JP5550136B2 - Photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser - Google Patents

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JP5550136B2 JP2010048496A JP2010048496A JP5550136B2 JP 5550136 B2 JP5550136 B2 JP 5550136B2 JP 2010048496 A JP2010048496 A JP 2010048496A JP 2010048496 A JP2010048496 A JP 2010048496A JP 5550136 B2 JP5550136 B2 JP 5550136B2
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本発明は、スクアリリウム化合物を含有することを特徴とする増感剤とそれを用いた青紫色半導体レーザー用感光性組成物に関する。   The present invention relates to a sensitizer containing a squarylium compound and a photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser using the sensitizer.

近年、露光光源にレーザー光を用いるリソグラフィー分野や印刷分野の研究が活発にされている。   In recent years, researches on lithography and printing using laser light as an exposure light source have been actively conducted.

レーザー光は、紫外から赤外までの種々の光源が知られているが、画像露光に利用できるレーザー光としては、アルゴンイオンレーザー、ヘリウムネオンレーザー、YAGレーザー、半導体レーザー等の可視から赤外領域の光を発するものが有力視されており、特に最近では、青紫色半導体レーザーが注目されている。   Various light sources from ultraviolet to infrared are known as laser light. Laser light that can be used for image exposure includes visible to infrared regions such as argon ion laser, helium neon laser, YAG laser, and semiconductor laser. The one that emits this light is regarded as promising, and recently, blue-violet semiconductor lasers have attracted attention.

しかしながら、青紫色領域で安定的に発振できる半導体レーザーが利用できるようになったものの、その出力が他の可視領域に比して低いこともあって、感光性組成物の感度が必ずしも十分とは言えず、直接描画法においてはもとよりリソグラフィー法においても実用化できるレベルには達していない問題があった。   However, although a semiconductor laser that can oscillate stably in the blue-violet region can be used, the sensitivity of the photosensitive composition is not necessarily sufficient because its output is lower than other visible regions. It cannot be said that there is a problem that has not reached a level that can be put into practical use not only in the direct drawing method but also in the lithography method.

青紫色半導体レーザーの波長領域(350nm〜450nm)での感光性組成物に用いる増感剤としては、ベンゾフェノン系化合物、クマリン系化合物、スクアリリウム化合物が挙げられる(特許文献1,2)。
しかしながら、これらの化合物では十分な感度が得られない欠点があった。
Examples of the sensitizer used for the photosensitive composition in the wavelength region (350 nm to 450 nm) of the blue-violet semiconductor laser include benzophenone compounds, coumarin compounds, and squarylium compounds (Patent Documents 1 and 2).
However, these compounds have a drawback that sufficient sensitivity cannot be obtained.

特開2004−086122号公報JP 2004-086122 A 特開2009−042491号公報JP 2009-024991 A

本発明の目的は、青紫色半導体レーザーに対して感度に優れた増感剤とそれを用いた青紫色半導体レーザー用感光性組成物を提供することである。   The objective of this invention is providing the sensitizer excellent in the sensitivity with respect to a blue-violet semiconductor laser, and the photosensitive composition for blue-violet semiconductor lasers using the same.

本発明者らは、鋭意検討をした結果、増感剤としてスクアリリウム化合物を用いた青紫色半導体レーザー用感光性組成物が上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies, the present inventors have found that a photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser using a squarylium compound as a sensitizer can solve the above problems, and have completed the present invention.

すなわち、本発明は以下に示すものである。   That is, the present invention is as follows.

第一の発明は、下記一般式(A)〜(D)で表されるスクアリリウム化合物イオンと、水素イオン又は遷移金属イオンとからなるスクアリリウム化合物を含有することを特徴とする増感剤である。   1st invention is a sensitizer characterized by including the squarylium compound which consists of a squarylium compound ion represented by the following general formula (A)-(D), and a hydrogen ion or a transition metal ion.

Figure 0005550136
(式(A)中、R〜Rは、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、RとR、RとR、RとR、RとRは連結して炭化水素環を形成してもよい。)
Figure 0005550136
(In formula (A), R 1 to R 6 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. And R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , and R 6 and R 1 may be linked to form a hydrocarbon ring.

Figure 0005550136
(式(B)中、Rは、水素又は置換基を有してもよいアルキル基であり、R〜R11は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、RとR、R10とR11は連結して炭化水素環を形成してもよい。)
Figure 0005550136
(In Formula (B), R 7 is hydrogen or an alkyl group that may have a substituent, and R 8 to R 11 have the same or different hydrogen, halogen atom, and substituent. Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, a cyanoalkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, an alkylsulfonic acid group, and R 8 and R 9 , R 10 and R 11 are linked to form a hydrocarbon ring. May be.)

Figure 0005550136
(式(C)中、R12〜R14は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示す。)
Figure 0005550136
(In the formula (C), R 12 to R 14 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. Group represents an alkylsulfonic acid group.)

Figure 0005550136
(式(D)中、R15〜R19は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、XはO、S、N−R20、C−R2122(R20〜R22は同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示す。)を示す。)
Figure 0005550136
(In the formula (D), R 15 to R 19 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. Group, an alkylsulfonic acid group, X is O, S, N—R 20 , C—R 21 R 22 (R 20 to R 22 may be the same or different and each has a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituent. An alkyl group, a halogenated alkyl group, a cyanoalkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, or an alkylsulfonic acid group.

第二の発明は、350nm〜450nmに分光感度の極大ピークを有することを特徴とする第一の発明に記載の増感剤である。   The second invention is the sensitizer according to the first invention, which has a maximum spectral sensitivity peak at 350 nm to 450 nm.

第三の発明は、第一又は第二の発明に記載の増感剤を含有することを特徴とする青紫色半導体レーザー用感光性組成物である。   The third invention is a photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser, characterized by containing the sensitizer described in the first or second invention.

第四の発明は、エチレン性不飽和化合物を含有することを特徴とする第三の発明に記載の青紫色半導体レーザー用感光性組成物である。   The fourth invention is the photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser according to the third invention, which contains an ethylenically unsaturated compound.

第五の発明は、光重合開始剤を含有することを特徴とする第三又は第四の発明に記載の青紫色半導体レーザー用感光性組成物である。   5th invention is a photosensitive composition for blue-violet semiconductor lasers as described in 3rd or 4th invention characterized by containing a photoinitiator.

第六の発明は、仮支持フィルム上に第三から第五の発明のいずれかに記載の青紫色半導体レーザー用感光性組成物の層が形成されてなることを特徴とする画像形成材料である。   A sixth invention is an image forming material comprising a layer of the blue-violet semiconductor laser photosensitive composition according to any one of the third to fifth inventions formed on a temporary support film. .

第七の発明は、被加工基板上に第六の発明に記載の画像形成材料が感光性組成物層側で積層されてなることを特徴とする画像形成材である。   A seventh invention is an image forming material, wherein the image forming material according to the sixth invention is laminated on the substrate to be processed on the photosensitive composition layer side.

本発明によれば、一般式(A)〜(D)で表されるスクアリリウム化合物を増感剤に用いることで、青紫色半導体レーザーに対し、優れた感度の青紫色半導体レーザー用感光性組成物を提供することができる。   According to the present invention, a photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser having excellent sensitivity to a blue-violet semiconductor laser is obtained by using the squarylium compounds represented by the general formulas (A) to (D) as sensitizers. Can be provided.

本発明の増感剤について説明する。   The sensitizer of the present invention will be described.

本発明の増感剤は、一般式(A)〜(D)で表されるスクアリリウム化合物と、水素イオン又は遷移金属イオンとからなるスクアリリウム化合物である。   The sensitizer of the present invention is a squarylium compound comprising a squarylium compound represented by general formulas (A) to (D) and a hydrogen ion or a transition metal ion.

Figure 0005550136
Figure 0005550136

一般式(A)中、R〜Rは、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、RとR、RとR、RとR、RとRは連結して炭化水素環を形成してもよい。 In general formula (A), R 1 to R 6 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 6 and R 1 may be linked to form a hydrocarbon ring.

Figure 0005550136
Figure 0005550136

一般式(B)中、Rは、水素又は置換基を有してもよいアルキル基であり、R〜R11は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、RとR、R10とR11は連結して炭化水素環を形成してもよい。 In general formula (B), R 7 is hydrogen or an alkyl group which may have a substituent, and R 8 to R 11 have the same or different hydrogen, halogen atom and substituent. Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, a cyanoalkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, an alkylsulfonic acid group, and R 8 and R 9 , R 10 and R 11 are linked to form a hydrocarbon ring. Also good.

Figure 0005550136
Figure 0005550136

一般式(C)中、R12〜R14は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示す。 In general formula (C), R 12 to R 14 may be the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. Group, an alkylsulfonic acid group.

Figure 0005550136
Figure 0005550136

一般式(D)中、R15〜R19は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、XはO、S、N−R20、C−R2122(R20〜R22は同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示す。)を示す。 In the general formula (D), R 15 to R 19 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. Group, an alkylsulfonic acid group, X is O, S, N—R 20 , C—R 21 R 22 (R 20 to R 22 may be the same or different and each has a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituent. An alkyl group, a halogenated alkyl group, a cyanoalkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, or an alkylsulfonic acid group.

遷移金属イオンとしては、ニッケルイオン、鉄イオン、銅イオン、コバルトイオン、亜鉛イオン、マグネシウムイオン等が挙げられ、特にニッケルイオンが好ましく挙げられる。   Examples of transition metal ions include nickel ions, iron ions, copper ions, cobalt ions, zinc ions, magnesium ions and the like, with nickel ions being particularly preferred.

上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。   As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned, Preferably a fluorine atom is mentioned.

上記置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基等の炭素数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられ、炭素数1〜10の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく挙げられる。   Examples of the alkyl group which may have a substituent include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, n- Examples thereof include straight-chain or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group and n-octadecyl group. Preferred are 10 linear or branched alkyl groups.

上記ハロゲン化アルキル基において、炭素数は1〜12の直鎖又は分岐のハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基のハロゲン原子としては、スクアリリウム化合物の感度や樹脂との相溶性を向上させる効果に優れる点から、特にフッ素原子、すなわちフッ化アルキル基が好ましい。   The halogenated alkyl group is a linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. The halogen atom of the halogenated alkyl group is particularly preferably a fluorine atom, that is, a fluorinated alkyl group, from the viewpoint of excellent effects of improving the sensitivity of the squarylium compound and the compatibility with the resin.

上記フッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、4,4,4−トリフルオロブチル基、5,5,5−トリフルオロペンチル基、6,6,6−トリフルオロヘキシル基、8,8,8−トリフルオロオクチル基、2−メチル−3,3,3−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロオクチル基、2−トリフルオロメチル−ペルフルオロプロピル基等が挙げられる。   Examples of the fluorinated alkyl group include trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 4,4,4-trifluorobutyl group, 5,5,5, 5-trifluoropentyl group, 6,6,6-trifluorohexyl group, 8,8,8-trifluorooctyl group, 2-methyl-3,3,3-trifluoropropyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl Group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, 2-trifluoromethyl-perfluoropropyl group and the like.

上記シアノアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖又は分岐のシアノアルキル基であることが好ましく、置換されているシアノ基の数は、1〜3個が好ましい。特に好ましくは、プロピオニトリル基、ブチロニトリル基、ペンチルニトリル基、1−メチルプロピオニトリル基、1−メチルブチロニトリル基等が挙げられる。   The cyanoalkyl group is preferably a linear or branched cyanoalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the number of substituted cyano groups is preferably 1 to 3. Particularly preferred are propionitrile group, butyronitrile group, pentylnitrile group, 1-methylpropionitrile group, 1-methylbutyronitrile group and the like.

上記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、2ーメトキシエトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシヘキシル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシプロピル基、プロポキシヘキシル基、ブトキシエチル基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルコキシ基が挙げられる。   As the alkoxy group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, 2-methoxyethoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, decyloxy group, methoxymethyl group, methoxyethyl group , Methoxypropyl group, methoxybutyl group, methoxyhexyl group, methoxyoctyl group, ethoxyethyl group, ethoxyethyl group, ethoxypropyl group, ethoxybutyl group, ethoxyhexyl group, ethoxyoctyl group, propoxymethyl group, propoxypropyl group, propoxy C1-C18 linear or branched alkoxy groups, such as a hexyl group and a butoxyethyl group, are mentioned.

上記フェニルアルキル基としては、アルキル基の炭素数が1〜8のものが好ましく、フェニル基は置換基を有してもよく、アルキル基、水酸基、スルホン酸基、アルキルスルホン酸基、ニトロ基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基及びハロゲンからなる群から少なくとも1種の置換基を有してもよい。また、フェニルアルキル基として、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニル−α−メチルプロピル基、フェニル−β−メチルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基等が挙げられる。   As said phenylalkyl group, the C1-C8 thing of an alkyl group is preferable, and a phenyl group may have a substituent, an alkyl group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, an alkylsulfonic acid group, a nitro group, You may have an at least 1 sort (s) of substituent from the group which consists of an amino group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, and a halogen. Examples of the phenylalkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, phenyl-α-methylpropyl group, phenyl-β-methylpropyl group, phenylbutyl group, and phenylpentyl group.

上記アルキルスルホン酸基としては、炭素数1〜6個のアルキルスルホン酸基が好ましい。具体例としては、メチルスルホン酸基、エチルスルホン酸基、プロピルスルホン酸基等が挙げられる。   As said alkylsulfonic acid group, a C1-C6 alkylsulfonic acid group is preferable. Specific examples include a methyl sulfonic acid group, an ethyl sulfonic acid group, and a propyl sulfonic acid group.

スクアリリウム化合物イオンの具体例(化学式(1)〜(24))を以下に示す。   Specific examples of the squarylium compound ions (chemical formulas (1) to (24)) are shown below.

Figure 0005550136
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Figure 0005550136
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本発明のスクアリリウム化合物は有機溶媒に対する溶解性が良好であり、青紫色半導体レーザーに対して感光性に優れる特徴を有している。   The squarylium compound of the present invention has a good solubility in an organic solvent and is excellent in photosensitivity to a blue-violet semiconductor laser.

次に、本発明の青紫色半導体レーザー用感光性組成物について説明する。   Next, the photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser of the present invention will be described.

本発明の青紫色半導体レーザー用感光性組成物は、一般式(A)〜(D)で表されるスクアリリウム化合物イオンと、水素イオン又は遷移金属イオンとからなるスクアリリウム化合物を含有する増感剤を少なくとも含有する特徴を有し、光重合開始剤とエチレン性不飽和化合物を混合させて重合させて得た青紫色半導体レーザー用感光性組成物である。   The photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser of the present invention comprises a sensitizer containing a squarylium compound comprising a squarylium compound ion represented by general formulas (A) to (D) and a hydrogen ion or a transition metal ion. It is a photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser having at least the characteristics to be contained and obtained by mixing and polymerizing a photopolymerization initiator and an ethylenically unsaturated compound.

必要に応じて、バインダー、添加剤(重合加速剤、熱重合禁止剤、可塑剤等)等を用いることができる。   A binder, an additive (a polymerization accelerator, a thermal polymerization inhibitor, a plasticizer, etc.) can be used as necessary.

光重合開始剤は、スクアリリウム化合物を含む増感剤との共存下で光照射されたときに、増感剤の光励起エネルギーを受け取って活性ラジカルを発生し、エチレン性不飽和化合物を重合に到らしめるラジカル発生剤であって、例えば、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物、チタノセン系化合物、ハロメチル化s−トリアジン誘導体、ハロメチル化1,3,4−オキサジアゾール誘導体、ジアリールヨードニウム塩、有機硼素酸塩、有機過酸化物等が挙げられる。青紫色レーザー用感光性組成物としての感度、基板に対する密着性及び保存安定性等の面から、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物、チタノセン系化合物が好ましく、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物が特に好ましく挙げられる。   The photopolymerization initiator, when irradiated with light in the presence of a sensitizer containing a squarylium compound, receives photoexcitation energy of the sensitizer and generates active radicals, leading to polymerization of the ethylenically unsaturated compound. Radical generators, for example, hexaarylbiimidazole compounds, titanocene compounds, halomethylated s-triazine derivatives, halomethylated 1,3,4-oxadiazole derivatives, diaryliodonium salts, organoborates, An organic peroxide etc. are mentioned. From the aspects of sensitivity as a blue-violet laser photosensitive composition, adhesion to a substrate and storage stability, hexaarylbiimidazole compounds and titanocene compounds are preferable, and hexaarylbiimidazole compounds are particularly preferable.

上記エチレン性不飽和化合物とは、青紫色半導体レーザー用感光性組成物が活性光線の照射を受けたときに、光重合開始剤を含む光重合開始系の作用により付加重合し、場合により架橋、硬化するようなラジカル重合性のエチレン性不飽和結合を分子内に少なくとも1個有する化合物である。   The ethylenically unsaturated compound is addition-polymerized by the action of a photopolymerization initiation system containing a photopolymerization initiator when the photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser is irradiated with actinic rays, and optionally cross-linked. It is a compound having at least one radical polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule that cures.

エチレン性不飽和化合物としては、エチレン性不飽和結合を分子内に1個有する化合物、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等の不飽和カルボン酸又はそのアルキルエステル、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、スチレン等が挙げられ、重合性や露光部と非露光部の現像液溶解性の差異を拡大できる等の点から、エチレン性不飽和結合を分子内に2個以上有する化合物であることが好ましく、また、その不飽和結合が(メタ)アクリロイルオキシ基に由来するアクリレート化合物が特に好ましく挙げられる。   Examples of the ethylenically unsaturated compound include compounds having one ethylenically unsaturated bond in the molecule, for example, unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, itaconic acid, citraconic acid, etc. Or its alkyl ester, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide, styrene, etc., and ethylenically unsaturated bond from the point of being able to expand the difference in polymer solubility and developer solubility between exposed and unexposed areas. Is preferably a compound having two or more in the molecule, and particularly preferably an acrylate compound whose unsaturated bond is derived from a (meth) acryloyloxy group.

バインダーとしては、例えば、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニルとエチレンとの共重合体、ポリスチレン、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール、ポリクロロプレン、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フェノールノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ビニルフェノールとメタクリル酸エステルとの共重合体、ポリエチレンオキサイド、ポリメチルイソプロペニルケトン、メタクリル酸エステルとフェニルイソプロペニルケトンとの共重合体、ポリウレタン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、アセチルセルロース、アセチルブチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニルカルバゾール、ビニルカルバゾールとスチレンとの共重合体、ビニルカルバゾールとメタクリル酸エステルとの共重合体、ビニルカルバゾールとアクリル酸エステルとの共重合体等が挙げられる。   Examples of the binder include polymethacrylic acid ester, polyacrylic acid ester, polyvinyl acetate, copolymer of vinyl acetate and ethylene, polystyrene, polyvinyl formal, polyvinyl butyral, polychloroprene, polyvinyl chloride, chlorinated polyethylene, and chlorine. Polypropylene, phenol novolac resin, polyvinyl phenol, copolymer of vinyl phenol and methacrylic acid ester, polyethylene oxide, polymethyl isopropenyl ketone, copolymer of methacrylic acid ester and phenyl isopropenyl ketone, polyurethane, polyamide, polycarbonate , Polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, acetylcellulose, acetylbutylcellulose, nitrocellulose, polyvinylcarbazo , Copolymers of vinyl carbazole and styrene, a copolymer of vinylcarbazole and methacrylic acid esters, copolymers of vinyl carbazole and acrylic acid esters.

重合加速剤としては、例えば、2−メルカプトベンゾチアゾール等が挙げられる。熱重合禁止剤としては、例えば、p−tert−ブチルカテコール、ハイドロキノン、クロラニル等が挙げられる。可塑剤としては、例えば、ジエチルヘキシルフタレート、ジイソブチルフタレート、トリクレシルホスフェート、ジエチルヘキシルセバケート、ジエチルヘキシルアジペート等が挙げられる。熱硬化性化合物としては、例えば、エポキシ基を少なくとも一つ以上有するメタクリレートモノマー又はアクリレートモノマー、エポキシ基を少なくとも一つ以上有するスチレンモノマー、他に反応性基を含まないポリグリシジル化合物等が挙げられ、さらにエポキシ基を二つ以上有するポリマー、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、エポキシ基含有共重合体等がそれぞれ挙げられる。   Examples of the polymerization accelerator include 2-mercaptobenzothiazole. Examples of the thermal polymerization inhibitor include p-tert-butylcatechol, hydroquinone, chloranil and the like. Examples of the plasticizer include diethyl hexyl phthalate, diisobutyl phthalate, tricresyl phosphate, diethyl hexyl sebacate, diethyl hexyl adipate, and the like. Examples of the thermosetting compound include a methacrylate monomer or acrylate monomer having at least one epoxy group, a styrene monomer having at least one epoxy group, and a polyglycidyl compound having no other reactive group. Further, polymers having two or more epoxy groups, such as phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, urethane modified epoxy resins, epoxy group-containing copolymers, etc., respectively Can be mentioned.

本発明の青紫色半導体レーザー用感光性組成物を製造する際に使用する溶剤としては、各成分に対して良好な溶解性又は良好な分散性を有していることが望まれ、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルソロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メタノール、エタノール、2−プロパノール、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサン、トルエン等が挙げられる。   As a solvent used when manufacturing the photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser of the present invention, it is desirable that the solvent has good solubility or good dispersibility with respect to each component. Cellosolve, ethyl cellosolve, butyl solosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl acetate, butyl acetate, methanol, ethanol, 2-propanol, N, N-dimethylformamide, dimethyl Examples include acetamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexane, and toluene.

本発明の青紫色半導体レーザー用感光性組成物における増感剤の使用量は、全組成物100質量部に対して、0.001〜5質量部が好ましく、0.01〜2質量部がより好ましく挙げられる。光重合開始剤は、増感剤1質量部に対して、0.1〜100質量部が好ましく、1〜50質量部がより好ましく挙げられる。エチレン性不飽和化合物は、増感剤1質量部に対して、2〜1000質量部が好ましく、20〜200質量部がより好ましく挙げられる。   0.001-5 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of all compositions, and, as for the usage-amount of the sensitizer in the photosensitive composition for blue-violet semiconductor lasers of this invention, 0.01-2 mass parts is more. Preferably mentioned. 0.1-100 mass parts is preferable with respect to 1 mass part of sensitizers, and 1-50 mass parts is mentioned more preferably with a photoinitiator. 2-1000 mass parts is preferable with respect to 1 mass part of sensitizers, and, as for an ethylenically unsaturated compound, 20-200 mass parts is mentioned more preferably.

本発明の青紫色半導体レーザー用感光性組成物の好ましい分光感度の極大ピークは、350〜450nmが好ましく、355〜440nmがさらに好ましく、360〜430nmが特に好ましく挙げられる。
350nm未満又は450nm超では、青紫色半導体レーザーに対する感度が低くなる欠点がある。
350-450 nm is preferable, as for the maximum peak of the preferable spectral sensitivity of the photosensitive composition for blue-violet semiconductor lasers of this invention, 355-440 nm is more preferable, 360-430 nm is mentioned especially preferable.
If it is less than 350 nm or more than 450 nm, there is a drawback that sensitivity to a blue-violet semiconductor laser is lowered.

本発明における分光感度の極大ピークとは、基板表面上に光硬化性組成物層を形成した光硬化性画像形成材試料を、分光感度測定装置を用い、キセノンランプの光源から分光した光を横軸方向に露光した後、現像処理することにより、各露光波長の感度に応じた画像が得られ、その画像高さから画像形成可能な露光エネルギーを算出し、横軸に波長、縦軸にその露光エネルギーの逆数をプロットすることにより得られる分光感度曲線における極大ピークを指す。   The maximum spectral sensitivity peak in the present invention refers to a photocurable image-forming material sample having a photocurable composition layer formed on a substrate surface, which is obtained by transversely dividing light obtained by spectrally measuring from a light source of a xenon lamp using a spectral sensitivity measuring device. After exposure in the axial direction, an image corresponding to the sensitivity of each exposure wavelength is obtained by developing, and the exposure energy that allows image formation is calculated from the height of the image. The maximum peak in the spectral sensitivity curve obtained by plotting the reciprocal of the exposure energy.

また、遷移金属塩のスクアリリウム化合物を用いることで、溶解度を向上させることができる。溶解させて用いる場合は、遷移金属塩のスクアリリウム化合物を用いると良い。   Moreover, solubility can be improved by using the squarylium compound of a transition metal salt. When dissolved and used, it is preferable to use a squarylium compound of a transition metal salt.

次に画像形成材料について説明する。   Next, the image forming material will be described.

画像形成材料は、通常、前記各成分を適当な溶剤に溶解させた塗布液として、仮支持フィルム上に塗布し乾燥させ、必要に応じて、作製した感光性組成物層表面を被覆フィルムで覆うことにより形成される。この様な画像形成材料としては、ドライフィルムレジスト材等が挙げられる。   The image forming material is usually applied onto a temporary support film as a coating solution in which the above-described components are dissolved in an appropriate solvent and dried. If necessary, the surface of the prepared photosensitive composition layer is covered with a coating film. Is formed. Examples of such an image forming material include a dry film resist material.

また、上記画像形成材料は、本発明の画像形成材を形成するのに用いることができる。
画像形成材料の感光性組成物層側を、被覆フィルムで覆われている場合にはその被覆フィルムを剥離して、被加工基板上に積層することにより作成する方法と、以下の手順で作成する方法がある。
(1)前記の青紫色レーザー感光性組成物の各成分を適当な溶剤に溶解させた塗布液とする。(2)被加工基板上に直接に塗布し乾燥させる。(3)被加工基板上に本発明のネガ型青紫色レーザー感光性組成物の層が形成される。
更に、画像形成材は、以下の画像形成方法に好適に用いられる。即ち、画像形成材の感光性組成物層を、例えば波長340〜430nmのレーザー光により走査露光し、現像処理して画像を現出させる。
The image forming material can be used to form the image forming material of the present invention.
When the photosensitive composition layer side of the image forming material is covered with a coating film, the coating film is peeled off and laminated on the substrate to be processed. There is a way.
(1) A coating solution is prepared by dissolving each component of the blue-violet laser-sensitive composition in an appropriate solvent. (2) Apply directly on the substrate to be processed and dry. (3) A layer of the negative blue-violet laser photosensitive composition of the present invention is formed on the substrate to be processed.
Furthermore, the image forming material is suitably used in the following image forming method. That is, the photosensitive composition layer of the image forming material is scanned and exposed with a laser beam having a wavelength of 340 to 430 nm, for example, and developed to reveal an image.

そのドライフィルムレジスト材等として用いられる場合における仮支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルム等の従来公知のフィルムが用いられる。その際、それらのフィルムがドライフィルムレジスト材の作製時に必要な耐溶剤性や耐熱性等を有しているものであるときは、それらの仮支持フィルム上に直接に感光性組成物塗布液を塗布し乾燥させてドライフィルムレジスト材を作製することができ、又、それらのフィルムが耐溶剤性や耐熱性等の低いものであっても、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルムや離型フィルム等の離型性を有するフィルム上にまず感光性組成物層を形成した後、その層上に耐溶剤性や耐熱性等の低い仮支持フィルムを積層し、しかる後、離型性を有するフィルムを剥離することにより、ドライフィルムレジスト材を作製することもできる。   As the temporary support film when used as the dry film resist material, a conventionally known film such as a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyamideimide film, a polypropylene film, or a polystyrene film is used. At that time, when those films have the solvent resistance, heat resistance, etc. necessary for the production of the dry film resist material, the photosensitive composition coating solution is directly applied on the temporary support film. It can be applied and dried to produce a dry film resist material, and even if those films have low solvent resistance, heat resistance, etc., for example, polytetrafluoroethylene film, release film, etc. First, a photosensitive composition layer is formed on a film having releasability, and then a temporary support film having low solvent resistance and heat resistance is laminated on the layer, and then the film having releasability is peeled off. By doing so, a dry film resist material can also be produced.

また、塗布液に用いられる溶剤としては、使用成分に対して十分な溶解度を持ち、良好な成膜性を与えるものであれば特に制限はないが、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のプロピレングリコール系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、酪酸エチル、酪酸ブチル、ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチル、エチル−2−ヒドロキシブチレート、エチルアセトアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル等のエステル系溶剤、メタノール、イソプロパノール、ヘプタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール等のアルコール系溶剤、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤、トルエン等の芳香族系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等の高極性溶剤、更にはこれらに芳香族炭化水素を添加したもの等が挙げられる。これらの中で、溶解能、粘度等の点から、メチルエチルケトン、メタノール、イソプロパノール、トルエン等の単独又は混合溶剤が好適である。溶剤の使用割合は、感光性組成物の総量に対して、質量比で0.5〜2倍程度の範囲である。   The solvent used in the coating solution is not particularly limited as long as it has sufficient solubility with respect to the components used and gives good film formability. For example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, etc. Cellosolve solvents, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol dimethyl ether and other propylene glycol solvents, Butyl acetate, amyl acetate, ethyl butyrate, butyl butyrate, diethyl oxalate, ethyl pyruvate, ethyl-2-hydroxybutyrate Ester solvents such as ethyl acetoacetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl 3-methoxypropionate, alcohol solvents such as methanol, isopropanol, heptanol, hexanol, diacetone alcohol, furfuryl alcohol, ketones such as cyclohexanone, methyl ethyl ketone, etc. Examples of the solvent include aromatic solvents such as toluene, high-polarity solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone, and those obtained by adding an aromatic hydrocarbon thereto. Among these, single or mixed solvents such as methyl ethyl ketone, methanol, isopropanol, and toluene are preferable from the viewpoint of solubility and viscosity. The use ratio of the solvent is in the range of about 0.5 to 2 times by mass ratio with respect to the total amount of the photosensitive composition.

塗布方法としては、例えば、ダイコート法、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スピンコート法等が挙げられる。その際の塗布量は、画像形成性及びそれに引き続くエッチングやメッキ等の加工性等の面から、乾燥膜厚として、通常5μm以上であり、ドライフィルムレジスト材としては10μm以上であるのが好ましく、15μm以上であるのが更に好ましく、感度等の面から、200μm以下であるのが好ましく、100μm以下であるのが更に好ましい。   Examples of the coating method include a die coating method, a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, and a spin coating method. In this case, the coating amount is usually 5 μm or more as a dry film thickness, and preferably 10 μm or more as a dry film resist material, from the viewpoints of image formability and subsequent processability such as etching and plating. More preferably, it is 15 μm or more, and in terms of sensitivity and the like, it is preferably 200 μm or less, and more preferably 100 μm or less.

ドライフィルムレジスト材等として用いられる場合には、それが被加工基板に積層されるまでの間、形成された感光性組成物層表面を被覆フィルムで覆うことが好ましく、その被覆フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム等の従来公知のフィルムが用いられる。   When used as a dry film resist material or the like, it is preferable to cover the surface of the formed photosensitive composition layer with a coating film until it is laminated on a substrate to be processed. Conventionally known films such as a film, a polypropylene film and a polytetrafluoroethylene film are used.

前記ドライフィルムレジスト材の感光性組成物層側を、被覆フィルムで覆われている場合にはその被覆フィルムを剥離して、加熱、加圧等して積層することにより、又は、前記感光性組成物塗布液を直接に塗布し乾燥させることにより、レジスト画像形成材を作製するにおける被加工基板は、その上に形成される感光性組成物層をレーザー光により露光し現像処理することによって現出された画像をレジストとしてエッチング加工或いはメッキ加工等することにより、その表面に回路や電極等のパターンが形成されるものであり、銅、アルミニウム、金、銀、クロム、亜鉛、錫、鉛、ニッケル等の金属板そのものであってもよいが、通常、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂等の樹脂、紙、ガラス、及び、アルミナ、シリカ、硫酸バリウム、炭酸カルシウム等の無機物、又は、ガラス布基材エポキシ樹脂、ガラス不織布基材エポキシ樹脂、紙基材エポキシ樹脂、紙基材フェノール樹脂等の複合材料等からなり、その厚さが0.02〜10mm程度の絶縁性支持体表面に、前記金属或いは酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウムドープ酸化錫等の金属酸化物等の金属箔を加熱、圧着ラミネートするか、金属をスパッタリング、蒸着、メッキする等の方法により、その厚さが1〜100μm程度の導電層を形成した金属張積層板が、好ましく用いられる。   When the photosensitive composition layer side of the dry film resist material is covered with a coating film, the coating film is peeled off and laminated by heating, pressing, or the like, or the photosensitive composition The substrate to be processed in producing a resist image-forming material by directly applying and drying an object coating solution appears by exposing the photosensitive composition layer formed thereon to a laser beam and developing it. A pattern such as a circuit or an electrode is formed on the surface by etching or plating using the resulting image as a resist. Copper, aluminum, gold, silver, chromium, zinc, tin, lead, nickel It may be a metal plate itself such as epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide resin, unsaturated polyester resin, phenol, etc. Thermosetting resin such as fat, melamine resin, saturated polyester resin, polycarbonate resin, polysulfone resin, acrylic resin, polyamide resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, polyolefin resin, resin such as thermoplastic resin, paper , Glass and inorganic materials such as alumina, silica, barium sulfate, calcium carbonate, or composite materials such as glass cloth base epoxy resin, glass nonwoven base epoxy resin, paper base epoxy resin, paper base phenol resin, etc. The metal or metal foil such as indium oxide, tin oxide, indium oxide doped tin oxide or the like is heated and pressure-bonded laminated on the surface of the insulating support having a thickness of about 0.02 to 10 mm. Or the thickness of the metal is 1-1 by sputtering, vapor deposition, plating, etc. Metal-clad laminate formed with 0μm approximately conductive layer is preferably used.

前記感光性組成物塗布液を直接に塗布し乾燥させることにより、画像形成材を作製した場合には、前記被加工基板上に形成された感光性組成物層の酸素による重合禁止作用を防止する等のために、その感光性組成物層上に、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等の溶液の塗布、乾燥により形成した保護層が設けられてもよい。   In the case where an image forming material is produced by directly applying and drying the photosensitive composition coating solution, the polymerization inhibiting action by oxygen of the photosensitive composition layer formed on the substrate to be processed is prevented. For example, a protective layer formed by applying and drying a solution of polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, methyl cellulose, carboxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, or the like may be provided on the photosensitive composition layer. .

以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。なお、本発明は本実施例によりなんら限定されない。実施例中の「%」は「質量%」を表す。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples. In addition, this invention is not limited at all by this Example. “%” In the examples represents “% by mass”.

<スクアリリウム化合物の合成>
実施例で用いたスクアリリウム化合物(化合物(a)〜(j))を表1にまとめた。
<Synthesis of squarylium compound>
The squarylium compounds (compounds (a) to (j)) used in the examples are summarized in Table 1.

Figure 0005550136
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(スクアリリウム化合物(a)の製造)
冷却管を付けた三ッ口フラスコに3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン5.0部と、N,N−ジブチルアニリン4.6部を入れ、そこに脱水トルエン80部を加え、24時間室温にて撹拌した。反応終了後、NaHCO水溶液で洗浄、トルエンにより抽出し溶媒を減圧留去した。得られた固体を減圧ろ過にて濾取し、ヘキサン洗浄後、減圧乾燥して3−クロロ−4−〔4−(N,N−ジブチルアミノ)フェニル〕3−シクロブテン−1,2−ジオン5.5部を得た。
(Production of squarylium compound (a))
In a three-necked flask equipped with a condenser tube, 5.0 parts of 3,4-dichloro-3-cyclobutene-1,2-dione and 4.6 parts of N, N-dibutylaniline are placed, and 80 parts of dehydrated toluene are added thereto. And stirred at room temperature for 24 hours. After completion of the reaction, the mixture was washed with an aqueous NaHCO 3 solution, extracted with toluene, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained solid was collected by filtration under reduced pressure, washed with hexane, and dried under reduced pressure to give 3-chloro-4- [4- (N, N-dibutylamino) phenyl] 3-cyclobutene-1,2-dione 5 .5 parts were obtained.

冷却管を付けた三ッ口フラスコに、3−クロロ−4−〔4−(N,N−ジブチルアミノ)フェニル〕3−シクロブテン−1,2−ジオン5.5部と酢酸:水=4:1混合溶液50部を入れ、100℃にて5時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(a)4.1部を得た。   In a three-necked flask equipped with a condenser, 5.5 parts of 3-chloro-4- [4- (N, N-dibutylamino) phenyl] 3-cyclobutene-1,2-dione and acetic acid: water = 4: 50 parts of 1 mixed solution was added and stirred with heating at 100 ° C. for 5 hours. After the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After washing with water and drying under reduced pressure, 4.1 parts of squarylium compound (a) was obtained.

(スクアリリウム化合物(b)の製造)
スクアリリウム化合物(a)の製造方法において、N,N−ジブチルアニリンをN、N−ジメチル−1−ナフチルアミンに代えた以外は、スクアリリウム化合物(a)の製造方法と同様にしてスクアリリウム化合物(b)を得た。
(Production of squarylium compound (b))
The squarylium compound (b) was prepared in the same manner as the squarylium compound (a) except that N, N-dibutylaniline was replaced with N, N-dimethyl-1-naphthylamine in the method of producing the squarylium compound (a). Obtained.

(スクアリリウム化合物(c)の製造)
冷却管を付けた三ッ口フラスコに3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン12.3部と、無水塩化アルミニウム10.9部を入れ、そこに無水クロロホルム100mlを入れ、窒素雰囲気下で室温攪拌した。そこに、無水クロロホルム20mlに溶解したアニソール10.0部を室温滴下した。滴下終了後、10時間加熱攪拌した。反応終了後、10℃以下に冷却した状態で水を100ml加えたのち、有機層を水で洗浄し、溶媒を減圧留去した。得られた固体を減圧ろ過にて濾取し、トルエン洗浄後、減圧乾燥して3−クロロ−4−(p−メトキシ−フェニル)−シクロブタ−3−エン−1,2−ジオン11.6部を得た。
冷却管を付けた三ッ口フラスコに、3−クロロ−4−(p−メトキシ−フェニル)−シクロブタ−3−エン−1,2−ジオン11.6部と酢酸:水=1:1混合溶液200部を入れ、100℃にて8時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、溶媒を減圧除去し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(c)8.6部得た。
(Production of squarylium compound (c))
In a three-necked flask equipped with a condenser tube, 12.3 parts of 3,4-dichloro-3-cyclobutene-1,2-dione and 10.9 parts of anhydrous aluminum chloride are placed, and 100 ml of anhydrous chloroform is placed therein, and nitrogen is added. Stir at room temperature under atmosphere. Thereto, 10.0 parts of anisole dissolved in 20 ml of anhydrous chloroform was added dropwise at room temperature. After completion of dropping, the mixture was stirred with heating for 10 hours. After completion of the reaction, 100 ml of water was added in a state cooled to 10 ° C. or lower, the organic layer was washed with water, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting solid was collected by filtration under reduced pressure, washed with toluene, and dried under reduced pressure to give 11.6 parts of 3-chloro-4- (p-methoxy-phenyl) -cyclobut-3-ene-1,2-dione. Got.
In a three-necked flask equipped with a condenser, 11.6 parts of 3-chloro-4- (p-methoxy-phenyl) -cyclobut-3-ene-1,2-dione and acetic acid: water = 1: 1 mixed solution 200 parts were added and stirred with heating at 100 ° C. for 8 hours. After the reaction, the mixture was cooled to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure, and the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After washing with water and drying under reduced pressure, 8.6 parts of squarylium compound (c) was obtained.

(スクアリリウム化合物(d)の製造)
三ッ口フラスコに3,4−ジメトキシ−3−シクロブテン−1,2−ジオン6.2部と、3−メチル−1−(3−プロピル)−5−ピラゾロン(ランカスター社製)7.6部を入れ、そこにメタノール500mlを入れて室温攪拌した。そこに、無水炭酸カリウム5.9部を加えて5時間室温攪拌した。反応終了後、固体をろ過し、メタノールで洗浄した。得られた固体に水200mlと炭酸カリウム2.7部を加えて、50℃にて2時間加熱攪拌した。反応終了後、1M塩酸500ml中に注ぎ入れ析出した固体をろ過した。水で洗浄した後、減圧乾燥してスクアリリウム化合物(d)4.3部を得た。
(Production of squarylium compound (d))
In a three-necked flask, 6.2 parts of 3,4-dimethoxy-3-cyclobutene-1,2-dione and 7.6 parts of 3-methyl-1- (3-propyl) -5-pyrazolone (manufactured by Lancaster) Then, 500 ml of methanol was added thereto and stirred at room temperature. Thereto, 5.9 parts of anhydrous potassium carbonate was added and stirred at room temperature for 5 hours. After completion of the reaction, the solid was filtered and washed with methanol. To the obtained solid, 200 ml of water and 2.7 parts of potassium carbonate were added, and the mixture was heated and stirred at 50 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, the solution was poured into 500 ml of 1M hydrochloric acid and the precipitated solid was filtered. After washing with water, it was dried under reduced pressure to obtain 4.3 parts of squarylium compound (d).

(スクアリリウム化合物(e)の製造)
スクアリリウム化合物(d)の製造方法において、N−エチル−2−メチルチアゾリウムアイオダイドに代えた以外は、スクアリリウム化合物(d)の製造方法と同様にしてスクアリリウム化合物(e)を得た。
(Production of squarylium compound (e))
The squarylium compound (e) was obtained in the same manner as the squarylium compound (d) except that the method for producing the squarylium compound (d) was replaced with N-ethyl-2-methylthiazolium iodide.

(スクアリリウム化合物(f)の製造)
スクアリリウム化合物(a)4.1部と酸ニッケル・4水和物4.0部を、冷却管を付けた三ッ口フラスコに入れ、そこにTHF100部を加え、60℃にて4時間加熱撹拌した。反応後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて濾取した。水で洗浄後、減圧乾燥して3−ヒドロキシ−4−〔4−(N-メチル−N-ブチルアミノ)フェニル〕3−シクロブテン−1,2−ジオン−ニッケル錯体(スクアリリウム化合物(f))8.3部を得た。
(Production of squarylium compound (f))
Place 4.1 parts of squarylium compound (a) and 4.0 parts of nickel acid tetrahydrate in a three-necked flask equipped with a condenser, add 100 parts of THF, and heat and stir at 60 ° C. for 4 hours. did. After the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the precipitated solid was collected by filtration under reduced pressure. After washing with water and drying under reduced pressure, 3-hydroxy-4- [4- (N-methyl-N-butylamino) phenyl] 3-cyclobutene-1,2-dione-nickel complex (squarylium compound (f)) 8 .3 parts were obtained.

(スクアリリウム化合物(g)の製造)
スクアリリウム化合物(a)を(b)に代えた以外は、スクアリリウム化合物(f)と同様の方法によってスクアリリウム化合物(g)を得た。
(Production of squarylium compound (g))
A squarylium compound (g) was obtained by the same method as the squarylium compound (f) except that the squarylium compound (a) was replaced with (b).

(スクアリリウム化合物(h)の製造)
スクアリリウム化合物(a)を(c)に代えた以外は、スクアリリウム化合物(f)と同様の方法によってスクアリリウム化合物(h)を得た。
(Production of squarylium compound (h))
The squarylium compound (h) was obtained by the same method as the squarylium compound (f) except that the squarylium compound (a) was replaced with (c).

(スクアリリウム化合物(i)の製造)
スクアリリウム化合物(a)を(d)に代えた以外は、スクアリリウム化合物(f)と同様の方法によってスクアリリウム化合物(i)を得た。
(Production of squarylium compound (i))
The squarylium compound (i) was obtained by the same method as the squarylium compound (f) except that the squarylium compound (a) was replaced by (d).

(スクアリリウム化合物(j)の製造)
スクアリリウム化合物(a)を(e)に代えた以外は、スクアリリウム化合物(f)と同様の方法によってスクアリリウム化合物(j)を得た。
(Production of squarylium compound (j))
A squarylium compound (j) was obtained by the same method as the squarylium compound (f) except that the squarylium compound (a) was replaced by (e).

比較例の増感剤としてベンゾフェノン化合物、クマリン化合物、スクアリリウム化合物を用いた。比較例に用いた化合物を表2に示す。   A benzophenone compound, a coumarin compound, and a squarylium compound were used as sensitizers for comparative examples. The compounds used in the comparative examples are shown in Table 2.

Figure 0005550136
Figure 0005550136

(実施例1)
<青紫色半導体レーザー用感光性組成物と画像形成材の製造>
ペンタエリスリトールアクリレート100部、ポリビニルピロリドン100部、2−[2−(フラン−2−イル)ビニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン10部、スクアリリウム化合物(a)0.1部をメチルセロソルブ900部に溶解して青紫色レーザー用感光性組成物を得た。得られた青紫色レーザー用感光性組成物をポリエステルフィルムにスピンコーターを用いて塗布し、乾燥させて、画像形成材(膜厚2μm)を作製した。
Example 1
<Production of photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser and image forming material>
100 parts of pentaerythritol acrylate, 100 parts of polyvinylpyrrolidone, 10 parts of 2- [2- (furan-2-yl) vinyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, squarylium compound (a ) 0.1 part was dissolved in 900 parts of methyl cellosolve to obtain a photosensitive composition for blue-violet laser. The obtained photosensitive composition for blue-violet laser was applied to a polyester film using a spin coater and dried to prepare an image forming material (film thickness: 2 μm).

<分光感度の極大ピーク>
画像形成材を50×60mmの大きさに切り出したサンプルを、回折分光照射装置を用い、キセノンランプを光源として350〜650nmの波長域で分光した光を横軸方向に露光波長が直線的に、縦軸方向に露光強度が対数的に変化するように設定して10秒間照射して露光し、次いで25℃の0.7質量%炭酸ナトリウム水溶液を現像液として0.15MPaとなるように吹き付け、最小現像時間の1.5倍の時間でスプレー現像することにより、各露光波長の感度に応じた画像が得られ、その画像高さから画像形成可能な露光エネルギーを算出し、横軸に波長、縦軸にその露光エネルギーの逆数をプロットすることにより得られる分光感度曲線における極大ピークを読みとった。
<Maximum peak of spectral sensitivity>
A sample obtained by cutting the image-forming material into a size of 50 × 60 mm, using a diffraction spectroscopic irradiator, and using a xenon lamp as a light source, the light split in the wavelength region of 350 to 650 nm, the exposure wavelength is linear in the horizontal axis direction, The exposure intensity is set to logarithmically change in the vertical axis direction, and exposure is performed by irradiating for 10 seconds. Then, a 0.7 mass% sodium carbonate aqueous solution at 25 ° C. is sprayed as a developing solution to 0.15 MPa, By performing spray development in 1.5 times the minimum development time, an image corresponding to the sensitivity of each exposure wavelength is obtained, and the exposure energy capable of image formation is calculated from the image height, the wavelength on the horizontal axis, The maximum peak in the spectral sensitivity curve obtained by plotting the reciprocal of the exposure energy on the vertical axis was read.

<露光感度の測定>
得られた感光性組成物層を、中心波長405nm、レーザー出力5mWの青紫色半導体レーザーを用いて、像面照度2mW、ビームスポット径2μmで、ビーム走査間隔及び走査速度を変えながら操作露光し、次いで、30℃の0.7質量%炭酸ナトリウム水溶液を現像液として0.15MPaとなるように吹き付け、最小現像時間の2倍の時間でスプレー現像することによりネガ画像を現出させた。得られた画像について20μmの線幅が再現するのに要する露光量を求め露光感度とした。
<Measurement of exposure sensitivity>
Using the blue-violet semiconductor laser having a center wavelength of 405 nm and a laser output of 5 mW, the obtained photosensitive composition layer was operated and exposed while changing the beam scanning interval and the scanning speed at an image plane illuminance of 2 mW and a beam spot diameter of 2 μm. Subsequently, a 0.7 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C. was sprayed as a developing solution to a pressure of 0.15 MPa, and a negative image was made to appear by spray development in a time twice as long as the minimum developing time. With respect to the obtained image, an exposure amount required for reproducing a line width of 20 μm was obtained and used as exposure sensitivity.

(実施例2〜10、比較例1〜3)
実施例2〜10、比較例1〜3はそれぞれ表3に示した増感剤を用いて、実施例1と同様に画像形成材を作製し分光感度の極大ピークと露光感度を測定した。
(Examples 2 to 10, Comparative Examples 1 to 3)
In Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 to 3, an image forming material was prepared in the same manner as in Example 1 using the sensitizers shown in Table 3, and the maximum spectral sensitivity peak and exposure sensitivity were measured.

分光感度の極大ピークと露光感度の測定結果を表3に示す。   Table 3 shows the measurement results of the maximum peak of spectral sensitivity and the exposure sensitivity.

Figure 0005550136
Figure 0005550136

表3より、比較例1〜3に比べ、実施例1〜10の方が青紫色半導体レーザーに対して優れた感度を有していることがわかる。   From Table 3, it can be seen that Examples 1 to 10 have better sensitivity to the blue-violet semiconductor laser than Comparative Examples 1 to 3.

本発明の増感剤とそれを用いた青紫色半導体レーザー用感光性組成物は、液晶表示素子、プラズマディスプレイ、大規模集積回路、薄型トランジスタ、半導体パッケージ、カラーフィルター、有機エレクトロルミネッセンス、ホログラム記録材料等に適用できる。   Sensitizer of the present invention and photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser using the same are used for liquid crystal display element, plasma display, large scale integrated circuit, thin transistor, semiconductor package, color filter, organic electroluminescence, hologram recording material Applicable to etc.

Claims (7)

下記一般式(A)〜(D)で表されるスクアリリウム化合物イオンと、水素イオン又は遷移金属イオンとからなるスクアリリウム化合物を含有することを特徴とする増感剤。
Figure 0005550136
(式(A)中、R〜Rは、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、RとR、RとR、RとR、RとRは連結して炭化水素環を形成してもよい。)
Figure 0005550136
(式(B)中、Rは、水素又は置換基を有してもよいアルキル基であり、R〜R11は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、RとR、R10とR11は連結して炭化水素環を形成してもよい。)
Figure 0005550136
(式(C)中、R12〜R14は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示す。)
Figure 0005550136
(式(D)中、R15〜R19は、同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示し、XはO、S、N−R20、C−R2122(R20〜R22は同一又は異なってもよい水素、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、シアノアルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、アルキルスルホン酸基を示す。)を示す。)
A sensitizer comprising a squarylium compound comprising a squarylium compound ion represented by the following general formulas (A) to (D) and a hydrogen ion or a transition metal ion.
Figure 0005550136
(In formula (A), R 1 to R 6 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. And R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , and R 6 and R 1 may be linked to form a hydrocarbon ring.
Figure 0005550136
(In Formula (B), R 7 is hydrogen or an alkyl group that may have a substituent, and R 8 to R 11 have the same or different hydrogen, halogen atom, and substituent. Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, a cyanoalkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, an alkylsulfonic acid group, and R 8 and R 9 , R 10 and R 11 are linked to form a hydrocarbon ring. May be.)
Figure 0005550136
(In the formula (C), R 12 to R 14 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. Group represents an alkylsulfonic acid group.)
Figure 0005550136
(In the formula (D), R 15 to R 19 are the same or different hydrogen, halogen atom, optionally substituted alkyl group, halogenated alkyl group, cyanoalkyl group, alkoxy group, phenylalkyl. Group, an alkylsulfonic acid group, X is O, S, N—R 20 , C—R 21 R 22 (R 20 to R 22 may be the same or different and each has a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituent. An alkyl group, a halogenated alkyl group, a cyanoalkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, or an alkylsulfonic acid group.
350nm〜450nmに分光感度の極大ピークを有することを特徴とする請求項1に記載の増感剤。   The sensitizer according to claim 1, which has a maximum spectral sensitivity peak at 350 nm to 450 nm. 請求項1又は2に記載の増感剤を含有することを特徴とする青紫色半導体レーザー用感光性組成物。   A photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser, comprising the sensitizer according to claim 1. エチレン性不飽和化合物を含有することを特徴とする請求項3に記載の青紫色半導体レーザー用感光性組成物。   4. The photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser according to claim 3, comprising an ethylenically unsaturated compound. 光重合開始剤を含有することを特徴とする請求項3又は4に記載の青紫色半導体レーザー用感光性組成物。   5. The photosensitive composition for blue-violet semiconductor laser according to claim 3, comprising a photopolymerization initiator. 仮支持フィルム上に請求項3から5のいずれかに記載の青紫色半導体レーザー用感光性組成物の層が形成されてなることを特徴とする画像形成材料。   An image forming material comprising a layer of the photosensitive composition for a blue-violet semiconductor laser according to any one of claims 3 to 5 formed on a temporary support film. 被加工基板上に請求項6に記載の画像形成材料が感光性組成物層側で積層されてなることを特徴とする画像形成材。   An image forming material, wherein the image forming material according to claim 6 is laminated on the substrate to be processed on the photosensitive composition layer side.
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