JP5489501B2 - Back grind film and manufacturing method thereof - Google Patents
Back grind film and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5489501B2 JP5489501B2 JP2009068856A JP2009068856A JP5489501B2 JP 5489501 B2 JP5489501 B2 JP 5489501B2 JP 2009068856 A JP2009068856 A JP 2009068856A JP 2009068856 A JP2009068856 A JP 2009068856A JP 5489501 B2 JP5489501 B2 JP 5489501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- weight
- semiconductor wafer
- layer
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 46
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 43
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 41
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 36
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 35
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 20
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 9
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 2
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- QYQADNCHXSEGJT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-dicarboxylate;hydron Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCCC1 QYQADNCHXSEGJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 2
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical class C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1 VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZFOGXKZTWZVFN-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,1-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCC1 YZFOGXKZTWZVFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明は、半導体ウェハの裏面研削（以下、「バックグラインド」という）する際に、該半導体ウェハに貼着して使用されるバックグラインドフィルムに関する。 The present invention relates to a back grind film that is used by being attached to a semiconductor wafer when the back surface of the semiconductor wafer is ground (hereinafter referred to as “back grind”).
半導体を製造する場合には、半導体ウェハの表面にイオン注入、エッチング等で回路を形成した後、ウェハを所定の厚さにするためにウェハの回路形成面とは反対の面をグラインダー等で研削するバックグラインド工程を経るのが一般的である。 When manufacturing a semiconductor, after forming a circuit on the surface of a semiconductor wafer by ion implantation, etching, etc., the surface opposite to the circuit formation surface of the wafer is ground with a grinder to make the wafer a predetermined thickness. In general, a back grinding process is performed.
この半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を防止し、研削加工を容易にするため、半導体ウェハの回路形成面（表面）に裏面研削用表面保護フィルム（バックグラインドフィルム）を貼着して保護する方法がとられている。 In order to prevent damage to the semiconductor wafer and to facilitate grinding during back grinding of this semiconductor wafer, a surface protective film (back grind film) for back grinding is attached to the circuit forming surface (front surface) of the semiconductor wafer. A way to protect is taken.
バックグラインドフィルムは、バックグラインド時の摩擦熱により加熱され、バックグラインド終了後は常温まで冷却される。従来用いられているバックグラインドフィルムは、バックグラインド終了後の冷却過程で収縮するため半導体ウェハ側に反りが発生することが知られている。 The back grind film is heated by frictional heat during back grinding, and is cooled to room temperature after the back grinding is completed. It is known that a conventionally used back grind film is warped on the semiconductor wafer side because it shrinks in the cooling process after the back grind is completed.
近年、半導体ウェハの超薄型化（５０μｍ以下）により、バックグラインドフィルムの反りに追随して貼着された半導体ウェハにも反りが発生しやすくなり、ひいては半導体ウェハチップに欠けが発生するという問題が生じている（例えば、図１参照）。そのため、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程で反りが生じにくい寸法安定性に優れるバックグラインドフィルムが望まれてきている。 In recent years, due to the ultra-thin semiconductor wafer (less than 50 μm), the semiconductor wafer attached following the warp of the back grind film is likely to be warped, and the chip of the semiconductor wafer chip is eventually generated. (See, for example, FIG. 1). Therefore, there has been a demand for a back grind film excellent in dimensional stability that hardly warps during a back grind process of a thin semiconductor wafer.
かかるウェハの反りの問題を解決するべく、種々のバックグラインドフィルムが開発されており、例えば、粘着剤層上にエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）フィルムをラミネートし、さらに粘着剤及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムをラミネートして得られる半導体ウェハ加工用保護シートが知られている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、特許文献１に記載された保護シートでは、極めて引張り弾性率の低い層を別途中間層として設けることにより、基材のわずかな寸法変化を緩和し、ウェハの反りを抑制することが提案されているが、緩和しきれない寸法変化が発生した場合には、反りが大きくなる等の問題があった。 In order to solve the problem of warpage of the wafer, various back grind films have been developed. For example, an ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVA) film is laminated on an adhesive layer, and further an adhesive and polyethylene terephthalate. A protective sheet for processing a semiconductor wafer obtained by laminating a (PET) film is known (for example, see Patent Document 1). However, in the protective sheet described in Patent Document 1, it is proposed that a layer having a very low tensile elastic modulus is provided as an intermediate layer to alleviate slight dimensional changes of the base material and suppress warpage of the wafer. However, when a dimensional change that cannot be alleviated occurs, there is a problem that warpage increases.
さらに、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン系共重合体からなる基材フィルムの片表面に粘着剤を塗布した半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム（例えば、特許文献２参照）や、ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種を含むエラストマーからなるバックグラインドテープ（例えば、特許文献３参照）が知られている。しかしながら、これらの特許文献においては、５０μｍ程度の薄型半導体ウェハに使用される場合については十分な検討がなされておらず、その結果、これらの文献の保護材料では、薄型半導体ウェハの反り抑制という点では十分ではなかった。 Furthermore, an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface (for example, refer to Patent Document 2) or a diene block, in which an adhesive is applied to one surface of a base film made of a polyolefin copolymer such as an ethylene-vinyl acetate copolymer. A back grind tape made of an elastomer containing at least one selected from a hydrogenated polymer and a polar group-modified olefin polymer is known (for example, see Patent Document 3). However, these patent documents do not sufficiently study the case where they are used for thin semiconductor wafers of about 50 μm, and as a result, the protective materials of these literatures suppress warpage of thin semiconductor wafers. Was not enough.
本発明は、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくい優れた寸法安定性を有し、かつ、フィルム巻き取り時におけるブロッキングが抑制できるバックグラインド用基体フィルム、該バックグラインド用基体フィルムを含むバックグラインドフィルムを提供することを目的とする。 The present invention provides a substrate film for back grinding that has excellent dimensional stability in which warpage of the semiconductor wafer is unlikely to occur in a back grinding process of a thin semiconductor wafer and can suppress blocking during film winding, and the back grinding An object of the present invention is to provide a back grind film including a substrate film for use.
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った結果、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含む樹脂組成物からなる表裏層と、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物からなる中間層を含む少なくとも３層からなるバックグラインド用基体フィルムとすることで、バックグラインド工程において寸法安定性に優れ、かつ、フィルム巻き取り時におけるブロッキングが抑制できることを見いだした。かかる知見に基づき、さらに研究を重ねて本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor has found that a front and back layer comprising a resin composition containing 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer, and a soft polyester It is excellent in dimensional stability in the back grinding process by forming a base film for back grinding comprising at least three layers including an intermediate layer comprising a resin composition comprising 100 to 50% by weight of resin and 0 to 50% by weight of polyester elastomer. And it discovered that the blocking at the time of film winding can be suppressed. Based on this knowledge, further studies have been made and the present invention has been completed.
即ち、本発明は下記のバックグラインド用基体フィルム、該基体フィルムを含むバックグラインドフィルム、半導体ウェハのバックグラインド方法、及びバックグラインド用基体フィルムの製造方法を提供する。
項１．表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるバックグラインド用基体フィルムであって、
表裏層が、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含む樹脂組成物からなり、
中間層が、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物からなる
バックグラインド用基体フィルム。
項２．厚みが５０〜３００μｍである上記項１に記載のバックグラインド用基体フィルム。
項３．上記項１又は２に記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
項４．上記項３に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
項５．表層／中間層／裏層の順で共押出成形することを特徴とするバックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、
表裏層が、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含む樹脂組成物からなり、
中間層が、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物からなる
バックグラインド用基体フィルムの製造方法。
That is, the present invention provides the following back-grind base film, a back-grind film containing the base film, a semiconductor wafer back-grind method, and a back-grind base film manufacturing method.
Item 1. A base film for back grinding comprising at least three layers including front and back layers and an intermediate layer,
The front and back layers are composed of a resin composition containing 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer,
A base film for back grinding comprising an intermediate layer comprising a resin composition containing 100 to 50% by weight of a soft polyester resin and 0 to 50% by weight of a polyester elastomer.
Item 2. Item 2. The substrate film for back grinding according to Item 1, wherein the thickness is 50 to 300 µm.
Item 4. 4. A backgrinding method for a semiconductor wafer, comprising attaching the backgrind film according to the
Item 5. A method for producing a substrate film for backgrind, characterized by coextrusion molding in the order of surface layer / intermediate layer / back layer,
The front and back layers are composed of a resin composition containing 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer,
The manufacturing method of the base film for back grinds which an intermediate | middle layer consists of a resin composition containing 100 to 50 weight% of soft polyester resins, and 0 to 50 weight% of polyester-type elastomers.
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れている。また、基体フィルム巻き取り時におけるブロッキングを効果的に抑制することができる。 The substrate film for back grinding according to the present invention is excellent in dimensional stability because the semiconductor wafer is hardly warped in the back grinding process of a thin semiconductor wafer. Moreover, blocking at the time of winding the base film can be effectively suppressed.
１．バックグラインド用基体フィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなり、表裏層が、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含む樹脂組成物からなり、中間層が、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物からなるものである。以下、本発明のバックグラインド用基体フィルムについて詳述する。
1. Back Grinding Base Film The back grinding base film of the present invention comprises at least three layers including a front and back layer and an intermediate layer, and the front and back layers comprise 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer. The intermediate layer is made of a resin composition containing 100 to 50% by weight of a soft polyester resin and 0 to 50% by weight of a polyester-based elastomer. Hereinafter, the base film for back grinding according to the present invention will be described in detail.
１．１ 中間層
バックグラインド用基体フィルムの中間層は、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物（以下、中間層用樹脂組成物という）からなる。
1.1 Intermediate Layer The intermediate layer of the backgrind base film is composed of a resin composition (hereinafter referred to as an intermediate layer resin composition) containing 100 to 50% by weight of a soft polyester resin and 0 to 50% by weight of a polyester-based elastomer. .
（１）軟質ポリエステル樹脂
本発明で用いる軟質ポリエステル樹脂は、酸成分とジオール成分からなるものである。ここで、軟質とは、ショア硬度Ｄ（ＪＩＳ Ｋ ７２１５）で６０以下である。
(1) Soft polyester resin The soft polyester resin used in the present invention comprises an acid component and a diol component. Here, the term “soft” refers to a Shore hardness D (JIS K 7215) of 60 or less.
（１−１）酸成分
酸成分としては、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸；アジピン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、アゼライン酸、セバシン酸、ダイマー酸（オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等の不飽和脂肪酸が二量化して生成する化合物）等の脂肪族ジカルボン酸；シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸等を挙げることができる。これらは１種単独又は２種以上混合して使用することもできる。
(1-1) Acid component As the acid component, aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, diphenyldicarboxylic acid; adipic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, azelaic acid , Aliphatic dicarboxylic acids such as sebacic acid and dimer acids (compounds formed by dimerization of unsaturated fatty acids such as oleic acid, linoleic acid and linolenic acid); alicyclic dicarboxylic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid, etc. Can do. These may be used alone or in combination of two or more.
また、本発明においては、酸成分として、テレフタル酸を必須成分とし、その他のジカルボン酸を含む酸成分混合物を用いることが好ましいが、その他のジカルボン酸としては、特に限定されるものではなく、上記酸成分から適宜選択することができる。 Further, in the present invention, it is preferable to use an acid component mixture containing terephthalic acid as an essential component and other dicarboxylic acid as the acid component, but the other dicarboxylic acid is not particularly limited and is described above. It can be suitably selected from acid components.
（１−２）ジオール成分
ジオール成分としては、２−メチル−１，３−プロパンジオール又は１，４−シクロヘキサンジメタノールを含むジオール成分が好ましく、２−メチル−１，３−プロパンジオールと１，４−シクロヘキサンジメタノールの両方を含むジオール成分がより好ましい。
(1-2) Diol Component As the diol component, a diol component containing 2-methyl-1,3-propanediol or 1,4-cyclohexanedimethanol is preferable, and 2-methyl-1,3-propanediol and 1, A diol component containing both of 4-cyclohexanedimethanol is more preferable.
２−メチル−１，３−プロパンジオールの配合量としては、全ジオール成分中、１０〜９０モル％であることが好ましく、５０〜７０モル％であることがより好ましい。 The blending amount of 2-methyl-1,3-propanediol is preferably 10 to 90 mol% and more preferably 50 to 70 mol% in the total diol component.
また、１，４−シクロヘキサンジメタノールの配合量としては、全ジオール成分中、１０〜９０モル％であることが好ましく、３０〜５０モル％であることがより好ましい。１，４−シクロヘキサンジメタノールの配合量が１０モル％未満であると、得られる軟質ポリエステル樹脂の耐熱性および耐衝撃性が不十分となる傾向があり、９０モル％を超えると、結晶化速度が速くなるために得られるフィルムの透明性が低下する傾向がある。 Moreover, as a compounding quantity of 1, 4- cyclohexane dimethanol, it is preferable that it is 10-90 mol% in all the diol components, and it is more preferable that it is 30-50 mol%. If the blending amount of 1,4-cyclohexanedimethanol is less than 10 mol%, the resulting soft polyester resin tends to have insufficient heat resistance and impact resistance. Tends to decrease the transparency of the resulting film.
本発明の軟質ポリエステル樹脂の製造方法としては、特に限定されるものではなく、公知の直接重合法やエステル交換法等を採用することができる。 The method for producing the soft polyester resin of the present invention is not particularly limited, and a known direct polymerization method, transesterification method, or the like can be employed.
本発明で用いる軟質ポリエステル樹脂の数平均分子量は、特に限定されるものではなく、適宜決定することができる。 The number average molecular weight of the soft polyester resin used in the present invention is not particularly limited and can be appropriately determined.
本発明で用いる軟質ポリエステル樹脂の密度は、１．３０ｇ／ｃｍ3以下であることが好ましい。また、密度の下限値は特に限定されるものではないが、例えば、０．５ｇ／ｃｍ3以上を挙げることができる。密度がこの範囲にあることで、結晶化しにくく透明性に優れたフィルムが得られるため好ましい。 The density of the soft polyester resin used in the present invention is preferably 1.30 g / cm 3 or less. Moreover, the lower limit of the density is not particularly limited, but for example, 0.5 g / cm 3 or more can be mentioned. It is preferable for the density to be in this range since a film that is difficult to crystallize and excellent in transparency can be obtained.
本発明で用いる軟質ポリエステル樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ（ＪＩＳ Ｋ ７２１０、１９０℃、２１．２Ｎ））は、１〜１０ｇ／１０分であることが好ましく、３〜９ｇ／１０分であることがより好ましい。 The melt flow rate (MFR (JIS K 7210, 190 ° C., 21.2 N)) of the soft polyester resin used in the present invention is preferably 1 to 10 g / 10 minutes, and preferably 3 to 9 g / 10 minutes. More preferred.
本発明で用いる軟質ポリエステル樹脂のヘーズ値は、０．１〜５％であることが好ましく、０．１〜１％であることがより好ましい。なお、このヘーズ値は、ＪＩＳ Ｋ ７１０５に準じて測定したものである。 The haze value of the soft polyester resin used in the present invention is preferably 0.1 to 5%, and more preferably 0.1 to 1%. This haze value is measured according to JIS K 7105.
本発明で用いることができる軟質ポリエステル樹脂としては、例えば、（株）ベルポリエステルプロダクツ製のＦＬＸ９２等を挙げることができる。 Examples of the soft polyester resin that can be used in the present invention include FLX92 manufactured by Bell Polyester Products.
（２）ポリエステル系エラストマー
本発明で用いるポリエステル系エラストマーは、少なくとも１種のポリエステルハードセグメントと、少なくとも１種のポリエーテルソフトセグメントからなる共重合体である。
(2) Polyester elastomer The polyester elastomer used in the present invention is a copolymer comprising at least one polyester hard segment and at least one polyether soft segment.
ハードセグメントとソフトセグメントの比率は、ハードセグメント：ソフトセグメント＝１５〜９０：８５〜１０（重量％）であることが好ましい。 The ratio of the hard segment to the soft segment is preferably hard segment: soft segment = 15 to 90:85 to 10 (% by weight).
（２−１）ポリエステルハードセグメント
ポリエステルハードセグメントを構成するジカルボン酸成分としては、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸；１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、シクロペンタンジカルボン酸、４，４−シクロへキサンジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸；アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ダイマー酸（オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等の不飽和脂肪酸が二量化して生成する化合物）等の脂肪族ジカルボン酸等を挙げることができ、これらを１種単独で又は２種以上を混合して用いることができる。これらの中でも、機械的性質や耐熱性の点から、芳香族ジカルボン酸が好ましく、特にテレフタル酸が好ましい。
(2-1) Polyester hard segment As the dicarboxylic acid component constituting the polyester hard segment, aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid; 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid , Cyclopentanedicarboxylic acid, alicyclic dicarboxylic acid such as 4,4-cyclohexanedicarboxylic acid; adipic acid, sebacic acid, azelaic acid, dimer acid (unsaturated fatty acids such as oleic acid, linoleic acid, linolenic acid Examples thereof include aliphatic dicarboxylic acids such as compounds produced by quantification, and these can be used alone or in admixture of two or more. Among these, aromatic dicarboxylic acids are preferable from the viewpoint of mechanical properties and heat resistance, and terephthalic acid is particularly preferable.
ジカルボン酸成分として、芳香族ジカルボン酸を含む場合、その配合量は５０モル％以上であることが好ましい。 When an aromatic dicarboxylic acid is included as the dicarboxylic acid component, the blending amount is preferably 50 mol% or more.
また、ハードセグメントを構成するジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール等の炭素数２〜１２の脂肪族ジオール；シクロヘキサンジメタノール等の脂環族ジオール等を挙げることができ、これらを１種単独で又は２種以上を混合して用いることができる。これらの中でも、炭素数２〜１２の脂肪族ジオールが好ましく、エチレングリコール又は１，４−ブタンジオールがより好ましい。 Moreover, as a diol component which comprises a hard segment, C2-C12 aliphatic diols, such as ethylene glycol, propylene glycol, 1, 4- butanediol, neopentyl glycol, etc .; Alicyclics, such as cyclohexane dimethanol A diol etc. can be mentioned, These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. Among these, an aliphatic diol having 2 to 12 carbon atoms is preferable, and ethylene glycol or 1,4-butanediol is more preferable.
ポリエステルハードセグメントの数平均分子量としては、特に限定されるものではなく、適宜決定することができる。 The number average molecular weight of the polyester hard segment is not particularly limited and can be appropriately determined.
（２−２）ポリエーテルソフトセグメント
ポリエーテルソフトセグメントを構成するポリエーテルとしては、ポリ（アルキレンオキシド）グリコールが好ましい。
(2-2) Polyether Soft Segment As the polyether constituting the polyether soft segment, poly (alkylene oxide) glycol is preferable.
ポリ（アルキレンオキシド）グリコールとしては、たとえば、ポリエチレングリコール、ポリ（１，３−プロピレングリコール）、ポリ（１，２−プロピレングリコール）、ポリ（テトラメチレンオキシド）グリコール等を挙げることができ、これらを１種単独で又は２種以上を混合して用いることができる。これらの中でも、特にポリ（テトラメチレンオキシド）グリコールが好ましい。 Examples of poly (alkylene oxide) glycols include polyethylene glycol, poly (1,3-propylene glycol), poly (1,2-propylene glycol), poly (tetramethylene oxide) glycol, and the like. 1 type can be used individually or in mixture of 2 or more types. Among these, poly (tetramethylene oxide) glycol is particularly preferable.
ポリエーテルソフトセグメントの数平均分子量は、約２００〜６，０００であることが好ましい。 The number average molecular weight of the polyether soft segment is preferably about 200 to 6,000.
本発明で用いるポリエステル系エラストマーとしては、ポリエステルハードセグメントが、テレフタル酸／エチレングリコール又は１，４−ブタンジオール共重合体からなるセグメントであり、ポリエーテルソフトセグメントが、ポリ（テトラメチレンオキシド）グリコールからなるセグメントであることが好ましい。 As the polyester elastomer used in the present invention, the polyester hard segment is a segment made of terephthalic acid / ethylene glycol or 1,4-butanediol copolymer, and the polyether soft segment is made of poly (tetramethylene oxide) glycol. It is preferable that it is a segment.
本発明で用いるポリエステル系エラストマーは、ポリエステルハードセグメントとポリエーテルソフトセグメントがブロックやグラフトの形態で結合したポリエステル系エラストマーであることが好ましく、その製造方法としては、特に限定されるものではなく、公知のいかなる方法も採用することができる。 The polyester-based elastomer used in the present invention is preferably a polyester-based elastomer in which a polyester hard segment and a polyether soft segment are bonded in the form of a block or graft, and the production method thereof is not particularly limited and is publicly known. Any method can be employed.
本発明で用いるポリエステル系エラストマーの融点は、１５０〜３００℃であることが好ましく、１８０〜２３０℃であることがより好ましい。 The melting point of the polyester elastomer used in the present invention is preferably 150 to 300 ° C, and more preferably 180 to 230 ° C.
本発明で用いるポリエステル系エラストマーのガラス転移温度は、−４０〜６０℃であることが好ましく、−３０〜３０℃であることがより好ましく、０〜２０℃であることがさらに好ましい。 The glass transition temperature of the polyester elastomer used in the present invention is preferably −40 to 60 ° C., more preferably −30 to 30 ° C., and still more preferably 0 to 20 ° C.
本発明で用いるポリエステル系エラストマーの表面硬さ（ＪＩＳ Ｋ ７２１５）は、４０〜７５であることが好ましい。 The surface hardness (JIS K 7215) of the polyester elastomer used in the present invention is preferably 40 to 75.
本発明で用いるポリエステル系エラストマーの密度は、１〜２ｇ／ｃｍ３であることが好ましく、１〜１．５ｇ／ｃｍ３であることがより好ましい。 Density of polyester elastomer used in the present invention is preferably from 1 to 2 g / cm 3, more preferably 1-1.5 g / cm 3.
本発明で用いることができるポリエステル系エラストマーとしては、例えば、東レ・デュポン（株）製のハイトレル（登録商標）、東洋紡績(株)製のペルプレン（登録商標）等を挙げることができる。 Examples of the polyester elastomer that can be used in the present invention include Hytrel (registered trademark) manufactured by Toray DuPont and Perprene (registered trademark) manufactured by Toyobo.
（３）中間層用樹脂組成物
本発明のバックグラインド用基体フィルムの中間層を形成する中間層用樹脂組成物は、前記軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及び前記ポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含むものであり、前記軟質ポリエステル樹脂１００〜７０重量％及び前記ポリエステル系エラストマー０〜３０重量％を含むことが好ましく、前記軟質ポリエステル樹脂１００〜８０重量％及び前記ポリエステル系エラストマー０〜２０重量％を含むことがより好ましい。樹脂組成物の組成が前記範囲内であることにより、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程における寸法安定性が優れ、かつ、基体フィルム巻き取り時のブロッキングを抑制できるため好ましい。
(3) Intermediate Layer Resin Composition The intermediate layer resin composition forming the intermediate layer of the backgrind base film of the present invention comprises 100 to 50% by weight of the soft polyester resin and 0 to 50% by weight of the polyester elastomer. Preferably 100 to 70% by weight of the soft polyester resin and 0 to 30% by weight of the polyester elastomer, and 100 to 80% by weight of the soft polyester resin and 0 to 20% by weight of the polyester elastomer. It is more preferable to contain. It is preferable that the composition of the resin composition be within the above range because the dimensional stability in the back grinding process of the thin semiconductor wafer is excellent and blocking at the time of winding the base film can be suppressed.
また、中間層用樹脂組成物には、前記軟質ポリエステル樹脂又はポリエステル系エラストマー以外にも酸化防止剤、耐候性剤等を含むことができる。その添加範囲としては、特に限定されるものではないが、中間層用樹脂組成物全固形分中１０重量％以下であることが好ましく、１〜５重量％がより好ましい。 In addition to the soft polyester resin or polyester elastomer, the intermediate layer resin composition may contain an antioxidant, a weather resistance agent, and the like. Although it does not specifically limit as the addition range, It is preferable that it is 10 weight% or less in the resin composition for intermediate | middle layers, and 1 to 5 weight% is more preferable.
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、前記樹脂組成物からなる層を含むものであるが、さらに、前記樹脂組成物からなる層以外の層を含んでいてもよい。 The substrate film for back grinding according to the present invention includes a layer composed of the resin composition, but may further include a layer other than the layer composed of the resin composition.
中間層の厚みは、６０〜２２０μｍであることが好ましく、８０〜１５０μｍであることがより好ましい。 The thickness of the intermediate layer is preferably 60 to 220 μm, and more preferably 80 to 150 μm.
１．２ 表裏層
本発明において、表層及び裏層は、同じ組成の樹脂組成物からなる層であってもよく、また、異なる樹脂組成物からなる層であってもよい。
1.2 Front and Back Layers In the present invention, the front layer and the back layer may be layers composed of a resin composition having the same composition, or may be layers composed of different resin compositions.
本明細書においては、表層を形成する樹脂組成物を表層用樹脂組成物とし、裏層を形成する樹脂組成物を裏層用樹脂組成物とする。また、これらをまとめて表裏層用樹脂組成物ということもある。 In this specification, the resin composition for forming the surface layer is the resin composition for the surface layer, and the resin composition for forming the back layer is the resin composition for the back layer. Moreover, these may be put together and it may be called the resin composition for front and back layers.
本発明のバックグラインド用基体フィルムの表裏層樹脂組成物は、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含むものである。 The front and back layer resin composition of the base film for back grinding according to the present invention contains 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer.
軟質ポリエステル樹脂、ポリエステル系エラストマーとしては、前記中間層樹脂組成物で用いることができるものと同じものを挙げることができる。 Examples of the soft polyester resin and the polyester elastomer include the same ones that can be used in the intermediate layer resin composition.
本発明のバックグラインド用基体フィルムに用いる表裏層用樹脂組成物は、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含むものであり、前記軟質ポリエステル樹脂４０〜８０重量％、及びポリエステル系エラストマー２０〜６０重量％を含むことが好ましく、前記軟質ポリエステル樹脂５０〜７０重量％、及びポリエステル系エラストマー３０〜５０重量％を含むことがより好ましい。表裏層用樹脂組成物の組成が前記範囲内であることにより、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程における寸法安定性が優れ、かつ、基体フィルム巻き取り時のブロッキングを抑制できるため好ましい。 The resin composition for the front and back layers used for the base film for back grind of the present invention contains 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer, and 40 to 80% by weight of the soft polyester resin. And 20 to 60% by weight of the polyester elastomer, and more preferably 50 to 70% by weight of the soft polyester resin and 30 to 50% by weight of the polyester elastomer. It is preferable that the composition of the resin composition for the front and back layers is within the above range because the dimensional stability in the back grinding process of the thin semiconductor wafer is excellent and blocking at the time of winding the base film can be suppressed.
また、前記表裏層用樹脂組成物には、前記軟質ポリエステル樹脂、ポリエステル系エラストマー以外にもスチレンブタジエン水添を含むことができる。その添加範囲としては、特に限定されるものではいが、樹脂組成物中１０重量％以下であることが好ましく、１〜５重量％の範囲を挙げることができる。 In addition to the soft polyester resin and the polyester elastomer, the resin composition for the front and back layers may contain hydrogenated styrene butadiene. The addition range is not particularly limited, but is preferably 10% by weight or less in the resin composition, and can be in the range of 1 to 5% by weight.
表裏層の厚みは、５〜７０μｍであることが好ましく、５〜５０μｍであることがより好ましい。表裏層の厚みがこの範囲にあることで、中間層での反り抑止効果とともに、表裏層でのブロッキング防止効果が発現できるため好ましい。 The thickness of the front and back layers is preferably 5 to 70 μm, and more preferably 5 to 50 μm. It is preferable for the thickness of the front and back layers to be in this range because the anti-blocking effect on the front and back layers can be exhibited together with the warp suppressing effect on the intermediate layer.
１．３ 層構成
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、前述のように表裏層及び中間層を含む少なくとも３層からなるものである。具体的には、表層／中間層／裏層の順番で積層されたフィルムである。また、前記３層に限られるものではなく、本発明の効果を損なわない範囲で、前記以外の層を含んでいてもよい。
1.3 Layer Structure The substrate film for back grinding according to the present invention comprises at least three layers including the front and back layers and the intermediate layer as described above. Specifically, it is a film laminated in the order of surface layer / intermediate layer / back layer. Moreover, it is not restricted to the said 3 layer, In the range which does not impair the effect of this invention, you may include layers other than the above.
表層／中間層／裏層の厚み比率は、１／１／１〜１／４０／１であることが好ましく、１／２／１〜１／１０／１であることがより好ましく、１／３／１〜１／６／１であることがさらに好ましい。厚み比率が、前記範囲内にあること中間層での反り抑止効果を最大限に機能させることができ、多層作製上、バランスの良い中間層／表裏層比率のため好ましい。 The thickness ratio of the surface layer / intermediate layer / back layer is preferably 1/1/1 to 1/40/1, more preferably 1/2/1 to 1/10/1, and 1/3. More preferably, the ratio is / 1 to 1/6/1. The thickness ratio within the above range is preferable because the effect of suppressing warpage in the intermediate layer can be made to function to the maximum, and the intermediate layer / front and back layer ratio is well balanced in the production of the multilayer.
本発明のバックグラインド用基体フィルムの総厚みは、容易にロ−ル状に巻くことができる程度であれば良く、特に限定されないが、例えば、８０〜２３０μｍであることが好ましく、１００〜１８０μｍであることがより好ましい。 The total thickness of the backgrind base film of the present invention is not particularly limited as long as it can be easily wound in a roll shape, but is preferably 80 to 230 μm, for example, 100 to 180 μm. More preferably.
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、いずれも、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れており、さらに、基体フィルム巻き取り時におけるブロッキングを効果的に抑制することができるものである。 The substrate film for back grinding according to the present invention is excellent in dimensional stability, in which the semiconductor wafer is hardly warped in the back grinding process of a thin semiconductor wafer, and further, blocking at the time of winding the substrate film is effective. Can be suppressed.
２．バックグラインド用基体フィルムの製造方法
本発明のバックグラインド用基体フィルムの製造方法は、前述の表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物、裏層用樹脂組成物を、表層／中間層／裏層の順で共押出成形する工程を含むものであり、共押出成形方法としては、Ｔダイスまたは環状ダイスを使用した押出法等、従来から用いられている方法を適宜用いることができる。これらの中でも、基材フィルムの厚み精度の点から、Ｔダイスを使用した押出法が好ましい。
2. Method for Producing Back Grinding Base Film The method for producing the back grinding base film of the present invention comprises the above-mentioned surface layer resin composition, intermediate layer resin composition, and back layer resin composition. The method includes a step of coextrusion molding in the order of the layers, and as a coextrusion molding method, a conventionally used method such as an extrusion method using a T die or an annular die can be appropriately used. Among these, the extrusion method using a T die is preferable from the viewpoint of the thickness accuracy of the base film.
以下、Ｔダイスを使用した押出法について説明する。 Hereinafter, an extrusion method using a T die will be described.
複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、表層／中間層／裏層からなる３層のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて成形する。 Using a plurality of extruders, each raw resin is charged into each extruder, and a roll-shaped multilayer substrate film is obtained in the same manner as described above. Specifically, in the case of forming a three-layer back-grind base film composed of a surface layer / intermediate layer / back layer, the raw material resin for each layer is used.
上記の原料樹脂組成物は、ドライブレンド又は溶融混練し調製することができる。原料樹脂組成物をスクリュー式押出機に供給し、１８０〜２４０℃でＴダイからフィルム状に押出し、これを５０〜７０℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。あるいは、原料樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形してもよい。 The raw material resin composition can be prepared by dry blending or melt-kneading. The raw material resin composition is supplied to a screw type extruder, extruded from a T die into a film at 180 to 240 ° C., cooled while passing through a cooling roll at 50 to 70 ° C., and taken out substantially unstretched. . Alternatively, the raw material resin may be once obtained as pellets and then extruded as described above.
なお、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制するためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、あるいは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。 The reason why the film is substantially unstretched at the time of taking is to suppress shrinkage of the film due to stretching in the back grinding process. This substantially non-stretching includes non-stretching or slight stretching that does not affect the warpage of the wafer during back grinding. In general, the film may be pulled to such an extent that no sagging occurs when the film is taken up.
上記で得られるバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを設ける方法は、公知の方法を採用することができる。バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。 As a method of providing the pressure-sensitive adhesive layer and the release film on the surface of the substrate film for back grinding obtained above, a known method can be adopted. The back grind film is usually obtained in a rolled state cut into a tape shape.
３．バックグラインドフィルム
本発明のバックグラインドフィルムは、前述のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するものである。より具体的には、前述のバックグラインド用基体フィルムの片方の表面上に公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に離型フィルムが設けられて、バックグラインドフィルムが製造される。
3. Back Grind Film The back grind film of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer and a release film on the surface of the above-mentioned substrate film for back grind. More specifically, a known pressure-sensitive adhesive is coated on one surface of the above-described back-grind base film to form a pressure-sensitive adhesive layer, and a release film is further provided on the pressure-sensitive adhesive layer. Grind film is produced.
粘着剤層の厚さは、例えば、１０〜２００μｍ程度であり、離型フィルムの厚さは、例えば、１０〜１００μｍ程度であればよい。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is, for example, about 10 to 200 μm, and the thickness of the release film may be, for example, about 10 to 100 μm.
粘着剤層で用いられる粘着剤成分としては、公知の粘着剤を特に制限なく使用できる。例えば、特開２００６−１２８２９２号公報等に記載された粘着剤成分を用いることができる。なお、離型フィルムも公知のものが用いられる。 As the pressure-sensitive adhesive component used in the pressure-sensitive adhesive layer, a known pressure-sensitive adhesive can be used without particular limitation. For example, the pressure-sensitive adhesive component described in JP 2006-128292 A can be used. A known release film is also used.
粘着剤としては、たとえば、一般的に使用されている感圧性粘着剤を使用でき、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の適宜な粘着剤を用いることができる。これらのなかでも、半導体ウェハヘの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。 As the pressure-sensitive adhesive, for example, a commonly used pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive can be used, and an appropriate pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive can be used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of adhesion to a semiconductor wafer and cleanability of the semiconductor wafer after peeling with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol.
具体的には、（メタ）アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重合体、その他の官能性単量体との共重合体、およびこれら重合体の混合物が用いられる。例えば、（メタ）アクリル酸エステルとしては、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル等が好ましく使用できる。 Specifically, an acrylic polymer selected from a homopolymer and a copolymer having (meth) acrylic acid ester as a main constituent monomer unit, a copolymer with another functional monomer, and Mixtures of these polymers are used. For example, (meth) acrylic acid ester includes ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, Glycidyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and the like can be preferably used.
バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。 The back grind film is usually obtained in a rolled state cut into a tape shape.
４．半導体ウェハのバックグラインド方法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面（回路面）に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。
4). Semiconductor wafer back grinding method The back grinding method of the present invention attaches a back grinding film to the front surface (circuit surface) of the semiconductor wafer, grinds the back surface of the semiconductor wafer, and removes the back grinding film from the semiconductor wafer.
具体的には、該バックグラインドフィルムの粘着剤層から離型フィルムを剥離して、粘着剤層の表面を露出させて、その粘着剤層を介して集積回路が組み込まれた側の半導体ウェハの表面に貼着する。半導体ウェハの研削前の厚みは、通常、３００〜１０００μｍ程度である。次いで、半導体ウェハを固定して、その裏面を常法により研削する。研削後の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、用途等に応じて選択されるが、例えば、５０〜２００μｍ程度となる。裏面研削が終了した後、必要に応じケミカルエッチング工程やＣＭＰ（メカノケミカルポリッシング）工程を追加してもよい。その後、バックグラインドフィルムを剥離（除去）する。また、必要に応じて、バックグラインドフィルム剥離後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。 Specifically, the release film is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer of the back grind film, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is exposed, and the semiconductor wafer on the side where the integrated circuit is incorporated through the pressure-sensitive adhesive layer Stick to the surface. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is usually about 300 to 1000 μm. Next, the semiconductor wafer is fixed and the back surface thereof is ground by a conventional method. Although the thickness of the semiconductor wafer after grinding is selected according to the size of the chip to be obtained, the type of circuit, the application, etc., it is, for example, about 50 to 200 μm. After the back surface grinding is completed, a chemical etching process or a CMP (mechanochemical polishing) process may be added as necessary. Thereafter, the back grind film is peeled (removed). If necessary, after the back grind film is peeled off, the surface of the semiconductor wafer is subjected to a cleaning process such as water cleaning or plasma cleaning.
以下に、本発明を、実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail using Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
実施例１
（樹脂組成物の製造）
表１に示すそれぞれの原料を表１に示す配合割合でドライブレンドし、樹脂組成物とした。なお、表１中に記載された原料は、次の通りである。
Example 1
(Manufacture of resin composition)
Each raw material shown in Table 1 was dry blended at the blending ratio shown in Table 1 to obtain a resin composition. In addition, the raw material described in Table 1 is as follows.
軟質ポリエステル樹脂：ＦＬＸ９２（商品名）、ショア硬度Ｄ（ＪＩＳ Ｋ ７２１５）：３７、比重：１．２１、ＭＦＲ（ＪＩＳ Ｋ ７２１０、１９０℃、２１．２Ｎ）：７ｇ／１０分、密度：１．２１ｇ／ｃｍ3、ヘーズ値（ＪＩＳ Ｋ ７１０５）：０．６％、（株）ベルポリエステルプロダクツ製 Soft polyester resin: FLX92 (trade name), Shore hardness D (JIS K 7215): 37, specific gravity: 1.21, MFR (JIS K 7210, 190 ° C., 21.2 N): 7 g / 10 min, density: 1. 21 g / cm 3 , haze value (JIS K 7105): 0.6%, manufactured by Bell Polyester Products
ポリエステル系エラストマー：ポリブチレンテレフタレート／ポリエーテル共重合体、比重（ＡＳＴＭ Ｄ ７９２）：１．２６、表面硬さ（ＪＩＳ Ｋ ７２１５）：７２、融点：２１９℃、ガラス転移温度：１２℃、ハイトレル（登録商標）７２４７（商品名）、東レ・デュポン（株）製） Polyester elastomer: Polybutylene terephthalate / polyether copolymer, specific gravity (ASTM D 792): 1.26, surface hardness (JIS K 7215): 72, melting point: 219 ° C, glass transition temperature: 12 ° C, hytrel ( (Registered trademark) 7247 (trade name), manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.)
（バックグラインド用基体フィルムの製造）
表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物及び裏層用樹脂組成物をこの順でバレル温度１８０〜２２０℃の多層押出機に供給した。２３０℃のＴダイスから押出し、設定温度４０℃の引き取りロールにて冷却固化して、無延伸の状態で巻き取った。得られたフィルムのそれぞれの層の厚みは、表１に示す通りである。
(Manufacture of substrate film for back grinding)
The resin composition for the surface layer, the resin composition for the intermediate layer, and the resin composition for the back layer were supplied in this order to a multilayer extruder having a barrel temperature of 180 to 220 ° C. It was extruded from a 230 ° C. T-die, cooled and solidified with a take-up roll having a set temperature of 40 ° C., and wound up in an unstretched state. The thickness of each layer of the obtained film is as shown in Table 1.
実施例２〜６、比較例１〜２
原料を表１に示す配合割合にした以外は、実施例１と同様にしてフィルムを得た。得られたフィルムのそれぞれの層の厚みは、表１に示す通りである。
Examples 2-6, Comparative Examples 1-2
A film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the raw materials were mixed in the proportions shown in Table 1. The thickness of each layer of the obtained film is as shown in Table 1.
実施例１〜６及び比較例１、２で得られたフィルムについて、下記評価方法で評価を行った。その結果を表１に示す。 The films obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated by the following evaluation method. The results are shown in Table 1.
評価方法
（反りの評価）
ウェハの代替として、常温（２５℃）から５０℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド（ＰＩ）テープ（スコッチポリイミドテープ Ｎｏ.５４３４、厚さ５３μｍ、住友スリーエム（株）製）を使用した。
Evaluation method ( evaluation of warpage)
As an alternative to wafers, polyimide (PI) tape (Scotch polyimide tape No. 5434, thickness 53 μm, Sumitomo 3M Co., Ltd.) that is as dimensionally stable as semiconductor wafers in the temperature range from room temperature (25 ° C.) to 50 ° C. )).
作製したバックグラインド用基体フィルムに上記ＰＩテープ（幅２ｃｍ×長さ１４ｃｍ）を貼付け、サンプルとして切り出し、２枚のステンレス板（厚み２ｍｍ）に挟み、５０℃に設定したオーブン内で１０分間加熱した。その後、サンプルを取り出して常温（２５℃）で１０分間放冷し、フィルムの収縮によって発生する反りを測定した。 The PI tape (width 2 cm x length 14 cm) was pasted on the produced back grind base film, cut out as a sample, sandwiched between two stainless steel plates (thickness 2 mm), and heated in an oven set at 50 ° C. for 10 minutes. . Thereafter, the sample was taken out and allowed to cool at room temperature (25 ° C.) for 10 minutes, and the warpage caused by the shrinkage of the film was measured.
反り量は、バックグラインド用基体フィルムにＰＩテープを貼り付けた状態で、バックグラインド用基体フィルムが上側になるように水平面上に置き、該水平面から最も浮いているＰＩテープの端部の高さ（ｍｍ）を測定した（図２）。測定値が３ｍｍ以下であれば、半導体ウェハの反りの問題がなく実用できるレベルである。 The amount of warping is the height of the end of the PI tape that is most floated from the horizontal plane with the back-grind base film placed on the horizontal plane with the PI tape affixed to the back-grind base film. (Mm) was measured (FIG. 2). If the measured value is 3 mm or less, there is no problem of warping of the semiconductor wafer and it is a practical level.
（ブロッキングの評価）
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて１００ｍｍ×よこ３０ｍｍ（フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した）の大きさに測定用サンプルを２枚切り出した。２枚の測定用サンプルを、同一面（冷却ロールと接する面）同士がたて４０ｍｍ×よこ３０ｍｍの面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを２枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に６００ｇの重りをのせた。これを４０℃の恒温槽の中に入れ、７日間放置した。７日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学（株）製剥離試験器（Ｐｅｅｌｉｎｇ ＴＥＳＴＥＲ ＨＥＩＤＯＮ−１７）にセットし、引張り速度２００ｍｍ／分で、１８０度せん断剥離強度を測定した。測定値が、４．９Ｎ／１０ｍｍ以下であれば、ブロッキングなしとした。
(Evaluation of blocking)
Two measurement samples were cut out from an arbitrary location of the obtained base film to a size of 100 mm × width 30 mm (the sample was cut out with the film flow direction as the vertical direction and the width direction as the horizontal direction). . Two measurement samples are placed so that the same surface (surface in contact with the cooling roll) overlaps with an area of 40 mm × 30 mm wide, and the overlapped measurement samples are sandwiched between two glass plates, from above A 600 g weight was placed on the part where the samples overlapped. This was placed in a constant temperature bath at 40 ° C. and left for 7 days. Seven days later, the sample taken out from the thermostatic chamber was set in a peel tester (Peeling TESTER HEIDON-17) manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd., and the 180 degree shear peel strength was measured at a pulling rate of 200 mm / min. When the measured value was 4.9 N / 10 mm or less, no blocking was considered.
なお、表１中の「接着」とは、２枚の測定用サンプルが完全に接着され、剥離できなかったことを示す。 “Adhesion” in Table 1 indicates that the two measurement samples were completely adhered and could not be peeled off.
Claims (5)
表裏層が、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含む樹脂組成物からなり、
中間層が、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物からなる
バックグラインド用基体フィルム。 A base film for back grinding comprising at least three layers including front and back layers and an intermediate layer,
The front and back layers are composed of a resin composition containing 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer,
A base film for back grinding comprising an intermediate layer comprising a resin composition containing 100 to 50% by weight of a soft polyester resin and 0 to 50% by weight of a polyester elastomer.
表裏層が、軟質ポリエステル樹脂９５〜５重量％及びポリエステル系エラストマー５〜９５重量％を含む樹脂組成物からなり、
中間層が、軟質ポリエステル樹脂１００〜５０重量％及びポリエステル系エラストマー０〜５０重量％を含む樹脂組成物からなる
バックグラインド用基体フィルムの製造方法。 A method for producing a substrate film for backgrind, characterized by coextrusion molding in the order of surface layer / intermediate layer / back layer,
The front and back layers are composed of a resin composition containing 95 to 5% by weight of a soft polyester resin and 5 to 95% by weight of a polyester elastomer,
The manufacturing method of the base film for back grinds which an intermediate | middle layer consists of a resin composition containing 100 to 50 weight% of soft polyester resins, and 0 to 50 weight% of polyester-type elastomers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009068856A JP5489501B2 (en) | 2009-03-19 | 2009-03-19 | Back grind film and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009068856A JP5489501B2 (en) | 2009-03-19 | 2009-03-19 | Back grind film and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010225675A JP2010225675A (en) | 2010-10-07 |
| JP5489501B2 true JP5489501B2 (en) | 2014-05-14 |
Family
ID=43042598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009068856A Expired - Fee Related JP5489501B2 (en) | 2009-03-19 | 2009-03-19 | Back grind film and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5489501B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3546540A4 (en) * | 2016-11-25 | 2020-10-14 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Adhesive laminated film and method for producing electronic device |
| JP7465690B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-04-11 | グンゼ株式会社 | Base film for backgrind tape |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183764A (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Mitsui Chemicals Inc | Adhesive film for protecting front surface of semiconductor wafer, and method of working rear surface of the semiconductor wafer using the adhesive film |
| JP2005191296A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | Back grind tape, and method for polishing semiconductor wafer |
| JP2005336428A (en) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Teijin Dupont Films Japan Ltd | Film for semiconductor manufacturing process |
| JP2006007423A (en) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Mitsubishi Polyester Film Copp | Polyester film for back-grinding tape |
| JP4507826B2 (en) * | 2004-10-27 | 2010-07-21 | 日東電工株式会社 | Protective sheet for processing semiconductor wafer and method for grinding back surface of semiconductor wafer |
| JP2006261482A (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Mitsui Chemicals Inc | Semiconductor wafer surface protection film and protection method for semiconductor wafer using the same |
| JP4764054B2 (en) * | 2005-04-12 | 2011-08-31 | 大和製罐株式会社 | Soft copolyester |
| JP5307352B2 (en) * | 2007-04-24 | 2013-10-02 | アキレス株式会社 | Soft film |
-
2009
- 2009-03-19 JP JP2009068856A patent/JP5489501B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010225675A (en) | 2010-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI294646B (en) | ||
| TW201714998A (en) | Pressure-sensitive adhesive film | |
| JP7003915B2 (en) | Release film | |
| JP6500821B2 (en) | Laminated film | |
| JP5489501B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
| JP2004346093A (en) | Release film for use as optical component surface protective film | |
| JP5441457B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
| JP5441456B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
| JP2017052184A (en) | Release film | |
| JP5388466B2 (en) | Backgrind substrate film and method for producing the same | |
| JP7130967B2 (en) | laminated film | |
| JP7334416B2 (en) | release film | |
| JP5441458B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
| JP2009206280A (en) | Substrate film for back grinding and forming method thereof | |
| JP5219553B2 (en) | Backgrind substrate film and method for producing the same | |
| JP5388465B2 (en) | Backgrind substrate film and method for producing the same | |
| JP6061995B1 (en) | Laminated film | |
| JP2006007423A (en) | Polyester film for back-grinding tape | |
| JP7465690B2 (en) | Base film for backgrind tape | |
| JP5328193B2 (en) | Multilayer backgrind substrate film, backgrind film, and method for producing the same | |
| JP2009170478A (en) | Multilayer base film for surface protective tape | |
| JP5383069B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof | |
| JP5328194B2 (en) | Multilayer backgrind substrate film, backgrind film, and method for producing the same | |
| JP7035330B2 (en) | Hardcourt film | |
| JP5383070B2 (en) | Back grind film and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130520 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5489501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |