JP5622356B2 - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板及びその製造方法に関し、特には微細配線を有し、高周波用途に用いられる回路基板及びその製造方法に関する。

回路基板の製造に用いられる金属箔付き積層板の金属箔としては、一般に銅箔が用いられ、その樹脂と接する面には、樹脂との接着性を向上させる目的で、十点平均粗さ（以下，Ｒｚと表記する）で７〜８μｍ程度の凸凹形状に粗化された形状（粗面形状）が付与されている。

近年、パーソナルコンピュータや携帯電話等の情報端末機器に搭載される回路基板は、大容量の情報を高速に処理することが求められており、信号処理の高速化や低伝送損失化が必要になっている。また、高密度化の要求から、より微細な配線パターンが求められている。これに伴い、回路基板に使用する金属箔付き積層板の銅箔も、層間距離（絶縁層厚み）の確保やインピーダンスコントロールの重要性、及びエッチングによる微細配線の形成性の観点から、粗面形状が小さくなっている。このため、いわゆるロープロファイルと呼ばれるＲｚで２．７〜３．３μｍの銅箔や、プロファイルフリーと呼ばれるＲｚで１．１〜１．５μｍの銅箔を導体パターンとして用いた回路基板が提案されている（特許文献１、２、非特許文献１）。

また、回路基板を形成する場合は、不要な箇所の銅箔を除去して導体パターンを絶縁層上に形成した後に、導体パターン上及び絶縁層上にソルダーレジストが形成される。導体パターン上のソルダーレジストの密着性を改善する方法としては、回路形成後に回路表面を粗化する方法が提案されている（特許文献３）。
特開２００５−０７２４９３号公報 特開２００８−１１１１８８号公報 小川信之、他４名、「微細配線形成用プロファイルフリー銅箔技術」、日立化成テクニカルレポート、日本国、２００６年１月、Ｎｏ．４６（２００６−１）、Ｐ．１５−１８ 特開Ｈ１１−１９１４８２号公報

しかしながら、情報端末機器等に搭載される回路基板に対しては、耐久性促進テストであるＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）での耐久性が要求されることがある。このＰＣＴにおいては、回路基板上に形成されたソルダーレジストの密着が不足し、剥がれが生じるケースがあった。

一方で、微細配線の形成性や高周波での伝送損失を考慮すると、導体パターン形成に使用される銅箔の表面粗さは小さい方が望ましいため、回路基板の絶縁層と密着するマット面の表面粗さが小さいロープロファイル銅箔やプロファイルフリー銅箔が使用される傾向がある。このような表面粗さの小さい銅箔をエッチング除去した後の絶縁層表面の表面粗さは小さいため、ＰＣＴでのソルダーレジストの密着性を確保するのが難しい問題があった。

特許文献４では、導体パターン上のソルダーレジストの密着は改善するものの、絶縁層上に対しては、粗面化しないので、絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保するのは難しいという問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層と密着する面の表面粗さの小さい金属箔を使用した場合でも、金属箔除去後の絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保することができ、ＰＣＴに対する信頼性に優れ、かつ微細配線を有し、高周波信号の伝送損失の少ない回路基板を提供することを目的とする。

本発明は、以下のものに関する。
（１） プリプレグを用いて形成した絶縁層上に表面粗さがＲｚで１．１〜１．５μｍのプロファイルフリー銅箔を張り合わせた銅箔付き積層板の前記銅箔を除去して形成した導体パターンと、前記プロファイルフリー銅箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面に形成されたソルダーレジストとを有する回路基板において、前記プロファイルフリー銅箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面の表面粗さが、前記プロファイルフリー銅箔の表面形状が転写した初期の表面粗さであるＲｚで１．１〜１．５μｍに対して、さらにＲｚで１．０〜２．０μｍの凹凸を前記初期の表面粗さに吸収されないように形成することにより、前記導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、Ｒｚで１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように粗面形状を形成した回路基板。
（２） 上記（１）において、導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、露出した絶縁層表面の表面粗さの方が大きい回路基板。
（３） 上記（１）または（２）において、導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さが、Ｒｚで１．１μｍ〜１．５μｍである回路基板。
（４） 上記（１）から（３）の何れかにおいて、粗面形状の形成が、プラズマ処理により形成される回路基板。
（５） プリプレグを用いて形成した絶縁層上に表面粗さがＲｚで１．１〜１．５μｍのプロファイルフリー銅箔を張り合わせた銅箔付き積層板の前記銅箔を除去して形成した導体パターンと、前記プロファイルフリー銅箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面に形成されたソルダーレジストとを有する回路基板の製造方法において、前記プロファイルフリー銅箔を除去して導体パターンを形成する工程と、露出した前記絶縁層表面の表面粗さが、前記プロファイルフリー銅箔の表面形状が転写した初期の表面粗さであるＲｚで１．１〜１．５μｍに対して、さらにＲｚで１．０〜２．０μｍの凹凸を前記初期の表面粗さに吸収されないように形成することにより、前記導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、Ｒｚで１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように粗面形状を形成する工程とを有する回路基板の製造方法。
（６） 上記（５）において、絶縁層上にプロファイルフリー銅箔を張り合わせた銅箔付き積層板の導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さが、Ｒｚで１．１μｍ〜１．５μｍである回路基板の製造方法。
（７） 上記（５）又は（６）において、粗面形状を形成する工程が、プラズマ処理を有する回路基板の製造方法。

本発明によれば、プロファイルフリー銅箔を使用した場合でも、銅箔除去後の絶縁層上のソルダーレジストの密着を確保することができ、ＰＣＴに対しても信頼性に優れ、かつ微細配線を有し、高周波信号の伝送損失の少ない回路基板を提供することができる。

本発明でいう、回路基板とは、配線板や半導体搭載用基板として用いられるものであり、例えば図１に示すように、絶縁層３上に金属箔４を張り合わせた金属箔付き積層板１の前記金属箔４の不要部分を除去して形成した導体パターン６を有するものが挙げられる。

本発明でいう、絶縁層３とは、有機絶縁材料を用いて形成された絶縁基板、コア基板、フィルム、層間絶縁層、ビルドアップ層などをいう。本発明で用いる絶縁層３は、金属箔４と密着している表面、または密着していた金属箔４を除去した後の露出した表面を有する。即ち、本発明で用いる絶縁層３は、その表面に金属箔４の表面形状が転写した状態となっている。ここで、金属箔４の表面形状とは、金属箔４の表裏面のうち、絶縁層３と密着する側の面（通常はいわゆるマット面に相当する。）の表面形状をいう。通常は、金属箔４と絶縁層３が積層一体化されて、金属箔付き積層板１が形成されるため、絶縁層３の金属箔４と密着した面には、金属箔４の表面形状が転写し、いわゆるレプリカが形成される。絶縁層３としては、一般的な配線板や半導体搭載用基板等の回路基板１１に用いられるものを使用することができる。例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を含浸させたプリプレグを用いたガラスエポキシ基板やガラスポリイミド基板等、あるいは高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シート等を使用することができる。プリプレグとしては、ＧＥＡ６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製 商品名）等が、接着シートとしては、ＡＳ−３０００、ＡＳ−２６００Ｗ（何れも日立化成工業株式会社製 商品名）等が例示できる。

本発明で用いる金属箔４としては、回路基板１１の導体パターン６の形成用に用いられるものであればよく、特に限定されることなく用いられる。良導性の観点から銅箔やアルミニウム箔であるのが好ましい。特には、汎用性の点から銅箔が望ましく、銅箔としては、電解銅箔や圧延銅箔等を用いることができる。

また、銅箔としては、絶縁層３との接着性を向上させる目的で、銅箔が絶縁層３と接する面に、絶縁層３と密着する面の表面粗さがＲｚで７〜８μｍ程度の凸凹形状に粗化された形状を有する一般銅箔や、いわゆるロープロファイル銅箔と言われるＲｚで２．７〜３．３μｍの銅箔、プロファイルフリー銅箔と言われるＲｚで１．１〜１．５μｍの銅箔を用いることもできる。これらの中でも、層間距離（絶縁層３厚み）の確保やインピーダンスコントロールの重要性、高周波信号の伝送損失の抑制、及びエッチングによる微細配線の形成性の観点から、特に粗面形状１０が小さい、プロファイルフリー銅箔が望ましい。このようなプロファイルフリー銅箔としては、例えばＰＦ−Ｅ−３（日立化成工業製、商品名）、ＭｕｌｔｉＦｏｉｌ−Ｇ シリーズ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）等が挙げられる。ここで、表面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１「製品の幾何特性仕様 （ＧＰＳ） −表面性状：輪郭曲線方式−用語，定義及び表面性状パラメータ」の付属書１において規定されている「十点平均粗さ：Ｒｚ」をいう。

また、金属箔４として使用する銅箔は、必要に応じて適当な厚みを有するものを用いることができる。市販の銅箔は約１０〜１５０μｍの範囲の厚みを有し、回路基板用途としては１８μｍ及び３５μｍの厚みを有する銅箔が一般に用いられる。より微細な回路パターンを形成する観点から、１２μｍ、９μｍ、または５μｍの厚みを有するものなど、比較的薄膜の銅箔を用いることがより好ましい。

本発明でいう、金属箔付き積層板１は、絶縁層３と金属箔４とを積層一体化した構造のものであり、例えば絶縁基板、コア基板、フィルム、層間絶縁層、ビルドアップ層等の絶縁層３に、銅箔やアルミニウム箔等の金属箔４を張り合わせた状態のものをいう。また、片面板、両面板、多層板を含む。接着シートやプリプレグ等の絶縁層３を形成する材料と、金属箔４とを重ね合わせて、プレス装置やラミネート装置を用いて、加圧・加熱することにより作製することができる。

本発明でいう、導体パターン６とは、金属箔付き積層板１の絶縁層３と密着した金属箔４の不要部分を除去して残った部分から形成されるものである。金属箔４上にパターン（部分めっき）で導体パターン６となる部分を厚付けした後、それ以外の部分の金属箔４を除去する、いわゆるセミアディティブ法、または、金属箔４上にパネルめっき（全面めっき）で全面を厚付けした後、導体パターン６なる部分以外の不要部分を除去する、いわゆるサブトラクト法、等によって形成することができる。このように、導体パターン６は、絶縁層３と密着した金属箔４の不要部分を除去して残った部分から形成されるので、導体パターン６を形成した後に露出した絶縁層３表面は、金属箔４の表面形状が転写された状態となる。

導体パターン６の形成のための、絶縁層３上の金属箔４の除去は、配線板や半導体実装用基板の製造において使用される一般的なエッチング法によって行うことができる。エッチング液としては、塩化第二鉄液、塩化第二銅液、アルカリエッチャント等を用い、スプレー処理等によって行うことができる。

本発明でいう、導体パターン６と接する絶縁層３表面とは、導体パターン６と接している絶縁層３の表面をいう。つまり、導体パターン６が形成された部分の絶縁層３は、金属箔４との密着部分を有しており、金属箔４の表面形状が転写している。

本発明でいう、露出した絶縁層３表面とは、導体パターン６を形成する部分以外の金属箔４を除去した後の時点で、露出した絶縁層３の表面をいう。この導体パターン６が形成されなかった部分（除去された部分）の露出した絶縁層３表面は、導体パターン６が形成されるまでは金属箔４と密着していたために、金属箔４の表面形状が転写している。この露出した絶縁層３表面には、ソルダーレジスト７が形成される。

本発明でいう、粗面形状１０とは、露出した絶縁層３表面が有する表面形状に対して形成されるものである。即ち、露出した絶縁層３表面には、密着していた金属箔４の表面形状が転写されているが、本発明の粗面形状１０は、この表面形状に対して形成されるものである。

金属箔４を除去した後の露出した絶縁層３表面には、粗面形状１０が形成される。絶縁層３表面への粗面形状１０の形成は、プラズマ処理を用いるのが、絶縁層３とソルダーレジスト７との密着性を確保する点で望ましい。プラズマ処理には真空プラズマ処理、大気圧プラズマ処理があり、両者とも密着力向上の効果を得ることができる。また、使用するガスは、アルゴン又は酸素を含んでいれば特に制限されないが、アルゴン、酸素、酸素／アルゴン、酸素／窒素などを用いることができる。また、酸素混合ガスは流量比で酸素の比率が１％以上になることが好ましい。酸素の比率が１％未満の場合は酸化処理の効果が小さくなる傾向がある。

露出した絶縁層３表面に対する粗面形状１０の形成は、初期のＲｚに対して、Ｒｚが１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように行うのが望ましい。つまり、金属箔４の表面形状が転写した状態の絶縁層３の表面粗さＲｚに対して、粗面形状１０を形成した後のＲｚが１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように形成するのが望ましい。絶縁層３と積層一体化する金属箔４として、Ｒｚで７．０μｍ〜８．０μｍの一般銅箔や、Ｒｚで２．７μｍ〜３．３μｍのロープロファイル銅箔、Ｒｚで１．１μｍ〜１．５μｍのプロファイルフリー銅箔を用いた場合、絶縁層３表面は、これらの銅箔の表面形状が転写されるため、これらの銅箔と同等の表面粗さを有している。つまり、この場合、露出した絶縁層３表面の初期のＲｚは、１．０μｍ〜８．０μｍの表面粗さを有している。このため、粗面形状１０の形成を、初期のＲｚに対して、Ｒｚが１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように行う場合、露出した絶縁層３表面に粗面形状１０を形成した後の表面粗さは、Ｒｚで２．０μｍ〜１０．０μｍとなる。このように、絶縁層３の表面形状がもともと有していた表面粗さに加えて、Ｒｚで１．０μｍ〜２．０μｍの微細凹凸が形成され、表面粗さＲｚが増加するため、いわゆるアンカー効果が強化され、絶縁層３表面に形成されるソルダーレジスト７の密着が改善する。形成する粗面形状１０のＲｚが１．０μｍ未満では、絶縁層３の表面形状に対して形成される粗面形状１０の凹凸が小さ過ぎるため、いわゆるアンカー効果が得にくく、絶縁層３表面に形成されるソルダーレジスト７のＰＣＴにおける密着を確保するのが難しい。また、Ｒｚが２．０μｍを超えると、粗面形状１０を付与するための処理に時間を要しコスト面での問題が生じるうえに、絶縁層３の表面形状がもともと有していた表面粗さに近づくため、その上に形成する粗面形状１０の凹凸がもともと有していた表面粗さに吸収され、アンカー効果が薄れることが考えられる。

また、露出した絶縁層３表面に対して粗面形状１０を形成することにより、導体パターン６と接する絶縁層３表面の表面粗さよりも、露出した絶縁層３表面の表面粗さを大きくすることが可能となる。これにより、導体パターン６の絶縁層３と密着する面の表面粗さは小さくても、露出した絶縁層３表面がソルダーレジスト７の密着に十分な凹凸を備えるようにすることができるため、導体パターン６を形成する金属箔４として、その表面粗さがより小さいものを選択することができる。表面粗さが小さい金属箔４としては、例えば、ロープロファイル銅箔やプロファイルフリー銅箔を選択することができる。したがって、微細配線を有し、高周波での伝送損失を抑制した回路基板１１の提供が可能となる。

導体パターン６の形成に用いる金属箔４は、プロファイルフリー銅箔であるのが望ましい。プロファイルフリー銅箔としては、例えば、Ｒｚが１．１μｍ〜１．５μｍのＰＦ−Ｅ−３（日立化成工業製、商品名）、ＭｕｌｔｉＦｏｉｌ−Ｇ シリーズ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）等が挙げられる。これにより、より微細な配線を有し、高周波での伝送損失を抑制した回路基板１１の提供が可能となる。一方で、プロファイルフリー銅箔のＲｚは１．１μｍ〜１．５μｍと一般銅箔やロープロファイル銅箔と比べて小さいため、この表面形状が転写された絶縁層３の表面粗さも同等となる。このため、導体パターン６を形成した後の露出した絶縁層３表面にソルダーレジスト７を形成した場合、ソルダーレジスト７と絶縁層３との密着が不十分となる傾向がある。しかしながら、本発明では、導体パターン６を形成した後の露出した絶縁層３表面に、粗面形状１０を形成するので、微細配線の形成や高周波での伝送損失の抑制を確保しつつ、ソルダーレジスト７と絶縁層３との密着を確保することができる。

ソルダーレジスト７は、配線板や半導体実装用基板の製造において使用される液状タイプやドライフィルムタイプのものを使用することができる。液状タイプの場合は、ロールコーターもしくはスクリーン印刷機を用いて塗布を行うことができる。ドライフィルムタイプの場合は、絶縁層３表面の粗面形状１０への追従性の点から、真空加圧ラミネータを用いるのが望ましい。液状タイプのソルダーレジスト７として、例えば、ＰＳＲ−４０００ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造株式会社製、商品名）が挙げられ、ドラフィルムタイプのソルダーレジスト７として、例えば、ＰＦＲ−８００ＡＵＳ４０２（太陽インキ製造株式会社製、商品名）が挙げられる。

以下に、本発明の回路基板１１の製造方法の一例について説明する。

まず、絶縁層３と金属箔４を積層一体化して金属箔付き積層板１を作成する。絶縁層３としては、例えば、ＧＥＡ６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を、金属箔４としては、例えば、プロファイルフリー銅箔であるＰＦ−Ｅ−３（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、絶縁層３の上下両側に金属箔４を重ね、プレス装置等を用いて加熱・加圧することで、積層一体化する（図１（ａ））。なお、金属箔付き積層板１は、図１のような両面板に限られず、片面板や多層板であってもよい。

次に、金属箔付き積層板１の金属箔４上に、めっき９を施し、導体パターン６に必要な厚みにする。めっき９は、配線板や半導体実装用基板の製造において使用される、無電解銅めっきや電解銅めっき等を用いて形成することができる。

次に、回路形成用の感光性ドライフィルムとして、例えば、ＮＩＴ−２２５（ニチゴーモートン株式会社製、商品名）で、上記めっき９を施した金属箔付き積層板１上に所定のパターンのエッチングレジストを形成する。そのあと、エッチングを行って、導体パターン６を形成する部分以外の不要な金属箔４の除去を行い、導体パターン６を形成した後、エッチングレジストを剥離する（図１（ｂ））。なお、ここでは、サブトラクティブ工法を使用した例を説明したが、特に導体パターン６の形成に使用する工法は、絶縁層３と密着した金属箔４を除去する工程を含む工法であればよく、セミアディティブ工法を用いても可能である。

次に、導体パターン６形成後に露出した絶縁層３表面に、粗面形状１０を形成する。粗面形状１０を形成する方法としては、例えば、プラズマ処理を用い、上記導体パターン６まで形成した金属箔付き積層板１を、プラズマチャンバ−内に設置して処理を行う。プラズマガスには、上述したように酸素やアルゴン等を用いる（図１（ｃ））。

次に、導体パターン６表面とソルダーレジスト７の密着性を向上させるため、導体パターン６表面に粗化処理を行う。粗化処理としては、例えば、ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）等の粗化液によるエッチングや、機械研磨等を用いることができる。

次に、絶縁層３表面及び導体パターン６上に、ソルダーレジスト７を形成する。ソルダーレジスト７の材料には、液状タイプであれば、例えば、ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を使用することができ、ドライフィルムタイプであれば、例えば、ＰＦＲ−８００ ＡＵＳ４０２（太陽インキ製造株式会社製、商品名）を用いることができる。ソルダーレジスト７として、液状タイプを使用する場合は、ロールコーターもしくはスクリーン印刷機を用いて塗布を行い、さらに塗布面のタックを低減し取り扱い性をよくするためのセミキュアを行う。ドライフィルムタイプを使用する場合は、真空加圧ラミネータを用いてラミネートする。次に、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光、現像、熱硬化、その後必要な場合はさらに紫外線露光を行って、ソルダーレジスト７が形成される（図１（ｄ））。

次に、ソルダーレジスト７が形成されておらず露出した導体パターン６上に、導体パターン６表面の酸化を抑制し、はんだ付け性やワイヤーボンディング性を付与するために、例えば、ニッケル−金めっき８等の表面処理を施して接続端子１４を形成するのが望ましい。最後に、所定のサイズに切断を行い、回路基板１１を形成する。

以上に述べた本発明の回路基板１１の製造方法によれば、導体パターン６形成後に、粗面形状１０を形成する処理を行うので、導体パターン６の形成に用いる金属箔４の表面粗さが小さくても、導体パターン６形成後に露出した絶縁層３表面と、その上に形成したソルダーレジスト７との密着性を確保することができ、信頼性の向上を図ることができる。

以下に、本発明の回路基板１１及びその製造方法を、実施例に基づいて説明するが、本発明は本実施例に限定されない。

（実施例１）
内層銅箔１２と絶縁層３を備えたガラスエポキシ基板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製 商品名）、銅箔厚み５μｍ、基板サイズ３３３ｍｍ×５００ｍｍ、基板厚み０．８ｍｍを準備した。次に、所定の位置にドリルを用いてφ０．２ｍｍのスルーホール２を形成した。この基板に、所定の導体厚みになるように無電解銅めっき及び電解銅めっき処理を施し、めっき９を形成した。次に、サブトラクティブ工法を用いて導体パターン６を形成した（図２（ａ））。

次に、いわゆる黒化処理を用いて導体パターン６表面の粗化処理を行った。次に、絶縁層３であるＧＥＡ−６７９ＦＧ(日立化成工業株式会社製 商品名)と、金属箔４であるプロファイルフリー銅箔１３のＰＦ−Ｅ−３（日立化成工業株式会社製 商品名）を重ねて、プレス装置で加熱・加圧して積層一体化し、金属箔付き積層板１を形成した（図２（ｂ））。

次に、金属箔付き積層板１のプロファイルフリー銅箔１３上に、いわゆるコンフォーマル工法を用いて所定の位置にバイアホール５を形成するための、窓孔形成用のエッチングレジストを作製し、エッチングによりバイアホール５を形成する位置のプロファイルフリー銅箔１３の除去を行った後、エッチングレジストを剥離除去する。次に、炭酸ガスレーザーを用いて、プロファイルフリー銅箔１３が除去された箇所の絶縁層３樹脂の除去を行う。次に、デスミア処理を行ってＶｉａ底部のスミアの除去を行った後、無電解銅めっき処理を行う。次に、めっきレジスト用のドライフィルムをラミネートし、所定のめっきレジストパターンをフォトリソグラフ法により形成し、現像によりめっきレジストが除去された部分に、電解銅めっきを用いてめっき９を形成した後、めっきレジストを剥離除去する。即ち、導体パターン６となる部分は、プロファイルフリー銅箔１３の上にめっき９が形成されており、導体パターン６以外の部分は、プロファイルフリー銅箔１３だけが残る状態となる。次に、上記電解銅めっきを用いてめっき９を形成した部分だけが残り、めっき９を形成した部分以外のプロファイルフリー銅箔１３だけが完全に除去されるように、全面に対してエッチングを行うことにより、導体パターン６を形成する（図２（ｃ））。

次に、導体パターン６を形成した金属箔付き積層板１に、酸素プラズマ処理を実施した。酸素プラズマは、プラズマガスとして酸素を用い、出力１０００Ｗ、雰囲気圧力１００Ｐａ、処理時間は５分で行った（図３（ｄ））。

次に、化学エッチング処理（メック製、ＣＺ−８１００）で導体パターン６表面の粗化処理を行い、次に、ドライフィルムタイプのソルダーレジスト７であるＰＦＲ−８００ＡＵＳ４０２（太陽インキ製造株式会社製 商品名）を真空ラミネートし、所定の開口部分を形成するため、フォトリソグラフ法を用いてソルダーレジスト７を形成した（図３（ｅ））。

次に、露出した導体パターン６上に、導体パターン６表面の酸化を抑制し、はんだ付け性やワイヤーボンディング性を付与するために、ニッケル−金めっき８等の表面処理を施して、接続端子１４を形成し、回路基板１１を作製した（図３（ｆ））。

（実施例２）
導体パターン６を形成した金属箔付き積層板１（図２（ｃ））に、酸素プラズマ処理を実施した。酸素プラズマは、プラズマガスとして酸素を用い、出力１０００Ｗ、雰囲気圧力１００Ｐａ、処理時間は１０分で行った。それ以外は、実施例１と同様にして、回路基板１１を作製した。

（実施例３）
導体パターン６を形成した金属箔付き積層板１（図２（ｃ））に、プラズマガスとしてアルゴンガスを用いたプラズマ処理を実施した。アルゴンガスは出力１０００Ｗ、雰囲気圧力１００Ｐａ、処理時間は１５分で行った。それ以外は、実施例１と同様にして、回路基板１１を作製した。

（比較例１）
導体パターン６を形成した金属箔付き積層板１（図２（ｃ））に対して、プラズマ等の粗面形状１０を形成するための処理を施さなかった。それ以外は、実施例１と同様にして、回路基板１１を作製した。

（比較例２）
導体パターン６を形成した金属箔付き積層板１（図２（ｃ））に、デスミア処理を施した。デスミア処理は、配線板や半導体実装用基板の製造に用いられる、過マンガン酸ナトリウム水溶液を用い、温度８５℃で６分間の条件で行った。それ以外は、実施例１と同様にして、回路基板１１を作製した。

（ＰＣＴ）
以上により得られた実施例１〜３及び比較例１、２について、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を用いて、絶縁層３とソルダーレジスト７との密着性の評価を行った。ＰＣＴの条件は、１２１℃、１００％ＲＨ、２ａｔｍで、９６時間連続して保持した。その後、実体顕微鏡で観察を行い、絶縁層３とソルダーレジスト７との間の剥離の有無を確認した。

（表面粗さの測定）
ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１「製品の幾何特性仕様（ＧＰＳ）−表面性状：輪郭曲線方式−用語，定義及び表面性状パラメータ」の付属書１において規定されている「十点平均粗さ：Ｒｚ」に基づいて測定した。測定には、ＪＩＳ Ｂ０６５１の触針式表面粗さ計や、ＪＩＳ Ｂ０６５２の光波干渉式表面粗さ計を用いることができるが、本実施例では、光波干渉式表面粗さ計ＺＹＧＯ社製ＮｅｗＶｉｅｗ５０３０システムを用いて、絶縁層３表面のＲｚを測定した。

実施例１〜３及び比較例１、２について、絶縁層３の表面粗さＲｚ、及びＰＣＴによる絶縁層３表面とソルダーレジスト７との間の密着性を評価した。その結果を表１に示す。

○：全く界面剥離が認められないもの ×：界面剥離が認められるもの

実施例１では、酸素プラズマ処理により、絶縁層３表面に粗面形状１０が形成され、Ｒｚも未処理品よりは凹凸が大きく２．１μｍとなり、ソルダーレジスト７との密着性が向上したため、ＰＣＴにより剥離が発生しなかった。
実施例２でも同様に、酸素プラズマ処理により、絶縁層３表面に粗面形状１０が形成され、Ｒｚも２．４μｍとなり、ソルダーレジスト７の密着性が向上したため、ＰＣＴにより剥離が発生しなかった。
実施例３では、アルゴンプラズマを用いた処理であるが、この場合も絶縁層３表面に粗面形状１０が形成され、Ｒｚが２．１μｍとなり、ソルダーレジスト７との密着性が向上したため、ＰＣＴにより剥離が発生しなかった。
比較例１では、基材表面の粗化処理を施さなかったためＲｚも１．０μｍと小さく、ソルダーレジスト７との密着性が低く、ＰＣＴにより剥離が発生した。
比較例２ではデスミア処理により、基材表面を粗化処理しようと試みたが、デスミア処理により基材表面全体が均一に粗化され、凹凸の形成が十分にできなかったためＲｚが１．３μｍと小さく、ＰＣＴにより剥離が発生した。

本発明に係る回路基板の一例とその製造方法の一例である。 本発明の実施例１〜３の回路基板の前半の製造方法である。 本発明の実施例１〜３の回路基板とその後半の製造方法である。

符号の説明

１…金属箔付き積層板、２…スルーホール、３…絶縁層、４…金属箔、５…バイアホール、６…導体パターン、７…ソルダーレジスト、８…ニッケル−金めっき、９…めっき、１０…粗面形状、１１…回路基板、１２…内層銅箔、１３…プロファイルフリー銅箔、１４…接続端子

Claims (7)

1. プリプレグを用いて形成した絶縁層上に表面粗さがＲｚで１．１〜１．５μｍのプロファイルフリー銅箔を張り合わせた銅箔付き積層板の前記銅箔を除去して形成した導体パターンと、前記プロファイルフリー銅箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面に形成されたソルダーレジストとを有する回路基板において、前記プロファイルフリー銅箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面の表面粗さが、前記プロファイルフリー銅箔の表面形状が転写した初期の表面粗さであるＲｚで１．１〜１．５μｍに対して、さらにＲｚで１．０〜２．０μｍの凹凸を前記初期の表面粗さに吸収されないように形成することにより、前記導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、Ｒｚで１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように粗面形状を形成した回路基板。
2. 請求項１において、導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、露出した絶縁層表面の表面粗さの方が大きい回路基板。
3. 請求項１又は２において、導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さが、Ｒｚで１．１μｍ〜１．５μｍである回路基板。
4. 請求項１から３の何れかにおいて、粗面形状の形成が、プラズマ処理により形成される回路基板。
5. プリプレグを用いて形成した絶縁層上に表面粗さがＲｚで１．１〜１．５μｍのプロファイルフリー銅箔を張り合わせた銅箔付き積層板の前記銅箔を除去して形成した導体パターンと、前記プロファイルフリー銅箔を除去した後の露出した前記絶縁層表面に形成されたソルダーレジストとを有する回路基板の製造方法において、前記プロファイルフリー銅箔を除去して導体パターンを形成する工程と、露出した前記絶縁層表面の表面粗さが、前記プロファイルフリー銅箔の表面形状が転写した初期の表面粗さであるＲｚで１．１〜１．５μｍに対して、さらにＲｚで１．０〜２．０μｍの凹凸を前記初期の表面粗さに吸収されないように形成することにより、前記導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さよりも、Ｒｚで１．０μｍ〜２．０μｍ増加するように粗面形状を形成する工程とを有する回路基板の製造方法。
6. 請求項５において、絶縁層上にプロファイルフリー銅箔を張り合わせた銅箔付き積層板の導体パターンと接する絶縁層表面の表面粗さが、Ｒｚで１．１μｍ〜１．５μｍである回路基板の製造方法。
7. 請求項５又は６において、粗面形状を形成する工程が、プラズマ処理を有する回路基板の製造方法。

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