JP5600710B2 - Method for loading a substrate onto a substrate table, device manufacturing method, computer program, data carrier, and apparatus - Google Patents

Method for loading a substrate onto a substrate table, device manufacturing method, computer program, data carrier, and apparatus Download PDF

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Description

本発明は、リソグラフィプロセスにおいて第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、およびデータキャリアに関する。本方法はさらに、リソグラフィ装置内の、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築された装置に関する。   The present invention relates to a method for loading a first object onto a second object in a lithography process, a device manufacturing method, a computer program and a data carrier. The method further relates to an apparatus in the lithographic apparatus constructed to hold a first object on a second object.

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路(IC)の製造時に使用される。その場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用し、ICの個々の層に形成しようとする回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(たとえば、シリコンウェーハ)上の(たとえば、ダイの一部、1つのダイ、またはいくつかのダイを含む)ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)の層上への結像による。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、パターン全体を1回でターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向(「スキャン」方向)で放射ビームを介してパターンをスキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行で基板を同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。   A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In that case, a patterning device, optionally referred to as a mask or reticle, may be used to generate a circuit pattern to be formed on an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg including part of, one, or several dies) on a substrate (eg a silicon wafer). Pattern transfer is generally by imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned. In known lithographic apparatus, each target portion is irradiated by exposing the entire pattern onto the target portion in one go, a so-called stepper and a pattern via a radiation beam in a given direction (“scan” direction) While scanning the substrate synchronously or parallel to this direction, each target portion is illuminated so-called scanner. It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.

基板が基板テーブル上で位置決めされるとき、基板内で熱応力および機械的応力が誘起される可能性があり、質の高いパターン転写に負の影響を及ぼすおそれがある。したがって、応力を低減することが目的である。   When the substrate is positioned on the substrate table, thermal and mechanical stresses can be induced in the substrate, which can negatively affect high quality pattern transfer. Therefore, the purpose is to reduce stress.

一態様によれば、リソグラフィプロセスにおいて第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすること、
b)ある時間量だけ待つこと、
c)第1のオブジェクトおよび第2のオブジェクトを含む群の少なくとも1つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
According to one aspect, a method for loading a first object onto a second object in a lithography process comprising:
a) loading a first object onto a second object;
b) waiting for a certain amount of time,
c) A method is provided that includes performing a stress relaxation action to relieve stress experienced by at least one member of the group comprising the first object and the second object.

本発明の一態様によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写することを含み、本方法を実施することを含むデバイス製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising transferring a pattern from a patterning device onto a substrate and performing the method.

本発明の他の態様によれば、コンピュータ装置上にロードされたとき、本方法を実施するように構成されているコンピュータプログラムが提供される。   According to another aspect of the invention, there is provided a computer program configured to perform the method when loaded on a computer device.

また、そのコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。   A data carrier including the computer program is also provided.

他の態様によれば、リソグラフィ装置内の、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築された装置であって、
− 第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードするロード手段と、
− 第1のオブジェクトおよび第2のオブジェクトを含む少なくとも1つのメンバが受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施するための応力緩和手段とを備え、
第1のオブジェクトをロードすることの間で、ある時間量だけ待つように構成されている装置が提供される。
According to another aspect, an apparatus in a lithographic apparatus constructed to hold a first object on a second object,
-A loading means for loading the first object onto the second object;
-Stress relaxation means for performing a stress relaxation action for removing stress experienced by at least one member comprising the first object and the second object;
An apparatus is provided that is configured to wait a certain amount of time between loading the first object.

次に、例示にすぎないが、本発明の諸実施形態について、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して述べる。   By way of example only, embodiments of the invention will now be described with reference to the accompanying schematic drawings, in which corresponding reference symbols indicate corresponding parts.

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. 一実施形態による基板サポートの概略的な横断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate support according to one embodiment. 一実施形態による基板サポートの概略的な上面図である。2 is a schematic top view of a substrate support according to one embodiment. FIG. 一実施形態による基板テーブルの概略的な横断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate table according to one embodiment. 一実施形態による基板テーブルの概略的な横断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate table according to one embodiment. 一実施形態による基板サポートの概略的な横断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate support according to one embodiment. 一実施形態による基板サポートの概略的な上面図である。2 is a schematic top view of a substrate support according to one embodiment. FIG. 一実施形態による基板サポートの概略図である。2 is a schematic view of a substrate support according to one embodiment. FIG. 一実施形態によるコンピュータの概略図である。1 is a schematic diagram of a computer according to one embodiment. FIG.

図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
− 放射ビームB(たとえば、UV放射またはEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(たとえば、マスク)MAを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造(たとえば、マスクテーブル)MTと、
− 基板(たとえば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえば、ウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの(たとえば、1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に投影するように構成された投影システム(たとえば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
FIG. 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. This device
An illumination system (illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (eg UV radiation or EUV radiation);
A support structure (eg mask table) constructed to support the patterning device (eg mask) MA and connected to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device according to several parameters MT,
A substrate table (eg a wafer table) constructed to hold a substrate (eg a resist coated wafer) W and connected to a second positioner PW configured to accurately position the substrate according to several parameters WT,
A projection system (eg a refractive projection lens system) configured to project a pattern imparted to the radiation beam B by the patterning device MA onto a target portion C (eg comprising one or more dies) of the substrate W ) PS.

他の要素を含むことができる他のリソグラフィ装置が存在する、または考えることができることは理解されよう。たとえば、ステッパまたはマスクレス露光ツールは、第1ポジショナPMを有していないことがある。   It will be appreciated that other lithographic apparatus can be present or envisioned that may include other elements. For example, a stepper or maskless exposure tool may not have the first positioner PM.

照明システムは、放射を誘導する、形作る、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。   The illumination system can be of various types, such as refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic, or other types of optical components, or any combination thereof, to induce, shape, or control radiation Types of optical components may be included.

サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支承する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる仕方でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用することがあればそれは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。   The support structure supports the patterning device, i.e. bears the weight of the patterning device. The support structure holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and other conditions, such as for example whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure can use mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques to hold the patterning device. The support structure may be a frame or table, for example, which may be fixed or movable as required. The support structure may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device.”

本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。   As used herein, the term “patterning device” refers to any device that can be used to provide a pattern in its cross-section to a radiation beam so as to produce a pattern in a target portion of a substrate. Should be interpreted broadly. It should be noted that the pattern imparted to the radiation beam may not correspond exactly to the desired pattern in the target portion of the substrate, for example if the pattern includes phase shift features, or so-called assist features. In general, the pattern imparted to the radiation beam will correspond to a particular functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.

パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。   The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography, and include mask types such as binary, alternating phase shift, attenuated phase shift, and various hybrid mask types. One example of a programmable mirror array uses a matrix configuration of small mirrors, each of which can be individually tilted to reflect the incoming radiation beam in various directions. The tilting mirror provides a pattern in the radiation beam reflected by the mirror matrix.

本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用することがあればそれは、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。   As used herein, the term “projection system” refers to a refractive optical system, a reflective optical system as appropriate for the exposure radiation used or for other factors such as the use of immersion liquid or the use of vacuum. Should be construed broadly to encompass any type of projection system, including catadioptric optical systems, magneto-optical systems, electromagnetic optical systems, electrostatic optical systems, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.

本明細書では、本装置は、(たとえば、透過マスクを使用する)透過タイプのものである。別法として、本装置は、(たとえば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する)反射タイプのものとすることができる。   As used herein, the apparatus is of a transmissive type (eg, using a transmissive mask). Alternatively, the apparatus can be of a reflective type (eg, using a programmable mirror array of the type referred to above or using a reflective mask).

リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(および/または2つ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加のテーブルを同時に使用することができ、あるいは、1つまたは複数の他のテーブルが露光用に使用されている間に、1つまたは複数のテーブル上で準備工程を実施することができる。   The lithographic apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such “multi-stage” machines, additional tables can be used simultaneously, or on one or more tables while one or more other tables are used for exposure. A preparatory step can be performed.

リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることができる。また、液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、マスクと投影システムの間で与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大することで、当技術分野で周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しておらず、逆に、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。   The lithographic apparatus can also be of a type that can cover at least a portion of the substrate with a liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill a space between the projection system and the substrate. An immersion liquid may also be applied to other spaces in the lithographic apparatus, for example, between the mask and the projection system. Immersion techniques are well known in the art by increasing the numerical aperture of projection systems. As used herein, the term “immersion” does not imply that a structure, such as a substrate, must be submerged in a liquid, and conversely, the liquid is exposed to the projection system and the substrate during exposure. It just means that it is in between.

図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザであるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、たとえば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILに渡される。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ばれることがある。   Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. The radiation source and the lithographic apparatus can be separate, for example when the radiation source is an excimer laser. In such a case, the radiation source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is emitted from the radiation source SO, for example with the aid of a beam delivery system BD equipped with suitable guiding mirrors and / or beam expanders. Passed to IL. In other cases the source may be an integral part of the lithographic apparatus, for example when the source is a mercury lamp. Radiation source SO and illuminator IL may be referred to as a radiation system, optionally with a beam delivery system BD.

イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(一般にそれぞれσ−outerおよびσ−innerと呼ばれる)を調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなど、様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用し、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節することができる。   The illuminator IL may include an adjuster AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, at least the outer and / or inner radius ranges (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution in the pupil plane of the illuminator can be adjusted. Furthermore, the illuminator IL may comprise various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. An illuminator can be used to adjust the radiation beam to have the desired uniformity and intensity distribution in its cross section.

放射ビームBは、サポート構造(たとえば、マスクテーブルMT)上で保持されているパターニングデバイス(たとえば、マスクMA)上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームBは、マスクMAを横切って、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に集束する。基板テーブルWTは、第2ポジショナPWおよび位置センサIF(たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ)の助けにより、たとえば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第1ポジショナPMと(図1には明示的に図示されない)別の位置センサを使用し、マスクMAを、たとえばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。(スキャナではなく)ステッパの場合には、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータだけに接続することも、固定とすることもできる。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2、および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間内に位置してもよい(これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる)。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。   The radiation beam B is incident on the patterning device (eg, mask MA), which is held on the support structure (eg, mask table MT), and is patterned by the patterning device. The radiation beam B traverses the mask MA and passes through the projection system PS, which focuses the beam onto the target portion C of the substrate W. The substrate table WT is adapted, for example, to position various target portions C in the path of the radiation beam B with the aid of a second positioner PW and a position sensor IF (eg interferometer device, linear encoder or capacitive sensor). Can move accurately. Similarly, using the first positioner PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1), the radiation beam is emitted after the mask MA has been mechanically removed, for example from a mask library, or during a scan. It is possible to accurately position with respect to the path B. In general, the movement of the mask table MT can be realized with the aid of a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine movement positioning) which form part of the first positioner PM. Similarly, movement of the substrate table WT can be achieved using a long stroke module and a short stroke module that form part of the second positioner PW. In the case of a stepper (not a scanner), the mask table MT can be connected only to a short stroke actuator or can be fixed. Mask MA and substrate W may be aligned using mask alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. The substrate alignment marks in the figure occupy dedicated target portions, but may be located in the space between target portions (these are known as scribe lane alignment marks). Similarly, in situations where multiple dies are provided on the mask MA, the mask alignment marks may be located between the dies.

図の装置は、以下のモードの少なくとも1つで使用することができる。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分C上に1回で投影される(すなわち、単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影されている間に、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが同期してスキャンされる(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)倍率と像反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向での)幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の(スキャン方向での)高さが決定される。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止したままであり、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影されている間に、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中、連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
The depicted apparatus can be used in at least one of the following modes:
1. In step mode, the mask table MT and the substrate table WT remain essentially stationary, while the entire pattern imparted to the radiation beam is projected once onto the target portion C (ie, a single static exposure). The substrate table WT is then shifted in the X and / or Y direction so that a different target portion C can be exposed. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C imaged in a single static exposure.
2. In scan mode, the mask table MT and the substrate table WT are scanned synchronously (ie, a single dynamic exposure) while the pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C. The speed and direction of the substrate table WT relative to the mask table MT may be determined by the (reduction) magnification and image reversal characteristics of the projection system PS. In scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width of the target portion (in the non-scan direction) in a single dynamic exposure, while the length of the scan motion increases the height of the target portion (in the scan direction). Is determined.
3. In another mode, the mask table MT remains essentially stationary holding the programmable patterning device and the substrate table WT is projected while the pattern imparted to the radiation beam is projected onto the target portion C. Moved or scanned. In this mode, a pulsed radiation source is generally used, and the programmable patterning device is updated as needed after each movement of the substrate table WT or between successive radiation pulses during the scan. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as referred to above.

上述の使用モードに対する組合せおよび/または変形形態、または全く異なる使用モードをも使用することができる。   Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be employed.

図2および図3は、それぞれ一実施形態による基板サポートの側面図および上面図を示す。基板サポートは、全体的に符号1で示されている。基板サポート1は、基板テーブルWTが上に配置される(またおそらくはクランプされる)サポート構造2(たとえば、チャックとも呼ばれるミラーブロック)を備える。   2 and 3 show a side view and a top view, respectively, of a substrate support according to one embodiment. The substrate support is generally designated 1. The substrate support 1 comprises a support structure 2 (eg a mirror block, also called a chuck) on which the substrate table WT is placed (and possibly clamped).

基板サポート1の上側は、基板Wを基板サポート1上でクランプするための真空クランプ4を備える。基板サポート1は、しばしばeピンと呼ばれる、他の3つの収縮可能なピン5を備え、これらのピンは、ピン5が基板サポート1から延びる伸長位置と、ピン5が基板サポート1内に収縮される収縮位置との間で、基板サポート1に対して移動可能である。   The upper side of the substrate support 1 includes a vacuum clamp 4 for clamping the substrate W on the substrate support 1. The substrate support 1 comprises three other retractable pins 5, often referred to as e-pins, which are extended positions where the pins 5 extend from the substrate support 1 and the pins 5 are retracted into the substrate support 1. It can move with respect to the substrate support 1 between the contracted positions.

図2が可能な実施形態を示すことは理解されよう。他の実施形態によれば、eピン5は基板サポート1の一部でなくてもよく、サポート構造、および/または基板サポート1を支持するある構造の一部であってもよい。たとえば、eピン5はまた、図1を参照して述べた第2ポジショナPWの一部とすることができる。収縮可能なピン5は、実質的に垂直な方向、すなわちピン5によって支持されることになる基板Wの主平面に対して実質的に直交する方向で移動可能である。収縮可能なピン5は、基板サポート1と、ロボットまたは任意の他のタイプの基板ハンドラとの間で基板Wを移送するために使用することができる。収縮可能なピン5は、基板Wを支持するために基板Wの下にロボットを配置することができるように設けられる。ロボットが基板Wを側部または上部で保持するように構成されるとき、収縮可能なピン5は省かれてもよい。   It will be appreciated that FIG. 2 illustrates a possible embodiment. According to other embodiments, the e-pin 5 may not be part of the substrate support 1 and may be part of a support structure and / or a structure that supports the substrate support 1. For example, the e-pin 5 can also be part of the second positioner PW described with reference to FIG. The retractable pins 5 are movable in a substantially vertical direction, i.e. in a direction substantially perpendicular to the main plane of the substrate W to be supported by the pins 5. The retractable pins 5 can be used to transfer a substrate W between the substrate support 1 and a robot or any other type of substrate handler. The retractable pins 5 are provided so that a robot can be placed under the substrate W to support the substrate W. When the robot is configured to hold the substrate W side or top, the retractable pins 5 may be omitted.

ロボットは、伸長位置で基板Wをピン5上に配置することができる。次いで、ピン5を収縮位置に移動することができ、その結果、基板Wは、基板サポート1の支持表面上で止まる。基板サポート1によって支持された基板Wがパターン付き放射ビームで露光された後で、その基板を別の基板と交換することができる。基板Wを交換するために、収縮位置から伸長位置に移動される収縮可能なピン5によって、基板Wが基板テーブルWTから持ち上げられる。ピン5が伸長位置にあるとき、基板Wは、ロボットまたは任意の他のタイプの基板ハンドラで運んでゆくことができる。   The robot can place the substrate W on the pin 5 in the extended position. The pin 5 can then be moved to the retracted position, so that the substrate W stops on the support surface of the substrate support 1. After the substrate W supported by the substrate support 1 is exposed with the patterned radiation beam, it can be exchanged for another substrate. In order to replace the substrate W, the substrate W is lifted from the substrate table WT by retractable pins 5 which are moved from the contracted position to the extended position. When the pins 5 are in the extended position, the substrate W can be carried by a robot or any other type of substrate handler.

真空クランプ4は、封止リム7によって囲まれる陥凹表面6によって形成される。陥凹表面6、封止リム7、および基板サポート1上に配置された、または配置されることになる基板Wによって境界を画された真空空間内で低圧を生み出すために、空気吸込導管8が設けられる。空気吸込導管8は、空気を真空空間から抜き取るために、空気吸込ポンプPUに接続される。この低圧は、支持用表面の上方の基板Wを基板サポート1に向かって引き寄せる真空力をもたらす。   The vacuum clamp 4 is formed by a recessed surface 6 surrounded by a sealing rim 7. In order to create a low pressure in the vacuum space bounded by the recessed surface 6, the sealing rim 7 and the substrate W placed or to be placed on the substrate support 1, an air suction conduit 8 is provided. Provided. The air suction conduit 8 is connected to the air suction pump PU in order to extract air from the vacuum space. This low pressure provides a vacuum force that pulls the substrate W above the support surface toward the substrate support 1.

陥凹表面6内には、いくつかのバール(突起)9が配置される。バール9の上端は、基板サポート1上に配置されることになる基板W用の支持表面を提供する。封止リム7、およびバール9の上端は、基板Wを比較的小さな接触面積で支持するために実質的に平坦な表面を提供するように、実質的に同じ平面内で配置される可能性がある。封止リム7は、シールとして働き、基板Wと接触する必要はない。制御された漏れを生み出すように、非常に小さな間隙が基板Wとリム7の間に存在してもよい。   In the recessed surface 6 are arranged several bars 9 (projections) 9. The upper end of the burl 9 provides a support surface for the substrate W to be placed on the substrate support 1. The sealing rim 7 and the upper end of the burl 9 may be arranged in substantially the same plane so as to provide a substantially flat surface for supporting the substrate W with a relatively small contact area. is there. The sealing rim 7 acts as a seal and does not need to contact the substrate W. A very small gap may exist between the substrate W and the rim 7 to create a controlled leak.

基板サポート1の一実施形態では、2つ以上の真空クランプをクランプデバイスとして設けることができる。実際には、静電クランプ、磁気クランプ、または電磁クランプなど、他のタイプのクランプデバイスを、基板Wに対して加えられる引力をもたらすために設けることができる。   In one embodiment of the substrate support 1, more than one vacuum clamp can be provided as a clamping device. In practice, other types of clamping devices such as electrostatic clamps, magnetic clamps, or electromagnetic clamps can be provided to provide an attractive force applied to the substrate W.

基板Wが基板テーブルWT上で位置決めされ基板テーブルWTにクランプされているとき、基板Wの温度と基板テーブルWTの温度は、分布においても合計においても異なる可能性がある。また、温度差は、基板W内で、または基板テーブルWT内で存在する可能性がある。基板Wが基板テーブルWT上で位置決めされた後で、これらの温度差は中和し、温度平衡に至ることになる。これらの変化する温度の結果として、基板Wおよび基板テーブルWTは変形する可能性があり、熱応力を受けることになる。したがって、基板Wは、基板テーブルWT上にクランプされ、ロード直前のその初期温度が基板テーブルWTの温度から逸脱するとき、または基板Wおよび/または基板テーブルWTがロード前に初期温度差を有するとき、熱応力を受ける可能性がある。熱応力は、基板Wを基板テーブルの上で(バール9の上で)滑らせるおそれがあり、これは、位置決め誤差に通じる。   When the substrate W is positioned on the substrate table WT and clamped to the substrate table WT, the temperature of the substrate W and the temperature of the substrate table WT may be different both in distribution and in total. Also, the temperature difference may exist in the substrate W or in the substrate table WT. After the substrate W is positioned on the substrate table WT, these temperature differences are neutralized and temperature equilibrium is reached. As a result of these changing temperatures, the substrate W and the substrate table WT can deform and experience thermal stress. Thus, the substrate W is clamped on the substrate table WT and when its initial temperature just before loading deviates from the temperature of the substrate table WT, or when the substrate W and / or the substrate table WT has an initial temperature difference before loading , May be subject to thermal stress. Thermal stress can cause the substrate W to slide on the substrate table (on the burl 9), which leads to positioning errors.

また、基板W内の応力は、基板Wを基板テーブルWT上で位置決めすることによって誘発されることもある。たとえば、基板Wが、伸長位置にある収縮可能なピン5上に配置されるとき、基板Wは、最初に1つのピン5に触れてから他のピン5に触れる可能性がある。これは、負荷誘発応力と呼ばれる機械的応力を引き起こす可能性がある。   The stress in the substrate W may also be induced by positioning the substrate W on the substrate table WT. For example, when the substrate W is placed on the retractable pins 5 in the extended position, the substrate W may touch one pin 5 first and then the other pin 5. This can cause mechanical stress called load induced stress.

基板Wが基板テーブルWT上に配置される(またおそらくはクランプされる)とき応力が誘発される可能性があることは理解されよう。基板負荷誘発応力および熱応力は、大きなオーバーレイの誘因である。   It will be appreciated that stress may be induced when the substrate W is placed (and possibly clamped) on the substrate table WT. Substrate load induced stress and thermal stress are the incentives for large overlays.

基板Wが、望ましいものでない別の形態でクランプされる可能性があるため、リソグラフィ装置の投影のオーバーレイ性能が低下するおそれがあり、これは、製品品質に対して負の影響を有するおそれがある。   Since the substrate W may be clamped in another form that is not desirable, the projection overlay performance of the lithographic apparatus may be degraded, which may have a negative impact on product quality. .

熱応力を低減するための可能な方法は、基板Wの温度を正確に制御し、基板Wを基板テーブルWTにロードする前に、基板テーブルWTの温度に合致させることである。しかし、これは、デバイスで基板W(およびおそらくは基板テーブルWT)の温度を測定および制御することを必要とする、時間のかかる方法である。したがって、基板温度を正確に制御することは、比較的複雑かつコストのかかるものであり、スループットが犠牲になる。   A possible way to reduce the thermal stress is to accurately control the temperature of the substrate W and match the temperature of the substrate table WT before loading the substrate W onto the substrate table WT. However, this is a time consuming method that requires the device to measure and control the temperature of the substrate W (and possibly the substrate table WT). Thus, accurately controlling the substrate temperature is relatively complex and costly, at the expense of throughput.

上述のように発生する可能性がある熱応力および負荷誘発応力を克服するための実施形態が提供される。ここに提供されている実施形態によれば、最初に第1のオブジェクトがリソグラフィ装置内で第2のオブジェクト上にロードされ、温度差を平衡させることができる所定の整定時間間隔後に、第1のオブジェクトおよび/または第2のオブジェクトが応力緩和する、または応力のないものになることができる応力緩和アクションが実施される。上述のように、第1のオブジェクトは、第2のオブジェクト上にロードされクランプされたとき、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間の摩擦により応力緩和することができない可能性がある。したがって、応力緩和アクションは、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間の摩擦を低減することを含む。第1のオブジェクトは基板とすることができ、第2のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができる。代替によれば、第1のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができ、第2のオブジェクトは、基板テーブルWTを支持するサポート構造2とすることができる。サポート構造は、チャックまたはミラーブロックとも呼ばれることがある。   Embodiments are provided to overcome thermal and load induced stresses that can occur as described above. According to the embodiment provided herein, the first object is first loaded onto the second object in the lithographic apparatus, and after a predetermined settling time interval that can balance the temperature difference, the first object A stress relaxation action is performed that allows the object and / or the second object to be stress relaxed or stress free. As described above, when the first object is loaded and clamped on the second object, it may not be able to relieve stress due to friction between the first object and the second object. Thus, the stress relaxation action includes reducing friction between the first object and the second object. The first object can be a substrate and the second object can be a substrate table WT. According to an alternative, the first object can be the substrate table WT and the second object can be the support structure 2 that supports the substrate table WT. The support structure may also be referred to as a chuck or a mirror block.

摩擦の低減は、第1のオブジェクトを支持する第2のオブジェクトによって加えられる法線力を低減することによって行うことができる。これを行うためのいくつかの実施形態について下記で述べる。   Friction can be reduced by reducing the normal force applied by the second object that supports the first object. Several embodiments for doing this are described below.

リソグラフィ装置において第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすること、
b)ある待ち時間量だけ待つこと、
c)応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
A method of loading a first object onto a second object in a lithographic apparatus, comprising:
a) loading a first object onto a second object;
b) wait for a certain amount of waiting time,
c) A method is provided that includes performing a stress relaxation action.

さらに、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築されたリソグラフィ装置であって、
a)第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードし、
b)ある待ち時間量だけ待ち、
c)応力緩和アクションを実施するように構成されているリソグラフィ装置が提供される。
Furthermore, a lithographic apparatus constructed to hold a first object on a second object,
a) load the first object onto the second object;
b) Wait for a certain amount of waiting time,
c) A lithographic apparatus configured to perform stress relaxation actions is provided.

第1のオブジェクトは基板Wとすることができ、第2のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができる。一実施形態によれば、第1のオブジェクトは基板テーブルWTとすることができ、第2のオブジェクトは、基板テーブルWTを支持するためのサポート構造2とすることができる。   The first object can be a substrate W and the second object can be a substrate table WT. According to one embodiment, the first object can be a substrate table WT and the second object can be a support structure 2 for supporting the substrate table WT.

さらに、パターンをパターニングデバイスから基板W上に転写することを含み、実施形態に述べられている方法の1つを実施することを含むデバイス製造方法が提供される。   Furthermore, a device manufacturing method is provided that includes transferring the pattern from the patterning device onto the substrate W and that includes performing one of the methods described in the embodiments.

そのような応力緩和アクションの例が下記の実施形態で提供されている。   Examples of such stress relaxation actions are provided in the following embodiments.

一実施形態では、第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードすることと応力緩和アクションを実施することの間で待つための待ち時間が、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間で部分的な温度平衡を達成するように選択される。たとえば、基板Wと基板テーブルWTの間の数ケルビンの初期温度差を100〜150mK程度の差に整定する必要がある場合、その温度差を平衡させるのに、約3秒の時間間隔が適切となる可能性がある。ここで、150mKは、許容される温度の最大と考えることができる。当然ながら、この時間間隔は、初期温度差、および材料の温度特性に依存する。一実施形態では、待つための時間間隔は、たとえば予想温度差または最悪の場合の温度差、および温度差を整定するためのモデルに基づいて、予め決定される。   In one embodiment, the waiting time to wait between loading the first object on the second object and performing the stress relaxation action is a portion between the first object and the second object. Is selected to achieve optimal temperature equilibrium. For example, when an initial temperature difference of several Kelvin between the substrate W and the substrate table WT needs to be set to a difference of about 100 to 150 mK, a time interval of about 3 seconds is appropriate to balance the temperature difference. There is a possibility. Here, 150 mK can be considered as the maximum allowable temperature. Of course, this time interval depends on the initial temperature difference and the temperature characteristics of the material. In one embodiment, the time interval to wait is predetermined based on, for example, an expected or worst case temperature difference and a model for settling the temperature difference.

応力緩和アクションは、熱応力および負荷誘発応力を含めて、第1のオブジェクトおよび第2のオブジェクト内の応力を低減するように実施される。   The stress relaxation action is performed to reduce stress in the first object and the second object, including thermal stress and load induced stress.

アクションb)、すなわち、ある待ち時間量だけ待つことは、このアクション中に、それ以上の、または他のアクションを実施することができないことを意味するわけではないことは理解されよう。たとえば、所定の整定間隔だけ待つ間、基板Wがロードされる基板テーブルWTを、ロード位置から、基板Wに対して測定を実施する(形状、向き、位置などを測定する)ことができる測定位置に、または露光位置に移動させることができる。   It will be appreciated that action b), ie waiting for a certain amount of waiting time, does not mean that no further or other actions can be performed during this action. For example, while waiting for a predetermined settling interval, a measurement position at which a substrate table WT on which a substrate W is loaded can be measured (measured in shape, orientation, position, etc.) from the load position. Or to the exposure position.

(実施形態1)
一実施形態によれば、応力緩和アクションは、クランプデバイスによって加えられるクランプ力を一時的に低減することを含む。
(Embodiment 1)
According to one embodiment, the stress relaxation action includes temporarily reducing the clamping force applied by the clamping device.

上述のように、基板Wが基板テーブルWT上にロードされたとき、クランプデバイスを用意することができ、適用することができる。クランプデバイスは、基板に対して加えられる引力をもたらすことによって、基板Wを基板テーブルWTにクランプする。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。   As described above, when the substrate W is loaded onto the substrate table WT, a clamping device can be prepared and applied. The clamping device clamps the substrate W to the substrate table WT by providing an attractive force applied to the substrate. The clamping device can include at least one of a vacuum clamp, an electrostatic clamp, a magnetic clamp, and an electromagnetic clamp.

この実施形態によれば、応力緩和アクションは、クランプ力を一時的に低減することを含む。   According to this embodiment, the stress relaxation action includes temporarily reducing the clamping force.

アクションa)が、クランプデバイスを使用し、基板に対して加えられる引力をもたらすことによって、基板を基板テーブルにクランプすることを含む、上述の方法が提供される。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。この方法のアクションc)は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができる。   There is provided a method as described above, wherein action a) comprises clamping the substrate to the substrate table by using a clamping device and providing an attractive force applied to the substrate. The clamping device can include at least one of a vacuum clamp, an electrostatic clamp, a magnetic clamp, and an electromagnetic clamp. Action c) of the method can include temporarily reducing the clamping force.

さらに、基板Wに対して加えられる引力をもたらすことによって基板Wを基板テーブルWTにクランプするためのクランプデバイスをさらに備え、アクションa)が、そのクランプデバイスを使用して基板Wを基板テーブルWTにクランプすることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。このリソグラフィ装置によって実施することができるアクションc)は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができる。   Furthermore, the apparatus further comprises a clamping device for clamping the substrate W to the substrate table WT by providing an attractive force applied to the substrate W, wherein the action a) uses the clamping device to attach the substrate W to the substrate table WT. There is provided a lithographic apparatus as described above, comprising clamping. The clamping device can include at least one of a vacuum clamp, an electrostatic clamp, a magnetic clamp, and an electromagnetic clamp. The action c) that can be performed by the lithographic apparatus can include temporarily reducing the clamping force.

この実施形態は、追加のハードウェアフィーチャを必要としない点で、実施するのが容易である。この実施形態は、リソグラフィ装置で通常使用可能なハードウェアを使用し、したがって、実施するのが容易かつコスト効率的である。場合によっては、単に基板Wをクランプ解除するだけでは、基板W内の応力すべてを整定するのに十分でない可能性がある。しかし、この実施形態は、基板W内に存在する応力の一部を少なくとも整定するための非常に容易な方法を提供する。   This embodiment is easy to implement in that it does not require additional hardware features. This embodiment uses hardware that is normally available in lithographic apparatus and is therefore easy and cost effective to implement. In some cases, simply unclamping the substrate W may not be sufficient to settle all of the stress in the substrate W. However, this embodiment provides a very easy way to at least settle some of the stresses present in the substrate W.

(実施形態2)
一実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることを含むことができる。これは、温度平均化が行われた後で行われ、応力の緩和の余地を与えるために行われる。応力緩和が行われた後で、基板Wは、基板テーブルWT上に戻される。
(Embodiment 2)
According to one embodiment, the stress relaxation action can include lifting the substrate W from the substrate table WT. This is done after temperature averaging has been performed, to provide room for stress relaxation. After stress relaxation has taken place, the substrate W is returned to the substrate table WT.

上述のように、基板テーブルWTは、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることによって応力緩和アクションを実施するために使用することができる、収縮可能なピン5を備えることができる。図4aは、基板テーブルWT上にロードされた基板Wを示し、ピンは収縮位置にある。図4bは、持ち上げられた位置にある基板Wを示す。応力緩和アクションを実施した後で、基板Wは、再び基板テーブルWT上に配置される。   As described above, the substrate table WT can include retractable pins 5 that can be used to perform stress relaxation actions by lifting the substrate W from the substrate table WT. FIG. 4a shows the substrate W loaded on the substrate table WT, with the pins in the retracted position. FIG. 4b shows the substrate W in the raised position. After performing the stress relaxation action, the substrate W is again placed on the substrate table WT.

応力緩和アクションが、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることを含むことができる、上述の方法が提供される。これはピン5を移動することによって行うことができ、ピン5は、基板テーブルの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、ピン5は、ピンが基板サポート1内に収縮される収縮位置から、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げるようにピン5が基板サポート1から延びる伸長位置に移動される。主表面は、基板をクランプしている間、基板と接触する表面である。   The above-described method is provided wherein the stress relaxation action can include lifting the substrate W from the substrate table WT. This can be done by moving the pins 5, which can be moved in a direction substantially perpendicular to the main surface of the substrate table, the pins 5 being retracted into the substrate support 1. From the contracted position, the pin 5 is moved to the extended position extending from the substrate support 1 so as to lift the substrate W from the substrate table WT. The main surface is the surface that contacts the substrate while clamping the substrate.

さらに、基板Wを基板テーブルの主表面から時間的に持ち上げるための手段を備え、緩和アクションc)が、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置はピン5を備えることができ、これらのピンは、基板テーブルWTの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、応力緩和アクションは、ピン5が基板テーブルWT内に収縮される収縮位置から、基板を基板テーブルWTから持ち上げるようにピン5が基板テーブルWTから延びる伸長位置にピン5を移動することを含む。基板Wを基板テーブルWTから持ち上げた後で、基板Wは、基板テーブルWTの主表面上で再び位置決めされる。   Furthermore, a lithographic apparatus as described above is provided, comprising means for temporally lifting the substrate W from the main surface of the substrate table, wherein the relaxation action c) includes lifting the substrate W from the substrate table WT. The lithographic apparatus may comprise pins 5, which are movable in a direction substantially perpendicular to the main surface of the substrate table WT, and the stress relaxation action is such that the pins 5 are within the substrate table WT. Moving the pin 5 from the retracted position to the extended position to which the pin 5 extends from the substrate table WT to lift the substrate from the substrate table WT. After lifting the substrate W from the substrate table WT, the substrate W is repositioned on the main surface of the substrate table WT.

この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、基板Wを基板テーブルWTから持ち上げる前に低減することができ、応力緩和アクションの後で、基板Wを基板テーブル上で位置決めしてから再び加えることができる。   It will be appreciated that this embodiment can be implemented in combination with previous embodiments, in which the stress relaxation action includes reducing the clamping force applied by the clamping device. The clamping force can be reduced before lifting the substrate W from the substrate table WT, and after the stress relaxation action, the substrate W can be positioned on the substrate table and then reapplied.

この実施形態は、追加のハードウェアフィーチャを必要としない点で、実施するのが容易である。この実施形態は、リソグラフィ装置で通常使用可能なハードウェアを使用し、したがって、実施するのが容易かつコスト効率的である。   This embodiment is easy to implement in that it does not require additional hardware features. This embodiment uses hardware that is normally available in lithographic apparatus and is therefore easy and cost effective to implement.

(実施形態3)
他の実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板Wに対して正圧を加え、それによって基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力を低減することによって実施される。クランプデバイスが使用される場合、クランプ力を低減することができる。
(Embodiment 3)
According to another embodiment, the stress relaxation action is performed by applying a positive pressure to the substrate W, thereby reducing the frictional force between the substrate W and the substrate table WT. If a clamping device is used, the clamping force can be reduced.

応力緩和アクションは、基板テーブルWTと基板Wの間の区画内で、所定の(短い)期間の間、厳格に制御された正圧を加えることによって実施することができる。これを行うことにより、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力を低減し、さらには基板を基板テーブルWTから持ち上げ、それにより基板Wから内部応力を解放することを可能にすることが可能である。このプロセスは、単一のパルスでは応力すべてを除去するのに不十分であるとき、繰り返すことができる。1つの長いパルスではなく、いくつかの比較的小さなパルスを使用することによって、潜在的に基板を失うおそれがある基板の浮上り(すなわち...の移動)を回避することができる。この空気パルスは、空気の入った小さな容器を加圧し、次いで単純な二方弁を使用して、基板テーブルWT内の穴を介して空気を放つことによって生成することができる。   The stress relaxation action can be performed by applying a tightly controlled positive pressure for a predetermined (short) period in the compartment between the substrate table WT and the substrate W. By doing this, it is possible to reduce the frictional force between the substrate W and the substrate table WT, and further to lift the substrate from the substrate table WT and thereby release the internal stress from the substrate W. is there. This process can be repeated when a single pulse is insufficient to remove all the stress. By using several relatively small pulses rather than one long pulse, substrate lift (ie, movement of...) That could potentially lose the substrate can be avoided. This air pulse can be generated by pressurizing a small container of air and then using a simple two-way valve to release air through a hole in the substrate table WT.

図5および図6は、そのような実施形態による基板ホルダ1を概略的に示す。図5に示されているように、いくつかのノズル10が設けられている。図5および図6に示されているように、ノズル10は、バール9間に設けられている。しかし、これらのノズルがいくつかのバール9内に設けられてもよいことは理解されよう。図5および図6に示されている実施形態では、ノズル10は、封止リム7によって境界を画された表面エリア全体にわたって均等に分配される。ノズル10は、ガス供給導管11を介してガス供給ユニットに接続され、陥凹表面に対して実質的に直交する、すなわち基板テーブルWT上に配置されることになる基板Wの主表面に対して実質的に直交する方向で、噴射またはガスパルスを送るように構成される。噴射またはガスパルスを実際に送るために、ガス供給ユニットは、ポンプ(図示せず)、または供給導管11に接続された別の加圧ガス源とすることができる。図5に示されているように、基板テーブルWTの近くの圧力に対して高い圧力を有するガスを含む容器COが用意される。供給導管11内には、供給導管11を開閉するように制御することができる弁VAが設けられる。噴射を送るために、空気など、任意のタイプの好適なガスを使用することができることに留意されたい。   5 and 6 schematically show a substrate holder 1 according to such an embodiment. As shown in FIG. 5, several nozzles 10 are provided. As shown in FIGS. 5 and 6, the nozzle 10 is provided between the bars 9. However, it will be appreciated that these nozzles may be provided in several bars 9. In the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the nozzles 10 are evenly distributed over the entire surface area bounded by the sealing rim 7. The nozzle 10 is connected to the gas supply unit via the gas supply conduit 11 and is substantially perpendicular to the recessed surface, ie to the main surface of the substrate W to be placed on the substrate table WT. It is configured to deliver jets or gas pulses in substantially orthogonal directions. To actually deliver the injection or gas pulse, the gas supply unit can be a pump (not shown) or another source of pressurized gas connected to the supply conduit 11. As shown in FIG. 5, a container CO containing a gas having a high pressure relative to the pressure near the substrate table WT is provided. A valve VA that can be controlled to open and close the supply conduit 11 is provided in the supply conduit 11. Note that any type of suitable gas, such as air, can be used to deliver the jet.

応力緩和アクションが基板Wと基板テーブルWTの間でガスを供給することを含む、上述の方法が提供される。ガスは、一連の少なくとも1つのガスパルスによって供給することができる。   The above-described method is provided wherein the stress relaxation action includes supplying a gas between the substrate W and the substrate table WT. The gas can be supplied by a series of at least one gas pulse.

さらに、基板テーブルWTが少なくとも1つのノズル10を備え、ノズル10が、ガス供給ユニットに接続されており、または接続可能であり、基板Wと基板テーブルWTの間でガスを供給するように構成されており、応力緩和アクションが、基板と基板テーブルの間でガスを供給することを含むことができる、上述のリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、ガスを一連の少なくとも1つのガスパルスで供給するように構成されてもよい。   Furthermore, the substrate table WT comprises at least one nozzle 10, which is connected to or connectable to a gas supply unit and configured to supply gas between the substrate W and the substrate table WT. There is provided a lithographic apparatus as described above, wherein the stress relaxation action can comprise supplying a gas between the substrate and the substrate table. The lithographic apparatus may be configured to supply the gas in a series of at least one gas pulse.

この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、ガスを供給する前に低減することができ、応力緩和アクションの後で再び加えることができる。   It will be appreciated that this embodiment can be implemented in combination with previous embodiments, in which the stress relaxation action includes reducing the clamping force applied by the clamping device. The clamping force can be reduced before supplying the gas and reapplied after the stress relaxation action.

(実施形態4)
他の実施形態によれば、応力緩和アクションは、基板テーブルWTを振動させることを含む。適切な振動を加えることによって、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力が低減され、基板を応力緩和させる。振動は、任意の好適な周波数および任意の好適な振幅、たとえば約1μmの振幅および>500Hz以下の周波数で行うことができる。
(Embodiment 4)
According to another embodiment, the stress relaxation action includes vibrating the substrate table WT. By applying appropriate vibrations, the frictional force between the substrate W and the substrate table WT is reduced and the substrate is stress relieved. The vibration can occur at any suitable frequency and any suitable amplitude, eg, an amplitude of about 1 μm and a frequency of> 500 Hz or less.

図7は、基板Wがロードされる基板テーブルWTを備える基板ホルダ1を概略的に示す。図7は、基板ホルダ1を発動させ、したがって基板テーブルWTを振動させるように使用することができる2つのアクチュエータACによって形成された振動デバイスをさらに示す。   FIG. 7 schematically shows a substrate holder 1 comprising a substrate table WT on which a substrate W is loaded. FIG. 7 further shows a vibrating device formed by two actuators AC that can be used to activate the substrate holder 1 and thus to vibrate the substrate table WT.

振動デバイスは、図1を参照してすでに上述した第2ポジショナによって形成することができる。しかし、振動を実施するために特別な専用のアクチュエータを設けることもできる。   The vibrating device can be formed by the second positioner already described above with reference to FIG. However, a special dedicated actuator can also be provided for carrying out the vibration.

アクチュエータは、特別に用意してもよいが、サポート構造を駆動するショートストロークモータなど、すでに存在するアクチュエータを使用することも可能である。アクチュエータは、高帯域幅サーボループを有する、nm精度のローレンツタイプのアクチュエータとすることができる。これらのモータを使用し、露光および測定中に、サポート構造および基板Wを位置決めする。単にディタ(ditter)信号を通常の設定点に追加することによって、サポート構造に、ターゲット方向で移動し、同時に振動移動をもたらすように指令することができる。   The actuator may be specially prepared, but it is also possible to use an existing actuator such as a short stroke motor for driving the support structure. The actuator may be a Lorentz-type actuator with nm accuracy having a high bandwidth servo loop. These motors are used to position the support structure and the substrate W during exposure and measurement. By simply adding a ditter signal to the normal set point, the support structure can be commanded to move in the target direction and at the same time effect vibrational movement.

振動は、基板Wおよび基板テーブルWTがそれぞれの内部の、またはそれらの間の温度差を少なくとも部分的に整定することができるように、基板Wが基板テーブルWT上にロードされた後で、ある時間量だけ加えられる。この時間量は、その差が最大許容可能な温度差より低くなると予想されるように選択される。可能な印加クランプ力を低減することができ、基板テーブルWTを高い周波数で振動させることができる。振動は、小さな位置振幅と大きな加速度とを有してもよい。この機械的な「ディタ」運動を使用し、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦力を克服することができる。次いで、基板Wは、その内部応力を解放することになる。   The vibration is after the substrate W has been loaded onto the substrate table WT so that the substrate W and the substrate table WT can at least partially settle the temperature difference within or between each other. Only the amount of time is added. This amount of time is selected such that the difference is expected to be lower than the maximum allowable temperature difference. The possible applied clamping force can be reduced and the substrate table WT can be vibrated at a high frequency. The vibration may have a small position amplitude and a large acceleration. This mechanical “dita” motion can be used to overcome the frictional force between the substrate W and the substrate table WT. The substrate W will then release its internal stress.

振動は、基板テーブルWTの表面に対して実質的に直交する、すなわち基板テーブルWT上に配置されることになる基板Wの主表面に対して実質的に直交する方向で加えることができる。下向き運動中に、基板Wに対して基板テーブルWTによって加えられる法線力(したがって摩擦力)が一時的に低減され、基板Wは応力緩和することができる。   The vibration can be applied in a direction that is substantially orthogonal to the surface of the substrate table WT, ie, substantially orthogonal to the major surface of the substrate W that is to be disposed on the substrate table WT. During the downward movement, the normal force (and hence the frictional force) applied by the substrate table WT to the substrate W is temporarily reduced and the substrate W can be stress relieved.

一変形形態によれば、振動は、基板テーブルWTの表面に対して実質的に平行な、すなわち基板テーブルWT上に配置されることになる基板Wの主表面に対して実質的に平行な方向で加えられる。この運動の結果として、基板Wおよび基板テーブルWTは、互いに相対移動することができ、それにより摩擦力を低減し、基板Wが応力緩和することを可能にする(静的摩擦係数は動的摩擦係数より高いことに留意されたい)。代替の実施形態では、振動は、ここに述べられている2つの方向以外の方向、たとえば基板テーブルWTの表面に対して平行な成分と直交する成分を共に有する斜め方向で加えられる。   According to a variant, the vibration is in a direction substantially parallel to the surface of the substrate table WT, ie substantially parallel to the main surface of the substrate W to be arranged on the substrate table WT. Added in. As a result of this movement, the substrate W and the substrate table WT can move relative to each other, thereby reducing the friction force and allowing the substrate W to relieve stress (the static coefficient of friction is a dynamic friction coefficient). Note that it is higher than the coefficient). In an alternative embodiment, the vibration is applied in a direction other than the two directions described herein, eg, an oblique direction having both a component parallel to and orthogonal to a component parallel to the surface of the substrate table WT.

他の実施形態では、振動は、基板に直接加えられる。振動アクションは、ばねまたは可撓性エレメントなど、振動ツールを使用することによって加えることができる。この振動ツールを発動させることができる。好適なアクチュエータを使用することができる。一実施形態では、振動アクションは、基板の中心部内で開始して基板上に加えられる。振動アクションは、中心グリッパによって基板/オブジェクトに加えることができる。他の工程では、振動アクションは、オブジェクトの、より外部に位置する部分に加えることができる。このようにして、オブジェクト内の応力は、オブジェクトの外部部分に「移動」される、好ましくは「解放」されることが好ましい。一実施形態では、振動デバイスとしてEピンを使用し、オブジェクトを振動させる。   In other embodiments, the vibration is applied directly to the substrate. The vibration action can be applied by using a vibration tool such as a spring or a flexible element. This vibration tool can be activated. Any suitable actuator can be used. In one embodiment, the vibration action is applied on the substrate starting within the center of the substrate. Vibrating action can be applied to the substrate / object by a central gripper. In other steps, the vibration action can be applied to a more external portion of the object. In this way, the stress in the object is preferably “moved”, preferably “released” to the outer part of the object. In one embodiment, an E pin is used as the vibration device to vibrate the object.

振動アクションは、非常に短いアクション、たとえば1周期、さらには半周期だけとすることができる。振動アクションは、少なくとも1つのアクション、好ましくは釣り合いの位置に対する移動によって特徴付けられる。これはオフセット移動とすることができる。振動アクションは、オブジェクト材料を介して移動する、波のような応力解放ローブを引き起こすことができるため、そのような振動アクションは、オブジェクト内で応力低減効果を有するであろうと考えられる。そのような波のような運動は、オブジェクト内の局部応力を低減する上で、より効果的であると考えられる。   The oscillating action can be a very short action, eg only one period or even a half period. The vibration action is characterized by movement relative to at least one action, preferably a balanced position. This can be an offset movement. It is believed that such an oscillating action would have a stress reducing effect within the object, since the oscillating action can cause a wave-like stress relief lobe that moves through the object material. Such wave-like motion is considered to be more effective in reducing local stresses in the object.

他の実施形態では、振動をオブジェクトに加えるために、打撃デバイスを使用することができる。オブジェクトを打撃することによって、一時の外乱、この場合には過剰な外乱がオブジェクト上に伝達され、この外乱を使用し、オブジェクトにわたって他の内部応力を放散または解放することができる。また、打撃デバイスは、オブジェクト内で波のような運動を開始することができる。   In other embodiments, a striking device can be used to apply vibrations to the object. By hitting the object, a temporary disturbance, in this case excessive disturbance, is transmitted over the object, which can be used to dissipate or release other internal stresses across the object. The striking device can also initiate a wave-like movement within the object.

一実施形態では、基板および基板テーブルに、部分的に同時に、または1つずつ、振動が加えられる。   In one embodiment, vibrations are applied to the substrate and substrate table, partially simultaneously or one at a time.

基板テーブルおよび/または基板が、高い周波数および小さい振幅で振動される方法およびリソグラフィ装置が提供される。さらに、基板テーブルが振動デバイスを備え、応力緩和アクションが、基板テーブルを振動させることを含む、上述のリソグラフィ装置が提供される。   A method and lithographic apparatus are provided in which a substrate table and / or substrate is vibrated at a high frequency and a small amplitude. Furthermore, a lithographic apparatus as described above is provided, wherein the substrate table comprises a vibrating device and the stress relaxation action comprises vibrating the substrate table.

この実施形態は、応力緩和アクションがクランプデバイスによって加えられるクランプ力を低減することを含む先の実施形態と組み合わせて実施することができることは理解されよう。クランプ力は、ガスを供給する前に低減することができ、応力緩和アクションの後で再び加えることができる。   It will be appreciated that this embodiment can be implemented in combination with previous embodiments, in which the stress relaxation action includes reducing the clamping force applied by the clamping device. The clamping force can be reduced before supplying the gas and reapplied after the stress relaxation action.

(実施形態5)
上述の実施形態は、どのように基板Wを基板テーブルWT上にロードするかについて述べている。しかし、基板テーブルWTそれ自体は、サポート構造2上で位置決めされる別個の部分とすることができる。基板テーブルWTは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むクランプデバイスを使用して、サポート構造2にクランプすることができる。
(Embodiment 5)
The above embodiments describe how to load a substrate W onto the substrate table WT. However, the substrate table WT itself can be a separate part positioned on the support structure 2. The substrate table WT can be clamped to the support structure 2 using a clamping device including at least one of a vacuum clamp, an electrostatic clamp, a magnetic clamp, and an electromagnetic clamp.

最終的に基板テーブルWTと支持用構造2の間の滑りを引き起こす応力が基板テーブル内で発生したとき、上述の同じ応力緩和手順を基板テーブルに適用することができる。   The same stress relaxation procedure described above can be applied to the substrate table when a stress eventually occurs in the substrate table that causes slippage between the substrate table WT and the support structure 2.

基板テーブルWTをサポート構造2上にロードすることは、基板Wを基板テーブルWT上にロードするのと同じ問題を伴うおそれがある、すなわち、基板テーブルWT内で熱応力および機械的応力が誘起される可能性があることは理解されよう。   Loading the substrate table WT onto the support structure 2 can involve the same problems as loading the substrate W onto the substrate table WT, ie, thermal and mechanical stresses are induced in the substrate table WT. It will be understood that

したがって、基板テーブルWTをサポート構造2上にロードするために、やはり上述の実施形態を使用することができる。   Thus, the embodiment described above can also be used to load the substrate table WT onto the support structure 2.

したがって、基板テーブルをサポート構造上にロードする方法であって、
a)基板テーブルをサポート構造上にロードすること、
b)ある待ち時間量だけ待つこと、
c)応力緩和アクションを実施することを含む方法が提供される。
Thus, a method for loading a substrate table onto a support structure, comprising:
a) loading the substrate table onto the support structure;
b) wait for a certain amount of waiting time,
c) A method is provided that includes performing a stress relaxation action.

アクションa)は、クランプデバイスを使用し、基板テーブルに対して加えられる引力をもたらすことによって、基板テーブルをサポート構造にクランプすることを含むことができる。クランプデバイスは、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含むことができる。   Action a) can include clamping the substrate table to the support structure by using a clamping device and providing an attractive force applied to the substrate table. The clamping device can include at least one of a vacuum clamp, an electrostatic clamp, a magnetic clamp, and an electromagnetic clamp.

アクションc)は、クランプ力を一時的に低減することを含むことができ、および/または基板テーブルとサポート構造の間でガスを供給することを含むことができる。ガスは、一連の少なくとも1つのガスパルスによって供給することができる。   Action c) can include temporarily reducing the clamping force and / or can include supplying gas between the substrate table and the support structure. The gas can be supplied by a series of at least one gas pulse.

アクションc)は、サポート構造を振動させることをさらに含むことができる。サポート構造は、高い周波数および小さい振幅で振動させることができる。   Action c) may further comprise vibrating the support structure. The support structure can be vibrated at a high frequency and a small amplitude.

振動は、基板テーブルがサポート構造上にロードされた後で、短い時間間隔で加えられる。一実施形態では、クランプ力が低減される。別法として、または追加として、サポート構造が高い周波数で振動される。振動は、小さな位置振幅と大きな加速度とを有する。この機械的な「ディタ」運動を使用し、基板テーブルWTとサポート構造の間の摩擦力を克服する。次いで、基板Wは、その内部応力を解放することになる。   Vibration is applied at short time intervals after the substrate table is loaded onto the support structure. In one embodiment, the clamping force is reduced. Alternatively or additionally, the support structure is vibrated at a high frequency. The vibration has a small position amplitude and a large acceleration. This mechanical “dita” motion is used to overcome the frictional force between the substrate table WT and the support structure. The substrate W will then release its internal stress.

アクションc)は、たとえばピンを移動することによって、基板テーブルWTをサポート構造2から持ち上げることをさらに含むことができ、これらのピンは、サポート構造の主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、これらのピンは、ピンがサポート構造内に収縮される収縮位置から、基板テーブルをサポート構造の主表面から持ち上げるようにピンがサポート構造から延びる伸長位置に移動される。 Action c) may further comprise lifting the substrate table WT from the support structure 2, for example by moving the pins, the pins being in a direction substantially perpendicular to the main surface of the support structure. These pins are movable and are moved from a retracted position where the pins are retracted into the support structure to an extended position where the pins extend from the support structure to lift the substrate table from the major surface of the support structure.

待ち時間量は、基板Wおよび基板テーブルWTがそれぞれの内部の、またはそれらの間の温度差を少なくとも部分的に整定することができるように選択することができる。   The amount of waiting time can be selected so that the substrate W and the substrate table WT can at least partially settle the temperature difference within or between each other.

アクションc)は、基板テーブルWT内の応力を低減するように実施することができる。   Action c) can be performed to reduce the stress in the substrate table WT.

さらに、基板テーブルWTを保持するように構築されたサポート構造2を備えるリソグラフィ装置であって、
a)基板テーブルWTをサポート構造2上にロードし、
b)所定の整定時間間隔だけ待ち、
c)応力緩和アクションを実施するように構成されるリソグラフィ装置を提供することができる。
Further, a lithographic apparatus comprising a support structure 2 constructed to hold a substrate table WT,
a) Load the substrate table WT onto the support structure 2,
b) Wait for a settling time interval,
c) A lithographic apparatus configured to perform stress relaxation actions may be provided.

(コンピュータ)
上述の実施形態はすべて、たとえば図8に示されている、コンピュータCOを使用して実用化することができる。コンピュータCOは、入出力デバイスI/OおよびメモリMEと通信するように構成されたプロセッサPRを備えることができる。
(Computer)
All of the above embodiments can be implemented using a computer CO, for example as shown in FIG. The computer CO may comprise a processor PR configured to communicate with the input / output device I / O and the memory ME.

コンピュータCOは、パーソナルコンピュータ、サーバ、ラップトップとすることができる。これらのデバイスはすべて、異なる種類のコンピュータである。メモリMEは、述べられている実施形態をコンピュータCOに実施させるために、プロセッサPRによって読取り可能かつ実行可能な命令を備えることができる。コンピュータCOは、述べられている実施形態を実施するために、入出力デバイスI/Oを介してリソグラフィ装置の他の部分と対話するように構成されてもよい。   The computer CO can be a personal computer, a server, or a laptop. All these devices are different types of computers. The memory ME may comprise instructions readable and executable by the processor PR in order to cause the computer CO to implement the described embodiment. The computer CO may be configured to interact with other parts of the lithographic apparatus via input / output device I / O to implement the described embodiments.

図8は、演算を実施するためのプロセッサPRを備えるコンピュータCOの一実施形態の概略ブロック図を示す。プロセッサPRは、テープユニット、ハードディスク、読取り専用メモリ(ROM)、電気的消去可能なプログラム可能読出し専用メモリ(EEPROM)、およびランダムアクセスメモリ(RAM)など、命令およびデータを記憶することができるメモリMEに接続される。   FIG. 8 shows a schematic block diagram of an embodiment of a computer CO comprising a processor PR for performing operations. The processor PR is a memory ME that can store instructions and data, such as a tape unit, a hard disk, a read only memory (ROM), an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM), and a random access memory (RAM). Connected to.

入出力デバイスI/Oは、リソグラフィ装置1(図示せず)に含まれる他のコンピュータシステムまたはデバイスと通信リンクを介して通信するように構成される。   The input / output device I / O is configured to communicate with other computer systems or devices included in the lithographic apparatus 1 (not shown) via a communication link.

しかし、より多くの、および/または他のメモリMEおよびプロセッサPRを設けることができることを理解されたい。さらに、それらの1つまたは複数は、物理的に遠隔位置に位置してもよい。プロセッサPRは、1つのボックスとして示されているが、当業者には知られているように、互いに遠隔に位置してもよい、並列で機能する、または1つのメインプロセッサによって制御されるいくつかのプロセッサPRを含むことができる。   However, it should be understood that more and / or other memories ME and processors PR may be provided. Further, one or more of them may be physically located at a remote location. The processor PR is shown as one box, but as is known to those skilled in the art, several may be located remotely from one another, function in parallel, or controlled by one main processor Processor PR.

接続すべてが物理接続として示されているが、これらの接続の1つまたは複数を無線にすることができることに留意されたい。これらは、「接続されている」ユニットが互いに何らかの方法で通信するように構成されることを示すことが意図されているにすぎない。   Note that although all connections are shown as physical connections, one or more of these connections can be wireless. They are only intended to show that “connected” units are configured to communicate with each other in some way.

コンピュータ装置上にロードされたとき、提供されている方法のいずれか1つを実施するように構成されているコンピュータプログラムが提供される。また、そのようなコンピュータプログラムを含むデータキャリアが提供される。データキャリアは、任意の種類のコンピュータ可読媒体とすることができる。   When loaded on a computer device, a computer program configured to perform any one of the provided methods is provided. A data carrier including such a computer program is also provided. The data carrier can be any type of computer readable medium.

(他の注意)
上述の実施形態は、クランプ力を低減するための選択肢について述べている。これは、他の実施形態すべてと組み合わせて行うことができることは理解されよう。また、クランプ力を低減することは、クランプ力を実質的にゼロに低減すること、すなわちクランプ力を全く加えないことを含む。
(Other notes)
The embodiments described above describe options for reducing the clamping force. It will be appreciated that this can be done in combination with all other embodiments. Also, reducing the clamping force includes reducing the clamping force to substantially zero, i.e., applying no clamping force at all.

ガスを送る実施形態および振動を加える実施形態は、比較的小さなスループット損失で適用することができる。また、既存のメトロロジーシーケンス内への、応力緩和アクションを実行することができる基板テーブル位置に対する制限はない。   The embodiment of sending gas and the embodiment of applying vibration can be applied with a relatively small throughput loss. Also, there is no restriction on the substrate table position within the existing metrology sequence where stress relaxation actions can be performed.

基板Wを基板テーブルWTから持ち上げる場合(実施形態2)、これはプリアライメント精度に対して負の影響を有することがある。さらに、機械/基板の安全のために、基板を持ち上げること(実施形態2)は、スループット最適でない、基板テーブルWTの非常に特別な場所でのみ行うことができる。   When lifting the substrate W from the substrate table WT (Embodiment 2), this may have a negative impact on pre-alignment accuracy. Furthermore, for machine / substrate safety, lifting the substrate (Embodiment 2) can only be done at a very special location of the substrate table WT, where throughput is not optimal.

上記の説明に基づいて、応力緩和アクションは、基板Wと基板テーブルWTの間の摩擦を一時的に低減するように実施され、基板Wを応力緩和させ応力を解消させることは理解されよう。クランプ力を低減すること、基板Wを持ち上げること、基板Wと基板テーブルWTの間でガスを送ること、基板テーブルWTを振動させることなど、応力緩和アクションを実施するための多数の方法が提供される。   Based on the above description, it will be appreciated that the stress relaxation action is implemented to temporarily reduce the friction between the substrate W and the substrate table WT, to relieve the substrate W and relieve stress. Numerous methods are provided for performing stress relaxation actions, such as reducing the clamping force, lifting the substrate W, sending gas between the substrate W and the substrate table WT, vibrating the substrate table WT, etc. The

応力緩和アクションは、基板Wの正確な処理を可能にするために、応力緩和アクションの後で、基板Wが基板テーブルWTに対して正確に位置決めされるように実施すべきであることは理解されよう。実際には、基板Wは、基板の水平の向きを測定するためのアライメントセンサ、および基板の表面プロファイルを測定するためのレベルセンサなど、基板Wの位置および向きを測定するために使用されるセンサのキャプチャレンジ内にあるべきである。キャプチャレンジは、数十ミクロン程度である。   It is understood that the stress relaxation action should be performed so that the substrate W is accurately positioned with respect to the substrate table WT after the stress relaxation action to allow accurate processing of the substrate W. Like. In practice, the substrate W is a sensor used to measure the position and orientation of the substrate W, such as an alignment sensor for measuring the horizontal orientation of the substrate and a level sensor for measuring the surface profile of the substrate. Should be within the capture range. The capture range is about several tens of microns.

応力緩和アクションの後で、基板Wの位置および向きを測定するために、他の測定アクションを実施することができる。   After the stress relaxation action, other measurement actions can be performed to measure the position and orientation of the substrate W.

また、実施形態すべてが1つまたは複数の他の実施形態と組み合わせて使用されてもよいことは理解されよう。たとえば、供給ガス、および/またはクランプ力を低減することと組み合わせて振動を行うことができる。   It will also be appreciated that all of the embodiments may be used in combination with one or more other embodiments. For example, the vibration can be performed in combination with reducing the supply gas and / or the clamping force.

これらの実施形態は、第1のオブジェクトが整定することができるように、第1のオブジェクトと第2のオブジェクトの間の摩擦力を一時的に克服するために実施することができる。   These embodiments can be implemented to temporarily overcome the frictional force between the first object and the second object so that the first object can settle.

本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック(一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ICを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。   Although specific references may be made throughout the text to the use of a lithographic apparatus in the manufacture of ICs, the lithographic apparatus described herein includes integrated optical systems, guides and detection patterns for magnetic domain memories. It should be understood that there may be other applications such as the manufacture of flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In the context of such alternative fields of application, any use of the terms “wafer” or “die” herein may refer to the more general terms “substrate” or “target portion”, respectively. Those skilled in the art will understand that they can be considered synonymous. The substrate referred to herein may be used before and after exposure, for example, in a track (typically a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), metrology tool, and / or inspection tool. Can be processed. Where applicable, the disclosure herein may be applied to such and other substrate processing tools. In addition, the substrate can be processed multiple times, for example to create a multi-layer IC, so that the term substrate used herein can also refer to a substrate that already contains multiple processed layers. is there.

上記では、本発明の実施形態の使用が、光リソグラフィの文脈で具体的に参照されていることがあるが、本発明は、他の応用分野、たとえばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィにより、基板上に生み出されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層に押し込むことができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後で、レジストから移動され、レジスト内にパターンを残す。   In the above, the use of embodiments of the present invention may be specifically referred to in the context of optical lithography, but the present invention can be used in other applications, such as imprint lithography, It will be understood that the invention is not limited to optical lithography where possible. In imprint lithography, the topography within the patterning device defines the pattern that is produced on the substrate. The topography of the patterning device can be pushed into a layer of resist supplied to the substrate, at which time the resist is cured by applying electromagnetic radiation, heat, pressure, or a combination thereof. The patterning device is moved out of the resist after the resist is cured, leaving a pattern in the resist.

本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、(たとえば、約365、355、248、193、157、または126nmの波長を有する)紫外(UV)放射、および(たとえば、5〜20nmの範囲内の波長を有する)極端紫外(EUV)放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなど粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。   The terms “radiation” and “beam” as used herein refer to ultraviolet (UV) radiation (eg, having a wavelength of about 365, 355, 248, 193, 157, or 126 nm), and (eg, 5 Includes all types of electromagnetic radiation, including extreme ultraviolet (EUV) radiation (with wavelengths in the range of ˜20 nm), as well as particle beams such as ion beams or electron beams.

「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、および静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか1つ、または組合せを指すことがある。   The term “lens” refers to any one of various types of optical components, including refractive optical components, reflective optical components, magneto-optical components, electromagnetic optical components, and electrostatic optical components, where possible in the context. Or it may refer to a combination.

上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。たとえば、本発明は、上記で開示されている方法について説明する機械可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(たとえば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク)の形態をとることができる。   While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, the invention may be a computer program that includes one or more sequences of machine-readable instructions that describe the methods disclosed above, or a data storage medium (eg, a semiconductor memory) on which such a computer program is stored. , Magnetic disk, or optical disk).

上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。   The above description is intended to be illustrative rather than limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.

Claims (14)

リソグラフィ装置において第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクト上にロードすること、
前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機すること、
前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機した後に、緩和アクションを実施することにより、前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間の摩擦力を低減することを備え、
前記緩和アクションは、前記第2のオブジェクトを打撃することにより、前記第2のオブジェクトを振動させることを含む、方法。
A method of loading a first object onto a second object in a lithographic apparatus, comprising:
Loading the first object onto the second object;
Waiting until temperature equilibrium is achieved between the first object and the second object;
Friction between the first object and the second object by performing a relaxation action after waiting for temperature equilibrium to be achieved between the first object and the second object With reducing power,
The mitigation action includes vibrating the second object by striking the second object.
前記第1のオブジェクトが基板であり、前記第2のオブジェクトが基板テーブルである、請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the first object is a substrate and the second object is a substrate table. 前記第1のオブジェクトが基板テーブルであり、前記第2のオブジェクトが基板テーブルを支持する支持構造である、請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the first object is a substrate table and the second object is a support structure that supports the substrate table. 前記ロードすることが、クランプデバイスを使用し、前記第1のオブジェクトに対して加えられる引力をもたらすことによって、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトにクランプすることを含む、請求項1乃至請求項3のうち何れか1項に記載の方法。   The loading includes clamping the first object to the second object by using a clamping device and providing an attractive force applied to the first object. The method according to claim 3. 前記クランプデバイスが、真空クランプ、静電クランプ、磁気クランプ、および電磁クランプのうちの少なくとも1つを含む、請求項4に記載の方法。   The method of claim 4, wherein the clamping device comprises at least one of a vacuum clamp, an electrostatic clamp, a magnetic clamp, and an electromagnetic clamp. 前記緩和アクションが、クランプ力を一時的に低減することを含む、請求項4又は請求項5に記載の方法。   6. A method according to claim 4 or claim 5, wherein the relaxation action comprises temporarily reducing the clamping force. 前記第2のオブジェクトが、高い周波数および小さい振幅で振動される、請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the second object is vibrated at a high frequency and a small amplitude. 前記緩和アクションが、ピンを移動させることを含み、前記ピンが、前記第2のオブジェクトの主表面に対して実質的に直交する方向で移動可能であり、前記ピンが、前記ピンが前記第2のオブジェクト内に収縮される収縮位置から、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げるように前記ピンが前記第2のオブジェクトから延びる伸長位置に移動される、請求項1に記載の方法。   The relaxation action includes moving a pin, the pin is movable in a direction substantially perpendicular to a major surface of the second object, the pin being the second pin. The method of claim 1, wherein the pin is moved from a retracted position retracted into a second object to an extended position extending from the second object to lift the first object from the second object. . 前記緩和アクションが、前記第1のオブジェクト内の応力を低減するように実施される、請求項1乃至請求項8の何れか1項に記載の方法。   9. A method according to any one of the preceding claims, wherein the relaxation action is performed to reduce stress in the first object. 前記緩和アクションは、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから一時的に持ち上げることを含む、請求項1乃至請求項9の何れか1項に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the relaxation action includes temporarily lifting the first object from the second object. 前記緩和アクションは、前記第2のオブジェクトがディタ運動するように振動させることを含む、請求項1乃至請求項9の何れか1項に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the relaxation action includes oscillating the second object so that the second object moves. 第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上で保持するように構築された、リソグラフィ装置を備えるシステムであって、
前記リソグラフィ装置は、
前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクト上にロードし、
前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機し、
前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機した後に、緩和アクションを実施することにより、前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間の摩擦力を低減するように構成され、
前記緩和アクションは、前記第2のオブジェクトを打撃することにより、前記第2のオブジェクトを振動させることを含む、システム。
A system comprising a lithographic apparatus constructed to hold a first object on a second object,
The lithographic apparatus comprises:
Loading the first object onto the second object;
Wait until temperature equilibrium is achieved between the first object and the second object;
Friction between the first object and the second object by performing a relaxation action after waiting for temperature equilibrium to be achieved between the first object and the second object Configured to reduce power,
The mitigation action includes vibrating the second object by striking the second object.
前記リソグラフィ装置が、前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクトから持ち上げるための持上げ装置を備え、
前記緩和アクションが、前記第2のオブジェクトを前記第1のオブジェクトから一時的に持ち上げることを含む、請求項12に記載のシステム。
The lithographic apparatus comprises a lifting device for lifting the first object from the second object;
The system of claim 12 , wherein the mitigating action includes temporarily lifting the second object from the first object.
リソグラフィプロセスにおいて第1のオブジェクトを第2のオブジェクト上にロードする方法であって、
a)前記第1のオブジェクトを前記第2のオブジェクト上にロードすること、
b)前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機すること、
c)前記第1のオブジェクトと前記第2のオブジェクトとの間で温度平衡が達成されるまで待機した後に、前記第1のオブジェクトおよび前記第2のオブジェクトを含むグループの少なくとも1つの部材が受ける応力を除去するための応力緩和アクションを実施することを含み、
前記アクションc)が、前記第2のオブジェクトを打撃することにより、前記第2のオブジェクトを振動させることを含む、方法。
A method of loading a first object onto a second object in a lithography process, comprising:
a) loading the first object onto the second object;
b) waiting until temperature equilibrium is achieved between the first object and the second object;
c) Stress experienced by at least one member of the group including the first object and the second object after waiting for temperature equilibrium to be achieved between the first object and the second object Performing stress relaxation actions to remove
The method wherein the action c) comprises vibrating the second object by hitting the second object.
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