JP5526665B2

JP5526665B2 - Manufacturing method of surface acoustic wave device

Info

Publication number: JP5526665B2
Application number: JP2009205594A
Authority: JP
Inventors: 直久小幡; 裕司田畑
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-09-07
Filing date: 2009-09-07
Publication date: 2014-06-18
Anticipated expiration: 2029-09-07
Also published as: JP2011061269A

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）デバイス（以下、ＳＡＷデバイスともいう）の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a surface acoustic wave (SAW) device (hereinafter also referred to as a SAW device).

従来、ＳＡＷデバイスの製造方法に関して、特に周波数調整方法に関しては、下記のような方法が知られている。
例えば、特許文献１には、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及び圧電基板（圧電体）に、イオンを物理的に衝突させてＩＤＴ及び圧電基板の厚みを、それぞれの密度に応じて減少させる方法、その先行技術として、圧電基板に形成されたＩＤＴを選択的にウエットエッチングする方法、圧電基板を選択的にウエットエッチングする方法、ＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）によって、フッ化炭素ガスなどを用いてＩＤＴ及び圧電基板をドライエッチングする方法、などが開示されている。
また、非特許文献１には、ＳＡＷデバイスの構成要素の１つである弾性表面波素子片（以下、ＳＡＷ素子片、弾性表面波基板、ＳＡＷ基板ともいう）の周囲の雰囲気ガスの種類や圧力が、ＳＡＷデバイスの周波数に影響を与えることが開示されている。 Conventionally, the following methods are known for the SAW device manufacturing method, particularly for the frequency adjustment method.
For example, Patent Document 1 discloses a method in which ions are physically collided with an IDT (Inter Digital Transducer) and a piezoelectric substrate (piezoelectric body) to reduce the thickness of the IDT and the piezoelectric substrate in accordance with their respective densities. As a prior art, a method of selectively wet-etching an IDT formed on a piezoelectric substrate, a method of selectively wet-etching a piezoelectric substrate, RIE (Reactive Ion Etching), IDT and piezoelectric using a fluorocarbon gas, etc. A method of dry etching a substrate is disclosed.
Non-Patent Document 1 discloses the type and pressure of ambient gas around a surface acoustic wave element piece (hereinafter also referred to as a SAW element piece, a surface acoustic wave substrate, or a SAW substrate), which is one of the components of a SAW device. Affect the frequency of SAW devices.

特開２０００−３１５９２８号公報JP 2000-315928 A

Ｊ．Ｓ．Ｓｃｈｏｅｎｗａｌｄ他：「ＳｕｒｆａｓｅｃｈｅｍｉｓｔｒｙｒｅｌａｔｅｄｔｏＳＡＷｒｅｓｏｎａｔｏｒａｇｉｎｇ」，ＩＥＥＥＵｌｔｒａｓｏｎｉｃｓｓｙｍｐｏｓｉｕｍｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，（１９８０），ｐｐ．１９３−１９９（特に図１）J. et al. S. Schoenwald et al .: “Surface chemistry related to SAW resonator aggregating”, IEEE Ultrasonics Symposium Proceeding, (1980), pp. 197 193-199 (particularly FIG. 1)

上記ウエットエッチングによる周波数調整方法においては、エッチング液の残渣によって、ＩＤＴまたは圧電基板の腐食などの化学変化が経時的に進行する虞があることから、ＳＡＷデバイスの周波数に経時的変化が生じるという問題がある。
また、上記ＲＩＥによる周波数調整方法においても、フッ化炭素ガスなどの腐食性のガスの残渣によって、上記と同様に、ＩＤＴまたは圧電基板の腐食などの化学変化が経時的に進行する虞があることから、ＳＡＷデバイスの周波数に経時的変化が生じるという問題がある。 In the frequency adjustment method by the wet etching, chemical change such as corrosion of the IDT or the piezoelectric substrate may progress with time due to the residue of the etching solution, so that the frequency of the SAW device changes with time. There is.
In the frequency adjustment method using RIE, chemical changes such as corrosion of IDT or piezoelectric substrate may progress with time due to the residue of corrosive gas such as fluorocarbon gas. Therefore, there is a problem that the frequency of the SAW device changes with time.

これらに対して、上記ＩＤＴ及び圧電基板にイオンを物理的に衝突させてＩＤＴ及び圧電基板の厚みを減少させる周波数調整方法においては、上記のような、エッチング液の残渣や腐食性のガスの残渣が発生しないことから、上記課題をある程度改善し得る（但し、イオンを物理的に衝突させた際に発生する微小な破片が、ＩＤＴ及び圧電基板に付着する虞があり、ＳＡＷデバイスの周波数の経時的変化に及ぼす影響が皆無とはいえない）。
しかしながら、上記の方法は、ＩＤＴと圧電基板との密度の差を大きくしないと、換言すれば、ＩＤＴの材質と圧電基板の材質との組み合わせをかなり限定しないと、周波数調整量が十分に得られないことから、所望の周波数に合わせ込むことが困難であるという別の問題を有している。
したがって、この方法は、ＳＡＷデバイスの周波数に経時的変化が生じるという問題の抜本的な対策にはなり得ない。 On the other hand, in the frequency adjustment method in which ions are physically collided with the IDT and the piezoelectric substrate to reduce the thickness of the IDT and the piezoelectric substrate, the etching solution residue and the corrosive gas residue as described above. Therefore, the above problem can be improved to some extent (however, minute fragments generated when ions are physically collided may adhere to the IDT and the piezoelectric substrate. It has no influence on the change in the world).
However, the above method does not increase the density difference between the IDT and the piezoelectric substrate, in other words, the frequency adjustment amount can be sufficiently obtained unless the combination of the IDT material and the piezoelectric substrate material is significantly limited. Therefore, there is another problem that it is difficult to adjust to a desired frequency.
Therefore, this method cannot be a drastic measure against the problem that the frequency of the SAW device changes with time.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板上にＩＤＴを形成する弾性表面波基板形成工程と、（１）前記ＩＤＴを構成する電極指の質量を変化させる工程、（２）前記ＩＤＴに質量体を付加する工程、（３）前記ＩＤＴの前記電極指間にて露出している前記圧電基板をエッチングする工程の前記（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行い、弾性表面波基板の周波数を調整する第１周波数調整工程と、前記第１周波数調整工程後、前記弾性表面波基板を、２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上６時間以下の時間、加熱するアニール工程と、を有することを特徴とする。
Application Example 1 A surface acoustic wave device manufacturing method according to this application example includes a surface acoustic wave substrate forming step of forming an IDT on a piezoelectric substrate, and (1) changing the mass of an electrode finger constituting the IDT. At least one of (1) to (3) in a step, (2) adding a mass to the IDT, and (3) etching the piezoelectric substrate exposed between the electrode fingers of the IDT. One step performs a first frequency adjustment step of adjusting the frequency of the surface acoustic wave substrate, after said first frequency adjustment step, the surface acoustic wave substrate, 200 ° C. or higher 500 ° C. or less in an atmosphere 5 minutes or more 6 And an annealing step of heating for a time equal to or shorter than the time .

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、第１周波数調整工程で、実績のある（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行うことから、確実な周波数調整ができる。
そして、ＳＡＷデバイスの製造方法は、第１周波数調整工程後、ＳＡＷ基板を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程を有していることから、第１周波数調整工程に用いた、例えば、エッチング液またはエッチングガスの残渣が、ＳＡＷ基板上から蒸発する。
また、ＳＡＷデバイスの製造方法は、第１周波数調整工程でＩＤＴに付加された質量体の膜質変化や物性変化を、上記アニール工程によって一気に進行させてしまうことで、ＩＤＴに付加された質量体の膜質や物性を安定した状態にし、膜質や物性の経時的変化を抑制することができる。
これらのことから、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの周波数の経時的変化を抑制することができる。換言すれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの周波数特性を向上させることができる。 According to this, since the manufacturing method of the SAW device performs at least one of the proven processes (1) to (3) in the first frequency adjustment process, the frequency adjustment can be surely performed.
And since the manufacturing method of a SAW device has the annealing process which heats a SAW substrate for 5 minutes or more in the atmosphere of 200 ° C or more and 500 ° C or less after the 1st frequency adjustment process, in the 1st frequency adjustment process For example, the residue of the used etching solution or etching gas evaporates from the SAW substrate.
In addition, the SAW device manufacturing method causes the film quality change and physical property change of the mass body added to the IDT in the first frequency adjustment step to progress at a stretch by the annealing step, so that the mass body added to the IDT It is possible to stabilize the film quality and physical properties, and to suppress changes in the film quality and physical properties over time.
From these facts, the SAW device manufacturing method can suppress changes in the frequency of the SAW device over time. In other words, the SAW device manufacturing method can improve the frequency characteristics of the SAW device.

［適用例２］上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記アニール工程は、前記弾性表面波基板を、２００℃以上３００℃以下の雰囲気中で５分以上２時間以下の時間、加熱することが好ましい。
これによれば、第１周波数調整工程後、ＳＡＷ基板を２００℃以上３００℃以下の雰囲気中で５分以上２時間以下の時間、加熱するアニール工程を有していることから、第１周波数調整工程に用いた、例えば、エッチング液またはエッチングガスの残渣が、ＳＡＷ基板上から蒸発する。
また、ＳＡＷデバイスの製造方法は、第１周波数調整工程でＩＤＴに付加された質量体の膜質変化や物性変化を、上記アニール工程によって一気に進行させてしまうことで、ＩＤＴに付加された質量体の膜質や物性を安定した状態にし、膜質や物性の経時的変化を抑制することができる。
これらのことから、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの周波数の経時的変化を抑制することができる。換言すれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの周波数特性を向上させることができる。
［適用例３］上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、ベース基板に前記弾性表面波基板を固定する弾性表面波基板固定工程を、さらに有し、前記弾性表面波基板固定工程を、前記アニール工程より前に行うことが好ましい。
Application Example 2 In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the application example, the annealing step is performed for 5 minutes to 2 hours in the surface acoustic wave substrate in an atmosphere of 200 ° C. to 300 ° C., It is preferable to heat.
According to this, since the SAW substrate is heated in the atmosphere of 200 ° C. to 300 ° C. for 5 minutes to 2 hours after the first frequency adjustment step, the first frequency adjustment is performed. For example, an etching solution or etching gas residue used in the process evaporates from the SAW substrate.
In addition, the SAW device manufacturing method causes the film quality change and physical property change of the mass body added to the IDT in the first frequency adjustment step to progress at a stretch by the annealing step, so that the mass body added to the IDT It is possible to stabilize the film quality and physical properties, and to suppress changes in the film quality and physical properties over time.
From these facts, the SAW device manufacturing method can suppress changes in the frequency of the SAW device over time. In other words, the SAW device manufacturing method can improve the frequency characteristics of the SAW device.
Application Example 3 In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the application example, the method further includes a surface acoustic wave substrate fixing step of fixing the surface acoustic wave substrate to a base substrate, and the surface acoustic wave substrate fixing step. It is preferable to carry out before the annealing step.

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ基板固定工程を、アニール工程より前に行うことから、その後のアニール工程によって、例えば、ＳＡＷ基板固定時に発生するＳＡＷ基板の歪みなどを緩和することができる。 According to this, since the SAW device manufacturing method performs the SAW substrate fixing step before the annealing step, the subsequent annealing step can alleviate, for example, distortion of the SAW substrate generated when the SAW substrate is fixed. Can do.

［適用例４］上記適用例１にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、ベース基板に前記弾性表面波基板を固定する弾性表面波基板固定工程を、さらに有し、前記弾性表面波基板固定工程を、前記第１周波数調整工程より前に行うことが好ましい。
Application Example 4 The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to Application Example 1 further includes a surface acoustic wave substrate fixing step of fixing the surface acoustic wave substrate to a base substrate, and the surface acoustic wave substrate fixing step. Is preferably performed before the first frequency adjustment step.

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ基板固定工程を、第１周波数調整工程より前に行うことから、ＳＡＷ基板がベース基板に固定された状態で第１周波数調整工程が行われる。
この結果、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ基板がベース基板に固定される際に生じる周波数のばらつきを、第１周波数調整工程で吸収できることから、第１周波数調整工程をＳＡＷ基板固定工程より前に行う場合より、以降の周波数調整量を少なくすることができる。 According to this, since the SAW device manufacturing method performs the SAW substrate fixing step before the first frequency adjusting step, the first frequency adjusting step is performed in a state where the SAW substrate is fixed to the base substrate.
As a result, the SAW device manufacturing method can absorb the frequency variation that occurs when the SAW substrate is fixed to the base substrate in the first frequency adjustment step. Therefore, the first frequency adjustment step is performed before the SAW substrate fixing step. Subsequent frequency adjustments can be reduced as compared with the case where it is performed.

［適用例５］上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記弾性表面波基板上に設けられたボンディングパッドと、前記ベース基板に設けられたボンディングパッドとを電気的に接続するボンディング工程と、前記ベース基板にキャップを接合してパッケージを構成し、前記弾性表面波基板を前記パッケージの内部空間に収容する第１封止工程と、前記ベース基板または前記キャップに形成された貫通孔から前記内部空間に不活性ガスを供給して前記弾性表面波基板の周波数を変化させる、または前記内部空間に供給した前記不活性ガスの圧力及び種類の少なくともいずれかを変化させて前記弾性表面波基板の周波数を変化させる第２周波数調整工程と、前記貫通孔を封止材で塞ぐ第２封止工程と、をさらに有し、前記第１周波数調整工程と、前記アニール工程と、前記第１封止工程と、前記第２周波数調整工程と、前記第２封止工程とを、前記ボンディング工程より後に行うことが好ましい。
Application Example 5 In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the application example described above, bonding for electrically connecting a bonding pad provided on the surface acoustic wave substrate and a bonding pad provided on the base substrate. A first sealing step in which a cap is joined to the base substrate to form a package, and the surface acoustic wave substrate is accommodated in an internal space of the package; and a through hole formed in the base substrate or the cap The surface acoustic wave is supplied by changing the frequency of the surface acoustic wave substrate by supplying an inert gas from the inner space to the internal space, or changing the pressure and the type of the inert gas supplied to the internal space. A second frequency adjusting step of changing the frequency of the substrate, and a second sealing step of closing the through hole with a sealing material, It is preferable that the one frequency adjusting step, the annealing step, the first sealing step, the second frequency adjusting step, and the second sealing step are performed after the bonding step.

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ボンディング工程と、ＳＡＷ基板をパッケージの内部空間に収容する第１封止工程と、ベース基板またはキャップに形成された貫通孔から内部空間に不活性ガスを供給する、または供給した不活性ガスの圧力及び種類の少なくともいずれかを変化させてＳＡＷ基板の周波数を変化させる第２周波数調整工程と、貫通孔を封止材で塞ぐ第２封止工程と、を有している。
そして、ＳＡＷデバイスの製造方法は、第１周波数調整工程、第２周波数調整工程などを、ボンディング工程より後に行うことから、ボンディング工程時に生じる周波数のばらつきを第１周波数調整工程によって吸収できるとともに、ＳＡＷデバイスの周波数の微調整を第２周波数調整工程によって従来のようなエッチング液またはエッチングガスの残渣を発生させることなく行うことができる。
この結果、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの周波数の経時的変化を、さらに抑制することができる。 According to this, the SAW device manufacturing method includes a bonding step, a first sealing step for accommodating the SAW substrate in the internal space of the package, and an inert gas from the through hole formed in the base substrate or the cap to the internal space. A second frequency adjusting step of changing the frequency of the SAW substrate by changing at least one of the pressure and type of the supplied inert gas, and a second sealing step of closing the through hole with a sealing material ,have.
In the SAW device manufacturing method, since the first frequency adjustment step, the second frequency adjustment step, and the like are performed after the bonding step, the frequency variation generated during the bonding step can be absorbed by the first frequency adjustment step. Fine adjustment of the frequency of the device can be performed by the second frequency adjustment step without generating a residue of an etching solution or etching gas as in the prior art.
As a result, the method for manufacturing the SAW device can further suppress the temporal change of the frequency of the SAW device.

［適用例６］上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記第２周波数調整工程では、前記第１封止工程終了後に、大気中または前記不活性ガスの雰囲気中において弾性表面波の周波数を測定し、測定した前記周波数と予め設定した所望周波数とを比較し、測定した前記周波数が前記所望周波数よりも低い場合には、前記内部空間の圧力を上昇させ、測定した前記周波数が前記所望周波数よりも高い場合には、前記内部空間の圧力を下降させて、前記弾性表面波基板の周波数を変化させることが好ましい。
Application Example 6 In the surface acoustic wave device manufacturing method according to the application example, in the second frequency adjustment step, the surface acoustic wave is generated in the atmosphere or in an inert gas atmosphere after the first sealing step. When the measured frequency is lower than the desired frequency, the pressure in the internal space is increased, and the measured frequency is When the frequency is higher than the desired frequency, it is preferable that the pressure of the internal space is lowered to change the frequency of the surface acoustic wave substrate.

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、第２周波数調整工程において、測定した周波数が所望周波数よりも低い場合には、内部空間の圧力を上昇させ、高い場合には、内部空間の圧力を下降させて、ＳＡＷ基板の周波数を変化させることから、ボンディング工程後のＳＡＷデバイスの周波数の微調整を、従来のようなエッチング液またはエッチングガスの残渣が発生することなく行うことができる。
この結果、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの周波数の経時的変化を、さらに抑制することができる。 According to this, in the SAW device manufacturing method, in the second frequency adjustment step, when the measured frequency is lower than the desired frequency, the internal space pressure is increased, and when the measured frequency is higher, the internal space pressure is increased. Since the frequency of the SAW substrate is lowered and the frequency of the SAW substrate is changed, the frequency of the SAW device after the bonding process can be finely adjusted without generation of an etching solution or etching gas residue as in the prior art.
As a result, the method for manufacturing the SAW device can further suppress the temporal change of the frequency of the SAW device.

［適用例７］上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記弾性表面波デバイスが、前記弾性表面波基板と前記弾性表面波基板を駆動する回路素子とを備えた弾性表面波発振器であることが好ましい。
Application Example 7 In the surface acoustic wave device manufacturing method according to the application example, the surface acoustic wave device includes the surface acoustic wave substrate and a circuit element that drives the surface acoustic wave substrate. It is preferable that

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスが、ＳＡＷ基板とＳＡＷ基板を駆動する回路素子とを備えたＳＡＷ発振器であることから、周波数の経時的変化が抑制されたＳＡＷ発振器を提供することができる。 According to this, since the SAW device is a SAW oscillator including a SAW substrate and a circuit element for driving the SAW substrate, the SAW device manufacturing method provides a SAW oscillator in which a change in frequency with time is suppressed. can do.

［適用例８］上記適用例にかかる弾性表面波デバイスの製造方法において、前記回路素子を前記ベース基板に固定する回路素子固定工程を、さらに有し、前記弾性表面波基板固定工程後に前記アニール工程が行われるときに、前記回路素子固定工程を、前記アニール工程より前に行うことが好ましい。 Application Example 8 In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the application example, the method further includes a circuit element fixing step of fixing the circuit element to the base substrate, and the annealing step after the surface acoustic wave substrate fixing step. It is preferable that the circuit element fixing step is performed before the annealing step.

これによれば、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ基板固定工程後にアニール工程が行われるときに、回路素子固定工程をアニール工程より前に行うことから、その後のアニール工程において、ＳＡＷ基板、回路素子、ベース基板などのＳＡＷデバイスの構成要素に含まれる水分が蒸発する。
この結果、ＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷ基板、回路素子、ベース基板などのＳＡＷデバイスの構成要素に含まれる水分に起因する周波数の経時的変化を抑制できる。 According to this, since the SAW device manufacturing method performs the circuit element fixing step before the annealing step when the annealing step is performed after the SAW substrate fixing step, in the subsequent annealing step, the SAW substrate, the circuit element The water contained in the components of the SAW device such as the base substrate evaporates.
As a result, the SAW device manufacturing method can suppress a change in frequency over time due to moisture contained in the components of the SAW device such as the SAW substrate, the circuit element, and the base substrate.

ＳＡＷデバイスの一例としてのＳＡＷ発振器の概略構成を示す模式図。The schematic diagram which shows schematic structure of the SAW oscillator as an example of a SAW device. ＳＡＷ発振器の製造方法の主要な工程を示したフローチャート。The flowchart which showed the main processes of the manufacturing method of a SAW oscillator. 図２の各工程の内容を説明する模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the contents of each step in FIG. 2. 図２の各工程の内容を説明する模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the contents of each step in FIG. 2. 雰囲気ガスの圧力と周波数変化量との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the pressure of atmospheric gas, and the amount of frequency changes. アニール工程の有無によるＳＡＷ素子片の周波数のエージング特性を比較したグラフ。The graph which compared the aging characteristic of the frequency of the SAW element piece by the presence or absence of an annealing process.

以下、ＳＡＷデバイスの製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。
（実施形態）
図１は、ＳＡＷデバイスの一例としてのＳＡＷ発振器の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）はキャップ側から俯瞰した平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図であり、図１（ｄ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ線での断面図である。
なお、平面図では、理解を容易にするためにキャップを省略してある。また、図１を含む以降の図においては、便宜上、構成要素の一部を省略、または簡略化してある。 Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a SAW device will be described with reference to the drawings.
(Embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a SAW oscillator as an example of a SAW device. 1A is a plan view seen from the cap side, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1A, and FIG. 1C is FIG. FIG. 1D is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 1A.
In the plan view, the cap is omitted for easy understanding. Further, in the subsequent drawings including FIG. 1, some components are omitted or simplified for convenience.

図１に示すように、本実施形態のＳＡＷ発振器１は、弾性表面波基板としてのＳＡＷ素子片１０、ＳＡＷ素子片１０を駆動する回路素子としてのＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）チップ２０、パッケージ３０などから構成されている。
ＳＡＷ発振器１は、パッケージ３０の内部空間３１に、ＳＡＷ素子片１０、ＩＣチップ２０などが収容されている。 As shown in FIG. 1, a SAW oscillator 1 according to this embodiment includes a SAW element piece 10 as a surface acoustic wave substrate, an IC (Integrated Circuit) chip 20 as a circuit element for driving the SAW element piece 10, a package 30, and the like. It is configured.
In the SAW oscillator 1, the SAW element piece 10, the IC chip 20, and the like are accommodated in the internal space 31 of the package 30.

ＳＡＷ素子片１０は、圧電基板１１、ＩＤＴとしてのすだれ状電極１２、反射器１３ａ，１３ｂなどから構成されている。
圧電基板１１は、所定の厚みに研磨された圧電単結晶材料である水晶から、切削などにより略矩形の板状に形成されている。圧電基板１１の一方の主面１４上には、一対のすだれ状電極１２が形成されている。一対のすだれ状電極１２は、電極指１２ａ，１２ｂを交互に噛み合わせて配置されている。すだれ状電極１２の両端には、ＳＡＷ（弾性表面波）を反射する反射器１３ａ，１３ｂが形成されている。
また、圧電基板１１の一方の主面１４上には、すだれ状電極１２と反射器１３ａとを外部の端子と接続するためのボンディングパッド１４ａ，１４ｂが形成されている。すだれ状電極１２、反射器１３ａ，１３ｂ及びボンディングパッド１４ａ，１４ｂは、ＡｌまたはＡｌ合金などの導電性に優れた材料により形成されている。 The SAW element piece 10 includes a piezoelectric substrate 11, an interdigital electrode 12 as an IDT, reflectors 13a and 13b, and the like.
The piezoelectric substrate 11 is formed into a substantially rectangular plate shape by cutting or the like from quartz, which is a piezoelectric single crystal material polished to a predetermined thickness. A pair of interdigital electrodes 12 are formed on one main surface 14 of the piezoelectric substrate 11. The pair of interdigital electrodes 12 are arranged by alternately engaging the electrode fingers 12a and 12b. At both ends of the interdigital electrode 12, reflectors 13a and 13b that reflect SAW (surface acoustic wave) are formed.
On one main surface 14 of the piezoelectric substrate 11, bonding pads 14a and 14b for connecting the interdigital electrode 12 and the reflector 13a to external terminals are formed. The interdigital electrode 12, the reflectors 13a and 13b, and the bonding pads 14a and 14b are formed of a material having excellent conductivity such as Al or an Al alloy.

パッケージ３０は、ベース基板としてのパッケージベース３２、接合材３５、キャップ３６などから構成されている。
パッケージベース３２は、平面形状が略矩形で平板状の底基板３２ａと、底基板３２ａに搭載されるＳＡＷ素子片１０及びＩＣチップ２０を囲み、底基板３２ａに積層される変形枠状の枠基板３２ｂと、枠基板３２ｂに積層され、ＳＡＷ素子片１０及びＩＣチップ２０と、キャップ３６との隙間を確保する枠状の枠基板３２ｃとを備えている。
底基板３２ａ、枠基板３２ｂ、枠基板３２ｃには、セラミックグリーンシートを成形して焼成した酸化アルミニウム質焼結体などが用いられている。
なお、パッケージベース３２は、例えば、底基板３２ａ一枚の平板状に形成されていてもよい。 The package 30 includes a package base 32 as a base substrate, a bonding material 35, a cap 36, and the like.
The package base 32 surrounds the flat bottom substrate 32a having a substantially rectangular planar shape, the SAW element piece 10 and the IC chip 20 mounted on the bottom substrate 32a, and is a deformed frame-shaped frame substrate stacked on the bottom substrate 32a. 32b, a frame-shaped frame substrate 32c that is stacked on the frame substrate 32b and that secures a gap between the SAW element piece 10 and the IC chip 20 and the cap 36.
For the bottom substrate 32a, the frame substrate 32b, and the frame substrate 32c, an aluminum oxide sintered body formed by firing a ceramic green sheet is used.
Note that the package base 32 may be formed in a flat plate shape with one bottom substrate 32a, for example.

パッケージベース３２の枠基板３２ｂ上には、ボンディングパッド３３ａ〜３３ｆが形成されている。ボンディングパッド３３ａは、配線によりボンディングパッド３３ｃと接続され、ボンディングパッド３３ｂは、配線によりボンディングパッド３３ｄと接続されている。ボンディングパッド３３ｅ，３３ｆは、それぞれ図示しない外部実装端子と接続されている。 Bonding pads 33 a to 33 f are formed on the frame substrate 32 b of the package base 32. The bonding pad 33a is connected to the bonding pad 33c by wiring, and the bonding pad 33b is connected to the bonding pad 33d by wiring. The bonding pads 33e and 33f are respectively connected to external mounting terminals (not shown).

パッケージベース３２には、底基板３２ａ及び枠基板３２ｂを貫通する貫通孔３４が形成されている。
貫通孔３４は、底基板３２ａの孔径と枠基板３２ｂの孔径とが異なり、底基板３２ａの孔径の方が大きい、段付きの貫通孔となっている。なお、枠基板３２ｃは、貫通孔３４を塞がないように形成されている。 The package base 32 is formed with a through hole 34 that penetrates the bottom substrate 32a and the frame substrate 32b.
The through hole 34 is a stepped through hole in which the hole diameter of the bottom substrate 32a is different from the hole diameter of the frame substrate 32b, and the hole diameter of the bottom substrate 32a is larger. The frame substrate 32c is formed so as not to block the through hole 34.

ＳＡＷ素子片１０は、パッケージベース３２の底基板３２ａに、接着剤４０で固定されている。なお、接着剤４０には、シリコーン系接着剤、ブタジエンゴム系接着剤などの弾性を有する接着剤を用いるのが、固定部の熱応力の緩和などの観点から好ましい。
ＳＡＷ素子片１０のボンディングパッド１４ａ，１４ｂは、Ａｕを含んでなるワイヤー（以下、Ａｕワイヤーという）５０のボンディングにより、それぞれパッケージベース３２のボンディングパッド３３ａ，３３ｂと電気的に接続されている。 The SAW element piece 10 is fixed to the bottom substrate 32 a of the package base 32 with an adhesive 40. Note that it is preferable to use an adhesive having elasticity such as a silicone-based adhesive and a butadiene rubber-based adhesive as the adhesive 40 from the viewpoint of relaxation of the thermal stress of the fixing portion.
The bonding pads 14a and 14b of the SAW element piece 10 are electrically connected to the bonding pads 33a and 33b of the package base 32 by bonding of a wire 50 containing Au (hereinafter referred to as “Au wire”), respectively.

ＩＣチップ２０は、シリコン基板などからなり、ＳＡＷ素子片１０を駆動（励振）する発振回路などが形成されている。ＩＣチップ２０は、パッケージベース３２の底基板３２ａに、エポキシ系などの接着剤６０で固定されている。
ＩＣチップ２０のボンディングパッド２１〜２４は、ＡｌまたはＡｌ合金などの導電性に優れた材料により形成されている。ＩＣチップ２０のボンディングパッド２１，２２は、Ａｕワイヤー５０のボンディングにより、それぞれパッケージベース３２のボンディングパッド３３ｃ，３３ｄと電気的に接続されている。
これにより、ＳＡＷ素子片１０とＩＣチップ２０とは、電気的に接続されている。 The IC chip 20 is made of a silicon substrate or the like, and is formed with an oscillation circuit that drives (excites) the SAW element piece 10. The IC chip 20 is fixed to the bottom substrate 32 a of the package base 32 with an epoxy-based adhesive 60.
The bonding pads 21 to 24 of the IC chip 20 are formed of a material having excellent conductivity such as Al or an Al alloy. The bonding pads 21 and 22 of the IC chip 20 are electrically connected to the bonding pads 33c and 33d of the package base 32 by bonding of Au wires 50, respectively.
Thereby, the SAW element piece 10 and the IC chip 20 are electrically connected.

一方、ＩＣチップ２０のボンディングパッド２３，２４は、Ａｕワイヤー５０のボンディングにより、それぞれパッケージベース３２のボンディングパッド３３ｅ，３３ｆと電気的に接続されている。
これにより、ＩＣチップ２０は、図示しない外部実装端子を介して外部の機器と電気的に接続可能となっている。 On the other hand, the bonding pads 23 and 24 of the IC chip 20 are electrically connected to the bonding pads 33e and 33f of the package base 32 by bonding of Au wires 50, respectively.
Thereby, the IC chip 20 can be electrically connected to an external device via an external mounting terminal (not shown).

パッケージ３０は、ＳＡＷ素子片１０、ＩＣチップ２０がパッケージベース３２に実装された状態で、コバールなどの金属で形成されたキャップ３６が、コバールなどの金属を用いた接合材３５を介して、シーム溶接などによりパッケージベース３２に接合される。
そして、パッケージ３０の内部空間３１には、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが充填され、Ａｕ／Ｇｅ合金などの封止材７０により貫通孔３４が塞がれる。
これにより、ＳＡＷ発振器１は、パッケージ３０の内部空間３１が気密に封止されている。 The package 30 has a cap 36 formed of a metal such as Kovar with a SAW element piece 10 and the IC chip 20 mounted on the package base 32, and a seam via a bonding material 35 using a metal such as Kovar. It is joined to the package base 32 by welding or the like.
The internal space 31 of the package 30 is filled with an inert gas such as nitrogen, argon, or helium, and the through hole 34 is closed with a sealing material 70 such as an Au / Ge alloy.
Thereby, in the SAW oscillator 1, the internal space 31 of the package 30 is hermetically sealed.

ここで、ＳＡＷ発振器１の動作について概略を説明する。
ＳＡＷ発振器１は、外部から図示しない外部実装端子を介してＩＣチップ２０に接地電位及び電源電圧が印加されると、ＩＣチップ２０の発振回路からＳＡＷ素子片１０のすだれ状電極１２に電気信号が印加される。
これにより、ＳＡＷ発振器１は、ＳＡＷ素子片１０の圧電効果によって、すだれ状電極１２が配置された領域にＳＡＷ（弾性表面波）が励起される。この励起されたＳＡＷの共振周波数に応じた発振信号が、ＩＣチップ２０から外部に出力される。なお、ＳＡＷ素子片１０では、反射器１３ａと反射器１３ｂとの間がＳＡＷの励振領域となっている。 Here, an outline of the operation of the SAW oscillator 1 will be described.
When a ground potential and a power supply voltage are applied to the IC chip 20 from the outside via an external mounting terminal (not shown), the SAW oscillator 1 receives an electrical signal from the oscillation circuit of the IC chip 20 to the interdigital electrode 12 of the SAW element piece 10. Applied.
Thereby, in the SAW oscillator 1, SAW (surface acoustic wave) is excited in the region where the interdigital electrode 12 is disposed by the piezoelectric effect of the SAW element piece 10. An oscillation signal corresponding to the resonance frequency of the excited SAW is output from the IC chip 20 to the outside. In the SAW element piece 10, the SAW excitation region is between the reflector 13a and the reflector 13b.

ここで、ＳＡＷ発振器１の製造方法について説明する。
図２は、ＳＡＷ発振器の製造方法の主要な工程を示したフローチャートである。図３、図４は、図２の各工程の内容を説明する模式断面図である。 Here, a method for manufacturing the SAW oscillator 1 will be described.
FIG. 2 is a flowchart showing the main steps of the method for manufacturing the SAW oscillator. 3 and 4 are schematic cross-sectional views for explaining the contents of each step in FIG.

図２に示すように、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、弾性表面波基板形成工程としてのＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１と、弾性表面波基板固定工程としてのＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２と、回路素子固定工程Ｓ３と、ボンディング工程Ｓ４と、第１周波数調整工程Ｓ５と、アニール工程Ｓ６と、第１封止工程Ｓ７と、第２周波数調整工程Ｓ８と、第２封止工程Ｓ９とを有している。 As shown in FIG. 2, the SAW oscillator 1 is manufactured by a SAW element piece forming step S1 as a surface acoustic wave substrate forming step, a SAW element piece fixing step S2 as a surface acoustic wave substrate fixing step, and a circuit element fixing. It has process S3, bonding process S4, 1st frequency adjustment process S5, annealing process S6, 1st sealing process S7, 2nd frequency adjustment process S8, and 2nd sealing process S9. .

以下、各工程について、順を追って説明する。
［ＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１］
図３（ａ）に示すように、ＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１では、所定の厚みに研磨された圧電単結晶材料である水晶などの圧電基板１１の一方の主面１４上に、ＡｌまたはＡｌ合金などを用いて、一対のすだれ状電極１２、反射器１３ａ，１３ｂなどをフォトリソグラフィ技術及びエッチングにより形成する。
なお、この工程では、一枚の水晶などのウエハーにＳＡＷ素子片１０を複数個取りしてもよいし、個片状態の水晶などを用いて個別に形成してもよい。 Hereinafter, each step will be described in order.
[SAW element piece forming step S1]
As shown in FIG. 3A, in the SAW element piece forming step S1, Al or an Al alloy is formed on one main surface 14 of a piezoelectric substrate 11 such as quartz that is a piezoelectric single crystal material polished to a predetermined thickness. A pair of interdigital electrodes 12, reflectors 13a, 13b, and the like are formed by photolithography and etching.
In this step, a plurality of SAW element pieces 10 may be formed on a single wafer such as a crystal, or may be individually formed using a piece of crystal or the like.

［ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２］
図３（ｂ）に示すように、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２では、ＳＡＷ素子片１０を個片状態にして、パッケージベース３２の底基板３２ａの所定の位置に、接着剤４０で固定する。
なお、図３（ｂ）の断面は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ線での断面に相当する。 [SAW element piece fixing step S2]
As shown in FIG. 3B, in the SAW element piece fixing step S 2, the SAW element pieces 10 are made into individual pieces and fixed to a predetermined position on the bottom substrate 32 a of the package base 32 with the adhesive 40.
In addition, the cross section of FIG.3 (b) is corresponded in the cross section in the AA line in Fig.1 (a).

［回路素子固定工程Ｓ３］
図３（ｃ）に示すように、回路素子固定工程Ｓ３では、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２後、ＩＣチップ２０などの回路素子を、パッケージベース３２の底基板３２ａの所定の位置に、接着剤６０で固定する。
なお、回路素子固定工程Ｓ３は、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２より前に行ってもよいし、準備工程として、最初に行っておいてもよい。
なお、図３（ｃ）の断面は、図１（ａ）におけるＣ−Ｃ線での断面に相当する。 [Circuit Element Fixing Step S3]
As shown in FIG. 3C, in the circuit element fixing step S3, after the SAW element piece fixing step S2, the circuit element such as the IC chip 20 is placed on a predetermined position of the bottom substrate 32a of the package base 32 with the adhesive 60. Secure with.
The circuit element fixing step S3 may be performed before the SAW element piece fixing step S2, or may be performed first as a preparation step.
In addition, the cross section of FIG.3 (c) is corresponded in the cross section in CC line in Fig.1 (a).

［ボンディング工程Ｓ４］
図３（ｄ）及び図１（ａ）に示すように、ボンディング工程Ｓ４では、上記各工程（ＳＡＷ素子片形成工程Ｓ１、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２、回路素子固定工程Ｓ３）終了後、ＳＡＷ素子片１０のボンディングパッド１４ａ，１４ｂと、パッケージベース３２のボンディングパッド３３ａ，３３ｂとを、Ａｕワイヤー５０のボンディングによりそれぞれ電気的に接続し、ＩＣチップ２０のボンディングパッド２１，２２と、パッケージベース３２のボンディングパッド３３ｃ，３３ｄとを、Ａｕワイヤー５０のボンディングによりそれぞれ電気的に接続し、ＩＣチップ２０のボンディングパッド２３，２４と、パッケージベース３２のボンディングパッド３３ｅ，３３ｆとを、Ａｕワイヤー５０のボンディングによりそれぞれ電気的に接続する。
なお、ボンディングには、Ａｕワイヤー５０に代えて、Ａｌワイヤーを用いてもよく、異方性導電膜など他の導電性部材を用いてもよい。
なお、図３（ｄ）の断面は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線での断面に相当する。 [Bonding Step S4]
As shown in FIG. 3D and FIG. 1A, in the bonding step S4, after the above steps (SAW element piece forming step S1, SAW element piece fixing step S2, circuit element fixing step S3), the SAW element is finished. The bonding pads 14a and 14b of the piece 10 and the bonding pads 33a and 33b of the package base 32 are electrically connected to each other by bonding of Au wires 50, and the bonding pads 21 and 22 of the IC chip 20 and the package base 32 are connected. The bonding pads 33c and 33d are electrically connected to each other by bonding of an Au wire 50, and the bonding pads 23 and 24 of the IC chip 20 and the bonding pads 33e and 33f of the package base 32 are bonded to each other by bonding of the Au wire 50. Connect each one electrically .
For bonding, an Al wire may be used instead of the Au wire 50, or another conductive member such as an anisotropic conductive film may be used.
Note that the cross section of FIG. 3D corresponds to the cross section taken along line BB in FIG.

［第１周波数調整工程Ｓ５］
図３（ｅ）に示すように、第１周波数調整工程Ｓ５では、以下の３つの工程の少なくとも１つの工程を行い、ＳＡＷ素子片１０の周波数を所望の周波数に調整する。
（１）例えば、フッ酸またはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液などのエッチング液を用いたウエットエッチングで、選択的にすだれ状電極１２を構成する電極指１２ａ，１２ｂをエッチングし、電極指１２ａ，１２ｂの膜厚Ｔ１を変化させたり、電極指１２ａ，１２ｂの幅Ｗを変化させたりするなどにより、電極指１２ａ，１２ｂの質量を変化させる工程。
（２）例えば、金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などにより、すだれ状電極１２（電極指１２ａ，１２ｂ）に質量体を付加する工程。
（３）例えば、すだれ状電極１２の電極指１２ａ，１２ｂ間スペース部１１ａに露出する圧電基板１１を、ＣＦ₄ガス（フッ化炭素ガス）などを用いたＲＩＥによってドライエッチングするなどにより、電極指１２ａ，１２ｂ間にて露出している圧電基板１１をエッチングする工程。 [First frequency adjustment step S5]
As shown in FIG. 3E, in the first frequency adjustment step S5, at least one of the following three steps is performed to adjust the frequency of the SAW element piece 10 to a desired frequency.
(1) For example, the electrode fingers 12a and 12b constituting the interdigital electrode 12 are selectively etched by wet etching using an etchant such as hydrofluoric acid or a mixed liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride. A process of changing the mass of the electrode fingers 12a and 12b by changing the film thickness T1 of the electrode fingers 12a and 12b or changing the width W of the electrode fingers 12a and 12b.
(2) A step of adding a mass body to the interdigital electrode 12 (electrode fingers 12a and 12b) by using, for example, metal particles, a SiO ₂ film, an Al ₂ O ₃ film, or the like.
(3) For example, the piezoelectric substrate 11 exposed in the space 11a between the electrode fingers 12a and 12b of the interdigital electrode 12 is dry-etched by RIE using CF ₄ gas (fluorocarbon gas) or the like. Etching the piezoelectric substrate 11 exposed between 12a and 12b.

［アニール工程Ｓ６］
図４（ａ）に示すように、アニール工程Ｓ６では、第１周波数調整工程Ｓ５後、例えば、加熱炉９０などを用いて、ＳＡＷ素子片１０などを２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱する。
これにより、アニール工程Ｓ６では、第１周波数調整工程Ｓ５で、（１）の工程に用いたフッ酸またはフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液などのエッチング液の残渣、または（３）の工程に用いたＣＦ₄ガスなどのエッチングガスの残渣を、ＳＡＷ素子片１０上から蒸発させる。
また、アニール工程Ｓ６では、第１周波数調整工程Ｓ５で、（２）の工程によりすだれ状電極１２に付加された金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などの質量体の膜質変化や物性変化を、この加熱により一気に進行させ、質量体の膜質や物性を安定した状態にする。
これらにより、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片１０の周波数の経時的変化を抑制することができる（詳細後述）。 [Annealing step S6]
As shown in FIG. 4A, in the annealing step S6, after the first frequency adjustment step S5, the SAW element piece 10 and the like are placed in the atmosphere of 200 ° C. or higher and 500 ° C. or lower using the heating furnace 90, for example. Heat for more than a minute.
Thereby, in annealing process S6, the residue of etching liquids, such as the hydrofluoric acid used in the process of (1) in the 1st frequency adjustment process S5, or the liquid mixture of a hydrofluoric acid and ammonium fluoride, or the process of (3) Etching gas residues such as CF ₄ gas used in the above are evaporated from the SAW element piece 10.
Further, in the annealing step S6, the film quality change and physical properties of the mass body such as the metal particles, SiO ₂ film, Al ₂ O ₃ film added to the interdigital electrode 12 in the step (2) in the first frequency adjustment step S5. The change is advanced at once by this heating, and the film quality and physical properties of the mass body are stabilized.
By these, the manufacturing method of the SAW oscillator 1 can suppress the change with time of the frequency of the SAW element piece 10 (details will be described later).

なお、アニール工程Ｓ６における加熱時間は、５分以上であれば上記残渣の蒸発、質量体の膜質や物性の安定化が確認されていることから、むやみに時間をかけず効率的に作業を行うために、５分以上６時間以下にすることが好ましい。 Note that if the heating time in the annealing step S6 is 5 minutes or longer, evaporation of the residue and stabilization of the film quality and physical properties of the mass body have been confirmed, so the work is efficiently performed without taking time. Therefore, it is preferable that the time is 5 minutes or more and 6 hours or less.

［第１封止工程Ｓ７］
図４（ｂ）に示すように、第１封止工程Ｓ７では、アニール工程Ｓ６後、パッケージベース３２に接合材３５を介してシーム溶接などによりキャップ３６を接合してパッケージ３０を構成し、ＳＡＷ素子片１０、ＩＣチップ２０をパッケージ３０の内部空間３１に収容する。 [First sealing step S7]
As shown in FIG. 4B, in the first sealing step S7, after the annealing step S6, a cap 36 is joined to the package base 32 by seam welding or the like via the joining material 35 to form the package 30, and the SAW The element piece 10 and the IC chip 20 are accommodated in the internal space 31 of the package 30.

［第２周波数調整工程Ｓ８］
図４（ｃ）に示すように、第２周波数調整工程Ｓ８では、第１周波数調整工程Ｓ５後に行われた各工程により、僅かにずれが生じたＳＡＷ素子片１０の周波数を、所望の周波数（所望周波数）に調整する。
具体的には、第１封止工程Ｓ７終了後、パッケージベース３２に形成された貫通孔３４から内部空間３１に不活性ガスを供給して、ＳＡＷ素子片１０の周波数を変化させる。
または、内部空間３１に供給した不活性ガスの圧力及び種類のいずれかを変化させて、ＳＡＷ素子片１０の周波数を変化させる。
ところで、図５は、雰囲気ガスの圧力と周波数変化量との関係を示す図である。上記の不活性ガスを用いた方法は、図５に示すように、雰囲気ガス（不活性ガス）の圧力の上昇（下降）に伴って、周波数が高い方へ（低い方へ）と変化する現象に基づいている。 [Second Frequency Adjustment Step S8]
As shown in FIG. 4 (c), in the second frequency adjustment step S8, the frequency of the SAW element piece 10 slightly shifted due to each step performed after the first frequency adjustment step S5 is changed to a desired frequency ( To the desired frequency).
Specifically, after the first sealing step S 7 is completed, an inert gas is supplied from the through hole 34 formed in the package base 32 to the internal space 31 to change the frequency of the SAW element piece 10.
Alternatively, the frequency of the SAW element piece 10 is changed by changing either the pressure or the type of the inert gas supplied to the internal space 31.
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the pressure of the atmospheric gas and the amount of change in frequency. As shown in FIG. 5, the above-described method using an inert gas is a phenomenon in which the frequency changes to higher (lower) as the pressure of the atmospheric gas (inert gas) increases (decreases). Based on.

図４（ｃ）に戻って、第２周波数調整工程Ｓ８を詳述すると、ＳＡＷ素子片１０が内部空間３１に収容されたパッケージ３０を反転させた状態で、図示しないチャンバー内に載置し、貫通孔３４を介して内部空間３１内の気体を矢印Ｄで示すように排気すると共に、不活性ガスを矢印Ｅで示すように供給する。
その後、第１封止工程Ｓ７終了後に大気中または不活性ガス中で測定したＳＡＷ素子片１０の周波数（測定周波数）と、予め設定した所望周波数とを比較して、そのずれ量に基づいて、下記のように不活性ガスの供給圧を調整し、ＳＡＷ素子片１０の周波数を所望周波数に合わせこむ。 Returning to FIG. 4C, the second frequency adjustment step S8 will be described in detail. The SAW element piece 10 is placed in a chamber (not shown) in a state where the package 30 accommodated in the internal space 31 is inverted, The gas in the internal space 31 is evacuated through the through hole 34 as indicated by the arrow D, and the inert gas is supplied as indicated by the arrow E.
Thereafter, the frequency (measurement frequency) of the SAW element piece 10 measured in the atmosphere or in an inert gas after the end of the first sealing step S7 is compared with a preset desired frequency, and based on the deviation amount, The supply pressure of the inert gas is adjusted as described below, and the frequency of the SAW element piece 10 is adjusted to the desired frequency.

測定周波数が所望周波数よりも低い場合には、内部空間３１に供給する不活性ガスの供給圧を高くすることにより、内部空間３１の圧力を上昇させてＳＡＷ素子片１０の周波数を高い方へ変化させる。
測定周波数が所望周波数よりも高い場合には、内部空間３１に供給する不活性ガスの供給圧を低くすることにより、内部空間３１の圧力を下降させてＳＡＷ素子片１０の周波数を低い方へ変化させる。 When the measurement frequency is lower than the desired frequency, by increasing the supply pressure of the inert gas supplied to the internal space 31, the pressure of the internal space 31 is increased and the frequency of the SAW element piece 10 is changed to a higher one. Let
When the measurement frequency is higher than the desired frequency, the supply pressure of the inert gas supplied to the internal space 31 is lowered, thereby lowering the pressure of the internal space 31 and changing the frequency of the SAW element piece 10 to the lower side. Let

なお、図５に示すように、不活性ガスにおいては、アルゴンやヘリウムなどの単原子ガスより、窒素などの２原子ガスの方が、圧力の変化に伴う周波数の変化量が大きい。
このことから、第２周波数調整工程Ｓ８では、周波数調整量に応じて不活性ガスの種類を選択する。
なお、不活性ガスは、物性が安定しており、ＳＡＷ素子片１０に対する化学変化などの影響が少ないことから、第２周波数調整工程Ｓ８に用いるガスとして好ましい。 As shown in FIG. 5, in the inert gas, the diatomic gas such as nitrogen has a larger frequency change amount due to the pressure change than the monoatomic gas such as argon or helium.
Therefore, in the second frequency adjustment step S8, the type of inert gas is selected according to the frequency adjustment amount.
The inert gas is preferable as a gas used in the second frequency adjustment step S8 because the physical properties are stable and the influence of chemical change on the SAW element piece 10 is small.

なお、第２周波数調整工程Ｓ８では、上記の方法に代えて、第１封止工程Ｓ７の前に、第１周波数調整工程Ｓ５と同様の方法で、ＳＡＷ素子片１０の周波数を、所望周波数に調整してもよい。
この場合、ＳＡＷ素子片１０の周波数の調整量が僅かであることから、第１周波数調整工程Ｓ５の（１）〜（３）のいずれの工程を行っても、これらの工程によるＳＡＷ素子片１０の周波数の経時的変化（以下、エージングともいう）に及ぼす影響は、無視できる範囲である。
なお、第１封止工程Ｓ７終了後の測定周波数が所望周波数の範囲内であれば、第２周波数調整工程Ｓ８を行う必要はなく、第２封止工程Ｓ９に移行する。 In the second frequency adjustment step S8, instead of the above method, the frequency of the SAW element piece 10 is changed to a desired frequency by the same method as the first frequency adjustment step S5 before the first sealing step S7. You may adjust.
In this case, since the amount of adjustment of the frequency of the SAW element piece 10 is small, the SAW element piece 10 obtained by these steps can be obtained by performing any of the steps (1) to (3) of the first frequency adjustment step S5. The influence on the time-dependent change in frequency (hereinafter also referred to as aging) is in a negligible range.
In addition, if the measurement frequency after completion | finish of 1st sealing process S7 exists in the range of desired frequency, it is not necessary to perform 2nd frequency adjustment process S8, and it transfers to 2nd sealing process S9.

［第２封止工程Ｓ９］
図４（ｄ）に示すように、第２封止工程Ｓ９では、第２周波数調整工程Ｓ８後、２点鎖線で示す球状の封止材７０を貫通孔３４に載置し、図示しないレーザービームの照射などにより加熱溶融させて貫通孔３４に充填し、貫通孔３４を封止材７０で塞ぐ。
これにより、ＳＡＷ発振器１は、内部空間３１が気密に封止され、第２周波数調整工程Ｓ８において調整された内部空間３１の圧力が保持される。
以上の各工程などを経ることにより、図１に示したＳＡＷ発振器１が得られる。 [Second sealing step S9]
As shown in FIG. 4D, in the second sealing step S9, after the second frequency adjusting step S8, a spherical sealing material 70 indicated by a two-dot chain line is placed in the through hole 34, and a laser beam (not shown) is placed. The through-hole 34 is filled by heating and melting by irradiation or the like, and the through-hole 34 is closed with the sealing material 70.
Thereby, in the SAW oscillator 1, the internal space 31 is hermetically sealed, and the pressure of the internal space 31 adjusted in the second frequency adjustment step S8 is maintained.
Through the above steps, the SAW oscillator 1 shown in FIG. 1 is obtained.

ここで、本実施形態の製造方法により製造されたＳＡＷ発振器１の周波数の経時的変化について説明する。
図６は、アニール工程の有無によるＳＡＷ素子片の周波数のエージング特性を比較したグラフである。なお、図６の縦軸は周波数変動量を表し、横軸は経過時間を表す。また、縦軸のスケールは、図６（ａ）〜図６（ｃ）において同一である。
図６（ａ）は、（Ａ）第１周波数調整工程後、アニール工程を行わず、第２周波数調整工程を行った複数のサンプルのデータを示す。
図６（ｂ）は、（Ｂ）第１周波数調整工程後、アニール工程を行い、第２周波数調整工程を行わなかった複数のサンプルのデータを示す。
図６（ｃ）は、（Ｃ）第１周波数調整工程後、アニール工程を行い、第２周波数調整工程を行った複数のサンプルのデータを示す。 Here, the change with time of the frequency of the SAW oscillator 1 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment will be described.
FIG. 6 is a graph comparing the frequency aging characteristics of SAW element pieces with and without the annealing step. In addition, the vertical axis | shaft of FIG. 6 represents the amount of frequency fluctuations, and a horizontal axis represents elapsed time. The scale of the vertical axis is the same in FIGS. 6 (a) to 6 (c).
FIG. 6A shows data of a plurality of samples in which the second frequency adjustment step was performed without performing the annealing step after (A) the first frequency adjustment step.
FIG. 6B shows data of a plurality of samples in which the annealing process is performed after the (B) first frequency adjustment process, and the second frequency adjustment process is not performed.
FIG. 6C shows data of a plurality of samples in which the annealing process is performed after the (C) first frequency adjustment process, and the second frequency adjustment process is performed.

なお、これらのサンプルは、第１周波数調整工程Ｓ５及び第２周波数調整工程Ｓ８では、第１周波数調整工程Ｓ５における（２）の、金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などにより、すだれ状電極１２（電極指１２ａ，１２ｂ）に質量体を付加する工程を行い、アニール工程Ｓ６では、３００℃で２時間の加熱を行っている。
また、いずれのサンプルも、１２５℃の温度環境下に放置された状態で、所定の経過時間ごとに周波数が測定されている。 Note that these samples, the first frequency adjustment step S5 and the second frequency adjustment step S8, the first frequency adjustment step S5 in (2), metal particles, SiO ₂ film, the Al ₂ O ₃ or the like film, blinds The mass body is added to the electrode 12 (electrode fingers 12a and 12b), and in the annealing step S6, heating is performed at 300 ° C. for 2 hours.
Further, the frequency of each sample is measured at every predetermined elapsed time in a state where the sample is left in a temperature environment of 125 ° C.

図６の説明に入る前に、各サンプルの初期の周波数調整精度について説明する。
（Ａ）は、アニール工程Ｓ６を行わず、第２周波数調整工程Ｓ８を行うことから、アニール工程Ｓ６に起因する、例えば、熱応力の発生などの影響を受けず、初期の周波数調整精度を（Ｂ）、（Ｃ）より高くすることができる。
（Ｂ）は、アニール工程Ｓ６を行い、第２周波数調整工程Ｓ８を行わないことから、アニール工程Ｓ６によって生じた僅かな周波数変化が補正されず、初期の周波数調整精度を（Ａ）、（Ｃ）より高くすることができない。
（Ｃ）は、アニール工程Ｓ６を行い、第２周波数調整工程Ｓ８を行うことから、アニール工程Ｓ６によって生じた僅かな周波数変化が補正され、初期の周波数調整精度を（Ｂ）より高くすることができる。
まとめると、各サンプルの初期の周波数調整精度は、高い順に（Ａ）、（Ｃ）、（Ｂ）となる。 Prior to the description of FIG. 6, the initial frequency adjustment accuracy of each sample will be described.
(A) performs the second frequency adjustment step S8 without performing the annealing step S6, so that the initial frequency adjustment accuracy is not affected by, for example, the occurrence of thermal stress caused by the annealing step S6 ( B), higher than (C).
(B) performs the annealing step S6 and does not perform the second frequency adjustment step S8. Therefore, a slight frequency change caused by the annealing step S6 is not corrected, and the initial frequency adjustment accuracy is improved (A), (C ) Can't be higher.
(C) performs the annealing step S6 and performs the second frequency adjustment step S8, so that a slight frequency change caused by the annealing step S6 is corrected, and the initial frequency adjustment accuracy can be made higher than (B). it can.
In summary, the initial frequency adjustment accuracy of each sample is (A), (C), and (B) in descending order.

さて、図６に示すように、周波数のエージング特性において、（Ａ）は、（Ｂ）、（Ｃ）と比較して、数時間経過時点から周波数変動量が大きくなり始めており、１００時間以降で大きな差が生じている。
これにより、周波数のエージング特性において、（Ａ）は、（Ｂ）、（Ｃ）より明らかに劣る。
一方、（Ｂ）、（Ｃ）は、１００時間以降においても、周波数変動量の急激な変化は見られないことから、周波数のエージング特性において（Ａ）より格段に優れていることが分かる。 Now, as shown in FIG. 6, in the aging characteristics of frequency, (A), compared with (B) and (C), the frequency fluctuation amount has begun to increase after several hours, and after 100 hours, There is a big difference.
Thereby, in the aging characteristic of a frequency, (A) is clearly inferior to (B) and (C).
On the other hand, in (B) and (C), since a rapid change in the amount of frequency fluctuation is not seen even after 100 hours, it can be seen that the aging characteristics of the frequency are much better than (A).

これは、（Ｂ）、（Ｃ）が、第１周波数調整工程Ｓ５で、すだれ状電極１２に付加された金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などの質量体の膜質変化や物性変化を、アニール工程Ｓ６により一気に進行させ、質量体の膜質や物性を安定した状態にしたことによって、質量体の膜質や物性の経時的変化が抑制された結果、ＳＡＷ素子片１０の周波数の経時的変化（エージング）が抑制されたためと考えられる。 This is because (B) and (C) show changes in film quality and physical properties of mass bodies such as metal particles, SiO ₂ film, and Al ₂ O ₃ film added to the interdigital electrode 12 in the first frequency adjustment step S5. As a result, the change in the film quality and physical properties of the mass body over time is suppressed by the annealing process S6 and the film quality and physical properties of the mass body are stabilized. This is probably because the change (aging) was suppressed.

また、（Ｃ）が（Ｂ）より若干悪い結果となっているのは、（Ｃ）が第２周波数調整工程Ｓ８で上記（２）の工程を行ったことにより、すだれ状電極１２に僅かに付加された金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などの質量体の、膜質や物性の経時的変化の影響を受けたことに起因すると推測される。
このことから、（Ｃ）が第２周波数調整工程Ｓ８において、不活性ガスを用いた方法でＳＡＷ素子片１０の周波数を調整すれば、（Ｃ）の周波数のエージング特性は、より（Ｂ）に近いレベルまで向上するものと推測される。
なお、（Ｃ）の周波数のエージング特性は、実用上問題のない優れたレベルである。 Moreover, (C) has a slightly worse result than (B) because (C) performed the step (2) in the second frequency adjustment step S8, so that the interdigital electrode 12 was slightly removed. This is presumed to be due to the influence of changes in film quality and physical properties of the added mass, such as metal particles, SiO ₂ film, and Al ₂ O ₃ film.
From this, when (C) adjusts the frequency of the SAW element piece 10 by the method using the inert gas in the second frequency adjustment step S8, the aging characteristic of the frequency of (C) becomes more (B). Presumed to improve to a near level.
Note that the frequency aging characteristic of (C) is an excellent level with no practical problem.

まとめると、各サンプルの周波数のエージング特性は、良好な順に（Ｂ）、（Ｃ）、（Ａ）となる。この結果から、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、アニール工程Ｓ６による周波数のエージング特性の向上が裏付けられた。
なお、図示しないが、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、アニール工程Ｓ６の加熱温度を、２００℃及び５００℃にしても同様の効果が得られている。 In summary, the aging characteristics of the frequency of each sample are (B), (C), and (A) in order of goodness. From this result, it was confirmed that the method for manufacturing the SAW oscillator 1 improved the frequency aging characteristics by the annealing step S6.
Although not shown, the SAW oscillator 1 manufacturing method can obtain the same effect even if the heating temperature in the annealing step S6 is 200 ° C. and 500 ° C.

上述したように、本実施形態のＳＡＷ発振器１の製造方法は、第１周波数調整工程Ｓ５で、実績のある（１）〜（３）の少なくとも１つの工程を行うことから、確実な周波数調整ができる。
そして、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、第１周波数調整工程Ｓ５後、ＳＡＷ素子片１０を２００℃以上５００℃以下の雰囲気中で５分以上加熱するアニール工程Ｓ６を有していることから、第１周波数調整工程Ｓ５に用いたエッチング液またはエッチングガスの残渣が、ＳＡＷ素子片１０から蒸発する。
また、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、上記アニール工程Ｓ６によって、第１周波数調整工程Ｓ５ですだれ状電極１２に付加された質量体の膜質変化や物性変化を一気に進行させてしまうことで、質量体の膜質や物性を安定した状態にし、膜質や物性の経時的変化を抑制することができる。 As described above, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 of the present embodiment performs at least one of the proven steps (1) to (3) in the first frequency adjustment step S5. it can.
The SAW oscillator 1 manufacturing method includes an annealing step S6 in which the SAW element piece 10 is heated in an atmosphere of 200 ° C. or more and 500 ° C. or less for 5 minutes or more after the first frequency adjustment step S5. The etching solution or etching gas residue used in the one frequency adjustment step S5 evaporates from the SAW element piece 10.
In addition, the SAW oscillator 1 is manufactured by causing the mass change and physical property change of the mass added to the interdigital electrode 12 in the first frequency adjustment step S5 to proceed at a stretch by the annealing step S6. The film quality and physical properties of the film can be made stable, and changes in the film quality and physical properties over time can be suppressed.

これらのことから、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ発振器１の周波数の経時的変化を抑制することができる。換言すれば、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ発振器１の周波数のエージング特性を向上させることができる。 From these facts, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can suppress changes in the frequency of the SAW oscillator 1 over time. In other words, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can improve the frequency aging characteristics of the SAW oscillator 1.

また、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２を、アニール工程Ｓ６より前に行うことから、その後のアニール工程Ｓ６によって、ＳＡＷ素子片１０固定時に発生するＳＡＷ素子片１０の歪みなどを緩和することができる。 In addition, since the SAW element piece fixing step S2 is performed before the annealing step S6, the SAW oscillator 1 is manufactured by the subsequent annealing step S6, so that the distortion of the SAW element piece 10 that occurs when the SAW element piece 10 is fixed, etc. Can be relaxed.

また、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２を、第１周波数調整工程Ｓ５より前に行うことから、ＳＡＷ素子片１０がパッケージベース３２に固定された状態で第１周波数調整工程Ｓ５が行われる。
この結果、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片１０がパッケージベース３２に固定される際に生じる周波数のばらつきを、第１周波数調整工程Ｓ５で吸収できることから、第１周波数調整工程Ｓ５をＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２より前に行う場合より、以降の周波数調整量を少なくすることができる。 In the method of manufacturing the SAW oscillator 1, the SAW element piece fixing step S 2 is performed before the first frequency adjustment step S 5, and thus the first frequency adjustment step with the SAW element piece 10 fixed to the package base 32. S5 is performed.
As a result, the SAW oscillator 1 manufacturing method can absorb the frequency variation generated when the SAW element piece 10 is fixed to the package base 32 in the first frequency adjustment step S5. Subsequent frequency adjustment amounts can be reduced as compared to the case before the element piece fixing step S2.

また、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、第１周波数調整工程Ｓ５を、ボンディング工程Ｓ４より後に行うことから、ボンディング工程Ｓ４時に生じる周波数のばらつきを第１周波数調整工程Ｓ５によって吸収することができる。 Moreover, since the manufacturing method of the SAW oscillator 1 performs the first frequency adjustment step S5 after the bonding step S4, the frequency variation generated during the bonding step S4 can be absorbed by the first frequency adjustment step S5.

また、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片１０をパッケージ３０の内部空間３１に収容する第１封止工程Ｓ７と、パッケージベース３２に形成された貫通孔３４から内部空間３１に不活性ガスを供給してＳＡＷ素子片１０の周波数を変化させる、または供給した不活性ガスの圧力及び種類の少なくともいずれかを変化させてＳＡＷ素子片１０の周波数を変化させる第２周波数調整工程Ｓ８と、貫通孔３４を封止材７０で塞ぐ第２封止工程Ｓ９と、を有している。 In addition, the SAW oscillator 1 is manufactured by the first sealing step S7 for accommodating the SAW element piece 10 in the internal space 31 of the package 30 and the inert gas from the through hole 34 formed in the package base 32 to the internal space 31. A second frequency adjusting step S8 for changing the frequency of the SAW element piece 10 by changing the frequency of the SAW element piece 10 by changing the frequency of the SAW element piece 10 by changing at least one of the pressure and the type of the supplied inert gas. And a second sealing step S9 for closing the hole 34 with the sealing material 70.

そして、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、これらの工程を、ボンディング工程Ｓ４より後に行うことから、ボンディング工程Ｓ４後のＳＡＷ素子片１０の周波数の微調整を、従来のような、エッチング液またはエッチングガスの残渣が発生することの影響、あるいは、すだれ状電極１２に付加された金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などの質量体の膜質や物性の経時的変化の影響、を受けることなく行うことができる。
この結果、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ発振器１の周波数の経時的変化を、さらに抑制することができる。 And since the manufacturing method of the SAW oscillator 1 performs these steps after the bonding step S4, fine adjustment of the frequency of the SAW element piece 10 after the bonding step S4 can be performed by using an etching solution or an etching gas as in the prior art. Without being affected by the generation of residues, or by changes over time in the quality and physical properties of mass bodies such as metal particles added to the interdigital electrode 12, SiO ₂ film, Al ₂ O ₃ film, etc. It can be carried out.
As a result, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can further suppress the temporal change in the frequency of the SAW oscillator 1.

また、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、第２周波数調整工程Ｓ８において、測定周波数が所望周波数よりも低い場合には、内部空間３１の圧力を上昇させ、高い場合には、内部空間３１の圧力を下降させて、ＳＡＷ素子片１０の周波数を変化させることから、ボンディング工程Ｓ４後のＳＡＷ素子片１０の周波数の微調整を、従来のような、エッチング液またはエッチングガスの残渣が発生することの影響、あるいは、すだれ状電極１２に付加された金属粒子、ＳｉＯ₂膜、Ａｌ₂Ｏ₃膜などの質量体の膜質や物性の経時的変化の影響、を受けることなく行うことができる。
この結果、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ発振器１の周波数の経時的変化を、さらに抑制することができる。 In addition, in the method of manufacturing the SAW oscillator 1, in the second frequency adjustment step S8, when the measurement frequency is lower than the desired frequency, the pressure of the internal space 31 is increased, and when the measurement frequency is high, the pressure of the internal space 31 is increased. Since the frequency of the SAW element piece 10 is changed by lowering the frequency, the fine adjustment of the frequency of the SAW element piece 10 after the bonding step S4 is affected by the generation of an etching solution or etching gas residue as in the conventional case. Alternatively, it can be carried out without being affected by changes in the quality and physical properties of mass bodies such as metal particles added to the interdigital electrode 12, SiO ₂ film, Al ₂ O ₃ film.
As a result, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can further suppress the temporal change in the frequency of the SAW oscillator 1.

加えて、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片固定工程Ｓ２、回路素子固定工程Ｓ３をアニール工程Ｓ６より前に行うことから、その後のアニール工程Ｓ６において、ＳＡＷ素子片１０、ＩＣチップ２０、パッケージベース３２などのＳＡＷ発振器１の構成要素に含まれる水分が蒸発する。
この結果、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、ＳＡＷ素子片１０、ＩＣチップ２０、パッケージベース３２などのＳＡＷ発振器１の構成要素に含まれる水分に起因する周波数の経時的変化を抑制できる。 In addition, since the SAW oscillator 1 is manufactured by performing the SAW element piece fixing step S2 and the circuit element fixing step S3 before the annealing step S6, in the subsequent annealing step S6, the SAW element piece 10, the IC chip 20, Moisture contained in the components of the SAW oscillator 1 such as the package base 32 evaporates.
As a result, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can suppress a change with time in frequency due to moisture contained in the components of the SAW oscillator 1 such as the SAW element piece 10, the IC chip 20, and the package base 32.

これらにより、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、周波数の経時的変化が抑制された、換言すれば、周波数のエージング特性が向上したＳＡＷ発振器１を提供することができる。 Accordingly, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can provide the SAW oscillator 1 in which the frequency change with time is suppressed, in other words, the frequency aging characteristic is improved.

なお、上記実施形態において、ＳＡＷ発振器１のパッケージ３０の貫通孔３４は、パッケージベース３２に代えて、キャップ３６に形成されていてもよい。
これによれば、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、第２周波数調整工程Ｓ８及び第２封止工程Ｓ９において、パッケージ３０の反転が不要となることから、作業性が向上する。 In the above embodiment, the through hole 34 of the package 30 of the SAW oscillator 1 may be formed in the cap 36 instead of the package base 32.
According to this, in the method for manufacturing the SAW oscillator 1, workability is improved because inversion of the package 30 is not necessary in the second frequency adjustment step S 8 and the second sealing step S 9.

また、上記実施形態の回路素子固定工程Ｓ３及びボンディング工程Ｓ４においては、ＩＣチップ２０のボンディングパッド２１〜２４上にＡｕなどのバンプを形成し、パッケージベース３２の底基板３２ａの、ＩＣチップ２０を反転したときのボンディングパッド２１〜２４と対向する位置にボンディングパッドを形成し、このボンディングパッドとＩＣチップ２０のボンディングパッド２１〜２４とを、上記バンプを介してフリップチップ実装してもよい。
これによれば、ＳＡＷ発振器１の製造方法は、Ａｕワイヤー５０の本数を削減できる。 In the circuit element fixing step S3 and the bonding step S4 of the above embodiment, bumps such as Au are formed on the bonding pads 21 to 24 of the IC chip 20, and the IC chip 20 on the bottom substrate 32a of the package base 32 is mounted. Bonding pads may be formed at positions facing the bonding pads 21 to 24 when reversed, and the bonding pads and the bonding pads 21 to 24 of the IC chip 20 may be flip-chip mounted via the bumps.
According to this, the method for manufacturing the SAW oscillator 1 can reduce the number of Au wires 50.

なお、上記実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ発振器１を例に挙げて説明したが、これに限定するものではなく、例えば、ＳＡＷ発振器にアクティブデバイスを付加したＳＡＷモジュール、ＳＡＷフィルター、ＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスにも適用できる。 In the above embodiment, the SAW oscillator 1 is described as an example of the SAW device. However, the present invention is not limited to this. For example, a SAW module in which an active device is added to the SAW oscillator, a SAW filter, a SAW resonator, and the like. It can also be applied to other SAW devices.

また、上記実施形態では、圧電基板１１に水晶を用いたが、これに限定するものではなく、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を用いた圧電基板としてもよい。 In the above embodiment, quartz is used for the piezoelectric substrate 11, but the present invention is not limited to this. For example, a piezoelectric substrate using a piezoelectric material such as lithium tantalate or lithium niobate may be used.

Ｓ１…弾性表面波基板形成工程としてのＳＡＷ素子片形成工程、Ｓ２…弾性表面波基板固定工程としてのＳＡＷ素子片固定工程、Ｓ３…回路素子固定工程、Ｓ４…ボンディング工程、Ｓ５…第１周波数調整工程、Ｓ６…アニール工程、Ｓ７…第１封止工程、Ｓ８…第２周波数調整工程、Ｓ９…第２封止工程。 S1 ... SAW element piece forming step as a surface acoustic wave substrate forming step, S2 ... SAW element piece fixing step as a surface acoustic wave substrate fixing step, S3 ... Circuit element fixing step, S4 ... Bonding step, S5 ... First frequency adjustment Step, S6 ... Annealing step, S7 ... First sealing step, S8 ... Second frequency adjusting step, S9 ... Second sealing step.

Claims

A surface acoustic wave substrate forming step of forming an IDT on the piezoelectric substrate;
(1) changing the mass of the electrode fingers constituting the IDT, (2) adding a mass to the IDT, and (3) the piezoelectric substrate exposed between the electrode fingers of the IDT. The first frequency adjusting step of adjusting the frequency of the surface acoustic wave substrate by performing at least one of the steps (1) to (3) of the etching step, and the surface acoustic wave substrate after the first frequency adjusting step. An annealing step of heating in an atmosphere of 200 ° C. or more and 500 ° C. or less for 5 minutes to 6 hours;
A bonding step of electrically connecting a bonding pad provided on the surface acoustic wave substrate and a bonding pad provided on the base substrate;
A cap is joined to the base substrate to form a package, and the surface acoustic wave substrate is accommodated in an internal space of the package;
The inert gas is supplied to the internal space from the through hole formed in the base substrate or the cap to change the frequency of the surface acoustic wave substrate, or the pressure and type of the inert gas supplied to the internal space A second frequency adjusting step for changing the frequency of the surface acoustic wave substrate by changing at least one of the following:
A second sealing step of closing the through hole with a sealing material,
The first frequency adjustment step, the annealing step, the first sealing step, the second frequency adjustment step, and the second sealing step are performed after the bonding step. A method for manufacturing a surface acoustic wave device.

2. The surface acoustic wave device manufacturing method according to claim 1, wherein in the annealing step, the surface acoustic wave substrate is heated in an atmosphere of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less for 5 minutes to 2 hours. A method of manufacturing a surface acoustic wave device.

The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1, further comprising a surface acoustic wave substrate fixing step of fixing the surface acoustic wave substrate to a base substrate,
The method for manufacturing a surface acoustic wave device, wherein the surface acoustic wave substrate fixing step is performed before the annealing step.

The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1, further comprising a surface acoustic wave substrate fixing step of fixing the surface acoustic wave substrate to a base substrate,
The method of manufacturing a surface acoustic wave device, wherein the surface acoustic wave substrate fixing step is performed before the first frequency adjusting step.

5. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 1 , wherein, in the second frequency adjustment step, after the first sealing step is finished, in the atmosphere or in an atmosphere of the inert gas. Measure the frequency of the surface acoustic wave, compare the measured frequency with a preset desired frequency,
If the measured frequency is lower than the desired frequency, increase the pressure in the internal space,
When the measured frequency is higher than the desired frequency, the pressure of the internal space is lowered to change the frequency of the surface acoustic wave substrate.

The method of manufacturing a surface acoustic wave device as claimed in any one of claims 1 to 5, wherein the surface acoustic wave device, and a circuit element for driving the surface acoustic wave substrate and the surface acoustic wave substrate elasticity A method of manufacturing a surface acoustic wave device, which is a surface wave oscillator.

The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 6 , further comprising a circuit element fixing step of fixing the circuit element to the base substrate.
When the annealing step is performed after the surface acoustic wave substrate fixing step,
The method of manufacturing a surface acoustic wave device, wherein the circuit element fixing step is performed before the annealing step.