JP5518575B2 - パターン形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いて第一のレジストパターンを形成した後、その上に第二の膜形成用組成物を用いて第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する方法に関する。

支持体の上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことによって該パターンの下層を加工する技術（パターン形成技術）は、半導体分野においてＩＣデバイスの作成等に広く採用され、大きな注目を浴びている。
微細パターンは、通常、有機材料からなり、例えばリソグラフィー法やナノインプリント法等の技術によって形成される。たとえばリソグラフィー法においては、基板等の支持体上に、レジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。そして、上記レジストパターンをマスクとして、基板をエッチングにより加工する工程を経て半導体素子等が製造される。露光した部分の現像液に対する溶解性が増大するレジスト材料をポジ型、露光した部分の現像液に対する溶解性が低下するレジスト材料をネガ型という。
近年、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。レジストパターンの微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、ｇ線、ｉ線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、ＫｒＦエキシマレーザーや、ＡｒＦエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されており、たとえばＡｒＦエキシマレーザーを用いたリソグラフィーにより、４５ｎｍレベルの解像性でのパターン形成が可能となっている。また、解像性の更なる向上のために、これらエキシマレーザーより短波長のＦ_２エキシマレーザー、電子線、ＥＵＶ（極紫外線）やＸ線などについても検討が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、露光により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。化学増幅型レジスト組成物には、一般的に、前記酸発生剤とともに、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分が配合されている。たとえばポジ型の化学増幅型レジストの基材成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられている（たとえば、特許文献１参照）。また、化学増幅型レジスト組成物の基材成分としては主に樹脂が用いられている。

解像性の更なる向上のための手法の１つとして、露光機の対物レンズと試料との間に、空気よりも高屈折率の液体（液浸媒体）を介在させて露光（浸漬露光）を行うリソグラフィー法、所謂、液浸リソグラフィー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ。以下、液浸露光ということがある。）が知られている（たとえば、非特許文献１参照）。
液浸露光によれば、同じ露光波長の光源を用いても、より短波長の光源を用いた場合や高ＮＡレンズを用いた場合と同様の高解像性を達成でき、しかも焦点深度幅の低下もないといわれている。また、液浸露光は、既存の露光装置を応用して行うことができる。そのため、液浸露光は、低コストで、高解像性で、かつ焦点深度幅にも優れるレジストパターンの形成を実現できると予想され、多額な設備投資を必要とする半導体素子の製造において、コスト的にも、解像度等のリソグラフィー特性的にも、半導体産業に多大な効果を与えるものとして大変注目されている。
液浸露光は、あらゆるパターン形状の形成において有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることも可能であるとされている。現在、液浸露光技術としては、主に、ＡｒＦエキシマレーザーを光源とする技術が活発に研究されている。また、現在、液浸媒体としては、主に水が検討されている。

最近提案されているリソグラフィー技術の１つとして、パターニングを２回以上行ってレジストパターンを形成するダブルパターニングプロセスがある（たとえば、非特許文献２〜３参照）。
ダブルパターニングプロセスにはいくつか種類があり、たとえば、（１）リソグラフィー工程（レジスト組成物の塗布から露光、現像まで）およびエッチング工程を２回以上繰り返してパターンを形成する方法、（２）リソグラフィー工程を続けて２回以上繰り返す方法等がある。
（１）の方法によるパターンの形成は、たとえば以下の手順で実施される。まず、基板と下層膜とハードマスクとが積層された積層体を用意する。次に、ハードマスク上にレジスト膜を設け、該レジスト膜を、フォトマスクを介して選択的に露光し、現像することにより、所定のサイズのレジストパターンが複数、所定の位置に配置された第一のレジストパターンを形成する。次に、該第一のレジストパターンをマスクとしてハードマスクのエッチングを行った後、残った第一のレジストパターンを除去する。これにより、第一のレジストパターンが転写されたハードマスクが得られる。次に、該ハードマスク上にレジスト組成物を塗布することにより、ハードマスク内の空隙を充填するレジスト膜を形成する。そして、該レジスト膜を、パターン配置の異なるフォトマスクを介して選択的に露光し、現像して第二のレジストパターンを形成する。次に、該第二のレジストパターンをマスクとしてハードマスクのエッチングを行った後、残った第二のレジストパターンを除去する。これにより、第一のレジストパターンおよび第二のレジストパターンが転写されたハードマスクが得られる。このハードマスクをマスクとしてエッチングを行うことにより、下層膜にハードマスクのパターンが転写され、結果、使用したフォトマスクよりも狭ピッチのパターンが形成される。
（２）の方法では、たとえば、支持体上に第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜をパターニングすることにより複数のレジストパターンを形成した後、その上に第二のレジスト材料を塗布して前記複数のレジストパターン間の空隙を充填する第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜をパターニングする。
これらのダブルパターニングプロセスによれば、同じ露光波長の光源を用いても、また、同じレジスト組成物を用いても、１回のリソグラフィー工程で形成する場合（シングルパターニング）よりも高解像性のレジストパターンを形成することが可能である。また、ダブルパターニングプロセスは、既存の露光装置を用いて行うことができる。

特開２００３−２４１３８５号公報

プロシーディングスオブエスピーアイイ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ），第５７５４巻，第１１９−１２８頁（２００５年）． プロシーディングスオブエスピーアイイ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ），第５２５６巻，第９８５〜９９４頁（２００３年）． プロシーディングスオブエスピーアイイ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ），第６１５３巻，第６１５３０１−１〜１９頁（２００６年）．

上述のようなダブルパターニングプロセスにおいては、第二の組成物を塗布した際に、第一のレジストパターンが影響を受け易い。このため、たとえば、第二の組成物の溶剤により第一のレジストパターンの一部又は全部が溶解し、膜べり等が生じてそのパターン形状が損なわれたり、第一のレジストパターンと第二の組成物とが溶解し合う、いわゆるミキシングが生じたりし、良好なレジストパターンが形成できないという問題がある。
このような問題は、第二の組成物として、第一のレジストパターンを溶解し難い溶剤に溶解させた組成物を用いることにより、回避することができると考えられており、第二の組成物に好適に用いることのできる種々の溶剤が検討されている。
しかしながら、今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が予想されるなか、上記問題のさらなる解決法が求められている。

また、レジスト膜にスペースパターンやホールパターンを形成する場合、ラインパターンやドットパターンを形成する場合に比べて、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、露光部および未露光部にそれぞれ入射する光の強度のコントラストも小さい。そのため、レジストパターン形成における解像力やリソグラフィーマージン（たとえば露光量に対する余裕度（ＥＬマージン）、焦点深度に対する余裕度（ＤＯＦマージン）、パターン形状の垂直性等といったパターン形成能に制限が生じやすく、高解像のレジストパターンを形成することが難しい傾向がある。
高解像のレジストパターンを形成できる技術として、上述のようなダブルパターニングプロセスを用いることも考えられる。しかし、上記のようなダブルパターニングプロセスのうち、（１）の方法は、基板上にパターンを形成するためには、レジスト膜のパターニングを少なくとも２回、その下層のハードマスクのエッチングを少なくとも２回行う必要があるなど、工程数の増大や薬液使用量の増大、それらに伴う製造コストの増大が問題となる。また、（２）の方法は、ラインアンドスペースパターンの形成には適しているものの、孤立スペースパターン（トレンチパターン）やホールパターンの形成には適していない。
そのため、スペースパターン、ホールパターン等のパターンを高い解像性で形成できる新規な技術が求められている。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、微細パターンの形成に有用であり、且つ、第一のレジスト組成物として特定のポジ型レジスト組成物を用いることにより第一のレジストパターンに対する第二の膜形成用組成物の影響を低減できるパターン形成方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明は、支持体上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程（２）と、を有し、
前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするパターン形成方法である。

［式（ａ０−１）中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基であり、Ｒ^３は、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］

ここで、本明細書および特許請求の範囲において、「露光」は放射線の照射全般を含む概念とする。
「構成単位」とは、樹脂成分（重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。「ハロゲン化アルキレン基」は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。

本発明によれば、微細パターンの形成に有用であり、且つ、第一のレジスト組成物として特定のポジ型レジスト組成物を用いることにより第一のレジストパターンに対する第二の組成物の影響を低減できるパターン形成方法を提供できる。

本発明のパターン形成方法の第１〜６の実施形態における工程（１）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第１の実施形態における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第２の実施形態における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第３の実施形態における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第４の実施形態における工程（１−ｉ）及び（１−ｉｉ）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第４の実施形態における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第５の実施形態における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第６の実施形態における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。 本発明のパターン形成方法の第６の実施形態の別の態様における工程（２）の好ましい実施態様を説明する概略工程図である。

本発明のパターン形成方法は、支持体上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、
前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程（２）と、を有する。
以下、本発明のパターン形成方法の実施形態を、図面を用いて説明する。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。

＜第１の実施形態、第２の実施形態＞
図１〜３に本発明の第１又は第２の実施形態を示す。
第１又は第２の実施形態では、工程（１）を図１に示す手順で行う。
すなわち、まず、工程（１）として、図１（ａ）に示すように、支持体１上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成する。
次に、第一のレジスト膜２を、図１（ｂ）に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク３を介して露光し、露光後ベーク（ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ））を行う。これにより、第一のレジスト膜２のうち、露光された領域（露光部）のアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、一方、露光されていない領域（未露光部）のアルカリ現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかであるため、露光部と未露光部との間にアルカリ現像液に対する溶解速度の差（溶解コントラスト）が生じる。そのため、アルカリ現像液による現像を行うと、第一のレジスト膜２の露光部が除去され、未露光部が残留し、結果、図１（ｃ）に示すように、支持体１上に、離間配置された複数のレジストパターン２ａから構成されるパターン（第一のレジストパターン）が形成される。

次に、工程（２）を図２又は図３に示す手順で行う。
工程（２）では、まず、工程（１）で第一のレジストパターンが形成された支持体１（図２（ａ）、図３（ａ））上に、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布し、図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、複数のレジストパターン２ａ間の空隙を充填する第二のレジスト膜４，６を形成する。
次に、第二のレジスト膜４，６を、図２（ｃ）、図３（ｃ）に示すように、第一のレジストパターンを形成した位置とは異なる位置に第二のパターンが形成されるように形成されたフォトマスク５，７を介して露光し、露光後ベーク（ＰＥＢ）を行った後に、現像する。
ここで、第二の化学増幅型レジスト組成物がポジ型レジスト組成物である第二のレジスト膜４（図２）では、第二のレジスト膜４の未露光部が除去されて、複数のレジストパターン２ａ間に、それぞれ、新しく複数のレジストパターン４ａが形成される。一方、第二の化学増幅型レジスト組成物がネガ型レジスト組成物である第二のレジスト膜６（図３）では、第二のレジスト膜６の露光部が除去されて、複数のレジストパターン２ａ間に、それぞれ、新しく複数のレジストパターン６ａが形成される。なお、本明細書では、第二のレジスト組成物がポジ型レジスト組成物であるものを第１の実施形態といい、第二のレジスト組成物がネガ型レジスト組成物であるものを第２の実施形態という。
その結果、支持体上に、複数のレジストパターン２ａと、第二のレジスト膜に新たに形成された複数のレジストパターン４ａ，６ａとからなるレジストパターンが形成される。

以下、本第１又は第２の実施形態における工程（１）〜（２）について、より詳細に説明する。
［工程（１）］
支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および／または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）や多層レジスト法における下層膜が挙げられる。特に、有機膜が設けられていると、基板上に、高アスペクト比のパターンを形成でき、半導体の製造等において有用であることから好ましい。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜（下層膜）と、少なくとも一層のレジスト膜とを設け、上層のレジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。多層レジスト法には、基本的に、上層のレジスト膜と、下層膜との二層構造とする方法と、これらのレジスト膜と下層膜との間に一層以上の中間層（金属薄膜等）を設けた三層以上の多層構造とする方法とに分けられる。多層レジスト法によれば、下層膜により所要の厚みを確保することにより、レジスト膜を薄膜化し、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
無機系の膜は、たとえばシリコン系材料などの無機系の反射防止膜組成物を基材上に塗工し、焼成等することにより形成できる。
有機系の膜は、たとえば、当該膜を構成する樹脂成分等を有機溶剤に溶解した有機膜形成用材料を基板にスピンナー等で塗布し、好ましくは２００〜３００℃、好ましくは３０〜３００秒間、より好ましくは６０〜１８０秒間の加熱条件でベーク処理することにより形成できる。

本発明において、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物（以下、単に「第一のポジ型レジスト組成物」ということがある。）は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する。
このようなポジ型レジスト組成物に対して露光および露光後ベークを行うと、前記酸発生剤成分（Ｂ）から発生した酸の作用により、酸解離性溶解抑制基（たとえば前記基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）の酸解離性溶解抑制基）が解離する。この酸解離性溶解抑制基は、解離前は当該化合物全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、酸発生剤成分から発生した酸により解離する性質を有する基であり、この酸解離性溶解抑制基が解離することで、当該化合物のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、該化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜に対して選択的露光および露光後ベークを行うと、レジスト膜の露光部が、酸発生剤成分から発生した酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する一方で、未露光部はアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないため、アルカリ現像により露光部のみが溶解除去され、レジストパターンが形成される。
本発明においては、上記のような第一のポジ型レジスト組成物を用いることで、第一のポジ型レジスト組成物により形成されるレジストパターン２ａの有機溶剤に対する耐性が向上し、工程（２）で第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布した際に、該化学増幅型レジスト組成物に含まれる有機溶剤によるレジストパターン２ａへのダメージを抑制できる。また、レジストパターン２ａの露光耐性が向上し、特に、工程（２）で第二のレジスト膜４を露光する際の露光エネルギーによるレジストパターン２ａへのダメージを抑制できる。
かかる第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物の具体例については、詳しくは後述する。

支持体１上に、第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により形成できる。
具体的には、たとえば支持体１上に、スピンナーを用いる等の従来公知の方法を用いて第一のポジ型レジスト組成物を塗布し、８０〜１５０℃の温度条件下、ベーク処理（プレベーク）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施し、有機溶剤を揮発させることにより第一のレジスト膜２を形成できる。
第一のレジスト膜２の厚さは、好ましくは５０〜５００ｎｍ、より好ましくは５０〜４５０ｎｍである。この範囲内とすることにより、レジストパターンを高解像度で形成できる、エッチングに対する充分な耐性が得られる等の効果がある。

次に、上記のようにして形成した第一のレジスト膜２を、フォトマスク３を介して選択的に露光し、ＰＥＢ処理を施し、現像して第一のレジストパターンを形成する。
露光に用いる波長は、特に限定されず、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線などの放射線を用いて行うことができる。微細なレジストパターンを形成しやすいことから、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ、ＥＢのいずれかが好ましく、特に、ＡｒＦエキシマレーザーが好ましい。
フォトマスクとしては、特に限定されず、公知のものを利用でき、たとえば、遮光部の透過率が０％のバイナリーマスク（Ｂｉｎａｒｙ−Ｍａｓｋ）や、遮光部の透過率が６％のハーフトーン型位相シフトマスク（ＨＴ−Ｍａｓｋ）を用いることができる。
当該バイナリーマスクは、一般的には石英ガラス基板上に、遮光部としてクロム膜、酸化クロム膜等が形成されたものが用いられる。
当該ハーフトーン型位相シフトマスクは、一般的には石英ガラス基板上に、遮光部としてＭｏＳｉ（モリブデン・シリサイド）膜、クロム膜、酸化クロム膜、酸窒化シリコン膜等が形成されたものが用いられる。
なお、本実施形態ではフォトマスク３を介して露光を行っているが本発明はこれに限定されず、フォトマスクを介さない露光、たとえばＥＢ等による描画により選択的露光を行ってもよい。

第一のレジスト膜２の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）により行ってもよく、液浸露光により行ってもよい。
液浸露光では、上述したように、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズと支持体上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒（液浸媒体）で満たした状態で露光を行う。
より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒（液浸媒体）で満たし、その状態で、所望のフォトマスクを介して露光（浸漬露光）することによって実施できる。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜（工程（１）においては第一のレジスト膜２）の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、Ｃ_３ＨＣｌ_２Ｆ_５、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５、Ｃ_５Ｈ_３Ｆ_７等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が７０〜１８０℃のものが好ましく、８０〜１６０℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ（２−ブチル−テトラヒドロフラン）（沸点１０２℃）を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン（沸点１７４℃）を挙げることができる。

工程（１）では、第一のレジスト膜２の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が増大するように、露光量およびＰＥＢ温度を設定する。つまり、露光およびＰＥＢにより第一のレジスト膜２の露光部に供給されるエネルギー量が、該露光部のアルカリ現像液に対する溶解性は増大し、一方、未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性は増大しないエネルギー量となるように、露光およびＰＥＢを実施する。
より詳細に説明すると、化学増幅型ポジ型レジスト組成物からなる第一のレジスト膜２は、露光およびＰＥＢを行うことで、酸発生剤成分からの酸の発生と、発生した酸の当該レジスト膜２内での拡散と、該酸の作用による当該レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性の増大とが進行する。このとき、露光量およびＰＥＢのベーク温度（ＰＥＢ温度）が充分でなく、供給されるエネルギー量が充分でないと、露光部において、酸の発生および拡散が充分に進行せず、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が充分に増加しない。そのため、露光部と未露光部との間のアルカリ現像液に対する溶解速度の差（溶解コントラスト）が小さく、現像しても良好なレジストパターンを形成できない。つまり、第一のレジストパターンを形成するためには、当該第一のレジスト膜２の露光、ＰＥＢおよび現像を行った際に、該レジスト膜２の露光部が、アルカリ現像液で溶解除去されるのに充分なアルカリ現像液溶解性を発現する露光量およびＰＥＢ温度で露光およびＰＥＢを行う必要がある。
第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるためには、露光量、ＰＥＢ温度ともにある程度以上の値が必要となる。たとえば露光量が少なすぎると、ＰＥＢ温度を高くしても、アルカリ現像液に対する溶解性の増大は見られない。また、露光量が多くても、ＰＥＢ温度が低すぎると、アルカリ現像液に対する溶解性の増大は見られない。
以下、露光後のレジスト膜に、アルカリ現像液で溶解除去されるのに充分なアルカリ現像液溶解性を発現させることができるＰＥＢ温度を有効ＰＥＢ温度ということがある。

上記のうち、露光量については、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ得る温度であればよく、通常、第一のレジスト膜２の最適露光量（Ｅｏｐ_１）が用いられる。ここで、「最適露光量」とは、当該レジスト膜を選択的に露光し、所定のＰＥＢ温度にてＰＥＢを行い、現像した際に、レジストパターンが、設計パターン寸法の通りに忠実に再現される露光量をいう。
工程（１）でのＰＥＢ温度（Ｔ_ｐｅｂ１）は、当該露光量にて露光された第一のレジスト膜２の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ得る温度、つまり、第一のレジスト膜２の有効ＰＥＢ温度の最低値（Ｔ_ｍｉｎ１）以上の温度であればよい。すなわち、Ｔ_ｍｉｎ１≦Ｔ_ｐｅｂ１であればよい。
Ｔ_ｐｅｂ１は、使用する第一のポジ型レジスト組成物の組成によっても異なるが、通常、７０〜１５０℃の範囲内であり、８０〜１４０℃が好ましく、８５〜１３５℃がより好ましい。
該ＰＥＢ処理におけるベーク時間は、通常、４０〜１２０秒間であり、好ましくは６０〜９０秒間施される。

適用しようとする露光量およびＰＥＢ温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものであるかどうかは、以下の手順により判定できる。
第一のレジスト膜２に対し、工程（１）で使用する露光光源（たとえばＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢ、ＥＵＶ等）にて、露光量を変化させて露光し、所定のベーク温度で３０〜１２０秒間のＰＥＢ処理を行い、現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３℃）を用いて現像を行う。
このとき、所定のベーク温度にて露光量を増加させていった際に、露光量が所定値以上になると、第一のレジスト膜２の露光部のアルカリ現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上となる場合は、当該ベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるベーク温度（第一のレジスト膜２のＴ_ｍｉｎ１以上の温度）であると判定される。一方、露光量を増加させていっても、第一のレジスト膜２の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上とはならず、それよりも低い溶解速度で飽和を示す場合は、当該ベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度（第一のレジスト膜２のＴ_ｍｉｎ１未満の温度）であると判定される。
また、このとき、アルカリ現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上となる変化が生じた時点の露光量以上の露光量が、当該ＰＥＢ温度において、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる露光量であると判定される。

上記ＰＥＢ処理後、第一のレジスト膜２のアルカリ現像を行う。アルカリ現像は、一般的に現像液として用いられているアルカリ水溶液、例えば濃度０．１〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、公知の方法により実施できる。かかるアルカリ現像により、第一のレジスト膜２の露光部が除去されてレジストパターン２ａが形成される。
上記アルカリ現像後、水等によるリンス処理を行ってもよい。

本発明においては、上記アルカリ現像後、またはリンス処理後、さらに、レジストパターン２ａ中に残存する有機溶媒を低減するために、ベーク処理（ポストベーク）を行うことが好ましい。有機溶媒を低減すると、当該レジストパターン２ａの有機溶剤に対する耐性が向上し、工程（２）で第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布した際に、該化学増幅型レジスト組成物に含まれる有機溶剤によるレジストパターン２ａへのダメージを抑制できる。
該ポストベークのベーク温度は、第一のポジ型レジスト組成物に用いられている有機溶剤によっても異なるが、通常、１３０℃以上が好ましく、１３０〜１６０℃がより好ましい。該ベーク温度が低すぎると、有機溶剤を充分に低減にできず、高すぎると、その熱によってレジストパターン２ａの形状が悪化するおそれがある。
ポストベークのベーク時間は、ベーク温度によっても異なるが、通常、３０〜９０秒間程度である。

［工程（２）］
本発明の第１又は第２の実施形態において、第二の化学増幅型レジスト組成物は、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有するものである。
第二の化学増幅型レジスト組成物はポジ型レジスト組成物（以下、「第二のポジ型レジスト組成物」ということがある。）であっても、ネガ型レジスト組成物（以下、「第二のネガ型レジスト組成物」ということがある。）であってよく、ポジ型レジスト組成物であることが好ましい。
かかる第二の化学増幅型レジスト組成物の具体例については、詳しくは後述する。

第二のレジスト膜４，６は、第一のレジスト膜２と同様に、従来公知の方法によって形成することができる。
第二のレジスト膜４，６の膜厚は、少なくとも、レジストパターン２aの高さと同じか、それよりも厚いことが好ましい。すなわち、支持体１を第二のレジスト膜４，６側から見た場合に、その表面が平坦であることが好ましい。

次に、上記のようにして形成した第二のレジスト膜４,６を、フォトマスク５,７を介して選択的に露光する。
このとき、第二の化学増幅型レジスト組成物がポジ型レジスト組成物である場合（第１の実施形態）の、第二のレジスト膜４の選択的露光は、複数のレジストパターン２ａ間の空隙部分が未露光部となるように行う。これにより、ＰＥＢ処理後にアルカリ現像液による現像を行った際に、第二のレジスト膜４の露光部が除去され、未露光部が残留し、複数の第一のレジストパターン２ａ間に、それぞれ、複数のレジストパターン４ａが形成される。結果、図２（ｄ）に示すように、複数のレジストパターン２ａ間に、レジストパターン４ａが形成される。かかる露光は、たとえば第一のパターニング工程で用いたフォトマスクを、複数のレジストパターン２ａ間が未露光部となるように、露光位置を若干ずらすことにより実施できる。また、このとき、第一のパターニング工程で用いたフォトマスクとは別のフォトマスクを使用してもよい。

このとき形成されるレジストパターン４ａの位置は、レジストパターン２ａの位置と全く重複していなくてもよく、レジストパターン２ａの位置と一部重複していてもよいが、レジストパターン４ａの位置とレジストパターン２ａの位置とが全く重複していないことが好ましい。これにより、第一のパターニング工程で形成した第一のレジストパターンよりも、パターン間の間隔（ピッチ）が狭い狭ピッチのレジストパターンが得られる。
たとえばラインアンドスペースのレジストパターンを形成する場合を例に挙げると、第一のパターニング工程で、複数のラインが一定のピッチで配置されたラインアンドスペースのフォトマスクを用いてラインアンドスペースのレジストパターンを形成した後、第二のパターニング工程で、当該フォトマスクの位置を変更して、第一のパターニング工程で形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成することにより、最初に形成したラインアンドスペースのレジストパターン（疎パターン）よりも狭ピッチの、ラインアンドスペースのレジストパターン（密パターン）が形成される。
「疎パターン」としては、ラインアンドスペースのレジストパターンにおいて、ライン幅：スペース幅＝１：２以上にスペース幅が広いラインアンドスペースパターンが好まし
い。

本発明においては、第二のレジスト膜４の最適露光量（Ｅｏｐ_２）を、第一のレジスト膜２の最適露光量（Ｅｏｐ_１）以下にして、工程（２）における露光を第二のレジスト膜４の最適露光量（Ｅｏｐ_２）にて行うことが好ましい。これにより、第二のレジスト膜の露光部では、アルカリ現像液に対する溶解性を増大させるのに充分な酸を発生させることができ、しかも該露光による第一のレジストパターン２ａへ影響も抑制できるため、本発明の効果がさらに向上する。
ここで、「最適露光量」とは、当該レジスト膜を選択的に露光し、ＰＥＢ処理し、現像した際に、レジストパターンが、設計パターン寸法の通りに忠実に再現される露光量をいう。工程（２）における露光を、第一のレジスト膜２の最適露光量（Ｅｏｐ_１）よりも小さい第二のレジスト膜４の最適露光量（Ｅｏｐ_２）で行うことにより、第二のレジスト膜の露光部では、アルカリ現像液に対する溶解性を増大させるのに充分な酸を発生させることができ、しかも第一のレジストパターン２ａへ露光の影響も少ない。
Ｅｏｐ_２の値がＥｏｐ_１より小さく、かつ、その差が大きい場合（例えば１０ｍＪ／ｃｍ^２以上。好ましくは２０ｍＪ／ｃｍ^２以上。）は、後述する（Ａ）成分の選択の際に自由度が増すという点で好ましい。Ｅｏｐ_１あるいはＥｏｐ_２は、後述の（Ｄ）成分や、（Ｂ）成分によって調節することが可能である。
ここで、本発明において、前記第二のレジスト膜の最適露光量（Ｅｏｐ_２）を前記第一のレジスト膜の最適露光量（Ｅｏｐ_１）以下にして、前記工程（２）における露光を前記第二のレジスト膜の最適露光量（Ｅｏｐ_２）にて行う場合は、この後の工程（２）におけるＰＥＢ処理を、前記Ｔ_ｐｅｂ１より低い温度にしなくてもよい。たとえば第一のレジスト膜の最適露光量（Ｅｏｐ_１）が、第二のレジスト膜の最適露光量（Ｅｏｐ_２）に比べて大きい（感度が遅い）場合、工程（１）のＰＥＢ温度と、工程（２）のＰＥＢ温度との間に温度差をつけなくても、レジストパターンを形成することができる。ただし、この場合においても、工程（２）におけるＰＥＢ温度は、工程（１）におけるＰＥＢ温度と同じか、またはそれよりも低い温度であることが好ましく、第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度であることが最も好ましい。

露光後、ＰＥＢ処理を行う。
工程（１）におけるＰＥＢ処理は、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度で行うことが好ましい。これにより、第一のレジストパターンを損なうことなく２回目のパターニングを実施できる。
かかる効果が得られる理由としては以下のことが考えられる。すなわち、従来のダブルパターニングプロセスでは、上述したように、工程（２）の現像後に第一のレジストパターンのパターン細り、膜減り、消失等の問題が生じやすい。本発明者らの検討によれば、その原因として、（１）工程（２）での露光の際に第一のレジストパターンに光が入射すること、（２）工程（２）でのＰＥＢ処理時に、第二のレジスト膜で発生した酸が第一のレジストパターンにまで拡散すること、等により、第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大することが考えられる。
すなわち、工程（２）では、図２（ｃ）に示すように、第二のレジスト膜４の露光部に第一のレジストパターン２ａが存在するため、露光の際に、第一のレジストパターン２ａにも光が入射する。第一のレジストパターン２ａは、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物からなり、酸発生剤成分が含まれているため、該光の入射により酸が発生する。また、第二のレジスト膜４の露光部が第一のレジストパターン２ａと接しているため、第二のレジスト膜４の露光部で発生した酸がＰＥＢ処理時に拡散し、第一のレジストパターン２ａ内まで拡散する。これらの酸が、第一のレジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ、これにより、第二のパターニング工程の現像時に、第二のレジスト膜４の露光部とともに第一のレジストパターン２ａも溶解し、上記のような問題が生じていたと考えられる。
一方、上述したとおり、第一の工程にて第一のレジスト膜２をパターニングするためには、第一のレジスト膜２の有効ＰＥＢ温度の最低値（Ｔ_ｍｉｎ１）以上の温度でＰＥＢ処理を行う必要がある。いいかえれば、ＰＥＢ温度がＴ_ｍｉｎ１よりも低い場合、第一のレジスト膜２の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性は充分に増大しないため、現像しても露光部は溶解除去されない。したがって、第二の工程のＰＥＢ温度（Ｔ_{ｐｅｂ２１}）を、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度、つまりＴ_ｍｉｎ１よりも低い温度とすることにより、第一のレジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性の増大を抑制でき、第一のレジストパターン２ａを損なうことなく第二の工程を実施できる。

工程（２）のＰＥＢ処理に用いるベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度であるかどうかは、以下の手順により判定できる。
第一のレジスト膜に対し、工程（２）で使用する露光光源（たとえばＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢ・ＥＵＶ等）にて、露光量を変化させて露光し、所定のベーク温度で３０〜１２０秒間のＰＥＢ処理を行い、現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３℃）を用いて現像を行う。
このとき、露光量を増加させていっても、第一のレジスト膜の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上とはならず、それよりも低い溶解速度で飽和を示す場合は、当該ベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度であると判定される。

また、工程（２）にて第二のレジスト膜４をパターニングするためには、第二のレジスト膜４のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるベーク温度、つまり第二のレジスト膜４の有効ＰＥＢ温度の最低値以上の温度でＰＥＢ処理を行う。すなわち、第二のレジスト膜４の有効ＰＥＢ温度の最低値をＴ_{ｍｉｎ２１}とすると、第二のパターニング工程で第二のレジストパターンを形成するためにはＴ_{ｍｉｎ２１}≦Ｔ_{ｐｅｂ２１}である必要がある。
Ｔ_{ｍｉｎ２１}は、使用するポジ型レジスト組成物の組成によって異なっており、ポジ型レジスト組成物の組成は、第二のパターニング工程におけるＰＥＢ温度や、露光光源、露光量等のリソグラフィー条件を考慮して、適宜決定すればよい。
工程（２）のＰＥＢ処理に用いるベーク温度が、第二のレジスト膜４のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる温度であるかどうかは、前記工程（１）で説明した「第一のパターニング工程のＰＥＢ処理に用いるベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる温度であるかどうか」と同様の手順により判定できる。

よって、第二のパターニング工程のＰＥＢ温度（Ｔ_{ｐｅｂ２１}）は、Ｔ_{ｍｉｎ２１}≦Ｔ_{ｐｅｂ２１}＜Ｔ_ｍｉｎ１（≦Ｔ_{ｐｅｂ２１}）を満たすように、Ｔ_ｐｅｂ１、Ｔ_ｍｉｎ１、Ｔ_{ｍｉｎ２１}等を考慮して設定される。通常、４０〜１２０℃の範囲内であり、５０〜１１５℃が好ましく、６０〜１１０℃がより好ましい。
ベーク時間は、通常、４０〜１２０秒間であり、好ましくは６０〜９０秒間施される。

Ｔ_{ｐｅｂ２１}をＴ_ｍｉｎ１よりも低い温度とするためには、Ｔ_{ｍｉｎ２１}をＴ_ｍｉｎ１よりも低くする必要がある。これにより、Ｔ_{ｐｅｂ２１}として、Ｔ_ｍｉｎ１よりも低く、且つＴ_{ｍｉｎ２１}以上の温度を用いることができ、第一のレジストパターン２ａを損なうことなく
第二のレジスト膜４をパターニングすることができる。
Ｔ_ｍｉｎ１とＴ_{ｍｉｎ２１}との差は１０℃以上が好ましく、１５℃以上がより好ましく、３０℃以上がさらに好ましい。該差が大きいほど、本発明の効果に優れる。また、プロセスの余裕度が向上する等の利点もある。該差の上限は特に限定されないが、装置面を考慮すると、５０℃以下が好ましい。
同様に、Ｔ_ｐｅｂ１とＴ_{ｐｅｂ２１}との差は５℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましく、１５℃以上がさらに好ましい。また、該差の上限は特に限定されないが、５０℃以下が好ましい。

Ｔ_ｍｉｎ１とＴ_{ｍｉｎ２１}との差は、使用する第一の化学増幅型レジスト組成物および第二の化学増幅型レジスト組成物の組成を調節することにより調節できる。
たとえば、第一の化学増幅型レジスト組成物および第二の化学増幅型レジスト組成物がそれぞれポジ型であり、酸解離性溶解抑制基を有する化合物（たとえば後述する（Ａ）成分）を含有する場合、第二の化学増幅型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基が、第一の化学増幅型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが低いものであると、Ｔ_{ｍｉｎ２１}がＴ_ｍｉｎ１よりも低くなる。
また、第一の化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的強酸であるものを用い、第二の化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的弱強であるものを用いることによっても、Ｔ_{ｍｉｎ２１}をＴ_ｍｉｎ１よりも低くすることができる。
これら第一の化学増幅型レジスト組成物および第二の化学増幅型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基の組み合わせや、酸発生剤成分の組み合わせについては、詳しくは後述する。

ＰＥＢ処理後、第二のレジスト膜４の現像を行う。現像は、アルカリ水溶液、例えば濃度０．１〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、公知の方法により実施できる。かかるアルカリ現像により、第二のレジスト膜４の露光部が除去されてレジストパターン４ａが形成される。
上記アルカリ現像後、水等によるリンス処理を行ってもよい。
また、上記アルカリ現像後、さらに、ベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。ポストベークは（アルカリ現像やリンス処理後の水分をとばす目的で行われるため）通常１００℃の条件で行われ、処理時間は、好ましくは３０〜９０秒間である。

また、第二の化学増幅型レジスト組成物がネガ型レジスト組成物である場合（第２の実施形態の、第二のレジスト膜６の選択的露光は、複数のレジストパターン２ａ間の空隙部分が露光部となるように行う。かかる露光は、たとえば、フォトマスク７として、工程（１）で用いたフォトマスク３とは異なるものを用いる方法等により行うことができる。また、ＰＥＢ処理は、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度で行う。これにより、ＰＥＢ処理後にアルカリ現像液による現像を行った際に、レジストパターン２ａを損なうことなく第二のレジスト膜６の未露光部を除去でき、結果、図３（ｄ）に示すように、複数のレジストパターン２ａ間に、レジストパターン６ａが形成される。

また、本実施形態において、工程（２）にて第二のレジスト膜６をパターニングするためには、ポジ型の場合とは逆に、第二のレジスト膜６のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度（第二のレジスト膜６の有効ＰＥＢ温度の最低値以上の温度）でＰＥＢ処理を行う必要がある。
このとき、工程（２）のＰＥＢ処理に用いるベーク温度が、第二のレジスト膜６のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させる温度であるかどうか（有効ＰＥＢ温度であるかどうか）は、以下の手順により判定できる。
第二のレジスト膜に対し、工程（２）で使用する露光光源（たとえばＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢ・ＥＵＶ等）にて、露光量を変化させて露光（全面露光）し、所定のベーク温度で３０〜１２０秒間のＰＥＢ処理を行い、現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３℃）を用いて現像を行う。
このとき、（１）露光量を増加させていった際に、所定値以上の露光量で第二のレジスト膜の露光部が残膜していることを確認できればよい。少なくとも７０％以上の残膜が確認できれば、当該ベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度であると判定される。一方、露光量を増加させていっても、第二のレジスト膜の露光部において、７０％以上の残膜を確認できない場合は、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜６のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させないベーク温度であ
ると判定される。ここで、残膜（％）は、「露光、ＰＥＢおよび現像を行う前のレジスト膜の膜厚」に対する「露光、ＰＥＢおよび現像を行った後のレジスト膜の膜厚」の割合（％）である。
または、（２）露光量を増加させていった際に、露光量が所定値以上になると、第二のレジスト膜の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒未満となる場合は、当該ベーク温度が、第一のレジスト膜２のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度であると判定される。
一方、露光量を増加させていっても、第二のレジスト膜の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒未満とはならず、それよりも高い溶解速度で飽和を示す場合は、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜６のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させないベーク温度であると判定される。

なお、第二の化学増幅型レジスト組成物としてネガ型レジスト組成物を用いる場合、ポジ型レジスト組成物を用いる場合とは異なり、図３（ｃ）に示すように、第二のレジスト膜の露光部に第一のレジストパターン２ａは存在していない。そのため、ポジ型の場合に比べて、第二のパターニング工程での露光光の入射等の影響による第一のレジストパターンの消失等の問題は生じにくい。そのため、本発明は、特に、第一の化学増幅型レジスト組成物および第二の化学増幅型レジスト組成物がともにポジ型レジスト組成物である場合の有用性が高い。

上記第１〜２の実施形態に示すように、本発明においては、狭ピッチの密なラインアンドスペースパターンを容易に形成できることから、前記第一のレジストパターンが、ラインアンドスペースのレジストパターンであることが好ましい。
具体的には、例えば、ライン幅１００ｎｍ、ライン幅：スペース幅＝１：３のラインアンドスペースパターン（図１におけるレジストパターン３、疎パターン）を形成した後、第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜の、前記疎パターンの各ライン間の中間
の位置に、各ラインに対して平行に、ライン幅１００ｎｍ、ライン幅：スペース幅＝１：３のラインアンドスペースパターン（図１におけるレジストパターン７）を形成する。その結果、支持体上には、ライン幅１００ｎｍ、ライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターン（密パターン）が形成される。
また、工程（１）で用いたフォトマスクを回転移動させたり、工程（１）で用いたフォトマスクとは異なるフォトマスク（たとえば、工程（１）においてラインアンドスペースパターンのフォトマスク、工程（２）においてホールのマスクパターン等）を用いたりすること等により、微細なレジストパターン、および／または、多様なレジストパターンを形成することができる。

本発明のレジストパターン形成方法においては、上記工程（２）の後、さらに、該工程（２）と同様のパターニング工程を複数回繰り返して行ってもよい。すなわち、上記工程（２）でレジストパターンが形成された支持体上に、レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する操作を複数回行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのより密なパターンや複雑な形状のパターンを形成することができる。

本発明のレジストパターン形成方法においては、上記工程（２）の後、形成されたレジストパターンをマスクとして用いて、支持体１のエッチングを行ってもよい。支持体１をエッチングすることにより、半導体デバイス等を製造することができる。
エッチングの方法は、公知の方法が利用できる。たとえば有機膜（レジストパターン、有機系の反射防止膜等）のエッチングは、ドライエッチングが好ましい。特に、酸素プラズマエッチング、またはＣＦ_４ガスもしくはＣＨＦ_３ガスを用いたエッチングが好ましく、中でも酸素プラズマエッチングが好ましい。
基板や無機系の反射防止膜のエッチングは、ハロゲンガスを用いたエッチングが好ましく、フッ化炭素系ガスを用いたエッチングが好ましく、特にＣＦ_４ガス又はＣＨＦ_３ガスを用いたエッチングが好ましい。

＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態では、まず、工程（１）として、前記第１又は第２の実施形態と同様に、図１（ａ）に示すように、支持体１上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成した後、第一のレジスト膜２を、図１（ｂ）に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク３を介して露光し、露光後ベークを行う。その後、アルカリ現像することにより、第一のレジスト膜２の露光部が除去され、未露光部が残留し、結果、図１（ｃ）に示すような、離間配置された複数のレジストパターン２ａから構成される第一のレジストパターンが得られる。
次に、工程（２）を図４に示す手順で行う。
すなわち、まず、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有し、且つ前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しない第二の膜形成用材料を、工程（１）で第一のレジストパターンが形成された支持体１（図４（ａ））上に塗布し、図４（ｂ）に示すように、複数のレジストパターン２ａ間の空隙を充填する第二の膜８を形成する。
次に、第二の膜８を、図４（ｃ）に示すように、オープンフレーム露光（フォトマスクを介さない露光）により露光（全面露光）し、ＰＥＢを行う。
このとき、露光における露光量、およびＰＥＢにおけるベーク温度（ＰＥＢ温度）を、露光した領域内のレジストパターン２ａのみがアルカリ現像により除去されるように設定して行う。かかる露光およびＰＥＢを行うと、レジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、一方、レジストパターン２ａ間に充填された第二のレジスト膜８のアルカリ現像液に対する溶解性はほとんど変化しないため、アルカリ現像液による現像を行うと、レジストパターン２ａとが除去される一方、レジストパターン２ａ間に充填された第二のレジスト膜８は除去されずに残る。第二のレジスト膜８のうち、レジストパターン２ａの上面に存在する部分は、その厚さが薄いため、アルカリ現像時にレジストパターン２ａとともに除去される。結果、図４（ｄ）に示すように、レジストパターン２ａのあった位置８ｃに、該レジストパターン２ａのイメージが反転したレジストパターン（反転パターン）が形成される。

以下、上記第３の実施形態における工程（２）について、より詳細に説明する。なお、第３の実施形態における工程（１）は、前記第１又は第２の実施形態における工程（１）と同様であるため、ここでは説明を省略する。

［工程（２）］
本発明の第３の実施形態において、第二の膜形成用材料は、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有し、且つ前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しないパターン反転用組成物である。

前記第一のポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しない材料としては、たとえば、前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化学増幅型または非化学増幅型のポジ型レジスト組成物、所定のアルカリ現像液に対する溶解性を有する（エネルギー量よってはアルカリ現像液に対する溶解性がほとんど変化しない）樹脂組成物等が挙げられる。
これらの中でも、前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化学増幅型ポジ型レジスト組成物が好ましい。該化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いると、工程（２）にて形成する第二の膜８を部分的に露光し、その露光部のみに反転パターンを形成でき、複雑な構造のパターンを形成できる。また、さらにその後、第二の膜８の未露光部に対して別途、選択的露光、ＰＥＢおよびアルカリ現像を行うことでも、複雑な構造のパターンを形成できる。
ただし本発明はこれに限定されるものではなく、非化学増幅型のポジ型レジスト組成物を用いてもよい。また、所定のアルカリ現像液に対する溶解性を有する（エネルギー量よってはアルカリ現像液に対する溶解性がほとんど変化しない）樹脂組成物を用いてもよい。該樹脂組成物における樹脂成分としては、たとえば、後述の構成単位（ａ１）のような酸解離性溶解抑制基を含む構成単位を有さない樹脂成分であって、構成単位（ａ３）（中でも式（ａ３−３）で示される構成単位）を含む樹脂成分が好ましい。
第二の膜形成用材料として用いられる化学増幅型ポジ型レジスト組成物（以下、「第二のポジ型レジスト組成物」ということがある。）の組成の具体例については詳しくは後述するが、第二のポジ型レジスト組成物としては、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）および酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ’）を含有し、且つ前記基材成分（Ａ’）が、前記基材成分（Ａ）が有する酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い酸解離性溶解抑制基を有するものが好ましい。

第二の膜８は、第一のレジスト膜２と同様、従来公知の方法によって形成することができる。
本発明においては、第二の膜８の膜厚（レジストパターン２ａ間の空隙を充填している部分の膜厚の最小値）が、レジストパターン２ａの高さと同じか、それよりも薄いことが好ましい。この場合、レジストパターン２ａの上面を覆う第二の膜８の厚さが、工程（２）でのアルカリ現像時に容易に除去できる程度に薄いものとなる。つまり、この部分の膜８は、膜厚（レジストパターン２ａの上端から上側の厚さ）が薄いため、アルカリ現像液による膜減りが生じやすい。そのため、現像時にレジストパターン２ａとともに溶解、除去される。そのため、反転パターンを良好に形成できる。
一方、第二の膜８の厚さが厚すぎると、工程（２）でのアルカリ現像時にレジストパターン２ａの上面の第二の膜８がうまく取り除けず、良好な反転パターンが形成できないおそれがある。

次に、上記のようにして形成した第二のレジスト膜６を、オープンフレーム露光（フォトマスクを介さない露光）により露光（全面露光）し、ＰＥＢを行う。
このとき、上述したように、露光における露光量、およびＰＥＢ温度を、露光した領域内のレジストパターン２ａのみがアルカリ現像により除去されるように設定して行う。
つまり、露光およびＰＥＢによりレジストパターン２ａおよび第二の膜６に供給されるエネルギー量が、レジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性は増大し、一方、第二の膜６のアルカリ現像液に対する溶解性は増大しないエネルギー量となるように、露光およびＰＥＢを実施する。
かかる露光およびＰＥＢを行うと、レジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、一方、レジストパターン２ａ間に充填された第二のレジスト膜６のアルカリ現像液に対する溶解性はほとんど変化しないため、アルカリ現像液による現像を行うと、レジストパターン２ａとが除去される一方、レジストパターン２ａ間に充填された第二のレジスト膜６は除去されずに残る。第二のレジスト膜６のうち、レジストパターン２ａの上面に存在する部分は、その厚さが薄いため、アルカリ現像時にレジストパターン２ａとともに除去される。
結果、図２（ｄ）に示すように、レジストパターン２ａのあった位置６ｃに、該レジストパターン２ａのイメージが反転したパターン（反転パターン）が形成される。
たとえばレジストパターン２ａがラインパターンの場合、該ラインパターンと同じ位置に、該ラインパターンの寸法（ライン幅）と同じ寸法（スペース幅）のスペースパターンが反転パターンとして形成される。また、レジストパターン２ａがドットパターンの場合、該ドットパターンと同じ位置に、該ドットパターンの寸法（ドット直径）と同じ寸法（ホール直径）のホールパターンが反転パターンとして形成される。

工程（２）における露光量は、露光およびＰＥＢ後にレジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、かつ第二の膜６のアルカリ現像液に対する溶解性が増大しない範囲であれば特に限定されない。
全面露光による露光を行う場合、マスクパターンを介した選択的露光を行う場合に比べて、同じ露光量であっても入射するエネルギー量が大きく、工程（１）における露光量よりも少ない露光量であっても、レジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ得る。そのため、工程（２）における露光量は、工程（１）における露光量（たとえばＥｏｐ_１）と同等以上であってもよく、少なくてもよい。
ただし、第二の膜形成用材料として、前述した化学増幅型または非化学増幅型のポジ型レジスト組成物を用いる場合、工程（２）における露光量は、当該露光量にて露光された第二の膜６の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が増大しない露光量である必要がある。
同様に、工程（２）におけるＰＥＢ温度は、露光およびＰＥＢ後にレジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、かつ第二の膜８のアルカリ現像液に対する溶解性を増大しない範囲であれは特に限定されない。

工程（２）における露光量およびＰＥＢ温度が、レジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる露光量およびベーク温度であるかどうかは、前記第１又は第２の実施形態における工程（１）で説明した手順により判定できる。
また、工程（２）における露光量およびＰＥＢ温度が、第二の膜８のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させない露光量およびベーク温度であるかどうかは、以下の手順により判定できる。
第二の膜８に対し、工程（２）で使用する露光光源（たとえばＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢ・ＥＵＶ等）にて、露光量を変化させて露光（全面露光）し、所定のベーク温度で３０〜１２０秒間のＰＥＢ処理を行い、現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３℃）を用いて現像を行う。
このとき、（Ｉ）露光量を増加させていった際に、所定値以上の露光量で第二の膜８の露光部が残膜していることを確認できればよい。
少なくとも７０％以上の残膜が確認できれば、当該露光量およびベーク温度が、第二の膜８のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度であると判定される。一方、露光量を増加させていった際に、第二の膜８の露光部において、７０％以上の残膜を確認できない場合は、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるベーク温度であると判定される。
ここで、残膜（％）は、「露光、ＰＥＢおよび現像を行う前のレジスト膜の膜厚」に対する「露光、ＰＥＢおよび現像を行った後のレジスト膜の膜厚」の割合（％）である。
または、（ＩＩ）露光量を増加させていっても、第二の膜８の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上とならず、それよりも低い溶解速度で飽和を示す場合は、当該ベーク温度が、第二の膜６のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させないベーク温度であると判定される。
一方、露光量を増加させていった際に、第二の膜８の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上となる場合は、当該ベーク温度が、第二の膜８のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるベーク温度であると判定される。
また、このとき、アルカリ現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒以上となる変化が生じない露光量が、当該ＰＥＢ温度において、第二の膜８のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させない露光量であると判定される。

工程（２）におけるＰＥＢ温度（Ｔ_{ｐｅｂ２３}）としては、所定の露光量にて露光されたレジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ得る温度であればよい。かかる温度としては、たとえば、前記Ｔ_ｍｉｎ１（第一のレジスト膜２の有効ＰＥＢ温度の最低値）以上の温度が好ましい。すなわち、Ｔ_{ｐｅｂ２３}≧Ｔ_ｍｉｎ１であることが好ましい。
また、Ｔ_{ｐｅｂ２３}は、第二の膜８の有効ＰＥＢ温度の最低値未満の温度である必要がある。つまり、第二の膜８の有効ＰＥＢ温度の最低値をＴ_{ｍｉｎ２３}とすると、Ｔ_{ｐｅｂ２３}＜Ｔ_{ｍｉｎ２３}である。
よって、Ｔ_{ｐｅｂ２３}は、Ｔ_ｍｉｎ１≦Ｔ_{ｐｅｂ２３}＜Ｔ_{ｍｉｎ２３}を満たすように、Ｔ_ｍｉｎ１、Ｔ_{ｍｉｎ２３}等を考慮して設定される。
Ｔ_ｍｉｎ１≦Ｔ_{ｐｅｂ２３}＜Ｔ_{ｍｉｎ２３}を満たすようにＴ_{ｐｅｂ２３}を設定するためには、Ｔ_{ｍｉｎ２３}をＴ_ｍｉｎ１よりも高くする必要がある。
Ｔ_ｍｉｎ１、Ｔ_{ｍｉｎ２３}は、それぞれ、使用するポジ型レジスト組成物の組成によって異なっており、各ポジ型レジスト組成物の組成は、工程（１）〜（２）におけるＰＥＢ温度や、露光光源、露光量等のリソグラフィー条件を考慮して、適宜決定すればよい。
Ｔ_ｍｉｎ１とＴ_{ｍｉｎ２３}との差は１０℃以上が好ましく、１５℃以上がより好ましく、３０℃以上がさらに好ましい。該差が大きいほど、本発明の効果に優れる。また、プロセスの余裕度が向上する等の利点もある。該差の上限は特に限定されないが、装置面を考慮すると、５０℃以下が好ましい。
Ｔ_ｍｉｎ１とＴ_{ｍｉｎ２３}との差は、使用する第一のポジ型レジスト組成物および第二の膜形成用材料の組成を調節することにより調節できる。
たとえば、第一のポジ型レジスト組成物および第二の膜形成用材料がともに化学増幅型レジスト組成物であり、露光により酸を発生する酸発生剤成分（たとえば後述する（Ｂ）成分、（Ｂ’）成分）および酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（たとえば後述する（Ａ）成分、（Ａ’）成分）を含有する場合、第二の膜形成用材料における酸解離性溶解抑制基が、第一のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高いものであると、Ｔ_{ｍｉｎ２３}がＴ_ｍｉｎ１よりも高くなる。
また、第一のポジ型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的強酸であるものを用い、第二の膜形成用材料の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的弱酸であるものを用いることによっても、Ｔ_{ｍｉｎ２３}をＴ_ｍｉｎ１よりも高くすることができる。
これら第一の化学増幅型レジスト組成物および第二の化学増幅型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基の組み合わせや、酸発生剤成分の組み合わせについては、詳しくは、第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の選択方法として後述する。

Ｔ_{ｐｅｂ２３}は、使用する第二の膜形成用材料の組成によっても異なるが、通常、７０〜１５０℃の範囲内であり、８０〜１４０℃が好ましく、８５〜１３５℃がより好ましい。ベーク時間は、通常、４０〜１２０秒間であり、好ましくは６０〜９０秒間である。

ＰＥＢ後、第二の膜８の現像を行う。これにより、レジストパターン２ａが除去され、反転パターンが形成される。
現像は、アルカリ水溶液、例えば濃度０．１〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、公知の方法により実施できる。
上記アルカリ現像後、水等によるリンス処理を行ってもよい。
また、上記アルカリ現像後、さらに、ベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。ポストベークは（アルカリ現像やリンス処理後の水分をとばす目的で行われるため）通常１００℃程度の条件で行われ、処理時間は、好ましくは３０〜９０秒間である。

本実施形態においては、レジストパターン２ａとして、ラインパターンおよび／またはドットパターンを形成することで、スペースパターンおよび／またはホールパターンを反転パターンとして得ることができる。
このように反転パターンとして形成されるスペースパターンやホールパターンは、１回のリソグラフィー工程で直接形成される場合に比べて、解像力や形状、リソグラフィーマージン（たとえば露光量に対する余裕度（ＥＬマージン）、焦点深度に対する余裕度（ＤＯＦマージン）、パターン形状の垂直性等）のパターン形成能に優れたものである。すなわち、レジスト膜の極一部、微細な領域を除去する必要があるスペースパターンやホールパターンを直接形成する場合、上記のように、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、パターン形成能に制限が大きいが、上記反転パターンの形成する際のパターン形成能は、第一のレジストパターン（孤立ラインパターンやドットパターン、ラインアンドスペースパターン等）を形成する際のパターン形成能に依存するため、スペースパターンやホールパターンを直接形成する場合に比べてパターン形成能に制限が少なく、良好なレジストパターンが形成できる。

上記第３の実施形態では、工程（２）にて、全面露光を行う場合を示したが、これに限定されず、第二の膜８の一部の領域（ただし該領域中には、レジストパターン２ａの少なくとも一部が形成された位置を含む）を選択的に露光してもよい。この場合、露光部内にのみ反転パターンを形成できる。
本発明においては、上記工程（２）の後、工程（２）と同様の工程を１回または複数回繰り返してもよい。これにより、より複雑な形状のパターンを形成することができる。
また、第二の膜形成用材料としてポジ型レジスト組成物を用いた場合、上記工程（２）の後、第二の膜８のパターニングを行ってもよい。すなわち、上記のようにして反転パターンが形成された第二の膜８を選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する操作を行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのより密なパターンや複雑な形状のパターンを形成することができる。
また、上記工程（２）の後、形成されたパターンをマスクとして用いて、上記第１又は第２の実施形態と同様に支持体１のエッチングを行ってもよい。支持体１をエッチングすることにより、半導体デバイス等を製造することができる。

上記第３の実施形態では、工程（１）にて、レジスト組成物の塗布から露光、現像までの一連のリソグラフィー工程を１回行うシングルパターニングにより第一のレジストパターンを形成したが、本発明はこれに限定されず、第一のレジストパターンを、ダブルパターニングプロセスにより形成してもよい。ダブルパターニングプロセスは、前述したとおり、パターニングを２回以上行ってレジストパターンを形成するリソグラフィー技術であり、ダブルパターニングプロセスによれば、同じ露光波長の光源を用いても、また、同じレジスト組成物を用いても、シングルパターニングよりも高解像性のレジストパターンを形成することが可能である。また、ダブルパターニングプロセスは、既存の露光装置を用いて行うことができる。
ダブルパターニングプロセスとしては、前述した（１）リソグラフィー工程（レジスト組成物の塗布から露光、現像まで）およびエッチング工程を２回以上繰り返してパターンを形成する方法、（２）リソグラフィー工程を続けて２回以上繰り返す方法等が挙げられ、特に（２）の方法が好ましい。

前記（２）の方法により前記第一のレジストパターンを形成する方法としては、上記第１の実施形態と同様の方法が挙げられる。
ただし、前記（２）の方法における、２回目のパターニング用の化学増幅型ポジ型レジスト組成物が含有する有機溶剤（以下、「２ｎｄ溶剤」という。）は、１回目のパターニング用の化学増幅型ポジ型レジスト組成物をを溶解しない有機溶剤であることが好ましい。これにより、２回目のパターニング用のポジ型レジスト組成物を塗布した際の、２回目のパターニング用のポジ型レジスト組成物中の有機溶剤による１回目のパターニング用のポジ型レジスト組成物の溶解を抑制でき、１回目のパターニングによるレジストパターンの形状の悪化や消失、レジストパターン［１］とレジスト膜［２］との間の界面でのミキシングの発生等を防止することができる。
２ｎｄ溶剤としては、たとえば工程（２）における有機溶剤、工程（２）における有機溶剤と工程（１）における有機溶剤との混合溶剤、等が挙げられる。特に、塗布性、樹脂成分などの材料の溶解性の点から、アルコール系有機溶剤を含有することが好ましい。
ただし、次の工程（２）で用いる第二の膜形成用材料が含有する有機溶剤が、第一のポジ型レジスト組成物（本実施形態におけるレジスト組成物［１］および［２］）を溶解しないものである必要があるため、２ｎｄ溶剤は、通常、工程（２）で用いる第二の膜形成用材料が含有する有機溶剤とは異なるものである。
２ｎｄ溶剤と、第二の膜形成用材料の有機溶剤との好ましい組み合わせの例として、たとえば２ｎｄ溶剤として、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）とＢＰよりもレジスト組成物［２］の溶解性が高い溶剤（たとえば後述する第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げる（Ｓ）成分）との混合溶剤を用い、第二の膜形成用材料の有機溶剤として、たとえば、ジイソアミルエーテルやジブチルエーテル等のエーテル系有機溶剤を含むものや、イソブタノールや４−メチル−２−ペンタノール等特定のアルコール系有機溶剤のみを用いる例などが挙げられる。

＜第４の実施形態＞
本発明の第４の実施形態では、まず、工程（１）として、前記第１又は第２の実施形態と同様に、図１（ａ）に示すように、支持体１上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成した後、第一のレジスト膜２を、図１（ｂ）に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク３を介して露光し、露光後ベークを行う。その後、アルカリ現像することにより、第一のレジスト膜２の露光部が除去され、未露光部が残留し、結果、図１（ｃ）に示すような、離間配置された複数のレジストパターン２ａから構成される第一のレジストパターンが得られる。

次に、工程（１−ｉ）、工程（１−ｉｉ）を図５に示す手順で行う。
前記工程（１）における現像後に形成された複数のレジストパターン２ａ（図５（ａ））を、酸性のリソグラフィー用洗浄液を用いて洗浄する（工程（１−ｉ））。
当該洗浄は、通常、現像後に行われている純水等によるリンス処理に相当する操作である。すなわち、リンス液として通常の純水等の代わりに、酸性のリソグラフィー用洗浄液を用い、レジストパターン２ａに当該リソグラフィー用洗浄液を塗布し又は吹き付け、振り切り乾燥等を行うことによりレジストパターン２ａを洗浄する。これにより、レジストパターン２ａは、前記リソグラフィー用洗浄液に溶存していた酸成分を含むレジストパターン２ｓに変化する（図５（ｂ））。
次に、複数のレジストパターン２ｓをベークする（工程（１−ｉｉ））。これにより、レジストパターン２ｓを構成する成分と前記酸成分とが反応し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大したレジストパターン２ｂに変化する（図５（ｃ））。そして、次の工程（２）のアルカリ現像液による現像でレジストパターン２ｂは除去される。

次に、工程（２）を図６に示す手順で行う。
工程（２）では、まず、複数のレジストパターン２ｂから構成されるパターンが形成された支持体１（図６（ａ））上に、第一のレジスト膜２を溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布し、図６（ｂ）に示すように、複数のレジストパターン２ｂ間の間隙を充填するパターン反転用膜９を形成する。
次に、アルカリ現像液による現像を行うと、レジストパターン２ｂが除去される一方、レジストパターン２ｂ間に充填されたパターン反転用膜９は除去されずに残る。パターン反転用膜９のうち、レジストパターン２ｂの上面に存在する部分は、その厚さが薄いため、アルカリ現像時にレジストパターン２ｂとともに除去される。その結果、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン２ｂのあった位置９ｃに、該レジストパターン２ｂのイメージが反転したレジストパターン（反転パターン）が形成される。

以下、上記第４の実施形態における工程（１−ｉ）、工程（１−ｉｉ）、及び工程（２）について、より詳細に説明する。なお、第４の実施形態における工程（１）は、前記第１又は第２の実施形態における工程（１）と同様であるため、ここでは説明を省略する。

［工程（１−ｉ）］
次いで、前記工程（１）における現像後に形成された複数のレジストパターン２ａを、酸性のリソグラフィー用洗浄液を用いて洗浄する。
リソグラフィー用洗浄液は、酸性溶液であり、そのｐＨは４．５以下であることが好ましく、そのｐＨは４以下であることがより好ましく、そのｐＨは２〜３．５であることがさらに好ましい。
前記リソグラフィー用洗浄液のｐＨは、常温（２５℃）で、市販のｐＨ／ＯＲＰメーターにより測定される値を示す。
このように、酸性の洗浄液を用いて洗浄を行うことにより、複数のレジストパターン２ａは、当該洗浄液に溶存する酸成分を含むレジストパターン２ｓに変化する。そして、この酸成分の作用によってアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。

リソグラフィー用洗浄液は、酸性溶液であれば特に限定されず、なかでもパターン倒れの抑制、アルカリ現像後の不溶物のレジスト膜表面への再付着防止を図ることができることから、界面活性剤を含有する洗浄液であることが好ましい。
ただし、本発明におけるリソグラフィー用洗浄液は、界面活性剤を含有する洗浄液に限定されるものではなく、界面活性剤を含有していない洗浄液も用いることができる。

（溶媒）
リソグラフィー用洗浄液の溶媒としては、たとえば、水、水と水混和性有機溶剤との混合溶媒が好適なものとして挙げられる。
水混和性有機溶剤は、一価アルコール又は多価アルコールを用いることができる。
上記一価アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノールが挙げられ、多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、又はこれらのアルキルエーテル化物若しくはエステル化物が挙げられる。
水混和性有機溶剤の含有割合としては、混合溶媒中、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．１〜５質量％がより好ましい。
リソグラフィー用洗浄液において、上述のような水と水混和性有機溶剤との混合溶媒を用いることにより、前記第一のレジストパターンを洗浄する際にリソグラフィー用洗浄液を、前記第一のレジストパターン表面に効率よく濡らすことができる。
リソグラフィー用洗浄液中、溶媒の含有量は、９０〜９９．９９質量％であることが好ましく、９５〜９９．９５質量％であることがより好ましい。

（界面活性剤）
第４の実施形態において、界面活性剤を含有するリソグラフィー用洗浄液を用いる場合、その界面活性剤としては、たとえば従来公知のアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤、ノニオン界面活性剤が挙げられ、なかでも前記第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすいことから、親水性部がアニオン性基となるアニオン界面活性剤が好ましい。
アニオン性基としては、たとえばカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基が挙げられ、スルホン酸基が好ましい。
本発明において「アニオン界面活性剤」は、中和処理された塩タイプ、中和処理前の酸タイプのいずれも包含する。いずれのタイプもリソグラフィー用洗浄液中ではイオンに解離し、後述の工程（１−ｉｉ）におけるベークにより、第一のレジストパターンに作用してアルカリ現像溶解性を増大する成分である。
アニオン界面活性剤として具体的には、たとえば、炭素数８〜２０のアルキル基を有する高級脂肪酸、高級アルキル硫酸エステル、高級アルキルスルホン酸、高級アルキルアリールスルホン酸、スルホン酸基を有するその他の界面活性剤、若しくは高級アルコールリン酸エステル、又はそれらの塩が挙げられる。
上記炭素数８〜２０のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれであってもよく、分子鎖中にフェニレン基又は酸素原子等が介在していてもよいし、アルキル基中の水素原子の一部が水酸基やカルボキシ基で置換されていてもよい。

上記の高級脂肪酸の具体例としては、ドデカン酸、テトラデカン酸、ステアリン酸等が挙げられる。
高級アルキル硫酸エステルの具体例としては、デシル硫酸エステル、ドデシル硫酸エステル等が挙げられる。
高級アルキルスルホン酸の具体例としては、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、テトラデカンスルホン酸、ペンタデカンスルホン酸、ステアリン酸スルホン酸等が挙げられる。
高級アルキルアリールスルホン酸の具体例としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、デシルナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
スルホン酸基を有するその他の界面活性剤としては、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸等のアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、、ジオクチルスルホサクシネート等のジアルキルスルホサクシネート等が挙げられる。
高級アルコールリン酸エステルの具体例としては、パルミチルリン酸エステル、ヒマシ油アルキルリン酸エステル、ヤシ油アルキルリン酸エステル等が挙げられる。

上記のアニオン界面活性剤のなかでも、スルホン酸基を有する界面活性剤が好ましく、具体的には、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、オレフィンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、又はこれらの塩；ジアルキルスルホサクシネート等が挙げられる。
これらのなかでも、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、又はこれらの塩；ジアルキルスルホサクシネートがより好ましい。
アルキルスルホン酸のアルキル基の平均炭素数は９〜２１が好ましく、１２〜１８がより好ましい。
アルキルベンゼンスルホン酸のアルキル基の平均炭素数は６〜１８が好ましく、９〜１５がより好ましい。
アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸のアルキル基の平均炭素数は６〜１８が好ましく、９〜１５がより好ましい。
ジアルキルスルホサクシネートのアルキル基の平均炭素数は４〜１２が好ましく、６〜１０がより好ましい。
上記の中でも、平均炭素数１５のアルキル基を有するアルキルスルホン酸又はその塩、平均炭素数１２のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸又はその塩が特に好ましい。

塩の形態としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属の塩；カルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属の塩；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン塩；アンモニウム塩が挙げられる。

リソグラフィー用洗浄液中、界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
リソグラフィー用洗浄液中、界面活性剤の含有量（質量基準）は、１０ｐｐｍ以上１質量％以下であることが好ましく、５００〜５０００ｐｐｍであることがより好ましい。界面活性剤の含有量が１０ｐｐｍ以上、より好ましくは５００ｐｐｍ以上であることにより、前記第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすくなる。また、リソグラフィー用洗浄液の表面張力を充分に低下させることができ、パターン倒れを有効に抑制できる。界面活性剤の含有量が１質量％以下であることにより、リソグラフィー用洗浄液に対してレジストパターンが溶解しにくくなり、第一のレジストパターンの寸法変動がより抑制される。

リソグラフィー用洗浄液は、上述した溶媒、界面活性剤以外に、たとえばアミン化合物、又はＮＨ_３（アンモニア水）等のｐＨ調整用成分を含有していてもよい。

（アミン化合物）
リソグラフィー用洗浄液にアミン化合物を含有させることにより、たとえば界面活性剤としてアニオン界面活性剤を用いた場合、アニオン界面活性剤の一部と塩を形成して、アニオン界面活性剤の第一のレジスト膜への過度の浸透を抑制することができる。これにより、リソグラフィー用洗浄液に対して第一のレジストパターンが溶解しにくくなり、寸法変動がさらに抑制される。

アミン化合物としては、水溶性を有するアミン化合物が好ましく、例えば、炭素数２〜５のアルキレン基又はアルキル基を有する、アルカノールアミン、アルキルアルカノールアミン；第四級アミン化合物を挙げることができる。

アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンが例示できる。
アルキルアルカノールアミンとしては、エチルモノエタノールアミン、ブチルモノエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジブチルエタノールアミンが例示できる。

第四級アミン化合物としては、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウムハロゲン化物等が挙げられ、第四級アンモニウム水酸化物が好ましい。
かかる第四級アンモニウム水酸化物の中でも、総炭素数４〜２４のアルキル基又はアルケニル基を有する第四級アンモニウム水酸化物が好ましい。
ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、直鎖状若しくは分枝鎖状のプロピル基、直鎖状若しくは分枝鎖状のブチル基、直鎖状若しくは分枝鎖状のペンチル基、又は直鎖状若しくは分枝鎖状のヘキシル基が挙げられる。また、アルケニル基としては、エチレン基、直鎖状若しくは分枝鎖状のプロピレン基、直鎖状若しくは分枝鎖状のブチレン基、直鎖状若しくは分枝鎖状のペンテニル基、又は直鎖状若しくは分枝鎖状のヘキセニル基が挙げられる。
このような第四級アンモニウム水酸化物は、上記のアルキル基及びアルケニル基の中から最大４つまで任意の組み合わせで含むことができる。このような第四級アンモニウム水酸化物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
これらの中でも、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく、テトラメチルアンモニウムシドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドが特に好ましい。

上記のアミン化合物の中でも、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンが好ましく、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドがより好ましい。

リソグラフィー用洗浄液中、アミン化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
リソグラフィー用洗浄液中、アミン化合物の含有量（質量基準）は、１０ｐｐｍ以上１質量％以下であることが好ましく、１０〜１０００ｐｐｍであることがより好ましい。

また、界面活性剤としてアニオン界面活性剤を用いた場合、アニオン界面活性剤と、アミン化合物との混合比率（質量比）は、３０：１〜１：２であることが好ましく、１０：１〜１：１であることがより好ましい。
当該含有比率が上記範囲内であることにより、アニオン界面活性剤とアミン化合物との含有量のバランスを良好に保つことができ、アニオン界面活性剤の一部とアミン化合物との塩が形成されやすくなって第一のレジストパターンの寸法変動がより抑制される。また、酸タイプのアニオン界面活性剤を用いた場合、リソグラフィー用洗浄液のｐＨを酸性領域に容易に調整できる。
アニオン界面活性剤とアミン化合物とで形成される塩のなかで好適なものとしては、平均炭素数９〜２１のアルキル基を有するアルキルスルホン酸のアルカノールアミン塩（好ましくはモノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩）、テトラメチルアンモニウム塩、又はテトラエチルアンモニウム塩；
平均炭素数６〜１８のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸のアルカノールアミン塩（好ましくはモノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩）、テトラメチルアンモニウム塩、又はテトラエチルアンモニウム塩が挙げられる。
なかでも、平均炭素数９〜２１のアルキル基を有するアルキルスルホン酸のアルカノールアミン塩がより好ましく。平均炭素数１５のアルキル基を有するアルキルスルホン酸とモノエタノールアミンとの塩が最も好ましい。

工程（１−ｉ）において、前記第一のレジストパターン２ａとリソグラフィー用洗浄液とを接触させる時間（洗浄時間）は、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物の種類、用途に応じて適宜設定することができ、５〜９０秒間とすることが好ましく、５〜３０秒間とすることがより好ましい。
また、前記第一のレジストパターン２ａにリソグラフィー用洗浄液を接触させる方法としては、たとえば、リソグラフィー用洗浄液をレジストパターン２ａ表面に塗布したり、ノズル等から吹き付けたり、又はレジストパターン２ａをリソグラフィー用洗浄液に浸漬させたりする方法が挙げられる。
なお、本発明のパターン形成方法においては、工程（１）の現像の後、工程（１−ｉ）の前に、所望により、純水によるリンスを行う工程を有していてもよい。

［工程（１−ｉｉ）］
次に、工程（１−ｉ）で洗浄した後の複数のレジストパターン２ｓをベークする。
かかるベークは、ベーク温度を、当該ベーク後のレジストパターン２ｂが工程（２）のアルカリ現像により除去されるように設定して行う。
工程（１−ｉ）の洗浄と、工程（１−ｉｉ）のベークとを行うと、第一のレジストパターンに酸成分が吸着残存し、当該酸成分と、第一のレジストパターンを構成する成分とが反応して、第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、後段の工程（４）において、アルカリ現像を行うと、レジストパターン２ｂが除去される。

ベーク温度は、使用するパターン反転用組成物の組成によっても異なるが、１００℃以上であることが好ましく、１１０℃以上であることがより好ましく、１２０〜１６０℃がさらに好ましい。ベーク温度が１００℃以上であると、第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすくなる。たとえば前記第一のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基においては脱保護が起こりやすくなる。
ベーク時間は、４０〜１２０秒間が好ましく、６０〜９０秒間がより好ましい。

［工程（２）］
次に、第一のレジストパターンが形成された支持体１上に、第一のレジスト膜２を溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布し、レジストパターン２ｂ間の空隙を充填するパターン反転用膜９を形成する。
パターン反転用組成物が、第一のレジスト膜２を溶解しない有機溶剤を含有することで、パターン反転用組成物を塗布した際の、パターン反転用組成物中の有機溶剤によるレジストパターン２ｂの溶解を抑制でき、レジストパターン２ｂの形状の悪化や消失、レジストパターン２ｂとパターン反転用膜９との界面でのミキシングの発生等を防止することができる。
第４の実施形態におけるパターン反転用組成物の組成の具体例については、後述する。

工程（２）において、パターン反転用組成物を用いて形成されるパターン反転用膜９は、前記工程（１−ｉｉ）後における第一のレジストパターンよりも低いアルカリ現像溶解性を有することが好ましい。第一のレジストパターンに比べてアルカリ現像溶解性が低いことで、第一のレジストパターンは、アルカリ現像液に対してパターン反転用膜９より溶解しやすい。そのため、第一のレジストパターンはアルカリ現像によって除去されやすいものとなり、反転パターンを良好に形成できる。

パターン反転用組成物の組成の具体例について、詳しくは後述するが、第一のポジ型レジスト組成物の組成に応じて適宜設定すればよい。

パターン反転用膜９は、第一のレジスト膜２と同様、従来公知の方法によって形成することができる。
本発明においては、パターン反転用膜９の膜厚（レジストパターン２ｂ間の空隙を充填している部分の膜厚の最小値）が、レジストパターン２ｂの高さと同じか、それよりも薄いことが好ましい。この場合、レジストパターン２ｂの上面を覆うパターン反転用膜９の厚さが、工程（２）でのアルカリ現像時に容易に除去できる程度に薄いものとなる。つまり、この部分のパターン反転用膜９（レジストパターン２ｂ上に形成された膜）は、膜厚が薄いため、アルカリ現像による膜減りが生じやすい。そのため、現像時にレジストパターン２ｂとともに溶解して除去される。そのため、反転パターンを良好に形成できる。
一方、パターン反転用膜９の厚さが厚すぎると、工程（２）でのアルカリ現像時にレジストパターン２ｂの上面のパターン反転用膜９がうまく取り除けず、良好な反転パターンが形成できないおそれがある。

また、パターン反転用膜９は、アルカリ現像による膜減り量が６０ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０〜５０ｎｍであることがさらに好ましい。
当該膜減り量が上限値以下であれば、現像時にレジストパターン２ｂとともに溶解し、解像性の良好な反転パターンが形成されやすくなる。
前記アルカリ現像による膜減り量は、以下のようにして測定できる。
すなわち、８インチのシリコン基板上に、パターン反転用組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、１００℃、６０秒間のベーク処理を行うことにより、パターン反転用膜を形成する。このパターン反転用膜を、２３℃、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に６０秒間浸漬させ、当該浸漬前後の膜厚の差（膜減り量）を求める。

パターン反転用膜９を形成した後、アルカリ現像を行う。これにより、レジストパターン２ｂが除去される一方、レジストパターン２ｂ間に充填されたパターン反転用膜９は除去されずに残る。パターン反転用膜９のうち、レジストパターン２ｂの上面に存在する部分は、その厚さが薄いため、アルカリ現像時にレジストパターン２ｂと共に除去される。その結果、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン２ｂのあった位置９ｃに、該レジストパターン２ｂのイメージが反転したパターン（反転パターン）が形成される。
たとえば第一のレジストパターンがラインパターンの場合、該ラインパターンと同じ位置に、該ラインパターンの寸法（ライン幅）と同じ寸法（スペース幅）のスペースパターンが反転パターンとして形成される。また、第一のレジストパターンがドットパターンの場合、該ドットパターンと同じ位置に、該ドットパターンの寸法（ドット直径）と同じ寸法（ホール直径）のホールパターンが反転パターンとして形成される。

アルカリ現像は、アルカリ水溶液、例えば濃度０．１〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、公知の方法により実施できる。
上記アルカリ現像後、純水等によるリンス処理を行ってもよい。
また、上記アルカリ現像後、さらに、ベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。ポストベークは（アルカリ現像やリンス処理後の水分をとばす目的で行われるため）通常１００℃程度の条件で行われ、処理時間は、好ましくは３０〜９０秒間である。

第４の実施形態においては、第一のレジストパターンとして、ラインパターンおよび／またはドットパターンを形成することで、スペースパターンおよび／またはホールパターンを反転パターンとして得ることができる。
このように反転パターンとして形成されるスペースパターンやホールパターンは、１回のリソグラフィー工程で直接形成される場合に比べて、解像力や形状、リソグラフィーマージン（たとえば露光量に対する余裕度（ＥＬマージン）、焦点深度に対する余裕度（ＤＯＦマージン）、パターン形状の垂直性等）のパターン形成能に優れたものである。すなわち、レジスト膜の極一部、微細な領域を除去する必要があるスペースパターンやホールパターンを直接形成する場合、上述したように、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、パターン形成能に制限が大きいが、上記反転パターンを形成する際のパターン形成能は、第一のレジストパターン（孤立ラインパターンやドットパターン、ラインアンドスペースパターン等）を形成する際のパターン形成能に依存するため、スペースパターンやホールパターンを直接形成する場合に比べてパターン形成能に制限が少なく、良好なレジストパターンを形成できる。

本実施形態のパターン形成方法においては、工程（１−ｉ）及び工程（１−ｉｉ）により、第一のレジストパターンを、工程（２）でのアルカリ現像により除去可能にしている。そのため、工程（２）においては、ダブルパターニングプロセスの２回目のパターニングと比較し露光又はベークを行う必要がなく、アルカリ現像のみで反転パターンを形成できる。また、工程（１−ｉ）における洗浄は、通常、アルカリ現像後に行っている純水等によるリンス処理に相当する操作である。したがって、かかるパターン形成方法は、従来のダブルパターニングプロセスに比べて、工程数が少なく、簡便な方法であると云え、スループットが向上する。
また、かかるパターン形成方法においては、上述したような架橋形成能を有する等の特定のレジスト組成物を用いなければならない等の制限はなく、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びパターン反転用組成物のいずれも、これまで提案されているレジスト組成物及び樹脂組成物等をそのまま用いることができる。

本発明においては、パターン反転用組成物としてポジ型レジスト組成物を用いた場合、上記工程（２）の後、パターン反転用膜９のパターニングを行ってもよい。すなわち、上記のようにして反転パターンが形成されたパターン反転用膜９を選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する操作を行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのより密なパターンや複雑な形状のパターンを形成することができる。

また、本発明においては、上記工程（２）の後、形成されたパターンをマスクとして用いて、上記第１又は第２の実施形態と同様に支持体１のエッチングを行ってもよい。支持体１をエッチングすることにより、半導体デバイス等を製造することができる。

＜第５の実施形態＞
本発明の第５の実施形態では、まず、工程（１）として、前記第１又は第２の実施形態と同様に、図１（ａ）に示すように、支持体１上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成した後、第一のレジスト膜２を、図１（ｂ）に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク３を介して露光し、露光後ベークを行う。その後、アルカリ現像することにより、第一のレジスト膜２の露光部が除去され、未露光部が残留し、結果、図１（ｃ）に示すような、離間配置された複数のレジストパターン２ａから構成される第一のレジストパターンが得られる。

次に、工程（２）を図７に示す手順で行う。
工程（２）では、まず、複数のレジストパターン２ａから構成されるパターンが形成された支持体１（図７（ａ））上に、第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布し、複数のレジストパターン２ａ間の間隙を充填するパターン反転用膜１０を形成する（図７（ｂ））。
その際、前記パターン反転用組成物がレジストパターン２ａ中にも広がり、レジストパターン２ａは、前記パターン反転用組成物に溶存していた酸成分（Ｈ）を含むレジストパターンに変化する。そして、レジストパターン２ａを構成する成分と前記酸成分（Ｈ）とが反応し、第一のレジストパターンは、アルカリ現像液に対する溶解性が増大したレジストパターン２ａに変化する。
次に、アルカリ現像液による現像を行うと、レジストパターン２ａが除去される一方、レジストパターン２ａ間に充填されたパターン反転用膜１０は除去されずに残る。パターン反転用膜１０のうち、レジストパターン２ａの上面に存在する部分は、その厚さが薄いため、アルカリ現像時にレジストパターン２ａとともに除去される。その結果、図７（ｃ）に示すように、レジストパターン２ａのあった位置１０ｃに、レジストパターン２ａのイメージが反転したパターン（反転パターン）が形成される。

以下、上記第５の実施形態における工程（２）について、より詳細に説明する。なお、第５の実施形態における工程（１）は、前記第１又は第２の実施形態における工程（１）と同様であるため、ここでは説明を省略する。

［工程（２）］
パターン反転用組成物は、第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤（以下「（Ｓ’）成分」という。）と、前記基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸強度を有する酸成分（Ｈ）と、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分（Ａ’−５）とを含有する。
パターン反転用組成物が（Ｓ’）成分を含有することで、パターン反転用組成物を塗布した際の、パターン反転用組成物中の有機溶剤によるレジストパターン２ａの溶解を抑制でき、レジストパターン２ａの形状の悪化や消失、レジストパターン２ａとパターン反転用膜１０との界面でのミキシングの発生等を防止することができる。
かかるパターン反転用組成物に配合されるの具体例などについて、詳しくは後述する。

パターン反転用膜１０は、第一のレジスト膜２と同様、従来公知の方法によって形成することができる。
具体的には、たとえば第一のレジストパターンが形成された支持体１上に、スピンナーを用いる等の従来公知の方法を用いてパターン反転用組成物を塗布し、ベーク処理（プレベーク）を施し、有機溶剤を揮発させることにより、レジストパターン２ａ間の間隙を充填するパターン反転用膜１０を形成できる。
パターン反転用組成物の塗布により、パターン反転用組成物がレジストパターン２ａ中にも広がり、レジストパターン２ａは、前記パターン反転用組成物に溶存していた酸成分（Ｈ）を含むレジストパターンに変化する。そして、この酸成分（Ｈ）の作用によって、レジストパターン２ａを構成する基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基が解離し、第一のレジストパターンはアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。
また、ベーク処理を施すことにより、酸成分（Ｈ）と、レジストパターン２ａを構成する基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基との相互作用が増して、第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性がより増大する。そして、次のアルカリ現像により、レジストパターン２ａが除去され、反転パターンが形成される。

ベーク処理（プレベーク）の温度は、使用するパターン反転用組成物の組成によって適宜調整すればよく、１００℃以上であることが好ましく、１１０℃以上であることがより好ましく、１２０〜１６０℃がさらに好ましい。ベーク処理の温度が１００℃以上であると、第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすくなる。たとえば前記第一のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基においては脱保護が起こりやすくなる。
ベーク時間は、４０〜１２０秒間が好ましく、６０〜９０秒間がより好ましい。

本発明においては、パターン反転用膜１０の膜厚（レジストパターン２ａ間の間隙を充填している部分の膜厚の最小値）が、レジストパターン２ａの高さと同じか、それよりも薄いことが好ましい。この場合、レジストパターン２ａの上面を覆うパターン反転用膜１０の厚さが、工程（２）でのアルカリ現像時に容易に除去できる程度に薄いものとなる。つまり、この部分のパターン反転用膜１０（レジストパターン２ａ上に形成された膜）は、膜厚が薄いため、アルカリ現像による膜減りが生じやすい。そのため、現像時にレジストパターン２ａとともに溶解して除去される。そのため、反転パターンを良好に形成できる。
一方、パターン反転用膜１０の厚さが厚すぎると、工程（２）でのアルカリ現像時にレジストパターン２ａの上面のパターン反転用膜１０がうまく取り除けず、良好な反転パターンが形成できないおそれがある。

パターン反転用膜１０を形成した後、アルカリ現像を行う。これにより、レジストパターン２ａが除去される一方、レジストパターン２ａ間に充填されたパターン反転用膜１０は除去されずに残る。パターン反転用膜１０のうち、レジストパターン２ａの上面に存在する部分は、その厚さが薄いため、アルカリ現像時にレジストパターン２ａと共に除去される。その結果、図７（ｃ）に示すように、レジストパターン２ａのあった位置１０ｃに、該レジストパターン２ａのイメージが反転したパターン（反転パターン）が形成される。
たとえば第一のレジストパターンがラインパターンの場合、該ラインパターンと同じ位置に、該ラインパターンの寸法（ライン幅）とほぼ同じ寸法（スペース幅）のスペースパターンが反転パターンとして形成される。また、第一のレジストパターンがドットパターンの場合、該ドットパターンと同じ位置に、該ドットパターンの寸法（ドット直径）とほぼ同じ寸法（ホール直径）のホールパターンが反転パターンとして形成される。

アルカリ現像は、アルカリ水溶液、例えば濃度０．１〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、好ましくは２０〜３０℃程度の温度条件で、現像時間が、好ましくは５〜９０秒間で行われる。具体的には、パターン反転用膜１０を、たとえば２３℃にて、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて３０秒間現像（浸漬、ノズル塗布など）することにより、アルカリ現像が行われる。

工程（２）でのアルカリ現像において、パターン反転用膜６は、アルカリ現像液に対する溶解速度が０．３〜３．５ｎｍ／秒であり、０．５〜２．０ｎｍ／秒であることが好ましく、０．５〜１．５ｎｍ／秒であることがより好ましい。
当該溶解速度が下限値以上であることにより、適度な膜減りを生じるようになり、後述するように、レジストパターン２ａ上に形成されたパターン反転用膜が現像時にレジストパターン２ａとともに溶解して除去され、解像性の良好な反転パターンが形成されやすくなる。一方、当該溶解速度が上限値以下であることにより、現像後、アルカリ現像液に溶解して除去されることなく、パターン反転用膜６が形成される。
かかる溶解速度は、後述の基材成分（Ａ’−５）の種類や、基材成分（Ａ’−５）と溶解抑制剤成分との組合せ等により制御できる。

本発明において「アルカリ現像液に対する溶解速度」は、パターン反転用膜６を、工程
（２）でのアルカリ現像と同様にしてアルカリ現像した際の溶解速度であり、たとえば下
記の方法により測定される値を示す。
［アルカリ現像液に対する溶解速度の測定］
シリコン基板等の支持体上に、パターン反転用組成物を、スピンナーを用いて均一に塗布し、プレベーク（ＰＡＢ）処理等を行ってパターン反転用膜を形成し、次いで、当該パターン反転用膜に対して、上記アルカリ現像を行い、その際の当該パターン反転用膜の溶解速度（単位時間当たりの膜減り量、単位：ｎｍ／ｓ）をナノスペック（ナノメトリクス社製）により求める。

上記アルカリ現像後、純水等によるリンス処理を行ってもよい。
また、上記アルカリ現像後、さらに、ベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。ポストベークは（アルカリ現像やリンス処理後の水分をとばす目的で主に行われるため）、処理温度が、好ましくは１２０〜１６０℃程度の条件で行われ、処理時間が、好ましくは３０〜９０秒間である。

本実施形態においては、第一のレジストパターンとして、ラインパターンおよび／またはドットパターンを形成することで、スペースパターンおよび／またはホールパターンを反転パターンとして得ることができる。
このように反転パターンとして形成されるスペースパターンやホールパターンは、１回のリソグラフィー工程で直接形成される場合に比べて、解像力や形状、リソグラフィーマージン（たとえば露光量に対する余裕度（ＥＬマージン）、焦点深度に対する余裕度（ＤＯＦマージン）、パターン形状の垂直性等）のパターン形成能に優れたものである。すなわち、レジスト膜の極一部、微細な領域を除去する必要があるスペースパターンやホールパターンを直接形成する場合、上述したように、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、パターン形成能に制限が大きいが、上記反転パターンを形成する際のパターン形成能は、第一のレジストパターン（孤立ラインパターンやドットパターン、ラインアンドスペースパターン等）を形成する際のパターン形成能に依存するため、スペースパターンやホールパターンを直接形成する場合に比べてパターン形成能に制限が少なく、良好なレジストパターンを形成できる。

本実施形態のパターン形成方法においては、工程（２）のパターン反転用組成物の塗布により、第一のレジストパターンを、工程（２）でのアルカリ現像により除去可能にしている。そのため、本実施形態のパターン形成方法では、ダブルパターニングプロセスの２回目のパターニングと比較し、露光及び露光後ベークの両方を行う必要がなく、アルカリ現像のみで反転パターンを形成できる。したがって、かかるパターン形成方法は、従来のダブルパターニングプロセスに比べて、工程数が少なく、簡便な方法であると云え、スループットが向上する。
また、かかるパターン形成方法においては、第一のポジ型レジスト組成物として上述したような架橋形成能を有する等の特定のレジスト組成物を用いなければならない等の制限はなく、これまで提案されている従来公知の化学増幅型ポジ型レジスト組成物をそのまま用いることができる。また、パターン反転用組成物も、これまで提案されている樹脂組成物等をそのまま用いることができる。

また、本発明においては、通常のパターニングを２回以上行って（ダブルパターニングにより）形成したレジストパターンに対して、上記工程（２）の操作を行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのより密なパターンや、複雑な形状のパターンを形成することができる。

また、本発明においては、上記工程（２）の後、形成されたパターンをマスクとして用いて、上記第１又は第２の実施形態と同様に、支持体１のエッチングを行ってもよい。支持体１をエッチングすることにより、半導体デバイス等を製造することができる。

＜第６の実施形態＞
本発明の第６の実施形態では、まず、工程（１）として、前記第１又は第２の実施形態と同様に、図１（ａ）に示すように、支持体１上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成した後、第一のレジスト膜２を、図１（ｂ）に示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク３を介して露光し、露光後ベークを行う。その後、アルカリ現像することにより、第一のレジスト膜２の露光部が除去され、未露光部が残留し、結果、図１（ｃ）に示すような、離間配置された複数のレジストパターン２ａから構成される第一のレジストパターンが得られる。

次に、工程（２）を図８に示す手順で行う。
工程（２）では、まず、工程（２）で第一のレジストパターン２ａが形成された支持体１（図８（ａ））上に、化学増幅型のネガ型レジスト組成物を塗布し、図８（ｂ）に示すように、第一のレジストパターン２ａのライン（またはドット）間の空隙を充填する第二のレジスト膜１１を形成する。
次に、第二のレジスト膜１１を、図８（ｃ）に示すように、所定のパターン（ラインパターンおよび／またはドットパターン）が形成されたフォトマスク１２を介して、選択的に露光し、ＰＥＢ処理を施す。
当該ＰＥＢ処理後にアルカリ現像液による現像を行うと、図８（ｄ）に示すように、第二のレジスト膜１１においては、未露光部のみが除去されて、該第二のレジスト膜１１に複数のスペースパターンおよび／またはホールパターン１１ａが形成される。このとき同時に、第二のレジスト膜１１の露光部内のレジストパターン２ａも除去され、レジストパターン２ａの位置に、該レジストパターン２ａのイメージが反転したパターン（反転パターン２ｂ）が形成される。
このようにして形成されるレジストパターンは、１回のパターニング工程で形成するレジストパターンよりも狭ピッチの密なものである。

以下、上記第６の実施形態における工程（２）について、より詳細に説明する。なお、第６の実施形態における工程（１）は、前記第１又は第２の実施形態における工程（１）と同様であるため、ここでは説明を省略する。

［工程（２）］
ネガ型レジスト組成物は、公知のもののなかから適宜選択して用いることができる。
本発明においては、該ネガ型レジスト組成物が、有機溶剤として、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有することが好ましい。これにより、該ネガ型レジスト組成物を塗布した際に、第一のレジストパターンの溶解や、第一のレジストパターンと第二のレジスト膜との間の界面でのミキシングの発生を抑制することができ、本発明の効果がさらに向上する。
ネガ型レジスト組成物については、詳しくは後述する。
第二のレジスト膜１１は、第一のレジスト膜２と同様、従来公知の方法によって形成することができる。
第二のレジスト膜１１の膜厚は、少なくとも、レジストパターン２ａの高さと同じか、それよりも厚いことが好ましい。すなわち、支持体１を第二のレジスト膜１１側から見た場合に、その表面が平坦であることが好ましい。

次に、上記のようにして形成した第二のレジスト膜１１を、フォトマスク１２を介して選択的に露光する。
このとき、第二のレジスト膜４の選択的露光は、上記の通り、レジストパターン２ａが形成された位置が露光部内に含まれ、かつ該レジストパターン２ａ間の空隙部分が未露光部となるように行う。これにより、当該露光部内に位置するレジストパターン２ａに光が入射し、当該露光後、ＰＥＢ処理を行った際に、該レジストパターン２ａのアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、アルカリ現像により除去して反転パターン２ｂを形成することが可能となる。
上記第二のレジスト膜１１の露光は、たとえば工程（１）で用いたフォトマスクを、複数のレジストパターン２ａ間が未露光部となるように、露光位置を若干ずらすことにより実施できる。また、このとき、工程（１）で用いたフォトマスクとは別のフォトマスクを使用してもよい。
工程（２）における未露光部の位置は、レジストパターン２ａの位置と全く重複していなくてもよく、レジストパターン２ａの位置と一部重複していてもよいが、レジストパターン１１ａの位置とレジストパターン２ａの位置とが全く重複していないことが好ましい。これにより工程（１）で形成した第一のレジストパターンよりも、パターン間の間隔（ピッチ）が狭い狭ピッチのレジストパターンが得られる。
たとえばスペースアンドラインのレジストパターンを形成する場合を例に挙げると、工程（１）で、複数のラインが一定のピッチで配置されたラインアンドスペースのフォトマスクを用いてラインアンドスペースのレジストパターンを形成した後、工程（２）で、工程（１）で形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置を未露光部とすることにより、最初に形成したラインアンドスペースのレジストパターン（疎パターン）よりも狭ピッチでスペースが配置されたスペースアンドラインのレジストパターン（密パターン）が形成される。
「疎パターン」としては、ラインアンドスペースのレジストパターンにおいて、ライン幅：スペース幅＝１：２以上にスペース幅が広いラインアンドスペースパターンが好ましい。

露光後、ＰＥＢ処理を行う。
第二の化学増幅型レジスト組成物はネガ型であるため、工程（２）でのＰＥＢ処理は、露光部の第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させるベーク温度にて施される。
すなわち、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物からなる第二のレジスト膜は、露光後、ＰＥＢ処理を行うことで、酸発生剤成分から発生した酸の当該レジスト膜内での拡散と、該酸の作用による当該レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性の低下とが進行する。このとき、ＰＥＢ処理におけるベーク温度（ＰＥＢ温度）が充分でないと、酸の発生および拡散が充分に進行せず、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が充分に低下しないため、露光部と未露光部との間のアルカリ現像液に対する溶解速度の差（溶解コントラスト）が小さく、現像しても良好なレジストパターンを形成できない。つまり、第二のレジスト膜のパターニングを行うためには、当該レジスト膜の露光、ＰＥＢ処理および現像を行った際に、該レジスト膜の露光部がアルカリ現像液で溶解除去されるのに充分な現像液溶解性を発現するＰＥＢ温度でＰＥＢ処理を行う必要がある。以下、このＰＥＢ温度を当該レジスト組成物の有効ＰＥＢ温度ということがある。
そのため、工程（２）にて第二のレジスト膜をパターニングするためには、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させるベーク温度、つまり第二のレジスト膜の有効ＰＥＢ温度の最低値以上の温度でＰＥＢ処理を行う。すなわち、第二のレジスト膜の有効ＰＥＢ温度の最低値をＴ_ｍｉｎ２、第二のパターニング工程のＰＥＢ温度をＴ_ｐｅｂ２とすると、工程（２）で、露光部の第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させるためにはＴ_ｍｉｎ２≦Ｔ_ｐｅｂ２である必要がある。

このとき、工程（２）のＰＥＢ処理に用いるベーク温度が、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させる温度であるかどうか（有効ＰＥＢ温度であるかどうか）は、以下の手順により判定できる。
第二のレジスト膜に対し、第二のパターニング工程で使用する露光光源（たとえばＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢ・ＥＵＶ等）にて、露光量を変化させて露光（全面露光）し、所定のベーク温度で３０〜１２０秒間のＰＥＢ処理を行い、現像液として２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３℃）を用いて現像を行う。
このとき、（１）露光量を増加させていった際に、所定値以上の露光量で第二のレジスト膜の露光部が残膜していることを確認できればよい。少なくとも７０％以上の残膜が確認できれば、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させるベーク温度であると判定される。一方、露光量を増加させていっても、第二のレジスト膜の露光部において、７０％以上の残膜を確認できない場合は、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を低下させないベーク温度であると判定される。ここで、残膜（％）は、「露光、ＰＥＢおよび現像を行う前のレジスト膜の膜厚」に対する「露光、ＰＥＢおよび現像を行った後のレジスト膜の膜厚」の割合（％）である。
または、（２）露光量を増加させていった際に、露光量が所定値以上になると、第二のレジスト膜の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒未満となる場合は、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度であると判定される。
一方、露光量を増加させていっても、第二のレジスト膜の露光部の現像液に対する溶解速度が１ｎｍ／秒未満とはならず、それよりも高い溶解速度で飽和を示す場合は、当該ベーク温度が、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させないベーク温度であると判定される。

そして、本発明においては、上記ＰＥＢ処理を、前記第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ且つ前記第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度にて、具体的にはＴ_ｐｅｂ２≧Ｔ_ｍｉｎ１の範囲で行う。Ｔ_ｐｅｂ２≧Ｔ_ｍｉｎ１の範囲であれば、上記第二のＰＥＢ処理は必ずしも工程（１）でのＰＥＢ温度以上でなくてもよい。好ましくは工程（１）でのＰＥＢ処理と同じかそれよりも高い温度にて行う。これにより、露光された領域（露光部）の第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性が低下する一方、該露光部内に存在する第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。
このとき、第二のレジスト膜１１の露光部においては、第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対しする溶解性が低下して難溶性となる一方、当該露光部内に存在するレジストパターン２ａは、工程（２）での露光による光の入射とその後のＰＥＢ処理により、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。また、第二のレジスト膜１１の未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しない。
そのため、当該ＰＥＢ処理後にアルカリ現像液による現像を行うと、図８（ｄ）に示すように、第二のレジスト膜１１においては、未露光部のみが除去されて、該第二のレジスト膜１１に複数のスペースパターンおよび／またはホールパターン１１ａが形成される。このとき同時に、第二のレジスト膜１１の露光部内のレジストパターン２ａも除去され、レジストパターン２ａの位置に、該レジストパターン２ａのイメージが反転したパターン（反転パターン２ｂ）が形成される。たとえばレジストパターン２ａがラインパターンの場合は、反転パターン２ｂとして同じ幅のスペースパターンが形成され、レジストパターン２ａがドットパターンの場合は、反転パターン２ｂとして同じ直径のホールパターンが形成される。
なお、第二のレジスト膜１１の膜厚が、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、第一のレジストパターン２ａの高さよりも厚い場合、第一のレジストパターン２ａの上には若干の第二のレジスト膜１１が存在する。この部分のレジスト膜１１は、膜厚（第一のレジストパターン２ａの上端から上側の厚さ）が薄いため、第二のパターニングの際に露光光を吸収しにくく、感光しにくい。そのため、ＰＥＢ後もアルカリ現像液に対する溶解性の変化が生じにくく、アルカリ現像液に溶解しやすい状態である。また、膜厚自体薄いことから、アルカリ現像液による膜減りが生じやすい。そのため、現像時に、第一のレジストパターン２ａとともに溶解、除去される。
これらのことを考慮すると、第二のレジスト膜１１の膜厚と、第一のレジストパターン２ａの高さとの差は、５０〜０ｎｍが好ましく、３０〜５ｎｍがより好ましい。

本発明において、上記ＰＥＢ処理を、Ｔ_ｐｅｂ２≧Ｔ_ｍｉｎ１の範囲にて行うためには、第二の化学増幅型レジスト組成物（ネガ型）の有効ＰＥＢ温度の最高値（Ｔ_ｍａｘ２）が、第一の化学増幅型レジスト組成物（ポジ型）の有効ＰＥＢ温度の最低値（Ｔ_ｍｉｎ１）と同等か、またはそれよりも高いことが好ましい。
Ｔ_ｍｉｎ１とＴ_ｍａｘ２との差（Ｔ_ｍａｘ２−Ｔ_ｍｉｎ１）は、０〜４０℃が好ましく、５〜３５℃がより好ましく、１０〜３０℃がさらに好ましい。該差が上記範囲内である
と、より微細なパターンを形成する上で好ましい。
Ｔ_ｍａｘ２が、Ｔ_ｍｉｎ１と同等である場合（Ｔ_ｍａｘ２＝Ｔ_ｍｉｎ１）、工程（２）でのＰＥＢ温度（Ｔ_ｐｅｂ２）は、工程（１）でのＰＥＢ温度（Ｔ_ｐｅｂ１）と同じになる。
Ｔ_ｍａｘ２が、Ｔ_ｍｉｎ１よりも高い場合（Ｔ_ｍａｘ２＞Ｔ_ｍｉｎ１）、工程（２）のＰＥＢ温度（Ｔ_ｐｅｂ２）は、Ｔ_ｍａｘ２≧Ｔ_ｐｅｂ２≧Ｔ_ｍｉｎ１であればよい。

よって、工程（２）のＰＥＢ温度（Ｔ_ｐｅｂ２）は、Ｔ_ｍｉｎ１≦Ｔ_ｐｅｂ２≦Ｔ_ｍａｘ２を満たすように、Ｔ_ｍｉｎ１、Ｔ_ｍａｘ２等を考慮して設定される。Ｔ_ｐｅｂ２は、通常、６０〜１３０℃の範囲内であり、７０〜１２０℃が好ましく、８０〜１１０℃がより好ましい。
たとえば、第二の化学増幅型レジスト組成物をパターニングし、その際の感度や得られたパターン形状から、上記温度の範囲内で最適なＴ_ｐｅｂ２を決めることができる。
また、Ｔ_ｐｅｂ１とＴ_ｐｅｂ２との差（Ｔ_ｐｅｂ２−Ｔ_ｐｅｂ１）は、上述の条件を満たせば、必ずしも正の値にならなくてもよい。該差は、−１０〜２０℃が好ましく、０〜１５℃がより好ましく、０〜１０℃がさらに好ましい。該差が上記範囲内であると、より微細なパターンを形成する上で好ましい。
工程（２）のＰＥＢ処理のベーク時間は、通常、４０〜１２０秒間であり、好ましくは６０〜９０秒間施される。

Ｔ_ｍｉｎ１は、使用する第一の化学増幅型レジスト組成物によって異なっている。
なお、Ｔ_ｍａｘ２の値は第二の化学増幅型レジスト組成物の組成よりも、むしろプロセス（第二の化学増幅型レジスト組成物の膜厚、パターンのターゲット寸法）に依存し、通常はＴ_ｍａｘ２≧Ｔ_ｍｉｎ１の関係が成立する。このとき、第一の化学増幅型レジスト組成物の組成を調整（Ｔ_ｍｉｎ１がより低くなる方向）するか、または第二の化学増幅型レジスト組成物についても組成を調整（Ｔ_ｍｉｎ２がより高くなる方向、あるいはＴ_ｍｉｎ１≦Ｔ_ｍｉｎ２）することで、プロセスの余裕度が向上する。なお、Ｔ_ｍａｘ２は通常、高くても１３０℃程度であり、好ましくは１３０℃以下であり、より好ましくは１１０℃以上１２０℃以下である。
Ｔ_ｍｉｎ１、Ｔ_ｍｉｎ２おとびそれらの差は、使用する第一の化学増幅型レジスト組成物および／または第二の化学増幅型レジスト組成物の組成を調節することにより調節できる。たとえば第一の化学増幅型レジスト組成物が、酸解離性溶解抑制基を有する化合物（たとえば後述する（Ａ）成分）を含有する場合、第二の化学増幅型レジスト組成物であるネガ型レジストの架橋反応に要する熱エネルギーよりも脱保護エネルギーが低いものとする。これにより、第二の化学増幅型レジスト組成物を用いたパターニングの際に、第一の化学増幅型レジスト組成物が、露光時のアルカリ現像液に対する変化が生じやすいものとなり、Ｔ_ｍｉｎ１がＴ_ｍｉｎ２よりも低くなる。
また、第一の化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的弱酸であるものを用い、第二の化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的強酸であるものを用いることによっても、Ｔ_ｍｉｎ１をＴ_ｍｉｎ２よりも低くすることができる。
これら第一の化学増幅型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基や、第一の化学増幅型レジスト組成物および第二の化学増幅型レジスト組成物における酸発生剤成分の組み合わせについては、詳しくは後述する。

ＰＥＢ処理後、第二のレジスト膜１１の現像を行う。現像は、アルカリ水溶液、例えば濃度０．１〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、公知の方法により実施できる。アルカリ現像を行うことにより、第二のレジスト膜１１の未露光部が除去されてスペースパターンおよび／またはホールパターン１１ａが形成され、これと同時に、第二のレジスト膜１１の露光部領域内に存在する第一のレジストパターン２ａおよびその上部に存在する第二のレジスト膜１１が溶解、除去されて反転パターン２ｂが形成される。
上記アルカリ現像後、水等によるリンス処理を行ってもよい。
また、上記アルカリ現像後、さらに、ベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。ポストベークは（アルカリ現像やリンス処理後の水分をとばす目的で行われるため）通常１００℃の条件で行われ、処理時間は、好ましくは３０〜９０秒間である。

上記第６の実施形態に示すように、本発明においては、従来は形成しにくかった微細な孤立スペースパターンやホールパターンを反転パターンとして得ることができる。そのため、前記第一のレジストパターンは、ラインパターンおよび／またはドットパターンであることが好ましい。
具体的には、例えば、スペース幅６０ｎｍ、スペース幅：ライン幅＝１：３のスペースアンドラインパターン（疎パターン）を形成した後、第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜の、前記疎パターンの各ライン間の中間の位置に、各ラインに対して平行に、スペース幅６０ｎｍ、スペース幅：ライン幅＝１：３のスペースアンドラインパターンを形成すると、スペース幅６０ｎｍ、スペース幅：ライン幅＝１：１のスペースアンドラインパターン（密パターン）が形成される。
このような反転パターンは、孤立スペースパターン（トレンチパターン）やホールパターンを直接形成する場合に比べて、解像力や形状、リソグラフィーマージン（たとえば露光量及び焦点深度に対する余裕度（ＥＬマージン及びＤＯＦマージン）やパターン形状の垂直性等）のパターン形成能に優れたものである。すなわち、レジスト膜の極一部、微細な領域を除去する必要がある孤立スペースパターン（トレンチパターン）やホールパターンを直接形成する場合、上記のように、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、パターン形成能に制限が大きいが、上記反転パターンの形成する際のパターン形成能は、第一のレジストパターン（孤立ラインパターンやドットパターン、ラインアンドスペースパターン等）を形成する際のパターン形成能に依存するため、孤立スペースパターン（トレンチパターン）やホールパターンを直接形成する場合に比べてパターン形成能に制限が少なく、良好なレジストパターンが形成できる。
また、工程（１）で用いたフォトマスクを回転移動させたり、工程（１）で用いたフォトマスクとは異なるフォトマスク（たとえば、工程（１）においてラインアンドスペースパターンのフォトマスク、工程（２）においてホールのマスクパターン等）を用いたりすること等により、微細なレジストパターン、および／または、多様なレジストパターンを形成することができる。

次に、本発明の第６の実施形態の別の態様を、図９を用いて説明する。
本態様では、工程（２）における露光を全面露光（フォトマスクを介さない露光）により行う以外は上記第６の実施形態と同様の手順で実施できる。具体的には、上記同様に第一のパターニング工程を行った後、図９に示す手順で工程（２）を行うことにより実施できる。
まず、工程（１）でレジストパターン２ａが形成された支持体１（図９（ａ））上に、化学増幅型のネガ型レジスト組成物を塗布し、図９（ｂ）に示すように、複数のレジストパターン２ａ間の空隙を充填する第二のレジスト膜１３を形成する。
次に、第二のレジスト膜１３に対し、図９（ｃ）に示すように、全面露光を行い、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理を施す。これにより、第二のレジスト膜１３全体のアルカリ溶解性が減少する。
このとき、第二のレジスト膜１３に対するＰＥＢ処理は、上記同様、第一のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ且つ前記第二のレジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性を減少させるベーク温度にて行う。これにより、当該ＰＥＢ処理後にアルカリ現像液による現像を行った際に、レジストパターン２ａおよびその上部に位置する第二のレジスト膜１３が除去され、結果、図９（ｄ））に示すように、レジストパターン２ａの位置に、該レジストパターン２ａの反転パターン２ｃが形成される。

本発明のレジストパターン形成方法においては、上記第二のパターニング工程後、さらに、該第二のパターニング工程と同様のパターニング工程を複数回繰り返して行ってもよい。すなわち、上記第二のパターニング工程でレジストパターンが形成された支持体上に、レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する操作を複数回行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのより密なパターンや複雑な形状のパターンを形成することができる。

本発明のレジストパターン形成方法においては、上記第二のパターニング工程後、形成されたレジストパターンをマスクとして用いて、上記第１又は第２の実施形態と同様に、支持体１のエッチングを行ってもよい。支持体１をエッチングすることにより、半導体デバイス等を製造することができる。

≪第一のポジ型レジスト組成物≫
本発明のパターン形成方法における第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）（以下、「（Ａ）成分」という。）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（以下、「（Ｂ）成分」という。）を含有するポジ型レジスト組成物である。
かかるポジ型レジスト組成物においては、露光により（Ｂ）成分から酸が発生すると、該酸の作用により（Ａ）成分の酸解離性溶解抑制基が解離し、（Ａ）成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像により露光部のみが除去され、レジストパターンが形成される。

ここで、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物を意味する。
基材成分としては、通常、分子量が５００以上の有機化合物が用いられる。分子量が５００以上であることにより、充分な膜形成能を備えるとともに、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
「分子量が５００以上の有機化合物」は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が５００以上４０００未満のものが用いられる。以下、「低分子化合物」という場合は、分子量が５００以上４０００未満の非重合体を示す。
重合体としては、通常、分子量が１０００以上のものが用いられる。本明細書および特許請求の範囲において「高分子化合物」は分子量が１０００以上の重合体を示す。
高分子化合物の場合、「分子量」はＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。

［（Ａ）成分］
［樹脂成分（Ａ１）］
本発明において（Ａ）成分は、前記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）（以下、「（Ａ１）成分」という。）を含有する。
（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０−１）及び（ａ１）に加えて、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有していてもよい。
（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０−１）及び（ａ１）に加えて、又は構成単位（ａ０−１）、（ａ１）及び（ａ２）に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有していてもよい。

「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子（アクリル酸のカルボニル基が結合する炭素原子）に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に置換基（水素原子以外の原子または基）が結合しているものも含む概念とする。該α位の炭素原子に結合する置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリル酸のカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、１〜５が好ましく、１が最も好ましい。
本発明において、アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。

（構成単位（ａ０−１））
構成単位（ａ０−１）は、上記一般式（ａ０−１）で表される構成単位である。
式（ａ０−１）中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。
Ｒ^１のアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Ｒ^１の炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Ｒ^１としては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。

式（ａ０−１）中、Ｒ^２は２価の連結基である。
Ｒ^２としては、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
該炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。

前記脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜２が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［−ＣＨ_２−］、エチレン基［−（ＣＨ_２）_２−］、トリメチレン基［−（ＣＨ_２）_３−］、テトラメチレン基［−（ＣＨ_２）_４−］、ペンタメチレン基［−（ＣＨ_２）_５−］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数３〜６のモノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数７〜１２のポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、１価の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに１つ除いた２価の芳香族炭化水素基；
当該２価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された芳香族炭化水素基；
ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等で、かつ、その芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに１つ除いた芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

「ヘテロ原子を含む２価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む２価の連結基として、具体的には、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、−ＮＨ−、−ＮＲ^０４（Ｒ^０４はアルキル基）−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、＝Ｎ−等が挙げられる。また、これらの「ヘテロ原子を含む２価の連結基」と２価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。２価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。

Ｒ^２は、その構造中に酸解離性部位を有していてもよいし、有していなくてもよい。「酸解離性部位」とは、当該有機基内における、露光により発生する酸が作用して解離する部位をいう。Ｒ^２が酸解離性部位を有する場合、好ましくは第三級炭素原子を有する酸解離性部位を有することが好ましい。

本発明において、Ｒ^２の２価の連結基としては、アルキレン基、２価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。これらの中でも、アルキレン基が特に好ましい。
Ｒ^２がアルキレン基である場合、該アルキレン基は、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜６であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが特に好ましく、炭素数１〜３であることが最も好ましい。具体的には、前記で挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^２が２価の脂肪族環式基である場合、該脂肪族環式基としては、前記「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」で挙げた環状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
該脂肪族環式基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基であることが特に好ましい。

Ｒ^２がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、式−Ａ−Ｏ−Ｂ−で表される基、式−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−で表される基等が挙げられる。ここで、ＡおよびＢはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、ｍは０〜３の整数である。
Ｒ^２が−ＮＨ−の場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８であることがさらに好ましく、１〜５であることが特に好ましい。
−Ａ−Ｏ−Ｂ−または−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−において、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。
ＡおよびＢにおける置換基を有していてもよい２価の炭化水素基としては、前記でＲ^２における「置換基を有していてもよい２価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ａとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Ｂとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
また、式−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−で表される基において、ｍは０〜３の整数であり、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が最も好ましい。

式（ａ０−１）中、Ｒ^３は、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。具体的には、Ｒ^３は、−ＳＯ_２−における硫黄原子（Ｓ）が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。
Ｒ^３における環式基とは、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環を含有する環式基を示し、該環をひとつの目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。Ｒ^３における環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
Ｒ^３は、特に、その環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を含む環式基、すなわち、−Ｏ−ＳＯ_２−中の−Ｏ−Ｓ−が環骨格の一部を形成するスルトン（ｓｕｌｔｏｎ）環、を有することが好ましい。
Ｒ^３における環式基は、炭素数が３〜３０であることが好ましく、４〜２０であることが好ましく、４〜１５であることがより好ましく、４〜１２であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。
Ｒ^３における環式基は、脂肪族環式基であってもよく、芳香族環式基であってもよい。好ましくは脂肪族環式基である。
Ｒ^３における脂肪族環式基としては、前記において挙げた環状の脂肪族炭化水素基の環骨格を構成する炭素原子の一部が−ＳＯ_２−または−Ｏ−ＳＯ_２−で置換されたものが挙げられる。
より具体的には、たとえば、前記単環式基としては、その環骨格を構成する−ＣＨ_２−が−ＳＯ_２−で置換されたモノシクロアルカンから水素原子１つを除いた基、その環を構成する−ＣＨ_２−ＣＨ_２−が−Ｏ−ＳＯ_２−で置換されたモノシクロアルカンから水素原子１つを除いた基等が挙げられる。また、前記多環式基としては、その環骨格を構成する−ＣＨ_２−が−ＳＯ_２−で置換されたポリシクロアルカン（ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等）から水素原子１つを除いた基、その環を構成する−ＣＨ_２−ＣＨ_２−が−Ｏ−ＳＯ_２−で置換されたポリシクロアルカンから水素原子１つを除いた基等が挙げられる。

Ｒ^３における環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子（＝Ｏ）、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子（−Ｏ−）に結合した基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
前記−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”におけるＲ”は、いずれも、水素原子または炭素数１〜１５の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。
Ｒ”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜５であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
Ｒ”が環状のアルキル基の場合は、炭素数３〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が１〜６であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも１つが水酸基で置換された基が挙げられる。
Ｒ^３として、より具体的には、下記一般式（３−１）〜（３−４）で表される基が挙げられる。

［式中、Ａ’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ａは０〜２の整数であり、Ｒ^６はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基である。］

前記一般式（３−１）〜（３−４）中、Ａ’は、酸素原子（−Ｏ−）もしくは硫黄原子（−Ｓ−）を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。
Ａ’における炭素数１〜５のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−Ｏ−または−Ｓ−が介在する基が挙げられ、たとえば−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｓ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−等が挙げられる。
Ａ’としては、炭素数１〜５のアルキレン基または−Ｏ−が好ましく、炭素数１〜５のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
ａは０〜２のいずれであってもよく、０が最も好ましい。
ａが２である場合、複数のＲ^６はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
Ｒ^６におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記Ｒ^３における環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
以下に、前記一般式（３−１）〜（３−４）で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ａｃ」はアセチル基を示す。

Ｒ^３としては、上記の中でも、前記一般式（３−１）、(３−３)、または(３−４)で表される基が好ましく、前記一般式（３−１）で表される基が特に好ましい。
Ｒ^３として具体的には、前記化学式（３−１−１）、（３−１−１８）、（３−３−１）および（３−４−１）のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式（３−１−１）で表される基が最も好ましい。

本発明において、構成単位（ａ０−１）としては、下記一般式（ａ０−１−１１）で表される構成単位が特に好ましい。

［式中、Ｒ^１は前記と同じであり、Ｒ^２’は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、Ａ’は前記と同じである。］

Ｒ^２’における直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜３が特に好ましく、１〜２が最も好ましい。
Ａ’はメチレン基、酸素原子（−Ｏ−）または硫黄原子（−Ｓ−）であることが好ましい。

構成単位（ａ０−１）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０−１）の割合は、当該（Ａ１）成分を含有するポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する際の、ＭＥＦ、形成されるレジストパターンの形状（例えばラインパターンであれば矩形性、ホールパターンであれば真円性等）、ＣＤＵ（面内均一性）、ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）等に優れることから、（Ａ１）成分を構成する全構成単位に対し、１〜７０モル％であることが好ましく、５〜６５モル％がより好ましく、１０〜６０モル％がさらに好ましい。
また、本発明においては、上記範囲内の構成単位（ａ０−１）を第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物に含有させることで、第一のレジストパターンに対する第二の膜形成用組成物の影響を低減し、良好なレジストパターンを形成することができる。

（構成単位（ａ１））
構成単位（ａ１）は、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
構成単位（ａ１）における酸解離性溶解抑制基は、解離前は（Ａ１−１）成分全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、露光により（Ｂ）成分から発生した酸の作用により解離してこの（Ａ１−１）成分全体のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものである。
構成単位（ａ１）における酸解離性溶解抑制基としては、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものを使用することができる。一般的には、（メタ）アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第３級アルキルエステルを形成する基；アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性溶解抑制基などが広く知られている。なお、「（メタ）アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。
「第３級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基（−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−）の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第３級炭素原子が結合している構造を示す。この第３級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第３級炭素原子との間で結合が切断される。
なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第３級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基」という。

第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基、脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基が挙げられる。
ここで、「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。「脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基」の構造は、炭素および水素からなる基（炭化水素基）であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基が挙げられる。式中、Ｒ^７１〜Ｒ^７３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基である。−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基は、炭素数が４〜８であることが好ましく、具体的にはｔｅｒｔ−ブチル基、２−メチル−２−ブチル基、２−メチル−２−ペンチル基、３−メチル−３−ペンチル基などが挙げられる。特にｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
「脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基」における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）、等が挙げられる。
該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基（炭化水素基）であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族環式基は、多環式基であることが好ましい。
該脂肪族環式基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基や、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。また、これらのモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基またはポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子（−Ｏ−）で置換されたものであってもよい。
脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、
（ｉ）１価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性溶解抑制基に隣接する原子（たとえば−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−における−Ｏ−）と結合する炭素原子に置換基（水素原子以外の原子または基）が結合して第３級炭素原子が形成されている基；
（ｉｉ）１価の脂肪族環式基と、これに結合する第３級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基；等が挙げられる。
前記（ｉ）の基において、脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性溶解抑制基に隣接する原子と結合する炭素原子に結合する置換基としては、たとえばアルキル基が挙げられる。該アルキル基としては、たとえば後述する式（１−１）〜（１−９）中のＲ^１４と同様のものが挙げられる。
前記（ｉ）の基の具体例としては、たとえば、下記一般式（１−１）〜（１−９）で表される基等が挙げられる。
前記（ｉｉ）の基の具体例としては、たとえば、下記一般式（２−１）〜（２−６）で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^１４はアルキル基であり、ｇは０〜８の整数である。］

［式中、Ｒ^１５およびＲ^１６は、それぞれ独立してアルキル基である。］

上記Ｒ^１４のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましい。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜５であることが好ましく、１〜４がより好ましく、１または２がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはｎ−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が３〜１０であることが好ましく、３〜５がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。
ｇは０〜３の整数が好ましく、１〜３の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましい。
Ｒ^１５〜Ｒ^１６のアルキル基としては、Ｒ^１４のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記式（１−１）〜（１−９）、（２−１）〜（２−６）中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子（−Ｏ−）で置換されていてもよい。
また、式（１−１）〜（１−９）、（２−１）〜（２−６）中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。

「アセタール型酸解離性溶解抑制基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のアルカリ可溶性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性溶解抑制基と、当該アセタール型酸解離性溶解抑制基が結合した酸素原子との間で結合が切断される。
アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、下記一般式（ｐ１）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^１’，Ｒ^２’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｎは０〜３の整数を表し、Ｙは炭素数１〜５のアルキル基または脂肪族環式基を表す。］

前記式（ｐ１）中、ｎは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、０が最も好ましい。
Ｒ^１’，Ｒ^２’のアルキル基としては、上記アクリル酸エステルについての説明で、α位の置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、Ｒ^１’，Ｒ^２’のうち少なくとも１つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性溶解抑制基（ｐ１）が、下記一般式（ｐ１−１）で表される基であることが好ましい。

［式中、Ｒ^１’、ｎ、Ｙは上記と同じである。］

Ｙのアルキル基としては、上記アクリル酸エステルについての説明で、α位の置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｙの脂肪族環式基としては、従来ＡｒＦレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基」で挙げた脂肪族環式基と同様のものが例示できる。

また、アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式（ｐ２）で示される基も挙げられる。

［式中、Ｒ^１７、Ｒ^１８はそれぞれ独立して直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり；Ｒ^１９は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。または、Ｒ^１７およびＲ^１９がそれぞれ独立に直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であって、Ｒ^１７の末端とＲ^１９の末端とが結合して環を形成していてもよい。］

Ｒ^１７、Ｒ^１８において、アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特にＲ^１７、Ｒ^１８の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
Ｒ^１９は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
Ｒ^１９が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数１〜５であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
Ｒ^１９が環状の場合は炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式（ｐ２）においては、Ｒ^１７及びＲ^１９がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基）であって、Ｒ^１９の末端とＲ^１７の末端とが結合していてもよい。
この場合、Ｒ^１７と、Ｒ^１９と、Ｒ^１９が結合した酸素原子と、該酸素原子およびＲ^１７が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、４〜７員環が好ましく、４〜６員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。

構成単位（ａ１）として、より具体的には、下記一般式（ａ１−０−１）で表される構成単位、下記一般式（ａ１−０−２）で表される構成単位等が挙げられる。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｘ^１は酸解離性溶解抑制基であり；Ｙ^２は２価の連結基であり；Ｘ^２は酸解離性溶解抑制基である。］

一般式（ａ１−０−１）において、Ｒのアルキル基、ハロゲン化アルキル基は、それぞれ、上記アクリル酸エステルについての説明で、α位の置換基として挙げたアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。Ｒとしては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
Ｘ^１は、酸解離性溶解抑制基であれば特に限定されることはなく、たとえば上述した第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基、アセタール型酸解離性溶解抑制基などを挙げることができ、第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基が好ましい。
一般式（ａ１−０−２）において、Ｒは上記と同様である。
Ｘ^２は、式（ａ１−０−１）中のＸ^１と同様である。
Ｙ^２の２価の連結基としては、特に限定されず、たとえばアルキレン基、２価の脂肪族環式基、２価の芳香族環式基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が挙げられる。
Ｙ^２がアルキレン基である場合、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜６であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが特に好ましく、炭素数１〜３であることが最も好ましい。
Ｙ^２が２価の脂肪族環式基である場合、該脂肪族環式基としては、水素原子が２個以上除かれた基であること以外は上記「脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基」で挙げた脂肪族環式基と同様のものが挙げられる。Ｙ^２における脂肪族環式基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカンまたはテトラシクロドデカンから水素原子が２個以上除かれた基が特に好ましい。
Ｙ^２が２価の芳香族環式基である場合、該芳香族環式基としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環から２個の水素原子を除いた基が挙げられる。芳香族炭化水素環としては、炭素数が６〜１５であることが好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環等が挙げられる。これらの中でも、ベンゼン環又はナフタレン環が特に好ましい。
芳香族炭化水素環が有してもよい置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。

Ｙ^２がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、ヘテロ原子を含む２価の連結基としては、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、式−Ａ−Ｏ−Ｂ−で表される基、式−Ａ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ−で表される基、式−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−で表される基等が挙げられる。ここで、式−Ａ−Ｏ−Ｂ−、−Ａ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ−または−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−中、ＡおよびＢはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、−Ｏ−は酸素原子であり、ｍは０〜３の整数である。
Ｙ^２が−ＮＨ−である場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８であることがさらに好ましく、１〜５であることが特に好ましい。

Ｙ^２が−Ａ−Ｏ−Ｂ−、−Ａ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ−または−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−である場合、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。
Ａにおける炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。Ａにおける脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Ａにおける脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８がより好ましく、２〜５がさらに好ましく、２が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基［−（ＣＨ_２）_２−］、トリメチレン基［−（ＣＨ_２）_３−］、テトラメチレン基［−（ＣＨ_２）_４−］、ペンタメチレン基［−（ＣＨ_２）_５−］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
これら直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数３〜６のモノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。
多環式基としては、炭素数７〜１２のポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

Ａとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Ｂとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
また、式−［Ａ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ−Ｂ−で表される基において、ｍは０〜３の整数であり、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が最も好ましい。

構成単位（ａ１）として、より具体的には、下記一般式（ａ１−１）〜（ａ１−４）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒ、Ｒ^１’、Ｒ^２’、ｎ、ＹおよびＹ^２はそれぞれ前記と同じであり、Ｘ’は第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基を表す。］

式中、Ｘ’は、前記第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^１’、Ｒ^２’、ｎ、Ｙとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性溶解抑制基」の説明において挙げた一般式（ｐ１）におけるＲ^１’、Ｒ^２’、ｎ、Ｙと同様のものが挙げられる。
Ｙ^２としては、上述の一般式（ａ１−０−２）におけるＹ^２と同様のものが挙げられる。
以下に、上記一般式（ａ１−１）〜（ａ１−４）で表される構成単位の具体例を示す。
以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

構成単位（ａ１）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
構成単位（ａ１）としては、上記の中でも、一般式（ａ１−１）または（ａ１−３）で表される構成単位が好ましく、具体的には前記式（ａ１−１−１）〜（ａ１−１−４）、（ａ１−１−２０）〜（ａ１−１−２３）、（ａ１−３−２５）〜（ａ１−３−３２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種を用いることがより好ましい。
さらに、構成単位（ａ１）としては、式（ａ１−１−１）〜（ａ１−１−３）で表される構成単位を包括する下記一般式（ａ１−１−０１）で表されるもの、式（ａ１−１−１６）〜（ａ１−１−１７）、（ａ１−１−２０）〜（ａ１−１−２３）で表される構成単位を包括する下記一般式（ａ１−１−０２）で表されるもの、式（ａ１−３−２５）〜（ａ１−３−２６）で表される構成単位を包括する下記一般式（ａ１−３−０１）で表されるもの、式（ａ１−３−２７）〜（ａ１−３−２８）で表される構成単位を包括する下記一般式（ａ１−３−０２）で表されるもの、式（ａ１−３−２９）〜（ａ１−３−３２）の構成単位を包括する下記一般式（ａ１−３−０３）で表されるものが好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し、Ｒ^１１は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ^１２は炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｈは１〜６の整数を示す。］

一般式（ａ１−１−０１）において、Ｒについては上記と同様である。
Ｒ^１１のアルキル基は、Ｒにおけるアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましい。
一般式（ａ１−１−０２）において、Ｒについては上記と同様である。
Ｒ^１２のアルキル基は、Ｒにおけるアルキル基と同様ものが挙げられ、メチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましい。
ｈは１又は２が好ましく、２が最も好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を示し；Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ^１３は水素原子またはメチル基であり、ａは１〜１０の整数であり、ｎ’は１〜６の整数である。］

式（ａ１−３−０１）または（ａ１−３−０２）中、Ｒについては上記と同様である。
Ｒ^１３は、水素原子が好ましい。
Ｒ^１４のアルキル基は、前記式（１−１）〜（１−９）中のＲ^１４と同様であり、メチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましい。
ａは、１〜８の整数が好ましく、２〜５の整数が特に好ましく、２が最も好ましい。
ｎ’は１または２が最も好ましい。

［式中、Ｒは前記と同じであり、Ｙ^２’およびＹ^２”はそれぞれ独立して２価の連結基であり、Ｘ’は酸解離性溶解抑制基であり、ｎは０〜３の整数である。］

式（ａ１−３−０３）中、Ｙ^２’、Ｙ^２” における２価の連結基としては、前記一般式（ａ１−３）におけるＹ^２と同様のものが挙げられる。
Ｙ^２’としては、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
Ｙ^２”としては、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
Ｘ’における酸解離性溶解抑制基は、前記と同様のものが挙げられ、第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基であることが好ましく、上述した（ｉ）１価の脂肪族環式基の環骨格上に第３級炭素原子を有する基がより好ましく、中でも、前記一般式（１−１）で表される基が好ましい。
ｎは０〜３の整数であり、ｎは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が最も好ましい。

（Ａ１）成分中、構成単位（ａ１）の割合は、当該（Ａ１）成分を構成する全構成単位に対し、１０〜８０モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましく、２５〜５０モル％がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

（構成単位（ａ２））
構成単位（ａ２）は、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−構造を含むひとつの環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつの目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
構成単位（ａ２）のラクトン環式基は、（Ａ１）成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有する現像液との親和性を高めたりするうえで有効なものである。
構成単位（ａ２）としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
具体的には、ラクトン含有単環式基としては、４〜６員環ラクトンから水素原子を１つ除いた基、たとえばβ−プロピオラクトンから水素原子を１つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子１つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を１つ除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
構成単位（ａ２）の例として、より具体的には、下記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｒ’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基または−ＣＯＯＲ”であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基であり；Ｒ^２９は単結合または２価の連結基であり、ｓ”は０〜２の整数であり；Ａ”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり；ｍは０または１である。］

一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）におけるＲは、前記構成単位（ａ１）におけるＲと同様である。
Ｒ’の炭素数１〜５のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
Ｒ’の炭素数１〜５のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。
Ｒ’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
Ｒ”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Ｒ”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜５であることがさらに好ましい。
Ｒ”が環状のアルキル基の場合は、炭素数３〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
Ａ”としては、前記一般式（３−１）中のＡ’と同様のものが挙げられる。Ａ”は、炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子（−Ｏ−）または硫黄原子（−Ｓ−）であることが好ましく、炭素数１〜５のアルキレン基または−Ｏ−がより好ましい。炭素数１〜５のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。

Ｒ^２９は単結合または２価の連結基である。２価の連結基としては、前記一般式（ａ０−１）中のＲ^２で説明した２価の連結基と同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、またはそれらの組み合わせが好ましい。Ｒ^２９における２価の連結基としてのアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。具体的には、前記Ｒ^２における脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^２９としては、特に、単結合、または−Ｒ^２９’−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−［式中、Ｒ^２９’は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。］が好ましい。
Ｒ^２９’における直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８がより好ましく、１〜５がさらに好ましく、１〜３が特に好ましく、１〜２が最も好ましい。
Ｒ^２９’における直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。Ｒ^２９’における分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−または−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−が特に好ましい。
式（ａ２−１）中、ｓ”は１〜２であることが好ましい。
以下に、前記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

（Ａ１）成分において、構成単位（ａ２）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明において、（Ａ１）成分が構成単位（ａ２）を有する場合、構成単位（ａ２）として、前記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−５）のいずれかで表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種を有することが好ましく、前記一般式（ａ２−１）〜（ａ２−３）のいずれかで表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種以上がより好ましく、前記一般式（ａ２−１）または（ａ２−２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも１種を有することが特に好ましい。

（Ａ１）成分が構成単位（ａ２）を有する場合、（Ａ１）成分中の構成単位（ａ２）の割合は、当該（Ａ１）成分を含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板等の支持体への密着性、現像液との親和性等に優れることから、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計に対し、５〜７０モル％以上であることが好ましく、１０〜６５モル％がより好ましく、１５〜６５モル％がさらに好ましく、２０〜６０モル％が最も好ましい。上記範囲とすることにより、ＭＥＦやパターン形状がさらに向上し、ＣＤＵも向上する。

（構成単位（ａ３））
構成単位（ａ３）は、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
（Ａ１−１）成分が構成単位（ａ３）を有することにより、（Ａ）成分の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、フッ素化アルコール基（アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基）等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
構成単位（ａ３）において、脂肪族炭化水素基に結合する極性基の数は、特に限定されないが、１〜３個が好ましく、１個が最も好ましい。
前記極性基が結合する脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１０の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基（好ましくはアルキレン基）や、多環式の脂肪族炭化水素基（多環式基）が挙げられる。該多環式基としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は７〜３０であることが好ましい。
構成単位（ａ３）としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基またはフッ素化アルコール基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから２個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから２個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから２個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから２個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。

極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数１〜１０の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基の場合、構成単位（ａ３）としては、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましい。
また、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が多環式基の場合、構成単位（ａ３）としては、下記式（ａ３−１）で表される構成単位、一般式（ａ３−２）で表される構成単位、一般式（ａ３−３）で表される構成単位等が好ましい。中でも、一般式（ａ３−１）で表される構成単位が好ましい。

［式中、Ｒは前記に同じであり、ｊは１〜３の整数であり、ｋは１〜３の整数であり、ｔ’は１〜３の整数であり、ｌは１〜５の整数であり、ｓは１〜３の整数である。］

式（ａ３−１）中、ｊは１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。ｊが２の場合は、水酸基がアダマンチル基の３位と５位に結合しているものが好ましい。ｊが１の場合は、水酸基がアダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。
ｊは１であることが好ましく、特に水酸基がアダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。
式（ａ３−２）中、ｋは１であることが好ましい。シアノ基はノルボルニル基の５位または６位に結合していることが好ましい。
式（ａ３−３）中、ｔ’は１であることが好ましい。ｌは１であることが好ましい。sは１であることが好ましい。これらはアクリル酸のカルボキシ基の末端に２−ノルボルニル基または３−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールはノルボルニル基の５又は６位に結合していることが好ましい。

構成単位（ａ３）としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ１）成分中、構成単位（ａ３）の割合は、当該（Ａ１）成分を構成する全構成単位に対し、５〜５０モル％であることが好ましく、５〜４０モル％がより好ましく、５〜２５モル％がさらに好ましい。

（Ａ１）成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａ１）〜（ａ３）以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
該他の構成単位は、上述の構成単位（ａ１）〜（ａ３）に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該他の構成単位としては、例えば、酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ４）、後述する（Ａ’）成分の説明で挙げる構成単位（ａ５’）等が挙げられる。ただし本発明において、当該第一のポジ型レジスト組成物の各成分を溶解する有機溶剤としてアルコール系溶剤、フッ素系溶剤および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも１種を用いない場合、当該（Ａ１）成分は、構成単位（ａ５’）を有さないことが好ましい。一方、当該第一のポジ型レジスト組成物の各成分を溶解する有機溶剤としてアルコール系溶剤、フッ素系溶剤および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも１種を用いる場合、当該（Ａ１）成分は、それらの有機溶剤に対する溶解性の点から、構成単位（ａ５’）を有することが好ましい。

構成単位（ａ４）における脂肪族多環式基は、例えば、前記の構成単位（ａ１）の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも１種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位（ａ４）として、具体的には、下記一般式（ａ４−１）〜（ａ４−５）の構造のものを例示することができる。

［式中、Ｒは前記と同じである。］

構成単位（ａ４）を（Ａ１）成分に含有させる際には、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位（ａ４）を１〜３０モル％含有させることが好ましく、１０〜２０モル％含有させることがより好ましい。

（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０−１）及び（ａ１）を有する共重合体である。かかる共重合体としては、たとえば、上記構成単位（ａ０−１）、（ａ１）及び（ａ３）からなる共重合体、上記構成単位（ａ０−１）、（ａ１）、（ａ２）及び（ａ３）からなる共重合体等が例示できる。
本発明において、（Ａ１）成分としては、特に下記一般式（Ａ１−１１）、（Ａ１−１２）に示す構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２’、Ａ’、Ｒ、Ｒ^１１、ｊ、Ｒ^２９、ｓ”はそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるＲは、同じであっても異なっていてもよい。］

（Ａ１）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、（Ａ１）成分には、上記重合の際に、たとえばＨＳ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。

（Ａ）成分において、（Ａ１）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。
（Ａ１）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜２００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、（Ａ１）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

［（Ａ２）成分］
本発明における（Ａ）成分は、上記（Ａ１）成分以外に、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する低分子化合物（Ａ２）（以下、「（Ａ２）成分」という。）を含有していてもよい。
（Ａ２）成分としては、分子量が５００以上４０００未満であって、上述の（Ａ１）成分の説明で例示したような酸解離性溶解抑制基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性溶解抑制基で置換されたものが挙げられる。
（Ａ２）成分は、たとえば、非化学増幅型のｇ線やｉ線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性溶解抑制基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。
かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、ビス（２，３，−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、２，３，４−トリヒドロキシフェニル−４'−ヒドロキシフェニルメタン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２'，３'，４'−トリヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２'，４'−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−２−（３'−フルオロ−４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシフェニル）プロパン、及び２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４'−ヒドロキシ−３'，５'−ジメチルフェニル）プロパン等のビスフェノール型化合物；トリス（４−ヒドロシキフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、及びビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン等のトリスフェノール型化合物；２，４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−５−ヒドロキシフェノール、及び２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール等のリニア型３核体フェノール化合物；１，１−ビス［３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル］イソプロパン、ビス［２，５−ジメチル−３−（４−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［２，５−ジメチル−３−（４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−エチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル］メタン、ビス［３−（３，５−ジエチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−ヒドロキシ−５−エチルフェニル］メタン、ビス［２−ヒドロキシ−３−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［２−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−５−メチルフェニル］メタン、及びビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタン等のリニア型４核体フェノール化合物；２，４−ビス［２−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノール、２，４−ビス［４−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノール、及び２，６−ビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシベンジル］−４−メチルフェノール等のリニア型５核体フェノール化合物等のリニア型ポリフェノール化合物；１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、及び１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン等の多核枝分かれ型化合物；フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の２〜１２核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。
酸解離性溶解抑制基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。

（Ａ）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポジ型レジスト組成物中、（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。

［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）で表される化合物を用いることができる。

［式中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”，Ｒ^５”〜Ｒ^６”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基を表し；式（ｂ−１）におけるＲ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく；Ｒ^４”は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基またはアルケニル基を表し；Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち少なくとも１つはアリール基を表し、Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち少なくとも１つはアリール基を表す。］

式（ｂ−１）中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基を表す。なお、式（ｂ−１）におけるＲ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、２以上がアリール基であることが好ましく、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。

Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数６〜２０のアリール基が挙げられる。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
該アリール基は、置換基を有していてもよい。「置換基を有する」とは、当該アリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味し、該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシアルキルオキシ基、−Ｏ−Ｒ^５０−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｏ）_ｎ−Ｒ^５１［式中、Ｒ^５０はアルキレン基または単結合であり、Ｒ^５１は酸解離性基または酸非解離性基であり、ｎは０または１である。］等が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^４７）（Ｒ^４８）−Ｏ−Ｒ^４９［式中、Ｒ^４７およびＲ^４８はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、Ｒ^４９はアルキル基であり、Ｒ^４８およびＲ^４９は相互に結合して一つの環構造を形成していても良い。ただし、Ｒ^４７およびＲ^４８のうち少なくとも１つは水素原子である。］が挙げられる。
Ｒ^４７、Ｒ^４８において、アルキル基の炭素数は好ましくは１〜５であり、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
そして、Ｒ^４７およびＲ^４８は、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることが好ましく、Ｒ^４７およびＲ^４８がいずれも水素原子であることが特に好ましい。
Ｒ^４９のアルキル基としては、好ましくは炭素数が１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Ｒ^４９における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が１〜５であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。
Ｒ^４９における環状のアルキル基としては、炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０であることが最も好ましい。
具体的には炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
Ｒ^４８およびＲ^４９は、相互に結合して一つの環構造を形成していても良い。この場合、Ｒ^４８とＲ^４９と、Ｒ^４９が結合した酸素原子と、該酸素原子およびＲ^４８が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、４〜７員環が好ましく、４〜６員環がより好ましい。

前記アリール基の水素原子が置換されていてもよい−Ｏ−Ｒ^５０−Ｃ（＝Ｏ）−（Ｏ）_ｎ−Ｒ^５１中、Ｒ^５０におけるアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、その炭素数は１〜５が好ましい。該アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、１，１−ジメチルエチレン基などが挙げられる。
Ｒ^５１における酸解離性基としては、酸（露光時に（Ｂ）成分から発生する酸）の作用により解離しうる有機基であれば特に限定されず、たとえば前記（Ａ）成分の説明で挙げた酸解離性溶解抑制基と同様のものが挙げられる。中でも、第３級アルキルエステル型のものが好ましい。
Ｒ^５１における酸非解離性基としては、好ましくはデシル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、１−（１−アダマンチル）メチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基が挙げられる。

Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数１〜１０の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数１〜５であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
該アルキル基は、置換基を有していてもよい。「置換基を有する」とは、当該アルキル基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味し、該置換基としては、前記アリール基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。

式（ｂ−１）中、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。該環は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。また、該環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。たとえば環を形成する２つのうちの一方または両方が環式基（環状のアルキル基またはアリール基）である場合、それらが結合すると、多環式の環（縮合環）が形成される。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうちの２つが結合して環を形成する場合、式中のイオウ原子をその環骨格に含む１つの環が、イオウ原子を含めて、３〜１０員環であることが好ましく、５〜７員環であることが特に好ましい。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうちの２つが結合して形成される環の具体例としては、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、９Ｈ−チオキサンテン、チオキサントン、チアントレン、フェノキサチイン、テトラヒドロチオフェニウム、テトラヒドロチオピラニウムなどが挙げられる。
Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの１つはアリール基であることが好ましい。

式（ｂ−１）で表される化合物のカチオン部のうち、Ｒ^１”〜Ｒ^３”が全て、置換基を有していてもよいフェニル基である場合、つまり当該カチオン部がトリフェニルスルホニウム骨格を有する場合の好ましい具体例としては、たとえば、下記式（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−１５）で表されるカチオン部が挙げられる。

また、これらのカチオン部におけるフェニル基の一部または全部が、置換基を有していてもよいナフチル基で置換されたものも好ましいものとして挙げられる。３つのフェニル基のうち、ナフチル基で置換されるのは、１または２が好ましい。

また、式（ｂ−１）で表される化合物のカチオン部のうち、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のうちのいずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合の好ましい具体例としては、たとえば、下記式（Ｉ−１１−１０）〜（Ｉ−１１−１３）で表されるカチオン部が挙げられる。

［式中、Ｒ^９は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基または炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ^１０は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基または水酸基であり、ｕは１〜３の整数である。］

［式中、Ｚ^４は単結合、メチレン基、硫黄原子、酸素原子、窒素原子、カルボニル基、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ_３−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−または−Ｎ（Ｒ_Ｎ）−（該Ｒ_Ｎは炭素数１〜５のアルキル基である。）であり；Ｒ^４１〜Ｒ^４６はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり；ｎ_１〜ｎ_５はそれぞれ独立して０〜３の整数であり、ｎ_６は０〜２の整数である。］

式（Ｉ−１１−１０）〜（Ｉ−１１−１１）中、Ｒ^９〜Ｒ^１０において、フェニル基またはナフチル基が有していてもよい置換基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”におけるアリール基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。また、Ｒ^９〜Ｒ^１０におけるアルキル基が有していてもよい置換基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”におけるアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
ｕは１〜３の整数であり、１または２が最も好ましい。
式（Ｉ−１１−１２）〜（Ｉ−１１−１３）中、Ｒ^４１〜Ｒ^４６において、アルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、又はｔｅｒｔ−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
Ｒ^４１〜Ｒ^４６に付された符号ｎ_１〜ｎ_６が２以上の整数である場合、複数のＲ^４１〜Ｒ^４６はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
ｎ_１は、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０又は１であり、さらに好ましくは０である。
ｎ_２およびｎ_３は、好ましくはそれぞれ独立して０又は１であり、より好ましくは０である。
ｎ_４は、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ_５は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。
ｎ_６は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。

式（ｂ−１）〜（ｂ−２）中、Ｒ^４”は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。
Ｒ^４”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであっても良い。
前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜４であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
Ｒ^４”におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合（ハロゲン化率（％））が、１０〜１００％であることが好ましく、５０〜１００％であることが好ましく、１００％が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。
前記Ｒ^４”におけるアリール基は、炭素数６〜２０のアリール基であることが好ましい。
前記Ｒ^４”におけるアルケニル基は、炭素数２〜１０のアルケニル基であることが好ましい。
前記Ｒ^４”において、「置換基を有していても良い」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基（水素原子以外の他の原子または基）で置換されていても良いことを意味する。
Ｒ^４”における置換基の数は１つであってもよく、２つ以上であってもよい。

前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式：Ｘ−Ｑ^１−［式中、Ｑ^１は酸素原子を含む２価の連結基であり、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の炭化水素基である。］で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、Ｒ^４”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。

Ｘ−Ｑ^１−で表される基において、Ｑ^１は酸素原子を含む２価の連結基である。
Ｑ^１は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む２価の連結基としては、たとえば、酸素原子（エーテル結合；−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、アミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基；該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−Ｒ^９１−Ｏ−、−Ｒ^９２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^９３−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^９３−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（式中、Ｒ^９１〜Ｒ^９３はそれぞれ独立にアルキレン基である。）等が挙げられる。
Ｒ^９１〜Ｒ^９３におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基［−ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；エチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；トリメチレン基（ｎ−プロピレン基）［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；テトラメチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基；ペンタメチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］等が挙げられる。
Ｑ^１としては、エステル結合またはエーテル結合を含む２価の連結基が好ましく、なかでも、−Ｒ^９１−Ｏ−、−Ｒ^９２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^９３−または−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^９３−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

Ｘ−Ｑ^１−で表される基において、Ｘの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は３〜３０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましく、５〜２０がさらに好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１２が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。

Ｘにおける脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Ｘにおいて、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
Ｘにおける「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
「ヘテロ原子を含む置換基」（以下、ヘテロ原子含有置換基ということがある。）は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。

前記脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基としては、たとえば−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−等が挙げられる。−ＮＨ−である場合、そのＨを置換してもよい置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましく、炭素数１〜５であることが特に好ましい。
脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。

前記脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、アルコキシ基、水酸基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８０［Ｒ^８０はアルキル基である。］、−ＣＯＯＲ^８１［Ｒ^８１は水素原子またはアルキル基である。］、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、酸素原子（＝Ｏ）、硫黄原子、スルホニル基（ＳＯ_２）等が挙げられる。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのアルコキシ基におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状の何れであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。その炭素数は１〜３０が好ましい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１７であることがより好ましく、１〜１５であることがさらに好ましく、１〜１０が特に好ましい。具体的には、この後例示する直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基の具体例と同様のものが挙げられる。該アルキル基が環状である場合（シクロアルキル基である場合）、その炭素数は、３〜３０であることが好ましく、３〜２０がより好ましく、３〜１５がさらに好ましく、炭素数４〜１２であることが特に好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。これらのシクロアルキル基は、その環に結合した水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ素化アルキル基等の置換基で置換されていてもよいし、されていなくてもよい。
前記ヘテロ原子含有置換基としての−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８０、−ＣＯＯＲ^８１において、Ｒ^８０、Ｒ^８１におけるアルキル基としては、前記アルコキシ基におけるアルキル基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのハロゲン化アルキル基におけるアルキル基としては、前記アルコキシ基におけるアルキル基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が特に好ましい。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのハロゲン化アルコキシ基としては、前記アルコキシ基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルコキシ基としては、フッ素化アルコキシ基が好ましい。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、前記アルコキシ基におけるアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも１つが水酸基で置換された基が挙げられる。ヒドロキシアルキル基が有する水酸基の数は、１〜３が好ましく、１が最も好ましい。

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の１価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族環式基）が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基（アルキル基）としては、炭素数が１〜２０であることが好ましく、１〜１５であることがより好ましく、１〜１０が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基（アルキル基）としては、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１５であることがより好ましく、３〜１０が最も好ましい。具体的には、例えば、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、炭素数が２〜１０であることが好ましく、２〜５が好ましく、２〜４が好ましく、３が特に好ましい。直鎖状の１価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の１価の不飽和炭化水素基としては、例えば、１−メチルプロペニル基、２−メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としてはプロペニル基が特に好ましい。

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は３〜３０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましく、５〜２０がさらに好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１２が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば以下の式（Ｌ１）〜（Ｌ６）、（Ｓ１）〜（Ｓ４）で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｑ”は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ｍは０または１の整数である。］

式中、Ｑ”におけるアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、その炭素数は１〜５が好ましい。具体的には、メチレン基［−ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；エチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；トリメチレン基（ｎ−プロピレン基）［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；テトラメチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基；ペンタメチレン基［−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−］等が挙げられる。これらの中でも、メチレン基またはアルキルメチレン基が好ましく、メチレン基、−ＣＨ（ＣＨ_３）−または−Ｃ（ＣＨ_３）_２−が特に好ましい。
該アルキレン基は、酸素原子（−Ｏ−）もしくは硫黄原子（−Ｓ−）を含んでいてもよい。その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−Ｏ−または−Ｓ−が介在する基が挙げられ、たとえば−Ｏ−Ｒ^９４−、−Ｓ−Ｒ^９５−、−Ｒ^９６−Ｏ−Ｒ^９７−、−Ｒ^９８−Ｓ−Ｒ^９９−等が挙げられる。ここで、Ｒ^９４〜Ｒ^９９はそれぞれ独立にアルキレン基である。該アルキレン基としては、前記Ｑ”におけるアルキレン基として挙げたアルキレン基と同様のものが挙げられる。中でも、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｓ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−等が好ましい。

これらの脂肪族環式基は、水素原子の一部または全部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、水酸基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８０［Ｒ^８０はアルキル基である。］、−ＣＯＯＲ^８１［Ｒ^８１は水素原子またはアルキル基である。］、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、酸素原子（＝Ｏ）、硫黄原子、スルホニル基（ＳＯ_２）等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、前記ヘテロ原子含有置換基としてのアルコキシ基におけるアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
該アルキル基としては、特に、炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。また、該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのハロゲン原子、アルコキシ基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８０、−ＣＯＯＲ^８１、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基としては、それぞれ、前記脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
脂肪族環式基の水素原子を置換する置換基としては、上記の中でも、アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）、水酸基が好ましい。
脂肪族環式基が有する置換基の数は、１つであってもよく、２以上であってもよい。置換基を複数有する場合、該複数の置換基はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

Ｘとしては、置換基を有していてもよい環式基が好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基、前記（Ｌ２）〜（Ｌ５）、（Ｓ３）〜（Ｓ４）で表される基等が好ましい。

本発明において、Ｒ^４”は、置換基としてＸ−Ｑ^１−を有することが好ましい。この場合、Ｒ^４”としては、Ｘ−Ｑ^１−Ｙ^１−［式中、Ｑ^１およびＸは前記と同じであり、Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基である。］で表される基が好ましい。
Ｘ−Ｑ^１−Ｙ^１−で表される基において、Ｙ^１のアルキレン基としては、前記Ｑ^１で挙げたアルキレン基のうち炭素数１〜４のものと同様のものが挙げられる。
フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
Ｙ^１として、具体的には、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）（ＣＦ_２ＣＦ_３）−；−ＣＨＦ−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_２ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＦ_３）−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨ（ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＨ_２−；−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−等が挙げられる。

Ｙ^１としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３）−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２−、−ＣＦ（ＣＦ_２ＣＦ_３）ＣＦ_２−；−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−；−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−等を挙げることができる。
これらの中でも、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、又はＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−が好ましく、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−がより好ましく、−ＣＦ_２−が特に好ましい。

前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。

式（ｂ−２）中、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のうち、少なくとも１つはアリール基を表す。Ｒ^５”〜Ｒ^６”のすべてがアリール基であることが好ましい。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアリール基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^５”〜Ｒ^６”のアルキル基としては、Ｒ^１”〜Ｒ^３”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、Ｒ^５”〜Ｒ^６”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
式（ｂ−２）中のＲ^４”としては上記式（ｂ−１）のＲ^４”と同様のものが挙げられる。

式（ｂ−１）、（ｂ−２）で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート；ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート；トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；トリ（４−メチルフェニル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；ジフェニル（１−（４−メトキシ）ナフチル）スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；ジ（１−ナフチル）フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−メチルフェニル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート；１−（４−メチルフェニル）テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部をメタンスルホネート、ｎ−プロパンスルホネート、ｎ−ブタンスルホネート、ｎ−オクタンスルホネート、１−アダマンタンスルホネート、２−ノルボルナンスルホネート、ｄ−カンファー−１０−スルホネート等のアルキルスルホネート；ベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−トルエンスルホネート等の芳香族スルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式（ｂ１）〜（ｂ８）のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。

［式中、ｐは１〜３の整数であり、ｖ０は０〜３の整数であり、ｑ１〜ｑ２はそれぞれ独立に１〜５の整数であり、ｑ３は１〜１２の整数であり、ｒ１〜ｒ２はそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｇは１〜２０の整数であり、ｔ３は１〜３の整数であり、Ｒ^７は置換基であり、Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。］

［式中、ｐ、Ｒ^７、Ｑ”はそれぞれ前記と同じであり、ｎ１〜ｎ５はそれぞれ独立に０または１であり、ｖ１〜ｖ５はそれぞれ独立に０〜３の整数であり、ｗ１〜ｗ５はそれぞれ独立に０〜３の整数である。］

Ｒ^７の置換基としては、アルキル基、ヘテロ原子含有置換基等が挙げられる。アルキル基としては、前記Ｘの説明で、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。また、ヘテロ原子含有置換基としては、前記Ｘの説明で、脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｒ^７に付された符号（ｒ１〜ｒ２、ｗ１〜ｗ５）が２以上の整数である場合、当該化合物中の複数のＲ^７はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
Ｒ^８におけるアルキル基、ハロゲン化アルキル基としては、それぞれ、上記Ｒにおけるアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｒ１〜ｒ２、ｗ１〜ｗ５は、それぞれ、０〜２の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。
ｖ０〜ｖ５は０〜２が好ましく、０または１が最も好ましい。
ｔ３は、１または２が好ましく、１であることが最も好ましい。
ｑ３は、１〜５であることが好ましく、１〜３であることがさらに好ましく、１であることが最も好ましい。

また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式（ｂ−１）又は（ｂ−２）において、アニオン部を下記一般式（ｂ−３）又は（ｂ−４）で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる（カチオン部は（ｂ−１）又は（ｂ−２）と同様）。

［式中、Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２〜６のアルキレン基を表し；Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ｙ”、Ｚ”は、相互に結合して、式中の２つの−ＳＯ_２−及び窒素原子と共に環を形成してもよい。］

Ｘ”は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は２〜６であり、好ましくは炭素数３〜５、最も好ましくは炭素数３である。
Ｙ”、Ｚ”は、それぞれ独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は１〜１０であり、好ましくは炭素数１〜７、より好ましくは炭素数１〜３である。
Ｘ”のアルキレン基の炭素数またはＹ”、Ｚ”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、Ｘ”のアルキレン基またはＹ”、Ｚ”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また２００ｎｍ以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０〜１００％、さらに好ましくは９０〜１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。

また、前記一般式（ｂ−１）または（ｂ−２）において、アニオン部（Ｒ^４”ＳＯ_３ ⁻）を、Ｒ^７”−ＣＯＯ⁻［式中、Ｒ^７”はアルキル基またはフッ素化アルキル基である。］に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる（カチオン部は（ｂ−１）または（ｂ−２）と同様）。
Ｒ^７”としては、前記Ｒ^４”と同様のものが挙げられる。
上記「Ｒ^７”−ＣＯＯ⁻」の具体的としては、トリフルオロ酢酸イオン、酢酸イオン、１−アダマンタンカルボン酸イオンなどが挙げられる。

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式（Ｂ−１）で表される基を少なくとも１つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。

［式（Ｂ−１）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２はそれぞれ独立に有機基を表す。］

Ｒ^３１、Ｒ^３２の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子（たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子等）等）を有していてもよい。
Ｒ^３１の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数１〜６の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜１０がより好ましく、炭素数１〜８がさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数１〜４が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基（以下、ハロゲン化アルキル基ということがある）が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数４〜２０が好ましく、炭素数４〜１０がより好ましく、炭素数６〜１０が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
Ｒ^３１としては、特に、置換基を有さない炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１〜４のフッ素化アルキル基が好ましい。
Ｒ^３２の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。Ｒ^３２のアルキル基、アリール基としては、前記Ｒ^３１で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３２としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数１〜８のアルキル基、または炭素数１〜８のフッ素化アルキル基が好ましい。

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式（Ｂ−２）または（Ｂ−３）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｂ−２）中、Ｒ^３３は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３４はアリール基である。Ｒ^３５は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。］

［式（Ｂ−３）中、Ｒ^３６はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^３７は２または３価の芳香族炭化水素基である。Ｒ^３８は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。ｐ”は２または３である。］

前記一般式（Ｂ−２）において、Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３３としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３３におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、７０％以上フッ素化されていることがより好ましく、９０％以上フッ素化されていることが特に好ましい。
Ｒ^３４のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）基、フルオレニル（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）基、ナフチル基、アントリル（ａｎｔｈｒｙｌ）基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を１つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
Ｒ^３４のアリール基は、炭素数１〜１０のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜８であることが好ましく、炭素数１〜４がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８がより好ましく、炭素数１〜６が最も好ましい。
Ｒ^３５としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
Ｒ^３５におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が５０％以上フッ素化されていることが好ましく、７０％以上フッ素化されていることがより好ましく、９０％以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が１００％フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。

前記一般式（Ｂ−３）において、Ｒ^３６の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３３の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３７の２または３価の芳香族炭化水素基としては、上記Ｒ^３４のアリール基からさらに１または２個の水素原子を除いた基が挙げられる。
Ｒ^３８の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記Ｒ^３５の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
ｐ”は好ましくは２である。

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−ニトロ−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−クロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，４−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−２，６−ジクロロベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（２−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）−チエン−２−イルアセトニトリル、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−［（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−［（ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニル］アセトニトリル、α−（トシルオキシイミノ）−４−チエニルシアニド、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロオクテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−エチルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−プロピルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロペンチルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−シクロヘキシルアセトニトリル、α−（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（ｎ−ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−メチルフェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−ｐ−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平９−２０８５５４号公報（段落［００１２］〜［００１４］の［化１８］〜［化１９］）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、ＷＯ２００４／０７４２４２Ａ２（６５〜８５頁目のＥｘａｍｐｌｅ１〜４０）に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平１１−０３５５５１号公報、特開平１１−０３５５５２号公報、特開平１１−０３５５７３号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類としては、例えば、特開平１１−３２２７０７号公報に開示されている、１，３−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，４−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン、１，６−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン、１，２−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン、１，３−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン、１，６−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１，１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンなどを挙げることができる。

（Ｂ）成分としては、これらの酸発生剤を１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポジ型レジスト組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０．５〜５０質量部が好ましく、１〜４０質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。

［任意成分・（Ｄ）成分］
ポジ型レジスト組成物は、さらに、任意の成分として、含窒素有機化合物（以下、（Ｄ）成分という）を含有してもよい。
（Ｄ）成分としては、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記（Ｂ）成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよい。
（Ｄ）成分としては、通常、低分子化合物（非重合体）が用いられている。（Ｄ）成分としては、たとえば、脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、脂肪族アミンが好ましく、特に第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンが好ましい。ここで、脂肪族アミンとは、１つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が１〜２０であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアＮＨ_３の水素原子の少なくとも１つを、炭素数２０以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン）又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−オクタノールアミン、トリ−ｎ−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、トリアルキルアミンおよび／またはアルキルアルコールアミンが好ましい。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が６〜１０のものが好ましく、具体的には、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。
その他の脂肪族アミンとしては、トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチルアミン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、たとえば、アニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、２，６−ジイソプロピルアニリン、２，２’−ジビリジル、４，４’−ジビリジルなどが挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｄ）成分は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。

［任意成分・（Ｅ）成分］
ポジ型レジスト組成物は、さらに、任意の成分として、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の化合物（以下、（Ｅ）成分という。）を含有してもよい。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸およびその誘導体としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１５のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
（Ｅ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（Ｅ）成分は、（Ａ）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。

ポジ型レジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

［任意成分・（Ｓ）成分］
上記ポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤（以下、（Ｓ）成分ということがある）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
たとえば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＥＬが好ましい。
また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。
また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
（Ｓ）成分の使用量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が１〜２０質量％、好ましくは２〜１５質量％の範囲内となるように用いられる。

≪第二の膜形成用組成物≫
第二の膜形成用組成物としては、第一のレジストパターン上に膜を形成できるものであれば特に限定されるものではない。第二の膜形成用組成物の好ましいものについて、上述した実施形態ごとに、以下に説明する。

＜第１の実施形態における第二の膜形成用組成物＞
第１の実施形態における第二の膜形成用組成物は、上述したように化学増幅型ポジ型レジスト組成物である。
かかる化学増幅型ポジ型レジスト組成物としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、且つ、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有するものであればよく、前記第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げたような、これまで提案されている多数の化学増幅型レジスト組成物のなかから適宜選択して用いることができる。
なかでも、第１の実施形態における第二の膜形成用組成物（第二の化学増幅型ポジ型レジスト組成物）としては、たとえば、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ’−１）（以下、「（Ａ’−１）成分」という。）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）（以下、「（Ｂ’）成分」という。）、及び前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ’）（以下、「（Ｓ’）成分」という。）を含有するものが挙げられる。

［（Ａ’−１）成分］
（Ａ’−１）成分としては、前記（Ａ）成分の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
本発明においては、（Ａ’−１）成分が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ’−１１）（以下、（Ａ’−１１）成分ということがある。）を含有するものが好ましく、アクリル酸エステルから誘導される構成単位を含有するものがより好ましい。
かかる（Ａ’−１１）成分は、特に、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１’）を有することが好ましい。
また、（Ａ’−１１）成分は、構成単位（ａ１’）に加えて、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２’）を有することが好ましい。
（Ａ’−１１）成分は、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３’）を有することが好ましい。
（Ａ’−１１）成分は、さらに、下記一般式（ａ５’）で表される構成単位（ａ５’）を有することが好ましい。
（Ａ’−１１）成分は、さらに、前期構成単位（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１’）を有していてもよい。この場合の（Ａ’−１１）成分中の構成単位（ａ０−１）の割合は、好ましくは１０モル％以下であり、より好ましくは１〜１０モル％である。上記範囲とすることで、（Ｓ’）成分に対する良好な溶解性が維持できる。
各構成単位は、それぞれ、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

［式（ａ５’）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｙ^１は脂肪族環式基であり、Ｚは第３級アルキル基含有基またはアルコキシアルキル基であり；ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、且つａ＋ｂ＝１〜３であり；ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ独立して０〜３の整数である。］

上記のうち、構成単位（ａ１’）としては、前記（Ａ１）成分の説明で挙げた構成単位（ａ１）と同様のものが挙げられる。
（Ａ’−１１）成分中、構成単位（ａ１’）の割合は、当該（Ａ’−１１）成分を構成する全構成単位に対し、１０〜８０モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましく、２５〜５０モル％がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

上記のうち、構成単位（ａ２’）としては、前記（Ａ１）成分の説明で挙げた構成単位（ａ２）と同様のものが挙げられる。
（Ａ１’）成分中、構成単位（ａ２’）の割合は、当該（Ａ１’）成分を構成する全構成単位の合計に対し、５〜６０モル％が好ましく、１０〜５０モル％がより好ましく、２０〜５０モル％がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位（ａ２）を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。

上記のうち、構成単位（ａ３’）としては、前記（Ａ１）成分の説明で挙げた構成単位（ａ３）と同様のものが挙げられる。
（Ａ’−１１）成分中、構成単位（ａ３’）の割合は、当該（Ａ’−１１）成分を構成する全構成単位に対し、５〜５０モル％であることが好ましく、５〜４０モル％がより好ましく、５〜２５モル％がさらに好ましい。

構成単位（ａ５’）は、前記一般式（ａ５’）で表される構成単位である。
式（ａ５’）中、Ｒは、前記構成単位（ａ１）の説明中のＲと同様である。Ｒとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
Ｙ^１は脂肪族環式基である。「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
構成単位（ａ５’）における「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
「脂肪族環式基」の置換基を除いた基本の環（脂肪族環）の構造は、炭素および水素からなる環（炭化水素環）であることに限定はされず、その環（脂肪族環）の構造中に酸素原子を含んでいてもよい。また、「炭化水素環」は飽和、不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族環式基は、多環式基、単環式基のいずれでもよい。脂肪族環式基としては、例えば、低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン；ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
また、当該脂肪族環式基としては、例えば、低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいテトラヒドロフラン、テトラヒドロピランから２個以上の水素原子を除いた基等も挙げられる。
構成単位（ａ５’）における脂肪族環式基は、多環式基であることが好ましく、中でも、アダマンタンから２個以上の水素原子を除いた基が好ましい。

前記一般式（ａ５’）中、Ｚは、第３級アルキル基含有基またはアルコキシアルキル基である。

（第３級アルキル基含有基）
「第３級アルキル基」は、第３級炭素原子を有するアルキル基を示す。「アルキル基」は、上述のように、１価の飽和炭化水素基を示し、鎖状（直鎖状、分岐鎖状）のアルキル基および環状構造を有するアルキル基を包含する。
「第３級アルキル基含有基」は、その構造中に第３級アルキル基を含む基を示す。第３級アルキル基含有基は、第３級アルキル基のみから構成されていてもよく、第３級アルキル基と、第３級アルキル基以外の他の原子または基とから構成されていてもよい。
第３級アルキル基とともに第３級アルキル基含有基を構成する前記「第３級アルキル基以外の他の原子または基」としては、カルボニルオキシ基、カルボニル基、アルキレン基、酸素原子（−Ｏ−）等が挙げられる。

Ｚにおける第３級アルキル基含有基としては、環状構造を有さない第３級アルキル基含有基、環状構造を有する第３級アルキル基含有基等が挙げられる。
環状構造を有さない第３級アルキル基含有基は、第３級アルキル基として分岐鎖状の第３級アルキル基を含有し、かつ、その構造内に環状構造を有さない基である。
分岐鎖状の第３級アルキル基としては、たとえば下記一般式（Ｉ）で表される基が挙げられる。

式（Ｉ）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２３は、それぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。該アルキル基の炭素数は１〜５が好ましく、１〜３がより好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表される基の全炭素数は、４〜７であることが好ましく、４〜６であることがより好ましく、４〜５であることが最も好ましい。
一般式（Ｉ）で表される基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基等が好ましく挙げられ、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。

環状構造を有さない第３級アルキル基含有基としては、上述した分岐鎖状の第３級アルキル基；上述した分岐鎖状の第３級アルキル基が直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基に結合してなる第３級アルキル基含有鎖状アルキル基；第３級アルキル基として上述した分岐鎖状の第３級アルキル基を有する第３級アルキルオキシカルボニル基；第３級アルキル基として上述した分岐鎖状の第３級アルキル基を有する第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基等が挙げられる。
第３級アルキル基含有鎖状アルキル基におけるアルキレン基としては、炭素数１〜５のアルキレン基が好ましく、炭素数１〜４のアルキレン基がより好ましく、炭素数〜２のアルキレン基がさらに好ましい。
鎖状の第３級アルキルオキシカルボニル基としては、たとえば下記一般式（ＩＩ）で表される基が挙げられる。
式（ＩＩ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３は、前記式（Ｉ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３と同様である。
鎖状の第３級アルキルオキシカルボニル基としては、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基（ｔ−ｂｏｃ）、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基が好ましい。

鎖状の第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基としては、たとえば下記一般式（ＩＩＩ）で表される基が挙げられる。
式（ＩＩＩ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３は、前記式（Ｉ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３と同様である。
ｆは１〜３の整数であり、１または２が好ましい。
鎖状の第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルエチル基が好ましい。
これらの中で、環状構造を有さない第３級アルキル基含有基としては、第３級アルキルオキシカルボニル基または第３級アルキルオキシカルボニルアルキル基が好ましく、第３級アルキルオキシカルボニル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基（ｔ−ｂｏｃ）が最も好ましい。

環状構造を有する第３級アルキル基含有基は、その構造内に、第３級炭素原子と環状構造とを有する基である。
環状構造を有する第３級アルキル基含有基において、環状構造は、環を構成する炭素数が４〜１２であることが好ましく、５〜１０であることがより好ましく、６〜１０であることが最も好ましい。環状構造としては、例えばモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。好ましくは、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。

環状構造を有する第３級アルキル基含有基としては、例えば、第３級アルキル基として下記［１］または［２］の基を有する基等が挙げられる。
［１］環状のアルキル基（シクロアルキル基）の環を構成する炭素原子に、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合し、該炭素原子が第３級炭素原子となっている基。
［２］シクロアルキル基の環を構成する炭素原子に、第３級炭素原子を有するアルキレン基（分岐鎖状のアルキレン基）が結合している基。

前記［１］の基における直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の炭素数は、１〜５であることが好ましく、１〜４であることがより好ましく、１〜３であることが最も好ましい。
［１］の基としては、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、１−メチル−１−シクロアルキル基、１−エチル−１−シクロアルキル基等が挙げられる。

前記［２］の基において、分岐鎖状のアルキレン基が結合しているシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
［２］の基としては、たとえば下記化学式（ＩＶ）で表される基が挙げられる。

式（ＩＶ）中、Ｒ^２４は、置換基を有していてもよく有していなくてもよいシクロアルキル基である。該シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化低級アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
Ｒ^２５、Ｒ^２６は、それぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基としては、前記式（Ｉ）中のＲ^２１〜Ｒ^２３のアルキル基と同様のものが挙げられる。

（アルコキシアルキル基）
Ｚにおけるアルコキシアルキル基としては、たとえば下記一般式（Ｖ）で表される基が挙げられる。

式中、Ｒ^４１は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。
Ｒ^４１が直鎖状、分岐鎖状の場合は、炭素数１〜５であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
Ｒ^４１が環状の場合は炭素数４〜１５であることが好ましく、炭素数４〜１２であることがさらに好ましく、炭素数５〜１０が最も好ましい。たとえば、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。中でもアダマンタンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
Ｒ^４２は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。該アルキレン基は、炭素数１〜５であることが好ましく、炭素数１〜３であることがより好ましく、炭素数１〜２であることがさらに好ましい。
Ｚのアルコキシアルキル基としては、特に、下記一般式（ＶＩ）で表される基が好ましい。

式（ＶＩ）中、Ｒ^４１は前記と同じであり、Ｒ^４３、Ｒ^４４はそれぞれ独立して直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または水素原子である。
Ｒ^４３、Ｒ^４４において、アルキル基の炭素数は好ましくは１〜１５であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特に、Ｒ^４３、Ｒ^４４の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。

上記のなかでも、Ｚとしては、第３級アルキル基含有基が好ましく、前記一般式（ＩＩ）で表される基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基（ｔ−ｂｏｃ）が最も好ましい。

前記一般式（ａ５’）中、ａは１〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、かつ、ａ＋ｂ＝１〜３である。
ａは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
ｂは０であることが好ましい。
ａ＋ｂは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
ｃは０〜３の整数であり、０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
ｄは０〜３の整数であり、０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
ｅは０〜３の整数であり、０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
なお、ｂが１以上の場合、構成単位（ａ５’）は前記構成単位（ａ３’）の定義にも含まれるが、式（ａ５’）で表される構成単位は構成単位（ａ５’）に該当し、構成単位（ａ３’）には該当しないもととする。

構成単位（ａ５’）としては、特に、下記一般式（ａ５’−１−１）、（ａ５’−１−２）又は（ａ５’−２）で表される構成単位が好ましく、式（ａ５’−１−１）で表される構成単位がより好ましい。

［式中、Ｒ，Ｚ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれ前記と同じである。］

［式中、Ｒ，Ｚ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれ前記と同じである。式中の複数のｅおよびＺはそれぞれ互いに異なっていてもよい。］

［式中、Ｒ，Ｚ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれ前記と同じであり、ｃ”は１〜３の整数である。］

前記式（ａ５’−２）中、ｃ’は１〜３の整数であり、１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
前記式（ａ５’−２）におけるｃが０の場合、アクリル酸エステルのカルボニルオキシ基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の末端の酸素原子は、環式基中の酸素原子に結合する炭素原子には結合していないことが好ましい。すなわち、ｃが０の場合、当該末端の酸素原子と当該環式基中の酸素原子との間には炭素原子が２つ以上存在する（この炭素原子の数が１である（すなわちアセタール結合となる）場合を除く）ことが好ましい。

構成単位（ａ５’）を誘導するモノマーは、例えば下記一般式（ａ５’−０）で表される化合物（１〜３個のアルコール性水酸基を有する脂肪族環式基を含有するアクリル酸エステル）の水酸基の一部または全部を、公知の手法を用いて、第３級アルキル基含有基またはアルコキシアルキル基で保護することにより合成することができる。

［式中、Ｒ，Ｙ^１，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれ前記と同じである。］

（Ａ１’−１）成分中の構成単位（ａ５’）の割合は、（Ａ１’−１）成分を構成する全構成単位の合計に対して１〜４５モル％であることが好ましく、５〜４５モル％であることがより好ましく、５〜４０モル％であることがさらに好ましく、５〜３５モル％が最も好ましい。下限値以上とすることにより、アルコール系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤等の有機溶剤への溶解性が向上し、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。

（Ａ１’−１）成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａ１’）〜（ａ３’）および（ａ５’）以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
該他の構成単位は、上述の構成単位（ａ１’）〜（ａ３’）および（ａ５’）に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該他の構成単位としては、例えば、前記（Ａ１）成分の説明で挙げた構成単位（ａ４）が挙げられる。

（Ａ’−１１）成分は、構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）および（ａ５’）を有する共重合体であることが好ましい。かかる共重合体としては、たとえば、上記構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）及び（ａ５’）からなる共重合体、上記構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）、（ａ４）及び（ａ５’）からなる共重合体等が例示できる。
本発明において、（Ａ’−１１）成分としては、特に下記一般式（Ａ’−１１１）に示す構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。

［式中、Ｒ、Ｒ^１１、ｊ、Ｒ^２９、ｓ”、ｃ、ｂ、ｄ、ｅ、Ｚはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるＲは、同じであっても異なっていてもよい。］

（Ａ’−１）成分において、（Ａ’−１１）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。
（Ａ’−１）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、（Ａ’−１）成分には、上記重合の際に、たとえばＨＳ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。

（Ａ’−１）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜２００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、（Ａ’−１）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

［（Ｂ’）成分］
（Ｂ’）成分としては、前記第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げた（Ｂ）成分と同様のものが挙げられる。
（Ｂ’）成分としては、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
第二のポジ型レジスト組成物における（Ｂ’）成分の含有量は、（Ａ’−１）成分１００質量部に対し、０．５〜５０質量部が好ましく、１〜４０質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。

［任意成分・（Ｄ’）成分］
第二のポジ型レジスト組成物は、さらに、任意の成分として、含窒素有機化合物（以下、（Ｄ’）成分という）を含有してもよい。
（Ｄ’）成分としては、前記第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げた（Ｄ）成分と同様のものが挙げられる。
（Ｄ’）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｄ’）成分は、（Ａ’−１）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。

［任意成分・（Ｅ’）成分］
第二のポジ型レジスト組成物は、さらに、任意の成分として、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の化合物（以下、（Ｅ’）成分という。）を含有してもよい。
（Ｅ’）成分としては、前記第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げた（Ｅ）成分と同様のものが挙げられる。
（Ｅ’）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｅ’）成分は、（Ａ’−１）成分１００質量部に対して、通常、０．０１〜５．０質量部の範囲で用いられる。

第二のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

［（Ｓ’）成分］
第二のポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤に溶解させて製造することができる。
本発明において、第二のポジ型レジスト組成物は、有機溶剤として、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ’）成分を含有する。
第二のポジ型レジスト組成物が（Ｓ’）成分を含有することで、第二のポジ型レジスト組成物を塗布した際の、第二のポジ型レジスト組成物中の有機溶剤による第一のレジスト膜の溶解を抑制でき、第一のレジストパターンの形状の悪化や消失、第一のレジストパターンと第二の膜との間の界面でのミキシングの発生等を防止することができる。

ここで、（Ｓ’）成分における「第一のレジスト膜を溶解しない」とは、支持体上に第一のポジ型レジスト組成物を塗布し、乾燥させて、２３℃条件下、膜厚０．２μｍのレジスト膜を形成し、これを当該有機溶剤に浸漬したときに、６０分後においても、当該レジスト膜の消失または膜厚の顕著な変動が生じない（好ましくは、該レジスト膜の膜厚が０．１６μｍ以下とならない。）ことを示す。
（Ｓ’）成分としては、第一のレジスト膜を溶解せず、かつ、第二のポジ型レジスト組成物に配合される成分を溶解し得るものであればよい。
具体的には、アルコール系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤等が挙げられる。これらは、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。塗布性、樹脂成分などの材料の溶解性の点から、アルコール系有機溶剤が好ましい。
ここで、「アルコール系有機溶剤」とは、脂肪族炭化水素の水素原子の少なくとも１つが水酸基で置換された化合物であって、常温、常圧下で液体である化合物である。前記脂肪族炭化水素を構成する主鎖の構造は、鎖状構造であってもよく、環状構造であってもよく、該鎖状構造中に環状構造を有していてもよく、また、該鎖状構造中にエーテル結合を含むものであってもよい。
「フッ素系有機溶剤」とは、フッ素原子を含む化合物であって、常温、常圧下で液体である化合物である。
「水酸基を有さないエーテル系有機溶剤」とは、その構造中にエーテル結合（Ｃ−Ｏ−Ｃ）を有し、水酸基を有さず、かつ常温常圧下で液体である化合物である。該水酸基を有さないエーテル系有機溶剤は、さらに、水酸基に加えてカルボニル基も有さないことが好ましい。

アルコール系有機溶剤としては、１価アルコール、２価アルコール、２価アルコールの誘導体等が好ましい。
１価アルコールとしては、炭素数にもよるが、１級または２級の１価アルコールが好ましく、中でも１級の１価アルコールが最も好ましい。
ここで１価アルコールとは、炭素および水素のみから構成される炭化水素化合物の水素原子の１つが水酸基で置換された化合物を意味し、２価以上の多価アルコールの誘導体は含まれない。該炭化水素化合物は、鎖状構造のものであってもよく、環状構造を有するものであってもよい。
２価アルコールとは、前記炭化水素化合物の水素原子の２つが水酸基で置換された化合物を意味し、３価以上の多価アルコールの誘導体は含まれない。
２価アルコールの誘導体としては、２価アルコールの水酸基の１つが置換基（アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基等）で置換された化合物が挙げられる。

アルコール系有機溶剤の沸点は８０〜１６０℃であることが好ましく、９０〜１５０℃であることがさらに好ましく、１００〜１３５℃であることが塗布性、保存時の組成の安定性、およびＰＡＢ工程やＰＥＢ工程の加熱温度の観点から最も好ましい。
かかるアルコール系有機溶剤として具体的には、鎖状構造のものとして、プロピレングリコール（ＰＧ）；１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）、ｎ−ヘキサノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−ヘプタノール、５−メチル−１−ヘキサノール、６−メチル−２−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、３−オクタノール、４−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール、ｎ−ペンチルアルコール、ｓ−ペンチルアルコール、ｔ−ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、イソブタノール（イソブチルアルコール又は２−メチル−１−プロパノールとも称する。）、イソプロピルアルコール、２−エチルブタノール、ネオペンチルアルコール、ｎ−ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール、１−プロパノール、２−メチル−１−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、４−メチル−２−ペンタノール等が挙げられる。
また、環状構造を有するものとして、シクロペンタンメタノール、１−シクロペンチルエタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサンメタノール（ＣＭ）、シクロヘキサンエタノール、１，２，３，６−テトラヒドロベンジルアルコール、ｅｘｏ−ノルボルネオール、２−メチルシクロヘキサノール、シクロヘプタノール、３，５−ジメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。

アルコール系有機溶剤のなかでは、鎖状構造の１価アルコールまたは２価アルコールの誘導体が好ましく、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）；イソブタノール（２−メチル−１−プロパノール）、４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ブタノールが好ましく、イソブタノール（２−メチル−１−プロパノール）、１−ブトキシ−２−プロパノール（ＢＰ）が最も好ましい。

フッ素系有機溶剤としては、パーフルオロ−２−ブチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。

水酸基を有さないエーテル系有機溶剤としては、下記一般式（ｓ−１）で表される化合物が好適なものとして挙げられる。
Ｒ^４０−Ｏ−Ｒ^４１ …（ｓ−１）
［式中、Ｒ^４０、Ｒ^４１はそれぞれ独立して１価の炭化水素基であり、Ｒ^４０とＲ^４１と
が結合して環を形成していてもよい。−Ｏ−はエーテル結合を示す。］

前記式中、Ｒ^４０、Ｒ^４１の炭化水素基としては、たとえばアルキル基、アリール基等が挙げられ、アルキル基が好ましい。なかでも、Ｒ^４０、Ｒ^４１のいずれもアルキル基であることが好ましく、Ｒ^４０とＲ^４１とが同じアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^４０、Ｒ^４１の各アルキル基としては、特に制限はなく、たとえば炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。該アルキル基は、その水素原子の一部または全部がハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
該アルキル基としては、レジスト組成物の塗布性が良好なこと等から、炭素数１〜１５であることが好ましく、炭素数１〜１０であることがより好ましい。具体的には、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基等が挙げられ、ｎ−ブチル基、イソペンチル基が特に好ましい。
前記アルキル基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
Ｒ^４０、Ｒ^４１の各アリール基としては、特に制限はなく、たとえば炭素数６〜１２のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
該アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ベンジル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることがより好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
また、上記式においては、Ｒ^４０とＲ^４１とが結合して環を形成していてもよい。
Ｒ^４０およびＲ^４１は、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基）であって、Ｒ^４０の末端と、Ｒ^４１の末端とが結合して環を形成する。また、アルキレン基の炭素原子は、酸素原子で置換されていてもよい。
かかるエーテル系有機溶剤の具体例としては、たとえば１，８−シネオール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。

水酸基を有さないエーテル系有機溶剤の沸点（常圧下）は、３０〜３００℃であることが好ましく、１００〜２００℃であることがより好ましく、１４０〜１８０℃であることがさらに好ましい。該温度範囲の下限値以上であることにより、レジスト組成物の塗布時のスピンコート中、（Ｓ）成分が蒸発しにくくなって塗布ムラが抑制され、塗布性が向上する。一方、上限値以下であることにより、プリベークによって（Ｓ）成分がレジスト膜中から充分に除かれ、第二のレジスト膜の形成性が向上する。また、該温度範囲であると、レジストパターンの膜減り低減効果、保存時の組成の安定性がより向上する。また、ＰＡＢ工程やＰＥＢ工程の加熱温度の観点からも好ましい。
水酸基を有さないエーテル系有機溶剤の具体例としては、たとえば１，８−シネオール（沸点１７６℃）、ジブチルエーテル（沸点１４２℃）、ジイソペンチルエーテル（沸点１７１℃）、ジオキサン（沸点１０１℃）、アニソール（沸点１５５℃）、エチルベンジルエーテル（沸点１８９℃）、ジフェニルエーテル（沸点２５９℃）、ジベンジルエーテル（沸点２９７℃）、フェネトール（沸点１７０℃）、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン（沸点６６℃）、エチルプロピルエーテル（沸点６３℃）、ジイソプロピルエーテル（沸点６９℃）、ジヘキシルエーテル（沸点２２６℃）、ジプロピルエーテル（沸点９１℃）等が挙げられる。
水酸基を有さないエーテル系有機溶剤としては、レジストパターンの膜減り低減効果が良好なことから、環状または鎖状のエーテル系有機溶剤であることが好ましく、なかでも１，８−シネオール、ジブチルエーテルおよびジイソペンチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。

第二の膜形成用材料に用いられる（Ｓ’）成分は、１種単独であってもよく、２種以上であってもよい。
また、第二の膜形成用材料は、（Ｓ’）成分を用いることによる効果を損なわない範囲で、（Ｓ’）成分以外の有機溶剤（以下、（Ｓ”）成分という。）を含有してもよい。
（Ｓ”）成分としては、第二の膜形成用材料に配合される成分を溶解し得るものが好ましい。具体的には、後述する第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げた（Ｓ）成分と同様のものが好ましい。
（Ｓ”）成分の配合量は、第二の膜形成用材料に用いられる全有機溶剤中、０〜２０質量％が好ましく、１〜１５質量％がより好ましい。
第二の膜形成用材料に用いられる全有機溶剤の使用量は、特に限定されず、通常、当該第二の膜形成用材料が、支持体上に塗布可能な濃度の液体となる量が用いられる。一般的には固形分濃度が１〜２０質量％、好ましくは２〜１５質量％の範囲内となるように用いられる。

＜第２の実施形態における第二の膜形成用組成物＞
第２の実施形態における第二の膜形成用組成物は、上述したように化学増幅型ネガ型レジスト組成物である。
かかる化学増幅型ネガ型レジスト組成物としては、これまでに提案されている多数の化学増幅型ネガ型レジスト組成物の中から適宜選択して用いることができる。
かかる化学増幅型ネガ型レジスト組成物としては、アルカリ現像液に可溶性の樹脂（アルカリ可溶性樹脂）成分（Ａ’−２）（以下、「（Ａ’−２）成分」という。）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）（（Ｂ’）成分）、架橋剤成分（Ｃ’）（以下、「（Ｃ’）成分」という。）を、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ’）（（Ｓ’）成分）に溶解してなるものが一般的である。
かかるネガ型レジスト組成物においては、露光により（Ｂ’）成分から酸が発生すると、当該酸の作用により（Ａ’−２）成分と（Ｃ’）成分との間で架橋が起こり、アルカリ現像液に対して可溶性から、アルカリ現像液に対して不溶性へと変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ネガ型レジスト組成物を、基板等の支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して不溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することができる。
以下、上述した成分と同様のものには、同一の符号を付して説明を省略する。

［（Ａ’−２）成分］［（Ｃ’）成分］
（Ａ’−２）成分、（Ｃ’）成分としては、特に限定されるものではなく、一般的に用いられるアルカリ可溶性樹脂、架橋剤をそれぞれ用いることができる。
このような（Ａ’−２）成分、（Ｃ’）成分としては、特開２００８−０７８２２０号公報、特開２００９−００３１６０号公報、特開２００９−２８２２２４号公報に開示されたアルカリ可溶性樹脂、架橋剤を用いることができる。また、（Ｂ’）成分に代えて、特開２００９−２８２２２４号公報に開示された酸解離定数（ｐＫａ）が−３．５〜０の酸を露光により発生する酸発生剤を用いることもできる。

第二のネガ型レジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

＜第３の実施形態における第二の膜形成用組成物＞
第３の実施形態における第二の膜形成用組成物は、上述したように前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有し、且つ前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しない第二の膜形成用材料である。
かかる第二の膜形成材料は、前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものであればよく、前記第一のポジ型レジスト組成物の説明で挙げたような、これまで提案されている多数の化学増幅型レジスト組成物のなかから適宜選択して用いることができる。
第二のポジ型レジスト組成物としては、たとえば、酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ’−３）（以下、（Ａ’−３）成分という。）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）（（Ｂ’）成分）、及び前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ’）（（Ｓ’）成分）を含有し、且つ前記基材成分（Ａ’−３）が、前記基材成分（Ａ）が有する酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い酸解離性溶解抑制基を有するものが挙げられる。上述した成分と同様のものには、同一の符号を付して説明を省略する。
かかるポジ型レジスト組成物を用いた場合、工程（２）において、露光量およびＰＥＢ温度により供給されるエネルギー量が、基材成分（Ａ）が有する酸解離性溶解抑制基が解離し、かつ基材成分（Ａ’−３）が有する酸解離性溶解抑制基が解離しないエネルギー量となるように露光およびＰＥＢを行うことで、上記のように、反転パターンを形成できる。
これら第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基の組み合わせについては、詳しくは、第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の選択方法として後述する。

［（Ａ’−３）成分］
（Ａ’−３）成分としては、前記基材成分（Ａ）が有する酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い（解離しにくい）酸解離性溶解抑制基を有する以外は、前記（Ａ）成分の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
本発明においては、（Ａ’−３）成分が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ’−３１）（以下、（Ａ’−３１）成分ということがある。）を含有するものが好ましく、アクリル酸エステルから誘導される構成単位を含有するものがより好ましい。
かかる（Ａ’−３１）成分は、特に、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１’）を有することが好ましい。
また、（Ａ’−３１）成分は、構成単位（ａ１’）に加えて、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２’）を有することが好ましい。
（Ａ’−３１）成分は、構成単位（ａ１’）に加えて、または構成単位（ａ１’）および（ａ２’）に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３’）を有することが好ましい。
（Ａ’−３１）成分は、構成単位（ａ１’）に加えて、または構成単位（ａ１’）および（ａ２’）に加えて、または構成単位（ａ１’）および（ａ３’）に加えて、または構成単位（ａ１’）、（ａ２’）および（ａ３’）に加えて、さらに、前記一般式（ａ５’）で表される構成単位（ａ５’）を有することが好ましい。
各構成単位は、それぞれ、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）、（ａ５’）は、それぞれ、前記構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）、（ａ５’）と同様である。

（Ａ’−３１）成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａ１’）〜（ａ３’）および（ａ５’）以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
該他の構成単位は、上述の構成単位（ａ１’）〜（ａ３’）および（ａ５’）に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該他の構成単位としては、例えば、前記（Ａ１）成分の説明で挙げた構成単位（ａ４）等が挙げられる。

（Ａ’−３１）成分は、構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）および（ａ５’）を有する共重合体であることが好ましい。かかる共重合体としては、たとえば、上記構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）および（ａ５’）からなる共重合体、上記構成単位（ａ１’）、（ａ２’）、（ａ３’）、（ａ４）および（ａ５’）からなる共重合体等が例示できる。
（Ａ’−３１）成分中、アクリル酸エステルから誘導される構成単位（前記構成単位（ａ１）〜（ａ４）、（ａ５’）等）の合計の割合は、（Ａ’−３１）成分を構成する全構成単位の合計に対して、５０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％であってもよい。
（Ａ’−３）成分において、（Ａ’−３１）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。

（Ａ’−３１）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、（Ａ’−３１）成分には、上記重合の際に、たとえばＨＳ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。

（Ａ’−３）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜２００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、（Ａ’−３）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

第二のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により、（Ｄ’）成分、（Ｅ’）成分、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

以上、第二の膜形成用材料として、化学増幅型のポジ型レジスト組成物について詳しく説明したが本発明はこれに限定されるものではなく、第二の膜形成用材料として非化学増幅型のレジスト組成物を用いてもよい。非化学増幅型のレジスト組成物としては、従来、感放射線性組成物として提案されているものが使用でき、たとえばノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂等のアルカリ可溶性樹脂と、ナフトキノンジアジド基含有化合物などの感光性成分とを含有するレジスト組成物が挙げられる。該レジスト組成物には、必要に応じて増感剤を含有させることもできる。

［第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の選択方法］
上述したように、第３の実施形態では、第二のポジ型レジスト組成物として、第一の型ポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しないものを使用し、工程（２）にて、露光した領域内の前記第一のレジストパターンのみがアルカリ現像により除去されるように露光量および露光後ベーク温度を設定する。
そのため、工程（１）および工程（２）におけるリソグラフィー条件（露光量、ＰＥＢ温度等）が上記の条件を満たすように、本発明のパターン形成方法に用いる第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の組み合わせが選択される。
つまり、第一のポジ型レジスト組成物、第二のポジ型レジスト組成物それぞれの選択は、第二のポジ型レジスト組成物が、第一のポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大しないものとなるように行われる。

第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の組み合わせの選択方法としては、たとえば、第二のポジ型レジスト組成物を用いて形成される第二の膜の有効ＰＥＢ温度の最低値（Ｔ_ｍｉｎ２）が、第一のレジスト膜の有効ＰＥＢ温度の最低値（Ｔ_ｍｉｎ１）よりも高くなるように、また、好ましくはそれらの差が所望の値となるように設定する方法が挙げられる。この場合、たとえば工程（２）における露光量が、第二の膜のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させ得る量であったとしても、工程（２）のＰＥＢ温度Ｔ_ＰＥＢ２を、Ｔ_ｍｉｎ２以上Ｔ_ｍｉｎ１未満の範囲内の温度に設定することで、第一のレジストパターンのみ、アルカリ現像液に対する溶解性が増大することとなる。
Ｔ_ｍｉｎ１およびＴ_ｍｉｎ２は、それぞれ、使用する第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の組成を調節することにより調節できる。
たとえば第一のポジ型レジスト組成物、第二のポジ型レジスト組成物ともに、露光により酸を発生する酸発生剤成分および酸解離性溶解抑制基を有する基材成分を含有するものを用いる場合、該調節は、たとえば下記方法（２ａ）〜（２ｃ）等により行うことができる。これらの方法（２ａ）〜（２ｃ）は、いずれも、酸解離性溶解抑制基の脱保護反応の進行しやすさに影響していると考えられる。
（２ａ）第二のポジ型レジスト組成物の基材成分として、第一のポジ型レジスト組成物の基材成分が有する酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い酸解離性溶解抑制基を有するものを用いる方法。
（２ｂ）第二のポジ型レジスト組成物の基材成分として、第一のポジ型レジスト組成物の基材成分よりも、露光および／またはＰＥＢによるダメージを受けにくいものを用いる方法。
（２ｃ）第二のポジ型レジスト組成物中の酸発生剤成分の配合量を、第一のポジ型レジスト組成物中の酸発生剤成分の配合量よりも少なくする方法。
これらの方法は、いずれか１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。本発明においては、少なくとも方法（２ａ）を用いることが好ましい。

たとえば、方法（２ａ）の場合、第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物がそれぞれ酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（上述した（Ａ）成分、（Ａ’−３）成分等）を含有する場合、第二のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基を、第一のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高いものとする。これにより、第二のポジ型レジスト組成物の方が、第一のポジ型レジスト組成物よりも、露光およびＰＥＢを行った際にアルカリ現像液に対する溶解性が増大しにくいものとなり、Ｔ_ｍｉｎ２がＴ_ｍｉｎ１よりも高くなる。
各酸解離性溶解抑制基の脱保護エネルギーの差は、約２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上が好ましく、２．５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上がより好ましい。

なお、酸解離性溶解抑制基の脱保護エネルギーは、以下の工程１〜４を含む解析方法による解析結果から求めることができる。
工程１：特定保護基を導入したポリマーを用いてレジスト組成物を調製する。
工程２：工程１で調製したレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、全面露光を行う。このときの露光量は最適露光量（Ｅｏｐ）と同量とする。
工程３：露光処理後のレジスト膜に対し、リソテックジャパン株式会社製脱保護反応解析装置（ＰＡＧＡ−１００）を用いて脱保護反応の解析を行う（本装置によれば、ＰＥＢ処理を行いながらレジスト膜のＩＲスペクトルを採取することにより、ＰＥＢ処理中のレジスト組成物の構造変化を確認することができる。）。
工程４：複数のＰＥＢ温度に対してデータ採取を行い、解析を行う。

酸解離性溶解抑制基を有する構成単位（上記構成単位（ａ１）等）を例に挙げてより具体的に説明すると、該構成単位において、酸解離性溶解抑制基の脱保護エネルギーは、当該酸解離性溶解抑制基の構造や、当該酸解離性溶解抑制基が当該構成単位の側鎖部分にどのような構造で結合しているか等により異なっている。
以下に、酸解離性溶解抑制基または酸解離性溶解抑制基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位の具体的な構造と、それらが第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物のいずれに適しているかを説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。

（ア）アクリル酸のカルボキシ基に直接結合して第３級アルキルエステルを形成している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基であって、１価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性溶解抑制基に隣接する原子（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−における−Ｏ−）と結合する炭素原子にメチル基が結合して第３級炭素原子が形成されている基。
ここで、「アクリル酸」は、α位の炭素原子（アクリル酸のカルボニル基が結合する炭素原子）に水素原子が結合しているアクリル酸（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＨ）のほか、α位の炭素原子に置換基（水素原子以外の原子または基）が結合しているものも含む概念とする。該α位の炭素原子に結合する置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリル酸のカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
前記基がアクリル酸のカルボキシ基に直接結合しているとは、当該基が、アクリル酸のカルボニル基の水素原子を置換していることを示す。
「アクリル酸のカルボキシ基に直接結合して第３級アルキルエステルを形成している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基」として、具体的には、前記構成単位（ａ１）の説明で挙げた式（ａ１−１）におけるＸ’が挙げられる。
「１価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性溶解抑制基に隣接する原子と結合する炭素原子にメチル基が結合して第３級炭素原子が形成されている基」としては、たとえば、前記構成単位（ａ１）の説明で挙げた式（１−１）〜（１−９）におけるＲ^１４がメチル基であるものが挙げられる。
かかる酸解離性溶解抑制基は、比較的脱保護エネルギーが高く、解離しにくい。そのため、第二のポジ型レジスト組成物に適している。ただし、該酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い酸解離性溶解抑制基（たとえば後述する（エ）アクリル酸のカルボキシ基に直接結合して第３級アルキルエステルを形成している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基であって、脂肪族分岐鎖状である基）を第二のポジ型レジスト組成物に用いる場合は、第一のポジ型レジスト組成物に用いることもできる。たとえば、該酸解離性溶解抑制基を、上述した、第一のレジストパターンをダブルパターニングプロセスにより形成する際のレジスト組成物［１］として用いることができる。

（イ）アクリル酸のカルボキシ基に直接結合して第３級アルキルエステルを形成している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基であって、１価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性溶解抑制基に隣接する原子（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−における−Ｏ−）と結合する炭素原子に炭素数２以上のアルキル基が結合して第３級炭素原子が形成されている基。
「１価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性溶解抑制基に隣接する原子と結合する炭素原子に炭素数２以上のアルキル基が結合して第３級炭素原子が形成されている基」としては、たとえば、前記式（１−１）〜（１−９）におけるＲ^１４が炭素数２以上のアルキル基であるものが挙げられる。
かかる酸解離性溶解抑制基は、比較的（たとえば前記（ア）で示した基に比べて）脱保護エネルギーが低く、解離しやすい。たとえば前記式（１−１）におけるＲ^１４がメチル基である２−メチル−２−アダマンチル基（Ｍ）と、Ｒ^１４がエチル基である２−エチル−２−アダマンチル基（Ｅ）とを比較すると、Ｍの脱保護エネルギーが１１．２［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］であるのに対し、Ｅの脱保護エネルギーは８．３［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］である。また、前記式（１−２）におけるｇが２であり、Ｒ^１４がエチル基であるエチルシクロヘキシル基の脱保護エネルギーは８．１［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］である。
そのため、該酸解離性溶解抑制基は、第一のポジ型レジスト組成物に適している。ただし、該酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが低い酸解離性溶解抑制基（たとえばアセタール型酸解離性溶解抑制基等）を第一のポジ型レジスト組成物に用いる場合は、第二のポジ型レジスト組成物に用いることもできる。
また、該酸解離性溶解抑制基は、上述した、第一のレジストパターンをダブルパターニングプロセスにより形成する際のレジスト組成物［２］に適している。ただし、該酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが低い酸解離性溶解抑制基（たとえば後述するアセタール型酸解離性溶解抑制基等）をレジスト組成物［２］に用いる場合は、レジスト組成物［１］に用いることもできる。

（ウ）アクリル酸のカルボキシ基に直接結合して第３級アルキルエステルを形成している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基であって、１価の脂肪族環式基と、これに結合する第３級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基とを有する基。
「１価の脂肪族環式基と、これに結合する第３級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基とを有する基」としては、たとえば前記構成単位（ａ１）の説明で挙げた式（２−１）〜（２−６）で表される基が挙げられる。
かかる酸解離性溶解抑制基は、比較的脱保護エネルギーが高く、解離しにくい。そのため、第二のポジ型レジスト組成物に適している。

（エ）アクリル酸のカルボキシ基に直接結合して第３級アルキルエステルを形成している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基であって、脂肪族分岐鎖状である基。
「脂肪族分岐鎖状である基」としては、たとえば前記構成単位（ａ１）の説明で、第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基として挙げた脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基（たとえば式−Ｃ（Ｒ^７１）（Ｒ^７２）（Ｒ^７３）で表される基）が挙げられる。
かかる脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基は、比較的脱保護エネルギーが高く、解離しにくい。そのため、第二のポジ型レジスト組成物に好適である。

（オ）アクリル酸のカルボキシ基に直接結合せず、連結基を介して結合している第３級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基。
具体的には、前記構成単位（ａ１）の説明で挙げた式（ａ１−３）におけるＸ’が挙げられる。
かかる酸解離性溶解抑制基は、連結基が介在していることにより、同じ構造の基が連結基を介在せずに直接結合している場合に比べて、比較的脱保護エネルギーが低く、解離しやすい。そのため、第一のポジ型レジスト組成物に適している。

（カ）アセタール型酸解離性溶解抑制基。
アセタール型酸解離性溶解抑制基として、具体的には、前記構成単位（ａ１）の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
アセタール型酸解離性溶解抑制基は、比較的脱保護エネルギーが低く、解離しやすい。たとえばアダマントキシメチル基の脱保護エネルギーは８．４［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］である。そのため、第一のポジ型レジスト組成物に適している。

（キ）多官能型酸解離性溶解抑制基。
多官能酸解離性溶解抑制基は、例えば特開２００５−３２５３２５号公報等に記載されているもの（一般式：Ｒ−［Ｏ−ＣＨ_２］_ｎ−（式中、Ｒは炭素数２０以下のｎ価以上の価数を有する有機基を表し、ｎは２から５の整数を表す。）で示される基）が挙げられる。
多官能型酸解離性溶解抑制基は、比較的脱保護エネルギーが低く、解離しやすい。そのため、第一のポジ型レジスト組成物に適している。

第一のポジ型レジスト組成物の酸解離性溶解抑制基（以下、保護基１という。）と、第二のポジ型レジスト組成物の酸解離性溶解抑制基（以下、保護基２という。）との組み合わせとしては、特に、以下に示すものが好ましい。
［組み合わせ１］：保護基１が前記（イ）および（オ）からなる群から選択される少なくとも１種であり、保護基２が前記（ア）である。
［組み合わせ２］：保護基１が前記（イ）および（オ）からなる群から選択される少なくとも１種であり、保護基２が前記（エ）である。
［組み合わせ３］：保護基１が前記（ア）、（イ）および（オ）からなる群から選択される少なくとも１種であり、保護基２が前記（エ）である。

なお、工程（１）における第一のレジストパターンの形成をダブルパターニングプロセスにより行う場合、第一のポジ型レジスト組成物として２種以上（たとえば前記レジスト組成物［１］および［２］）を用いることになる。この場合、レジスト組成物［１］の酸解離性溶解抑制基（以下、保護基１ａという。）と、レジスト組成物［２］の酸解離性溶解抑制基（以下、保護基１ｂという。）との組み合わせとしては、特に、以下に示すものが好ましい。
［組み合わせＡ］：保護基１ａが前記（ア）であり、保護基１ｂが前記（イ）および（オ）からなる群から選択される少なくとも１種である。
組み合わせＡを採用する場合、保護基１と保護基２の組み合わせは前記組み合わせ３が好ましい。

方法（２ｂ）の具体例として、たとえば、第一のポジ型レジスト組成物の基材成分としてアクリル系樹脂を用い、第二のポジ型レジスト組成物の基材成分としてヒドロキシスチレン系樹脂を用いる例が挙げられる。つまり、上述した（Ａ１−１）成分、（Ａ１’−１）成分のようなアクリル系樹脂と、（Ａ１−２）成分、（Ａ１’−２）成分のようなヒドロキシスチレン系樹脂とは、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）の吸収等が異なり、ヒドロキシスチレン系樹脂の方が、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を行った際、酸解離性溶解抑制基の脱保護反応が進行しにくいと考えられる。たとえば−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ_３）_３がα位の炭素原子に結合したアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂と、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位中の水酸基の水素原子が−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ_３）_３で置換された構成単位を有する樹脂とでは、後者の樹脂の方が、−Ｃ（ＣＨ_３）_３の脱保護反応が進行しにくい。そのため、酸解離性溶解抑制基が同じであっても、樹脂の種類を変えることで、反転パターンを形成できる。

また、第一のポジ型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的強酸であるものを用い、第二のポジ型レジスト組成物の酸発生剤成分として、発生する酸が比較的弱酸であるものを用いることによっても、Ｔ_ｍｉｎ２をＴ_ｍｉｎ１よりも高くすることができる。
以下に、どのような酸発生剤が第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物のいずれに適しているかを、具体例を挙げて説明する。ただし、酸発生剤が有効ＰＥＢ温度に与える影響は、酸解離性溶解抑制基の場合に比べて小さいため、特にこれらに限定されるものではない。

（１）前記Ｒ^４”−ＳＯ_３ ⁻で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤であって、ＳＯ_３ ⁻の硫黄原子に隣接する炭素原子にフッ素原子が結合しているもの（たとえばＲ^４”がパーフルオロアルキル基であるもの）。
かかる酸発生剤は、発生する酸が比較的強酸であるため、第一のポジ型レジスト組成物に適している。ただし、第二のポジ型レジスト組成物に用いることもできる。特に、式（ｂ１）〜（ｂ７）で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤については、第二のポジ型レジスト組成物にも好適である。
（２）前記Ｒ^４”−ＳＯ_３ ⁻で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤であって、Ｒ^４”がフッ素原子を含み、かつＳＯ_３ ⁻の硫黄原子に隣接する炭素原子にフッ素原子が結合していないもの。
かかる酸発生剤は、いずれのポジ型レジスト組成物にも使用できる。
（３）前記Ｒ^４”−ＳＯ_３ ⁻で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤であって、Ｒ^４”がアルキル基であるもの。
かかる酸発生剤は、発生する酸が比較的弱酸であるため、第二のポジ型レジスト組成物に適している。
（４）前記式（ｂ−３）または（ｂ−４）で表されるアニオン部を有するオニウム塩系酸発生剤。
該酸発生剤は、第一のポジ型レジストに適している。
（５）ジアゾメタン系酸発生剤。
該酸発生剤は、いずれのポジ型レジストにも使用できるが、第二のポジ型レジスト組成物に好適である。
（６）オキシムスルホネート系酸発生剤。
該酸発生剤は、いずれのポジ型レジストにも使用できるが、第二のポジ型レジスト組成物に好適である。

＜第４の実施形態における第二の膜形成用組成物＞
第４の実施形態における第二の膜形成用組成物は、上述したように前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物である。
第４の実施形態におけるパターン反転用組成物は、アルカリ現像を行うと、前記第一のレジストパターンは除去される一方、支持体上に除去されずに残るパターン反転用膜を形成し得るものであればよい。
パターン反転用組成物は、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（（Ｓ’）成分）を含有するものであり、たとえば、前記工程（１−ｉｉ）後における第一のレジストパターンよりも低いアルカリ現像溶解性を有するパターン反転用膜を形成し得るもの等が挙げられる。パターン反転用組成物が、アルカリ現像時に支持体上から除去されない程度で、かつ、前記工程（１−ｉｉ）後における第一のレジストパターンよりも低い、という適度なアルカリ現像溶解性を有することにより、パターン反転用膜の形成時（塗布時）において、図６（ｂ）におけるパターン反転用膜９のレジストパターン２ｂ上面に存在する部分が厚くなったり、その厚さがばらついたりしても、図６（ｃ）の反転パターンを形成できるため好ましい。前記適度なアルカリ現像溶解性は、後述の（Ａ’−４）成分や（Ｂ’）成分の組み合わせにより制御できる。

かかるパターン反転用組成物として具体的には、前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化学増幅型または非化学増幅型のポジ型レジスト組成物、アルカリ現像液に対して所定の溶解性を有する（エネルギー量によってはアルカリ現像液に対する溶解性がほとんど変化しない）樹脂組成物等が挙げられる。これらの中でも、前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化学増幅型ポジ型レジスト組成物が好ましい。
パターン反転用組成物として化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いると、後述するように、たとえば樹脂成分における酸解離性溶解抑制基の脱保護エネルギーの差を制御するだけで、アルカリ現像により溶解除去されにくいパターン反転用膜を容易に形成できると共に、汎用の樹脂成分又はレジスト組成物をそのまま用いることができる。また、パターン反転用組成物として化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いると、反転パターンを形成した後、当該反転パターンに対して選択的露光、露光後加熱（ＰＥＢ）およびアルカリ現像を行うことによって、さらに複雑な構造のパターンを形成することもできる。

ただし、本発明におけるパターン反転用組成物は、化学増幅型ポジ型レジスト組成物に限定されるものではなく、非化学増幅型のポジ型レジスト組成物を用いてもよい。
非化学増幅型のレジスト組成物としては、従来、感放射線性組成物として提案されているものが使用でき、たとえばノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂等のアルカリ可溶性樹脂と、ナフトキノンジアジド基含有化合物などの感光性成分とを含有するレジスト組成物が挙げられる。該レジスト組成物には、必要に応じて増感剤を含有させることもできる。
また、本発明におけるパターン反転用組成物としては、アルカリ現像液に対して所定の溶解性を有する（エネルギー量によってはアルカリ現像液に対する溶解性がほとんど変化しない）樹脂組成物を用いてもよい。該樹脂組成物における樹脂成分としては、たとえば、上述した構成単位（ａ１）のような酸解離性溶解抑制基を含む構成単位を有さない樹脂成分であって、構成単位（ａ３）（なかでも式（ａ３−３）で示される構成単位）を含む樹脂成分が好適なものとして挙げられる。

（第４の実施形態における第二のポジ型レジスト組成物）
パターン反転用組成物として用いられる化学増幅型ポジ型レジスト組成物（以下、第二のポジ型レジスト組成物ということがある。）としては、たとえば、前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが挙げられ、上述した第一のポジ型レジスト組成物についての説明で挙げたような、これまで提案されている多数の化学増幅型レジスト組成物のなかから適宜選択して用いることができる。
たとえば、第一のポジ型レジスト組成物として、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ）を含有するものを用いる場合、第二のポジ型レジスト組成物としては、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）および酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ’−４）（以下「（Ａ’−４）成分」という。）を含有し、かつ、前記基材成分（Ａ’−４）が、前記基材成分（Ａ）が有する酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い酸解離性溶解抑制基を有するものであることが好ましい。
また、第一のポジ型レジスト組成物として、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ）を含有するものを用いる場合、第二のポジ型レジスト組成物としては、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）および酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分（Ａ”−４）（以下「（Ａ”−４）成分」という。）を含有するものであることも好ましい。
かかる第二のポジ型レジスト組成物を用いた場合、アルカリ現像により溶解除去されにくいパターン反転用膜を形成でき、工程（２）のアルカリ現像により、前記第一のレジストパターンは溶解して除去される一方、当該パターン反転用膜はほとんど溶解せず（図６（ｂ）のパターン反転用膜６のうち、レジストパターン２ｂ上面に存在する部分は溶解除去される）、支持体上から除去されずに残存し、反転パターンを形成できる。また、第二のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する際、第一のレジストパターンに含まれる酸成分の影響を受けにくいため、コントラストが良好に得られ、解像性又は形状の良好な反転パターンを形成できる。
かかる第二のポジ型レジスト組成物は、第一のポジ型レジスト組成物の組成に応じて適宜設定すればよい。これら第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物における酸解離性溶解抑制基の組み合わせについては、詳しくは、第一のポジ型レジスト組成物および第二のポジ型レジスト組成物の選択方法として後述する。

［（Ａ’−４）成分］
（Ａ’−４）成分は、第一のポジ型レジスト組成物に配合される基材成分（Ａ）が有する酸解離性溶解抑制基よりも脱保護エネルギーが高い（解離しにくい）酸解離性溶解抑制基を有する基材成分であり、前記（Ａ）成分についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
本発明においては、（Ａ’−４）成分が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ’−４１）（以下、（Ａ’−４１）成分ということがある。）を含有することが好ましく、アクリル酸エステルから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ６’）を有するものがより好ましい。
（Ａ’−４１）成分は、特に、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１’）を有することが好ましい。
また、（Ａ１’）成分は、構成単位（ａ１’）に加えて、さらに、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位を有することが好ましい。
なお、上述した成分と同様のものには、同一の符号を付して説明を省略する。

（構成単位（ａ６’））
構成単位（ａ６’）は、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位である。
構成単位（ａ６’）を有することにより、（Ａ１’）成分は、上述した第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（（Ｓ’）成分）に対する溶解性がより良好となる。また、アルカリ現像液に対して若干の溶解性を有するようになる。

構成単位（ａ６’）のなかで好適なものとしては、下記一般式（ａ６’−１）で表される構成単位が例示できる。

［式中、Ｒ^２０は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基であり；Ｒ^６は炭素数１〜５のアルキル基であり；ｐは１〜３の整数であり；ｑは０〜２の整数である。］

前記一般式（ａ６’−１）中、Ｒ^２０における炭素数１〜５のアルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^２０としては、水素原子またはメチル基が特に好ましい。

ｐは１〜３の整数であり、好ましくは１である。
水酸基の結合位置は、フェニル基のｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよい。ｐが１である場合は、容易に入手可能で低価格であることからｐ−位が好ましい。ｐが２または３の場合は、任意の置換位置を組み合わせることができる。

ｑは０〜２の整数である。これらのうち、ｑは０または１であることが好ましく、特に工業上、０であることが好ましい。
Ｒ^６の低級アルキル基としては、Ｒ^２０の低級アルキル基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^６の置換位置は、ｑが１である場合はｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよい。ｑが２である場合は、任意の置換位置を組み合わせることができる。このとき、複数のＲ^６は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。

構成単位（ａ６’）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ’−４１）成分中の構成単位（ａ６’）の割合は、（Ａ’−４１）成分を構成する全構成単位の合計に対して５０〜９０モル％であることが好ましく、５５〜８５モル％であることがより好ましく、６０〜８０モル％であることがさらに好ましい。該範囲内であると、レジスト組成物とした際に適度なアルカリ溶解性が得られるとともに、他の構成単位とのバ
ランスが良好である。

（他の構成単位）
（Ａ’−４１）成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位（ａ１’）および（ａ６’）以外の他の構成単位を含んでいてもよい。
該他の構成単位は、上述の構成単位（ａ１’）および（ａ６’）に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
該他の構成単位としては、例えば、スチレンから誘導される構成単位（ａ７’）、前記式（ａ５’）で表される構成単位（ａ５’）、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２’）、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３’）、酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ４’）等が挙げられる。
各構成単位は、それぞれ、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（構成単位（ａ７’））
構成単位（ａ７’）は、スチレンから誘導される構成単位である。
構成単位（ａ７’）を有することにより、アルカリ現像液に対する溶解性を調整することができる。また、レジスト組成物とした際、耐熱性やドライエッチング耐性が向上する
。
本明細書において、「スチレン」とは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体（ただし、上記ヒドロキシスチレンを除く。）を含む概念とする。また、フェニル基の水素原子が炭素数１〜５のアルキル基等の置換基で置換されたもの等も包含するものとする。
「スチレンから誘導される構成単位」とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
構成単位（ａ７’）の好適なものとしては、下記一般式（ａ７’−１）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒ^２０は前記と同じであり；Ｒ^４は炭素数１〜５のアルキル基であり；ｘは０〜３の整数である。］

前記一般式（ａ７’−１）中、Ｒ^２０およびＲ^４は、上記一般式（ａ６’−１）中のＲ^２０およびＲ^６とそれぞれ同様のものが挙げられる。
ｘは０〜３の整数であり、０または１であることが好ましく、工業上、０であることが特に好ましい。
ｘが１である場合、Ｒ^４の置換位置は、フェニル基のｏ−位、ｍ−位、ｐ−位のいずれでもよい。ｘが２または３である場合には、任意の置換位置を組み合わせることができる。このとき、複数のＲ^４は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
（Ａ’−４１）成分中の構成単位（ａ７’）の割合は、（Ａ’−４１）成分を構成する全構成単位の合計に対して１〜４０モル％が好ましく、３〜３０モル％がより好ましく、５〜２５モル％がさらに好ましい。該範囲の下限値以上であると、構成単位（ａ７’）を有することによる効果が高く、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。

（Ａ’−４１）成分は、構成単位（ａ１’）及び（ａ６’）を有する共重合体であることが好ましい。かかる共重合体としては、たとえば、上記構成単位（ａ１’）、（ａ６’）及び（ａ７’）からなる共重合体等が例示できる。
（Ａ’−４）成分において、（Ａ’−４１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（Ａ’−４）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、（Ａ’−４）成分には、上記重合の際に、たとえばＨＳ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。

（Ａ’−４）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜２００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、（Ａ’−４）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。

［（Ａ”−４）成分］
（Ａ”−４）成分は、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分である。
（Ａ”−４）成分のなかで好適なものとしては、たとえばノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）、ヒドロキシスチレン−スチレン共重合体等のアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。

上記のような第二のポジ型レジスト組成物は、第一のポジ型レジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ’）に溶解して製造される。また、第二のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により、（Ｄ’）成分、（Ｅ’）成分、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

＜第５の実施形態における第二の膜形成用組成物＞
第５の実施形態における第二の膜形成用組成物は、上述したように、前記第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤（（Ｓ’）成分）と、前記基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸強度を有する酸成分（Ｈ）と、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分（Ａ’−５）とを含有するパターン反転用組成物である。
パターン反転用組成物としては、アルカリ現像を行うと、前記第一のレジストパターンは除去される一方で、支持体上に除去されずに残るパターン反転用膜を形成し得るものであればよい。たとえば、パターン反転用組成物は、前記工程（２）でパターン反転用膜を形成するために行うベーク処理（プレベーク）後の第一のレジストパターンよりも低いアルカリ現像溶解性を有するパターン反転用膜を形成し得るものが挙げられる。本発明において、当該パターン反転用膜は、アルカリ現像液に対する溶解速度が０．３〜３．５ｎｍ／秒である。
なかでも、パターン反転用組成物としては、図７（ｂ）におけるパターン反転用膜１０のレジストパターン２ａ上面に存在する部分が厚くなったり、その厚さがばらついたりしても、図７（ｃ）の反転パターンを形成できることから、アルカリ現像時に支持体上から除去されない程度で、かつ、前記工程（２）でのベーク処理後の第一のレジストパターンよりも低い、という適度なアルカリ現像溶解性（所定の溶解速度）を有するパターン反転用膜を形成し得るものが好ましい。

かかるパターン反転用組成物として具体的には、
アルカリ現像液に対して所定の溶解性を有する（エネルギー量によってはアルカリ現像液に対する溶解性がほとんど変化しない）樹脂組成物、
前記第一のポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が増大する非化学増幅型のポジ型レジスト組成物、等が挙げられる。

［酸成分（Ｈ）］
酸成分（Ｈ）（以下「（Ｈ）成分」ともいう。）は、前記基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸強度を有するものである。
「基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸強度を有するもの」とは、前記第一のレジストパターンが形成された支持体上にパターン反転用組成物を塗布した際、又はベーク処理（プレベーク）を施した際、基材成分（Ａ）に作用して、基材成分（Ａ）から酸解離性溶解抑制基を解離させることができる酸化合物を包含する。
（Ｈ）成分のなかで好適なものとしては、たとえば、前記第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすいことから、高級脂肪酸、高級アルキルスルホン酸、高級アルキルアリールスルホン酸、スルホン酸基を有するその他の酸成分が挙げられる。なかでも、（Ｈ）成分としては、その化合物の濃度１３００ｐｐｍ（質量基準）の水溶液における２５℃でのｐＨが、３．０以下となるものが好ましい。
なお、ｐＨは、市販のｐＨ／ＯＲＰメーターにより測定される値である。

上記のｐＨ条件を満たすような高級脂肪酸としては、炭素数８〜２０のアルキル基を有する高級脂肪酸が挙げられ、具体的には、ドデカン酸、テトラデカン酸、ステアリン酸等が挙げられる。
上記炭素数８〜２０のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれであってもよく、その鎖中にフェニレン基又は酸素原子等が介在していてもよいし、アルキル基中の水素原子の一部が水酸基やカルボキシ基で置換されていてもよい。

高級アルキルスルホン酸としては、平均炭素数が好ましくは９〜２１、より好ましくは１２〜１８のアルキル基を有するスルホン酸が挙げられ、具体的には、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、テトラデカンスルホン酸、ペンタデカンスルホン酸、ステアリン酸スルホン酸等が挙げられる。
高級アルキルアリールスルホン酸としては、平均炭素数が好ましくは６〜１８、より好ましくは９〜１５のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸等が挙げられ、具体的には、ドデシルベンゼンスルホン酸、デシルナフタレンスルホン酸が挙げられる。
スルホン酸基を有するその他の酸成分としては、平均炭素数が好ましくは６〜１８、より好ましくは９〜１５のアルキル基を有するアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸が挙げられ、具体的には、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸等が挙げられる。

上記のなかでも、（Ｈ）成分としては、高級アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸がより好ましい。
これらの中でも、平均炭素数１５のアルキル基を有するアルキルスルホン酸、平均炭素数１２のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸が特に好ましい。

また、（Ｈ）成分のなかで好適なものとしては、たとえば、下記一般式（ｈ−１）〜（ｈ−４）で表される化合物も挙げられる（なお、これらの一般式で表される酸成分は、いずれも重要新規利用規則（ＳＮＵＲ）の対象外の化合物である）。

［式（ｈ−１）中、ｗ’は１〜５の整数である。式（ｈ−２）中、ｘ’は１０〜１５の整数である。式（ｈ−３）中、Ｒ^ｆは水素原子又はアルキル基（ただし、当該アルキル基中の水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基又はアミノ基のいずれかにより置換されていてもよい）を示し、ｙ’は２〜３の整数である。式（ｈ−４）中、Ｒ^ｆは前記と同じであり、ｚ’は２〜３の整数である。］

前記式（ｈ−１）で表される化合物としては、たとえば（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_２ＮＨ、（Ｃ_３Ｆ_７ＳＯ_２）_２ＮＨが挙げられる。
前記式（ｈ−２）で表される化合物としては、たとえばＣ_１０Ｆ_２１ＣＯＯＨが挙げられる。

前記式（ｈ−３）中、Ｒ^ｆにおけるアルキル基の炭素数は、１〜２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
当該アルキル基中の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
前記式（ｈ−３）で表される化合物としては、たとえば下記化学式で表される化合物が挙げられる。

前記式（ｈ−４）中、Ｒ^ｆは、前記式（ｈ−３）におけるＲ^ｆと同様である。
前記式（ｈ−４）で表される化合物としては、たとえば下記化学式で表される化合物が挙げられる。

パターン反転用組成物中、（Ｈ）成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明において、（Ｈ）成分は、濃度１３００ｐｐｍの水溶液とした際の２５℃でのｐＨが３．０以下となる化合物であることが好ましく、当該ｐＨが２．９５以下となる化合物であることがより好ましく、当該ｐＨが２．９以下となる化合物であることがさらに好ましい。（Ｈ）成分として、当該ｐＨが３．０以下となる化合物を含有することにより、工程（２）で、第一のレジストパターンが充分に除去され、解像性の良好なパターンが形成される。（Ｈ）成分における好ましい当該ｐＨの下限値は、特に限定されないが、パターン反転用組成物の安定性等を考慮すると、（Ｈ）成分は、当該ｐＨが１．５以上となる化合物であることが好ましい。
パターン反転用組成物中、（Ｈ）成分の含有量（質量基準）は、基材成分（Ａ’−５）１００質量部に対して０．５〜１０質量部が好ましく、１〜７質量部がより好ましく、１〜５質量部がさらに好ましい。
（Ｈ）成分の含有量が下限値以上であると、前記第一のレジストパターンのアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすくなる。（Ｈ）成分の含有量が上限値以下であると、装置内部等への影響が少なくなり好ましい。

［基材成分（Ａ’−５）］
基材成分（Ａ’−５）（以下「（Ａ’−５）成分」ともいう。）は、酸解離性溶解抑制基を有さない、膜形成能を有する有機化合物である。
本発明におけるパターン反転用組成物は、（Ａ’−５）成分が樹脂成分（Ａ’−５１）（以下「（Ａ’−５１）成分」ともいう。）を含有する樹脂組成物であることが好ましい。
（Ａ’−５１）成分としては、たとえば、酸解離性溶解抑制基を有さず、極性基を含有する構成単位を有する樹脂が挙げられる。極性基を含有する構成単位を有することにより、（Ａ’−５１）成分は、（Ｓ’）成分に対する溶解性が良好となる。また、アルカリ現像液に対して若干の溶解性を有するようになる。
このような（Ａ’−５１）成分のなかで好適なものは、極性基として、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、塩基解離性基、下記一般式（ｆ２−０−１）で表される基、下記一般式（ｆ２−０−２）で表される基、及び下記一般式（ｆ２−０−３）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む構成単位（ａ”１）を有する樹脂成分が挙げられる。
ここで、「塩基解離性基」とは、塩基の作用により解離し得る有機基をいう。塩基としては、一般的にリソグラフィー分野において用いられているアルカリ現像液が挙げられる。すなわち、「塩基解離性基」は、アルカリ現像液（たとえば、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液（２３℃））の作用により解離する基である。

［式（ｆ２−０−１）中、Ｑは２価の連結基又は単結合であり、Ｒ^５はフッ素化アルキル基である。式（ｆ２−０−２）中、Ｑ及びＲ^５はいずれも前記と同じである。式（ｆ２−０−３）中、Ｒ^５１，Ｒ^５２はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化低級アルキル基であり、ｍ_ｆ，ｎ_ｆはそれぞれ独立して０〜５の整数（ただし、ｍ_ｆ＋ｎ_ｆ≧１）であり、ｑ’は０〜５の整数である。］

前記式（ｆ２−０−１）中、Ｑは、２価の連結基又は単結合である。
２価の連結基としては、たとえば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ペンテン基、イソペンテン基、ネオペンテン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロへプチレン基、シクロオクチレン基等の炭素数１〜８の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基が挙げられる。また、Ｑにおける２価の連結基はヘテロ原子を含んでいてもよく、エーテル基、エステル基、上述のアルキレン基中の水素原子および／又は炭素原子の少なくとも一つがヘテロ原子で置換された基等も挙げられる。これらの中でも、合成のしやすさ等の点で、直鎖状のアルキレン基が好ましく、特にメチレン基が好ましい。

Ｒ^５は、フッ素化アルキル基である。該フッ素化アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基である。 かかる直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がさらに好ましい。かかるアルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、メチル基が特に好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数４〜１２であることが好ましく、炭素数５〜１０であることがさらに好ましく、炭素数６〜１０であることが最も好ましい。
フッ素化アルキル基のフッ素化率は、１０〜１００％が好ましく、３０〜１００％がより好ましく、５０〜１００％が特に好ましく、１００％、すなわち水素原子がすべてフッ素原子で置換されたものであることが最も好ましい。フッ素化率が１０％以上であると、パターン反転用膜表面の疎水性が高まり、アルカリ現像液に対する溶解速度の制御が図られる。
上記のなかでも、Ｒ^５のフッ素化アルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のフッ素化アルキル基が好ましく、炭素数１〜５のフッ素化アルキル基がより好ましく、アルキル基の水素原子がすべてフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。パーフルオロアルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられ、トリフルオロメチル基が最も好ましい。

前記式（ｆ２−０−２）中、Ｑ及びＲ^５は、いずれも、前記式（ｆ２−０−１）におけるＱ及びＲ^５と同様である。

前記式（ｆ２−０−３）中、Ｒ^５１，Ｒ^５２は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化低級アルキル基である。
Ｒ^５１，Ｒ^５２において、炭素数１〜５の低級アルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の低級アルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基が好ましい。
Ｒ^５１，Ｒ^５２において、フッ素化低級アルキル基としては、前記Ｒ^５１，Ｒ^５２の低級アルキル基の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものが挙げられる。
なかでも、Ｒ^５１，Ｒ^５２としては、水素原子が好ましく、共に水素原子であることが最も好ましい。
ｍ_ｆ，ｎ_ｆは、それぞれ独立して０〜５の整数（ただし、ｍ_ｆ＋ｎ_ｆ≧１）であり、１〜３の整数であることが好ましく、アルカリ現像液に対する溶解速度の点から、ｍ_ｆ及びｎ_ｆが共に１であることが最も好ましい。
ｑ’は、０〜５の整数であり、０〜３の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましく、最も好ましくは１である。

（Ａ’−５）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜２００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、パターン反転用膜を形成する樹脂成分として用いるのに充分な有機溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やパターン断面形状が良好である。
また、（Ａ’−５）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。

（Ａ’−５）成分は、たとえば、各構成単位を誘導するモノマーを、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、主鎖環状型構成単位を有する場合、（Ａ’−５）成分は、たとえば特開２００６−２９１１７７号公報に記載の方法により合成できる。

（Ａ’−５）成分としては、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分であれば上述した樹脂成分以外のものを含有していてもよい。
上述した樹脂成分以外のものとしては、たとえば、レジストパターン形成の際に用いられるトップコート用の樹脂として従来から知られている多数のものが挙げられ、具体的には、特開２００５−０９９６４８号公報、特開２００５−２６４１３１号公報、特開２００６−１８４５７４号公報、特開２００７−０７２３３６号公報、特開２００７−０７８７４５号公報、特開２００７−０７８７４３号公報、特開２００７−０２４９５９号公報、特開２００６−０６４７１１号公報、特開２００６−１８４５７５号公報、特開２００６−１９４９６２号公報、特開２００７−０７８７４４号公報に開示されている樹脂などが使用可能である。

本発明におけるパターン反転用組成物において、（Ａ’−５）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
パターン反転用組成物中、（Ａ’−５）成分の含有量は、形成しようとする膜厚等に応じて調整すればよい。

［任意成分］
パターン反転用組成物には、前記第一のレジストパターンを溶解しない（Ｓ’）成分、（Ｈ）成分及び（Ａ’−５）成分以外に、さらに所望により、（Ｄ’）成分、（Ｅ’）成分、混和性のある添加剤、例えばパターン反転用膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

溶解抑制剤として具体的には、上述した化学増幅型ポジ型レジスト組成物（第一のポジ型レジスト組成物）に配合される（Ｂ）成分の説明で例示した、オニウム塩系酸発生剤、が好適に挙げられる。そのなかでもアルカリ現像液に対する溶解抑制の効果に優れ、所定の溶解速度に制御しやすいことから、上記式（ｂ−１）で表される化合物が好ましい。
溶解抑制剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
パターン反転用組成物における溶解抑制剤の含有量は、（Ａ’−５）成分１００質量部に対し、０〜２５質量部が好ましく、０．１〜２０質量部がより好ましく、０．５〜１８質量部がさらに好ましい。上記範囲とすることでパターン反転用膜形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。

また、本発明におけるパターン反転用組成物は、上述した（Ａ’−５１）成分を含有する樹脂組成物に限定されず、非化学増幅型のポジ型レジスト組成物を用いてもよい。
この非化学増幅型のポジ型レジスト組成物としては、（Ｓ’）成分と、（Ｈ）成分と、これまで感放射線性組成物に用いられている、たとえばノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂等のアルカリ可溶性樹脂と、ナフトキノンジアジド基含有化合物などの感光性成分とを含有するレジスト組成物が挙げられる。該レジスト組成物には、必要に応じて増感剤を含有させることもできる。

＜第６の実施形態における第二の膜形成用組成物＞
第６の実施形態における第二の膜形成用組成物は、上述したように、化学増幅型のネガ型レジスト組成物である。
かかる化学増幅型ネガ型レジスト組成物としては、これまでに提案されている多数の化学増幅型ネガ型レジスト組成物の中から適宜選択して用いることができる。
かかる化学増幅型ネガ型レジスト組成物としては、アルカリ現像液に可溶性の樹脂（アルカリ可溶性樹脂）成分（Ａ’−６）（以下、「（Ａ’−６）成分」という。）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ’）（（Ｂ’）成分）、架橋剤成分（Ｃ’）（（Ｃ’）成分）を、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤（Ｓ’）（（Ｓ’）成分）に溶解してなるものが一般的である。
かかるネガ型レジスト組成物においては、露光により（Ｂ’）成分から酸が発生すると、当該酸の作用により（Ａ’−６）成分と（Ｃ’）成分との間で架橋が起こり、アルカリ現像液に対して可溶性から、アルカリ現像液に対して不溶性へと変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ネガ型レジスト組成物を、基板等の支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して不溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することができる。
以下、上述した成分と同様のものには、同一の符号を付して説明を省略する。

［（Ａ’−６）成分］
（Ａ’−６）成分としては、特に限定されるものではなく、一般的に用いられるアルカリ可溶性樹脂をそれぞれ用いることができる。
このような（Ａ’−６）成分としては、上記（Ａ’−２）成分と同様のものや、特開２０１０−８５８２９号公報に開示されたアルカリ可溶性樹脂を用いることができる。

第二のネガ型レジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

本発明のレジストパターン形成方法によれば、微細なパターンを良好に形成することができる。この理由は明らかではないが、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物が、アルコール系溶剤への溶解性の低い構成単位（ａ０−１）を含有することにより、第一のポジ型レジスト組成物が、第二の膜形成用組成物に含有される有機溶剤（Ｓ’）と接触した際に引き起こされるダメージを低減できるためと考えられる。また、構成単位（ａ０−１）は、現像液に対する溶解性も、構成単位（ａ２）等と比べて低いため、工程（２）において現像を行う際の第一のレジストパターンのダメージを改善できたためと考えられる。さらに、構成単位（ａ０−１）を含有することにより、第一のレジストパターンの露光耐性が向上するため、工程（２）において第二のレジスト膜に対する露光を行う場合にも、該露光による第一のレジストパターンのダメージを低減できると考えられる。

以下、本発明を実施例を示して説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
［試験例１］
＜レジスト組成物の調整＞
表１に示す各成分を混合、溶解して第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を調製した。

表１中の各略号は以下の意味を有する。また、［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ａ）−１：下記化学式（Ａ）−０で表される共重合体（質量平均分子量（Ｍｗ）＝１００００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７１。式中、ｌ：ｍ：ｏ＝３５：４０：２５（モル％））。
（Ａ）−２：下記化学式（Ａ）−０で表される共重合体（質量平均分子量（Ｍｗ）＝１００００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．６０。式中、ｌ：ｍ：ｏ＝３５：４５：２０（モル％））。
（Ａ）−３：下記化学式（Ａ）−０で表される共重合体（質量平均分子量（Ｍｗ）＝１００００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．６２。式中、ｌ：ｍ：ｏ＝３５：５０：１５（モル％））。
（Ａ）−４：下記化学式（Ａ）−４で表される共重合体（質量平均分子量（Ｍｗ）＝１００００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７２。式中、ｌ：ｍ：ｎ：ｏ＝３５：３０：２０：１５（モル％））。
（Ａ）−５：下記化学式（Ａ）−５で表される共重合体（質量平均分子量（Ｍｗ）＝１００００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．６９。式中、ｌ：ｎ：ｏ＝３５：５０：１５（モル％））。
（Ａ）−６：下記構造式（Ａ）−６で表される質量平均分子量（Ｍｗ）７０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．５７の共重合体。式中、（ ）の右下の数値は、各構成単位の割合（モル％）を示す。
（Ｂ）−１：下記構造式（Ｂ）−１で表される化合物。
（Ｂ）−２：下記構造式（Ｂ）−２で表される化合物。
（Ｂ）−３：下記構造式（Ｂ）−３で表される化合物。
（Ｂ）−４：下記構造式（Ｂ）−４で表される化合物。
（Ｂ）−５：下記構造式（Ｂ）−５で表される化合物。
（Ｄ）−１：トリ−ｎ−オクチルアミン。
（Ｅ）−１：サリチル酸。
（Ｓ）−１：γ−ブチロラクトン。
（Ｓ）−２：ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥとの混合溶剤（ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥ＝６：４（質量比））。
（Ｓ）−３：ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥとシクロヘキサノンとの混合溶剤（ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥ：シクロヘキサノン＝４５：３０：２５（質量比））。
（Ｓ）−４：１−ブトキシ−２−プロパノール（ＰＧＢ）とＰＧＭＥＡとの混合溶剤（ＰＧＢ：ＰＧＭＥＡ＝９：１（質量比））。

＜膜べり量評価＞
８インチのシリコンウェーハに、上記第一のポジ型レジスト組成物１−１〜１−５を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のプリベーク行い、乾燥することにより、膜厚１００ｎｍの第一のレジスト膜を形成し、さらに１５０℃で６０秒間のハードベークを行った。
次いで、該第一のレジスト膜の全面に、第二の膜形成用組成物に用いられる混合溶剤（１−ブトキシ−２−プロパノール／ＰＧＭＥＡ＝９０／１０（質量比））２．５ｃｃを滴下して、６０秒間静置した。
その後、スピンコートすることによって振り切り乾燥を行い、さらにホットプレート上で９０℃６０秒間のベーク乾燥した第一のレジスト膜の膜厚を、Ｎａｎｏｓｐｅｃ ６１００Ａ（ナノメトリクス社製）を用いて測定し、第一のレジスト膜の膜べり量の評価を行った。膜べり量として、ウェーハ中央部における減少した膜の厚さ（Å；形成時の膜厚−溶剤滴下後の膜厚）を表２に示す。

表２の結果から、構成単位（ａ０−１）を有しないレジスト組成物１−１〜１−３と比べて、構成単位（ａ０−１）を有するレジスト組成物１−４〜１−５を用いた場合、膜べりの発生が抑制されていることが確認できた。また、レジスト組成物１−４と１−５とを比較すると、構成単位（ａ０−１）を多く含むほうが、膜べりが抑制されることが分かった。

［試験例２］
＜レジストパターン形成＞
有機系反射防止膜組成物「ＡＲＣ２９Ａ」（商品名、ブリュワーサイエンス社製）を、スピンナーを用いて８インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で、２０５℃で６０秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚９０ｎｍの有機系反射防止膜を形成した。
該有機系反射防止膜上に、上記試験例１で調整した各レジスト組成物１−１〜１−５を第一のポジ型レジスト組成物として、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）を行い、乾燥することにより、膜厚１２０ｎｍの第一のレジスト膜を形成した。
次に、該第一のレジスト膜に対して、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ３０２（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．６０，２／３輪帯照明）により、ライン幅６５ｎｍ／ピッチ１３０ｎｍのラインアンドスペースのレジストパターン（Ｌ／Ｓパターン）をターゲットとするフォトマスク（６％ハーフトーン）を介して、前記第一のレジスト膜に対してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を選択的に照射した。
そして、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ−３」（商品名、東京応化工業社製）を用いて３０秒間のアルカリ現像を行った。
その結果、前記第一のレジスト膜に、幅６５ｎｍのラインが等間隔（ピッチ１３０ｎｍ）に配置されたＬ／Ｓパターン（１）が形成された。かかるＬ／Ｓパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２）は、表１に記載する。
続いて、各Ｌ／Ｓパターン（１）に対し、１５０℃で６０秒間のポストベークを行った。
その後、各Ｌ／Ｓパターン（１）上に、第二の膜形成用組成物として、レジスト組成物（２−１）を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）を行い、乾燥することにより、膜厚１００ｎｍのレジスト膜（第二のレジスト膜）を形成した。次に、該第二のレジスト膜に対して、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ３０２（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝０．６０，２／３輪帯照明）により、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を、５〜６５ｍＪ／ｃｍ^２でオープンフレーム露光（フォトマスクを介さない露光）にて照射した。その後、９０℃で６０秒間のＰＥＢを行い、さらに２３℃にて２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で３０秒間現像し、その後３０秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った。ここで、第二の膜形成用組成物に由来する膜は、オープンフレーム露光されているので、すべての露光量範囲（５〜６５ｍＪ／ｃｍ^２）において基本的に除去される。第二の膜形成用組成物に由来する膜を除去した後も、各Ｌ／Ｓパターン（１）が支持体上に残っていれば、Ｌ／Ｓパターン（１）を形成したレジスト組成物には露光耐性があるといえる。結果、すべての露光量範囲（５〜６５ｍＪ／ｃｍ^２）で第一のレジスト膜に由来するＬ／Ｓパターン（１）（ライン幅６５ｎｍ、ピッチ１３０ｎｍ）が形成されていたのは、構成単位（ａ０−１）を有するレジスト組成物レジスト組成物１−４〜１−５だけだった。

＜ＣＤ変化量評価＞
該ライン幅６５ｎｍ、ピッチ１３０ｎｍのＬ／Ｓパターンをターゲットとするマスクを用いて形成された各Ｌ／Ｓパターン（１）のライン幅およびオープンフレーム露光量が２０ｍＪ／ｃｍ^２のときに形成された（残った）各Ｌ／Ｓパターン（２）のライン幅をＳＥＭにて測定し、以下の式からＣＤ変化量を求めた。
ＣＤ変化量（Δ−ＣＤ；ｎｍ）＝（Ｌ／Ｓパターン（１））−（Ｌ／Ｓパターン（２））
結果を表３に示す。

＜パターン膜べり量評価＞
オープンフレーム露光における露光量を、２０ｍＪ／ｃｍ^２に固定し、形成されたライン幅６５ｎｍ、ピッチ１３０ｎｍのＬ／Ｓパターンの膜厚を、Ｎａｎｏｓｐｅｃ ６１００Ａ（ナノメトリクス社製）を用いて測定した。結果を表４に示す。
また、レジスト組成物１−１〜１−５を第一のポジ型レジスト組成物として用い、上記同様に第一のレジスト膜に由来するＬ／Ｓパターンを形成した後、ポストベークのみを行ったＬ／Ｓパターンの膜厚を同様にして測定した。レジスト組成物１−１〜１−５のいずれを用いた場合にも膜厚はほぼ同等であった。その結果を「第二レジストなし」として表４に示す。

表３、表４の結果から、構成単位（ａ０−１）を有しないレジスト組成物１−１〜１−３を用いた場合と比べて、構成単位（ａ０−１）を有するレジスト組成物１−４〜１−５を用いた場合、第二の膜形用組成物及びオープンフレーム露光による、ターゲット寸法の変化や、膜べりが抑制されていることが確認できた。また、レジスト組成物１−４と１−５とを比較すると、構成単位（ａ０−１）を多く含むほうが、ターゲット寸法の変化や膜べりが抑制されることが分かった。

［実施例１〜２、比較例１〜３］
＜レジストパターン形成＞
（工程（１））
有機系反射防止膜組成物「ＡＲＣ９５」（商品名、ブリュワーサイエンス社製）を、スピンナーを用いて８インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で、２０５℃で６０秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚９０ｎｍの有機系反射防止膜を形成した。
該有機系反射防止膜上に、上記レジスト組成物１−１〜１−５のいずれかを、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）を行い、乾燥することにより、膜厚１００ｎｍのレジスト膜（第一のレジスト膜）を形成した。
次に、それぞれの前記第一のレジスト膜上に、保護膜形成用塗布液「ＴＩＬＣ−０５７」（商品名、東京応化工業株式会社製）を、スピンナーを用いて塗布し、９０℃で６０秒間加熱することにより、膜厚３５ｎｍのトップコートを形成した。
次に、該トップコートが形成された第一のレジスト膜に対して、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ６０９Ｂ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝１．０７，Ｄｉｐｏｌｅ−Ｘ ｗ／ＰＯＬＡＮＯ）により、スペース幅５５ｎｍ、ピッチ１１０ｎｍのスペースアンドラインのレジストパターン（Ｓ／Ｌパターン）をターゲットとするフォトマスク（６％ Ａｔｔ−ＰＳＭ）を介して、前記第一のレジスト膜に対してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を選択的に照射した。
そして、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ−３」（商品名、東京応化工業社製）を用いて１０秒間のアルカリ現像を行った。
その結果、前記第一のレジスト膜に、幅５５ｎｍのスペースが等間隔（ピッチ１１０ｎｍ）に配置されたＳ／Ｌパターンが形成された。かかるＳ／Ｌパターンの形成における最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２、感度）をそれぞれ求めた。その結果を「工程（１）Ｅｏｐ」として表５に示す。
続いて、上記にて得られた各Ｓ／Ｌパターンに対し、１５０℃で５０秒間のポストベークを行った。

（工程（２））
その後、上記Ｓ／Ｌパターンが形成された該有機系反射防止膜上に、上記レジスト組成物２−１を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のＰＡＢを行い、乾燥することにより、膜厚８０ｎｍのレジスト膜（第二のレジスト膜）を形成した。
次に、第二のレジスト膜が形成されたシリコンウェーハを、９０°回転させた後、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ６０９Ｂ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝１．０７，Ｄｉｐｏｌｅ−Ｘ ｗ／ＰＯＬＡＮＯ）により、上記第一のレジストパターン形成に用いたのと同じマスク（ターゲット：スペース幅５５ｎｍ、ピッチ１１０ｎｍのＳ／Ｌパターン）を介して、前記第二のレジスト膜に対してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を選択的に照射した。
そして、９０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ−３」（商品名、東京応化工業社製）を用いて１０秒間のアルカリ現像を行った。
その結果、いずれのレジスト組成物を用いた場合にも、クロスラインパターニングによる格子状のレジストパターンが形成された。かかる格子状レジストパターンの形成における最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２、感度）をそれぞれ求めた。その結果を「工程（２）Ｅｏｐ」として表５に示す。

＜パターン膜べり量評価＞
上記最適露光量Ｅｏｐにおいて形成された格子状レジストパターンの膜厚を、Ｎａｎｏｓｐｅｃ ６１００Ａ（ナノメトリクス社製）を用いて測定した。結果を表５に示す。

上記の結果から、本発明に係る実施例１〜２では、比較例１〜３に比べて、膜べりが抑制され、良好であることが確認できた。
［実施例３、比較例４］
＜レジスト組成物の調製＞
表６に示す各成分を混合、溶解してレジスト組成物（化学増幅型ポジ型レジスト組成物）を調製した。

表６中の各略号中、（Ａ）−３、（Ａ）−４、（Ａ）−６、（Ｂ）−１、（Ｂ）−２、（Ｂ）−４、（Ｄ）−１、（Ｅ）−１、（Ｓ）−１〜（Ｓ）−４はそれぞれ前記の通りであり、それ以外は以下の意味を有する。また、［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ｂ）−６：下記構造式（Ｂ）−６で表される化合物。
（Ｂ）−７：下記構造式（Ｂ）−７で表される化合物。
（Ｂ）−８：下記構造式（Ｂ）−８で表される化合物。

＜レジストパターン形成＞
（工程（１））
有機系反射防止膜組成物「ＡＲＣ２９Ａ」（商品名、ブリュワーサイエンス社製）を、スピンナーを用いて８インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で、２０５℃で６０秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚８９ｎｍの有機系反射防止膜を形成した。
該有機系反射防止膜上に、上記レジスト組成物１−６又は１−７を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）を行い、乾燥することにより、膜厚９０ｎｍのレジスト膜（第一のレジスト膜）を形成した。
次に、それぞれの前記第一のレジスト膜上に、保護膜形成用塗布液「ＴＩＬＣ−０５７」（商品名、東京応化工業株式会社製）を、スピンナーを用いて塗布し、９０℃で６０秒間加熱することにより、膜厚３５ｎｍのトップコートを形成した。
次に、該トップコートが形成された第一のレジスト膜に対して、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ６０９Ｂ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝１．０７，Ｄｉｐｏｌｅ−Ｘ ｗ／ＰＯＬＡＮＯ）により、ライン幅３５ｎｍ、ピッチ１４０ｎｍのラインアンドスペースのレジストパターン（Ｌ／Ｓパターン）をターゲットとするフォトマスク（６％ Ａｔｔ−ＰＳＭ；ライン幅４７ｎｍ、ピッチ１４０ｎｍｍ、バイアス１２ｎｍ）を介して、前記第一のレジスト膜に対してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を選択的に照射した。
そして、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ−３」（商品名、東京応化工業社製）を用いて１０秒間のアルカリ現像を行った。
その結果、前記第一のレジスト膜に、幅３５ｎｍのラインが等間隔（ピッチ１４０ｎｍ）に配置されたＬ／Ｓパターンが形成された。かかるＬ／Ｓパターンの形成における最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２、感度）をそれぞれ求めた。その結果を「工程（１）Ｅｏｐ」として表７に示す。
続いて、上記にて得られた各Ｌ／Ｓパターンに対し、１５０℃で５０秒間のポストベークを行った。

（工程（２））
その後、上記Ｌ／Ｓパターンが形成された該有機系反射防止膜上に、上記レジスト組成物２−２を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、１２０℃で６０秒間のＰＡＢを行い、乾燥することにより、膜厚８０ｎｍのレジスト膜（第二のレジスト膜）を形成した。
次に、第二のレジスト膜に対し、ＡｒＦ露光装置ＮＳＲ−Ｓ６０９Ｂ（ニコン社製；ＮＡ（開口数）＝１．０７，Ｄｉｐｏｌｅ−Ｘ ｗ／ＰＯＬＡＮＯ）により、上記第一のレジストパターン形成に用いたのと同じマスクを、（ターゲット：ライン幅３５ｎｍ、ピッチ１４０ｎｍのＬ／Ｓパターン）を介して、前記第二のレジスト膜に対してＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を選択的に照射した。
そして、９０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行い、さらに２３℃にて２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ−３」（商品名、東京応化工業社製）を用いて１０秒間のアルカリ現像を行った。
その結果、いずれのレジスト組成物を用いた場合にも、ライン３５ｎｍ、ピッチ７０ｎｍのＬ／Ｓパターンが形成された。かかるＬ／Ｓパターンの形成における最適露光量Ｅｏｐ（ｍＪ／ｃｍ^２、感度）をそれぞれ求めた。その結果を「工程（２）Ｅｏｐ」として表７に示す。

上記の結果から、実施例３、比較例４共にＬ／Ｓパターンが形成されることが確認できた。また、実施例３で得られたレジストパターンは、比較例４のレジストパターンと比べて、パターン内のラインの高さが均一であり、良好なものであった。

［モノマー合成例１］
上記高分子化合物（Ａ）−４、（Ａ）−５で用いた、本発明の構成単位（ａ０−１）を誘導するモノマーは、以下のようにして製造できる。
５００ｍｌの３つ口フラスコに、窒素雰囲気下、下記アルコール（１）２０ｇ（１０５．１４ｍｍｏｌ）、エチルジイソプロピルアミノカルボジイミド（ＥＤＣＩ）塩酸塩３０．２３ｇ（１５７．７１ｍｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液３００ｍｌを入れ、そこに、氷冷下（０℃）で下記前駆体（１）１６．６７ｇ（１１５．６６ｍｍｏｌ）を加えた後、室温で１２時間撹拌した。
薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）にて原料の消失を確認後、５０ｍｌの水を加えて反応を停止した。反応溶媒を減圧濃縮し、酢酸エチルで３回抽出して得られた有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム、１Ｎ−ＨＣｌ水溶液の順で洗浄した。減圧下、溶媒留去して得られた生成物を乾燥させ、目的の化合物（１）を得た。
得られた化合物の機器分析結果は、以下の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝６．２２（ｓ，１Ｈ，Ｈ^ａ），５．７０（ｓ，１Ｈ，Ｈ^ｂ），４．７１−４．８５（ｍ，２Ｈ，Ｈ^ｃ,ｄ），４．６７（ｓ，２Ｈ，Ｈ^ｋ），３．４０−３．６０（ｍ，２Ｈ，Ｈ^ｅ,ｆ），２．５８−２．７０（ｍ，１Ｈ，Ｈ^ｇ），２．１１−２．２１（ｍ，２Ｈ，Ｈ^ｈ），２．００（ｓ，３Ｈ，Ｈ^ｉ），１．７６−２．０９（ｍ，２Ｈ，Ｈ^ｊ）．

１・・・支持体
２・・・第一のレジスト膜（ポジ型）
３、５、７、１２・・・フォトマスク
４・・・第二のレジスト膜（ポジ型）
６、１１、１３・・・第二のレジスト膜（ネガ型）
８、９、１０・・・第二の膜

Claims (9)

1. 支持体上に、第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、
   前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程（２）と、を有し、
   前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
   前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするパターン形成方法。
   

   

   ［式（ａ０−１）中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基であり、Ｒ^３は、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］
2. 前記Ｒ^３が、その環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を含む環式基である請求項１に記載のパターン形成方法。
3. 前記Ｒ^３が、下記一般式（３−１）で表される請求項２に記載のパターン形成方法。
   

   

   ［式中、Ａ’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ａは０〜２の整数であり、Ｒ^６はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基である。］
4. さらに、前記工程（２）の第二の膜の形成の後に、前記第二の膜を選択的に露光し、露光後ベークを行う工程を有し、
   前記第二の膜形成用組成物は、化学増幅型レジスト組成物である請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
5. さらに、前記工程（２）の第二の膜の形成の後に、前記第二の膜を露光し、露光後ベークを行う工程を有し、
   前記第二の膜形成用組成物として、前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物と同じかそれよりも少ないエネルギー量ではアルカリ現像液に対する溶解性が増大しないパターン反転用組成物を使用し、
   前記工程（２）にて、露光した領域内の前記第一のレジストパターンのみがアルカリ現像により除去されるように露光量および露光後ベーク温度を設定する請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
6. 前記第二の膜形成用組成物が、前記第一の化学増幅型ポジ型レジスト組成物よりも高エネルギー量でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する化学増幅型ポジ型レジスト組成物、または化学増幅型ネガ型組成物である請求項５に記載のパターン形成方法。
7. さらに、前記工程（１）の後に、前記第一のレジストパターンを、酸性のリソグラフィー用洗浄液を用いて洗浄する工程（１−ｉ）と、
   前記の洗浄後の第一のレジストパターンをベークする工程（１−ｉｉ）と、を有し、
   前記第二の膜形成用組成物は、パターン反転用組成物であり、
   前記工程（２）において、アルカリ現像することにより、前記第一のレジストパターンを除去してレジストパターンを形成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
8. 前記第二の膜形成用組成物は、パターン反転用組成物であり、前記基材成分（Ａ）中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸強度を有する酸成分（Ｈ）と、酸解離性溶解抑制基を有しない基材成分（Ａ’−５）とを含有するものであり、且つ、
   前記第二の膜は、アルカリ現像液に対する溶解速度が０．３〜３．５ｎｍ／秒であって、
   前記工程（２）において、アルカリ現像することにより、前記第一のレジストパターンを除去してレジストパターンを形成する請求項１〜３のいずれか記載のパターン形成方法。
9. 前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤が、アルコール系有機溶剤、フッ素系有機溶剤および水酸基を有さないエーテル系有機溶剤からなる群から選択される少なくとも一種である請求項１〜８のいずれか一項に記載のパターン形成方法。

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