JP2011138844A - Vacuum processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum processing apparatus capable of securing a retreat place for wafers before and after processing without increasing the scale of the mechanism of a delivery chamber nor making it complicated. <P>SOLUTION: In the vacuum processing apparatus having the substrate delivery chamber provided between two vacuum chambers, the substrate delivery chamber is equipped with a lift pin for supporting a substrate, a buffer arm where the substrate is temporarily placed, and a substrate stage on which the substrate is placed, and the lift pin is lifted and lowered in an oblique direction. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空処理装置、特に、2つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置に関する。   The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus having a substrate transfer chamber provided between two vacuum chambers.

半導体ウェハ等の基板を処理して半導体デバイスを製造するために利用する真空処理装置は、近年、デバイス構造の多層化、スループットの向上等の観点から、1台の処理装置で各種処理プロセスを真空中で一貫して行うため複数の処理チャンバを備える傾向にある。
このような真空処理装置では、通常、ロードロックチャンバを経由して複数の基板を搬入し、搬送領域、受け渡し領域、処理領域と基板を搬送し、基板の処理を行っている。そして、搬送領域間、搬送領域と受け渡し領域間で基板の受け渡しを行うため受け渡しチャンバを具備する装置が知られている(例えば、特許文献1、2など)
2. Description of the Related Art In recent years, vacuum processing apparatuses used to manufacture semiconductor devices by processing a substrate such as a semiconductor wafer have vacuumed various processing processes with a single processing apparatus from the viewpoints of multilayer device structure and improved throughput. There is a tendency to have multiple processing chambers to perform consistently within.
In such a vacuum processing apparatus, usually, a plurality of substrates are carried in via a load lock chamber, and a transfer region, a transfer region, a processing region and a substrate are transferred, and the substrate is processed. An apparatus including a transfer chamber for transferring a substrate between transfer regions and between a transfer region and a transfer region is known (for example, Patent Documents 1 and 2).

特許文献1には、処理室に囲まれた搬送室と、ロード/アンロードロック室に接続しているバッファチャンバとの間で、基板を受け渡すために、2つの受け渡しチャンバを有する真空処理装置が記載されている。特許文献2には、処理室に囲まれた搬送室を3つ有するクラスタ型の真空処理装置において、搬送室間での基板を受け渡すための2つの受け渡しチャンバを有することが記載されている。また、受け渡しチャンバにウェハを複数枚収容できる多段カセットを備えることができることが記載されている。   Patent Document 1 discloses a vacuum processing apparatus having two transfer chambers for transferring a substrate between a transfer chamber surrounded by a processing chamber and a buffer chamber connected to a load / unload lock chamber. Is described. Patent Document 2 describes that a cluster-type vacuum processing apparatus having three transfer chambers surrounded by a process chamber has two transfer chambers for transferring a substrate between the transfer chambers. In addition, it is described that a multistage cassette that can accommodate a plurality of wafers in the delivery chamber can be provided.

特開平3−19252号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-19252 特表2007−13424号公報Special table 2007-13424 gazette

特許文献1においては、受け渡しチャンバの一方は、第1の搬送室から第2の搬送室への通路となり、他法の受け渡しチャンバは第2の搬送室から第1の搬送室への通路となっている。従って、受け渡しチャンバは、往路用と復路用の2つが必要であった。
一方、特許文献2においては、各搬送室間をつなぐ受け渡しチャンバに、ウェハを複数枚収納できる多段カセットを備えることができるため、往路用と復路用の2つの受け渡しチャンバを持たなくて済むが、受け渡しチャンバに多段カセット用のスペースが必要であった。
In Patent Document 1, one of the delivery chambers is a passage from the first transfer chamber to the second transfer chamber, and the other transfer chamber is a passage from the second transfer chamber to the first transfer chamber. ing. Therefore, two delivery chambers are required for the forward path and the backward path.
On the other hand, in Patent Document 2, since the transfer chamber connecting the transfer chambers can be provided with a multi-stage cassette capable of storing a plurality of wafers, it is not necessary to have two transfer chambers for the forward path and the return path. Space for multi-stage cassettes was required in the delivery chamber.

そこで、本発明は、受け渡しチャンバ室の機構を大型化、複雑化させることなく、処理前後のウェハの退避場所を確保できる、真空処理装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus capable of securing a wafer retreating place before and after processing without increasing the size and complexity of a delivery chamber chamber mechanism.

本発明の真空処理装置は、2つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする。   The vacuum processing apparatus of the present invention is a vacuum processing apparatus having a substrate delivery chamber provided between two vacuum chambers, wherein the substrate delivery chamber has a lift pin that supports the substrate, a buffer arm that temporarily places the substrate, and a substrate The lift pin is lifted and lowered in an oblique direction.

また、本発明の真空処理装置は、2つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする。   The vacuum processing apparatus of the present invention is a vacuum processing apparatus having a substrate delivery chamber provided between two vacuum chambers, wherein the substrate delivery chamber has a lift pin that supports the substrate, a buffer arm that temporarily places the substrate, And a substrate stage on which the substrate is placed, wherein the lift pins are moved up and down in an oblique direction.

また、本発明の半導体デバイスの製造法は、上記真空処理装置を用いて基板の処理を行う工程を有することを特徴とする。   In addition, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of processing a substrate using the vacuum processing apparatus.

本発明によれば、2つ以上の搬送室を持つ真空処理装置のスループットを向上させ、かつ、駆動機構を簡易化することができる。   According to the present invention, the throughput of a vacuum processing apparatus having two or more transfer chambers can be improved, and the drive mechanism can be simplified.

本発明の一実施態様の真空処理装置の概略図である。It is the schematic of the vacuum processing apparatus of one embodiment of this invention. 本発明で用いる受け渡しチャンバの一態様を示す平面図概略図である。It is a top view schematic diagram showing one mode of a delivery chamber used in the present invention. 本発明で用いる受け渡しチャンバの一態様を示す側面概略図である。It is a side schematic diagram showing one mode of a delivery chamber used by the present invention. バッファーアームの概略摸式図である。It is a schematic model diagram of a buffer arm. 第一の態様の受け渡しチャンバにおいてウェハの移動を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the movement of a wafer in the delivery chamber of a 1st aspect. 第一の態様の受け渡しチャンバにおいてウェハの移動を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the movement of a wafer in the delivery chamber of a 1st aspect. 本発明で用いる受け渡しチャンバの他の態様を示す側面概略図である。It is the side surface schematic diagram which shows the other aspect of the delivery chamber used by this invention.

本発明の真空処理装置を、図1を参照して説明する。図1は、本発明の真空処理装置の一実施態様を示す模式図である。   The vacuum processing apparatus of this invention is demonstrated with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of the vacuum processing apparatus of the present invention.

本発明の真空処理装置1は、複数の処理室51〜54に囲まれた第1の搬送室31と、複数の処理室55〜60に囲まれた第2の搬送室32とを有する。また、真空処理装置1は、搬送室31と搬送室32との間での基板を受け渡すための受け渡しチャンバ2を有する。搬送室31、32は、それぞれ独立に、不図示の真空排気装置と、基板を搬送する機構である搬送ロボット41、42とを備えている。   The vacuum processing apparatus 1 of the present invention includes a first transfer chamber 31 surrounded by a plurality of process chambers 51 to 54 and a second transfer chamber 32 surrounded by a plurality of process chambers 55 to 60. Further, the vacuum processing apparatus 1 has a delivery chamber 2 for delivering a substrate between the transfer chamber 31 and the transfer chamber 32. Each of the transfer chambers 31 and 32 includes an evacuation apparatus (not shown) and transfer robots 41 and 42 that are mechanisms for transferring a substrate.

搬送ロボット41、42は、搬送ロボットアームがその中心軸411、421の回りに回転可能であり、そのアーム部は伸縮可能である。搬送ロボットアームは、両側に略半円状の基板受け部を備えている。   In the transfer robots 41 and 42, the transfer robot arm can rotate around the central axes 411 and 421, and the arm part can be expanded and contracted. The transfer robot arm includes a substantially semicircular substrate receiving part on both sides.

搬送室31には、不図示のゲートバルブを介してロードロック室71、72接続されている。ロードロック室71、72には、ゲートバルブを介して、フロントエンドモジュール(EFEM)3が接続されている。フロントエンドモジュール3には、3つの基板格納部(ロードポート)81、82、83が接続されている。   The load lock chambers 71 and 72 are connected to the transfer chamber 31 through a gate valve (not shown). A front end module (EFEM) 3 is connected to the load lock chambers 71 and 72 through a gate valve. Three substrate storage units (load ports) 81, 82, 83 are connected to the front end module 3.

基板格納部81、82、83に置かれた不図示のカセットまたは、FOUP(Front Opening Unfiled
Pod)内のウェハは、フロントエンドモジュール3に搭載された不図示の基板搬送ロボットによって、ロードロック室71または72に搬送される。ロードロック室71、72が大気から真空にされた後、基板は、搬送室31の搬送ロボット41によって搬送室31に搬送される。基板は、搬送室31から、処理室51〜54あるいは、受け渡しチャンバ2に搬送される。受け渡しチャンバ2の基板は、搬送室32の搬送ロボット42によって、受け渡しチャンバ2から搬送室32に搬送される。その後、基板は、搬送ロボット42によって処理室55〜60のいずれかに搬送される。ウェハは予め決められた工程に従って、処理室55〜60に搬送され、処理室55〜60での処理工程が行われる。
A cassette (not shown) placed in the board storage unit 81, 82, 83, or FOUP (Front Opening Unfiled
The wafer in Pod) is transferred to the load lock chamber 71 or 72 by a substrate transfer robot (not shown) mounted on the front end module 3. After the load lock chambers 71 and 72 are evacuated from the atmosphere, the substrate is transferred to the transfer chamber 31 by the transfer robot 41 in the transfer chamber 31. The substrate is transferred from the transfer chamber 31 to the processing chambers 51 to 54 or the transfer chamber 2. The substrate in the transfer chamber 2 is transferred from the transfer chamber 2 to the transfer chamber 32 by the transfer robot 42 in the transfer chamber 32. Thereafter, the substrate is transferred to one of the processing chambers 55 to 60 by the transfer robot 42. The wafer is transferred to the processing chambers 55 to 60 according to a predetermined process, and the processing steps in the processing chambers 55 to 60 are performed.

処理工程での処理をすべて終了すると、搬送室32から、受け渡しチャンバ2、搬送室31を経て、ロードロック室71、72からフロントエンドモジュール3を介して基板格納部81〜83に戻る。   When all the processes in the processing steps are completed, the process returns from the transfer chamber 32 to the substrate storage units 81 to 83 via the front end module 3 from the load lock chambers 71 and 72 via the delivery chamber 2 and the transfer chamber 31.

図2、図3を用いて、本発明の受け渡しチャンバ(受け渡しチャンバ)の一態様を説明する。図2は、本発明の受け渡しチャンバ2の概略摸式図であり、図3は図2のa―aにおける断面図である。なお、図2において、点線はウェハが基板ステージに載置された状態を示す。   An embodiment of the delivery chamber (delivery chamber) of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a schematic diagram of the delivery chamber 2 of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along aa in FIG. In FIG. 2, a dotted line indicates a state where the wafer is placed on the substrate stage.

受け渡しチャンバ2には、ウェハを載置する基板ステージ12と、搬送室から搬送されたウェハを支持するリフトピン111〜113と、ウェハを一時的に保持するバッファーアーム13が配置されている。また、受け渡しチャンバは、ウェハのノッチ、オリフラを検出するセンサー14、15を具備する。   In the delivery chamber 2, a substrate stage 12 on which the wafer is placed, lift pins 111 to 113 that support the wafer transferred from the transfer chamber, and a buffer arm 13 that temporarily holds the wafer are arranged. In addition, the delivery chamber includes sensors 14 and 15 that detect notches and orientation flats of the wafer.

基板ステージ12は、不図示の昇降機構により上下に昇降可能である。また、基板ステージ12は、回転機構16により、基板ステージ12の中心部を中心として水平方向に回転可能である。
バッファーアーム13は、基板ステージ12の中心軸からずれた位置に、配置されている。
The substrate stage 12 can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown). Further, the substrate stage 12 can be rotated in the horizontal direction around the center of the substrate stage 12 by the rotation mechanism 16.
The buffer arm 13 is arranged at a position shifted from the central axis of the substrate stage 12.

バッファーアーム13の構造を図4を参照して説明する。図4は、ウェハがバッファーアーム13に仮置きされた状態におけるバッファーアーム13の概略を示す摸式図である。バッファーアーム13は、軸132と、ウェハ載置部131を具備し、ウェハ載置部131で、ウェハの外周の2端が保持される。軸132は受け渡しチャンバ2外に設けられた上下駆動部134と接続しており、上下することができる。軸132は、ベローズ134により真空が保たれている。   The structure of the buffer arm 13 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing an outline of the buffer arm 13 in a state where the wafer is temporarily placed on the buffer arm 13. The buffer arm 13 includes a shaft 132 and a wafer placement unit 131, and the wafer placement unit 131 holds two ends of the outer periphery of the wafer. The shaft 132 is connected to a vertical drive unit 134 provided outside the delivery chamber 2 and can be moved up and down. The shaft 132 is kept in vacuum by a bellows 134.

第一の搬送室31あるいは第二の搬送室32から、搬送ロボット41あるいは42により、ウェハが受け渡しチャンバ2に搬送され、受け渡しチャンバ2を経由して他方の搬送室に搬出される。
以下、ウェハが第一の搬送室から受け渡しチャンバ2を経由して、第二の搬送室に搬送される場合について説明する。
A wafer is transferred from the first transfer chamber 31 or the second transfer chamber 32 to the transfer chamber 2 by the transfer robot 41 or 42 and is transferred to the other transfer chamber via the transfer chamber 2.
Hereinafter, a case where a wafer is transferred from the first transfer chamber to the second transfer chamber via the transfer chamber 2 will be described.

ウェハが、第一の搬送室31から受け渡しチャンバ2に搬入される際、基板ステージ12はリフトピン111〜113より低い状態で待機している。搬送室から受け渡しチャンバ2に搬入されたウェハは、リフトピン111〜113により支持される。ウェハを第二の搬送室32に搬出する場合には、第二の搬送室32の搬送ロボット42のアームが、リフトピンに支持されたウェハを受け取り、第二の搬送室32に搬送する。   When the wafer is carried into the delivery chamber 2 from the first transfer chamber 31, the substrate stage 12 stands by in a state lower than the lift pins 111 to 113. The wafer carried into the delivery chamber 2 from the transfer chamber is supported by lift pins 111 to 113. When the wafer is carried out to the second transfer chamber 32, the arm of the transfer robot 42 in the second transfer chamber 32 receives the wafer supported by the lift pins and transfers it to the second transfer chamber 32.

ウェハのウェハずれ、あるいは、ウェハの位置を検出する場合には、基板ステージ12が上昇し、リフトピン111〜113で支えられているウェハが、基板ステージ12上に載置される。基板ステージ12は不図示の回転機構により回転することにより、基板ステージ12上のウェハが回転させられる。センサーは、発光部15と発光部15からの光を受光する受光部14を備える。一方、ウェハの外周にはノッチ、オリフラが設けられている。発光部15より発光したレーザを、センサーの受光部14で受光することにより、ウェハの外周に設けたノッチ、オリフラを検知可能となっている。   When detecting the wafer shift or the wafer position of the wafer, the substrate stage 12 is raised, and the wafer supported by the lift pins 111 to 113 is placed on the substrate stage 12. The substrate stage 12 is rotated by a rotation mechanism (not shown), whereby the wafer on the substrate stage 12 is rotated. The sensor includes a light emitting unit 15 and a light receiving unit 14 that receives light from the light emitting unit 15. On the other hand, a notch and an orientation flat are provided on the outer periphery of the wafer. The laser emitted from the light emitting unit 15 is received by the light receiving unit 14 of the sensor, so that notches and orientation flats provided on the outer periphery of the wafer can be detected.

なお、センサーとしては、レーザービームを照射する照射手段と、照射手段により照射されたレーザービームの反射光を受光することにより、ノッチ、オリフラの検出を行う反射型センサーを用いることもできる。   In addition, as a sensor, the reflection type sensor which detects a notch and an orientation flat by receiving the reflected light of the laser beam irradiated by the irradiation means irradiated with a laser beam and an irradiation means can also be used.

ノッチまたはオリフラが所定の位置に達するまで,不図示の回転機構が、半導体基板を回転させる。これにより、ウェハの向きが補正される。   A rotating mechanism (not shown) rotates the semiconductor substrate until the notch or orientation flat reaches a predetermined position. Thereby, the orientation of the wafer is corrected.

次に、図5、図6を参照して、ウェハをバッファーアーム13の仮置き位置へ移動する方法について説明する。図5は、本発明の一態様の受け渡しチャンバ2の断面摸式図である。図5(a)は、ウェハ5がバッファーアーム13へ移動している途中段階の状態を示す。図5(b)は、ウェハ5が、バッファーアーム13に受け渡された状態を示す。図5(c)は、バッファーアーム13が上昇し、ウェハ5が仮置き位置に移動した状態を示す。図6は、図5の各段階において、バッファーアーム13とウェハ5の位置関係を示す平面摸式図である。   Next, a method for moving the wafer to the temporary placement position of the buffer arm 13 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the delivery chamber 2 according to one aspect of the present invention. FIG. 5A shows a state in the middle of the movement of the wafer 5 to the buffer arm 13. FIG. 5B shows a state where the wafer 5 is transferred to the buffer arm 13. FIG. 5C shows a state where the buffer arm 13 is raised and the wafer 5 is moved to the temporary placement position. FIG. 6 is a schematic plan view showing the positional relationship between the buffer arm 13 and the wafer 5 at each stage of FIG.

リフトピン111、112は、ウェハ5を斜め上方に押し上げるが、ウェハは、バッファーアームのウェハ載置部131の下方に位置している(図5(a))。このとき、上面から見て、ウェハ5の先端部がバッファーアーム13のウェハ載置部131、132内に位置する(図6(a)).   The lift pins 111 and 112 push the wafer 5 obliquely upward, but the wafer is positioned below the wafer mounting portion 131 of the buffer arm (FIG. 5A). At this time, when viewed from above, the front end portion of the wafer 5 is located in the wafer mounting portions 131 and 132 of the buffer arm 13 (FIG. 6A).

リフトピン111、112が、さらにウェハ5を斜め上方に押し上げ、バッファーアーム12のウェハ載置部131に、ウェハ5の両端が挟まれる(図5(b)、図6(b))。   The lift pins 111 and 112 further push the wafer 5 obliquely upward, and both ends of the wafer 5 are sandwiched between the wafer mounting portions 131 of the buffer arm 12 (FIGS. 5B and 6B).

バッファーアーム13がウェハの仮置き位置まで移動する(図5(c),図6(c))。   The buffer arm 13 moves to the temporary placement position of the wafer (FIGS. 5C and 6C).

基板ステージ12上からウェハ5が除去されたことにより、受け渡しチャンバ2に新たなウェハを搬入することができる。このように、バッファーアーム13上に移動したウェハは、センサー14、15の走査範囲外に位置するので、新たに搬入されたウェハの位置検出が可能となる。   By removing the wafer 5 from the substrate stage 12, a new wafer can be carried into the delivery chamber 2. Thus, since the wafer moved on the buffer arm 13 is located outside the scanning range of the sensors 14 and 15, the position of the newly loaded wafer can be detected.

図7を参照して、受け渡しチャンバの他の例を説明する。図7は、受け渡しチャンバの概略を示す断面摸式図である。本態様は、リフトピンは上下に移動するが、バッファーアームが斜め上方に移動する例である。その他の構成は、図2、図3の受け渡しチャンバと同じである。   Another example of the delivery chamber will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic sectional view showing an outline of the delivery chamber. In this embodiment, the lift pin moves up and down, but the buffer arm moves obliquely upward. Other configurations are the same as those of the delivery chamber of FIGS.

本態様では、基板ステージ12に載置されたウェハ5はリフトピン121、122により上方に押し上げられ、バッファーアーム23に受け渡される。その後、バッファーアーム23に載置されたウェハは5は、バッファーアーム23が斜めに上昇することにより、バッファーアーム23の仮置き位置に移動させられる。図7の点線は、ウェハ5がバッファーアーム23に載置された状態を示す。   In this embodiment, the wafer 5 placed on the substrate stage 12 is pushed upward by the lift pins 121 and 122 and transferred to the buffer arm 23. Thereafter, the wafer 5 placed on the buffer arm 23 is moved to the temporary placement position of the buffer arm 23 by raising the buffer arm 23 obliquely. A dotted line in FIG. 7 shows a state in which the wafer 5 is placed on the buffer arm 23.

バッファーアーム23は不図示の受け渡しチャンバ外側に設置されたシリンダーまたはモーターによって駆動され、ベローズによって真空を保持される。   The buffer arm 23 is driven by a cylinder or a motor installed outside a delivery chamber (not shown), and a vacuum is maintained by the bellows.

バッファーアーム23に受け渡されたウェハは、センサーの走査範囲外に位置するので、新たに搬入されたウェハの位置検出が可能となる。   Since the wafer delivered to the buffer arm 23 is located outside the scanning range of the sensor, the position of the newly loaded wafer can be detected.

上記の真空処理装置を用いて、上記処理室で基板の処理を施す工程を有する半導体デバイスを製造することができる。   A semiconductor device having a step of processing a substrate in the processing chamber can be manufactured using the vacuum processing apparatus.

1 真空処理装置
2 受け渡しチャンバ
3 フロントエンドモジュール
5 ウェハ
12 基板ステージ
13 バッファーアーム
31 第1の搬送室
32 第2/の搬送室
41、42 搬送ロボット
411、421 搬送ロボットの中心軸
51〜60 処理室
71,72 ロードロック室
81〜83 基板格納部
111〜113 リフトピン
131 バッファーアームの基板載置部
14 センサーの受光部
15 センサーの発光部
16 基板ステージの回転機構
23 バッファーアーム
121、122 リフトピン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum processing apparatus 2 Delivery chamber 3 Front end module 5 Wafer 12 Substrate stage 13 Buffer arm 31 1st transfer chamber 32 2nd / transfer chamber 41, 42 Transfer robot 411, 421 Transfer robot central axis 51-60 Processing chamber 71, 72 Load lock chambers 81-83 Substrate storage units 111-113 Lift pin 131 Buffer arm substrate mounting unit 14 Sensor light receiving unit 15 Sensor light emitting unit 16 Substrate stage rotation mechanism 23 Buffer arm 121, 122 Lift pin

Claims (4)

2つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする真空処理装置。   In a vacuum processing apparatus having a substrate transfer chamber provided between two vacuum chambers, the substrate transfer chamber includes a lift pin for supporting the substrate, a buffer arm for temporarily placing the substrate, and a substrate stage for mounting the substrate. A vacuum processing apparatus comprising: the lift pin ascending and descending in an oblique direction. 2つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする真空処理装置。   In a vacuum processing apparatus having a substrate transfer chamber provided between two vacuum chambers, the substrate transfer chamber includes a lift pin for supporting the substrate, a buffer arm for temporarily placing the substrate, and a substrate stage for mounting the substrate. A vacuum processing apparatus comprising: the lift pin ascending and descending in an oblique direction. 前記バッファーアームに基板が仮置きされた状態で、前記2つの真空チャンバ間で該基板と異なる基板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項1または2に記載の真空処理装置。 3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein a substrate different from the substrate is transferred between the two vacuum chambers in a state where the substrate is temporarily placed on the buffer arm. 基板の処理を行う工程を有する半導体デバイスの製造方法であって、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の真空処理装置を用いて基板の処理を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

A method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of processing a substrate, wherein the substrate is processed using the vacuum processing apparatus according to claim 1. Method.

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