JP5627848B2 - 光パルス試験器及び光パルス試験方法 - Google Patents

光パルス試験器及び光パルス試験方法 Download PDF

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Description

本発明は、光パルス試験器に関連し、特に背景光の影響を考慮した光ファイバの特性の測定技術に関する。
光パルス試験器は、被測定対象である光ファイバの一端に接続して光パルスを出射する。光ファイバ内では、レイリー散乱による後方散乱光及びフレネル反射によるフレネル反射光が発生し、光ファイバの一端に反射光として戻ってくる。光パルスを出射してから反射光として戻ってくるまでの時間と反射光のレベルを検出することによって、ファイバ長、光損失、損傷の有無、障害点の特定等の光ファイバの特性を測定することができる。
被測定対象である光ファイバが現用回線に使用されていると、光ファイバからは通信用の信号光が背景光として検出される。光パルス試験器で、背景光が存在している現用の光ファイバを測定すると、現用回線に影響を与えてしまう。そのため、光ファイバを測定する際に、現用回線に影響を与えないように、事前に光ファイバからの背景光を測定し、現用回線に使用されていないことを確認した上で、光ファイバの特性を測定していた(例えば、特許文献1参照。)。
特開2001−074596号公報
従来は、光ファイバから背景光を検出すると、その光ファイバは現用回線に使用されていると判断して測定を中止していたが、現用回線に使用されている場合でも、現用回線に影響を与えない範囲であれば、光ファイバの特性を測定したい場合もある。しかし、現用回線に使用されている場合は、現用回線に影響を与えなくても、背景光によって測定波形に影響が生じてしまうことがある。
そこで、光ファイバの特性を測定する光パルス試験器において、背景光の影響を低減した測定を可能にすることを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る光パルス試験器は、背景光のレベルが予め定めた値以上のときは、光ファイバからの光を受光して光−電気変換するアバランシェフォトダイオードの増倍率を制御することを特徴とする。
具体的には、本発明に係る光パルス試験器は、所定のパルス幅の光パルスを光ファイバに出射する発光素子と、前記光ファイバからの光を受光し、光−電気変換するアバランシェフォトダイオード(以後、「アバランシェフォトダイオード」を「APD」と略記する。)と、前記APDの光−電気変換した出力を増幅する増幅回路と、指定された増倍率で前記APDが動作するように直流バイアス電圧を前記APDに印加するバイアス設定回路と、を備え、前記光ファイバからの反射光を受光して前記光ファイバの特性を測定する光パルス試験器において、前記光ファイバの特性を測定する前に前記増倍率を初期値に設定した上で、前記APDを前記増幅回路に接続しない状態で該増幅回路からのサーマルノイズ及び電源ノイズを含むノイズを測定することによって得られる前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを記憶し、前記APDを前記増幅回路に接続して前記増幅回路の出力する背景光のレベルを測定することによって得られるノイズから前記記憶されたAPDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを差し引くことによって算出されるAPDノイズが、前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズのレベル以下になるように、前記バイアス設定回路に増倍率を指定する処理回路をさらに備えることを特徴とする。
具体的には、本発明に係る光パルス試験方法は、所定のパルス幅の光パルスを光ファイバに出射する発光素子と、前記光ファイバからの光を受光し、光−電気変換するアバランシェフォトダイオード(以後、「アバランシェフォトダイオード」を「APD」と略記する。)と、前記APDの光−電気変換した出力を増幅する増幅回路と、指定された増倍率で前記APDが動作するように直流バイアス電圧を前記APDに印加するバイアス設定回路と、を備える光パルス試験器を用いて、前記光ファイバからの反射光を受光して前記光ファイバの特性を測定する光パルス試験方法であって、前記光ファイバの特性を測定する前に前記増倍率を初期値に設定した上で、前記APDを前記増幅回路に接続しない状態で該増幅回路からのサーマルノイズ及び電源ノイズを含むノイズを測定することによって得られる前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを記憶するノイズ記憶手順と、前記APDを前記増幅回路に接続して前記増幅回路の出力する背景光のレベルを測定することによって得られるノイズから前記ノイズ記憶手順で記憶されたAPDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを差し引くことによって算出されるAPDノイズが、前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズのレベル以下になるように、前記バイアス設定回路に増倍率を指定する増率指定手順と、を有する。
本発明に係る光パルス試験器は、光ファイバの特性を測定する前に光ファイバからの背景光のレベルを測定し、そのレベルが高いときは、APDの増倍率を下げて光ファイバの特性を測定するため、背景光の影響を低減して、光ファイバの特性を測定することができる。
発明に係る光パルス試験器は、APDノイズをAPDノイズ以外のノイズのレベル以下になるようにAPDの増倍率を指定するため、背景光の影響を低減して光ファイバの特性を測定することができる。
本発明に係る光パルス試験器は、前記処理回路は、前記光ファイバの特性を測定する前の前記増幅回路の出力する背景光によるレベルが予め定めた値よりも低いときは、前記APDの増倍率を一定としてもよい。
本発明に係る光パルス試験器は、背景光のレベルが高いときだけ、APDの増倍率を可変とし、背景光のレベルが低いときは、APDの増倍率を一定としても、背景光によって測定波形に影響が生じないようにすることができる。
本発明に係る光パルス試験器は、前記発光素子は出射する光パルスの所定のパルス幅が可変であり、前記処理回路は、前記光パルスの所定のパルス幅に対応付けて前記予め定めた値としてもよい。
光パルス試験器の出射する光パルスのパルス幅が広いと、増幅回路の帯域を狭くすることができ、ノイズのレベルが低減するため、測定波形への背景光の影響が小さくなる。そこで、APDの増倍率を可変とする範囲を背景光のレベルが低くなる領域に拡大することができる。
本発明に係る光パルス試験器は、前記処理回路は、背景光のレベルを測定する期間は前記発光素子に光パルスを出射させないこととしてもよい。
反射光の影響を受けることなく、背景光のレベルを測定することができる。
本発明に係る光パルス試験器は、前記処理回路は、前記光ファイバの特性を測定する前の前記APDの受光する背景光のレベルが所定値以上のときは、前記発光素子に光パルスを出射させないこととしてもよい。
背景光のレベルが所定値以上のときは、光ファイバを使用している現用回線への影響があると判断して発光素子に光パルスを出射させないで、現用回線への影響を回避することができる。
なお、上記発明は可能な限り任意に組み合わせることができる。
本発明によれば、光ファイバの特性を測定する光パルス試験器において、背景光の影響を低減した測定を可能にすることができる。
添付の図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態は本発明の構成の例であり、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。
図1は、本実施形態に係る光パルス試験器の構成概略図である。本実施形態に係る光パルス試験器は、バイアス設定回路11、光カプラ12、APD13、増幅回路14、A−Dコンバータ15、処理回路16、タイミングコントローラ21、駆動回路22、発光素子23を備える。処理回路16及びタイミングコントローラ21には、情報処理装置を用いてもよい。光カプラ12には被測定対象である光ファイバ31が接続される。
図2は、本実施形態に係る光パルス試験器の処理回路16が実行するフローチャート図である。処理回路16は、ステップ101(S101)のスタートからステップ109(S109)の終了までを実行する。
以下、図1及び図2を使用して、光パルス試験器の構成と動作を説明する。光パルス試験器が動作を開始すると(S101)、処理回路16は、バイアス設定回路11にAPD13の増倍率Mを初期値に設定する(S102)。増倍率Mの初期値は設定できる範囲で大きいことが望ましい。高感度で背景光のレベルを測定することができるからである。バイアス設定回路11は、初期値に対応するバイアス電圧をAPDに印加して、背景光のレベルを測定する。このとき、被測定対象である光ファイバ31からの背景光は、光カプラ12を経由してAPD13で受光され、電気信号に光−電気変換される。光−電気変換された後、増幅回路14を経て、A−Dコンバータ15でディジタル信号に変換され、処理回路でそのレベルが測定される(S103)。反射光の影響を避けるため、背景光のレベルを測定している間は、発光素子23に光パルスを出射させないことが好ましい。
背景光レベルLが予め定めた値L以上のときは(S104)、光パルスの出射が現用回線に影響があると判断できるため、処理回路16は測定を中止して(S105)、測定を終了する(S109)。測定の中止は少なくとも、発光素子23に光パルスを出射させないこととする。発光素子23に光パルスを出射させないためには、処理回路16はタイミングコントローラ21に指示して、駆動回路22に駆動パルスを出力させないようにすることで実現できる。測定中止の際には、その旨の表示をしたり、警報を発したりする構成としてもよい。
背景光レベルLが予め定めた値Lより小さいときは(S104)、光ファイバが現用回線に使用されていても光パルスの出射が現用回線に影響がないと判断して、さらに、処理回路16は背景光レベルLを判定する。背景光レベルLが所定値L以上のときは(S106)、現用回線には影響がないが、光ファイバの特性測定には影響があると判断して、処理回路16はバイアス設定回路11にAPD13の増倍率Mを可変させ、光ファイバ31の特性を測定する。
光ファイバ31の特性の測定について説明する。タイミングコントローラ21が駆動回路22に駆動パルスを出力させる。発光素子23は駆動パルスを受けて所定のパルス幅の光パルスを光カプラ12経由で光ファイバ31に出射する。光ファイバ31からの反射光は、再び光カプラ12を経由してAPD13で受光され、光−電気変換される。バイアス設定回路11は、処理回路16からの指定により、APD13の増倍率Mが指定値となるようにAPD13に直流バイアス電圧を印加する。増幅回路14は、光−電気変換された反射光を増幅し、A−Dコンバータ15がディジタル信号に変換する。処理回路16は、光パルスを出射してから反射光を受光するまでの往復時間と反射光のレベルを測定する(S108)。
反射光には、光ファイバ内の不均一性で生じるレイリー散乱による後方散乱光と光ファイバの接続点等で生じるフレネル反射によるフレネル反射光が含まれる。光パルスを出射してから反射光として戻ってくるまでの時間と反射光のレベルを検出することによって、ファイバ長、光損失分布、光損失の局在、光ファイバの損傷の有無、障害点の特定等の光ファイバの特性を測定することができる。光ファイバが現用回線に使用されているときは、現用回線の通信光が背景光として反射光に重畳される。APD13は、反射光と共に背景光もアバランシェ増幅する。このとき、アバランシェ増幅された背景光はショットノイズとして観測される。APD13は、結晶構造の不完全性等によって生じる暗電流ノイズも発生し、アバランシェ増幅する。ショットノイズと暗電流ノイズの合計をAPDノイズと称する。背景光のレベルが高くなるとショットノイズも増大するが、暗電流は背景光のレベルに依存しない。どちらも大きさは、APDの増倍率Mに依存する。増幅回路14は、反射光による信号と共にAPDノイズも増幅して出力する。
APDノイズ以外の前記増幅回路から出力されるノイズには、主に増幅回路14の初段の特性に依存するサーマルノイズ、電源の変動や電圧、電流の揺らぎによって生じる電源ノイズがある。ここで、APDノイズ以外の前記増幅回路から出力されるノイズとは、APD13をAPD13の次段の増幅回路14に接続しないときの増幅回路からのノイズをいう。
ステップS108において、処理回路16は、APDノイズをAPDノイズ以外の増幅回路から出力されるノイズのレベル以下になるように、APD13の増倍率Mを指定する。このように増倍率Mを指定すれば、光ファイバの特性測定における背景光によるノイズの影響を軽減することができる。APDノイズ以外の増幅回路から出力されるノイズは、まず、APD13を増幅回路14に接続しない状態で増幅回路14からのノイズを測定するとAPDノイズ以外の増幅回路から出力されるノイズが得られ、これを処理回路16で記憶しておく。次に、S103で背景光のレベルを測定すると、増幅回路14から出力されるAPDノイズとAPDノイズ以外の増幅回路から出力されるノイズの和が得られる。この和から先のAPDノイズ以外の増幅回路から出力されるノイズを差し引けばAPDノイズが算出できる。
図3は、光ファイバの測定におけるノイズのレベルを示す図である。図3において、横軸は背景光のレベル、縦軸はノイズのレベルを示す。APDノイズ以外の増幅回路から出力されるノイズは背景光のレベルによらず一定となる。しかし、APDノイズはAPDの増倍率Mに依存する。そこで、増倍率Mを指定する際に、常にAPDノイズをAPDノイズ以外の前記増幅回路から出力されるノイズのレベル以下になるように、背景光のレベルに対してAPDの増倍率Mを連続的に可変してAPDノイズが一定となるように指定してもよいし(直線A)、APDの増倍率Mを例えば、40から30へ、30から20へ、20からMMINへと数段階に分けてステップ状に可変させてもよい(曲線B)。なお。ここでは、処理回路16はバイアス設定回路11にAPDの増倍率Mを指定しているが、指定の増倍率となるように直流バイアス電圧を指定してもよい。
ここで、光パルスのパルス幅に対応付けて、所定値Lを変えることが望ましい。図4は、光パルス幅に対応付けて、所定値Lを可変とすることを説明する図である。図4において、例えば、光パルスのパルス幅が100nsecのときは10nsecのときに比較して、所定値Lを10dB低い値としてもよい。発光素子23の出射する光パルスの所定のパルス幅を可変とし、発光素子23の出射する光パルスのパルス幅に応じて増幅回路14の帯域幅を可変とすることができる。光パルスのパルス幅を広くすると距離分解能は劣化するが、後方散乱光が増大するため後方散乱光による反射光のレベルが増加する。一方、光パルスのパルス幅を広くすると、増幅回路14の帯域幅を狭くしても、帯域幅を狭くすることによる測定波形の劣化はなく、逆に、ノイズのレベルを低減することができる。つまり、背景光レベルが低いときには、APDの増倍率Mを大きくしても、測定波形に対するノイズの影響を抑えることができるので、光パルスの所定のパルス幅を広くすると、所定値Lも低く設定できることになる。
図5は、背景光のレベルに応じてAPDの増倍率Mを変えることによる効果を示す図である。図5(1)はAPDの増倍率Mを30、図5(2)はAPDの増倍率Mを10としたときの反射光の測定波形である。APDの増倍率Mを30のときよりも10に下げたときの方がノイズは低減できることが分かる。背景光のレベルが低いときは、APDの増倍率Mが高くてもAPDノイズの影響が少ないが、背景光のレベルが高いときは、APDの増倍率Mを下げることによって、APDノイズを低減できる。
背景光レベルLが所定値Lよりも低いときは(S106)、現用回線にも影響がなく、光ファイバの特性測定にも影響がないと判断して、処理回路16はバイアス設定回路11にAPD13の増倍率Mを一定とし、光ファイバ31の特性を測定する(S107)。背景光レベルLが所定値Lよりも低いときは、APDの増倍率Mを下げることなく光ファイバ31の特性を測定しても背景光による測定波形の影響が小さい。一定とするAPD13の増倍率Mは、背景光のレベルを測定するときの初期値としてもよい。背景光のレベルを測定するときのAPDの増倍率Mは設定できる範囲で大きく設定されているが、この増倍率でも背景光による影響がなければ、初期値の増倍率としても問題がない。
本発明の光パルス試験器は、ファイバ長、光損失、損傷の有無、障害点の特定等の光ファイバの特性測定に利用することができる。
本実施形態に係る光パルス試験器の構成概略図である。 本実施形態に係る光パルス試験の処理回路のフローチャート図である。 光ファイバの測定におけるノイズのレベルを示す図である。 光パルス幅に対応付けて、所定値Lを可変とすることを説明する図である。 背景光のレベルに応じてAPDの増倍率を変えることによる効果を示す図である。
符号の説明
11 バイアス設定回路
12 光カプラ
13 APD
14 増幅回路
15 A−Dコンバータ
16 処理回路
21 タイミングコントローラ
22 駆動回路
23 発光素子

Claims (6)

  1. 所定のパルス幅の光パルスを光ファイバに出射する発光素子と、
    前記光ファイバからの光を受光し、光−電気変換するアバランシェフォトダイオード(以後、「アバランシェフォトダイオード」を「APD」と略記する。)と、
    前記APDの光−電気変換した出力を増幅する増幅回路と、
    指定された増倍率で前記APDが動作するように直流バイアス電圧を前記APDに印加するバイアス設定回路と、
    を備え、前記光ファイバからの反射光を受光して前記光ファイバの特性を測定する光パルス試験器において、
    前記光ファイバの特性を測定する前に前記増倍率を初期値に設定した上で、前記APDを前記増幅回路に接続しない状態で該増幅回路からのサーマルノイズ及び電源ノイズを含むノイズを測定することによって得られる前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを記憶し、前記APDを前記増幅回路に接続して前記増幅回路の出力する背景光のレベルを測定することによって得られるノイズから前記記憶されたAPDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを差し引くことによって算出されるAPDノイズが、前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズのレベル以下になるように、前記バイアス設定回路に増倍率を指定する処理回路をさらに備えることを特徴とする光パルス試験器。
  2. 前記処理回路は、前記光ファイバの特性を測定する前の前記増幅回路の出力する背景光によるレベルが予め定めた値よりも低いときは、前記APDの増倍率を一定とすることを特徴とする請求項に記載の光パルス試験器。
  3. 前記発光素子は出射する光パルスの所定のパルス幅が可変であり、
    前記処理回路は、前記光パルスの所定のパルス幅に対応付けて前記予め定めた値とすることを特徴とする請求項に記載の光パルス試験器。
  4. 前記処理回路は、背景光のレベルを測定する期間は前記発光素子に光パルスを出射させないことを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の光パルス試験器。
  5. 前記処理回路は、前記光ファイバの特性を測定する前の前記APDの受光する背景光のレベルが所定値以上のときは、前記発光素子に光パルスを出射させないことを特徴とする請求項1からのいずれかにに記載の光パルス試験器。
  6. 所定のパルス幅の光パルスを光ファイバに出射する発光素子と、
    前記光ファイバからの光を受光し、光−電気変換するアバランシェフォトダイオード(以後、「アバランシェフォトダイオード」を「APD」と略記する。)と、
    前記APDの光−電気変換した出力を増幅する増幅回路と、
    指定された増倍率で前記APDが動作するように直流バイアス電圧を前記APDに印加するバイアス設定回路と、
    を備える光パルス試験器を用いて、前記光ファイバからの反射光を受光して前記光ファイバの特性を測定する光パルス試験方法であって、
    前記光ファイバの特性を測定する前に前記増倍率を初期値に設定した上で、前記APDを前記増幅回路に接続しない状態で該増幅回路からのサーマルノイズ及び電源ノイズを含むノイズを測定することによって得られる前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを記憶するノイズ記憶手順と、
    前記APDを前記増幅回路に接続して前記増幅回路の出力する背景光のレベルを測定することによって得られるノイズから前記ノイズ記憶手順で記憶されたAPDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズを差し引くことによって算出されるAPDノイズが、前記APDノイズ以外の前記増幅回路の出力するノイズのレベル以下になるように、前記バイアス設定回路に増倍率を指定する増率指定手順と、
    を有することを特徴とする光パルス試験方法。
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