JP5524359B2 - 雑音除去を備える広帯域lna - Google Patents
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Description
本願は、本願の譲受人に譲渡され、参照によって本願に明確に組み込まれた、“Noise Cancelling Wideband LNA”と題された米国特許仮出願第61/303589号に対する優先権を主張する。
能とするために提供される。これらの典型的な実施形態に対する様々な変更が当業者には
容易に可能となり、本明細書において定義された一般原理は、本発明の主旨又は範囲から
逸脱することなく他の実施形態に適用することができる。従って、本発明は、本明細書に
示す実施形態に限定されることは意図されておらず、本明細書に開示された原理及び新規
特徴と整合が取れた最も広い範囲と一致するように意図されている。
なお、本願の出願当初の請求項と同一の記載を以下に付記する。
[C1] 第1のノード及び第2のノードを有する、RF信号を受信するための入力ステージ回路と、
1対のコンデンサを介してそれぞれ前記第1のノードに結合された1対の相補型MOSトランジスタを含む第1の増幅器であって、前記第1のノードにおける第1の雑音電圧を前記第1の増幅器の出力において第1の雑音電流に変換するための第1の増幅器と、
コンデンサを介して前記第2のノードにゲートを結合され、前記LNAの出力端子にドレインを結合され、前記第1の増幅器の出力にソースを結合されたMOSトランジスタを含む第2の増幅器であって、前記第2のノードにおける雑音電圧の関数として前記第2の増幅器によって生成された第2の雑音電流と前記第1の雑音電流とを加算することによって雑音除去を提供する第2の増幅器と、
を備える低雑音増幅器(LNA)。
[C2] 前記入力ステージ回路は、前記第1の雑音電圧に比例する前記第2の雑音電圧を設定する、C1に記載のLNA。
[C3] 前記第1の増幅器の相互コンダクタンスは、前記第1の雑音電流が前記第2の雑音電流に等しく、かつ異符号となるように、前記第2の増幅器の相互コンダクタンスの関数である、C1に記載のLNA。
[C4] 前記1対の相補型MOSトランジスタのうちの第1のMOSトランジスタのソースは、正電源に結合され、前記対のうちの第1のMOSトランジスタのドレインは、前記対のうちの第2のMOSトランジスタのドレインに結合されている、C1に記載のLNA。
[C5] 前記対のうちの第2のMOSトランジスタのソースは、接地に結合されている、C4に記載のLNA。
[C6] 前記第2の増幅器のMOSトランジスタのソースに一方の端子を結合され、接地に他方の端子を結合された抵抗を更に備える、C1に記載のLNA。
[C7] MOSトランジスタを更に備え、そのゲートはコンデンサを介して前記LNAの入力端子に結合され、そのソースは前記正電源に結合され、そのドレインは前記LNAの出力に結合されている、C4に記載のLNA。
[C8] 前記入力ステージは、負荷抵抗に結合された共通ゲート構成内のMOSトランジスタである、C5に記載のLNA。
[C9] 第1のノード及び第2のノードを有する、RF信号を受信するための入力ステージ回路と、
各々がそれぞれ1対のコンデンサを介して前記第1のノードに結合された第1の対の相補型MOSトランジスタを含む第1の増幅器であって、前記第1のノードにおける雑音電圧を前記第1の増幅器の出力ノードにおいて第1の雑音電流に変換するための第1の増幅器と、
各々がそれぞれ1対のコンデンサを介して前記第2のノードにゲート結合された第2の対のMOSトランジスタを含む第2の増幅器であって、前記第2のノードにおいて前記雑音電圧の関数として前記第2の増幅器によって生成された第2の雑音電流と前記第1の雑音電流とを加算することによって雑音除去を提供する第2の増幅器と、
を備える低雑音増幅器(LNA)。
[C10] 前記入力ステージ回路は、前記第1の雑音電圧に比例する前記第2の雑音電圧を設定する、C9に記載のLNA。
[C11] 前記第1の増幅器の相互コンダクタンスは、前記第1の雑音電流が前記第2の雑音電流と等しく、かつ異符号となるように、前記第2の増幅器の相互コンダクタンスの関数である、C9に記載のLNA。
[C12] 前記第1の対のうちの第1のMOSトランジスタのソースは、正電源に結合され、前記第1の対のうちの第1のMOSトランジスタのドレインは、前記第2の対のうちの第1のMOSトランジスタのソースに結合されている、C9に記載のLNA。
[C13] 前記第2の対のうちの第1のMOSトランジスタのドレインは、前記第2の対のうちの第2のMOSトランジスタのドレインと、前記LNAの出力とに結合されている、C12に記載のLNA。
[C14] 前記第2の対のうちの第2のMOSトランジスタのソースは、前記第1の対のうちの第2のMOSトランジスタのドレインに結合されている、C13に記載のLNA。
[C15] 前記第1の対のうちの第2のMOSトランジスタのソースは、接地に結合されている、C14に記載のLNA。
[C16] 第1の雑音電圧成分を有する第1の電圧信号をRF信号の関数として増幅するための第1の手段と、
前記第1の雑音電圧成分と比例し、かつ逆位相である第2の雑音電圧成分を有する第2
の電圧信号を、前記RF信号の関数として増幅するための第2の手段であって、前記第1
の手段に直流結合された第2の手段と
を備える低雑音増幅器(LNA)。
[C17] 前記第1の手段はまた、前記第1の雑音電圧成分を第1の雑音電流に変換する、C16に記載のLNA。
[C18] 前記第2の手段はまた、前記第2の雑音電圧成分を第2の雑音電流に変換する、C17に記載のLNA。
[C19] 前記第2の手段は、前記第1の雑音電流と前記第2の雑音電流とを加算し、前記第1の手段の利得は、前記第1の雑音電流と前記第2の雑音電流とが実質的に相殺するように、前記第2の手段の利得に比例する、C18に記載のLNA。
Claims (18)
- 低雑音増幅器(LNA)であって、
第1のノード及び第2のノードを有する、RF信号を受信するための入力ステージ回路と、
1対のコンデンサを介してそれぞれ前記第1のノードに結合された1対の相補型MOSトランジスタを含む第1の増幅器であって、前記第1のノードにおける第1の雑音電圧を前記第1の増幅器の出力において第1の雑音電流に変換するための第1の増幅器と、
コンデンサを介して前記第2のノードにゲートを結合され、前記LNAの出力端子にドレインを結合され、前記第1の増幅器の出力にソースを結合されたMOSトランジスタを含む第2の増幅器であって、前記第2のノードにおける雑音電圧の関数として前記第2の増幅器によって生成された第2の雑音電流と前記第1の雑音電流とを加算することによって雑音除去を提供する第2の増幅器と、
を備える低雑音増幅器(LNA)。 - 前記入力ステージ回路は、前記第1の雑音電圧に比例する前記第2の雑音電圧を設定する、請求項1に記載のLNA。
- 前記第1の増幅器の相互コンダクタンスは、前記第1の雑音電流が前記第2の雑音電流に等しく、かつ異符号となるように、前記第2の増幅器の相互コンダクタンスの関数である、請求項1に記載のLNA。
- 前記1対の相補型MOSトランジスタのうちの第1のMOSトランジスタのソースは、正電源に結合され、前記対のうちの第1のMOSトランジスタのドレインは、前記対のうちの第2のMOSトランジスタのドレインに結合されている、請求項1に記載のLNA。
- 前記対のうちの第2のMOSトランジスタのソースは、接地に結合されている、請求項4に記載のLNA。
- 前記第2の増幅器のMOSトランジスタのソースに一方の端子を結合され、接地に他方の端子を結合された抵抗を更に備える、請求項1に記載のLNA。
- MOSトランジスタを更に備え、そのゲートはコンデンサを介して前記LNAの入力端子に結合され、そのソースは前記正電源に結合され、そのドレインは前記LNAの出力に結合されている、請求項4に記載のLNA。
- 前記入力ステージは、負荷抵抗に結合された共通ゲート構成内のMOSトランジスタである、請求項5に記載のLNA。
- 第1のノード及び第2のノードを有する、RF信号を受信するための入力ステージ回路と、
各々がそれぞれ1対のコンデンサを介して前記第1のノードに結合された第1の対の相補型MOSトランジスタを含む第1の増幅器であって、前記第1のノードにおける雑音電圧を前記第1の増幅器の出力ノードにおいて第1の雑音電流に変換するための第1の増幅器と、
各々がそれぞれ1対のコンデンサを介して前記第2のノードにゲート結合された第2の対のMOSトランジスタを含む第2の増幅器であって、前記第2のノードにおいて前記雑音電圧の関数として前記第2の増幅器によって生成された第2の雑音電流と前記第1の雑音電流とを加算することによって雑音除去を提供する第2の増幅器と、
を備える低雑音増幅器(LNA)。 - 前記入力ステージ回路は、前記第1の雑音電圧に比例する前記第2の雑音電圧を設定する、請求項9に記載のLNA。
- 前記第1の増幅器の相互コンダクタンスは、前記第1の雑音電流が前記第2の雑音電流と等しく、かつ異符号となるように、前記第2の増幅器の相互コンダクタンスの関数である、請求項9に記載のLNA。
- 前記第1の対のうちの第1のMOSトランジスタのソースは、正電源に結合され、前記第1の対のうちの第1のMOSトランジスタのドレインは、前記第2の対のうちの第1のMOSトランジスタのソースに結合されている、請求項9に記載のLNA。
- 前記第2の対のうちの第1のMOSトランジスタのドレインは、前記第2の対のうちの第2のMOSトランジスタのドレインと、前記LNAの出力とに結合されている、請求項12に記載のLNA。
- 前記第2の対のうちの第2のMOSトランジスタのソースは、前記第1の対のうちの第2のMOSトランジスタのドレインに結合されている、請求項13に記載のLNA。
- 前記第1の対のうちの第2のMOSトランジスタのソースは、接地に結合されている、請求項14に記載のLNA。
- 低雑音増幅器(LNA)であって、
第1のノード及び第2のノードを有する、RF信号を受信するための手段と、
第1の電圧信号をRF信号の関数として増幅するための第1の手段あって、前記第1の手段は、1対のコンデンサを介してそれぞれ前記第1のノードに結合された1対の相補型MOSトランジスタを含み、前記第1のノードにおける第1の雑音電圧を前記第1の手段の出力において第1の雑音電流に変換する、第1の手段と、
前記第1の手段に直流結合されて、第2の電圧信号を、前記RF信号の関数として増幅するための第2の手段であって、前記第2の手段は、コンデンサを介して前記第2のノードにゲートを結合され、前記LNAの出力端子にドレインを結合され、前記第1の手段の出力にソースを結合されたMOSトランジスタを含み、前記第2の手段は、前記第2のノードにおける雑音電圧の関数として前記第2の手段によって生成された第2の雑音電流と前記第1の雑音電流とを加算することによって雑音除去を提供する、第2の手段と
を備える低雑音増幅器(LNA)。 - 前記RF信号を受信するための手段は、前記第1の雑音電圧に比例する前記第2の雑音電圧を設定する、請求項16に記載のLNA。
- 前記第1の手段の相互コンダクタンスは、前記第1の雑音電流が前記第2の雑音電流に等しく、かつ異符号となるように、前記第2の手段の相互コンダクタンスの関数である、請求項16に記載のLNA。
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