JP5489155B2 - Method for purifying trialkylaluminum - Google Patents

Method for purifying trialkylaluminum Download PDF

Info

Publication number
JP5489155B2
JP5489155B2 JP2009237943A JP2009237943A JP5489155B2 JP 5489155 B2 JP5489155 B2 JP 5489155B2 JP 2009237943 A JP2009237943 A JP 2009237943A JP 2009237943 A JP2009237943 A JP 2009237943A JP 5489155 B2 JP5489155 B2 JP 5489155B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trialkylaluminum
purifying
magnesium
oxygen
tmal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009237943A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011084507A (en
Inventor
英明 町田
真人 石川
弘 須藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GAS-PHASE GROWTH LTD.
Original Assignee
GAS-PHASE GROWTH LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GAS-PHASE GROWTH LTD. filed Critical GAS-PHASE GROWTH LTD.
Priority to JP2009237943A priority Critical patent/JP5489155B2/en
Publication of JP2011084507A publication Critical patent/JP2011084507A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5489155B2 publication Critical patent/JP5489155B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明はトリアルキルアルミニウムに関する。特に、例えば化合物半導体用Al系膜と言ったAl系膜の形成に用いられるトリアルキルアルミニウムに関する。   The present invention relates to trialkylaluminum. In particular, the present invention relates to a trialkylaluminum used for forming an Al-based film such as an Al-based film for compound semiconductors.

化合物半導体は、半導体発光ダイオード、レーザ、或は赤外検知器等の分野において有用に用いられる。そして、有機金属化合物を気相成長させて得られる化合物半導体の品質は、原料である有機金属化合物の不純物によって大きな影響を受ける。   Compound semiconductors are useful in the fields of semiconductor light emitting diodes, lasers, infrared detectors, and the like. And the quality of the compound semiconductor obtained by carrying out vapor phase growth of an organometallic compound is greatly influenced by the impurity of the organometallic compound which is a raw material.

例えば、化合物半導体の気相成長原料の一つであるトリアルキルアルミニウム(例えば、トリメチルアルミニウム)における酸素(O)は、未だ、解決できない大きな問題の一つである。   For example, oxygen (O) in trialkylaluminum (for example, trimethylaluminum), which is one of raw materials for vapor deposition of compound semiconductors, is still one of the major problems that cannot be solved.

すなわち、トリメチルアルミニウムは酸素や水分と敏感に反応し、発火・発煙が起きる。この為、トリアルキルアルミニウムにおける酸素不純物には、酸素や水分に限られず、酸素(O)を含んだ(有する)化合物、例えばアルミニウムアルコキシド[(CHAl−O−CH]のような形態のものも含まれる。 That is, trimethylaluminum reacts sensitively with oxygen and moisture, causing ignition and smoke generation. For this reason, oxygen impurities in trialkylaluminum are not limited to oxygen and moisture, but include (having) a compound containing (having) oxygen (O), such as aluminum alkoxide [(CH 3 ) 2 Al—O—CH 3 ]. Forms are also included.

さて、酸素分子(O)の混入であれば、このような不純物は、例えば蒸留操作によって簡単に除去できる。或は、脱気操作によって簡単に除去できる。水(HO)の混入であれば、例えば乾燥剤による脱水操作によって簡単に除去できる。 Now, if oxygen molecules (O 2 ) are mixed, such impurities can be easily removed by, for example, a distillation operation. Alternatively, it can be easily removed by a deaeration operation. If mixed with water (H 2 O), it can be easily removed by a dehydration operation with a desiccant, for example.

ところが、アルミニウムアルコキシド[(CHAl−O−CH]のような形態で混入した酸素原子(O)は、簡単には除去できない。特に、トリメチルアルミニウムの場合、混入した酸素含有化合物は、その共沸現象により、精密蒸留を以ってしても、分離が困難である。 However, oxygen atoms (O) mixed in a form such as aluminum alkoxide [(CH 3 ) 2 Al—O—CH 3 ] cannot be easily removed. In particular, in the case of trimethylaluminum, the mixed oxygen-containing compound is difficult to separate even by precision distillation due to its azeotropic phenomenon.

そこで、還元剤との反応によって、酸素化合物を除去する方法が考えられる。   Therefore, a method of removing the oxygen compound by reaction with a reducing agent can be considered.

前記方法における還元剤には、Li,Na等のアルカリ金属系の還元剤が知られている。しかしながら、アルカリ金属は、半導体デバイスに欠陥を引き起こす。従って、アルカリ金属の使用は避けられるべきである。   As the reducing agent in the above method, alkali metal reducing agents such as Li and Na are known. However, alkali metals cause defects in semiconductor devices. Therefore, the use of alkali metals should be avoided.

アルカリ土類金属も還元剤として知られている。そして、アルカリ土類金属系の還元剤も還元能力が強い。例えば、ジメチルマグネシウムは、蒸気圧が極めて低い為、反応後の蒸留による分離が容易である。しかしながら、ジメチルマグネシウムは、トリアルキルアルミニウムと錯体を形成する。この為、トリアルキルアルミニウムの製造(精製)にジメチルマグネシウムを用いた場合、蒸留操作では、分離が出来ない。   Alkaline earth metals are also known as reducing agents. Alkaline earth metal reducing agents also have a strong reducing ability. For example, dimethylmagnesium has a very low vapor pressure, so that it can be easily separated by distillation after the reaction. However, dimethylmagnesium forms a complex with trialkylaluminum. For this reason, when dimethylmagnesium is used for the production (purification) of trialkylaluminum, it cannot be separated by distillation.

その他の族にも還元性を示す物が認められる。しかしながら、高い蒸気圧を持つ為、還元反応後において蒸留操作を施しても、分離が困難である。   Other groups also show reducing properties. However, since it has a high vapor pressure, separation is difficult even if a distillation operation is performed after the reduction reaction.

従って、本発明が解決しようとする課題は、高純度のトリアルキルアルミニウムを提供することである。
例えば、トリアルキルアルミニウム中の酸素含有化合物(不純物)を除去できる技術を提供することである。更には、酸素含有化合物(不純物)を還元反応によって除去した後、還元剤として用いた化合物とトリアルキルアルミニウムとを簡単に分離できる技術を提供することである。
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide high purity trialkylaluminum.
For example, it is to provide a technique capable of removing oxygen-containing compounds (impurities) in trialkylaluminum. Furthermore, it is to provide a technique capable of easily separating a compound used as a reducing agent and trialkylaluminum after removing an oxygen-containing compound (impurities) by a reduction reaction.

前記の課題を解決する為の研究が、鋭意、押し進められて行く中に、本発明者は、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムによって、トリアルキルアルミニウム中の酸素濃度が低下することを見出すに至った。更に、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムはトリアルキルアルミニウムと錯体を形成しない事が判明し、蒸留によってビスシクロペンタジエニルマグネシウムとの分離が可能であることも判った。   While research for solving the above-mentioned problems has been earnestly advanced, the present inventor has found that the oxygen concentration in the trialkylaluminum is lowered by biscyclopentadienylmagnesium. Furthermore, it was found that biscyclopentadienyl magnesium does not form a complex with trialkylaluminum, and it was also found that separation from biscyclopentadienyl magnesium is possible by distillation.

このような知見に基づいて本発明が達成されたものである。   The present invention has been achieved based on such findings.

すなわち、前記の課題は、
酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させる
ことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。
That is, the above problem is
This is solved by a method for producing trialkylaluminum, which comprises contacting oxygen-containing trialkylaluminum with bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

例えば、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、混合処理することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   For example, this can be solved by a method for producing trialkylaluminum, which comprises mixing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

或いは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、還流処理することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   Alternatively, the problem is solved by a method for producing trialkylaluminum, which comprises refluxing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

若しくは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通すことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   Alternatively, the problem is solved by a method for producing trialkylaluminum, characterized in that trialkylaluminum having oxygen is passed through bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

又は、酸素を有する気相状態のトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通すことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   Alternatively, the problem can be solved by a method for producing trialkylaluminum, characterized by passing trialkylaluminum in the gas phase containing oxygen through bisalkylcyclopentadienylmagnesium.

又、上記トリアルキルアルミニウムの製造方法であって、好ましくは、トリアルキルアルミニウムとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとの接触工程後に蒸留工程を有することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   The trialkylaluminum production method described above is preferably solved by a trialkylaluminum production method comprising a distillation step after the contact step between the trialkylaluminum and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium. The

又、上記トリアルキルアルミニウムの製造方法であって、好ましくは、トリアルキルアルミニウムとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとの接触工程後に濾過工程を有することを特徴とするトリアルキルアルミニウムの製造方法によって解決される。   The trialkylaluminum production method described above is preferably solved by a trialkylaluminum production method comprising a filtration step after the contact step between the trialkylaluminum and the bisalkylcyclopentadienylmagnesium. The

又、上記トリアルキルアルミニウムの製造方法によって得られたトリアルキルアルミニウムによって解決される。   Moreover, it solves with the trialkylaluminum obtained by the manufacturing method of the said trialkylaluminum.

Oを持つ不純物成分が少ない高純度なトリアルキルアルミニウムが簡単に得られる。   High-purity trialkylaluminum with few impurity components having O can be easily obtained.

トリアルキルアルミニウムの製造装置(精製装置)の概略図Schematic diagram of trialkylaluminum production equipment (purification equipment) トリアルキルアルミニウムの製造装置(精製装置)の概略図Schematic diagram of trialkylaluminum production equipment (purification equipment) トリアルキルアルミニウムの製造装置(精製装置)の概略図Schematic diagram of trialkylaluminum production equipment (purification equipment)

本発明はトリアルキルアルミニウムの製造方法(精製方法)である。この方法は、酸素を有するトリアルキルアルミニウム(例えば、不純物成分としてOを有するトリアルキルアルミニウム)と、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させる工程を有する。例えば、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、処理する工程を有する。例えば、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、混合処理する工程を有する。若しくは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムと、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、還流処理する工程を有する。或いは、酸素を有するトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通す工程を有する。又は、酸素を有する気相状態(又は液相状態)のトリアルキルアルミニウムを、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中に通す工程を有する。好ましくは、上記接触工程後に、蒸留工程及び/又は濾過工程を有する。   The present invention is a production method (purification method) of trialkylaluminum. This method includes a step of contacting trialkylaluminum having oxygen (for example, trialkylaluminum having O as an impurity component) with bisalkylcyclopentadienylmagnesium. For example, there is a step of treating trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium. For example, the method includes a process of mixing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Alternatively, the method includes a step of refluxing trialkylaluminum having oxygen and bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Alternatively, the method includes a step of passing a trialkylaluminum having oxygen through bisalkylcyclopentadienylmagnesium. Alternatively, a step of passing a trialkylaluminum in a gas phase state (or a liquid phase state) having oxygen through bisalkylcyclopentadienylmagnesium is provided. Preferably, after the contact step, a distillation step and / or a filtration step are included.

トリアルキルアルミニウムはRAl又はRR’R”Al(R,R’,R”はアルキル基。R,R’,R”は同一でも異なるものでも良い。)で表される化合物である。例えば、(CHAl,(CAl,(CAl,(CAl,(CHAlC,(CAlCH等のトリアルキルアルミニウムが代表的なものとして挙げられる。好ましいアルキル基は炭素数が7以下の炭化水素基である。更に好ましいアルキル基は炭素数が4以下の炭化水素基である。アルキル基は、全てが同一のものでも異なるものでも良い。尚、酸素を有するトリアルキルアルミニウム(RAl,RR’R”Al)とは、前記R,R’,R”がRO,R’O,R”Oの如きのアルコキシド基に代わった構造の化合物が代表的な例として挙げられる。例えば、RR’AlOR”等で表される化合物である。 Trialkylaluminum is a compound represented by R 3 Al or RR′R ″ Al (R, R ′, R ″ are alkyl groups, and R, R ′, R ″ may be the same or different). , (CH 3 ) 3 Al, (C 2 H 5 ) 3 Al, (C 3 H 7 ) 3 Al, (C 4 H 9 ) 3 Al, (CH 3 ) 2 AlC 2 H 5 , (C 2 H 5 ) 2 A typical example is a trialkylaluminum such as AlCH 3. A preferable alkyl group is a hydrocarbon group having 7 or less carbon atoms, and a more preferable alkyl group is a hydrocarbon group having 4 or less carbon atoms. The alkyl groups may be all the same or different, and the oxygen-containing trialkylaluminum (R 3 Al, RR′R ″ Al) means that R, R ′, R ″ are RO, R Alkoxy like 'O, R "O Compounds of structure behalf group can be cited as typical examples. For example, a compound represented by RR'AlOR "or the like.

ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムは、例えば下記の一般式[I]で表される化合物である。
一般式[I]
尚、上記一般式[I]中、R〜R10は、H又はアルキル基である。好ましいアルキル基は炭素数が7以下の炭化水素基である。更に好ましいアルキル基は炭素数が4以下の炭化水素基である。
Bisalkylcyclopentadienyl magnesium is, for example, a compound represented by the following general formula [I].
Formula [I]
In the general formula [I], R 1 to R 10 are H or an alkyl group. A preferred alkyl group is a hydrocarbon group having 7 or less carbon atoms. More preferred alkyl groups are hydrocarbon groups having 4 or less carbon atoms.

特に好ましいビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとしては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスターシャリーブチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルマグネシウムが挙げられる。   Particularly preferred bisalkylcyclopentadienyl magnesiums include biscyclopentadienyl magnesium, bismethylcyclopentadienyl magnesium, bisethylcyclopentadienyl magnesium, bisisopropylcyclopentadienyl magnesium, and bistally butylcyclopentadienyl. Examples include magnesium and bispentamethylcyclopentadienyl magnesium.

以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明する。但し、本発明は本実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with specific examples. However, the present invention is not limited to this embodiment.

[実施例1]
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム[CpMg]を用いてトリメチルアルミニウム[TMAl:(CHAl]の精製を行った。
[Example 1]
Trimethylaluminum [TMAl: (CH 3 ) 3 Al] was purified using biscyclopentadienylmagnesium [Cp 2 Mg].

すなわち、図1に示される装置が用いられた。尚、図1中、1は蒸留釜、2は蒸留塔、3は塔頂温度計、4は冷却器、5は流出物捕集器である。   That is, the apparatus shown in FIG. 1 was used. In FIG. 1, 1 is a distillation kettle, 2 is a distillation column, 3 is a tower top thermometer, 4 is a cooler, and 5 is an effluent collector.

先ず、蒸留釜1に2gのCpMgが入れられた。この後、50gのTMAl(TMAlは不純物成分としてOを有する)が入れられた。 First, 2 g of Cp 2 Mg was placed in the still 1. Thereafter, 50 g of TMAl (TMAl has O as an impurity component) was added.

この後、還流処理が行なわれた。そして、2時間後に留出塔頂温度125℃で留出したTMAlが捕集器5に捕集された。   Thereafter, a reflux treatment was performed. After 2 hours, TMAl distilled at a distillation column top temperature of 125 ° C. was collected in the collector 5.

前記還流・蒸留処理後の蒸留釜1に残された溶液を観察した処、これは薄赤色に着色したものであった。   When the solution remaining in the still 1 after the reflux / distillation treatment was observed, it was colored light red.

上記還流・蒸留処理で精製された物をH−NMRで分析した。その結果は、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。 The thing refine | purified by the said reflux and distillation process was analyzed by H-NMR. As a result, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例2]
実施例1において、CpMgの代わりにMeCpMg(ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、MeCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 2]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using MeCp 2 Mg instead of Cp 2 Mg (bis-cyclopentadienyl magnesium).
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. And, a peak derived from MeCp 2 Mg was observed.

[実施例3]
実施例1において、CpMgの代わりにEtCpMg(ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、EtCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 3]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using instead EtCp 2 Mg of Cp 2 Mg (bis-ethyl-cyclopentadienyl magnesium).
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. And, a peak derived from EtCp 2 Mg was observed.

[実施例4]
実施例1において、CpMgの代わりにi-PrCpMg(ビスイソプロピルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、i-PrCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 4]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using i-PrCp 2 Mg (bis-isopropylcyclopentadienyl magnesium) instead of Cp 2 Mg.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. And a peak derived from the i-PrCp 2 Mg was observed.

[実施例5]
実施例1において、CpMgの代わりにt-BuCpMg(ビスターシャリーブチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/5以下に減少していた。かつ、t-BuCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 5]
In Example 1, were carried out in the same manner except for using, instead of Cp 2 Mg t-BuCp 2 Mg ( Bicester tertiary butyl cyclopentadienyl magnesium).
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to 1/5 or less as compared with that before the treatment. In addition, no peak derived from t-BuCp 2 Mg was observed.

[実施例6]
実施例1において、CpMgの代わりにMeCpMg(ビスペンタメチルシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、MeCpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 6]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using Me 5 Cp 2 Mg (bis-pentamethylcyclopentadienyl magnesium) instead of Cp 2 Mg.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to ¼ or less as compared with that before treatment. And a peak derived from Me 5 Cp 2 Mg was observed.

[実施例7]
実施例1において、TMAlの代わりにTEAl(トリエチルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 7]
In Example 1, it carried out similarly except having used TEAl (triethylaluminum) instead of TMAl.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of C 2 H 5 O—Al was reduced to ¼ or less compared to that before treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例8]
実施例1において、TMAlの代わりにTPAl(トリプロピルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 8]
In Example 1, it carried out similarly except having used TPAl (tripropylaluminum) instead of TMAl.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of C 3 H 7 O—Al was reduced to ¼ or less compared to that before treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例9]
実施例1において、TMAlの代わりにTBAl(トリブチルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。
その結果は同様なものであった。すなわち、処理前の物に比べて、CO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 9]
In Example 1, it carried out similarly except having used TBAl (tributylaluminum) instead of TMAl.
The result was similar. That is, the peak intensity due to the protons of C 4 H 9 O—Al was reduced to ¼ or less as compared with that before the treatment. And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例10]
実施例1において、TMAlの代わりにDMEAl(ジメチルエチルアルミニウム)を用いた以外は同様に行なった。その結果は同様なものであった。
[Example 10]
In Example 1, it carried out similarly except having used DMEAl (dimethyl ethyl aluminum) instead of TMAl. The result was similar.

[実施例11]
図2に示される装置が用いられた。尚、図2中、1はTMAl(TMAlは不純物成分としてOを有する)が入れられた容器、2はCpMgが入れられた容器、3は捕集器、4は冷却器、5は配管、6は窒素ガスボンベである。
容器2には30gのCpMgが入れられている。そして、窒素ガスボンベ6から容器1内に窒素ガスが供給された。この供給された窒素ガスによるバブリングによって、容器1内のTMAlは気相状態で容器2内に送り込まれた。
この送り込まれたTMAlは、CpMgと接触しながら、容器2内を通過した。容器2を出たTMAlは、冷却器4で冷却され、容器3内に捕集された。
上記方法によるCpMgで精製されたTMAlをH−NMRで分析した。その結果は、処理(精製)前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/3以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 11]
The apparatus shown in FIG. 2 was used. In FIG. 2, 1 is a container containing TMAl (TMAl has O as an impurity component), 2 is a container containing Cp 2 Mg, 3 is a collector, 4 is a cooler, and 5 is piping. , 6 are nitrogen gas cylinders.
Container 2 contains 30 g of Cp 2 Mg. Then, nitrogen gas was supplied into the container 1 from the nitrogen gas cylinder 6. By bubbling with the supplied nitrogen gas, TMAl in the container 1 was sent into the container 2 in a gas phase state.
This sent TMAl passed through the container 2 while contacting with Cp 2 Mg. TMAl exiting the container 2 was cooled by the cooler 4 and collected in the container 3.
TMAl purified with Cp 2 Mg by the above method was analyzed by H-NMR. As a result, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al decreased to 1/3 or less as compared with the product before treatment (purification). And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[実施例12]
図3に示される装置が用いられた。尚、図3中、1はTMAl(TMAlは不純物成分としてOを有する)が入れられた容器、2はCpMg充填容器、3は捕集器、4は濾過器、5は配管、6は窒素ガスボンベである。
容器2には30gのCpMgが入れられている。そして、窒素ガスボンベ6から容器1内に窒素ガスが供給された。この供給された窒素ガスによるバブリングによって、容器1内のTMAl(液体)はCpMg充填容器1内に圧送された。
この圧送された液体TMAlは、CpMgと接触しながら、CpMg層を通過した。そして、CpMg充填容器2を出た液体TMAlは、濾過器4で濾過され、容器3内に捕集された。
上記方法によるCpMgで精製されたTMAlをH−NMRで分析した。その結果は、処理(精製)前の物に比べて、CHO−Alのプロトンによるピーク強度が1/4以下に減少していた。かつ、CpMgに由来のピークは認められなかった。
[Example 12]
The apparatus shown in FIG. 3 was used. In FIG. 3, 1 is a container containing TMAl (TMAl has O as an impurity component), 2 is a Cp 2 Mg filled container, 3 is a collector, 4 is a filter, 5 is piping, 6 is Nitrogen gas cylinder.
Container 2 contains 30 g of Cp 2 Mg. Then, nitrogen gas was supplied into the container 1 from the nitrogen gas cylinder 6. TMAl (liquid) in the container 1 was pumped into the Cp 2 Mg filled container 1 by bubbling with the supplied nitrogen gas.
The pumped liquid TMAl, while in contact with Cp 2 Mg, passed through the Cp 2 Mg layer. Then, the liquid TMAl exiting the Cp 2 Mg filled container 2 was filtered by the filter 4 and collected in the container 3.
TMAl purified with Cp 2 Mg by the above method was analyzed by H-NMR. As a result, the peak intensity due to the protons of CH 3 O—Al was reduced to ¼ or less compared to the product before treatment (purification). And a peak derived from Cp 2 Mg was observed.

[比較例1]
実施例1において、CpMgの代わりにMeMg(ジメチルマグネシウム)を用いた以外は同様に行なった。
本比較例の場合、留出した液体に錯体[MeAlMg]が認められた。
[Comparative Example 1]
In Example 1, it was carried out in the same manner except for using Me 2 Mg (dimethyl magnesium) instead of Cp 2 Mg.
In the case of this comparative example, a complex [Me 8 Al 2 Mg] was observed in the distilled liquid.

Claims (8)

Al(R ,R ,R の中の少なくとも一つはアルコキシド基であって、全てがアルコキシド基でない場合における残りの基はアルキル基)、及びR Al(R ,R ,R はアルキル基)を含む物質からR Alを精製する方法であって、
前記R Alとビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを接触させる工程を具備する
ことを特徴とするトリアルキルアルミニウムの精製方法。
R 1 R 2 R 3 Al ( at least one of R 1 , R 2 , R 3 is an alkoxide group, and the remaining groups when not all are alkoxide groups are alkyl groups), and R 4 R 5 R A method for purifying R 4 R 5 R 6 Al from a substance containing 6 Al (R 4 , R 5 , and R 6 are alkyl groups) ,
Wherein R 1 R 2 R 3 Al and purification method of trialkylaluminum, wherein <br/> by comprising the step of contacting the bis-alkyl cyclopentadienyl magnesium.
接触工程は、
Al及びR Alを含む物質と、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、混合処理する工程である
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの精製方法。
The contact process is
R 1 R 2 R 3 Al and R 4 R 5 R a substance containing 6 Al, and a bis-alkyl cyclopentadienyl magnesium, bird according to claim 1, characterized in that the step of mixing process <br/> A method for purifying alkylaluminum.
接触工程は、
Al及びR Alを含む物質と、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムとを、還流処理する工程である
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの精製方法。
The contact process is
A material containing R 1 R 2 R 3 Al and R 4 R 5 R 6 Al, and a bis-alkyl cyclopentadienyl magnesium, bird according to claim 1, characterized in <br/> be a step of refluxing A method for purifying alkylaluminum.
接触工程は、
Al及びR Alを含む物質を、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中を、通過させる工程である
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの精製方法。
The contact process is
The substance containing the R 1 R 2 R 3 Al and R 4 R 5 R 6 Al, through the bisalkyl cyclopentadienyl magnesium, trialkyl claim 1, characterized in <br/> be a step of passing A method for purifying aluminum.
接触工程は、
Al及びR Alを含む気相状態の物質を、ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウム中を、通過させる工程である
ことを特徴とする請求項1のトリアルキルアルミニウムの精製方法。
The contact process is
Claims a material of gas phase containing R 1 R 2 R 3 Al and R 4 R 5 R 6 Al, through the bisalkyl cyclopentadienyl magnesium, and wherein the <br/> be a step of passing 1. A method for purifying trialkylaluminum.
接触工程後に蒸留工程を具備する
ことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかのトリアルキルアルミニウムの精製方法。
6. The method for purifying trialkylaluminum according to claim 1, further comprising a distillation step after the contacting step.
接触工程後に濾過工程を具備する
ことを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかのトリアルキルアルミニウムの精製方法。
The method for purifying trialkylaluminum according to any one of claims 1 to 6, further comprising a filtration step after the contacting step.
ビスアルキルシクロペンタジエニルマグネシウムが、
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスターシャリーブチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルマグネシウムの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかのトリアルキルアルミニウムの精製方法。
Bisalkylcyclopentadienyl magnesium is
Biscyclopentadienylmagnesium, bismethylcyclopentadienylmagnesium, bisethylcyclopentadienylmagnesium, bisisopropylcyclopentadienylmagnesium, bistally butylcyclopentadienylmagnesium, bispentamethylcyclopentadienylmagnesium The method for purifying trialkylaluminum according to any one of claims 1 to 7, wherein the compound is one or more compounds selected from the group consisting of:
JP2009237943A 2009-10-15 2009-10-15 Method for purifying trialkylaluminum Active JP5489155B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009237943A JP5489155B2 (en) 2009-10-15 2009-10-15 Method for purifying trialkylaluminum

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009237943A JP5489155B2 (en) 2009-10-15 2009-10-15 Method for purifying trialkylaluminum

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011084507A JP2011084507A (en) 2011-04-28
JP5489155B2 true JP5489155B2 (en) 2014-05-14

Family

ID=44077739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009237943A Active JP5489155B2 (en) 2009-10-15 2009-10-15 Method for purifying trialkylaluminum

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5489155B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018150246A (en) * 2017-03-10 2018-09-27 国立大学法人東北大学 Organic compound deposition method
CN109879900A (en) * 2018-12-18 2019-06-14 安徽亚格盛电子新材料有限公司 A method of trimethyl aluminium is effectively purified using inorganic salts

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0267230A (en) * 1988-09-02 1990-03-07 Toyo Stauffer Chem Co Purification of organometallic compound
JP3133187B2 (en) * 1992-03-04 2001-02-05 富士通株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011084507A (en) 2011-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1621542B1 (en) Purification method of crude trimethylaluminum
JP2007137883A (en) Purification of organometallic compound
JP2006290889A (en) Purification of metal-containing compounds
JP2006342101A (en) Method for producing organometallic compound
TWI333954B (en)
JP5489155B2 (en) Method for purifying trialkylaluminum
JP5423039B2 (en) High purity trialkylgallium and method for producing the same
CN108059600B (en) Refining method of tetra (dimethylamino) titanium
JPH0529371B2 (en)
TW201726611A (en) Method for preventing decomposition of dimethyl sulfoxide
CN1704395A (en) Method for producing 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzoic acid
RU2465277C2 (en) Method of producing dialkylzinc and dialkylaluminium monohalide
JP2007254408A (en) High-purity bis(cyclopentadienyl)magnesium and method for producing the same
JPS60221301A (en) Novel manufacture of germanium hydride
EP0658560B1 (en) Process for removing oxygen-containing impurities in organo-gallium or -indium compounds
JP2002167369A (en) Method for preparing high polymeric n-vinylcarboxylic acid amide
JP3624437B2 (en) Method for purifying organometallic compounds
JP2009126835A (en) High-purity trialkylgallium and method for producing the same
JP4171570B2 (en) Method for producing high-purity alkyladamantyl ester
CN112062792A (en) Production method of tris (dimethylamine) cyclopentadiene hafnium
JPH01100178A (en) Method for purifying trialkylindium
JP3781499B2 (en) Acrylic acid purification method
JPH0733781A (en) Method for purifying triisobutylaluminum
KR20070083182A (en) Process for producing high-purity hafnium amide
JPH0158194B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121011

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131218

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5489155

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250