JP5557387B2 - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents
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Description
そして、この活性層用ウエハ53を研削・研磨して薄膜化し、図8(b)に示すように活性層53とすることにより得ることができる。
このような課題に対し、半導体ウエハの研磨後に該研磨における研磨時間、目標膜厚値、半導体ウエハの研磨前の測定膜厚値及び研磨後の測定膜厚値から最適研磨時間を半導体ウエハの研磨毎に算出し、該研磨毎に算出した最適研磨時間を次回以降の半導体ウエハの研磨に適用し、前記1ロットの半導体ウエハの全枚数が終了するまで継続する研磨方法が知られている(例えば、特許文献1)。
一方、研磨精度を向上させるには、各ウエハに対し複数回の研磨や測定作業を実施することが好ましいが、その場合にはロット単位での処理時間が長くなり、生産性が低下するという課題があった。
尚、前記制御手段における研磨レートの更新は、前記研磨順が隣接する基板間の研磨レート差が0.1μm/min以内である場合に行うことが望ましい。
尚、前記制御ステップにおける研磨レートの更新は、前記研磨順が隣接する基板間の研
磨レート差が0.1μm/min以内である場合に行うことが望ましい。
図示する研磨装置1は、例えば、ロット単位で処理される複数枚のSOIウエハW(以下、単にウエハWと呼ぶ)を被処理基板とし、この被処理基板を研磨する装置である。より具体的には、各ウエハWの表面に形成された被処理膜である活性層(SOI層)を連続して研磨し、所定の膜厚とするための装置である。
尚、膜厚測定部6において膜厚測定されたウエハWは、全て一旦カセット5に戻される。
また、測定部2は、膜厚測定されたウエハWが収容されたカセット5を研磨部3に搬送するための搬送ロボット10を備えている。
この研磨部3は、前記測定部2と同様に、制御部20によって、その動作が制御されるように構成されている。
測定部2における膜厚測定部6は、カセット5に収容された各ウエハWに対し、例えば反射分光膜厚計(近赤外光(波長900nm〜1600nm))を用いて、その活性層の初期膜厚(研磨前膜厚)を測定するものである。
尚、ウエハ面内においては、活性層の厚さに微少なばらつきがあるため、例えば、9つの測定ポイント(例えば、ウエハ中心、R(直径)/2、外周部(外周から3mm):図9参照)が設定されて各ポイントの膜厚測定が行われ、その測定結果が制御部20に出力される。
制御部20では、それら測定値の平均値又は測定した9点における(最大値+最小値)/2で得られる値が、活性層の初期膜厚値となされる。また、測定が終了したウエハWは一旦、カセット5に戻される。
定盤14aには研磨布が設けられ、この定盤14aに対向して研磨ヘッド14bが回転可能に配置されている。
この第1研磨部14においてウエハWを研磨する際には、制御部20により予め定められた基礎研磨レートから算出された研磨時間により、定盤14a及び研磨ヘッド14bがそれぞれ所定回転数で回転され、1次研磨用の研磨剤(図示せず)が供給される。そして、ウエハWを保持する研磨ヘッド14bが定盤14aの研磨布に対して所定圧で押圧され、前記測定した複数のウエハWの被処理膜に対し、研磨後の被処理膜の膜厚が目標値となるように連続して1次研磨が行われる。
尚、ウエハ面内においては、活性層の厚さに微少なばらつきがあるため、例えば、測定部2の膜厚測定部6と同じ9つの測定ポイント(例えば、図9参照)が設定されて各ポイントの膜厚測定が行われ、その測定結果が制御部20に出力される。
制御部20では、それら測定値の平均値、または測定した9点における(最大値+最小値)/2で得られる値が、1次研磨後の活性層の膜厚となされる。
また、膜厚測定部15は、研磨部3上に設けられた搬送路18に沿って移動自在となされており、後段の第2研磨部16に対し、膜厚測定後のウエハWを受け渡し可能に構成されている。
この第2研磨部16においてウエハWを研磨する際には、制御部20により予め設定された研磨時間に基づいて、定盤16a及び研磨ヘッド16bがそれぞれ所定回転数で回転され、仕上げ研磨用の研磨剤(図示せず)が供給される。そして、ウエハWを保持する研磨ヘッド16bが定盤16aに対して所定圧力で押圧され、仕上げ研磨が行われる。
図2、図3は、制御部20における制御手段の一例を説明するための模式図である。
制御部20は、膜厚測定部6により測定した初期膜厚、膜厚測定部15により測定した研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき、第1研磨部14で1次研磨された基板毎に前記1次研磨における実研磨レート(PL)を算出する(ステップS1)。次に、前記算出した実研磨レートに基づき、研磨順が隣接する基板間の研磨レート差(ΔPL)を算出する(ステップS2)。次に、前記算出した研磨レート差が所定の有効範囲内であるかどうかを判断する(ステップS3)。
前記ステップS3において前記算出した研磨レート差(ΔPL)が所定の有効範囲内である場合には前記1次研磨された直後の実研磨レートが有効なものとして研磨レートが更新されて適用され、前記適用された研磨レートと前記測定した次に1次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき新たに研磨時間を算出し、前記算出した研磨時間を次に1次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする(ステップS4−1参考)。
前記ステップS3において前記算出した研磨レート差(ΔPL)が所定の有効範囲を超える場合(例えば、図3中、ΔPL4−3の場合)には、前記1次研磨された直後の実研磨レートは更新されず(PL4ではなく)、前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える直前の実研磨レート(PL3)が適用され、前記適用された実研磨レート(PL3)と前記測定した次に1次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき新たに研磨時間を算出し、前記算出した研磨時間を次に1次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を行う(ステップS4−2参考)。
なお、ステップS4−2に示すように前記1次研磨された直後の実研磨レートが更新されない場合(例えば、PL4ではなくPL3が適用された場合)には、その次に1次研磨された基板の研磨レート差の算出は、前記更新されない実研磨レートは用いず(例えば、PL4は用いず)、前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える直前の実研磨レート(例えば、PL3)が適用され、前記研磨レート差が算出される(PL5−3)。
先ず、測定部2において、カセット5に収容された各ウエハWに対し、その活性層の初期膜厚(研磨前膜厚)が、例えば、ウエハ面内の9箇所を測定ポイント(図7参照)として、膜厚測定部6により測定される。そして、有効な各測定ポイントの測定データ(膜厚)の平均値、又は測定した9点における(最大値+最小値)/2で得られる値が算出され、その活性層の初期膜厚とされる(ステップS10:第1測定ステップ)。尚、測定終了したウエハWは、再びカセット5の同じ収容位置に戻される。
但し、搬入部カセット13から取り出される1枚目のウエハWに関しては、測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚の目標値との差分より目標研磨量を算出し、既知の研磨レート(基礎研磨レート)で除することで研磨時間を設定して1次研磨が行われる。
搬入部カセット13から順に取り出されるウエハWは、それぞれに設定された研磨時間に基づき、第1研磨部14において、活性層の1次研磨が施される(ステップS12:研磨ステップ)。
ステップS16において、前記研磨レート差が所定の有効範囲内である場合(Yes)であれば、前記1次研磨された直後の実研磨レートが有効なものとして研磨レートが更新されて適用され(ステップS17)、次に1次研磨するウエハWのステップS10で測定した初期膜厚と研磨後の膜厚の目標値の差分(研磨代)を前記適用された研磨レートで除することで、次のウエハWの1次研磨時間が算出され、ステップS11にフィードバックされる。(ステップS18)。
一方、算出された研磨レート差が所定の有効範囲内ではなく無効なもの、すなわち前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える場合(No)であれば、前記1次研磨された直後の実研磨レートは更新されず、次に1次研磨するウエハWに対して、前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える直前の有効な実研磨レートが適用され、(ステップS19)、次に1次研磨するウエハWのステップS10で測定した初期膜厚と研磨後の膜厚の目標値の差分(研磨代)を前記適用された研磨レートで除することで、次のウエハWの1次研磨時間が算出され、ステップS11にフィードバックされる(S14〜S19:制御ステップ)。
また、前記研磨レート差が所定の範囲を超える場合とは、例えば、人為的ミスによるウエハWと制御部20に取得されたデータの入れ違いがある場合や、研磨布の表面状況が変化(目詰まり等)した場合などがこれにあたる。
この仕上げ研磨では、先ず、研磨後測定部15での活性層の膜厚測定が終了したウエハWが、搬送路18を経由して第2研磨部16に搬送される。
この第2研磨部16による仕上げ研磨における研磨時間は、一定時間(例えば、2分以上15分以下)に設定されている。
仕上げ研磨が終了すると、ウエハWは搬出部カセット17に順次収容される。
すなわち、前記算出した研磨レート差のチェック(ステップS16)において、研磨レート差の比較を行い、研磨レート差が0.1μm/min以内である場合には、新たに算出された研磨レートが有効なもの(Yes)として研磨レートを更新し(ステップS17)、前記研磨レート差が0.1μm/minを超える場合には、当該研磨レートは更新されず、次に1次研磨するウエハWに対して、直前の有効な研磨レートを適用する(ステップS19)ことが好ましい。
このような構成とすることで、より高精度な研磨を行うことができる。
通常、上述したような連続して研磨する研磨装置では、1次研磨終了直後に当該1次不良品を排除することが難しいため、連続研磨終了後、すなわち、搬出部カセット17に収容後、容易に排除できるように手段(ステップ)を講じることが好ましい。
実施例では、図4に示すフロー図に基づき、サンプルとして10枚のSOIウエハの活性層の研磨を連続して行い、研磨レートの変動量、目標値からの膜厚ずれ量を測定した。なお、このときのステップS16における研磨レート差の所定の有効範囲は0.1μm/min以内で行った。
図5に、実施例における連続するウエハ間での研磨レートの変動量及び目標値からの膜厚ずれ量をプロットした図を示す。
図5に示すように、活性層膜厚の目標値からのずれ量も全てのウエハについて±0.1μm未満の範囲となることが認められた。
比較例では、図4に示すフロー図のうち、ステップS15〜S17、S19を行わないで、ステップS14にて算出された研磨レートと前記測定した次に1次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき新たに研磨時間を算出し、前記算出した研磨時間を次に1次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする(ステップS18)フローにて、サンプルとして10枚のSOIウエハの活性層の研磨を連続して行い、研磨レートの変動量、目標値からの膜厚ずれ量を測定した。
図6に、比較例における連続するウエハ間での研磨レートの変動量及び目標値からの膜厚ずれ量をプロットした図を示す。
図6に示すように、ステップS15〜S17、S19を行わない場合、研磨前半では活性層膜厚の目標値からのずれ量も全てのウエハについて±0.1μm未満の範囲であるが後半(サンプルNo.7以降)において、研磨後膜厚と目標値とのずれ量が大きくなることが認められた。
2 測定部
3 研磨部
5 カセット
6 膜厚測定部(初期膜厚測定手段)
10 搬送ロボット
13 搬入部カセット
14 第1研磨部(第1研磨手段)
15 膜厚測定部(研磨後膜厚測定手段)
16 第2研磨部(第2研磨手段)
17 搬出部カセット
20 制御部(制御手段)
W SOIウエハ(被処理基板)
Claims (4)
- 複数の被処理基板に対し、連続して各基板の表面に形成された被処理膜を研磨する研磨装置であって、
前記各基板における被処理膜の初期膜厚を測定する初期膜厚測定手段と、
前記測定した複数の基板の被処理膜を、予め定められた基礎研磨レートから算出された研磨時間により、研磨後の被処理膜の膜厚が目標値となるように連続して1次研磨する第1研磨手段と、
前記1次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する研磨後膜厚測定手段と、
前記測定した初期膜厚、研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記1次研磨された基板毎に前記1次研磨における実研磨レートを算出し、前記算出した実研磨レートに基づき研磨順が隣接する基板間の研磨レート差を算出し、前記算出した研磨レート差が所定の有効範囲内である場合には前記1次研磨された直後の実研磨レートが有効なものとして研磨レートが更新されて適用され、前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える場合には前記1次研磨された直後の実研磨レートは更新されず前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える直前の実研磨レートが適用され、前記適用された研磨レートと前記測定した次に1次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき新たに研磨時間を算出し、前記算出した研磨時間を次に1次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を行う制御手段と、
前記初期膜厚測定手段における測定結果に基づき、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えるソート手段と、
を備え、
前記第1研磨手段では、前記並べ替えた初期膜厚の厚さ順に被処理膜を1次研磨することを特徴とする研磨装置。 - 前記制御手段における研磨レートの更新は、前記研磨順が隣接する基板間の研磨レート差が0.1μm/min以内である場合に行うことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 複数の被処理基板に対し、連続して各基板の表面に形成された被処理膜を研磨する研磨方法であって、
前記各基板における被処理膜の初期膜厚を測定する第1測定ステップと、
前記第1測定ステップにおける測定結果に基づき、連続して研磨される各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように前記複数の基板を前記初期膜厚の厚さ順に並べ替えるソートステップと、
前記測定した複数の基板の被処理膜を、前記並べ替えた初期膜厚の厚さ順に、予め定められた基礎研磨レートから算出された研磨時間により、研磨後の被処理膜の膜厚が目標値となるように連続して1次研磨する研磨ステップと、
前記1次研磨された研磨後の被処理膜の膜厚を測定する第2測定ステップと、
前記測定した初期膜厚、研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき前記1次研磨された基板毎に前記1次研磨における実研磨レートを算出し、前記算出した実研磨レートに基づき研磨順が隣接する基板間の研磨レート差を算出し、前記算出した研磨レート差が所定の有効範囲内である場合には前記1次研磨された直後の実研磨レートが有効なものとして研磨レートが更新されて適用され、前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える場合には前記1次研磨された直後の実研磨レートは更新されず前記研磨レート差が所定の有効範囲を超える直前の実研磨レートが適用され、前記適用された研磨レートと前記測定した次に1次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき新たに研磨時間を算出し、前記算出した研磨時間を次に1次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を行う制御ステップと、
を備えることを特徴とする研磨方法。 - 前記制御ステップにおける研磨レートの更新は、前記研磨順が隣接する基板間の研磨レート差が0.1μm/min以内である場合に行うことを特徴とする請求項3に記載の研磨方法。
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