JP5607943B2 - メモリシステム及びその磨耗度管理方法 - Google Patents
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Description
メモリ割り当て時にページは、物理的に連続した空間への配置如何についての情報もともに入ると仮定する。外部装置とのインターフェースのために使われる場合のように、連続的な空間割り当てが必要な場合がある。このような場合、連続空間を割り当てることができなければ、失敗になる。
Claims (18)
- NVRAMを含むメインメモリと、
前記メインメモリを制御する制御部と、を含み、
前記制御部は、前記NVRAMの仮想アドレス及び物理アドレスのマッピング情報を含むページテーブルを管理し、ページテーブルエントリーは、ページの磨耗度を表わす寿命情報を含み、
前記ページテーブルエントリーは、さらに、前記ページテーブルエントリーに含まれた値の種類を表わす識別子情報を含み、
前記識別子情報は、前記ページテーブルエントリーが、寿命情報が保存された他のメモリの保存位置を指示するポインター情報を表わすか、または前記寿命情報自体を表わすかを区別するための情報である、
ことを特徴とするメモリシステム。 - 前記寿命情報は、ページについての残りの書き込み回数情報を表わし、
前記制御部は、前記各ページにデータが書き込まれる度に、前記書き込まれるページに対応するページテーブルエントリーに記載の残りの書き込み回数情報を指示する値を減少させることを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記制御部によって制御される不揮発性メモリをさらに含み、
前記制御部は、電源をオフにする動作前に、各ページの寿命情報を前記不揮発性メモリに保存し、ブーティング時に、前記不揮発性メモリに保存された書き込み回数を復元し、前記各ページの寿命情報に基づいて、前記メインメモリに対するメモリ割り当てを行うことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記制御部は、磨耗されたページをブラックリストに登録して管理し、前記ブラックリストを不揮発性メモリに保存し、ブーティング時に、前記不揮発性メモリに保存されたブラックリストを復元して利用することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記制御部は、書き込み回数が臨界値以上を超えて耐久限度に到達されたページに書き込みが発生すれば、ページフォールトを発生させ、ページフォールトが発生したページのコンテンツを他のフリーページにコピーし、前記ページフォールトが発生したページの物理アドレスとマッピングされていた仮想アドレスが、新たに割り当てしたページに対する物理アドレスとマッピングされるようにページテーブルを変更することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記制御部は、書き込み回数が臨界値以上を超えて耐久限度に到達されたページに書き込みが発生すれば、ページフォールトを発生させ、ページフォールトが発生したページにメモリ割り当てが行われないように制御することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記制御部は、バイナリーツリーデータ構造に基づいたバディ割り当てアルゴリズムを用いてメモリを割り当てる場合、バイナリーツリーデータ構造上の一つのノードにページフォールトが発生すれば、前記ページフォールトが発生したノード及び前記ページフォールトが発生したノードの少なくとも一つの上位ノードをマーキングし、
前記少なくとも一つのノードの大きさによるページ割り当てが要請されて連続空間を割り当てしなければならない場合、前記マーキングされたノードに対応するページは割り当てられないようにすることを特徴とする請求項6に記載のメモリシステム。 - 前記ページテーブルは、ページ単位より大きなスーパーセクション単位で仮想アドレスに対応する物理アドレスを管理する第1階層ページテーブル及び前記ページ単位で仮想アドレスに対応する物理アドレスを管理する第2階層ページテーブルを含み、
第1階層ページテーブルエントリーは、前記各スーパーセクションの残りの書き込み回数情報を含み、
第2階層ページテーブルエントリーは、当該ページの残りの書き込み回数情報を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記ページテーブルは、ページ単位で仮想アドレスに対応する物理アドレス情報を含む第2階層ページテーブルエントリーの位置を指示する第1階層ページテーブル及び前記第2階層ページテーブルを含み、
前記第2階層ページテーブルエントリーは、当該ページの残りの書き込み回数情報を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 一つのページが、2つ以上のプロセスによって共有される場合、前記寿命情報は、前記共有されるページの寿命情報を保存する他のメモリのポインター情報を表わし、
一つのページが、一つのプロセスによってのみ使われる場合、前記寿命情報は、前記寿命情報自体を表わすことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記制御部は、2つ以上のプロセスによって共有されたページが共有されない場合、前記寿命情報が表わす前記ポインターが指示している他のメモリに保存された寿命情報を前記共有されたページのページテーブルエントリーの寿命情報を記録した寿命フィールドにコピーし、
共有されていないページが2つ以上のプロセスによって共有される場合、前記共有されていないページの寿命フィールドの値を他のメモリの所定の位置にコピーし、前記寿命フィールドには、前記コピーされた位置を指示するポインター情報を記録することを特徴とする請求項10に記載のメモリシステム。 - NVRAMを含むメインメモリと、
前記メインメモリを制御する制御部と、を含むメモリシステムの磨耗度管理方法であって、
前記NVRAMの仮想アドレスと物理アドレスのマッピング情報を含むページテーブルエントリーは、ページの磨耗度を表わす寿命情報を含み、
前記各ページにデータが書き込まれる度に、前記書き込まれるページに対応するページテーブルエントリーに記載の前記寿命情報に含まれた残りの書き込み回数情報を指示する値を減少させることで磨耗度を管理し、
前記ページテーブルエントリーは、さらに、前記ページテーブルエントリーに含まれた値のタイプを表わす識別子情報を含み、
前記識別子情報は、前記ページテーブルエントリーが、寿命情報を保存するメモリのポインター情報を表わすか、または前記寿命情報自体を表わすかどうかを指示する情報である、
ことを特徴とする方法。 - 電源をオフにする動作前に、各ページの寿命情報を不揮発性メモリに保存する段階と、
ブーティング時に、前記不揮発性メモリに保存された書き込み回数を復元する段階と、
前記復元された各ページの寿命情報に基づいてメモリを割り当てる段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記残りの書き込み回数情報が臨界値以下である磨耗されたページをブラックリストに登録して管理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 書き込み回数が臨界値以上を超えたページに書き込みが発生すれば、ページフォールトを発生させる段階と、
ページフォールトが発生したページの内容を他のフリーページにコピーする段階と、
前記ページフォールトが発生したページの物理アドレスとマッピングされていた仮想アドレスが、新たに割り当てしたページに対する物理アドレスとマッピングされるようにページテーブルを変更する段階と、
を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記寿命情報に基づいてメモリを割り当てる段階をさらに含み、
前記メモリを割り当てる段階で、書き込み回数が臨界値以上を超えたページに書き込みが発生すれば、ページフォールトを発生させ、ページフォールトが発生したページは、メモリ割り当てに利用されないことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記メモリを割り当てる段階は、
バイナリーツリーデータ構造に基づいたバディ割り当てアルゴリズムを用いてメモリを割り当てる場合、バイナリーツリーデータ構造上の一つのノードにページフォールトが発生すれば、前記ページフォールトが発生したノード及び前記ページフォールトが発生したノードの少なくとも一つの上位ノードをマーキングする段階と、
前記少なくとも一つのノードの大きさによるページ割り当てが要請され、前記要請が連続空間の割り当てであるか否かを決定する段階と、をさらに含み、
前記少なくとも一つのノードの大きさによるページ割り当てが要請されて連続空間割り当てである場合、前記マーキングされたノードに対応するページは割り当てられないようにすることを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 一つのページが、2つ以上のプロセスによって共有される場合、前記識別子情報は、前記共有されるページの寿命情報を保存するメモリのポインター情報を表わし、
一つのページが、一つのプロセスによってのみ使われる場合、前記寿命情報は、前記寿命情報自体を表わすことを特徴とする請求項12に記載の方法。
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Families Citing this family (26)
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KR101145144B1 (ko) * | 2010-11-23 | 2012-05-14 | 한국과학기술정보연구원 | 가상머신 스케줄링 방법 및 시스템 |
KR101180406B1 (ko) | 2011-01-28 | 2012-09-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 시스템 및 블럭 관리 방법 |
JP5664347B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-02-04 | ソニー株式会社 | 仮想メモリシステム、仮想メモリの制御方法、およびプログラム |
US9003247B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-04-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Remapping data with pointer |
US8924632B2 (en) * | 2011-09-16 | 2014-12-30 | Apple Inc. | Faster tree flattening for a system having non-volatile memory |
CN103946811B (zh) | 2011-09-30 | 2017-08-11 | 英特尔公司 | 用于实现具有不同操作模式的多级存储器分级结构的设备和方法 |
US9529708B2 (en) * | 2011-09-30 | 2016-12-27 | Intel Corporation | Apparatus for configuring partitions within phase change memory of tablet computer with integrated memory controller emulating mass storage to storage driver based on request from software |
EP2761476B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-10-25 | Intel Corporation | Apparatus, method and system that stores bios in non-volatile random access memory |
US20130097403A1 (en) | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Rambus Inc. | Address Mapping in Memory Systems |
CN103975287B (zh) * | 2011-12-13 | 2017-04-12 | 英特尔公司 | 使用非易失性随机存取存储器的服务器中的增强系统睡眠状态支持 |
JP2013131893A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール、光通信モジュールのログ記録方法および光通信装置 |
US9390025B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-07-12 | Rambus Inc. | Wear leveling in a memory system |
KR101368834B1 (ko) * | 2012-03-08 | 2014-03-04 | 한양대학교 산학협력단 | 내구도를 복수의 단계로 구분하는 플래시 메모리 제어장치 |
US9009392B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-04-14 | International Business Machines Corporation | Leveraging a hybrid infrastructure for dynamic memory allocation and persistent file storage |
JP2013254357A (ja) | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Sony Corp | 情報処理装置および方法、並びにプログラム |
CN102765256B (zh) * | 2012-06-21 | 2014-07-16 | 珠海艾派克微电子有限公司 | 记录芯片使用状态信息的方法、成像盒的芯片及成像盒 |
KR101987740B1 (ko) | 2012-07-09 | 2019-06-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 채널 특성을 추정하기 위한 방법 |
KR102060996B1 (ko) * | 2013-01-07 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 단말기의 메모리 주소 및 데이터변환 장치 및 방법 |
KR102015053B1 (ko) | 2013-02-20 | 2019-08-27 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 처리 방법 |
US8924824B1 (en) | 2013-03-12 | 2014-12-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Soft-decision input generation for data storage systems |
CN103123609B (zh) * | 2013-03-13 | 2015-07-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 存储器的分块管理方法 |
JP6399755B2 (ja) * | 2014-01-06 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | ミラーリング装置及びその制御方法 |
JP2016085677A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 富士通株式会社 | メモリ管理方法、メモリ管理プログラム及び情報処理装置 |
CN105117285B (zh) * | 2015-09-09 | 2019-03-19 | 重庆大学 | 一种基于移动虚拟化系统的非易失性存储器调度优化方法 |
KR102039776B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2019-11-01 | 명지대학교 산학협력단 | 메모리의 주소 공간 난수화 장치 및 방법 |
US12111756B2 (en) * | 2021-05-28 | 2024-10-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Systems, methods, and apparatus for wear-level aware memory allocation |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391852A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | Eepromのデータ書き込み防止回路 |
US6230233B1 (en) * | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
US5432917A (en) * | 1992-04-22 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Tabulation of multi-bit vector history |
JPH0778766B2 (ja) * | 1992-09-25 | 1995-08-23 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ランダム・アクセス可能かつ書換え可能メモリを用いる外部記憶装置におけるプログラム直接実行の制御方法および装置 |
US5963970A (en) * | 1996-12-20 | 1999-10-05 | Intel Corporation | Method and apparatus for tracking erase cycles utilizing active and inactive wear bar blocks having first and second count fields |
US5930829A (en) * | 1997-03-31 | 1999-07-27 | Bull Hn Information Systems Inc. | Dynamic memory allocation for a random access memory employing separately stored space allocation information using a tree structure |
US6496912B1 (en) * | 1999-03-25 | 2002-12-17 | Microsoft Corporation | System, method, and software for memory management with intelligent trimming of pages of working sets |
US6405323B1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | Defect management for interface to electrically-erasable programmable read-only memory |
US7660941B2 (en) * | 2003-09-10 | 2010-02-09 | Super Talent Electronics, Inc. | Two-level RAM lookup table for block and page allocation and wear-leveling in limited-write flash-memories |
US7886108B2 (en) * | 2000-01-06 | 2011-02-08 | Super Talent Electronics, Inc. | Methods and systems of managing memory addresses in a large capacity multi-level cell (MLC) based flash memory device |
US8341332B2 (en) * | 2003-12-02 | 2012-12-25 | Super Talent Electronics, Inc. | Multi-level controller with smart storage transfer manager for interleaving multiple single-chip flash memory devices |
US8171204B2 (en) * | 2000-01-06 | 2012-05-01 | Super Talent Electronics, Inc. | Intelligent solid-state non-volatile memory device (NVMD) system with multi-level caching of multiple channels |
US6345001B1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-02-05 | Sandisk Corporation | Compressed event counting technique and application to a flash memory system |
US6732221B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-05-04 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd | Wear leveling of static areas in flash memory |
KR100484147B1 (ko) * | 2002-07-26 | 2005-04-18 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 관리 방법 |
CN100483552C (zh) * | 2002-10-28 | 2009-04-29 | 桑迪士克股份有限公司 | 在非易失性存储系统中执行自动磨损平衡的方法 |
JP3808842B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 書き換え可能な不揮発性メモリを備えた記憶装置及び記憶装置用不揮発性メモリの制御方法 |
JP4281421B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2009-06-17 | ソニー株式会社 | 情報処理システム及びその制御方法、並びにコンピュータ・プログラム |
US7089370B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for pre-fetching page data using segment table data |
US8112574B2 (en) * | 2004-02-26 | 2012-02-07 | Super Talent Electronics, Inc. | Swappable sets of partial-mapping tables in a flash-memory system with a command queue for combining flash writes |
CN1926616B (zh) * | 2004-01-19 | 2011-09-14 | 特科2000国际有限公司 | 使用存储器地址映射表的便携式数据存储设备 |
US7869219B2 (en) * | 2004-01-20 | 2011-01-11 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash drive with spring-loaded retractable connector |
US7224604B2 (en) * | 2005-03-14 | 2007-05-29 | Sandisk Il Ltd. | Method of achieving wear leveling in flash memory using relative grades |
JP5130646B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2013-01-30 | ソニー株式会社 | 記憶装置 |
KR100755700B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2007-09-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리가 캐쉬로 사용되는 저장 장치 및 그 관리방법 |
KR100881669B1 (ko) * | 2006-12-18 | 2009-02-06 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 데이터 저장장치의 정적 데이터 영역 검출 방법,마모도 평준화 방법 및 데이터 유닛 병합 방법과 그 장치 |
JP2008158773A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Toshiba Corp | 情報処理装置およびメモリ管理方法 |
KR100857761B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 웨어 레벨링을 수행하는 메모리 시스템 및 그것의 쓰기방법 |
US7757035B2 (en) * | 2007-06-26 | 2010-07-13 | Intel Corporation | Method for optimizing virtualization technology and memory protections using processor-extensions for page table and page directory striping |
KR101401560B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2014-06-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 시스템 및 그것의 마모도 관리 방법 |
KR101437123B1 (ko) * | 2008-04-01 | 2014-09-02 | 삼성전자 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 마모도 관리 방법 |
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