JP5586992B2 - Wafer processing apparatus and wafer processing method - Google Patents

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Description

本発明は、ウェハ処理装置、ウェハ処理方法及びハンドリングアームに関する。   The present invention relates to a wafer processing apparatus, a wafer processing method, and a handling arm.

ウェハの製造段階においては、幾つもの加工ステップが順次実行される。これらの加工ステップの多くで、保持面でウェハを保持するハンドリングアームと、ウェハ吸着面でウェハを吸着保持するチャック機構との間で、ウェハの受け渡しが行われている。   In the wafer manufacturing stage, several processing steps are executed sequentially. In many of these processing steps, the wafer is transferred between a handling arm that holds the wafer on the holding surface and a chuck mechanism that holds the wafer on the wafer suction surface.

しかし、ウェハに反りがある場合、ハンドリングアームとチャック機構でのウェハの受け渡しにおいて、チャック機構での吸着不良による受け渡しミスが発生する場合がある。この吸着不良は、近年、サファイアウェハの裏面に不透明なポリシリコン層を備えたSOSウェハや、サファイアウェハの裏面に石英層を備えたSOQウェハなど、重くて反りの生じやすいウェハが製造されるようになり、増加している。   However, when the wafer is warped, a delivery error due to a suction failure in the chuck mechanism may occur in the delivery of the wafer between the handling arm and the chuck mechanism. In recent years, this adsorption failure has led to the production of heavy and easily warped wafers such as SOS wafers with an opaque polysilicon layer on the back side of a sapphire wafer and SOQ wafers with a quartz layer on the back side of a sapphire wafer. Has increased.

ハンドリングアームとチャック機構の構成に関しては特許文献1、2がある。   There are Patent Documents 1 and 2 regarding the configuration of the handling arm and the chuck mechanism.

特開平2−83182号公報JP-A-2-83182 特開平5−326386号公報JP-A-5-326386

本発明は、上記事実に鑑み、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減することを目的とする。   In view of the above-described facts, an object of the present invention is to reduce the chucking failure of the chuck mechanism during wafer delivery.

請求項1に記載の発明に係るウェハ処理装置は、ウェハ保持面を備えたハンドリングアームと、前記ウェハ保持面と平行に設けられたウェハ吸着面で、前記ハンドリングアームから前記ウェハを受け取るチャック機構と、を備えたウェハ処理装置であって、前記ハンドリングアームは、前記ウェハ保持面の上に保持されるウェハを前記ウェハ吸着面に対して傾斜させる傾斜機構を備え、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で前記ウェハの受け渡しを行うことを特徴としている。 A wafer processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a handling arm provided with a wafer holding surface, and a chuck mechanism that receives the wafer from the handling arm with a wafer suction surface provided in parallel with the wafer holding surface. The handling arm includes an inclination mechanism for inclining a wafer held on the wafer holding surface with respect to the wafer suction surface, and the holding arm is held by the handling arm. The wafer is delivered at a position where the center of the wafer and the center of the wafer suction surface do not coincide with each other.

請求項1に記載の発明によれば、ハンドリングアームは、ウェハ吸着面と平行に設けられたウェハ保持面を有し、ウェハ保持面に備えられた傾斜機構で、ウェハ保持面上のウェハをウェハ吸着面に対して傾斜させて保持する。   According to the first aspect of the present invention, the handling arm has a wafer holding surface provided in parallel with the wafer suction surface, and the wafer on the wafer holding surface is removed from the wafer by the tilt mechanism provided on the wafer holding surface. Inclined and held with respect to the suction surface.

これにより、ウェハをウェハ吸着面に対して傾斜させた状態で、ハンドリングアームとチャック機構との間でウェハの受け渡しを開始することができるので、ウェハを吸着するウェハ吸着面の端部が傾斜したウェハと先に当接し、続いて残りのウェハ吸着面が順次ウェハと当接される。
この結果、ウェハに反りがあっても、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減することができる。
As a result, since the wafer can be transferred between the handling arm and the chuck mechanism in a state where the wafer is inclined with respect to the wafer adsorption surface, the end of the wafer adsorption surface that adsorbs the wafer is inclined. The wafer is first contacted with the wafer, and then the remaining wafer suction surface is sequentially contacted with the wafer.
As a result, even if the wafer is warped, it is possible to reduce the chucking failure of the chuck mechanism when the wafer is delivered.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のウェハ処理装置において、前記傾斜機構は、前記ウェハ保持面の表面よりもウェハ側に突出された少なくともひとつの突出部を有することを特徴としている。   According to a second aspect of the present invention, in the wafer processing apparatus according to the first aspect, the tilt mechanism has at least one projecting portion projecting to the wafer side from the surface of the wafer holding surface. Yes.

即ち、ウェハ保持面の表面よりもウェハ側に突出された少なくともひとつの突出部により、ウェハをウェハ保持面に対して傾斜させている。
これにより、ウェハをウェハ保持面に対して傾斜させた状態で、ハンドリングアームとチャック機構との間でウェハの受け渡しを開始することができる。
In other words, the wafer is inclined with respect to the wafer holding surface by at least one protruding portion protruding toward the wafer from the surface of the wafer holding surface.
Thereby, the wafer delivery can be started between the handling arm and the chuck mechanism in a state where the wafer is inclined with respect to the wafer holding surface.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のウェハ処理装置において、前記突出部は、前記ウェハ保持面からの突出高さが変更可能とされていることを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, in the wafer processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the protruding height of the protruding portion from the wafer holding surface can be changed.

即ち、突出部の、ウェハ保持面からの突出高さを変更して、ウェハのウェハ保持面に対する傾斜角度を変更できる。
これにより、ウェハの受け渡し時におけるウェハと、ウェハ吸着面との受け渡し角度を変更できる。
That is, the inclination angle of the wafer with respect to the wafer holding surface can be changed by changing the protruding height of the protruding portion from the wafer holding surface.
Thereby, the delivery angle between the wafer and the wafer suction surface during delivery of the wafer can be changed.

請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のウェハ処理装置において、前記ハンドリングアーム及び前記チャック機構は、前記ウェハ保持面に対する垂直方向の移動が可能であることを特徴としている。
これにより、ハンドリングアームとチャック機構を、ウェハ保持面に対して垂直方向に相対移動させることができる。このウェハ保持面に対する垂直方向の相対移動を利用して、ウェハをハンドリングアームとチャック機構の間で受け渡すことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the wafer processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the handling arm and the chuck mechanism can move in a direction perpendicular to the wafer holding surface. It is characterized by being.
As a result, the handling arm and the chuck mechanism can be moved relative to each other in the direction perpendicular to the wafer holding surface. The wafer can be transferred between the handling arm and the chuck mechanism by utilizing the vertical relative movement with respect to the wafer holding surface.

請求項5に記載の発明に係るウェハ処理装置は、上端のウェハ吸着面でウェハを吸着保持するチャック機構を備え、前記ウェハを搬送するために受け渡し場所間を移動する搬送手段と、上向きのウェハ保持面で前記ウェハの周縁部を保持して搬送するハンドリングアームと、前記ウェハ保持面に設けられ前記ウェハを前記ウェハ保持面に対して傾斜させる傾斜機構と、を備え、いずれかの前記受け渡し場所で、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で、前記ハンドリングアームと前記チャック機構との上下方向の相対移動に伴って、前記ウェハの受け渡しを行うハンドリングユニットと、を有することを特徴としている。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a wafer processing apparatus comprising a chuck mechanism for sucking and holding a wafer by a wafer suction surface at an upper end, a transfer means for moving between transfer locations for transferring the wafer, A handling arm that holds and conveys the peripheral edge of the wafer by a wafer holding surface; and an inclination mechanism that is provided on the wafer holding surface and inclines the wafer with respect to the wafer holding surface, The wafer is transferred in accordance with the vertical movement of the handling arm and the chuck mechanism at a position where the center of the wafer held by the handling arm and the center of the wafer suction surface do not coincide with each other. A handling unit.

請求項5に記載の発明によれば、搬送手段がウェハを吸着保持するチャック機構を備え、ウェハを搬送するために受け渡し場所間を移動する。また、ハンドリングユニットが、ハンドリングアームのウェハ保持面でウェハを保持して搬送し、受け渡し場所で、搬送手段との間でウェハの受け渡しを行う。このとき、ウェハ保持面には、ウェハを水平面に対して傾斜させる傾斜機構が設けられている。   According to the fifth aspect of the present invention, the transfer means includes the chuck mechanism that holds the wafer by suction, and moves between the delivery locations in order to transfer the wafer. The handling unit holds and transfers the wafer on the wafer holding surface of the handling arm, and transfers the wafer to and from the transfer means at the transfer location. At this time, the wafer holding surface is provided with a tilt mechanism for tilting the wafer with respect to the horizontal plane.

これにより、ウェハを傾斜させた状態で受け渡しが開始されるので、ウェハに反りがあっても、チャック機構のウェハを吸着するウェハ吸着面の端部が、傾斜したウェハと先に当接し、続いて残りのウェハ吸着面が順次ウェハと当接される。
この結果、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減できる。
As a result, the delivery is started with the wafer tilted, so that even if the wafer is warped, the end of the wafer suction surface that sucks the wafer of the chuck mechanism comes into contact with the tilted wafer first, followed by The remaining wafer attracting surfaces are sequentially brought into contact with the wafer.
As a result, it is possible to reduce the chucking failure of the chuck mechanism when the wafer is delivered.

請求項6に記載の発明に係るウェハ処理方法は、ハンドリングアームに備えられたウェハ保持面に搭載されたウェハを、チャック機構に備えられたウェハ吸着面に受け渡すウェハ処理方法において、前記ハンドリングアームは、前記ウェハ保持面の上に保持される前記ウェハを前記ウェハ吸着面に対して傾斜させる傾斜機構を備え、前記ウェハ保持面から前記ウェハ吸着面への前記ウェハの受け渡しの際に、前記ハンドリングアームに保持され、前記傾斜機構により傾斜された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で、前記ウェハを、前記ウェハ吸着面の端部から順次吸着させることを特徴としている。 Wafer processing method according to the invention of claim 6, the wafer mounted on the wafer holding surface provided on the handling arm, the wafer processing method of transferring the wafer suction surface provided in the chuck mechanism, the handling arm Comprises a tilting mechanism for tilting the wafer held on the wafer holding surface with respect to the wafer suction surface, and the handling is performed when the wafer is transferred from the wafer holding surface to the wafer suction surface. It is characterized in that the wafer is sequentially sucked from the end of the wafer suction surface at a position where the center of the wafer held by the arm and tilted by the tilt mechanism and the center of the wafer suction surface do not coincide with each other. .

これにより、ウェハ保持面からウェハ吸着面へのウェハの受け渡しが、ウェハ吸着面の端部から開始され、順次ウェハの全体を吸着させる。
この結果、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減できる。
Thereby, the transfer of the wafer from the wafer holding surface to the wafer suction surface is started from the end of the wafer suction surface, and the whole wafer is sequentially sucked.
As a result, it is possible to reduce the chucking failure of the chuck mechanism when the wafer is delivered.

請求項7に記載の発明に係るウェハ処理方法は、ウェハ保持面を備えたハンドリングアームと、前記ウェハ保持面と平行に設けられたウェハ吸着面で、前記ハンドリングアームからウェハを受け取るチャック機構と、を備えたウェハ処理装置であって、前記ハンドリングアームは、前記ウェハ保持面の上に保持される前記ウェハを前記ウェハ吸着面に対して傾斜させる傾斜機構を備えているウェハ処理装置を用いたウェハ処理方法であって、前記ウェハ保持面に保持された前記ウェハを、前記ウェハ吸着面との対向位置に移動させるステップと、前記ハンドリングアーム又は前記チャック機構を前記ウェハ保持面に対する垂直方向に移動させ、前記ウェハ吸着面に対して傾斜させた状態の前記ウェハを、前記ウェハ吸着面の端部から順次前記ウェハ吸着面に吸着させるステップと、を有することを特徴としている。 A wafer processing method according to a seventh aspect of the present invention includes a handling arm provided with a wafer holding surface, a chuck mechanism for receiving a wafer from the handling arm at a wafer suction surface provided in parallel to the wafer holding surface, A wafer processing apparatus comprising: a wafer processing apparatus having a tilting mechanism for tilting the wafer held on the wafer holding surface with respect to the wafer suction surface. In the processing method, the step of moving the wafer held on the wafer holding surface to a position facing the wafer suction surface, and moving the handling arm or the chuck mechanism in a direction perpendicular to the wafer holding surface. The wafers in a state of being inclined with respect to the wafer suction surface are sequentially arranged from the end of the wafer suction surface. It is characterized by having a step of adsorbing the E c suction surface.

即ち、先ず、ウェハ保持面に保持されたウェハを、ウェハ吸着面との対向位置に移動させるステップを実行する。次いで、ハンドリングアーム又はチャック機構をウェハ保持面に垂直方向に移動させ、ウェハ吸着面に対して傾斜させた状態のウェハを、ウェハ吸着面の端部から順次前記ウェハ吸着面に吸着させるステップを実行する。
これにより、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減できる。
That is, first, a step of moving the wafer held on the wafer holding surface to a position facing the wafer suction surface is executed. Next, a step of moving the handling arm or the chuck mechanism in a direction perpendicular to the wafer holding surface and sequentially sucking the wafer tilted with respect to the wafer suction surface from the end of the wafer suction surface to the wafer suction surface is executed. To do.
Thereby, the adsorption | suction defect of the chuck mechanism at the time of delivery of a wafer can be reduced.

請求項8に記載の発明は、請求項7に記載のウェハ処理方法前記ウェハ保持面に保持されたウェハを、前記ウェハ吸着面との対向位置に移動させるステップにおいて、前記ハンドリングアームは、前記ウェハ吸着面の中心と、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心とが一致しない位置に移動させることを特徴としている。   According to an eighth aspect of the present invention, in the wafer processing method according to the seventh aspect, in the step of moving the wafer held on the wafer holding surface to a position facing the wafer suction surface, the handling arm includes the wafer The center of the suction surface is moved to a position where the center of the wafer held by the handling arm does not coincide.

この結果、ウェハ処理装置の構造により、ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、チャック機構のウェハ吸着面の中心が一致しなくても、ハンドリングアームとチャック機構の間で、ウェハの受け渡しを行うことができる。   As a result, the wafer is transferred between the handling arm and the chuck mechanism even if the center of the wafer held by the handling arm and the center of the wafer suction surface of the chuck mechanism do not match due to the structure of the wafer processing apparatus. It can be carried out.

請求項9に記載の発明は、請求項8に記載のウェハ処理方法において、前記傾斜機構は、前記ウェハの中心より前記ウェハ吸着面の中心を低くする方向に、前記ウェハを傾斜させることを特徴としている。
これにより、ハンドリングアームの中心とチャック機構の中心を結ぶ線上にウェハの中心を一致させることができ、ハンドリングアームからウェハへの受け渡しが安定する。
A ninth aspect of the present invention is the wafer processing method according to the eighth aspect, wherein the tilting mechanism tilts the wafer in a direction in which the center of the wafer suction surface is lower than the center of the wafer. It is said.
Thereby, the center of the wafer can be matched with the line connecting the center of the handling arm and the center of the chuck mechanism, and the delivery from the handling arm to the wafer is stabilized.

請求項10に記載の発明は、請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載のウェハ処理方法において、前記ウェハは、サファイア又はクオーツを含むことを特徴としている。
即ち、サファイアウェハ又はクオーツウェハ等の重くて反りの生じ易いウェハであっても、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減できる。
A tenth aspect of the present invention is the wafer processing method according to any one of the sixth to ninth aspects, wherein the wafer includes sapphire or quartz.
That is, even if the wafer is heavy and easily warped, such as a sapphire wafer or a quartz wafer, it is possible to reduce the chucking failure of the chuck mechanism during delivery of the wafer.

請求項11に記載の発明に係るウェハ処理方法は、ハンドリングユニットによって、ハンドリングアームの保持面に設けられた傾斜機構でウェハを前記保持面に対し傾斜させて前記ウェハの周縁部を保持し、前記ウェハをウェハ吸着面で吸着保持するチャック機構を備えた搬送手段との受け渡し場所まで、前記ウェハを搬送するステップと、前記受け渡し場所で、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で、前記ハンドリングアームと前記チャック機構を上下方向に相対移動させ、前記ウェハ吸着面で、傾斜した状態の前記ウェハの傾斜を解消しながら吸着保持するステップと、を有することを特徴としている。 The wafer processing method according to an eleventh aspect of the present invention is to hold the peripheral portion of the wafer by tilting the wafer with respect to the holding surface by an inclination mechanism provided on the holding surface of the handling arm by the handling unit. A step of transporting the wafer to a delivery place with a transport mechanism having a chuck mechanism for sucking and holding the wafer by a wafer suction surface; a center of the wafer held by the handling arm at the delivery place; and the wafer A step of moving the handling arm and the chuck mechanism relative to each other in a vertical direction at a position where the centers of the suction surfaces do not coincide with each other, and holding the wafer by suction while eliminating the tilt of the tilted wafer on the wafer suction surface ; It is characterized by having.

即ち、先ず、搬送ステップを実行して、ハンドリングアームの保持面に設けられた傾斜機構でウェハを保持面に対し傾斜させ、ウェハを吸着保持するチャック機構を備えた搬送手段との受け渡し場所までウェハを搬送する。   That is, first, the transfer step is executed, the wafer is tilted with respect to the holding surface by the tilting mechanism provided on the holding surface of the handling arm, and the wafer is transferred to the delivery place with the transfer means having the chuck mechanism for sucking and holding the wafer. Transport.

次いで、吸着ステップを実行して、受け渡し場所で、ハンドリングアームとチャック機構を上下方向に相対移動させ、チャック機構によって、傾斜された状態のウェハの傾斜を解消しながら吸着保持される。
これにより、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減できる。
Next, an adsorption step is executed, and the handling arm and the chuck mechanism are moved relative to each other in the vertical direction at the delivery location, and the chuck mechanism holds the wafer in an inclined state while eliminating the inclination of the inclined wafer.
Thereby, the adsorption | suction defect of the chuck mechanism at the time of delivery of a wafer can be reduced.

請求項12に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項6〜11のいずれか1項に記載のウェハ処理方法を含むことを特徴としている。 A method for manufacturing a semiconductor device according to a twelfth aspect includes the wafer processing method according to any one of the sixth to eleventh aspects .

本発明は、上記構成としてあるので、ウェハの受け渡し時におけるチャック機構の吸着不良を低減できる。   Since the present invention has the above-described configuration, it is possible to reduce the chucking failure of the chuck mechanism when the wafer is delivered.

本発明の第1の実施の形態に係るウェハ処理装置の基本構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a basic configuration of a wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係るウェハ処理装置におけるハンドリングアームの保持面を示す図である。It is a figure which shows the holding surface of the handling arm in the wafer processing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係るウェハ処理装置の基本構成を示す立面図である。1 is an elevation view showing a basic configuration of a wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態に係るウェハ処理装置のハンドリングアームの保持面とチャック機構の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the holding surface of the handling arm of the wafer processing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and a chuck mechanism. 本発明の第2の実施の形態に係るウェハ処理装置のハンドリングアームの保持面とチャック機構のウェハの受け渡し状態を示す図である。It is a figure which shows the delivery state of the holding surface of the handling arm of the wafer processing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the wafer of a chuck | zipper mechanism. 本発明の第2の実施の形態に係るウェハ処理装置におけるハンドリングアームの保持面を示す図である。It is a figure which shows the holding surface of the handling arm in the wafer processing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

(第1の実施の形態)
図1の平面図に示すように、第1の実施の形態に係るウェハ処理装置10は、ハンドリングユニット12を有している。ハンドリングユニット12は、ハンドリングアーム14を備え、ハンドリングアーム14の先端には、ウェハ16の周縁部を保持するウェハ保持面18が形成されている。
(First embodiment)
As shown in the plan view of FIG. 1, the wafer processing apparatus 10 according to the first embodiment has a handling unit 12. The handling unit 12 includes a handling arm 14, and a wafer holding surface 18 that holds the peripheral edge of the wafer 16 is formed at the tip of the handling arm 14.

ハンドリングユニット12は、矢印P方向への移動及び上下方向に沿った軸周りの回転動作が可能とされ、ハンドリングアーム14のウェハ保持面18に保持されたウェハ16を、受け取り場所22と処理室20の間で搬送する。   The handling unit 12 can move in the direction of arrow P and rotate around the axis in the vertical direction, and receives the wafer 16 held on the wafer holding surface 18 of the handling arm 14 by the receiving place 22 and the processing chamber 20. Transport between.

図2に示すように、ウェハ保持面18は、断面がL字状の金属板で円弧に沿ったC字状に形成されている。ウェハ保持面18は、ウェハ16の外周を囲む大きさとされ、平面部18F(後述する固定ピン28、30)でウェハ16の下面を保持している。平面部18Fの外周部には、ウェハ16の平面部18Fからの高さより高い寸法で、立上り部18Hが設けられ、立上り部18Hでウェハ16の外周を囲む構成とされている。ウェハ保持面18の一部は切り欠かれ、切り欠き部を利用して、後述するシャトル24の軸部38を側方から囲むことができる。   As shown in FIG. 2, the wafer holding surface 18 is a metal plate having an L-shaped cross section and is formed in a C shape along an arc. The wafer holding surface 18 has a size that surrounds the outer periphery of the wafer 16, and holds the lower surface of the wafer 16 with a flat surface portion 18 </ b> F (fixing pins 28 and 30 described later). A rising portion 18H is provided on the outer peripheral portion of the flat portion 18F with a dimension higher than the height from the flat portion 18F of the wafer 16, and the rising portion 18H surrounds the outer periphery of the wafer 16. A portion of the wafer holding surface 18 is cut out, and a shaft portion 38 of the shuttle 24 described later can be surrounded from the side by using the cutout portion.

ウェハ保持面18の平面部18Fには、平面部18Fから2本の固定ピン28が突出され、固定ピン28より平面部18Fからの突出高さが高い1本の固定ピン30が、周方向に間隔を開けて突設され、ウェハ16の下面との接触部とされている。
即ち、3本の固定ピン28、30で、ウェハ16を平面部18Fに対し傾斜させて支持する。
Two fixing pins 28 protrude from the flat surface portion 18F of the wafer holding surface 18 and one fixing pin 30 whose protruding height from the flat surface portion 18F is higher than the fixing pin 28 in the circumferential direction. The protrusions are provided at intervals and are in contact with the lower surface of the wafer 16.
That is, the three fixing pins 28 and 30 support the wafer 16 while being inclined with respect to the flat surface portion 18F.

図3の立面図に示すように、搬送手段としてのシャトル24は、上部にウェハ16を、ウェハ保持面18が保持する周縁部でない部分において吸着保持するチャック機構26を備え、下部に設けた移動手段42で、受け渡し場所21、22の間、又は受け渡し場所22、23の間を水平方向(矢印P3の方向)に移動して、ウェハ16を搬送する。   As shown in the elevation view of FIG. 3, the shuttle 24 as a transport means includes a chuck mechanism 26 that holds the wafer 16 at an upper portion thereof at a portion other than the peripheral portion held by the wafer holding surface 18, and is provided at the lower portion. The moving means 42 moves the wafer 16 in the horizontal direction (in the direction of the arrow P3) between the delivery locations 21 and 22 or between the delivery locations 22 and 23.

また、チャック機構26は、高さ変更手段40を備え、軸部38を介して移動手段42に支持された状態で、上下方向(矢印P2の方向)に移動可能とされている。   Further, the chuck mechanism 26 includes a height changing means 40 and is movable in the vertical direction (the direction of the arrow P2) while being supported by the moving means 42 via the shaft portion 38.

チャック機構26は、外径がハンドリングアーム14の内径より小さい径とされ、上面は、ウェハを吸着保持するウェハ吸着面26Uとされている。ウェハ吸着面26Uは、例えば、減圧手段や磁気手段等によりウェハ16を吸着保持する。
このような構成とすることにより、以下の手順でウェハ16をウェハ処理装置10で処理できる。
The chuck mechanism 26 has an outer diameter smaller than the inner diameter of the handling arm 14, and the upper surface is a wafer suction surface 26 </ b> U that sucks and holds the wafer. The wafer attracting surface 26U attracts and holds the wafer 16 by, for example, a decompression unit or a magnetic unit.
With this configuration, the wafer 16 can be processed by the wafer processing apparatus 10 according to the following procedure.

図1に示すように、先ず、ロード側のシャトル24は、受け渡し場所21で、ロード側キャリアエレベータ32で運ばれてきた、未処理のウェハ16をチャック機構26で吸着保持して、受け渡し場所22へ搬送する。   As shown in FIG. 1, first, the load-side shuttle 24 attracts and holds the unprocessed wafer 16, which has been transported by the load-side carrier elevator 32, at the delivery location 21 by the chuck mechanism 26, and delivers the delivery location 22. Transport to.

ハンドリングユニット12は、ハンドリングアーム14を受け渡し場所22に移動させ、ウェハ16の下側にウェハ保持面18をセットする。その後、シャトル24がチャック機構26を下降させ、ウェハ16の吸着を解除してハンドリングアーム14のウェハ保持面18にウェハ16を乗せる。その後、ハンドリングユニット12は、ハンドリングアーム14でウェハ16を処理室20に搬送する。シャトル24は、受け渡し場所21へ移動する。   The handling unit 12 moves the handling arm 14 to the delivery location 22 and sets the wafer holding surface 18 under the wafer 16. Thereafter, the shuttle 24 lowers the chuck mechanism 26 to release the adsorption of the wafer 16 and place the wafer 16 on the wafer holding surface 18 of the handling arm 14. Thereafter, the handling unit 12 conveys the wafer 16 to the processing chamber 20 by the handling arm 14. The shuttle 24 moves to the delivery location 21.

処理室20での処理を終えたウェハ16は、ハンドリングアーム14で、処理室20から受け渡し場所22まで搬送される。これに先立ち、アンロード側のシャトル24は、チャック機構26をハンドリングアーム14との受け渡し場所22へ移動させ、チャック機構26を下降させておく。   The wafer 16 that has been processed in the processing chamber 20 is transferred from the processing chamber 20 to the delivery location 22 by the handling arm 14. Prior to this, the unload-side shuttle 24 moves the chuck mechanism 26 to the delivery place 22 with the handling arm 14 and lowers the chuck mechanism 26.

ウェハ16がハンドリングアーム14で渡し場所22に搬送された後、シャトル24は、チャック機構26を上昇させてウェハ16を吸着して受け取る。   After the wafer 16 is transported to the transfer location 22 by the handling arm 14, the shuttle 24 raises the chuck mechanism 26 to attract and receive the wafer 16.

本実施の形態に係るウェハ処理装置10、及びウェハ処理方法によれば、ウェハ保持面18のウェハ16を傾斜させた状態でアンロード側へのウェハ16の受け渡しを開始することができる。   According to the wafer processing apparatus 10 and the wafer processing method according to the present embodiment, delivery of the wafer 16 to the unload side can be started with the wafer 16 on the wafer holding surface 18 inclined.

これにより、ウェハ保持面18のウェハ16を傾斜させずに、チャック機構26のウェハ吸着面26Uに一様にウェハ16を近づけて吸着させる場合には、一様な吸着が妨げられやすい、反りを有するウェハ16を吸着する場合であっても、ウェハ16を傾斜させることにより、チャック機構26のウェハ吸着面26Uの端部を先にウェハ16に当接させ、順次吸着面の全体で吸着保持させるため、ウェハ16の受け渡し時におけるチャック機構26の吸着不良を低減することができる。   As a result, when the wafer 16 is attracted uniformly to the wafer attracting surface 26U of the chuck mechanism 26 without tilting the wafer 16 on the wafer holding surface 18, uniform warping tends to be hindered. Even when the wafer 16 is sucked, the end of the wafer suction surface 26U of the chuck mechanism 26 is brought into contact with the wafer 16 first by tilting the wafer 16, and the whole suction surface is sequentially sucked and held. Therefore, it is possible to reduce the suction failure of the chuck mechanism 26 when the wafer 16 is delivered.

本実施の形態は、サファイアウェハの裏面に不透明なポリシリコン層を備えたSOSウェハや、サファイアウェハの裏面に石英層を備えたSOQウェハなど、重くて反りの生じやすいウェハにも適用可能である。  The present embodiment can also be applied to a heavy and easily warped wafer such as an SOS wafer having an opaque polysilicon layer on the back surface of a sapphire wafer or an SOQ wafer having a quartz layer on the back surface of a sapphire wafer. .

図4に示す実施形態では、ウェハ処理装置10の構造により、ハンドリングアーム14の中心C1と、チャック機構のウェハ吸着面26Uの中心C2が一致していない設定とされている。   In the embodiment shown in FIG. 4, due to the structure of the wafer processing apparatus 10, the center C1 of the handling arm 14 and the center C2 of the wafer suction surface 26U of the chuck mechanism are not set to coincide with each other.

ここで固定ピン30は、ハンドリングアーム14の中心C1に対して、ウェハ吸着面26Uの中心C2とは反対側に配置されているので、ウェハ16が、ハンドリングアーム14の中心C1側よりウェハ吸着面26Uの中心C2側を低くする方向に傾斜される。   Here, since the fixing pin 30 is disposed on the opposite side to the center C2 of the wafer suction surface 26U with respect to the center C1 of the handling arm 14, the wafer 16 is positioned on the wafer suction surface from the center C1 side of the handling arm 14. It is inclined in a direction to lower the center C2 side of 26U.

例えば、ウェハ16が逆方向に傾斜していると、チャック機構26の押し上げ力でウェハ16は傾斜角を増す方向に変位するので、ウェハ吸着面26Uでの吸着不良が起こりやすい。これに対してウェハ処理装置10では、図5(A)に示す状態から、図5(B)に示すように受け渡しが開始される。すると図5(C)に示すように、上昇するチャック機構26の押し上げ力でウェハ16は、固定ピン30を中心として回転されるから、このウェハ吸着面26Uにウェハ16が吸着される。   For example, if the wafer 16 is tilted in the opposite direction, the wafer 16 is displaced in the direction of increasing the tilt angle by the pushing force of the chuck mechanism 26, so that a suction failure on the wafer suction surface 26U is likely to occur. On the other hand, in the wafer processing apparatus 10, delivery is started as shown in FIG. 5B from the state shown in FIG. Then, as shown in FIG. 5C, the wafer 16 is rotated about the fixing pin 30 by the lifting force of the rising chuck mechanism 26, so that the wafer 16 is attracted to the wafer attracting surface 26U.

この結果、ウェハ処理装置10の構造上、ハンドリングアーム14の中心C1とチャック機構26の中心C2が一致しないときであっても、ウェハ16の受け渡し時におけるチャック機構26の吸着不良を低減できる。   As a result, due to the structure of the wafer processing apparatus 10, even when the center C1 of the handling arm 14 and the center C2 of the chuck mechanism 26 do not coincide with each other, it is possible to reduce the chucking failure of the chuck mechanism 26 when the wafer 16 is delivered.

なお、以上の説明は、水平に設定されたウェハ保持面18に傾斜してウェハ16を載置し、ウェハ保持面18と平行なウェハ吸着面26Uで受け取る例を示したが、例えば、ウェハ保持面18にもウェハ16の吸着機能を持たせ、ウェハ吸着面との間でウェハ16の受け渡しを行っても良い。これにより、ウェハ16の受け渡し姿勢は、水平に近い姿勢に限られず、傾斜させた姿勢で受け渡しを行うことができる。   In the above description, an example in which the wafer 16 is placed on the wafer holding surface 18 set horizontally and received by the wafer suction surface 26U parallel to the wafer holding surface 18 is shown. The surface 18 may also be provided with a function of attracting the wafer 16, and the wafer 16 may be transferred to and from the wafer attracting surface. As a result, the delivery posture of the wafer 16 is not limited to a horizontal posture, and delivery can be performed in an inclined posture.

(第2の実施の形態)
図6に示すように、第2の実施の形態に係るウェハ処理装置50は、ハンドリングアーム14のウェハ保持面18に、周方向に隙間を開けて2本の可変ピン44を設けている。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 6, the wafer processing apparatus 50 according to the second embodiment is provided with two variable pins 44 on the wafer holding surface 18 of the handling arm 14 with a gap in the circumferential direction.

可変ピン44は、第1の実施の形態に係るウェハ処理装置10において説明した、固定ピン30に代えて設けたもので、固定ピン30が1本であったのに対し、2本としている。なお、2本の固定ピン28は、第1の実施の形態のままの位置、形状である。   The variable pins 44 are provided in place of the fixed pins 30 described in the wafer processing apparatus 10 according to the first embodiment, and the number of the fixed pins 30 is two as opposed to one. Note that the two fixing pins 28 have the same positions and shapes as in the first embodiment.

可変ピン44は、外周面に雄ねじが設けられ、平面部18Fを貫通して設けられた雌ねじ46と螺合される。これにより、可変ピン44のねじ込み量で平面部18Fからの高さを調整できる。2本の可変ピン44を固定ピン28より高くセットすれば、ウェハ16は、可変ピン44側が高い傾斜で保持される。また、2本の可変ピン44の高さをそれぞれで異ならせれば、ウェハ16の傾斜面の方向を調整できる。   The variable pin 44 is provided with a male screw on the outer peripheral surface and is screwed with a female screw 46 provided through the flat surface portion 18F. Thereby, the height from the flat surface portion 18 </ b> F can be adjusted by the screwing amount of the variable pin 44. If the two variable pins 44 are set higher than the fixed pins 28, the wafer 16 is held at a high inclination on the variable pin 44 side. Further, if the heights of the two variable pins 44 are different, the direction of the inclined surface of the wafer 16 can be adjusted.

なお、可変ピン44の支持部を、例えば電動等でせり上がる構造としてもよい。これにより、高さ調整が容易となる。また、ロード時とアンロード時で傾斜あり、傾斜なし、と設定を変更したり、ウェハ16の傾斜角度の設定を変更することもできる。   Note that the support portion of the variable pin 44 may have a structure that rises, for example, electrically. Thereby, height adjustment becomes easy. It is also possible to change the setting of inclination and no inclination during loading and unloading, or change the setting of the inclination angle of the wafer 16.

また、ハンドリングアーム14の中心C1とチャック機構の中心C2が一致していても適用できる。
他の構成は、第1の実施の形態に係るウェハ処理装置10と同じであり、説明は省略する。
Further, the present invention can be applied even when the center C1 of the handling arm 14 is coincident with the center C2 of the chuck mechanism.
Other configurations are the same as those of the wafer processing apparatus 10 according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

10 ウェハ処理装置
12 ハンドリングユニット
14 ハンドリングアーム
16 ウェハ
18 ウェハ保持面
21 受け渡し場所
22 受け渡し場所
23 受け渡し場所
24 シャトル(搬送手段)
26 チャック機構
26U ウェハ吸着面
30 固定ピン(傾斜機構、突出部)
44 可変ピン(傾斜機構、突出部)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer processing apparatus 12 Handling unit 14 Handling arm 16 Wafer 18 Wafer holding surface 21 Delivery place 22 Delivery place 23 Delivery place 24 Shuttle (carrying means)
26 Chuck mechanism 26U Wafer suction surface 30 Fixing pin (tilt mechanism, protrusion)
44 Variable pin (tilt mechanism, protrusion)

Claims (12)

ウェハ保持面を備えたハンドリングアームと、
前記ウェハ保持面と平行に設けられたウェハ吸着面で、前記ハンドリングアームからウェハを受け取るチャック機構と、
を備えたウェハ処理装置であって、
前記ハンドリングアームは、前記ウェハ保持面の上に保持される前記ウェハを前記ウェハ吸着面に対して傾斜させる傾斜機構を備え、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で前記ウェハの受け渡しを行うことを特徴とするウェハ処理装置。
A handling arm with a wafer holding surface;
A chuck mechanism for receiving a wafer from the handling arm at a wafer suction surface provided in parallel with the wafer holding surface;
A wafer processing apparatus comprising:
The handling arm includes an inclination mechanism for inclining the wafer held on the wafer holding surface with respect to the wafer adsorption surface, and the center of the wafer held on the handling arm, and the wafer adsorption surface A wafer processing apparatus for delivering the wafer at a position where the centers do not coincide.
前記傾斜機構は、前記ウェハ保持面の表面よりもウェハ側に突出された、少なくともひとつの突出部を有することを特徴とする請求項1に記載のウェハ処理装置。   2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the tilt mechanism has at least one protrusion that protrudes toward the wafer from the surface of the wafer holding surface. 前記突出部は、前記ウェハ保持面からの突出高さが変更可能とされていることを特徴とする請求項2に記載のウェハ処理装置。   The wafer processing apparatus according to claim 2, wherein the protrusion has a protrusion height changeable from the wafer holding surface. 前記ハンドリングアーム及び前記チャック機構は、前記ウェハ保持面に対する垂直方向の移動が可能であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。   4. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the handling arm and the chuck mechanism are capable of moving in a direction perpendicular to the wafer holding surface. 5. 上端部のウェハ吸着面でウェハを吸着保持するチャック機構を備え、前記ウェハを搬送するために受け渡し場所間を移動する搬送手段と、
上向きのウェハ保持面で前記ウェハの周縁部を保持して搬送するハンドリングアームと、前記ウェハ保持面に設けられ前記ウェハを前記ウェハ保持面に対して傾斜させる傾斜機構と、を備え、いずれかの前記受け渡し場所で、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で、前記ハンドリングアームと前記チャック機構との上下方向の相対移動に伴って、前記ウェハの受け渡しを行うハンドリングユニットと、
を有するウェハ処理装置。
A chucking mechanism for chucking and holding the wafer on the wafer suction surface at the upper end, and a transport means for moving between the delivery locations to transport the wafer;
A handling arm that holds and conveys the peripheral edge of the wafer with an upward wafer holding surface; and an inclination mechanism that is provided on the wafer holding surface and inclines the wafer with respect to the wafer holding surface. The wafer is held by the relative movement in the vertical direction between the handling arm and the chuck mechanism at a position where the center of the wafer held by the handling arm does not coincide with the center of the wafer suction surface at the delivery location. A handling unit that delivers
A wafer processing apparatus.
ハンドリングアームに備えられたウェハ保持面に搭載されたウェハを、チャック機構に備えられたウェハ吸着面に受け渡すウェハ処理方法において、
前記ハンドリングアームは、前記ウェハ保持面の上に保持される前記ウェハを前記ウェハ吸着面に対して傾斜させる傾斜機構を備え、
前記ウェハ保持面から前記ウェハ吸着面への前記ウェハの受け渡しの際に、前記ハンドリングアームに保持され、前記傾斜機構により傾斜された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で、前記ウェハを、前記ウェハ吸着面の端部から順次吸着させることを特徴とするウェハ処理方法。
In a wafer processing method of transferring a wafer mounted on a wafer holding surface provided in a handling arm to a wafer suction surface provided in a chuck mechanism,
The handling arm includes a tilt mechanism that tilts the wafer held on the wafer holding surface with respect to the wafer suction surface;
When the wafer is transferred from the wafer holding surface to the wafer suction surface, the center of the wafer held by the handling arm and tilted by the tilt mechanism does not coincide with the center of the wafer suction surface. The wafer processing method, wherein the wafer is sequentially sucked from an end of the wafer suction surface.
ウェハ保持面を備えたハンドリングアームと、前記ウェハ保持面と平行に設けられたウェハ吸着面で、前記ハンドリングアームからウェハを受け取るチャック機構と、を備えたウェハ処理装置であって、前記ハンドリングアームは、前記ウェハ保持面の上に保持される前記ウェハを前記ウェハ吸着面に対して傾斜させる傾斜機構を備えているウェハ処理装置を用いたウェハ処理方法であって、
前記ウェハ保持面に保持された前記ウェハを、前記ウェハ吸着面との対向位置に移動させるステップと、
前記ハンドリングアーム又は前記チャック機構を前記ウェハ保持面に対する垂直方向に移動させ、前記ウェハ吸着面に対して傾斜させた状態の前記ウェハを、前記ウェハ吸着面の端部から順次前記ウェハ吸着面に吸着させるステップと、
を有することを特徴とするウェハ処理方法。
A wafer processing apparatus comprising: a handling arm provided with a wafer holding surface; and a chuck mechanism for receiving a wafer from the handling arm at a wafer suction surface provided in parallel with the wafer holding surface, wherein the handling arm comprises: A wafer processing method using a wafer processing apparatus comprising an inclination mechanism for inclining the wafer held on the wafer holding surface with respect to the wafer suction surface,
Moving the wafer held on the wafer holding surface to a position facing the wafer suction surface;
The handling arm or the chuck mechanism is moved in a direction perpendicular to the wafer holding surface, and the wafer tilted with respect to the wafer adsorption surface is adsorbed to the wafer adsorption surface sequentially from the end of the wafer adsorption surface. Step to
A wafer processing method comprising:
前記ウェハ保持面に保持されたウェハを、前記ウェハ吸着面との対向位置に移動させるステップにおいて、
前記ハンドリングアームは、前記ウェハ吸着面の中心と、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心とが一致しない位置に移動させることを特徴とする請求項7に記載のウェハ処理方法。
In the step of moving the wafer held on the wafer holding surface to a position facing the wafer suction surface,
The wafer processing method according to claim 7, wherein the handling arm is moved to a position where a center of the wafer suction surface and a center of the wafer held by the handling arm do not coincide with each other.
前記傾斜機構は、前記ウェハの中心より前記ウェハ吸着面の中心を低くする方向に前記ウェハを傾斜させることを特徴とする請求項8に記載のウェハ処理方法。   The wafer processing method according to claim 8, wherein the tilt mechanism tilts the wafer in a direction in which a center of the wafer suction surface is lowered from a center of the wafer. 前記ウェハは、サファイア又はクオーツを含むことを特徴とする請求項6〜請求項9のいずれか1項に記載のウェハ処理方法。   The wafer processing method according to claim 6, wherein the wafer contains sapphire or quartz. ハンドリングユニットによって、ハンドリングアームの保持面に設けられた傾斜機構でウェハを前記保持面に対し傾斜させて前記ウェハの周縁部を保持し、前記ウェハをウェハ吸着面で吸着保持するチャック機構を備えた搬送手段との受け渡し場所まで、前記ウェハを搬送するステップと、
前記受け渡し場所で、前記ハンドリングアームに保持された前記ウェハの中心と、前記ウェハ吸着面の中心が一致しない位置で、前記ハンドリングアームと前記チャック機構を上下方向に相対移動させ、前記ウェハ吸着面で、傾斜した状態の前記ウェハの傾斜を解消しながら吸着保持するステップと、
を有するウェハ処理方法。
A chuck mechanism that holds the peripheral edge of the wafer by tilting the wafer with respect to the holding surface by a tilting mechanism provided on the holding surface of the handling arm by the handling unit, and holding the wafer by suction on the wafer suction surface. Transporting the wafer to a delivery location with transport means;
At the delivery location, at the position where the center of the wafer held by the handling arm and the center of the wafer suction surface do not coincide with each other, the handling arm and the chuck mechanism are moved relative to each other in the vertical direction. And suction holding while eliminating the tilt of the wafer in the tilted state;
A wafer processing method.
請求項6〜11のいずれか1項に記載のウェハ処理方法を含む半導体装置の製造方法。   The manufacturing method of the semiconductor device containing the wafer processing method of any one of Claims 6-11.
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JPH07142307A (en) * 1993-06-15 1995-06-02 Sigma Merutetsuku Kk Chemical treating stage
JPH118289A (en) * 1997-06-16 1999-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor
JP2003245886A (en) * 2002-02-22 2003-09-02 Orc Mfg Co Ltd Adsorbing mechanism
JP4359109B2 (en) * 2003-09-19 2009-11-04 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007165655A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc Direction sensor of wafer

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