JP5530431B2 - 熱処理中に放射エネルギーを測定するための装置および方法 - Google Patents
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Description
で表すことができる。この式で、S1は測定値であり、W1は測定対象からの放射エネルギーの強度であり、L1は減衰後の加熱源からの放射エネルギーの強度であり、Rは標識付けデバイスの減衰率で既知であり、
は減衰前の加熱源からの放射エネルギーの強度である。一実施形態では、標識付けデバイスの減衰率は約0.3から約0.01である。
S2=W2+L2 式2
で表すことができる。この式で、S2は測定値であり、W2は測定対象からの放射エネルギー207の強度であり、L2は加熱源からの放射エネルギーの強度である。
であるほど十分に近いとき、測定対象からの放射エネルギー207の強度W2は、測定値S1、S2から近似的に計算してもよい。したがって、
である。
で表すことができる。この式で、S3は測定値であり、W3は測定対象からの放射エネルギー207の強度であり、L3は減衰後の加熱源からの放射エネルギーの強度であり、
は減衰前の加熱源からの放射エネルギーの強度であり、R’は第2の標識付けデバイスの減衰率である。
S4=W4+L4 式6
で表すことができる。この式で、S4は測定値であり、W4は測定対象からの放射エネルギー207の強度であり、L4は加熱源からの放射エネルギーの強度である。
Lp=F(p,L2,L4) 式8
である。ここで、pはLpに対応する波長である。Fは、放射エネルギー206のスペクトル特性を反映する任意の適切な関数であってもよい。一実施形態では、関数Fは直線補間式であってもよい。別の一実施形態では、Fは、プランクの法則から導出してもよく、または経験的に決定してもよい。
Sp=Wp+Lp 式9
で表すことができる。この式で、Spは測定値であり、Wpは測定対象からの放射エネルギー207の強度であり、Lpは加熱源からの放射エネルギーの強度である。
Wp=Sp−Lp 式10
である。
Lp=G(L2,T,p) 式11
から計算することができる。ここで、Gは加熱源のスペクトルシグネチャに対応する関数であり、Tは加熱源の温度であり、pは任意の波長である。加熱源のスペクトルシグネチャは、経験的な方法で得ることができる。
Claims (15)
- 基板を処理するためのチャンバであって、
処理体積を画定するチャンバ容器と、
前記処理体積へ放射エネルギーを導くように構成されたエネルギー源と、
前記エネルギー源から前記処理体積への前記放射エネルギーに標識を付けるように構成されたスペクトルデバイスと、
前記処理体積内で前記基板を支持するように構成された基板支持体と、
放射エネルギーを受け取るために前記処理体積内に位置決めされた参照センサと、
測定波長で放射エネルギーを受け取るために前記処理体積内に位置決めされた測定対象用センサと、
前記参照センサの測定値を用いて、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの特性を確定し、前記測定対象用センサの測定値および前記エネルギー源の前記放射エネルギーの前記特性を用いて、前記基板の温度を確定するように構成された制御装置と、
を備え、
前記参照センサが、
前記スペクトルデバイスの標識スペクトル内の参照波長で放射エネルギーを測定するように構成された第1のセンサと、
前記標識スペクトル外の比較波長で前記放射エネルギーを測定するように構成された第2のセンサを備え、前記比較波長が前記参照波長に実質的に近い、
チャンバ。 - 前記スペクトルデバイスが、前記標識スペクトル中の放射エネルギーを吸収するように構成された吸収体、前記標識スペクトル中の放射エネルギーを反射するように構成された反射体、前記標識スペクトルでの放射エネルギーを偏光するように構成された偏光体、または前記標識スペクトル中の複数の選択された波長で前記放射エネルギーに標識を付加するように構成されたデバイスのうちの1つを備える、請求項1に記載のチャンバ。
- 前記スペクトルデバイスが、前記標識スペクトルに相当する吸収スペクトルでの放射エネルギーを吸収するように構成された吸収フィルタを備える、請求項1に記載のチャンバ。
- 前記特性が、前記比較波長での、前記エネルギー源からの放射エネルギーと前記基板からの放射エネルギーとの比であり、前記測定波長が、基板からの前記放射エネルギーが相対的に高くなるように選択され、前記吸収スペクトルが、主要な加熱スペクトルから離れているように選択される、請求項3に記載のチャンバ。
- 前記エネルギー源に供給される1つまたは複数の電力レベルを監視する監視装置をさらに備え、前記監視装置が前記制御装置と接続し、前記制御装置が、前記エネルギー源の前記1つまたは複数の電力レベルおよび前記参照センサの前記測定値を用いて、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの前記特性を確定し、前記エネルギー源が複数のゾーンを備え、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの前記特性が各ゾーンからの前記放射エネルギーの特性を含み、前記制御装置が、前記エネルギー源の1つまたは複数の電力レベル、前記参照センサの前記測定値および前記複数のゾーン間の相互の影響を反映した影響行列を用いて、各ゾーンからの前記放射エネルギーの前記特性を確定する、請求項1に記載のチャンバ。
- 放射エネルギーを受け取るために、前記処理体積内に位置決めされた1つまたは複数の追加の参照センサと、
それぞれが、測定波長で放射エネルギーを受け取るために、前記処理体積内に位置決めされ、各追加の測定対象用センサが追加の参照センサに対応する1つまたは複数の追加の測定対象用センサをさらに備え、
前記エネルギー源が複数の加熱ゾーンを備え、参照センサと測定対象用センサの各対が各加熱ゾーンに対応する、請求項1に記載のチャンバ。 - 基板を処理するための方法であって、
エネルギー源からの放射エネルギーを熱処理チャンバの処理体積へ導くこと、
前記エネルギー源から前記処理体積へ導かれた前記放射エネルギーに標識を付けること、
前記処理体積内に前記基板を位置決めすること、
前記処理体積内の放射エネルギーを測定すること、
前記処理体積内での前記測定放射エネルギーおよび前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの標識付けを用いて、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの特性を確定すること、及び
前記処理体積内での前記測定放射エネルギーおよび前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの前記確定された特性を用いて、前記基板の温度を確定すること、
を含み、
前記エネルギー源からの前記放射エネルギーに標識を付けることが、吸収スペクトルでの、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーを吸収することを含み、
前記処理体積内の放射エネルギーを測定することが、
前記吸収スペクトル内の参照波長で放射エネルギーを測定すること、及び
前記吸収スペクトル外の比較波長で放射エネルギーを測定することを含み、前記比較波長と前記参照波長とが実質的に近い、
方法。 - 前記処理体積内の放射エネルギーを測定することが、
前記参照波長および前記比較波長とは異なる測定波長で放射エネルギーを測定することをさらに含み、
エネルギー源からの前記放射エネルギーの前記特性を確定することが、
前記参照波長および前記比較波長での測定値から、前記比較波長での、前記エネルギー源からの放射エネルギーと前記基板からの放射エネルギーとの比を確定すること、及び
前記エネルギー源の電力レベルならびに前記参照波長および前記比較波長での測定値を用いて、前記エネルギー源のスペクトルシグネチャを確定することを含み、
前記基板の前記温度を確定することが、前記測定波長での前記基板からの放射エネルギーの強度に応じて、前記基板の前記温度を確定することを含む、請求項7に記載の方法。 - 基板を処理するための方法であって、
エネルギー源から熱処理チャンバの処理体積へ放射エネルギーを導くこと、
前記エネルギー源から前記処理体積に導かれた前記放射エネルギーに標識を付けること、
前記処理体積内に前記基板を位置決めすること、
参照波長で前記処理体積内の放射エネルギーを測定すること、
前記参照波長での前記測定値から前記放射エネルギーの特性を確定すること、
測定波長で前記処理体積内の放射エネルギーを測定すること、及び
前記測定波長での測定値および前記エネルギー源からの放射エネルギーの前記確定された特性を用いて、前記基板の温度を確定すること、
を含み、
前記エネルギー源からの前記放射エネルギーに標識を付けることが、吸収、反射、または偏光のうちの1つにより、選択されたスペクトル内の前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの一部分をフィルタに通すことを含み、前記参照波長が前記選択されたスペクトル内にあり、前記測定波長が前記選択されたスペクトル外にある、
方法。 - 比較波長で前記処理体積内の放射エネルギーを測定することをさらに含み、前記比較波長が、前記選択されたスペクトル外にあり、参照スペクトルに実質的に近く、放射エネルギーの前記特性を確定することが、前記比較波長での、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーと前記基板からの前記放射エネルギーとの比を確定することを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの前記特性が、前記エネルギー源のスペクトルシグネチャであり、前記特性を確定することが、
前記エネルギー源の電力レベルを監視すること、及び
前記参照波長での測定値と前記エネルギー源の前記監視された電力レベルを用いて、前記エネルギー源の前記スペクトルシグネチャを確定することを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記基板の前記温度を確定することが、
前記エネルギー源の前記確定されたスペクトルシグネチャを用いて、前記測定波長での前記エネルギー源の放射エネルギーを確定することと、
前記測定波長で測定された放射エネルギーから前記測定波長での前記エネルギー源の放射エネルギーを引くことにより、前記測定波長での前記基板の放射エネルギーを確定することを含む、請求項11に記載の方法。 - 基板を処理するためのチャンバであって、
処理体積を画定するチャンバ容器と、
前記処理体積へ放射エネルギーを導くように構成されたエネルギー源と、
前記エネルギー源から前記処理体積への前記放射エネルギーに標識を付けるように構成されたスペクトルデバイスと、
前記処理体積内で前記基板を支持するように構成された基板支持体と、
放射エネルギーを受け取るために前記処理体積内に位置決めされた参照センサと、
を備え、
前記参照センサが、
前記スペクトルデバイスの標識スペクトル内の参照波長で放射エネルギーを測定するように構成された第1のセンサと、
前記標識スペクトル外の比較波長で前記放射エネルギーを測定するように構成された第2のセンサを備え、前記比較波長が前記参照波長に実質的に近いこと、
さらに、前記参照センサの測定値を用いて、前記エネルギー源からの前記放射エネルギーの特性を確定するように構成された制御装置と、
を備える、
チャンバ。 - 前記スペクトルデバイスが、前記標識スペクトル中の放射エネルギーを吸収するように構成された吸収体、前記標識スペクトル中の放射エネルギーを反射するように構成された反射体、前記標識スペクトルでの放射エネルギーを偏光するように構成された偏光体、または複数の選択された波長を前記標識スペクトルとして、前記複数の選択された波長で前記放射エネルギーに標識を付加するように構成されたデバイスのうちの1つを備える、請求項13に記載のチャンバ。
- 前記スペクトルデバイスが、前記標識スペクトルでの放射エネルギーを吸収するように構成された吸収フィルタを備える、請求項13に記載のチャンバ。
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Families Citing this family (11)
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CN105742201B (zh) * | 2011-08-16 | 2018-07-27 | 应用材料公司 | 用于在腔室内感测基板的方法及设备 |
KR101537732B1 (ko) * | 2012-03-05 | 2015-07-17 | 주식회사 케이티 | 펨토셀 기지국의 주파수 간섭 제어를 위한 자원 할당 장치 및 그 방법 |
WO2013148066A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Laser noise elimination in transmission thermometry |
US9029739B2 (en) * | 2012-05-30 | 2015-05-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for rapid thermal processing |
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TWI673482B (zh) * | 2016-05-24 | 2019-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於藉由布儒斯特角下的雙波長偏移進行的非接觸式溫度測量的系統、處理腔室與方法 |
WO2020040902A1 (en) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for thermal processing and temperature measurement of a workpiece at low temperatures |
US20220136772A1 (en) * | 2020-11-05 | 2022-05-05 | Applied Materials, Inc. | Rtp substrate temperature one for all control algorithm |
US12085965B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-09-10 | Applied Materials, Inc. | Systems, methods, and apparatus for correcting thermal processing of substrates |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57160029A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Kawasaki Steel Corp | Surface temperature measuring method of body within furance |
US5061084A (en) * | 1988-04-27 | 1991-10-29 | Ag Processing Technologies, Inc. | Pyrometer apparatus and method |
US5188458A (en) * | 1988-04-27 | 1993-02-23 | A G Processing Technologies, Inc. | Pyrometer apparatus and method |
BE1005729A3 (fr) | 1992-04-13 | 1993-12-28 | Nestor Martin Sa | Habillage de source de chaleur. |
JPH07502821A (ja) | 1992-11-03 | 1995-03-23 | アンテルユニヴェルシテール・ミクロ・エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼット・ドゥブルヴェ | 加熱制御方法及び装置 |
US5624590A (en) * | 1993-04-02 | 1997-04-29 | Lucent Technologies, Inc. | Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies and an apparatus for practicing this technique |
US5305416A (en) * | 1993-04-02 | 1994-04-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies |
US5444815A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone lamp interference correction system |
US6179466B1 (en) | 1994-12-19 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate temperatures |
US5762419A (en) * | 1995-07-26 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system |
US5820261A (en) * | 1995-07-26 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a rapid thermal processing system |
US6179465B1 (en) * | 1996-03-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system using multiple light sources |
JPH10111186A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体基板の温度測定装置及びその方法 |
US6027244A (en) | 1997-07-24 | 2000-02-22 | Steag Rtp Systems, Inc. | Apparatus for determining the temperature of a semi-transparent radiating body |
US6056434A (en) * | 1998-03-12 | 2000-05-02 | Steag Rtp Systems, Inc. | Apparatus and method for determining the temperature of objects in thermal processing chambers |
EP1142001B1 (en) | 1998-11-20 | 2007-10-03 | Steag RTP Systems, Inc. | Fast heating and cooling apparatus for semiconductor wafers |
DE19964183B4 (de) * | 1999-02-10 | 2004-04-29 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahen zum Messen der Temperatur von Substraten |
AU3726100A (en) * | 1999-03-08 | 2000-09-28 | C.I. Systems Ltd. | Method and apparatus for active pyrometric measurement of the temperature of a body whose emissivity varies with wavelength |
WO2000058700A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de mesure de temperature |
US6130415A (en) * | 1999-04-22 | 2000-10-10 | Applied Materials, Inc. | Low temperature control of rapid thermal processes |
US6151446A (en) * | 1999-07-06 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for thermally processing substrates including a processor using multiple detection signals |
US6682216B1 (en) * | 1999-12-16 | 2004-01-27 | The Regents Of The University Of California | Single-fiber multi-color pyrometry |
US7015422B2 (en) | 2000-12-21 | 2006-03-21 | Mattson Technology, Inc. | System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy |
US6970644B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-11-29 | Mattson Technology, Inc. | Heating configuration for use in thermal processing chambers |
EP1393354A1 (de) | 2001-05-23 | 2004-03-03 | Mattson Thermal Products GmbH | Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten |
JP2003121262A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Noritake Co Ltd | 温度測定方法および装置 |
US7734439B2 (en) | 2002-06-24 | 2010-06-08 | Mattson Technology, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
US7041931B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Stepped reflector plate |
US6835914B2 (en) | 2002-11-05 | 2004-12-28 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing stray light in substrate processing chambers |
US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
US7109443B2 (en) | 2004-03-26 | 2006-09-19 | Intel Corporation | Multi-zone reflecting device for use in flash lamp processes |
US7112763B2 (en) * | 2004-10-26 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for low temperature pyrometry useful for thermally processing silicon wafers |
US7398693B2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Adaptive control method for rapid thermal processing of a substrate |
US7543981B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-06-09 | Mattson Technology, Inc. | Methods for determining wafer temperature |
JP4520512B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2010-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱装置 |
US7985945B2 (en) * | 2008-05-09 | 2011-07-26 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing stray light in a rapid thermal processing chamber by polarization |
US8254767B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for extended temperature pyrometry |
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