JP2001093808A - Exposure method and aligner - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、薄膜磁気
ヘッド製造における露光工程で用いられる露光方法及び
露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus used in, for example, an exposure step in manufacturing a thin-film magnetic head.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、薄膜磁気ヘッドや半導体素子
あるいは液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製
造する場合に種々の露光装置が使用されているが、フォ
トマスクあるいはレチクル(以下、「マスク」という)
に形成されたパターンの像を、表面にフォトレジスト等
の感光剤を塗布された基板上に投影光学系を介して投影
する露光装置が一般的に使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various types of exposure apparatuses have been used to manufacture thin-film magnetic heads, semiconductor elements, liquid crystal display elements, and the like by a photolithography process. )
An exposure apparatus that projects an image of a pattern formed on a substrate having a surface coated with a photosensitive agent such as a photoresist through a projection optical system is generally used.
【0003】このような露光装置において、露光処理さ
れるべき基板は基板ローダによって投影光学系の投影領
域内に配置される基板ホルダに載置される。基板ホルダ
に載置された基板は、基板ホルダを支持する基板ステー
ジの操作によって投影光学系の光軸方向(Z方向)に移
動され、投影光学系の焦点位置の焦点深度内に収められ
た後、1枚ずつ露光処理される。In such an exposure apparatus, a substrate to be exposed is placed on a substrate holder arranged in a projection area of a projection optical system by a substrate loader. The substrate placed on the substrate holder is moved in the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system by operating a substrate stage that supports the substrate holder, and is stored within the focal depth of the focal position of the projection optical system. Exposure processing is performed one by one.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板ステー
ジのZ方向の移動可能範囲は、ある基準の基板厚さに対
して設定されている。したがって、このような露光装置
を用いて厚さが大きく異なる基板のそれぞれに対して露
光処理を行う際、基板を投影光学系の焦点深度内に収め
るためには基板ステージのZ方向の移動可能範囲が不十
分で、基板ステージのZ方向の移動による高さ調整のみ
では対応しきれない場合がある。したがって、これらそ
れぞれの基板を投影光学系の焦点深度内におさめるため
に露光処理に際し、基板ホルダは基板の厚さに対応する
ような厚いもの又は薄いものに交換される。しかしなが
ら、基板ホルダと基板ステージとは通常、ねじ止めされ
ており、基板ホルダの交換には手間がかかる。The movable range of the substrate stage in the Z direction is set with respect to a certain reference substrate thickness. Therefore, when performing exposure processing on each of the substrates having greatly different thicknesses by using such an exposure apparatus, the movable range of the substrate stage in the Z direction is required to keep the substrates within the depth of focus of the projection optical system. In some cases, the height adjustment by moving the substrate stage in the Z direction is not sufficient. Accordingly, in order to keep each of these substrates within the depth of focus of the projection optical system, the substrate holder is replaced with a thick one or a thin one corresponding to the thickness of the substrate during the exposure processing. However, the substrate holder and the substrate stage are usually screwed, and replacement of the substrate holder is troublesome.
【0005】また、基板ホルダに供給される基板はレジ
スト工程や搬送工程等において加熱される場合がある
が、この状態で基板ホルダに載置されると温度変化を生
じて変形することがある。この場合、精度の良いフォー
カス・レベリング調整や露光処理が困難となる。In some cases, the substrate supplied to the substrate holder is heated in a resist process, a transfer process, or the like. If the substrate is placed on the substrate holder in this state, the substrate may be deformed due to a change in temperature. In this case, accurate focus / leveling adjustment and exposure processing become difficult.
【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、精度良く且つ生産性・作業性が良い露光方法
及び露光装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide an exposure method and an exposure apparatus which are highly accurate and have good productivity and workability.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図1〜図7に対応付けし
た以下の構成を採用している。本発明の露光方法は、マ
スク(M)のパターンを基板(W)上に投影することに
よって基板(W)を露光する露光方法において、複数の
基板ホルダ(6)のうちの1つに基板(W)を載置し、
基板ホルダ(6)とこの基板ホルダ(6)に載置した基
板(W)との温度差がほぼ無くなるまでの待ち時間
(t)の経過後、基板(W)に対して露光処理を行うこ
とを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 7 shown in the embodiment. According to the exposure method of the present invention, in a method of exposing a substrate (W) by projecting a pattern of a mask (M) onto the substrate (W), the substrate (W) is provided on one of a plurality of substrate holders (6). W)
After the elapse of a waiting time (t) until the temperature difference between the substrate holder (6) and the substrate (W) placed on the substrate holder (6) almost disappears, the substrate (W) is subjected to exposure processing. It is characterized by.
【0008】本発明によれば、露光処理を行う際、基板
ホルダ(6)とこの基板ホルダ(6)に載置した基板
(W)との温度差を無くすための待ち時間(t)を設け
たことにより、温度変化に起因する基板(W)の変形が
止まってから安定した露光処理が行われる。According to the present invention, when performing the exposure processing, a waiting time (t) for eliminating a temperature difference between the substrate holder (6) and the substrate (W) placed on the substrate holder (6) is provided. Thus, stable exposure processing is performed after the deformation of the substrate (W) due to the temperature change stops.
【0009】この待ち時間(t)の間、複数の基板ホル
ダ(6)のうちの他の基板ホルダ(6)に保持された基
板(W)を露光処理することができるので、生産性は向
上する。During the waiting time (t), the substrate (W) held by another substrate holder (6) of the plurality of substrate holders (6) can be subjected to exposure processing, so that productivity is improved. I do.
【0010】基板(W)を基板ホルダ(6)に載置して
からこの基板ホルダ(6)との温度差がほぼ無くなるま
でに要する待ち時間(t)を予め計測しておき、複数の
基板ホルダ(6)に順次保持された基板(W)のそれぞ
れについて待ち時間(t)を経過したか否かを判断し、
この待ち時間(t)が経過した基板(W)に対して露光
処理を行うことによって、温度変化に起因する基板
(W)の変形が確実に止まった状態で精度良い安定した
露光処理が行える。A waiting time (t) required from the time when the substrate (W) is placed on the substrate holder (6) until the temperature difference with the substrate holder (6) almost disappears is measured in advance, and a plurality of substrates (W) are measured. It is determined whether or not the waiting time (t) has elapsed for each of the substrates (W) sequentially held in the holder (6),
By performing exposure processing on the substrate (W) after the elapse of the waiting time (t), accurate and stable exposure processing can be performed in a state in which the deformation of the substrate (W) due to the temperature change is reliably stopped.
【0011】露光処理を行う一の基板(W)に対して、
二以上の基板(W)を基板ホルダ(6)に保持させてお
くことにより、一の基板(W)に対する露光処理と他の
基板(W)の温度安定化とを同時に行うことができるの
で、生産性・作業性は向上される。For one substrate (W) to be exposed,
By holding two or more substrates (W) in the substrate holder (6), exposure processing on one substrate (W) and temperature stabilization of another substrate (W) can be performed simultaneously, Productivity and workability are improved.
【0012】待ち時間(t)の間、基板ホルダ(6)は
基板(W)を真空吸着するとともに、待ち時間(t)経
過後、この基板(W)を露光処理する前に基板(W)の
真空吸着を解除し、再度真空吸着することによって、放
熱によって伸縮された基板(W)の元に戻るときに生じ
る応力は開放される。したがって、基板(W)に対する
露光処理は伸縮に伴う基板(W)の歪みを除去した状態
で精度良く行われる。During the waiting time (t), the substrate holder (6) sucks the substrate (W) by vacuum, and after the waiting time (t) elapses, the substrate (W) is exposed before the substrate (W) is exposed. Is released, and the vacuum suction is performed again, whereby the stress generated when the substrate (W) expanded and contracted by the heat radiation returns to the original position is released. Therefore, the exposure processing for the substrate (W) is performed with high accuracy in a state where the distortion of the substrate (W) due to expansion and contraction is removed.
【0013】本発明の露光装置は、マスク(M)のパタ
ーンを基板(W)上に投影することによって基板(W)
を露光する露光装置において、複数の基板ホルダ(6)
を有する少なくとも1つの基板ステージ(7)と、複数
の基板ホルダ(6)のうちの1つに基板(W)を載置さ
せ、基板ホルダ(6)とこの基板ホルダ(6)に載置し
た基板(W)との温度差がほぼ無くなるまでの待ち時間
(t)の経過後、基板(W)に対して露光処理を行うよ
う基板ステージ(7)を制御する制御手段(9)とを備
えることを特徴とする。The exposure apparatus of the present invention projects a pattern of a mask (M) onto a substrate (W) by projecting the pattern on the substrate (W).
An exposure apparatus for exposing a plurality of substrate holders (6)
The substrate (W) was placed on at least one substrate stage (7) having one or more of the plurality of substrate holders (6), and was placed on the substrate holder (6) and the substrate holder (6). After a lapse of a waiting time (t) until the temperature difference with the substrate (W) substantially disappears, a control means (9) for controlling the substrate stage (7) so as to perform exposure processing on the substrate (W) is provided. It is characterized by the following.
【0014】本発明によれば、露光処理は、基板ステー
ジ(7)上の複数の基板ホルダ(6)とこの基板ホルダ
(6)に載置された基板(W)との温度差がほぼ無くな
ってから行われる。したがって、温度変化に起因する基
板(W)の変形が止まってから精度良く安定した露光処
理が行われる。According to the present invention, in the exposure processing, the temperature difference between the plurality of substrate holders (6) on the substrate stage (7) and the substrate (W) mounted on the substrate holder (6) is substantially eliminated. It is done after. Therefore, stable and accurate exposure processing is performed after the deformation of the substrate (W) caused by the temperature change stops.
【0015】制御手段(9)は、待ち時間(t)の間、
複数の基板ホルダ(6)のうちの他の基板ホルダ(6)
に保持された基板(W)を露光処理するように基板ステ
ージ(7)を制御するので、基板(W)に対する露光処
理と基板(W)の温度安定化とを同時に行うことができ
る。したがって、生産性・作業性は向上される。[0015] The control means (9) is provided during the waiting time (t).
Another substrate holder (6) of the plurality of substrate holders (6)
Since the substrate stage (7) is controlled so as to perform exposure processing on the substrate (W) held in the substrate, exposure processing on the substrate (W) and temperature stabilization of the substrate (W) can be performed simultaneously. Therefore, productivity and workability are improved.
【0016】複数の基板ホルダ(6)は、互いに厚さが
異なる少なくとも2つの基板ホルダ(6)を有している
ので、露光処理される基板(W)の厚さが大きく異なっ
ている場合でも、基板ホルダ(6)を交換することな
く、簡易な構成で基板(W)を投影光学系(3)の焦点
深度内に配置させることができる。したがって、精度良
い安定した露光処理が行える。Since the plurality of substrate holders (6) have at least two substrate holders (6) having different thicknesses from each other, even if the thickness of the substrate (W) to be exposed is greatly different. The substrate (W) can be arranged within the depth of focus of the projection optical system (3) with a simple configuration without replacing the substrate holder (6). Therefore, accurate and stable exposure processing can be performed.
【0017】制御手段(9)は、複数の基板ホルダ
(6)に順次保持された基板(W)のそれぞれについ
て、基板(W)を基板ホルダ(6)に載置してから基板
ホルダ(6)との温度差がほぼ無くなるまでに要する待
ち時間(t)を経過したか否かを判断し、経過した基板
(W)に対して露光処理を行うように指示するので、温
度変化による基板(W)の変形が確実に止まった状態に
おいて精度良い安定した露光処理を行うことができる。For each of the substrates (W) sequentially held by the plurality of substrate holders (6), the control means (9) places the substrate (W) on the substrate holder (6) and then sets the substrate holder (6). It is determined whether or not the waiting time (t) required until the temperature difference with the temperature substantially disappears has elapsed, and an instruction is given to perform exposure processing on the passed substrate (W). Accurate and stable exposure processing can be performed in a state where the deformation of W) is reliably stopped.
【0018】マスク(M)のパターンを基板(W)上に
投影することによって基板(W)を露光する露光装置に
おいて、複数の基板ホルダ(6)を有する少なくとも1
つの基板ステージ(7)と、基板ステージ(7)上に設
けられ、互いに厚さの異なる複数の基板ホルダ(6)と
を備えることを特徴とする露光装置により、様々な厚さ
を有する複数の基板(W)は、簡易な構成で投影光学系
(3)の焦点深度内に収められる。したがって、精度良
い露光処理が効率良く行われる。An exposure apparatus for exposing a substrate (W) by projecting a pattern of a mask (M) onto the substrate (W) has at least one substrate holder (6).
A plurality of substrate holders (6) having different thicknesses provided on the substrate stage (7) and having a plurality of substrate holders (6) having different thicknesses. The substrate (W) is accommodated within the depth of focus of the projection optical system (3) with a simple configuration. Therefore, accurate exposure processing is performed efficiently.
【0019】この場合、複数の基板ホルダ(6)におけ
る厚さの差は、処理する複数の基板(W)における厚さ
の差に応じて設定されるので、各基板(W)は投影光学
系(3)の焦点深度内に確実に配置される。In this case, the difference in thickness between the plurality of substrate holders (6) is set according to the difference in thickness between the plurality of substrates (W) to be processed. It is surely arranged within the depth of focus of (3).
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
露光方法及び露光装置を図面を参照しながら説明する。
このうち、図1は本発明の露光装置の概略構成図であ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an exposure method and an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram of the exposure apparatus of the present invention.
【0021】図1において、露光装置1は、水銀ランプ
等の光源21からの光束をマスクホルダ5に保持される
マスクMに照明する照明光学系2と、この照明光学系2
内に配され露光用照明光(露光光)ELを通過させる開
口Sの面積を調整してこの露光光ELによるマスクMの
照明範囲を規定するブラインド部4と、露光光ELで照
明されたマスクMのパターンの像を基板W上に投影する
投影光学系3と、基板Wを保持するための基板ホルダ6
と、この基板ホルダ6を複数備える基板ステージ7と、
露光装置1の動作全体を統括制御する制御部(制御手
段)9とを備えている。In FIG. 1, an exposure apparatus 1 includes an illumination optical system 2 for illuminating a light beam from a light source 21 such as a mercury lamp onto a mask M held by a mask holder 5, and an illumination optical system 2.
A blind portion 4 that adjusts the area of an opening S that is arranged in the inside and allows the exposure illumination light (exposure light) EL to pass therethrough to define an illumination range of the mask M by the exposure light EL, and a mask illuminated by the exposure light EL A projection optical system 3 for projecting an image of the pattern of M onto the substrate W, and a substrate holder 6 for holding the substrate W
A substrate stage 7 having a plurality of the substrate holders 6;
The exposure apparatus 1 includes a control unit (control means) 9 that controls the entire operation of the exposure apparatus 1.
【0022】照明光学系2は、光源21から射出された
光束を集光する楕円鏡22と、この光源21からの光束
のうち露光に必要な波長のみを通過させる波長フィルタ
23と、この波長フィルタ23を通過した光束をほぼ均
一な照度分布の光束に調整して露光光ELに変換しブラ
インド部4に導くフライアイインテグレータ24と、ブ
ラインド部4によって照明範囲を規定され、反射ミラー
25によって導かれた露光光ELをマスクMに均一な照
度で照明するメインコンデンサレンズ26とを備えてい
る。The illumination optical system 2 includes an elliptical mirror 22 for condensing a light beam emitted from the light source 21, a wavelength filter 23 for passing only a wavelength necessary for exposure in the light beam from the light source 21, and a wavelength filter 23. The light beam passing through 23 is adjusted to a light beam having a substantially uniform illuminance distribution, is converted into exposure light EL, and is guided to the blind unit 4. An illumination range is defined by the blind unit 4, and is guided by the reflection mirror 25. And a main condenser lens 26 for illuminating the exposure light EL onto the mask M with uniform illuminance.
【0023】ブラインド部4は、例えば、平面L字状に
屈曲し露光光ELの光軸AXと直交する面内で組み合わ
せられることによって矩形状の開口Sを形成する一対の
ブレード41A、41Bと、これらブレード41A、4
1Bを制御部9の指示に基づいて光軸AXと直交する面
内で変位させる遮光部変位装置42A、42Bとを備え
ている。このとき、開口Sの大きさはブレード41A、
41Bの変位に伴って変化し、開口Sはフライアイイン
テグレータ24から入射される露光光ELのうち、通過
させた露光光ELのみを反射ミラー25を介してメイン
コンデンサレンズ26に送る。開口Sにより規定された
露光光ELは、メインコンデンサレンズ26を介してマ
スクホルダ5に保持されるマスクMの特定領域(パター
ン領域)PAをほぼ均一な照度で照明する。これら各光
学部材及びブラインド部4は所定位置関係で配置されて
おり、ブラインド部4はマスクMのパターン面と共役な
面に配置されている。The blind portion 4 includes, for example, a pair of blades 41A and 41B which are bent in a plane L shape and are combined in a plane orthogonal to the optical axis AX of the exposure light EL to form a rectangular opening S. These blades 41A, 4
Light-shielding unit displacement devices 42A and 42B for displacing 1B in a plane orthogonal to the optical axis AX based on an instruction from the control unit 9 are provided. At this time, the size of the opening S is the blade 41A,
The aperture S changes according to the displacement of the exposure light 41 </ b> B, and the aperture S transmits only the passed exposure light EL out of the exposure light EL incident from the fly-eye integrator 24 to the main condenser lens 26 via the reflection mirror 25. The exposure light EL defined by the opening S illuminates a specific area (pattern area) PA of the mask M held by the mask holder 5 via the main condenser lens 26 with substantially uniform illuminance. These optical members and the blind portion 4 are arranged in a predetermined positional relationship, and the blind portion 4 is arranged on a surface conjugate to the pattern surface of the mask M.
【0024】マスクホルダ5はその上面の4つのコーナ
ー部分に真空吸着部12を備えており、この真空吸着部
12を介してマスクMがマスクホルダ5上に保持されて
いる。このマスクホルダ5は、マスクM上のパターンが
形成された領域であるパターン領域PAに対応した開口
(図示略)を備え、不図示の駆動機構によりX方向、Y
方向、θ方向(Z軸回りの回転方向)に微動可能となっ
ており、これによって、パターン領域PAの中心(マス
クセンター)が投影光学系3の光軸AXを通るようにマ
スクMの位置決めが可能な構成となっている。The mask holder 5 has vacuum suction portions 12 at four corners on the upper surface thereof, and the mask M is held on the mask holder 5 via the vacuum suction portions 12. The mask holder 5 has an opening (not shown) corresponding to a pattern area PA which is an area where a pattern on the mask M is formed, and is driven in an X direction and a Y direction by a driving mechanism (not shown).
Fine movement in the direction and the θ direction (rotational direction around the Z axis), thereby positioning the mask M such that the center (mask center) of the pattern area PA passes through the optical axis AX of the projection optical system 3. It has a possible configuration.
【0025】投影光学系3は、開口Sによって規定され
たマスクMの露光光ELによる照明範囲に存在するパタ
ーンの像を基板Wに結像させ、基板Wの特定領域(ショ
ット領域)にパターンの像を露光するものである。この
投影光学系3は、蛍石、フッ化リチウム等のフッ化物結
晶からなるレンズや反射鏡などの複数の光学部材からな
っている。本実施形態では、この投影光学系3として、
投影倍率が例えば1/4あるいは1/5の縮小光学系が
用いられる。このため、マスクMに形成されたパターン
は投影光学系3により基板W上のショット領域に縮小投
影され、基板W上にはマスクMに形成されたパターンの
縮小像が転写形成される。The projection optical system 3 forms an image of a pattern existing in the illumination range of the mask M defined by the opening S by the exposure light EL on the substrate W, and forms the pattern in a specific area (shot area) of the substrate W. Exposure of the image. The projection optical system 3 includes a plurality of optical members such as a lens and a reflector formed of a fluoride crystal such as fluorite or lithium fluoride. In the present embodiment, as the projection optical system 3,
A reduction optical system having a projection magnification of, for example, 1/4 or 1/5 is used. For this reason, the pattern formed on the mask M is reduced and projected onto the shot area on the substrate W by the projection optical system 3, and a reduced image of the pattern formed on the mask M is transferred and formed on the substrate W.
【0026】基板ステージ7上には、基板Wを保持する
ための基板ホルダ6が複数設けられている。本実施形態
においては、基板ステージ7は2つの基板ホルダ6A、
6Bを備えている。基板ステージ7は、ベース71と、
このベース71上を図1におけるX方向に往復移動可能
なXステージ72と、このXステージ72上をX方向と
直交するY方向に往復移動可能なYステージ73と、こ
のYステージ73上に設けられた基板テーブル74とを
備えている。すなわち、この基板ステージ7に固定され
た基板ホルダ6はX−Y平面に沿った水平方向に(投影
光学系3の光軸AXに対して垂直な方向に)移動可能に
支持されている。このとき、投影光学系3の光軸AXは
X−Y平面に直交するZ方向と一致している。すなわ
ち、X−Y平面は、投影光学系3の光軸AXと直交関係
にある。さらに、基板テーブル74はYステージ73上
にXY方向に位置決めされて且つZ軸方向の移動及び傾
斜が許容された状態で取り付けられている。On the substrate stage 7, a plurality of substrate holders 6 for holding the substrate W are provided. In the present embodiment, the substrate stage 7 has two substrate holders 6A,
6B. The substrate stage 7 includes a base 71,
An X stage 72 that can reciprocate in the X direction in FIG. 1 on the base 71, a Y stage 73 that can reciprocate in the Y direction orthogonal to the X direction on the X stage 72, and a Y stage 73 are provided on the Y stage 73. And a substrate table 74 provided. That is, the substrate holder 6 fixed to the substrate stage 7 is supported movably in the horizontal direction along the XY plane (in the direction perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system 3). At this time, the optical axis AX of the projection optical system 3 coincides with the Z direction orthogonal to the XY plane. That is, the XY plane is orthogonal to the optical axis AX of the projection optical system 3. Further, the substrate table 74 is mounted on the Y stage 73 so as to be positioned in the XY directions and to be allowed to move and tilt in the Z-axis direction.
【0027】それぞれの基板ホルダ6(6A、6B)
は、図2に示すように、負圧による吸着溝62、64、
66を備えている。吸着溝62の底には吸引穴62A、
62Bが形成されている。また、吸着溝64の底には吸
引穴64A、64Bが形成されている。吸着溝66の底
には吸引穴66Aが形成されている。そして、これら基
板ホルダ6(6A、6B)は基板Wを真空吸着によって
それぞれ独立して保持可能な構成となっている。Each substrate holder 6 (6A, 6B)
As shown in FIG. 2, the suction grooves 62, 64,
66 are provided. At the bottom of the suction groove 62, a suction hole 62A,
62B are formed. Further, suction holes 64A and 64B are formed at the bottom of the suction groove 64. At the bottom of the suction groove 66, a suction hole 66A is formed. The substrate holders 6 (6A, 6B) are configured to be able to independently hold the substrate W by vacuum suction.
【0028】これら基板ホルダ6A、6Bのそれぞれの
厚さ(Z方向の幅)は互いに異なるように設定可能であ
る。この場合、それぞれの基板ホルダ6における厚さの
差は、各基板ホルダ6に載置されるそれぞれの基板Wの
厚さの差に応じて基板Wのそれぞれのパターン転写面を
Z方向においてほぼ同じ位置にするように設定される。The thickness (width in the Z direction) of each of the substrate holders 6A and 6B can be set to be different from each other. In this case, the thickness difference between the respective substrate holders 6 is such that the respective pattern transfer surfaces of the substrates W are substantially the same in the Z direction according to the thickness difference between the respective substrates W placed on the respective substrate holders 6. Set to position.
【0029】また、複数の基板Wのそれぞれのパターン
転写面をZ方向においてほぼ同じ高さ位置にするため
に、複数の基板ホルダ6のうち少なくとも1つに、基板
Wのパターン転写面を所定高さ位置(Z方向の位置)に
設定するための高さ調整機構を備えさせることができ
る。この高さ調整機構は、図2に示すような、基板Wと
基板ホルダ6との間に対して挿入及び離脱可能なアダプ
タ8によって構成される。Further, in order to make the respective pattern transfer surfaces of the plurality of substrates W have substantially the same height in the Z direction, at least one of the plurality of substrate holders 6 has the pattern transfer surface of the substrate W at a predetermined height. A height adjustment mechanism for setting the height position (position in the Z direction). The height adjusting mechanism is configured by an adapter 8 that can be inserted into and removed from the space between the substrate W and the substrate holder 6 as shown in FIG.
【0030】この場合、アダプタ8は吸着溝82、86
及び溝84を備えており、吸着溝82の底には吸引穴8
2A、82Bが形成されている。また、吸着溝86の底
には吸引穴86Aが形成されている。アダプタ8側の吸
引穴82A、82B、86Aは、基板ホルダ6側の吸引
穴62A、62B、66Aにそれぞれ一致して連通して
おり、これら吸引穴62A、62B、66Aは、吸引路
80、バルブ(開閉弁)82を介して基板吸着用バキュ
ーム源(図示せず)に接続されている。一方、基板ホル
ダ6の他の吸引穴64A、64Bは、吸引路84、バル
ブ86を介してアダプタ用バキューム源(図示せず)に
接続されている。すなわち、基板ホルダ6には、基板吸
着用の吸着溝及び吸引穴とアダプタ吸着用の吸着溝及び
吸引穴が交互に設けられている。このように、基板ホル
ダ6の吸着は基板吸着用とアダプタ吸着用との2系統に
よって構成されている。なお、バルブ82、86として
は例えば手動の弁でもよいが、電磁弁などの電気的に制
御可能なものでもよい。In this case, the adapter 8 is provided with the suction grooves 82 and 86.
And a groove 84, and a suction hole 8 is provided at the bottom of the suction groove 82.
2A and 82B are formed. A suction hole 86A is formed at the bottom of the suction groove 86. The suction holes 82A, 82B, and 86A on the adapter 8 side communicate with the suction holes 62A, 62B, and 66A on the substrate holder 6 so as to correspond to the suction holes 62A, 62B, and 66A, respectively. (Open / close valve) 82 is connected to a substrate suction vacuum source (not shown). On the other hand, the other suction holes 64A and 64B of the substrate holder 6 are connected to an adapter vacuum source (not shown) via a suction path 84 and a valve 86. That is, the substrate holder 6 is provided with suction grooves and suction holes for sucking the substrate and suction grooves and suction holes for sucking the adapter alternately. Thus, the suction of the substrate holder 6 is constituted by two systems, one for sucking the substrate and the other for sucking the adapter. The valves 82 and 86 may be manually operated valves, for example, or may be electrically controllable valves such as electromagnetic valves.
【0031】基板ステージ7のXY方向の位置はレーザ
干渉計システムによって調整されるようになっている。
これを詳述すると、基板ステージ7(基板テーブル7
4)の−X側の端部には、平面鏡からなるX移動鏡75
XがY方向に延設されている。このX移動鏡75Xにほ
ぼ垂直にX軸レーザー干渉計76Xからの測長ビームが
投射され、その反射光がX軸レーザー干渉計76X内部
のディテクタによって受光され、X軸レーザー干渉計7
6X内部の参照鏡の位置を基準としてX移動鏡75Xの
位置、すなわち基板WのX位置が検出されるようになっ
ている。同様に、図示は省略されているが、基板ステー
ジ7の+Y側の端部には平面鏡からなるY移動鏡がY方
向に延設されている。そして、このY移動鏡を介してY
軸レーザー干渉計によって上記と同様にしてY移動鏡の
位置、すなわち基板WのY位置が検出される。X軸及び
Y軸それぞれのレーザー干渉計の検出値(計測値)、す
なわち基板WのXY方向の位置情報は制御部9に送られ
る。The position of the substrate stage 7 in the XY directions is adjusted by a laser interferometer system.
In detail, the substrate stage 7 (substrate table 7)
4) An X movable mirror 75 composed of a plane mirror is provided at the end on the -X side.
X extends in the Y direction. A measuring beam from the X-axis laser interferometer 76X is projected almost perpendicularly to the X moving mirror 75X, and the reflected light is received by a detector inside the X-axis laser interferometer 76X.
The position of the X movable mirror 75X, that is, the X position of the substrate W, is detected based on the position of the reference mirror inside 6X. Similarly, although not shown, a Y moving mirror, which is a plane mirror, extends in the Y direction at the + Y side end of the substrate stage 7. And, through this Y moving mirror,
The position of the Y movable mirror, that is, the Y position of the substrate W is detected by the axial laser interferometer in the same manner as described above. The detected values (measured values) of the laser interferometers on the X axis and the Y axis, that is, the position information of the substrate W in the XY directions are sent to the control unit 9.
【0032】一方、投影光学系3の投影領域内に配置さ
れた基板WのZ方向の位置は斜入射方式の焦点検出系の
1つである多点フォーカス位置検出系によって検出さ
れ、この検出値に基づいて調整されるようになってい
る。これを詳述すると、多点フォーカス位置検出系は、
光ファイバ束81、集光レンズ82、パターン形成板8
3、レンズ84、ミラー85及び照射対物レンズ86か
らなるビーム照射系13と、集光対物レンズ87、結像
レンズ89、多数の受光センサとしてのフォトセンサを
有する受光器90からなるビーム受光系14とから構成
されており、露光光ELとは異なる基板W上のフォトレ
ジストを感光させない波長のビームが、図示しない照明
光源から光ファイバ束81を介して導かれる。光ファイ
バ束81から射出されたビームは、集光レンズ82を経
てパターン形成板83を照明する。パターン形成板83
を透過したビームは、レンズ84、ミラー85及び照射
対物レンズ86を経て基板W表面に投影され、基板W表
面にはパターン形成板83上のパターンの像が投影結像
される。基板Wで反射されたビームの反射光は、集光対
物レンズ87、結像レンズ89を経て受光器90の受光
面に投影される。受光器90の多数のフォトセンサから
の検出信号(光電変換信号)は信号処理装置10に供給
され、この信号処理装置10によって処理された信号、
すなわち基板WのZ方向の位置情報は制御部9に送られ
る。制御部9は、この信号処理装置10からの信号に基
づいて基板WのZ方向の位置を検出する。On the other hand, the position of the substrate W arranged in the projection area of the projection optical system 3 in the Z direction is detected by a multipoint focus position detection system which is one of the oblique incidence type focus detection systems. It is to be adjusted based on. To explain this in detail, the multipoint focus position detection system
Optical fiber bundle 81, condenser lens 82, pattern forming plate 8
3, a beam irradiation system 13 including a lens 84, a mirror 85, and an irradiation objective lens 86, and a beam reception system 14 including a condenser objective lens 87, an imaging lens 89, and a light receiver 90 having a plurality of photosensors as light reception sensors. A beam having a wavelength that is different from that of the exposure light EL and that does not expose the photoresist on the substrate W is guided from an unillustrated illumination light source via the optical fiber bundle 81. The beam emitted from the optical fiber bundle 81 illuminates the pattern forming plate 83 via the condenser lens 82. Pattern forming plate 83
Is transmitted through the lens 84, the mirror 85, and the irradiation objective lens 86 to be projected onto the surface of the substrate W, and the image of the pattern on the pattern forming plate 83 is projected and formed on the surface of the substrate W. The reflected light of the beam reflected by the substrate W is projected on the light receiving surface of the light receiver 90 via the condenser objective lens 87 and the imaging lens 89. Detection signals (photoelectric conversion signals) from a large number of photosensors of the light receiver 90 are supplied to a signal processing device 10, and the signals processed by the signal processing device 10 are:
That is, the position information of the substrate W in the Z direction is sent to the control unit 9. The control unit 9 detects the position of the substrate W in the Z direction based on the signal from the signal processing device 10.
【0033】制御部9は、レーザー干渉システム及び多
点フォーカス位置検出系により得られた基板WのXY方
向及びZ方向の位置情報をモニターしつつ、駆動系とし
ての基板ステージ駆動装置78を介してXステージ7
2、Yステージ73及び基板テーブル74を駆動し、マ
スクMのパターン面と基板W表面とが投影光学系3に関
して共役となるように、且つ投影光学系3の結像面と基
板Wとが一致するように、基板WのXY方向、Z方向及
び傾斜方向の位置決め動作を行う。このようにして位置
決めがなされた状態で照明光学系2から射出された露光
光ELによりマスクMのパターン領域PAがほぼ均一な
照度で照明されると、マスクMのパターンの像が投影光
学系3を介して表面にフォトレジストを塗布された基板
W上に結像される。The controller 9 monitors the positional information of the substrate W in the XY and Z directions obtained by the laser interference system and the multipoint focus position detecting system, and via the substrate stage driving device 78 as a driving system. X stage 7
2. The Y stage 73 and the substrate table 74 are driven so that the pattern surface of the mask M and the surface of the substrate W are conjugate with respect to the projection optical system 3, and the imaging surface of the projection optical system 3 matches the substrate W. In such a manner, the positioning operation of the substrate W in the XY direction, the Z direction, and the tilt direction is performed. When the pattern area PA of the mask M is illuminated by the exposure light EL emitted from the illumination optical system 2 with substantially uniform illuminance in the state where the positioning is performed in this manner, the image of the pattern of the mask M is projected. Is imaged on a substrate W having a surface coated with a photoresist.
【0034】このような構成を持つ露光装置1を用いて
マスクMのパターンの像を基板Wに転写する方法につい
て、図5を参照しながら説明する。図5は、複数の基板
ホルダ6に順次載置される複数の基板Wの温度と時間と
の関係を示す図である。A method of transferring the image of the pattern of the mask M onto the substrate W using the exposure apparatus 1 having the above-described configuration will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between the temperature and the time of the plurality of substrates W sequentially placed on the plurality of substrate holders 6.
【0035】まず、制御部9は、不図示の基板ローダ
に、露光処理されるべき基板W1を基板ホルダ6Aに供
給するよう指示する。基板W1は基板ローダによって基
板ホルダ6Aに載置される(工程S1)。このとき、基
板W1はレジスト工程や搬送工程等において加熱されて
おり、この加熱された状態で基板ホルダ6Aに吸着保持
される。First, the control unit 9 instructs a substrate loader (not shown) to supply the substrate W1 to be exposed to the substrate holder 6A. The substrate W1 is placed on the substrate holder 6A by the substrate loader (Step S1). At this time, the substrate W1 is heated in the resist process, the transport process, and the like, and is held by suction on the substrate holder 6A in this heated state.
【0036】次いで、基板W2が基板ローダによって基
板ホルダ6Bに載置される(工程S2)。このとき、先
に基板ホルダ6Aに保持されている基板W1はその保持
状態を維持されている。基板W1は保持状態を維持され
ることによって、図5(a)に示すように、その温度を
基板ホルダ6Aの温度に近づける。すなわち、基板W1
と基板ホルダ6Aとの温度差は、基板W1と基板ホルダ
6Aとの熱交換や基板W1自身の放熱などによって低減
される。Next, the substrate W2 is placed on the substrate holder 6B by the substrate loader (Step S2). At this time, the substrate W1 previously held by the substrate holder 6A is maintained in the held state. By maintaining the holding state of the substrate W1, the temperature thereof approaches the temperature of the substrate holder 6A, as shown in FIG. That is, the substrate W1
The temperature difference between the substrate W1 and the substrate holder 6A is reduced by heat exchange between the substrate W1 and the substrate holder 6A and heat radiation of the substrate W1 itself.
【0037】基板W1は、処理待ち時間として所定時間
tだけ基板ホルダ6Aに保持状態を維持されることによ
り、基板ホルダ6Aとの温度差をほぼ無くす。この待ち
時間tは、基板Wが基板ホルダ6に載置されてから、基
板W自身の放熱や基板ホルダ6との熱交換などによって
基板Wと基板ホルダ6との温度差がほぼ無くなるまでに
要する時間であって、この待ち時間tに関するデータは
予め制御部9に記憶されている。The substrate W1 is held in the substrate holder 6A for a predetermined time t as a processing waiting time, so that the temperature difference between the substrate W1 and the substrate holder 6A is substantially eliminated. This waiting time t is required after the substrate W is placed on the substrate holder 6 until the temperature difference between the substrate W and the substrate holder 6 is substantially eliminated due to heat radiation of the substrate W itself or heat exchange with the substrate holder 6. The data relating to the waiting time t is stored in the control unit 9 in advance.
【0038】待ち時間tに関するデータは予め実験的に
求められているものである。すなわち、基板Wを基板ホ
ルダ6に載置してからこの基板ホルダ6Aとの温度差が
ほぼ無くなるまでに要する時間は予め実験的に求められ
ており、制御部9にはこの時間に関するデータが記憶さ
れている。つまり、制御部9には基板Wと基板ホルダ6
との温度差と待ち時間tとの関係が記憶されている。こ
のとき、基板ホルダ6に載置される基板Wが複数種類に
及ぶ場合には、制御部9には各種類の基板Wに応じた複
数のデータが記憶される。制御部9は、このデータに基
づいて、温度差がほぼ無くなったか否か、すなわち温度
差が所定値以下になったか否かを判断する。The data relating to the waiting time t has been obtained experimentally in advance. That is, the time required from the time when the substrate W is placed on the substrate holder 6 to the time when the temperature difference with the substrate holder 6A substantially disappears is obtained experimentally in advance, and the controller 9 stores data relating to this time. Have been. That is, the control unit 9 includes the substrate W and the substrate holder 6.
The relationship between the temperature difference and the waiting time t is stored. At this time, when there are a plurality of types of substrates W placed on the substrate holder 6, the control unit 9 stores a plurality of data corresponding to each type of the substrates W. The control unit 9 determines based on this data whether or not the temperature difference has almost disappeared, that is, whether or not the temperature difference has become equal to or less than a predetermined value.
【0039】基板W1と基板ホルダ6Aとの温度差が無
くなることで、基板W1の温度は安定化されるので、温
度変化に起因する基板W1の変形は止められる。しがた
って、基板ホルダ6に保持された基板Wについて待ち時
間tを経過したか否かを判断することにより、基板W1
の変形がほぼ止まったか否かを判断することができる。
よって、待ち時間tが経過した基板Wに対して露光処理
を行うことにより、温度変化に起因する変形を止められ
た基板Wに対して露光処理を行うことができる。Since the temperature of the substrate W1 is stabilized by eliminating the temperature difference between the substrate W1 and the substrate holder 6A, the deformation of the substrate W1 due to the temperature change is stopped. Accordingly, by determining whether the waiting time t has elapsed for the substrate W held by the substrate holder 6, the substrate W1
It can be determined whether or not the deformation has almost stopped.
Therefore, by performing the exposure processing on the substrate W for which the waiting time t has elapsed, the exposure processing can be performed on the substrate W whose deformation caused by the temperature change is stopped.
【0040】こうして、制御部9は、基板ホルダ6Aに
保持された基板W1のついて、予め設定されている待ち
時間tを経過したか否かを判断し、待ち時間tが経過し
たと判断したら、まず、基板ホルダ6Aは基板Wの真空
吸着を一旦解除し、再度真空吸着する。これによって、
伸縮された基板Wが元に戻るときに生じる応力は開放さ
れるようになっているので、基板Wに生じる歪みが除去
される。In this manner, the control unit 9 determines whether or not the preset waiting time t has elapsed for the substrate W1 held in the substrate holder 6A. First, the substrate holder 6A once releases the vacuum suction of the substrate W, and performs the vacuum suction again. by this,
Since the stress generated when the stretched substrate W returns to its original state is released, the distortion generated in the substrate W is removed.
【0041】次いで、制御部9は基板W1の位置決めを
行うために、前述したレーザー干渉システム及び多点フ
ォーカス位置検出系を用いて基板ステージ7を制御し、
フォーカス位置調整・レベリング調整を行う。制御部9
は、信号処理装置10の算出結果に基づき、基板Wのパ
ターン転写面の位置が投影光学系3の焦点位置に配され
るように、基板ステージ駆動装置78によって基板ホル
ダ6Aに保持されている基板Wを投影光学系3の光軸A
X方向に移動させることによってフォーカス位置調整を
行う。この場合、制御部9は、フォーカス位置調整を行
ったあと、レベリング調整を行う。そして、位置決めさ
れた基板W1に対して露光処理が行われる(工程S
3)。Next, the control section 9 controls the substrate stage 7 using the laser interference system and the multipoint focus position detection system described above in order to position the substrate W1.
Perform focus position adjustment and leveling adjustment. Control unit 9
The substrate held by the substrate stage driving device 78 in the substrate holder 6A so that the position of the pattern transfer surface of the substrate W is located at the focal position of the projection optical system 3 based on the calculation result of the signal processing device 10. W is the optical axis A of the projection optical system 3
The focus position is adjusted by moving in the X direction. In this case, after performing the focus position adjustment, the control unit 9 performs the leveling adjustment. Then, an exposure process is performed on the positioned substrate W1 (Step S).
3).
【0042】なお、基板ホルダ6との温度差が無くなっ
た時点でも変形が止まらないような特性を有する基板に
対しては、形状測定機等を用いて、基板Wを基板ホルダ
6に載置してからこの基板ホルダ6との温度差による基
板Wの変形がほぼ止まるまでに要する待ち時間を予め計
測しておき、基板ホルダ6に保持された基板Wについて
待ち時間を経過したか否かを判断し、この待ち時間が経
過した時点で露光処理を行うようにしてもよい。For a substrate having such a characteristic that the deformation does not stop even when the temperature difference with the substrate holder 6 disappears, the substrate W is placed on the substrate holder 6 using a shape measuring instrument or the like. After that, the waiting time required until the deformation of the substrate W due to the temperature difference from the substrate holder 6 substantially stops is measured in advance, and it is determined whether or not the waiting time has elapsed for the substrate W held by the substrate holder 6. However, the exposure process may be performed when the waiting time has elapsed.
【0043】図3に示すように、基板W1に対する露光
処理が行われている間、基板W2はもう一方の基板ホル
ダ6Bに保持されている。すなわち、基板ホルダ6Bと
の温度差を無くすための基板W2の待ち時間tの間、基
板ホルダ6Aに保持された基板W1に対する露光処理が
行われるようになっている。As shown in FIG. 3, while the exposure process is being performed on the substrate W1, the substrate W2 is held by the other substrate holder 6B. That is, during the waiting time t of the substrate W2 for eliminating the temperature difference with the substrate holder 6B, the exposure processing is performed on the substrate W1 held by the substrate holder 6A.
【0044】基板W1に対する露光処理が終了したら、
基板ステージ7を移動し、基板W1を保持している基板
ホルダ6Aを不図示の基板アンローダとの受け渡し場所
に配置させる。このとき、基板ホルダ6Bに保持されて
いる基板W2は投影光学系3の投影領域に配置される。
露光処理を終えられた基板W1は基板アンローダによっ
て次工程に搬送される。これと同時に、次の露光処理さ
れるべき基板W3が不図示の基板ローダによって基板ホ
ルダ6Aに供給される(工程S4)。When the exposure processing for the substrate W1 is completed,
The substrate stage 7 is moved, and the substrate holder 6A holding the substrate W1 is arranged at a place where the substrate holder 6A is transferred to a substrate unloader (not shown). At this time, the substrate W2 held by the substrate holder 6B is arranged in the projection area of the projection optical system 3.
The substrate W1 that has been subjected to the exposure processing is transported to the next step by the substrate unloader. At the same time, the next substrate W3 to be exposed is supplied to the substrate holder 6A by a substrate loader (not shown) (step S4).
【0045】制御部9は、投影光学系3の投影領域に配
置された基板W2が待ち時間tを経過しているか否かを
判断する。待ち時間tを経過していると判断された場合
には、基板W2は基板ホルダ6Bによる吸着の一旦解除
及び再吸着をされた後、位置決めされ、露光処理を施さ
れる。一方、待ち時間tを経過していないと判断された
場合には、基板W2は待ち時間tが経過するまで基板ホ
ルダ6Bによる吸着保持を維持される。そして、待ち時
間tが経過した時点で、基板W2は真空吸着の一旦解
除、再吸着及び位置決めを経て露光処理を施される(工
程S5)。基板W2に対する露光処理が行われている
間、基板W3は基板ホルダ6Aに保持されている。The control section 9 determines whether or not the substrate W2 arranged in the projection area of the projection optical system 3 has passed the waiting time t. When it is determined that the waiting time t has elapsed, the substrate W2 is once released and re-adsorbed by the substrate holder 6B, and then positioned and subjected to an exposure process. On the other hand, when it is determined that the waiting time t has not elapsed, the suction holding of the substrate W2 by the substrate holder 6B is maintained until the waiting time t elapses. Then, when the waiting time t has elapsed, the substrate W2 is subjected to the exposure process through the temporary release of the vacuum suction, the re-suction, and the positioning (step S5). While the exposure process is being performed on the substrate W2, the substrate W3 is held by the substrate holder 6A.
【0046】こうして、基板ステージ7上に複数設けら
れている基板ホルダ6A、6Bには、図5に示すよう
に、順次基板W1、W2、…、W4が交互に供給され
る。そして、制御部9はこれら基板ホルダ6A、6Bに
保持された基板W1、W2、…、W4のそれぞれについ
て待ち時間tを経過したか否かを判断し、この待ち時間
tが経過した基板Wに対して露光処理を行う。Thus, the substrates W1, W2,..., W4 are sequentially supplied to the substrate holders 6A and 6B provided on the substrate stage 7 alternately, as shown in FIG. Then, the control unit 9 determines whether or not the waiting time t has elapsed for each of the substrates W1, W2,..., W4 held in the substrate holders 6A and 6B. Then, an exposure process is performed.
【0047】ところで、露光処理される基板Wの厚さが
大きく異なる場合には、図4に示すように、基板ホルダ
6A、6Bの厚さを異なるように設定しておく。厚さの
異なる基板ホルダ6A、6Bによって、それぞれの基板
ホルダ6A、6Bに保持される基板Wのパターン転写面
は、基板ステージ7のZ方向への移動可能範囲内で投影
光学系3の焦点深度内におさめることができる。あるい
は、前述したように、複数の基板Wのそれぞれの厚さに
応じて、アダプタ8を設ける。When the thickness of the substrate W to be exposed is largely different, the thicknesses of the substrate holders 6A and 6B are set to be different as shown in FIG. By the substrate holders 6A and 6B having different thicknesses, the pattern transfer surface of the substrate W held by each of the substrate holders 6A and 6B has a depth of focus of the projection optical system 3 within a movable range of the substrate stage 7 in the Z direction. You can put it inside. Alternatively, as described above, the adapter 8 is provided according to the thickness of each of the plurality of substrates W.
【0048】このように、複数の基板ホルダ6A、6B
に順次載置される基板W1、W2、…、のそれぞれにつ
いて露光処理待ち時間tを設定するとともに、この待ち
時間tを経過してから基板Wに対する露光処理を行うよ
うにしたので、露光処理は基板Wの温度変化に起因する
変形を抑えた状態で精度良く安定して行われる。つま
り、基板Wはレジスト工程や搬送工程等において加熱さ
れ、膨張する場合があるが、この状態では精度良いフォ
ーカス位置調整・レベリング調整及び露光処理は行われ
ない。しかしながら、この基板Wを基板ホルダ6に保持
させたままの状態で所定時間放置しておくことにより、
加熱されている基板Wは放熱され、温度変化を起こさな
くなる。したがって、基板Wは温度変化による変形を無
くした状態で精度良い位置決め及び露光処理が施され
る。As described above, the plurality of substrate holders 6A, 6B
, The exposure processing waiting time t is set for each of the substrates W1, W2,..., Which are sequentially placed, and the exposure processing is performed on the substrate W after the waiting time t has elapsed. It is performed accurately and stably with the deformation caused by the temperature change of the substrate W suppressed. That is, the substrate W may be heated and expanded in the resist process, the transport process, and the like, but in this state, accurate focus position adjustment, leveling adjustment, and exposure processing are not performed. However, by leaving the substrate W held in the substrate holder 6 for a predetermined time,
The heated substrate W is dissipated and no longer changes in temperature. Therefore, accurate positioning and exposure processing is performed on the substrate W in a state where deformation due to temperature change is eliminated.
【0049】このとき、基板ステージ7には複数の基板
ホルダ6が設置されているので、一方の基板ホルダ6A
(6B)に保持された基板Wに対する露光処理と、他方
の基板ホルダ6B(6A)に保持される基板の温度安定
化とが同時に行われる。したがって、生産性・作業性は
向上される。つまり、本実施形態における単位時間当た
りの生産性は、図6に示すような、1つの基板ホルダ6
に基板W1を供給し(工程T1)、この基板W1に対し
て待ち時間tを設け、この待ち時間t経過後に露光処理
を行い(工程T2)、露光処理を終えた基板W1を新た
な基板W2に交換し(工程T3)、これをW2、W3、
…、に対して順次繰り返す方法に比べて良い。このよう
に、一の基板Wに対する待ち時間tは、他の基板Wの露
光処理時間を利用して設定されるので、生産性は向上さ
れる。At this time, since a plurality of substrate holders 6 are installed on the substrate stage 7, one of the substrate holders 6A
The exposure process for the substrate W held in (6B) and the temperature stabilization of the substrate held in the other substrate holder 6B (6A) are performed simultaneously. Therefore, productivity and workability are improved. That is, the productivity per unit time in this embodiment is the same as that of one substrate holder 6 as shown in FIG.
The substrate W1 is supplied to the substrate W (step T1), a waiting time t is provided for the substrate W1, exposure processing is performed after the elapse of the waiting time t (step T2), and the exposed substrate W1 is replaced with a new substrate W2. (Step T3), and this is replaced with W2, W3,
.. Is better than a method of sequentially repeating for. As described above, the waiting time t for one substrate W is set using the exposure processing time of the other substrate W, so that productivity is improved.
【0050】また、本実施形態では、異なる基板W1、
W2、…、を順次露光処理する際に、基板W毎に待ち時
間を設けるものであるが、1つの基板Wに対する露光毎
にこの待ち時間を設けてもよい。つまり、基板Wに形成
されるパターンは、通常、複数の層(レイヤ)によって
形成され、この基板Wのパターンは複数のマスクMを用
いて複数回露光によって製造されるが、このときのある
露光から次の露光までの時間を待ち時間として設定する
ことができる。すなわち、1つの基板Wに対して露光処
理を行った後ただちに次の露光処理を行った場合、次の
露光処理は初めの露光処理によって加熱された状態の基
板Wに対して行われることになるので、レイヤの重ね合
わせ精度は悪くなるが、1つの基板Wに対する露光終了
から次の露光開始までの待ち時間を設定することによっ
て、レイヤの重ね合わせ精度は向上する。なお、レイヤ
を重ね合わせる露光工程に対して待ち時間を設定可能と
する形態の他に、例えば、1つの基板W上での複数のシ
ョット領域のうちのあるショット領域の露光終了から次
のショット領域の露光開始までの時間を設定する形態と
することももちろん可能である。この場合、上述のよう
に2つの露光処理の間に待ち時間を設定し、基板Wを放
熱させてからフォーカス位置調整・レベリング調整を行
うことが好ましい。このように、待ち時間の設定は、シ
ョット領域毎、あるいは基板毎の両方に適用できる。In this embodiment, different substrates W1,
.., Is provided with a waiting time for each substrate W. However, the waiting time may be provided for each exposure of one substrate W. That is, the pattern formed on the substrate W is usually formed by a plurality of layers (layers), and the pattern of the substrate W is manufactured by a plurality of exposures using a plurality of masks M. The time from to the next exposure can be set as the waiting time. That is, when the next exposure processing is performed immediately after performing the exposure processing on one substrate W, the next exposure processing is performed on the substrate W heated by the first exposure processing. Therefore, the overlay accuracy of the layers is degraded, but the overlay accuracy of the layers is improved by setting a waiting time from the end of exposure to one substrate W to the start of the next exposure. Note that, besides the mode in which the waiting time can be set for the exposure step of overlapping the layers, for example, from the end of exposure of a shot area of a plurality of shot areas on one substrate W to the next shot area It is of course possible to set the time until the start of the exposure. In this case, as described above, it is preferable to set the waiting time between the two exposure processings, radiate the heat of the substrate W, and then perform the focus position adjustment and the leveling adjustment. As described above, the setting of the waiting time can be applied to each shot area or each substrate.
【0051】待ち時間tの間、基板ホルダ6は基板Wを
真空吸着するとともに、待ち時間t経過後、この基板W
を露光処理する前に基板Wの真空吸着を解除し、再度真
空吸着することにより、放熱によって伸縮された基板W
の元に戻るときに生じる応力は開放される。したがっ
て、基板Wに生じた歪みを除去した状態で精度良い位置
決め及び露光処理を行うことができる。つまり、基板W
は温度安定化のために所定時間、基板ホルダ6に吸着保
持された状態を維持されるが、このとき放熱によって伸
縮する。したがって、基板Wが十分に放熱された後、一
旦真空吸着を解除してやることにより、基板Wに加わる
応力は開放される。During the waiting time t, the substrate holder 6 vacuum-adsorbs the substrate W, and after the lapse of the waiting time t, the substrate W
Before performing the exposure processing on the substrate W, the vacuum suction of the substrate W is released, and the substrate W expanded and contracted by heat radiation is released by vacuum suction again.
The stress that occurs when returning to the original position is released. Therefore, accurate positioning and exposure processing can be performed in a state where distortion generated in the substrate W is removed. That is, the substrate W
Is held by the substrate holder 6 by suction for a predetermined time to stabilize the temperature, but expands and contracts due to heat radiation. Therefore, the stress applied to the substrate W is released by releasing the vacuum suction once after the substrate W is sufficiently dissipated.
【0052】基板ステージ7は、複数の基板ホルダ6を
備えており、これら基板ホルダ6の厚さを互いに異なる
ように設定することが可能である。すなわち、露光処理
されるべき複数の基板Wの厚みが大きく異なる場合、従
来の露光装置は基板ホルダ6を1つだけ備えた構成であ
るので、基板ステージ7のZ方向の移動のみでは対応し
きれないときには、基板Wの露光面の高さ位置を所定の
位置に設置するためにその都度基板ホルダ6を交換して
いた。あるいは、通常の露光装置は、例えば0.5mm
程度の厚さを有するシリコンウェーハ用に製造されてお
り、この露光装置を用いて1〜3mm程度の厚さを有す
る薄膜磁気ヘッド用基板であるセラミック基板の露光処
理を行う際、アライメント精度の確認等、通常時におけ
る装置全体の精度確認は、まずこのシリコンウェーハに
よって行われることが多い。したがって、シリコンウェ
ーハによる精度確認の後、このシリコンウェーハ用の基
板ホルダをセラミック基板用の基板ホルダに交換してか
ら露光処理する場合が多かった。しかしながら、基板ス
テージ7上に複数の基板ホルダ6を設置可能とし、この
基板ホルダ6における厚さの差を、露光処理する複数の
基板Wにおける厚さの差に応じて設定することによっ
て、基板ホルダ6を交換することなく基板Wのパターン
転写面を所定高さ位置に効率良く設けることができる。
このとき、本実施形態に示したように、高さ調整機構と
してアダプタ8により高さ位置を調整することにより、
簡易な構成で基板Wの露光面の高さ位置調整が行われ
る。The substrate stage 7 has a plurality of substrate holders 6, and the thicknesses of the substrate holders 6 can be set to be different from each other. That is, when the thicknesses of the plurality of substrates W to be subjected to the exposure processing are largely different, the conventional exposure apparatus has only one substrate holder 6, and therefore, only the movement of the substrate stage 7 in the Z direction is sufficient. If not, the substrate holder 6 was replaced each time the exposure position of the substrate W was set at a predetermined position. Alternatively, a normal exposure apparatus is, for example, 0.5 mm
When performing exposure processing on a ceramic substrate, which is a substrate for a thin-film magnetic head having a thickness of about 1 to 3 mm, using this exposure apparatus, the alignment accuracy is checked. For example, the accuracy of the entire apparatus is usually checked at the normal time by using the silicon wafer. Therefore, after confirming the accuracy of the silicon wafer, the exposure process is often performed after replacing the silicon wafer substrate holder with the ceramic substrate substrate holder. However, a plurality of substrate holders 6 can be set on the substrate stage 7, and the thickness difference between the substrate holders 6 is set according to the thickness difference between the plurality of substrates W to be subjected to exposure processing. The pattern transfer surface of the substrate W can be efficiently provided at a predetermined height position without exchanging 6.
At this time, as shown in the present embodiment, by adjusting the height position by the adapter 8 as a height adjustment mechanism,
The height position of the exposure surface of the substrate W is adjusted with a simple configuration.
【0053】なお、基板ステージ7上に設ける基板ホル
ダ6は2つに限らず、3つ以上複数設けることができ
る。このとき、複数の基板ホルダ6は、互いに厚さの異
なる少なくとも2つの基板ホルダを備える構成とするこ
とができる。The number of the substrate holders 6 provided on the substrate stage 7 is not limited to two, and three or more substrate holders can be provided. At this time, the plurality of substrate holders 6 can be configured to include at least two substrate holders having different thicknesses.
【0054】また、複数の基板ホルダ6毎にそれぞれ独
立して複数の基板ステージ7を備える構成とすることが
できる。この場合、これら複数の基板ホルダ6に保持さ
れる複数の基板Wのうち、露光処理が終了した基板W
を、次の基板Wに対する露光処理を行いながら基板ホル
ダ6から取り外し、且つこの基板ホルダ6に新たな基板
Wを保持させることができる。これは、複数の基板ホル
ダ6に保持された基板Wのうち、一の基板Wに対する露
光処理中に、他の基板Wを基板ホルダ6から取り外すと
ともに新たな基板Wをこの基板ホルダ6に保持させる基
板交換装置によって実現される。このようなステージを
2つ有する構成の露光装置は、例えば特開平10−16
3097号公報に開示されている。また、上述の実施形
態における基板ホルダは、多数のピンによって基板を支
持するピンチャックホルダであっても良い。Further, a configuration may be employed in which a plurality of substrate stages 7 are independently provided for each of the plurality of substrate holders 6. In this case, of the plurality of substrates W held by the plurality of substrate holders 6,
Can be removed from the substrate holder 6 while performing the exposure processing on the next substrate W, and the substrate holder 6 can hold a new substrate W. This means that during the exposure processing on one of the substrates W held by the plurality of substrate holders 6, the other substrate W is removed from the substrate holder 6 and a new substrate W is held by the substrate holder 6. This is realized by a substrate exchange device. An exposure apparatus having two such stages is disclosed in, for example, JP-A-10-16
No. 3097 is disclosed. Further, the substrate holder in the above-described embodiment may be a pin chuck holder that supports the substrate with a large number of pins.
【0055】本発明に係る基板Wとしては、薄膜磁気ヘ
ッド用のセラミックウェーハのみならず、半導体デバイ
ス用の半導体ウェーハや、液晶表示デバイス用のガラス
プレートであってもよい。The substrate W according to the present invention is not limited to a ceramic wafer for a thin-film magnetic head, but may be a semiconductor wafer for a semiconductor device or a glass plate for a liquid crystal display device.
【0056】露光装置としては、マスクMと基板Wとを
静止した状態でマスクMのパターンを露光し、基板Wを
順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方
式の露光装置(ステッパー)に限らず、マスクMと基板
Wとを同期移動してマスクMのパターンを基板Wに露光
するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー)にも適用することができ
る。The exposure apparatus is not limited to a step-and-repeat type exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the mask M while the mask M and the substrate W are stationary and sequentially moves the substrate W step by step. The present invention can also be applied to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) for exposing the pattern of the mask M onto the substrate W by synchronously moving the mask M and the substrate W.
【0057】露光装置の種類としては、上記薄膜磁気ヘ
ッド製造用の露光装置のみならず、半導体ウェーハ製造
用の露光装置や、液晶表示デバイス製造用の露光装置、
撮像素子(CCD)あるいはマスクMなどを製造するた
めの露光装置などにも広く適用できる。The types of the exposure apparatus include not only the above-described exposure apparatus for manufacturing a thin-film magnetic head, but also an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor wafer, an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display device, and the like.
The present invention can be widely applied to an exposure device for manufacturing an imaging device (CCD) or a mask M and the like.
【0058】照明光学系2の光源21として、水銀ラン
プから発生する輝線(g線(436nm)、h線(40
4.7nm)、i線(365nm))、KrFエキシマ
レーザ(248nm)や、X線や電子線などの荷電粒子
線などを用いることができる。例えば、電子線を用いる
場合には、電子銃として熱電子放射型のランタンヘキサ
ボライト(LaB6 )、タンタル(Ta)を用いること
ができる。また、YAGレーザや半導体レーザなどの高
周波などを用いてもよい。As the light source 21 of the illumination optical system 2, a bright line (g-line (436 nm), h-line (40 nm) generated from a mercury lamp is used.
4.7 nm), i-line (365 nm)), KrF excimer laser (248 nm), and charged particle beams such as X-rays and electron beams. For example, when an electron beam is used, thermionic emission type lanthanum hexaborite (LaB6) or tantalum (Ta) can be used as the electron gun. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.
【0059】投影光学系3の倍率は、縮小系のみなら
ず、等倍系および拡大系のいずれでもよい。The magnification of the projection optical system 3 may be not only a reduction system but also an equal magnification system or an enlargement system.
【0060】また、投影光学系3としては、エキシマレ
ーザーなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や
蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2 レーザ
やX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系
にし(マスクMも反射型タイプのものを用いる)、また
電子銃を用いる場合には光学系として電子レンズおよび
偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子
線が通過する光路は真空状態にすることはいうまでもな
い。As far as the projection optical system 3 is concerned, if far ultraviolet rays such as an excimer laser are used, a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as the glass material. A system or a refraction type optical system (a reflection type mask is used as the mask M). When an electron gun is used, an electron optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system. It goes without saying that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state.
【0061】なお、位置検出用のビームの光路部分を、
両端に光透過窓が設けられた容器で覆い、この容器の内
部のガスの温度、圧力等を制御するようにしてもよい。
あるいは、この容器内部を真空にしてもよい。これによ
り、その外部の光路上の空気揺らぎに起因する測長誤差
を低減することができる。かかる詳細は、例えば特開平
10−105241号公報等に開示されている。The optical path of the beam for position detection is
The container may be covered with light transmitting windows at both ends, and the temperature, pressure, and the like of the gas inside the container may be controlled.
Alternatively, the inside of the container may be evacuated. As a result, it is possible to reduce a length measurement error caused by air fluctuation on the external optical path. Such details are disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-105241.
【0062】基板ステージやマスクステージにリニアモ
ータを用いる場合には、エアベアリングを用いたエア浮
上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた
磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、基板ステー
ジ、マスクステージは、ガイドに沿って移動するタイプ
でもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであって
もよい。When a linear motor is used for the substrate stage or the mask stage, either an air floating type using an air bearing or a magnetic floating type using Lorentz force or reactance force may be used. Further, the substrate stage and the mask stage may be of a type that moves along a guide, or may be of a guideless type without a guide.
【0063】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に
設ければよい。When a plane motor is used as the stage driving device, one of the magnet unit (permanent magnet) and the armature unit is connected to the stage, and the other of the magnet unit and the armature unit is connected to the stage moving surface side. (Base).
【0064】なお、レーザー干渉計用の参照鏡(固定
鏡)を投影光学系に固定し、これを基準としてX移動
鏡、Y移動鏡の位置を計測することも比較的多く行われ
るが、かかる場合には、参照ビームと測長ビームとを分
離する偏光ビームスプリッタ(プリズム)より先の光学
素子を基板室内部に収納し、レーザー光源、ディテクタ
等を基板室外に配置するようにしてもよい。It is to be noted that a reference mirror (fixed mirror) for a laser interferometer is fixed to a projection optical system, and the positions of the X movable mirror and the Y movable mirror are measured relatively frequently based on the reference mirror. In this case, an optical element ahead of the polarizing beam splitter (prism) for separating the reference beam and the measurement beam may be housed inside the substrate chamber, and a laser light source, a detector, and the like may be arranged outside the substrate chamber.
【0065】基板ステージの移動により発生する反力
は、特開平8−166475号公報に記載されているよ
うに、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃が
してもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装
置においても適用可能である。The reaction force generated by the movement of the substrate stage may be mechanically released to the floor (ground) by using a frame member as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-166475. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.
【0066】マスクステージの移動により発生する反力
は、特開平8−330224号公報に記載されているよ
うに、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃が
してもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置
においても適用可能である。As described in JP-A-8-330224, the reaction force generated by the movement of the mask stage may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.
【0067】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。As described above, the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention converts various subsystems including the components described in the claims of the present application into predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy,
It is manufactured by assembling to maintain optical accuracy. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electric systems to ensure these various accuracy Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.
【0068】半導体デバイスは、図7に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設
計ステップに基づいたマスクを製作するステップ20
2、シリコン材料から基板(ウェーハ)を製造するステ
ップ203、前述した実施形態の露光装置によりマスク
のパターンを基板に露光する基板処理ステップ204、
デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディ
ング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステッ
プ206等を経て製造される。As shown in FIG. 7, in the semiconductor device, as shown in FIG. 7, a step 201 for designing the function and performance of the device, and a step 20 for manufacturing a mask based on this design step
2. a step 203 of manufacturing a substrate (wafer) from a silicon material; a substrate processing step 204 of exposing a mask pattern to the substrate by the exposure apparatus of the above-described embodiment;
The device is manufactured through a device assembling step (including a dicing step, a bonding step, and a package step) 205, an inspection step 206, and the like.
【0069】[0069]
【発明の効果】本発明の露光方法及び露光装置は以下の
ような効果を有するものである。 (1)露光処理を行う際、基板ホルダとこの基板ホルダ
に載置した基板との温度差が無くなるまで待ち時間を設
けたことにより、温度変化に起因する基板の変形が止ま
ってから露光処理が行われるので、精度良い安定した露
光処理が行われる。そして、基板ホルダを複数設けたこ
とによって、この待ち時間の間、複数の基板ホルダのう
ちの他の基板ホルダに保持された基板を露光処理するこ
とができるので、生産性・作業性は向上される。 (2)複数の基板ホルダは、互いに厚さが異なる少なく
とも2つの基板ホルダを有することにより、基板の厚さ
が大きく異なっている場合でも、基板ホルダを交換する
ことなく、簡易な構成で基板を投影光学系の焦点深度内
に配置させることができる。したがって、精度良い安定
した露光処理が行える。この場合、複数の基板ホルダに
おける厚さの差は、処理する複数の基板における厚さの
差に応じて設定される。The exposure method and exposure apparatus of the present invention have the following effects. (1) When performing the exposure processing, a waiting time is provided until the temperature difference between the substrate holder and the substrate placed on the substrate holder disappears, so that the exposure processing starts after the deformation of the substrate due to the temperature change stops. Since it is performed, accurate and stable exposure processing is performed. By providing a plurality of substrate holders, during this waiting time, a substrate held by another substrate holder among the plurality of substrate holders can be subjected to exposure processing, so that productivity and workability are improved. You. (2) Since the plurality of substrate holders have at least two substrate holders having different thicknesses from each other, even if the thicknesses of the substrates are greatly different, the substrate holder can be easily replaced without replacing the substrate holders. It can be located within the depth of focus of the projection optics. Therefore, accurate and stable exposure processing can be performed. In this case, the thickness difference between the plurality of substrate holders is set according to the thickness difference between the plurality of substrates to be processed.
【図1】本発明の露光装置の一実施形態を示す構成図で
ある。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.
【図2】基板ホルダを説明する側方断面図図である。FIG. 2 is a side sectional view illustrating a substrate holder.
【図3】複数の基板ホルダを備える基板ステージを説明
する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a substrate stage including a plurality of substrate holders.
【図4】複数の基板ホルダを備える基板ステージを説明
する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a substrate stage including a plurality of substrate holders.
【図5】複数の基板ホルダを備えた装置による基板の露
光処理と時間との関係を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between exposure processing of a substrate by an apparatus having a plurality of substrate holders and time.
【図6】1つの基板ホルダを備えた装置による基板の露
光処理と時間との関係を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between exposure processing of a substrate by an apparatus having one substrate holder and time.
【図7】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフロー
チャート図である。FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor device manufacturing process.
1 露光装置 2 照明光学系 3 投影光学系 6 基板ホルダ 7 基板ステージ 9 制御部(制御手段) M マスク W 基板 t 待ち時間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Exposure apparatus 2 Illumination optical system 3 Projection optical system 6 Substrate holder 7 Substrate stage 9 Control part (control means) M Mask W Substrate t Wait time
Claims (11)
とによって前記基板を露光する露光方法において、 複数の基板ホルダのうちの1つに前記基板を載置し、前
記基板ホルダと該基板ホルダに載置した基板との温度差
がほぼ無くなるまでの待ち時間の経過後、前記基板に対
して露光処理を行うことを特徴とする露光方法。An exposure method for exposing the substrate by projecting a mask pattern onto the substrate, wherein the substrate is placed on one of a plurality of substrate holders, and the substrate holder and the substrate holder are placed on the substrate holder. An exposure method, wherein an exposure process is performed on the substrate after a lapse of a waiting time until the temperature difference between the substrate and the mounted substrate substantially disappears.
基板ホルダに保持された基板を露光処理することを特徴
とする露光方法。2. The exposure method according to claim 1, wherein during the waiting time, a substrate held by another one of the plurality of substrate holders is subjected to exposure processing.
て、 基板を基板ホルダに載置してから該基板ホルダとの温度
差がほぼ無くなるまでに要する待ち時間を予め計測して
おき、複数の前記基板ホルダに順次保持された基板のそ
れぞれについて前記待ち時間を経過したか否かを判断
し、該待ち時間が経過した基板に対して露光処理を行う
ことを特徴とする露光方法。3. The exposure method according to claim 1, wherein a waiting time required from when the substrate is placed on the substrate holder to when the temperature difference with the substrate holder substantially disappears is measured in advance. Determining whether or not the waiting time has elapsed for each of the substrates sequentially held by the substrate holder, and performing an exposure process on the substrate after the waiting time has elapsed.
法において、 前記露光処理を行う一の基板に対して、二以上の基板を
前記基板ホルダに保持させておくことを特徴とする露光
方法。4. The exposure method according to claim 1, wherein two or more substrates are held by the substrate holder with respect to one substrate on which the exposure processing is performed. Exposure method.
法において、 前記待ち時間の間、前記基板ホルダは前記基板を真空吸
着するとともに、待ち時間経過後、該基板を露光処理す
る前に前記基板の真空吸着を解除し、再度真空吸着する
ことを特徴とする露光方法。5. The exposure method according to claim 1, wherein the substrate holder vacuum-sucks the substrate during the waiting time, and after the waiting time elapses, before exposing the substrate. An exposure method, wherein the vacuum suction of the substrate is released and vacuum suction is performed again.
とによって前記基板を露光する露光装置において、 複数の基板ホルダを有する少なくとも1つの基板ステー
ジと、 前記複数の基板ホルダのうちの1つに前記基板を載置さ
せ、前記基板ホルダと該基板ホルダに載置した基板との
温度差がほぼ無くなるまでの待ち時間の経過後、前記基
板に対して露光処理を行うよう前記基板ステージを制御
する制御手段とを備えることを特徴とする露光装置。6. An exposure apparatus for exposing the substrate by projecting a pattern of a mask onto the substrate, comprising: at least one substrate stage having a plurality of substrate holders; A control for controlling the substrate stage so as to perform an exposure process on the substrate after a lapse of a waiting time until a temperature difference between the substrate holder and the substrate mounted on the substrate holder is substantially eliminated; An exposure apparatus comprising:
ルダのうちの他の基板ホルダに保持された基板を露光処
理するように前記基板ステージを制御することを特徴と
する露光装置。7. The exposure apparatus according to claim 6, wherein the control unit performs an exposure process on a substrate held by another one of the plurality of substrate holders during the waiting time. An exposure apparatus for controlling a substrate stage.
て、 前記複数の基板ホルダは、互いに厚さが異なる少なくと
も2つの基板ホルダを有することを特徴とする露光装
置。8. The exposure apparatus according to claim 6, wherein the plurality of substrate holders include at least two substrate holders having different thicknesses.
置において、 前記制御手段は、前記複数の基板ホルダに順次保持され
た基板のそれぞれについて、前記基板を前記基板ホルダ
に載置してから該基板ホルダとの温度差がほぼ無くなる
までに要する待ち時間を経過したか否かを判断し、経過
した基板に対して露光処理を行うように指示することを
特徴とする露光装置。9. The exposure apparatus according to claim 6, wherein the control unit places the substrate on the substrate holder for each of the substrates sequentially held by the plurality of substrate holders. An exposure apparatus for determining whether or not a waiting time required until the temperature difference with the substrate holder substantially disappears has elapsed, and instructing the exposure processing to be performed on the elapsed substrate.
ことによって前記基板を露光する露光装置において、 複数の基板ホルダを有する少なくとも1つの基板ステー
ジと、 前記基板ステージ上に設けられ、互いに厚さの異なる複
数の基板ホルダとを備えることを特徴とする露光装置。10. An exposure apparatus for exposing the substrate by projecting a pattern of a mask onto the substrate, comprising: at least one substrate stage having a plurality of substrate holders; An exposure apparatus comprising: a plurality of different substrate holders.
て、 前記複数の基板ホルダにおける厚さの差は、処理する複
数の基板における厚さの差に応じて設定されることを特
徴とする露光装置。11. The exposure apparatus according to claim 10, wherein a difference in thickness between the plurality of substrate holders is set according to a difference in thickness between a plurality of substrates to be processed. .
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