JP5579304B2 - 太陽電池アセンブリ - Google Patents
太陽電池アセンブリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5579304B2 JP5579304B2 JP2013101165A JP2013101165A JP5579304B2 JP 5579304 B2 JP5579304 B2 JP 5579304B2 JP 2013101165 A JP2013101165 A JP 2013101165A JP 2013101165 A JP2013101165 A JP 2013101165A JP 5579304 B2 JP5579304 B2 JP 5579304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- cell assembly
- light
- resin
- resin body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
下記組成式(1)
LiyM1 (1−y)EuaSmbM2 cM3 2O8 ・・・(1)
(式(1)中、M1はNa,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも1種類、M2はYを含みEu及びSmを除く希土類元素から選ばれる少なくとも1種類、M3はMo及びWから選ばれる少なくとも1種類、aは0.4≦a≦1の数、bは0.8≦b≦1の数、cは0≦c≦0.2の数、dは0≦d≦0.2の数、b+c+d=1である。)、
下記組成式(2)
LizM4 (1−e)EuW2O8 ・・・(2)
(式(2)中、M4はNa,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも1種類、eは0.7≦e<1の数である。)例えばLiEuW2O8、
下記組成式(3)
M5EufM6 (1−f)M7 2O8 ・・・(3)
(式(3)中、M5はLi、Na、K、Rb及びCsから選ばれる少なくとも1種類、M6はYを含む希土類元素(Euを除く)から選ばれる少なくとも1種類、M7はW及びMoから選ばれる少なくとも1種類、fは0<f≦1の数である。)
下記組成式(4)
M8 0.5EugM9 (1−g)M10 2O8 ・・・(4)
(式(4)中、M8はMg、Ca、Sr及びBaから選ばれる少なくとも1種類、M9はYを含む希土類元素(Euを除く)から選ばれる少なくとも1種類、M10はW及びMoから選ばれる少なくとも1種類、gは0<g≦1の数である。)例えばCa0.5EuW2O8、
Y2O2S:Eu、
La2O2S:Eu、
3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mnが挙げられる。
BaMg2Al16O27:Eu、
(Sr,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu
が挙げられる。
BaMg2Al16O27:Eu,Mn、
Zn2GeO4:Mn、
ZnS:Cu,Al、
下記組成式(5)
LiTbhM11 (1−h)W2O8 ・・・(5)
(式(5)中、M11はYを含む希土類元素(Tbを除く)から選ばれる少なくとも1種類、好ましくはY又はDy、hは0.8≦h≦1の数である。)が挙げられる。
CdZnS、
ZnSSeにドナーとアクセプター不純物を添加したII-VI族混晶蛍光剤、
下記組成式(6)
Y3−iGaiAl5O12:Ce ・・・(6)
(式(6)中、iは0≦i≦3の数である)のようなYAG:Ceで例示されるYAG系蛍光剤が挙げられる。
RaSiO(4−a)/2
(式中、Rは非置換又は置換一価炭化水素基で、好ましくは炭素数1〜10、特に1〜8のものである。aは0.8〜2、特に1〜1.8の正数である。)
で示されるものが挙げられる。ここで、Rとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基や、これらの炭素原子に結合した水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されたクロロメチル基、クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基、或いはシアノ基で置換された2−シアノエチル基等のシアノ基置換炭化水素基などが挙げられ、Rは同一であっても異なっていてもよいが、Rとしてフェニル基を含むもの、特に、全Rのうち5〜80モル%がフェニル基であるものが、耐熱性及び透明性の点から好ましい。
紫外線領域では光電エネルギー変換せず、600nm〜700nmの領域の波長の照射により光電エネルギー変換するInGaAs系半導体層からなる球状の半導体素子を、椀型の反射セルの底部に設置し、近紫外領域の波長により赤色光を励起する平均粒径50μmのユーロピウム系蛍光体を12質量%含有したシリコーンゴムキャップを、この球状の半導体素子に被せ、次に、椀型の反射セル部内の空間を、透明シリコーン樹脂で封入して、太陽電池アセンブリを作製した。その光電エネルギー変換効率を測定した。その結果を、表1に示す。
蛍光体を含有したシリコーンゴムキャップを用いなかったこと以外は、実施例1と同様して、太陽電池アセンブリを作製した。その光電エネルギー変換効率を測定した。その結果を、表1に示す。
InGaP系半導体素子からなる光電エネルギー変換する二層の球状の半導体素子を、椀型の反射セルの底部に設置し、平均粒径7μmのYAG蛍光体10質量%含有したシリコーンゴムキャップを、この球状の半導体素子に被せたこと以外は、実施例1と同様にして、太陽電池アセンブリを作製した。この太陽電池アセンブリを用いると、660nm以下の変換効率の高いInGaP系半導体素子が光電変換し易い波長領域に、近紫外領域の光を効率的に変換することができた。
Claims (15)
- 半導体層を積層した光電変換素子へ入射光を反射して集束させる反射凹面の底部又はその上部に夫々、前記光電変換素子が配置され、
前記反射凹面の少なくとも開放面が、光を透過するシリコーン樹脂で形成されている樹脂体で覆われ、前記樹脂体の内に前記光電変換素子が封止されており、
前記シリコーン樹脂が、ジメチルオルガノポリシロキサンをベースポリマーとするもので、液状の付加反応硬化型のシリコーン樹脂原料組成物を熱硬化した付加反応硬化型シリコーン樹脂であって、
前記樹脂体の光入射面が、導光板及び導光フィルムの何れかの導光材と、積層されて一体化されており、
前記導光材が、前記樹脂体上でのみ積層しており、かつ、前記樹脂体の光入射面よりも広いことにより、前記導光材へ入射した光を前記樹脂体へ向け導光するものであり、
前記光電変換素子は、一方の半導体層の表面が他方の半導体層で覆われ、他方の半導体層の欠落部分から一方の半導体層が露出しているものであり、それら一方又は他方の半導体層のうち片方の半導体層が電極に接続し、もう片方の半導体層が電極エレメントに接続しており、
前記反射凹面が電極を兼ねる金属層からなり、前記一方又は他方の半導体層のうち片方の半導体層が前記金属層に接続されつつ前記光電変換素子が配置されていることを特徴とする太陽電池アセンブリ。 - 前記導光材が、それに対応する部位の前記導光材の内部に光散乱剤が含有され、又はそれに対応する前記導光材の面にナノメートルオーダーの凹凸が付されて粗らされていることによって、光散乱を発生させるものであることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記導光材が、前記樹脂体の光入射面と対峙して設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記導光材の材質が、ポリアクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素含有樹脂、又はポリカーボネート樹脂であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記導光材の光が入射しない面及び/又は端面が、めっき又は酸化チタン被膜で覆われていることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記導光材又は前記樹脂体の光入射面が、ポリパラキシリレンの被膜又はフッ素含有樹脂の被膜で被覆されていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記樹脂体に、蛍光材及び/又はりん光材が含有され、又は蛍光材及び/又はりん光材を含有する層が付されていることによって、前記光電変換素子に前記入射光が到達する途中に、その光の一部を波長変換する蛍光材及び/又はりん光材が配置されていることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記光電変換素子が、蛍光材及び/又はりん光材を含有する層で被覆されていることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記光電変換素子が前記反射凹面に接触して載置され前記樹脂体で封止されているものを単位として、かかる単位の構成が、前記樹脂体と前記反射凹面が連続していることにより連結していることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記樹脂体が、光散乱剤を含有していることを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記樹脂体の光入射面が、ナノメートルオーダーの凹凸が付されて粗らされていることを特徴とする請求項1〜10の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記シリコーン樹脂原料組成物が、前記ジメチルオルガノポリシロキサンをベースポリマーとしつつ、オルガノハイドロジェンポリシロキサンと、重金属系触媒、有機金属化合物、及び金属脂肪酸塩から選ばれる触媒とを含むことを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記シリコーン樹脂が、その硬度をJIS K 7215の方法により測定されるショアD硬度で20°〜90°とすることを特徴とする請求項1〜12の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記シリコーン樹脂が、ゲル状又はゴム状の前記付加反応硬化型のシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1〜13の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
- 前記シリコーン樹脂原料組成物が無溶媒であることを特徴とする請求項1〜14の何れかに記載の太陽電池アセンブリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013101165A JP5579304B2 (ja) | 2013-05-13 | 2013-05-13 | 太陽電池アセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013101165A JP5579304B2 (ja) | 2013-05-13 | 2013-05-13 | 太陽電池アセンブリ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008045243A Division JP5301173B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 太陽電池アセンブリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013179339A JP2013179339A (ja) | 2013-09-09 |
JP5579304B2 true JP5579304B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=49270646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013101165A Expired - Fee Related JP5579304B2 (ja) | 2013-05-13 | 2013-05-13 | 太陽電池アセンブリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5579304B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018152395A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 株式会社レニアス | 光電変換素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2417188A1 (fr) * | 1978-02-08 | 1979-09-07 | Commissariat Energie Atomique | Convertisseur photovoltaique d'energie solaire |
JP3347828B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2002-11-20 | 均 加藤 | 風力発電装置 |
JP3490969B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2004-01-26 | 圭弘 浜川 | 光発電装置 |
JP2003218378A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光発電ユニット |
US7387400B2 (en) * | 2003-04-21 | 2008-06-17 | Kyosemi Corporation | Light-emitting device with spherical photoelectric converting element |
JP2005347444A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Canon Inc | 光起電力素子 |
JP4684835B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-05-18 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゴム硬化物の表面タック性を低減する方法、半導体封止用液状シリコーンゴム組成物、シリコーンゴム封止型半導体装置、及び該半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-05-13 JP JP2013101165A patent/JP5579304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013179339A (ja) | 2013-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5301173B2 (ja) | 太陽電池アセンブリ | |
TWI648862B (zh) | 光伏面板及其製作方法 | |
KR970005152B1 (ko) | 밀봉용수지조성물 및 이 밀봉용수지조성물을 피복한 반도체장치 | |
US8242351B2 (en) | Solar cell structure including a plurality of concentrator elements with a notch design and predetermined radii and method | |
CN102051138A (zh) | 太阳电池模块背面保护用黏着片及使用其的太阳电池模块 | |
JP2008311604A (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム | |
TW201120142A (en) | White color reflecting material and process for production thereof | |
TW200824134A (en) | Micro concentrators elastically coupled with spherical photovoltaic cells | |
JP2012033667A (ja) | 光起電装置 | |
US20090188563A1 (en) | Solar Cell Structure Including A Plurality of Concentrator Elements With A Notch Design and Predetermined Radii and Method | |
JP2011049207A (ja) | 複合粒子、樹脂組成物、波長変換層および光起電装置 | |
JP2011204810A (ja) | 波長変換部材および光起電装置 | |
JP5579304B2 (ja) | 太陽電池アセンブリ | |
US9202953B1 (en) | Method for manufacturing solar cell with nano-structural film | |
WO2008122047A1 (en) | Solar cell structure including a plurality of concentrator elements with a notch design and predetermined radii and method | |
JP2012001585A (ja) | 複合粒子、組成物、波長変換層および光起電装置。 | |
JP2012023123A (ja) | 複合粒子、組成物、波長変換層および光起電装置。 | |
JP5227611B2 (ja) | 太陽電池アセンブリ | |
JP2011213744A (ja) | 波長変換部材および光起電装置 | |
JP2012054267A (ja) | 粒子、樹脂組成物、波長変換層および光起電装置 | |
JP2012021036A (ja) | 複合多孔質粒子、組成物、波長変換層および光起電装置。 | |
JP2011116594A (ja) | 複合粒子、樹脂組成物、波長変換層および光起電装置 | |
US8168884B2 (en) | Solar cell structure including a plurality of concentrator elements with a notch design and predetermined radii and method | |
KR20160025061A (ko) | 광 기능성 패턴 구조물의 제조 방법 | |
JP2011238661A (ja) | 複合粒子、組成物、波長変換層および光起電装置。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140430 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5579304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |