JP5549908B2 - 損傷ｄｎａ修復物質のスクリーニング方法 - Google Patents
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Description
本発明は、損傷ＤＮＡの修復合成活性又はＤＮＡ損傷に起因するＲＮＡ合成の阻害を指標とした物質又は遺伝子のスクリーニング方法に関する。詳しくは、クリックケミストリー反応を利用した、損傷ＤＮＡ修復箇所又はＤＮＡ損傷に起因するＲＮＡ合成阻害の検出、及びこれらを指標とする各種物質の細胞毒性試験、ＤＮＡ損傷の抑制効果、ＤＮＡ修復の促進効果、ＤＮＡ修復に関与する新規遺伝子の探索等のスクリーニング方法並びに臨床診断技術等に関する。
生物は、様々な要因、例えば紫外線等により誘発される各種ＤＮＡ損傷から遺伝情報を守り維持するために、ＤＮＡ修復機構を発達させた。これは、損傷を受けたＤＮＡを感知し、修復する働きを持つ一連の酵素の活性によりＤＮＡが修復され、生体本体への影響が抑えられる仕組みである。ヌクレオチド除去修復機構（ＮＥＲ）は、最も汎用的なＤＮＡ修復システムの一つであり、主に紫外線による光ＤＮＡ損傷、及び種々の化学発癌物質への曝露から生ずる付加型ＤＮＡ損傷に対応する。
ＤＮＡ修復に関与する遺伝子に異常及び／又は欠損があると、損傷を受けたＤＮＡの修復が不完全となり、その結果癌をはじめとする各種疾患に罹患する。このような修復遺伝子の異常、特にＮＥＲに関係する遺伝子の異常がもたらす疾患としては、色素性乾皮症（ｘｅｒｏｄｅｒｍａ ｐｉｇｍｅｎｔｏｓｕｍ：ＸＰ）、コケイン症候群（ＣＳ）及び硫黄欠乏性毛髪発育異常症（ＴＴＤ）等が挙げられる。
ＮＥＲをはじめとするＤＮＡ修復機構の欠損を評価するために最も一般的に使用されるアッセイは、ＤＮＡ修復活性に起因するヌクレオチド取り込みレベルの測定を必要とする。これは不定期ＤＮＡ合成（ＵＤＳ）あるいは修復ＤＮＡ合成と呼ばれる、細胞周期に非依存的な微量のＤＮＡ合成を検出するもので、現在、ＵＤＳ量を測定する種々の方法が確立されている。ＮＥＲ活性の評価においては一般的に、ＤＮＡ損傷を誘発するために波長２５４ｎｍの紫外線照射を行い、ヌクレオチド取り込みレベルの測定のために、ＤＮＡ損傷を誘導した細胞を放射性チミジン又はヌクレオシドアナログのいずれかの存在下で培養する。またＮＥＲ以外のＤＮＡ修復機構においても、修復経路の特徴に応じて異なるＤＮＡ損傷処理をおこなうことで、修復の際にＤＮＡ合成を伴う多様なＤＮＡ修復の活性を測定できる。
ＮＥＲの欠損であるＸＰの臨床診断を実施している研究施設において、現在最も普及しているＵＤＳ量の測定方法は、放射性３Ｈ−チミジンの取り込みに基づくものである。これは、ＤＮＡ修復の過程で取り込まれた放射性チミジンをオートラジオグラフィーにより銀粒子に変換し、それを顕微鏡下で計数する技法、又は取り込まれた放射性チミジンを不溶化し、液体シンチレーションカウンターを用いて計測することでＵＤＳ活性を測定する技法である。オートラジオグラフィーは正確なＵＤＳ活性の測定を提供するが、実験過程は複雑でかつ高度な技能を要し、所要時間も２〜３週間と長期に渡るだけでなく、ラジオアイソトープ利用施設が必須である。液体シンチレーションカウンターを用いる方法は、オートラジオグラフィーと比べて所要時間が短縮されるが、本方法がバッチアッセイであるためにＵＤＳ定量の精度は低下する。さらに、細胞周期ＤＮＡ合成を完全に除去する必要性から、アッセイには非分裂期にある細胞を使用し、ＤＮＡ複製の阻害剤であるヒドロキシウレア（ＨＵ）を使用することで、微量に混入する細胞周期ＤＮＡ合成を取り除く必要がある。これらの理由から、本技法を実施している研究施設は非常に限定的である。
３Ｈ−チミジンの代わりにブロモデオキシウリジン（ＢｒｄＵ）を用いて、ＢｒｄＵ取り込みを抗ＢｒｄＵ抗体により検出する手法は、３Ｈ−チミジンを用いる方法よりも簡便であるが、検出感度の問題（５０％以下のＵＤＳ活性の低下は検出できない）からＵＤＳ測定方法への適用とＸＰ診断方法としての実用化には至っていないのが現状である。また、既に特定されているＸＰ原因遺伝子座のＰＣＲによる増幅と塩基配列決定等による遺伝子検査、ＸＰタンパク質に対する抗体等が開発されているが（特許文献１）、ＸＰの原因遺伝子は少なくとも１１以上存在し、臨床診断においては、これら全ての遺伝子産物に対する遺伝子検査及び／又は抗体が必要となり、煩雑さは解消されない。
ＵＤＳの測定と併用されるＮＥＲ修復欠損の診断技術に、ＲＮＡ合成回復(ＲＲＳ)試験がある。これは、ＮＥＲのうちＲＮＡの転写と共役したＤＮＡ修復(ＴＣＲ)の活性のみを対象とした測定方法であり、ＴＣＲを欠損するコケイン症等の診断に利用される。ＴＣＲにのみ異常がある場合には、ＮＥＲ活性のうちの９０％程度を占める全ゲノムを対象とする修復(ＧＧＲ)は正常であるため、ＵＤＳの活性はほぼ正常値を示す。ところが、ＲＮＡの転写が盛んな遺伝子の修復が効率的に行われないため、ＤＮＡ損傷後のＲＮＡ合成の活性が著しく低下する。ＲＲＳの測定には、放射性ウリジン等が用いられ、ＤＮＡ損傷処理後にＲＮＡ合成がどの程度回復したかを、液体シンチレーションカウンターを用いたバッチアッセイにより測定する。
一方、シャープレスらにより提唱されたクリックケミストリーと呼ばれる反応は、求核付加開環反応、縮合反応、又は付加環化反応等を経て、二つの分子を炭素−ヘテロ原子結合で結び付けることを可能にし、新規の機能性分子の創出への寄与が期待されている。特にアジドとアルキン化合物の付加環化反応は、非常に特異的であり、目的生成物を高収率に与える等の利点を持ち、クリックケミストリーの中でも中心的な位置を占めている（特許文献２、非特許文献１）。またこのクリックケミストリー反応を利用して核酸を標識し、細胞周期ＤＮＡ合成を検出する方法も報告されている（特許文献３）が、ＤＮＡ修復に伴うＤＮＡ合成であるＵＤＳは細胞周期ＤＮＡ合成に対して非常に微弱であるためにＵＤＳ量測定のための方法への適用は示唆されていない。また、ＲＮＡ合成への適用は報告がない。
ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＆ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＩＮＤＵＳＴＲＹ Ｖｏｌ．６０−１０ Ｏｃｔ．２００７
ＤＮＡ修復欠損性疾患の予防及び／又は治療並びにＤＮＡの損傷に伴う細胞老化／発癌等の生体への影響の改善において、有効に損傷ＤＮＡの修復を促進し、又は、ＤＮＡ損傷の発生を抑制する物質を開発すること、あるいは各種ＤＮＡ修復に関与する新規遺伝子を同定することで修復ＤＮＡ合成の活性を調節する因子を対象とする新たな物質を探索することは必須である。したがって、本発明の目的は、現行のＵＤＳ又はＲＲＳ測定方法に代わる修復ＤＮＡ合成又はＲＮＡ合成阻害の迅速な評価方法を提供することである。
本発明者らは、上記の目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、ＤＮＡ修復の際に取り込まれるヌクレオチドとそれを検出する色素との間に起こる付加環化反応により、ＮＥＲをはじめとするＤＮＡ修復過程でのＵＤＳの測定が可能であることを見出した。すなわち、本発明は、ＵＤＳ測定の過程において、放射性チミジン又はＢｒｄＵの代用として、チミジンのアルキン結合ヌクレオシドアナログである、５−エチニル−２’−デオキシウリジン（ＥｄＵ）を使用することにより、放射性同位体を使用せず、さらに簡便な手法を採用するため、従来技術と同程度の感度、正確性を維持したまま、ＵＤＳの測定及びＸＰ等のＤＮＡ修復欠損性疾患の臨床診断に要する時間を約半日にまで短縮し、ＵＤＳ測定に基づく損傷ＤＮＡ修復物質又は修復合成に関与する遺伝子等のスクリーニングを実行できることを見出した。修復ＤＮＡ合成活性の測定に使用するヌクレオシド類似化合物を構成する糖をデオキシリボースからリボースへ変更することでＲＮＡ合成阻害の測定も可能であり、これらを併せて本発明を完成するに至った。
したがって、本発明は以下の通りである。
〔１〕末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを用いることを特徴とする、ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法。
〔２〕下記の工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を含む、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（ｂ）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ）上述の工程が終了した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを対照群と比較する工程、並びに
（ｄ）前記（ｃ）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質を選択する工程。
〔３〕下記の工程（ａ）、（ｂ’）、（ｃ’）及び（ｄ’）を含む、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（ｂ’）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’）上述の工程が終了した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを対照群と比較する工程、並びに
（ｄ’）前記（ｃ’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質を選択する工程。
〔４〕細胞と被験物質の接触が工程（ａ）の前で行われ、工程（ａ）で被験物質の接触が完了し、工程（ｂ）又は（ｂ’）で被験物質の接触が省略される、前記〔２〕又は〔３〕に記載のスクリーニング方法。
〔５〕工程（ａ）で用いる細胞における遺伝子の発現を制限する操作が工程（ａ）の前で行われ、
工程（ａ）で当該細胞における当該遺伝子の発現が制限されており、
工程（ｂ）又は（ｂ’）で被験物質の接触が省略され、かつ
工程（ｄ）又は（ｄ’）において取り込み率を変化させる、発現が制限された遺伝子を選択する、前記〔２〕又は〔３〕に記載のスクリーニング方法。
〔６〕ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する遺伝子又はＤＮＡ修復に影響を与える遺伝子を探索するための方法である、前記〔５〕に記載のスクリーニング方法。
〔７〕ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患あるいは正常ヒトにおいて自然発生したＤＮＡ修復欠損が原因となる疾患の治療剤の有効成分を探索するための方法である、前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のスクリーニング方法。
〔８〕ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患が、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症である、前記〔７〕に記載のスクリーニング方法。
〔９〕アンチエイジング効果を有する化粧品又は医薬品の成分を探索するための方法である、前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のスクリーニング方法。
〔１０〕アンチエイジング効果を有する化粧品又は医薬品が紫外線防護化粧品である、前記〔９〕に記載のスクリーニング方法。
〔１１〕下記の工程（ｂ’’）、（ｃ’’）及び（ｄ’’）を含む、ＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法である、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ｂ’’）試験物質、細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’’）試験物質を接触させた細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを試験物質を接触させない対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（ｄ’’）前記（ｃ’’）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を有意に増加させる物質を細胞毒性を示す物質と判定する工程。
〔１２〕下記の工程（ｂ’’’）、（ｃ’’’）及び（ｄ’’’）を含む、ＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法である、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ｂ’’’）試験物質、細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’’’）試験物質を接触させた細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを試験物質を接触させない対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（ｄ’’’）前記（ｃ’’’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を有意に増加させる物質を細胞毒性を示す物質と判定する工程。
〔１３〕ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法であって、下記の工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）：
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（Ｂ）工程（Ａ）で処理した細胞と末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程、
（Ｃ）紫外線処理した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（Ｄ）前記（Ｃ）の比較結果に基づいて、被験者におけるＤＮＡ修復欠損の有無を判定する工程、を含む方法。
〔１４〕ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法であって、下記の工程（Ａ）、（Ｂ’）、（Ｃ’）及び（Ｄ’）：
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（Ｂ’）工程（Ａ）で処理した細胞とアジド修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程、
（Ｃ’）紫外線処理した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（Ｄ’）前記（Ｃ’）の比較結果に基づいて、被験者におけるＤＮＡ修復欠損の有無を判定する工程、を含む方法。
〔１５〕ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞が、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症の可能性がある患者に由来するものである、前記〔１３〕又は〔１４〕に記載の検出方法。
〔１６〕末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを含む、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患の診断キット。
〔１７〕末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを含む、ＤＮＡが損傷した細胞における修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング用キット。
〔１〕末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを用いることを特徴とする、ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法。
〔２〕下記の工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を含む、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（ｂ）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ）上述の工程が終了した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを対照群と比較する工程、並びに
（ｄ）前記（ｃ）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質を選択する工程。
〔３〕下記の工程（ａ）、（ｂ’）、（ｃ’）及び（ｄ’）を含む、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（ｂ’）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’）上述の工程が終了した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを対照群と比較する工程、並びに
（ｄ’）前記（ｃ’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質を選択する工程。
〔４〕細胞と被験物質の接触が工程（ａ）の前で行われ、工程（ａ）で被験物質の接触が完了し、工程（ｂ）又は（ｂ’）で被験物質の接触が省略される、前記〔２〕又は〔３〕に記載のスクリーニング方法。
〔５〕工程（ａ）で用いる細胞における遺伝子の発現を制限する操作が工程（ａ）の前で行われ、
工程（ａ）で当該細胞における当該遺伝子の発現が制限されており、
工程（ｂ）又は（ｂ’）で被験物質の接触が省略され、かつ
工程（ｄ）又は（ｄ’）において取り込み率を変化させる、発現が制限された遺伝子を選択する、前記〔２〕又は〔３〕に記載のスクリーニング方法。
〔６〕ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する遺伝子又はＤＮＡ修復に影響を与える遺伝子を探索するための方法である、前記〔５〕に記載のスクリーニング方法。
〔７〕ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患あるいは正常ヒトにおいて自然発生したＤＮＡ修復欠損が原因となる疾患の治療剤の有効成分を探索するための方法である、前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のスクリーニング方法。
〔８〕ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患が、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症である、前記〔７〕に記載のスクリーニング方法。
〔９〕アンチエイジング効果を有する化粧品又は医薬品の成分を探索するための方法である、前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のスクリーニング方法。
〔１０〕アンチエイジング効果を有する化粧品又は医薬品が紫外線防護化粧品である、前記〔９〕に記載のスクリーニング方法。
〔１１〕下記の工程（ｂ’’）、（ｃ’’）及び（ｄ’’）を含む、ＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法である、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ｂ’’）試験物質、細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’’）試験物質を接触させた細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを試験物質を接触させない対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（ｄ’’）前記（ｃ’’）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を有意に増加させる物質を細胞毒性を示す物質と判定する工程。
〔１２〕下記の工程（ｂ’’’）、（ｃ’’’）及び（ｄ’’’）を含む、ＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法である、前記〔１〕記載のスクリーニング方法：
（ｂ’’’）試験物質、細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’’’）試験物質を接触させた細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを試験物質を接触させない対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（ｄ’’’）前記（ｃ’’’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を有意に増加させる物質を細胞毒性を示す物質と判定する工程。
〔１３〕ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法であって、下記の工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）：
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（Ｂ）工程（Ａ）で処理した細胞と末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程、
（Ｃ）紫外線処理した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（Ｄ）前記（Ｃ）の比較結果に基づいて、被験者におけるＤＮＡ修復欠損の有無を判定する工程、を含む方法。
〔１４〕ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法であって、下記の工程（Ａ）、（Ｂ’）、（Ｃ’）及び（Ｄ’）：
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（Ｂ’）工程（Ａ）で処理した細胞とアジド修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程、
（Ｃ’）紫外線処理した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（Ｄ’）前記（Ｃ’）の比較結果に基づいて、被験者におけるＤＮＡ修復欠損の有無を判定する工程、を含む方法。
〔１５〕ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞が、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症の可能性がある患者に由来するものである、前記〔１３〕又は〔１４〕に記載の検出方法。
〔１６〕末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを含む、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患の診断キット。
〔１７〕末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを含む、ＤＮＡが損傷した細胞における修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング用キット。
本発明のスクリーニング方法は、末端にアルキン結合を有するヌクレオシド誘導体を、アジド部分を有する検出試薬（例、蛍光色素）により検出する手法、もしくはアジド部分を有するヌクレオシド誘導体を末端アルキン修飾の検出試薬（例、蛍光色素）により検出する手法により、従来技術と比較して、放射性同位体の使用及びＤＮＡ変性等の前処理も必要としない、操作手順が非常に簡易化されただけでなく、感受性も改善されたＵＤＳ測定方法に基づいており、目的物質又は遺伝子のスクリーニングに要する時間も劇的に減少させる効果を有する。本発明の検出方法によると、被験細胞におけるＤＮＡ修復欠損の有無／ＤＮＡ修復活性を迅速に判定することができる。早期に確定診断することで、現時点で治療方法が確立されていないＸＰ等のＤＮＡ修復欠損性疾患に対して、日光防御等により症状の軽減及び進行遅延を図ることが可能となる。
Ｉ 試薬セット
本発明のスクリーニング方法及び検出方法は、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット（１）、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット（２）を用いることを特徴とする。
本発明のスクリーニング方法及び検出方法は、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とアジド部分を含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット（１）、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と末端アルキンを含むレポーター分子とを組み合わせた試薬セット（２）を用いることを特徴とする。
試薬セット（１）
試薬セット（１）に含まれる末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体は、ヌクレオシドの末端にアルキニル（好ましくは、エチニル）基を有するヌクレオシドを包含し、例えばＵＤＳ測定には、エチニルデオキシアデノシン（ＥｄＡ）、エチニルデオキシグアノシン（ＥｄＧ）、エチニルデオキシシチジン（ＥｄＣ）、エチニルチミジン（ＥｄＴ）及びエチニルデオキシウリジン（ＥｄＵ）が、ＲＲＳ測定にはエチニルアデノシン（ＥＡ）、エチニルグアノシン（ＥＧ）、エチニルシチジン（ＥＣ）、エチニルウリジン（ＥＵ）等が挙げられるが、これに限定されるものではない。末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体は、アプリケーションによっては、前記したヌクレオシド部分を含むヌクレオチド、例えば、エチニルデオキシアデノシン三リン酸（Ｅ-ｄＡＴＰ）等であってもよい。これらの化合物は、公知の方法によって製造することができる（Synlett, 2000,1: pp.86-88）。本発明においては、市販品を好適に利用することができる。
本発明においては、ＵＤＳ測定においてはＥｄＡ、ＥｄＧ、ＥｄＣ、ＥｄＴ及びＥｄＵからなる群より選ばれる少なくとも１種の末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を用いることが好ましく、ＥｄＵがより好ましい。またＲＲＳ測定においてはＥＡ、ＥＧ、ＥＣ及びＥＵからなる群より選ばれる少なくとも１種の末端アルキン修飾ヌクレオチド誘導体を用いることが好ましく、ＥＵがより好ましい。
試薬セット（１）に含まれる末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体は、ヌクレオシドの末端にアルキニル（好ましくは、エチニル）基を有するヌクレオシドを包含し、例えばＵＤＳ測定には、エチニルデオキシアデノシン（ＥｄＡ）、エチニルデオキシグアノシン（ＥｄＧ）、エチニルデオキシシチジン（ＥｄＣ）、エチニルチミジン（ＥｄＴ）及びエチニルデオキシウリジン（ＥｄＵ）が、ＲＲＳ測定にはエチニルアデノシン（ＥＡ）、エチニルグアノシン（ＥＧ）、エチニルシチジン（ＥＣ）、エチニルウリジン（ＥＵ）等が挙げられるが、これに限定されるものではない。末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体は、アプリケーションによっては、前記したヌクレオシド部分を含むヌクレオチド、例えば、エチニルデオキシアデノシン三リン酸（Ｅ-ｄＡＴＰ）等であってもよい。これらの化合物は、公知の方法によって製造することができる（Synlett, 2000,1: pp.86-88）。本発明においては、市販品を好適に利用することができる。
本発明においては、ＵＤＳ測定においてはＥｄＡ、ＥｄＧ、ＥｄＣ、ＥｄＴ及びＥｄＵからなる群より選ばれる少なくとも１種の末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を用いることが好ましく、ＥｄＵがより好ましい。またＲＲＳ測定においてはＥＡ、ＥＧ、ＥＣ及びＥＵからなる群より選ばれる少なくとも１種の末端アルキン修飾ヌクレオチド誘導体を用いることが好ましく、ＥＵがより好ましい。
試薬セット（１）に含まれるアジド部分を含むレポーター分子は、銅イオンが触媒するアジド−アルキンシクロ付加反応（ＣｕＡＡＣ）によって前記末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体と結合し、かつ検出可能な分子を包含する。当該レポーター分子は、検出を容易ならしめるために、蛍光色素であることが好ましく、例えば、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ（登録商標）４８８アジド、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ（登録商標）５９４アジド又はＡｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ（登録商標）６４７アジド、Ｏｒｅｇｏｎ Ｇｒｅｅｎ（登録商標）４８８アジド、テトラメチルローダミンアジド等が挙げられる。これらの化合物は、公知の方法によって製造することができる。本発明においては、市販品を好適に利用することができる。
試薬セット（２）
試薬セット（２）に含まれるアジド修飾ヌクレオシド誘導体は、アジド化されたヌクレオシドを包含し、例えばＵＤＳ測定には、アジドデオキシアデノシン、アジドデオキシグアノシン、アジドデオキシシチジン、アジドチミジン及びアジドデオキシウリジン等が、ＲＲＳ測定にはアジドアデノシン、アジドグアノシン、アジドシチジン、アジドウリジン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。アジド修飾ヌクレオシド誘導体は、前記したヌクレオシド部分を含むヌクレオチド、例えば、アジドデオキシアデノシン三リン酸（Ｎ３-ｄＡＴＰ）、等であってもよい。これらの化合物は、公知の方法によって製造することができる（Anal. Biochem., 1998, 258:pp.195-201)。本発明においては、市販品を好適に利用することができる。
試薬セット（２）に含まれるアジド修飾ヌクレオシド誘導体は、アジド化されたヌクレオシドを包含し、例えばＵＤＳ測定には、アジドデオキシアデノシン、アジドデオキシグアノシン、アジドデオキシシチジン、アジドチミジン及びアジドデオキシウリジン等が、ＲＲＳ測定にはアジドアデノシン、アジドグアノシン、アジドシチジン、アジドウリジン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。アジド修飾ヌクレオシド誘導体は、前記したヌクレオシド部分を含むヌクレオチド、例えば、アジドデオキシアデノシン三リン酸（Ｎ３-ｄＡＴＰ）、等であってもよい。これらの化合物は、公知の方法によって製造することができる（Anal. Biochem., 1998, 258:pp.195-201)。本発明においては、市販品を好適に利用することができる。
本発明においては、ＵＤＳ測定においてはアジドデオキシアデノシン、アジドデオキシグアノシン、アジドデオキシシチジン、アジドデオキシチミン及びアジドデオキシウリジンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアジド修飾ヌクレオシド誘導体を用いることが好ましく、アジドデオキシウリジンがより好ましい。またＲＲＳ測定においてはアジドアデノシン、アジドグアノシン、アジドシチジン、アジドウリジンからなる群より選ばれる少なくとも１種の末端アルキン修飾ヌクレオチド誘導体を用いることが好ましく、アジドウリジンがより好ましい。
試薬セット（２）に含まれる末端アルキンを含むレポーター分子は、銅イオンが触媒するアジド−アルキンシクロ付加反応（ＣｕＡＡＣ）によって前記アジド修飾ヌクレオシド誘導体と結合し、かつ検出可能な分子を包含する。当該レポーター分子は、検出を容易ならしめるために、蛍光色素であることが好ましく、例えば、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ（登録商標）４８８アルキン、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ（登録商標）５９４アルキン、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ（登録商標）６４７アルキン、Ｏｒｅｇｏｎ Ｇｒｅｅｎ（登録商標）４８８アルキン、テトラメチルローダミンアルキン等が挙げられる。これらの化合物は、公知の方法によって製造することができる。本発明においては、市販品を好適に利用することができる。
II 損傷ＤＮＡの修復又はＲＮＡ合成阻害を指標とした物質又は遺伝子のスクリーニング方法
一実施態様として、本スクリーニング方法は、試薬セット（１）を用いる。
一実施態様として、本スクリーニング方法は、試薬セット（１）を用いる。
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程
工程（ａ）で用いる細胞は、特に限定されるものではなく、あらゆる生物由来の、あらゆる組織由来の細胞であってもよい。ヒトに有用な物質の探索のためには、ヒト由来の細胞又は疾患モデルマウス等の細胞が好ましく、初代培養細胞であっても継代された細胞株であってもよい。例えば、正常１ＢＲ、４８ＢＲ、１４２ＢＲ及び２５１ＢＲ等のヒト初代線維芽細胞、ＸＰ１２ＢＲ、ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ１３ＢＲ及びＸＰ２０ＢＥ等のＸＰ患者由来細胞が挙げられるが、これらに限定されない。これらの細胞は、動物の組織から常法により採取したものを用いてもよく、寄託機関から分譲される細胞株又は市販の細胞株を用いてもよい。スクリーニングの対象が遺伝子である場合には、ＲＮＡ干渉法又は遺伝子破壊法、その他の手法により、スクリーニング対象遺伝子の発現を制限した被験細胞を用いる。
工程（ａ）で用いる細胞は、特に限定されるものではなく、あらゆる生物由来の、あらゆる組織由来の細胞であってもよい。ヒトに有用な物質の探索のためには、ヒト由来の細胞又は疾患モデルマウス等の細胞が好ましく、初代培養細胞であっても継代された細胞株であってもよい。例えば、正常１ＢＲ、４８ＢＲ、１４２ＢＲ及び２５１ＢＲ等のヒト初代線維芽細胞、ＸＰ１２ＢＲ、ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ１３ＢＲ及びＸＰ２０ＢＥ等のＸＰ患者由来細胞が挙げられるが、これらに限定されない。これらの細胞は、動物の組織から常法により採取したものを用いてもよく、寄託機関から分譲される細胞株又は市販の細胞株を用いてもよい。スクリーニングの対象が遺伝子である場合には、ＲＮＡ干渉法又は遺伝子破壊法、その他の手法により、スクリーニング対象遺伝子の発現を制限した被験細胞を用いる。
細胞の培養条件は、用いる細胞に応じて当業者であれば適宜設定することができ、動物細胞の場合、約５〜２０％のウシ胎仔血清を含む最少必須培地（ＭＥＭ）、ダルベッコ変法イーグル培地（ＤＭＥＭ）、ＲＰＭＩ１６４０培地、１９９培地等が挙げられる。培養条件も同様に適宜決定されるが、例えば、培地のｐＨは約６〜約８であり、培養温度は通常約３０〜約４０℃であり、セミコンフルエント密度で維持することが好ましい。
細胞を紫外線処理する方法は、用いる細胞に応じて当業者であれば適宜設定することができる。例えば、波長２５４ｎｍの紫外線を照射する場合、ヒト線維芽細胞に対して、５〜２０Ｊ／ｍ２の条件が例示され、これにより、ＤＮＡ損傷が誘発される。
細胞を変異原で処理する方法は、用いる細胞及び変異原に応じて当業者であれば適宜設定することができる。ここで、変異原としては、ニトロソアミン、ニトロソグアノシン等のニトロソ化合物；エチル化剤Ｎ-エチル-Ｎ-ニトロソウレア(ＥＮＵ)、メチル化剤エタンスルホン酸メチル(ＥＭＳ)等のアルキル化剤；ベンツピレン、クリセン等の多環芳香族炭化水素；臭化エチジウム等のＤＮＡインターカレーター；シスプラチン、マイトマイシンＣ等のＤＮＡ架橋剤；活性酸素；電離放射線が挙げられるが、これらに限定されない。また、毒性試験においては被験物質にて細胞を処理する工程のみを行い、別途の損傷誘発処理は行わない。
（ｂ）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程
被験物質としては、いかなる公知物質及び新規物質であってもよく、例えば、核酸、糖質、脂質、タンパク質、ペプチド、有機低分子化合物、コンビナトリアルケミストリー技術を用いて作製された化合物ライブラリー、固相合成及び／又はファージディスプレイ法により作製されたランダムペプチドライブラリー、あるいは微生物、動植物、海洋生物等由来の天然成分等が挙げられる。スクリーニング対象が遺伝子である場合には別途の被験物質との接触工程は省略され得る。また、毒性試験においては工程（ａ）にて被験物質との接触が既になされている。
被験物質としては、いかなる公知物質及び新規物質であってもよく、例えば、核酸、糖質、脂質、タンパク質、ペプチド、有機低分子化合物、コンビナトリアルケミストリー技術を用いて作製された化合物ライブラリー、固相合成及び／又はファージディスプレイ法により作製されたランダムペプチドライブラリー、あるいは微生物、動植物、海洋生物等由来の天然成分等が挙げられる。スクリーニング対象が遺伝子である場合には別途の被験物質との接触工程は省略され得る。また、毒性試験においては工程（ａ）にて被験物質との接触が既になされている。
被験物質と細胞の接触及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体と細胞の接触は、培養培地中で行われる。ヒト線維芽細胞の場合、例えば、約５〜２０％のウシ胎仔血清を含むＤＭＥＭ中で培養し、当該培地中に所定濃度の被験物質及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導を添加し、約３０〜約４０℃で、約０．５〜約７２時間培養を続けることにより、接触が完了する。被験物質と細胞の接触を行うタイミングは、対象となるスクリーニングの種類に応じて、例えばＤＮＡ損傷修復促進効果をＵＤＳの活性にて測定するのであれば、工程（ａ）の後に、又はＤＮＡ損傷誘発の抑制効果をＵＤＳの活性にて測定するのであれば、工程（ａ）の前に、あるいはＤＮＡ損傷修復促進効果をＲＲＳの活性にて測定するのであれば、工程（ａ）の１２〜４８時間後に行う等、適宜選択する。
（ｃ）上述の工程が終了した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを、対照群と比較する工程
工程（ｂ）で接触が完了した細胞を、界面活性剤を含むホルムアルデヒド溶液等を用いて、固定又は透過処理する。その後細胞を十分洗浄し、遊離の末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を除いた後、細胞内に取り込まれた末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定する。末端アルキン基とアジドの結合反応は、Ｃｕイオンの存在下、室温でインキュベートすることにより行われる。結合したレポーター分子は、レポーターの種類に応じて常法により測定することができるが、蛍光色素であるレポーター分子を用いる場合は、励起波長と検出波長を組み合わせて、蛍光色素から発する特定の波長の蛍光を容易に測定できるので好ましい。蛍光の測定は、細胞をカバーガラス上に固定して、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡で細胞の写真を取り込み、取り込み画像を処理し、ソフトウェアで解析することができる。Ｓ期の細胞は測定対象から除く。浮遊細胞の場合は、フローサイトメトリーにより解析することができる。
また、細胞をマイクロタイタープレート上で培養することで、ハイスループットスクリーニングに対応し、Ｉｎ−Ｃｅｌｌ−Ａｎａｌｙｚｅｒ等のハイスループットイメージングシステムにより解析することもできる。
対照となる細胞も同様に測定し、被験操作を行った細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを比較する。このようにして、本工程においてＵＤＳ又はＲＲＳを測定することができる。
工程（ｂ）で接触が完了した細胞を、界面活性剤を含むホルムアルデヒド溶液等を用いて、固定又は透過処理する。その後細胞を十分洗浄し、遊離の末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を除いた後、細胞内に取り込まれた末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定する。末端アルキン基とアジドの結合反応は、Ｃｕイオンの存在下、室温でインキュベートすることにより行われる。結合したレポーター分子は、レポーターの種類に応じて常法により測定することができるが、蛍光色素であるレポーター分子を用いる場合は、励起波長と検出波長を組み合わせて、蛍光色素から発する特定の波長の蛍光を容易に測定できるので好ましい。蛍光の測定は、細胞をカバーガラス上に固定して、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡で細胞の写真を取り込み、取り込み画像を処理し、ソフトウェアで解析することができる。Ｓ期の細胞は測定対象から除く。浮遊細胞の場合は、フローサイトメトリーにより解析することができる。
また、細胞をマイクロタイタープレート上で培養することで、ハイスループットスクリーニングに対応し、Ｉｎ−Ｃｅｌｌ−Ａｎａｌｙｚｅｒ等のハイスループットイメージングシステムにより解析することもできる。
対照となる細胞も同様に測定し、被験操作を行った細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを比較する。このようにして、本工程においてＵＤＳ又はＲＲＳを測定することができる。
（ｄ）前記（ｃ）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシドの取り込み率を変化させる物質又は遺伝子を選択する工程
対照操作を行った細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量に比べて、被験操作を行った細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量が有意に変化する場合、当該被験操作に含まれるスクリーニング対象となる物質又は遺伝子は、末端アルキン修飾ヌクレオシドの取り込み率を変化させるものとして選択することができる。このようにして選択された物質又は遺伝子は、ＤＮＡ損傷の修復を賦活させる、又はＤＮＡ損傷の発生を抑制する、あるいはＤＮＡ修復に関与する遺伝子の候補として、様々な用途に利用することができる。毒性試験においては、対象となる物質の毒性評価に利用できる。
対照操作を行った細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量に比べて、被験操作を行った細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量が有意に変化する場合、当該被験操作に含まれるスクリーニング対象となる物質又は遺伝子は、末端アルキン修飾ヌクレオシドの取り込み率を変化させるものとして選択することができる。このようにして選択された物質又は遺伝子は、ＤＮＡ損傷の修復を賦活させる、又はＤＮＡ損傷の発生を抑制する、あるいはＤＮＡ修復に関与する遺伝子の候補として、様々な用途に利用することができる。毒性試験においては、対象となる物質の毒性評価に利用できる。
別の実施態様として、本発明のスクリーニング方法は、試薬セット（２）を用いる。
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程
前記工程（ａ）と同様である。スクリーニングの対象が遺伝子である場合には、ＲＮＡ干渉法又は遺伝子破壊法その他の手法により、スクリーニング対象遺伝子の発現を制限した被験細胞を用いる。また、毒性試験においては被験物質にて細胞を処理する工程のみを行い、別途の損傷誘発処理は行わない。
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程
前記工程（ａ）と同様である。スクリーニングの対象が遺伝子である場合には、ＲＮＡ干渉法又は遺伝子破壊法その他の手法により、スクリーニング対象遺伝子の発現を制限した被験細胞を用いる。また、毒性試験においては被験物質にて細胞を処理する工程のみを行い、別途の損傷誘発処理は行わない。
（ｂ’）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程
前記工程（ｂ）において、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の代わりに、アジド修飾ヌクレオシド誘導体を用いること以外は、工程（ｂ）と同様である。スクリーニング対象が遺伝子である場合には別途の被験物質との接触工程は省略され得る。また、毒性試験においては工程（ａ）にて被験物質との接触が既になされている。
前記工程（ｂ）において、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の代わりに、アジド修飾ヌクレオシド誘導体を用いること以外は、工程（ｂ）と同様である。スクリーニング対象が遺伝子である場合には別途の被験物質との接触工程は省略され得る。また、毒性試験においては工程（ａ）にて被験物質との接触が既になされている。
（ｃ’）上述の工程が終了した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを、対照群と比較する工程
前記工程（ｂ’）で接触が完了した細胞を、アジド修飾レポーター分子の代わりに、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定すること以外は、前記工程（ｃ）と同様である。
前記工程（ｂ’）で接触が完了した細胞を、アジド修飾レポーター分子の代わりに、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定すること以外は、前記工程（ｃ）と同様である。
（ｄ’）前記（ｃ’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質又は遺伝子を選択する工程
被験物質を接触させない対照の細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量に比べて、被験操作を行った細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量が有意に変化する場合、当該被験操作に含まれるスクリーニング対象となる物質又は遺伝子は、アジド修飾ヌクレオシドの取り込み率を変化させるものとして選択することができる。このようにして選択された物質又は遺伝子は、ＤＮＡ損傷の修復を賦活させる、又はＤＮＡ損傷の発生を抑制する、あるいはＤＮＡ修復に関与する遺伝子の候補として、様々な用途に利用することができる。毒性試験においては、対象となる物質の毒性評価に利用できる。
被験物質を接触させない対照の細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量に比べて、被験操作を行った細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み量が有意に変化する場合、当該被験操作に含まれるスクリーニング対象となる物質又は遺伝子は、アジド修飾ヌクレオシドの取り込み率を変化させるものとして選択することができる。このようにして選択された物質又は遺伝子は、ＤＮＡ損傷の修復を賦活させる、又はＤＮＡ損傷の発生を抑制する、あるいはＤＮＡ修復に関与する遺伝子の候補として、様々な用途に利用することができる。毒性試験においては、対象となる物質の毒性評価に利用できる。
本発明のスクリーニング方法により選択された物質及び遺伝子は、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患の治療剤の有効成分及びアンチエイジング効果を有する化粧品及び／又は医薬品（例、紫外線防護化粧品）の成分、あるいはこれらの成分を探索するための新たなスクリーニング方法の開発等（当該遺伝子のノックアウトマウスを作成し、スクリーニングに供する等）に関して有用である。ここで言う「アンチエイジング効果」とは、紫外線照射、活性酸素等に起因する細胞老化を抑制する作用を言う。
ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患としては、ヌクレオチド除去修復欠損性疾患、例えば色素性乾皮症、コケイン症侯群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症等が挙げられるが、これらに限定されない。正常ヒトにおいて自然発生したヌクレオチド除去修復欠損が原因となる疾患としては、皮膚癌等が挙げられるが、これらに限定されない。
III ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法
本発明は、前記試薬セット（１）又は（２）を用いて、ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法を提供する。当該検出方法により得られた結果を利用して、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患を診断することも可能である。一実施態様として、本検出方法は、試薬セット（１）を用い、ヌクレオチド除去修復欠損を伴う細胞を検出する。
本発明は、前記試薬セット（１）又は（２）を用いて、ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法を提供する。当該検出方法により得られた結果を利用して、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患を診断することも可能である。一実施態様として、本検出方法は、試薬セット（１）を用い、ヌクレオチド除去修復欠損を伴う細胞を検出する。
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程
ＤＮＡ損傷処理対象の細胞は、被験者の生体組織の一部を採取し（皮膚生検等）、酵素処理により分散化し初期培養細胞とすることによって準備する。対照として、正常皮膚由来の線維芽細胞、ＸＰの検出のためにはＸＰ患者由来の線維芽細胞株（例えば、ＸＰ１５ＢＲ（ＸＰ−Ａ）、ＸＰ２０ＢＥ（ＸＰ−Ｇ）、ＸＰ１３ＢＲ（ＸＰ−Ｃ）、ＸＰ１２ＢＲ（ＸＰ−Ｄ））、ＣＳの検出のためにはＣＳ患者由来の線維芽細胞（ＣＳ１０ＬＯ（ＣＳ−Ｂ））を準備することも好ましい。
ＤＮＡ損傷処理の条件としては、例えば、波長２５４ｎｍの紫外線をヒト線維芽細胞に対して、５〜２０Ｊ／ｍ２の照射が例示される。
ＤＮＡ損傷処理対象の細胞は、被験者の生体組織の一部を採取し（皮膚生検等）、酵素処理により分散化し初期培養細胞とすることによって準備する。対照として、正常皮膚由来の線維芽細胞、ＸＰの検出のためにはＸＰ患者由来の線維芽細胞株（例えば、ＸＰ１５ＢＲ（ＸＰ−Ａ）、ＸＰ２０ＢＥ（ＸＰ−Ｇ）、ＸＰ１３ＢＲ（ＸＰ−Ｃ）、ＸＰ１２ＢＲ（ＸＰ−Ｄ））、ＣＳの検出のためにはＣＳ患者由来の線維芽細胞（ＣＳ１０ＬＯ（ＣＳ−Ｂ））を準備することも好ましい。
ＤＮＡ損傷処理の条件としては、例えば、波長２５４ｎｍの紫外線をヒト線維芽細胞に対して、５〜２０Ｊ／ｍ２の照射が例示される。
（Ｂ）工程（Ａ）で処理した細胞と末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程
スクリーニング方法における工程（ｂ）において、被験物質を添加しないこと以外は工程（ｂ）と同様である。
スクリーニング方法における工程（ｂ）において、被験物質を添加しないこと以外は工程（ｂ）と同様である。
（Ｃ）ＤＮＡ損傷処理した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程
スクリーニング方法における工程（ｃ）と同様である。
スクリーニング方法における工程（ｃ）と同様である。
（Ｄ）前記（Ｃ）の比較結果に基づいて、被験者におけるヌクレオチド除去修復欠損の有無を判定する工程
被験者由来の細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みが、正常対照細胞における取り込みに比べて有意に低い場合、当該被験者は、ヌクレオチド除去修復能力が低下していると判定することができる。また、当該被験者由来の細胞における取り込みを、例えば、典型的なＸＰ患者のタイプ別の細胞における取り込みとそれぞれ比較することにより、被験者がいずれかのタイプのＸＰに罹患しているか否かの目安とすることもできる。
被験者由来の細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みが、正常対照細胞における取り込みに比べて有意に低い場合、当該被験者は、ヌクレオチド除去修復能力が低下していると判定することができる。また、当該被験者由来の細胞における取り込みを、例えば、典型的なＸＰ患者のタイプ別の細胞における取り込みとそれぞれ比較することにより、被験者がいずれかのタイプのＸＰに罹患しているか否かの目安とすることもできる。
別の実施態様として、本検出方法は、試薬セット（２）を用いる。
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程
前記工程（Ａ）と同様である。
前記工程（Ａ）と同様である。
（Ｂ’）工程（Ａ）で処理した細胞とアジド修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程
前記工程（Ｂ）において、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の代わりに、アジド修飾ヌクレオシド誘導体を用いること以外は、工程（Ｂ）と同様である。
前記工程（Ｂ）において、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の代わりに、アジド修飾ヌクレオシド誘導体を用いること以外は、工程（Ｂ）と同様である。
（Ｃ’）ＤＮＡ損傷処理した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程
前記工程（Ｂ’）で接触が完了した細胞を、アジド修飾レポーター分子の代わりに、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定すること以外は、前記工程（Ｃ）と同様である。
前記工程（Ｂ’）で接触が完了した細胞を、アジド修飾レポーター分子の代わりに、末端アルキンを含むレポーター分子を用いて測定すること以外は、前記工程（Ｃ）と同様である。
（Ｄ’）前記（Ｃ’）の比較結果に基づいて、被験者におけるヌクレオチド除去修復欠損の有無を判定する工程
前記工程（Ｄ）において、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の代わりに、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを検定すること以外は、工程（Ｄ）と同様である。
前記工程（Ｄ）において、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の代わりに、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを検定すること以外は、工程（Ｄ）と同様である。
本発明の検出方法は、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症等のＤＮＡ修復欠損に由来する細胞を対照として比較することにより、被験者がこれらのいずれかの疾患に罹患しているか否かの診断にも寄与することができる。本発明の検出方法を用いて、これらの患者由来の細胞をアッセイすることにより、診断の基準値を設定することも可能である。
本発明は、前記試薬セット（１）又は試薬セット（２）を含む、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患の診断キットを提供する。
また、本発明は、前記試薬セット（１）又は試薬セット（２）を含む、ＤＮＡが損傷した細胞における修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング用キットを提供する。
前記キットには、さらに、クリックケミストリー反応のための溶媒もしくは触媒（ＣｕＳＯ４等）又は細胞周期検出用蛍光色素等の試薬、又は、当該試薬セットをＤＮＡが損傷した細胞における不定期ＤＮＡ合成の検出に使用できること、又は使用すべきであることを記載した指示書を含んでいてもよい。
次に、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
[試験例１]
ＥｄＵ取り込みによる紫外線誘発ＵＤＳの最適化
４８ＢＲ細胞をカバーガラス上で培養し、コンフルエント密度で維持した。細胞をＰＢＳで洗浄し、続いて異なる照射量（５−２０Ｊ／ｍ２）の紫外線（２５４ｎｍ）を照射した。紫外線照射後、直ちに１０μＭのＥｄＵを含む無血清ＤＭＥＭで、細胞を異なる期間（０．５、１、２及び４時間）培養した。次いで、細胞をＰＢＳで洗浄し、２％ ホルムアルデヒド、０．５％ トリトンＸ−１００及び３００μＭ スクロース含有ＰＢＳで２０分間固定・透過処理をした。ＰＢＳで徹底的に洗浄後、細胞を１０％ ＦＢＳ加ＰＢＳで３０分間処理した。取り込まれたＥｄＵを、蛍光アジド結合反応により検出した（Ｃｌｉｃｋ−ｉＴＲ、インビトロジェン）。検出の手順は以下の通りである。４ｍＭのＣｕＳＯ４を添加したＴＢＳ中で、アジド結合Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ４８８色素と共に、細胞を３０分間インキュベートし、次いで、０．０５％ Ｔｗｅｅｎ−２０（ＰＢＳＴ）含有ＰＢＳで細胞を３回洗浄した。カバーガラスをＰＢＳに浸漬し、３．７％ ホルムアルデヒド加ＰＢＳで２０分間固定し、アクアポリマウント（Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅｓ）でガラススライド上に装着した。ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡（ＢＩＯＲＥＶＯ９０００−ＫＥＹＥＮＣＥ）で細胞の写真を取り込み、取り込み画像をＩｍａｇｅＪ ソフトウェア（ＮＩＨ）で解析した。一つの取り込んだ視野から少なくとも５０個のＳ期でない細胞を無作為に選択し、核の平均蛍光強度を算出した。対照として、紫外線照射の過程において正常細胞を偽処理した以外は、同一の条件でＥｄＵアッセイを行い、画像を解析した。
ＥｄＵ取り込みによる紫外線誘発ＵＤＳの最適化
４８ＢＲ細胞をカバーガラス上で培養し、コンフルエント密度で維持した。細胞をＰＢＳで洗浄し、続いて異なる照射量（５−２０Ｊ／ｍ２）の紫外線（２５４ｎｍ）を照射した。紫外線照射後、直ちに１０μＭのＥｄＵを含む無血清ＤＭＥＭで、細胞を異なる期間（０．５、１、２及び４時間）培養した。次いで、細胞をＰＢＳで洗浄し、２％ ホルムアルデヒド、０．５％ トリトンＸ−１００及び３００μＭ スクロース含有ＰＢＳで２０分間固定・透過処理をした。ＰＢＳで徹底的に洗浄後、細胞を１０％ ＦＢＳ加ＰＢＳで３０分間処理した。取り込まれたＥｄＵを、蛍光アジド結合反応により検出した（Ｃｌｉｃｋ−ｉＴＲ、インビトロジェン）。検出の手順は以下の通りである。４ｍＭのＣｕＳＯ４を添加したＴＢＳ中で、アジド結合Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ４８８色素と共に、細胞を３０分間インキュベートし、次いで、０．０５％ Ｔｗｅｅｎ−２０（ＰＢＳＴ）含有ＰＢＳで細胞を３回洗浄した。カバーガラスをＰＢＳに浸漬し、３．７％ ホルムアルデヒド加ＰＢＳで２０分間固定し、アクアポリマウント（Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅｓ）でガラススライド上に装着した。ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡（ＢＩＯＲＥＶＯ９０００−ＫＥＹＥＮＣＥ）で細胞の写真を取り込み、取り込み画像をＩｍａｇｅＪ ソフトウェア（ＮＩＨ）で解析した。一つの取り込んだ視野から少なくとも５０個のＳ期でない細胞を無作為に選択し、核の平均蛍光強度を算出した。対照として、紫外線照射の過程において正常細胞を偽処理した以外は、同一の条件でＥｄＵアッセイを行い、画像を解析した。
（結果）
図１Ａより、核の蛍光強度が紫外線照射量及びＥｄＵインキュベーション時間の両方に比例していることが明らかになり、この評価項目が、半定量的にＵＤＳ活性へと直接転換でき、取り込まれたＥｄＵ量を示すことも分かった。また、比較的少ない紫外線照射において、紫外線照射後の短期間のＥｄＵインキュベーションで、核蛍光シグナルを検出することができた。また、２０Ｊ／ｍ２の紫外線照射の後、細胞をＥｄＵと共に２時間インキュベーションをすることが、ＵＤＳアッセイを行うにあったって最適条件であると示された。以後、特に規定がない限り全ての実施例にはこの条件を用いた。
図１Ｂより、３Ｈ−チミジンで標識しオートラジオグラフィーを用いた手法において見られたＳ期細胞における細胞周期ＤＮＡ合成由来の強いシグナルは、修復合成に起因するより弱い細胞周期非依存的な不定期ＤＮＡ合成によるＥｄＵ取り込みとは区別される。さらに、非特異的細胞質染色又はＤＮＡ複製非依存的核シグナルをほとんど検出しなかったことより、蛍光アジド結合反応は、取り込まれたＥｄＵに特異的であると示された。
以上より、本技法がごく微量のＵＤＳ活性を検出するのに十分な感受性があることを示唆する。
図１Ａより、核の蛍光強度が紫外線照射量及びＥｄＵインキュベーション時間の両方に比例していることが明らかになり、この評価項目が、半定量的にＵＤＳ活性へと直接転換でき、取り込まれたＥｄＵ量を示すことも分かった。また、比較的少ない紫外線照射において、紫外線照射後の短期間のＥｄＵインキュベーションで、核蛍光シグナルを検出することができた。また、２０Ｊ／ｍ２の紫外線照射の後、細胞をＥｄＵと共に２時間インキュベーションをすることが、ＵＤＳアッセイを行うにあったって最適条件であると示された。以後、特に規定がない限り全ての実施例にはこの条件を用いた。
図１Ｂより、３Ｈ−チミジンで標識しオートラジオグラフィーを用いた手法において見られたＳ期細胞における細胞周期ＤＮＡ合成由来の強いシグナルは、修復合成に起因するより弱い細胞周期非依存的な不定期ＤＮＡ合成によるＥｄＵ取り込みとは区別される。さらに、非特異的細胞質染色又はＤＮＡ複製非依存的核シグナルをほとんど検出しなかったことより、蛍光アジド結合反応は、取り込まれたＥｄＵに特異的であると示された。
以上より、本技法がごく微量のＵＤＳ活性を検出するのに十分な感受性があることを示唆する。
［試験例２］
ＥｄＵ取り込みアッセイとＢｒｄＵ取り込みアッセイとの比較
ヒト由来の正常な初代線維芽細胞４８ＢＲ細胞及びＸＰ−Ａ患者由来の初代線維芽細胞であるＸＰ１５ＢＲ細胞において、紫外線照射（対照は偽処理）後にＥｄＵ又はＢｒｄＵを取り込ませて、ＵＤＳ活性を比較した。
ＥｄＵ取り込みアッセイとＢｒｄＵ取り込みアッセイとの比較
ヒト由来の正常な初代線維芽細胞４８ＢＲ細胞及びＸＰ−Ａ患者由来の初代線維芽細胞であるＸＰ１５ＢＲ細胞において、紫外線照射（対照は偽処理）後にＥｄＵ又はＢｒｄＵを取り込ませて、ＵＤＳ活性を比較した。
細胞のＥｄＵ処理手順は前述の通りである。ＢｒｄＵの取り込み測定においては、ＥｄＵの代わりに５μＭのＢｒｄＵを添加した以外は同一の条件でＢｒｄＵと共に培養し、洗浄後、固定・透過処理を行った。ＰＢＳにより徹底的に洗浄した後、ＤＮＡ変性のために４Ｍ ＨＣｌ加ＰＢＳで細胞を１５分間処理した。中和のために細胞をＰＢＳで徹底的に洗浄し、続いて１０％ ＦＢＳ加ＰＢＳで３０分間固定した。マウス抗ＢｒｄＵ抗体（ＢＤ、ＰＢＳＴで１：１５０に希釈）と共に１時間インキュベートすることにより、取り込まれたＢｒｄＵを検出した。次いで、細胞をＰＢＳＴで３回洗浄し、続いてＡｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ４８８結合ヤギ抗マウスＩｇＧ（インビトロジェン、ＰＢＳＴで１：５００に希釈）と共に１時間インキュベーションした。カバーガラスをＰＢＳに浸漬し、３．７％ ホルムアルデヒド加ＰＢＳで２０分間固定し、アクアポリマウント（Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅｓ）でガラススライド上に装着した。画像取り込み及び解析を、上述の通り行った。
（結果）
正常４８ＢＲ（ＵＤＳ陽性、図１Ｃ）及びＸＰ欠損１５ＢＲ（ＵＤＳ陰性、図１Ｄ）線維芽細胞の両方に関する、ＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳアッセイについての強度分散プロットは、確立されたオートラジオグラフィーに基づく実験のそれと似ているが、本試験例では、バックグラウンドＵＤＳレベルが、オートラジオグラフィー由来のものよりも比較的高かったことを認めた。ＥｄＵアッセイは、常に小さなＳＤ（１０−１５％）を提供した。
また、ＥｄＵに基づくアッセイとＢｒｄＵに基づくアッセイとの相対的感受性を比較したところ、ＢｒｄＵの感受性及び解像度は、ＥｄＵと比較しても制限される（図１Ｅ及び図１Ｆ）。これは、ＢｒｄＵを一般にＳ期標識に用いる報告がされているのに対して、ＵＤＳアッセイに用いる報告がほとんど無いことからも示唆される。正常４８ＢＲ線維芽細胞及びＸＰ欠損ＸＰ１５ＢＲ線維芽細胞のヒストグラムは、ＢｒｄＵに基づくアッセイによっても区別され得るが（図１Ｅ及び図１Ｆ）、解像度並びにＳＤは、ＥｄＵ方法において両方とも顕著に改善されており、ＵＤＳアッセイにおいて、ＢｒｄＵよりもＥｄＵを用いる方が感受性が高いことを示している。
正常４８ＢＲ（ＵＤＳ陽性、図１Ｃ）及びＸＰ欠損１５ＢＲ（ＵＤＳ陰性、図１Ｄ）線維芽細胞の両方に関する、ＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳアッセイについての強度分散プロットは、確立されたオートラジオグラフィーに基づく実験のそれと似ているが、本試験例では、バックグラウンドＵＤＳレベルが、オートラジオグラフィー由来のものよりも比較的高かったことを認めた。ＥｄＵアッセイは、常に小さなＳＤ（１０−１５％）を提供した。
また、ＥｄＵに基づくアッセイとＢｒｄＵに基づくアッセイとの相対的感受性を比較したところ、ＢｒｄＵの感受性及び解像度は、ＥｄＵと比較しても制限される（図１Ｅ及び図１Ｆ）。これは、ＢｒｄＵを一般にＳ期標識に用いる報告がされているのに対して、ＵＤＳアッセイに用いる報告がほとんど無いことからも示唆される。正常４８ＢＲ線維芽細胞及びＸＰ欠損ＸＰ１５ＢＲ線維芽細胞のヒストグラムは、ＢｒｄＵに基づくアッセイによっても区別され得るが（図１Ｅ及び図１Ｆ）、解像度並びにＳＤは、ＥｄＵ方法において両方とも顕著に改善されており、ＵＤＳアッセイにおいて、ＢｒｄＵよりもＥｄＵを用いる方が感受性が高いことを示している。
［試験例３］
ＮＥＲ欠損初代線維芽細胞における紫外線誘発ＥｄＵ取り込み
ＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳ測定法のＸＰ診断方法への適用を検討するために、数種のＮＥＲ欠損初代線維芽細胞並びに正常コントロールにおける、紫外線誘発ＥｄＵ取り込みレベルを検討した（対照は紫外線処理なし）。使用した細胞は、４８ＢＲ、１ＢＲ、ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ２０ＢＥ、ＸＰ１３ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ、ＣＳ１０ＬＯである。ＥｄＵに基づくＵＤＳ活性の測定は前述の通りである。
ＮＥＲ欠損初代線維芽細胞における紫外線誘発ＥｄＵ取り込み
ＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳ測定法のＸＰ診断方法への適用を検討するために、数種のＮＥＲ欠損初代線維芽細胞並びに正常コントロールにおける、紫外線誘発ＥｄＵ取り込みレベルを検討した（対照は紫外線処理なし）。使用した細胞は、４８ＢＲ、１ＢＲ、ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ２０ＢＥ、ＸＰ１３ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ、ＣＳ１０ＬＯである。ＥｄＵに基づくＵＤＳ活性の測定は前述の通りである。
（結果）
試験結果を図２Ａ−Ｇのヒストグラム及び図２Ｉの写真に示す。ＸＰは遺伝的な異種疾患（原因遺伝子が単一ではない疾患）であるため、異常を持つＮＥＲ遺伝子及び変異の型の両方が、ＵＤＳにおける欠損の規模を決定する。ＸＰ１５ＢＲ（ＸＰ−Ａ）、ＸＰ２０ＢＥ（ＸＰ−Ｇ／ＣＳ）、ＸＰ１３ＢＲ（ＸＰ−Ｃ）、ＸＰ１２ＢＲ（ＸＰ−Ｄ）及びＣＳ患者由来ＣＳ１０ＬＯ（ＣＳ−Ｂ）細胞におけるＵＤＳを測定した。２０Ｊ／ｍ２で紫外線照射した結果、正常線維芽細胞４８ＢＲ（図２Ａ）及び１ＢＲ（図２Ｂ）における実質的ＵＤＳを観察した。深刻なＸＰ患者由来のＸＰ１５ＢＲ（ＸＰ−Ａ、図２Ｃ）及びＸＰ２０ＢＥ（ＸＰ−Ｇ、図２Ｄ）線維芽細胞におけるＵＤＳをほとんど検出しなかったが、ＸＰ−Ｃ患者由来のＸＰ１３ＢＲ（図２Ｅ）線維芽細胞において、検出限界（正常の最大２０％）に近いＵＤＳ活性を検出した。また図２Ｉより、正常細胞においてＥｄＵ取り込みが行われているのに対し、ＮＥＲ欠損細胞においてはＥｄＵ取り込みが確認されないことから、Ｓ期でない細胞における紫外線誘発ＥｄＵ取り込みは、ＮＥＲの修復ＤＮＡ合成に特異的であることが示された。
試験結果を図２Ａ−Ｇのヒストグラム及び図２Ｉの写真に示す。ＸＰは遺伝的な異種疾患（原因遺伝子が単一ではない疾患）であるため、異常を持つＮＥＲ遺伝子及び変異の型の両方が、ＵＤＳにおける欠損の規模を決定する。ＸＰ１５ＢＲ（ＸＰ−Ａ）、ＸＰ２０ＢＥ（ＸＰ−Ｇ／ＣＳ）、ＸＰ１３ＢＲ（ＸＰ−Ｃ）、ＸＰ１２ＢＲ（ＸＰ−Ｄ）及びＣＳ患者由来ＣＳ１０ＬＯ（ＣＳ−Ｂ）細胞におけるＵＤＳを測定した。２０Ｊ／ｍ２で紫外線照射した結果、正常線維芽細胞４８ＢＲ（図２Ａ）及び１ＢＲ（図２Ｂ）における実質的ＵＤＳを観察した。深刻なＸＰ患者由来のＸＰ１５ＢＲ（ＸＰ−Ａ、図２Ｃ）及びＸＰ２０ＢＥ（ＸＰ−Ｇ、図２Ｄ）線維芽細胞におけるＵＤＳをほとんど検出しなかったが、ＸＰ−Ｃ患者由来のＸＰ１３ＢＲ（図２Ｅ）線維芽細胞において、検出限界（正常の最大２０％）に近いＵＤＳ活性を検出した。また図２Ｉより、正常細胞においてＥｄＵ取り込みが行われているのに対し、ＮＥＲ欠損細胞においてはＥｄＵ取り込みが確認されないことから、Ｓ期でない細胞における紫外線誘発ＥｄＵ取り込みは、ＮＥＲの修復ＤＮＡ合成に特異的であることが示された。
［比較例１］
３Ｈ−チミジン取り込みアッセイ
３Ｈ−チミジンに基づくＵＤＳアッセイの詳細は、以下の通りである。静止細胞（ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ１３ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ及び４つの異なる正常細胞（１ＢＲ、４８ＢＲ、１４２ＢＲ及び２５１ＢＲ））を１％ ＤＭＥＭ中で３日間培養した（３×１０５細胞／５ｃｍ直径プレート）。それらを１０ｍＭ ヒドロキシウレア（ＨＵ）と共に１時間インキュベートした後、指示照射量で紫外線照射した。１０μＣｉ／ｍｌ ３Ｈ−チミジン及び１０ｍＭ ＨＵ含有１％ ＤＭＥＭでさらに３時間インキュベートした。酸不溶性物質内に取り込まれた３Ｈ−チミジンを、液体シンチレーションカウントにより測定した。
３Ｈ−チミジン取り込みアッセイ
３Ｈ−チミジンに基づくＵＤＳアッセイの詳細は、以下の通りである。静止細胞（ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ１３ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ及び４つの異なる正常細胞（１ＢＲ、４８ＢＲ、１４２ＢＲ及び２５１ＢＲ））を１％ ＤＭＥＭ中で３日間培養した（３×１０５細胞／５ｃｍ直径プレート）。それらを１０ｍＭ ヒドロキシウレア（ＨＵ）と共に１時間インキュベートした後、指示照射量で紫外線照射した。１０μＣｉ／ｍｌ ３Ｈ−チミジン及び１０ｍＭ ＨＵ含有１％ ＤＭＥＭでさらに３時間インキュベートした。酸不溶性物質内に取り込まれた３Ｈ−チミジンを、液体シンチレーションカウントにより測定した。
ＸＰ１５ＢＲ、ＸＰ１３ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ及び４つの異なる正常細胞（１ＢＲ、４８ＢＲ、１４２ＢＲ及び２５１ＢＲ）におけるＵＤＳ（正常細胞は４種のレベルの平均）を、ＥｄＵ取り込みを用いて得たそれらと結果を比較した。ＵＤＳレベルを正規化し、１０Ｊ／ｍ２の正常細胞におけるＵＤＳの割合として算出した。図２Ｈの示すＭｅａｎ Ｎｏｒｍａｌは、４つの異なる正常細胞株（１ＢＲ、４８ＢＲ、１４２ＢＲ及び２５１ＢＲ）の平均ＵＤＳレベルである。
（結果）
図２Ｈより、ＵＤＳ活性はＸＰ１５ＢＲにおいてはほとんど検出されなかったが、ＸＰ１３ＢＲ及びＸＰ１２ＢＲにおいてはそれぞれ正常値の最大約２０％及び最大約４０％であり、これはＥｄＵの取り込みに基づくアッセイの結果である図２Ｃ、図２Ｅ及び図２Ｆの示す結果と十分一致する。また、この結果から中間的なＵＤＳ活性（正常ＵＤＳレベルの２０から４０％）を示す細胞が、ＥｄＵの取り込みに基づくアッセイにより、正常なＵＤＳ活性及び深刻なＵＤＳ欠損の両方から区別され得ることが実証された。
図２Ｈより、ＵＤＳ活性はＸＰ１５ＢＲにおいてはほとんど検出されなかったが、ＸＰ１３ＢＲ及びＸＰ１２ＢＲにおいてはそれぞれ正常値の最大約２０％及び最大約４０％であり、これはＥｄＵの取り込みに基づくアッセイの結果である図２Ｃ、図２Ｅ及び図２Ｆの示す結果と十分一致する。また、この結果から中間的なＵＤＳ活性（正常ＵＤＳレベルの２０から４０％）を示す細胞が、ＥｄＵの取り込みに基づくアッセイにより、正常なＵＤＳ活性及び深刻なＵＤＳ欠損の両方から区別され得ることが実証された。
一方、図２Ｇは、正常線維芽細胞と比較してＵＤＳレベルのわずかな（最大２０％）減少を示すが、これが有意な減少であり、ＮＥＲ異常の範囲内まで低下する傾向にあるとはすぐには断言できない。ＣＳは、ＮＥＲのうちのＴＣＲ経路の機能が低下しただけであり、ＮＥＲ活性の９０％程度を占めるＧＧＲは正常であるため、ＮＥＲの欠損はしばしば微弱である。
［比較例２］
免疫染色との適合性の比較
ＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳ測定法の臨床診断への適用を検討するために、本技法と内部標準を用いた他の標準技法によるＵＤＳアッセイとの適合性を評価した。４８ＢＲ細胞及びＸＰ２０ＢＥ細胞を１：１の比率で混合培養した（ｋｉ６７染色については４８ＢＲ単独）。紫外線照射、ＥｄＵインキュベーション並びに固定・透過処理工程を、前述の通り行った。抗体検出のために、ＰＢＳ中１０％ ＦＢＳで３０分間細胞を固定し、続いてマウスモノクローナル抗ＸＰＧ（８Ｈ７、サンタクルーズバイオテクノロジー）抗体（ＰＢＳＴで１：１００に希釈）又はウサギモノクローナル抗ｋｉ６７（ＳＰ６、サーモサイエンティフィック）抗体（ＰＢＳＴで１：１００に希釈）と共に１時間インキュベーションした。次いで、細胞をＰＢＳＴで三回洗浄し、続いて二次抗体（ＸＰＧ及びｋｉ６７検出のためにそれぞれ、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ５９４結合ヤギ抗マウスＩｇＧ（インビトロジェン、ＰＢＳＴで１：１０００に希釈）、及びＡｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ５９４結合ヤギ抗ウサギＩｇＧ（インビトロジェン、ＰＢＳＴで１：１０００に希釈））と共に１時間インキュベーションした。不必要な核の蛍光を避けるために、ＤＡＰＩ染色を省いた。ＰＢＳＴによる徹底的な洗浄の後、３．７％ ホルムアルデヒド加ＰＢＳで２０分間細胞を固定した。その後、ＥｄＵ検出を前述の通り行った。
免疫染色との適合性の比較
ＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳ測定法の臨床診断への適用を検討するために、本技法と内部標準を用いた他の標準技法によるＵＤＳアッセイとの適合性を評価した。４８ＢＲ細胞及びＸＰ２０ＢＥ細胞を１：１の比率で混合培養した（ｋｉ６７染色については４８ＢＲ単独）。紫外線照射、ＥｄＵインキュベーション並びに固定・透過処理工程を、前述の通り行った。抗体検出のために、ＰＢＳ中１０％ ＦＢＳで３０分間細胞を固定し、続いてマウスモノクローナル抗ＸＰＧ（８Ｈ７、サンタクルーズバイオテクノロジー）抗体（ＰＢＳＴで１：１００に希釈）又はウサギモノクローナル抗ｋｉ６７（ＳＰ６、サーモサイエンティフィック）抗体（ＰＢＳＴで１：１００に希釈）と共に１時間インキュベーションした。次いで、細胞をＰＢＳＴで三回洗浄し、続いて二次抗体（ＸＰＧ及びｋｉ６７検出のためにそれぞれ、Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ５９４結合ヤギ抗マウスＩｇＧ（インビトロジェン、ＰＢＳＴで１：１０００に希釈）、及びＡｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ５９４結合ヤギ抗ウサギＩｇＧ（インビトロジェン、ＰＢＳＴで１：１０００に希釈））と共に１時間インキュベーションした。不必要な核の蛍光を避けるために、ＤＡＰＩ染色を省いた。ＰＢＳＴによる徹底的な洗浄の後、３．７％ ホルムアルデヒド加ＰＢＳで２０分間細胞を固定した。その後、ＥｄＵ検出を前述の通り行った。
（結果）
図３Ａ及び図３Ｂより、ＥｄＵへの蛍光アジド結合が、免疫蛍光染色と完全に適合することが分かった。指標線維芽細胞並びに本試験例中の標的を同一カバーガラス上で共培養した結果、厳密な内部コントロールを得た。図３Ａにおいて、正常線維芽細胞及びＸＰＧ欠損線維芽細胞を共培養し、続いてＸＰＧ抗体による免疫染色と組み合わせてＵＶ−ＵＤＳアッセイを行った結果、ＥｄＵ陽性細胞（Ｓ期を除く）は、ＸＰＧ陽性細胞と完全に一致し、２つの異なる細胞集団がＵＤＳアッセイにおいて区別され得ることが示された。同様に、図３Ｂにおいて、ＥｄＵアッセイについての細胞周期選択性があるかどうかを調べた結果、増殖マーカーｋｉ６７による共免疫染色は、静止線維芽細胞（ｋｉ６７染色なし）並びに増殖集団においてＵＤＳを検出し得ることを実証した。
図３Ａ及び図３Ｂより、ＥｄＵへの蛍光アジド結合が、免疫蛍光染色と完全に適合することが分かった。指標線維芽細胞並びに本試験例中の標的を同一カバーガラス上で共培養した結果、厳密な内部コントロールを得た。図３Ａにおいて、正常線維芽細胞及びＸＰＧ欠損線維芽細胞を共培養し、続いてＸＰＧ抗体による免疫染色と組み合わせてＵＶ−ＵＤＳアッセイを行った結果、ＥｄＵ陽性細胞（Ｓ期を除く）は、ＸＰＧ陽性細胞と完全に一致し、２つの異なる細胞集団がＵＤＳアッセイにおいて区別され得ることが示された。同様に、図３Ｂにおいて、ＥｄＵアッセイについての細胞周期選択性があるかどうかを調べた結果、増殖マーカーｋｉ６７による共免疫染色は、静止線維芽細胞（ｋｉ６７染色なし）並びに増殖集団においてＵＤＳを検出し得ることを実証した。
［試験例４］
これまでの結果より、ＵＤＳ活性におけるＮＥＲ欠損のレベルは異なるＸＰ患者の間で変動する。患者がＮＥＲ不全であるかどうかを、患者由来の線維芽細胞の残留ＵＤＳ活性と指標細胞のそれとを比較することにより評価されることが理想的である。このことを確認するために、実用的なＵＤＳに基づくＸＰ診断において、細胞質中にラテックスビーズを導入することで前処理した正常線維芽細胞を、患者由来の線維芽細胞と共に共培養した。「ビーズ標識細胞」は、試料から試料への染色の変動を除去する、位相差顕微鏡下で検出され得る内部標準を提供する。本技術がまた、ＥｄＵアッセイと適合するかどうかを検査した。まず、ラテックスビーズが核蛍光強度に作用しないかどうかを調べた。
これまでの結果より、ＵＤＳ活性におけるＮＥＲ欠損のレベルは異なるＸＰ患者の間で変動する。患者がＮＥＲ不全であるかどうかを、患者由来の線維芽細胞の残留ＵＤＳ活性と指標細胞のそれとを比較することにより評価されることが理想的である。このことを確認するために、実用的なＵＤＳに基づくＸＰ診断において、細胞質中にラテックスビーズを導入することで前処理した正常線維芽細胞を、患者由来の線維芽細胞と共に共培養した。「ビーズ標識細胞」は、試料から試料への染色の変動を除去する、位相差顕微鏡下で検出され得る内部標準を提供する。本技術がまた、ＥｄＵアッセイと適合するかどうかを検査した。まず、ラテックスビーズが核蛍光強度に作用しないかどうかを調べた。
ラテックスビーズ存在下でのＥｄＵアッセイ
正常４８ＢＲ細胞を０．５μｍ直径ラテックスビーズで前標識し、カバーガラス上で指示ＸＰ線維芽細胞（４８ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ、ＸＰ１５ＢＲ：ビーズなし）と共培養した。次いで、細胞を紫外線照射（２０Ｊ／ｍ２）し、続いて１０μＭ ＥｄＵと共に２時間インキュベーションした。次いで、カバーガラスを比較例１と同様に処理した。
正常４８ＢＲ細胞を０．５μｍ直径ラテックスビーズで前標識し、カバーガラス上で指示ＸＰ線維芽細胞（４８ＢＲ、ＸＰ１２ＢＲ、ＸＰ１５ＢＲ：ビーズなし）と共培養した。次いで、細胞を紫外線照射（２０Ｊ／ｍ２）し、続いて１０μＭ ＥｄＵと共に２時間インキュベーションした。次いで、カバーガラスを比較例１と同様に処理した。
（結果）
図４Ａ上段及び対応するヒストグラム（図４Ｂ）に示すように、ビーズを導入した４８ＢＲ細胞における蛍光強度は、ビーズのない細胞におけるそれと事実上同一であり、ビーズはＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳアッセイを妨げないことが示された。また、わずかな（ＸＰ１２ＢＲ、図４Ａ中段及び４Ｃ）並びに深刻な（ＸＰ１５ＢＲ、図４Ａ下段及び４Ｄ）ＵＤＳ欠損線維芽細胞は両方とも、それらの核蛍光レベルにより、共培養した４８ＢＲ線維芽細胞とは容易に区別することができた。内部コントロールのあるＵＤＳ測定値又は内部コントロールのないＵＤＳ測定値は、ほとんど同一であり（図２Ａ、２Ｃ及び２Ｆと図４Ｂ、４Ｄ及び４Ｃとを比較）、ＥｄＵの取り込みに基づくアッセイにおける実験毎又は個別の実験内での個々のカバーガラスからカバーガラスの間の蛍光強度の変動は小さく、これは内部標準の使用が不適切な実験（例、ＧＥ’ｓ Ｉｎ−Ｃｅｌｌ−Ａｎａｌｙｚｅｒ又はフローサイトメトリーを用いた蛍光に基づく高いスループットスクリーニング）に、ＥｄＵアッセイを適用する場合、利点となり得ることを示唆する。
図４Ａ上段及び対応するヒストグラム（図４Ｂ）に示すように、ビーズを導入した４８ＢＲ細胞における蛍光強度は、ビーズのない細胞におけるそれと事実上同一であり、ビーズはＥｄＵの取り込みに基づくＵＤＳアッセイを妨げないことが示された。また、わずかな（ＸＰ１２ＢＲ、図４Ａ中段及び４Ｃ）並びに深刻な（ＸＰ１５ＢＲ、図４Ａ下段及び４Ｄ）ＵＤＳ欠損線維芽細胞は両方とも、それらの核蛍光レベルにより、共培養した４８ＢＲ線維芽細胞とは容易に区別することができた。内部コントロールのあるＵＤＳ測定値又は内部コントロールのないＵＤＳ測定値は、ほとんど同一であり（図２Ａ、２Ｃ及び２Ｆと図４Ｂ、４Ｄ及び４Ｃとを比較）、ＥｄＵの取り込みに基づくアッセイにおける実験毎又は個別の実験内での個々のカバーガラスからカバーガラスの間の蛍光強度の変動は小さく、これは内部標準の使用が不適切な実験（例、ＧＥ’ｓ Ｉｎ−Ｃｅｌｌ−Ａｎａｌｙｚｅｒ又はフローサイトメトリーを用いた蛍光に基づく高いスループットスクリーニング）に、ＥｄＵアッセイを適用する場合、利点となり得ることを示唆する。
［試験例５］
ＦｄＵ添加、より長期のインキュベーション及び酸抽出による感受性の改善
前述したＥｄＵの取り込みに基づく実験は、通例のＸＰスクリーニング並びに多くのＮＥＲ研究について十分であるが、ＵＤＳ活性が完全にない状態と非常に低いＵＤＳ活性との間の区別のようなさらなる正確さを要求する実験には、高い感受性が必要となる。そこで、特異的なＥｄＵの取り込みを増加すること並びに非特異的バックグラウンドを低減することを試みた。チミジンアナログのＤＮＡ内への取り込みは、ヌクレオチドプール中で内生的に合成されたチミジンヌクレオチドに関連するその（チミジンアナログの）濃度に依存する。フルオロデオキシウリジン（ＦｄＵ）は、チミジル酸合成のインヒビターであり、これは外因的に添加されたチミジン又はそのアナログに由来するヌクレオチドの細胞内濃度を増加させる。そこで、ＦｄＵを用いて、紫外線照射後に、より長いインキュベーション期間（４時間）を行った。さらに、バックグラウンドを低減するために、ブアン固定液（Ｓｉｇｍａ）を用いたストリンジェントな酸抽出を試みた。具体的な手順は以下の通りである。正常４８ＢＲ細胞をカバーガラス上で培養し、紫外線照射（２０Ｊ／ｍ２）し、続いて１０μＭのＥｄＵ及び１μＭのＦｄＵ（Ｓｉｇｍａ）と共に４時間インキュベーションした。次いで、細胞を試験例１に示したように固定した。ブアン固定液を用いて酸抽出を３０分間行い、続いてＰＢＳでの徹底的な洗浄を行った。蛍光色素の結合及びＥｄＵシグナルの検出は、比較例２における実験と同様である。
ＦｄＵ添加、より長期のインキュベーション及び酸抽出による感受性の改善
前述したＥｄＵの取り込みに基づく実験は、通例のＸＰスクリーニング並びに多くのＮＥＲ研究について十分であるが、ＵＤＳ活性が完全にない状態と非常に低いＵＤＳ活性との間の区別のようなさらなる正確さを要求する実験には、高い感受性が必要となる。そこで、特異的なＥｄＵの取り込みを増加すること並びに非特異的バックグラウンドを低減することを試みた。チミジンアナログのＤＮＡ内への取り込みは、ヌクレオチドプール中で内生的に合成されたチミジンヌクレオチドに関連するその（チミジンアナログの）濃度に依存する。フルオロデオキシウリジン（ＦｄＵ）は、チミジル酸合成のインヒビターであり、これは外因的に添加されたチミジン又はそのアナログに由来するヌクレオチドの細胞内濃度を増加させる。そこで、ＦｄＵを用いて、紫外線照射後に、より長いインキュベーション期間（４時間）を行った。さらに、バックグラウンドを低減するために、ブアン固定液（Ｓｉｇｍａ）を用いたストリンジェントな酸抽出を試みた。具体的な手順は以下の通りである。正常４８ＢＲ細胞をカバーガラス上で培養し、紫外線照射（２０Ｊ／ｍ２）し、続いて１０μＭのＥｄＵ及び１μＭのＦｄＵ（Ｓｉｇｍａ）と共に４時間インキュベーションした。次いで、細胞を試験例１に示したように固定した。ブアン固定液を用いて酸抽出を３０分間行い、続いてＰＢＳでの徹底的な洗浄を行った。蛍光色素の結合及びＥｄＵシグナルの検出は、比較例２における実験と同様である。
（結果）
図５に示すように、劇的ではないが、バックグラウンド（白及び赤いバー並びにそれらの相当するアスタリスクを比較）及びＵＤＳ特異的ＥｄＵ取り込み（黒及び青いバーを比較）の両方が改善した。バーは、指示クラスにおける蛍光レベルの頻度を示し、紫外線照射あり（黒、図２Ａと同様；青、＋ＦｄＵ＋４時間インキュベーション＋酸抽出）又は紫外線照射なし（白、図２Ａと同様；赤、＋ＦｄＵ＋４時間インキュベーション＋酸抽出）である。
図５に示すように、劇的ではないが、バックグラウンド（白及び赤いバー並びにそれらの相当するアスタリスクを比較）及びＵＤＳ特異的ＥｄＵ取り込み（黒及び青いバーを比較）の両方が改善した。バーは、指示クラスにおける蛍光レベルの頻度を示し、紫外線照射あり（黒、図２Ａと同様；青、＋ＦｄＵ＋４時間インキュベーション＋酸抽出）又は紫外線照射なし（白、図２Ａと同様；赤、＋ＦｄＵ＋４時間インキュベーション＋酸抽出）である。
［実施例１］
９６ｗｅｌｌマイクロタイタープレート上に単層培養した正常ヒト初代線維芽細胞をＰＢＳで洗浄し、２０Ｊ／ｍ２で紫外線照射（２５４ｎｍ）する。紫外線照射後、１０μＭ ＥｄＵ（インビトロジェン）を添加した無血清ＤＭＥＭにおいて、被験物質と共に細胞を直ちに２時間培養する。培養後、細胞をＰＢＳで洗浄し、２％ ホルムアルデヒド、０．５％ トリトンＸ−１００及び３００ｍＭ スクロース含有ＰＢＳで２０分間、固定及び透過処理を行う。ＰＢＳで徹底的に洗浄後、細胞を１０％ＦＢＳ加ＰＢＳで３０分間ブロックする。４ｍＭ ＣｕＳＯ４を添加したＴＢＳ中において、ＥｄＵとアジド結合Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ４８８色素と共に、細胞を３０分間インキュベートし、次いで、０．０５％ Ｔｗｅｅｎ−２０（ＰＢＳＴ）含有ＰＢＳで、細胞を３回洗浄する。各ｗｅｌｌにＰＢＳを１００μｌずつ加え、Ｉｎ−Ｃｅｌｌ−Ａｎａｌｙｓｅｒ(http://www.gelifesciences.co.jp/catalog/web_catalog.asp?frame5_Value=675)（ＧＥ）で細胞の写真を全自動で取り込み、取り込み画像を統計処理し、平均核蛍光強度を算出する。
９６ｗｅｌｌマイクロタイタープレート上に単層培養した正常ヒト初代線維芽細胞をＰＢＳで洗浄し、２０Ｊ／ｍ２で紫外線照射（２５４ｎｍ）する。紫外線照射後、１０μＭ ＥｄＵ（インビトロジェン）を添加した無血清ＤＭＥＭにおいて、被験物質と共に細胞を直ちに２時間培養する。培養後、細胞をＰＢＳで洗浄し、２％ ホルムアルデヒド、０．５％ トリトンＸ−１００及び３００ｍＭ スクロース含有ＰＢＳで２０分間、固定及び透過処理を行う。ＰＢＳで徹底的に洗浄後、細胞を１０％ＦＢＳ加ＰＢＳで３０分間ブロックする。４ｍＭ ＣｕＳＯ４を添加したＴＢＳ中において、ＥｄＵとアジド結合Ａｌｅｘａ Ｆｌｕｏｒ４８８色素と共に、細胞を３０分間インキュベートし、次いで、０．０５％ Ｔｗｅｅｎ−２０（ＰＢＳＴ）含有ＰＢＳで、細胞を３回洗浄する。各ｗｅｌｌにＰＢＳを１００μｌずつ加え、Ｉｎ−Ｃｅｌｌ−Ａｎａｌｙｓｅｒ(http://www.gelifesciences.co.jp/catalog/web_catalog.asp?frame5_Value=675)（ＧＥ）で細胞の写真を全自動で取り込み、取り込み画像を統計処理し、平均核蛍光強度を算出する。
本願スクリーニング方法により選択された損傷ＤＮＡ修復能を有する物質について、例えば日焼け止めクリーム及び紫外線傷害による老化を防護するアンチエイジング効果を示すクリーム等にこれを添加することにより、化粧品及び／又は医薬品等への応用が期待される。
Claims (16)
- 末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体と、アジド部分を含む蛍光標識されたレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを用いることを特徴とする、ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法であって、
下記の工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）：
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（ｂ）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ）上述の工程が終了した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含む蛍光標識されたレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを対照群と比較する工程、並びに
（ｄ）前記（ｃ）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質を選択する工程を含み、
工程（ａ）の細胞はヌクレオシド誘導体の取り込みのイメージングにより同定された非Ｓ期細胞であり、
該取り込みは、Ｓ期細胞では測定されず、
該測定は、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡またはハイスループットイメージングシステムを用いて行われる、スクリーニング方法。 - アジド修飾ヌクレオシド誘導体と、末端アルキンを含む蛍光標識されたレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを用いることを特徴とする、ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法であって、
下記の工程（ａ）、（ｂ’）、（ｃ’）及び（ｄ’）：
（ａ）細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（ｂ’）被験物質、工程（ａ）で処理した細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’）上述の工程が終了した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含む蛍光標識されたレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを対照群と比較する工程、並びに
（ｄ’）前記（ｃ’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を変化させる物質を選択する工程を含み、
工程（ａ）の細胞はヌクレオシド誘導体の取り込みのイメージングにより同定された非Ｓ期細胞であり、
該取り込みは、Ｓ期細胞では測定されず、
該測定は、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡またはハイスループットイメージングシステムを用いて行われる、スクリーニング方法。 - 細胞と被験物質の接触が工程（ａ）の前で行われ、工程（ａ）で被験物質の接触が完了し、工程（ｂ）又は（ｂ’）で被験物質の接触が省略される、請求項１又は２に記載のスクリーニング方法。
- 工程（ａ）で用いる細胞における遺伝子の発現を制限する操作が工程（ａ）の前で行われ、
工程（ａ）で当該細胞における当該遺伝子の発現が制限されており、
工程（ｂ）又は（ｂ’）で被験物質の接触が省略され、かつ
工程（ｄ）又は（ｄ’）において取り込み率を変化させる、発現が制限された遺伝子を選択する、請求項１又は２に記載のスクリーニング方法。 - ＤＮＡが損傷した細胞におけるＤＮＡ修復能力を賦活する遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する遺伝子又はＤＮＡ修復に影響を与える遺伝子を探索するための方法である、請求項４に記載のスクリーニング方法。
- ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患あるいは正常ヒトにおいて自然発生したＤＮＡ修復欠損が原因となる疾患の治療剤の有効成分を探索するための方法である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のスクリーニング方法。
- ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患が、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症である、請求項６に記載のスクリーニング方法。
- アンチエイジング効果を有する化粧品又は医薬品の成分を探索するための方法である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のスクリーニング方法。
- アンチエイジング効果を有する化粧品又は医薬品が紫外線防護化粧品である、請求項８に記載のスクリーニング方法。
- 下記の工程（ｂ’’）、（ｃ’’）及び（ｄ’’）を含む、ＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法：
（ｂ’’）試験物質、細胞及び末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’’）試験物質を接触させた細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含む蛍光標識されたレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを試験物質を接触させない対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（ｄ’’）前記（ｃ’’）の比較結果に基づいて、末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を有意に増加させる物質を細胞毒性を示す物質と判定する工程、
ここで、工程（ｂ’’）の細胞はヌクレオシド誘導体の取り込みのイメージングにより同定された非Ｓ期細胞であり、
該取り込みは、Ｓ期細胞では測定されず、
該測定は、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡またはハイスループットイメージングシステムを用いて行われる、スクリーニング方法。 - 下記の工程（ｂ’’’）、（ｃ’’’）及び（ｄ’’’）を含む、ＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング方法：
（ｂ’’’）試験物質、細胞及びアジド修飾ヌクレオシド誘導体を接触させる工程、
（ｃ’’’）試験物質を接触させた細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含む蛍光標識されたレポーター分子を用いて測定し、該取り込みを試験物質を接触させない対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（ｄ’’’）前記（ｃ’’’）の比較結果に基づいて、アジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込み率を有意に増加させる物質を細胞毒性を示す物質と判定する工程、
ここで、工程（ｂ’’’）の細胞はヌクレオシド誘導体の取り込みのイメージングにより同定された非Ｓ期細胞であり、
該取り込みは、Ｓ期細胞では測定されず、
該測定は、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡またはハイスループットイメージングシステムを用いて行われる、スクリーニング方法。 - ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法であって、下記の工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）：
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（Ｂ）工程（Ａ）で処理した細胞と末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程、
（Ｃ）紫外線処理した細胞における末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、アジド部分を含む蛍光標識されたレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（Ｄ）前記（Ｃ）の比較結果に基づいて、被験者におけるＤＮＡ修復欠損の有無を判定する工程、を含み、
ここで、工程（Ａ）の細胞はヌクレオシド誘導体の取り込みのイメージングにより同定された非Ｓ期細胞であり、
該取り込みは、Ｓ期細胞では測定されず、
該測定は、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡またはハイスループットイメージングシステムを用いて行われる、検出方法。 - ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞の検出方法であって、下記の工程（Ａ）、（Ｂ’）、（Ｃ’）及び（Ｄ’）：
（Ａ）被験者から採取した細胞を紫外線又は変異原で処理し、ＤＮＡ損傷を誘発する工程、
（Ｂ’）工程（Ａ）で処理した細胞とアジド修飾ヌクレオシド誘導体とを接触させる工程、
（Ｃ’）紫外線処理した細胞におけるアジド修飾ヌクレオシド誘導体の取り込みを、末端アルキンを含む蛍光標識されたレポーター分子を用いて測定し、該取り込みをＤＮＡ損傷処理した対照細胞における取り込みと比較する工程、並びに
（Ｄ’）前記（Ｃ’）の比較結果に基づいて、被験者におけるＤＮＡ修復欠損の有無を判定する工程、を含み、
ここで、工程（Ａ）の細胞はヌクレオシド誘導体の取り込みのイメージングにより同定された非Ｓ期細胞であり、
該取り込みは、Ｓ期細胞では測定されず、
該測定は、ＣＣＤカメラを備えた蛍光顕微鏡またはハイスループットイメージングシステムを用いて行われる、検出方法。 - ＤＮＡ修復欠損を伴う細胞が、色素性乾皮症、コケイン症候群又は硫黄欠乏性毛髪発育異常症の可能性がある患者に由来するものである、請求項１２又は１３に記載の検出方法。
- 末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体と、アジド部分を含む蛍光標識されたレポーター分子とを組み合わせた試薬セット、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と、末端アルキンを含む蛍光標識されたレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを含む、ＤＮＡ修復欠損を伴う疾患の診断キット。
- 末端アルキン修飾ヌクレオシド誘導体と、アジド部分を含む蛍光標識されたレポーター分子とを組み合わせた試薬セット、又はアジド修飾ヌクレオシド誘導体と、末端アルキンを含む蛍光標識されたレポーター分子とを組み合わせた試薬セットを含む、ＤＮＡが損傷した細胞における修復能力を賦活する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ損傷の誘発を抑制する物質もしくは遺伝子、ＤＮＡ修復に影響を与える物質もしくは遺伝子、又はＤＮＡ損傷を指標とした物質の毒性の有無のスクリーニング用キット。
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