JP5590601B2 - 縺れ光源のタイムビン偏光フォーマット変換技術 - Google Patents

縺れ光源のタイムビン偏光フォーマット変換技術 Download PDF

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Description

本発明は,自由空間とファイバにおける量子鍵配送のネットワークを構築できる,縺れ光源のタイムビン偏光フォーマット変換技術に関するものである。
特開2008−205993号公報(特許文献1)には,非対称マッハツェンダー干渉計(AMZI)を用いた量子暗号装置が開示されている。この量子暗号装置は,偏波モードとタイムビン(time−bin)モードの最大縺れ状態を達成することができるとされている(図4,段落[0049])。
特開2008−205993号公報
特開2008−205993号公報(特許文献1)に開示された量子暗号装置は,主にタイムビンパルスの自由度に情報を載せてファイバなどの伝送路を伝搬させる。一方,自由空間を空間伝送する量子鍵配送(QKD)システムが計画されている。このような空間通信では,光子の偏光の自由度に情報を載せて自由空間を伝搬させることが想定されている。
すなわち,上記特開2008−205993号公報に開示された量子暗号装置は,ファイバを経由したQKDを達成することはできるものの,自由空間におけるQKDに使用することはできない。
そこで,本発明は,自由空間とファイバの両方を伝送路とすることができるハイブリッド量子鍵配送(QKD)のネットワークシステムを提供することを目的とする。
本発明は,基本的には,波長の異なる2種の光子対を発生させ,それぞれを非対称マッハツェンダー干渉計に入射させタイムビン(time−bin)縺れ状態とし,一方の光子対には更に偏光情報を重畳させることによってハイブリッド量子縺れを得ることができるという知見に基づく。本発明のシステムは,自由空間・ファイバ統合型の量子鍵配送システムとして利用しうるものである。
本発明によれば,自由空間とファイバの両方を伝送路とすることができるハイブリッド量子鍵配送(QKD)のネットワークシステムを提供することができる。
図1は,量子鍵配送システムを説明するためのブロック図である。 図2は,光子発生源の例を示すブロック図である。 図3は,ボブ側を構成する非対称マッハツェンダー干渉計の例を示す図である。 図4は,偏光・時間遅延付与装置を説明するためのブロック図である。 図5は,自由空間とファイバネットワークとをつなぐ量子鍵配送のネットワークシステムを示すブロック図 図6は,本発明のハイブリッドエンタングルメント光子対生成装置を示すブロック図である。 図7は,ポアンカレ球の概念図である。 図8は,フォーマット変換機を示すブロック図である。図8(a)は,グランレーザープリズムを用いたフォーマット変換機を示す。図8(b)は,偏光子及び2つの偏光ビームスプリッタを用いたフォーマット変換機を示す。 図9(a)は量子鍵配送2者同時計数の遅延時間依存性を示すグラフである。図9(b)は量子鍵配送2者同時計数の干渉計動作温度依存性を示すグラフである。
本発明の第1の側面は,量子鍵配送システムに関する。図1は,量子鍵配送システムを説明するためのブロック図である。図1に示されるように,この量子鍵配送システムは,第1の光子(例:1550nm)と第2の光子(例:810nm)を発生するための光子発生源11と,光子発生源11から発生した第1の光子が入射する非対称マッハツェンダー干渉計(例:PLC上に設けられたAMZI)12と,光子発生源11から発生した第2の光子に対し,偏光と時間遅延とを与える偏光・時間遅延付与装置13とを含む。
量子鍵配送(QKD)システムは,量子暗号通信などの情報通信において広く知られているシステムである。本発明のシステムは,QKDシステムにおいて既に知られた構成を適宜採用することができる。
光子発生源11は,第1の光子及び第2の光子を発生するための装置である。
第1の光子は,ファイバ伝送に適した可視光または近赤外光の光子であることが好ましい。このような光子の波長の例は1550nmである。第1の光子の波長は,800nm以上2000nm以下であることが好ましい。第1の光子は,ボブ側へ送られる。
第2の光子は,空間伝送に適した可視光の光子であることが好ましい。このような光子の波長の例は810nmである。第2の光子の波長は,500nm以上1000nmであることが好ましい。第2の光子は,アリス側へ送られる。
図2は,光子発生源の例を示すブロック図である。光子発生源11の例は,近紫外領域又は可視領域の連続光を発生する光源21と,光源21からの連続光をダウンコンバージョンし,可視領域又は近赤外領域の光子を得るための非線形光学結晶22とを含むものである。
光源21の例はYAGレーザーを用いた連続光光源である。光源21が出力する近紫外領域又は可視領域の連続光の波長の例は532nmである。光源21が出力する近紫外領域又は可視領域の連続光の波長は,100nm以上600nm以下があげられる。光源21が出力する連続光の強度の例は,10μW以上1mW以下である。光源21は,パルス光源であっても良い。光源21としてパルス光源を用いる場合,パルス光源のコヒーレンス長を,非対称マッハツェンダー干渉計12の遅延時間より長く設定する。
非線形光学結晶22は,光学素子として既に知られている。よって,本発明においても既に知られた方法に従って,非線形光学結晶を設計することができる。
光源21からの光と,ポンプ光23とが非線形光学結晶に入射する。すると,第1の光子と第2の光子とが発生する。ポンプ光は,連続光であってもパルス光であっても良い。ポンプ光が,パルス光の場合,パルス光源のコヒーレンス長を,非対称マッハツェンダー干渉計12の遅延時間より長く設定する。これらの光子を分離装置24で分離して,アリス側及びボブ側へと導く。分離装置24の例はダイクロイックミラーである。ビームスプリッタと光学フィルタを用いても,分離装置24を構築することができる。
図3は,ボブ側を構成する非対称マッハツェンダー干渉計の例を示す図である。図3に示されるように,この非対称マッハツェンダー干渉計12は,2入力4出力非対称マッハツェンダー干渉計である。そして,この非対称マッハツェンダー干渉計は,分岐部31と,分岐部31とつながる第1のアーム32と,分岐部31とつながる第2のアーム33と,第1のアーム32及び第2のアーム33とつながる合波部34とを有する。すなわち,この非対称マッハツェンダー干渉計12は,分岐部31で分離した一方の光が伝搬する第1のアーム32と,分岐部31で分離した残りの光が伝搬する第2のアーム32とを有する。第1のアーム32及び第2のアーム33には,図示しない電極が設けられており,これにより伝搬する光の位相を制御できるようにしても良い。非対称マッハツェンダー干渉計12は,平面光学回路(PLC)上に実装されるものが好ましい。
第1のアーム32と第2のアーム33とは長さが異なっている。これにより,第1のアーム32を伝搬する光が合波部34に到達する時間に比べて第2のアーム33を伝搬する光が合波部34に到達する時間が所定時間遅くなる。このようにして,この非対称マッハツェンダー干渉計12は,光子に時間遅延を与え,光子対を得ることができる。第1のアーム32と第2のアーム33との光路長差は,公知であるため,既に知られた光路長差に基づいて第1のアーム32と第2のアーム33とを設計すればよい。
図3に示す非対称マッハツェンダー干渉計12は,4つの光検出器35〜38を有する。すなわち,この非対称マッハツェンダー干渉計12は,第1のアーム32と接続された第1の光検出器35,第2のアーム33と接続された第2の光検出器36,及び合波部34と接続された第3の光検出器37,及び第24光検出器38を有する。
図4は,偏光・時間遅延付与装置を説明するためのブロック図である。偏光・時間遅延付与装置13は,第2の光子に対し,偏光と時間遅延とを与えるための装置である。図4に示される偏光・時間遅延付与装置13は,偏光調整器41と,第1の偏光ビームスプリッタ42と,第2の偏光ビームスプリッタ43とを有する。
第1の偏光ビームスプリッタ42と第2の偏光ビームスプリッタ43とは,第1のパス44及び第2のパス45を介して,光学的に接続されている。一方,第1のパス44と第2のパス45とは,光路長が異なっている。すなわち,第1の偏光ビームスプリッタ42と第2の偏光ビームスプリッタ43とを含む部分は,非対称マッハツェンダー干渉計46を構成する。第1のパス44の光路長は,第1の偏光ビームスプリッタ42と第2の偏光ビームスプリッタ43との距離を調整することにより,調整することができる。第2のパス45の光路長は,図示しないミラーの位置を調整することにより調整することができる。このように,第1のパス44の光路長と第2のパス45の光路長との差は,適宜調整することができる。
第2の光子が偏光調整器41に入射する。すると,偏光調整器41により,第2の光子の偏光面が調整される。偏光調整器41から出力された光子は,第1の偏光ビームスプリッタ42に入射し,偏光面に応じて分離される。第1の偏光ビームスプリッタ42により偏光分離された一方の光は,第1のパス44を介して第2の偏光ビームスプリッタ43へ入射する。第1の偏光ビームスプリッタ42により偏光分離された残りの光は,第2のパス45を介して第2の偏光ビームスプリッタ43へ入射する。第2のパスの方が第1のパスに比べて光路長が長い。これにより,第2のパス45を経た光子に時間遅延を与えることができる。すると,第2の偏光ビームスプリッタ43には,第1のパス44を経た光子と,第2のパス45を経た光子の光子対が生成することとなる。そして,この光子対を構成する2つの光子は,それぞれ偏光状態が異なっている。このようにして,タイムビンモードに偏光モードを載せることができる。すなわち,偏光・時間遅延付与装置13は,タイムビンモード光子対に偏光情報を重畳できるため,ハイブリッド量子縺れ光源として機能する。
偏光・時間遅延付与装置を経て得られた光子対は,自由空間を経てアリスへ到達する。アリス側は,偏光素子及び光子検出器のみを用いて構築できる。
なお,非対称マッハツェンダー干渉計12により与えられる遅延時間と,偏光・時間遅延付与装置13により与えられる遅延時間とは,同じ値であることが好ましい。この遅延時間の例は,10p秒以上100n秒以下である。
図5は,自由空間とファイバネットワークとをつなぐ量子鍵配送のネットワークシステムを示すブロック図である。
図6は,本発明のハイブリッドエンタングルメント光子対生成装置を示すブロック図である。光源は,YAGレーザーの第2高調波を用いた。YAGレーザーからの532nmの連続光を,その強度が160μWとなるように調整した。この連続光を30mmの長さの非線形光学結晶(PPLN)に導いた。このPPLN(periodically poled lithium niobate)は,生成される810nmと1550nmの光がお互いにエンタングルメント状態となるように調整されたものである。ポンプ光として,532nmの波長を有する光を用いた。ポンプ光,810nmの光,1550nmの光のモード直径はシングルモードファイバに適合するように,それぞれ84μm,84μm,104μmとなるように最適化した。図6に示される装置を用いて,532nmの光をダウンコンバージョンし,810nmと1550nmの光子をえた。
ダイクロイックミラーを用いて810nmの光子と1550nmの光子を分離した。なお,漏れ出す光子を軽減するため長波長用パスフィルタを用いた。ダウンコンバージョン後,1550nmの光子をボブのディテクターへと導いた。ディテクターは,シリコン基板上に設けられた2入力4出力形の非対称マッハツェンダー干渉計を有していた。非対称マッハツェンダー干渉計は,50cmのスパイラル型のパターンが形成されており,これにより2.5ナノ秒の遅延時間を与えることができるものであった。
ディテクターにより観測される出力光子は,|0>,|0>−|1>,|0>+|1>,及び|1>のポアンカレ球への射影を示す。図7は,ポアンカレ球の概念図である。ここで,|1>は第1のタイムビンにおける光子(すなわち,短い方のアームを経た光子)をあらわし,|0>は第2のタイムビンにおける光子(すなわち,長い方のアームを経た光子)をあらわす。|0>と|1>は,極状態(z軸)にマッピングされ,|0>−|1>及び|0>+|1>は,赤道状態(x軸)にマッピングされる。1550nmの光子を10%の検出率効果を有するガイガーモードのInGaAsベースのアバランシェフォトダイオード(APDs)を用いて検出した。
アリス側のシリコンベースのAPDs(パーキンエルマー社製単一光子測定モジュールSPCMs)での観測に基づいて,遅延生成器を介して,InGaAsベースのAPDs用の検出トリガーを得た。SPCMの810nmの光子測定効率は,約55%であった。
以下,偏光情報を載せたタイムビンエンタングルメントのハイブリダイゼイションについて説明する。
アリスへ送信される810nmの光子対をフォーマット変換機(偏光・置換遅延付与装置)に入力した。図8は,フォーマット変換機を示す。図8(a)は,グランレーザープリズムを用いたフォーマット変換機を示す。図8(b)は,偏光子及び2つの偏光ビームスプリッタを用いたフォーマット変換機を示す。図8(a)のフォーマット変換機と図8(b)のフォーマット変換機とは光学的に等価な回路である。図8(b)のフォーマット変換機は,非対称マッハツェンダー干渉計を有するものである。
図8(a)のフォーマット変換機は,偏波分岐比50dBのグランレーザープリズムと偏波保持ファイバ(PMF)および偏光子を有する。遅延時間は遅延用ファイバ入射端に接続されたマイクロメータにより調整できる。PMFで反射端から導かれた光は,2.5ナノ秒の遅延が与えられ,グランレーザープリズムのもう一方の端面に入射される。このフォーマット変換機中の損失は約1.5dBである。フォーマット変換機は,発生時刻t=0の光子対と発生時刻t=−タウの光子対の重ね合わせによる縺れ状態を
Figure 0005590601
から,
Figure 0005590601
へと変換する。
ここで|H>と|V>は,それぞれ水平及び垂直偏光状態を示す。またAとBはそれぞれアリス(Alice)とボブ(Bob)を表現する。シータ(t)は相対位相差を示す。なお,相対位相差であるシータ(t)は,タウに関連して定義される。
フォーマット変換後,空間を伝搬させアリスで受光する。アリスの受光装置は,ビームスプリッタ(BS)と偏光ビームスプリッタ(PBS)および半波長板のみで構成できる。極状態(z軸)すなわち,|0>と|1>とは,|H>と|V>とにフォーマット変換されているので,PBSを用いて容易に区別できる。一方,赤道状態(x軸)の|0>−|1>及び|0>+|1>は,22.5°に設定された半波長板を経由させた後に,観測することができる。
発生時刻t=0の光子対と発生時刻t=−タウの光子対の重ね合わせによる縺れ状態は,以下の式のように表すことができる。
Figure 0005590601
ここで,|−>及び|+>は,それぞれ,以下のとおりである。
Figure 0005590601
上記の式は,赤道状態(x軸)を示しており,これがPBSとSPCMを用いて測定できることを明確に示している。
エンタングルメントが存在することを示すため,適切なタイムウィンドウ(40n秒)における810nmと1550nmの光子測定における同時現象を測定した。アリス側のSPCMsからの検出出力のORをゲートパルスのトリガーとし,遅延生成機を介して,ボブ側のAPDsに与えた。
Bob側(1550nm側)のパルス位置縺れはAlice側(810nm側)の初段のBSを通過後PBSに向かう基底でのH,Vの縺れに相当する。またパルス間位相差の縺れは初段のBS後半波長板により偏波を45度回転後PBSに向かう基底での測定となる。このAlice側の光学系は干渉計を必要とせずBS,PBS及び半波長板で構成されており,非常に簡便な構造となっている。
図9(a)は量子鍵配送2者同時計数(コインシデンスカウント)の遅延時間依存性を示すグラフである。図9(a)はZ基底およびX基底でのエンタングル光子対生成モジュールとフォーマット変換機を用い810nmおよび1550nmの光子の同時計数の1550nmPLCのトリガー遅延時間依存性を示す。図中1点は10秒間でのカウント数を示す。カウントレートはZ基底で820c/s,X基底では950c/sであった。光検出器としては810nmにSi APD,1550nm用にはInGaAs APDを用いた。測定は1基底ごとに行い,図5でのAlice側でのBSを省いた系で行った。ディテクターZ0(Z1)は,Z軸の0(1)信号を検出するディテクターを示す。Z0(アリス)−Z0(ボブ)とZ1(アリス)−Z1(ボブ)の同時事象は,同じ遅延時間後に測定される必要がある。図9(b)は量子鍵配送2者同時計数の干渉計動作温度依存性を示すグラフである。図9(b)はZ基底およびX基底でのエンタングル光子対生成モジュールとフォーマット変換機を用い810nmおよび1550nmの光子の同時計数の1550nmPLCの温度依存性を示す。図9(a)及び図9(b)から,Z基底で98%超,X基底で88%超の明瞭度を得たことがわかる。なお,X基底の明瞭度の劣化はフォーマット変換機での過度な遅延時間が発生し,干渉性の劣化が起こったためと考えられる。
本発明は,情報コミュニケーション通信の分野において利用されうる。
11 光子発生源
12 非対称マッハツェンダー干渉計
13 偏光・時間遅延付与装置
21 連続光光源
22 非線形光学結晶
31 分岐部
32 第1のアーム
33 第2のアーム
34 合波部
41 偏光調整器
42 第1の偏光ビームスプリッタ(PBS)
43 第2の偏光ビームスプリッタ(PBS)
44 第1のパス
45 第1の時間遅延付与装置(第2のパス)

Claims (4)

  1. 波長が800nm以上2000nm以下である第1の光子と,波長が500nm以上1000nm以下であって前記第1の光子より波長が短い第2の光子を発生するための光子発生源(11)と,
    前記光子発生源(11)から発生した前記第1の光子がファイバを伝搬して入射し,前記第1の光子に対して時間遅延を与える非対称マッハツェンダー干渉計(12)と,
    前記光子発生源(11)から発生した前記第2の光子がファイバを伝搬して入射し,前記第2の光子に対して偏光と時間遅延とを与える偏光・時間遅延付与装置(13)と,
    前記偏光・時間遅延付与装置(13)を経た前記第2の光子が自由空間を伝搬して入射する受光装置と,を含
    前記偏光・時間遅延付与装置(13)は,前記第2の光子に対し,前記非対称マッハツェンダー干渉計(12)により前記第1の光子に与えられる遅延時間と等しい時間遅延を与えて,前記第1の光子と前記第2の光子との間に量子縺れ状態を発生させると共に,前記第2の光子に対して水平偏光状態と垂直偏光状態を重畳して,|0>と|1>の量子状態を,それぞれ,水平偏光状態|H>と垂直偏光状態|V>とにフォーマット変換する
    量子鍵配送システム。
  2. 前記受光装置は,偏光素子及び光子検出器によって構築されている
    請求項1に記載の量子鍵配送システム。
  3. 前記非対称マッハツェンダー干渉計(12)は,
    前記第1の光子が入射し,分岐する分岐部(31)と,
    前記分岐部(31)で分離した一方の光が伝搬する第1のアーム(32)と,
    前記分岐部(31)で分離した残りの光が伝搬するアームであって,前記第1のアーム(32)とは光路長が異なり,これにより前記第1のアーム(32)を伝搬した光に対し,時間遅延を与えた光を出力できる第2のアーム(33)と,
    を有する,
    請求項1に記載の量子鍵配送システム。
  4. 前記偏光・時間遅延付与装置(13)は,
    前記第2の光子が入射する偏光調整器(41)と,
    前記偏光調整器(41)からの光を偏光面に応じて分離する第1の偏光ビームスプリッタ(42)と,
    前記1の偏光ビームスプリッタ(42)により偏光分離された一方の光と残りの光とが入射する第2の偏光ビームスプリッタ(43)と,
    前記1の偏光ビームスプリッタ(42)により偏光分離された残りの光に,前記1の偏光ビームスプリッタ(42)により偏光分離された一方の光に対して,時間遅延を与える第1の時間遅延付与装置(45)と,
    を含む,
    請求項1に記載の量子鍵配送システム。
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