７）。余剰電力が３０％以上であれば（ステップＡ７のYesルート参照）、充電モード決定部２４４は、充電モードを第１モードに決定する（ステップＡ８）。一方、余剰電力が３０％未満であれば（ステップＡ７のNoルート参照）、充電モード決定部２４４は、次に、余剰電力が２０％以上か否かを判定する（ステップＡ９）。余剰電力が２０％以上であれば（ステップＡ９のYesルート参照）、充電モード決定部２４４は、充電モードを第２モードに決定する（ステップＡ１０）。一方、余剰電力が２０％未満であれば（ステップＡ９のNoルート参照）、充電モード決定部２４４は、充電モードを第３モードに決定する（ステップＡ１１）。
なお、製造後経過時間が、６０ヶ月より長い場合（ステップＡ４のNoルート参照）、ステップＡ５およびステップＡ６と同様に、余剰電力決定部２４２は、不揮発メモリ２１２から容量及び抵抗値を取得し（ステップＡ１２）、例えば、上記式（１）および式（２）を用いて余剰電力を決定する（ステップＡ１３）。そして、充電モード決定部２４４は、決定された余剰電力が１０％以上か否かを判定する（ステップＡ１４）。余剰電力が１０％以上であれば（ステップＡ１４のYesルート参照）、充電モード決定部２４４は、充電モードを第３モードに決定する（ステップＡ１１）。一方、余剰電力が１０％未満であれば（ステップＡ１４のNoルート参照）、充電モード決定部２４４は、充電モードを第４モードに決定する（ステップＡ１５）。
充電モードが決定された状態で、DCオンすると（ステップＡ１６）、充電制御部２４５は、PSU２０から供給される１５Aの電流を用いて電力供給部２１１への充電を行なう（ステップＡ１７）。充電制御部２４５は、充電モード決定部２４４によって決定された充電モードに応じた目標電圧まで、充電されているか否かを判断する（ステップＡ１８）。目標電圧まで充電されていない場合（ステップＡ１８のNoルート参照）、ステップＡ１８の動作が繰り返される。一方、目標電圧まで充電されている場合（ステップＡ１８のYesルート参照）、充電制御部２４５は、PSU２０から供給される３Aの電流を用いて電力供給部２１１への充電を行なう。すなわち、充電制御部２４５は、１５Aから３Aによる充電への切り替えを行なう（ステップＡ１９）。充電制御部２４５による１５Aから３Aによる充電への切り替えとともに、起動指示部２５１は、HDD４０に対してスピンアップを行なうよう指示することで、HDD４０にスピンアップを行なわせる（ステップＡ２０）。そして、スピンアップが完了すると、ストレージ装置１の起動が完了する（ステップＡ２１）。
次に、本実施形態の一例におけるストレージ装置１の起動時間について以下に図７を参照しながら説明する。
例えば、PSU２０の定格電流が３０A、１個のHDD４０のスピンアップに必要な電流が３Aであり、スピンアップ完了まで１５秒要し、かつ、ストレージ装置１は２４個のHDD４０をそなえる場合を考える。
例えば、PSU２０の定格電流が３０A、１個のHDD４０のスピンアップに必要な電流が３Aであり、スピンアップ完了まで１５秒要し、かつ、ストレージ装置１は２４個のHDD４０をそなえる場合を考える。
まず、充電モードが第１モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧Vｖfまで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vvfまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
従って、第１モードの場合、電力供給部２１１の充電開始（DCオン）から、目標電圧Vvf到達後２４個のHDD４０のスピンアップ完了まで、すなわち、ストレージ装置１の起動まで図７に示すように６５秒を要する。
次に、充電モードが第２モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧Vfまで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vfまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
次に、充電モードが第２モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧Vfまで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vfまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
従って、第２モードの場合、電力供給部２１１の充電開始（DCオン）から、目標電圧Vf到達後２４個のHDD４０のスピンアップ完了まで、すなわち、ストレージ装置１の起動まで図７に示すように８５秒を要する。
また、充電モードが第３モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧Vｎまで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vｎまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
また、充電モードが第３モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧Vｎまで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vｎまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
従って、第３モードの場合、電力供給部２１１の充電開始（DCオン）から、目標電圧Vｎ到達後２４個のHDD４０のスピンアップ完了まで、すなわち、ストレージ装置１の起動まで図７に示すように１０５秒を要する。
さらに、充電モードが第４モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧V s まで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vｓまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
さらに、充電モードが第４モードである場合、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、目標電圧V s まで、１５Aの電流で充電される。すなわち、合計３０Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられる。そして、電力供給部２１１が、目標電圧Vｓまで充電されると、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、３Aの電流で充電される。さらに、８個ずつHDD４０のスピンアップを３回に分けて行なう。すなわち、合計６Aの電流が２つの電力供給部２１１の充電に用いられ、残りの２４Aは、８個のHDD４０のスピンアップに用いられる。
従って、第４モードの場合、電力供給部２１１の充電開始（DCオン）から、目標電圧Vｓ到達後２４個のHDD４０のスピンアップ完了まで、すなわち、ストレージ装置１の起動まで図７に示すように１２５秒を要する。
ここで、本実施形態の一例におけるストレージ装置１の起動時間と対比するために、本実施形態の一例のように電流値を変化させずに１５Aのまま最終電圧まで電力供給部２１１の充電を行ない、その後HDD４０のスピンアップを行なう場合を考える。この場合、図９に示すように、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、最終電圧まで１５Aの電流を用いて充電されるため、HDD４０のスピンアップを行なうことができない。従って、電力供給部２１１が最終電圧まで充電された後に、HDD４０のスピンアップが３回に分けて行なわれる。
ここで、本実施形態の一例におけるストレージ装置１の起動時間と対比するために、本実施形態の一例のように電流値を変化させずに１５Aのまま最終電圧まで電力供給部２１１の充電を行ない、その後HDD４０のスピンアップを行なう場合を考える。この場合、図９に示すように、コントローラモジュール１０−１および１０−２がそなえる電気二重層コンデンサである電力供給部２１１が、最終電圧まで１５Aの電流を用いて充電されるため、HDD４０のスピンアップを行なうことができない。従って、電力供給部２１１が最終電圧まで充電された後に、HDD４０のスピンアップが３回に分けて行なわれる。
従って、この場合、２４個のHDD４０のスピンアップが完了し、ストレージ装置１が起動するまで図９に示すように１４５秒を要する。
すなわち、本実施形態の一例によれば、充電モードを第４モードとした場合でも、本実施形態の一例のように電流値を変化させずに充電を行なった場合と比較して２０秒早くストレージ装置１を起動することができる。さらには、充電モードを第１モードとした場合には、本実施形態の一例のように電流値を変化させずに充電を行なった場合と比較して８０秒早くストレージ装置１を起動することができる。
すなわち、本実施形態の一例によれば、充電モードを第４モードとした場合でも、本実施形態の一例のように電流値を変化させずに充電を行なった場合と比較して２０秒早くストレージ装置１を起動することができる。さらには、充電モードを第１モードとした場合には、本実施形態の一例のように電流値を変化させずに充電を行なった場合と比較して８０秒早くストレージ装置１を起動することができる。
次に、例えば、第１モードあるいは第２モードでストレージ装置１が起動した後に停電が起こった場合のストレージ装置１の処理について図１０を用いて説明する。図１０は、実施形態の一例としての停電時のストレージ装置の動作を説明するためのフローチャートである。
まず、停電が起こると、退避制御部２４７は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避を行なう（ステップB1）。キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避完了後、供給電力制御部２４６は、SCU２１によるオア回路２２に対する電力供給（図１中、電圧Vbat）を停止し、ミッドプレーン３０に対する電力供給（図１中、電圧Vsub）を開始させる（ステップB２）。さらに、供給電力制御部２４６は、SCU２１による、CPU２５，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８への電力供給を停止する（ステップB３）。一方、PSU２０から出力された電圧Vsubがミッドプレーン３０を介してVbpとしてキャッシュメモリ２６に供給される。すなわち、キャッシュメモリ２６には、電力供給が継続される（ステップB４）。
まず、停電が起こると、退避制御部２４７は、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避を行なう（ステップB1）。キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避完了後、供給電力制御部２４６は、SCU２１によるオア回路２２に対する電力供給（図１中、電圧Vbat）を停止し、ミッドプレーン３０に対する電力供給（図１中、電圧Vsub）を開始させる（ステップB２）。さらに、供給電力制御部２４６は、SCU２１による、CPU２５，リアルタイムクロック２７およびフラッシュメモリ２８への電力供給を停止する（ステップB３）。一方、PSU２０から出力された電圧Vsubがミッドプレーン３０を介してVbpとしてキャッシュメモリ２６に供給される。すなわち、キャッシュメモリ２６には、電力供給が継続される（ステップB４）。
このように、本実施形態の一例によれば、停電時に必要な電力を確保した上で、ストレージ装置の起動時間を短縮することができる。
また、本実施形態の一例によれば、SCU２１の経年による容量や直流抵抗の劣化を考慮して、すなわちSCU２１の使用状況を考慮して、最適な充電方法を選択することで、ストレージ装置の起動時間を短縮することができる。
また、本実施形態の一例によれば、SCU２１の経年による容量や直流抵抗の劣化を考慮して、すなわちSCU２１の使用状況を考慮して、最適な充電方法を選択することで、ストレージ装置の起動時間を短縮することができる。
さらに、本実施形態の一例によれば、停電時に、キャッシュメモリ２６からフラッシュメモリ２８へのデータの退避に加え、SCU２１の余剰電力を用いてキャッシュメモリ２６のバックアップを行なうため、ストレージ装置１の信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態の一例によれば、SCU２１の余剰電力を用いたキャッシュメモリ２６のバックアップ中に、停電が復旧した場合には、フラッシュメモリ２８からキャッシュメモリ２６への書き戻しは不要となる。したがって、本実施形態の一例によれば、停電以前の状態に即時に回復することができる。
また、本実施形態の一例によれば、SCU２１の余剰電力を用いたキャッシュメモリ２６のバックアップ中に、停電が復旧した場合には、フラッシュメモリ２８からキャッシュメモリ２６への書き戻しは不要となる。したがって、本実施形態の一例によれば、停電以前の状態に即時に回復することができる。
さらに、本実施形態の一例では、第１モードまたは第２モードで充電することが決定された場合、すなわち、SCU２１が保持する電力に余裕がある場合、フラッシュメモリ２８へのデータの退避だけではなく、キャッシュメモリ２６のバックアップを行なう。したがって、本実施形態の一例によれば、SCU２１が保持する電力をフラッシュメモリ２８へのデータの退避のみに用いる場合に比べ、SCU２１が保持する電力の消費効率を向上させることができる。
また、本実施形態の一例によれば、SCU２１の制御をFPGA２４が行なっているため、CPU２５を用いてSCU２１の制御を行なう場合と比較した場合、ファームウェアの起動を待つことなく、SCU２１の制御を行なうことができる。
さらに、本実施形態の一例によれば、リアルタイムクロック２７の監視をFPGA２４が行なっているため、CPU２５を用いてリアルタイムクロック２７の監視を行なう場合と比較した場合、ファームウェアの起動を待つことなく、リアルタイムクロック２７の監視を行なうことができる。 なお、開示の技術は上述した実施形態に限定されるものではなく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
さらに、本実施形態の一例によれば、リアルタイムクロック２７の監視をFPGA２４が行なっているため、CPU２５を用いてリアルタイムクロック２７の監視を行なう場合と比較した場合、ファームウェアの起動を待つことなく、リアルタイムクロック２７の監視を行なうことができる。 なお、開示の技術は上述した実施形態に限定されるものではなく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、本実施形態の一例では、SCU２１に対して１５Aおよび３Aの電流で充電を行なっているが、これに限定されるものではなく、他の電流値を用いて充電を行なってもよい。
また、本実施形態の一例では、SCU２１は、充電停止部２１４および電圧差決定部２１５をそなえているが、これに限定されるものではない。例えば、充電停止部２１４および電圧差決定部２１５の機能をFPGA２４がそなえることとしてもよい。
また、本実施形態の一例では、SCU２１は、充電停止部２１４および電圧差決定部２１５をそなえているが、これに限定されるものではない。例えば、充電停止部２１４および電圧差決定部２１５の機能をFPGA２４がそなえることとしてもよい。
さらに、本実施形態の一例では、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間Tminを電力供給部２１１の容量が製造時と比較して７０％の値、直流抵抗が製造時と比較して１３０％の値となっているものとして決定したが、これに限定されるものではない。例えば、製品寿命時におけるSCU２１の放電可能時間Tminを、電力供給部２１１の容量が製造時と比較して７０％以外の値、直流抵抗が製造時と比較して１３０％以外の値となっているものとして決定してもよい。
また、本実施形態の一例では、充電モードを４つのモードに分けているが、これに限定されるものではない。例えば、より細かい条件を設定し、充電モードを５以上のモードに分けてもよいし、より大まかな条件を設定し、充電モードを３以下のモードに分けてもよい。
さらに、本実施形態の一例では、製造後経過時間および余剰電力に基づいて、充電モードを決定しているがこれに限定されるものではない。例えば、余剰電力のみに基づいて充電モードを決定してもよいし、製造後経過時間のみに基づいて余剰電力を決定してもよい。
さらに、本実施形態の一例では、製造後経過時間および余剰電力に基づいて、充電モードを決定しているがこれに限定されるものではない。例えば、余剰電力のみに基づいて充電モードを決定してもよいし、製造後経過時間のみに基づいて余剰電力を決定してもよい。
また、本実施形態の一例では、余剰電力決定部２４２は、例えば、電力供給部２１１の接続負荷が、定電力負荷の場合における放電可能時間を決定するものとして、式（１）および式（２）に基づいて、放電可能時間を決定したが、これに限定されるものではない。例えば、余剰電力決定部２４２は、電力供給部２１１の接続負荷が、定電流負荷の場合における放電可能時間を決定することとしてもよい。図１１は、データ処理部２３と電力供給部２１１とを等価的に示す図である。図１１中、定電流源Iは、データ処理部２３消費する電流であり、直流抵抗Rおよび容量Cは、それぞれ電力供給部２１１の直流抵抗および容量である。ここで放電開始時の容量Cにかかる電圧VC（０）＝VSとし、放電終了時Tの容量Cおよび直流抵抗Rにかかる電圧V（T）＝VEとする。放電可能時間Tは、下記式（３）で表される。
余剰電力決定部２４２は、式（３）を用いて、放電可能時間Tを決定することとしてもよい。
また、上述した開示により本実施形態を当業者によって実施・製造することが可能である。
以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
データを記憶する記憶部と前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部とをそなえたストレージ装置において、
前記ストレージ装置に対する外部からの電力供給停止時（以下、停電時という）に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、
前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえた
ことを特徴とするストレージ装置。
（付記２）
前記第１の目標電圧は、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧である
ことを特徴とする付記１に記載のストレージ装置。
（付記３）
前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部を更にそなえた
ことを特徴とする付記１又は付記２に記載のストレージ装置。
（付記４）
前記目標電圧決定部は、前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のストレージ装置。
（付記５）
前記電力供給部は、前記充電処理部によって充電されるキャパシタをそなえ、
前記ストレージ装置は、
前記キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された前記キャパシタの容量，抵抗および、前記電力供給部の製造日時を保持する保持部と、を更にそなえ、
前記余剰電力決定部は、前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記目標電圧決定部は、前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載のストレージ装置。
（付記６）
前記記憶部が起動すると、前記ストレージ装置に接続された上位装置からのデータ受信を許可するデータ受信許可部を更にそなえた
ことを特徴とする付記３に記載のストレージ装置。
（付記７）
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータを、前記不揮発メモリに退避させる退避制御部、を更にそなえ、
前記退避制御部による退避が完了した後も、前記電力供給部は前記キャッシュメモリに対して電力を供給する
ことを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載のストレージ装置。
（付記８）
データを記憶する記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御装置であって、
前記記憶部に対する外部からの電力供給停止時（以下、停電時という）に当該制御装置に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、
前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえた
ことを特徴とする制御装置。
（付記９）
前記第１の目標電圧は、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧である
ことを特徴とする付記８に記載の制御装置。
（付記１０）
前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部を更にそなえた
ことを特徴とする付記８又は付記９に記載の制御装置。
（付記１１）
前記目標電圧決定部は、前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする付記８〜１０のいずれか１項に記載の制御装置。
（付記１２）
前記電力供給部は、前記充電処理部によって充電されるキャパシタをそなえ、
前記制御装置は、
前記キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された前記キャパシタの容量，抵抗および、前記電力供給部の製造日時を保持する保持部と、を更にそなえ、
前記余剰電力決定部は、前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記目標電圧決定部は、前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする付記８〜１１のいずれか１項に記載の制御装置。
（付記１３）
前記記憶部が起動すると、前記ストレージ装置に接続された上位装置からのデータ受信を許可するデータ受信許可部を更にそなえた
ことを特徴とする付記１０に記載の制御装置。
（付記１４）
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータを、前記不揮発メモリに退避させる退避制御部、を更にそなえ、
前記退避制御部による退避が完了した後も、前記電力供給部は前記キャッシュメモリに対して電力を供給する
ことを特徴とする付記８〜１３のいずれか１項に記載の制御装置。
（付記１５）
データを記憶する記憶部と、
前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部と、
外部からの電力供給停止時（以下、停電時という）に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、をそなえたストレージ装置の制御方法であって、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定し、
決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定し、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう
ことを特徴とする制御方法。
（付記１６）
前記第１の目標電圧は、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧である
ことを特徴とする付記１５に記載の制御方法。
（付記１７）
前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう
ことを特徴とする付記１５又は付記１６に記載の制御方法。
（付記１８）
前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする付記１５〜１７のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記１９）
前記電力供給部は、前記充電処理によって充電されるキャパシタをそなえるとともに、
前記ストレージ装置は、前記キャパシタの容量，抵抗および前記電力供給部の製造日時を保持する保持部を更にそなえ、
前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする付記１５〜１８のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記２０）
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータを、前記不揮発メモリに退避し、
前記退避が完了した後も、前記電力供給部は前記キャッシュメモリに対して電力を供給する
ことを特徴とする付記１５〜１９のいずれか１項に記載の制御方法。
また、上述した開示により本実施形態を当業者によって実施・製造することが可能である。
以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
データを記憶する記憶部と前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部とをそなえたストレージ装置において、
前記ストレージ装置に対する外部からの電力供給停止時（以下、停電時という）に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、
前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえた
ことを特徴とするストレージ装置。
（付記２）
前記第１の目標電圧は、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧である
ことを特徴とする付記１に記載のストレージ装置。
（付記３）
前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部を更にそなえた
ことを特徴とする付記１又は付記２に記載のストレージ装置。
（付記４）
前記目標電圧決定部は、前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のストレージ装置。
（付記５）
前記電力供給部は、前記充電処理部によって充電されるキャパシタをそなえ、
前記ストレージ装置は、
前記キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された前記キャパシタの容量，抵抗および、前記電力供給部の製造日時を保持する保持部と、を更にそなえ、
前記余剰電力決定部は、前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記目標電圧決定部は、前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載のストレージ装置。
（付記６）
前記記憶部が起動すると、前記ストレージ装置に接続された上位装置からのデータ受信を許可するデータ受信許可部を更にそなえた
ことを特徴とする付記３に記載のストレージ装置。
（付記７）
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータを、前記不揮発メモリに退避させる退避制御部、を更にそなえ、
前記退避制御部による退避が完了した後も、前記電力供給部は前記キャッシュメモリに対して電力を供給する
ことを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載のストレージ装置。
（付記８）
データを記憶する記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御装置であって、
前記記憶部に対する外部からの電力供給停止時（以下、停電時という）に当該制御装置に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、
前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえた
ことを特徴とする制御装置。
（付記９）
前記第１の目標電圧は、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧である
ことを特徴とする付記８に記載の制御装置。
（付記１０）
前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部を更にそなえた
ことを特徴とする付記８又は付記９に記載の制御装置。
（付記１１）
前記目標電圧決定部は、前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする付記８〜１０のいずれか１項に記載の制御装置。
（付記１２）
前記電力供給部は、前記充電処理部によって充電されるキャパシタをそなえ、
前記制御装置は、
前記キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された前記キャパシタの容量，抵抗および、前記電力供給部の製造日時を保持する保持部と、を更にそなえ、
前記余剰電力決定部は、前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記目標電圧決定部は、前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする付記８〜１１のいずれか１項に記載の制御装置。
（付記１３）
前記記憶部が起動すると、前記ストレージ装置に接続された上位装置からのデータ受信を許可するデータ受信許可部を更にそなえた
ことを特徴とする付記１０に記載の制御装置。
（付記１４）
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータを、前記不揮発メモリに退避させる退避制御部、を更にそなえ、
前記退避制御部による退避が完了した後も、前記電力供給部は前記キャッシュメモリに対して電力を供給する
ことを特徴とする付記８〜１３のいずれか１項に記載の制御装置。
（付記１５）
データを記憶する記憶部と、
前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部と、
外部からの電力供給停止時（以下、停電時という）に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、をそなえたストレージ装置の制御方法であって、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定し、
決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定し、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう
ことを特徴とする制御方法。
（付記１６）
前記第１の目標電圧は、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧である
ことを特徴とする付記１５に記載の制御方法。
（付記１７）
前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう
ことを特徴とする付記１５又は付記１６に記載の制御方法。
（付記１８）
前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする付記１５〜１７のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記１９）
前記電力供給部は、前記充電処理によって充電されるキャパシタをそなえるとともに、
前記ストレージ装置は、前記キャパシタの容量，抵抗および前記電力供給部の製造日時を保持する保持部を更にそなえ、
前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする付記１５〜１８のいずれか１項に記載の制御方法。
（付記２０）
停電時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータを、前記不揮発メモリに退避し、
前記退避が完了した後も、前記電力供給部は前記キャッシュメモリに対して電力を供給する
ことを特徴とする付記１５〜１９のいずれか１項に記載の制御方法。
１ ストレージ装置
１０−１，１０−２ コントローラモジュール
２０ PSU
２１ SCU
２２ オア回路
２３ データ処理部
２４ FPGA
２５ CPU
２６ キャッシュメモリ
２７ リアルタイムクロック
２８ フラッシュメモリ
３０ ミッドプレーン
４０ HDD
５０ ホスト
２１１ 電力供給部
２１２ 不揮発メモリ
２１３ 処理部
２１４ 充電停止部
２１５ 電圧差決定部
２４１ 容量・抵抗決定部
２４２ 余剰電力決定部
２４３ 経年決定部
２４４ 充電モード決定部
２４５ 充電制御部
２４６ 供給電力制御部
２４７ 退避制御部
２５１ 起動指示部
２５２ データ受信許可部
２５３ データ制御部
１０−１，１０−２ コントローラモジュール
２０ PSU
２１ SCU
２２ オア回路
２３ データ処理部
２４ FPGA
２５ CPU
２６ キャッシュメモリ
２７ リアルタイムクロック
２８ フラッシュメモリ
３０ ミッドプレーン
４０ HDD
５０ ホスト
２１１ 電力供給部
２１２ 不揮発メモリ
２１３ 処理部
２１４ 充電停止部
２１５ 電圧差決定部
２４１ 容量・抵抗決定部
２４２ 余剰電力決定部
２４３ 経年決定部
２４４ 充電モード決定部
２４５ 充電制御部
２４６ 供給電力制御部
２４７ 退避制御部
２５１ 起動指示部
２５２ データ受信許可部
２５３ データ制御部
Claims (6)
- データを記憶する記憶部と前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部とをそなえたストレージ装置において、
経年によって供給可能な電力が低下するキャパシタを有し、前記ストレージ装置に対する外部からの電力供給停止時に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
前記電力供給停止時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、
前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧であって前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえた
ことを特徴とするストレージ装置。 - 前記電力供給部が前記第１の目標電圧まで充電されると、前記記憶部に対して起動処理を行なう起動処理部を更にそなえた
ことを特徴とする請求項１に記載のストレージ装置。 - 前記目標電圧決定部は、前記余剰電力と前記電力供給部の製造後経過時間とに基づいて、前記第１の目標電圧を決定する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のストレージ装置。 - 前記キャパシタは、前記充電処理部によって充電され、
前記ストレージ装置は、
前記キャパシタの容量および抵抗を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された前記キャパシタの容量，抵抗および、前記電力供給部の製造日時を保持する保持部と、を更にそなえ、
前記余剰電力決定部は、前記保持部に保持された前記キャパシタの容量および抵抗に基づいて、前記余剰電力を決定し、
前記目標電圧決定部は、前記保持部に保持された前記製造日時に基づいて、前記電力供給部の製造後経過時間を決定する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のストレージ装置。 - データを記憶する記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御装置であって、
経年によって供給可能な電力が低下するキャパシタを有し、前記記憶部に対する外部からの電力供給停止時に当該制御装置に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
前記電力供給停止時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定する余剰電力決定部と、
前記余剰電力決定部によって決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧であって前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定する目標電圧決定部と、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう充電処理部と、をそなえた
ことを特徴とする制御装置。 - データを記憶する記憶部と、
前記記憶部に対するデータ記憶制御を行なう制御部と、
経年によって供給可能な電力が低下するキャパシタを有し、外部からの電力供給停止時に前記制御部に電力を供給する電力供給部と、
前記記憶部に記憶されるデータを保持するキャッシュメモリと、
前記電力供給停止時に、前記キャッシュメモリに保持されているデータが退避される不揮発メモリと、をそなえたストレージ装置の制御方法であって、
前記電力供給部が供給する電力であって、前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を超える分の電力である余剰電力を決定し、
決定された余剰電力に基づいて、前記電力供給部が前記不揮発メモリへのデータの退避にかかる電力を供給可能となる電圧であって前記電力供給部に対する充電処理時に目標とする第１の目標電圧を決定し、
前記電力供給部に充電された電圧が前記第１の目標電圧に達するまでは、第１の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行ない、前記電力供給部に充電された電圧が、前記第１の目標電圧から前記第１の目標電圧よりも大きい第２の目標電圧に達するまでは、前記第１の電流値よりも小さい第２の電流値で前記電力供給部に対する充電処理を行なう
ことを特徴とする制御方法。
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