JP5558466B2 - 金属製光グレイスケールマスクおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
1)基材の洗浄ステップ:半導体における通常の洗浄処理により、選別された透明基材を洗浄する。
2)金属薄膜の堆積ステップ:ステップ1)で洗浄した前記透明基材上に、Sn、InまたはInSn合金からなる膜厚が5nm〜100nmの範囲内の金属薄膜を堆積する。
3)ステップ2)で堆積した金属薄膜上に、あらかじめ設計されたグレイスケールパターンのビットマップファイルに基づき、パルスレーザーを用いて点毎に、または連続レーザーを用いて線毎に前記金属薄膜11に描画がなされるような直接描画法により実行されるレーザー直接描画法を用いたグレイスケールマスクを形成するステップ;ここで、レーザー出力と目的イメージにおけるグレイレベルとの間の対応関係が単調関数を示し、3次元構造の製造に必要な条件を満足するレーザー出力と目的グレイスケールイメージとの良好な対応関係が実現できるようにレーザーの出力を設定する。
本実施例の金属製グレイスケール光マスクは、透明基材12と、透明基材12の上に堆積されたSn金属薄膜11とを有し、図1に示す金属製グレイスケール光マスクは、レーザー直接描画法を用いてSn金属薄膜11を描画することにより製造され、透明基材12は石英ガラス製である。Sn金属薄膜の膜厚は5nmまたは20nmであり、描画の際には1〜5ミリワットのレーザー出力が用いられる。レーザーのパルス幅は230ナノ秒であり、サンプルの移動のステップは150nmである。図1に示す金属製グレイスケール光マスクは、Sn金属薄膜11の表面への直接描画または基材を透過させての直接描画により形成される。
図2aおよび2b参照。DCマグネトロンスパッタリングを用いて、洗浄した石英基材12の上に、膜厚が、例えば、50nmのIn金属薄膜11を堆積する。次いで、上述の膜厚に対応するレーザー出力を、それぞれ、0.3〜4ミリワット、1〜10ミリワット、または1〜70ミリワットとして、上述のレーザー直接描画法によりマスクを形成する。対応するレーザーのパルス幅は、それぞれ、100ナノ秒、1マイクロ秒、または1ミリ秒であり、サンプルステージの移動ステップは、それぞれ、50nm、200nmまたは300nmである。他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
図2b参照。ラジオ波マグネトロンスパッタリング法を用いて、膜厚2nmのCr強化膜層を石英基材12の上に堆積し、次いで、例えば、膜厚5nm、20nmまたは100nmのInSn金属(原子比1:1)の金属薄膜11を堆積する。レーザー直接描画の際の、グレイスケールマスク製造のための(各膜厚に)対応するレーザー出力は、1〜5ミリワット、1〜4ミリワット、または1〜20ミリワットである。描画には、ライン間のステップが350nmである連続波レーザーを用いる。レーザー直接描画の終了後、ラジオ波マグネトロンスパッタリング法を用いて、ZnS−SiO2からなる保護層14を金属薄膜11の上に堆積し、ここで保護層14の膜厚は、100nmまたは200nmである。他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
図1a〜d、2a、2b、3a、3b、4aおよび4b参照。膜厚20nmのSn金属薄膜11を、洗浄した石英基材12の上に堆積する。マスクの製造工程の間、1〜4ミリワットのレーザー出力を使用し、パルス幅は1ミリ秒であり、サンプルの移動ステップは100nmである。図3aに示したグレイスケールストリップをマスクとして製造し、SU−8感光性レジスト上への3次元くさび形構造の製造に使用する。図3bは、図3aに示し、本実施例において製造したくさび形微細構造の輪郭である。この金属製グレイスケールマスクの他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
図2a参照。ラジオ波マグネトロンスパッタリング法を用いて、膜厚30nmのInSn金属薄膜11をガラス基材12の上に堆積する。ここで、InとSnのモル比は、1:9、2:8、4:6、7:3または9.5:0.5であってよい。グレイスケール光マスクの製造は、連続波レーザー直接描画により達成される。レーザー出力は、1〜10ミリワット、サンプルの移動速度は200ミクロン/秒、あるいはレーザー出力は2〜30ミリワット、サンプルの移動速度は10センチメートル/秒である。他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
図2bおよび5参照。ラジオ波マグネトロンスパッタリング法を用いて、膜厚20nmのIn金属薄膜11をガラス基材12の上に堆積する。グレイスケールマスクの製造の間、2〜8ミリワットのレーザー出力を使用し、レーザーのパルス幅は200ナノ秒であり、サンプルの移動ステップの大きさは150nmである。得られるマスクは複雑な(形状の)明るい領域を有するグレイスケールマスクである。次いで、金属薄膜11の表面上に、膜厚20nmのSiO2からなる保護層を堆積する。他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
図2a、2bおよび6参照。ラジオ波マグネトロンスパッタリング法を用いて、膜厚20nmのSn金属薄膜11を石英ガラス基材12の上に堆積する。グレイスケールマスクの製造工程の間、0.5〜3.75ミリワットのレーザー出力を使用し、レーザーのパルス幅は1ナノ秒であり、サンプルの移動ステップは200nmである。得られるマスクは5段階のグレイスケールを有している。図6には、レーザー出力とマスクの光学密度との関係を示す曲線と共に、非線型グレイスケールの較正の前後のグレイスケールマスクおよび製造された3次元微細構造を示しており、これらはグレイスケールの較正が有効であることを実証している。他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
図2a、2bおよび7参照。ラジオ波マグネトロンスパッタリング法を用いて、膜厚20nmのSn金属薄膜11を石英ガラス基材12の上に堆積する。レーザー出力は3〜8ミリワット、レーザーのパルス幅は230ナノ秒、サンプルの移動ステップは150nmである。他の製造工程は、実施例1中の対応する工程と同様である。
Claims (10)
- 透明基材(12)と、前記透明基材上に堆積されたSn、InまたはInSn合金薄膜からなる金属薄膜(11)の層とを含み、あらかじめ設計されたグレイスケールパターンのビットマップファイルに基づくレーザー直接描画法による処理を、前記金属薄膜(11)に対して空気中で完結させて形成した連続、アレイ状または任意の所望のグレイスケールパターンが前記金属薄膜(11)の上に形成されており、前記グレイスケールパターンのグレイスケール値が3.0OD〜0.05ODの範囲内であり、前記金属薄膜(11)の膜厚が5nm〜100nmの範囲内であることを特徴とする金属製グレイスケール光マスク。
- 前記透明基材(12)の上に配置された強化膜(13)の層をさらに含み、前記金属薄膜(11)の層は前記強化膜(13)の上に堆積されており、前記強化膜(13)は、金属CrまたはTiからなり、かつ膜厚が5nm以下であることを特徴とする請求項1記載の金属製グレイスケール光マスク。
- 透明保護層(14)をさらに含み、前記透明保護層(14)は、レーザーで直接描画された後に前記金属薄膜(11)の上に配置され、前記透明保護層(14)は、工業規格に適合するZnS−SiO2、SiO2またはGeNy(0.5<y<1)からなり、前記透明保護層(14)の膜厚が10〜200nmの範囲内であることを特徴とする請求項1記載の金属製グレイスケール光マスク。
- 強化膜(13)の層および透明保護層(14)をさらに含み、前記強化膜(13)は前記透明基材(12)の上に配置され、前記金属薄膜(11)の層は前記強化膜(13)の上に堆積されており、前記強化膜(13)は、金属CrまたはTiからなり、かつ膜厚が5nm以下であり、前記透明保護層(14)は、レーザーで直接描画された後に前記金属薄膜(11)の上に堆積され、前記透明保護層(14)は、工業規格に適合するZnS−SiO2、SiO2またはGeNy(0.5<y<1)からなり、前記透明保護層(14)の膜厚が10〜200nmの範囲内であることを特徴とする請求項1記載の金属製グレイスケール光マスク。
- 前記透明基材(12)が、表面が平滑な、普通ガラス、石英ガラス、石英板、クラウンガラスまたはPC樹脂材料からなることを特徴とする請求項1記載の金属製グレイスケール光マスク。
- 下記のステップを有する金属製グレイスケール光マスクの製造方法。
1)基材の洗浄ステップ:半導体における通常の洗浄処理により、選別された透明基材(12)を洗浄する。
2)金属薄膜の堆積ステップ:薄膜堆積処理を用いて、ステップ1)で洗浄した前記透明基材(12)上に、Sn、InまたはInSn合金からなる膜厚が5nm〜100nmの範囲内の金属薄膜(11)を堆積する。
3)ステップ2)で堆積した金属薄膜上に、あらかじめ設計されたグレイスケールパターンのビットマップファイルに基づき、パルスレーザーを用いて点毎に、または連続レーザーを用いて線毎に前記金属薄膜(11)に描画がなされるような直接描画法により実行されるレーザー直接描画法を用いたグレイスケールマスクの形成ステップ;ここで、レーザー出力と目的イメージにおけるグレイレベルとの間の対応関係が単調関数を示し、3次元構造の製造に必要な条件を満足するレーザー出力と目的グレイスケールイメージとの良好な対応関係が実現できるようにレーザーの出力を設定し、レーザー直接描画法による処理を、前記金属薄膜(11)に対して空気中で完結させる。 - 2−1)薄膜堆積処理を用いて、前記透明基材(12)の上に強化膜(13)の層を堆積させるステップをさらに有し、前記強化膜(13)は膜厚が5nm以下であり、前記金属薄膜(11)の層は前記強化膜(13)の上に堆積されており、かつ前記強化膜(13)は金属CrまたはTiからなることを特徴とする請求項6記載の金属製グレイスケール光マスクの製造方法。
- 4)ステップ3)においてレーザーで直接描画された前記金属薄膜(11)の上に透明保護層(14)を堆積させるステップをさらに有し、前記透明保護層(14)は、工業規格に適合するZnS−SiO2、SiO2またはGeNy(0.5<y<1)からなり、その膜厚は10〜200nmの範囲内であることを特徴とする請求項6記載の金属製グレイスケール光マスクの製造方法。
- 下記のステップをさらに有することを特徴とする請求項6記載の金属製グレイスケール光マスクの製造方法。
2−1)薄膜堆積処理を用いて、前記透明基材(12)の上に強化膜(13)の層を堆積させるステップ:ここで、前記強化膜(13)は膜厚が5nm以下であり、前記金属薄膜(11)は前記強化膜(13)の上に堆積されており、かつ前記強化膜(13)はCrまたはTiからなる。
4)ステップ3)においてレーザーで直接描画された前記金属薄膜(11)の上に前記透明保護層(14)を堆積させるステップ:ここで、前記透明保護層(14)は、工業規格に適合するZnS−SiO2、SiO2またはGeNy(0.5<y<1)からなり、その膜厚は10〜200nmの範囲内である。 - 前記透明基材(12)が、表面が平滑な、普通ガラス、石英ガラス、石英板、クラウンガラスまたはPC樹脂材料からなることを特徴とする請求項6記載の金属製グレイスケール光マスクの製造方法。
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