JP5608462B2 - Manufacturing method of imprint mold - Google Patents

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Description

本発明は、微細な３次元構造パターンを形成する際に用いるインプリントモールドの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an imprint mold used for forming a fine three-dimensional structure pattern.

従来、この種の技術としては、例えば以下に示す文献に記載されたものが知られている（特許文献１参照）。この文献には、エッチングマスクとして用いたパターニングされた感光性樹脂に新たなパターンを再度パターニングし、再度エッチングして複数の段差を備えたインプリントモールドを製造する技術が記載されている。すなわち、パターニングされた感光性樹脂をマスクにして第１回目の基板エッチングを行い、その後パターニングされた感光性樹脂を再度パターニングしてこれをマスクにして第２回目の基板エッチングを行っていた。   Conventionally, as this type of technology, for example, those described in the following documents are known (see Patent Document 1). This document describes a technique for manufacturing an imprint mold having a plurality of steps by patterning a new pattern again on a patterned photosensitive resin used as an etching mask and etching again. That is, the first substrate etching is performed using the patterned photosensitive resin as a mask, and then the patterned photosensitive resin is patterned again and the second substrate etching is performed using this as a mask.

特開２００９−７２９５６号公報JP 2009-72956 A

上記従来のインプリントモールドの製造方法において、第１回目の基板エッチングでは、感光性樹脂もエッチングされるので、エッチング面内の面内ばらつきにより感光性樹脂の厚さにもばらつきが生じてしまう。このため、その後感光性樹脂を再度パターニングする際にパターニング精度にばらつきが生じてしまう。したがって、再度パターニングされた感光性樹脂をマスクとした第２回目の基板エッチングにおいても構造パターンにばらつきが生じてしまう。   In the above-described conventional imprint mold manufacturing method, the photosensitive resin is also etched in the first substrate etching. Therefore, the thickness of the photosensitive resin also varies due to in-plane variation in the etched surface. For this reason, when patterning photosensitive resin again after that, variation will arise in patterning accuracy. Therefore, the structure pattern also varies in the second substrate etching using the patterned photosensitive resin as a mask.

そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、多段構造の寸法精度を向上したインプリントモールドの製造方法を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an imprint mold with improved dimensional accuracy of a multistage structure.

本発明の第１の態様によれば、３次元の多段構造パターンを有するインプリントモールドの製造方法において、基板上に第２マスク層に使用するマスク材を形成した後、感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂をパターニングし、パターニングされた感光性樹脂を用いて第２マスク層に使用するマスク材を選択的に除去して第２マスク層に使用するマスク材をパターニングし、残存する感光性樹脂を除去し、基板上にパターニングされた第２マスク層に使用するマスク材からなる第２マスク層を形成する第１の工程と、第１の工程後に、パターニングされた第２マスク層及び基板上に、第２マスク層に使用するマスク材と材質が異なる第１マスク層に使用するマスク材を塗布した後、第２マスク層が形成されていない第１マスク層に使用するマスク材の一部を除去し、第１マスク層に使用するマスク材をパターニングして、基板上にパターニングされた第１マスク層に使用するマスク材からなり、かつ第２マスク層を被膜する第１マスク層を形成する第２の工程と、パターニングされた第１マスク層を用いて基板を選択的に除去して、基板に第１凹部パターンを形成する第３の工程と、第１マスク層を除去した後、基板上に既にパターニングされている第２マスク層を用いて基板を選択的に除去して、基板に第２凹部パターンを形成する第４の工程とを有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法が提供される。
According to a first aspect of the present invention, in the manufacturing method of imprint mold having a three-dimensional multi-stage structure pattern, after forming a mask material used for the second mask layer on a substrate, a photosensitive resin is applied Patterning the photosensitive resin, selectively removing the mask material used for the second mask layer using the patterned photosensitive resin, and patterning the mask material used for the second mask layer, and the remaining photosensitivity A first step of removing the resin and forming a second mask layer made of a mask material used for the second mask layer patterned on the substrate, and a second mask layer and substrate patterned after the first step above, after applying the mask material used in the first mask layer a mask material and the material it is different to be used for the second mask layer, the mask used in the first mask layer in which the second mask layer is not formed Some was removed by patterning the mask material used in the first mask layer, the first mask made from the mask material used in the first mask layer patterned on the substrate, and coating the second mask layer A second step of forming a layer ; a third step of selectively removing the substrate using the patterned first mask layer to form a first recess pattern on the substrate; and removing the first mask layer And a fourth step of selectively removing the substrate using a second mask layer already patterned on the substrate to form a second recess pattern on the substrate. A method for manufacturing a mold is provided.

本発明によれば、多段構造の寸法精度を向上したインプリントモールドの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the imprint mold which improved the dimensional accuracy of the multistage structure can be provided.

本発明の実施形態１に係るインプリントモールドの製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the imprint mold which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１に係るインプリントモールドの製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the imprint mold which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態２に係るインプリントモールドの製造方法の一部工程を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the partial process of the manufacturing method of the imprint mold which concerns on Embodiment 2 of this invention.

以下、図面を用いて本発明を実施するための実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施形態１）
図１Ａ、図１Ｂは本発明の実施形態１に係るインプリントモールドの製造方法の工程を示す工程断面図である。図１Ａ、図１Ｂに示す実施形態１のインプリントモールドの製造方法は、３次元の多段構造パターンを有するインプリントモールドの製造方法において、基板に第２マスク層を形成する第１の工程と、第１の工程後に、第２マスク層と材質が異なる第１マスク層を第２マスク層を被覆するように基板に形成する第２の工程と、第１マスク層を用いて基板を選択的に除去して、基板に第１凹部パターンを形成する第３の工程と、第１マスク層を除去した後、第２マスク層を用いて基板を選択的に除去して、基板に第２凹部パターンを形成する第４の工程とを備えている。 (Embodiment 1)
1A and 1B are process cross-sectional views illustrating processes of a method for manufacturing an imprint mold according to Embodiment 1 of the present invention. The imprint mold manufacturing method of Embodiment 1 shown in FIGS. 1A and 1B is a first step of forming a second mask layer on a substrate in the method of manufacturing an imprint mold having a three-dimensional multistage structure pattern, After the first step, a second step of forming a first mask layer made of a material different from that of the second mask layer on the substrate so as to cover the second mask layer, and selectively using the first mask layer to select the substrate A third step of removing and forming a first recess pattern on the substrate; and after removing the first mask layer, the substrate is selectively removed using the second mask layer to form a second recess pattern on the substrate. And a fourth step of forming.

先ず、図１Ａ（ａ）に示すように、インプリントモールドの基板１１として例えば２００〜７００μｍ程度の厚さの半導体のシリコン基板を用意する。   First, as shown in FIG. 1A (a), a semiconductor silicon substrate having a thickness of about 200 to 700 μm, for example, is prepared as the substrate 11 of the imprint mold.

次に、図１Ａ（ｂ）に示すように、基板１１の主面（表裏面）に、熱酸化等により酸化膜１２（第２マスク層）を形成する。酸化膜１２は、基板１１のシリコンに比べてドライエッチング耐性が強いので、酸化膜１２の厚さは後述する図１Ｂ（ｉ）に示す工程で形成される第１凹部パターン１５の深さの概ね１／５０程度の薄い膜でかまわない。   Next, as shown in FIG. 1A (b), an oxide film 12 (second mask layer) is formed on the main surface (front and back surfaces) of the substrate 11 by thermal oxidation or the like. Since the oxide film 12 is more resistant to dry etching than the silicon of the substrate 11, the thickness of the oxide film 12 is approximately the depth of the first recess pattern 15 formed in the step shown in FIG. A thin film of about 1/50 may be used.

次に、図１Ａ（ｃ）に示すように、基板１１の一方の主面（表面）に形成された酸化膜１２上に、感光性樹脂１３を塗布する。この感光性樹脂１３は、後述する図１Ａ（ｅ）に示す工程で使用するバッファードフッ酸の薬液に侵されることがないので、０．５μｍ程度の厚さに形成される。   Next, as shown in FIG. 1A (c), a photosensitive resin 13 is applied on the oxide film 12 formed on one main surface (surface) of the substrate 11. Since the photosensitive resin 13 is not attacked by a chemical solution of buffered hydrofluoric acid used in the step shown in FIG. 1A (e) described later, it is formed to a thickness of about 0.5 μm.

次に、図１Ａ（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて感光性樹脂１３を選択的に除去してパターニングする。   Next, as shown in FIG. 1A (d), the photosensitive resin 13 is selectively removed and patterned using a photolithography technique.

次に、図１Ａ（ｅ）に示すように、先の工程でパターニングされた感光性樹脂１３をマスクとして、バッファードフッ酸の薬液により一方の主面（表面）の酸化膜１２を選択的にエッチング除去し、他方の主面（裏面）の酸化膜１２をエッチング除去する。   Next, as shown in FIG. 1A (e), using the photosensitive resin 13 patterned in the previous step as a mask, the oxide film 12 on one main surface (front surface) is selectively formed with a chemical solution of buffered hydrofluoric acid. Etching is removed, and the oxide film 12 on the other main surface (back surface) is removed by etching.

次に、図１Ａ（ｆ）に示すように、酸素プラズマ等により残存する感光性樹脂１３を剥離して除去する。   Next, as shown in FIG. 1A (f), the remaining photosensitive resin 13 is peeled off by oxygen plasma or the like.

次に、図１Ｂ（ｇ）に示すように、基板１１の一方の主面（表面）に、感光性樹脂１４（第１マスク層）を例えば数μｍ程度の厚さに再度塗布する。これにより、酸化膜１２はすべて感光性樹脂１４で覆われる。   Next, as shown in FIG. 1B (g), a photosensitive resin 14 (first mask layer) is applied again to a thickness of, for example, about several μm on one main surface (front surface) of the substrate 11. As a result, the oxide film 12 is entirely covered with the photosensitive resin 14.

次に、図１Ｂ（ｈ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて感光性樹脂１４の第１凹部パターン１５を形成しようとする領域のみを選択的に除去してパターニングする。   Next, as shown in FIG. 1B (h), only a region where the first concave pattern 15 of the photosensitive resin 14 is to be formed is selectively removed and patterned using a photolithography technique.

次に、図１Ｂ（ｉ）に示すように、先の工程でパターニングされた感光性樹脂１４をマスクとして、ＣＦ４ やＳＦ６ 等のエッチングガスを用いたＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法により基板１１を選択的にエッチングして除去し、基板１１に例えば１〜数十μｍ程度の深さの第１凹部パターン１５を形成する。このとき、酸化膜１２は、感光性樹脂１４で覆われているので、エッチングされることは回避される。 Next, as shown in FIG. 1B (i), the substrate is formed by a DRIE (Deep Reactive Ion Etching) method using an etching gas such as CF 4 or SF 6 using the photosensitive resin 14 patterned in the previous step as a mask. 11 is selectively removed by etching, and a first recess pattern 15 having a depth of, for example, about 1 to several tens of μm is formed on the substrate 11. At this time, since the oxide film 12 is covered with the photosensitive resin 14, etching is avoided.

次に、図１Ｂ（ｊ）に示すように、酸素プラズマアッシング等により残存する感光性樹脂１４を剥離して除去する。   Next, as shown in FIG. 1B (j), the remaining photosensitive resin 14 is removed by oxygen plasma ashing or the like.

最後に、図１Ｂ（ｋ）に示すように、先の図１Ａ（ｆ）に示す工程でパターニングされた薄い酸化膜１２をマスクにして、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法により基板１１を選択的にエッチングして除去し、基板１１に例えば１〜数十μｍ程度の深さの第２凹部パターン１６を形成する。その後、必要に応じて、残存する酸化膜１２をバッファードフッ酸などで除去する。   Finally, as shown in FIG. 1B (k), the substrate 11 is selectively formed by DRIE (Deep Reactive Ion Etching) using the thin oxide film 12 patterned in the process shown in FIG. 1A (f) as a mask. Then, the second recess pattern 16 having a depth of, for example, about 1 to several tens of μm is formed on the substrate 11. Thereafter, if necessary, the remaining oxide film 12 is removed with buffered hydrofluoric acid or the like.

このような工程を経て、基板１１に形成された第１凹部パターン１５と第２凹部パターン１６とを備えた、多段構造のインプリントモールドが製造される。   Through such a process, an imprint mold having a multistage structure including the first concave pattern 15 and the second concave pattern 16 formed on the substrate 11 is manufactured.

このように、この実施形態１では、第１凹部パターン１５を形成する工程では、後工程で使用する酸化膜１２は、基板１１をエッチングする際のマスクとなる感光性樹脂１４で覆われる。さらに、第１凹部パターン１５を形成する工程では、第２凹部パターン１６が形成される領域の基板１１も上記感光性樹脂１４で覆われる。このため、基板１１をエッチングして第１凹部パターン１５を形成する工程において、酸化膜１２ならびに第２凹部パターン１６が形成される領域の基板１１はエッチングされることは免れる。その結果、エッチングによる損傷のない酸化膜１２で第２凹部パターン１６を形成することができるので、寸法精度の良好な第２凹部パターン１６を形成することが可能となる。   As described above, in the first embodiment, in the step of forming the first recess pattern 15, the oxide film 12 used in the subsequent step is covered with the photosensitive resin 14 that serves as a mask when the substrate 11 is etched. Further, in the step of forming the first concave pattern 15, the substrate 11 in the region where the second concave pattern 16 is formed is also covered with the photosensitive resin 14. Therefore, in the step of etching the substrate 11 to form the first recess pattern 15, the substrate 11 in the region where the oxide film 12 and the second recess pattern 16 are to be formed is avoided. As a result, since the second recess pattern 16 can be formed with the oxide film 12 that is not damaged by etching, it is possible to form the second recess pattern 16 with good dimensional accuracy.

第２凹部パターン１６を形成する際のマスクとして、感光性樹脂ならびに基板のシリコンに比べてプラズマ耐性が強い酸化膜１２を用いているので、感光性樹脂１４の厚さに比べて薄い酸化膜１２で基板１１のシリコンをエッチングすることが可能となる。これにより、５μｍ以下の第２凹部パターン１６を精度よく（精度を高めて）微細加工することができる（可能となる）。   Since the oxide film 12 having higher plasma resistance than the photosensitive resin and the silicon of the substrate is used as a mask when forming the second concave pattern 16, the oxide film 12 is thinner than the thickness of the photosensitive resin 14. Thus, the silicon of the substrate 11 can be etched. As a result, the second recess pattern 16 of 5 μm or less can be finely processed with high accuracy (high accuracy).

酸化膜１２をパターニングする際のエッチング液として、パターニングのマスクとなる感光性樹脂１３をエッチングしないバッファードフッ酸を用いている。このため、感光性樹脂１３の厚さを薄くすることが可能となり、酸化膜１２を微細に加工することができる。その結果、第２凹部パターン１６を微細加工することができる上に、寸法精度を高めることができる。   As an etchant for patterning the oxide film 12, buffered hydrofluoric acid that does not etch the photosensitive resin 13 serving as a patterning mask is used. For this reason, the thickness of the photosensitive resin 13 can be reduced, and the oxide film 12 can be finely processed. As a result, the second concave pattern 16 can be finely processed and the dimensional accuracy can be improved.

第２凹部パターンは微細に加工できることで、上記製造方法で製造されたインプリントモールドを用いて多層配線板を形成する場合に、第２凹部パターンで導体回路パターンを形成し、第１凹部パターンでビアホールを形成することができる。これにより、導体回路パターンを微細に形成することが可能となる。   Since the second recess pattern can be finely processed, when forming a multilayer wiring board using the imprint mold manufactured by the above manufacturing method, a conductor circuit pattern is formed with the second recess pattern, and the first recess pattern is A via hole can be formed. Thereby, it becomes possible to form a conductor circuit pattern minutely.

なお、第２凹部パターン１６を形成する際のマスクは、酸化膜１２に代えてシリコン窒化膜を用いることができる。この場合、窒化膜はＬＰＣＶＤ（低圧Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの薄膜形成法で成膜した後、フォトリソグラフィー技術とフッ素系ガスを用いたドライエッチングによりパターニングする。   Note that a silicon nitride film can be used in place of the oxide film 12 as a mask when forming the second recess pattern 16. In this case, the nitride film is formed by a thin film forming method such as LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), and then patterned by photolithography and dry etching using a fluorine-based gas.

また、第２凹部パターン１６を形成する際のマスクは、酸化膜１２に代えてアルミや合金等の金属膜を用いることができる。この場合、金属膜は蒸着やスパッタ法などの薄膜形成法で成膜した後、フォトリソグラフィー技術と酸系のエッチング液を用いたドライエッチングによりパターニングする。   Also, a metal film such as aluminum or an alloy can be used in place of the oxide film 12 as a mask when forming the second recess pattern 16. In this case, the metal film is formed by a thin film forming method such as vapor deposition or sputtering, and then patterned by dry etching using a photolithography technique and an acid-based etching solution.

第２凹部パターン１６を形成する際のマスクとして金属膜を用いた場合には、インプリントモールドの基板は、シリコンの他に石英や耐熱ガラス（結晶化ガラス）を用いることができる。   In the case where a metal film is used as a mask when forming the second concave pattern 16, quartz or heat-resistant glass (crystallized glass) can be used for the imprint mold substrate in addition to silicon.

（実施形態２）
図２は本発明の実施形態２に係るインプリントモールドの製造方法の一部工程を示す工程断面図である。図２に示す実施形態２のインプリントモールドの製造方法の特徴とするところは、先の実施形態１で製造されたインプリントモールドを使用して、凸型のインプリントモールドを製造することにある。この実施形態２のインプリントモールドの製造方法は、先の実施形態１の第１の工程〜第３の工程に加えて、第３の工程および第４の工程で形成された第１凹部パターンならびに第２凹部パターンに金属を充填する第５の工程と、基板１１と金属とを分離して、金属からなるインプリントモールドを得る第６の工程とを備えている。 (Embodiment 2)
FIG. 2 is a process cross-sectional view illustrating a partial process of the method for manufacturing an imprint mold according to the second embodiment of the present invention. A feature of the method of manufacturing the imprint mold of the second embodiment shown in FIG. 2 is that a convex imprint mold is manufactured by using the imprint mold manufactured in the first embodiment. . In the imprint mold manufacturing method of the second embodiment, in addition to the first step to the third step of the first embodiment, the first concave pattern formed in the third step and the fourth step, and A fifth step of filling the second concave pattern with metal and a sixth step of separating the substrate 11 and the metal to obtain an imprint mold made of the metal are provided.

先ず、図２（ａ）に示すように、先の実施形態１で説明した、図１Ｂ（ｋ）に示す凹型のインプリントモールドを製造して用意する。   First, as shown in FIG. 2A, the concave imprint mold shown in FIG. 1B (k) described in the first embodiment is manufactured and prepared.

次に、図２（ｂ）に示すように、めっき等によりニッケル等の金属１７を、酸化膜１２上の厚さが例えば数〜数十μｍ程度となるように堆積して、金属１７を凹型のインプリントモールド内に充填する。   Next, as shown in FIG. 2B, a metal 17 such as nickel is deposited by plating or the like so that the thickness on the oxide film 12 is, for example, about several to several tens of μm. Fill in the imprint mold.

最後に、図２（ｃ）に示すように、凹型のインプリントモールドを剥離もしくはエッチング等により除去して、凹型のインプリントモールドの基板と金属とを分離し、凸部の高さが例えば１〜数十μｍ程度の金属１７からなる凸型のインプリントモールド１８を製造する。   Finally, as shown in FIG. 2C, the concave imprint mold is removed by peeling or etching to separate the substrate of the concave imprint mold from the metal, and the height of the convex portion is, for example, 1 A convex imprint mold 18 made of a metal 17 of about tens of μm is manufactured.

この実施形態２においては、先の実施形態１で製造されたインプリントモールドを用いて凸型のインプリントモールドを製造しているので、凸型のインプリントモールドにおける構造パターンの寸法精度を向上することができる。   In the second embodiment, since the convex imprint mold is manufactured using the imprint mold manufactured in the first embodiment, the dimensional accuracy of the structure pattern in the convex imprint mold is improved. be able to.

１１…基板
１２…酸化膜
１３，１４…感光性樹脂
１５…第１凹部パターン
１６…第２凹部パターン
１７…金属
１８…インプリントモールド DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Board | substrate 12 ... Oxide film 13, 14 ... Photosensitive resin 15 ... 1st recessed part pattern 16 ... 2nd recessed part pattern 17 ... Metal 18 ... Imprint mold

Claims (5)

３次元の多段構造パターンを有するインプリントモールドの製造方法において、
基板上に第２マスク層に使用するマスク材を形成した後、感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂をパターニングし、パターニングされた前記感光性樹脂を用いて前記第２マスク層に使用するマスク材を選択的に除去して前記第２マスク層に使用するマスク材をパターニングし、残存する前記感光性樹脂を除去し、前記基板上にパターニングされた前記第２マスク層に使用するマスク材からなる第２マスク層を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後に、パターニングされた前記第２マスク層及び前記基板上に、前記第２マスク層に使用するマスク材と材質が異なる第１マスク層に使用するマスク材を塗布した後、前記第２マスク層が形成されていない前記第１マスク層に使用するマスク材の一部を除去し、前記第１マスク層に使用するマスク材をパターニングして、前記基板上に前記パターニングされた前記第１マスク層に使用するマスク材からなり、かつ前記第２マスク層を被膜する第１マスク層を形成する第２の工程と、
パターニングされた前記第１マスク層を用いて前記基板を選択的に除去して、前記基板に第１凹部パターンを形成する第３の工程と、
前記第１マスク層を除去した後、前記基板上に既にパターニングされている前記第２マスク層を用いて前記基板を選択的に除去して、前記基板に第２凹部パターンを形成する第４の工程と
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 In the method of manufacturing an imprint mold having a three-dimensional multistage structure pattern,
After forming a mask material used for the second mask layer on the substrate , a photosensitive resin is applied, the photosensitive resin is patterned, and the patterned photosensitive resin is used for the second mask layer. Mask material used for the second mask layer patterned on the substrate by selectively removing the mask material to pattern the mask material used for the second mask layer, removing the remaining photosensitive resin A first step of forming a second mask layer comprising:
After applying the mask material used for the first mask layer, which is different from the mask material used for the second mask layer , on the patterned second mask layer and the substrate after the first step , A portion of the mask material used for the first mask layer on which the second mask layer is not formed is removed, the mask material used for the first mask layer is patterned, and the pattern is formed on the substrate. A second step of forming a first mask layer made of a mask material used for the first mask layer and coating the second mask layer;
A third step of selectively removing the substrate using the patterned first mask layer to form a first recess pattern on the substrate;
After removing the first mask layer, the substrate is selectively removed using the second mask layer already patterned on the substrate to form a second recess pattern on the substrate. And a process for producing an imprint mold. 前記第３の工程および前記第４の工程で形成された第１凹部パターンならびに第２凹部パターンに金属を充填する第５の工程と、
前記基板と前記金属とを分離して、前記金属からなるインプリントモールドを得る第６の工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールドの製造方法。 A fifth step of filling the first recess pattern and the second recess pattern formed in the third step and the fourth step with a metal;
The method for producing an imprint mold according to claim 1, further comprising: a sixth step of separating the substrate and the metal to obtain an imprint mold made of the metal. 前記基板はシリコンで形成され、前記第１マスク層は感光性樹脂で形成され、前記第２マスク層は酸化膜、窒化膜もしくは金属膜で形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリントモールドの製造方法。 The substrate is formed of silicon, the first mask layer is formed of a photosensitive resin, the second mask layer is an oxide film, according to claim, characterized in that it is formed of a nitride layer or metal layer 1 or 3. A method for producing an imprint mold according to 2. 前記基板はガラスで形成され、前記第２マスク層は金属膜で形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリントモールドの製造方法。 The method for manufacturing an imprint mold according to claim 1, wherein the substrate is made of glass, and the second mask layer is made of a metal film. 前記第１凹部パターンは、多層配線板のビアホールを形成し、前記第２凹部パターンは、前記多層配線板の導体回路パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のインプリントモールドの製造方法。 The said 1st recessed part pattern forms the via hole of a multilayer wiring board, The said 2nd recessed part pattern forms the conductor circuit pattern of the said multilayer wiring board, The any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the imprint mold of description.
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