JP5619163B2 - 磁界センサおよび磁界センサ製造方法 - Google Patents
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Description
添付された請求項に記載されている本発明の磁界センサおよび本発明の磁界センサ製造方法は、従来技術に比べて、次のような利点を有している。すなわち、比較的コンパクトな構造を有しており、しいては磁界センサを低コストに実現することができるという利点である。ここでは同時に、磁界センサ製造時、殊に磁心を入れる際の外部材料の混入が阻止される。これによって本発明の磁界センサは有利には、標準的な半導体製造プロセス、殊にCMOSプロセス内で製造可能になる。これは次のことによって実現される。すなわち、励磁コイルが、基板の主要延在面に対して実質的に垂直に配向されているコイル横断面を有することによって実現される。ここで磁心は、コイル横断面の半径方向において、コイル横断面外に、有利には基板上に配置される。これは次のような利点を有する。すなわち、基板内での電気的および電子的な構造体の製造、殊に基板内の励磁コイルおよび/または検出コイルの製造が、基板上の磁心の配置に依存せずに行われ、これによって標準半導体製造方法、殊に、CMOSプロセス内で実現可能である、という利点を有する。基板内への外部粒子の混入はここでは阻止される。磁心は殊に、基板を封鎖した後に、基板表面上に配置される。用語「コイル横断面」は本発明では、殊に、励磁コイルによって誘導される磁界に対して垂直に配向され、励磁コイルの巻き線によって外部に対して制限されている励磁コイル面を含んでいる。有利には、磁心を励磁コイル外に配置したのにもかかわらず、励磁コイルによって磁束が磁心内に誘起される。これは、「フラックスゲート」センサ原理によるセンサ装置のために提供される。基板は、各任意の実施形態において有利には、半導体基板、特に有利にはシリコン基板を有している。
Claims (8)
- 基板(2)と磁心(3)とを備えた磁界センサ(1)であって、
前記基板(2)は、前記磁心(3)内に磁束を形成する励磁コイル(4)を有しており、前記励磁コイル(4)は、前記基板(2)の主要延在面(100)に対して垂直に配向されているコイル横断面(4´)を有している磁界センサ(1)において、
前記磁心(3)は前記コイル横断面(4´)の半径方向において、前記コイル横断面(4´)外に配置されており、前記磁心(3)は前記主要延在面(100)に対して垂直に、前記コイル横断面(4´)外に、かつ、前記基板(2)の外側表面(2´)上に配置されており、前記磁心(3)は、前記基板(2)を封鎖した後に、前記外側表面(2´)上に配置されている、
ことを特徴とする磁界センサ(1)。 - 前記基板(2)は層構造を有しており、前記励磁コイル(4)は複数の往路導体(5)と複数の復路導体(6)とを有しており、
前記複数の往路導体(5)と前記複数の復路導体(6)とは、主要延在面(100)に対して垂直に、前記層構造の異なる層内に、または前記基板(2)の異なる面上に、配置されている、
請求項1記載の磁界センサ(1)。 - 主要延在面(100)に対して垂直に、前記複数の往路導体(5)が前記磁心(3)によって少なくとも部分的に覆われている、
請求項1または2記載の磁界センサ(1)。 - 主要延在面(100)に対して垂直に、前記複数の往路導体(5)は、前記磁心(3)と前記複数の復路導体(6)との間に配置されている、
請求項1から3までのいずれか1項記載の磁界センサ(1)。 - 前記磁気メータ(1)は、磁心(3)内の磁束を検出するための検出コイルを有しており、
前記検出コイルは、主要延在面(100)に対して平行または垂直に配向されている検出コイル横断面を有している、
請求項1から4までのいずれか1項記載の磁界センサ(1)。 - 主要延在面(100)に対して垂直に、前記往路導体(5)と前記復路導体(6)との間に、コンタクト素子(7)および誘電層が配置されている、
請求項1から5までのいずれか1項記載の磁界センサ(1)。 - 請求項1に記載された磁界センサ(1)を製造する方法であって、
第1の製造ステップにおいて基板(2)を準備し、
第2の製造ステップにおいて励磁コイル(4)を基板(2)内に製造し、
第3の製造ステップにおいて磁心(3)をコイル横断面(4´)の半径方向において、前記コイル横断面(4´)外に配置し、前記第3のステップにおいて前記磁心(3)を前記主要延在面(100)に対して垂直に、前記コイル横断面(4´)外に、かつ、前記基板(2)の外側表面(2´)上に配置し、前記磁心を、前記基板を封鎖した後に前記基板(2)の外側表面(2´)上に配置する、
ことを特徴とする方法。 - 前記第2の製造ステップの第1の部分ステップにおいて複数の復路導体(6)を形成し、前記第2の製造ステップの第2の部分ステップにおいて複数の往路導体(5)を形成し、前記第2の製造ステップの第3の部分ステップにおいて複数のコンタクト素子(7)および複数の誘電層を基板(2)内に形成する、
請求項7記載の方法。
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