JP5602578B2 - LED lead frame - Google Patents

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Description

本発明は、液晶ディスプレイのバックライト、照明器具、自動車のヘッドランプやリアランプ等に用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を光源とする発光装置を構成するＬＥＤ用リードフレームに関する。   The present invention relates to an LED lead frame constituting a light emitting device using a light emitting diode (LED) used as a light source for a backlight of a liquid crystal display, a lighting fixture, an automobile headlamp, a rear lamp, and the like.

近年、ＬＥＤ素子を光源とする発光装置が、省エネルギかつ長寿命である利点を活かして、広範囲の分野に普及し、各種機器に適用されている。ＬＥＤ素子を光源とする発光装置の一例として、表面実装型の発光装置の構造および動作について、図２を参照して説明する。図２はＬＥＤ素子を光源とする表面実装型の発光装置の外観図であり、（ａ）は俯瞰図、（ｂ）は平面図（上面図）である。   2. Description of the Related Art In recent years, light-emitting devices using LED elements as light sources have spread in a wide range of fields and applied to various devices, taking advantage of energy saving and long life. As an example of a light-emitting device using an LED element as a light source, the structure and operation of a surface-mounted light-emitting device will be described with reference to FIG. 2A and 2B are external views of a surface-mounted light-emitting device using an LED element as a light source. FIG. 2A is an overhead view, and FIG. 2B is a plan view (top view).

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、発光装置１０は、ＬＥＤ素子（図中では「ＬＥＤ」と記載する。）と、ＬＥＤ素子の電極（図示省略）に電気的に接続して当該ＬＥＤ素子に駆動電流を供給するための導体である一対のリードフレーム１ａ，１ｂと、これらを支持する樹脂成形体２と、を備える。詳しくは、樹脂成形体２は、ＬＥＤ素子が収容される凹状のＬＥＤ素子実装部２２が形成されて、ＬＥＤ素子実装部２２の上方が広がって開口したカップ状である。リードフレーム１ａ，１ｂは、帯状で、それぞれが樹脂成形体２の外側からＬＥＤ素子実装部２２内側へ貫通している。リードフレーム１ａ，１ｂのそれぞれにおいて、ＬＥＤ素子実装部２２の底面に配設された領域をインナーリード部、樹脂成形体２の外側に延出された領域をアウターリード部と称する。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the light emitting device 10 is electrically connected to an LED element (described as “LED” in the drawing) and an electrode (not shown) of the LED element. A pair of lead frames 1a and 1b, which are conductors for supplying a driving current to the LED element, and a resin molded body 2 that supports them are provided. Specifically, the resin molded body 2 has a cup shape in which a concave LED element mounting portion 22 in which the LED element is accommodated is formed, and the LED element mounting portion 22 is opened upward. The lead frames 1a and 1b are belt-shaped, and each penetrates from the outside of the resin molded body 2 to the inside of the LED element mounting portion 22. In each of the lead frames 1a and 1b, a region disposed on the bottom surface of the LED element mounting portion 22 is referred to as an inner lead portion, and a region extending outside the resin molded body 2 is referred to as an outer lead portion.

ＬＥＤ素子は、ＬＥＤ素子実装部２２の底面の略中央に載置されるが、この位置には一方のリードフレーム１ａが配設されているので、リードフレーム１ａの上面に図示しない接着剤によって接着される。ＬＥＤ素子の電極が一対のリードフレーム１ａ，１ｂのそれぞれのインナーリード部にボンディングワイヤ（ワイヤ）で接続されている。また、ＬＥＤ素子実装部２２内は、エポキシ樹脂等の透明な封止樹脂（図示省略）が充填されて封止されている。そして、一対のリードフレーム１ａ，１ｂのそれぞれのアウターリード部が図示しない電源に接続されてＬＥＤ素子に駆動電流が供給され、ＬＥＤ素子が発光し、この光がＬＥＤ素子実装部２２の開口部から発光装置１０の外部へ照射される。なお、本明細書における「上」とは、原則として、リードフレームのＬＥＤ素子が搭載される側を指す。   The LED element is mounted substantially at the center of the bottom surface of the LED element mounting portion 22, but since one lead frame 1a is disposed at this position, the LED element is bonded to the upper surface of the lead frame 1a with an adhesive (not shown). Is done. The electrodes of the LED elements are connected to the inner lead portions of the pair of lead frames 1a and 1b by bonding wires (wires). Further, the LED element mounting portion 22 is sealed by being filled with a transparent sealing resin (not shown) such as an epoxy resin. And each outer lead part of a pair of lead frames 1a and 1b is connected to a power source (not shown), a drive current is supplied to the LED element, the LED element emits light, and this light is emitted from the opening of the LED element mounting part 22 Irradiated to the outside of the light emitting device 10. In addition, “upper” in this specification indicates the side on which the LED element of the lead frame is mounted in principle.

このような発光装置１０においては、ＬＥＤ素子の発光部（発光層）が発光して、この発光部を中心に光を放射して全方位へ照射される。これらの光のうち、上方へ照射された光は直接、ＬＥＤ素子実装部２２の開口部から発光装置１０の外部へ出射して照明光等として利用される。しかし、それ以外の、側方や下方へ照射された光は、ＬＥＤ素子実装部２２の側面および底面ならびにこの底面上のリードフレーム１ａ，１ｂ（インナーリード部）表面に入射する。そこで、これらの面がＬＥＤ素子から入射した光をよく反射させるように、樹脂成形体２やリードフレーム１ａ，１ｂは表面の光反射率（以下、反射率という）を高くすることが求められている。例えば樹脂成形体２は、白色樹脂で形成され、あるいはＬＥＤ素子実装部２２の各面に反射膜を形成する（図示省略）。一方、リードフレーム１ａ，１ｂは、導電性に優れてリードフレーム材料として一般的なＣｕまたはＣｕ合金を基板としてその表面に反射膜を形成したものが知られている。特にＡｇは、金属の中で最も高い反射率を示して多くの光を反射させるために、このような反射膜の材料として最適である。   In such a light emitting device 10, the light emitting portion (light emitting layer) of the LED element emits light, and light is emitted around the light emitting portion and irradiated in all directions. Among these lights, the light irradiated upward is directly emitted from the opening of the LED element mounting portion 22 to the outside of the light emitting device 10 and used as illumination light or the like. However, the other light irradiated to the side and downward is incident on the side and bottom surfaces of the LED element mounting portion 22 and the surfaces of the lead frames 1a and 1b (inner lead portions) on the bottom surface. Therefore, the resin molded body 2 and the lead frames 1a and 1b are required to have a high light reflectance (hereinafter referred to as reflectance) so that these surfaces reflect light incident from the LED element well. Yes. For example, the resin molded body 2 is formed of a white resin, or a reflective film is formed on each surface of the LED element mounting portion 22 (not shown). On the other hand, the lead frames 1a and 1b are known to be excellent in conductivity and having a reflective film formed on the surface of a common lead frame material made of Cu or Cu alloy as a substrate. In particular, Ag is the most suitable material for such a reflective film because it exhibits the highest reflectance among metals and reflects a large amount of light.

しかし、Ａｇは、発光装置１０の使用時間の経過と共に、大気や封止樹脂に含まれるハロゲンイオンや硫黄と反応して表面に塩化物（ＡｇＣｌ）等のハロゲン化物や硫化物（Ａｇ2Ｓ）を形成するため、これらの生成物により反射膜の表面が黒褐色に変色したり凝集して表面が荒れ、またＡｇはＬＥＤ素子から発生する熱によっても凝集するため、反射率が劣化するという問題がある。また、封止樹脂にエポキシ樹脂を用いた場合には、この透明なエポキシ樹脂に反射膜中のＡｇが拡散してＡｇのナノ粒子として析出し、褐色に変色させて光透過性を劣化させる。 However, Ag reacts with the halogen ions and sulfur contained in the atmosphere and the sealing resin as the usage time of the light emitting device 10 elapses, and a halide or sulfide (Ag 2 S) such as chloride (AgCl) is formed on the surface. As a result, the surface of the reflective film is discolored or agglomerated due to these products, and the surface is roughened, and Ag is also agglomerated by the heat generated from the LED element, so that the reflectance deteriorates. is there. In addition, when an epoxy resin is used as the sealing resin, Ag in the reflective film diffuses into the transparent epoxy resin and precipitates as Ag nanoparticles, and changes its color to brown to deteriorate the light transmittance.

この問題を解決するために、例えば、特許文献１には、封止樹脂にシリコーン樹脂を適用し、反射面の純Ａｇめっき層に、塩化物や硫化物を形成し難いＡｇ−Ａｕ合金めっき層をさらに被覆したリードフレームが記載されている。また、特許文献２には、Ｇｅ，Ｂｉを含有するＡｇ合金膜をめっき等で成膜した後、熱可塑性樹脂でリフレクタ（図２の樹脂成形体２に相当）を形成することで、あるいは熱処理を行うことで、その際の加熱により前記Ａｇ合金膜のＧｅ，Ｂｉを拡散させて表面に濃化させ、ハロゲン化銀を形成し難くしたリードフレームが記載されている。   In order to solve this problem, for example, Patent Document 1 discloses that an Ag—Au alloy plating layer in which a silicone resin is applied as a sealing resin and chloride or sulfide is difficult to form on a pure Ag plating layer on a reflective surface. A lead frame is further described. In Patent Document 2, an Ag alloy film containing Ge and Bi is formed by plating or the like, and then a reflector (corresponding to the resin molded body 2 in FIG. 2) is formed from a thermoplastic resin, or heat treatment is performed. A lead frame is described in which Ge and Bi of the Ag alloy film are diffused and concentrated on the surface by heating at that time, making it difficult to form silver halide.

特開２００８−９１８１８号公報（請求項１，２、段落番号００１５〜００１６）JP 2008-91818 A (Claims 1 and 2, paragraph numbers 0015 to 0016) 特開２００８−１９２６３５号公報（請求項１）JP 2008-192635 A (Claim 1)

しかしながら、特許文献１のＡｇ−Ａｕ合金膜は、塩化物や硫化物を形成し難くするためにＡｇ含有量を５０質量％未満に制限したＡｕを主成分とする合金からなり、Ａｇと比較して反射率に劣り、さらにコストも高くなる。特許文献２のＡｇ合金膜では、めっきでＧｅ，Ｂｉ濃度を制御したＡｇ合金膜を成膜することが困難である上、その後の熱処理によりＡｇ合金膜表面で安定してＧｅ，Ｂｉを濃化させることも困難である。特に、硫化物形成を防止するＧｅの拡散には温度および時間が不十分であり、このようなＡｇ合金膜では硫化物の形成が十分に抑制できない上、封止樹脂とするシリコーン樹脂には、樹脂の硬化触媒として塩化白金酸のような金属塩化物や金属硫化物等が含まれている。   However, the Ag-Au alloy film of Patent Document 1 is made of an alloy containing Au as a main component, in which the Ag content is limited to less than 50% by mass in order to make it difficult to form chlorides and sulfides. Therefore, the reflectance is inferior and the cost is also increased. In the Ag alloy film of Patent Document 2, it is difficult to form an Ag alloy film in which the Ge and Bi concentrations are controlled by plating, and the Ge and Bi are stably concentrated on the surface of the Ag alloy film by the subsequent heat treatment. It is also difficult to make it. In particular, the temperature and time are insufficient for the diffusion of Ge to prevent sulfide formation. In such an Ag alloy film, the formation of sulfide cannot be sufficiently suppressed. As a resin curing catalyst, metal chlorides such as chloroplatinic acid, metal sulfides, and the like are included.

本発明の課題は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供することにある。   An object of the present invention is to provide an LED lead frame including a reflective film that can maintain a high reflectance for a long period of time and can be stably and easily formed. is there.

本発明者らは、Ｃｕ基板の表面形状に対して平滑な表面形状とするためにめっきにてＡｇ膜を形成して、その上にＡｇ膜（Ａｇめっき膜）を環境中の硫化物から保護する保護膜を形成することに想到した。さらに、Ａｇの熱による凝集は結晶粒径が大きくなると抑制される傾向があるため、Ａｇを含む膜は結晶粒径の比較的大きいＡｇめっき膜のみとした。そして、保護膜について、Ａｇめっき膜の高い反射率を損なわないような薄膜であってもＡｇめっき膜に対するバリア性を確保できる成分を見出した。   The present inventors form an Ag film by plating in order to obtain a smooth surface shape relative to the surface shape of the Cu substrate, and protect the Ag film (Ag plating film) from sulfides in the environment. The idea was to form a protective film. Furthermore, Ag aggregation due to heat tends to be suppressed as the crystal grain size increases, so the Ag-containing film is only an Ag plating film having a relatively large crystal grain size. And about the protective film, even if it was a thin film which does not impair the high reflectance of Ag plating film, the component which can ensure the barrier property with respect to Ag plating film was discovered.

すなわち本発明に係るＬＥＤ用リードフレームは、銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成された膜厚０．６μｍ以上８μｍ以下のＡｇめっき膜と、を備え、さらに前記Ａｇめっき膜上にＶ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属または２種以上からなる合金のいずれかの金属酸化膜を膜厚０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成されて備え、前記金属酸化膜を備えた側の表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 That is, the LED lead frame according to the present invention includes a substrate made of copper or a copper alloy, and an Ag plating film having a thickness of 0.6 μm or more and 8 μm or less formed on at least one side of the substrate, and A metal oxide film of one metal selected from V , Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W or an alloy composed of two or more on the Ag plating film has a thickness of 0.5 nm to 15 nm. The root mean square roughness of the surface provided with the metal oxide film is 30 nm or less.

このように、反射率の高いＡｇめっき膜を形成し、さらにその表面に所定の金属または合金の酸化膜を表面に備えることで、Ａｇめっき膜に外部からハロゲンイオンや硫黄が接触することを防止し、耐久性に優れた反射膜となる。   In this way, by forming an Ag plating film having a high reflectivity and further providing an oxide film of a predetermined metal or alloy on the surface thereof, it is possible to prevent halogen ions and sulfur from coming into contact with the Ag plating film from the outside. And a reflective film with excellent durability.

前記の本発明に係るＬＥＤ用リードフレームにおいて、基板とＡｇめっき膜との間に、さらに膜厚０．５μｍ以上のＮｉめっき膜を形成してもよい。このとき、Ａｇめっき膜の膜厚は０．２μｍ以上であればよく、またＮｉめっき膜とＡｇめっき膜の膜厚の合計が８μｍ以下となるようにする。   In the LED lead frame according to the present invention, a Ni plating film having a thickness of 0.5 μm or more may be further formed between the substrate and the Ag plating film. At this time, the film thickness of the Ag plating film may be 0.2 μm or more, and the total film thickness of the Ni plating film and the Ag plating film is 8 μm or less.

このように、基板上に、熱による基板からのＣｕの拡散を抑制する効果の大きいＮｉのめっき膜を形成することで、基板からの表面へのＣｕの拡散が抑制されるため、耐熱性にいっそう優れた反射膜となる。また、Ｎｉ膜をめっきにて形成することで、Ａｇめっき膜の膜厚を抑えても表面を十分に平滑化できる。   Thus, by forming a Ni plating film having a large effect of suppressing the diffusion of Cu from the substrate due to heat on the substrate, the diffusion of Cu from the substrate to the surface is suppressed. It becomes a more excellent reflective film. Further, by forming the Ni film by plating, the surface can be sufficiently smoothed even if the thickness of the Ag plating film is suppressed.

本発明のＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤ素子を搭載して、その発光した光を高効率で利用して照明光の明るさを向上させ、使用時間の経過による照明光の減衰等の劣化を抑えた発光装置とすることができる。また、Ａｇに耐久性を付与する元素を反射率が損なわれない範囲で添加する等、反射膜の成分を緻密に制御する必要がなく、容易に形成することができる。   The LED lead frame of the present invention is equipped with an LED element, uses the emitted light with high efficiency to improve the brightness of the illumination light, and suppresses deterioration of the illumination light due to the passage of usage time. A light emitting device. Further, it is not necessary to precisely control the components of the reflective film, such as adding an element imparting durability to Ag in a range where the reflectance is not impaired, and it can be easily formed.

（ａ）、（ｂ）は本発明の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの構成を示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the structure of the lead frame for LED which concerns on embodiment of this invention. ＬＥＤ素子を光源とする表面実装型の発光装置の構造を示す外観図であり、（ａ）は俯瞰図、（ｂ）は平面図である。It is an external view which shows the structure of the surface mount type light-emitting device which uses a LED element as a light source, (a) is an overhead view, (b) is a top view. 本発明に係るＬＥＤ用リードフレームを使用した発光装置の構造を示す断面図であり、図２のＡ−Ａ線矢視断面図に対応する図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device using the LED lead frame which concerns on this invention, and is a figure corresponding to the AA arrow directional cross-sectional view of FIG. 本発明の別の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームおよびその基板の模式図であり、（ａ）は基板の平面図、（ｂ）はＬＥＤ用リードフレームに樹脂成形体を設けた平面図で（ａ）の部分拡大図に対応する図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。It is a schematic diagram of the lead frame for LED which concerns on another embodiment of this invention, and its board | substrate, (a) is a top view of a board | substrate, (b) is a top view which provided the resin molding in the lead frame for LED ( The figure corresponding to the partial enlarged view of a), (c) is a BB arrow directional cross-sectional view of (b).

本発明のＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤ素子を光源として実装される発光装置を構成するための部品であり、発光装置の形状および形態、ならびにＬＥＤ素子の実装形態、製品としてユーザに提供する形態等に応じて、所要の形状および形態に構成される。以下、本発明のＬＥＤ用リードフレームについて、図面を参照して詳細に説明する。   The LED lead frame of the present invention is a component for constituting a light emitting device mounted using an LED element as a light source, and the shape and form of the light emitting apparatus, the LED element mounting form, and the form provided to the user as a product, etc. Depending on the configuration, it is configured in the required shape and form. Hereinafter, the LED lead frame of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

〔リードフレーム〕
本発明の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（以下、リードフレーム）について、図１を参照して説明する。本発明に係るリードフレーム１は、例えば図２および図３に示す発光装置１０に組み込んだときに、光源であるＬＥＤ素子にこのＬＥＤ素子を発光させる駆動電流を供給するための配線であり、かつ、ＬＥＤ素子の発光した光を反射させる反射板である。 〔Lead frame〕
An LED lead frame (hereinafter referred to as a lead frame) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The lead frame 1 according to the present invention is a wiring for supplying a driving current for causing the LED element as a light source to emit light when incorporated in the light emitting device 10 shown in FIGS. 2 and 3, for example. The reflective plate reflects the light emitted from the LED element.

図１（ａ）に示す実施形態に係るリードフレーム１は、基板１１と、基板１１の少なくとも一方の面に形成されたＡｇめっき膜１３と、さらにその上に形成された金属酸化膜１５と、を備える。Ａｇめっき膜１３および金属酸化膜１５は、基板１１のＬＥＤ素子が搭載される側の面になる上面（以下、適宜表面という）のみに形成されていてもよいし、基板１１の下面（裏面）を含めた両面に形成されていてもよく、さらには、基板１１の表面の一部の領域、例えば発光装置１０に組み込まれたときにＬＥＤ素子の発光した光が入射する領域のみに形成されていてもよい。したがって、リードフレーム１は、裏面や、表面の前記以外の領域においては、基板１１が露出していてもよいし、これらの膜１３，１５の２層またはいずれか１層のみが形成されていてもよい（例えば図４（ｃ）参照）。   A lead frame 1 according to the embodiment shown in FIG. 1A includes a substrate 11, an Ag plating film 13 formed on at least one surface of the substrate 11, and a metal oxide film 15 formed thereon, Is provided. The Ag plating film 13 and the metal oxide film 15 may be formed only on the upper surface (hereinafter referred to as an appropriate surface) of the substrate 11 on which the LED element is mounted, or the lower surface (rear surface) of the substrate 11. Further, it may be formed on both sides of the substrate 11, and further, only on a part of the surface of the substrate 11, for example, a region where light emitted from the LED element is incident when incorporated in the light emitting device 10. May be. Therefore, the lead frame 1 may have the substrate 11 exposed on the back surface or other regions on the front surface, or two layers or any one of these films 13 and 15 are formed. (For example, refer to FIG. 4C).

（基板）
基板１１は、銅または銅合金からなり、リードフレーム１の形状に成形される。銅合金としては、銅を主成分とし、Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｂ等の元素の１種または２種以上を含有する合金、例えばＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金を用いることができる。基板１１の板厚は特に限定されないが、形状と同様に、発光装置の形状および形態等に応じて決定され、圧延等により、この所要の厚さの素板（圧延板）とし、これをプレス加工やエッチング加工等により所要の形状に成形することによって製造することができる。 (substrate)
The substrate 11 is made of copper or a copper alloy and is formed into the shape of the lead frame 1. As a copper alloy, an alloy containing copper as a main component and containing one or more elements such as Ni, Si, Fe, Zn, Sn, Mg, P, Cr, Mn, Zr, Ti, and Sb, for example, A Cu—Fe—P-based copper alloy can be used. Although the thickness of the substrate 11 is not particularly limited, it is determined according to the shape and form of the light emitting device, as with the shape, and is formed into a base plate (rolled plate) having the required thickness by rolling or the like, and this is pressed. It can be manufactured by forming into a required shape by processing or etching.

（Ａｇめっき膜）
本発明に係るリードフレーム１において、Ａｇめっき膜１３は、発光装置としたときにＬＥＤ素子から照射される光を反射する役割を有する。Ａｇ膜はスパッタリング法等の物理蒸着によっても成膜できるが、物理蒸着による膜は、厚く形成されても下地の表面形状が膜の表面形状に保持される。すなわち、Ａｇめっき膜１３は、基板１１の表面の凹凸を埋めるように形成されて表面が平滑になるため、Ａｇの有する高反射率だけでなく、リードフレーム１の反射面を平滑にして反射率をいっそう高くする。さらに、Ａｇめっき膜１３は結晶粒径が比較的大きく、熱によりＡｇが凝集することを抑制する作用（耐凝集性）が得られる。 (Ag plating film)
In the lead frame 1 according to the present invention, the Ag plating film 13 has a role of reflecting light emitted from the LED element when the light emitting device is used. The Ag film can be formed by physical vapor deposition such as sputtering. However, even if the film formed by physical vapor deposition is formed thick, the surface shape of the base is maintained at the surface shape of the film. That is, since the Ag plating film 13 is formed so as to fill the unevenness of the surface of the substrate 11 and the surface becomes smooth, not only the high reflectivity of Ag but also the reflectivity of the lead frame 1 is made smooth. To make it even higher. Furthermore, the Ag plating film 13 has a relatively large crystal grain size, and an action (aggregation resistance) that suppresses aggregation of Ag due to heat is obtained.

Ａｇめっき膜１３は、平滑な表面を形成するめっき膜であれば、公知のめっき方法で形成される無光沢Ａｇめっき、半光沢Ａｇめっき、光沢Ａｇめっきのいずれであってもよいが、発光装置としたときにＬＥＤ素子から照射された光を高効率で外部へ出射するためには光沢Ａｇめっきが最も好ましい。また、成分はＡｇ単体（純Ａｇ）に限定されず、Ａｇの高反射率が保持されればＡｇ合金で形成されるめっき膜であってもよい。例えば、Ａｇ−Ａｕ合金やＡｇ−Ｐｄ合金のような貴金属との合金、あるいはＡｇ−Ｂｉ合金等が挙げられる。   As long as the Ag plating film 13 is a plating film that forms a smooth surface, it may be any of a matte Ag plating, a semi-gloss Ag plating, and a glossy Ag plating formed by a known plating method. In order to emit light emitted from the LED element to the outside with high efficiency, gloss Ag plating is most preferable. Further, the component is not limited to Ag alone (pure Ag), and may be a plating film formed of an Ag alloy as long as the high reflectance of Ag is maintained. For example, an alloy with a noble metal such as an Ag—Au alloy or an Ag—Pd alloy, an Ag—Bi alloy, or the like can be given.

Ａｇめっき膜１３の膜厚は０．６μｍ以上８μｍ以下とする。Ａｇめっき膜１３の膜厚が薄いと、基板１１の表面粗さにも影響されるが、Ａｇめっき膜１３の表面が十分に平滑にならない。Ａｇめっき膜１３の上に成膜されてリードフレーム１の最表面となる金属酸化膜１５は極めて薄く、かつ物理蒸着による膜であるために下地の表面形状が保持され、Ａｇめっき膜１３の表面粗さがリードフレーム１の表面粗さと略一致する。すなわちリードフレーム１の表面（反射面）が平滑にならないため、発光装置としたときに、反射における拡散反射が多くなって出射光の光量の損失が多くなる。さらに、リードフレーム１が発光装置１０として使用されたときに、熱により基板１１からＣｕがＡｇめっき膜１３に拡散するが、Ａｇめっき膜１３の膜厚が薄いと、その表面までＣｕが到達し、Ａｇめっき膜１３の表面が変色して反射率が低下する虞がある。したがって、リードフレーム１の表面（金属酸化膜１５の表面）を平滑にするため、Ａｇめっき膜１３の膜厚は、０．６μｍ以上とし、好ましくは０．７μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。Ａｇめっき膜１３は、膜厚が８μｍを超えて厚くても表面の平滑化の効果が飽和し、不必要に厚く形成されるとコスト高となるため、Ａｇめっき膜１３の膜厚は８μｍ以下とし、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは６μｍ以下である。   The film thickness of the Ag plating film 13 is 0.6 μm or more and 8 μm or less. If the thickness of the Ag plating film 13 is thin, the surface roughness of the substrate 11 is also affected, but the surface of the Ag plating film 13 is not sufficiently smooth. The metal oxide film 15 formed on the Ag plating film 13 and serving as the outermost surface of the lead frame 1 is extremely thin and is a film formed by physical vapor deposition, so that the surface shape of the base is maintained, and the surface of the Ag plating film 13 is maintained. The roughness substantially matches the surface roughness of the lead frame 1. That is, since the surface (reflecting surface) of the lead frame 1 is not smooth, when the light emitting device is used, the diffuse reflection in the reflection increases and the loss of the amount of emitted light increases. Furthermore, when the lead frame 1 is used as the light emitting device 10, Cu diffuses from the substrate 11 to the Ag plating film 13 due to heat. However, if the Ag plating film 13 is thin, Cu reaches the surface. The surface of the Ag plating film 13 may be discolored to reduce the reflectance. Therefore, in order to smooth the surface of the lead frame 1 (the surface of the metal oxide film 15), the thickness of the Ag plating film 13 is 0.6 μm or more, preferably 0.7 μm or more, more preferably 1 μm or more. . Even if the thickness of the Ag plating film 13 exceeds 8 μm, the effect of smoothing the surface is saturated, and if it is formed unnecessarily thick, the cost increases. Therefore, the thickness of the Ag plating film 13 is 8 μm or less. And preferably 7 μm or less, more preferably 6 μm or less.

（金属酸化膜）
金属酸化膜１５は、Ａｇめっき膜１３上の、リードフレーム１の最表面に設けられ、発光装置としたときに、Ａｇめっき膜１３のＡｇが大気や封止樹脂に含まれるハロゲンイオンや硫黄と反応して黒褐色化や凝集することを防止し、かつＡｇめっき膜１３からＡｇが封止樹脂に拡散することを防止するための保護膜としての役割を有する。金属酸化膜１５は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属の酸化膜または２種以上の合金の酸化膜である。 (Metal oxide film)
The metal oxide film 15 is provided on the outermost surface of the lead frame 1 on the Ag plating film 13, and when used as a light emitting device, Ag of the Ag plating film 13 is composed of halogen ions or sulfur contained in the atmosphere or a sealing resin. It has a role as a protective film for preventing black browning and aggregation by reaction and preventing Ag from diffusing from the Ag plating film 13 into the sealing resin. The metal oxide film 15 is an oxide film of one kind of metal selected from Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W or an oxide film of two or more kinds of alloys.

Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗは、それぞれ大気中等で表面に安定した酸化膜（不働態皮膜）を形成するため、ハロゲンイオンや硫黄と反応し難い。また、これらの金属は、元の金属に対する酸化物の体積比（ＰＢ比：Pilling-bedworth ratio）が１を超えるものであり、酸化により膨張するため、極めて薄い金属膜として成膜した時点でピンホールが形成されていた場合、酸化して金属酸化膜となることでピンホールが塞がれる。このような金属酸化膜１５は、極めて薄い、具体的には膜厚２ｎｍ以下であっても、Ａｇめっき膜１３表面を被覆する緻密な保護膜を構成し、Ａｇめっき膜１３が外部からのハロゲンイオンや硫黄と接触することを防止する。   Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W each form a stable oxide film (passive film) on the surface in the atmosphere or the like, and thus hardly react with halogen ions or sulfur. Further, these metals have a volume ratio of oxide to the original metal (PB ratio: Pilling-bedworth ratio) exceeding 1, and expand due to oxidation. When the hole is formed, the pinhole is closed by oxidizing to become a metal oxide film. Even if such a metal oxide film 15 is extremely thin, specifically, a film thickness of 2 nm or less, it constitutes a dense protective film that covers the surface of the Ag plating film 13, and the Ag plating film 13 is made of halogen from the outside. Prevent contact with ions and sulfur.

また、これらの金属の酸化膜をＡｇめっき膜１３表面に被覆しても、リードフレーム１の反射率がＡｇめっき膜１３の有する高反射率から大きく低下することがない。特に、金属酸化膜１５をＴｉ，Ｚｒ，Ｔａのいずれかの金属の酸化膜またはこれらの金属の合金の酸化膜とした場合は、金属酸化膜１５をある程度まで厚く形成してもリードフレーム１の反射率があまり低下せず、Ａｇめっき膜１３の保護膜として十分な厚さとすることができるため好ましい。   Further, even if these metal oxide films are coated on the surface of the Ag plating film 13, the reflectance of the lead frame 1 does not greatly decrease from the high reflectance of the Ag plating film 13. In particular, when the metal oxide film 15 is an oxide film of a metal of Ti, Zr, or Ta or an oxide film of an alloy of these metals, the lead frame 1 can be formed even if the metal oxide film 15 is formed to a certain extent. It is preferable because the reflectance does not decrease so much and can be made a sufficient thickness as a protective film for the Ag plating film 13.

金属酸化膜１５の膜厚は０．５ｎｍ以上とする。金属酸化膜１５の膜厚が０．５ｎｍ未満では、Ａｇめっき膜１３の保護膜として不十分である。金属酸化膜１５の膜厚は、厚いほど保護膜としての効果が高いため、好ましくは０．８ｎｍ以上、より好ましくは１．０ｎｍ以上である。一方、金属酸化膜１５は、膜厚が厚くなると光を多く吸収し、膜厚が１５ｎｍを超えると、リードフレーム１の反射率の低下が顕著になる。したがって、金属酸化膜１５の膜厚は１５ｎｍ以下とし、好ましくは１３ｎｍ以下である。   The thickness of the metal oxide film 15 is 0.5 nm or more. When the thickness of the metal oxide film 15 is less than 0.5 nm, it is insufficient as a protective film for the Ag plating film 13. The thicker the metal oxide film 15 is, the higher the effect as a protective film is. Therefore, the thickness is preferably 0.8 nm or more, more preferably 1.0 nm or more. On the other hand, the metal oxide film 15 absorbs a lot of light when the film thickness increases, and when the film thickness exceeds 15 nm, the reflectance of the lead frame 1 is significantly reduced. Therefore, the thickness of the metal oxide film 15 is 15 nm or less, preferably 13 nm or less.

金属酸化膜１５の膜厚は、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）法で測定することができる。具体的にはＸ線光電子分光分析装置を用いて、リードフレーム１の表面（金属酸化膜１５の表面）から深さ（膜厚）方向へ、金属酸化膜１５に含まれる金属元素および酸素元素Ｏ、ならびにＡｇめっき膜１３に含まれるＡｇの各濃度を測定し、表面から深さ方向へのプロファイルを得る。金属酸化膜１５に含まれる金属元素の濃度（含有率）が、最高濃度の１／２まで減少した深さを金属酸化膜１５の膜厚と規定することができる。   The film thickness of the metal oxide film 15 can be measured by an X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) method. Specifically, using an X-ray photoelectron spectroscopy analyzer, the metal element and oxygen element O contained in the metal oxide film 15 from the surface of the lead frame 1 (surface of the metal oxide film 15) to the depth (film thickness) direction. In addition, each concentration of Ag contained in the Ag plating film 13 is measured to obtain a profile from the surface in the depth direction. The depth at which the concentration (content ratio) of the metal element contained in the metal oxide film 15 is reduced to ½ of the maximum concentration can be defined as the film thickness of the metal oxide film 15.

金属酸化膜１５は物理蒸着によって成膜することが好ましく、特にスパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタリング法を用いて金属酸化膜を形成する場合、金属酸化膜と同じ組成の金属酸化物ターゲットを用いて直接に金属酸化膜を成膜してもよいし、金属（合金）ターゲットを用いて金属膜（合金膜）を成膜後、大気中等の酸素雰囲気で金属膜を酸化して金属酸化膜としてもよい。ただし、膜厚２ｎｍ以下の金属酸化膜を形成する場合は、成膜時はピンホールが形成されている場合があるので、金属膜として成膜した後に酸化処理を行う。膜厚２ｎｍを超える金属酸化膜を形成する場合は、金属酸化物、金属（合金）のいずれのターゲットを用いてもよい。   The metal oxide film 15 is preferably formed by physical vapor deposition, and it is particularly preferable to use a sputtering method. When forming a metal oxide film using a sputtering method, a metal oxide film may be formed directly using a metal oxide target having the same composition as the metal oxide film, or a metal (alloy) target may be used to form a metal oxide film. After the film (alloy film) is formed, the metal film may be oxidized in an oxygen atmosphere such as the air to form a metal oxide film. However, when a metal oxide film having a thickness of 2 nm or less is formed, pinholes may be formed during the film formation, so that the oxidation treatment is performed after the metal film is formed. When forming a metal oxide film having a thickness of more than 2 nm, any target of metal oxide or metal (alloy) may be used.

本発明の別の実施形態として、Ａｇめっき膜の下にＮｉめっき膜をさらに形成してもよい。すなわち、図１（ｂ）に示す実施形態に係るリードフレーム１Ｂは、基板１１と、基板１１の少なくとも一方の面に形成されたＮｉめっき膜１２と、その上に形成されたＡｇめっき膜１３と、さらにその上に形成された金属酸化膜１５と、を備える。Ｎｉめっき膜１２についても、Ａｇめっき膜１３および金属酸化膜１５と同様に、少なくとも発光装置１０に組み込まれたときにＬＥＤ素子の発光した光が入射する領域のみに形成されていればよく、上面や両面の全体に形成されていてもよい。基板１１、Ａｇめっき膜１３、および金属酸化膜１５は、それぞれ図１（ａ）に示すリードフレーム１と同じであるため、同じ符号を付し説明を省略する。また、Ｎｉめっき膜１２とＡｇめっき膜１３の積層膜を、適宜、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１４として示す。以下、Ｎｉめっき膜１２について説明する。   As another embodiment of the present invention, a Ni plating film may be further formed under the Ag plating film. That is, the lead frame 1B according to the embodiment shown in FIG. 1B includes a substrate 11, a Ni plating film 12 formed on at least one surface of the substrate 11, and an Ag plating film 13 formed thereon. And a metal oxide film 15 formed thereon. Similarly to the Ag plating film 13 and the metal oxide film 15, the Ni plating film 12 only needs to be formed at least in a region where light emitted from the LED element is incident when incorporated in the light emitting device 10. Or may be formed on both sides. The substrate 11, the Ag plating film 13, and the metal oxide film 15 are the same as the lead frame 1 shown in FIG. A laminated film of the Ni plating film 12 and the Ag plating film 13 is appropriately shown as a Ni / Ag plating film 14. Hereinafter, the Ni plating film 12 will be described.

（Ｎｉめっき膜）
リードフレーム１Ｂにおいて、Ｎｉめっき膜１２は基板１１の表面に形成されてＡｇめっき膜１３の下地として設けられる。ＮｉはＣｕの熱による拡散を抑制する効果（耐Ｃｕ拡散性）がＡｇよりも高いため、Ｎｉめっき膜１２は、リードフレーム１Ｂが発光装置１０として使用したときの熱により基板１１からＣｕが当該Ｎｉめっき膜１２を経由してＡｇめっき膜１３へ拡散することを抑制する。その結果、リードフレーム１よりもＡｇめっき膜１３の膜厚を薄くしても、Ａｇめっき膜１３の表面までＣｕが到達して当該Ａｇめっき膜１３の表面が変色して反射率が低下することを防止できる。Ｎｉめっき膜１２による耐Ｃｕ拡散性すなわち耐熱性を十分に得るために、Ｎｉめっき膜１２の膜厚は好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは０．８μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。 (Ni plating film)
In the lead frame 1 </ b> B, the Ni plating film 12 is formed on the surface of the substrate 11 and provided as a base of the Ag plating film 13. Since Ni has an effect of suppressing diffusion of Cu due to heat (Cu diffusion resistance) higher than that of Ag, the Ni plating film 12 has the Cu from the substrate 11 due to heat when the lead frame 1B is used as the light emitting device 10. Diffusion to the Ag plating film 13 via the Ni plating film 12 is suppressed. As a result, even if the thickness of the Ag plating film 13 is made thinner than that of the lead frame 1, Cu reaches the surface of the Ag plating film 13, the surface of the Ag plating film 13 is discolored, and the reflectance decreases. Can be prevented. In order to sufficiently obtain Cu diffusion resistance, that is, heat resistance by the Ni plating film 12, the thickness of the Ni plating film 12 is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.8 μm or more, and further preferably 1 μm or more.

また、Ｎｉめっき膜１２は、Ａｇめっき膜１３と同様に、基板１１の表面の凹凸を埋めて表面が平滑になるため、Ａｇめっき膜１３と合わせて当該Ａｇめっき膜１３の表面を平滑にする役割も有する。Ｎｉめっき膜１２の膜厚の上限は規定しないが、Ａｇめっき膜１３との合計の厚さ（Ｎｉ／Ａｇめっき膜１４の膜厚）で、膜厚が８μｍを超えて厚くても表面の平滑化および耐Ｃｕ拡散性の効果が飽和し、不必要に厚く形成されるとコスト高となるため、Ｎｉめっき膜１２とＡｇめっき膜１３との合計の膜厚は８μｍ以下とする。   Further, the Ni plating film 12, like the Ag plating film 13, fills the unevenness of the surface of the substrate 11 and smoothes the surface, so that the surface of the Ag plating film 13 is smoothed together with the Ag plating film 13. Also has a role. The upper limit of the thickness of the Ni plating film 12 is not specified, but the total thickness with the Ag plating film 13 (the thickness of the Ni / Ag plating film 14) is smooth even if the film thickness exceeds 8 μm. If the effect of crystallization and Cu diffusion resistance is saturated and an unnecessarily thick film is formed, the cost increases. Therefore, the total film thickness of the Ni plating film 12 and the Ag plating film 13 is 8 μm or less.

Ｎｉめっき膜１２は、平滑な表面を形成するめっき膜であれば、成分はＮｉ単体に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＮｉ合金で形成されるめっき膜であってもよく、また、電気めっき等の公知のめっき方法で形成することができる。さらに、光沢Ｎｉめっき膜であれば、基板１１の表面粗さに対して平滑な表面を形成することができ、その上に形成されるＡｇめっき膜１３の表面をいっそう平滑にすることができるため、好ましい。   As long as the Ni plating film 12 is a plating film that forms a smooth surface, the component is not limited to Ni alone, and is formed of, for example, a Ni alloy such as a Ni—Co alloy, a Ni—P alloy, or a Ni—Fe alloy. The plating film may be formed by a known plating method such as electroplating. Furthermore, a bright Ni plating film can form a smooth surface with respect to the surface roughness of the substrate 11, and can further smooth the surface of the Ag plating film 13 formed thereon. ,preferable.

前記した通り、Ｎｉめっき膜１２がＡｇめっき膜１３と共に当該Ａｇめっき膜１３の表面を平滑化するため、Ａｇめっき膜１３は、リードフレーム１のように単独で表面を平滑化するよりも膜厚を薄くすることができる。具体的には、Ａｇめっき膜１３の膜厚は０．２μｍ以上であればよく、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１４全体で、Ａｇめっき膜１３の表面を十分に平滑にすることができる。このように、リードフレーム１Ｂにおいては、Ｎｉめっき膜１２を基板１１上に形成してＡｇめっき膜１３の下地とすることで、原料費の高いＡｇを含む膜であるＡｇめっき膜１３を厚膜化する必要がない。   As described above, since the Ni plating film 12 smoothes the surface of the Ag plating film 13 together with the Ag plating film 13, the Ag plating film 13 is thicker than the surface of the lead frame 1 alone as it smoothes the surface. Can be made thinner. Specifically, the film thickness of the Ag plating film 13 may be 0.2 μm or more, and the surface of the Ag plating film 13 can be sufficiently smoothed by the entire Ni / Ag plating film 14. In this way, in the lead frame 1B, the Ni plating film 12 is formed on the substrate 11 and used as the base of the Ag plating film 13, so that the Ag plating film 13 which is a film containing Ag having a high raw material cost is thickened. There is no need to

リードフレーム１，１Ｂ（以下、適宜まとめてリードフレーム１という）の平面視形状は特に限定されず、発光装置の形状および形態等に応じて設計され、例えば、後記の発光装置の基板１１Ａ（図４（ａ）参照）のように、複数個のリードフレーム１Ａが連結された構成としてもよい。また、リードフレーム１はコイル状の条材等でもよく、この場合は、発光装置の製造時に当該発光装置の形状等に応じて切断、成形等加工される。   The plan view shape of the lead frames 1 and 1B (hereinafter collectively referred to as the lead frame 1 as appropriate) is not particularly limited, and is designed according to the shape and form of the light emitting device. For example, the substrate 11A (see FIG. 4 (a)), a plurality of lead frames 1A may be connected. Further, the lead frame 1 may be a coiled strip or the like. In this case, the lead frame 1 is processed by cutting, molding, or the like according to the shape or the like of the light emitting device when the light emitting device is manufactured.

（表面粗さ）
リードフレーム１は、表面（金属酸化膜１５が形成された側の表面）の二乗平均粗さＲｒｍｓ（Root Mean Square Roughness：粗さの二乗平均平方根値）を３０ｎｍ以下とする。本発明において表面の平滑性を表す指標として用いる二乗平均粗さＲｒｍｓは、下式（１）で表される値であり、表面に存在する凹凸の表面高さの標準偏差である。したがって、例えば算術平均粗さＲａが同等であっても、高い突起や深い谷が多い表面ほどＲｒｍｓは大きくなる。すなわち、Ｒｒｍｓが大きいほど表面の凹凸が激しいことを示し、そのような表面に入射した光は拡散反射による反射が多くなって正反射率が減少する。リードフレーム１において、表面の正反射率が低く、拡散反射による反射が多いと、発光装置としたときに光の取出し効率が低下する。具体的にはＲｒｍｓが３０ｎｍを超えると、発光装置としたときに十分な照明光が得られない場合がある。反対に、Ｒｒｍｓが小さいほど表面が平滑となって正反射率が向上し、発光装置としたときの光の取出し効率が向上する。したがって、本発明に係るリードフレーム１の表面のＲｒｍｓは、３０ｎｍ以下とし、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下である。 (Surface roughness)
The lead frame 1 has a root mean square roughness Rrms (Root Mean Square Roughness) of 30 nm or less on the surface (the surface on the side where the metal oxide film 15 is formed). The root mean square roughness Rrms used as an index representing the smoothness of the surface in the present invention is a value represented by the following formula (1), and is a standard deviation of the surface height of the unevenness present on the surface. Therefore, for example, even if the arithmetic average roughness Ra is equal, the surface having more high protrusions and deep valleys has a larger Rrms. That is, the larger the Rrms, the more severe the surface unevenness, and the light incident on such a surface is more reflected by diffuse reflection and the regular reflectance decreases. In the lead frame 1, if the regular reflectance of the surface is low and the reflection due to diffuse reflection is large, the light extraction efficiency is lowered when the light emitting device is used. Specifically, if Rrms exceeds 30 nm, sufficient illumination light may not be obtained when the light emitting device is formed. On the contrary, as Rrms is smaller, the surface becomes smoother and the regular reflectance is improved, so that the light extraction efficiency when the light emitting device is obtained is improved. Therefore, the Rrms of the surface of the lead frame 1 according to the present invention is 30 nm or less, preferably 25 nm or less, more preferably 20 nm or less.

Figure 0005602578
ここで、Ｚave：表面高さの平均値、Ｚji：個々の表面高さの測定値、Ｎ：測定点の数を示す。
具体的には、例えば、原子間力顕微鏡を用いて、任意の領域について表面高さ（Ｚji）を測定して、式（１）によってＲｒｍｓを算出することができる。好ましくは、複数の領域について測定し、その平均値を適用する。
Figure 0005602578
 Here, Zave: average value of surface height, Zji: measured value of individual surface height, N: number of measurement points.
Specifically, for example, by using an atomic force microscope, the surface height (Zji) can be measured for an arbitrary region, and Rrms can be calculated by equation (1). Preferably, measurement is performed for a plurality of regions, and the average value is applied.

このような表面の二乗平均粗さＲｒｍｓが小さいリードフレーム１を形成するためには、下地表面の凹凸を小さくして同程度のＲｒｍｓにすればよい。しかしながら、基板１１をこのような平滑な表面とすることは困難である。前記したように、基板１１は銅または銅合金からなる圧延板を成形加工して製造されるが、圧延面に形成された酸化皮膜や、この酸化皮膜が脱落して圧延により埋め込まれた酸化物を除去するために、圧延後の研磨工程が必須である。この工程により研磨痕が表面に残るため、基板１１表面が粗くなり、Ｒｒｍｓでは６０〜１００ｎｍになる。前記した通り、最表面の金属酸化膜１５は極めて薄く、また物理蒸着で成膜されるために下地の表面形状が保持される。そこで、Ａｇめっき膜１３、あるいはさらにその下地のＮｉめっき膜１２により、基板１１表面の凹凸を埋めて、金属酸化膜１５が形成される下地表面すなわちＡｇめっき膜１３表面を平滑にする。具体的には、Ａｇめっき膜１３またはＮｉ／Ａｇめっき膜１４の膜厚が厚くなるほど、基板１１の表面粗さに対して平滑化が大きくなる（Ｒｒｍｓの減少量が大きくなる）。また、予め、基板１１の表面を硝酸を主成分とする強酸の混合液（キリンス酸）等を用いて酸によるエッチングを行ったり、コイニングにより基板１１の表面の凹凸を潰しておけば、Ａｇめっき膜１３またはＮｉ／Ａｇめっき膜１４の膜厚を薄く形成しても平滑性が得られるので、より好ましい。   In order to form the lead frame 1 having such a small mean square roughness Rrms of the surface, it is only necessary to reduce the unevenness of the underlying surface so as to have the same degree of Rrms. However, it is difficult to make the substrate 11 have such a smooth surface. As described above, the substrate 11 is manufactured by forming a rolled plate made of copper or a copper alloy. The oxide film formed on the rolled surface or the oxide embedded by rolling after the oxide film is dropped. In order to remove this, a polishing process after rolling is essential. Since the polishing marks remain on the surface by this step, the surface of the substrate 11 becomes rough, and the Rrms becomes 60 to 100 nm. As described above, the outermost metal oxide film 15 is extremely thin and is formed by physical vapor deposition, so that the surface shape of the base is maintained. Accordingly, the Ag plating film 13 or the underlying Ni plating film 12 fills the unevenness of the surface of the substrate 11 to smooth the underlying surface on which the metal oxide film 15 is formed, that is, the Ag plating film 13 surface. Specifically, as the thickness of the Ag plating film 13 or the Ni / Ag plating film 14 increases, the smoothing increases with respect to the surface roughness of the substrate 11 (the reduction amount of Rrms increases). Further, if the surface of the substrate 11 is previously etched with an acid using a mixed solution of strong acid mainly composed of nitric acid (Kirin's acid) or the unevenness of the surface of the substrate 11 is crushed by coining, Ag plating is performed. Even if the film 13 or the Ni / Ag plating film 14 is formed thin, smoothness can be obtained, which is more preferable.

また、金属酸化膜１５は、その下地であるＡｇめっき膜１３の表面が平滑であるほど、薄い膜でもピンホールが形成され難くなるため、Ａｇめっき膜１３の保護膜としての効果が高くなる。言い換えると、Ａｇめっき膜１３の表面が粗い場合は、金属酸化膜１５の膜厚を厚くする必要がある。本実施形態に係るリードフレーム１は、前記した通り、光の取出し効率を向上させるべく表面の二乗平均粗さＲｒｍｓが３０ｎｍ以下となるように、この表面粗さと略一致するＡｇめっき膜１３を形成するが、Ａｇめっき膜１３をこのような表面粗さとすることにより、金属酸化膜１５の膜厚が０．５ｎｍ以上であればピンホールが形成され難くなる。   In addition, the smoother the surface of the Ag plating film 13 that is the base of the metal oxide film 15, the more difficult the pinholes are formed even in a thin film, so the effect of the Ag plating film 13 as a protective film is enhanced. In other words, when the surface of the Ag plating film 13 is rough, it is necessary to increase the thickness of the metal oxide film 15. As described above, the lead frame 1 according to the present embodiment forms the Ag plating film 13 that substantially matches the surface roughness so that the root mean square roughness Rrms is 30 nm or less in order to improve the light extraction efficiency. However, by setting the Ag plating film 13 to such a surface roughness, if the thickness of the metal oxide film 15 is 0.5 nm or more, pinholes are hardly formed.

〔リードフレームの製造方法〕
本発明に係るリードフレームは、前記の構成を形成できる方法であれば特に制限されず、いずれの方法により製造してもよい。例えば、図１（ａ）に示すリードフレーム１は、基板１１を作製する基板作製工程Ｓ１、基板１１にＡｇめっき膜１３を形成するＡｇめっき工程Ｓ３、そして、Ａｇめっき膜１３表面に金属酸化膜１５を形成する金属酸化膜形成工程Ｓ４を含む方法によって製造することができる。また、図１（ｂ）に示すリードフレーム１Ｂは、Ａｇめっき工程Ｓ３の前に、基板１１にＮｉめっき膜１２を形成するＮｉめっき工程Ｓ２をさらに行う方法によって製造することができる（図示省略）。なお、各工程には説明のために符号を付す。以下に、リードフレーム１Ｂの製造方法の一例を説明する。 [Lead frame manufacturing method]
The lead frame according to the present invention is not particularly limited as long as it can form the above-described configuration, and may be manufactured by any method. For example, the lead frame 1 shown in FIG. 1A includes a substrate manufacturing step S1 for manufacturing the substrate 11, an Ag plating step S3 for forming an Ag plating film 13 on the substrate 11, and a metal oxide film on the surface of the Ag plating film 13. 15 can be manufactured by a method including a metal oxide film forming step S4 for forming the semiconductor layer 15. Moreover, the lead frame 1B shown in FIG.1 (b) can be manufactured by the method which further performs Ni plating process S2 which forms the Ni plating film 12 in the board | substrate 11 before Ag plating process S3 (illustration omitted). . In addition, a code | symbol is attached | subjected for description to each process. Below, an example of the manufacturing method of the lead frame 1B is demonstrated.

（基板作製工程）
基板作製工程Ｓ１は、材料の銅または銅合金を連続鋳造して鋳造板（例えば、薄板鋳塊）を製造し、次に、焼鈍、冷間圧延、中間焼鈍および時効処理、さらに、仕上げ圧延、研磨等の工程を経て、所要の厚さの素板を製造する。この素板をプレス加工等により所要の形状に成形して基板１１を得ることができる。 (Substrate manufacturing process)
In the substrate manufacturing step S1, a copper or copper alloy material is continuously cast to produce a cast plate (for example, a thin plate ingot), and then annealing, cold rolling, intermediate annealing and aging treatment, and finish rolling, A base plate having a required thickness is manufactured through a process such as polishing. The base plate 11 can be obtained by forming the base plate into a required shape by press working or the like.

（Ｎｉめっき工程）
Ｎｉめっき膜１２の成膜に際して、予め基板１１を脱脂液による脱脂、電解脱脂、および酸溶液によって前処理を行うことが好ましい。前処理は、例えば、基板１１を、脱脂液に浸漬して脱脂した後、対極をステンレス３０４として、リードフレーム側がマイナスとなるようにして直流電圧を印加して３０秒間程度電解脱脂を行い、さらに、１０％硫酸水溶液に１０秒程度浸漬することによって行うことができる。 (Ni plating process)
When forming the Ni plating film 12, it is preferable to pre-treat the substrate 11 with a degreasing solution, electrolytic degreasing, and an acid solution in advance. For example, after the substrate 11 is immersed in a degreasing solution and degreased, the counter electrode is made of stainless steel 304, and a DC voltage is applied so that the lead frame side is negative, and electrolytic degreasing is performed for about 30 seconds. It can be performed by immersing in a 10% sulfuric acid aqueous solution for about 10 seconds.

Ｎｉめっき膜１２の成膜は、例えば、ワット浴、ウッド浴、スルファミン酸浴等の公知のめっき浴を用い、Ｎｉ板を対極とし、電流密度５Ａ／ｄｍ2、めっき浴温度５０℃等の条件で電気めっきを行うことによって行うことができる。また、光沢剤を添加しためっき浴を用いて光沢Ｎｉめっき膜とすることもできる。この電気めっきにおいては、電流密度やめっき通板速度（めっき時間）等を調整することによって、所望の膜厚のＮｉめっき膜１２を得ることができる。また、基板１１の片面（上面）のみ、あるいはさらに一部の領域のみにＮｉめっき膜１２を形成する場合は、下面や前記領域以外にマスキングテープ等でマスキングした後、めっき浴で電気めっきを行うことによって、基板１１の所望の部位のみにＮｉめっき膜１２を形成することができる。 The Ni plating film 12 is formed using, for example, a known plating bath such as a watt bath, a wood bath, a sulfamic acid bath, a Ni plate as a counter electrode, a current density of 5 A / dm 2 , a plating bath temperature of 50 ° C., etc. Can be performed by electroplating. Moreover, it can also be set as a gloss Ni plating film using the plating bath which added the brightener. In this electroplating, the Ni plating film 12 having a desired film thickness can be obtained by adjusting the current density, plating plate speed (plating time), and the like. Further, when the Ni plating film 12 is formed only on one side (upper surface) of the substrate 11 or only in a part of the region, masking is performed with a masking tape or the like on the lower surface or other region, and then electroplating is performed in a plating bath. Thus, the Ni plating film 12 can be formed only on a desired portion of the substrate 11.

（Ａｇめっき工程）
Ａｇめっき膜１３は、例えば、シアン浴、チオ硫酸塩浴等の公知のめっき浴を用い、Ａｇ（純度９９．９９％）板を対極とし、電流密度５Ａ／ｄｍ2、めっき浴温度１５℃等の条件で電気めっきを行うことによって成膜することができる。また、光沢剤を添加しためっき浴を用いて光沢Ａｇめっき膜とすることもできる。この電気めっきにおいては、Ｎｉめっき工程Ｓ２と同様に、電流密度やめっき通板速度（めっき時間）等を調整することによって、所望の膜厚のＡｇめっき膜１３を得ることができる。また、Ｎｉめっき工程Ｓ２の後にＡｇめっき工程Ｓ３を行う場合においては、Ｎｉめっき工程Ｓ２にてＮｉめっき膜１２を成膜（Ｎｉめっき）した後の基板１１をめっき浴から引き上げて水洗し、表面を乾燥させることなく、連続して行うことが好ましい。したがって、Ｎｉめっき工程Ｓ２にてマスキングした場合は、基板１１のＮｉめっき膜１２を形成した領域と同じ領域に、すなわちＮｉめっき膜１２の表面全体にＡｇめっき膜１３が形成される。 (Ag plating process)
As the Ag plating film 13, for example, a known plating bath such as a cyan bath or a thiosulfate bath is used, with an Ag (purity 99.99%) plate as a counter electrode, a current density of 5 A / dm 2 , a plating bath temperature of 15 ° C., etc. A film can be formed by performing electroplating under the conditions described above. Moreover, it can also be set as a gloss Ag plating film using the plating bath which added the brightener. In this electroplating, the Ag plating film 13 having a desired film thickness can be obtained by adjusting the current density, the plating threading speed (plating time), etc., as in the Ni plating step S2. In addition, when the Ag plating step S3 is performed after the Ni plating step S2, the substrate 11 after the Ni plating film 12 is formed (Ni plating) in the Ni plating step S2 is lifted from the plating bath and washed with water. It is preferable to carry out continuously without drying. Therefore, when masking is performed in the Ni plating step S <b> 2, the Ag plating film 13 is formed in the same region as the region where the Ni plating film 12 is formed on the substrate 11, that is, the entire surface of the Ni plating film 12.

リードフレーム１を製造する場合は、Ｎｉめっき工程Ｓ２を行わずに、基板１１に直接にＡｇめっき膜１３を形成するため、Ｎｉめっき工程Ｓ２と同様の前処理を基板１１に行うことが好ましい。また、基板１１の片面（上面）のみ、あるいはさらに一部の領域のみにＡｇめっき膜１３を形成する場合は、下面や前記領域以外にマスキングテープ等でマスキングした後、めっき浴で電気めっきを行うことによって、基板１１の所望の部位のみにＡｇめっき膜１３を形成することができる。   When the lead frame 1 is manufactured, it is preferable to perform the same pretreatment on the substrate 11 as the Ni plating step S2 in order to form the Ag plating film 13 directly on the substrate 11 without performing the Ni plating step S2. Further, when the Ag plating film 13 is formed only on one surface (upper surface) of the substrate 11 or only in a part of the region, masking is performed with a masking tape or the like on the lower surface or the region other than that, and then electroplating is performed in a plating bath. Thus, the Ag plating film 13 can be formed only on a desired portion of the substrate 11.

（金属酸化膜形成工程）
金属酸化膜形成工程Ｓ４では、スパッタリング法を用いてＡｇめっき膜１３表面に金属酸化膜１５を形成するが、Ａｇめっき膜１３と金属酸化膜１５との密着性をよくするために、成膜前に、Ａｇめっき膜１３にＡｒイオンビームを照射したり、Ａｒ雰囲気中で高周波を印加することにより、Ａｇめっき膜１３表面に存在する汚れを除去してもよい。まず、成膜する金属酸化膜１５の組成に合わせて組成が調整された金属酸化物ターゲットをスパッタリング装置の電極に設置し、Ａｇめっき膜１３を形成した基板１１をスパッタリング装置のチャンバー内に載置する。次に、チャンバー内を１．３×１０-3Ｐａ以下の圧力まで真空排気した後、チャンバー内にＡｒガスを導入して、チャンバー内圧力を所定の圧力、例えば２×１０-2Ｐａ程度に調整する。そして、イオンガンに所定の放電電圧を印加してＡｒイオンを発生させ、さらに所定の加速電圧とビーム電圧を印加することにより、ＡｒイオンビームをＡｇめっき膜１３に照射する。その後、チャンバー内にＡｒガスを導入しながら、チャンバー内の圧力を０．２７Ｐａ程度に調整し、金属酸化物ターゲットに直流電圧（出力１００Ｗ）を印加することによりスパッタリングを行って、金属酸化膜１５を成膜する。なお、この方法による場合は、ピンホールが形成されないように、金属酸化膜１５の膜厚を２ｎｍ超とする。 (Metal oxide film formation process)
In the metal oxide film forming step S4, the metal oxide film 15 is formed on the surface of the Ag plating film 13 by using a sputtering method. In order to improve the adhesion between the Ag plating film 13 and the metal oxide film 15, before the film formation. In addition, dirt existing on the surface of the Ag plating film 13 may be removed by irradiating the Ag plating film 13 with an Ar ion beam or applying a high frequency in an Ar atmosphere. First, a metal oxide target whose composition is adjusted according to the composition of the metal oxide film 15 to be deposited is placed on the electrode of the sputtering apparatus, and the substrate 11 on which the Ag plating film 13 is formed is placed in the chamber of the sputtering apparatus. To do. Next, after evacuating the chamber to a pressure of 1.3 × 10 −3 Pa or less, Ar gas is introduced into the chamber, and the pressure in the chamber is set to a predetermined pressure, for example, about 2 × 10 −2 Pa. adjust. Then, a predetermined discharge voltage is applied to the ion gun to generate Ar ions, and a predetermined acceleration voltage and beam voltage are further applied to irradiate the Ag plating film 13 with the Ar ion beam. After that, while introducing Ar gas into the chamber, the pressure in the chamber is adjusted to about 0.27 Pa, and sputtering is performed by applying a DC voltage (output 100 W) to the metal oxide target, so that the metal oxide film 15 Is deposited. In the case of this method, the metal oxide film 15 has a thickness exceeding 2 nm so that pinholes are not formed.

また、金属酸化膜形成工程Ｓ４の別の例として、ターゲットを非酸化物の金属（合金）材料として、Ａｇめっき膜１３上に金属膜（または合金膜）を成膜後、この金属膜を酸化して金属酸化膜１５とする方法を示す。スパッタリング装置にて成膜する工程は、電極に、成膜する金属酸化膜の組成の金属成分に合わせて組成が調整された金属（合金）ターゲットを設置する以外は、前記と同様である。金属膜を成膜後、チャンバーを開放して、またはチャンバーから取り出して大気中に曝すことで、金属膜が酸化して金属酸化膜１５となる。   As another example of the metal oxide film forming step S4, a metal film (or alloy film) is formed on the Ag plating film 13 using a target as a non-oxide metal (alloy) material, and then the metal film is oxidized. A method of forming the metal oxide film 15 will be described. The step of forming a film with a sputtering apparatus is the same as described above except that a metal (alloy) target whose composition is adjusted according to the metal component of the composition of the metal oxide film to be formed is placed on the electrode. After the metal film is formed, the chamber is opened or removed from the chamber and exposed to the atmosphere, whereby the metal film is oxidized and becomes the metal oxide film 15.

以上のように、前記工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４をこの順に行うことによりリードフレーム１Ｂを製造することができる。また、工程Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４をこの順に行うことによりリードフレーム１を製造することができる。また、Ｎｉめっき工程Ｓ２およびＡｇめっき工程Ｓ３において、基板１１（１１Ａ）をマスキングせず全面にＡｇめっき膜１３またはＮｉ／Ａｇめっき膜１４を形成し、金属酸化膜形成工程Ｓ４にて、片面（表面）にのみ金属酸化膜１５を形成すると、図４（ｃ）に示すリードフレーム１，１Ｂを製造することができる。また、基板作製工程Ｓ１における成形前に、Ｎｉめっき工程Ｓ２およびＡｇめっき工程Ｓ３、あるいはさらに金属酸化膜形成工程Ｓ４を行ってから、所望の形状に加工して製造することもできる。   As described above, the lead frame 1B can be manufactured by performing the steps S1, S2, S3, and S4 in this order. Further, the lead frame 1 can be manufactured by performing the steps S1, S3, and S4 in this order. Further, in the Ni plating step S2 and the Ag plating step S3, the Ag plating film 13 or the Ni / Ag plating film 14 is formed on the entire surface without masking the substrate 11 (11A), and in the metal oxide film forming step S4, one side ( When the metal oxide film 15 is formed only on the surface), the lead frames 1 and 1B shown in FIG. 4C can be manufactured. In addition, the Ni plating step S2 and the Ag plating step S3 or further the metal oxide film forming step S4 can be performed before forming in the substrate manufacturing step S1, and then processed into a desired shape.

〔発光装置〕
次に、本発明に係るリードフレームを組み込んだ発光装置についてその一例を説明する。発光装置１０は、前記した通り、一般的な表面実装型の発光装置である。図２および図３に示すように、発光装置１０においては、本発明に係るリードフレーム１（またはリードフレーム１Ｂ）は帯状の一対のリードフレーム１ａ，１ｂとして、凹状のＬＥＤ素子実装部２２が形成されたカップ状の樹脂成形体２により支持される。詳しくは、リードフレーム１ａ，１ｂは、それぞれが樹脂成形体２の外側からＬＥＤ素子実装部２２内側へ貫通して、金属酸化膜１５が形成された側の面を上にしてＬＥＤ素子実装部２２の底面に配設されている。そして、ＬＥＤ素子実装部２２の底面における略中央に載置されるように、リードフレーム１ａ上に、ＬＥＤ素子（図中では「ＬＥＤ」と記載する。）が接着されている。ＬＥＤ素子は、その電極が、ＬＥＤ素子実装部２２において一対のリードフレーム１ａ，１ｂ（インナーリード部）にボンディングワイヤ（ワイヤ）で接続されている。また、ＬＥＤ素子実装部２２内は、透明な封止樹脂（図示省略）が充填されて封止されている。 [Light emitting device]
Next, an example of a light-emitting device incorporating the lead frame according to the present invention will be described. As described above, the light emitting device 10 is a general surface mount type light emitting device. As shown in FIGS. 2 and 3, in the light emitting device 10, the lead frame 1 (or the lead frame 1B) according to the present invention is formed as a pair of strip-like lead frames 1a and 1b, and a concave LED element mounting portion 22 is formed. The cup-shaped resin molded body 2 is supported. Specifically, each of the lead frames 1a and 1b penetrates from the outside of the resin molded body 2 to the inside of the LED element mounting portion 22, and the LED element mounting portion 22 with the surface on which the metal oxide film 15 is formed facing upward. Is disposed on the bottom surface. And LED element (it describes as "LED" in a figure) is adhere | attached on the lead frame 1a so that it may be mounted in the approximate center in the bottom face of the LED element mounting part 22. FIG. The electrodes of the LED elements are connected to the pair of lead frames 1a and 1b (inner lead parts) in the LED element mounting part 22 by bonding wires (wires). Further, the LED element mounting portion 22 is sealed by being filled with a transparent sealing resin (not shown).

このような発光装置１０は、リードフレーム１（１ａ，１ｂ）が貫通するように樹脂成形体２を形成した後、ＬＥＤ素子を実装し、封止することにより製造される。以下、本発明に係るリードフレーム１を組み込んで、発光装置１０を製造する方法の一例を説明する。   Such a light emitting device 10 is manufactured by forming the resin molded body 2 so that the lead frame 1 (1a, 1b) penetrates, and then mounting and sealing the LED element. Hereinafter, an example of a method for manufacturing the light emitting device 10 by incorporating the lead frame 1 according to the present invention will be described.

樹脂成形体２は、絶縁材料である樹脂を成形してなる。したがって、樹脂成形体２は、その外側から内側（ＬＥＤ素子実装部２２）へリードフレーム１ａ，１ｂがそれぞれ貫通するように、射出成形（インサート成形）等によって、リードフレーム１ａ，１ｂと一体的に成形されることが好ましい。樹脂は、耐熱性が２００℃以上のものであればよく、ポリアミド（ＰＡ）樹脂等のエンジニアリングプラスチック、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂等のスーパーエンジニアリングプラスチック等を用いることができる。   The resin molded body 2 is formed by molding a resin that is an insulating material. Therefore, the resin molded body 2 is integrated with the lead frames 1a and 1b by injection molding (insert molding) or the like so that the lead frames 1a and 1b penetrate from the outer side to the inner side (LED element mounting portion 22). It is preferable to be molded. The resin has only to have heat resistance of 200 ° C. or higher, and engineering plastics such as polyamide (PA) resin, super engineering plastics such as polyphenylene sulfide (PPS) resin, and the like can be used.

樹脂成形体２により支持されたリードフレーム１ａ，１ｂに、ＬＥＤ素子を実装する。まず、ＬＥＤ素子実装部２２底面の略中央におけるリードフレーム１ａ（インナーリード部）の表面にシリコーンダイボンド材等からなる接着剤（図示省略）を塗布して、その上にＬＥＤ素子を接着して搭載する。次に、ワイヤボンディングにより、金ワイヤでＬＥＤ素子の電極を、リードフレーム１ａ，１ｂのＬＥＤ素子実装部２２底面に配設された部分（インナーリード部）に接続する。そして、ＬＥＤ素子実装部２２内にエポキシ樹脂等の封止樹脂を充填することにより封止して、ＬＥＤ素子を光源として搭載した発光装置１０となる。なお、図４（ａ）に示す基板１１Ａで複数個を連結されたリードフレーム１Ａの場合は、連結された状態で図４（ｂ）、（ｃ）に示すように樹脂成形体２Ａが成形され、ＬＥＤ素子を実装、封止して発光装置に製造されてから、太破線で切り離されて使用される。   LED elements are mounted on the lead frames 1a and 1b supported by the resin molded body 2. First, an adhesive (not shown) made of a silicone die bond material or the like is applied to the surface of the lead frame 1a (inner lead part) at the approximate center of the bottom surface of the LED element mounting part 22, and the LED element is adhered and mounted thereon. To do. Next, the electrode of the LED element is connected to the portion (inner lead portion) disposed on the bottom surface of the LED element mounting portion 22 of the lead frames 1a and 1b by wire bonding. And it seals by filling sealing resin, such as an epoxy resin, in the LED element mounting part 22, and it becomes the light-emitting device 10 which mounted the LED element as a light source. In the case of the lead frame 1A connected in plural by the substrate 11A shown in FIG. 4 (a), the resin molded body 2A is molded as shown in FIGS. 4 (b) and 4 (c). After the LED element is mounted and sealed to be manufactured into a light emitting device, it is used after being separated by a thick broken line.

リードフレーム１は、樹脂成形体２を形成せずに、例えば砲弾型の発光装置に製造されてもよい（図示せず）。この場合は、基板１１を、異形条材（圧延幅方向に板厚の異なる圧延板）の板厚の厚い部位をプレス鍛造でカップ形状に成型して、このカップ形状の外側に板厚の薄い部位が帯状に延出された形状に作製する。そして、この基板１１のカップ形状の内側表面にＮｉめっき膜１２、Ａｇめっき膜１３、および金属酸化膜１５を形成してリードフレームとする。カップ形状の内面がリードフレーム１ａのインナーリード部とＬＥＤ素子実装部２２とを兼ね、帯状の部位がアウターリード部となる。これに、別部材で作製したリードフレーム１ｂ（基板１１のみで構成されてもよい）を合わせて一組のリードフレームとする。このようなリードフレームでは、ＬＥＤ素子はカップ形状の内底面に搭載されて実装され、カップ形状の内部に封止樹脂を充填して封止される。このような構造とすることで、リードフレーム１をＬＥＤ素子の下方のみならず側方の反射面に構成することもできる。   The lead frame 1 may be manufactured in, for example, a bullet-type light emitting device without forming the resin molded body 2 (not shown). In this case, the substrate 11 is formed into a cup shape by press forging a thick portion of a deformed strip (rolled plate having a different thickness in the rolling width direction), and the plate thickness is thin outside the cup shape. The part is made into a shape extending in a strip shape. Then, a Ni plating film 12, an Ag plating film 13, and a metal oxide film 15 are formed on the cup-shaped inner surface of the substrate 11 to form a lead frame. The cup-shaped inner surface serves as the inner lead portion of the lead frame 1a and the LED element mounting portion 22, and the strip-shaped portion serves as the outer lead portion. This is combined with a lead frame 1b (which may be composed only of the substrate 11) made of a separate member to form a set of lead frames. In such a lead frame, the LED element is mounted and mounted on a cup-shaped inner bottom surface, and the cup-shaped interior is filled with a sealing resin and sealed. By adopting such a structure, the lead frame 1 can be formed not only under the LED element but also on the side reflection surface.

このようなリードフレーム１を用いて得られる発光装置において、Ａｇめっき膜１３は、熱によるＡｇの凝集や変色が生じ難く、さらに金属酸化膜１５に被覆されていることにより、ハロゲンイオンや硫黄等によるＡｇの凝集を引き起こさず耐久性に優れ、ＬＥＤ素子から発光した光を安定して反射して発光装置から光として取り出すことができる。さらに、Ａｇめっき膜１３は、Ａｇのナノ粒子の析出を引き起こさず、エポキシ樹脂等の封止樹脂を変色させることがないため、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で利用することを可能とする。また、リードフレーム１の表面（反射面）は、ＬＥＤ素子が発光する光の多くを正反射させて拡散反射を抑えられるため、ＬＥＤ素子を搭載した発光装置の明るさを向上させることができる。   In the light emitting device obtained by using such a lead frame 1, the Ag plating film 13 is unlikely to cause aggregation or discoloration of Ag due to heat, and is further coated with the metal oxide film 15, thereby allowing halogen ions, sulfur, etc. Therefore, the light emitted from the LED element is stably reflected and taken out as light from the light emitting device. Furthermore, since the Ag plating film 13 does not cause precipitation of Ag nanoparticles and does not discolor a sealing resin such as an epoxy resin, the light emitted from the LED element can be used with high efficiency. . Moreover, since the surface (reflective surface) of the lead frame 1 can regularly reflect most of the light emitted from the LED element and suppress the diffuse reflection, the brightness of the light emitting device equipped with the LED element can be improved.

以下、本発明の実施例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples of the present invention, but the present invention is not limited to the following examples.

〔試料作製〕
下記のようにして、図１（ａ）、（ｂ）に示す積層構造のリードフレーム１，１Ｂの試料を、Ｎｉめっき膜の膜厚、Ａｇめっき膜の膜厚、ならびに金属酸化膜の成分および膜厚を変化させて作製した。 [Sample preparation]
In the following manner, samples of the lead frames 1 and 1B having the laminated structure shown in FIGS. 1A and 1B are obtained from the Ni plating film thickness, the Ag plating film thickness, and the metal oxide film components and The film thickness was changed.

（基板の作製）
厚さ０．１ｍｍのＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板（ＫＬＦ１９４Ｈ、（株）神戸製鋼所製）を、プレス加工して、図４（ａ）に示す形状の基板（基板１１Ａ）を作製した。この基板の表面の二乗平均粗さＲｒｍｓを後記の方法で測定したところ、７０ｎｍであった。 (Production of substrate)
A Cu-Fe-P copper alloy plate (KLF194H, manufactured by Kobe Steel, Ltd.) having a thickness of 0.1 mm was pressed to produce a substrate (substrate 11A) having the shape shown in FIG. . The root mean square roughness Rrms of the surface of this substrate was measured by the method described later to be 70 nm.

（めっき前処理）
前記基板を、めっき前処理として、脱脂液に浸漬して、対極をステンレス３０４として、基板側がマイナスとなるようにして直流電圧を印加して３０秒間電解脱脂を行った後、１０％硫酸水溶液に１０秒浸漬した。 (Plating pretreatment)
The substrate was immersed in a degreasing solution as a pretreatment for plating, and the counter electrode was made of stainless steel 304. A DC voltage was applied so that the substrate side was negative, and electrolytic degreasing was performed for 30 seconds. Immersion for 10 seconds.

（Ｎｉめっき膜の形成）
前処理後の基板の表面（全面）に、下記成分、液温５０℃のワット浴で、対極をＮｉ板とし、電流密度：５Ａ／ｄｍ2で、光沢Ｎｉめっきを施して、表１に示す膜厚のＮｉめっき膜を形成し、Ｎｉめっき浴から引き上げて水洗した。
Ｎｉめっき浴成分
硫酸Ｎｉ：２５０ｇ／Ｌ
塩化Ｎｉ： ４０ｇ／Ｌ
硼酸 ： ３５ｇ／Ｌ
添加剤Ａ： ３ｍｌ／Ｌ
添加剤Ｂ：１０ｍｌ／Ｌ (Formation of Ni plating film)
The surface (entire surface) of the substrate after the pretreatment was subjected to bright Ni plating at a current density of 5 A / dm 2 with a watt bath with the following components and a liquid temperature of 50 ° C., with a current density of 5 A / dm 2 , and shown in Table 1. A Ni plating film having a film thickness was formed, pulled up from the Ni plating bath, and washed with water.
Ni plating bath component Ni sulfate: 250 g / L
Ni chloride: 40 g / L
Boric acid: 35 g / L
Additive A: 3 ml / L
Additive B: 10 ml / L

なお、Ｎｉめっき膜の膜厚は、めっき速度に基づいてめっき時間を調整することで制御した。すなわち、ダミー基板に前記と同じ条件で一定時間めっきを施して、ダミー基板のめっき前との重量差を測定することによりＮｉの付着量を求め、この付着量をめっき面積、Ｎｉの理論密度、およびめっき時間で割ることにより単位時間に析出するＮｉめっき膜厚（めっき速度）を算出し、めっき速度から所望の膜厚を形成するめっき時間を算出した。   The film thickness of the Ni plating film was controlled by adjusting the plating time based on the plating speed. That is, the dummy substrate is plated for a certain period of time under the same conditions as described above, and the adhesion amount of Ni is determined by measuring the weight difference between the dummy substrate and the plating, and this adhesion amount is determined as the plating area, the theoretical density of Ni, Further, the Ni plating film thickness (plating speed) deposited per unit time was calculated by dividing by the plating time, and the plating time for forming a desired film thickness was calculated from the plating speed.

（Ａｇめっき膜の形成）
前処理後の基板、または前記Ｎｉめっき膜を形成した基板に、下記の方法で表１に示す膜厚および組成のＡｇめっき膜を形成した。 (Formation of Ag plating film)
An Ag plating film having the thickness and composition shown in Table 1 was formed by the following method on the substrate after the pretreatment or the substrate on which the Ni plating film was formed.

組成がＡｇ（純Ａｇ）であるＡｇめっき膜は、下記成分、液温５０℃のシアン浴で、対極をＡｇ（純度９９．９９％）板とし、電流密度：５Ａ／ｄｍ2で、光沢Ａｇめっきを施した。なお、Ａｇめっき膜の膜厚は、前記Ｎｉめっき膜の膜厚と同様に、ダミー基板へのめっきにより算出したＡｇのめっき速度に基づいて、めっき時間を調整することで制御した。
Ａｇめっき浴成分
シアン化銀カリウム(Ｉ)：５０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム ：４０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム ：３５ｇ／Ｌ
添加剤Ｃ ：３ｍｌ／Ｌ An Ag plating film having a composition of Ag (pure Ag) is a cyan bath having the following components and a liquid temperature of 50 ° C., a counter electrode is an Ag (purity 99.99%) plate, current density is 5 A / dm 2 , and gloss Ag Plating was applied. The film thickness of the Ag plating film was controlled by adjusting the plating time based on the Ag plating rate calculated by plating on the dummy substrate, similarly to the film thickness of the Ni plating film.
Ag plating bath component Silver potassium cyanide (I): 50 g / L
Potassium cyanide: 40 g / L
Potassium carbonate: 35 g / L
Additive C: 3 ml / L

組成がＡｇ−０．２ａｔ％Ｂｉ合金であるＡｇめっき膜は、液温２５℃の、Ｂｉ濃度：１００ｍｇ／ＬのＡｇ−Ｂｉ合金めっき浴で、対極をＰｔ板とし、電流密度：３Ａ／ｄｍ2で、Ａｇ−Ｂｉ合金めっきを施した。なお、Ａｇ−Ｂｉ合金めっき膜の膜厚は、ダミー基板に前記と同じ条件で一定時間めっきを施し、めっき膜の膜厚を断面ＳＥＭ観察により測定してめっき速度を算出し、めっき速度から所望の膜厚を形成するめっき時間を算出した。また、Ａｇめっき膜の組成を分析するために、ステンレス３０４をダミー基板として前記と同じ条件でめっき膜を形成した。このめっき膜をダミー基板から剥離させて硝酸で溶解後、溶解した硝酸の液を、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分光分析装置（ＩＣＰＳ−８０００、島津製作所製）を用いて分析することにより、組成を求めた。 An Ag plating film having a composition of Ag-0.2 at% Bi alloy is an Ag-Bi alloy plating bath with a liquid temperature of 25 ° C. and a Bi concentration of 100 mg / L. The counter electrode is a Pt plate and the current density is 3 A / dm. In Step 2 , Ag—Bi alloy plating was performed. The film thickness of the Ag-Bi alloy plating film is obtained by plating the dummy substrate for a certain period of time under the same conditions as described above, measuring the film thickness of the plating film by cross-sectional SEM observation, calculating the plating speed, and calculating the desired plating speed. The plating time for forming the film thickness was calculated. Further, in order to analyze the composition of the Ag plating film, a plating film was formed under the same conditions as described above using stainless steel 304 as a dummy substrate. The plating film is peeled off from the dummy substrate and dissolved in nitric acid, and then the dissolved nitric acid solution is analyzed using an ICP (inductively coupled plasma) emission spectroscopic analyzer (ICPS-8000, manufactured by Shimadzu Corporation) to obtain a composition. Asked.

（金属酸化膜の成膜）
Ａｇめっきを施した基板に、下記の方法で金属酸化膜を形成した。Ａｇめっき膜またはＮｉ／Ａｇめっき膜を形成した基板を、表１に示す金属酸化膜用の金属ターゲット（直径１０．１６ｃｍ（４インチφ）×厚さ５ｍｍ）を設けたスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。次に、真空ポンプでチャンバー内圧力が１．３×１０-3Ｐａ以下となるように真空排気した後、Ａｒガスをチャンバー内に導入してチャンバー内圧力を０．２７Ｐａに調整した。この状態で、前記金属ターゲットに直流電圧（出力１００Ｗ）を印加してスパッタリングを行い、Ａｇめっき膜の上に膜厚を変化させて金属膜を成膜し、チャンバーから取り出して大気中で金属膜を酸化させて金属酸化膜として、リードフレーム１の試料を作製した。 (Metal oxide film formation)
A metal oxide film was formed on the substrate plated with Ag by the following method. The substrate on which the Ag plating film or the Ni / Ag plating film was formed was placed in the chamber of a sputtering apparatus provided with a metal target (diameter 10.16 cm (4 inches φ) × thickness 5 mm) for the metal oxide film shown in Table 1. Arranged. Next, the chamber was evacuated with a vacuum pump so that the pressure in the chamber was 1.3 × 10 −3 Pa or less, and Ar gas was introduced into the chamber to adjust the pressure in the chamber to 0.27 Pa. In this state, a DC voltage (output 100 W) is applied to the metal target for sputtering, and a metal film is formed on the Ag plating film by changing the film thickness. As a metal oxide film, the lead frame 1 sample was produced.

〔測定、評価〕
得られたリードフレームの試料について、下記の方法で、金属酸化膜の膜厚を測定し、表面（金属酸化膜を形成した側の面、以下同じ）の二乗平均粗さＲｒｍｓを測定した。また、表面の正反射率を測定し、耐熱性および耐硫化性を評価した。結果を表１に示す。 [Measurement and evaluation]
With respect to the obtained lead frame sample, the thickness of the metal oxide film was measured by the following method, and the root mean square roughness Rrms of the surface (the surface on which the metal oxide film was formed, the same applies hereinafter) was measured. Moreover, the regular reflectance of the surface was measured and heat resistance and sulfidation resistance were evaluated. The results are shown in Table 1.

（金属酸化膜の膜厚の測定）
金属酸化膜の膜厚は、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を行って測定した。試料の表面について、全自動走行型Ｘ線光電子分光分析装置（Physical Electronics社製Quantera SXM）を用いて、表１に示す金属酸化膜に含まれる金属元素および酸素元素Ｏ、ならびにＡｇの各濃度を、表面から深さ方向へ測定した。測定条件は、Ｘ線源：単色化Ａｌ−Ｋα、Ｘ線出力：４３．７Ｗ、Ｘ線ビーム径：２００μｍ、光電子取出し角：４５°、Ａｒ+スパッタ速度：ＳｉＯ2換算で約０．６ｎｍ／分とした。金属酸化膜に含まれる金属元素の濃度が、最高濃度の１／２まで減少した深さを金属酸化膜の膜厚とした。 (Measurement of metal oxide film thickness)
The thickness of the metal oxide film was measured by performing X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Using the fully automated X-ray photoelectron spectrometer (Physical Electronics Quantera SXM) on the surface of the sample, the concentrations of metal element, oxygen element O, and Ag contained in the metal oxide film shown in Table 1 were determined. Measured from the surface in the depth direction. Measurement conditions were as follows: X-ray source: monochromatic Al—Kα, X-ray output: 43.7 W, X-ray beam diameter: 200 μm, photoelectron extraction angle: 45 °, Ar + sputtering rate: about 0.6 nm / in terms of SiO 2 Minutes. The depth at which the concentration of the metal element contained in the metal oxide film was reduced to ½ of the maximum concentration was taken as the film thickness of the metal oxide film.

（二乗平均粗さの測定）
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（ＳＰＩ−４０００、ＳＩＩ社製）を用いて、任意の３箇所の領域について表面の二乗平均粗さＲｒｍｓを測定した。測定条件は、たわみ量：−１．０、Ｉゲイン：０．２、Ｐゲイン：０．１、走査エリア：１０μｍ×１０μｍ、走査周波数：１Ｈｚとした。得られた３箇所の測定値から平均値を算出した。 (Measurement of root mean square roughness)
Using an atomic force microscope (AFM) (SPI-4000, manufactured by SII), the root mean square roughness Rrms of any three regions was measured. The measurement conditions were: deflection amount: -1.0, I gain: 0.2, P gain: 0.1, scanning area: 10 μm × 10 μm, and scanning frequency: 1 Hz. The average value was calculated from the measured values obtained at the three locations.

（正反射率の測定）
自動絶対反射率測定システム（日本分光株式会社製）を用いて、入射角５°、反射角５°の条件で、波長２５０〜８５０ｎｍまでの分光反射率を測定することにより正反射率を求め、７０％以上のものを合格とした。 (Measurement of regular reflectance)
Using an automatic absolute reflectance measurement system (manufactured by JASCO Corporation), the specular reflectance is obtained by measuring the spectral reflectance up to a wavelength of 250 to 850 nm under the conditions of an incident angle of 5 ° and a reflection angle of 5 °. 70% or more was accepted.

（耐熱性評価）
耐熱試験として、試料を、恒温槽内で１５０℃で６時間加熱し、引き続き２６０℃で５分間加熱した。試験後、前記と同様の方法で表面の正反射率を測定し、耐熱試験による正反射率の低下が５ポイント未満のものを合格とした。 (Heat resistance evaluation)
As a heat resistance test, the sample was heated in a thermostatic bath at 150 ° C. for 6 hours and subsequently heated at 260 ° C. for 5 minutes. After the test, the regular reflectance of the surface was measured by the same method as described above, and a test piece with a decrease in regular reflectance by a heat resistance test of less than 5 points was accepted.

（耐硫化性評価）
耐硫化試験として、硫化水素濃度３ｐｐｍ、温度４０℃、湿度８０％に調整したチャンバー内に、試料を９６時間暴露した。試験後、前記と同様に正反射率を測定し、耐硫化試験による正反射率の低下が２０ポイント未満のものを合格とした。 (Sulfuration resistance evaluation)
As a sulfidation resistance test, a sample was exposed for 96 hours in a chamber adjusted to a hydrogen sulfide concentration of 3 ppm, a temperature of 40 ° C., and a humidity of 80%. After the test, the regular reflectance was measured in the same manner as described above, and a test in which the decrease in regular reflectance by the sulfidation resistance test was less than 20 points was accepted.

Figure 0005602578
Figure 0005602578

表１に示すように、試料Ｎｏ．１〜１２は、Ａｇめっき膜の膜厚が本発明の範囲であるために表面の二乗平均粗さが十分に小さく、さらに金属酸化膜の成分および膜厚が本発明の範囲であるため、初期反射率が高く、優れた耐熱性および耐硫化性を示した。特に、耐硫化試験による劣化が抑制されたことから、金属酸化膜がＡｇめっき膜へのバリア性を十分に有することが確認できた。また、試料Ｎｏ．４は、Ａｇめっき膜が薄くても、その下地としてＮｉめっき膜を設けたことにより、Ｎｉめっき膜を設けずに、Ａｇ（純Ａｇ）めっき膜および金属（Ｔａ）酸化膜をそれぞれ同じ膜厚で形成した試料Ｎｏ．１と比較して、耐熱性が向上した。   As shown in Table 1, sample no. 1 to 12, since the thickness of the Ag plating film is within the range of the present invention, the root mean square roughness of the surface is sufficiently small, and the component and film thickness of the metal oxide film are within the range of the present invention. High reflectivity and excellent heat resistance and sulfidation resistance. In particular, since the deterioration due to the sulfidation resistance test was suppressed, it was confirmed that the metal oxide film had a sufficient barrier property to the Ag plating film. Sample No. No. 4, even if the Ag plating film is thin, the Ni plating film is provided as the base, so that the Ag (pure Ag) plating film and the metal (Ta) oxide film have the same thickness without providing the Ni plating film. Sample No. Compared with 1, the heat resistance was improved.

これに対して、試料Ｎｏ．１７は、十分な膜厚のＮｉ／Ａｇめっき膜を形成したことにより初期反射率は高かったが、表面に金属酸化膜を形成しなかったために耐熱試験、耐硫化試験によるＡｇめっき膜の劣化が著しく、反射率が劣化した。また、試料Ｎｏ．１４，１５は、金属酸化膜の膜厚が不足し、保護膜として十分な効果が得られなかった。特に試料Ｎｏ．１４は、Ｎｉめっき膜を形成せずかつＡｇめっき膜の膜厚が不足したため、下地表面が粗い上に薄い金属酸化膜を成膜したために、ピンホールを生じたと推察され、試料Ｎｏ．１５よりも耐久性がさらに低下した。同様に試料Ｎｏ．１３は、金属酸化膜の膜厚は本発明の範囲であるが、下地表面が粗かったためにピンホールを生じたと推察され、保護膜として十分な効果が得られなかった。また、試料Ｎｏ．１３，１４は、Ｎｉめっき膜を形成せずかつＡｇめっき膜の膜厚が不足したことにより、耐熱試験により基板のＣｕが表面に拡散して酸化し、表面が変色して反射率が劣化した。一方、試料Ｎｏ．１６は、金属酸化膜の膜厚が過剰であるために、初期反射率が低下した。   In contrast, sample no. No. 17 had a high initial reflectivity due to the formation of a sufficiently thick Ni / Ag plating film, but since the metal oxide film was not formed on the surface, the Ag plating film deteriorated due to the heat resistance test and the sulfidation resistance test. The reflectivity deteriorated remarkably. Sample No. In Nos. 14 and 15, the metal oxide film was insufficient in thickness, and a sufficient effect as a protective film could not be obtained. In particular, sample no. No. 14 was presumed that a pinhole was formed because the Ni plating film was not formed and the film thickness of the Ag plating film was insufficient, so that the base surface was rough and the thin metal oxide film was formed. The durability was further lowered than 15. Similarly, sample no. No. 13, although the thickness of the metal oxide film was within the range of the present invention, it was presumed that a pinhole was generated because the base surface was rough, and a sufficient effect as a protective film could not be obtained. Sample No. In Nos. 13 and 14, since the Ni plating film was not formed and the film thickness of the Ag plating film was insufficient, Cu of the substrate diffused and oxidized on the surface by the heat resistance test, the surface was discolored and the reflectance was deteriorated. . On the other hand, sample No. In No. 16, the initial reflectance decreased because the metal oxide film was excessive.

試料Ｎｏ．１８は本発明の金属酸化膜ではないＳｎ酸化膜を形成したが、Ｓｎ膜を２ｎｍの厚さで成膜すると、下地の表面粗さにかかわらずＳｎはお互いに凝集し合って島状に分散した状態で付着するために、大気中で酸化した後も平滑な膜に形成されなかった。そのため、Ｓｎ酸化膜は、表面の二乗平均粗さが大きくて初期反射率が低く、さらに連続した膜としてＡｇめっき膜を完全には被覆せず、保護膜としての効果が得られなかった。   Sample No. No. 18 formed a Sn oxide film which is not a metal oxide film of the present invention. However, when the Sn film is formed to a thickness of 2 nm, Sn aggregates and disperses in an island shape regardless of the surface roughness of the base. Therefore, even after oxidation in the atmosphere, a smooth film was not formed. For this reason, the Sn oxide film has a large surface mean square roughness and low initial reflectance, and further, the Ag plating film is not completely covered as a continuous film, and the effect as a protective film cannot be obtained.

１，１Ａ，１Ｂ リードフレーム（ＬＥＤ用リードフレーム）
１１，１１Ａ 基板
１２ Ｎｉめっき膜
１３ Ａｇめっき膜
１４ Ｎｉ／Ａｇめっき膜
１５ 金属酸化膜 1,1A, 1B Lead frame (LED lead frame)
11, 11A Substrate 12 Ni plating film 13 Ag plating film 14 Ni / Ag plating film 15 Metal oxide film

Claims (2)

銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成された膜厚０．６μｍ以上８μｍ以下のＡｇめっき膜と、を備え、
さらに前記Ａｇめっき膜上に、Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属または２種以上からなる合金のいずれかの金属酸化膜を膜厚０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成されて備え、
前記金属酸化膜を備えた側の表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とするＬＥＤ用リードフレーム。 A substrate made of copper or a copper alloy, and an Ag plating film having a thickness of 0.6 μm or more and 8 μm or less formed on at least one side of the substrate,
Further, a metal oxide film of one kind of metal selected from V , Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W or an alloy composed of two or more kinds is formed on the Ag plating film with a thickness of 0. It is formed to be 5 nm or more and 15 nm or less,
An LED lead frame, wherein the surface having the metal oxide film has a root mean square roughness of 30 nm or less. 銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成された膜厚０．５μｍ以上のＮｉめっき膜と、このＮｉめっき膜上に形成された膜厚０．２μｍ以上のＡｇめっき膜と、を備えて、前記Ｎｉめっき膜と前記Ａｇめっき膜の膜厚の合計が８μｍ以下であり、
さらに前記Ａｇめっき膜上に、Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属または２種以上からなる合金のいずれかの金属酸化膜を膜厚０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成されて備え、
前記金属酸化膜を備えた側の表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とするＬＥＤ用リードフレーム。 A substrate made of copper or a copper alloy, a Ni plating film having a thickness of 0.5 μm or more formed on at least one side of the substrate, and an Ag plating having a thickness of 0.2 μm or more formed on the Ni plating film A total film thickness of the Ni plating film and the Ag plating film is 8 μm or less,
Further, a metal oxide film of one kind of metal selected from V , Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W or an alloy composed of two or more kinds is formed on the Ag plating film with a thickness of 0. It is formed to be 5 nm or more and 15 nm or less,
An LED lead frame, wherein the surface having the metal oxide film has a root mean square roughness of 30 nm or less.
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