JP5571732B2 - 差動増幅器 - Google Patents
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Description
このような光伝送回路では、広帯域の電気信号を扱うため、信号周波数によって増幅動作での時間遅れが変化しない特性、すなわち群遅延特性において良好な平坦性を持つ差動増幅器が求められる。
また、Q12は、ベース端子が反転入力端子ICに接続され、コレクタ端子が負荷抵抗RL2を介してVCCに接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗RE2を介して電流源IS1の入力端子に接続されている。
そして、IS1の出力端子が接地電位(供給電位)VEEに接続されている。
また、Q12は、ベース端子が反転入力端子ICに接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗RE2を介して電流源IS1の入力端子に接続されている。
また、Q22は、ベース端子がQ12のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が負荷抵抗RL2を介してVCCに接続され、エミッタ端子が電流源IS2の入力端子に接続されている。
また、Q14は、ベース端子がQ22のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子がVCCに接続され、エミッタ端子が帰還抵抗RF2を介してQ12のコレクタ端子に接続されている。
そして、IS1,IS2の出力端子がそれぞれ接地電位(供給電位)VEEに接続されている。
第6のトランジスタは、ベース端子が第4のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が電源電位に接続され、エミッタ端子が第2の帰還抵抗を介して第2のトランジスタのコレクタ端子に接続されている。
[第1の実施の形態]
まず、図1を参照して、本発明の第1の実施の形態にかかる差動増幅器について説明する。図1は、第1の実施の形態にかかる差動増幅器の構成を示す回路図である。
この差動増幅器10には、差動トランジスタ対をなすトランジスタ(第1のトランジスタ)Q11と,トランジスタ(第2のトランジスタ)Q12と、出力端子が接地電位(供給電位)VEEに接続された電流源IS1とが設けられている。
また、Q12は、ベース端子が反転入力端子ICに接続され、コレクタ端子が負荷抵抗(第2の負荷抵抗)RL2を介してVCCに接続され、エミッタ端子が誘導素子LE2を介して電流源IS1の入力端子に接続されている。
したがって、このような特性を持つLE1,LE2をQ11,Q12のエミッタ端子とIS1との間に挿入されると、高周波領域においてエミッタ抵抗の値が大きくなることから、ピーキング現象とは逆に、信号周波数が高くなるにしたがって、差動増幅器の利得が低下する。
図3と図4を比較すると、図3では、周波数によって差動入力信号の位相にばらつきが発生しているが、図4では、位相がほぼ一定の良好な出力波形が得られている。
このように、本実施の形態は、入力端子から入力された差動入力信号を増幅する差動トランジスタ対のエミッタ抵抗として、誘導素子を用いているので、信号周波数が高くなるにしたがって、差動増幅器の利得を低下させることができる。したがって、高周波領域で発生する過剰なピーキング現象によって劣化した群遅延特性が改善されるため、結果として、広い周波数帯域にわたって時間遅れの変動幅を抑制でき、群遅延特性において良好な平坦性を得ることができる。
次に、図5を参照して、本発明の第2の実施の形態にかかる差動増幅器について説明する。図5は、第2の実施の形態にかかる差動増幅器の構成を示す回路図である。
本実施の形態では、差動増幅器の他の構成として、ボルテージフォロワを用いた差動増幅器20について説明する。
また、Q12は、ベース端子が反転入力端子ICに接続され、エミッタ端子が誘導素子(第2の誘導素子)LE2を介してIS1の入力端子に接続されている。
また、Q21は、ベース端子がQ11のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が負荷抵抗(第1の負荷抵抗)RL1を介して電源電位VCCに接続され、エミッタ端子がIS2の入力端子に接続されている。
また、Q22は、ベース端子がQ12のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が負荷抵抗(第2の負荷抵抗)RL2を介してVCCに接続され、エミッタ端子がIS2の入力端子に接続されている。
また、Q14は、ベース端子がQ22のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子がVCCに接続され、エミッタ端子が帰還抵抗(第2の帰還抵抗)RF2を介してQ12のコレクタ端子に接続されている。
したがって、このような特性を持つLE1,LE2をQ11,Q12のエミッタ端子とIS1との間に挿入されると、高周波領域においてエミッタ抵抗の値が大きくなることから、ピーキング現象とは逆に、信号周波数が高くなるにしたがって、差動増幅器の利得が低下する。
このように、本実施の形態は、入力端子から入力された差動入力信号を増幅する差動トランジスタ対のエミッタ抵抗として、誘導素子を用いているので、信号周波数が高くなるにしたがって、差動増幅器の利得を低下させることができる。したがって、高周波領域で発生する過剰なピーキング現象によって劣化した群遅延特性が改善されるため、結果として、広い周波数帯域にわたって時間遅れの変動幅を抑制でき、群遅延特性において良好な平坦性を得ることができる。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。
Claims (1)
- 非反転入力端子および反転入力端子から入力された差動入力信号を増幅する差動増幅器であって、
差動トランジスタ対をなす第1および第2のトランジスタと、差動トランジスタ対をなす第3および第4のトランジスタと、差動トランジスタ対をなす第5および第6のトランジスタと、出力端子がそれぞれ供給電位に接続された第1および第2の電流源とを備え、
前記第1のトランジスタは、ベース端子が前記非反転入力端子に接続され、エミッタ端子が第1の誘導素子を介して前記第1の電流源の入力端子に接続されており、
前記第2のトランジスタは、ベース端子が前記反転入力端子に接続され、エミッタ端子が第2の誘導素子を介して前記第1の電流源の入力端子に接続されており、
前記第3のトランジスタは、ベース端子が前記第1のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が第1の負荷抵抗を介して電源電位に接続され、エミッタ端子が前記第2の電流源の入力端子に接続されており、
前記第4のトランジスタは、ベース端子が前記第2のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が第2の負荷抵抗を介して前記電源電位に接続され、エミッタ端子が前記第2の電流源の入力端子に接続されており、
前記第5のトランジスタは、ベース端子が前記第3のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が前記電源電位に接続され、エミッタ端子が第1の帰還抵抗を介して前記第1のトランジスタのコレクタ端子に接続されており、
前記第6のトランジスタは、ベース端子が前記第4のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子が前記電源電位に接続され、エミッタ端子が第2の帰還抵抗を介して前記第2のトランジスタのコレクタ端子に接続されている
ことを特徴とする差動増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012093648A JP5571732B2 (ja) | 2012-04-17 | 2012-04-17 | 差動増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012093648A JP5571732B2 (ja) | 2012-04-17 | 2012-04-17 | 差動増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013223109A JP2013223109A (ja) | 2013-10-28 |
JP5571732B2 true JP5571732B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=49593790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012093648A Active JP5571732B2 (ja) | 2012-04-17 | 2012-04-17 | 差動増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5571732B2 (ja) |
Family Cites Families (12)
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WO2006085238A1 (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Nxp B.V. | Receiver comprising an amplifier |
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-
2012
- 2012-04-17 JP JP2012093648A patent/JP5571732B2/ja active Active
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