JP5615107B2 - Split method - Google Patents
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Description
本発明は、裏面に金属膜が形成された半導体ウェーハ等のワークを分割して複数のチップを得る分割方法に関する。 The present invention relates to a dividing method for dividing a workpiece such as a semiconductor wafer having a metal film formed on the back surface to obtain a plurality of chips.
半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハ等のワークの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にICやLSI等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理を施してから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。 In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined on the surface of a workpiece such as a disk-shaped semiconductor wafer by grid-like division lines, and electronic circuits such as ICs and LSIs are formed on the surface of these rectangular areas. Then, after performing necessary processing such as polishing after the back surface is ground, all divided lines are cut, that is, diced to obtain a large number of semiconductor chips.
ワークのダイシングは、通常、高速回転させた切削ブレードをワークに切り込ませて切断するダイサーと称される切削装置によって行われているが、レーザービームを照射して分割起点を形成し、テープエキスパンド等を用いて外力を分割起点に加えることにより切断する割断式の分割方法も行われている(特許文献1等参照)。 The work dicing is usually performed by a cutting device called a dicer that cuts a work blade that is rotated at a high speed into the work. A cleaving-type division method is also performed in which an external force is applied to the division starting point using a method (see, for example, Patent Document 1).
しかして、ワークの裏面に金属膜が形成されている場合、金属膜は延性を有するため、上記の割断式分割方法を採ると、未分離や金属膜の引きちぎれといった分割不良を起こす場合があった。 Thus, when a metal film is formed on the back surface of the workpiece, the metal film has ductility. Therefore, when the above-mentioned cleaving division method is employed, division failure such as unseparation or tearing of the metal film may occur. .
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、その主な技術的課題は、裏面に金属膜が形成されたワークを、分割不良を起こすことなく分割することができる分割方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and the main technical problem thereof is a dividing method capable of dividing a workpiece having a metal film formed on the back surface without causing a division failure. It is to provide.
本発明の分割方法は、表面側の分割予定ラインによって区画された領域ごとにデバイスが形成され、裏面側に金属膜が形成されたワークの分割方法であって、環状フレームの開口部に配設されたダイシングテープに前記金属膜側を貼着することによって該環状フレームの開口部にワークを支持する支持工程と、該支持工程の後に、ワークの表面側からの加工によって前記分割予定ラインに沿ってワークに分割起点を形成する分割起点形成工程と、前記支持工程の後に、前記金属膜を加工するために前記分割予定ラインの位置を検出する検出工程と、該検出工程の後に、該検出工程で検出した前記分割予定ラインの位置に基づいて前記ダイシングテープを透過する波長のレーザービームを、該ダイシングテープを介して該分割予定ラインに沿って前記金属膜に集光して該金属膜をアブレーション加工するアブレーション加工工程と、前記分割起点形成工程およびアブレーション加工工程の後に、前記分割起点に外力を加えることによって該分割起点を起点としてワークを前記分割予定ラインに沿って分割する工程と、を含むことを特徴とする。 The dividing method of the present invention is a method of dividing a work in which a device is formed for each region partitioned by a planned dividing line on the front surface side and a metal film is formed on the back surface side, which is disposed in the opening of the annular frame. A supporting step of supporting the workpiece in the opening of the annular frame by sticking the metal film side to the dicing tape formed, and following the planned dividing line by processing from the surface side of the workpiece after the supporting step A dividing starting point forming step for forming a dividing starting point on the workpiece, a detecting step for detecting the position of the division planned line for processing the metal film after the supporting step, and a detecting step after the detecting step. A laser beam having a wavelength that is transmitted through the dicing tape based on the position of the planned division line detected in the step along the planned division line through the dicing tape. After the ablation processing step of concentrating on the metal film and ablating the metal film, and after the split starting point forming step and the ablation processing step, by applying an external force to the split starting point, the workpiece is started from the split starting point. Dividing along a planned division line.
本発明によれば、ワークの裏面の金属膜に対し分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施すため、金属膜は分割予定ラインに沿って分割された状態となる。このため、ワークの分割起点に外力を加えると、金属膜の影響を受けることなくワークは分割予定ラインに沿って割断され、未分離や金属膜の引きちぎれといった分割不良が起こらない。 According to the present invention, since the metal film on the back surface of the workpiece is subjected to ablation processing along the planned division line, the metal film is divided along the planned division line. For this reason, when an external force is applied to the dividing start point of the workpiece, the workpiece is cleaved along the planned dividing line without being affected by the metal film, and no division failure such as unseparation or tearing of the metal film does not occur.
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えば、シリコン(Si)、ガリウムヒ素(GaAs)、シリコンカーバイド(SiC)等からなる半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の無機材料基板、液晶表示装置を制御駆動するLCDドライバ等の各種電子部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。 The work referred to in the present invention is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer made of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC) or the like, or DAF ( Die Attach Film) and other adhesive parts, semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al 2 O 3 ) -based inorganic material substrates, various electronic components such as LCD drivers that control and drive liquid crystal display devices, micron-order processing Examples include various processing materials that require positional accuracy.
本発明によれば、裏面に金属膜が形成されたワークを、分割不良を起こすことなく分割することができる分割方法が提供されるといった効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to provide a dividing method capable of dividing a work having a metal film formed on the back surface without causing a division failure.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図1の符号1は、一実施形態の分割方法で分割される半導体ウェーハ等の円板状のワークを示している。図1(a)に示すように、ワーク1の表面1aには分割予定ライン2が格子状に形成されており、これによって該表面1aには多数の矩形状のデバイス領域3が区画されている。各デバイス領域3の表面には、ICやLSI等による図示せぬ電子回路が形成されている。図1(b)に示すように、ワーク1の裏面1bには、例えばAu等を含む多層構成からなる金属膜5が形成されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施形態は、ワーク1を分割予定ライン2に沿って金属膜5とともに切断、分割して各デバイス領域3を多数のチップとして得る方法である。以下、その方法を工程順に説明する。
In this embodiment, the
はじめに、図2に示すように環状フレーム11の開口部11aに配設されたダイシングテープ12に金属膜5側を貼着して、ワーク1を環状フレーム11の開口部11aに支持する(支持工程)。
First, as shown in FIG. 2, the
ダイシングテープ12としては、例えば塩化ビニル等の樹脂シート等からなる基材(例えばリンテック社製:D−668)の片面に紫外線硬化型樹脂等からなる粘着層が形成されたものが用いられる。ダイシングテープ12は、該粘着層を介して環状フレーム11の片面に開口部11aを覆って貼着されている。ワーク1は、環状フレーム11の開口部11aに同心状に配置され、金属膜5側がダイシングテープ12の粘着層に貼着される。環状フレーム11はステンレス等の剛性を有する金属板からなるものであり、この環状フレーム11を取り扱うことによりワーク1は搬送される。
As the
次に、上記支持工程の後に、ワーク1の表面1a側からの加工により、分割予定ライン2に沿ってワーク1に分割起点を形成する(分割起点形成工程)。分割起点とは、周囲と比べると脆弱で外力を加えられることにより切断可能となる状態の形状や性質を言い、例えば、ワーク1の表面1a側に形成する一定深さの溝や、ワーク1の内部に形成する改質領域等が挙げられる。
Next, after the supporting step, a division starting point is formed on the
ここでは、図3に示すレーザー加工装置20で改質領域を形成して分割起点を形成するものとする。なお、ここで言う改質領域とは、密度、屈折率、機械的強度、あるいはその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域のことであり、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等が挙げられ、さらにこれらの単独状態、または混在状態を含むものとされる。
以下、図3のレーザー加工装置20を説明する。
Here, it is assumed that a modified region is formed by the
Hereinafter, the
レーザー加工装置20は基台21を有しており、この基台21上には、XY移動テーブル22が、水平なX軸方向およびY軸方向に移動自在に設けられている。このXY移動テーブル22には、裏面1bに金属膜5が形成されたワーク1を保持するチャックテーブル51が設置されている。チャックテーブル51の上方には、チャックテーブル51に保持されたワーク1に向けてレーザービームを照射するレーザー加工手段60の照射部62が、チャックテーブル51に対向する状態に配設されている。
The
XY移動テーブル22は、基台21上にX軸方向に移動自在に設けられたX軸ベース30と、このX軸ベース30上にY軸方向に移動自在に設けられたY軸ベース40との組み合わせで構成されている。X軸ベース30は、基台21上に固定されたX軸方向に延びる一対の平行なガイドレール31に摺動自在に取り付けられており、モータ32でボールねじ33を作動させるX軸駆動機構34によってX軸方向に移動させられる。一方、Y軸ベース40は、X軸ベース30上に固定されたY軸方向に延びる一対の平行なガイドレール41に摺動自在に取り付けられており、モータ42でボールねじ43を作動させるY軸駆動機構44によってY軸方向に移動させられる。
The XY movement table 22 includes an
Y軸ベース40の上面には、円筒状のチャックベース50がZ軸方向(上下方向)を回転軸として回転自在に支持されており、このチャックベース50上に、チャックテーブル51が同心状に固定されている。チャックテーブル51は、真空吸引作用によりワーク1を吸着して保持する一般周知の真空チャック式のものである。チャックテーブル51は、図示せぬ回転駆動手段によってチャックベース50と一体に回転駆動される。チャックテーブル51の周囲には、上記環状フレーム11を着脱自在に保持する一対のクランプ52が、互いに180°離れた位置に配設されている。これらクランプ52は、ステー(図4参照)53を介してチャックベース50に取り付けられている。
A
XY移動テーブル22においては、X軸ベース30がX軸方向に移動する時が、レーザービームを分割予定ライン2に沿って照射する加工送りとされる。そして、Y軸ベース40がY軸方向に移動することにより、レーザービームを照射する対象の分割予定ライン2を切り替える割り出しがなされる。なお、加工送り方向と割り出し方向は、この逆、つまり、Y軸方向が加工送り方向、X軸方向が割り出し方向に設定されてもよく、限定はされない。
In the XY movement table 22, when the
レーザー加工手段60は、チャックテーブル51の上方に向かってY軸方向に延びる直方体状のケーシング61を有しており、このケーシング61の先端に、上記照射部62が設けられている。ケーシング61は、基台21に立設されたコラム23に、鉛直方向(Z軸方向)に沿って上下動可能に設けられており、コラム23内に収容された図示せぬ上下駆動手段によって上下動させられる。
The laser processing means 60 has a
ケーシング61内には、レーザー加工手段60の構成要素として、レーザービームの発振器や、発振器が発振したレーザービームの出力を調整する出力調整器等が収容されている。この場合の発振器は、例えばYAGやYVO等のワーク1を透過する波長のレーザービームを発振可能なものが用いられる。照射部62は、発振器で発振されたレーザービームを下方に方向転換させるミラーや、このミラーによって方向転換されたレーザービームを集光する集光レンズ等を備えている。レーザー加工手段60によれば、ケーシング61内で発振されたレーザービームが照射部62から下方に向けて照射される。
In the
ケーシング61の先端であって照射部62の近傍には、分割予定ライン2を検出するための撮像手段70が配設されている。この撮像手段70は、チャックテーブル51に保持されたワーク1を照明する照明手段や光学系、および光学系で捕らえられた像を撮像するCCD等からなる撮像素子等を備えている。
An
分割起点形成工程は、図4に示すように、上記レーザー加工装置20のチャックテーブル51上にダイシングテープ12を介してワーク1を載置するとともに、環状フレーム11をクランプ52で保持し、チャックテーブル51の真空運転を行ってワーク1をチャックテーブル51に吸着して保持する。次いで、撮像手段70によりワーク1の表面1aを撮像して分割予定ライン2を検出する。そして検出結果である分割予定ライン2の位置に基づき、レーザー加工手段60の照射部62から、図5に示すように透過性を有するレーザービームLBをワーク1の内部に集光点を合わせた状態として分割予定ライン2に沿って走査する。図5の矢印は、レーザービームLBの走査方向を示している。
As shown in FIG. 4, the division starting point forming step places the
分割予定ライン2に沿ったレーザービームLBの走査は、チャックテーブル51を回転させることで分割予定ライン2を加工送りと平行に設定し、X軸ベース30をX軸方向に移動させる加工送りによってなされる。また、照射する分割予定ライン2の切り替えは、Y軸ベース40をY軸方向に移動させる割り出しによってなされる。これにより、図5および図8(a)に示すように、ワーク1の内部に分割予定ライン2に沿って改質領域Pを形成する。
The scanning of the laser beam LB along the scheduled
レーザービームLBの照射によりワーク1の内部に全ての分割予定ライン2に沿って改質領域Pを形成したら、チャックテーブル51へのワーク1の保持、ならびにクランプ52による環状フレーム11の保持を一旦解除し、図6に示すようにワーク1を表裏逆にして表面1aをチャックテーブル51に合わせて載置するとともに、環状フレーム11をクランプ52で保持し、チャックテーブル51の真空運転を行ってワーク1をチャックテーブル51に吸着して保持する。これにより金属膜5側が上方に配されるが、その金属膜5の上面(ダイシングテープ12が貼着されている面)には、上記分割起点形成工程で改質領域Pを形成したレーザービームの抜け光による加工痕が出現している。
When the modified region P is formed along all the
この加工痕は、レーザービームLBの走査軌跡を現しており、すなわち分割予定ライン2に沿った格子状に形成された状態となっている。ここでは、金属膜5の上面を撮像手段70によりダイシングテープ12を通して撮像し、レーザービームLBの加工痕を、金属膜50を加工するための分割予定ライン2の位置として検出する(検出工程)。
This processing mark represents the scanning trajectory of the laser beam LB, that is, is formed in a lattice shape along the planned
次いで、検出結果である分割予定ライン2の位置に基づき、レーザー加工手段60の照射部62から、図7に示すようにダイシングテープ12を透過する波長のレーザービームLBを金属膜5に集光点を合わせた状態としてダイシングテープ12を介し分割予定ライン2に沿って走査する。図7の矢印は、レーザービームLBの走査方向を示している。ここでのレーザービームLBはアブレーション加工用であり、金属膜5には、図8(b)に示すように、アブレーション加工されることにより分割予定ライン2に沿った部分が除去される加工が施される(アブレーション加工工程)。
Next, based on the position of the planned
ダイシングテープ12を透過してアブレーション加工するレーザービームLBは、例えばUV波長で、出力:1.00W、加工送り速度:200mm/S、繰り返し周波数:160kHz、1本の分割予定ライン2への走査回数:1回、といった条件で行われる。なお、アブレーション加工では、デブリと呼ばれる溶融して蒸散した成分が周囲に落下して付着することがあるが、この場合、デブリはダイシングテープ12に付着し、金属膜5が汚染することがない。
The laser beam LB that is ablated by passing through the dicing
レーザービームLBの照射により、金属膜5に全ての分割予定ライン2に沿ってアブレーション加工を行ったら、チャックテーブル51へのワーク1の保持、ならびにクランプ52による環状フレーム11の保持を解除する。そして環状フレーム11を扱うことでワーク1を搬出し、次の分割工程に移す。
When the ablation processing is performed on the
分割工程では、分割予定ライン2に沿ってワーク1の内部に形成した分割起点(改質領域P)に外力を加える。分割起点に外力が加えられると、分割起点を起点としてワーク1が分割予定ライン2に沿って割断、分割される。これにより、各デバイス領域3が個片化して多数のチップが得られる。
In the dividing step, an external force is applied to the dividing starting point (modified region P) formed inside the
分割起点である改質領域Pに外力を加える方法としては、例えばダイシングテープ12を拡張してワーク1全体に放射方向への引っ張り応力を加えるなどの方法が好適である。このようにしてダイシングテープ12上でワーク1が分割されると、各チップ(デバイス)はダイシングテープ12上に粘着して残り、この後、ピックアップ工程で各チップがピックアップされる。
As a method of applying an external force to the modified region P that is the division starting point, for example, a method of expanding the dicing
以上のようにしてワーク1を分割する本実施形態の分割方法によれば、ワーク1の裏面1bの金属膜5に対し分割予定ライン2に沿ってアブレーション加工を施すことにより、金属膜5は分割予定ライン2に沿って分割された状態となる。このため、分割起点として改質領域Pが形成されているワーク1の該改質領域Pに外力を加えると、金属膜5の影響を受けることなくワーク1は分割起点、すなわち分割予定ライン2に沿って円滑に割断される。したがって、未分離や金属膜5の引きちぎれといった分割不良が起こらない。
According to the dividing method of the present embodiment for dividing the
また、金属膜5をアブレーション加工する際には、ダイシングテープ12を貼着したままダイシングテープ12を透過するレーザービームLBを金属膜5に照射しており、金属5を露出させるためにワーク1を別のダイシングテープに張り替えるという作業は必要としていない。すなわち、ピックアップ工程まで金属膜5側を一貫してダイシングテープ12に貼着したままの状態とすることができる。これにより、分割後にダイシングテープ12からピックアップしたチップ(デバイス)を基板等に実装する作業を円滑に行うことができる。
Further, when the
また、金属膜5に対し分割予定ライン2に沿ってアブレーション加工するために、分割予定ライン2の位置を金属膜5に対応させて検出するにあたっては、改質領域Pを形成した際に金属膜5に出現するレーザービームLBの加工痕を撮像することにより行っている。撮像手段70では、金属膜5を通してワーク1の表面1aに形成された分割予定ライン2は撮像することはできないが、このような加工痕は撮像することができるため、金属膜5に対応する分割予定ライン2の位置を容易、かつ適確に検出することができる。
Further, in order to ablate the
上記実施形態のアブレーション加工工程では、ワーク1の表面1a側をチャックテーブル51に合わせて保持しているが、表面1aに形成された各デバイス領域3の電子回路を保護したい場合には、表面1aに適宜な保護テープを貼着し、表面1aがチャックテーブル51に直接当たらないようにするとよい。また、この他の方法としては、図9に示すように、外周部を残して上面に凹所51aが形成されたチャックテーブル51を用い、外周部以外の製品として有効なデバイス領域3が凹所51aに臨んで表面1aがチャックテーブル51に当たらないようにワーク1を保持するようにしてもよい。
In the ablation processing step of the above embodiment, the
図9に示した上面に凹所51aが形成されたチャックテーブル51にあっては、図10に示すように、凹所51a内に、上方に向けてレーザービームLBを照射する照射部54を水平方向に移動可能に設け、この照射部54からワーク1に向けてレーザービームLBを照射するように構成することもできる。このようなチャックテーブル51では、同図に示すようにワーク1を上側に配して保持した状態で、上側の照射部62よりワーク1の表面1a側からワーク1に照射したレーザービームLBでワーク1内に分割起点(改質領域P)を形成し、凹所51a内に設けた下側の照射部54からレーザービームLBをダイシングテープ12を介して金属膜5(図10では図示略)に照射してアブレーション加工を施すことができる。
In the chuck table 51 in which the
この場合においては、上側の照射部62からレーザービームLBを照射して分割起点を形成する際には、最初に撮像手段70でワーク1の表面1aを撮像して検出した分割予定ライン2に沿って行い、また、下側の照射部54からダイシングテープ12を介して金属膜5にアブレーション加工を行う際にも、最初に検出した分割予定ライン2の位置に基づき、金属膜5に対し該分割予定ライン2に沿ってレーザービームLBを照射する。すなわち、金属膜5をアブレーション加工するために分割予定ライン2の位置を検出する検出工程は、最初に行う撮像手段70によるワーク1の表面1a側からの撮像によって行われ、アブレーション加工を施す段階で金属膜5側から改めてその検出工程を行う必要はない。これは、ワーク1をチャックテーブル51から動かさないため、最初に検出した分割予定ライン2の位置データを一貫して用いることができるからである。
In this case, when the division starting point is formed by irradiating the laser beam LB from the
また、上記実施形態では、分割起点形成工程の後にアブレーション加工工程を行っているが、これら工程の順序は任意であり、アブレーション加工工程の後に分割起点形成工程を行ってもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the ablation process is performed after the division | segmentation starting point formation process, the order of these processes is arbitrary and you may perform a division | segmentation origin formation process after an ablation process.
1…ワーク、1a…ワークの表面、1b…ワークの裏面、2…分割予定ライン、3…デバイス領域、5…金属膜、11…環状フレーム、11a…環状フレームの開口部、12…ダイシングテープ、LB…レーザービーム、P…改質領域(分割起点)。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
環状フレームの開口部に配設されたダイシングテープに前記金属膜側を貼着することによって該環状フレームの開口部にワークを支持する支持工程と、
該支持工程の後に、ワークの表面側からの加工によって前記分割予定ラインに沿ってワークに分割起点を形成する分割起点形成工程と、
前記支持工程の後に、前記金属膜を加工するために前記分割予定ラインの位置を検出する検出工程と、
該検出工程の後に、該検出工程で検出した前記分割予定ラインの位置に基づいて前記ダイシングテープを透過する波長のレーザービームを、該ダイシングテープを介して該分割予定ラインに沿って前記金属膜に集光して該金属膜をアブレーション加工するアブレーション加工工程と、
前記分割起点形成工程およびアブレーション加工工程の後に、前記分割起点に外力を加えることによって該分割起点を起点としてワークを前記分割予定ラインに沿って分割する工程と、を含み、
前記分割起点はワークを透過する波長のレーザービームの集光によって形成された改質領域であって、前記検出工程は前記分割起点形成工程の後に、該改質領域を形成したレーザービームの抜け光によって前記金属膜に形成された加工痕を撮像することによって行うことを特徴とする分割方法。 A method of dividing a workpiece in which a device is formed for each area partitioned by a division line on the front side, and a metal film is formed on the back side,
A supporting step of supporting the workpiece on the opening of the annular frame by sticking the metal film side to a dicing tape disposed in the opening of the annular frame;
After the supporting step, a division starting point forming step of forming a division starting point on the workpiece along the division planned line by processing from the surface side of the workpiece;
After the support step, a detection step of detecting the position of the division planned line for processing the metal film,
After the detection step, a laser beam having a wavelength that passes through the dicing tape based on the position of the planned division line detected in the detection step is applied to the metal film along the planned division line via the dicing tape. An ablation process for condensing and ablating the metal film;
After said division start point forming step and the ablation process, see containing and a step of dividing along the workpiece to the dividing lines starting from the division originating points by applying an external force to the division originating points,
The division starting point is a modified region formed by condensing a laser beam having a wavelength that passes through the workpiece, and the detection step is performed after the split starting point forming step, and the laser beam that has formed the modified region A division method characterized by performing imaging by imaging a processing mark formed on the metal film .
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