JP5575420B2 - Magnetic disk substrate cleaning agent - Google Patents
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Description
本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関するものである。 The present invention relates to a magnetic disk substrate cleaning agent.
磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクルや不純物が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上に更に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている(特許文献−1及び2)。
In the magnetic disk substrate cleaning technology, with the recent increase in recording density of magnetic disks, the minute amount of particles and impurities remaining on the substrate at the time of manufacture greatly affect the performance and yield of the magnetic disk. It has become extremely important. In particular, since the particles to be cleaned are becoming finer and more easily adhere to the interface and remain more than before, it is urgently necessary to establish an advanced cleaning technique.
For this reason, as a method for preventing contamination by these particles, a method for improving particle removability using a surfactant has been proposed (Patent Documents 1 and 2).
しかし、近年、磁気ディスク用基板の内、特にアルミ基板においては、基板表面に非磁性層であるNi−Pメッキを施し、その後アルミナスラリー及び/又はコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程並びにその後必要によりにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面をテクスチャリングする工程があるが、その際にこれらの研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、更に液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。しかし、上記特許文献−1では、研磨剤に対する吸着量が5mg/m2以上、数平均分子量が100,000以上の凝集剤及び界面活性剤を含有し、10vol%水溶液の表面張力が30dyne/cm以下である洗浄剤組成物を用い、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合でも深刻な問題を引き起こす恐れがあることや、具体的な成分配合については記載されていない。また、上記特許文献−2で提案されている方法は、アニオン性界面活性剤を用いることで、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるもののエッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分であるという問題があった。 However, in recent years, among magnetic disk substrates, particularly aluminum substrates, a step of applying a Ni-P plating, which is a nonmagnetic layer, to a surface of the substrate, followed by polishing with alumina slurry and / or colloidal silica and mirror finishing, and thereafter There is a step of texturing the substrate surface using diamond slurry if necessary, but there is a problem that these abrasives and polishing debris adhere firmly to the substrate surface and cannot be removed sufficiently by the cleaning step. . Since particles such as these abrasives and polishing debris are firmly attached to the substrate surface, in order to remove them sufficiently, the substrate surface is slightly etched, and the particles are dispersed in the liquid. Furthermore, it is necessary to prevent particles dispersed in the liquid from reattaching to the substrate surface. However, in the above-mentioned Patent Document-1, the surface tension of a 10 vol% aqueous solution is 30 dyne / cm, which contains an aggregating agent and a surfactant having an adsorption amount to an abrasive of 5 mg / m 2 or more and a number average molecular weight of 100,000 or more. A method for preventing re-adhesion by aggregating and coarsening abrasive fine particles to be cleaned using the following cleaning composition has been proposed, but the coarse particles slightly adhere to the substrate surface. However, there is no possibility that serious problems may be caused, and there is no description about the specific composition of ingredients. Moreover, although the method proposed in the above-mentioned Patent Document-2 can improve the effect of preventing the reattachment of particles to some extent by using an anionic surfactant, there is almost no etching property, so the particle removability is insufficient. There was a problem that the cleaning property was insufficient.
従って、本発明の目的は、磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有すると共に基板表面から脱離したパーティクルの分散性も良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現し、製造時における歩留まり率の向上や短時間での洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。 Therefore, the object of the present invention is to have an appropriate etching property without impairing the flatness of the surface of the magnetic disk substrate and also to have a good dispersibility of particles detached from the substrate surface, realizing an excellent particle removability. Another object of the present invention is to provide a magnetic disk substrate cleaning agent that enables highly efficient high-level cleaning that can improve the yield rate during manufacturing and can be cleaned in a short time.
本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、洗浄剤中に特定のキレート剤を含有させることにより、パーティクル除去性が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。 As a result of intensive investigations to obtain a magnetic disk substrate cleaning agent that solves the above problems, the present inventors have found that by including a specific chelating agent in the cleaning agent, the particle removability is remarkably improved. The invention has been reached.
すなわち本発明は、分子内に少なくとも4個のホスホン酸基を有するキレート剤(A)を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤、該磁気ディスク基板用洗浄剤を含有し、有効成分濃度が0.01〜15重量%である磁気ディスク基板用洗浄液、該洗浄液を用いて磁気ディスク基板を洗浄する磁気ディスク基板の洗浄方法及び該洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。 That is, the present invention includes a magnetic disk substrate cleaning agent comprising a chelating agent (A) having at least four phosphonic acid groups in the molecule, the magnetic disk substrate cleaning agent, and an active ingredient concentration of 0. .01-15 wt% cleaning liquid for magnetic disk substrate, magnetic disk substrate cleaning method for cleaning magnetic disk substrate using the cleaning liquid, and manufacturing of magnetic disk substrate including a step of cleaning the magnetic disk substrate by the cleaning method Is the method.
本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる微細なパーティクルの洗浄性に優れ、基板にダメージを与えることなく短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。 The cleaning agent of the present invention is excellent in the cleaning performance of fine particles which are a problem in the manufacturing process of the magnetic disk, and has an effect that the cleaning can be efficiently performed in a short time without damaging the substrate.
本発明の洗浄剤に用いる分子内に少なくとも4個のホスホン酸基を有するキレート剤(A)としては、分子内に4個のホスホン酸基を有する低分子化合物(A−1){エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、ヘキサメチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、プロピレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、シス−1,2−シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、トランス−1,2−シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)及びグリコールエーテルジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)等};分子内に5個のホスホン酸基を有する低分子化合物(A−2){ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(塩)、3,3’−ジアミノジプロピルアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(塩)、ビス(ヘキサメチレン)トリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(塩)等}; 分子内に6個のホスホン酸基を有する低分子化合物(A−3){トリエチレンテトラミンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)、トリス(2−アミノエチル)アミンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)、トリス(2−アミノプロピル)アミンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)等};分子内に7個以上のホスホン酸基を有する低分子化合物(A−4){テトラエチレンペンタミンヘプタ(メチレンホスホン酸)(塩)、ペンタエチレンヘキサミンオクタ(メチレンホスホン酸)(塩)及びヘキサメチレンテトラミンオクタ(メチレンホスホン酸)(塩)等}等が挙げられる。 As the chelating agent (A) having at least 4 phosphonic acid groups in the molecule used in the cleaning agent of the present invention, a low molecular compound (A-1) {ethylenediaminetetra ( Methylenephosphonic acid) (salt), hexamethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt), propylenediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt), cis-1,2-cyclohexanediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt) , Trans-1,2-cyclohexanediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt) and glycol etherdiaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt), etc.}; low molecular weight compounds having five phosphonic acid groups in the molecule (A -2) {Diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid) (salt), 3,3'-diaminodip Pyramine penta (methylenephosphonic acid) (salt), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid) (salt), etc.}; low molecular weight compound having six phosphonic acid groups in the molecule (A-3) { Triethylenetetramine hexa (methylenephosphonic acid) (salt), tris (2-aminoethyl) amine hexa (methylenephosphonic acid) (salt), tris (2-aminopropyl) amine hexa (methylenephosphonic acid) (salt), etc.}; molecule Low molecular weight compound having 7 or more phosphonic acid groups (A-4) {tetraethylenepentamine hepta (methylenephosphonic acid) (salt), pentaethylenehexamineocta (methylenephosphonic acid) (salt) and hexamethylenetetramine Octa (methylene phosphonic acid) (salt), etc.}.
これらの中で、Ni−Pメッキを施した基板やガラス基板の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し、また、すすぎ時のリンス性に優れるといった観点から、好ましいのは(A−1)、(A−2)及び(A−3)、更に好ましいのはエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、シス−1,2−シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、トランス−1,2−シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(塩)及びトリエチレンテトラミンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)及びジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(塩)である。 Among these, by having an appropriate etching property without impairing the flatness of the Ni-P plated substrate or glass substrate, it exhibits an excellent effect of preventing the reattachment of fine particles, and is also rinsed From the viewpoint of excellent rinsability at the time, (A-1), (A-2) and (A-3) are preferable, and ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt), cis-1, 2-cyclohexanediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt), trans-1,2-cyclohexanediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid) (salt) and triethylenetetraminehexa (methylenephosphone) Acid) (salt), particularly preferred are ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid) (salt) and di A Chi triamine penta (methylene phosphonic acid) (salt).
キレート剤(A)が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記(A)として例示した酸の1級アミン(メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等)塩、2級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等)塩、3級アミン{トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン並びに1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(以下、DABCOと略記)等}塩、アミジン{1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(以下、DBUと略記)及び1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン(以下、DBNと略記)、1H−イミダゾール、2−メチル−1H−イミダゾール、2−エチル−1H−イミダゾール、4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、1,4,5,6−テトラヒドロ−ピリミジン、1,6(4)−ジヒドロピリミジン等}塩、アルカリ金属(ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等)塩、アンモニウム塩及び第4級アンモニウム(テトラアルキルアンモニウム等)塩が挙げられる。 When the chelating agent (A) forms a salt, the salt is not particularly limited. For example, primary amines of acids exemplified as the above (A) (alkylamines such as methylamine, ethylamine and butylamine, mono Ethanolamine and guanidine etc.) salt, secondary amine (dialkylamine such as dimethylamine, diethylamine and dibutylamine and diethanolamine etc.) salt, tertiary amine {trialkylamine such as trimethylamine, triethylamine and tributylamine, triethanolamine, N -Methyldiethanolamine and 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane (hereinafter abbreviated as DABCO) etc.} salt, amidine {1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene (hereinafter DBU) Abbreviation) and 1,5-diazabishi [4.3.0] -5-nonene (hereinafter abbreviated as DBN), 1H-imidazole, 2-methyl-1H-imidazole, 2-ethyl-1H-imidazole, 4,5-dihydro-1H-imidazole, 2-methyl-4,5-dihydro-1H-imidazole, 1,4,5,6-tetrahydro-pyrimidine, 1,6 (4) -dihydropyrimidine etc.} salt, alkali metal (sodium cation and potassium cation etc.) salt , Ammonium salts and quaternary ammonium (tetraalkylammonium etc.) salts.
本発明のキレート剤(A)は単独で用いても、2種以上併用してもよい。また、(A)は、分子内に4個以上のホスホン酸基を有することで、洗浄した後のすすぎ時のリンス性が非常に優れるといった特長も有する。 The chelating agent (A) of the present invention may be used alone or in combination of two or more. Moreover, (A) has the feature that the rinse property at the time of the rinse after washing | cleaning is very excellent by having four or more phosphonic acid groups in a molecule | numerator.
本発明の洗浄剤は、洗浄性の観点から、上記キレート剤(A)の他に、界面活性剤(B)を含有することが好ましい。(B)を含有するとパーティクルの再付着防止性等の洗浄性が更に向上する。 From the viewpoint of detergency, the cleaning agent of the present invention preferably contains a surfactant (B) in addition to the chelating agent (A). When (B) is contained, cleaning properties such as particle re-adhesion prevention properties are further improved.
(B)としては、非イオン性界面活性剤(B−1)、アニオン性界面活性剤(B−2)、カチオン性界面活性剤(B−3)及び両性界面活性剤(B−4)が挙げられる。 (B) includes nonionic surfactant (B-1), anionic surfactant (B-2), cationic surfactant (B-3) and amphoteric surfactant (B-4). Can be mentioned.
非イオン性界面活性剤(B−1)としては、アルキレンオキサイド[エチレンオキサイド、1,2−又は1,3−プロピレンオキサイド及び1,2−、1,3−、2,3−又は1,4−ブチレンオキサイド等:以下AOと略記]付加型非イオン性界面活性剤(B−1a)及び多価アルコール型非イオン界面活性剤(B−1b)等が挙げられる。 Examples of the nonionic surfactant (B-1) include alkylene oxides [ethylene oxide, 1,2- or 1,3-propylene oxide and 1,2-, 1,3-, 2,3- or 1,4. -Butylene oxide and the like: hereinafter abbreviated as AO] addition type nonionic surfactant (B-1a), polyhydric alcohol type nonionic surfactant (B-1b) and the like.
(B−1a)としては、高級アルコール(炭素数8〜18)AO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数1〜30)、アルキル(炭素数1〜12)フェノールAO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数1〜30)、脂肪酸(炭素数8〜18)AO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数1〜30)、脂肪族アミン(炭素数6〜24)のAO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数1〜30)、ポリプロピレングリコール(水酸基価に基づく平均分子量200〜6,000)AO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数1〜500;例えばポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール)、ポリオキシエチレン(活性水素1個当たりの付加モル数1〜30)アルキル(炭素数1〜20)アリルエーテル並びにソルビタンモノラウレートAO付加物(付加モル数1〜30)及びソルビタンモノオレートAO付加物(付加モル数1〜30)等の多価(2〜8価又はそれ以上)アルコール(炭素数2〜30)の脂肪酸(炭素数8〜24)エステルAO付加物(活性水素1個あたりの付加モル数1〜30)等が挙げられる。 (B-1a) includes higher alcohol (8 to 18 carbon atoms) AO adduct (1 to 30 moles added per active hydrogen), alkyl (1 to 12 carbon atoms) phenol AO adduct (active hydrogen) Addition mole number per 1 to 30), fatty acid (carbon number 8 to 18) AO adduct (addition mole number 1 to 30 per active hydrogen), aliphatic amine (carbon number 6 to 24) AO Adduct (number of moles added per active hydrogen 1-30), polypropylene glycol (average molecular weight 200-6,000 based on hydroxyl value) AO adduct (number of moles added per active hydrogen 1-500; Polyoxyethylene polyoxypropylene glycol), polyoxyethylene (1-30 added moles per active hydrogen) alkyl (1-20 carbon atoms) allyl ether and sorbitan mono Fatty acids of polyhydric (2 to 8 or more) alcohols (2 to 30 carbon atoms) such as urate AO adduct (addition mole number 1 to 30) and sorbitan monooleate AO adduct (addition mole number 1 to 30) (C8-C24) ester AO adduct (addition mole number per active hydrogen 1-30) etc. are mentioned.
(B−1b)としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート及びソルビタンモノオレート等の多価(2〜8価又はそれ以上)アルコール(炭素数2〜30)の脂肪酸(炭素数8〜24)エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。 As (B-1b), fatty acid (carbon) of polyvalent (2 to 8 or more) alcohols (2 to 30 or more carbon atoms) such as glycerol monostearate, glycerol monooleate, sorbitan monolaurate and sorbitan monooleate 8-24) Esters and fatty acid alkanolamides such as lauric acid monoethanolamide and lauric acid diethanolamide.
(B−1)の内、洗浄性の観点から、好ましいのは(B−1a)であり、更に好ましいのは高級アルコール(炭素数10〜16)AO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数2〜20)、アルキル(炭素数1〜12)フェノールAO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数2〜20)、脂肪族アミン(炭素数8〜18)のAO付加物(活性水素1個当たりの付加モル数2〜20)及びポリプロピレングリコール(水酸基価に基づく平均分子量200〜6,000)エチレンオキサイド付加物(活性水素1個当たりの付加モル数1〜500)である。 Of (B-1), from the viewpoint of detergency, (B-1a) is preferred, and more preferred is a higher alcohol (10 to 16 carbon atoms) AO adduct (added mole per active hydrogen). 2-20), alkyl (carbon number 1-12) phenol AO adduct (2-20 added moles per active hydrogen), aliphatic amine (carbon number 8-18) AO adduct (active hydrogen) The number of moles added per unit is 2 to 20) and the polypropylene glycol (average molecular weight based on hydroxyl value 200 to 6,000) ethylene oxide adduct (the number of added moles per active hydrogen 1 to 500).
アニオン性界面活性剤(B−2)としては、高分子型アニオン性界面活性剤(B−2a)及び低分子型アニオン性界面活性剤(B−2b)が挙げられる。 Examples of the anionic surfactant (B-2) include a high molecular weight anionic surfactant (B-2a) and a low molecular weight anionic surfactant (B-2b).
高分子型アニオン性界面活性剤(B−2a)としては、スルホン酸(塩)基、硫酸エステル(塩)基、ホスホン酸(塩)基、リン酸エステル(塩)基及びカルボン酸(塩)基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基と、メチレン基以外の1種又は2種以上の繰り返し単位を分子内に2個以上有し、重量平均分子量(以下、Mwと略記)が300〜800,000であるか又は縮合度が2以上であるアニオン性界面活性剤が挙げられる。
本発明におけるMwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、GPCと略記)によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として40℃で測定される。例えば、装置本体:HLC−8120(東ソー株式会社製)、カラム:東ソー株式会社製TSKgel α6000、G3000 PWXL、検出器:装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液:0.5%酢酸ソーダ・水/メタノール(体積比70/30)、溶離液流量:1.0ml/分、カラム温度:40℃、試料:0.25%の溶離液溶液、注入量:200μl、標準物質:東ソー(株)製TSK TANDARD POLYETHYLENE OXIDE、データ処理ソフト:GPC−8020modelII(東ソー株式会社製)等の機器及び条件で測定される。
上記及び以下において、特に規定しない限り、%は重量%を表す。
(B−2a)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Polymeric anionic surfactant (B-2a) includes sulfonic acid (salt) group, sulfate ester (salt) group, phosphonic acid (salt) group, phosphate ester (salt) group and carboxylic acid (salt) Having at least one group selected from the group consisting of groups and one or more repeating units other than methylene groups in the molecule, and a weight average molecular weight (hereinafter abbreviated as Mw) of 300- Examples include an anionic surfactant having 800,000 or a degree of condensation of 2 or more.
Mw in the present invention is measured at 40 ° C. using polyethylene oxide as a reference substance by gel permeation chromatography (hereinafter abbreviated as GPC). For example, apparatus body: HLC-8120 (manufactured by Tosoh Corporation), column: TSKgel α6000, G3000 PWXL, manufactured by Tosoh Corporation, detector: differential refractometer detector built in the apparatus body, eluent: 0.5% sodium acetate Water / methanol (volume ratio 70/30), eluent flow rate: 1.0 ml / min, column temperature: 40 ° C., sample: 0.25% eluent solution, injection volume: 200 μl, standard substance: Tosoh Corporation It is measured with equipment and conditions such as TSK TANDARD POLYETHYLENE OXIDE, data processing software: GPC-8020 model II (manufactured by Tosoh Corporation).
In the above and the following, unless otherwise specified,% represents% by weight.
Specific examples of (B-2a) include the following.
(B−2a−1)スルホン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリスチレンスルホン酸、スチレン/スチレンスルホン酸共重合体、ポリ{2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸}、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/スチレン共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/アクリルアミド共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/(メタ)アクリル酸共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/(メタ)アクリル酸/アクリルアミド共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/スチレン/アクリルアミド共重合体及び2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/スチレン/(メタ)アクリル酸共重合体等の重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物並びにこれらの塩等;
(B-2a-1) a polymeric anionic surfactant having a sulfonic acid (salt) group:
Polystyrene sulfonic acid, styrene / styrene sulfonic acid copolymer, poly {2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethylethanesulfonic acid}, 2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethylethanesulfonic acid / Styrene copolymer, 2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethylethanesulfonic acid / acrylamide copolymer, 2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethylethanesulfonic acid / (meth) acrylic acid co Polymer, 2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethylethanesulfonic acid / (meth) acrylic acid / acrylamide copolymer, 2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethylethanesulfonic acid / styrene / Acrylamide copolymer and 2- (meth) acryloylamino-2,2-dimethyl ester Polymers such as ethylene sulfonic acid / styrene / (meth) acrylic acid copolymer, naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, methyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, dimethyl naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, anthracene sulfonic acid formaldehyde condensate, melamine sulfone Acid formaldehyde condensates and condensates such as aniline sulfonic acid-phenol-formaldehyde condensates and salts thereof;
(B−2a−2)硫酸エステル(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート硫酸エステル}、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}の硫酸エステル化物、ポリ{(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル}及び(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル/アクリル酸共重合体等の重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等;
(B-2a-2) Polymeric anionic surfactant having a sulfate (salt) group:
Poly {2-hydroxyethyl (meth) acrylate sulfate}, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / 2-hydroxyethyl (meth) acrylate sulfate copolymer, sulfuric acid of poly {2-hydroxyethyl (meth) acrylate} Esterified products, polymers such as poly {(meth) acryloyloxypolyoxyalkylene sulfate} and (meth) acryloyloxypolyoxyalkylene sulfate / acrylic acid copolymers, cellulose such as cellulose, methylcellulose or ethylcellulose sulfate esterified products Derivatives and salts thereof;
(B−2a−3)ホスホン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ{(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸}及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体等の重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物並びにこれらの塩等;
(B-2a-3) Polymeric anionic surfactant having a phosphonic acid (salt) group:
Polymers such as poly {(meth) acryloyloxyethylphosphonic acid} and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / (meth) acryloyloxyethylphosphonic acid copolymer, naphthalenephosphonic acid formaldehyde condensate, methylnaphthalenephosphonic acid formaldehyde condensation , Dimethyl naphthalene phosphonic acid formaldehyde condensate and anthracene phosphonic acid formaldehyde condensate, condensates such as aniline phosphonic acid-phenol-formaldehyde condensate, and salts thereof;
(B−2a−4)リン酸エステル(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートリン酸エステル}、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}のリン酸エステル化物、ポリ{(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル}及び(メタ)アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル/アクリル酸共重合体等の重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等;
(B-2a-4) Polymeric anionic surfactant having a phosphate ester (salt) group:
Poly {2-hydroxyethyl (meth) acrylate phosphate}, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / 2-hydroxyethyl (meth) acrylate phosphate copolymer, poly {2-hydroxyethyl (meth) acrylate} Phosphoric acid ester, poly {(meth) acryloyloxypolyoxyalkylene phosphoric acid ester} and (meth) acryloyloxy polyoxyalkylene phosphoric acid ester / acrylic acid copolymer, cellulose, methyl cellulose or ethyl cellulose phosphorus Cellulose derivatives such as acid esterified products and salts thereof;
(B−2a−5)カルボン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸−マレイン酸共重合体、(メタ)アクリル酸−イタコン酸共重合体、(メタ)アクリル酸−フマル酸共重合体、(メタ)アクリル酸/酢酸ビニル共重合体及び2−ヒドロキシエチルメタクリレート/(メタ)アクリル酸共重合体及びポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}のカルボキシメチル化物等の重合体、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の縮合物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース及びカルボキシメチルエチルセルロース等のセルロース誘導体並びにこれらの塩等;が挙げられる。
(B-2a-5) Polymeric anionic surfactant having a carboxylic acid (salt) group:
Poly (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid-maleic acid copolymer, (meth) acrylic acid-itaconic acid copolymer, (meth) acrylic acid-fumaric acid copolymer, (meth) acrylic acid / acetic acid Polymers such as vinyl copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / (meth) acrylic acid copolymer and poly {2-hydroxyethyl (meth) acrylate} carboxymethylated product, benzoic acid formaldehyde condensate and benzoic acid-phenol -Condensates such as formaldehyde condensates, cellulose derivatives such as carboxymethylcellulose, carboxymethylmethylcellulose and carboxymethylethylcellulose, and salts thereof.
(B−2a)が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記キレート剤(A)の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは1級アミン塩、2級アミン塩、3級アミン塩、アミジン塩、アンモニウム塩及び第4級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは3級アミン塩、アミジン塩及び第4級アンモニウム塩である。 Although there is no limitation in particular as a salt in case (B-2a) forms a salt, For example, the salt which has the same counter cation as what was illustrated as a salt of the said chelating agent (A) is mentioned. Among these salts, primary amine salts, secondary amine salts, tertiary amine salts, amidine salts, ammonium salts, and quaternary ammonium salts are particularly preferable from the viewpoint of preventing metal contamination of the substrate. Preference is given to tertiary amine salts, amidine salts and quaternary ammonium salts.
(B−2a)が重合体又はセルロース誘導体の場合、そのMwは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常300〜800,000、好ましくは600〜400,000、更に好ましくは1,000〜80,000、特に好ましくは2,000〜40,000である。
また、(B−2a)が縮合物の場合、その縮合度は、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常2〜200、更に好ましくは3〜100、特に好ましくは3〜50である。
When (B-2a) is a polymer or a cellulose derivative, the Mw is usually 300 to 800,000, preferably 600 to 400,000, more preferably from the viewpoint of preventing reattachment of particles and low foaming properties. Is 1,000 to 80,000, particularly preferably 2,000 to 40,000.
In the case where (B-2a) is a condensate, the degree of condensation is usually 2 to 200, more preferably 3 to 100, particularly preferably 3 to 3 from the viewpoint of preventing reattachment of particles and low foaming properties. 50.
低分子型アニオン性界面活性剤(B−2b)としては、分子内にメチレン基以外の繰り返し単位を有しないスルホン酸系界面活性剤(B−2b−1)、硫酸エステル系界面活性剤(B−2b−2)、脂肪酸系界面活性剤(B−2b−3)及びリン酸エステル系界面活性剤(B−2b−4)等が挙げられる。 Examples of the low molecular weight anionic surfactant (B-2b) include a sulfonic acid surfactant (B-2b-1) having no repeating unit other than a methylene group in the molecule, and a sulfate ester surfactant (B -2b-2), fatty acid surfactants (B-2b-3), phosphate ester surfactants (B-2b-4), and the like.
スルホン酸系界面活性剤(B−2b−1)としては、炭素数6〜24のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル(塩)、炭素数8〜24のα−オレフィンのスルホン酸化物(塩)、炭素数8〜14のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸(塩)及び石油スルホネート(塩)等が挙げられる。 Examples of the sulfonic acid surfactant (B-2b-1) include sulfosuccinic acid mono- or diesters (salts) of alcohols having 6 to 24 carbon atoms, sulfonic oxides (salts) of α-olefins having 8 to 24 carbon atoms, Examples thereof include alkylbenzene sulfonic acid (salt) and petroleum sulfonate (salt) having an alkyl group having 8 to 14 carbon atoms.
硫酸エステル系界面活性剤(B−2b−2)としては、炭素数8〜18の脂肪族アルコールの硫酸エステル(塩)、炭素数8〜18の脂肪族アルコールのAO1〜10モル付加物の硫酸エステル(塩)、硫酸化油(塩)、硫酸化脂肪酸エステル(塩)及び硫酸化オレフィン(塩)等が挙げられる。 As the sulfate ester surfactant (B-2b-2), sulfuric acid ester (salt) of an aliphatic alcohol having 8 to 18 carbon atoms, sulfuric acid of an AO 1 to 10 mol adduct of an aliphatic alcohol having 8 to 18 carbon atoms Examples include esters (salts), sulfated oils (salts), sulfated fatty acid esters (salts), and sulfated olefins (salts).
脂肪酸系界面活性剤(B−2b−3)としては、炭素数8〜18の脂肪酸(塩)及び炭素数8〜18の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸(塩)等が挙げられる。 Examples of the fatty acid surfactant (B-2b-3) include fatty acid (salt) having 8 to 18 carbon atoms and ether carboxylic acid (salt) of an aliphatic alcohol having 8 to 18 carbon atoms.
リン酸エステル系界面活性剤(B−2b−4)としては、炭素数8〜24の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル(塩)及び炭素数8〜24の高級アルコールのAO付加物の燐酸モノ又はジエステル(塩)等が挙げられる。 Examples of the phosphate ester surfactant (B-2b-4) include phosphoric acid mono- or diesters (salts) of higher alcohols having 8 to 24 carbon atoms and phosphoric acid mono- or diesters of higher alcohols having 8 to 24 carbon atoms. Diester (salt) etc. are mentioned.
(B−2b−1)、(B−2b−2)、(B−2b−3)及び(B−2b−4)が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記キレート剤(A)の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。 The salt when (B-2b-1), (B-2b-2), (B-2b-3) and (B-2b-4) form a salt is not particularly limited. The salt which has the counter cation similar to what was illustrated as a salt of the said chelating agent (A) is mentioned.
アニオン性界面活性剤(B−2)の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤(B−2a)であり、高分子型アニオン性界面活性剤(B−2a)を使用する場合は、更に必要により低分子型スルホン酸系界面活性剤(B−2b−1)、硫酸エステル系界面活性剤(B−2b−2)及び脂肪酸系界面活性剤(B−2b−3)から選ばれる1種以上を併用してもよい。 Among the anionic surfactants (B-2), the polymer type anionic surfactant (B-2a) is preferable from the viewpoint of the anti-redeposition property, and the polymer type anionic surfactant (B-) is preferable. When 2a) is used, a low molecular weight sulfonic acid surfactant (B-2b-1), a sulfate ester surfactant (B-2b-2), and a fatty acid surfactant (B-) are further used as necessary. One or more selected from 2b-3) may be used in combination.
カチオン性界面活性剤(B−3)としては、4級アンモニウム塩型の界面活性剤(B−3a){例えば、アルキル(炭素数1〜30)トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル(炭素数1〜30)ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第4級アンモニウム塩、ポリ(付加モル数2〜15)オキシアルキレン(炭素数2〜4)鎖含有第4級アンモニウム塩及びアルキル(炭素数1〜30)アミドアルキル(炭素数1〜10)ジアルキル(炭素数1〜4)メチルアンモニウム塩}及びアミン系界面活性剤(B−3b){例えば、炭素数3〜90の脂肪族3級アミン、炭素数3〜90の脂環式(含窒素ヘテロ環を含む)3級アミン及び炭素数3〜90のヒドロキシアルキル基含有3級アミンの無機酸塩又は有機酸塩}等が挙げられる。 As the cationic surfactant (B-3), a quaternary ammonium salt type surfactant (B-3a) {for example, alkyl (C1-30) trimethylammonium salt, dialkyl (C1-30) Dimethylammonium salt, nitrogen ring-containing quaternary ammonium salt, poly (addition mole number 2 to 15) oxyalkylene (carbon number 2 to 4) chain-containing quaternary ammonium salt and alkyl (carbon number 1 to 30) amidoalkyl ( C1-C10) dialkyl (C1-C4) methylammonium salt} and amine-based surfactant (B-3b) {for example, an aliphatic tertiary amine having 3 to 90 carbon atoms, 3 to 90 carbon atoms Inorganic acid salts or organic acid salts of alicyclic (including nitrogen-containing heterocycles) tertiary amines and C3-90 hydroxyalkyl group-containing tertiary amines.
両性界面活性剤(B−4)としては、ベタイン型両性界面活性剤(B−4a){例えば、アルキル(炭素数1〜30)ジメチルベタイン、アルキル(炭素数1〜30)アミドアルキル(炭素数1〜4)ジメチルベタイン、アルキル(炭素数1〜30)ジヒドロキシアルキル(炭素数1〜30)ベタイン及びスルフォベタイン型}、アミノ酸型両性界面活性剤(B−4b){例えば、アラニン型[アルキル(炭素数1〜30)アミノプロピオン酸型及びアルキル(炭素数1〜30)イミノジプロピオン酸型]及びグリシン型[アルキル(炭素数1〜30)アミノ酢酸型等]}及びアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤(B−4c){例えば、アルキル(炭素数1〜30)タウリン型両性界面活性剤}等が挙げられる。 As the amphoteric surfactant (B-4), a betaine-type amphoteric surfactant (B-4a) {for example, alkyl (C1-30) dimethylbetaine, alkyl (C1-30) amide alkyl (carbon number) 1-4) Dimethylbetaine, alkyl (C1-30) dihydroxyalkyl (C1-30) betaine and sulfobetaine type}, amino acid type amphoteric surfactant (B-4b) {eg, alanine type [alkyl (C1-30) Aminopropionic acid type and alkyl (C1-30) iminodipropionic acid type] and glycine type [alkyl (C1-30) aminoacetic acid type]} and aminosulfonate type Amphoteric surfactant (B-4c) {for example, alkyl (C1-30) taurine type amphoteric surfactant} and the like.
界面活性剤(B)の内、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、非イオン性界面活性剤(B−1)、アニオン性界面活性剤(B−2)及び(B−1)と(B−2)の併用であり、更に好ましいのは(B−2)である。併用の場合の(B−1)と(B−2)の重量比率{(B−1)/(B−2)}は、洗浄性及び起泡性の観点から好ましくは、5以下、更に好ましくは0.001〜2、特に好ましくは0.01〜1.5である。 Among the surfactants (B), nonionic surfactants (B-1), anionic surfactants (B-2) and (B-1) are preferable from the viewpoint of preventing reattachment of particles. (B-2) is used in combination, and (B-2) is more preferred. In the case of combined use, the weight ratio {(B-1) / (B-2)} of (B-1) and (B-2) is preferably 5 or less, more preferably from the viewpoint of detergency and foamability. Is 0.001-2, particularly preferably 0.01-1.5.
本発明の洗浄剤は、更に、アルカリ成分(C)を含有してもよい。
アルカリ成分(C)を含有することにより、パーティクルに対する洗浄性が更に向上する。
(C)としては、一般式(2)で表される第4級アンモニウム塩(C−1)、アンモニア(C−2)、炭素数1〜12の脂肪族アミン(C−3)、無機アルカリ(C−4)及びこれらの混合物が挙げられる。
The cleaning agent of the present invention may further contain an alkali component (C).
By containing the alkali component (C), the cleaning properties for particles are further improved.
(C) includes a quaternary ammonium salt (C-1) represented by the general formula (2), ammonia (C-2), an aliphatic amine having 1 to 12 carbon atoms (C-3), an inorganic alkali (C-4) and mixtures thereof are mentioned.
式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して炭素数1〜24のアルキル基又は−(R5O)r−Hで表される基であり、R5は炭素数2〜4のアルキレン基、rは1〜6の整数を表す。
炭素数1〜24のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシル及びテトラコシル基等が挙げられる。
炭素数2〜4のアルキレン基としては、エチレン、1,2−又は1,3−プロピレン及び1,2−、1,3−、2,3−又は1,4−ブチレン等が挙げられる。rは、すすぎ時のリンス性の観点から、1〜3が好ましい。
In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms or a group represented by — (R 5 O) r—H, and R 5 is carbon. The alkylene group of number 2-4, r represents the integer of 1-6.
Examples of the alkyl group having 1 to 24 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl, eicosyl , Hexosyl, docosyl, tricosyl, and tetracosyl groups.
Examples of the alkylene group having 2 to 4 carbon atoms include ethylene, 1,2- or 1,3-propylene and 1,2-, 1,3-, 2,3- or 1,4-butylene. From the viewpoint of rinsing properties during rinsing, r is preferably 1 to 3.
(C−1)の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムハイドロキサイド及びトリヒドロキシエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられる。 Specific examples of (C-1) include tetramethylammonium hydroxide, ethyltrimethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, triethylmethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide. Side, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, triethylhydroxyethylammonium hydroxide, dihydroxyethyldimethylammonium hydroxide, trihydroxyethylmethylammonium hydroxide, etc. Can be mentioned.
炭素数1〜12の脂肪族アミン(C−3)としては、炭素数1〜6のアルキルアミン、炭素数2〜6のアルカノールアミン、炭素数2〜5のアルキレンジアミン、環状アミン、アミジン化合物及びポリ(n=2〜6)アルキレン(炭素数2〜7)ポリ(n=3〜6)アミン等が挙げられる。 Examples of the aliphatic amine having 1 to 12 carbon atoms (C-3) include an alkylamine having 1 to 6 carbon atoms, an alkanolamine having 2 to 6 carbon atoms, an alkylenediamine having 2 to 5 carbon atoms, a cyclic amine, an amidine compound, and Examples thereof include poly (n = 2 to 6) alkylene (carbon number 2 to 7) poly (n = 3 to 6) amine.
炭素数1〜6のアルキルアミンとしては、炭素数1〜6のモノアルキルアミン{メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等}及び炭素数2〜6のジアルキルアミン{ジメチルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、エチルプロピルアミン及びジイソプロピルアミン等}が挙げられる。 Examples of the alkylamine having 1 to 6 carbon atoms include monoalkylamines having 1 to 6 carbon atoms {methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, hexylamine, etc.} and dialkylamines having 2 to 6 carbon atoms {dimethylamine , Ethylmethylamine, methylpropylamine, butylmethylamine, diethylamine, ethylpropylamine, diisopropylamine, etc.}.
炭素数2〜6のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、N−メチル−ジエタノールアミン、モノ−n−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−n−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−n−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール、N−(アミノエチル)エタノールアミン、N,N−ジメチル−2−アミノエタノール及び2−(2−アミノエトキシ)エタノール等が挙げられる。 Examples of the alkanolamine having 2 to 6 carbon atoms include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, diethylaminoethanol, N-methyl-diethanolamine, mono-n-propanolamine, monoisopropanolamine, and di-n-propanol. Amine, diisopropanolamine, tri-n-propanolamine, triisopropanolamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol, N- (aminoethyl) ethanolamine, N, N-dimethyl-2-aminoethanol and 2 -(2-aminoethoxy) ethanol and the like.
炭素数2〜5のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。 Examples of the alkylene diamine having 2 to 5 carbon atoms include ethylene diamine, propylene diamine, propylene diamine, tetramethylene diamine and hexamethylene diamine.
環状アミンとしては、ピペリジン、ピペラジン及びDABCO等が挙げられる。
アミジン化合物としては、DBU、及びDBN等が挙げられる。
ポリ(n=2〜6)アルキレンポリ(n=3〜7)アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン及びビス(ヘキサメチレン)トリアミン等が挙げらる。
Examples of the cyclic amine include piperidine, piperazine and DABCO.
Examples of amidine compounds include DBU and DBN.
Poly (n = 2-6) alkylene poly (n = 3-7) amines include diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, hexamethyleneheptamine, iminobispropylamine and bis (hexamethylene). ) Triamine and the like.
無機アルカリ(C−4)としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。 Examples of the inorganic alkali (C-4) include lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide.
(C)の内、洗浄性の観点から、第4級アンモニウム塩(C−1)、炭素数1〜12の脂肪族アミン(C−3)及びこれらの併用が好ましく、更に好ましいのはテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノ−n−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチル−ジエタノールアミン、DBU、DBN及びこれらの併用である。 Among (C), from the viewpoint of detergency, a quaternary ammonium salt (C-1), an aliphatic amine having 1 to 12 carbon atoms (C-3) and a combination thereof are preferable, and tetramethyl is more preferable. Ammonium hydroxide, ethyltrimethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, triethylmethylammonium hydroxide, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, mono-n-propanolamine, monoisopropanolamine, N-methyl- Diethanolamine, DBU, DBN and combinations thereof.
本発明の洗浄剤は、更に、親水性溶剤(D)を含有してもよい。親水性溶剤(D)としては、20℃における水に対する溶解度[(D)/100gH2O]が3以上、好ましくは10以上の有機溶剤が挙げられる。
(D)としては、例えば、スルホキシド(ジメチルスルホキシド等);スルホン{ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチル)スルホン、スルホラン、3−メチルスルホラン及び2,4−ジメチルスルホラン等};アミド{N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド及びN,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルプロピオンアミド等};ラクタム{N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン及びN−ヒドロキシメチル−2−ピロリドン等};ラクトン{β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン及びδ−バレロラクトン等};アルコール{メタノ−ル、エタノ−ル及びイソプロパノ−ル等};グリコール及びグリコールエーテル{エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1,3−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールジエチルエーテル等};オキサゾリジノン(N−メチル−2−オキサゾリジノン及び3,5−ジメチル−2−オキサゾリジノン等);ニトリル(アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル及びメタクリルニトリル等);カーボネート(エチレンカーボネート及びプロピオンカーボネート等);ケトン(アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン及びジアセトンアルコール等);環状エーテル(テトラヒドロフラン及びテトラヒドロピラン等)等が挙げられる。(D)は単独で使用しても、2種以上併用してもよい。
The cleaning agent of the present invention may further contain a hydrophilic solvent (D). Examples of the hydrophilic solvent (D) include organic solvents having a solubility [(D) / 100 gH 2 O] in water at 20 ° C. of 3 or more, preferably 10 or more.
Examples of (D) include sulfoxide (dimethylsulfoxide and the like); sulfone {dimethylsulfone, diethylsulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, sulfolane, 3-methylsulfolane and 2,4-dimethylsulfolane, etc.}; amide { N, N-dimethylformamide, N-methylformamide and N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylpropionamide and the like}; lactam {N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone and N-hydroxy Methyl-2-pyrrolidone, etc .; Lactone {β-propiolactone, β-butyrolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, etc.}; Alcohol {methanol, ethanol, isopropanol, etc. }; Glycols and glycol ethers { Ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene Glycol monomethyl ether, 1,3-butylene glycol, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diethyl ether, etc.}; oxazolidinone (N-methyl-2-oxazolidinone) Nitrile (acetonitrile, propionitrile, butyronitrile, acrylonitrile, methacrylonitrile, etc.); carbonate (ethylene carbonate, propion carbonate, etc.); ketone (acetone, diethyl ketone, acetophenone, methyl ethyl ketone) , Cyclohexanone, cyclopentanone, diacetone alcohol, etc.); cyclic ethers (tetrahydrofuran, tetrahydropyran, etc.) and the like. (D) may be used alone or in combination of two or more.
(D)の内で、洗浄性の観点等から、グリコール及びグリコールエーテルが好ましく、更に好ましいのは、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル及びジエチレングリコールモノブチルエーテルである。
親水性溶剤(D)と界面活性剤(B)を併用する場合、(D)と(B)の重量比率{(D)/(B)}は、すすぎ時のリンス性の観点から、好ましくは、0.1〜10、更に好ましくは、0.3〜5、特に好ましくは、0.5〜3である。
Among (D), glycol and glycol ether are preferable from the viewpoint of detergency, and ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether are more preferable.
When the hydrophilic solvent (D) and the surfactant (B) are used in combination, the weight ratio {(D) / (B)} of (D) and (B) is preferably from the viewpoint of rinsing properties during rinsing. 0.1 to 10, more preferably 0.3 to 5, particularly preferably 0.5 to 3.
本発明の洗浄剤は、更に水を含有しても良い。本発明の洗浄剤に用いる水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水及び超純水などが挙げられ、特にイオン交換水(電気伝導率0.2μS/cm以下)又は超純水(比抵抗値18MΩ・cm以上)が好ましい。 The cleaning agent of the present invention may further contain water. Examples of water used in the cleaning agent of the present invention include tap water, industrial water, ground water, distilled water, ion exchange water, and ultrapure water, and in particular, ion exchange water (electric conductivity 0.2 μS / cm or less) or Ultrapure water (specific resistance value of 18 MΩ · cm or more) is preferable.
本発明の洗浄剤は、本発明の洗浄剤の効果を損なわない範囲において、更に以下の(A)以外のキレート剤(E)、還元剤(F)、分散剤(G)、3価以上の多価アルコール(H)及びその他の添加剤(I)からなる群から選ばれる1種以上の成分を含有もしてもよい。これらの内、洗浄性の観点から好ましいのは(E)、(F)及び(H)からなる群から選ばれる1種以上である。 The cleaning agent of the present invention is a chelating agent (E) other than the following (A), a reducing agent (F), a dispersing agent (G), and a trivalent or higher valence, as long as the effects of the cleaning agent of the present invention are not impaired. You may contain 1 or more types of components chosen from the group which consists of a polyhydric alcohol (H) and another additive (I). Among these, one or more selected from the group consisting of (E), (F) and (H) is preferable from the viewpoint of detergency.
(A)以外のキレート剤(E)としては、アミノポリカルボン酸(塩)(E−1){例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)(塩)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTHA)(塩)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA)(塩)、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸(DHEDDA)(塩)、ニトリロ三酢酸(NTA)(塩)、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸(HIDA)(塩)、β−アラニンジ酢酸(塩)、アスパラギン酸ジ酢酸(塩)、メチルグリシンジ酢酸(塩)、イミノジコハク酸(塩)、セリンジ酢酸(塩)、ヒドロキシイミノジコハク酸(塩)、ジヒドロキシエチルグリシン(塩)、アスパラギン酸(塩)及びグルタミン酸(塩)};
ヒドロキシカルボン酸(塩)(E−2){例えば、ヒドロキシ酢酸(塩)、酒石酸(塩)、クエン酸(塩)及びグルコン酸(塩)};
シクロカルボン酸(塩)(E−3){例えば、ピロメリット酸(塩)、ベンゾポリカルボン酸(塩)及びシクロペンタンテトラカルボン酸(塩)};
エーテルカルボン酸(塩)(E−4)(例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート);
その他のカルボン酸(塩)(E−5){例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸(塩)};
縮合リン酸(塩)(E−6){例えば、メタリン酸(塩)、トリポリリン酸(塩)及びヘキサメタリン酸(塩)};等が挙げられる。
尚、これらの塩としては、上述のキレート剤(A)で例示したものが挙げられる。またこれらは1種又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらの内で、洗浄性能の観点から好ましいのは、(E−1)、(E−2)及び(E−6)であり、更に好ましいのは(E−1)及び(E−6)、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)(塩)、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸(DHEDDA)(塩)、アスパラギン酸ジ酢酸(塩)、アスパラギン酸(塩)、グルタミン酸(塩)、メタリン酸(塩)及びヘキサメタリン酸(塩)、最も好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)(塩)及びヘキサメタリン酸(塩)である。
As the chelating agent (E) other than (A), aminopolycarboxylic acid (salt) (E-1) {for example, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) (salt), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA) (salt), triethylene Tetramine hexaacetic acid (TTHA) (salt), hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA) (salt), dihydroxyethylethylenediaminetetraacetic acid (DHEDDA) (salt), nitrilotriacetic acid (NTA) (salt), hydroxyethyliminodiacetic acid (salt) HIDA) (salt), β-alanine diacetate (salt), aspartate diacetate (salt), methylglycine diacetate (salt), iminodisuccinate (salt), serine diacetate (salt), hydroxyiminodisuccinate (salt) , Dihydroxyethylglycine (salt), aspartic acid (salt) and glutamic acid Salt)};
Hydroxycarboxylic acid (salt) (E-2) {eg, hydroxyacetic acid (salt), tartaric acid (salt), citric acid (salt) and gluconic acid (salt)};
Cyclocarboxylic acid (salt) (E-3) {eg, pyromellitic acid (salt), benzopolycarboxylic acid (salt) and cyclopentanetetracarboxylic acid (salt)};
Ether carboxylic acids (salts) (E-4) (eg, carboxymethyl tartronate, carboxymethyloxysuccinate, oxydisuccinate, tartaric acid monosuccinate and tartaric acid disuccinate);
Other carboxylic acids (salts) (E-5) {eg maleic acid derivatives and oxalic acid (salts)};
Condensed phosphoric acid (salt) (E-6) {for example, metaphosphoric acid (salt), tripolyphosphoric acid (salt) and hexametaphosphoric acid (salt)};
In addition, as these salts, what was illustrated by the above-mentioned chelating agent (A) is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
Of these, (E-1), (E-2) and (E-6) are preferable from the viewpoint of cleaning performance, and (E-1) and (E-6) are more preferable. Particularly preferred are ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) (salt), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA) (salt), dihydroxyethylethylenediaminetetraacetic acid (DHEDDA) (salt), aspartic acid diacetic acid (salt), aspartic acid (salt), Glutamic acid (salt), metaphosphoric acid (salt) and hexametaphosphoric acid (salt), most preferred are ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) (salt), diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA) (salt) and hexametaphosphoric acid (salt).
還元剤(F)としては、有機還元剤(F−1)及び無機還元剤(F−2)が挙げられる。有機還元剤(F−1)としては、脂肪族有機還元剤(F−1a)、芳香族有機還元剤(F−1b)、その他の有機還元剤(F−1c)が挙げられる。 Examples of the reducing agent (F) include an organic reducing agent (F-1) and an inorganic reducing agent (F-2). Examples of the organic reducing agent (F-1) include an aliphatic organic reducing agent (F-1a), an aromatic organic reducing agent (F-1b), and other organic reducing agents (F-1c).
脂肪族有機還元剤(F−1a)としては、炭素数6〜9のアスコルビン酸(塩)[L−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、5,6−アルキリデン−L−アスコルビン酸{5,6−イソプロピリデン−L−アスコルビン酸、5,6−(ブタン−2−イリデン)−L−アスコルビン酸及び5,6−(ペンタン−3−イリデン)−L−アスコルビン酸等}、L−アスコルビン酸−6−カルボン酸エステル{L−アスコルビン酸−6−酢酸エステル及びL−アスコルビン酸−6−プロパン酸エステル等}、アスコルビン酸硫酸エステル、アスコルビン酸リン酸エステル、アスコルビン酸グルコシド、アスコルビン酸イソパルミネート及びこれらの塩等]が挙げられる。 As the aliphatic organic reducing agent (F-1a), ascorbic acid (salt) having 6 to 9 carbon atoms [L-ascorbic acid, isoascorbic acid, 5,6-alkylidene-L-ascorbic acid {5,6-isopropylidene Liden-L-ascorbic acid, 5,6- (butane-2-ylidene) -L-ascorbic acid and 5,6- (pentane-3-ylidene) -L-ascorbic acid, etc.}, L-ascorbic acid-6 Carboxylic acid esters {L-ascorbic acid-6-acetic acid ester and L-ascorbic acid-6-propanoic acid ester, etc.}, ascorbic acid sulfuric acid ester, ascorbic acid phosphoric acid ester, ascorbic acid glucoside, ascorbic acid isopalmitate and these Salt, etc.].
芳香族有機還元剤(F−1b)としては、炭素数6〜9の芳香族アミン(p−フェニレンジアミン及びp−アミノフェノール等)及び炭素数6〜30のフェノール化合物[3−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール(α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール等)等の一価フェノール並びに3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等のポリフェノール等]が挙げられる。 Examples of the aromatic organic reducing agent (F-1b) include aromatic amines having 6 to 9 carbon atoms (p-phenylenediamine, p-aminophenol and the like) and phenol compounds having 6 to 30 carbon atoms [3-hydroxyflavone and tocopherol. Monohydric phenols such as (α-, β-, γ-, δ-, ε- or η-tocopherol, etc.) and 3,4,5-trihydroxybenzoic acid, pyrocatechol, resorcinol, hydroquinone, naphthoresorcinol, pyrogallol and Polyphenols such as phloroglucinol].
その他の有機還元剤(F−1c)としては、リン系還元剤 (トリス‐2‐カルボキシエチルホスフィン等)、アルデヒド(ホルムアルデヒド及びアセトアルデヒド等)、ボラン系錯体(ボラン−tert−ブチルアミン錯体、ボラン−N,N−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等)、チオール系還元剤(システイン及びアミノエタンチオール等)及びヒドロキシルアミン系還元剤(ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等)等が挙げられる。 Other organic reducing agents (F-1c) include phosphorus-based reducing agents (such as tris-2-carboxyethylphosphine), aldehydes (such as formaldehyde and acetaldehyde), borane complexes (borane-tert-butylamine complex, borane-N). , N-diethylaniline complex and borane-trimethylamine complex), thiol-based reducing agents (such as cysteine and aminoethanethiol) and hydroxylamine-based reducing agents (such as hydroxylamine and diethylhydroxylamine).
無機還元剤(F−2)としては、亜硫酸(塩)、チオ硫酸(塩)、亜リン酸(塩)、次亜リン酸(塩)、硫酸第1鉄、塩化第2スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素ナトリウム等が含まれる。
還元剤(F)が塩を形成する場合の塩としては、上記キレート剤(A)の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。
As the inorganic reducing agent (F-2), sulfurous acid (salt), thiosulfuric acid (salt), phosphorous acid (salt), hypophosphorous acid (salt), ferrous sulfate, stannic chloride, cyanohydroxide Sodium boron, sodium borohydride and the like are included.
As a salt in case a reducing agent (F) forms a salt, the salt which has the same counter cation as what was illustrated as a salt of the said chelating agent (A) is mentioned.
これらの還元剤(F)の内、洗浄剤のエッチング性コントロールの観点から、有機還元剤(F−1)が好ましく、更に好ましいのは脂肪族有機還元剤(F−1a)及びその他の有機還元剤(F−1c)の内のチオール系還元剤、特に好ましいのはアスコルビン酸(塩)及びシステインである。
また、(F)は単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
Of these reducing agents (F), from the viewpoint of controlling the etching property of the cleaning agent, the organic reducing agent (F-1) is preferable, and the aliphatic organic reducing agent (F-1a) and other organic reductions are more preferable. Among the agents (F-1c), thiol reducing agents, particularly preferred are ascorbic acid (salt) and cysteine.
Moreover, (F) may be used independently and may use 2 or more types together.
分散剤(G)としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体(ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等)及びポバール及びリン酸エステル{フィチン酸、ジ(ポリオキシエチレン)アルキルエーテルリン酸及びトリ(ポリオキシエチレン)アルキルエーテルリン酸等}が挙げられ、上記の(B−2a)も分散作用があるが、本発明においては分散剤(G)には含めない。
また、(G)は単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
Examples of the dispersant (G) include those conventionally used as fine particle dispersants, such as polysaccharides and derivatives thereof (hydroxyethylcellulose, cationized cellulose, hydroxymethylcellulose, hydroxypropylcellulose, guar gum, cationized guar gum, xanthan gum). , Alginate and cationized starch, etc.) and poval and phosphate esters {phytic acid, di (polyoxyethylene) alkyl ether phosphate and tri (polyoxyethylene) alkyl ether phosphate, etc.} -2a) also has a dispersing action, but is not included in the dispersant (G) in the present invention.
Moreover, (G) may be used independently and may use 2 or more types together.
3価以上の多価アルコール(H)としては、
(H−1)脂肪族多価アルコール(グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等);
(H−2)(H−1)の脱水縮合物(ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びペンタグリセリン等);
(H−3)糖類、例えば単糖類{ペントース(アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等)、ヘキソース(グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等)、ヘプトース(セドヘプツロース等)等}、二糖類(トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等)及び三糖類(ラフィノース及びマルトトリオース等);
(H−4)糖アルコール(アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール等);
(H−5)トリスフェノール(トリスフェノールPA等);
並びにこれらのAO付加物(付加モル数1〜7モル)等が挙げられる。
また、(H)は単独で使用しても、2種以上併用してもよい。
As the trihydric or higher polyhydric alcohol (H),
(H-1) aliphatic polyhydric alcohol (glycerin, trimethylolethane, trimethylolpropane, pentaerythritol, etc.);
(H-2) dehydrated condensate of (H-1) (diglycerin, triglycerin, tetraglycerin, pentaglycerin, etc.);
(H-3) Saccharides such as monosaccharides {pentose (arabinose, xylose, ribose, xylulose, ribulose etc.), hexose (glucose, mannose, galactose, fructose, sorbose, tagatose etc.), heptose (sedheptulose etc.)}, two Sugars (such as trehalose, saccharose, maltose, cellobiose, gentiobiose and lactose) and trisaccharides (such as raffinose and maltotriose);
(H-4) sugar alcohol (arabitol, adonitol, xylitol, sorbitol, mannitol, dulcitol, etc.);
(H-5) Trisphenol (such as Trisphenol PA);
In addition, these AO adducts (addition mole number 1 to 7 mol) and the like can be mentioned.
(H) may be used alone or in combination of two or more.
(H)の内、基板の腐食防止効果の観点から、(H−1)、(H−2)、(H−3)及び(H−4)が好ましく、更に好ましいのはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。 Among (H), (H-1), (H-2), (H-3) and (H-4) are preferable from the viewpoint of the substrate corrosion prevention effect, and glycerin, saccharose and sorbitol are more preferable. It is.
その他の添加剤(I)としては、酸化防止剤、防錆剤、pH調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。 Examples of other additives (I) include antioxidants, rust inhibitors, pH adjusters, buffers, antifoaming agents, preservatives, and hydrotropes.
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤{2,6−ジ−t−ブチルフェノール、2−t−ブチル−4−メトキシフェノール及び2,4−ジメチル−6−t−ブチルフェノール等}、アミン系酸化防止剤{モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン;4,4’−ジブチルジフェニルアミン及び4,4’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン;テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン;α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等}、硫黄系化合物{フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−(3−ラウリルチオプロピオネート)及びビス(3,5−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)スルフィド等}並びにリン系酸化防止剤{ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等}等が挙げられる。 Antioxidants include phenolic antioxidants {2,6-di-t-butylphenol, 2-t-butyl-4-methoxyphenol, 2,4-dimethyl-6-t-butylphenol, etc.}, amine-based oxidation Inhibitors {monoalkyldiphenylamines such as monooctyldiphenylamine and monononyldiphenylamine; dialkyldiphenylamines such as 4,4'-dibutyldiphenylamine and 4,4'-dipentyldiphenylamine; polyalkyldiphenylamines such as tetrabutyldiphenylamine and tetrahexyldiphenylamine; Naphthylamine such as naphthylamine and phenyl-α-naphthylamine}, sulfur compounds {phenothiazine, pentaerythritol-tetrakis- (3-laurylthiopropionate) and bis (3 5-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) sulfide etc.} and phosphorus antioxidant {bis (2,4-di-t-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite, phenyldiisodecylphosphite, diphenyldiisooctylphos Phyte and triphenyl phosphite etc.}.
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数2〜10の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数2〜20炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数2〜20炭化水素基を有するチアゾール及び2−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤;ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸;ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the rust preventive include benzotriazole, tolyltriazole, benzotriazole having 2 to 10 carbon atoms, benzimidazole, imidazole having 2 to 20 carbon atoms, and 2 to 20 hydrocarbon groups. Nitrogen-containing organic rust preventives such as thiazole and 2-mercaptobenzothiazole; alkyl or alkenyl succinic acids such as dodecenyl succinic acid half ester, octadecenyl succinic anhydride and dodecenyl succinic acid amide; sorbitan monooleate, glycerin monoole And polyhydric alcohol partial esters such as acrylate and pentaerythritol monooleate. These may be used alone or in combination of two or more.
pH調整剤としては、無機酸(塩酸、硫酸、硝酸及びスルファミン酸等)並びに上記例示した無機アルカリ(C−4)等が挙げられ、これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the pH adjuster include inorganic acids (hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, sulfamic acid and the like) and the inorganic alkalis (C-4) exemplified above, and these may be used alone or in combination of two or more. .
緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸、無機酸及びこれらの塩が挙げられる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等が挙げられ、無機酸としては、リン酸及びホウ酸等が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、上述のキレート剤(A)で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the buffer include organic acids, inorganic acids and salts thereof having a buffering action. Examples of the organic acid include acetic acid, formic acid, gluconic acid, glycolic acid, tartaric acid, fumaric acid, levulinic acid, valeric acid, maleic acid, and mandelic acid. Examples of the inorganic acid include phosphoric acid and boric acid. . Moreover, as a salt of these acids, the thing similar to the salt illustrated by the above-mentioned chelating agent (A) is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
消泡剤としては、シリコーン消泡剤{ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等}等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the antifoaming agent include silicone antifoaming agents {antifoaming agents containing dimethyl silicone, fluorosilicone, polyether silicone and the like as constituents}. These may be used alone or in combination of two or more.
防腐剤としては、トリアジン誘導体{ヘキサヒドロ−1,3,5−トリス(2−ヒドロキシエチル)−S−トリアジン等}、イソチアゾリン誘導体{1,2−ベンズイソチアゾリン−3−オン、2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン及び5−クロロ−2−メチル−4−イソチアゾリン−3−オン等}、ピリジン誘導体{ピリジン2−ピリジンチオール−1−オキサイド(塩)等}、モルホリン誘導体{4−(2−ニトロブチル)モルホリン及び4,4−(2−エチル−2−ニトロトリメチレン)−ジモルホリン等}、ベンズイミダゾール誘導体{2−(4−チアゾリル)ベンズイミダゾール等}並びにその他の防腐剤[ポリ{オキシエチレン(ジメチルイミノ)エチレン(ジメチルイミノ)エチレン}ジクロライド、p−クロロ−m−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、3−ヨード−2−プロピニルブチルカーバメート及び2−ブロモ−2−ニトロプロパン−1,3−ジオール等]等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of preservatives include triazine derivatives {hexahydro-1,3,5-tris (2-hydroxyethyl) -S-triazine and the like}, isothiazoline derivatives {1,2-benzisothiazolin-3-one, 2-methyl-4- Isothiazolin-3-one and 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one etc.}, pyridine derivative {pyridine 2-pyridinethiol-1-oxide (salt) etc.}, morpholine derivative {4- (2- Nitrobutyl) morpholine and 4,4- (2-ethyl-2-nitrotrimethylene) -dimorpholine and the like}, benzimidazole derivatives {2- (4-thiazolyl) benzimidazole and the like} and other preservatives [poly {oxyethylene ( Dimethylimino) ethylene (dimethylimino) ethylene} dichloride, p-chloro-m- Silenol, phenoxyethanol, phenoxypropanol, acetoxydimethyldioxane, isopropylmethylphenol, tetrachloroisophthalonitrile, bisbromoacetoxyethane, 3-iodo-2-propynylbutylcarbamate and 2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol Etc.]. These may be used alone or in combination of two or more.
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸(塩)、キシレンスルホン酸(塩)、クメンスルホン酸(塩)及び安息香酸(塩)等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。ハイドロトロープ剤が塩を形成する場合の塩としては、上記キレート剤(A)の塩として例示したものと同様のカウンターカチオンを有する塩が挙げられる。 Examples of the hydrotrope include toluene sulfonic acid (salt), xylene sulfonic acid (salt), cumene sulfonic acid (salt), and benzoic acid (salt). These may be used alone or in combination of two or more. As a salt in case a hydrotrope agent forms a salt, the salt which has the same counter cation as what was illustrated as a salt of the said chelating agent (A) is mentioned.
本発明の洗浄剤のpH(25℃)は、後述する洗浄液として使用される場合の有効成分濃度において、洗浄性と洗浄後基板の平坦性の観点から、Ni−Pメッキを施した磁気ディスク用アルミ基板に対しては、好ましくは2〜13であり、特に好ましくは6〜11、最も好ましくは8〜10であり、磁気ディスク用ガラス基板に対しては、好ましくは2〜14であり、特に好ましくは7〜13、最も好ましくは10〜12である。pHがこの範囲にあると、Ni−Pメッキを施したアルミ基板やガラス基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。尚、本発明における有効成分とは水以外の成分をいう。 The pH of the cleaning agent of the present invention (25 ° C.) is an effective component concentration when used as a cleaning liquid, which will be described later, from the viewpoint of cleaning properties and flatness of the substrate after cleaning. For aluminum substrates, it is preferably 2-13, particularly preferably 6-11, most preferably 8-10, and for magnetic disk glass substrates, preferably 2-14, especially Preferably it is 7-13, Most preferably, it is 10-12. When the pH is in this range, it has an appropriate etching property without impairing the flatness of the aluminum substrate or glass substrate subjected to Ni-P plating, and has an excellent effect of preventing the reattachment of fine particles. It becomes easy to demonstrate. In addition, the active ingredient in this invention means components other than water.
本発明の洗浄剤におけるキレート剤(A)及び任意成分(B)〜(I)の、洗浄剤の重量に基づく含有量は以下の通りである。 The contents of the chelating agent (A) and the optional components (B) to (I) in the cleaning agent of the present invention based on the weight of the cleaning agent are as follows.
キレート剤(A)の含有量は、洗浄性および平坦性の観点から、通常0.1〜100%、好ましくは0.2〜50%、更に好ましくは0.5〜20%、特に好ましくは1〜10%である。
界面活性剤(B)を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点から、0.1〜50%が好ましく、更に好ましくは0.5〜10%特に好ましくは1〜5%である。
アルカリ成分(C)を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点等から、好ましくは0.1〜20%、更に好ましくは0.2〜15%、特に好ましくは0.5〜10%である。
親水性溶剤(D)を含有する場合、その含有量は、0.1〜80%、更に好ましくは0.5〜50%、特に好ましくは1〜30%である。
The content of the chelating agent (A) is usually 0.1 to 100%, preferably 0.2 to 50%, more preferably 0.5 to 20%, particularly preferably 1 from the viewpoints of detergency and flatness. -10%.
When the surfactant (B) is contained, its content is preferably from 0.1 to 50%, more preferably from 0.5 to 10%, particularly preferably from 1 to 5%, from the viewpoint of detergency.
When the alkali component (C) is contained, the content is preferably 0.1 to 20%, more preferably 0.2 to 15%, particularly preferably 0.5 to 10% from the viewpoint of detergency. It is.
When the hydrophilic solvent (D) is contained, its content is 0.1 to 80%, more preferably 0.5 to 50%, and particularly preferably 1 to 30%.
(A)以外のキレート剤(E)を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは0.01〜10%、更に好ましくは0.05〜5%、特に好ましくは0.1〜3%である。
還元剤(F)を含有する場合、その含有量は、基板のエッチング性のコントロールの観点から、0.01〜10%が好ましく、更に好ましくは0.02〜8%、特に好ましくは0.1〜5%である。
分散剤(G)を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは0.1〜10%、更に好ましくは0.5〜8%、特に好ましくは1〜5%である。
3価以上の多価アルコール(H)を含有する場合、その含有量は、洗浄性能の観点から、好ましくは0.1〜30%、更に好ましくは0.5〜20%、特に好ましくは1〜10%である。
When the chelating agent (E) other than (A) is contained, the content thereof is preferably 0.01 to 10%, more preferably 0.05 to 5%, particularly preferably 0.00 from the viewpoint of cleaning performance. 1 to 3%.
When the reducing agent (F) is contained, the content is preferably 0.01 to 10%, more preferably 0.02 to 8%, particularly preferably 0.1 from the viewpoint of controlling the etching property of the substrate. ~ 5%.
When the dispersant (G) is contained, its content is preferably 0.1 to 10%, more preferably 0.5 to 8%, and particularly preferably 1 to 5% from the viewpoint of cleaning performance.
When the trihydric or higher polyhydric alcohol (H) is contained, the content thereof is preferably 0.1 to 30%, more preferably 0.5 to 20%, particularly preferably 1 to 5, from the viewpoint of cleaning performance. 10%.
その他の添加剤(I)を含有する場合、それぞれの添加剤の添加量は、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、pH調整剤、緩衝剤、還元剤及びハイドロトロープ剤が、好ましくは0.1〜10%、更に好ましくは0.5〜8%、特に好ましくは1〜5%である。また消泡剤の添加量は好ましくは0.01〜2%、更に好ましくは0.02〜1.5%、特に好ましくは0.1〜1%である。また、その他の添加剤(I)の合計の含有量は、0.01〜20%、更に好ましくは0.02〜10%、特に好ましくは0.1〜8%である。 When other additives (I) are contained, the amount of each additive added is preferably 0 for antioxidants, chelating agents, rust inhibitors, pH adjusters, buffers, reducing agents, and hydrotropes. 0.1 to 10%, more preferably 0.5 to 8%, and particularly preferably 1 to 5%. The amount of antifoaming agent added is preferably 0.01 to 2%, more preferably 0.02 to 1.5%, particularly preferably 0.1 to 1%. The total content of other additives (I) is 0.01 to 20%, more preferably 0.02 to 10%, and particularly preferably 0.1 to 8%.
尚、前記の任意成分(E)〜(I)の間で、組成が同一で重複する場合は、それぞれの任意成分が該当する添加効果を奏する量を他の任意成分としての効果に関わりなく使用するのではなく、他の任意成分としての効果も同時に得られることをも考慮し、使用目的に応じて使用量を調整するものとする。 In addition, when composition is the same and overlaps between said arbitrary components (E)-(I), the quantity which shows the addition effect which each arbitrary component shows corresponds regardless of the effect as another arbitrary component In consideration of the fact that effects as other optional components can be obtained at the same time, the amount used is adjusted according to the purpose of use.
本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、使用時の作業性や運搬効率の観点から、通常0.1〜100%、好ましくは1〜90%、更に好ましくは2〜80%、特に好ましくは5〜75%である。従って、本発明の洗浄剤中の水の含有量は、通常0〜99.9%、好ましくは10〜99%、更に好ましくは20〜98、特に好ましくは25〜95%である。 The concentration of the active ingredient of the cleaning agent of the present invention is usually from 0.1 to 100%, preferably from 1 to 90%, more preferably from 2 to 80%, particularly preferably from the viewpoint of workability and transport efficiency during use. 5 to 75%. Therefore, the content of water in the cleaning agent of the present invention is usually 0 to 99.9%, preferably 10 to 99%, more preferably 20 to 98, particularly preferably 25 to 95%.
本発明の洗浄剤中のNa、K、Ca、Fe,Cu、Al、Pb、Ni及びZn原子の各金属含有量は、磁気ディスク用基板の金属汚染防止性の観点から、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて20ppm以下が好ましく、更に好ましくは10ppm以下、特に好ましくは5ppm以下である。
これらの金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ICP発光分析法、ICP質量分析法が利用できる。
The metal contents of Na, K, Ca, Fe, Cu, Al, Pb, Ni and Zn atoms in the cleaning agent of the present invention are effective components of the cleaning agent from the viewpoint of preventing metal contamination of the magnetic disk substrate. Is preferably 20 ppm or less, more preferably 10 ppm or less, and particularly preferably 5 ppm or less.
As a method for measuring the content of these metal atoms, a known method such as an atomic absorption method, an ICP emission analysis method, or an ICP mass spectrometry method can be used.
本発明の磁気ディスク基板用洗浄液は、上記の洗浄剤を必要により水、特にイオン交換水(電気伝導率0.2μS/cm以下)又は超純水(比抵抗値18MΩ・cm以上)で希釈して洗浄工程で使用する洗浄液であり、有効成分濃度が0.01〜15%、好ましくは0.05〜10%である磁気ディスク基板用洗浄液である。尚、前記洗浄剤の有効成分濃度が15%以下である場合は、そのままの濃度で洗浄液として使用してもよい。 In the magnetic disk substrate cleaning liquid of the present invention, the above-described cleaning agent is diluted with water, particularly ion-exchanged water (electric conductivity of 0.2 μS / cm or less) or ultrapure water (specific resistance value of 18 MΩ · cm or more) as necessary. The cleaning liquid used in the cleaning process is a magnetic disk substrate cleaning liquid having an active ingredient concentration of 0.01 to 15%, preferably 0.05 to 10%. In addition, when the active ingredient concentration of the cleaning agent is 15% or less, it may be used as a cleaning solution with the same concentration.
洗浄液の電気伝導率(mS/cm)は、パーティクルの再付着防止性及びエッチング性の観点から、好ましくは0.2〜10.0、より好ましくは0.5〜5.0、特に好ましくは0.7〜3.5である。 The electric conductivity (mS / cm) of the cleaning liquid is preferably 0.2 to 10.0, more preferably 0.5 to 5.0, and particularly preferably 0, from the viewpoint of preventing re-adhesion of particles and etching properties. .7 to 3.5.
洗浄液の磁気ディスク基板に対する接触角(25℃)は、通常30°以下であり、好ましくは1〜15°、更に好ましくは1〜8°である。接触角がこの範囲にあると、洗浄性の点から好ましい。尚、本発明における接触角は、例えば、全自動接触角計[協和界面科学(株)社製、PD−W]を用いて測定することができる。 The contact angle (25 ° C.) of the cleaning liquid with respect to the magnetic disk substrate is usually 30 ° or less, preferably 1 to 15 °, more preferably 1 to 8 °. When the contact angle is within this range, it is preferable from the viewpoint of detergency. In addition, the contact angle in this invention can be measured using a fully automatic contact angle meter [Kyowa Interface Science Co., Ltd. product, PD-W], for example.
本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミ基板及びガラス基板に好適に使用できる。特にNi−Pメッキを施したアルミ基板に対して優れた洗浄性を発揮することができる。 The above-mentioned cleaning liquid obtained by diluting the cleaning agent of the present invention as necessary can be suitably used for cleaning a magnetic disk substrate, and can be suitably used for a magnetic disk aluminum substrate and a glass substrate. In particular, an excellent cleaning property can be exhibited for an aluminum substrate subjected to Ni-P plating.
本発明の磁気ディスク基板の洗浄方法は、上記の洗浄液中で磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。
洗浄対象物(汚れ)は、油分(クーラント等)、人体からの汚れ(指紋、皮脂等)、可塑剤(ジオクチルフタレート等)、有機パーティクル等の有機物、無機パーティクル{研磨剤(例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等)、研磨屑等}等の無機物が挙げられる。
また、本発明の洗浄方法は、磁気ディスク基板がNi−Pメッキを施したアルミ基板であると効果が特に発揮されやすい。
The magnetic disk substrate cleaning method of the present invention is a cleaning method for cleaning a magnetic disk substrate in the above-described cleaning liquid.
The object to be cleaned (dirt) is oil (coolant, etc.), dirt from the human body (fingerprint, sebum, etc.), plasticizer (dioctyl phthalate, etc.), organic matter such as organic particles, inorganic particles {polishing agent (for example, colloidal silica, Inorganic substances such as alumina, cerium oxide, diamond, etc.), polishing scraps, etc.}.
The cleaning method of the present invention is particularly effective when the magnetic disk substrate is an aluminum substrate plated with Ni-P.
本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、磁気ディスクの製造工程の内、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で行うことが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び/又は成膜工程(例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程)前の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてアルミナ及び/又はシリカを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
Since the cleaning method of the present invention is extremely excellent in particle removability, the magnetic disk manufacturing process is a process in which particles such as abrasives or polishing scraps are generated or a process requiring a high degree of cleanliness. Preferably, the cleaning process after the grinding process, the cleaning process after the polishing process, the cleaning process after the texturing process, and / or the film forming process (for example, forming the underlayer, the magnetic layer, the protective layer, etc. with a sputtering apparatus) It is preferable to apply as a cleaning method in the previous cleaning step.
When the polishing step is a polishing step using alumina and / or silica as an abrasive or when diamond is used in the texturing step, the effect of the cleaning method of the present invention is particularly easily exhibited.
本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも1種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。 The cleaning method in the cleaning method of the present invention includes at least one cleaning method selected from the group consisting of ultrasonic cleaning, shower cleaning, spray cleaning, brush cleaning, immersion cleaning, immersion rocking cleaning, and single wafer cleaning. In any case, the effect of the cleaning method of the present invention is easily exhibited.
本発明の洗浄液を使用する際の洗浄温度(℃)としては、洗浄性の観点から、10〜80℃が好ましく、更に好ましくは15〜70、特に好ましくは20〜60である。 The washing temperature (° C.) when using the washing liquid of the present invention is preferably 10 to 80 ° C., more preferably 15 to 70, and particularly preferably 20 to 60 from the viewpoint of detergency.
本発明の洗浄方法で洗浄された磁気ディスク基板に対する水の接触角(25℃)は、好ましくは20°以下であり、更に好ましくは1〜15°、特に好ましくは5〜10°である。接触角がこの範囲にあると、磁性膜等をスパッタにより形成する場合に均一な膜が形成でき、磁気特性の点から好ましい。 The contact angle (25 ° C.) of water with the magnetic disk substrate cleaned by the cleaning method of the present invention is preferably 20 ° or less, more preferably 1 to 15 °, and particularly preferably 5 to 10 °. When the contact angle is within this range, a uniform film can be formed when a magnetic film or the like is formed by sputtering, which is preferable from the viewpoint of magnetic characteristics.
本発明の洗浄方法で洗浄した後の磁気ディスク基板表面の表面粗さ(Ra)は、好ましくは0.5nm以下、更に好ましくは0.01〜0.3nm、特に好ましくは0.05〜0.25nmである。基板の表面粗さ(Ra)がこの範囲にあると、磁気ディスク基板の記録密度の向上の観点から好ましい。
尚、磁気ディスク基板表面の表面粗さ(Ra)は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、E−sweepを用いて下記の条件により測定できる。
測定モード :DFM(タッピングモード)
スキャンエリア:1μm×1μm
走査線数 :256本(Y方向スキャン)
補正 :X,Y方向のフラット補正あり
The surface roughness (Ra) of the magnetic disk substrate surface after being cleaned by the cleaning method of the present invention is preferably 0.5 nm or less, more preferably 0.01 to 0.3 nm, and particularly preferably 0.05 to 0.00. 25 nm. When the surface roughness (Ra) of the substrate is in this range, it is preferable from the viewpoint of improving the recording density of the magnetic disk substrate.
The surface roughness (Ra) of the magnetic disk substrate surface can be measured under the following conditions using E-Sweep manufactured by SII Nano Technology.
Measurement mode: DFM (tapping mode)
Scan area: 1μm × 1μm
Number of scan lines: 256 (Y-direction scan)
Correction: Flat correction in X and Y directions
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。 The method of manufacturing a magnetic disk substrate according to the present invention is a method of manufacturing a magnetic disk substrate including a step of cleaning the magnetic disk substrate by the cleaning method.
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのGPCによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。尚、以下において超純水は比抵抗値が18MΩ・cm以上のものを使用した。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to this. Unless otherwise specified, “parts” means “parts by weight” below. The measurement conditions of the molecular weight of the polymer by GPC were measured by the method described above. In the following, ultrapure water having a specific resistance value of 18 MΩ · cm or more was used.
[製造例1]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを200部(1.1モル部)、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド(以下、TMAHと略記)の25%水溶液を10部(0.027モル部)を仕込み、100℃、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。エチレンオキサイド(以下、EOと略記)430部(9.8モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。更に、2.6kPa以下の減圧下に、150℃で2時間撹拌して、残存するTMAHを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールEO9モル付加物(B−1−1)630部を得た。
[Production Example 1]
In a stainless steel autoclave equipped with a stirrer and a temperature controller, 200 parts (1.1 mol parts) of lauryl alcohol and 10 parts (0.027) of a 25% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (hereinafter abbreviated as TMAH). The dehydration was performed at 100 ° C. under a reduced pressure of 4 kPa or less for 30 minutes. 430 parts (9.8 mol parts) of ethylene oxide (hereinafter abbreviated as EO) was dropped over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Furthermore, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of 2.6 kPa or less to decompose and remove the remaining TMAH, and a nonionic surfactant lauryl alcohol EO 9 mol adduct (B-1-1). ) 630 parts were obtained.
[製造例2]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを185部(1.0モル部)、25%TMAH水溶液を3.6部(0.01モル部)を仕込み、100℃、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。EO264部(6.0モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。更に、2.6kPa以下の減圧下、150℃で2時間撹拌して、残存するTMAHを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンEO6モル付加物(B−1−2)445部を得た。
[Production Example 2]
185 parts (1.0 mole part) of laurylamine and 3.6 parts (0.01 mole part) of 25% TMAH aqueous solution were charged into a stainless steel autoclave equipped with a stirrer and a temperature controller, and 100 ° C., 4 kPa or less. For 30 minutes under reduced pressure. 264 parts (6.0 mol parts) of EO was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Further, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of 2.6 kPa or less to decompose and remove the remaining TMAH, and laurylamine EO 6 mol adduct (B-1-2) which is a nonionic surfactant. 445 parts were obtained.
[製造例3]
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、クミルフェノールを212部(1.0モル部)、25%TMAH水溶液を2.9部(0.008モル部)を仕込み、100℃、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。EO352部(8.0モル部)を、反応温度を100℃に制御しながら、3時間かけて滴下した後、100℃で3時間熟成した。更に、2.6kPa以下の減圧下、150℃で2時間撹拌して、残存するTMAHを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるクミルフェノールEO8モル付加物(B−1−3)560部を得た。
[Production Example 3]
A stainless steel autoclave equipped with a stirrer and a temperature control device was charged with 212 parts (1.0 mole part) of cumylphenol and 2.9 parts (0.008 mole part) of 25% TMAH aqueous solution at 100 ° C., 4 kPa. It dehydrated for 30 minutes under the following reduced pressure. 352 parts (8.0 mol parts) of EO was added dropwise over 3 hours while controlling the reaction temperature at 100 ° C., and then aged at 100 ° C. for 3 hours. Further, the mixture was stirred at 150 ° C. for 2 hours under a reduced pressure of 2.6 kPa or less to decompose and remove the remaining TMAH, and a nonionic surfactant cumylphenol EO 8 mol adduct (B-1-3). ) 560 parts were obtained.
[製造例4]
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール300部、超純水100部を仕込み、窒素置換後、75℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の75%水溶液407部及びジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレートの15%イソプロピルアルコール溶液95部を3.5時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、75℃で5時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をDBU(約450部)でpHが7になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸DBU塩(B−2−1)の40%水溶液を得た。尚、(B−2−1)のMwは10,000であった。
[Production Example 4]
A reaction vessel capable of temperature adjustment and stirring was charged with 300 parts of isopropyl alcohol and 100 parts of ultrapure water, and the temperature was raised to 75 ° C. after purging with nitrogen. Under stirring, 407 parts of a 75% aqueous solution of acrylic acid and 95 parts of a 15% isopropyl alcohol solution of dimethyl-2,2′-azobisisobutyrate were simultaneously added dropwise over 3.5 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 75 ° C. for 5 hours, and then ultrapure water was intermittently added so that the system did not solidify, and the mixture of water and isopropyl alcohol was distilled off until isopropyl alcohol could not be detected. The obtained polyacrylic acid aqueous solution is neutralized with DBU (about 450 parts) until the pH becomes 7, and the concentration is adjusted with ultrapure water, thereby allowing polyacrylic acid DBU salt (B-) as an anionic surfactant. A 40% aqueous solution of 2-1) was obtained. In addition, Mw of (B-2-1) was 10,000.
[製造例5]
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド100部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に90℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン120部と、予め2,2’−アゾビスイソブチロニトリル1.7部をエチレンジクロライド20部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に6時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に1時間重合を行った。重合後、窒素シール下で20℃に冷却した後、温度を20℃にコントロールしながら無水硫酸105部を10時間かけて滴下し、滴下終了後更に3時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水345部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を25%TMAH水溶液(約400部)でpHが7になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸トリメチルアンモニウム塩(B−2−2)の40%水溶液を得た。尚、(B−2−2)のMwは、40,000、スルホン化率は97%であった。
[Production Example 5]
100 parts of ethylene dichloride was charged in a reaction vessel with stirring capable of temperature adjustment and refluxing, and after purging with nitrogen under stirring, the temperature was raised to 90 ° C. to reflux ethylene dichloride. 120 parts of styrene and an initiator solution prepared by previously dissolving 1.7 parts of 2,2′-azobisisobutyronitrile in 20 parts of ethylene dichloride were separately added dropwise to the reaction vessel over 6 hours, and the addition was completed. Thereafter, polymerization was further performed for 1 hour. After the polymerization, the mixture was cooled to 20 ° C. under a nitrogen seal, 105 parts of anhydrous sulfuric acid was added dropwise over 10 hours while controlling the temperature at 20 ° C., and a sulfonation reaction was further carried out for 3 hours after the completion of the addition. After the reaction, the solvent was distilled off and solidified, and then 345 parts of ultrapure water was added and dissolved to obtain a polystyrenesulfonic acid aqueous solution. The resulting polystyrene sulfonic acid aqueous solution is neutralized with 25% TMAH aqueous solution (about 400 parts) until the pH becomes 7, and the concentration is adjusted with ultrapure water, thereby allowing trimethylammonium polystyrene sulfonate, an anionic surfactant. A 40% aqueous solution of salt (B-2-2) was obtained. In addition, Mw of (B-2-2) was 40,000, and the sulfonation rate was 97%.
[製造例6]
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸21部、超純水を10部仕込み、撹拌下、系内の温度を80℃に保ちながら、37%ホルムアルデヒド8部を3時間かけて滴下した。滴下終了後、105℃に昇温して25時間反応した後、室温(約25℃)まで冷却して水浴中、25℃に調整しながらDBUを徐々に加え、pH6.5に調製した(DBU約15部使用)。超純水を加えて固形分を40%に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のDBU塩(B−2−3)の40%水溶液を得た。尚、(B−2−3)のMwは、5,000であった。
[Production Example 6]
A reaction vessel with stirring was charged with 21 parts of naphthalenesulfonic acid and 10 parts of ultrapure water, and 8 parts of 37% formaldehyde was added dropwise over 3 hours while maintaining the temperature in the system at 80 ° C. with stirring. After completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 105 ° C. and reacted for 25 hours, then cooled to room temperature (about 25 ° C.), DBU was gradually added while adjusting to 25 ° C. in a water bath, and adjusted to pH 6.5 (DBU). Use about 15 parts). Ultrapure water was added to adjust the solid content to 40% to obtain a 40% aqueous solution of a DBU salt (B-2-3) of a naphthalenesulfonic acid formalin condensate as an anionic surfactant. In addition, Mw of (B-2-3) was 5,000.
[製造例7]
アクリル酸の75%水溶液407部の代わりに、アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸227部、アクリル酸78部及び超純水131部からなる70%モノマー水溶液436部を使用したこと以外は、製造例4と同様に重合して、アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸/アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られたアクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸/アクリル酸共重合体水溶液に、温度をを25℃に制御しながらDBUを徐々に加えてpH6.5に調製して(DBU約280部使用)超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるアクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸/アクリル酸共重合体DBU塩(B−2−4)の40%水溶液を得た。尚、(B−2−4)のMwは8,000であった。
[Production Example 7]
Production Example except that 407 parts of 70% monomer aqueous solution consisting of 227 parts of acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, 78 parts of acrylic acid and 131 parts of ultrapure water was used instead of 407 parts of 75% aqueous solution of acrylic acid. Polymerization was conducted in the same manner as in Example 4 to obtain an aqueous solution of acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid / acrylic acid copolymer. The resulting acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid / acrylic acid copolymer aqueous solution was adjusted to pH 6.5 by gradually adding DBU while controlling the temperature to 25 ° C. (using about 280 parts of DBU). By adjusting the concentration with pure water, a 40% aqueous solution of acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid / acrylic acid copolymer DBU salt (B-2-4), which is an anionic surfactant, was obtained. In addition, Mw of (B-2-4) was 8,000.
[製造例8]
アクリル酸の75%水溶液407部の代わりに、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩の50%水溶液[三洋化成(株)社製、エレミノールRS−30]320部及びアクリル酸145部からなる65%モノマー水溶液465部を使用したこと以外は、製造例4と同様に重合して、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩/アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られた共重合体水溶液を固形分濃度が10%になるように超純水で希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバーライトIR−120B」(オルガノ株式会社製)を用いて、溶液中のナトリウムイオンが1ppm以下になるまで除去した。尚、ナトリウム含量はICP発光分析装置(VARIAN社製、Varian730−ES)を用いて測定した。得られたメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル/アクリル酸共重合体水溶液に、温度を25℃に制御しながら25%TMAH水溶液(約600部)を徐々に加えてpHが7になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル/アクリル酸共重合体テトラメチルアンモニウム塩(B−2−5)の10%水溶液を得た。尚、(B−2−5)のMwは9,000であった。
[Production Example 8]
Instead of 407 parts of 75% aqueous solution of acrylic acid, 65% of 50% aqueous solution of sodium methacryloyloxypolyoxyalkylenesulfate (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd., Eleminol RS-30) and 145 parts of acrylic acid Polymerization was conducted in the same manner as in Production Example 4 except that 465 parts of the monomer aqueous solution was used to obtain a methacryloyloxypolyoxyalkylene sulfate sodium salt / acrylic acid copolymer aqueous solution. After diluting the obtained aqueous copolymer solution with ultrapure water so that the solid content concentration becomes 10%, using a cation exchange resin “Amberlite IR-120B” (manufactured by Organo Corporation), Sodium ions were removed until the concentration became 1 ppm or less. The sodium content was measured using an ICP emission analyzer (Varian730-ES, manufactured by VARIAN). The resulting methacryloyloxypolyoxyalkylene sulfate / acrylic acid copolymer aqueous solution is gradually neutralized until the pH becomes 7 by gradually adding 25% TMAH aqueous solution (about 600 parts) while controlling the temperature at 25 ° C. By adjusting the concentration with ultrapure water, a 10% aqueous solution of methacryloyloxypolyoxyalkylene sulfate / acrylic acid copolymer tetramethylammonium salt (B-2-5), which is an anionic surfactant, was obtained. In addition, Mw of (B-2-5) was 9,000.
[製造例9]
オクチルベンゼンスルホン酸136部、超純水245部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクチルベンゼンスルホン酸水溶液にDBN(約65部)を徐々に加えてpHが7になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクチルベンゼンスルホン酸DBN塩(B−2−6)の40%水溶液を得た。
[Production Example 9]
136 parts of octylbenzenesulfonic acid and 245 parts of ultrapure water were charged into a beaker and dissolved until uniform. DBN (about 65 parts) is gradually added to the obtained aqueous solution of octylbenzenesulfonic acid to neutralize it until the pH becomes 7, and the concentration is adjusted with ultrapure water, whereby octylbenzenesulfone which is an anionic surfactant is obtained. A 40% aqueous solution of acid DBN salt (B-2-6) was obtained.
[製造例10]
オクタン酸144部、超純水300部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクタン酸水溶液にジエタノールアミン(約105部)を徐々に加えてpHが7になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクタン酸ジエタノールアミン塩(B−2−7)の40%水溶液を得た。
[Production Example 10]
144 parts of octanoic acid and 300 parts of ultrapure water were charged into a beaker and dissolved until uniform. Diethanolamine (about 105 parts) is gradually added to the obtained octanoic acid aqueous solution to neutralize it until the pH becomes 7, and the concentration is adjusted with ultrapure water, whereby an octanoic acid diethanolamine salt (anionic surfactant) ( A 40% aqueous solution of B-2-7) was obtained.
[実施例1〜16]、[比較例1〜7]
表1又は表2に記載の各配合成分を、表1又は表2に記載の配合部数(但し、表1及び表2では有効成分換算で表示)用いて、ビーカー中で室温(約25℃)下、均一撹拌・混合して実施例1〜16及び比較例1〜7の洗浄剤を作製した。
得られた洗浄剤を超純水で10倍希釈して洗浄液として、以下の方法でpH、洗浄性−1、洗浄性−2、表面平坦性−1、溶出したNi含量(エッチング性)、洗浄後基板の接触角−1、洗浄液の接触角−1及びリンス性評価−1を測定又は評価した結果を表1又は表2に示す。
[Examples 1 to 16], [Comparative Examples 1 to 7]
Each compounding component described in Table 1 or Table 2 is used at room temperature (about 25 ° C.) in a beaker using the number of mixing components described in Table 1 or Table 2 (however, shown in Table 1 and Table 2 in terms of active ingredients). Under the same stirring and mixing, the cleaning agents of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 7 were prepared.
The obtained cleaning agent was diluted 10 times with ultrapure water as a cleaning solution, and the pH, cleaning property-1, cleaning property-2, surface flatness-1, the eluted Ni content (etching property), and cleaning were as follows. Table 1 or Table 2 shows the results of measurement or evaluation of the contact angle-1 of the rear substrate, the contact angle-1 of the cleaning liquid, and the rinse property evaluation-1.
[実施例17〜25]、[比較例8〜11]
表3に記載の各配合成分を、表3に記載の配合部数(但し、表3では有効成分換算で表示)用いて、ビーカー中で室温(約25℃)下、均一撹拌・混合して実施例17〜25及び比較例8〜11の洗浄剤を作製した。
得られた洗浄剤を超純水で10倍希釈して洗浄液として、以下の方法でpH、洗浄性−3、洗浄性−4、表面平坦性−2、洗浄後基板の接触角−2、洗浄液の接触角−2及びリンス性評価−2を測定又は評価した結果を表3に示す。
[Examples 17 to 25], [Comparative Examples 8 to 11]
Each compounding component shown in Table 3 was mixed and stirred uniformly at room temperature (about 25 ° C) in a beaker using the number of parts shown in Table 3 (however, expressed in terms of active ingredients in Table 3). The cleaning agents of Examples 17 to 25 and Comparative Examples 8 to 11 were prepared.
The obtained cleaning agent was diluted 10-fold with ultrapure water to obtain a cleaning solution by the following methods: pH, cleaning property-3, cleaning property-4, surface flatness-2, substrate contact angle-2 after cleaning, cleaning solution Table 3 shows the results of measurement or evaluation of contact angle-2 and rinse property evaluation-2.
尚、表1〜表3中のキレート剤(A)、非イオン性界面活性剤(B−1)、アルカリ成分(C)、親水性溶剤(D)及び(A)以外のキレート剤(E)の略号は下記の通りである。
EDTMP:エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)
CDTMP:シス−1,2−シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)
DTPMP:ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)
PE74:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール{ニューポールPE−74、三洋化成工業(株)製}
TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
TEA:トリエタノールアミン
DBU:1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン
DEGM:ジエチレングリコールモノメチルエーテル
TEGM:トリエチレングリコールモノメチルエーテル
EDTA:エチレンジアミンテトラ酢酸
NTA:ニトリロ三酢酸
HEDP:1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸
NTMP:ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)
また、表1〜表3に記載の超純水の量は、製造例1〜10で得た界面活性剤(B−1−1)〜(B−2−7)の水溶液中の超純水を含む量である。
In addition, chelating agents (E) other than chelating agents (A), nonionic surfactants (B-1), alkali components (C), hydrophilic solvents (D) and (A) in Tables 1 to 3 Abbreviations are as follows.
EDTMP: ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid)
CDTMP: cis-1,2-cyclohexanediaminetetra (methylenephosphonic acid)
DTPMP: Diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid)
PE74: polyoxyethylene polyoxypropylene glycol {New Pole PE-74, manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.}
TMAH: tetramethylammonium hydroxide TEA: triethanolamine DBU: 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene DEGM: diethylene glycol monomethyl ether TEGM: triethylene glycol monomethyl ether EDTA: ethylenediaminetetraacetic acid NTA: Nitrilotriacetic acid HEDP: 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid NTMP: Nitrilotris (methylenephosphonic acid)
Moreover, the quantity of the ultrapure water described in Tables 1 to 3 is the ultrapure water in the aqueous solutions of the surfactants (B-1-1) to (B-2-7) obtained in Production Examples 1 to 10. It is the quantity including.
<pHの測定方法>
洗浄液のpHを25℃でpHメーター(堀場製作所社製、M−12)で測定した。
<Measurement method of pH>
The pH of the cleaning solution was measured at 25 ° C. with a pH meter (H-12, M-12).
<洗浄性−1の評価方法>
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー(粒径約30nm)及び研磨布を用いて、3.5インチのNi−Pメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した後、超純水で表面をリンス、窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した。洗浄液1,000部をガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機(200kHz)内で、30℃、5分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄性を表面観察装置(VISION PSYTEC社製、VMX−4100Napier)で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス1,00(HED−STD−209D、米国連邦規格、1988年)のクリーンルーム内で実施した。
◎:ほぼ完全に除去できている。
○:ほとんど洗浄できている。
△:若干粒子が残留している。
×:ほとんど洗浄できていない。
<Evaluation method of detergency-1>
After polishing a 3.5-inch Ni-P plated magnetic disk substrate using a commercially available colloidal silica slurry (particle size: about 30 nm) and a polishing cloth as an abrasive, rinse the surface with ultrapure water, nitrogen The contaminated substrate was produced by blowing with 1,000 parts of the cleaning liquid was placed in a glass beaker, the produced contaminated substrate was immersed, and cleaning was performed at 30 ° C. for 5 minutes in an ultrasonic cleaner (200 kHz). After cleaning, the substrate is taken out, thoroughly rinsed with ultrapure water, blown with nitrogen gas and dried, and the surface cleaning device (VMX, manufactured by VISION PSYTEC Co., Ltd.) is used to clean the substrate surface according to the following evaluation criteria. -4100Napier). This evaluation was performed in a class 100 clean room (HED-STD-209D, US Federal Standard, 1988) to prevent contamination from the atmosphere.
A: Almost completely removed.
○: Almost cleaned.
Δ: Some particles remain.
X: Almost no washing
<洗浄性−2の評価方法>
研磨剤として市販のアルミナスラリー(粒径約0.4μm)を用いた以外は、洗浄性−1と同様にして評価した。
<Evaluation method of washability-2>
Evaluation was conducted in the same manner as in Detergency-1 except that a commercially available alumina slurry (particle size: about 0.4 μm) was used as the abrasive.
<洗浄性−3の評価方法>
研磨剤として酸化セリウムスラリー(粒径約1μm)を用い、また磁気ディスク用基板として2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は洗浄性−1と同様にして評価した。
<Evaluation method of washability-3>
Evaluation was carried out in the same manner as in Detergency-1 except that a cerium oxide slurry (particle size: about 1 μm) was used as the abrasive and a 2.5-inch glass substrate for the magnetic disk was used as the magnetic disk substrate.
<洗浄性−4の評価方法>
磁気ディスク用基板として2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は洗浄性−1と同様にして評価した。
<Evaluation method of detergency-4>
Evaluation was performed in the same manner as in Detergency-1 except that a 2.5-inch glass substrate for magnetic disk was used as the magnetic disk substrate.
<表面平坦性−1の評価方法>
20mlのガラス製容器に洗浄液を10ml採り、30℃に温調した後、Ni−Pメッキされた磁気ディスク用基板を2cm×2cmの大きさにカットした基板を入れ、30℃で20分間浸漬した後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄液を除去した後、室温下(25℃)、窒素でブローして基板を乾燥した。乾燥した基板表面の表面粗さ(Ra)を原子間力顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、E−Sweep)を用いて測定し、表面平坦性を評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ(Ra)は、0.12nmであった。
<Evaluation method of surface flatness-1>
After taking 10 ml of the cleaning solution in a 20 ml glass container and adjusting the temperature to 30 ° C., a Ni-P plated magnetic disk substrate cut into a size of 2 cm × 2 cm is placed and immersed at 30 ° C. for 20 minutes. Thereafter, the substrate was taken out using tweezers, rinsed thoroughly with ultrapure water to remove the cleaning solution, and then blown with nitrogen at room temperature (25 ° C.) to dry the substrate. The surface roughness (Ra) of the dried substrate surface was measured using an atomic force microscope (S-I Nano Technology Co., Ltd., E-Sweep) to evaluate the surface flatness. The surface roughness (Ra) of the substrate before the test was 0.12 nm.
<表面平坦性−2の評価方法>
基板として磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、表面平坦性−2と同様に評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ(Ra)は、0.10nmであった。
<Evaluation method of surface flatness-2>
Evaluation was made in the same manner as in the surface flatness-2 except that a magnetic disk glass substrate was used as the substrate. In addition, the surface roughness (Ra) of the substrate before the test was 0.10 nm.
<溶出したNi含量(エッチング性)の評価方法>
ポリプロピレン製容器に洗浄液100部を採り、その中に3.5インチのNi−Pメッキされた磁気ディスク用基板1枚を入れ、上部をポリ塩化ビニリデン製薄膜フィルムでラッピングして水分が蒸発しないように密閉し、23℃に温調された室内で12時間静置した。静置後、洗浄液を採取し、ICP発光分析装置(VARIAN社製、Varian730−ES)で洗浄液中のNi含量を測定した。尚、予め試験前の洗浄液についても同様にNi含量を測定しておき、その差を求めることで試験中に溶出したNi含量(ppm)を求めた。この溶出したNi含量が多いほど、エッチング性が高い。
<Evaluation method of eluted Ni content (etching property)>
Put 100 parts of cleaning solution in a polypropylene container, put one 3.5-inch Ni-P plated magnetic disk substrate in it, and wrap the upper part with a thin film made of polyvinylidene chloride to prevent moisture from evaporating. And kept in a room adjusted to 23 ° C. for 12 hours. After standing, the cleaning liquid was collected, and the Ni content in the cleaning liquid was measured with an ICP emission spectrometer (Varian730-ES, manufactured by VARIAN). In addition, the Ni content (ppm) eluted during the test was calculated | required similarly by previously measuring Ni content also about the washing | cleaning liquid before a test, and calculating | requiring the difference. The greater the eluted Ni content, the higher the etching property.
<洗浄後基板の接触角−1の測定方法>
上記洗浄性−1で評価した直後の基板について全自動接触角計[協和界面科学(株)社製、PD−W]を用いて、水に対する接触角(25℃、1秒後)を測定した。
<Measurement Method of Contact Angle-1 of Substrate After Cleaning>
The contact angle (25 ° C., after 1 second) with respect to water was measured using a fully automatic contact angle meter [manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., PD-W] for the substrate immediately after the evaluation with the above-described detergency-1. .
<洗浄後基板の接触角−2の測定方法>
上記洗浄性−3で評価した直後の基板について全自動接触角計[協和界面科学(株)社製、PD−W]を用いて、水に対する接触角(25℃、1秒後)を測定した。
<Measuring method of contact angle-2 of substrate after cleaning>
The contact angle (25 ° C., 1 second) with respect to water was measured using a fully automatic contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., PD-W) for the substrate immediately after the evaluation in the above-described cleaning property-3. .
<洗浄液の接触角−1の測定方法>
3.5インチのNi−Pメッキされた磁気ディスク用基板に対する各洗浄液の接触角(25℃、1秒後)を、全自動接触角計[協和界面科学(株)社製、PD−W]を用いて測定した。
<Measurement Method of Contact Angle-1 of Cleaning Solution>
Fully automatic contact angle meter (PD-W, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) for each cleaning solution contact angle (25 ° C, after 1 second) to a 3.5-inch Ni-P plated magnetic disk substrate. It measured using.
<洗浄液の接触角−2の測定方法>
2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板に対する各洗浄液の接触角(25℃、1秒後)を、全自動接触角計[協和界面科学(株)社製、PD−W]を用いて測定した。
<Measurement method of cleaning liquid contact angle-2>
The contact angle (at 25 ° C., after 1 second) of each cleaning solution to a 2.5-inch magnetic disk glass substrate was measured using a fully automatic contact angle meter [Kyowa Interface Science Co., Ltd., PD-W]. .
<リンス性評価−1の評価方法>
ガラス製ビーカーに洗浄液100部を採り、その中に3.5インチのNi−Pメッキされた磁気ディスク用基板1枚を入れ、5分間静置した。静置後、基板を取り出し、自然乾燥した。乾燥した基板を、予めガラス製ビーカーに採っておいた超純水1,000部に5秒間浸積した後に直ちに取り出し自然乾燥した。下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄剤残渣を表面観察装置(VISION PSYTEC社製、VMX−4100Napier)で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス100(HED−STD−209D、米国連邦規格、1988年)のクリーンルーム内で実施した。また洗浄液、超純水は予め23℃に温調したものを用いた。
◎:ほとんど残留物無し。
○:ほとんど残留物ないが、微かに残留物が認められる。。
△:僅かに残留物がある。
×:残留物多い。
<Evaluation method of rinse property evaluation-1>
100 parts of the cleaning solution was taken in a glass beaker, and one 3.5-inch Ni-P plated magnetic disk substrate was placed therein and allowed to stand for 5 minutes. After standing, the substrate was taken out and naturally dried. The dried substrate was immersed in 1,000 parts of ultrapure water previously collected in a glass beaker for 5 seconds, and then immediately removed and naturally dried. According to the following evaluation criteria, the cleaning agent residue on the substrate surface was evaluated with a surface observation device (manufactured by VISION PSYTEC, VMX-4100Napier). This evaluation was performed in a clean room of class 100 (HED-STD-209D, US Federal Standard, 1988) to prevent contamination from the atmosphere. The cleaning liquid and ultrapure water used were temperature-controlled at 23 ° C. in advance.
A: Almost no residue.
○: Almost no residue, but a slight residue is observed. .
Δ: There is a slight residue.
X: Many residues.
<リンス性評価−2の評価方法>
基板として2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、リンス性評価−1と同様に評価した。
<Evaluation method of rinse property evaluation-2>
Evaluation was performed in the same manner as in the rinse property evaluation-1, except that a 2.5-inch glass substrate for a magnetic disk was used as the substrate.
表1〜表3から、本発明の洗浄剤は、洗浄後の磁気ディスク用基板表面に付着するパーティクルの除去性が極めて優れることがわる。また、適度なエッチング性を有するが、洗浄後の基板表面の平坦性にほとんど変化が無いことから、洗浄時に基板表面荒れを引き起こす心配がなく、基板表面に強固に付着したパーティクルについても非常に有効であることがわる。更に、本発明の洗浄剤は、洗浄後の基板表面の水の接触角を低くできることから、極めて清浄な基板表面を実現できるといった効果やリンス性が高いといった効果も奏することがわる。 From Tables 1 to 3, it can be seen that the cleaning agent of the present invention is extremely excellent in removing particles adhering to the magnetic disk substrate surface after cleaning. In addition, although it has an appropriate etching property, there is almost no change in the flatness of the substrate surface after cleaning, so there is no fear of causing substrate surface roughness during cleaning, and it is very effective for particles that adhere firmly to the substrate surface. It turns out that it is. Furthermore, since the cleaning agent of the present invention can reduce the contact angle of water on the surface of the substrate after cleaning, it is also possible to achieve an effect of realizing an extremely clean substrate surface and an effect of high rinsing properties.
本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板(アルミ基板及びガラス基板等)を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。 Since the cleaning agent of the present invention is excellent in the cleaning property of particles on the magnetic disk substrate, it can be effectively used as a cleaning agent in the process of producing a magnetic disk substrate (such as an aluminum substrate and a glass substrate).
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009105796A JP5575420B2 (en) | 2008-04-25 | 2009-04-24 | Magnetic disk substrate cleaning agent |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008115240 | 2008-04-25 | ||
JP2008115240 | 2008-04-25 | ||
JP2009105796A JP5575420B2 (en) | 2008-04-25 | 2009-04-24 | Magnetic disk substrate cleaning agent |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009280802A JP2009280802A (en) | 2009-12-03 |
JP5575420B2 true JP5575420B2 (en) | 2014-08-20 |
Family
ID=41451582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009105796A Expired - Fee Related JP5575420B2 (en) | 2008-04-25 | 2009-04-24 | Magnetic disk substrate cleaning agent |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5575420B2 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5711589B2 (en) * | 2010-03-31 | 2015-05-07 | 三洋化成工業株式会社 | Magnetic disk substrate cleaning agent |
JP5651044B2 (en) * | 2011-02-25 | 2015-01-07 | 四日市合成株式会社 | Polishing liquid |
JP5623318B2 (en) * | 2011-03-24 | 2014-11-12 | 第一工業製薬株式会社 | Detergent composition for precision parts |
MY182575A (en) * | 2012-09-29 | 2021-01-25 | Hoya Corp | Method for manufacturing glass substrate for magnetic disk, method for manufacturing magnetic disk, and cleaning liquid for cleaning glass substrate for magnetic disk |
TWI572711B (en) * | 2012-10-16 | 2017-03-01 | 盟智科技股份有限公司 | Cleaning composition for semiconductor manufacturing process and cleaning method |
WO2014175292A1 (en) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | Hoya株式会社 | Magnetic disk-use glass substrate fabrication method and magnetic disk fabrication method |
US20150344817A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | The Procter & Gamble Company | Water cluster-dominant boronic acid alkali surfactant compositions and their use |
JP2016037606A (en) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 三洋化成工業株式会社 | Detergent composition for electronic material, and production method for electronic material |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4326825B2 (en) * | 2002-03-27 | 2009-09-09 | Hoya株式会社 | Method for producing chemically strengthened glass substrate and method for producing glass substrate for information recording medium |
JP2007262262A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Sanyo Chem Ind Ltd | Gemini type surfactant |
JP2008045119A (en) * | 2006-07-18 | 2008-02-28 | Sanyo Chem Ind Ltd | Chemical agent for electronic material manufacturing process |
US8075697B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-12-13 | Fontana Technology | Particle removal method and composition |
CN101802161B (en) * | 2007-09-14 | 2013-11-06 | 花王株式会社 | Alkaline nonionic surfactant composition |
-
2009
- 2009-04-24 JP JP2009105796A patent/JP5575420B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009280802A (en) | 2009-12-03 |
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JP2014199688A (en) | Cleaning agent for magnetic disk substrate |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |