JP5531973B2 - 貼り合わせ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に多孔質領域を形成する多孔質領域形成工程と、
前記ボンド基板の貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
前述のように、中空構造(キャビティ)等を作製するためのエッチング工程とガラス基板等他の部材の貼り付け工程を必要としない簡単な工程で、センサー等を作製するための基板を製造する方法の開発が望まれていた。また、従来のように構造強度の問題となる中空構造を形成しなくとも、センサー等の作製に用いることができる基板の開発が望まれていた。
本発明の貼り合わせ基板は、ベース基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に薄膜層とを有する。また、本発明の貼り合わせ基板の前記ベース基板は前記絶縁膜との界面において部分的に多孔質領域を有するものである。本発明の貼り合わせ基板は、特に制限されないが、SOI基板(Silicon On Insulator)とすることもできる。以下、本発明の貼り合わせ基板の各構成要素について詳述する。
前記ベース基板は、特に制限されないが、シリコン基板、特にシリコン単結晶基板であることが好ましい。ベース基板がシリコン基板であれば、後述の多孔質領域を容易に形成できセンサー等を作製するために好適な貼り合わせ基板となる。
さらに、前記ベース基板は前記絶縁膜との界面において部分的に前記多孔質領域を有する。前記多孔質領域としては特に制限されないがポーラスシリコンが好ましい。ポーラスシリコンは構造的に強度があるため、センサー等、特に圧力センサーを作製するために好適な貼り合わせ基板なる。
前記絶縁膜は、特に制限されないが、シリコン酸化膜であることが好ましい。前記絶縁膜がシリコン酸化膜であれば、優れた絶縁性を有し、その膜厚の制御も容易であるため、センサー等の他、制御部(CMOS回路)及び配線部を作製するために好適な貼り合わせ基板となる。
前記薄膜層は、特に制限されないが、シリコン、特にシリコン単結晶からなるものであることが好ましい。前記薄膜層がシリコンであれば、センサー等の他、制御部(CMOS回路)及び配線部を作製するために好適な貼り合わせ基板となる。もちろん、化合物半導体等、他の半導体であっても良い。
前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に多孔質領域を形成する多孔質領域形成工程と、
前記ボンド基板の貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
本発明の多孔質領域形成工程では、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に多孔質領域を形成する。本発明の多孔質領域形成工程は、特に制限されないが、陽極酸化法により行われることが好ましい。該陽極酸化法ではベース基板の貼り合わせ面にレジストマスクを形成し、該マスクされたベース基板を陽極酸化した後に、前記レジストマスクを取り除くことで前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質領域を形成することができる。以下、この陽極酸化法を用いた方法について説明する。
本発明の絶縁膜形成工程では、図1(e)に示すように、図1(a)で準備したボンド基板4の貼り合わせ面に絶縁膜として酸化膜5を形成する。このときの酸化条件、酸化方法は貼り合わせ基板としたときに必要な絶縁膜5’の条件によって適宜変化する。例えば、本発明の貼り合わせ基板が圧力センサー用途であれば比較的厚い酸化膜(1μm程度)が必要と予想される。そのような、比較的厚い酸化膜を形成する場合には、1100℃などの高温での水蒸気酸化など、酸化速度が速い方法が好ましい。
本発明の貼り合わせ工程では、前記酸化膜5を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる(図1(f))。また、本発明の貼り合わせ工程では、貼り合わせ後に結合強度を上げるために結合熱処理を行うこともできる。さらに、例えば本発明の貼り合わせ基板が圧力センサーの作製に用いられる場合には、センサーとして必要な圧力を多孔質領域3が有することが好ましいため、貼り合わせ雰囲気は減圧環境とする場合もある。
本発明の薄膜化工程では、前記貼り合わせ工程後に、貼り合わせられた前記ボンド基板4を薄膜化して薄膜層6を形成する(図1(g))。この場合の薄膜化方法としては、研磨による方法も可能であるし、貼り合わせ前に前記ボンド基板に水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、その後熱処理して該イオン注入層で剥離、薄膜化する方法でも良い。
以上のようにして作製された貼り合わせ基板10の薄膜層6の表面側に、多孔質領域3上にブリッジ抵抗素子などのセンサー部7、非多孔質領域には制御部8(CMOS回路)及び配線部9等をつくり込むことでセンサーが完成する(図1(h))。本発明の貼り合わせ基板を用いて作製されたセンサーは、中空構造(キャビティ)の代わりに多孔質領域3を有するものであるため構造強度が高く高品質のセンサーとなる。
抵抗率0.05Ω・cmのボロンドープ直径150mmシリコン単結晶基板をベース基板として、まずこれにレジストを塗布し、フォトリソグラフィーを行うことで、多孔質領域を形成したくない個所にレジストマスクを形成する。ここでは、後でHF中で陽極酸化されることを考慮して耐HF性が高いと思われるネガレジストを使用した。前記レジストマスクにおいて、貼り合わせ基板上のセンサーになる部分(多孔質領域が形成される部分)は100μm角の開口部とした。このベース基板に対してHF濃度25%、電流印加時間500秒の条件で陽極酸化を行い、多孔質領域の厚さが約2000nm、多孔度が約40%の多孔層をベース基板に部分的に形成した。この陽極酸化後に、硫酸−過酸化水素混合液にてレジストマスクを除去後、RCA洗浄を実施した。
ベース基板及びボンド基板として抵抗率0.05Ω・cmのボロンドープ直径150mmシリコン単結晶基板を用い、水蒸気酸化(1100℃)によりボンド基板の貼り合わせ面に厚さ1μmの酸化膜を形成した。次に、前記酸化膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせ、結合強度を上げるために、1000℃で30分間、結合熱処理を行った。その後、貼り合わせられた前記ボンド基板を研磨により薄膜化して薄膜層を形成して、貼り合わせ基板(B−1)を作製した。
Claims (6)
- 絶縁膜を介してベース基板とボンド基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、
前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に、上にセンサー部を作製するための多孔質領域を形成する多孔質領域形成工程と、
前記ボンド基板の貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。 - 前記多孔質領域形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面にレジストマスクを形成し、該ベース基板を陽極酸化した後に、前記レジストマスクを取り除くことで前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記多孔質領域としてポーラスシリコンを形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記ベース基板及び/又は前記ボンド基板として、シリコン基板を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
- ベース基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に薄膜層とを有する貼り合わせ基板であって、少なくとも、前記ベース基板は前記絶縁膜との界面において部分的に、上にセンサー部を作製するための多孔質領域を有するものであることを特徴とする貼り合わせ基板。
- 前記ベース基板がシリコン基板であること、及び/又は前記薄膜層がシリコンからなるものであることを特徴とする請求項5に記載の貼り合わせ基板。
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