JP5586045B2 - 硫化物薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
金属珪化物は化学的に安定であり,金属と比べ硫化中の硫黄の侵食に対して強い耐性を持つ。したがって、硫化処理中の加熱により硫化物薄膜と同時に金属珪化物裏面電極層を作製することが可能である。しかも、モリブデン等に劣るものの金属珪化物、特にニッケルシリサイドは熱処理条件により良好な導電性を持つ。このため、高性能な硫化物薄膜デバイスを効率的に製造することができる。
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。金属珪化物薄膜および硫化物薄膜との積層構造の製造方法を次に説明する。製造は手順にしたがって上から順に行なう。なお、製造のフローチャートを図1に示す。
金属珪化物は化学的に安定であり,金属と比べ硫化中の硫黄の侵食に対して強い耐性を持つ。したがって、硫化処理中の加熱により硫化物薄膜と同時に金属珪化物裏面電極層を作製することが可能である。
しかも、モリブデン等に劣るものの金属珪化物、特にニッケルシリサイドは熱処理条件により良好な導電性を持つ。
また、各金属材を順番ではなく同時に堆積できるため、1度のスパッタ操作のみで目的の混合膜を得ることができ、迅速・簡便である。さらに積層膜では懸念される膜中の組成ムラが生じない。
以上のように、本実施形態により簡易迅速かつ低廉な薄膜堆積プロセスにより硫化物薄膜を用いた電子デバイス用の裏面電極層を製造することができる。
2 シリコン,ニッケルのうち1以外の金属種の板
3 ガラス製のアンプル
4 ガラス製のロケット
5 排気用のガラス管
6 キャップ
7 先端部(硫黄粉末)
8 試料(銅亜鉛錫薄膜(基材層)を堆積したガラス板)
9 バーナー
10 開口部(真空排気)
11 封止部
12 封止部11の封止作業中、均等に溶接するため3を回転させる操作
Claims (6)
- 基板上に金属とシリコンの混合膜が形成される第1工程と、
前記混合膜上に基材層が形成される第2工程と、
加熱環境下において前記基材層が硫化されて硫化物層が形成されると同時に前記混合膜が加熱されて金属シリサイドよりなる電極層に変成される第3工程と、
を具備することを特徴とする硫化物薄膜デバイスの製造方法。 - 前記金属はニッケルであり、前記電極層はニッケルシリサイドよりなることを特徴とする請求項1に記載の硫化物薄膜デバイスの製造方法。
- 前記電極層が裏面電極を構成し、前記硫化物層を光吸収層とする太陽電池を構成することを特徴とする請求項1又は2に記載の硫化物薄膜デバイスの製造方法。
- 前記第3工程では、硫黄雰囲気下の加熱環境で前記基材層が硫化されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の硫化物薄膜デバイスの製造方法。
- 前記硫化物層が少なくとも銅、亜鉛及び錫を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の硫化物薄膜デバイスの製造方法。
- 前記硫化物層がCu 2 ZnSnS 4 であることを特徴とする請求項5に記載の硫化物薄膜デバイスの製造方法。
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