JP5499836B2 - High-definition relief printing plate, plate-shaped photosensitive resin laminate, electronic pattern manufacturing apparatus, and organic EL element manufacturing apparatus - Google Patents

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印刷法により高精細パターンを形成するための凸版、およびそのための板状感光性樹脂積層体、ならびにそれを用いた電子回路パターンや有機EL素子の製造装置に関する。   The present invention relates to a letterpress for forming a high-definition pattern by a printing method, a plate-like photosensitive resin laminate for the same, and an electronic circuit pattern or an organic EL element manufacturing apparatus using the same.

近年、高精細加工技術を用いた電子デバイス開発が急速な進化を遂げている。このような電子デバイスは次世代のエレクトロニクス分野、バイオテクノロジー分野、オプトロニクス分野などの発展へ貢献することが期待される。   In recent years, the development of electronic devices using high-definition processing technology has made rapid progress. Such electronic devices are expected to contribute to the development of next-generation electronics, biotechnology, optronics and other fields.

上述した電子デバイスの1つとして、有機EL素子がある。有機EL素子は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層を形成し、有機発光層に電流を流すことで発光させるものであるが、効率良く発光させるには発光層の膜厚が重要であり、100nm程度の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイ化するには高精細にパターニングする必要がある。   One of the electronic devices described above is an organic EL element. An organic EL element is one in which an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes and light is emitted by passing a current through the organic light emitting layer. The film thickness is important, and it is necessary to form a thin film of about 100 nm. Further, in order to make this a display, it is necessary to pattern it with high definition.

有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般に低分子材料は抵抗加熱蒸着法等により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。そのため、基板が大型となるディスプレイに用いる有機EL素子の有機発光層を形成するには不向きである。   Organic light-emitting materials include low-molecular materials and high-molecular materials. In general, low-molecular materials are formed into thin films by resistance heating vapor deposition or the like, and then patterned using a fine pattern mask. There is a problem that the patterning accuracy is less likely to increase as the size increases. Therefore, it is not suitable for forming an organic light emitting layer of an organic EL element used for a display having a large substrate.

そこで、最近では有機発光材料に高分子材料を用い、有機発光材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法等があるが、高精細にパターニングしたりRGB3色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗り分けパターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。   Therefore, recently, a method of using a polymer material as an organic light emitting material, dissolving the organic light emitting material in a solvent to form a coating liquid, and forming a thin film by a wet coating method has been tried. As the wet coating method for forming a thin film, there are a spin coating method, a bar coating method, a protruding coating method, a dip coating method, and the like. However, it is considered difficult to form a thin film by a printing method that is good at coating patterning.

さらに各種印刷法の中でも、有機EL素子やディスプレイでは、基板としてガラス基板を用いることが多いため、グラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を用いる方法は不向きであり、弾性を有するゴム版を用いたオフセット印刷法や、ゴムやその他の樹脂を主成分とした感光性樹脂版を用いる凸版印刷法が適正である。実際にこれらの印刷法の試みとして、オフセット印刷による方法(特許文献1)、凸版印刷による方法(特許文献2)などが提唱されている。   Furthermore, among various printing methods, organic EL elements and displays often use a glass substrate as a substrate, and therefore methods such as gravure printing that use hard plates such as metal printing plates are unsuitable and elastic. An offset printing method using a rubber plate having a stencil and a relief printing method using a photosensitive resin plate mainly composed of rubber or other resin are appropriate. Actually, as a trial of these printing methods, a method by offset printing (Patent Document 1), a method by letterpress printing (Patent Document 2) and the like have been proposed.

ところで、一般的に電子デバイスの回路パターンは、大きいものは数mm、小さなものになると数ナノメートルの高精細さに至る。   By the way, generally, the circuit pattern of an electronic device has a high definition of several millimeters when it is large and a few nanometers when it is small.

例えば、有機ELディスプレイの場合、近年、携帯電話のメインディスプレイ用途として主流となりつつある対角2インチ、320画素×240画素(QVGA)では、一つの画素サイズは120μm、一色あたりの表示部幅は20〜40μm程度の高精細なパターン形成が要求される。   For example, in the case of an organic EL display, in a 2-inch diagonal, 320 pixels × 240 pixels (QVGA), which is becoming mainstream in recent years as a main display for mobile phones, one pixel size is 120 μm, and the display width per color is High-definition pattern formation of about 20 to 40 μm is required.

透明電極を有する薄膜トランジスタ(TFT)を用いた電子回路を有する基板(TFT基板)上に、有機ELディスプレイを構成する正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極層などの各層形成した場合、アクティブマトリックス型と呼ばれる高画質な有機ELディスプレイとなる。なお、ここで用いられるTFT回路も数μm程度の高精細な回路パターンから形成される。   When each layer such as a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a cathode layer constituting an organic EL display is formed on a substrate (TFT substrate) having an electronic circuit using a thin film transistor (TFT) having a transparent electrode, It becomes an organic EL display with high image quality called an active matrix type. The TFT circuit used here is also formed from a high-definition circuit pattern of about several μm.

このような、例えば有機ELディスプレイといった高精細パターンを形成しようとする場合、回路パターン上の薄膜形成に要求されるトータルピッチ精度やライン幅精度といったパターン精度は±5%以内程度を目標とするのが一般的であり、絶対値としては0.1μmから2μm程度の精度が要求される。   For example, when trying to form a high-definition pattern such as an organic EL display, the pattern accuracy such as total pitch accuracy and line width accuracy required for forming a thin film on a circuit pattern is targeted within about ± 5%. The absolute value is required to have an accuracy of about 0.1 μm to 2 μm.

通常の電子回路パターンといった高精細パターンを管理する場合、一般的にエッジ検出法と呼ばれる手法により測長を行う。この方法は、反射、落射、透過といった様々な光源を用い、対象物をCCDカメラ等の画像入力機器によりデジタル画像へ変換し、画像のコントラストによりパターンの端部(エッジ)を認識することにより、精度が高く、また測定者による個人差の生じにくい管理を行うことが可能にするものである。   When managing a high-definition pattern such as a normal electronic circuit pattern, length measurement is generally performed by a technique called an edge detection method. This method uses various light sources such as reflection, epi-illumination, and transmission, converts an object into a digital image by an image input device such as a CCD camera, and recognizes an edge (edge) of the pattern by the contrast of the image. This makes it possible to perform management with high accuracy and hardly cause individual differences by the measurer.

一方、広告や雑誌などの印刷物を印刷する場合、版のパターン精度は、形成するパターンにより大きく異なるが、±10%以上であり、絶対値としては10μmから100μm程度であることが多い。   On the other hand, when printing printed matter such as advertisements and magazines, the pattern accuracy of the plate varies greatly depending on the pattern to be formed, but is ± 10% or more, and the absolute value is often about 10 μm to 100 μm.

これらの印刷物に使用される版のパターン精度の確認は、肉眼によるものや顕微鏡を通し目視にて実施される場合が多いが、このような方法の場合、測定者による個人差が生じることが多い。しかしながら、目的とする印刷物の精度からは、この方法での刷版管理で充分であった。   Confirmation of the pattern accuracy of the plates used in these printed materials is often carried out by the naked eye or visually through a microscope. In such a method, individual differences by the measurer often occur. . However, the printing plate management by this method is sufficient in terms of the accuracy of the intended printed matter.

一方、有機ELディスプレイなどの高精細パターンの形成が要求される場合の印刷用刷版では、要求される精度は前述の通り0.1μmから2μm程度であるため、顕微鏡を用いて目視にて観察、測長するだけでは充分な測定精度を得ることができない。   On the other hand, since the required precision is about 0.1 μm to 2 μm in the printing plate for which high-definition pattern formation such as an organic EL display is required, it is visually observed using a microscope. However, sufficient measurement accuracy cannot be obtained only by measuring the length.

しかしながら、前述のエッジ検出法を用いようとした場合、特に寸法安定性を目的として版の基材として金属板を用いた場合、版の金属層で生じる測長光の乱反射の影響により、版の凸部の正確なエッジを検出することができず、正確なライン幅の評価や安定的な版の管理が不可能だった。   However, when trying to use the edge detection method described above, particularly when a metal plate is used as the base material of the plate for the purpose of dimensional stability, due to the influence of irregular reflection of length measuring light generated in the metal layer of the plate, It was impossible to detect the exact edge of the convex part, and it was impossible to accurately evaluate the line width and manage the stable plate.

そこで、金属層による測長光の乱反射を抑えるために、基材と凸部との間に光反射抑制層を設けるということも検討されている(特許文献4)。ところが、特許文献4の方式の場合、エッジ検出は容易となるものの、欠陥検査機を利用した版検査が困難で、黒色染料を添加する事により基材との接着性が低下し、連続印刷に対し不利に働くという問題や、黒色染料が印刷中に基板に欠落し、電子回路や素子、ディスプレイに欠陥を引き起こすという問題があった。   Therefore, in order to suppress irregular reflection of length measurement light by the metal layer, it has been studied to provide a light reflection suppression layer between the base material and the convex portion (Patent Document 4). However, in the case of the method of Patent Document 4, although edge detection is easy, plate inspection using a defect inspection machine is difficult, and by adding a black dye, the adhesiveness with the substrate is lowered, and continuous printing is performed. However, there is a problem that it works disadvantageously, and there is a problem that the black dye is missing from the substrate during printing, causing defects in electronic circuits, elements, and displays.

特開2001−93668号公報JP 2001-93668 A 特開2001−155858号公報JP 2001-155858 A 特開2004−70231号公報JP 2004-70231 A 特開2008−229947号公報JP 2008-229947 A

本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属基材のような反射率の高い基材を用いた凸版であっても、良好なエッジ検出ができる版材が得られ、さらには欠陥検査機も併用できることで、安定的かつ高精度の印刷用刷版の管理を行うことを可能とし、印刷中に版からの添加物の欠落を防ぐ事によって、欠陥のない電子回路や有機EL素子を得ることができるようにすることである。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and the object thereof is to obtain a plate material capable of detecting a good edge even with a relief plate using a highly reflective substrate such as a metal substrate. In addition, a defect inspection machine can be used in combination to enable stable and high-precision management of printing plates. By preventing the loss of additives from printing plates during printing, defect-free electronic It is to be able to obtain a circuit and an organic EL element.

本発明の請求項1の発明は、印刷法により高精細パターンを形成するための凸版であって、樹脂層により形成される凸部と凸部を支持する基材との間に、少なくとも400nmから800nmの波長領域の光を乱反射する光乱反射層と、該光乱反射層に積層されて前記光乱反射層の端面が前記凸版の端面から外方に露出しないように覆う光透過層とを有することを特徴とする高精細パターン形成用凸版とした。   The invention of claim 1 of the present invention is a relief printing plate for forming a high-definition pattern by a printing method, and at least from 400 nm between the projection formed by the resin layer and the substrate supporting the projection. A light irregular reflection layer that irregularly reflects light in a wavelength region of 800 nm, and a light transmission layer that is laminated on the light irregular reflection layer and covers the end face of the light irregular reflection layer so as not to be exposed outward from the end face of the relief plate. The relief was used for forming a high-definition pattern.

本発明の請求項2の発明は光乱反射層に粒径が0.2μm〜0.8μmの酸化チタンが含まれていることを特徴とする請求項1に記載の高精細パターン形成用凸版とした。   According to a second aspect of the present invention, the relief plate for high-definition pattern formation according to the first aspect is characterized in that the light irregular reflection layer contains titanium oxide having a particle size of 0.2 μm to 0.8 μm. .

本発明の請求項3の発明は、光乱反射層と基材との接着力が10N/cm以上であることを特徴とする請求項1または2記載の高精細パターン形成用凸版とした。   According to a third aspect of the present invention, there is provided the relief plate for forming a high-definition pattern according to the first or second aspect, wherein the adhesive force between the light diffuse reflection layer and the substrate is 10 N / cm or more.

本発明の請求項4の発明は、光透過層と基材との接着力が15N/cm以上であることを特徴とする請求項1、2または3に記載の高精細パターン形成用凸版とした。   The invention according to claim 4 of the present invention provides the relief printing plate for high-definition pattern formation according to claim 1, 2 or 3, wherein the adhesive force between the light transmission layer and the substrate is 15 N / cm or more. .

本発明の請求項5の発明は、基材が金属により形成されていることを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版とした。   The invention according to claim 5 of the present invention provides the relief printing plate for high-definition pattern formation according to any one of claims 1 to 4, wherein the base material is formed of metal.

本発明の請求項6の発明は、樹脂層が少なくとも感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項1から5いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版としたものであるとした。   The invention according to claim 6 of the present invention is the relief printing plate for high-definition pattern formation according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin layer contains at least a photosensitive resin.

本発明の請求項7の発明は、請求項1から6いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版を形成するための板状感光性樹脂積層体であって、少なくとも基材層、光乱反射層、光透過層、感光性樹脂層が順次積層されていることを特徴とする板状感光性樹脂積層体とした。   A seventh aspect of the present invention is a plate-like photosensitive resin laminate for forming a relief pattern for forming a high-definition pattern according to any one of the first to sixth aspects, comprising at least a base material layer, a light A plate-like photosensitive resin laminate comprising an irregular reflection layer, a light transmission layer, and a photosensitive resin layer sequentially laminated.

本発明の請求項8の発明は、請求項1から6いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版を用いた印刷により電子回路パターンを作製することを特徴とする電子回路パターンの製造装置とした。   According to an eighth aspect of the present invention, there is provided an electronic circuit pattern manufacturing apparatus for producing an electronic circuit pattern by printing using the high-definition pattern forming relief plate according to any one of the first to sixth aspects. It was.

本発明の請求項9の発明は、請求項1から6いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版を用いた印刷により有機EL素子を作製することを特徴とする有機EL素子の製造装置とした。   Invention of Claim 9 of this invention produces an organic EL element by printing using the relief plate for high-definition pattern formation of any one of Claim 1-6, The manufacturing apparatus of the organic EL element characterized by the above-mentioned It was.

本発明によって、金属基材のような反射率の高い基材を用いた凸版であっても、良好なエッジ検出ができる版材が得られ、安定的かつ高精度の印刷用刷版の管理を行うことを可能となり、さらには印刷中に版からの添加物の欠落を防ぐ事によって欠陥のない電子回路や有機EL素子を得ることができるようにすることができる。   According to the present invention, even a relief plate using a highly reflective base material such as a metal base material can obtain a plate material capable of detecting a good edge, and stably and accurately control a printing plate for printing. In addition, it is possible to obtain a defect-free electronic circuit or organic EL element by preventing the loss of additives from the plate during printing.

本発明の実施の形態における印刷用凸版の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example of the relief printing plate in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における凸部パターンを成型する板状感光性樹脂積層体の成形方法を示す概略図である。It is the schematic which shows the shaping | molding method of the plate-shaped photosensitive resin laminated body which shape | molds the convex part pattern in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における感光性樹脂版の製版工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the platemaking process of the photosensitive resin plate in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態におけるフレキソ印刷機の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example of the flexographic printing machine in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における有機EL素子の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example of the organic EL element in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における有機EL素子のアクティブマトリックス方式の基板例を示す概略図である。It is the schematic which shows the board | substrate example of the active matrix system of the organic EL element in embodiment of this invention. 本発明の実施例に係る光乱反射層を塗工した版を示す図である。It is a figure which shows the plate which coated the light irregular reflection layer which concerns on the Example of this invention.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明はこれに限るものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to this.

図1に本発明の実施形態に係る印刷用凸版の一例の断面図を示した。図1に示すように、本実施形態の印刷用凸版100(請求項中の高精細パターン形成用凸版に相当)は、凸部パターン101、耐油、耐水、あるいは耐溶剤性を持つ層102、光透過層103、光乱反射層104、および、基材105を積層して構成されている。詳しくは、基材105上には光乱反射層104が形成され、さらに、光乱反射層104の端面が印刷用凸版100の端面から外部に露出しないように、光乱反射層104が光透過層103によって覆われている。光透過層103上には層102が積層され、この層102上に、樹脂層により形成される凸部パターン101が複数形成されている。なお、本実施形態では、各凸部パターン101は隣り合う凸部パターン101と間隔をおいて配置され、各凸部パターン101が他の凸部パターン101から独立している。しかし、凸部パターン101は隣接する凸部パターン101と連続してつながるように形成されていてもよい。   FIG. 1 shows a cross-sectional view of an example of a relief printing plate according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the printing relief plate 100 of this embodiment (corresponding to the high-definition pattern forming relief plate in the claims) includes a raised portion pattern 101, a layer 102 having oil resistance, water resistance, or solvent resistance, light The transmission layer 103, the light diffuse reflection layer 104, and the base material 105 are laminated. Specifically, the light irregular reflection layer 104 is formed on the substrate 105, and the light irregular reflection layer 104 is formed by the light transmission layer 103 so that the end face of the light irregular reflection layer 104 is not exposed to the outside from the end face of the printing relief plate 100. Covered. A layer 102 is laminated on the light transmission layer 103, and a plurality of convex patterns 101 formed of a resin layer are formed on the layer 102. In the present embodiment, each convex pattern 101 is arranged at an interval from the adjacent convex pattern 101, and each convex pattern 101 is independent of other convex patterns 101. However, the convex pattern 101 may be formed so as to be continuously connected to the adjacent convex pattern 101.

上述したように、本実施形態では光乱反射層104の端面は、印刷用凸版100の外側に露出しないように、印刷用凸版100の端面よりも内側に配置される。光乱反射層104の端面が印刷用凸版100の端面においてその外側に露出すると、印刷用凸版100の使用時にその端面から露出する光乱反射層104の端面部分から光乱反射層104の一部が欠落し、被印刷物に付着し欠陥を引きこすので好ましくない。原則的には、光乱反射層104は印刷用凸版100の端面よりも内側に位置していれば問題はないが、念のため、光乱反射層104が印刷用凸版100の外部に露出しないように、光乱反射層104を覆う光透過層103を設ける。なお、光透過層103は耐油、耐水、耐溶剤性を持つ層102をかねてもよい。   As described above, in the present embodiment, the end surface of the light irregular reflection layer 104 is arranged on the inner side of the end surface of the printing relief plate 100 so as not to be exposed to the outside of the printing relief plate 100. When the end face of the light irregular reflection layer 104 is exposed outside the end face of the printing relief plate 100, a part of the light irregular reflection layer 104 is missing from the end face portion of the light irregular reflection layer 104 exposed from the end face when the printing relief plate 100 is used. This is not preferable because it adheres to the substrate and causes defects. In principle, there is no problem as long as the light irregular reflection layer 104 is positioned on the inner side of the end face of the printing relief plate 100. However, just in case, the light irregular reflection layer 104 is not exposed to the outside of the printing relief plate 100. A light transmission layer 103 that covers the light diffuse reflection layer 104 is provided. The light transmission layer 103 may also serve as the layer 102 having oil resistance, water resistance, and solvent resistance.

本実施形態の印刷用凸版100に用いられる版材において、層102、光透過層103、および、光乱反射層104を介して凸部パターン101が形成される基材105としては、印刷に対する機械的強度を有する材料であれば良く、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールなどの公知の合成樹脂、鉄や銅、アルミニウムといった公知の金属、またはそれらの積層体を用いることができる。   In the plate material used for the printing relief plate 100 of this embodiment, the base material 105 on which the convex pattern 101 is formed via the layer 102, the light transmission layer 103, and the light irregular reflection layer 104 is a mechanical component for printing. Any material having strength may be used, such as polyethylene, polystyrene, polybutadiene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polyethersulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, and polyvinyl alcohol. A known resin such as a synthetic resin, iron, copper, or aluminum, or a laminate thereof can be used.

なお、本実施形態の印刷用凸版100を構成する基材105としては、高い寸法安定性を保持するものが望ましい。従って、基材105として用いられる材料としては金属が好適である。基材105として用いられる金属としては鉄、アルミニウム、銅、亜鉛、ニッケル、チタン、クロム、金、銀やそれらの合金、積層体などが挙げられるが、特に、加工性、経済性から鉄を主成分とするスチール基材やアルミ基材を好適に用いることができる。   In addition, as the base material 105 which comprises the relief printing plate 100 of this embodiment, what maintains high dimensional stability is desirable. Therefore, a metal is suitable as a material used as the base material 105. Examples of the metal used as the base material 105 include iron, aluminum, copper, zinc, nickel, titanium, chromium, gold, silver, alloys thereof, and laminates. In particular, iron is mainly used from the viewpoint of workability and economy. A steel base material or aluminum base material as a component can be suitably used.

印刷用凸版100の凸部パターン101の材料に用いる樹脂の一成分となるポリマーは、ニトリルゴム、シリコーンゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ブチルゴム、アクリロニトリルゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴムなどのゴムの他に、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールなどの合成樹脂やそれらの共重合体、セルロースなどの天然高分子などから一種類以上を選択することができるが、有機発光材料などといった塗工液を塗布する場合、有機溶剤に対する耐溶剤性の観点から、ポリアミドやフッ素系エラストマーやポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ六フッ化ビニリデンやそれらの共重合体といった樹脂が好ましい。   Polymers that are one component of the resin used for the material of the convex pattern 101 of the printing relief plate 100 are nitrile rubber, silicone rubber, isoprene rubber, styrene butadiene rubber, butadiene rubber, chloroprene rubber, butyl rubber, acrylonitrile rubber, ethylene propylene rubber, In addition to rubber such as urethane rubber, polyethylene, polystyrene, polybutadiene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polyurethane, polyethersulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polyvinyl alcohol, etc. One or more types can be selected from synthetic resins, their copolymers, natural polymers such as cellulose, etc., but when applying coating liquids such as organic light emitting materials, organic From the viewpoint of solvent resistance, polyamide or fluorine-based elastomer and polytetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, a resin such as poly hexafluoride vinylidene and copolymers thereof it is preferred for agents.

また、ポリエーテルアミド、ポリエーテルエステルアミド、三級窒素含有ポリアミド、アンモニウム塩型三級窒素原子含有ポリアミド、アミド結合を1つ以上有するアミド化合物と有機ジイソシアネート化合物の付加重合体、ポリビニルアルコール、ポリウレタン、酢酸セルロースコハク酸エステル、部分ケン化ポリ酢酸ビニル、カチオン型ピペラジン含有ポリアミドやこれらの誘導体といった水溶性溶剤に可溶なものを少なくとも一種類以上含有することによっても耐溶剤性を付与することができ、さらにはアルコールや水を用いた現像が可能となるため、これらの内から一つ以上を選択し、凸部パターン101の材料に用いる樹脂の一成分となるポリマーとして用いることも望ましい。そのなかでも三級窒素原子含有ポリアミドおよびアンモニウム塩型三級窒素原子含有ポリアミドが好ましい。   Further, polyether amide, polyether ester amide, tertiary nitrogen-containing polyamide, ammonium salt type tertiary nitrogen atom-containing polyamide, addition polymer of amide compound having at least one amide bond and organic diisocyanate compound, polyvinyl alcohol, polyurethane, Solvent resistance can also be imparted by containing at least one kind soluble in water-soluble solvents such as cellulose acetate succinate, partially saponified polyvinyl acetate, cationic piperazine-containing polyamide and derivatives thereof. Furthermore, since development using alcohol or water becomes possible, it is desirable to select one or more of these and use them as a polymer that is a component of the resin used for the material of the convex pattern 101. Of these, tertiary nitrogen atom-containing polyamides and ammonium salt type tertiary nitrogen atom-containing polyamides are preferred.

本実施形態の凸部パターン101に用いられる感光性樹脂層は、上記樹脂の他に架橋剤(エチレン性不飽和化合物ともいう)、光開始剤組成物、重合禁止剤を含んでいる。さらに他の添加剤、例えば熱重合防止剤、染料、顔料、香料又は酸化防止剤を含んでも良い。   The photosensitive resin layer used for the convex pattern 101 of this embodiment contains a crosslinking agent (also referred to as an ethylenically unsaturated compound), a photoinitiator composition, and a polymerization inhibitor in addition to the resin. Furthermore, other additives such as thermal polymerization inhibitors, dyes, pigments, fragrances or antioxidants may be included.

好適に用いられる架橋剤(エチレン性不飽和化合物)としては、ジペンタエリスリトール、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、フタル酸、のエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールAやビスフェノールFのジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートのような多価グリシジルエーテルと(メタ)アクリル酸の付加反応物、アジピン酸のような多価カルボン酸とグリシジル(メタ)アクリレートとの反応付加物、プロピレンジアミンのような多価アミンとグリシジル(メタ)アクリレートの付加反応物など、多価不飽和化合物などが挙げられるが、これらに限定されるものでなく、また、これらの化合物を2種類以上混合して使用することも出来る。   Suitable crosslinking agents (ethylenically unsaturated compounds) include dipentaerythritol, pentaerythritol, trimethylolpropane, glycerin, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, phthalic acid, ethylene oxide adduct, bisphenol A, Diglycidyl ether acrylic acid adduct of bisphenol F, ethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol penta (meth) Addition reaction product of poly (glycidyl ether) such as acrylate and dipentaerythritol penta (meth) acrylate and (meth) acrylic acid, such as adipic acid Examples include, but are not limited to, polyunsaturated compounds such as a reaction adduct of a polyvalent carboxylic acid and glycidyl (meth) acrylate, an addition reaction product of a polyvalent amine such as propylenediamine and glycidyl (meth) acrylate, and the like. In addition, two or more of these compounds can be mixed and used.

本実施形態の凸部パターン101の感光性樹脂層で用いられる光開始剤組成物の例としては、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、アセトフェノン類、ベンジル類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルアルキルケタール類、アントラキノン類、チオキサントン類などが挙げられる。具体的には、ベンゾフェノン、クロロベンゾフェノン、ベンゾイン、アセトフェノン、ベンジル、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ベンジルジイソプロピルケタール、アントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−メチルアントラキノン、2−アリルアントラキノン、2−クロロアントラキノン、チオキサントン、2−クロロチオキサントンなどが挙げられる。   Examples of the photoinitiator composition used in the photosensitive resin layer of the convex pattern 101 of this embodiment include benzophenones, benzoins, acetophenones, benzyls, benzoin alkyl ethers, benzyl alkyl ketals, anthraquinones And thioxanthones. Specifically, benzophenone, chlorobenzophenone, benzoin, acetophenone, benzyl, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, benzyl diisopropyl ketal, anthraquinone, 2-ethylanthraquinone , 2-methylanthraquinone, 2-allylanthraquinone, 2-chloroanthraquinone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone and the like.

本実施形態の凸部パターン101の感光性樹脂層において、重合禁止剤は、凸部パターン101のエッジを鋭角にするために用いる。この重合禁止剤としては、市販されているもの用いることができる。例えば、ベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、シアノアクリレート類が挙げられる。具体的には、p−ベンゾキノン、オキシベンゾン、4−tert−ブチル−4−メトキシ−ベンゾイルメタン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、4−ドデシロキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ベンジロキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ベンゾフェノンジメトキシ、1,4−ビス(4−ベンゾイル−3−ヒドロキシフェノキシ)−ブタンなどが挙げられるが、その中でもベンゾフェノン類が好ましい。   In the photosensitive resin layer of the convex pattern 101 of this embodiment, the polymerization inhibitor is used to make the edge of the convex pattern 101 an acute angle. As this polymerization inhibitor, those commercially available can be used. Examples include benzophenones, benzotriazoles, and cyanoacrylates. Specifically, p-benzoquinone, oxybenzone, 4-tert-butyl-4-methoxy-benzoylmethane, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′- Tetrahydroxybenzophenone, 4-dodecyloxy-2-hydroxybenzophenone, 4-benzyloxy-2-hydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-benzophenone dimethoxy, 1,4-bis (4-benzoyl-3-hydroxy) Among them, benzophenones are preferable.

光乱反射層104としては、測定装置の一般的な観察光である波長領域が400nmから800nm付近の光に対して光拡散させるものであればよい。乱反射後の光は吸収スペクトルにより深青色、深緑色、深赤色、深橙色などの様々な色を呈することが考えられるが、白色である事が望ましい。光乱反射層104の材料としては酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ジルコニウムなどが用いられる。中でも、酸化チタンは隠蔽性と白色度に優れている為より好ましい。主に白色顔料の場合、隠蔽力は光の散乱と同じと考えられ、最適な酸化チタンの粒径は下記の式より算出される。
D=2λ/π(n −n
但し、D:粒子径 λ:光の波長 n :顔料の屈折率、n :樹脂の屈折率。
ここで、酸化チタンの屈折率をn =2.5〜2.7、樹脂の屈折率n を=1.5〜1.6、光の波長λを400〜800nmとすると、酸化チタンの最適な粒径は0.2〜0.8μmとなる。したがって、酸化チタン及び樹脂の屈折率n ,n や光の波長λが上述したような範囲である場合には、0.2〜0.8μmの範囲の粒径の酸化チタンを使用する事がより望ましい。
The diffuse light reflection layer 104 may be any layer that diffuses light with respect to light having a wavelength range of 400 nm to 800 nm, which is general observation light of a measuring apparatus. Although the light after irregular reflection may exhibit various colors such as deep blue, deep green, deep red, and deep orange depending on the absorption spectrum, it is desirable that the light is white. As the material of the light diffuse reflection layer 104, zinc oxide, titanium oxide, zirconium oxide, or the like is used. Among these, titanium oxide is more preferable because it has excellent concealability and whiteness. In the case of mainly white pigments, the hiding power is considered to be the same as light scattering, and the optimum titanium oxide particle size is calculated from the following equation.
D = 2λ / π (n 1 −n 2 )
Where D: particle diameter λ: wavelength of light n 1 : refractive index of pigment, n 2 : refractive index of resin.
Here, when the refractive index of titanium oxide is n 1 = 2.5 to 2.7, the refractive index n 2 of the resin is 1.5 to 1.6, and the wavelength of light λ is 400 to 800 nm, The optimum particle size is 0.2 to 0.8 μm. Therefore, when the refractive indexes n 1 and n 2 of the titanium oxide and the resin and the wavelength λ of the light are in the ranges as described above, titanium oxide having a particle size in the range of 0.2 to 0.8 μm should be used. Is more desirable.

さらに、光乱反射層104、光透過層103は耐油・耐水・耐溶剤性を持つ層102や感光性樹脂層(凸部パターン101を構成する層)と基材105を強固に接着させる必要があるため、これらの層103,104には、可溶なポリエステルを多価イソシアネートで硬化させたポリエステルウレタン系接着剤、エポキシ系接着剤などを用いるのがよい。その中でもポリエステルウレタン系接着剤は双方の接着に優れるために好ましく、ポリエステルウレタン系接着剤の中でも特にポリエステルとイソシアヌレート型多価イソシアネートからなる接着剤が望ましい。
本実施形態ではポリエステルウレタン系接着剤に酸化チタンを添加したものを光乱反射層104、酸化チタンを添加していないものを光透過層103として用いているが、特に限定はされず、光乱反射層104と基材105との接着力が10N/cm以上、光透過層103と基材105との接着力が15N/cm以上あればよい。この値以下であると、印刷中やハンドリング中に基材105と層103,104が剥離ないしは欠落し、異物となるため好ましくない。また接着力が10N/cm以下となるほど酸化チタンを添加すると、酸化チタンの凝集により全体的に白色の強弱が発生しムラとなるため、版検査時に好ましくない。
Further, the light irregular reflection layer 104 and the light transmission layer 103 are required to firmly bond the base material 105 to the oil-resistant / water-resistant / solvent-resistant layer 102 or the photosensitive resin layer (layer constituting the convex pattern 101). Therefore, for these layers 103 and 104, it is preferable to use a polyester urethane adhesive, an epoxy adhesive, or the like obtained by curing a soluble polyester with a polyvalent isocyanate. Among them, polyester urethane adhesives are preferable because they are excellent in both adhesion, and among polyester urethane adhesives, an adhesive composed of polyester and isocyanurate type polyisocyanate is particularly desirable.
In the present embodiment, the polyester urethane adhesive added with titanium oxide is used as the light diffuse reflection layer 104, and the one not added with titanium oxide is used as the light transmission layer 103. However, the light diffuse reflection layer is not particularly limited. The adhesive force between 104 and the substrate 105 may be 10 N / cm or more, and the adhesive force between the light transmission layer 103 and the substrate 105 may be 15 N / cm or more. If it is less than this value, the substrate 105 and the layers 103 and 104 are peeled off or missing during printing and handling, which is not preferable. If titanium oxide is added so that the adhesive strength is 10 N / cm or less, white strength is generally generated due to aggregation of titanium oxide, resulting in unevenness.

本実施形態における層102として用いる耐溶剤層は、耐溶剤性を持たせつつ、感光性樹脂層(凸部パターン101を構成する層)と光透過層103とを接着する必要がある。そのため、公知の接着剤に感光性樹脂層および光透過層103で用いている樹脂を添加するのが好ましい。あるいは前記樹脂に重合開始剤や重合性モノマー用いて、光重合又は熱重合により重合性モノマーを架橋させ接着性を持たせることもできる。この重合性モノマーとしては、ジペンタエリスリトール、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ビスフェノールAやビスフェノールFのジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートのような多価グリシジルエーテルと(メタ)アクリル酸の付加反応物、アジピン酸のような多価カルボン酸とグリシジル(メタ)アクリレートとの反応付加物、プロピレンジアミンのような多価アミンとグリシジル(メタ)アクリレートの付加反応物など、多価不飽和化合物などが挙げられるがこれらに限定されるものでなはない。
また、層102として用いる耐溶剤層はできるだけ平坦であることが望ましい。凹凸、気泡等が存在すると欠陥検査時に樹脂凸部の欠陥以外に凹凸、気泡等も検出してしまい好ましくない為である。
これらを改善するために、層102として用いる耐溶剤層に公知の界面活性剤を添加すること事もできる。種類としてシリコン系、フッ素系、アクリル系があげられるがどれを用いてもかまわない。
The solvent resistant layer used as the layer 102 in the present embodiment needs to adhere the photosensitive resin layer (the layer constituting the convex pattern 101) and the light transmitting layer 103 while having solvent resistance. Therefore, it is preferable to add a resin used in the photosensitive resin layer and the light transmission layer 103 to a known adhesive. Alternatively, a polymerization initiator or a polymerizable monomer may be used for the resin, and the polymerizable monomer may be cross-linked by photopolymerization or thermal polymerization to have adhesiveness. Examples of the polymerizable monomer include dipentaerythritol, pentaerythritol, trimethylolpropane, glycerin, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, diglycidyl ether acrylic acid adduct of bisphenol A and bisphenol F, and ethylene glycol di (meth) acrylate. , Polyvalent glycidyl ethers such as neopentyl glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate and (Meth) acrylic acid addition reaction product, reaction addition product of polycarboxylic acid such as adipic acid and glycidyl (meth) acrylate, propylene Examples include, but are not limited to, polyunsaturated compounds such as an addition reaction product of a polyvalent amine such as range amine and glycidyl (meth) acrylate.
In addition, the solvent resistant layer used as the layer 102 is desirably as flat as possible. This is because the presence of irregularities, bubbles, etc. is not preferable because irregularities, bubbles, etc. are detected in addition to the defects of the resin convex portion during defect inspection.
In order to improve these, a known surfactant may be added to the solvent resistant layer used as the layer 102. There are silicon, fluorine and acrylic types, but any of them may be used.

本実施形態における感光性樹脂層による凸部パターン101は、ポジ型感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー法、ネガ型感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー法、射出成型、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、レーザーアブレーション法等の種々のパターン成型法を用いることができるが、パターンの高精細さの観点から、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー法が望ましく、また、要求精度の凸版を形成可能なネガ型感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー法が最も望ましい。   The convex pattern 101 by the photosensitive resin layer in this embodiment is a photolithography method using a positive photosensitive resin, a photolithography method using a negative photosensitive resin, injection molding, a relief printing method, an intaglio printing method, Various pattern molding methods such as lithographic printing method, stencil printing method, laser ablation method can be used, but from the viewpoint of high definition of pattern, photolithography method using photosensitive resin is desirable and required accuracy A photolithography method using a negative photosensitive resin capable of forming a relief printing plate is most desirable.

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー法を凸部パターン101の形成法として適用する場合、基材105、光乱反射層104、光透過層103、層102として用いる耐溶剤層、凸部パターン101を構成する感光性樹脂層が順次積層されている板状感光性樹脂積層体から、印刷用凸版100の凸部パターン101を形成することが最も望ましい。感光性樹脂層の成型方法は、射出成型法、突出成型法、ラミネート法、バーコート法、スリットコート法、カンマコート法などの公知の方法を用いることができる。   When the photolithography method using a photosensitive resin is applied as the method of forming the convex pattern 101, the substrate 105, the light irregular reflection layer 104, the light transmission layer 103, the solvent resistant layer used as the layer 102, and the convex pattern 101 are configured. It is most desirable to form the convex pattern 101 of the relief printing plate 100 from a plate-shaped photosensitive resin laminate in which photosensitive resin layers to be sequentially laminated. As a method for molding the photosensitive resin layer, a known method such as an injection molding method, a protruding molding method, a laminating method, a bar coating method, a slit coating method, or a comma coating method can be used.

図2に本実施形態における凸部パターン101を構成する板状感光性樹脂積層体の成型方法を示した。まず、図2(a)〜(c)に示すように、基材105にバーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、フレキソ印刷、グラビア印刷などのウェットコーティング法により光乱反射層104、光透過層103、耐溶剤層による層102を順次形成し、積層体106とする。次に、図2(d)に示すように、積層体106に感光性樹脂層107を射出成型法、突出成型法、ラミネート法、バーコート法、スリットコート法、カンマコート法などの公知の方法で成膜し、板状感光性樹脂積層体108を得る。
次に、板状感光性樹脂積層体108に対し、フォトリソグラフィー法により凸部パターン101を形成する場合において、本実施形態の印刷用凸版100の一例として水現像タイプのネガ型の感光性樹脂を板状感光性樹脂積層体108の材料に用いた場合を説明する。図3に印刷用凸版100における凸部パターン101の製版工程の断面図を示した。まず、図3(a)に示すように、板状感光性樹脂積層体108を用意する。
次に、図3(b)に示すように、フォトマスク303を感光性樹脂上に配置する。フォトマスク303は、透光性を有するガラス304上に例えばクロム薄膜からなるパターンを形成して構成されており、クロム薄膜が形成された遮光部301とクロム薄膜が形成されずガラス304が露出した透光部302とを有している。このフォトマスク303では、遮光部301において光が遮られ、透光部302において光が透過する。
次に、図3(c)に示すように、フォトマスク303を介して、紫外光に代表される活性光線305を板状感光性樹脂積層体108に照射し、感光性樹脂層107をフォトマスク303のパターンに応じて露光する。このとき、フォトマスク303の透光部302を通過して活性光線が照射された感光性樹脂層107の部分が硬化されるが、照射量が多過ぎても少な過ぎても所望のパターニングが得られない。次に、フォトマスク303を板状感光性樹脂積層体108から外し、現像をおこなう。この現像により、先の露光によって光が照射されなかった未硬化部分を除去し、印刷用凸版100とする。このとき、未硬化部分が水により溶解、除去可能な水現像タイプの感光性樹脂層107を用いた場合には、現像液として水が用いられる。
FIG. 2 shows a method for molding the plate-like photosensitive resin laminate constituting the convex pattern 101 in the present embodiment. First, as shown in FIGS. 2A to 2C, the light irregular reflection layer 104 and light transmission are applied to the base material 105 by wet coating methods such as bar coating, slit coating, spray coating, flexographic printing, and gravure printing. A layer 103 and a layer 102 of a solvent resistant layer are sequentially formed to form a stacked body 106. Next, as shown in FIG. 2D, a known method such as injection molding, protruding molding, laminating, bar coating, slit coating, or comma coating is applied to the laminate 106 with the photosensitive resin layer 107. To form a plate-like photosensitive resin laminate 108.
Next, when the convex pattern 101 is formed on the plate-shaped photosensitive resin laminate 108 by a photolithography method, a water-developable negative photosensitive resin is used as an example of the printing relief plate 100 of this embodiment. The case where it uses for the material of the plate-shaped photosensitive resin laminated body 108 is demonstrated. FIG. 3 shows a cross-sectional view of the plate making process of the convex pattern 101 in the printing relief plate 100. First, as shown in FIG. 3A, a plate-like photosensitive resin laminate 108 is prepared.
Next, as shown in FIG. 3B, a photomask 303 is placed on the photosensitive resin. The photomask 303 is configured by forming a pattern made of, for example, a chromium thin film on a light-transmitting glass 304, and the light shielding portion 301 formed with the chromium thin film and the glass 304 are exposed without forming the chromium thin film. A translucent portion 302. In the photomask 303, light is blocked by the light shielding portion 301 and light is transmitted by the light transmitting portion 302.
Next, as shown in FIG. 3C, the plate-shaped photosensitive resin laminate 108 is irradiated with an actinic ray 305 typified by ultraviolet light through a photomask 303, and the photosensitive resin layer 107 is exposed to the photomask. Exposure is performed according to the pattern 303. At this time, the portion of the photosensitive resin layer 107 irradiated with actinic rays through the light-transmitting portion 302 of the photomask 303 is cured, but desired patterning can be obtained even if the irradiation amount is too large or too small. I can't. Next, the photomask 303 is removed from the plate-like photosensitive resin laminate 108, and development is performed. By this development, the uncured portion that was not irradiated with light by the previous exposure is removed, and the relief printing plate 100 is obtained. At this time, when the water developing type photosensitive resin layer 107 in which the uncured portion can be dissolved and removed by water is used, water is used as the developing solution.

次に、本実施形態の製版工程により凸部パターン101が形成された印刷用凸版100を用いた回路パターンの製造装置の一例として、有機EL素子の製造装置について説明する。なお、本発明による印刷用凸版を用いた製造装置で作製できる回路パターンは、有機EL素子に限るものではない。   Next, an apparatus for manufacturing an organic EL element will be described as an example of a circuit pattern manufacturing apparatus using the printing relief plate 100 on which the convex pattern 101 is formed by the plate making process of the present embodiment. In addition, the circuit pattern which can be manufactured with the manufacturing apparatus using the relief printing plate by this invention is not restricted to an organic EL element.

図4に本発明の製造装置の一実施形態に係るフレキソ印刷機の一例の概略図を示した。ステージ407には被印刷基板406が固定されており、本実施形態の製版工程によって凸部パターン101が形成された印刷用凸版404は版胴405に固定され、印刷用凸版404はインキ供給体であるアニロックスロール408と接しており、アニロックスロール408はインキ補充装置401とインキチャンバー402とドクター403を備えている。   FIG. 4 shows a schematic diagram of an example of a flexographic printing machine according to an embodiment of the manufacturing apparatus of the present invention. A printing substrate 406 is fixed to the stage 407. The printing relief plate 404 on which the projection pattern 101 is formed by the plate making process of this embodiment is fixed to the plate cylinder 405, and the printing relief plate 404 is an ink supply. The anilox roll 408 is in contact with a certain anilox roll 408, and includes an ink replenishing device 401, an ink chamber 402, and a doctor 403.

まず、インキ補充装置401からインキチャンバー402を介してアニロックスロール408へインキを補充し、アニロックスロール408に供給されたインキのうち余分なインキは、ドクター403により除去される。インキ補充装置401には、滴下型のインキ補充装置、ファウンテンロール、スリットコータ、ダイコータ、キャップコータなどのコータやそれらを組み合わせたものなどを用いることもできる。ドクター403にはドクターブレードの他にドクターロールといった公知の物を用いることもできる。また、アニロックスロール408は、クロム製やセラミックス製のものを用いることができる。また、印刷用凸版404へのインキ供給体としてシリンダー状のアニロックスロール408ではなく、平版のアニロックス版を用いることも可能である。平版のアニロックス版は、例えば、図4の被印刷基板406の位置に配置され、インキ補充装置によりアニロックス版全面にインキを補充した後、版胴405を回転させることにより被印刷基板へのインキの供給をおこなうことができる。   First, ink is replenished from the ink replenishing device 401 to the anilox roll 408 via the ink chamber 402, and excess ink out of the ink supplied to the anilox roll 408 is removed by the doctor 403. The ink replenishing device 401 may be a dripping type ink replenishing device, a fountain roll, a slit coater, a die coater, a coater such as a cap coater, or a combination thereof. For the doctor 403, a known object such as a doctor roll can be used in addition to the doctor blade. The anilox roll 408 can be made of chromium or ceramics. Further, instead of the cylindrical anilox roll 408, a flat anilox plate can be used as an ink supply to the printing relief plate 404. The flat anilox plate is disposed, for example, at the position of the printing substrate 406 in FIG. 4. After the ink is replenished to the entire surface of the anilox plate by an ink replenishing device, the plate cylinder 405 is rotated to apply ink to the printing substrate. Supply can be made.

印刷用凸版404へのインキ供給体であるアニロックスロール408の表面にドクター403によって均一に保持されたインキは、版胴405に取り付けられた印刷用凸版404の凸部パターン101に転移、供給される。そして、版胴405の回転に合わせて印刷用凸版404の凸部パターン101と被印刷基板406は接しながら相対的に移動し、インキはステージ407上にある被印刷基板406の所定位置に転移し被印刷基板406にインキパターンを形成する。被印刷基板406にインキパターンが設けられた後は、必要に応じてオーブンなどによる乾燥工程を設けることができる。   The ink uniformly held by the doctor 403 on the surface of the anilox roll 408 which is an ink supply body to the printing relief plate 404 is transferred and supplied to the projection pattern 101 of the printing relief plate 404 attached to the plate cylinder 405. . As the plate cylinder 405 rotates, the convex pattern 101 of the printing relief plate 404 and the printing substrate 406 move relatively in contact with each other, and the ink is transferred to a predetermined position on the printing substrate 406 on the stage 407. An ink pattern is formed on the substrate to be printed 406. After the ink pattern is provided on the substrate to be printed 406, a drying process using an oven or the like can be provided as necessary.

なお、印刷用凸版404上にあるインキを被印刷基板406に印刷する方式は、被印刷基板406が固定されたステージ407を版胴405の回転にあわせて移動させる方式であってもよいし、被印刷基板405を静止させたまま、図4上部の版胴405、印刷用凸版404、アニロックスロール408、インキ補充装置401からなる印刷ユニットを版胴405の回転に合わせ移動させる方式であってもよい。また、本実施形態のフレキソ印刷機(凸版印刷装置)で用いる印刷用凸版404は、凸部パターン101の形成後に版胴405上に取り付けるものに限られない。例えば、版胴405上に直接樹脂層を形成してこの直接形成した樹脂層を直接製版することで、凸部パターン101を形成した印刷用凸版404であってもよい。   The method of printing the ink on the printing relief plate 404 on the printing substrate 406 may be a method of moving the stage 407 to which the printing substrate 406 is fixed in accordance with the rotation of the plate cylinder 405. Even when the printing substrate 405 is kept stationary, the printing unit including the plate cylinder 405 at the top of FIG. 4, the printing relief plate 404, the anilox roll 408, and the ink replenishing device 401 is moved according to the rotation of the plate cylinder 405. Good. Further, the printing relief plate 404 used in the flexographic printing machine (letter printing apparatus) of the present embodiment is not limited to the one attached on the plate cylinder 405 after the formation of the projection pattern 101. For example, the printing relief plate 404 in which the protrusion pattern 101 is formed by directly forming the resin layer on the plate cylinder 405 and directly making the resin layer may be used.

なお、図4は1枚毎に被印刷基板にインキパターンを形成する枚葉式の凸版印刷装置であるが、被印刷基板405がウェブ状で巻き取り可能である場合には、ロール・ツゥー・ロール方式の凸版印刷装置を用いることもできる。ロール・ツゥー・ロール方式の凸版印刷装置を用いた場合には連続してインキパターンを形成することが可能となり、製造コストを低くすることが可能となる。   FIG. 4 shows a sheet-fed relief printing apparatus that forms an ink pattern on a substrate to be printed one by one. However, when the substrate to be printed 405 can be wound in a web shape, roll-to- A roll type letterpress printing apparatus can also be used. When a roll-to-roll type letterpress printing apparatus is used, it is possible to continuously form an ink pattern and to reduce the manufacturing cost.

次に、図4の凸版印刷装置を用いて製造することができる印刷物の一例として、有機EL素子について説明する。なお、図4の凸版印刷装置を用いて製造することができる印刷物はこれに限るものではない。TFT等の汎用的な電子回路パターンの製造にも図4の凸版印刷装置を用いることができる。図5に有機EL素子の断面図を示した。有機EL素子の駆動方法としては、パッシブマトリックス方式とアクティブマトリックス方式があるが、図4の凸版印刷装置はパッシブマトリックス方式の有機EL素子、アクティブマトリックス方式の有機EL素子のどちらを製造する際にも適用可能である。   Next, an organic EL element is demonstrated as an example of the printed matter which can be manufactured using the relief printing apparatus of FIG. In addition, the printed matter which can be manufactured using the relief printing apparatus of FIG. 4 is not restricted to this. The relief printing apparatus shown in FIG. 4 can also be used to manufacture general-purpose electronic circuit patterns such as TFTs. FIG. 5 shows a cross-sectional view of the organic EL element. As a driving method of the organic EL element, there are a passive matrix type and an active matrix type. The relief printing apparatus shown in FIG. 4 can be used for manufacturing either a passive matrix type organic EL element or an active matrix type organic EL element. Applicable.

パッシブマトリックス方式とはストライプ状の電極を直交させるように対向させ、その交点を発光させる方式であるのに対し、アクティブマトリックス方式は画素毎にトランジスタを形成した、いわゆる薄膜トランジスタ(TFT)基板を用いることにより、画素毎に独立して発光する方式である。   The passive matrix method is a method in which stripe-shaped electrodes are opposed to each other so as to be orthogonal to each other, and light is emitted at the intersection, whereas the active matrix method uses a so-called thin film transistor (TFT) substrate in which a transistor is formed for each pixel. Thus, the light is emitted independently for each pixel.

図5に示すように、本実施形態の有機EL素子は、基板501の上に、陽極としてストライプ状に第一電極502を有している。隔壁505は第一電極502間に設けられ、第一電極502端部のバリ等よるショートを防ぐことを目的として第一電極502端部を覆うことがましい。   As shown in FIG. 5, the organic EL element of this embodiment has a first electrode 502 in a stripe shape as an anode on a substrate 501. The partition wall 505 is provided between the first electrodes 502 and preferably covers the end portion of the first electrode 502 for the purpose of preventing a short circuit due to burrs at the end portion of the first electrode 502.

そして、本実施形態の有機EL素子は、第一電極502上であって隔壁505で区画された領域(発光領域、画素部)に、有機発光層及び発光補助層からなる有機EL層を有している。電極間に挟まれる有機EL層は、有機発光層単独から構成されたものであってもよいし、有機発光層と発光補助層との積層構造から構成されたものでもよい。発光補助層としては正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層が挙げられる。図5では発光補助層である正孔輸送層503と有機発光層(508、509、510)との積層構造からなる構成を示している。第一電極502上に正孔輸送層503が設けられ、正孔輸送層503上に赤色(R)有機発光層508、緑色(G)有機発光層509、青色(B)有機発光層510がそれぞれ設けられている。   The organic EL element of the present embodiment has an organic EL layer composed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer in a region (light emitting region, pixel portion) partitioned by the partition 505 on the first electrode 502. ing. The organic EL layer sandwiched between the electrodes may be composed of an organic light emitting layer alone, or may be composed of a laminated structure of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer. Examples of the light emission auxiliary layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a charge generation layer. FIG. 5 shows a structure having a laminated structure of a hole transport layer 503 which is a light emission auxiliary layer and organic light emitting layers (508, 509, 510). A hole transport layer 503 is provided on the first electrode 502, and a red (R) organic light emitting layer 508, a green (G) organic light emitting layer 509, and a blue (B) organic light emitting layer 510 are provided on the hole transport layer 503, respectively. Is provided.

次に、有機発光層(508、509、510)上に陽極である第一電極502と対向するように陰極として第二電極504が配置される。パッシブマトリックス方式の場合、ストライプ状を有する第一電極502と直交する形で第二電極504はストライプ状に設けられる。アクティブマトリックス方式の場合、第二電極504は、有機EL素子全面に形成される。更に、第一電極502、有機発光層(508、509、510)、発光補助層(正孔輸送層503)、第二電極504への環境中の水分、酸素の侵入を防ぐために、有効画素全面に対してガラスキャップ506等による封止体が設けられ、接着剤507を介して基板501と貼りあわされる。   Next, the second electrode 504 is disposed as a cathode on the organic light emitting layer (508, 509, 510) so as to face the first electrode 502 as the anode. In the case of the passive matrix system, the second electrode 504 is provided in a stripe shape so as to be orthogonal to the first electrode 502 having a stripe shape. In the case of the active matrix method, the second electrode 504 is formed on the entire surface of the organic EL element. Further, in order to prevent intrusion of moisture and oxygen in the environment to the first electrode 502, the organic light emitting layer (508, 509, 510), the light emission auxiliary layer (hole transport layer 503), and the second electrode 504, the effective pixel entire surface is prevented. On the other hand, a sealing body such as a glass cap 506 is provided, and is attached to the substrate 501 through an adhesive 507.

本実施形態の有機EL素子は、少なくとも基板501と、当該基板501に支持されたパターン状の第一電極502と、有機発光層(508、509、510)と、第二電極504を具備する。本発明の有機EL素子は、図5とは逆に、第一電極502を陰極、第二電極504を陽極とする構造であっても良い。また、ガラスキャップ506等の封止体の代わりに、有機光媒体層や電極を外部の酸素や水分の浸入から保護するために、パッシベーション層や外部応力から保護する保護層、あるいはその両方の機能を備えた封止基材を備えてもよい。   The organic EL element of this embodiment includes at least a substrate 501, a patterned first electrode 502 supported on the substrate 501, organic light emitting layers (508, 509, 510), and a second electrode 504. The organic EL element of the present invention may have a structure in which the first electrode 502 is a cathode and the second electrode 504 is an anode, contrary to FIG. In addition, in order to protect the organic optical medium layer and the electrode from the ingress of external oxygen and moisture in place of the sealing body such as the glass cap 506, the function of the passivation layer, the protective layer protecting from the external stress, or both functions You may provide the sealing base material provided with.

次に、有機EL素子の製造方法を説明する。本発明にかかる基板としては、絶縁性を有する基板であればいかなる基板も使用することができる。この基板側から光を取り出すボトムエミッション方式の有機EL素子とする場合には、基板として透明なものを使用する必要がある。   Next, the manufacturing method of an organic EL element is demonstrated. As the substrate according to the present invention, any substrate can be used as long as it has an insulating property. In the case of a bottom emission type organic EL element that extracts light from the substrate side, it is necessary to use a transparent substrate.

例えば、基板としてはガラス基板や石英基板が使用できる。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。これら、プラスチックフィルムやシートに、有機発光媒体層への水分の侵入を防ぐことを目的として、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化膜薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを基板として利用してもよい。   For example, a glass substrate or a quartz substrate can be used as the substrate. Further, it may be a plastic film or sheet such as polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyacrylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, or polyethylene naphthalate. Metal oxide thin film, metal fluoride thin film, metal nitride thin film, metal oxynitride thin film, or polymer resin film for the purpose of preventing moisture from entering the organic light emitting medium layer in these plastic films and sheets You may utilize what laminated | stacked these as a board | substrate.

また、これらの基板は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基板内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。   In addition, it is more preferable to reduce the moisture adsorbed on the inside or the surface of the substrate as much as possible by performing a heat treatment on these substrates in advance. Further, in order to improve the adhesion depending on the material to be laminated on the substrate, it is preferable to use after performing surface treatment such as ultrasonic cleaning treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, UV ozone treatment.

また、これらに薄膜トランジスタ(TFT)を形成して、アクティブマトリックス方式の有機EL素子用の基板とすることが可能である。本発明のアクティブマトリックス方式の基板の一例の説明断面図を図6に示す。本発明の有機EL素子の基板601とする場合には、TFT613上に、平坦化層610が形成してあるとともに、平坦化層610上に有機EL素子の下部電極(第一電極602)が設けられており、かつ、TFT613と下部電極(第一電極602)とが平坦化層610に設けたコンタクトホール611を介して電気接続してあることが好ましい。このように構成することにより、TFT613と、有機EL素子との間で、優れた電気絶縁性を得ることができる。   Further, a thin film transistor (TFT) can be formed on these to form a substrate for an active matrix organic EL element. FIG. 6 shows an explanatory cross-sectional view of an example of the active matrix substrate of the present invention. In the case of the organic EL element substrate 601 of the present invention, the planarization layer 610 is formed on the TFT 613, and the lower electrode (first electrode 602) of the organic EL element is provided on the planarization layer 610. The TFT 613 and the lower electrode (first electrode 602) are preferably electrically connected through a contact hole 611 provided in the planarization layer 610. With this configuration, excellent electrical insulation can be obtained between the TFT 613 and the organic EL element.

TFT613や、その上方に構成される有機EL素子は支持体604で支持される。支持体604としては機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましく、具体的には先に基板601として述べた材料を用いることができる。   The TFT 613 and the organic EL element formed above the TFT 613 are supported by a support 604. The support 604 is preferably excellent in mechanical strength and dimensional stability. Specifically, the materials described above as the substrate 601 can be used.

支持体604上に設けるTFT613は、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層605、ゲート絶縁膜606及びゲート電極607から構成される薄膜トランジスタ(TFT)613が挙げられる。薄膜トランジスタ(TFT)613の構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。   As the TFT 613 provided over the support 604, a known thin film transistor can be used. Specifically, a thin film transistor (TFT) 613 composed mainly of an active layer 605 in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film 606, and a gate electrode 607 can be given. The structure of the thin film transistor (TFT) 613 is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

活性層605は特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフェンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法、SiH ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Si ガスを用いてLPCVD法により、また、SiH ガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn ポリシリコンのゲート電極607を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。 The active layer 605 is not particularly limited, and examples thereof include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, and cadmium selenide, thiophene oligomers, and organic materials such as poly (p-ferylene vinylene). It can be formed of a semiconductor material. These active layers are formed by, for example, laminating amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping is performed by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon is formed by PECVD using SiH 4 gas, and laser such as excimer laser is used. After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is laminated by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate break Film is formed, a gate electrode 607 of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method.

ゲート絶縁膜606としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO 等を用いることができる。 As the gate insulating film 606, a film normally used as a gate insulating film can be used. For example, SiO 2 formed by PECVD method, LPCVD method or the like, or SiO 2 obtained by thermally oxidizing a polysilicon film. Etc. can be used.

ゲート電極607としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。   As the gate electrode 607, a material usually used as a gate electrode can be used. For example, a metal such as aluminum or copper, a refractory metal such as titanium, tantalum, or tungsten, polysilicon, or a silicide of a refractory metal. And polycide.

TFT613は、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。   The TFT 613 may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.

有機EL素子によるディスプレイは、薄膜トランジスタ(TFT)613が有機EL素子のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、薄膜トランジスタ(TFT)613のドレイン電極609と有機EL素子の画素電極(第一電極602)が電気的に接続されている。さらにトップエミッション構造をとるための画素電極(第一電極602)には、一般に光を反射する金属を用いる必要がある。   A display using an organic EL element needs to be connected so that the thin film transistor (TFT) 613 functions as a switching element of the organic EL element. The drain electrode 609 of the thin film transistor (TFT) 613 and the pixel electrode (first electrode) of the organic EL element One electrode 602) is electrically connected. Furthermore, it is generally necessary to use a metal that reflects light for the pixel electrode (first electrode 602) for adopting a top emission structure.

TFT613とドレイン電極609と有機EL素子の画素電極(第一電極602)との接続は、平坦化膜610を貫通するコンタクトホール611内に形成された接続配線を介して行われる。   The TFT 613, the drain electrode 609, and the pixel electrode (first electrode 602) of the organic EL element are connected via a connection wiring formed in a contact hole 611 that penetrates the planarization film 610.

平坦化膜610の材料についてはSiO 、スピンオンガラス、SiN(Si )、TaO(Ta )等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フォトレジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有機材料等を用いることができる。これらの材料に合わせて、積層法はスピンコーティング、CVD、蒸着法等を選択できる。必要に応じて、平坦化層610として感光性樹脂を用いフォトリソグラフィーの手法により、あるいは一旦全面に平坦化層610を形成後、下層のTFT613に対応した位置にドライエッチング、ウェットエッチング等でコンタクトホール611を形成する。コンタクトホール611はその後導電性材料で埋めて平坦化層610上層に形成される画素電極(第一電極602)との導通を図る。平坦化層610の厚みは下層のTFT613、コンデンサ、配線等を覆うことができればよく、厚みは数μm、例えば3μm程度あればよい。 As for the material of the planarizing film 610, inorganic materials such as SiO 2 , spin-on glass, SiN (Si 3 N 4 ), TaO (Ta 2 O 5 ), organic materials such as polyimide resin, acrylic resin, photoresist material, and black matrix material are used. Materials and the like can be used. According to these materials, a spin coating, a CVD, a vapor deposition method or the like can be selected as the lamination method. If necessary, a contact hole is formed by dry etching, wet etching, or the like at a position corresponding to the lower TFT 613 after photolithography using a photosensitive resin as the planarizing layer 610 or by forming the planarizing layer 610 once on the entire surface. 611 is formed. The contact hole 611 is then filled with a conductive material to be electrically connected to the pixel electrode (first electrode 602) formed on the planarization layer 610. The thickness of the planarization layer 610 only needs to cover the lower TFT 613, the capacitor, the wiring, and the like, and the thickness may be several μm, for example, about 3 μm.

基板上には第一電極602が設けられる。第一電極602を陽極とした場合、その材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や金、白金、クロムなどの金属材料を単層または積層したものをいずれも使用できる。第一電極602の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。   A first electrode 602 is provided on the substrate. When the first electrode 602 is used as an anode, the material is a metal such as ITO (indium tin composite oxide), IZO (indium zinc composite oxide), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and zinc aluminum composite oxide. A single layer or laminated layer of metal materials such as composite oxide, gold, platinum, and chromium can be used. As a method for forming the first electrode 602, a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used depending on the material.

なお、低抵抗であること、溶剤耐性があること、また、ボトムミッション方式としたときには透明性が高いことなどからITOが好ましく使用できる。ITOはスパッタ法によりガラス基板上に形成され、フォトリソ法によりパターニングされて第一電極602となる。   In addition, ITO is preferably used because of its low resistance, solvent resistance, and high transparency when the bottom mission method is adopted. ITO is formed on the glass substrate by a sputtering method and patterned by a photolithography method to form the first electrode 602.

第一電極602を形成後、第一電極縁部を覆うようにして隔壁603が形成される。隔壁603は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることができる。また、隔壁603の形成材料として、SiO 、TiO 等を用いることもできる。 After forming the first electrode 602, the partition wall 603 is formed so as to cover the edge of the first electrode. The partition wall 603 needs to have insulating properties, and a photosensitive material or the like can be used. The photosensitive material may be a positive type or a negative type, a photo-curing resin of a photo radical polymerization system, a photo cationic polymerization system, or a copolymer containing an acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol. , Novolac resin, polyimide resin, cyanoethyl pullulan, and the like can be used. Further, as a material for forming the partition wall 603, SiO 2 , TiO 2, or the like can be used.

隔壁603の形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。スピンコート法の場合、隔壁603の高さは、スピンコートするときの回転数等の条件でコントロールできるが、1回のコーティングでは限界の高さがあり、それ以上高くするときは複数回スピンコートを繰り返す手法を用いる。   When the forming material of the partition wall 603 is a photosensitive material, the forming material solution is coated on the entire surface by a slit coating method or a spin coating method, and then patterned by a photolithography method such as exposure and development. In the case of the spin coating method, the height of the partition wall 603 can be controlled by conditions such as the number of rotations when spin coating is performed, but there is a limit height in one coating, and when it is further increased, the spin coating is performed multiple times. Is used.

感光性材料を用いてフォトリソ法により隔壁603を形成する場合、その形状は露光条件や現像条件により制御可能である。例えば、ネガ型の感光性樹脂を塗布し、露光・現像した後、ポストベークして、隔壁603を得るときに、隔壁603の端部の形状を順テーパー形状としたい場合には、この現像条件である現像液の種類、濃度、温度、あるいは現像時間を制御すればよい。現像条件を穏やかなものとすれば、隔壁603の端部は順テーパー形状となり、現像条件を過酷にすれば、隔壁603の端部は逆テーパー形状となる。   When the partition 603 is formed by a photolithography method using a photosensitive material, the shape of the partition 603 can be controlled by exposure conditions and development conditions. For example, when a negative photosensitive resin is applied, exposed / developed, and post-baked to obtain the partition wall 603, the end portion of the partition wall 603 has a forward tapered shape. The type, concentration, temperature, or development time of the developer may be controlled. If the development condition is mild, the end of the partition wall 603 has a forward tapered shape, and if the development condition is severe, the end of the partition wall 603 has a reverse tapered shape.

また、隔壁603の形成材料がSiO 、TiO の場合、スパッタリング法、CVD法といった乾式成膜法で形成可能である。この場合、隔壁603のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。 Further, when the material for forming the partition wall 603 is SiO 2 or TiO 2 , the partition wall 603 can be formed by a dry film formation method such as a sputtering method or a CVD method. In this case, patterning of the partition wall 603 can be performed by a mask or a photolithography method.

次に、有機発光層及び発光補助層からなる有機EL層を形成する。電極間に挟まれる有機EL層としては、有機発光層単独から構成されたものでもよいし、有機発光層と正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層といった発光を補助するための発光補助層との積層構造としてもよい。なお、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層は必要に応じて適宜選択される。   Next, an organic EL layer composed of an organic light emitting layer and a light emission auxiliary layer is formed. The organic EL layer sandwiched between the electrodes may be composed of an organic light emitting layer alone, an organic light emitting layer and a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a charge generation layer, etc. It is good also as a laminated structure with the light emission auxiliary layer for assisting light emission. The hole transport layer, hole injection layer, electron transport layer, electron injection layer, and charge generation layer are appropriately selected as necessary.

そして、本発明は有機発光層や正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層といった発光補助層からなる有機EL層のうち少なくとも1層を、有機EL層材料を溶媒に溶解、または分散させたインキを用い、基材上に樹脂からなる凸部パターンを有する樹脂凸版を印刷版とした凸版印刷法により前記第一電極602の上方に印刷して形成する際に適用することができる。以降、有機発光材料を溶媒に溶解、または分散させた有機発光インキを用いた場合について示す。   In the present invention, at least one of the organic EL layers composed of a light emitting auxiliary layer such as an organic light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a charge generation layer is used as an organic EL layer material. When printing is formed above the first electrode 602 by a relief printing method using a resin relief plate having a projection pattern made of resin on a base material using an ink dissolved or dispersed in a solvent. Can be applied to. Hereinafter, a case where an organic light emitting ink in which an organic light emitting material is dissolved or dispersed in a solvent is used will be described.

有機発光層は電流を流すことにより発光する層である。有機発光層の形成する有機発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノー8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラ−トシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。   The organic light emitting layer is a layer that emits light when an electric current is passed. Organic light-emitting materials formed by the organic light-emitting layer include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-quinolato) aluminum complex, bis (8-quinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-) 8-quinolate) aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, Lis (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, poly-2,5-diheptyloxy- A low molecular weight light emitting material such as para-phenylene vinylene can be used.

また、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料を、高分子中に分散させたものが使用できる。高分子としてはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等が使用できる。   Also, coumarin phosphors, perylene phosphors, pyran phosphors, anthrone phosphors, polyphyrin phosphors, quinacridone phosphors, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone phosphors, naphthalimide phosphors, A material obtained by dispersing a low molecular weight light emitting material such as an N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole fluorescent material or a phosphorescent light emitting material such as an Ir complex in a polymer can be used. As the polymer, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl carbazole and the like can be used.

また、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP)やポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイドなどのPPP誘導体、ポリ[2−(2’−エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEHPPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF)、ポリスピロフルオレンなどの高分子発光材料であってもよい。
さらに、PPV前駆体、PPP前駆体などの高分子前駆体が挙げられる。また、その他既存の発光材料を用いることもできる。
Further, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP) and poly [2,5-bis- [2- (N, N, N-triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl- PPP derivatives such as alto-1,4-phenyllene] dibromide, poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene] (MEHPPV), poly [5-methoxy- ( 2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) -1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)] (CN— Polymer light-emitting materials such as PPV), poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF), and polyspirofluorene may be used.
Furthermore, polymer precursors, such as a PPV precursor and a PPP precursor, are mentioned. Other existing light emitting materials can also be used.

正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、チオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。   Examples of the hole transport material forming the hole transport layer include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p -Tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1- Naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine and other aromatic amine-based low molecular hole injection transport materials, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4 -Ethylenedioxythiophene) and polymer hole transport materials such as polystyrene sulfonic acid mixtures, thiophene oligomer materials, and other existing positive It can be selected from among transport material.

また、正孔輸送材料として無機材料を用いる場合、無機材料としてはクロム(Cr)、タングステン(W)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)などの酸化物、窒化物、酸窒化物を真空蒸着法を用いて形成することができる。無機物からなる正孔輸送層を設けることで、熱安定性や耐性に優れたより安定した有機EL素子を得ることができる。   When an inorganic material is used as the hole transport material, the inorganic material includes chromium (Cr), tungsten (W), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), titanium (Ti ), Zirconium (Zr), hafnium (Hf), scandium (Sc), yttrium (Y), manganese (Mn), iron (Fe), ruthenium (Ru), osmium (Os), cobalt (Co), nickel (Ni) ), Copper (Cu), zinc (Zn), cadmium (Cd) and other oxides, nitrides, and oxynitrides can be formed using a vacuum evaporation method. By providing a hole transport layer made of an inorganic material, a more stable organic EL device having excellent thermal stability and resistance can be obtained.

また、電子輸送層を形成する電子輸送材料としては、2−(4−ビフェニル)−5−(4−テトラブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。   Examples of the electron transport material for forming the electron transport layer include 2- (4-biphenyl) -5- (4-tetrabutylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1- Naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like can be used.

有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、2−メチル−(t−ブチル)ベンゼン、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1,3,5−トリ−イソプロピルベンゼン等を単独又は混合して用いることができる。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。   Solvents that dissolve or disperse the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, hexane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, 2-methyl- (t-butyl) Benzene, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, pentylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, cyclohexylbenzene, 1,3,5-tri-isopropylbenzene and the like can be used alone or in combination. . Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.

正孔輸送材料、電子輸送材料を溶解または分散させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独またはこれらの混合溶剤などが挙げられる。特に、正孔輸送材料をインキ化する場合には水またはアルコール類が好適である。   Examples of the solvent for dissolving or dispersing the hole transport material and the electron transport material include, for example, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, water and the like Alternatively, a mixed solvent thereof can be used. In particular, water or alcohols are suitable when forming a hole transport material into an ink.

有機発光層や発光補助層は湿式成膜法により形成される。なお、これらの層が積層構造から構成される場合には、その各層の全てを湿式成膜法により形成する必要はない。湿式成膜法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、吐出コート法、プレコート法、ロールコート法、バーコート法等の塗布法と、凸版印刷法、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法等の印刷法が挙げられる。特に、RGB三色の有機発光層をパターン形成する場合、印刷法によって画素部に選択的に形成することができ、カラー表示のできる有機EL素子を製造することが可能となる。有機発光媒体層の膜厚は、単層又は積層により形成する場合においても1000nm以下であり、好ましくは50nm〜150nmである。   The organic light emitting layer and the light emission auxiliary layer are formed by a wet film forming method. Note that in the case where these layers have a laminated structure, it is not necessary to form all of the layers by a wet film formation method. As the wet film forming method, spin coating method, die coating method, dip coating method, discharge coating method, pre-coating method, roll coating method, bar coating method and the like, relief printing method, inkjet printing method, offset printing method, Examples of the printing method include a gravure printing method. In particular, when patterning organic light emitting layers of three colors of RGB, it can be selectively formed on the pixel portion by a printing method, and an organic EL element capable of color display can be manufactured. The film thickness of the organic light emitting medium layer is 1000 nm or less, preferably 50 nm to 150 nm, even when formed by a single layer or stacked layers.

繰り返しになるが、本発明は有機発光インキを用い凸版印刷法により有機発光層形成する場合だけでなく、正孔輸送インキや電子輸送インキを用い凸版印刷法により正孔輸送層や電子輸送層といった発光補助層を形成する場合にも使用することができる。   Again, the present invention is not only for forming an organic light emitting layer by a relief printing method using an organic light emitting ink, but also for a hole transport layer or an electron transport layer by a relief printing method using a hole transport ink or an electron transport ink. It can also be used when forming a light emission auxiliary layer.

次に、第二電極を形成する。第二電極を陰極とした場合その材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、Al、Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いる。または電子注入効率と安定性を両立させるため、低仕事関数なLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMgAg、AlLi,CuLi等の合金が使用できる。また、トップエミッション方式の有機EL素子とする場合は、陰極は透明性を有する必要があり、例えば、これら金属とITO等の透明導電層の組み合わせによる透明化が可能となる。   Next, a second electrode is formed. When the second electrode is a cathode, a material having high electron injection efficiency is used as the material. Specifically, a single metal such as Mg, Al, or Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched by about 1 nm at the interface in contact with the light emitting medium, and Al or Cu having high stability and conductivity is laminated. And use. Or, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, etc., which have low work function, and stable Ag, Al An alloy system with a metal element such as Cu is used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used. Further, in the case of a top emission type organic EL device, the cathode needs to have transparency, and for example, transparency can be achieved by a combination of these metals and a transparent conductive layer such as ITO.

第二電極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。また、第二電極をパターンとする必要がある場合には、マスク等によりパターニングすることができる。第二電極の厚さは10nm〜1000nmが好ましい。なお、本発明では第一の電極を陰極、第二の電極を陽極とすることも可能である。   As a method for forming the second electrode, a dry film formation method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used. Moreover, when it is necessary to make a 2nd electrode into a pattern, it can pattern by a mask etc. The thickness of the second electrode is preferably 10 nm to 1000 nm. In the present invention, the first electrode can be a cathode and the second electrode can be an anode.

有機EL素子としては電極間に有機発光層を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料や発光補助層形成材料、電極形成材料の一部は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体を設ける。   As an organic EL element, it is possible to emit light by sandwiching an organic light emitting layer between electrodes and flowing an electric current. However, some of the organic light emitting material, the light emission auxiliary layer forming material, and the electrode forming material are water Since it is easily deteriorated by oxygen, a sealing body is usually provided for shielding from the outside.

封止体は、例えば第一電極602、有機発光層、発光補助層、第二電極が形成された基板(支持体604)に対して、凹部を有するガラスキャップ、金属キャップを用いて、第一電極602、有機発光媒体層、第二電極上空に凹部があたるようにして、その周辺部についてキャップと基板(支持体604)を接着剤を介して接着させることにより封止がおこなわれる。   For example, the sealing body is formed by using a glass cap or a metal cap having a recess with respect to the substrate (support 604) on which the first electrode 602, the organic light emitting layer, the light emission auxiliary layer, and the second electrode are formed. Sealing is performed by adhering a cap and a substrate (support 604) with an adhesive around the periphery of the electrode 602, the organic light emitting medium layer, and the second electrode so that there is a recess.

また、封止体は、例えば第一電極602、有機発光層、発光補助層、第二電極が形成された基板(支持体604)に対して、封止材上に樹脂層を設け、該樹脂層により封止材と基板を貼りあわせることによりおこなうことも可能である。   The sealing body is provided with a resin layer on a sealing material on a substrate (support 604) on which, for example, the first electrode 602, the organic light emitting layer, the light emission auxiliary layer, and the second electrode are formed. It is also possible to attach the sealing material and the substrate with layers.

このとき封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10−6g/m /day以下であることが好ましい。 At this time, the sealing material needs to be a base material having low moisture and oxygen permeability. Examples of the material include ceramics such as alumina, silicon nitride, and boron nitride, glass such as alkali-free glass and alkali glass, metal foil such as quartz, aluminum, and stainless steel, and moisture-resistant film. Examples of moisture-resistant films include films formed by CVD of SiOx on both sides of plastic substrates, films with low permeability and water-absorbing films, or polymer films coated with a water-absorbing agent. The water vapor transmission rate is preferably 10 −6 g / m 2 / day or less.

樹脂層としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート(EEA)ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート(EVA)等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機EL素子の大きさや形状により任意に決定されるが、5〜500μm程度が望ましい。   Examples of the resin layer include a photo-curing adhesive resin made of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a thermosetting adhesive resin, a two-component curable adhesive resin, and an ethylene ethyl acrylate (EEA) polymer. Examples thereof include acrylic resins, vinyl resins such as ethylene vinyl acetate (EVA), thermoplastic resins such as polyamide and synthetic rubber, and thermoplastic adhesive resins such as acid-modified products of polyethylene and polypropylene. Examples of methods for forming a resin layer on a sealing material include solvent solution method, extrusion lamination method, melting / hot melt method, calendar method, nozzle coating method, screen printing method, vacuum laminating method, hot roll laminating method, etc. Can be mentioned. A material having a hygroscopic property or an oxygen absorbing property may be contained as necessary. Although the thickness of the resin layer formed on a sealing material is arbitrarily determined by the magnitude | size and shape of the organic EL element to seal, about 5-500 micrometers is desirable.

第一電極602、有機発光層、発光補助層、第二電極が形成された基板(支持体604)と封止体の貼り合わせは封止室でおこなわれる。封止体を、封止材と樹脂層の2層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。なお、ここでは封止材上に樹脂層を形成したが、基板(支持体604)上に樹脂層を形成して封止材と貼りあわせることも可能である。   The substrate (support 604) on which the first electrode 602, the organic light emitting layer, the light emission auxiliary layer, and the second electrode are formed and the sealing body are bonded to each other in the sealing chamber. When the sealing body has a two-layer structure of a sealing material and a resin layer, and a thermoplastic resin is used for the resin layer, it is preferable to perform only pressure bonding with a heated roll. When a thermosetting adhesive resin is used, it is preferable to perform heat curing at a curing temperature after pressure bonding with a heated roll. In the case where a photocurable adhesive resin is used, curing can be performed by further irradiating light after pressure bonding with a roll. Note that although the resin layer is formed over the sealing material here, the resin layer may be formed over the substrate (support 604) and attached to the sealing material.

封止体を用いて封止を行う前やその代わりに、例えばパッシベーション膜として、CVD法を用いて、窒化珪素膜を150nm成膜するなど、無機薄膜による封止体とすることも可能であり、また、これらを組み合わせることも可能である。   Before or instead of sealing with a sealing body, for example, as a passivation film, it is also possible to form a sealing body with an inorganic thin film, such as a silicon nitride film having a thickness of 150 nm using a CVD method. It is also possible to combine these.

以下に、実施例について示す。
(被印刷基板の作製)
被印刷基板として、支持体上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、その上方に形成された平坦化層と、平坦化層上にコンタクトホールによって前記薄膜トランジスタと導通が図られている画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。
Examples will be described below.
(Preparation of printed substrate)
As a substrate to be printed, a thin film transistor that functions as a switching element provided on a support, a planarization layer formed thereabove, and a pixel electrode that is electrically connected to the thin film transistor through a contact hole on the planarization layer An active matrix substrate provided with

この基板上に設けられている画素電極の端部を被覆し画素を区画するような形状で隔壁を形成した。隔壁の形成は、日本ゼオン社製ポジレジストZWD6216−6をスピンコータにて基板全面に厚み2μmで形成した後、フォトリソグラフィー法によって隔壁を形成した。   A partition wall was formed in such a shape as to cover the edge of the pixel electrode provided on the substrate and partition the pixel. The partition walls were formed by forming a positive resist ZWD6216-6 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. on the entire surface of the substrate with a spin coater to a thickness of 2 μm, and then forming the partition walls by photolithography.

画素電極上にスピンコート法により正孔輸送層としてポリ−(3,4)−エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)1.5wt%水溶液を100nm膜厚で成膜した。さらにこの成膜されたPEDOT/PSS薄膜を減圧下100℃で1時間乾燥することで、被印刷基板を作製した。   A poly- (3,4) -ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) 1.5 wt% aqueous solution with a film thickness of 100 nm was formed as a hole transport layer on the pixel electrode by spin coating. Further, the PEDOT / PSS thin film thus formed was dried at 100 ° C. for 1 hour under reduced pressure to produce a substrate to be printed.

(有機発光層形成用インキの調製)
赤色、緑色、青色(RGB)の3色からなる以下の有機発光インキを調製した。赤色発光インク(R):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液(住友化学社製赤色発光材料)緑色発光インク(G):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液(住友化学社製緑色発光材料)青色発光インク(B):ポリフルオレン系誘導体のトルエン1質量%溶液(住友化学社製青色発光材料)。
(Preparation of organic light emitting layer forming ink)
The following organic light-emitting inks comprising three colors of red, green, and blue (RGB) were prepared. Red light emitting ink (R): 1% by weight toluene solution of polyfluorene derivative (red light emitting material manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) Green light emitting ink (G): 1% by weight toluene solution of polyfluorene derivative (green light emitting manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) Material) Blue light emitting ink (B): 1% by weight toluene solution of polyfluorene derivative (blue light emitting material manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).

(光乱反射層のある樹脂版の作製)
〔支持体の製造〕
厚さ250μm幅330mmのクロムメッキ鋼板上に、ポリエステルウレタン系接着剤に0.3μmの酸化チタンを添加混合し、バーコーターを用いて均一に250mm幅となるように塗布し、直ちに130℃の熱風乾燥機の中に入れ、3分間乾燥し、膜厚約10μmの光乱反射層を有する積層体を得た。蛍光ランプ下で観察した所、外観は白色を呈していた。この時、JIS K6854−1に基づいて90°引張強度を測定したところ、90°引張強度は15N/cmであった。
(Preparation of resin plate with diffuse light reflection layer)
[Manufacture of support]
Add 0.3 µm of titanium oxide to polyester urethane adhesive and mix it on a chrome-plated steel sheet with a thickness of 250 µm and a width of 330 mm, and apply evenly to a width of 250 mm using a bar coater. It put in the dryer and dried for 3 minutes, and the laminated body which has a light irregular reflection layer with a film thickness of about 10 micrometers was obtained. When observed under a fluorescent lamp, the appearance was white. At this time, when the 90 ° tensile strength was measured based on JIS K6854-1, the 90 ° tensile strength was 15 N / cm.

次に、ポリエステルウレタン系接着剤を光乱反射層が露出しないように300mm幅となるように光透過層を塗工し同様の処理を行った。このとき基材と光透過層の90°引張強度は31N/cmであった。続いてポリアミドを主成分とし、架橋性を有するモノマーとしてトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルアクリレート、重合開始剤としてベンジルジメチルケタールを用い、有機溶剤を用いて溶液化し、ロールコーターを用いて30μmとなるように塗布し80℃熱風乾燥機にて3分間乾燥し、高圧水銀灯を用いて3000mJ/cm 照射し、耐溶剤層とした。 Next, a light-transmitting layer was applied to the polyester urethane-based adhesive so as to have a width of 300 mm so that the light irregular reflection layer was not exposed, and the same treatment was performed. At this time, the 90 ° tensile strength of the base material and the light transmission layer was 31 N / cm. Subsequently, polyamide is the main component, trimethylolpropane triglycidyl ether acrylate is used as the monomer having crosslinkability, benzyldimethyl ketal is used as the polymerization initiator, the solution is made using an organic solvent, and 30 μm is obtained using a roll coater. It was coated and dried for 3 minutes in a hot air dryer at 80 ° C., and irradiated with 3000 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp to form a solvent-resistant layer.

親水性のポリマーとしてポリアミド、架橋性を有するモノマーとしてトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルアクリレート、トリメチロールプロパン、重合開始剤としてベンジルジメチルケタールを用いた感光性樹脂を、40μmとなるように溶融塗工し、凸版のもととなる感光性樹脂材を形成した。   Polyamide as a hydrophilic polymer, trimethylolpropane triglycidyl ether acrylate as a monomer having crosslinkability, trimethylolpropane, a photosensitive resin using benzyldimethyl ketal as a polymerization initiator, and melt-coated to 40 μm, A photosensitive resin material that is the basis of the relief printing was formed.

この光性樹脂材に対し、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の画素領域に対応して上記被印刷基板の画素幅である25μmのストライプ状の開口と125μmの遮光部が形成された合成石英基材のクロムマスクを樹脂凸版パターンの原版とし、このマスクをプロキシミティ露光装置にセットしたものを用いて樹脂凸版を露光した。
プロキシミティギャップは100μmで、405nmにおける露光量は400mJ/cm であった。露光の後、ライン搬送式スプレー現像機を用いて現像液である水を噴射し現像パターンを得た。現像後、熱風乾燥を行い、後露光後、樹脂凸版を得た。なお、有機ELディスプレイの作製のために、赤、青、緑の各色用に別途製版を行った。
A synthetic quartz base material chromium having a 25 μm stripe-shaped opening and a 125 μm light-shielding portion corresponding to the pixel area of the organic electroluminescence display element, which corresponds to the pixel region of the organic electroluminescence display element. The resin relief printing plate was exposed using the mask as the original plate of the resin relief printing pattern and the mask set in a proximity exposure apparatus.
The proximity gap was 100 μm, and the exposure dose at 405 nm was 400 mJ / cm 2 . After the exposure, a developing pattern was obtained by spraying water as a developer using a line conveying spray developing machine. After the development, hot air drying was performed, and after the post-exposure, a resin relief was obtained. In addition, in order to produce an organic EL display, plate making was performed separately for each color of red, blue, and green.

(エッジ検出精度の確認)
作製した光乱反射層を有する樹脂凸版の凸部ライン幅を株式会社ソキア製AMIC 1400KYにより測定した。エッジ検出法を用いた測定の結果、平均ライン幅24.8μm±0.1μmとなり目標精度の±5%以下を充分下回る結果が得られた。なお、凸部ライン幅については、株式会社日立製作所製走査型電子顕微鏡S−4500によりクロスチェックを行い、測定データの信頼性を確認した。
(Check edge detection accuracy)
The convex line width of the produced resin relief printing plate having the diffused light reflection layer was measured with AMIC 1400KY manufactured by Sokkia Co., Ltd. As a result of the measurement using the edge detection method, the average line width was 24.8 μm ± 0.1 μm, and the result was well below ± 5% of the target accuracy. In addition, about the convex part line width, the cross check was performed with the scanning electron microscope S-4500 by Hitachi, Ltd., and the reliability of the measurement data was confirmed.

(版欠陥の確認)
版に生じた欠陥および付着した異物をパターン欠陥装置にて評価を行った。光乱反射層が無い箇所は金属光沢により測定は不可能であったが(図7 701)、本発明品では欠陥の確認が可能であった(図7 702)。
(Verification of plate defects)
Defects generated on the plate and adhered foreign substances were evaluated with a pattern defect apparatus. Although it was impossible to measure the portion without the light diffuse reflection layer due to the metallic luster (FIG. 7 701), the product of the present invention was able to confirm the defect (FIG. 7 702).

(有機EL素子の製造)
欠陥検査で欠陥が確認されなかった凸版を枚葉式の印刷機のシリンダーに固定した。これと上記の有機発光インキを用いて、被印刷基板に対し印刷を各色についておこなった。有機発光層は、赤色有機発光層、緑色有機発光層、青色有機発光層がストライプ状に並ぶように印刷した。各色について印刷をおこなった後、オーブン内にて130℃で1時間乾燥を行った。形成されたパターン各色の平均膜厚は102nmだった。乾燥の後、印刷により形成した有機発光層上にカルシウムを10nm成膜し、さらにその上に銀を300nm真空蒸着し、最後にガラスキャップを用い封止をおこない本発明の有機EL素子を作製した。この有機EL素子の発光状態を確認したところ、発光ムラなどの特異な異常が無いことを確認した。
(Manufacture of organic EL elements)
The letterpress which was not confirmed by the defect inspection was fixed to the cylinder of the sheet-fed printing press. Using this and the above-described organic light emitting ink, printing was performed for each color on the substrate to be printed. The organic light emitting layer was printed so that the red organic light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the blue organic light emitting layer were arranged in a stripe shape. After printing for each color, drying was performed in an oven at 130 ° C. for 1 hour. The average film thickness of each color of the formed pattern was 102 nm. After drying, a 10 nm film of calcium was formed on the organic light emitting layer formed by printing, and then silver was vacuum deposited on the film by 300 nm, and finally sealed using a glass cap to produce the organic EL device of the present invention. . When the light emission state of the organic EL element was confirmed, it was confirmed that there was no unusual abnormality such as uneven light emission.

<比較例1>
(光乱反射層が露出している版の製作)
厚さ250μm幅330mmのクロムメッキ鋼板上に光乱反射層を330mm幅に塗工した以外は実施例1と同様の方法で凸版を作成し有機EL素子の製造まで行った。エッジ検出、版欠陥は問題なかったが、有機EL素子の発光状態を確認したところ、発光不良箇所などがみられ、その箇所のEDX分析を行った所、酸化チタンが検出された(表1)。
<Comparative Example 1>
(Production of plate with light diffuse reflection layer exposed)
A relief plate was prepared in the same manner as in Example 1 except that a light diffused reflection layer was applied to a 330 mm width on a chromium plated steel plate having a thickness of 250 μm and a width of 330 mm, and an organic EL device was manufactured. Edge detection and plate defects were not a problem, but when the light emitting state of the organic EL element was confirmed, a defective light emitting portion was found, and when the portion was subjected to EDX analysis, titanium oxide was detected (Table 1). .

Figure 0005499836
Figure 0005499836

<比較例2>
(光乱反射層のない樹脂版の製作)
光乱反射層を形成しない以外は、実施例1と同様の方法で凸版を作成し、エッジ検出、版欠陥検査の実施が不可能であったが、有機EL素子の製造まで行った。有機EL素子の発光状態を確認したところ、発光ムラや不良箇所などがみられた。発光ムラにあたる箇所の版パターンを顕微鏡で確認した所、パターンに異物・ヨレがあった。
<Comparative example 2>
(Manufacture of resin plate without light diffuse reflection layer)
A relief printing plate was prepared by the same method as in Example 1 except that the light irregular reflection layer was not formed, and edge detection and plate defect inspection could not be carried out. When the light emission state of the organic EL element was confirmed, light emission unevenness and defective portions were found. When the plate pattern of the portion corresponding to the light emission unevenness was confirmed with a microscope, the pattern had foreign matter and twist.

<比較例3>
(光乱反射層と基材との接着力が10N/cm以下の版の製作)
光乱反射層に含まれる酸化チタンを実施例1と比べ倍以上添加し、以下同様の方法で凸版を作成し有機EL素子の製造まで行った。このとき基材と光乱反射層の90°引張強度は7.0N/cmであった。有機EL素子の発光状態を確認したところ、発光不良箇所は特にみられなかったが、エッジ検出、版欠陥検査を行った際、酸化チタンが凝集している箇所があり、その箇所では検出・検査はできず、高精度の版管理はできなかった。
<Comparative Example 3>
(Manufacture of a plate having an adhesion between the light diffuse reflection layer and the substrate of 10 N / cm or less)
Titanium oxide contained in the light diffuse reflection layer was added more than twice as compared with Example 1, and a letterpress was prepared in the same manner as described above to produce an organic EL element. At this time, the 90 ° tensile strength of the base material and the light irregular reflection layer was 7.0 N / cm. When the light emission state of the organic EL element was confirmed, no defective light emission was found. However, when edge detection and plate defect inspection were performed, there were locations where titanium oxide was agglomerated. Was not possible, and high-precision version control was not possible.

101・・・・・凸部パターン
102・・・・・耐油、耐水、あるいは耐溶剤性を持つ層
103・・・・・光透過層
104・・・・光乱反射層
105・・・・基材
106・・・・積層体
107・・・・・感光性樹脂層
108・・・・・板状感光性樹脂積層体
301・・・・遮光部
302・・・・・透光部
303・・・フォトマスク
304・・・ガラス
305・・・活性光線
401・・・インキ補充装置
402・・・インキチャンバー
403・・・ドクター
404・・・印刷用凸版
405・・・版胴
406・・・被印刷基板
407・・ステージ
408・・・アニロックスロール
501・・・基板
502・・・第一電極
503・・・正孔輸送層
504・・・第二電極
505・・・隔壁
506・・・ガラスキャップ
507・・・接着剤
508・・・赤色有機発光層
509・・緑色有機発光層
510・・・青色有機発光層
601・・・有機EL素子基板
602・・・第一電極
603・・・隔壁
604・・・支持体
605・・・活性層
606・・・ゲート絶縁膜
607・・・ゲート電極
609・・・ドレイン電極
610・・・平坦化層
611・・・コンタクトホール
613・・・TFT
101... Convex pattern 102... Layer 103 having oil resistance, water resistance or solvent resistance... Light transmission layer 104... Light diffuse reflection layer 105. 106... Laminated body 107... Photosensitive resin layer 108... Plate-like photosensitive resin laminate 301... Photomask 304 ... Glass 305 ... Actinic ray 401 ... Ink replenishing device 402 ... Ink chamber 403 ... Doctor 404 ... Print relief 405 ... Plate cylinder 406 ... Printed Substrate 407... Stage 408 ... Anilox roll 501 ... Substrate 502 ... First electrode 503 ... Hole transport layer 504 ... Second electrode 505 ... Partition 506 ... Glass cap 507 ... Adhesive 508 ... Color organic light emitting layer 509... Green organic light emitting layer 510... Blue organic light emitting layer 601... Organic EL element substrate 602... First electrode 603. Layer 606 ... Gate insulating film 607 ... Gate electrode 609 ... Drain electrode 610 ... Planarization layer 611 ... Contact hole 613 ... TFT

Claims (9)

印刷法により高精細パターンを形成するための凸版であって、樹脂層により形成される凸部と凸部を支持する基材との間に、少なくとも400nmから800nmの波長領域の光を乱反射する光乱反射層と、該光乱反射層に積層されて前記光乱反射層の端面が前記凸版の端面から外方に露出しないように覆う光透過層とを有することを特徴とする高精細パターン形成用凸版。   A letterpress for forming a high-definition pattern by a printing method, and light that irregularly reflects light in a wavelength region of at least 400 nm to 800 nm between a convex part formed by a resin layer and a base material supporting the convex part A relief plate for forming a high-definition pattern, comprising: an irregular reflection layer; and a light transmission layer that is laminated on the irregular diffuse reflection layer and covers an end surface of the irregular diffuse reflection layer so as not to be exposed outward from the end surface of the relief plate. 前記光乱反射層に粒径が0.2μm〜0.8μmの酸化チタンが含まれていることを特徴とする請求項1に記載の高精細パターン形成用凸版。   2. The relief printing plate for high-definition pattern formation according to claim 1, wherein the light irregular reflection layer contains titanium oxide having a particle size of 0.2 [mu] m to 0.8 [mu] m. 前記光乱反射層と前記基材との接着力が10N/cm以上であることを特徴とする請求項1または2記載の高精細パターン形成用凸版。   The relief printing plate for high-definition pattern formation according to claim 1 or 2, wherein an adhesive force between the light irregular reflection layer and the substrate is 10 N / cm or more. 前記光透過層と前記基材との接着力が15N/cm以上であることを特徴とする請求項1、2または3に記載の高精細パターン形成用凸版。   4. The relief printing plate for forming a high-definition pattern according to claim 1, wherein an adhesive force between the light transmission layer and the substrate is 15 N / cm or more. 前記基材が金属により形成されていることを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版。   The relief printing plate for high-definition pattern formation according to any one of claims 1 to 4, wherein the base material is formed of metal. 前記樹脂層が少なくとも感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項1から5いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版。   The relief printing plate for high-definition pattern formation according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin layer contains at least a photosensitive resin. 請求項1から6いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版を形成するための板状感光性樹脂積層体であって、少なくとも基材層、光乱反射層、光透過層、感光性樹脂層が順次積層されていることを特徴とする板状感光性樹脂積層体。   A plate-like photosensitive resin laminate for forming the high-definition pattern forming relief plate according to any one of claims 1 to 6, comprising at least a base material layer, a light irregular reflection layer, a light transmission layer, and a photosensitive resin. A plate-like photosensitive resin laminate, wherein the layers are sequentially laminated. 請求項1から6いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版を用いた印刷により電子回路パターンを作製することを特徴とする電子回路パターンの製造装置。   An electronic circuit pattern manufacturing apparatus for manufacturing an electronic circuit pattern by printing using the high-definition pattern forming relief plate according to any one of claims 1 to 6. 請求項1から6いずれか1項に記載の高精細パターン形成用凸版を用いた印刷により有機EL素子を作製することを特徴とする有機EL素子の製造装置。   An organic EL element manufacturing apparatus, wherein an organic EL element is manufactured by printing using the relief pattern for forming a high-definition pattern according to any one of claims 1 to 6.
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