JP5566935B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 135
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 117
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 98
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 296
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 19
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 12
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- ATTFYOXEMHAYAX-UHFFFAOYSA-N magnesium nickel Chemical compound [Mg].[Ni] ATTFYOXEMHAYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 101150013335 img1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150071665 img2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/842—Containers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
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- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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Description
他の実施形態に係る発光装置は、第1領域とこれに囲まれた第2領域とを含み、第1領域の面積は第2領域の面積と比較してより大きい光透過層と、第1及び第2領域のうち第2領域と重なり合い、第2領域に接着された発光部とを具備している。光透過層は、互いに向き合った第1及び第2基板と、第1及び第2基板間に介在し、印加する電圧の大きさに応じて光学特性が変化する光学可変層と、第1及び第2基板間に介在した1つ以上の第1電極と、第1及び第2基板間に介在し、1つ以上の第1電極と共に光学可変層に電圧を印加する第2電極とを備えている。光透過層は、その少なくとも一部において、可視域内の或る波長の光に対する透過率が、1つ以上の第1電極の各々と第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成されている。発光部は、上記波長の光を透過させる。第2領域と発光部との間に、ゴム状弾性を有し、前記波長の光を透過させる弾性層を更に具備する。
基板111及び121は、光透過性基板、例えば透明基板である。基板111及び121は、典型的には、可視域内の全波長の光に対して光透過性を示す。例えば、基板111及び121は、可視域内の全波長の光に対して透明である。基板111及び121は、無色であってもよく、着色していてもよい。
絶縁基板211は、光透過性基板、例えば透明基板である。絶縁基板は、典型的には、可視域内の全波長の光に対して光透過性を示す。例えば、絶縁基板は、可視域内の全波長の光に対して透明である。絶縁基板211は、無色であってもよく、着色していてもよい。絶縁基板211は、例えば、ガラス、石英及び樹脂などの絶縁体からなる。通常、樹脂からなる絶縁基板は、ガラス又は石英からなる絶縁基板と比較して軽量である。また、樹脂を使用すると、絶縁基板をフレキシブルにすることができる。絶縁基板は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
高分子フィルムは、光透過性フィルム、例えば透明フィルムである。高分子フィルムは、典型的には、可視域内の全波長の光に対して光透過性を示す。例えば、高分子フィルムは、可視域内の全波長の光に対して透明である。高分子フィルムは、無色であってもよく、着色していてもよい。
例えば、この発光装置WMは、タッチパネルを更に含んでいてもよい。タッチパネルは、例えば、光透過層1及び発光部2の一方又は双方を少なくとも部分的に覆うように設置する。
なお、透明な状態及び鏡面反射性の状態は、電圧印加を停止しても保たれる。
(例1)
図1乃至図4を参照しながら説明したのとほぼ同様の発光装置WMの作成を示す。なお、ここでは、フレーム4は省略する。
基板211としては、ポリエチレンテレフタレートフィルムを使用し、基板211上に、薄膜トランジスタなどを含んだ回路とITOからなる陽極212とを形成し、更に、樹脂からなる隔壁絶縁層213を形成する。次いで、陽極212上に、インクジェット法により、PEDOT(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン))とPSS(ポリエチレンスルフォン酸)との混合物からなる正孔注入層214Hと、青、緑及び赤色の発光層214Aとを順次形成する。正孔注入層214Hと発光層214Aとからなる活性層214上に、銀とマグネシウムの合金を蒸着して陰極215を得る。陰極215は、発光部2が透明になるように、陽極212の列に対応してストライプ状に形成し、次いで、その上に、一方の主面にガスバリア膜を形成したポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネートし、これによって得られた構造の周囲を透明なエポキシ樹脂で封止する。
光学調整層3を省略したこと以外は、例1において示したのと同様の発光装置を製造する。このようにして得られた発光装置について、エレクトロクロミック調光装置1を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
光透過層1として、エレクトロクロミック調光装置1を使用する代わりに、透過率が50%のスモークガラスを使用する。これ以外は、例1と同様の発光装置WMを製造する。このようにして得られる発光装置WMについて、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、透過画像を優れた視認性で観察することができる。
光学調整層3を省略すること以外は、例2と同様の発光装置を製造する。このようにして得られた発光装置について、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
図1乃至図4を参照しながら説明したのとほぼ同様の発光装置WMを製造した。ここでは、フレーム4は省略し、また、エレクトロクロミック調光装置1の代わりに、図8に示す調光ガラス1''を使用する。
基板211としては、ポリエチレンテレフタレートフィルムを使用し、基板211上に、薄膜トランジスタなどを含んだ回路とITOからなる陽極212とを形成し、更に、樹脂からなる隔壁絶縁層213を形成する。次いで、陽極212上に、インクジェット法により、PEDOTとPSSとの混合物からなる正孔注入層214Hと、青、緑及び赤色の発光層214Aとを順次形成する。
その後、これによって得られる構造の周囲を透明なエポキシ樹脂で封止する。
光学調整層3を省略したこと以外は、例3と同様の発光装置を製造する。このようにして得られた発光装置について、調光ガラス1''を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
調光ガラス1''に対する有機EL表示装置2の相対位置を、図9を参照しながら説明したように変更し、光学調整層3を省略すること以外は、例3とほぼ同様の発光装置WMを製造する。ここでは、調光ガラス1''と有機EL表示装置2とを貼り合わせてなる構造は、金属製のフレーム4に支持させる。
調光ガラス1''及び有機EL表示装置2の寸法を同一とすること以外は、例4と同様の発光装置を製造する。このようにして得られる発光装置の両主面間に温度差を与えたところ、有機EL表示装置2は、その縁の近傍において、表示不良を比較的短い期間内に高い頻度で生じる。
封止に透明なエポキシ樹脂を使用する代わりに、エポキシ樹脂と黒色顔料との混合物を使用すること以外は、例1と同様の有機EL表示装置2を製造する。この混合物に占める黒色顔料の割合は、有機EL表示装置2の中央から端へ向けて減少させる。
封止にエポキシ樹脂と黒色顔料との混合物を使用する代わりに、透明なエポキシ樹脂を使用すること以外は、例5と同様の発光装置を製造した。このようにして得られる発光装置について、エレクトロクロミック調光装置1を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
光学調整層3を省略し、エレクトロクロミック調光装置1に以下の構成を採用すること以外は、例1と同様の発光装置を製造する。即ち、ここでは、エレクトロクロミック調光装置1の電極112を、第3部分A3において、第2部分A2の輪郭に沿った形状を各々が有している5つの帯状電極へとパターニングする。
電極112をパターニングしないこと以外は、例6と同様の発光装置を製造した。即ち、比較例1と同様の発光装置を製造した。
図1乃至図4を参照しながら説明したのとほぼ同様の発光装置WMを製造する。ここでは、フレーム4は省略する。また、ここでは、エレクトロクロミック調光装置1の代わりに、図7に示す調光ミラー装置1’を使用する
具体的には、調光ミラー装置1’の製造においては、まず、基板111してガラス基板を準備し、その上に電極112としてITO層を形成する。次いで、電極112上に、室温のもと、マグネトロンスパッタ装置を用いて、イオン貯蔵層141、固体電解質層142、バッファ層143、触媒層144、エレクトロクロミック層145及び電極122をこの順に形成する。イオン貯蔵層141としてはWO3層を形成し、固体電解質層142としてはTa2O3層を形成し、バッファ層143としてはアルミニウム層を形成し、触媒層144としてパラジウム層を形成し、エレクトロクロミック層145としてはマグネシウムニッケル合金層を形成し、電極122としてはITOを形成する。その後、これらを間に挟んで基板111とガラスからなる基板121と重ね、この構造を封止する。
基板211としては、ポリカーボネートフィルムを使用し、基板211上に、薄膜トランジスタなどを含んだ回路とITOからなる陽極212とを形成し、更に、樹脂からなる隔壁絶縁層213を形成する。次いで、陽極212上に、インクジェット法により、PEDOTとPSSとの混合物からなる正孔注入層214Hと、青、緑及び赤色の発光層214Aとを順次形成する。
その後、これによって得られる構造の周囲を透明なエポキシ樹脂で封止する。
光学調整層3を省略すること以外は、例7と同様の発光装置を製造する。このようにして得られる発光装置について、調光ミラー装置1’を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
以下の有機EL表示装置2を使用すること以外は、例7と同様の発光装置WMを製造する。
その後、これによって得られる構造の周囲を透明なエポキシ樹脂で封止する。
光学調整層3を省略したこと以外は、例8と同様の発光装置を製造する。このようにして得られる発光装置について、調光ミラー装置1’を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
以下のエレクトロクロミック調光装置1を使用すること以外は、例1と同様の発光装置WMを製造する。
光学調整層3を省略すること以外は、例9と同様の発光装置を製造する。このようにして得られる発光装置について、エレクトロクロミック調光装置1を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
有機EL表示装置2の代わりに、以下の有機EL装置2を使用すること以外は、例7と同様の発光装置WMを製造する。
その後、これによって得られる構造の周囲を透明なエポキシ樹脂で封止する。
光学調整層3を省略すること以外は、例10と同様の発光装置を製造した。このようにして得られる発光装置について、調光ミラー装置1’を透明な状態とし、有機EL表示装置2を非発光状態として、透過画像を観察する。その結果、明るさが大きく異なる領域の境界線が透過画像と重なり合い、透過画像を優れた視認性で観察することはできない。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載していた発明を付記する。
[1]
第1及び第2領域とそれらの間に介在した第3領域とを含んだ光透過層と、
前記第2領域と又は前記第2及び第3領域と重なり合った発光部と
を具備した発光装置であって、
前記発光装置のうち前記第1領域に対応した第1部分は、可視域内の或る波長の光を第1透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第2領域に対応した第2部分は、前記発光部による発光を生じ且つ前記波長の光を前記第1透過率よりも低い第2透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第3領域に対応した第3部分は、前記波長の光に対する透過率が前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有するように構成された発光装置。
[2]
前記光透過層は、
互いに向き合った第1及び第2基板と、
前記第1及び第2基板間に介在し、印加する電圧の大きさに応じて光学特性が変化する光学可変層と、
前記第1及び第2基板間に介在した1つ以上の第1電極と、
前記第1及び第2基板間に介在し、前記1つ以上の第1電極と共に前記光学可変層に前記電圧を印加する第2電極と
を備え、前記光透過層の少なくとも一部において、可視域内の或る波長の光に対する透過率が、前記1つ以上の第1電極の各々と前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成された[1]に記載の発光装置。
[3]
前記光透過層は、前記波長の光に対する前記第3領域の透過率が、前記第1電極の少なくとも1つと前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成され、
前記発光装置は、前記波長の光に対する前記第3部分の透過率が、前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少するように、前記第1電極の少なくとも1つと前記第2電極との間への電圧の印加を制御する[2]に記載の発光装置。
[4]
前記第3部分に位置し、前記波長の光に対する透過率が前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有している光学調整層を更に具備した[1]又は[2]に記載の発光装置。
[5]
前記発光部は、
互いに向き合った第3及び第4基板と、
前記第3及び第4基板間に介在し、枠形状を有しているシール層と、
前記第3及び第4基板と前記シール層とによって囲まれた空間内に位置した1つ以上の発光素子と
を備え、
前記1つ以上の発光素子は前記第2部分内に位置し、前記シール層は前記第3部分内に位置している[1]乃至[4]の何れか1項に記載の発光装置。
[6]
第1領域とこれに囲まれた第2領域とを含み、前記第1領域の面積は前記第2領域の面積と比較してより大きい光透過層であって、互いに向き合った第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板間に介在し、印加する電圧の大きさに応じて光学特性が変化する光学可変層と、前記第1及び第2基板間に介在した1つ以上の第1電極と、前記第1及び第2基板間に介在し、前記1つ以上の第1電極と共に前記光学可変層に前記電圧を印加する第2電極とを備え、前記光透過層の少なくとも一部において、可視域内の或る波長の光に対する透過率が、前記1つ以上の第1電極の各々と前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成された光透過層と、
前記第2領域に接着され、前記波長の光を透過させる発光部と
を具備した発光装置。
[7]
前記光透過層は、前記第1及び第2領域間に介在した第3領域を更に含み、
前記発光装置のうち前記第1領域に対応した第1部分は、可視域内の或る波長の光を第1透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第2領域に対応した第2部分は、前記発光部による発光を生じ且つ前記波長の光を前記第1透過率よりも低い第2透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第3領域に対応した第3部分は、前記波長の光に対する透過率が前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有するように構成された[6]に記載の発光装置。
[8]
前記光透過層及び前記発光部を互いから分離した状態において、それらの各々の一方の主面を第1温度とし、他方の主面を第1温度とは異なる第2温度とした場合に、前記光透過層は前記発光部と比較して単位長さ当たりの反り量がより小さい[1]乃至[7]の何れか1項に記載の発光装置。
[9]
前記光透過層及び前記発光部の少なくとも一方は、窒素若しくは硼素置換グラフェン又は無置換グラフェンからなる透明電極を備えた[1]乃至[8]の何れか1項に記載の発光装置。
[10]
ゴム状弾性を有し、前記波長の光を透過させる弾性層を、前記第2領域と前記発光部との間に更に具備した[1]乃至[9]の何れか1項に記載の発光装置。
Claims (10)
- 第1及び第2領域とそれらの間に介在した第3領域とを含んだ光透過層と、
前記第2領域と又は前記第2及び第3領域と重なり合った発光部と
を具備した発光装置であって、
前記発光装置のうち前記第1領域に対応した第1部分は、可視域内の或る波長の光を第1透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第2領域に対応した第2部分は、前記発光部による発光を生じ且つ前記波長の光を前記第1透過率よりも低い第2透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第3領域に対応した第3部分は、前記波長の光に対する透過率が前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有するように構成された発光装置。 - 前記光透過層は、
互いに向き合った第1及び第2基板と、
前記第1及び第2基板間に介在し、印加する電圧の大きさに応じて光学特性が変化する光学可変層と、
前記第1及び第2基板間に介在した1つ以上の第1電極と、
前記第1及び第2基板間に介在し、前記1つ以上の第1電極と共に前記光学可変層に前記電圧を印加する第2電極と
を備え、前記光透過層の少なくとも一部において、可視域内の或る波長の光に対する透過率が、前記1つ以上の第1電極の各々と前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成された請求項1に記載の発光装置。 - 前記光透過層は、前記波長の光に対する前記第3領域の透過率が、前記第1電極の少なくとも1つと前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成され、
前記発光装置は、前記波長の光に対する前記第3部分の透過率が、前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少するように、前記第1電極の少なくとも1つと前記第2電極との間への電圧の印加を制御する請求項2に記載の発光装置。 - 前記第3部分に位置し、前記波長の光に対する透過率が前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有している光学調整層を更に具備した請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記発光部は、
互いに向き合った第3及び第4基板と、
前記第3及び第4基板間に介在し、枠形状を有しているシール層と、
前記第3及び第4基板と前記シール層とによって囲まれた空間内に位置した1つ以上の発光素子と
を備え、
前記1つ以上の発光素子は前記第2部分内に位置し、前記シール層は前記第3部分内に位置している請求項1乃至4の何れか1項に記載の発光装置。 - 第1領域とこれに囲まれた第2領域とを含み、前記第1領域の面積は前記第2領域の面積と比較してより大きい光透過層であって、互いに向き合った第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板間に介在し、印加する電圧の大きさに応じて光学特性が変化する光学可変層と、前記第1及び第2基板間に介在した1つ以上の第1電極と、前記第1及び第2基板間に介在し、前記1つ以上の第1電極と共に前記光学可変層に前記電圧を印加する第2電極とを備え、前記光透過層の少なくとも一部において、可視域内の或る波長の光に対する透過率が、前記1つ以上の第1電極の各々と前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成された光透過層と、
前記第1及び第2領域のうち前記第2領域と重なり合い、前記第2領域に接着され、前記波長の光を透過させる発光部と
を具備し、
前記光透過層は、前記第1及び第2領域間に介在した第3領域を更に含み、
前記発光装置のうち前記第1領域に対応した第1部分は、可視域内の或る波長の光を第1透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第2領域に対応した第2部分は、前記発光部による発光を生じ且つ前記波長の光を前記第1透過率よりも低い第2透過率で透過させ、
前記発光装置のうち前記第3領域に対応した第3部分は、前記波長の光に対する透過率が前記第1乃至第2透過率の範囲内で前記第1部分側の端から前記第2部分側の端へ向けて減少する透過率分布を有するように構成された発光装置。 - ゴム状弾性を有し、前記波長の光を透過させる弾性層を、前記第2領域と前記発光部との間に更に具備した請求項1乃至6の何れか1項に記載の発光装置。
- 第1領域とこれに囲まれた第2領域とを含み、前記第1領域の面積は前記第2領域の面積と比較してより大きい光透過層であって、互いに向き合った第1及び第2基板と、前記第1及び第2基板間に介在し、印加する電圧の大きさに応じて光学特性が変化する光学可変層と、前記第1及び第2基板間に介在した1つ以上の第1電極と、前記第1及び第2基板間に介在し、前記1つ以上の第1電極と共に前記光学可変層に前記電圧を印加する第2電極とを備え、前記光透過層の少なくとも一部において、可視域内の或る波長の光に対する透過率が、前記1つ以上の第1電極の各々と前記第2電極との間に印加する電圧の大きさ及び/又は向きに応じて変化するように構成された光透過層と、
前記第1及び第2領域のうち前記第2領域と重なり合い、前記第2領域に接着され、前記波長の光を透過させる発光部と
を具備し、
ゴム状弾性を有し、前記波長の光を透過させる弾性層を、前記第2領域と前記発光部との間に更に具備した発光装置。 - 前記光透過層及び前記発光部を互いから分離した状態において、それらの各々の一方の主面を第1温度とし、他方の主面を第1温度とは異なる第2温度とした場合に、前記光透過層は前記発光部と比較して単位長さ当たりの反り量がより小さい請求項1乃至8の何れか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過層及び前記発光部の少なくとも一方は、窒素若しくは硼素置換グラフェン又は無置換グラフェンからなる透明電極を備えた請求項1乃至9の何れか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068671A JP5566935B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 発光装置 |
KR1020120024948A KR101345493B1 (ko) | 2011-03-25 | 2012-03-12 | 발광 장치 |
CN201210065359.8A CN102694130B (zh) | 2011-03-25 | 2012-03-13 | 发光装置 |
US13/426,754 US8482022B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068671A JP5566935B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204184A JP2012204184A (ja) | 2012-10-22 |
JP5566935B2 true JP5566935B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=46859468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011068671A Expired - Fee Related JP5566935B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8482022B2 (ja) |
JP (1) | JP5566935B2 (ja) |
KR (1) | KR101345493B1 (ja) |
CN (1) | CN102694130B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5760913B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP5900954B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-04-06 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 反射型調光素子、該反射型調光素子を用いた反射型調光部材、及び、複層ガラス。 |
JP5836866B2 (ja) | 2012-03-30 | 2015-12-24 | 株式会社東芝 | 炭素電極とその製造方法およびそれを用いた光電変換素子 |
US10483104B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device |
CN103268723A (zh) * | 2013-05-15 | 2013-08-28 | 北京博如德工程技术研究有限公司 | 可动手组装的电致变色教具 |
WO2014209147A1 (en) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | Optogan - Organic Lighting Solutions, Llc (Optogan-Osr, Llc) | Organic light-emitting diode based n semiconductor quantum dots |
WO2014209148A1 (en) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | Optogan-Organic Lightning Solutions, Llc (Optogan-Osr, Llc) | Organic light-emitting diode for injection of the charge carriers |
DE102013106992A1 (de) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
KR102317449B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2021-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 거울 기능을 구비한 표시 장치 |
KR102327085B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI623137B (zh) * | 2015-06-03 | 2018-05-01 | 宏碁股份有限公司 | 透光電池以及觸控裝置 |
JP6575156B2 (ja) * | 2015-06-10 | 2019-09-18 | 凸版印刷株式会社 | 照明装置 |
CN107104192B (zh) * | 2017-04-14 | 2019-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 量子点显示器件及其制造方法 |
US10991781B2 (en) | 2017-05-29 | 2021-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device configured to switch between single-sided and double-sided display |
KR102317904B1 (ko) * | 2017-07-11 | 2021-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광필터링 기능을 구비한 조명장치 및 이를 이용한 자동차의 썬루프 |
TWI627777B (zh) * | 2017-07-26 | 2018-06-21 | 財團法人工業技術研究院 | 光學補償結構 |
CN111183357B (zh) | 2018-09-13 | 2022-09-02 | 株式会社东芝 | 含石墨烯膜的阴离子透过性评价方法和光电转换元件 |
CN110767693B (zh) * | 2018-12-14 | 2022-07-19 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示屏及显示终端 |
KR20200097383A (ko) * | 2019-02-07 | 2020-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 |
JP7360690B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-10-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 複合体および複合体の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155090A (ja) | 1989-11-10 | 1991-07-03 | Nikon Corp | 薄膜el素子 |
JP3329232B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2002-09-30 | 株式会社デンソー | 複合表示装置 |
KR100568403B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2006-04-05 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 포토마스크 및 마스크 데이터 작성방법 |
JP2004273243A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Denso Corp | 複合表示装置及び表示装置 |
JP4259142B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2009-04-30 | 株式会社デンソー | ディスプレイ装置 |
US7829907B2 (en) * | 2005-09-22 | 2010-11-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Organic light emitting element and method of manufacturing the same |
WO2008053537A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Panasonic Corporation | Image display apparatus |
JP2008210570A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
US20100148160A1 (en) * | 2007-05-18 | 2010-06-17 | Jie Cao | Organic electronic devices protected by elastomeric laminating adhesive |
JP2009099400A (ja) | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR101382836B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2014-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5380161B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2014-01-08 | 株式会社日立製作所 | 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011068671A patent/JP5566935B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-12 KR KR1020120024948A patent/KR101345493B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2012-03-13 CN CN201210065359.8A patent/CN102694130B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-22 US US13/426,754 patent/US8482022B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101345493B1 (ko) | 2013-12-27 |
CN102694130B (zh) | 2015-05-06 |
KR20120109305A (ko) | 2012-10-08 |
US8482022B2 (en) | 2013-07-09 |
JP2012204184A (ja) | 2012-10-22 |
US20120241796A1 (en) | 2012-09-27 |
CN102694130A (zh) | 2012-09-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131219 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140618 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |